JP5545320B2 - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板を露光する露光装置、及びデバイス製造方法に関する。
本願は、2006年5月10日に出願された特願2006−131280号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、液体を介して基板を露光する液浸露光装置が案出されている。
国際公開第99/49504号
ところで、露光装置においては、デバイスの生産性向上等を目的として、例えば、基板の移動速度の高速化が要求される。基板の移動速度を高速化した場合、液体が基板上の所定空間から漏出する可能性がある。所定空間から漏洩した液体が基板上に残留すると、基板の露光不良、基板に形成されるパターンの欠陥などを引き起こす虞がある。
本発明は、基板上の液体の残留を抑えることができる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
本発明の第1の態様に従えば、基板(P)に露光光(EL)を照射して基板(P)を露光する露光装置において、基板(P)の表面と対向するように配置され、基板(P)の表面との間に液浸空間(LS)が形成される第1部材(20)と、基板(P)の表面に存在する液体(LQ)をトラップする第2部材(60)であり、第2部材(60)と基板(P)との距離(D2)が、第1部材(20)と基板(P)との距離(D1)よりも小さい前記第2部材と、を備える露光装置(EX)が提供される。
本発明の第1の態様によれば、液体の漏出を抑えることができる。
本発明の第2の態様に従えば、基板(P)に露光光(EL)を照射して基板(P)を露光する露光装置において、基板(P)の表面と対向するように配置された第1液体回収口(22)を有し、基板(P)の表面との間に液浸空間(LS)が形成される第1部材(20)と、基板(P)の表面に存在する液体(LQ)を回収するための第2液体回収口(41)であり、第2液体回収口(41)と基板(P)の表面との距離(D3)が、第1部材(20)と基板(P)との距離(D1)よりも小さい前記第2液体回収口と、露光光(EL)の光路空間(K)に対して第2液体回収口(41)の外側に配置され、基板(P)の表面に向かって気体を吹き出す気体吹出口(45)と、を備える露光装置(EX)が提供される。
本発明の第2の態様によれば、液体の漏出を抑えることができる。
本発明の第3の態様に従えば、上記態様の露光装置(EX)を用いるデバイス製造方法が提供される。
本発明の第3の態様によれば、液体の漏出が抑えられた露光装置を用いてデバイスを製造することができる。
本発明によれば、液体の漏出を抑え、露光処理及び計測処理を良好に実行できる。
第1実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 第1実施形態に係るノズル部材の近傍を示すYZ平面と平行な側断面図である。 第1実施形態に係るノズル部材の近傍を示すXZ平面と平行な側断面図である。 第1実施形態に係るノズル部材の近傍を示す概略斜視図の一部破断図である。 第1実施形態に係るノズル部材の近傍を下側から見た斜視図である。 第1実施形態に係るトラップ部材の近傍を示す側断面図である。 第1実施形態に係るトラップ部材の近傍を+Y側から見た図である。 液体の挙動の一例を説明するための模式図である。 液体の挙動の一例を説明するための模式図である。 液体の挙動の一例を説明するための模式図である。 液体の挙動の一例を説明するための模式図である。 トラップ部材が液体をトラップしている状態を示す模式図である。 トラップ部材が液体をトラップしている状態を示す模式図である。 第1実施形態に係るトラップ部材の動作の一例を説明するための図である。 第2実施形態に係るトラップ部材の近傍を示す図である。 第3実施形態に係るトラップ部材の近傍を示す図である。 第4実施形態に係るトラップ部材の近傍を示す図である。 第4実施形態に係るトラップ部材の動作の一例を説明するための図である。 第5実施形態に係るトラップ部材の近傍を示す図である。 第6実施形態に係るトラップ部材の近傍を示す図である。 第7実施形態に係るトラップ部材の近傍を示す図である。 第8実施形態に係るノズル部材の近傍を下側から見た斜視図である。 第8実施形態に係るノズル部材の近傍を示すYZ平面と平行な側断面図である。 デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内における所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれに直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。
<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、マスクMのパターンを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板P上に投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置3とを備えている。なお、ここでいう基板は、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材上に感光材(フォトレジスト)を塗布したものを含み、感光膜とは別に保護膜(トップコート膜)などの各種の膜を塗布したものも含む。マスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクは、ガラス板等の透明板部材と、クロム等の遮光膜を用いて透明板部材上に形成された所定のパターンとを含む。この透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばハーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。また、本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。
本実施形態において、露光装置EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置である。露光装置EXは、基板Pの表面と対向するように配置され、基板Pの表面との間に液浸(液浸空間LS)を形成するノズル部材20を備えている。液浸空間LSは、液体LQで満たされた空間である。ノズル部材20は、液浸空間LSを形成するための液体LQを供給する液体供給口21(図1には不図示)と、液体LQを回収する第1液体回収口22(図1には不図示)とを有している。ノズル部材20は、投影光学系PLの像面側(光射出側)の露光光ELの光路空間K、具体的には投影光学系PLと基板Pとの間の露光光ELの光路空間Kを液体LQで満たすように、基板Pの表面との間に液浸空間LSを形成する。図1においては、基板Pとそれに対向する投影光学系PL及びノズル部材20との間に液浸空間LSが形成されている。露光光ELの光路空間Kは、露光光ELが進行する光路を含む空間である。本実施形態においては、液体LQとして水(純水)を用いる。
