CN102714141A - 液浸构件、曝光装置、曝光方法及元件制造方法 - Google Patents
液浸构件、曝光装置、曝光方法及元件制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102714141A CN102714141A CN2010800606473A CN201080060647A CN102714141A CN 102714141 A CN102714141 A CN 102714141A CN 2010800606473 A CN2010800606473 A CN 2010800606473A CN 201080060647 A CN201080060647 A CN 201080060647A CN 102714141 A CN102714141 A CN 102714141A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- liquid
- plate
- substrate
- space
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
Abstract
液浸构件以曝光用光的光路由液体填满的方式在和可移动的物体之间形成液浸空间。液浸构件包含:第1板,其配置于光路周围的至少一部分;第2板,其配置于光路周围的至少一部分,包含和第1板的下表面的至少一部分对向的上表面及物体能够对向的下表面;及回收口,其相对于光路配置在第1板的外侧,物体能够和至少一部分对向,回收来自第2板的上表面所面对的第1空间及第2板的下表面所面对的第2空间的液体的至少一部分。
Description
技术领域
本发明涉及一种液浸构件、曝光装置、曝光方法及元件制造方法。
本申请发明是根据2010年1月08日申请的美国临时申请案61/282,255号而主张优先权,并将其内容引入本文。
背景技术
光刻步骤中所使用的曝光装置中,已知有一种例如透过如下述专利文献所揭示那样的液体以曝光用光曝光基板的液浸曝光装置。
先行技术文献
专利文献
专利文献1:美国专利申请公开第2006/0103817号
发明内容
[发明所要解决的问题]
在液浸曝光装置中,以在基板等物体上形成着液浸空间的状态下,例如在使物体以高速移动的情况下,或者在移动长距离的情况下,会有液体流出、或在物体上残留液体(膜、滴等)的可能性。其结果为,会有产生曝光不良、或产生不良元件的可能性。
本发明的形态的目的在于提供一种可以抑制产生曝光不良的液浸构件、曝光装置及曝光方法。另外,本发明的形态的目的在于提供一种可以抑制产生不良元件的元件制造方法。
[解决问题的手段]
根据本发明的第1形态,提供一种液浸构件,其以曝光用光的光路由液体填满的方式在和可移动的物体之间形成液浸空间;且包含:第1板,其配置在光路周围的至少一部分;第2板,其配置在光路周围的至少一部分,且包含和第1板的下表面的至少一部分对向的上表面及物体能够对向的下表面;及回收口,其相对于光路配置在第1板的外侧,物体能够和至少一部分对向,回收来自第2板的上表面所面对的第1空间及第2板的下表面所面对的第2空间的液体的至少一部分。
根据本发明的第2形态,提供一种曝光装置,其透过液体以曝光用光将基板曝光;且包含第1的形态的液浸构件。
根据本发明的第3的形态,提供一种元件制造方法,其包含如下步骤:使用第2形态的曝光装置将基板曝光;及将经曝光的基板显影。
根据本发明的第4形态,提供一种曝光方法,其透过液体以曝光用光将基板曝光;且包含如下步骤:以光学构件的射出面和基板的表面间的曝光用光的光路由液体填满的方式形成液浸空间;透过液浸空间的液体将来自射出面的曝光用光照射在基板;及从回收口回收来自配置在光路周围的至少一部分的第1板的下表面和配置在光路周围的至少一部分的第2板的上表面间的第1空间、及第2板的下表面和基板的表面间的第2空间的液体的至少一部分,该回收口相对于光路配置在第1板的外侧,基板能够和至少一部分对向。
根据本发明的第5形态,提供一种元件制造方法,其包含如下步骤:使用第4形态的曝光方法将基板曝光;及将经曝光的基板显影。
[发明的效果]
根据本发明的形态,能够抑制曝光不良的产生。此外,根据本发明的形态,能够抑制不良元件的产生。
附图说明
图1是表示第1实施方式的曝光装置的一例的概略构成图。
图2是表示第1实施方式的液浸构件的一例的侧截面图。
图3是从下侧观察第1实施方式的液浸构件的一例的图。
图4是将图2的一部分放大的图。
图5是将图4的一部分放大的图。
图6是用以说明比较例的液浸构件的模式图。
图7是用以说明第1实施方式的液浸构件的模式图。
图8是从下侧观察第1实施方式的液浸构件的一例的图。
图9是从下侧观察第1实施方式的液浸构件的一例的图。
图10是表示第1实施方式的液浸构件的一例的一部分的侧截面图。
图11是表示第2实施方式的液浸构件的一例的图。
图12是用以说明微元件的制造步骤的一例的流程图。
[符号的说明]
2 基板台
3 液浸构件
4 控制装置
6 射出面
21 第1板部
21A上表面
21B下表面
21K 开口
22第2板部
22A上表面
22B下表面
22K 开口
23 支撑机构
23C连结构件
31 供给口
32 回收口
33 多孔构件
33H 孔
50 驱动系统
AE1 外缘区域
Ea 内侧边缘
Eb 外侧边缘
Ec 内侧边缘
Ed 外侧边缘
EL 曝光用光
G1 间隙
G2 间隙
G3 间隙
K 光路
LQ 液体
LS 液浸空间
P 基板
PL 投影光学系统
S1 第1空间
S2 第2空间
S3 第3空间
具体实施方式
以下,一边参照图式一边对本发明的实施方式进行说明,但本发明并不限定于此。以下说明中,设定XYZ正交坐标系,一边参照该XYZ正交坐标系一边对各部的位置关系进行说明。将水平面内的特定方向设为X轴方向,将在水平面内和X轴方向正交的方向设为Y轴方向,将分别和X轴方向及Y轴方向正交的方向(即铅垂方向)设为Z轴方向。另外,将绕X轴、Y轴及Z轴旋转(倾斜)方向分别设为θX、θY及θZ方向。
<第1实施方式>
对第1实施方式进行说明。图1是表示第1实施方式的曝光装置EX的一例的概略构成图。本实施方式的曝光装置EX为透过液体LQ以曝光用光EL曝光基板P的液浸曝光装置。在本实施方式中,以曝光用光EL的光路的至少一部分由液体LQ填满的方式形成液浸空间LS。液浸空间为由液体填满的部分(空间、区域)。基板P透过液浸空间LS的液体LQ以曝光用光EL而曝光。在本实施方式中,使用水(纯水)作为液体LQ。
在图1中,曝光装置EX包含:保持光罩(mask)M且可移动的光罩台1、保持基板P且可移动的基板台2、以曝光用光EL照明光罩M的照明系统IL、将以曝光用光EL照明的光罩M的图案的像投影在基板P的投影光学系统PL、以照射在基板P的曝光用光EL的光路K以液体LQ填满的方式在和基板P之间形成液浸空间LS的液浸构件3、及控制曝光装置EX整体的动作的控制装置4。
光罩M包含形成着投影在基板P的元件图案的標線片(reticle)。光罩M包含具有例如玻璃板等透明板和在该透明板上使用铬等遮光材料而形成的图案的透过型光罩。此外,也可以使用反射型光罩作为光罩M。
基板P为用以制造元件的基板。基板P例如包含半导体晶片等基材和形成在该基材上的感光膜。感光膜为感光材(光阻剂)的膜。另外,基板P除了感光膜以外也可以包含其他膜。例如,基板P既可以包含抗反射膜,也可以包含保护感光膜的保护膜(外涂膜)。
照明系统IL对特定的照明区域IR照射曝光用光EL。照明区域IR包含从照明系统IL射出的曝光用光EL能够照射的位置。照明系统IL以均一的照度分布的曝光用光EL照明配置在照明区域IR的光罩M的至少一部分。作为从照明系统IL射出的曝光用光EL,使用例如从水银灯射出的明线(g线、h线、i线)及KrF准分子激光的光(波长248nm)等远紫外光(DUV光)、ArF准分子激光的光(波长193nm)、及F2激光的光(波长157nm)等真空紫外光(VUV光)等。在本实施方式中,使用紫外光(真空紫外光)即ArF准分子激光的光作为曝光用光EL。
光罩台1在保持光罩M的状态下可以在包含照明区域IR的基底构件5的引导面5G上移动。光罩台1通过例如美国专利第6452292号中所揭示那样的包含平面马达的驱动系统的动作而移动。平面马达包含配置在光罩台1的可动元件和配置在基底构件5的固定元件。在本实施方式中,光罩台1通过驱动系统的动作而在引导面5G上可在X轴、Y轴、Z轴、θX、θY及θZ方向6个方向移动。
