JP4845766B2 - リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびエネルギセンサ - Google Patents
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Description
放射ビームB(例えばUV放射またはDUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一位置決め装置PMに接続された支持構造体(例えばマスクテーブル)MTと、
基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二位置決め装置PWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つまたは複数のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを備える。
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち1回の静止露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向および/またはY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、1回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する(つまり1回の動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)および像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、1回の動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動またはスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、またはスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に利用できる。
f>n(1/(RsCp)) (1)
f>p(1/(RiCi)) (2)
ここでnおよびpは1より大きい、好ましくは5より大きい、10より大きい、20より大きい、または50より大きい正の実数である。
Claims (13)
- 公称パルス幅を有する放射パルスを備えるパルス状放射ビームを受け、それに応じた電流を生成するように配置構成された放射感応性検出器と、前記放射感応性検出器に接続され、抵抗コンポーネントを有するRCネットワークと同等の回路と、前記回路の前記抵抗コンポーネントに接続され1を前記公称パルス幅で割った値より大きいサンプリングレートで前記抵抗コンポーネントの前後の電圧を測定するデジタルサンプルを出力するアナログ−デジタル変換器と、を有するセンサシステムと、
デジタルサンプルを受けるためにアナログ−デジタル変換器に接続され、そこから前記放射ビームの前記パルス到着時間の測定を計算するように構成されたデジタル信号プロセッサと、
前記センサの位置を測定するように構成され、かつ、クロックと、前記放射ビームの前記パルス到着時間の前記測定に基づいて前記クロックをリセットするように構成されたリセット回路とを有する位置測定システムと、を備える、
リソグラフィ装置。 - 前記サンプリングレートが5を前記公称パルス幅で割った値より大きい、
請求項1に記載の装置。 - 前記サンプリングレートが10を前記公称パルス幅で割った値より大きい、
請求項1に記載の装置。 - 前記サンプリングレートが20を前記公称パルス幅で割った値より大きい、
請求項1に記載の装置。 - 前記サンプリングレートが50を前記公称パルス幅で割った値より大きい、
請求項1に記載の装置。 - 前記放射感応性検出器が等価抵抗Rsおよび等価キャパシタンスCpを有し、前記サンプリングレートfが以下の不等式を満足し、
f>n(1/(RsCp))
ここでnが1より大きい正の実数である、
請求項1に記載の装置。 - nが50より大きい、
請求項6に記載の装置。 - 前記回路が等価抵抗Riおよび等価キャパシタンスCiを有し、前記サンプリングレートfが以下の不等式を満足し、
f>p(1/(RiCi))
ここでpが1より大きい正の実数である、
請求項1に記載の装置。 - pが50より大きい、
請求項8に記載の装置。 - 前記デジタルサンプルを受けるためにアナログ−デジタル変換器に接続され、そこから前記放射ビームのパルスの前記エネルギの測定値を計算するように構成配置されたデジタル信号プロセッサを備える、
請求項1に記載の装置。 - 放射ビームが、約365nm以下の波長を有する電磁放射である、
請求項1に記載の装置。 - 前記放射感応性検出器が透過像センサシステムの一部である、
請求項1に記載の装置。 - 前記放射感応性検出器が干渉計収差センサの一部である、
請求項1に記載の装置。
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