露光装置EXは、少なくともマスクMのパターンの像を基板P上に投影している間、ノズル部材20と基板Pの表面との間に液浸空間LSを形成する。露光装置EXは、露光光ELの光路空間Kを液体LQで満たすように液浸空間LSを形成し、その液体LQを介して、マスクMを通過した露光光ELを基板ステージ2に保持された基板P上に照射する。これにより、マスクMのパターンの像が基板P上に投影され、基板Pが露光される。
また、本実施形態において、基板Pの露光中に、投影光学系PLの投影領域ARを含む基板P上の一部に液浸領域が形成される。すなわち、投影光学系PLの投影領域ARを含む基板P上の一部の領域が液浸空間LSの液体LQで覆われる局所液浸方式を採用している。
本実施形態においては、ノズル部材20が、基板Pの表面と対向している状態で液浸空間LSを形成する場合について主に説明する。なお、ノズル部材20は、投影光学系PLの像面側において、露光光ELが照射可能な位置に配置された物体の表面との間、すなわち投影光学系PLの光射出面と対向する位置に配置された物体の表面との間にも液浸空間LSを形成可能である。例えば、ノズル部材20は、投影光学系PLの光射出面と対向する位置に配置された基板ステージ2の上面との間にも液浸空間LSを形成可能である。
本実施形態において、後述するように、露光装置EXは、基板Pの表面に存在する液体LQをトラップするトラップ部材60を備えている。トラップ部材60は、露光光ELの光路空間Kに対して、ノズル部材20の外側に設けられている。露光光ELの光路空間Kに対してノズル部材20の外側には、ノズル部材20の第1液体回収口22(図1では不図示)とは別の第2液体回収口41(図1では不図示)を有する液体回収部材40が配置されている。本実施形態においては、トラップ部材60は、液体回収部材40に支持されている。本実施形態においては、少なくとも液浸空間LSが形成されている状態においては、トラップ部材60と基板Pとの距離D2は、ノズル部材20と基板Pとの距離D1よりも小さい。
本実施形態において、露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板P上に投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)である。本実施形態においては、基板Pの走査方向(同期移動方向)をY軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もY軸方向とする。露光装置EXにおいて、基板Pのショット領域を投影光学系PLの投影領域ARに対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IAに対してマスクMのパターン形成領域をY軸方向に移動する。投影光学系PL及び液体LQを介して投影領域ARに露光光ELが照射され、投影領域ARに形成されるパターンの像で基板P上のショット領域が露光される。
露光装置EXは、例えばクリーンルーム内の床面17上に設けられた第1コラムCL1、及び第1コラムCL1上に設けられた第2コラムCL2を含むボディBDを備えている。第1コラムCL1は、複数の第1支柱11と、それら第1支柱11に防振装置9を介して支持された鏡筒定盤7とを備えている。第2コラムCL2は、鏡筒定盤7上に設けられた複数の第2支柱12と、それら第2支柱12に防振装置4を介して支持された第1定盤6とを備えている。防振装置4及び防振装置9のそれぞれは、所定のアクチュエータ及びダンパ機構を備えたアクティブ防振装置を含む。
照明系ILは、マスクM上の所定の照明領域IAを均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、あるいはArFエキシマレーザ光(波長193nm)、Fレーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)などが用いられる。本実施形態においてはArFエキシマレーザ光が用いられる。
マスクステージ1は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置1Dの駆動により、マスクMを保持した状態で、第1定盤6上で、X軸、Y軸、及びθZ方向に移動可能である。マスクステージ1は、エアベアリング(エアパッド)により、第1定盤6の上面(ガイド面)に対して非接触支持されている。マスクステージ1は、基板Pの露光時に露光光ELを通過させるための第1開口1Kを有している。第1定盤6は、露光光ELを通過させるための第2開口6Kを有している。照明系ILから射出され、マスクMのパターン形成領域を照明した露光光ELは、マスクステージ1の第1開口1K、及び第1定盤6の第2開口6Kを通過した後、投影光学系PLに入射する。
マスクステージ1(ひいてはマスクM)の位置情報はレーザ干渉計13によって計測される。レーザ干渉計13は、マスクステージ1上に設けられた計測ミラー14を用いてマスクステージ1の位置情報を計測する。制御装置3は、レーザ干渉計13の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置1Dを駆動し、マスクステージ1に保持されているマスクMの位置制御を行う。
投影光学系PLは、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で基板Pに投影するものであって、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒5で保持されている。鏡筒5はフランジ5Fを有している。投影光学系PLはフランジ5Fを介して鏡筒定盤7に支持されている。また、鏡筒定盤7と鏡筒5との間に防振装置を設けることができる。本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5、1/8等の縮小系であり、基板上の露光領域にパターンの縮小像を形成する。なお、投影光学系PLは縮小系、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
基板ステージ2は、基板Pを保持する基板ホルダ2Hを有している。基板ステージ2は、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置2Dの駆動により、基板ホルダ2Hに基板Pを保持した状態で、第2定盤8上で、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。基板ステージ2の基板ホルダ2Hは、基板Pの表面とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。基板ステージ2は、エアベアリングにより第2定盤8の上面(ガイド面)に対して非接触支持されている。第2定盤8は、床面17上に防振装置10を介して支持されている。防振装置10は、所定のアクチュエータ及びダンパ機構を備えたアクティブ防振装置を含む。基板ステージ2(ひいては基板P)の位置情報はレーザ干渉計15によって計測される。レーザ干渉計15は、基板ステージ2に設けられた計測ミラー16を用いて基板ステージ2のX軸、Y軸、及びθZ方向に関する位置情報を計測する。また、露光装置EXは、基板ステージ2に保持されている基板Pの表面の面位置情報(Z軸、θX、及びθY方向に関する位置情報)を検出可能な不図示のフォーカス・レベリング検出系を備えている。制御装置3は、レーザ干渉計15の計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて基板ステージ駆動装置2Dを駆動し、基板ステージ2に保持されている基板Pの位置制御を行う。