投影光学系统PL对特定的投影区域PR照射曝光用光EL。投影区域PR包含从投影光学系统PL射出的曝光用光EL能够照射的位置。投影光学系统PL以特定的投影倍率将光罩M的图案的像投影在配置在投影区域PR的基板P的至少一部分。本实施方式的投影光学系统PL为其投影倍率例如为1/4、1/5或1/8等缩小系统。此外,投影光学系统PL也可以为等倍系统及放大系统中的任意一个。在本实施方式中,投影光学系统PL的光轴AX和Z轴平行。另外,投影光学系统PL也可以为不包含反射光学元件的折射系统、不包含折射光学元件的反射系统、包含反射光学元件与折射光学元件的反射折射系统中的任意一个。另外,投影光学系统PL也可以形成倒立像和正立像中的任意一个。
投影光学系统PL包含朝向投影光学系统PL的像面射出曝光用光EL的射出面6。射出面6配置在投影光学系统PL的多个光学元件中的距投影光学系统PL的像面最近的末端光学元件7。投影区域PR包含从射出面6射出的曝光用光EL能够照射的位置。在本实施方式中,射出面6朝向-Z方向,且和XY平面平行。此外,朝向-Z方向的射出面6既可以是凸面,也可以是凹面。从射出面6射出的曝光用光EL向-Z方向行进。
基板台2在保持基板P的状态下,可以在包含投影区域PR的基底构件8的引导面8G上移动。基板台2例如通过如美国专利第6452292号所揭示那样的包含平面马达的驱动系统的动作让他移动。平面马达包含配置在基板台2的可动元件和配置在基底构件8的固定元件。在本实施方式中,基板台2通过驱动系统的动作而在引导面8G上能够在X轴、Y轴、Z轴、θX、θY及θZ方向6个方向移动。
基板台2包含可释放地保持基板P的基板保持部9。基板保持部9以基板P的表面朝向+Z方向的方式保持基板P。在本实施方式中,基板保持部9以基板P的表面和XY平面大致平行的方式保持基板P。在本实施方式中,保持在基板保持部9的基板P的表面和配置在该基板P周围的基板台2的上表面10配置在同一平面内(为一平面)。上表面10平坦。在本实施方式中,保持在基板保持部9的基板P的表面及基板台2的上表面10和XY平面大致平行。
另外,在本实施方式中,基板台2例如包含如美国专利申请公开第2007/0177125号及美国专利申请公开第2008/0049209号等所揭示那样的可释放地保持板构件T的板构件保持部11。在本实施方式中,基板台2的上表面10包含保持在板构件保持部11的板构件T的上表面。
此外,板构件T也可以不可释放。在此情况下,板构件保持部11可省略。另外,保持在基板保持部9的基板P的表面和上表面10也可以不配置在同一平面内,基板P的表面及上表面10的至少一方也可以和XY平面不平行。
在本实施方式中,光罩台1及基板台2的位置由包含激光干涉计单元12A、12B的干涉计系统12测量。激光干涉计单元12A能够使用配置在光罩台1的测量镜测量光罩台1的位置。激光干涉计单元12B能够使用配置在基板台2的测量镜测量基板台2的位置。当执行基板P的曝光处理时,或者当执行特定的测量处理时,控制装置4根据干涉计系统12的测量结果执行光罩台1(光罩M)及基板台2(基板P)的位置控制。
在本实施方式中,曝光装置EX为一边使光罩M和基板P在特定的扫描方向同步移动、一边将光罩M的图案的像投影在基板P的扫描型曝光装置(所谓扫描步进器)。在本实施方式中,将基板P的扫描方向(同步移动方向)设为Y轴方向,将光罩M的扫描方向(同步移动方向)也设为Y轴方向。控制装置4使基板P相对于投影光学系统PL的投影区域PR在Y轴方向移动,并且和该基板P向Y轴方向的移动同步,相对于照明系统IL的照明区域IR使光罩M在Y轴方向移动,并且透过投影光学系统PL和基板P上的液浸空间LS的液体LQ对基板P照射曝光用光EL。
其次,参照图2~图5面对液浸构件3进行说明。图2是表示本实施方式的液浸构件3的一例的侧截面图,图3是从-Z侧(下侧)观察液浸构件3的图,图4是将图2的一部分放大的图,图5是将图4的一部分放大的图。
液浸构件3在和配置在投影区域PR的物体之间保持液体LQ,以投影在该物体的曝光用光EL的光路K由液体LQ填满的方式形成液浸空间LS。液浸空间LS以末端光学元件7和物体间的曝光用光EL的光路K由液体LQ填满的方式形成。在本实施方式中,可配置在投影区域PR的物体包含可相对于投影区域PR移动的物体。在本实施方式中,该物体包含基板台2(板构件T)保持在及基板台2的基板P的至少一方。液浸构件3以曝光用光EL的光路K由液体LQ填满的方式在和该可移动的物体之间形成液浸空间LS。在基板P的曝光中,液浸构件3以照射在基板P的曝光用光EL的光路K由液体LQ填满的方式在和基板P之间保持液体LQ而形成液浸空间LS。在使用图2~图5的以下说明中,以液浸构件3在和基板P之间形成液浸空间LS的情况为例进行说明,但例如也可以在和基板台2(板构件T)之间形成液浸空间LS。
在本实施方式中,液浸构件3包含:第1板部21,其配置在从射出面6射出的曝光用光EL的光路K周围的至少一部分;第2板部22,其配置在光路K周围的至少一部分,且包含和第1板部21的下表面21B的至少一部分对向的上表面22A及基板P(物体)可对向的下表面22B;及回收口32,其相对于光路K配置在第1板部21的外侧,在至少一部分基板P可对向,回收来自第2板部22的上表面22A所面对的第1空间S1及第2板部22的下表面22B所面对的第2空间S2的液体LQ的至少一部分。另外,液浸构件3包含至少一部分配置在末端光学元件7周围的主体部20。在本实施方式中,主体部20和第1板部21为一体。第2板部22和第1板部21分体。
在本实施方式中,主体部20及第1板部21为环状的构件。主体部20的至少一部分配置在末端光学元件7周围。第1板部21配置在光路K周围。另外,在本实施方式中,第2板部22也为环状的构件。第2板部22配置在光路K周围。
此外,主体部20、第1板部21及第2板部22的至少一个也可以不为环状构件。例如,第2板部22也可以配置在光路K周围的一部分。
主体部20包含和末端光学元件7的侧面13对向的内侧面20A。侧面13配置在射出面6周围。侧面13为不出射曝光用光El的面。在本实施方式中,侧面13有关相对于光路K的放射方向朝向外侧向+Z方向倾斜。+Z方向为和从射出面6射出的曝光用光EL行进的方向(-Z方向)相反的方向。
第1板部21包含上表面21A和朝向上表面21A的相反方向的下表面21B。上表面21A为朝向+Z方向的面。下表面21B为朝向-Z方向的面。上表面21A的至少一部分和射出面6对向。另外,第1板部21包含从射出面6射出的曝光用光EL能够通过的开口21K。上表面21A及下表面21B配置在光路K(开口21K)周围。
在本实施方式中,上表面21A平坦,和XY平面大致平行。下表面21B也平坦,和XY平面大致平行。此外,上表面21A和下表面21B也可以不平行,也可以包含关于Z轴方向厚度不同的部分。
第2板部22包含上表面22A和朝向上表面22A的相反方向的下表面22B。上表面22A为朝向+Z方向的面。下表面22B为朝向-Z方向的面。上表面22A的至少一部分和下表面21B对向。基板P可以和下表面22B对向。另外,第2板部22包含从射出面6射出的曝光用光EL能够通过的开口22K。上表面22A及下表面22B配置在光路K(开口22K)周围。
在基板P的曝光中,从射出面6射出的曝光用光EL通过开口21K及开口22K而照射在基板P。
在本实施方式中,上表面22A平坦,和XY平面大致平行。下表面22B也平坦,和XY平面大致平行。在本实施方式中,第1板部21的下表面21B和第2板部22的上表面22A大致平行。此外,上表面22A和下表面22B也可以不平行,关也可以包含于Z轴方向厚度不同的部分。
此外,下表面21B和上表面22A也可以非平行。此外,上表面21A及下表面21B的至少一方也可以和XY平面非平行。另外,上表面21A及下表面21B的至少一方也可以包含曲面。另外,上表面22A及下表面22B的至少一方也可以和XY平面非平行。另外,上表面22A及下表面22B的至少一方也可以包含曲面。
液浸构件3配置成内侧面20A的至少一部分和侧面13介隔间隙G4而对向。另外,液浸构件3配置成上表面21A的至少一部分和射出面6介隔间隙G3而对向。另外,第2板部22配置成上表面22A的至少一部分和下表面21B介隔间隙G1而对向。基板P配置成该基板P的表面和下表面22B介隔间隙G2而对向。
在本实施方式中,在下表面21B和上表面22A之间形成着第1空间S1。在下表面22B和基板P的表面之间形成着第2空间S2。在射出面6和上表面21A之间形成着第3空间S3。在内侧面20A和侧面13之间形成着第4空间S4。
