JPH03211812A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH03211812A JPH03211812A JP2007888A JP788890A JPH03211812A JP H03211812 A JPH03211812 A JP H03211812A JP 2007888 A JP2007888 A JP 2007888A JP 788890 A JP788890 A JP 788890A JP H03211812 A JPH03211812 A JP H03211812A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- projection
- illuminance
- stage
- wafer
- moving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は半導体製造用の露光装置に関し、特にレチクル
面上に形成されている回路パターンを投影光学系により
投影面であるウニへ面に所定の倍率で投影露光する際の
該投影面内の照度及び照度分布を測定する照度測定手段
を設けた露光装置に関するものである。
面上に形成されている回路パターンを投影光学系により
投影面であるウニへ面に所定の倍率で投影露光する際の
該投影面内の照度及び照度分布を測定する照度測定手段
を設けた露光装置に関するものである。
(従来の技術)
最近の半導体製造技術は電子回路の高集積化に伴い解像
パターン線幅も例えば1μm以下となり、光学的な露光
装置においても従来に比べてより高解像力化されたもの
が要望されている。
パターン線幅も例えば1μm以下となり、光学的な露光
装置においても従来に比べてより高解像力化されたもの
が要望されている。
一般にレチクル面上の回路パターンを投影光学系を介し
てウニへ面(投影面)上に投影する際、回路パターンの
解像線幅は使用波長や投影光学系のN、A等と共に投影
面上における照度分布の肉性の良否が大きく影響してく
る。
てウニへ面(投影面)上に投影する際、回路パターンの
解像線幅は使用波長や投影光学系のN、A等と共に投影
面上における照度分布の肉性の良否が大きく影響してく
る。
この為、従来の多くの露光装置ではウェハを載置するX
Yステージ面上又はその近傍に照度計を配置して投影面
上における照度分布を種々の方法により測定している。
Yステージ面上又はその近傍に照度計を配置して投影面
上における照度分布を種々の方法により測定している。
例えば
(イ)ウェハを載置するXYステージの周辺の一部に照
度計を装着しておき、必要に応じてXYステージ上の照
度計を投影面上に移動させて照度分布を測定する方法。
度計を装着しておき、必要に応じてXYステージ上の照
度計を投影面上に移動させて照度分布を測定する方法。
(ロ)XYステージ面上の一部に測定に際して、その都
度照度計を載置し、XYステージを移動させなから投影
面内の照度分布を測定する方法。
度照度計を載置し、XYステージを移動させなから投影
面内の照度分布を測定する方法。
等か用いられている。
(発明が解決しようとする問題点)
投影面における照度分布を測定する方法のうち面記(イ
)の方法はXYステージ上の周辺に載置した照度計を投
影光学系の光軸上に移動した後、投影領域全体にわたり
XYステージを移動させねばならずXYステージの可動
ストロークが増大すると共にXYステージの加工範囲が
増大し高精度な移動が難しくなってくるという問題点が
あった。
)の方法はXYステージ上の周辺に載置した照度計を投
影光学系の光軸上に移動した後、投影領域全体にわたり
XYステージを移動させねばならずXYステージの可動
ストロークが増大すると共にXYステージの加工範囲が
増大し高精度な移動が難しくなってくるという問題点が
あった。
一方、前記(ロ)の方法は測定の際にその都度ウェハー
チャックを取り外し、照度計をXYステージ面上に装着
しなければならずスルーブツトが低ドすると共にウェハ
ーチャックの着脱操作の縁り返しによりウェハーチャッ
クと投影光学系の投影面との平行度が変化してきて、解
像力が低下してくるという問題点があった。
チャックを取り外し、照度計をXYステージ面上に装着
しなければならずスルーブツトが低ドすると共にウェハ
ーチャックの着脱操作の縁り返しによりウェハーチャッ