フォーカス・レベリング検出系は、例えば米国特許第6,608,681号などに開示されるように、その複数の計測点でそれぞれ基板PのZ軸方向の位置情報を計測することで、基板Pの面位置情報を検出することができる。レーザ干渉計15は基板ステージ2のZ軸、θX及びθY方向の位置情報をも計測可能としてよく、その詳細は、例えば特表2001−510577号公報(対応国際公開第1999/28790号パンフレット)に開示されている。
また、本実施形態においては、基板ステージ2上には凹部2Rが設けられており、基板ホルダ2Hはその凹部2Rに配置されている。凹部2R以外の基板ステージ2の上面2Fは、基板ホルダ2Hに保持された基板Pの表面とほぼ同じ高さ(面一)になるような平坦面となっている。
次に、図1〜図5を参照しながら、ノズル部材20、トラップ部材60、及び液体回収部材40について説明する。図2は、ノズル部材20、トラップ部材60、及び液体回収部材40の近傍を示すYZ平面と平行な側断面図、図3は、XZ平面と平行な側断面図、図4は、概略斜視図の一部破断図、図5は、下側から見た斜視図である。
露光装置EXは、基板Pの表面と対向するように配置され、基板Pの表面との間に液浸空間LSを形成するノズル部材20と、基板Pの表面に存在する滴状、及び/又は薄膜状の液体LQをトラップするトラップ部材60と、露光光ELの光路空間Kに対してノズル部材20の外側に配置された液体回収部材40とを備えている。
ノズル部材20は、投影光学系PLと基板Pとの間の露光光ELの光路空間Kを液体LQで満たすように、液浸空間LSを形成する。具体的には、ノズル部材20は、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い終端光学素子FLの光射出面(下面)と、投影光学系PLの像面側に配置された基板ステージ2上の基板Pの表面との間の露光光ELの光路空間Kを液体LQで満たすように、液浸空間LSを形成する。
図1、図2、及び図3に示すように、露光装置EXは、ノズル部材20を保持する保持機構70を備えている。本実施形態においては、保持機構70の少なくとも一部は鏡筒5に設けられている。ノズル部材20は、その鏡筒5に設けられた保持機構70で保持される。また、露光装置EXは、トラップ部材60を支持する第1支持機構80と、液体回収部材40を支持する第2支持機構90とを備えている。本実施形態においては、第1支持機構80は、液体回収部材40に接続されている。トラップ部材60は、第1支持機構80を介して、液体回収部材40に支持されている。また、本実施形態においては、第2支持機構90は、第1コラムCL1の鏡筒定盤7に接続されている。液体回収部材40は、第2支持機構90を介して、第1コラムCL1の鏡筒定盤7に支持されている。
保持機構70は、鏡筒5の下端に形成され、ノズル部材20の上面20Aの少なくとも一部と接触する保持面71を有している。保持面71は、終端光学素子FLを囲むように設けられている。本実施形態のノズル部材20は、フランジ20Fを備えている。フランジ20Fは、ノズル部材20の上部に設けられている。保持機構70でノズル材20を保持したときに、保持機構70の保持面71とノズル部材20のフランジ20Fの上面20Aの所定領域とが接触する。
保持機構70は、ノズル部材20を吸着する吸着機構72を有している。吸着機構72は、保持面71の複数の所定位置のそれぞれに設けられた吸引口73と、それら吸引口73に流路を介して接続された不図示の吸引装置とを備えている。吸引口73と吸引装置とを接続する流路の少なくとも一部は、鏡筒5の内部に形成されている。吸引装置は、例えば真空ポンプ等の真空系を含む。制御装置3は、吸着機構72の吸引装置を駆動して、吸引口73より気体を吸引することにより、ノズル部材20を保持面71に吸着可能である。また、制御装置3は、吸引装置を含む吸着機構72を制御して、吸着機構72によるノズル部材20の吸着を解除することにより、ノズル部材20を保持面71から離すことができる。このように、本実施形態においては、吸着機構72を含む保持機構70は、ノズル部材20を着脱可能に保持する。なお、保持機構70は、静電気の力を用いた静電吸着機構を備えていてもよい。静電吸着機構によっても、保持機構70は、ノズル部材20を着脱可能に保持することができる。また、ノズル部材20は、鏡筒5あるいは別の部材(例えば、鏡筒定盤7)に固定されていてもよい。
保持面71に吸着されたノズル部材20は、露光光ELを射出する終端光学素子FLの近傍において、基板Pの表面(及び/又は基板ステージ2の上面2F)と対向するように配置される。ノズル部材20は環状部材であって、基板P(及び/又は基板ステージ2)の上方において、終端光学素子FLを囲むように配置される。本実施形態においては、終端光学素子FLは、ノズル部材20に支持される。本実施形態において、終端光学素子FLはフランジFLFを備えている。ノズル部材20は、終端光学素子FLのフランジFLFを保持する。フランジFLFは終端光学素子FLの上部に形成されている。ノズル部材20は、その上面20Aの所定領域で終端光学素子FLのフランジFLFの下面を保持する。なお、終端光学素子FLを鏡筒5で支持するようにしてもよい。
投影光学系PLの終端光学素子FLは、傾斜した側面FSを有している。ノズル部材20は、終端光学素子FLの側面FSと対向し、その側面FSに沿うように形成された内側面20Tを有している。終端光学素子FLの側面FSとノズル部材20の内側面20Tとは、露光光ELの光路空間Kから外側に向かうにつれて(終端光学素子FLの光軸から離れるにつれて)基板Pとの距離が大きくなるように傾斜している。終端光学素子FLの側面FSとノズル部材20の内側面20Tとの間には、第1ギャップG1が形成されている。
図3、図4、及び図5等に示すように、ノズル部材20は、液浸空間LSを形成するための液体LQを供給する液体供給口21と、液体LQを回収する第1液体回収口22とを有している。液体供給口21は、ノズル部材20の内部に形成された供給流路23を介して、液体供給装置25に接続されている。第1液体回収口22は、ノズル部材20の内部に形成された第1回収流路24を介して、第1液体回収装置26に接続されている。液体供給装置25は、清浄で温度調整された液体LQを送出可能である。また、第1液体回収装置26は、真空系等を含み、液体LQを回収可能である。液体供給装置25は、供給流路23、及び液体供給口21を介して、液浸空間LSを形成するための液体LQを供給可能である。第1液体回収装置26は、第1液体回収口22、及び第1回収流路24を介して、液浸空間LSの液体LQを回収可能である。液体供給装置25及び第1液体回収装置26の動作は、制御装置3に制御される。
ノズル部材20は、終端光学素子FLの下面(光射出面)の一部の領域と対向する上面29を有する底板28を有している。底板28の一部は、Z軸方向に関して、終端光学素子FLの下面と基板P(基板ステージ2)との間に配置されている。
また、図2、図3、図4、及び図5に示すように、底板28の中央には、露光光ELが通過する開口28Kが形成されている。本実施形態においては、開口28Kにおいて、露光光ELの断面形状(投影領域ARとほぼ同形状)は、X軸方向を長手方向とする略矩形状(スリット状)である。開口28Kは、投影領域ARに応じてXY方向において略矩形状に形成されている。
本実施形態において、基板ステージ2に保持された基板Pの表面と対向するノズル部材20の下面27は、平坦である。下面27は、底板28に設けられている。下面27は、基板Pの表面(XY平面)とほぼ平行である。以下の説明においては、ノズル部材20の下面27を適宜、ランド面27、と称する。ランド面27は、投影光学系PLの終端光学素子FLの下面と基板Pの表面との間において、基板Pの表面と対向するように、且つ露光光ELの光路空間K(開口28K)を囲むように設けられている。本実施形態においては、ノズル部材20の基板Pとの対向面のうち、ランド面27が、基板ステージ2に保持された基板Pに最も近い位置に設けられており、基板Pの表面との間で液体LQを保持可能である。また、終端光学素子FLの下面と底板28の上面29との間には、所定のギャップを有する空間が設けられている。
液体供給口21は、終端光学素子FLの下面と底板28の上面29との間の空間に接続されており、その空間に液体LQを供給可能である。また、本実施形態においては、液体供給口21は、光路空間Kに対してX軸方向両側のそれぞれの所定位置に設けられている。
また、本実施形態においては、露光装置EXは、液体供給口21に気体を供給する気体供給装置30を備えている。気体供給装置30は、清浄で温度調整された液体LQを送出可能である。気体供給装置30は、露光装置EXが収容されたチャンバ内の気体とほぼ同じ気体(例えばドライエア)を供給する。気体供給装置30と液体供給口21とは、供給流路23の少なくとも一部を介して接続されている。露光装置EXは、液体供給口21及び供給流路23に対する液体供給装置25と気体供給装置30との接続を切り換えるバルブ機構31を備えている。制御装置3は、バルブ機構31を制御して、供給流路23を介して液体供給口21と液体供給装置25とを流体的に接続する。これにより、液体供給装置25から液体LQを液体供給口21に供給し、その液体供給口21を介して終端光学素子FLの下面と底板28の上面29との間の空間に対して液体LQを供給可能である。また、制御装置3は、例えば液体供給動作を停止中など、所定のタイミングにおいて、バルブ機構31を制御して、供給流路23を介して液体供給口21と気体供給装置30とを流体的に接続する。これにより、気体供給装置30から気体を液体供給口21に供給し、その液体供給口21を介して終端光学素子FLの下面と底板28の上面29との間の空間に対して気体を供給可能である。例えば、液浸空間LSの液体LQを全て回収するための回収動作を行った後、液体供給口21より気体を吹き出すことにより、その吹き出した気体によって、終端光学素子FLの端面(光射出面)に残留している液体LQを除去したり、終端光学素子FLの端面を乾燥させたりすることができる。なお、気体供給装置30の代わりに、気体吸引装置を設けてもよい。この場合、液体供給口21より気体を吸引することによって、終端光学素子FLの端面(光射出面)に残留している液体LQを除去(回収)したり、終端光学素子FLの端面を乾燥させたりすることができる。
また、ノズル部材20は、終端光学素子FLの下面と底板28の上面29との間の空間及びその近傍の気体を外部空間(大気空間を含む)に排出(排気)する排出口32を有している。排出口32と外部空間とは、ノズル部材20の内部に形成された排出流路33を介して接続されている。本実施形態においては、排出口32は、液体供給口21よりも光軸に近い位置に、且つ、液体供給口21よりも基板Pに近い位置に配置されている。本実施形態においては、排出口32は、光路空間Kを向く底板28の内側面28Tに形成されている。本実施形態においては、排出口32は、光路空間Kに対してY軸方向両側のそれぞれの所定位置に設けられている。終端光学素子FLの下面と底板28の上面29との間の空間及びその近傍の気体は、排出口32及び排出流路33を介して、外部空間に排出可能である。
第1液体回収口22は、基板ステージ2に保持された基板Pの上方において、その基板Pの表面と対向するように配置されている。ノズル部材20の内部には、空間が形成されている。第1液体回収口22は、その空間の下端に形成され、第1回収流路24の一部は、その空間によって形成されている。第1液体回収口22は、露光光ELの光路空間K(開口28K)に対して、液体供給口21及び排出口32の外側に設けられている。また、第1液体回収口22は、露光光ELの光路空間K(開口28K)に対して、ランド面27の外側に配置されている。本実施形態においては、第1液体回収口22は、光路空間K、ランド面27、液体供給口21、及び排出口32を囲むように環状に設けられている。
第1液体回収口22には、複数の孔を有する多孔部材34が配置されている。多孔部材34は、基板ステージ2に保持された基板Pと対向する下面35を有している。本実施形態においては、多孔部材34の下面35はほぼ平坦である。本実施形態においては、多孔部材34は、その下面35とXY平面とがほぼ平行となるように、第1液体回収口22に配置されている。なお、多孔部材34の下面35がXY平面に対して傾斜していてもよい。また、本実施形態においては、多孔部材34の下面35は、基板Pの表面に対して、ランド面27よりも離れている。なお、多孔部材34の下面35とランド面27とがほぼ面一でもよい。なお、第1回収流路24の圧力の最適値(許容範囲)は、例えば実験又はシミュレーションにより予め求めることができる。
このように、ノズル部材20の下面は、ランド面27と多孔部材34の下面35を含み、液浸空間LSは、終端光学素子FLの下面、及びノズル部材20の下面と、基板Pの表面との間に形成される液浸空間LSの間に形成される。
ランド面27は、液体LQに対して親液性を有している。本実施形態においては、ランド面27を形成する底板28はチタンによって形成されており、親液性(親水性)を有している。本実施形態においては、ランド面27における液体LQの接触角は40°以下である。なお、ランド面27に親液性を高めるための表面処理を施してもよい。また、本実施形態においては、多孔部材34はチタン製のメッシュ部材であり、液体LQに対して親液性(親水性)を有している。なお、多孔部材34に親液性を高めるための表面処理を施してもよい。