在本实施方式中,液浸构件3包含以相对于第1板部21配置在特定位置的方式支撑第2板部22的支撑机构23。在本实施方式中,支撑机构23包含将第2板部22连结在第1板部21的连结构件23C。连结构件23C为杆状的构件。连结构件23C在XY平面内配置多个。支撑机构23使用多个连结构件23C分别连结下表面21B的多个位置和上表面22A的多个位置。支撑机构23以下表面21B和上表面22A透过间隙G1而对向的方式支撑第2板部22。
此外,支撑机构23也可以包含连结主体部20和第2板部22的连结构件。在此情况下,既可以省略连结第1板部21和第2板部22的连结构件23C,也可以不省略。另外,第2板部22也可以不和主体部20及第1板部21的至少一方连结。例如,也可以在支撑投影光学系统PL的支撑构件透过特定的支撑机构支撑第2板部22。
在本实施方式中,第1板部21的下表面21B和第2板部22的上表面22A间的间隙G1大于第2板部22的下表面22B和基板P的表面间的间隙G2。在本实施方式中,间隙G2包含第2板部22下表面22B和配置在投影光学系统PL的像面的基板P(物体)的表面间的间隙。
另外,在本实施方式中,上表面21A和下表面21B的距离大于上表面22A和下表面22B的距离。换句话说,第1板部21厚于第2板部22。
在本实施方式中,下表面21B对液体LQ为亲液性。在本实施方式中,液体LQ和下表面21B的接触角小于90度。在本实施方式中,第1板部21为钛制。下表面21B为钛的表面。
在本实施方式中,上表面22A对液体LQ为亲液性。另外,在本实施方式中,下表面22B也对液体LQ为亲液性。液体LQ和上表面22A的接触角小于90度。另外,液体LQ和下表面22B的接触角小于90度。在本实施方式中,第2板部22为钛制。上表面22A及下表面22B为钛的表面。此外,液体LQ和上表面22A的接触角与液体LQ和下表面22B的接触角也可以不同。换句话说,对液体LQ的亲和性(亲液性)在上表面22A和下表面22B也可以不同。
另外,液体LQ和下表面21B的接触角与液体LQ和上表面22A的接触角既可以相同,也可以不同。另外,液体LQ和下表面21B的接触角与液体LQ和下表面22B的接触角既可以相同,也可以不同。
此外,上表面22A及下表面22B的至少一方也可以对液体LQ为斥液性。例如,液体LQ和上表面22A的接触角也可以为90度以上,液体LQ和下表面22B的接触角也可以为90度以上。
在本实施方式中,第1板部21包含内侧边缘Ea和外侧边缘Eb。内侧边缘Ea为距光路K较近的边缘。外侧边缘Eb为距光路K较远的边缘。内侧边缘Ea规定开口21K。
第2板部22包含内侧边缘Ec和外侧边缘Ed。内侧边缘Ec为距光路K较近的边缘。外侧边缘Ed为距光路K较远的边缘。内侧边缘Ec规定开口22K。
在本实施方式中,第2板部22的内侧边缘Ec在相对于光路K的放射方向配置在较第1板部21更靠内侧。也就是说,第2板部22的内侧边缘Ec和第1板部21的内侧边缘Ea距光路K较近。在本实施方式中,开口22K小于开口21K。
如图3所示,在本实施方式中,XY平面内中的第1板部21的下表面21B的外形和第2板部22的下表面22B的外形大致相等。在本实施方式中,下表面21B的外形及下表面22B的外形为矩形状。此外,下表面21B的外形及下表面22B的外形例如既可为圆形,也可以为八边形。
在本实施方式中,回收口32相对于光路K配置在第1板部21的外侧。在本实施方式中,回收口32为以面对基板P的表面的方式形成在主体部20的开口的端部。回收口32可以回收基板P上的液体LQ。
另外,在本实施方式中,回收口32在相对于光路K的放射方向配置在较第2板部22更外侧。换句话说,回收口32配置在较第2板部22的外侧边缘Ed更外侧。
在本实施方式中,回收口32以包围光路K(下表面21B)的方式而配置。在本实施方式中,回收口32为环带状。此外,回收口32也可以配置在光路K周围的一部分。另外,回收口32也可以在光路K周围以特定间隔配置多个。
在本实施方式中,液浸构件3包含配置在回收口32的多孔构件33。多孔构件33包含液体LQ能够流通的多个孔33H。在本实施方式中,多孔构件33为板状的构件。多孔构件33包含上表面33A及下表面33B。孔33H以连接上表面33A和下表面33B的方式形成。基板P的表面和多孔构件33的下表面33B对向。在本实施方式中,透过多孔构件33的孔33H回收基板P上的液体LQ。此外,多孔构件33也可以为呈网状形成着多个小孔的多孔构件的筛网过滤器。在本实施方式中,多孔构件33的下表面33B配置在下表面21B周围。此外,下表面33B也可以配置在下表面21B周围的一部分。此外,也可以不在回收口32配置多孔构件33。
在本实施方式中,液浸构件3包含连接下表面33B的内侧边缘Ef和下表面21B的外侧边缘Eb的斜面34。斜面34在相对于光路K的放射方向朝向外侧向+Z方向倾斜。在本实施方式中,下表面33B的内侧边缘Ef配置在较下表面21B的外侧边缘Eb更+Z侧。另外,在本实施方式中,下表面33B在相对于光路K的放射方向朝向外侧向-Z方向倾斜。此外,下表面33B在相对于光路K的放射方向也可以朝向外侧向+Z方向倾斜。另外,下表面33B也可以不平坦,也可以具有曲面或者阶差。
在以下说明中,将下表面21B、斜面34、及下表面33B合在一起适当称作下表面40。配置在投影区域PR的基板P的表面能够和下表面40的至少一部分对向。
下表面40可以在和基板P的表面之间保持液体LQ。通过在一侧的射出面6及下表面40和另一侧的基板P的表面之间保持液体LQ,以末端光学元件7和基板P间的曝光用光EL的光路由液体LQ填满的方式形成液浸空间LS。
在本实施方式中,对基板P照射曝光用光EL时,以包含投影区域PR的基板P的表面的一部分的区域由液体LQ覆盖的方式形成液浸空间LS。液体LQ的界面(弯液面、边缘)LG的至少一部分形成在下表面40和基板P的表面之间。也就是说,本实施方式的曝光装置EX采用局部液浸方式。
另外,液浸构件3包含供给液体LQ的供给口31。供给口31配置在第1板部21的上方(+Z方向)。在本实施方式中,供给口31的至少一部分以面对第3空间S3的方式配置。在本实施方式中,供给口31配置在内侧面20A的至少一部分。此外,供给口31的至少一部分也可以以面对第4空间S4的方式配置。从供给口31供给的液体LQ向第3空间S3流动。
液浸构件3包含和供给口31连接的供给流路35。供给流路35的至少一部分形成在液浸构件3的内部。供给口31为配置在供给流路35的端部的开口。在供给流路35的一端配置着供给口31。供给流路35的另一端透过供给管形成的流路和液体供给装置36连接。
液体供给装置36能够将在清洁环境中经温度调整后的液体LQ送出。从液体供给装置36送出的液体LQ透过供给流路35供给至供给口31。
液浸构件3包含和回收口32连接的回收流路37。回收流路37的至少一部分形成在液浸构件3的内部。回收口32为配置在回收流路37的端部的开口。在回收流路37的一端配置着回收口32。回收流路37的另一端透过回收管形成的流路和液体回收装置38连接。
液体回收装置38可将回收口32和真空系统连接,透过回收口32能够吸引液体LQ。液体回收装置38能够使回收流路37为负压。通过使回收流路37为负压而从回收口32(多孔构件33的孔33H)回收基板P上的液体LQ。基板P上的液体LQ透过回收口32(孔33H)流入至回收流路37。从回收口32回收的液体LQ的至少一部分向回收流路37流动。回收流路37的液体LQ至少一部分吸引(回收)到液体回收装置38。
在本实施方式中,控制装置4和来自供给口31的液体LQ的供给动作同时执行来自回收口32的液体LQ的回收动作,由此可以在一侧的末端光学元件7及液浸构件3和另一侧的基板P(物体)之间以液体LQ形成液浸空间LS。
在本实施方式中,在基板P大致静止的状态下,以第2板部22配置在液浸空间LS的方式调整液浸空间LS的大小。也就是说,在本实施方式中,在基板P大致静止的状态下,以上表面22A及下表面22B的全部和液浸空间LS的液体LQ接触的方式调整液浸空间LS的大小。换句话说,以在相对于光路K的放射方向在第2板部22的外侧边缘Ed的外侧配置界面LG的方式调整液浸空间LS的大小。
