JPH03215927A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH03215927A
JPH03215927A JP2011527A JP1152790A JPH03215927A JP H03215927 A JPH03215927 A JP H03215927A JP 2011527 A JP2011527 A JP 2011527A JP 1152790 A JP1152790 A JP 1152790A JP H03215927 A JPH03215927 A JP H03215927A
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JP
Japan
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stage
projection
pinhole
optical system
reticle
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JP2011527A
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English (en)
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Takanaga Shiozawa
崇永 塩澤
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Canon Inc
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Canon Inc
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70133Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体製造用の露光装置に関し、特にレチクル
面上に形成されている回路パターンを投影光学系により
投影面であるウェハ而に所定の倍率で投影露光する際の
該投影面内の照度及び照度分布を測定する照度測定手段
を設けた露光装置に関するものである。
(従来の技術) 最近の半導体製造技術は電子回路の高集積化に伴い、解
像パターン線幅も例えばlμm以下となり、光学的な露
光装置においても従来に比べてより高解像力化されたも
のか要望されている。
一般にレチクル面上の回路パターンを投影光学系を介し
てウエ八面(投影面)上に投影する際回路パターンの解
像線幅は使用波長や投影光学系のN.A等と共に投影面
上における照度分布のカ性の良否が大きく影響してくる
この為従来の多くの露光装置てはウェハを載置するxY
ステージ面上に照度計を配置して投影面上における照度
分布を種々の方法により測定している。
例えば (イ)ウエハを載置するXYステーシの一部に照度計を
装着しておき、必要に応して、XYステージ上の照度計
を投影面上に移動させて照度分布を測定する方法。
(口)XYステージ面上の一部に測定に際して、その都
度照度計を載置し、XYステーシを移動させながら投影
面内の照度分布を測定する方法。
等か用いられている。
(発明か解決しようとする問題点) 投影面における照度分布を測定する方法のうち前記(イ
)の方法はXYステージ面上に照度計を常備する為XY
ステージへの配線が増加すると共に検出器やアンプ等か
ら熱が発生し高精度な移動が難しくなってくるという問
題点があった。
又XYステージの駆動力及び加振力が増大し、装置全体
の振動が増大し、アライメント精度が低下し、例えば露
光装置の振動が収束するまで待つスルーブットが低下し
てくるという問題点があった。
一方前記(口)の方法は測定の際にその都度ウエハーチ
ャックを取り外し、照度計をXYステージ面上に装着し
なければならずスルーブットが低下すると共にウエハー
チャックの着脱操作の繰り返しによりウエハーチャック
と投影光学系の投影面との平行度が変化してきて、解像
力が低下してくるという問題点があった。
本発明は露光装置内のXYステージ面上にピンホールと
反射部材を設けると共にXYステージ外に光検出手段を
設けることにより、投影光学系による投影面内における
照度及び照度分布を迅速にしかも高精度に測定すること
ができ高解像力の投影焼付けが可能な露光装置の提供を
目的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明の露光装置は照明系からの光束で被照射面上に載
置した投影物体を照明し、該投影物体を投影光学系によ
り少なくとも2次元的に移動するステージ上に載置した
被投影物体面上に所定倍率で投影するようにした露光装
置において、該投影光学系を通過した光束の一部をステ
ージ」二に設けたピンホールを介し反射部材で反射させ
てステジ外に設けた光検出手段に導光し、該投影光学系
による投影面上における照度又は/及び照度分布を測定
するようにした照度測定手段を有していることを特徴と
している。
特に本発明では前記ステージを移動させることにより前
記ピンホールで前記投影光学系による投影面上を走査し
、該投影面に入射する光束を前記光検出手段面上に導光
するようにしたことを特徴としている。
(実施例) 第1図は本発明の第1実施例の要部斜視図である。
同図において1は照明系である。照明系1は超高圧水銀
灯又はエキシマレーザーから成る光源101と光源10
1からの光束をハーフミラ103を介して被照射面上に
載置した投影物体であるレチクル5を均一照明する照明
光学系102を有している。
又本実施例では光源101からの光束の一部をハーフミ
ラー103で反射させ照度計104に導光し、光源10
1から放射される光の強度を測定してレ゛・5。
2は遮光板(マスキングブレード)であり開口径可変の
開口部2aを有しており、照明系1からの光束を部分的
に通過させて、レヂクル5面上の照射領域を制限してい
る. 3は駆動手段であり、遮光板2の開口径2aを変化させ
ている。
4はリレー光学系であり、遮光仮2の131口部2aと
レチクル5とが八役関係となるようにしている。レチク
ル5面上にはウエハ9に投影転写する為の回路パターン
が石英などで形成したレチクル」;に数倍に拡大されて
形成されている。
6はレチクルステージであり、レチクル5を載置してい
る。
8は投影レンズ系でありレチクル5面上の回路パターン
をウエハ9面上に縮少投影している。
9lは試料台でありウエハ9を載置している。試料台9
1は2ステージやウエハチャックを備えている。Zステ
ージは投影レンズ系8の光軸方向にウエハ9を変位させ
る。10はXYステージであり、試料台9lを載置して
いる。
XYステージ10はX方向とY方向に沿って移動し、仮
想のXY平而(座標)中の任意の位置に送り込むことが
できる。
1lは定盤であり露光装置本体を載置している。14は
制御手段でありXYステージ10をXYh向に駆動制御
している。
l5はピンホール板であり、XYステージ10−ヒに支
持枠を介して設けられている。該ピンホール板l5には
例えば直径0.3−0.5 (mm)径のピンホール1
5aが設けられている。又ピンホール板の上面(測光面
)は試料台91に載置するウエハ9と同じ高さとなるよ
うに設定されレチクルパターンの像面とほぼ一致するよ
うにしている。16は反射部材としてのプリズムミラー
17、】8は集光レンズであり、ピンホール15aから
の光束を集光し、光検出手段19に導光している。集光
レンズl7、l8の光軸はX方向と平行である。
22はレーザー干渉計で、XYステージ10の移動量や
位置を測定する測長器である。ピンホール板l5のピン
ホール15aのステージ10」二での位置座標は予めわ
かっているので、XYステージ10の移動量をレーザー
干渉計22により測定することで、ピンホール15aの
位置が検出できる。
図中にはX方向の移動量を測定するレーザー干渉計のみ
が図示されているが、Y方向に移動量を測定するレーザ
ー干渉計も設けられている。
本実施例ではピンホール15aからの光束をミラー16
を介して,集光レンズl7で平行光束に変換し、この平
行光束を集光レンズ五8に入射させている。集光レンズ
l8と光検出千段19はXYステーシ10とは独立した
定盤1lの一部に固定配置されている。
20は演算手段であり、光検出手段19からの出力信号
と照度計104からの出力信号とレーザー干渉計22か
らの出力信号とを用いて,投影レンズ系8による投影面
上の照度分布を演算している。
本実施例においてレチクル5面上の回路バターンを投影
レンズ系8によりウエハ9面上に投影露光する場合には
ウエハ供給ハンド(不図示)によりウエハカセット(不
図示)からウエハ9をXYステージlO面上に供給する
。ウエハ9を載置したXYステージ10は制御千段l4
て駆動制御されレチクル5とウエ八〇との位置合わせが
行9 なわれる。その後照明系1からの露光光により照明され
たレチクル5面上の回路パターンを投影レンズ系8によ
りウエハ9面上に投影露光している。
レチクル5とウエハ9との位置合わせから投影露光まて
の工程を複数回繰り返すことによりウエハ9全面にレチ
クル5面上の回路パターンを投影露光している, そしてウエハ9全面の投影露光か終了したらウエハ回収
ハントによりxYステージlOからウエハ9を回収し、
該ウエハを装置外に搬出している。
次に投影レンズ系8による投影面内における照度又は/
及び照度分布を測定する場合にはレチクルハントにより
レチクル5をレチクルステーシ6より搬出する。そして
XYステーシ10を移動させピンホール板l5のピンホ
ール15aか投影レンズ系8による投影照射面内の測定
点に位置するようにレーザー干渉計22の出力信号に基
づいて制御手段14によりxYステージ10の移動を制
1 0 御する。そして対象とする点ての照度を検出している。
又本実施例てはピンホール板l5のピンホール15aて
投影面内をXYステージ10を移動させ走査することに
より、各位置における照度の測定を可能としている。
そして光源101からの照明光の一部をハーフミラー1
03を介して照度計104て測定することにより,光源
101からの照射光の時間的変動を補正し、投影面内の
照度分布の測定を行っている。
この場合、レーザー干渉計22からの出力信号に基づい
て制御千段l4によりピンホール5aの位置座標を求め
ながら各位置における照度を、照度計104て順次測定
し、メモリ等に記憶しておけば、投影面全面における照
度分布を容易に測定することができる。
尚木実施例においてレチクル5と遮光板2とを近接配置
し、リレー系4を省略して構成しても同様の効果を得る
ことかできる。
l1 第2図(A)、(B)は本実施例においてXYステージ
lOを移動させて、ピンホール板l5のピンホール15
aで投影面上を走査している状態の側面説明図、第3図
(A)、(B)は各々第2図(A)、(I3)に対応す
る平面説明図である。
図に示すようにピンホール+5aで投影面上を走査し、
このときのピンホール15aを通過した投影レンズ系8
からの光束をプリズムミラー16で反射させ集光レンズ
17、18により集光し光検出手段19面]一に入射さ
せて各位置における照度を測定している。
本実施例ではXYステージ10を2次元的に移動させて
いるが、XYステージ10面上に2次元的に移動可能な
測定台を載置し、該測定台」一にピンホール板又はピン
ホール板とプリズムミラーそして集光レンズl7を載置
し、該測定台を2次元的に移動させて、ピンホールで投
影面上を走査するように構成しても良い。この測定台の
移動量は光学式エンコーダなどにより検出される。
又本実施例において光検出手段l9に積分球をl 2 用いて入射光束を検出すれば光検出手段l9を固定した
ときの光束の入射方向の違いによる測定誤差を改善する
ことかできるのて好ましい。
この他本実施例においてプリズムミラー16からの光束
の光検出手段l9への入射方向か一定となるように光検
出千段l9と集光レンズl8を移動可能な移動台に載置
して.XYステージIOの移動と同期させてxYの2次
元に移動させるように構成しても良い。この場合、検出
器の移動台は、第1図の紙面と垂直な方向(Y方向)に
のみ同期移動するよう構成してもよい。それは、紙面と
平行な方向(X方向)に関しては集光レンズ17から平
行光束が集光レンズ18へ伝達されるからである。
尚、本実施例において投影レンズの代わりに凹面鏡と凸
面鏡を有するミラー系を用いても本発明は適用すること
がてきる。
(発明の効果) 本発明によれば前述の如<XYステーシ面上にピンホー
ルと反射部材を配置し、XYステーシと1 3 は独立に光検出手段を設けることにより、XYステーシ
への検出用の電気配線等を不要とし、又アンプ等から生
ずる熱のXYステーシへの伝熱を防止することか出来、
XYステージの高精度な移動を可能とし、投影光学系に
よる投影面」−における任意の領域の照度及び照度分布
を迅速にしかも高精度に測定することがてき、高精度な
投影焼付けが可能な露光装置を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の要部概略図、第2図(A)
、(B)は本発明においてXYステーシを移動させて投
影面上をピンホールて走査しているときの側面説明図、
第3図(A)、(B)は各々第2図(A)、(B)に対
応する平面説明図である。 図中1は照明系、2はマスキングブレード、2aは開口
部、3は駆動手段、4はリレー系、5はレチクル,6は
レチクルステーシ、8は投影レンズ系、9はウエハ、9
lは試料台、lOはXYステーシ、11は定盤、14は
制御手段、l5は14 ピンホール板、l6は反射部材、l7、18は集光レン
ズ.19は光検出手段,20は演算手段、101は光源
、102は照明光学系、103はハーフミラー、104
は照度計である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)照明系からの光束で被照射面上に載置した投影物
    体を照明し、該投影物体を投影光学系により少なくとも
    2次元的に移動するステージ上に載置した被投影物体面
    上に所定倍率で投影するようにした露光装置において、
    該投影光学系を通過した光束の一部をステージ上に設け
    たピンホールを介し、反射部材で反射させてステージ外
    に設けた光検出手段に導光し、該投影光学系による投影
    面上における照度又は/及び照度分布を測定するように
    した照度測定手段を有していることを特徴とする露光装
    置。
  2. (2)前記ステージを移動させることにより前記ピンホ
    ールで前記投影光学系による投影面上を走査し、該投影
    面に入射する光束を前記光検出手段面上に導光するよう
    にしたことを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  3. (3)前記XYステージ上に少なくとも2次元的に移動
    可能な移動台を載置し、該移動台上にピンホール又はピ
    ンホールと反射部材を配置し、該移動台を2次元的に移
    動させて該ピンホールにより前記投影光学系による投影
    面上を走査し、該投影面に入射する光束を前記光検出手
    段面上に導光するようにしたことを特徴とする請求項1
    記載の露光装置。
JP2011527A 1990-01-20 1990-01-20 露光装置 Pending JPH03215927A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0982628A (ja) * 1995-09-12 1997-03-28 Canon Inc 露光方法及び該方法を用いた露光装置
JP2013195658A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Seiko Epson Corp 紫外線照射装置、及び紫外線強度の測定方法

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