また、ノズル部材20の内側面20Tの上部の所定位置には、第1ギャップG1の空間の流体(気体及び液体LQの少なくとも一方を含む)を外部空間に排出可能な上端排出口36が形成されている。上端排出口36は、内側面20Tの上部において、終端光学素子FLを囲む複数の所定位置のそれぞれに形成されている。上端排出口36のそれぞれは、ノズル部材20の内部に形成された排出流路37を介して、外部空間(大気空間を含む)と流体的に接続されている。排出流路37のそれぞれは、露光光ELの光路空間Kに対して第1回収流路24の外側において、ノズル部材20の内部をZ軸方向に貫通するように形成されている。排出流路37の上端は、上端排出口36を介して第1ギャップG1の空間に流体的に接続され、排出流路37の下端は、下端排出口38を介して、ノズル部材20と基板Pとの間の空間(外部空間)に流体的に接続されている。本実施形態においては、ノズル部材20の内側面20Tと終端光学素子FLの側面FSとのそれぞれは、撥液性を有しており、第1ギャップG1に入り込んだ液体LQの表面が上端排出口36近傍まで上昇することを抑制している。また、第1ギャップG1の空間と外部空間とは排出流路37を介して流体的に接続されており、第1ギャップG1の空間は、排出流路37を介して大気開放されている。これにより、第1ギャップG1に入り込んだ液体LQに起因する第1ギャップG1の空間の大きな圧力変動を抑えている。
また、液体LQの表面が上端排出口36まで上昇した場合には、排出流路37を介して、下端排出口38より液体LQ排出を排出することできる。下端排出口38から排出された液体LQは、第1液体回収口22及び/又は後述の第2液体回収口41より回収することができる。
図6は、トラップ部材60近傍を示す側断面図、図7は、図6のトラップ部材60を+Y側から見た図である。露光装置EXは、基板の表面に存在する液体LQをトラップするトラップ部材60を備えている。トラップ部材60は、露光光ELの光路空間Kに対して、ノズル部材20に設けられた第1液体回収口22の外側に、ノズル部材20から離れて設けられている。トラップ部材60は、露光光ELの光路空間Kに対して、ノズル部材20の外側に設けられた液体回収部材40に支持されている。液体回収部材40は、第1液体回収口22とは別の第2液体回収口41を備えている。第2液体回収口41は、露光光ELの光路空間Kに対して第1液体回収口22の外側に設けられている。上述したように、本実施形態においては、少なくとも液浸空間LSが形成されている状態においては、トラップ部材60と基板Pとの距離D2は、ノズル部材20と基板Pとの距離D1よりも小さい。
露光装置EXは、液体回収部材40に接続され、トラップ部材60を支持する第1支持機構80と、第1コラムCL1の鏡筒定盤7に接続され、液体回収部材40を支持する第2支持機構90とを備えている。
図1に示すように、第2支持機構90は、液体回収部材40を、第1コラムCL1の鏡筒定盤7に対してほぼ動かないように支持する。第2支持機構90は、保持機構70に保持されたノズル部材20から機械的に分離して、液体回収部材40を支持する。
第1支持機構80は、トラップ部材60を、基板Pの表面に対して可動に支持する。第1支持機構80は、保持機構70に保持されたノズル部材20から機械的に分離して、トラップ部材60を支持する。また、第1支持機構80に支持されたトラップ部材60と液体回収部材40とは離れている。トラップ部材60は+Z方向、及び−Z方向に移動可能である。なお、第1支持機構80に支持されたトラップ部材60が所定位置よりも−Z側に移動(落下)しないようにするためのストッパーとして液体回収部材40を使用してもよい。また、第1支持機構80で支持されたトラップ部材60を−Z方向に移動しないように液体回収部材40と接触させもよい。
なお、第2支持機構90は、液体回収部材40を、第1コラムCL1の鏡筒定盤7に対して可動に支持してもよい。例えば、第2支持機構90が弾性体を有していてもよい。第2支持機構90が弾性体を有することにより、その弾性体の弾性変形によって、液体回収部材90を揺動可能に支持できる。また、第2支持機構40が、所定のアクチュエータ及びダンパ機構を備えたアクティブ防振装置を備えていてもよい。
液体回収部材40は、基板Pの表面(基板ステージ2の上面2F)と対向するように配置される。液体回収部材40は、環状部材であって、第2支持機構90に支持された液体回収部材40は、基板P(基板ステージ2)の上方において、ノズル部材20を囲むように配置される。
トラップ部材60は、光路空間Kに対してノズル部材20の外側に、終端光学素子FLの光軸を含む面と交差するように配置されている。本実施形態においては、トラップ部材60は、露光光ELの光路空間Kの外側において、露光光ELの光路空間Kを囲むように配置されている。また、本実施形態においては、複数のトラップ部材60が、終端光学素子FLの光軸を含む面と交差するように並べられている。図5、及び図7に示すように、Y軸方向においてノズル部材20の両側にはX軸方向に沿って所定の間隔で複数のトラップ部材60が配置され、X軸方向においてノズル部材20の両側にはY軸方向に沿って所定の間隔で複数のトラップ部材60が配置されている。すなわち、本実施形態においては、複数のトラップ部材60が光路空間Kを囲むように配置されている。また本実施形態において、トラップ部材60は、複数の板状部材(フィン状部材)である。板状部材であるトラップ部材60の一部は、露光光ELの光路空間K(光軸AX)に対して放射状に複数配置されている。より具体的には、本実施形態においては、Y軸方向においてノズル部材20の両側には、板状のトラップ部材60のそれぞれがYZ平面とほぼ平行となるように配置されている。また、X軸方向においてノズル部材20の両側には、板状のトラップ部材60のそれぞれがXZ平面とほぼ平行となるように配置されている。
図7に示すように、第2液体回収口41は、露光光ELの光路空間Kを囲むように、複数設けられている。本実施形態においては、複数の第2液体回収口41のそれぞれは、隣接するトラップ部材60(板状部材)の間に配置されている。すなわち、本実施形態においては、隣接するトラップ部材60の間の空間と接続するように複数の第2液体回収口41のそれぞれが配置されている。
本実施形態において、トラップ部材60は、可撓性部材である。本実施形態においては、トラップ部材60は、合成樹脂、ゴム等、柔らかく可撓性を有する材料で形成されている。また、トラップ部材60の表面は、親液性(親水性)を有していることが望ましい。例えば、トラップ部材60の基材として、PTFE(ポリテトラフロエラエチレン)等の柔らかいフッ素系樹脂材料を用いる場合には、その基材に対して無電界メッキ処理を施すことにより、その基材の表面に親液性を付与することができる。もちろん、PTFEに限られず、可撓性を有する任意の材料によってトラップ部材60を形成可能であり、そのトラップ部材60の表面に親液性を付与する表面処理を適宜施すことができる。また、トラップ部材60の表面は、必ずしも親液性(親水性)を有していなくてもよい。
第1支持機構80に支持されたトラップ部材60は、基板Pの表面と対向するように配置されている。トラップ部材60は、第1液体回収口22で回収しきれずに、基板Pの表面に存在する液体LQの薄膜、滴などをトラップする(捕集する)ことができる。
液体回収部材40の第2液体回収口41は、トラップ部材60の近傍に配置されており、トラップ部材60でトラップされた液体LQを回収する。本実施形態においては、第2液体回収口41は、液体回収部材40の内側面40Tの下端に形成されている。第2液体回収口41は、液体回収部材40の内部に形成された第2回収流路42を介して、第2液体回収装置43に接続されている。第2液体回収装置43は、真空系等を含み、液体LQを回収可能である。第2液体回収装置43は、第2液体回収口41、及び第2回収流路42を介して、トラップ部材60でトラップされた液体LQを気体とともに回収可能である。第2液体回収装置43の動作は制御装置3に制御される。
第1支持機構80は、弾性体81を含み、トラップ部材60を、基板Pの表面に対して可動に支持する。第1支持機構80は、トラップ部材60をZ方向に揺動可能に柔らかく支持する。図6などに示すように、第1支持機構80の弾性体81は、気体が満たされる内部空間82を有している。本実施形態においては、弾性体81は、ベローズ状の部材を含む。第1支持機構80は、矩形の環状に形成された第1ベローズ部材81Aと、矩形の環状に形成され、第1ベローズ部材81Aを囲むように設けられた第2ベローズ部材81Bと、複数のトラップ部材60の上端のそれぞれと接続され、それら複数のトラップ部材60を支持する支持板部材83とを備えている。支持板部材83の下面には、複数のトラップ部材60が接続され、支持板部材83の上面には、第1、第2部ベローズ部材81A、81Aが接続されている。第1、第2ベローズ部材81A、81Bは、支持板部材83の上面と対向する液体回収部材40の支持面44と、支持板部材83とを接続するように設けられている。支持面44及び支持板部材83のそれぞれは、矩形の環状に形成されている。支持面44と、支持板部材83と、第1ベローズ部材81Aと、第2ベローズ部材81Bとで囲まれた内部空間82に気体が満たされる。
本実施形態においては、第1支持機構80は、支持板部材83に接続された複数のトラップ部材60をZ軸、θX、及びθY方向に関して可動に支持する。また、第1支持機構80は、支持板部材83に接続された複数のトラップ部材60をX軸、Y軸、及びθZ方向にはほとんど動かないように支持する。
また、図6等に示すように、露光装置EXは、第1支持機構80の弾性体81の内部空間82の気体の圧力を調整する調整装置88を備えている。調整装置88は、内部空間82の気体を排気可能な排気口84と、排気口84に接続された排気流路85と、排気流路85の途中に設けられたバルブ機構86と、バルブ機構86を介して排気流路85に接続可能に設けられ、気体を吸引可能な真空系を含む吸引装置87とを備えている。また、バルブ機構86を制御することにより、排気口84と外部空間(大気空間を含む)とが排気流路85を介して流体的に接続可能である。すなわち、バルブ機構86は、排気口84及び排気流路85に対する吸引装置87と外部空間との接続を切り換え可能である。吸引装置87及びバルブ機構86を含む調整装置88の動作は制御装置3に制御される。
制御装置3は、調整装置88を制御して、弾性体81の内部空間82の気体の圧力を調整可能である。その内部空間82の気体の圧力を調整することによって、トラップ部材60と基板Pの表面との距離D2を調整可能である。制御装置3は、調整装置88を用いて、トラップ部材60を、基板Pの表面に対して近づく方向(−Z方向)及び離れる方向(+Z方向)に移動可能であり、距離D2を調整可能である。例えば、制御装置3は、バルブ機構86を制御して、排気口84と吸引装置87とを接続し、吸引装置87を駆動して内部空間82の気体を吸引し、内部空間82を負圧にすることによって、弾性体81をZ軸方向に縮ませることができる。弾性体81がZ軸方向に縮むことにより、その弾性体81に支持板部材83を介して接続されているトラップ部材60が+Z方向に移動して、トラップ部材60と基板Pの表面との距離を大きくすることができる。また、制御装置3がバルブ機構86を制御して、排気口84と外部空間(大気空間を含む)とを流体的に接続して、内部空間82を大気開放することによって(内部空間82をほぼ大気圧にすることによって)、その弾性体81に支持板部材83を介して接続されているトラップ部材60のZ軸方向の位置を、弾性体81の弾性力(付勢力)に応じた所定位置に設定することができる。すなわち、制御装置3は、バルブ機構86を制御して、内部空間82を大気開放することによって、トラップ部材60と基板Pの表面との距離を所定値に設定することができる。本実施形態においては、少なくとも液浸空間LSが形成されている状態においては、弾性体81の内部空間82が大気開放され、その状態において、トラップ部材60と基板Pとの距離D2が、ノズル部材20と基板Pとの距離D1よりも小さくなるように設定されている。
また、図6に示すように、ノズル部材20の外側面20Sと、トラップ部材60との間には、気体が流通可能な第2ギャップG2を有する空間が形成されている。
上述のように、本実施形態においては、少なくとも液浸空間LSが形成されている状態においては、弾性体81の内部空間82が大気開放され、トラップ部材60と基板Pとの距離D2が、ノズル部材20と基板Pとの距離D1よりも小さくなるように設定されている。具体的には、トラップ部材60の下端と基板Pの表面とのZ軸方向の距離D2が、ノズル部材20のランド面27と基板Pの表面とのZ軸方向の距離D1よりも小さくなるように設定されている。ノズル部材20のランド面27と基板Pの表面との距離D1は、ランド面27と基板Pの表面との間で液体LQを良好に保持できるように、例えば液体LQの物性(粘性など)、基板Pの表面条件(液体LQの接触角など)、及び基板Pの移動条件(移動速度など)などに応じて、最適値に設定される。トラップ部材60の下端と基板Pの表面とのZ軸方向の距離D2は、基板Pの表面に存在する液体LQの薄膜、滴などを良好にトラップできるように、且つ露光中において基板PがZ軸、θX、θY方向に移動(傾斜)したときにも、トラップ部材60と基板Pの表面とが接触しないように、最適値に設定されている。
また、本実施形態においては、少なくとも液浸空間LSが形成されている状態においては、トラップ部材60の下端と基板Pの表面との距離D2は、液体回収部材40の第2液体回収口41と基板Pの表面との距離D3よりも小さい。また、トラップ部材60の下端と基板Pの表面との距離D2は、液体回収部材40の下面40Bと基板Pの表面との距離D4よりも小さい。なお、本実施形態においては、第2液体回収口41は、液体回収部材40の内側面40Tの下端に形成されており、距離D3と距離D4とはほぼ等しい。
本実施形態においては、ノズル部材20のランド面27と基板Pの表面との距離D1は、例えば約1mmである。また、第2液体回収口41と基板Pの表面との距離D3(D4)も、約1mmである。また、トラップ部材60の下端と基板Pの表面との距離D2は、約0.3mmである。
このように、本実施形態においては、トラップ部材60の下端は、ノズル部材20のランド面27よりも基板Pの表面に近い位置に配置されているとともに、液体回収部材40の下面40Bよりも基板Pの表面に近い位置に配置されている。
また、図6及び図7に示すように、本実施形態の複数のトラップ部材60は、第2液体回収口41に向かう流体(気体及び液体LQの少なくとも一方)の流れをガイドするように配置されている。また、トラップ部材60は、第2液体回収口41に向かって流れる流体の流速を高めるように配置されている。
図7に示すように、板状部材であるトラップ部材60のそれぞれは、基板Pの表面に沿って複数並んでいる。隣接するトラップ部材60の間の空間における流体の流速を高めるためには、隣接するトラップ部材60の間隔をできる限り小さくしておくことが望ましい。本実施形態においては、トラップ部材60の厚みは、約0.5mmであり、トラップ部材60は、薄い板状部材である。また、トラップ部材60どうしの距離は、0.1〜0.2mm程度と十分に狭く、流体の流速を高めることができる。また、隣接するトラップ部材60の間隔を小さくすることによって、基板P上に存在する液体LQの薄膜、滴などが、毛管作用によって、隣接するトラップ部材60の間に引き込むことができる。そのため、基板P上に存在する液体LQの薄膜、滴などをより確実にトラップすることができる。
なお、図5において、トラップ部材60は、簡略化のために、数を少なくして図示されている。
次に、上述した構成を有する露光装置EXを用いてマスクMのパターンの像を基板Pに露光する方法について説明する。
露光光ELの光路空間Kを液体LQで満たし続けるために、制御装置3は、液体供給装置25及び第1液体回収装置26のそれぞれを駆動する。液体供給装置25から送出された液体LQは、ノズル部材20の供給流路23を流れた後、液体供給口21より、終端光学素子FLの下面と底板28の上面29との間の空間に供給される。終端光学素子FLの下面と底板28の上面29との間の空間に液体LQが供給されることにより、その空間に存在していた気体は、排出口32及び開口28K等を介して外部に排出される。
終端光学素子FLの下面と底板28の上面29との間の空間に供給された液体LQは、開口28Kを介してランド面27と基板P(基板ステージ2)との間の空間に流入し、光路空間Kを満たすように、ノズル部材20と基板Pとの間に液浸(液浸空間LS)を形成する。このとき、制御装置3は、第1液体回収装置26を用いて、単位時間当たり所定量の液体LQを回収している。ランド面27と基板Pとの間の空間の液体LQは、ノズル部材20の第1液体回収口22を介して第1回収流路24に流入し、その第1回収流路24を流れた後、第1液体回収装置26に回収される。
このように、制御装置3は、光路空間Kに対して、単位時間当たり所定量の液体LQを液体供給口21より供給するとともに単位時間当たり所定量の液体LQを第1液体回収口22より回収することで、投影光学系PLと基板Pとの間の露光光ELの光路空間Kを液体LQで満たすように、液浸空間LSを形成する。そして、制御装置3は、露光光ELの光路空間Kを液体LQで満たした状態で、投影光学系PLと基板Pとを相対的に移動しながらマスクMのパターンの像を投影光学系PL及び液浸空間LSの液体LQを介して基板P上に投影する。本実施形態の露光装置EXは、Y軸方向を走査方向とする走査型露光装置である。したがって、制御装置3は、基板ステージ2を制御して、基板Pを所定速度でY軸方向に移動しながら、基板Pの走査露光を実行する。
このような走査型露光装置において、例えば基板Pの移動速度(走査速度)の高速化に伴って、第1液体回収口22を介して液体LQを十分に回収することができず、液浸空間LSを形成していた液体LQの一部が、ノズル部材20と基板Pとの間の空間よりも外側へ漏出する可能性がある。すなわち、光路空間Kに対して第1液体回収口22よりも外側へ液体LQの一部が漏出する可能性がある。
例えば、図8Aの模式図に示すように、ノズル部材20の下面と基板Pの表面との間を液体LQで満たすように液浸空間LSを形成し、その液浸空間LSの液体LQに対して基板Pを走査方向(Y軸方向)に移動したとき、例えば、基板Pの移動距離及び移動速度の少なくとも一方が大きくなると、液体LQが流出する可能性がある。例えば、図8Aの模式図に示すような第1状態から、液浸空間LSの液体LQに対して基板Pを−Y方向に、比較的低速で短い距離移動した場合には、図8Bに示すように、基板P上の液体LQとノズル部材20とが接触したまま、液浸空間LSの液体LQとその外側の気体空間との界面(気液界面)LGが移動する第2状態を維持することができ、液体LQの流出は生じない。
一方、例えば、図8Aの模式図に示すような第1状態から、液浸空間LSの液体LQに対して基板Pが−Y方向に、高速、及び/又は長い距離を移動した場合には、図8Cの模式図に示すように、基板Pの移動中に、液浸空間LSの界面LG近傍において、基板P上の液体LQがノズル部材20の下面から離れ、基板P上に液体LQの膜(薄膜)を形成する可能性がある。液体LQの膜は、ノズル部材20の下面(第1液体回収口22の多孔部材34の下面35)に対して離れるため、第1液体回収口22から、薄膜状の液体LQを回収できない状況が生じる可能性がある。すなわち、基板P上に形成された液体LQの膜は第1液体回収口22に配置された多孔部材34に接触しないため、その薄膜状の液体LQを第1液体回収口22から回収できずに基板P上に残留する可能性がある。また、図8Dの模式図に示すように、基板P上に形成された液体LQの膜の一部が基板P上で分離し、基板P上に滴状の液体LQが残留する等の不都合が生じる可能性がある。基板P上に残留した液体LQは、露光不良(パターン欠陥)の原因となり、露光装置EXの生産性を低下させる原因となる可能性もある。
そこで、本実施形態においては、液体LQの残留等の不都合の発生を抑えるために、トラップ部材60を用いて、基板Pの表面に存在する液体LQ(液体LQの膜、滴などを含む)をトラップする。すなわち、ノズル部材20の下面と接触することのできない、基板P上の液体LQの薄膜、滴などをトラップ部材60でトラップする。
図9は、液浸空間LSが形成されている状態において、トラップ部材60が基板Pの表面に存在する液体LQをトラップしている状態を示す模式図である。制御装置3は、少なくとも液浸空間LSを形成している状態において、第2液体回収装置43を駆動して、第2液体回収口41を用いた回収動作(吸引動作)を実行する。また、制御装置3は、少なくとも液浸空間LSを形成している状態において、第1支持機構80の弾性体81の内部空間82をほぼ大気圧にして、トラップ部材60の下端と基板Pの表面との距離D2を、ノズル部材20のランド面27と基板Pの表面との距離D1よりも小さくする。第2液体回収装置43が駆動して、第2液体回収口41の回収動作(吸引動作)が実行されると、トラップ部材60によって、第2液体回収口41に向かう流体(気体及び液体LQの少なくとも一方)の流れが整えられ、第2液体回収口41に向かって流れる流体の流速が高められる。