控制装置4通过调整来自供给口31的每单位时间的液体供给量、及来自回收口32的每单位时间的液体回收量的至少一方而可以调整XY平面内的液浸空间LS的大小。例如,控制装置4能够通过使增多供给口31的液体供给量而使液浸空间LS变大,能够通过减少液体供给量而使液浸空间LS变小。另外,控制装置4能够通过增多来自回收口32的液体回收量而使液浸空间LS变小,能够通过减少液体回收量而使液浸空间LS变大。
其次,对使用具有上述构成的曝光装置EX将基板P曝光的方法进行说明。
曝光前的基板P搬入(载入)至基板保持部9之后,控制装置4以末端光学元件7的射出面6和基板P的表面间的曝光用光EL的光路K由液体LQ填满的方式在液浸构件3的下表面40和基板P的表面之间保持液体LQ而形成液浸空间LS。
控制装置4开始基板P的曝光处理。控制装置4从照明系统IL射出曝光用光EL,以该曝光用光EL将光罩M曝光。来自由曝光用光EL照明的光罩M的曝光用光EL从投影光学系统PL的射出面6射出。从射出面6射出的曝光用光EL透过液浸空间LS的液体LQ而照射在基板P。由此,基板P透过液浸空间LS的液体LQ由来自射出面6的曝光用光EL而曝光,光罩M的图案的像被投影在基板P。
在本实施方式中,从供给口31供给的液体LQ的至少一部分供给至第1板部21的上表面21A所面对的第3空间S3。另外,在本实施方式中,第2板部22的内侧边缘Ec在相对于光路K的放射方向配置在较第1板部21更内侧。因此,第1板部21的上表面21A所面对的第3空间S3的液体LQ的至少一部分透过由第1板部21的内侧边缘Ea而规定至少一部分的开口21K向第2板部22的上表面22A流动。
从第3空间S3透过开口21K而流动至上表面22A的液体LQ的至少一部分向第1空间S1流动。另外,从第3空间S3透过开口21K而流动至上表面22A的液体LQ的至少一部分向第2空间S2流动。第1空间S1的液体LQ的至少一部分在相对于光路K的放射方向朝向外侧流动。第2空间S2的液体LQ的至少一部分在相对于光路K的放射方向朝向外侧流动。此外,连结构件23C为在第1空间S1中配置在特定位置的杆状的构件,不妨碍第1空间S1的液体LQ的流动。
例如如图5所示,第1空间S1的液体LQ的至少一部分及第2空间S2的液体LQ的至少一部分在第2板部22的外侧边缘Ed的外侧合流。在本实施方式中,第1空间S1的液体LQ的至少一部分及第2空间S2的液体LQ的至少一部分例如在第2板部22的外侧边缘Ed的外侧、且下表面40和基板P的表面间的第5空间S5处合流。
在本实施方式中,回收口32回收来自第1空间S1及第2空间S2的液体LQ的至少一部分。在本实施方式中,回收口32回收在回收口32(下表面33B)和基板P之间合流的来自第1空间S1的液体LQ及来自第2空间S2的液体LQ的至少一部分。
然而,于在液浸构件3和基板P之间形成液浸空间LS的状态下,在基板P在XY平面内以高速移动、或移动长距离的情况下,会有在液浸构件3和基板P间的空间的外侧液体LQ流出的可能性。
液浸空间LS通过界面LG中的液体LQ的表面张力而维持。以在液浸构件3和基板P之间形成着液浸空间LS的状态下基板P以高速移动、或者移动长距离的情况下,会有液浸空间LS的液体LQ的运动量变大的可能性。如果液体LQ的运动量变大,那么会有该液体LQ的运动量导致由于液体LQ的表面张力而维持液浸空间LS变得困难的可能性。其结为,会有在液浸构件3和基板P间的空间的外侧液体LQ流出的可能性。
在本实施方式中,由于配置着第2板部22,故而以在液浸构件3和基板P之间形成着液浸空间LS的状态下,即便在基板P在XY平面内以高速移动、或者移动长距离的情况下,也可以抑制在液浸构件3的基板P间的空间的外侧液体LQ流出、或者在基板P上残留液体LQ(膜、滴等)。
图6是表示在比较例的在液浸构件3j和基板P之间形成着液浸空间LSj的状态下,使基板P向-Y方向移动的情况下的液体LQ的状态的一例的模式图。图7是表示在本实施方式的在液浸构件3和基板P之间形成着液浸空间LS的状态下,使基板P向-Y方向移动的情况下的液体LQ的状态的一例的模式图。液浸构件3j不包含第2板部。
在图6及图7中,在形成着液浸空间LSj、LS的状态下基板P移动的情况下,例如通过液体LQ的粘性的作用等,液浸空间LS的液体LQ中生成具有如箭头Fj、Fs所示那样的速度分布的液体LQ的流动。
液体LQ的运动量为液体LQ的质量(体积)和液体LQ的速度(流速)的乘积。因而,在图6及图7各自所示的例中,根据基板P的移动的液浸空间LS的液体LQ的运动量相当于面积Aj、As。
也就是说,通过配置第2板部22而能够抑制根据基板P的移动的液浸空间LS的液体LQ的运动量变大。换句话说,通过配置第2板部22而能够抑制受到移动的基板P的影响的液体LQ的质量(体积)。
在图6所示的例中,相对于光路K作用于-Y侧的界面LGj的液体LQ的运动量较大。其结果为,通过界面LGj中的液体LQ的表面张力维持液浸空间LSj变得困难,液体LQ流出的可能性变高。
另一方面,在图7所示的例中,相对于光路K作用于-Y侧的界面LG的液体LQ的运动量较小。因此,能够通过界面LG中的液体LQ的表面张力维持液浸空间LS。
图5表示以在液浸构件3和基板P之间形成着液浸空间LS的状态下基板P向-Y方向以高速移动时的液浸空间LS的液体LQ的状态的一例。在图5中,在基板P向-Y方向以高速移动的情况下,在液浸空间LS中,生成图5中箭头Fa、Fb、Fc、Fd、Fe所示那样的液体LQ的流动。在本实施方式中,由于配置着第2板部22,故而即便在以在液浸构件3和基板P之间形成着液浸空间LS的状态基板P向-Y方向以高速移动的情况下,第1空间S1的液体Lq也不怎么受到该移动的基板P的影响。第1空间S1中的液体LQ的流速例如为和从开口21K向上表面22A流动的液体LQ的流速对应的值。在第1空间S1中,如箭头Fa所示,液体LQ能够自由地流动。
另一方面,第2空间S2的液体LQ受到移动的基板P的影响。在第2空间S2中,通过液体LQ的粘性的作用等而生成和基板P的移动对应的液体LQ的流动。第2空间S2中的液体LQ的流速为和基板P的移动速度对应的值。在第2空间S2中,如箭头Fb所示,液体LQ和基板P的移动速度对应以高速流动。
在本实施方式中,间隙G2较小,第2空间S2中的液体LQ的体积(质量)较小。因此,第2空间S2的液体LQ的运动量相对较小。
第1空间S1的液体LQ的至少一部分和第2空间S2的液体LQ的至少一部分在下表面40(回收口32)和基板P之间的第5空间S5中合流。从第1空间S1流入至第5空间S5的液体LQ的流速较低,运动量较小。从第2空间S2流入至第5空间S5的液体LQ的流速较高,但由于质量较小而运动量较小。通过来自第1空间S1的液体LQ和来自第2空间S2的液体LQ在第5空间S5中合流,而在第5空间S5中生成例如如箭头Fc、Fd、Fe所示的液体LQ的流动。因此,在图5中可以使相对于光路K作用于-Y侧的界面LG的液体LQ的运动量变小。因而,通过界面LG中的液体LQ的表面张力而能够维持液浸空间LS。
另外,在第5空间S5中合流的来自第1空间S1及第2空间S2的液体LQ从回收口32回收。由此,生成图5中例如如箭头Fd所示那样的液体LQ的流动。因而,能够进一步减小作用于界面LG的液体LQ的运动量。
以上,以在和液浸构件3之间形成液浸空间LS的可移动的物体为基板P的情况为例进行了说明。如上所述,该物体例如也可以为基板台2(板构件T)。
如以上说明那样,根据本实施方式,由于设置第2板部22,故而在形成着液浸空间LS的状态下,即便在使基板P以高速移动、或者移动长距离的情况下,也能够抑制液体LQ的流出、残留等。因而,能够抑制曝光不良的产生、及不良元件的产生。
也就是说,在本实施方式中,在大致静止的第1板部21和移动的基板P之间配置第2板部22,将大致不受到移动的基板P的影响的液体LQ所流动的第1空间S1和受到移动的基板P的影响的液体LQ所流动的第2空间S2分开,因此能够减小作用在界面LG的液体LQ的运动量。
在本实施方式中,间隙G2小于间隙G1,因此能够使受到移动的基板P的影响的第2空间S2的液体LQ的质量(体积)变小。因此,能够使作用在界面LG的液体LQ的运动量变小。
另外,在本实施方式中,回收口32在相对于光路K的放射方向配置在较第2板部22更外侧,因此能够生成如图5中箭头Fd所示那样的液体LQ的流动,也就是不朝向界面LG而朝向回收口32(上方)的液体LQ的流动。因而,能够使作用在界面LG的液体LQ的运动量变小。
此外,回收口32的一部分在相对于光路K的放射方向也可以配置在较第2板部22的外侧边缘Ed更内侧。也就是说,回收口32的至少一部分只要形成在较第2板部22的外侧边缘Ed更外侧即可。
另外,在本实施方式中,第2板部22的内侧边缘Ec在相对于光路K的放射方向配置在较第1板部21更内侧,因此第3空间S3的液体LQ的至少一部分透过开口21K而能够向上表面22A流动。由此,能够使作用于配置在投影区域PR的物体的液体LQ的运动量变小。也就是说,第3空间S3的液体LQ透过开口21K直接向配置在投影区域PR的物体流动的情况下,例如会有较高的流速的液体LQ碰到物体的可能性。其结果为,会有作用在物体的液体LQ的运动量变大的可能性。在投影区域PR配置例如基板P和板构件T的边界(间隙)的情况下,如果作用在该边界的液体LQ的运动量变大,那么液体LQ浸入到该边界的可能性变高。在本实施方式中,第2板部22的内侧边缘Ec在相对于光路K的放射方向配置在较第1板部21更内侧,因此能够使作用在物体的液体LQ的运动量变小。
此外,在本实施方式中,第2板部22的下表面22B的外形和第1板部21的下表面21B的外形大致相同,但也可以不同。例如,关于Y轴方向的下表面21B的尺寸也可以和下表面22B的尺寸不同。另外,关于X轴方向的下表面21B的尺寸也可以和下表面22B的尺寸不同。
例如,如图8所示的液浸构件301那样,第2板部221的下表面221B大致为矩形(菱形),该下表面221B的边也可以以和第1板部21的下表面21B的边交叉的方式配置。
另外,如图9所示的液浸构件302那样,相对于光路K第2板部222的下表面222B的+Y侧及-Y侧的边也可以包含曲线。当然,相对于光路K下表面222B的+X侧及-X侧的边也可以包含曲线。
此外,在上述实施方式中,第2板部22的上表面22A及下表面22B平坦,上表面22A和下表面22B平行,但例如图10所示的液浸构件303那样,第2板部223的上表面223A的外缘区域AE1在相对于光路K的放射方向也可以朝向外侧接近第1板部21。换句话说,外缘区域AE1在相对于光路K的放射方向也可以朝向外侧向上方(+Z方向)倾斜。图10所示的例中,外缘区域AE1中的上表面223A包含曲面。在本实施方式中,上表面223A的外缘区域AE1包含包括上表面223A的外侧边缘的环带状的区域。在相对于光路K的放射方向,外缘区域AE1的尺寸小于除了外缘区域AE1以外的区域的尺寸。此外,除了外缘区域AE1以外的区域包含包含上表面223A的内侧边缘的内缘区域。内缘区域为包含上表面223A的内侧边缘的环带状的区域。
上表面223A的外缘区域AE1在相对于光路K的放射方向以朝向外侧接近第1板部21(回收口32)的方式倾斜(弯曲),因此在第5空间S5中,能够生成朝向上方(回收口32)的液体LQ的流动。由此,能够进一步使作用在界面LG的液体LQ的运动量变小。
此外,第2板部223的下表面223B的外缘区域AE2在相对于光路K的放射方向既可以朝向外侧向上方倾斜,也可以弯曲。由此在第5空间S5中,也可以生成朝向上方(回收口32侧)的液体LQ的流动。
<第2实施方式>
其次,对第2实施方式进行说明。在以下说明中,对和上述第1实施方式同一或同等的构成部分标注同一符号,并简略或省略其说明。
图11为表示第2实施方式的液浸构件304的一例的模式图。液浸构件304包含:主体部20及第1板部21;和第2板部224,其配置在光路K周围的至少一部分,且包含和第1板部21的下表面21B的至少一部分对向的上表面224A及基板P能够对向的下表面224B。和上述第1实施方式不同的第2实施方式的特征性的部分在于第2板部224通过驱动系统50移动这一方面。
在本实施方式中,主体部20及第1板部21和第2板部224分开。第2板部224通过驱动系统50而和第1板部21的下表面21B大致平行地移动。
在本实施方式中,驱动系统50根据基板P的移动条件,移动第2板部224。在本实施方式中,驱动系统50在基板P移动时,移动第2板部224。另外,驱动系统50向基板P的移动方向的相反方向移动第2板部224。图11所示的例中,在基板P向-Y方向移动的状态下,第2板部224向+Y方向。另外,驱动系统50以较基板P的移动速度更低的移动速度移动第2板部224。例如,第2板部224的移动速度为基板P的移动速度的1/2左右。
第2板部224包含能够通过从射出面6射出的曝光用光EL的开口224K。在本实施方式中,开口224K在Y轴方向较长。由此,一边在Y轴方向移动基板P一边对该基板P照射曝光用光EL的情况下,从射出面6射出的曝光用光EL能够通过开口224K。
在形成着液浸空间LS的状态下,根据基板P的移动第2板部224移动,由此在液浸空间LS的液体LQ生成具有如图11中箭头Ft所示那样的速度分布的液体LQ的流动。在第2板部224的上表面224A所面对的第1空间S1中,生成朝向+Y方向的液体LQ的流动,在下表面224B所面对的第2空间S2中,生成朝向-Y方向的液体LQ的流动。由此,例如相对于光路K在+Y侧的界面LG附近第1空间S1的液体LQ和第2空间S2的液体LQ合流,由此能够使作用于该+Y侧的界面LG的液体LQ的运动量足够小。相对于光路K对-Y侧的界面LG也一样。
此外,在上述各实施方式中,也可以在第1板部21的下表面21B存在向第1板部21和第2板部22之间供给液体LQ的液体供给口。另外,也可以将连通第1板部21的上表面21A所面对的空间和下表面21B所面对的空间那样的贯通孔设置在第1板部21。
另外,在上述各实施方式中,液浸构件(3等)也可以能够向X轴方向、Y轴方向、Z轴方向、θX方向、θY方向、θZ方向的至少一个方向移动。
另外,在上述各实施方式中,第2板部22相对于第1板部21也可以向Z轴方向、θX方向、θY方向、θZ方向的至少一个方向移动。
另外,在上述各实施方式中,在相对于光路K的放射方向,也可以设置向回收口32设为外侧供给气体的气体供给口。在此情况下,通过所供给的气体而可以抑制在和液浸构件(3等)对向的物体(基板P等)上残留液体LQ。
此外,在上述各实施方式中,投影光学系统PL的末端光学元件7的射出侧(像面侧)的光路由液体LQ填满,但也可以如例如国际公开第2004/019128号所揭示那样,采用末端光学元件7的入射侧(物体面侧)的光路也由液体LQ填满的投影光学系统PL。
此外,在上述各实施方式中,使用水作为液体LQ,但也可以是除了水以外的液体。作为液体LQ,优选的是对曝光用光EL为透过性,对曝光用光EL具有较高的折射率,对投影光学系统PL或者形成基板P的表面的感光材(光阻剂)等膜稳定。例如,作为液体LQ,也可以使用氢氟醚(HFE,hydraulic fracturing)、全氟聚醚(PFPE,perfluoropolyether)、氟素油(FOMBLIN OIL)等氟系液体。另外,作为液体LQ,也可以使用各种流体,例如超临界流体。
此外,作为上述各实施方式的基板P,不仅半导体元件制造用的半导体晶片,可以应用显示元件用的玻璃基板、薄膜磁头用的陶瓷晶片、或者曝光装置中所使用的光罩或標線片的原版(合成石英、硅晶片)等。
作为曝光装置EX,除了将光罩M和基板P同步移动为将光罩M的图案扫描曝光的步进扫描(step and scan)方式的扫描型曝光装置(扫描步进器)以外,还可以应用在以光罩M和基板P静止的状态下将光罩M图案一并曝光,对基板P进行依次步骤移动的步进重复(stepand repeat)方式的投影曝光装置(步进机)。
进而,在步进重复方式的曝光中,也可以在第1图案和基板P大致静止的状态下,使用投影光学系统而将第1图案的缩小像转印在基板P上之后,在第2图案和基板P大致静止的状态下,使用投影光学系统而将第2图案的缩小像和第1图案局部重叠而在基板P上一并曝光(缝合方式的一并曝光装置)。另外,作为缝合方式的曝光装置,也可以应用于在基板P上将至少两个图案局部重叠而转印,使基板P依序移动的步进缝合(step and stitch)方式的曝光装置。
另外,例如如美国专利第6611316号所揭示那样,透过投影光学系统在基板上合成两个光罩的图案,通过一次扫描曝光也可以将基板上的一个拍摄区域大致同时双重曝光的曝光装置等应用在本发明。另外,邻近式方式的曝光装置也可以应用在镜面投影对准曝光器等。
另外,曝光装置EX也可以是例如美国专利第6341007号、美国专利第6208407号、美国专利第6262796号等所揭示那样的包含多个基板台的双台型的曝光装置。
另外,曝光装置EX也可以是例如美国专利第6897963号、美国专利申请公开第2007/0127006号等所揭示那样的包含保持基板的基板台、和搭载形成着基准标记的基准构件及/或各种光电传感器不保持曝光对象的基板的测量台的曝光装置。另外,也可以应用在包含多个基板台和测量台的曝光装置。在此情况下,在和液浸构件之间形成液浸空间LS的能够移动的物体包含测量台。
作为曝光装置EX的种类,并不限定于在基板P将半导体元件图案曝光的半导体元件制造用的曝光装置,也可以应用到液晶显示元件制造用或显示器制造用的曝光装置、或薄膜磁头、拍摄元件(CCD,Charge Coupled Device,电荷耦合器件)、微机器、MEMS(microelectromechanical system,微机电系统)、DNA(Deoxyribonucleic acid,脱氧核糖核酸)晶片、或者用以制造標線片或光罩等的曝光装置等中。
此外,在上述各实施方式中,使用包含激光干涉计的干涉计系统测量各台的位置信息,但并不限定于此,例如也可以使用检测出设置在各台的缩尺(衍射光栅)的编码系统。
此外,在上述实施方式中,使用光透过性的基板上形成着特定遮光图案(或位相图案、消光图案)的光透过型光罩代替该光罩,例如如美国专利第6778257号所揭示那样,根据应该曝光的图案的电子数据形成透过图案或反射图案、或者发光图案的可变成形光罩(也称为电子光罩、主动光罩、或者图像产生器)。另外,也可以具备包含自发光型图像显示元件的图案形成装置来代替包含非发光型图像显示元件的可变成形光罩。
在上述各实施方式中,以包含投影光学系统PL的曝光装置列举为例进行了说明,但也可以对不使用投影光学系统PL的曝光装置及曝光方法应用本发明。例如在透镜等光学构件和基板之间形成液浸空间,透过该光学构件能够对基板照射曝光用光。
另外,例如如国际公开第2001/035168号所揭示那样,也可以在通过在基板P上形成干扰条纹而在基板P上将线与间隙(line andspace)图案曝光的曝光装置(微影系统)应用本发明。
上述实施方式的曝光装置EX通过以保持特定的机械精度、电性精度、光学精度的方式组装各种子系统而制造。为了确保这些各种精度,在该组装的前后对各种光学系统进行用来达成光学精度的调整、对各种机械系统进行用来达成机械精度的调整、对各种电性系统进行用来达成电性精度的调整。从各种子系统对曝光装置的组装步骤包含各种子系统相互的机械连接、电性电路的配线连接、气压电路的配管连接等。在从该各种子系统对曝光装置的组装步骤之前,当然存在各子系统各个的组装步骤。各种子系统的对曝光装置的组装步骤结束之后,进行综合调整,确保作为曝光装置整体的各种精度。此外,曝光装置的制造较理想为在管理温度及清洁度等的无尘室进行。
半导体元件等微元件如图12所示,透过如下步骤制造:进行微元件的功能、性能设计的步骤201、基于该设计步骤制作光罩(標線片)的步骤202、制作作为元件的基材的基板的步骤203、包含包括按照上述实施方式以来自光罩的图案的曝光用光将基板曝光、及将所曝光的基板显影的基板处理(曝光处理)的基板处理步骤204、元件组装步骤(包含切割步骤、焊接步骤、封装步骤等加工制程)205、检查步骤206等。
此外,上述的各实施方式的要件能够适当组合。另外,也存在不使用一部分构成要素的情况。另外,只要法令允许,援用有关上述各实施方式及变形例中所引用的曝光装置等的全部公开公报及美国专利的揭示作为本文的记载的一部分。
Claims (23)
1.一种液浸构件,其以曝光用光的光路由液体填满的方式在和可移动的物体之间形成液浸空间;且包含:
第1板,其配置在所述光路周围的至少一部分;
第2板,其配置在所述光路周围的至少一部分,且包含和所述第1板的下表面的至少一部分对向的上表面及所述物体可对向的下表面;及
回收口,其相对于所述光路配置在所述第1板的外侧,所述物体能够和至少一部分对向,回收来自所述第2板的上表面所面对的第1空间及所述第2板的下表面所面对的第2空间的液体的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的液浸构件,其中所述回收口的至少一部分在相对于所述光路的放射方向配置在较所述第2板更外侧。
3.根据权利要求1或2所述的液浸构件,其中所述回收口回收在所述回收口和所述物体之间合流的来自所述第1空间的液体及来自所述第2空间的液体的至少一部分。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的液浸构件,其中所述第2板的内侧边缘在相对于所述光路的放射方向配置在较所述第1板更内侧。
5.根据权利要求4所述的液浸构件,其中所述第1板的上表面所面对的空间的液体的至少一部分透过在所述第1板的内侧边缘规定至少一部分的第1开口流动至所述第2板的上表面。
6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的液浸构件,其中所述第1板的下表面和所述第2板的上表面大致平行。
7.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的液浸构件,其中所述第2板的上表面的外缘区域在相对于所述光路的放射方向朝向外侧接近所述第1板。
8.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的液浸构件,其中所述第1板的下表面和所述第2板的上表面间的第1间隙大于所述第2板的下表面和所述物体的表面间的第2间隙。
9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的液浸构件,其中所述第2板的下表面的外形和所述第1板的下表面的外形不同。
10.根据权利要求1至9中任一权利要求所述的液浸构件,其中所述第2板的上表面及下表面的至少一部分对所述液体为亲液性。
11.根据权利要求1至10中任一权利要求所述的液浸构件,其包含以相对于所述第1板配置在特定位置的方式支撑所述第2板的支撑机构。
12.根据权利要求11所述的液浸构件,其中所述支撑机构包含将所述第2板连结在所述第1板的连结构件。
13.根据权利要求1至12中任一权利要求所述的液浸构件,其中所述光路为从投影光学系统的射出面射出的曝光用光的光路;
所述第1板的下表面和所述第2板的上表面间的第1间隙大于所述第2板的下表面和配置在所述投影光学系统的像面的所述物体的表面间的第2间隙。
14.根据权利要求1至13中任一权利要求所述的液浸构件,其中所述第2板通过驱动系统而移动。
15.根据权利要求13所述的液浸构件,其中所述第2板和所述第1板的下表面大致平行地移动。
16.根据权利要求1至15中任一权利要求所述的液浸构件,其包含配置在所述回收口的多孔构件;
透过所述多孔构件的孔回收液体。
17.根据权利要求1至16中任一权利要求所述的液浸构件,其包含配置在所述第1板的上方且供给液体的供给口。
18.一种曝光装置,其透过液体以曝光用光将基板曝光;且
包含根据权利要求1至17中任一权利要求所述的液浸构件。
19.根据权利要求18所述的曝光装置,其中以在所述液浸构件和所述物体之间形成着液浸空间的状态,所述物体在和所述第2板的下表面大致平行的特定面内移动。
20.根据权利要求19所述的曝光装置,其中移动的所述物体包含所述基板及保持所述基板而移动的基板台的至少一方。
21.一种元件制造方法,其包含如下步骤:
使用根据权利要求18至20中任一权利要求所述的曝光装置将基板曝光;及
将曝光的所述基板显影。
22.一种曝光方法,其透过液体以曝光用光将基板曝光;且包含如下步骤:
以光学构件的射出面和所述基板的表面间的所述曝光用光的光路由所述液体填满的方式形成液浸空间;
透过所述液浸空间的液体将来自所述射出面的所述曝光用光照射在所述基板;
从回收口回收来自配置在所述光路周围的至少一部分的第1板的下表面和配置在所述光路周围的至少一部分的第2板的上表面间的第1空间、及所述第2板的下表面和所述基板的表面间的第2空间的液体的至少一部分,该回收口相对于所述光路配置在所述第1板的外侧,所述基板能够和该回收口的至少一部分对向。
23.一种元件制造方法,其包含如下步骤:
使用权利要求22所述的曝光方法将基板曝光;及
将经曝光的所述基板显影。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US28225510P | 2010-01-08 | 2010-01-08 | |
US61/282,255 | 2010-01-08 | ||
PCT/JP2010/073677 WO2011083724A1 (ja) | 2010-01-08 | 2010-12-28 | 液浸部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102714141A true CN102714141A (zh) | 2012-10-03 |
CN102714141B CN102714141B (zh) | 2016-03-23 |
Family
ID=44305459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201080060647.3A Active CN102714141B (zh) | 2010-01-08 | 2010-12-28 | 液浸构件、曝光装置、曝光方法及元件制造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9223225B2 (zh) |
EP (1) | EP2523210A1 (zh) |
JP (1) | JP5741859B2 (zh) |
KR (1) | KR20120113238A (zh) |
CN (1) | CN102714141B (zh) |
WO (1) | WO2011083724A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104995714A (zh) * | 2012-12-27 | 2015-10-21 | 株式会社尼康 | 液浸构件和曝光装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2009692A (en) | 2011-12-07 | 2013-06-10 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
US9268231B2 (en) * | 2012-04-10 | 2016-02-23 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium |
US9823580B2 (en) * | 2012-07-20 | 2017-11-21 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium |
US9568828B2 (en) | 2012-10-12 | 2017-02-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9494870B2 (en) | 2012-10-12 | 2016-11-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9651873B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-05-16 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium |
KR102649164B1 (ko) | 2017-12-15 | 2024-03-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 유체 핸들링 구조체, 리소그래피 장치, 유체 핸들링 구조체를 사용하는 방법 및 리소그래피 장치를 사용하는 방법 |
JP6575629B2 (ja) * | 2018-04-04 | 2019-09-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060103817A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1768170A1 (en) * | 2004-06-10 | 2007-03-28 | Nikon Corporation | Exposure equipment, exposure method and device manufacturing method |
US20080233512A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-09-25 | Nikon Corporation | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method |
JP2009088037A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1144263C (zh) | 1996-11-28 | 2004-03-31 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及曝光方法 |
JP3626504B2 (ja) | 1997-03-10 | 2005-03-09 | アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ | 2個の物品ホルダを有する位置決め装置 |
US6897963B1 (en) | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
US6452292B1 (en) | 2000-06-26 | 2002-09-17 | Nikon Corporation | Planar motor with linear coil arrays |
WO2002069049A2 (en) | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Asml Us, Inc. | Simultaneous imaging of two reticles |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
EP1532489A2 (en) | 2002-08-23 | 2005-05-25 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
CN1965389B (zh) | 2004-06-09 | 2011-08-10 | 尼康股份有限公司 | 基板保持装置、具备其之曝光装置及方法、元件制造方法 |
TWI424260B (zh) | 2005-03-18 | 2014-01-21 | 尼康股份有限公司 | A board member, a substrate holding device, an exposure apparatus and an exposure method, and a device manufacturing method |
US7474379B2 (en) * | 2005-06-28 | 2009-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4706422B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-06-22 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7701551B2 (en) * | 2006-04-14 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8237911B2 (en) | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
US8068209B2 (en) | 2007-03-23 | 2011-11-29 | Nikon Corporation | Nozzle to help reduce the escape of immersion liquid from an immersion lithography tool |
US8300207B2 (en) * | 2007-05-17 | 2012-10-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, immersion system, exposing method, and device fabricating method |