クと投影光学系の投影面との平行度が変化してきて、解
像力が低下してくるという問題点があった。
この他、従来の測定方法では一連の焼き付は作業をいっ
たん中断して測定を行う必要かあった為に焼き付は作業
を中断している間や複雑な作業を伴う再開手続きを行っ
ている間は焼付けが出来ず時間のロスとなり、スルーブ
ツトを低下させる原因となっていた。
たん中断して測定を行う必要かあった為に焼き付は作業
を中断している間や複雑な作業を伴う再開手続きを行っ
ている間は焼付けが出来ず時間のロスとなり、スルーブ
ツトを低下させる原因となっていた。
本発明はXYステージとは独立に少なくとも2次元的に
移動する測定台を設け、該測定台上に光検出手段を配置
し、該測定台を移動させて光検出手段の受光面か投影光
学系による投影面内で任意に走査出来るようにし、ウェ
ハ面上への投影露光を行っていない、例えばウェハの供
給、搬出、位置合わせ等を行っている間に投影面内にお
ける照度及び照度分布を迅速にしかも高精度に測定する
ことかできスルーブツトの低下を防止した高解像力の投
影焼付けか可能な露光装置の提供を目的とする。
移動する測定台を設け、該測定台上に光検出手段を配置
し、該測定台を移動させて光検出手段の受光面か投影光
学系による投影面内で任意に走査出来るようにし、ウェ
ハ面上への投影露光を行っていない、例えばウェハの供
給、搬出、位置合わせ等を行っている間に投影面内にお
ける照度及び照度分布を迅速にしかも高精度に測定する
ことかできスルーブツトの低下を防止した高解像力の投
影焼付けか可能な露光装置の提供を目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明の露光装置は、照明系からの光束で被照射面上に
載置した投影物体を照明し、該投影物体を投影光学系に
より少なくとも2次元的な移動をする試料台面上に載置
した被投影物体面上に投影するようにした露光装置にお
いて、該試料台とは独立に少なくとも2次元的な移動を
する測定台を設け、該測定台上にその受光面が物体面の
高さとほぼ同じになるように光検出手段を配置し、該測
定台を該投影光学系の光軸と直交する平面内で移動させ
ることにより、該投影光学系による投影面上における照
度又は/及び照度分布を測定するようにした照度測定手
段を設けたことを特徴としている。
載置した投影物体を照明し、該投影物体を投影光学系に
より少なくとも2次元的な移動をする試料台面上に載置
した被投影物体面上に投影するようにした露光装置にお
いて、該試料台とは独立に少なくとも2次元的な移動を
する測定台を設け、該測定台上にその受光面が物体面の
高さとほぼ同じになるように光検出手段を配置し、該測
定台を該投影光学系の光軸と直交する平面内で移動させ
ることにより、該投影光学系による投影面上における照
度又は/及び照度分布を測定するようにした照度測定手
段を設けたことを特徴としている。
(実施例)
第1図は本発明の第1実施例の要部斜視図である。
同図において1は照明系であり、超高圧水銀灯やエキシ
マレーザ等の光源からの光束を均一化して射出している
。そして該光束で投影物体であるレチクル5を照明して
いる。レチクル5面上にはウェハ9に投影転写する為の
回路パターンが石英板上に数倍に拡大されて形成されて
いる。
マレーザ等の光源からの光束を均一化して射出している
。そして該光束で投影物体であるレチクル5を照明して
いる。レチクル5面上にはウェハ9に投影転写する為の
回路パターンが石英板上に数倍に拡大されて形成されて
いる。
6はレチクルステージであり、レチクル5を載置してい
る。7はレチクルハンドであり、レチクル5をレチクル
ステージ6上に供給及びレチクルステージ6より回収し
ている。
る。7はレチクルハンドであり、レチクル5をレチクル
ステージ6上に供給及びレチクルステージ6より回収し
ている。
8は投影レンズ系であり、レチクル5面上の回路パター
ンをウェハ9面上に縮少投影している。
ンをウェハ9面上に縮少投影している。
10は試料台としての少なくとも2次元的な移動をする
XYステージであり、ウェハ9を載置しており不図示の
駆動手段により投影面内をXY力方向移動している。
XYステージであり、ウェハ9を載置しており不図示の
駆動手段により投影面内をXY力方向移動している。
11はウェハ供給ハンドであり、ウェハ9をXYステー
ジ10上に供給している。12はウェハ回収ハンドであ
り、ウェハ9をXYステージ10から回収している。1
3は光検出手段である。
ジ10上に供給している。12はウェハ回収ハンドであ
り、ウェハ9をXYステージ10から回収している。1
3は光検出手段である。
15は測定台であり、その面トには光検出手段13が載
置されている。又測定台15はXYステージ10面上に
配置されており、XYステージ10とは独立に少なくと
も2次元的に移動可能となっている。又光検出手段13
は光電変模索イーと素Y−に入射する光を規制するどン
ホールを備えた遮光板を有し、遮光板上面か受光部(測
光面)になる。もちろん受光部の小さな充電変換素子を
用いてもよい。14は制御手段であり、各ユニットの駆
動操作を制御している。
置されている。又測定台15はXYステージ10面上に
配置されており、XYステージ10とは独立に少なくと
も2次元的に移動可能となっている。又光検出手段13
は光電変模索イーと素Y−に入射する光を規制するどン
ホールを備えた遮光板を有し、遮光板上面か受光部(測
光面)になる。もちろん受光部の小さな充電変換素子を
用いてもよい。14は制御手段であり、各ユニットの駆
動操作を制御している。
本実施例においてレチクル5面上の回路パターンを投影
レンズ、v−8によりウェハ9而十に投影露光する場合
にはウェハ供給ハンド11によりウェハカセット(不図
示)からウェハ9をXYステージ10面上に供給する。
レンズ、v−8によりウェハ9而十に投影露光する場合
にはウェハ供給ハンド11によりウェハカセット(不図
示)からウェハ9をXYステージ10面上に供給する。
ウェハ9を載置したXYステージ10は制御手段14で
駆動制御されレチクル5とウェハ9との位置合わせが行
なゎゎる。
駆動制御されレチクル5とウェハ9との位置合わせが行
なゎゎる。
その後、照明系!からの露光光により照明されたレチク
ル5而トの回路パターンを投影レンズ系8によりウェハ
9面上に投影露光している。
ル5而トの回路パターンを投影レンズ系8によりウェハ
9面上に投影露光している。
レチクル5とウェハ9との位置合わせから投影露光まで
の工程を複数回縁り返すことによりウェハ9全面にレチ
クル5面上の回路パターンを投影露光している。そして
ウェハ9全而の投影露光が終Yしたらウェハ回収ハンド
12によりXYステージ10からウェハ9を回収し、該
ウェハを装置外に搬出している。
の工程を複数回縁り返すことによりウェハ9全面にレチ
クル5面上の回路パターンを投影露光している。そして
ウェハ9全而の投影露光が終Yしたらウェハ回収ハンド
12によりXYステージ10からウェハ9を回収し、該
ウェハを装置外に搬出している。
このような焼イ4け処理を連続して行うと光源の劣化、
レンズ系の経時変化等により、序々に露光光強度(照度
)や投影面上の照度分布が変化してきて高鯖度な焼付は
処理が出来なくなりてくる。
レンズ系の経時変化等により、序々に露光光強度(照度
)や投影面上の照度分布が変化してきて高鯖度な焼付は
処理が出来なくなりてくる。
そこで本実施例では所定の時間焼付は処理を行ったとき
や温度、気圧、湿度等の環境変化から照明系の劣化がt
測されるとき、制御手段14からの信号により自動的に
露光光の強度(照度)測定や投影面上の照度分布の測定
を行うようにしている。
や温度、気圧、湿度等の環境変化から照明系の劣化がt
測されるとき、制御手段14からの信号により自動的に
露光光の強度(照度)測定や投影面上の照度分布の測定
を行うようにしている。
このときの測定は例えば焼付は処理を続行しているUη
に右いて1枚のウェハに対し全tii光が終了した時点
でウェハの搬出及び次のウェハの供給と同時に行うよう
にしている。
に右いて1枚のウェハに対し全tii光が終了した時点
でウェハの搬出及び次のウェハの供給と同時に行うよう
にしている。
次に投影レンズ系8による投影面内における照度又は/
及び照度分布を測定する場合について説明する。まずレ
チクルハンド7によりレチクル5をレチクルステージ6
より搬出する。
及び照度分布を測定する場合について説明する。まずレ
チクルハンド7によりレチクル5をレチクルステージ6
より搬出する。
このときXYステージIOはウェハ9を供給又は回収す
る位置に移動しており、このXYステージ10の位置で
光検出手段13の受光面か投影レンズ系8の投影面(レ
チクルパターンの結像面)と略一致するように各要素を
設定している。
る位置に移動しており、このXYステージ10の位置で
光検出手段13の受光面か投影レンズ系8の投影面(レ
チクルパターンの結像面)と略一致するように各要素を
設定している。
そしてこの状態において制御子段14からの制御信号に
基ついて測定台15を投影面内においてXY力方向駆動
し、光検出手段13を測定したい位置に移動させて照度
を測定する。このときの測定台15の移動ストロークは
投影面内に限られるので、一般にxYステージ1oを移
動させて行うのに比べて小さくなっている。又投影焼付
けを行う際のXYステージ10の移動ストロークに比べ
ても小さい。
基ついて測定台15を投影面内においてXY力方向駆動
し、光検出手段13を測定したい位置に移動させて照度
を測定する。このときの測定台15の移動ストロークは
投影面内に限られるので、一般にxYステージ1oを移
動させて行うのに比べて小さくなっている。又投影焼付
けを行う際のXYステージ10の移動ストロークに比べ
ても小さい。
本実施例てはこのときの光検出手段の受光面積を投影面
に比へて小さくし、測定台15を投影面内で順次移動さ
せながら、各々の位置における照度(露光光強度)を測
定している。これにより該投影面内での各点の照度と共
に照度分布の測定を可能としている。
に比へて小さくし、測定台15を投影面内で順次移動さ
せながら、各々の位置における照度(露光光強度)を測
定している。これにより該投影面内での各点の照度と共
に照度分布の測定を可能としている。
この場合、例えばIIl#手段14により光検出手段1
3の受光面の投影面(ウニへ面)上における位置座標を
求めながら各位置における照度を順次測定し、記録手段
等に記録しておけば投影面全面における照度分布を容易
に測定することができる。
3の受光面の投影面(ウニへ面)上における位置座標を
求めながら各位置における照度を順次測定し、記録手段
等に記録しておけば投影面全面における照度分布を容易
に測定することができる。
そしてこの一連の測定が終了したらレチクル5をレチク
ルハント7を用いてレチクルステージ6Fにセットし、
次の露光工程を継続するようにしている。
ルハント7を用いてレチクルステージ6Fにセットし、
次の露光工程を継続するようにしている。
尚1本実施例においてXYステージ1oの位置を計測又
は移動状態を検出するレーザ干渉計等の第1モニター及
び測定台15の位置を計測又は移動状態を検出する光学
式エンコーダ等の第2モニターを設は各要素を駆動制御
している。本実施例においては投影レンズ系8の代わり
に凹面鏡と凸面鏡を有するミラー系を用いても本発明の
1的を同様に達成することができる。
は移動状態を検出するレーザ干渉計等の第1モニター及
び測定台15の位置を計測又は移動状態を検出する光学
式エンコーダ等の第2モニターを設は各要素を駆動制御
している。本実施例においては投影レンズ系8の代わり
に凹面鏡と凸面鏡を有するミラー系を用いても本発明の
1的を同様に達成することができる。
第2図は本発明の第2実施例の要部斜視図である。
本実施例では光検出手段13を載置する測定台15をX
Yステージ10とは独立にその側方に配置している。即
ち測定台15はウェハ面J二への焼付けを行っていると
きはXYステージ10の移動に対して機械的に干渉しな
い位置に配置されている。
Yステージ10とは独立にその側方に配置している。即
ち測定台15はウェハ面J二への焼付けを行っていると
きはXYステージ10の移動に対して機械的に干渉しな
い位置に配置されている。
同図において16はオフアクシス顕微鏡などの位置合わ
せ手段であり、レチクル5とウェハ9との相対的位置関
係をウェハ上のアライメントマークの位置を検出するこ
とにより検出している。
せ手段であり、レチクル5とウェハ9との相対的位置関
係をウェハ上のアライメントマークの位置を検出するこ
とにより検出している。
本実施例ではウェハ9面上に既に描かれているパターン
とウェハ9面上に焼付けようとするレチクル5面一トの
回路パターンとを位置合わせする情報を取得し、これに
よりレチクル5とウェハ9との位置合わせを行っている
。
とウェハ9面上に焼付けようとするレチクル5面一トの
回路パターンとを位置合わせする情報を取得し、これに
よりレチクル5とウェハ9との位置合わせを行っている
。
本実施例における動作は第1図の第1実施例と略同様で
あるが異なるのはウェハ9の焼付は処理過程の中で位置
合わせ手段工6によりレチクル5とウェハ9との位置合
わせ情報を取得する時間内に投影面内の照度及び照度分
布の測定を並行して行っていることである。
あるが異なるのはウェハ9の焼付は処理過程の中で位置
合わせ手段工6によりレチクル5とウェハ9との位置合
わせ情報を取得する時間内に投影面内の照度及び照度分
布の測定を並行して行っていることである。
即ち、ウェハ9の位置合わせの間、XYステージ10は
ウェハ9を位置合わせ手段16の光軸下に移動させて位
置合わせ情報を取得する。
ウェハ9を位置合わせ手段16の光軸下に移動させて位
置合わせ情報を取得する。
このとき測定台15はXYステージ10の移動に影響さ
れない領域に独立に配置されている為に第1実施例と同
様にして測定台15を投影面内で移動させ、これにより
投影面内における照度及び照度分布の測定を行っている
。
れない領域に独立に配置されている為に第1実施例と同
様にして測定台15を投影面内で移動させ、これにより
投影面内における照度及び照度分布の測定を行っている
。
(発明の効果)
本発明によれば前述の如<XYステージの移動とは独立
に移動することのできる測定台上に光検出手段を配置し
、該測定台を2次元的に移動させて投影面トを光検出手
段で走査することにより、ウェハの搬出入や位置合わせ
を行う時間を利用して、投影面トにおける任意の領域の
照度及び照度分布を迅速にしかも高積度に測定すること
ができる為スルーブツトの低下を防止しつつ、高積度な
投影焼付けが可能な露光装置を達成することができる。
に移動することのできる測定台上に光検出手段を配置し
、該測定台を2次元的に移動させて投影面トを光検出手
段で走査することにより、ウェハの搬出入や位置合わせ
を行う時間を利用して、投影面トにおける任意の領域の
照度及び照度分布を迅速にしかも高積度に測定すること
ができる為スルーブツトの低下を防止しつつ、高積度な
投影焼付けが可能な露光装置を達成することができる。
又、スルーブツトを低下させずに投影面の照度分布の測
定が出来るのでより細かな露光装置の管理ができ、焼付
は精度の向上が図られ、更に容易に照度の測定が出来る
ので早い時点でメンテナンスが行なえ、焼付は不良によ
る不良品を少なくすることができる露光装置を達成する
ことかできる。
定が出来るのでより細かな露光装置の管理ができ、焼付
は精度の向上が図られ、更に容易に照度の測定が出来る
ので早い時点でメンテナンスが行なえ、焼付は不良によ
る不良品を少なくすることができる露光装置を達成する
ことかできる。
第1図は本発明の一実施例の要部斜視図、第2図は第1
図の一部分を変更した本発明の他の一実施例の要部斜視
図である。 図中、1は照明系、5はレチクル、6はレチクルステー
ジ、7はレチクルハンド、8は投影レンズ系、9はウェ
ハ、10はxyステージ、11はウェハ供給ハント、1
2はウェハ回収ハンド、13は光検出手段、14は制御
手段、15は測定台、16は位置合わせ手段である。
図の一部分を変更した本発明の他の一実施例の要部斜視
図である。 図中、1は照明系、5はレチクル、6はレチクルステー
ジ、7はレチクルハンド、8は投影レンズ系、9はウェ
ハ、10はxyステージ、11はウェハ供給ハント、1
2はウェハ回収ハンド、13は光検出手段、14は制御
手段、15は測定台、16は位置合わせ手段である。
Claims (2)
- (1)照明系からの光束で被照射面上に載置した投影物
体を照明し、該投影物体を投影光学系により少なくとも
2次元的な移動をする試料台面上に載置した被投影物体
面上に投影するようにした露光装置において、該試料台
とは独立に少なくとも2次元的な移動をする測定台を設
け、該測定台上にその受光面が物体面の高さとほぼ同じ
になるように光検出手段を配置し、該測定台を該投影光
学系の光軸と直交する平面内で移動させることにより、
該投影光学系による投影面上における照度又は/及び照
度分布を測定するようにした照度測定手段を設けたこと
を特徴とする露光装置。 - (2)前記測定台を前記試料台面上の一部に設けたこと
を特徴とする請求項1記載の露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007888A JPH03211812A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007888A JPH03211812A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03211812A true JPH03211812A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11678128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007888A Pending JPH03211812A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03211812A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP2007888A patent/JPH03211812A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6975384B2 (en) | Exposure apparatus and method | |
US5914774A (en) | Projection exposure apparatus with function to measure imaging characteristics of projection optical system | |
US7948616B2 (en) | Measurement method, exposure method and device manufacturing method | |
US8305555B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP2000164504A (ja) | ステージ装置、露光装置、及び前記ステージ装置を用いた位置決め方法 | |
US20090233195A1 (en) | Linewidth measuring method, image-forming-state detecting method, adjustment method, exposure method, and device manufacturing method | |
KR100389976B1 (ko) | 얼라인먼트방법및장치 | |
JPH1092722A (ja) | 露光装置 | |
JPH1123225A (ja) | 検出装置及びそれを用いた露光装置 | |
US6130751A (en) | Positioning method and apparatus | |
US6654096B1 (en) | Exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JPH03211812A (ja) | 露光装置 | |
JP3518826B2 (ja) | 面位置検出方法及び装置並びに露光装置 | |
US7106419B2 (en) | Exposure method and apparatus | |
US20090310108A1 (en) | Exposure apparatus and method of manufacturing device | |
KR20200088529A (ko) | 초극자외선 리소그라피용 펠리클 검사 시스템 | |
WO1999050893A1 (fr) | Procede d'exposition et systeme d'exposition | |
JP3428825B2 (ja) | 面位置検出方法および面位置検出装置 | |
JPH1050600A (ja) | 投影露光方法及び投影露光装置 | |
JPH10275850A (ja) | 露光装置 | |
Clube et al. | P‐40: 0.5 μm Enabling Lithography for Low‐Temperature Polysilicon Displays | |
JPH03215928A (ja) | 露光装置 | |
JPH1152545A (ja) | レチクルおよびそれによって転写されたパターンならびにレチクルと半導体ウエハとの位置合わせ方法 | |
JPH03215927A (ja) | 露光装置 | |
JP2002139847A (ja) | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |