CN208706592U - 一种晶圆加工设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种晶圆加工设备，晶圆加工设备包括工作台及背面研磨模块；工作台用于吸附晶圆，且晶圆具有凸出于工作台的晶圆背面边缘区域；背面研磨模块位于晶圆的下方，与晶圆背面边缘区域相接触，用以对晶圆背面边缘区域进行研磨。利用背面研磨模块去除晶圆背面上的污染物，改善晶圆背面的清洁度以及平整度，避免晶圆背面的污染物对设备的污染以及由于污染物造成的晶圆背面的不平整，导致晶圆在传输过程中的脱落以及制程工艺过程中设备的报警，同时减少设备的维护保养时间，提高设备的利用率；降低晶圆在进行后续的工艺过程中晶圆背面上的污染物发生破裂及脱落的风险，提高产品良率。

Description

一种晶圆加工设备

技术领域

本实用新型属于半导体集成电路领域，涉及一种晶圆加工设备。

背景技术

在半导体集成电路领域中，半导体集成电路中的电路图案，通常是采用光刻工艺制备获得，光刻工艺一直被认为是集成电路制造中最关键的步骤，其在整个工艺过程中需要被多次使用，对产品的质量有着重要的影响。

光刻工艺是一个复杂的过程，其本质是把电路图案以图形的形式复制到以后要进行刻蚀或离子注入的半导体衬底上，一般光刻工艺主要包括以下步骤：首先在晶圆上形成介质薄膜层(导体薄膜或半导体薄膜)，再使用光刻胶涂布设备，在晶圆上涂布(Coating)光刻胶，将光照经过具有一定图形的掩膜板照射在光刻胶上使其曝光(Exposure)变质，而后利用显影液对光刻胶进行显影(Developing)，从而将掩膜板中的图形转移到光刻胶上形成具有光刻胶图案的光阻，最后在光阻的保护下对介质薄膜层进行刻蚀(Etch)工艺，从而将光刻胶图案转移到介质薄膜层中，图形化介质薄膜层获得电路图案。

现有的半导体集成电路中，在晶圆上形成介质薄膜层的方法包括化学气相沉积(CVD)及物理气相沉积(PVD)，采用所述方法在晶圆的上表面形成介质薄膜层时，在晶圆背面边缘区域会形成污染物(如介质薄膜层)，如图1所示，图1为现有技术中的晶圆的结构示意图，其中晶圆100的上表面在形成介质薄膜层200时，在晶圆背面边缘区域形成污染物300。图2显示为现有技术中的机械手臂承载晶圆时的结构示意图，机械手臂400通过晶圆接触部401传输晶圆100。图3显示为现有技术中的机械手臂在传输晶圆后残留污染物的结构示意图，机械手臂400在传输晶圆100后，在晶圆接触部401上残留部分污染物300。晶圆背面边缘区域的污染物300具有以下缺点，1)使得机械手臂400在传输晶圆100的过程中，污染物300掉落在机械手臂400的晶圆接触部401上，污染晶圆接触部401，从而进一步的将污染物300转移到下一片晶圆100上，扩大对晶圆100的污染范围，降低产品质量；2)使得晶圆背面边缘区域变得凹凸不平，在机械手臂400传输晶圆100的过程中，可能造成晶圆100受力不均匀，导致晶圆100在机械手臂400的传输过程中发生坠落及碎片；3)使得机械手臂400无法正常传输晶圆100，造成设备频繁报警，增加设备的维护保养时间，降低设备的利用率，甚至导致设备停机；4)使得晶圆100在进行后续的工艺过程中(如退火)，污染物300可能发生破裂及脱落现象，从而污染物300崩溅或坠落到晶圆100的上表面或与其相近的其他晶圆100的上表面，造成后续产品的缺陷，影响产品质量。

因此，有必要提供一种晶圆加工设备，用于解决晶圆背面边缘区域的污染物所引起的上述问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种晶圆加工设备，用于解决现有技术中在晶圆背面边缘区域残留的污染物所带来的一系列质量问题。

鉴于此，本实用新型提供一种晶圆加工设备，包括：

工作台，用于吸附晶圆，且所述晶圆具有凸出于所述工作台的晶圆背面边缘区域；

背面研磨模块，位于所述晶圆的下方，所述背面研磨模块与所述晶圆背面边缘区域相接触，用以对所述晶圆背面边缘区域进行研磨。

可选的，所述背面研磨模块包括N个，其中N≥2。

可选的，所述背面研磨模块的纵截面的形貌包括“T”字形、柱状、倒梯形及反“土”字形中的一种或组合。

可选的，所述背面研磨模块的研磨面的形貌包括圆形，其直径的范围包括1mm～30mm。

可选的，所述背面研磨模块包括Al₂O₃背面研磨模块。

可选的，所述背面研磨模块包括旋转背面研磨模块及固定背面研磨模块中的一种或组合。

可选的，所述工作台包括旋转工作台及固定工作台中的一种。

可选的，当所述工作台采用所述旋转工作台时，所述背面研磨模块采用旋转背面研磨模块，且所述旋转背面研磨模块的旋转方向与所述晶圆的旋转方向包括相反及相同中的一种或组合。

可选的，所述背面研磨模块还包括驱动件，用于驱动所述背面研磨模块。

可选的，所述晶圆加工设备还包括喷头模块，所述喷头模块位于所述晶圆的下方，用以向所述晶圆背面边缘区域喷涂清洗液。

可选的，所述喷头模块包括M个喷嘴，其中M≥2。

可选的，所述晶圆加工设备还包括收集槽，所述收集槽用于收集所述清洗液，且所述收集槽的底部包括排液通道。

可选的，所述晶圆加工设备还包括用于传输所述晶圆的机械手臂，所述机械手臂包含用于承载所述晶圆的晶圆接触部。

本实用新型的晶圆加工设备，通过晶圆加工设备中的背面研磨模块，对晶圆背面边缘区域进行研磨，能够去除位于晶圆背面边缘区域的污染物，从而提高晶圆背面边缘区域的清洁度和平整度；进一步地，晶圆加工设备中还设置了喷头模块，用以向所述晶圆背面边缘区域喷涂清洗液，有效去除被研磨掉的污染物，从而进一步提高晶圆背面边缘区域的清洁度和平整度；避免污染物掉落在机械手臂的晶圆接触部上，从而避免污染晶圆接触部，避免污染物转移到下一片晶圆上，缩小对晶圆的污染范围，提高产品质量；使得晶圆背面边缘区域厚度均匀，晶圆受力均匀，避免晶圆在机械手臂的传输过程中发生坠落及碎片现象；降低设备频繁报警的概率，降低设备的维护保养时间，提高设备的利用率；降低晶圆在进行后续的工艺过程中(如退火)，污染物发生破裂及脱落的现象，降低后续产品的缺陷，提高产品质量。

附图说明

图1显示为现有技术中的晶圆的结构示意图。

图2显示为现有技术中的机械手臂承载晶圆时的结构示意图。

图3显示为现有技术中的机械手臂在传输晶圆后残留污染物的结构示意图。

图4显示为本实用新型中的晶圆加工设备的结构示意图。

图5显示为本实用新型中的晶圆的结构示意图。

图6显示为本实用新型中的背面研磨模块的一种剖面结构示意图。

图7显示为本实用新型中的背面研磨模块的另一种剖面结构示意图。

图8显示为本实用新型中的机械手臂承载晶圆时的结构示意图。

图9显示为本实用新型中的晶圆加工方法的工艺流程示意图。

图10显示为本实用新型中的光刻胶图案层的制备方法的工艺流程示意图。

元件标号说明

100、110 晶圆

200、210 介质薄膜层

300、310 污染物

400、410 机械手臂

401、411 晶圆接触部

510 工作台

610 背面研磨模块

611 环形凹槽

710 喷头模块

810 清洗液

910 收集槽

I 晶圆背面边缘区域

L1 预设距离

L2 研磨距离

L3 晶圆接触部的接触距离

H1 背面研磨模块的厚度

D1 研磨面的直径

S1～S2、S1-1～S3-1 步骤

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。

请参阅图4至图10。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。

图4示意出了本实用新型中的晶圆加工设备的结构示意图，如图4所示，本实用新型实施例提供一种晶圆加工设备，主要包括工作台510以及背面研磨模块610。

具体的，所述工作台510包括旋转工作台及固定工作台中的一种，所述工作台510用于吸附晶圆110，且所述工作台510显露距离所述晶圆110边缘具有预设距离L1的晶圆背面边缘区域I，所述预设距离L1的范围可以包括1mm～30mm，也可以根据实际需要设置所需的实际范围。所述晶圆110的上表面可包括介质膜层210，所述介质膜层210包括采用PVD，CVD或Diffusion法形成的氧化硅层及氮化硅层中的一种或组合，在所述晶圆110的所述晶圆背面边缘区域I残留的污染物310(如介质薄膜层)，如图5所示，显示为本实用新型中的晶圆的结构示意图。将所述晶圆110置于所述工作台510的上表面，所述工作台510的上表面可带有若干均匀分布的气孔或气槽，通过均匀分布的气孔或气槽真空吸附所述晶圆110，避免其滑落导致碎片。所述背面研磨模块610位于所述晶圆110的下方，所述背面研磨模块610的研磨面与所述晶圆背面边缘区域I相接触，且所述背面研磨模块610的研磨距离L2在所述晶圆背面边缘区域I的投影覆盖所述预设距离L1，用以对所述晶圆背面边缘区域I进行研磨，去除位于所述晶圆背面边缘区域I内的所述污染物310。通过所述背面研磨模块610，可有效去除位于所述晶圆背面边缘区域I内的所述污染物310，提高所述晶圆背面边缘区域I的清洁度和平整度。

作为该实施例的进一步实施例，所述晶圆加工设备还包括喷头模块710，所述喷头模块710，位于所述晶圆110的下方，通过所述喷头模块710用以向所述晶圆背面边缘区域I喷涂清洗液810，以对所述晶圆背面边缘区域I进行清洗。通过所述喷头模块710可进一步有效去除被所述背面研磨模块610研磨掉的所述污染物310，从而进一步提高所述晶圆背面边缘区域I的清洁度和平整度。

作为该实施例的进一步实施例，所述背面研磨模块610包括N个，其中N≥2，且所述N个背面研磨模块610呈均匀分布的圆环状。

具体的，本实施例中仅包括1个所述背面研磨模块610，且位于所述晶圆背面边缘区域I的下方，在另一实施例中，所述背面研磨模块610的个数也可为N个，其中N≥2，所述N个背面研磨模块610可在所述晶圆背面边缘区域I的下方围成具有同一水平面的圆形形貌，且相邻的所述背面研磨模块610之间具有相等的间距，从而提高对所述晶圆背面边缘区域I的研磨效果。

作为该实施例的进一步实施例，所述背面研磨模块610包括旋转背面研磨模块及固定背面研磨模块中的一种或组合。

具体的，当所述工作台510采用所述旋转工作台时，位于所述旋转工作台上方的被吸附的所述晶圆110可进行旋转，因此所述背面研磨模块610可采用固定于所述晶圆加工设备中的固定研磨模块，即满足所述背面研磨模块610与所述晶圆背面边缘区域I产生位移即可。本实施例中，所述工作台510采用所述旋转工作台且所述背面研磨模块610采用所述旋转背面研磨模块，且所述旋转背面研磨模块的旋转角度的范围包括0°～360°，优选为360°，从而使得所述背面研磨模块610的研磨面与所述晶圆背面边缘区域I进行充分研磨，延长所述背面研磨模块610的耐用性。在另一实施例中，也可采用其他由所述旋转背面研磨模块及所述固定研磨模块进行组合所形成的群组中的一种，此处不作限制。

作为该实施例的进一步实施例，当所述工作台510采用所述旋转工作台时，所述背面研磨模块610采用旋转背面研磨模块，且所述旋转背面研磨模块的旋转方向与所述晶圆110的旋转方向包括相反及相同中的一种或组合。

具体的，当所述工作台510采用所述旋转工作台时，且所述旋转背面研磨模块的旋转方向与所述晶圆110的旋转方向相反时，可增强所述背面研磨模块610的研磨效果，且优选所述旋转背面研磨模块的旋转速度与所述晶圆110的旋转速度相等。当所述旋转背面研磨模块的旋转方向与所述晶圆110的旋转方向相同时，二者具有不同的旋转速度，即满足所述背面研磨模块610与所述晶圆背面边缘区域I产生相对位移即可。当所述工作台510采用固定工作台时，即位于所述工作台510上方的所述晶圆110不进行旋转，此时，所述背面研磨模块610需选用可围绕所述晶圆背面边缘区域I进行公转的背面研磨模块，以使得所述背面研磨模块610与所述晶圆背面边缘区域I产生相对位移即可。所述背面研磨模块的具体运行方式及运行速度此处不作限制。

作为该实施例的进一步实施例，所述背面研磨模块610还包括驱动件，用于驱动所述背面研磨模块610的移动及旋转。

具体的，所述驱动件包括驱动马达，为便于对所述背面研磨模块610的操作，所述驱动马达可对所述背面研磨模块610的具体位置(包括所述背面研磨模块610的高度及水平位置)及旋转速度进行调整，从而扩大所述背面研磨模块610的适用范围，本领域技术人员也可根据实际制程需要选择所述驱动件的种类及运行方式，此处不作限制。

作为该实施例的进一步实施例，所述背面研磨模块610的研磨面的形貌包括圆形，其直径D1的范围包括1mm～30mm。

具体的，在自所述晶圆110的边缘向所述晶圆110的中心方向延伸的所述预设距离L1包括1mm～30mm的范围内，为所述污染物310的高度集中区域，所述背面研磨模块610的研磨面采用直径D1的范围为1mm～30mm的圆形，可使所述旋转背面研磨模块的研磨面有效覆盖具有所述预设距离L1的所述晶圆背面边缘区域I。所述背面研磨模块610的研磨面也可为由直线及曲线所围成的其他形貌，此处不作限制。

作为该实施例的进一步实施例，所述背面研磨模块610沿所述晶圆110径向的研磨范围包括1mm～100mm。

具体的，所述驱动马达可驱动所述背面研磨模块610进行旋转、升降及移动，因此，通过所述背面研磨模块610的移动，可进一步扩大所述背面研磨模块610的研磨范围，所述研磨距离L2的范围包括1mm～100mm，以确保对所述晶圆背面边缘区域I进行研磨的同时，降低对所述晶圆110的损伤范围，本实施例中，所述背面研磨模块610的研磨面的直径D1与所述研磨距离L2相等，以降低工艺复杂性。

作为该实施例的进一步实施例，所述背面研磨模块610的纵截面的形貌包括如图6所示的“T”字形结构，其研磨面的形貌包括由直线及曲线所围成的图形中的一种，其中包括直径D1范围为1mm～30mm的圆形，所述背面研磨模块610的厚度H1的范围包括0.5mm～20mm，优选为15mm，在增强所述背面研磨模块610的使用寿命的同时，降低所述背面研磨模块610所占用的设备空间。

作为该实施例的进一步实施例，所述背面研磨模块610的纵截面形貌还可包括如图7所示的反“土”字形。

具体的，参阅图7，所述背面研磨模块610包括一环形凹槽611，所述环形凹槽611的开口的高度包括0.6mm～20mm，所述环形凹槽611的深度包括0.2mm～10mm，采用带有所述环形凹槽611的反“土”字形结构，有利于增强所述背面研磨模块610的稳定性，从而提高所述背面研磨模块610的研磨效果。所述背面研磨模块610的厚度H1的范围包括0.5mm～20mm，所述背面研磨模块610的研磨面的形貌包括直径D1范围为1mm～30mm的圆形，且优选所述研磨面的边缘凸出于所述晶圆110的边缘，以确保对所述晶圆背面边缘区域I的研磨，所述背面研磨模块610的上表面的形貌还包括由直线及曲线所围成的其他图形中的一种，如矩形。

作为该实施例的进一步的实施例，所述背面研磨模块610的纵截面形貌还可包括柱状及倒梯形中的一种及由“T”字形、柱状、倒梯形及反“土”字形中的两种以上的组合。

作为该实施例的进一步的实施例，所述背面研磨模块610包括Al₂O₃背面研磨模块，采用具有高硬度的Al₂O₃背面研磨模块，可增强所述背面研磨模块610的耐用性。

作为该实施例的进一步的实施例，所述喷头模块710包括M个喷嘴，其中M≥2，且M个所述喷嘴呈均匀分布的圆环状。

具体的，所述喷头模块710包括旋转喷头模块及固定喷头模块中的一种，所述喷头模块710可在所述背面研磨模块610进行研磨的同时，喷涂所述清洗液810，也可在所述背面研磨模块610研磨后喷涂所述清洗液810，用于去除经所述背面研磨模块610研磨产生的所述污染物310。M个所述喷嘴位于所述晶圆110的下方，且与所述晶圆背面边缘区域I可形成范围为90°～180°的夹角，从而有利于扩大所述清洗液810的喷涂区域。本实施例中，优选为在所述背面研磨模块610进行研磨的同时，喷涂所述清洗液810且所述清洗液810的喷涂区域覆盖所述背面研磨模块610，从而在所述背面研磨模块610进行研磨的同时，及时有效地清洗所述晶圆背面边缘区域I，提高去除所述污染物310的效果。

作为该实施例的进一步的实施例，所述清洗液810包括OK73、PGMEA、PGME及去离子水中的一种，所述清洗液810的流速的范围包括20ml/min～150ml/min。本实施例中，所述清洗液810优选为采用价格便宜、无污染的去离子水且流速选为50ml/min，以便于在确保所述清洗液810的清洗效果的同时，减小对所述晶圆110的冲击，从而减小对所述晶圆110的损伤。

作为该实施例的进一步的实施例，所述晶圆加工设备还包括收集槽910，所述收集槽910形成包围所述工作台510、背面研磨模块610以及喷头模块710的开口腔体，所述收集槽910的开口超出所述晶圆110的上表面，用于收集所述清洗液810，且所述收集槽910的底部还包括排液通道(未图示)，便于所述清洗液810的排除及收集。

作为该实施例的进一步实施例，所述晶圆加工设备还可包括用于传输所述晶圆110的机械手臂410，所述机械手臂410包含用于承载所述晶圆110的晶圆接触部411，且所述晶圆接触部411的接触距离L3不大于所述研磨距离L2，如图8，显示为本实用新型中的机械手臂承载晶圆时的结构示意图。

具体的，所述晶圆接触部411的接触距离L3小于或等于所述研磨距离L2，以确保所述机械手臂410在传输所述晶圆110时，所述晶圆接触部411与所述晶圆110的接触面的范围处于清洁区域，从而确保所述晶圆接触部411在后续传输所述晶圆110的过程中不会被所述污染物310所污染。所述接触距离L3与所述研磨距离L2的比值范围优选为1/2～3/4的范围，以确保所述晶圆接触部411承载所述晶圆110的稳定性。所述机械手臂410至少包括2个所述晶圆接触部411，本实施例中所述晶圆接触部411的个数为3个，且3个所述晶圆接触部411处于同一平面，从而构成一可承载所述晶圆110的水平面，且所述接触距离L3与所述研磨距离L2的比值范围优选为1/2，以提高所述晶圆接触部411承载所述晶圆110的稳定性，在另一实施例中，所述晶圆接触部411的个数也可为其他个数，如4、6等，且所述接触部411还可包括开口高度与所述晶圆背面边缘区域I的厚度相等的接触部凹槽，以进一步增强传输所述晶圆110的稳定性，所述晶圆接触部411的具体形貌及分布此处不作限制。

本实用新型还提供一种晶圆加工方法，如图9所示，显示为本实用新型中的晶圆加工方法的工艺流程示意图，包括以下步骤：

S1：提供晶圆；

S2：使用晶圆加工设备对晶圆背面边缘区域进行研磨，其中所述晶圆加工设备包括工作台及背面研磨模块，所述工作台用于吸附所述晶圆，且所述晶圆背面边缘区域凸出于所述工作台；所述背面研磨模块，位于所述晶圆的下方，所述背面研磨模块与所述晶圆背面边缘区域相接触，用以对所述晶圆背面边缘区域进行研磨。

作为该实施例的进一步实施例，所述背面研磨模块的研磨面的形貌包括圆形，其直径的范围包括1mm～30mm。

作为该实施例的进一步实施例，所述背面研磨模块沿所述晶圆径向的研磨范围包括1mm～100mm。

作为该实施例的进一步实施例，所述背面研磨模块包括Al₂O₃背面研磨模块。

作为该实施例的进一步实施例，步骤S2中所述晶圆加工设备还包括喷头模块，所述喷头模块位于所述晶圆的下方，用以向所述晶圆背面边缘区域喷涂清洗液。

作为该实施例的进一步实施例，所述背面研磨模块对所述晶圆背面边缘区域进行研磨的同时，使用所述喷头模块对所述晶圆背面边缘区域进行清洗，且所述清洗液的喷涂区域覆盖所述背面研磨模块。

作为该实施例的进一步实施例，还包括步骤S3，即在所述背面研磨模块对所述晶圆背面边缘区域进行研磨之后，使用所述喷头模块对所述晶圆背面边缘区域进行清洗。

作为该实施例的进一步实施例，所述清洗液的流速的范围包括20ml/min～150ml/min。

具体的，有关所述晶圆加工设备的结构此处不再赘述。

本实用新型还提供一种晶圆加工设备应用于光刻胶图案层的制备方法，如图10所示，显示为本实用新型中的光刻胶图案层的制备方法的工艺流程示意图，包括以下步骤：

S1-1：提供晶圆；

S2-1：使用晶圆加工设备对晶圆背面边缘区域进行研磨，其中所述晶圆加工设备包括工作台及背面研磨模块，所述工作台用于吸附所述晶圆，且所述晶圆背面边缘区域凸出于所述工作台；所述背面研磨模块，位于所述晶圆的下方，所述背面研磨模块与所述晶圆背面边缘区域相接触，用以对所述晶圆背面边缘区域进行研磨；

S3-1：在所述晶圆的上表面涂布光刻胶，进行光刻及显影制备所述光刻胶图案层。

具体的，首先进行步骤S1-1，所述晶圆的上表面包括介质膜层，所述介质膜层包括采用PVD，CVD或Diffusion法形成的氧化硅层及氮化硅层中的一种或组合，在所述晶圆的所述背面边缘区域残留的污染物。

接着进行步骤S2-1：通过所述晶圆加工设备中的所述背面研磨模块对所述晶圆背面边缘区域进行研磨，以去除所述污染物。

作为该实施例的进一步实施例，步骤S2-1中所述晶圆加工设备还包括喷头模块，所述喷头模块位于所述晶圆的下方，用以向所述晶圆背面边缘区域喷涂清洗液。

作为该实施例的进一步实施例，所述背面研磨模块对所述晶圆背面边缘区域进行研磨的同时，使用所述喷头模块对所述晶圆背面边缘区域进行清洗，且所述清洗液的喷涂区域覆盖所述背面研磨模块。

作为该实施例的进一步实施例，也可在步骤S2-1之后与步骤S3-1之前，使用所述喷头模块对所述晶圆背面边缘区域进行清洗。

作为该实施例的进一步实施例，所述清洗的过程中采用的所述清洗液包括OK73、PGMEA、PGME及去离子水中的一种，所述清洗液的流速的范围包括20ml/min～150ml/min，本实施例中，所述清洗液采用价格便宜、无污染的去离子水且所述清洗液的流速优选为50ml/min，以便于在确保所述清洗液的清洗效果的同时，减小对所述晶圆的冲击，减小所述晶圆的损伤。

最后进行步骤S3-1，具体的，步骤S3-1包括以下步骤：

S3-1-1：采用机械手臂将经研磨及清洗过后的所述晶圆传输到光刻胶涂布设备的平台上以吸附所述晶圆；

S3-1-2：通过所述平台的旋转，在所述晶圆的上表面形成均匀涂布的光刻胶；

S3-1-3：对所述晶圆进行曝光前烘烤，使所述光刻胶进行干燥和固化，以增强所述光刻胶与所述晶圆的粘着性，从而使后续显影过程达到良好的效果；

S3-1-4：采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，在所述光刻胶层中形成图案化的曝光图形；

S3-1-5：对所述晶圆进行曝光后烘烤，提升图案质量；

S3-1-6：在所述晶圆的上表面涂布显影液，对图案化的所述光刻胶层进行显影，制备所述光刻机胶图案层。

其中，所述机械手臂包含用于承载所述晶圆的晶圆接触部，且所述晶圆接触部的接触距离不大于所述背面研磨模块的研磨距离，即所述背面研磨模块沿所述晶圆径向的研磨范围，以确保所述机械手臂在传输所述晶圆时，所述晶圆接触部与所述晶圆的接触面的范围处于所述研磨距离以内，从而确保所述晶圆接触部在后续传输所述晶圆的过程中不会被所述污染物所污染，所述显影液的种类此处不作限制，有关所述晶圆加工设备的相关结构此处不再赘述。

综上所述，本实用新型的晶圆加工设备，通过晶圆加工设备中的背面研磨模块，对晶圆背面边缘区域进行研磨，能够去除位于晶圆背面边缘区域的污染物，从而提高晶圆背面边缘区域的清洁度和平整度；进一步地，晶圆加工设备中还设置了喷头模块，用以向所述晶圆背面边缘区域喷涂清洗液，有效去除被研磨掉的污染物，从而进一步提高晶圆背面边缘区域的清洁度和平整度；避免污染物掉落在机械手臂的晶圆接触部上，从而避免污染晶圆接触部，避免污染物转移到下一片晶圆上，缩小对晶圆的污染范围，提高产品质量；使得晶圆背面边缘区域厚度均匀，晶圆受力均匀，避免晶圆在机械手臂的传输过程中发生坠落及碎片现象；降低设备频繁报警的概率，降低设备的维护保养时间，提高设备的利用率；降低晶圆在进行后续的工艺过程中(如退火)，污染物发生破裂及脱落的现象，降低后续产品的缺陷，提高产品质量。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。

Claims (13)

1.一种晶圆加工设备，其特征在于，包括：

工作台，用于吸附晶圆，且所述晶圆具有凸出于所述工作台的晶圆背面边缘区域；

背面研磨模块，位于所述晶圆的下方，所述背面研磨模块与所述晶圆背面边缘区域相接触，用以对所述晶圆背面边缘区域进行研磨。

2.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其特征在于：所述背面研磨模块包括N个，其中N≥2。

3.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其特征在于：所述背面研磨模块的纵截面的形貌包括“T”字形、柱状、倒梯形及反“土”字形中的一种或组合。

4.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其特征在于：所述背面研磨模块的研磨面的形貌包括圆形，其直径的范围包括1mm～30mm。

5.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其特征在于：所述背面研磨模块包括Al₂O₃背面研磨模块。

6.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其特征在于：所述背面研磨模块包括旋转背面研磨模块及固定背面研磨模块中的一种或组合。

7.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其特征在于：所述工作台包括旋转工作台及固定工作台中的一种。

8.根据权利要求7所述的晶圆加工设备，其特征在于：当所述工作台采用所述旋转工作台时，所述背面研磨模块采用旋转背面研磨模块，且所述旋转背面研磨模块的旋转方向与所述晶圆的旋转方向包括相反及相同中的一种或组合。

9.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其特征在于：所述背面研磨模块还包括驱动件，用于驱动所述背面研磨模块。

10.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其特征在于：所述晶圆加工设备还包括喷头模块，所述喷头模块位于所述晶圆的下方，用以向所述晶圆背面边缘区域喷涂清洗液。

11.根据权利要求10所述的晶圆加工设备，其特征在于：所述喷头模块包括M个喷嘴，其中M≥2。

12.根据权利要求10所述的晶圆加工设备，其特征在于：所述晶圆加工设备还包括收集槽，所述收集槽用于收集所述清洗液，且所述收集槽的底部包括排液通道。

13.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其特征在于：所述晶圆加工设备还包括用于传输所述晶圆的机械手臂，所述机械手臂包含用于承载所述晶圆的晶圆接触部。