US8610873B2 (en) | 2008-03-17 | 2013-12-17 | Nikon Corporation | Immersion lithography apparatus and method having movable liquid diverter between immersion liquid confinement member and substrate |
US8233139B2 (en) * | 2008-03-27 | 2012-07-31 | Nikon Corporation | Immersion system, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
-
2010
- 2010-12-28 WO PCT/JP2010/073677 patent/WO2011083724A1/ja active Application Filing
- 2010-12-28 CN CN201080060647.3A patent/CN102714141B/zh active Active
- 2010-12-28 US US13/520,963 patent/US9223225B2/en active Active
- 2010-12-28 EP EP10842235A patent/EP2523210A1/en not_active Withdrawn
- 2010-12-28 JP JP2011548968A patent/JP5741859B2/ja active Active
- 2010-12-28 KR KR1020127019680A patent/KR20120113238A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1768170A1 (en) * | 2004-06-10 | 2007-03-28 | Nikon Corporation | Exposure equipment, exposure method and device manufacturing method |
US20060103817A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20080233512A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-09-25 | Nikon Corporation | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method |
JP2009088037A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104995714A (zh) * | 2012-12-27 | 2015-10-21 | 株式会社尼康 | 液浸构件和曝光装置 |
CN104995714B (zh) * | 2012-12-27 | 2018-06-26 | 株式会社尼康 | 液浸构件和曝光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2523210A1 (en) | 2012-11-14 |
CN102714141B (zh) | 2016-03-23 |
US9223225B2 (en) | 2015-12-29 |
US20130188159A1 (en) | 2013-07-25 |
WO2011083724A1 (ja) | 2011-07-14 |
JPWO2011083724A1 (ja) | 2013-05-13 |
JP5741859B2 (ja) | 2015-07-01 |
KR20120113238A (ko) | 2012-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102714141B (zh) | 液浸构件、曝光装置、曝光方法及元件制造方法 | |
EP2023378B1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
US9013675B2 (en) | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method | |
US9612538B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
EP2653924A2 (en) | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposure method, and device fabricating method | |
CN105144342A (zh) | 液浸部件及曝光装置 | |
CN103282831A (zh) | 液浸构件、浸没曝光装置、曝光方法、组件制造方法、程序、及储存媒体 | |
KR20080026082A (ko) | 노광장치 및 방법, 노광장치의 메인터넌스 방법 및디바이스 제조방법 | |
US20110222031A1 (en) | Liquid immersion member, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium | |
US20090122282A1 (en) | Exposure apparatus, liquid immersion system, exposing method, and device fabricating method | |
JP2014503113A (ja) | 液浸部材及びクリーニング方法 | |
CN102918462A (zh) | 液浸构件及液浸曝光装置 | |
JP2013251311A (ja) | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体 | |
JP2013236000A (ja) | 液浸部材、露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体 | |
JP6155581B2 (ja) | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法 | |
JP5515742B2 (ja) | 露光装置、露光方法、クリーニング装置、及びデバイス製造方法 | |
JPWO2008075742A1 (ja) | メンテナンス方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2010135794A (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2019032552A (ja) | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法 | |
JP2010135796A (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
EP1950612A1 (en) | Exposure apparatus and method, and method for manufacturing device | |
JP6418281B2 (ja) | 露光装置 | |
WO2010082475A1 (ja) | ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2014011203A (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2010135795A (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
REG | Reference to a national code |
Ref country code: HK Ref legal event code: DE Ref document number: 1172996 Country of ref document: HK |
|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |