JP5521012B2 - フォトリソグラフシステムに用いられるプログラム可能な照明装置 - Google Patents
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Description
本発明の実施例の一例は、本発明のプログラム可能な照明装置を使用するフォトリソグラフシステムである。ここで述べられるプログラム可能な照明装置が使用に供され得るフォトリソグラフシステムは、米国特許第7,177,099号明細書、第7,148,953号明細書、第7,116,496号明細書、第6,863,403号明細書、第6,813,098号明細書、第6,381,077号明細書、および第5,410,434号明細書に開示されている。これら特許の明細書はすべて本明細書において援用される。
図4は、プログラム可能な照明装置10の一例に係る概略図である。プログラム可能な照明装置10は、プログラム可能な照明装置10を通してレチクル210に至る化学光L(均一化化学光L’を含む)の光路OPの中央軸を規定する、光学軸A1を有している。光学軸A1は、フォトリソグラフシステム200の光学軸A0に一致している。プログラム可能な照明装置10は、光学軸A1に沿って配置されているとともに、前述の(均一化されていない)化学光Lを放射する前述の光源310を有している。光源310の一例は、図示するように、水銀アークランプを有している。水銀アークランプは、水銀アークバルブ312および反射鏡314を有している。1つ以上の発光ダイオード(LED)、あるいは1つ以上のレーザーを有するLED光源といった、他の種類の光源310を使用してもよい。
図5は、プログラム可能なマイクロミラー装置350の一例の平面−立面図である。プログラム可能なマイクロミラー装置350は、表面352上において、調整可能な複数のミラー要素356(つまり、複数のマイクロミラー)のアレイを有している。互いに隣り合った複数のマイクロミラー356は、上述した隙間357によって分離されている。プログラム可能なマイクロミラー装置350の一例は、テキサス州オースティンのテキサス・インストルメント社のDLPRチップである。プログラム可能なマイクロミラー装置350の別の例としては、微小電気機械システム(MEMS)が含まれ得る。プログラム可能なマイクロミラー装置350の例は、米国特許第4,441,791号明細書、第4,615,595号明細書、および第4,956,610号明細書に記載されており、これら明細書は、本明細書に援用される。
一の実施例において、プログラム可能なマイクロミラー装置350は、コントロールユニット400のプログラミングにより、シャッターとして動作する。全ての調整可能なマイクロミラー356が「オフ」反射状態にあるとき、均一化化学光L’は、プログラム可能なマイクロミラー装置350からレチクル210に伝わらない。つまり、照射野ILFはオフになる。同様に、全ての調整可能なマイクロミラー356が「オン」反射状態にあるとき、均一化化学光L’は、プログラム可能なマイクロミラー装置350からレチクル210に伝わる。つまり、照射野ILFはオンになる。
図6は、2つの露光野EFに沿う感光性コーティング242の環状縁部244を示す、ウエハ240の拡大図である。一の実施例において、プログラム可能なマイクロミラー装置350は、露光野EFによって環状縁部244の露光が避けられるように構成されている。これにより、機械的な縁保護リングを用いる必要が無くなる。
本発明の一局面には、プログラム可能な照明装置10の表面352における開口354(図1および図4参照)を規定するためにプログラム可能なマイクロミラー装置350を使用することも含まれる。多数の調整可能なマイクロミラー356(例えば、1,000×1,000アレイ)を用いて、また、個別にアドレス可能なマイクロミラー356を用いて、調整可能なマイクロミラー356から反射した均一化化学光L’の強度プロファイルを非常に高い精度で規定することが可能となる。それぞれが、一辺が10ミクロンの正方形状である調整可能なマイクロミラー356であることから、プログラム可能なマイクロミラー装置350から反射した均一化化学光L’の強度プロファイルは、約10ミクロンの精度で規定される。プログラム可能なマイクロミラー装置350が必要なレチクル野RFの寸法を規定できるように、コントロールユニット400をプログラムしてもよい。一例において、34mmの寸法の照射野ILFは、約34ミクロン以内に規定される。対応する露光野EFが露光野EF同士の間のけがき線に対応できるように照射野ILFを規定することが求められる。けがき線空間は、典型的には、約75から100ミクロンである。これは有利に働くことになる。なぜならば、製造時において、ウエハ240上におけるダイおよびフィールドのサイズは、製品ごとに変更することができるからである。したがって、フォトリソグラフシステムには、露光野EFの面積を変更できることが求められる。これは、現在、レチクル面RPにおいて機械的な開口を調整することによって達成されている。
したがって、露光プロセス中に、残りのマイクロミラー356をオンあるいはオフにスイッチしつつ、いくつかの調整可能なマイクロミラー356をオフにすることで、露光野EFの大きさを制御することができる。
Claims (20)
- レチクル野を有するレチクルを光路に沿って照射し、表面と、縁と、前記縁に隣接する環状縁部を含むフォトレジストの被膜とを有するウエハ上に露光野を形成するフォトリソグラフシステムであって、
化学光を生成する光源と、
前記照明装置からの前記化学光を受けるように構成されているとともに、受けた前記化学光から均一化化学光を形成するように構成されている少なくとも一つの均一化エレメントを有している第1光学システムと、
向きを調整することができる複数のマイクロミラーのアレイを有しており、前記調整可能なマイクロミラーの向きの設定により前記均一化化学光を受けるとともに選択的に反射させるように配置されたプログラム可能なマイクロミラー装置と、
前記プログラム可能なマイクロミラー装置に使用可能に接続されているとともに、1以上の前記調整可能なマイクロミラーの向きを制御するように構成されているコントロールユニットと、
選択的に反射された前記均一化光を光路に沿って受けるとともに、前記レチクル野を照射する照射野を形成するように配置された第2光学システムと、
前記レチクルと前記ウエハとの間に使用可能に配設された投影レンズと、
を備え、
前記投影レンズは、照射された前記レチクル野に基づいて前記フォトレジストに露光野を結像し、
前記露光野は、前記レチクル野が全面的に照射された場合において前記フォトレジストの前記環状縁部に少なくとも部分的に重なる少なくとも一つの露光野縁部を含み、
前記コントロールユニットは、前記プログラム可能なマイクロミラー装置の前記マイクロミラーの向きを制御して、前記露光野縁部が前記フォトレジストの前記環状縁部に延入しないように前記レチクルを部分的に照射する
フォトリソグラフシステム。 - 前記光源は、紫外線波長を含む前記化学光を生成するように構成されている
請求項1に記載のフォトリソグラフシステム。 - 前記コントロールユニットは、前記調整可能なマイクロミラーの向きの選択を、前記均一化化学光を前記光路の内側に反射させる第1反射状態と、前記光路の外側に反射させる第2反射状態との間で変えることにより、前記プログラム可能なマイクロミラー装置をシャッターとして操作するように構成されている、請求項1または2に記載のフォトリソグラフシステム。
- 前記第2選択方向に設定された前記プログラム可能なマイクロミラー装置によって、前記光路の外へ屈折された前記均一化化学光を受けるように配置されたビームダンプをさらに備えている、請求項1から3のいずれかに記載のフォトリソグラフシステム。
- 前記コントロールユニットは、前記プログラム可能なマイクロミラー装置を操作して開口を規定するように構成されている、請求項1から4のいずれかに記載のフォトリソグラフシステム。
- 前記コントロールユニットは、a)前記レチクル野を通して前記照射野を走査すること、およびb)1回の露光において、非走査照射野を用いて前記レチクル野を照射することの少なくともいずれか一方を実施するように構成されている、請求項1から5のいずれかに記載のフォトリソグラフシステム。
- 前記コントロールユニットは、前記マイクロミラーが実質的に均一な反射をするように構成されている場合において、前記プログラム可能なマイクロミラー装置を操作して前記照射野における強度不均一性の量を現在の強度均一性の量と比べて減少あるいは最小化するように構成されている、請求項1から6のいずれかに記載のフォトリソグラフシステム。
- フォトリソグラフシステムに支持されるレチクルのレチクル野を照射して、半導体ウエハに支持されるとともに外縁と、前記外縁に隣接する環状縁部とを有するフォトレジスト層に露光野を形成する方法であって、
均一化化学光を生成する工程と、
マイクロミラーアレイを形成する複数のマイクロミラーのそれぞれを選択した向きに向けるように構成されているプログラム可能なマイクロミラー装置からの前記均一化化学光を選択的に反射する工程と、
前記選択的に反射された均一化化学光から、前記レチクル野を照射する照射野を形成して、前記レチクル野が全面的に照射された場合において前記フォトレジストの前記環状縁部に少なくとも部分的に重なる少なくとも一つの露光野縁部を形成する工程と、
前記プログラム可能なマイクロミラー装置を制御して、前記露光野縁部が前記フォトレジストの前記環状縁部に延入しないように前記レチクルを部分的に照射する工程と
を備える方法。 - 照射野における均一化化学光の量を制御するシャッターを規定するように前記複数のマイクロミラーを構成する工程をさらに備える、請求項8に記載の方法。
- 前記照射野の寸法を規定する照明装置開口を規定するように前記複数のマイクロミラーを構成する工程をさらに備える、請求項8または9に記載の方法。
- 前記レチクル野を通して前記照射野を走査する工程と、
前記マイクロミラーアレイの選択向きを変化させて前記レチクル野を走査する間、前記照射野を変更させる工程と
をさらに備える、請求項8から10のいずれかに記載の方法。 - 前記ウエハは、寸法を有し、
前記ウエハ上の異なる位置で露光野を形成する工程をさらに備え、
前記プログラム可能なマイクロミラー装置を制御する工程は、前記ウエハの寸法および前記露光野の位置に基づいていずれの露光野が、少なくとも一つの露光野縁部を構成するかを決定することを含む
請求項8から11のいずれかに記載の方法。 - 前記照射野による前記レチクル野の照射中に、a)1以上の前記マイクロミラーのオン状態およびオフ状態の間を急速に変動させる工程と、b)1以上の前記マイクロミラーがオン状態になる時間量を変化させる工程との少なくとも一方を有する
請求項8から12のいずれかに記載の方法。 - 前記マイクロミラーが実質的に均一な反射をするように構成されている場合において、複数の前記マイクロミラーのそれぞれを選択した向きに設定することによって前記照射野における強度不均一性の量を現在の強度均一性の量と比べて減少あるいは最小化する工程をさらに備える、請求項8から13のいずれかに記載の方法。
- 複数のレチクル照射を実施して、前記フォトレジスト層において、それぞれに対応する複数の露光野を形成する工程と、
前記マイクロミラーをオンあるいはオフにすることによって、複数のレチクル照射を行う前記レチクル野露光時間を規定する工程と
をさらに備える、請求項8から14のいずれかに記載の方法。 - 前記複数の露光野の少なくとも一つは、露光野縁部を有しており、複数のレチクル照射を実施して、前記フォトレジスト層において、それぞれに対応する複数の露光野を形成する工程と、
非露光野縁部と、少なくとも一つの前記露光野縁部とで相違する照射野強度分布を規定する工程とをさらに備える、請求項8から14のいずれかに記載の方法。 - 前記環状縁部は、2mmから4mmの幅を有する請求項8から16のいずれかに記載の方法。
- 寸法および外縁を有するウエハ上に支持されると共に、前記外縁に隣接する環状縁部を含むフォトレジスト層に露光野を形成する方法であって、 それぞれに向きを調整可能なマイクロミラーを有するプログラム可能なマイクロミラー装置に均一化化学光を照射する工程と、 前記プログラム可能なマイクロミラー装置の前記マイクロミラーからの前記均一化化学光を選択的に反射する工程と、 レチクル野を有するレチクルを繰り返し照射して、前記フォトレジスト層の異なる位置に、前記レチクル野が全面的に照射された場合において前記フォトレジストの前記環状縁部に延入する少なくとも一つの露光野縁部を含む複数の露光野を形成する工程と、 少なくともいくつかのマイクロミラーの向きを調整して、前記露光野縁部が前記フォトレジストの前記環状縁部に延入しないように前記レチクル野を前記照射野で部分的に照射する工程とを備える方法。
- 前記環状縁部は、2mmから4mmの幅を有する請求項18に記載の方法。
- 少なくともいくつかのマイクロミラーの向きを調整する工程は、前記ウエハの寸法および前記露光野の異なる位置に基づいて行われる請求項18または19に記載の方法。
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