図9の模式図に示すように、基板Pの−Y軸方向への移動に伴って、基板P上に液体LQの膜が形成される。第1液体回収口22によって、その薄膜状の液体LQを回収しきれない状況が生じても、基板P上に存在する薄膜状の液体LQは、光路空間Kに対して第1液体回収口22の外側(−Z側)に配置されているトラップ部材60でトラップされる。トラップ部材60は、ノズル部材20よりも基板Pに近い位置に配置されているので、第1液体回収口22で回収しきれずに基板P上に存在する液体LQをトラップすることができる。すなわち、トラップ部材60と基板Pの表面との距離D2は、ノズル部材20と基板Pの表面との距離D1よりも小さく、トラップ部材60は、第1液体回収口22で回収しきれなかった液体LQの膜と接触可能である。トラップ部材60で液体LQをトラップすることによって、第1液体回収口22で回収しきれなかった液体LQが、基板P上に液体LQが残留することが抑制される。
トラップ部材60でトラップされた液体LQは、そのトラップ部材60の近傍に配置された第2液体回収口41によって回収される。上述のように、トラップ部材60は、第2液体回収口41に向かう流体(気体及び液体LQの少なくとも一方)の流れをガイドするように配置されており、第2液体回収口41に向かって流れる流体の速度を高めるように配置されているので、トラップ部材60でトラップされた液体LQは、円滑に素早く第2液体回収口41に流入し、第2液体回収装置43によって回収される。したがって、基板P上及びトラップ部材60に液体LQが残留することが抑制される。
また、図10に示すように、基板P上に形成された液体LQの膜の一部が分離して滴状になり、第1液体回収口22から、その滴状の液体LQを回収しきれない状況が生じても、基板P上に存在する液体LQの滴は、光路空間Kに対して第1液体回収口22の外側(−Y側)に配置されているトラップ部材60でトラップされる。上述したように、トラップ部材60は、ノズル部材20よりも基板Pに近い位置に配置されているので、基板P上に存在する滴状の液体LQもトラップできる。トラップ部材60によってトラップされた液体LQは、第2液体回収口41によって素早く円滑に回収される。
ここでは、基板PをY軸方向に移動する場合を例にして説明したが、ステッピング移動など、液浸空間LSに対して基板PをX軸方向に移動する場合もある。また、液浸空間LSに対して、基板PをXY平面内においてY軸方向と傾斜する方向に移動する場合もある。本実施形態においては、複数のトラップ部材60は、露光光ELの光路空間Kを囲むように配置されているので、基板Pがいずれの方向に移動しても、第1液体回収口22で回収できない基板P上の液体LQの薄膜、滴などトラップ部材60でトラップすることができる。そのため、基板P上に液体LQが残留することを抑制することができる。また、第2液体回収口41も、露光光ELの光路空間Kを囲むように配置されているので、トラップ部材60でトラップされた液体LQを良好に回収することができ、トラップ部材60でトラップした液体LQが基板P上に落下することも防止できる。
以上説明したように、ノズル部材20よりも基板Pの表面に近い位置にトラップ部材60を配置したので、基板P上で薄膜状の液体LQ、滴状の液体LQが存在しても、その液体LQをトラップ部材60でトラップすることができる。したがって、基板P上に液体LQが残留することを防止することができ、基板P上に形成されるパターンの欠陥の発生を抑制することができる。
また、本実施形態においては、基板P上に液体LQが残留することを抑制することができるので、液体LQの気化によって基板P上に液体の付着跡(所謂、ウォーターマーク)が形成されるのを抑制することができる。また、液体LQが残留したり、漏出したり、飛散したりすることに起因する周辺機器及び周辺部材への影響を抑えることができる。
また、上述したように、トラップ部材60の下端と基板Pの表面とのZ軸方向の距離D2は、基板Pの表面に存在する液体LQを良好にトラップできるように、且つ露光中において、例えば投影光学系PLの像面に対して基板Pの表面(露光面)を所望の位置関係にするために、基板PをZ軸、θX、θY方向に移動(傾斜)したときにも、トラップ部材60と基板Pの表面とが接触しないように、最適値に設定されている。また、基板Pの移動の制御エラーなどに起因して、トラップ部材60と基板Pの表面とが接触しても、トラップ部材60は、弾性体81を含む第1支持機構80によって揺動可能に支持されているとともに、可撓性を有する柔らかい材料で形成されているので、基板P及び基板Pを保持する基板ステージ2に与えるダメージを最小限に抑えることができる。
また、上述したように、本実施形態においては、第1支持機構80は、弾性体81の内部空間82の気体の圧力を調整することによって、トラップ部材60と基板Pの表面との距離D2を調整することができる。例えば、制御装置3は、吸引装置87を駆動して、弾性体81の内部空間82の圧力を調整して、弾性体81のZ軸方向の縮み量を調整することによって、ノズル部材20のランド面27とトラップ部材60の下端とを所望の位置関係にすることができる。
また、図11の模式図に示すように、制御装置3は、例えば液浸空間LSが形成されていない状態において、吸引装置87を駆動して、弾性体81の内部空間82を負圧にする。これにより、トラップ部材60の下端と基板Pの表面との距離D2が、ノズル部材20のランド面27と基板Pの表面との距離D1よりも大きくなるように、トラップ部材60の位置を調整することができる。すなわち、吸引装置87を駆動して、弾性体81を縮ませることによって、トラップ部材60の下端をノズル部材20のランド面27よりも上方(+Z側)に配置することができる。例えば、露光装置EXの初期化動作時、露光装置EXのメンテナンス作業時等において、トラップ部材60をノズル部材20よりも上方に退避させたい場合、吸引装置87を駆動して、弾性体81の内部空間82を負圧にして、トラップ部材60を所望の位置に配置することができる。例えば、初期化動作時もしくはメンテナンス作業時等において、アクチュエータ及びダンパ機構を含む防振装置10を駆動して、基板ステージ2及び第2定盤8をZ軸方向に移動する場合がある。そのような場合、吸引装置87を駆動して、弾性体81の内部空間82を負圧にして、トラップ部材60を上昇させることによって、基板ステージ2とトラップ部材60とが接触することを抑制できる。
また、例えば、特開平10−92722号公報、特開平11−260706号公報、及び特開2001−338868号公報等に開示されているような、基板ステージ2に着脱可能に設けられ、露光光ELの照射状態を計測可能な計測器を基板ステージ2に装着する場合において、例えば基板ステージ2に装着された計測器の上面が基板ステージ2の上面2Fよりも+Z側に配置されると、その計測器とトラップ部材60とが接触する可能性がある。このように、基板Pと厚さが異なる部材を、基板Pの代わりに基板ステージ2に装着する場合にも、吸引装置87を駆動して、弾性体81の内部空間82を負圧にして、トラップ部材60を上昇させることによって、その部材(計測器など)とトラップ部材60とが接触することを抑制できる。
<第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図12は、第2実施形態に係る露光装置EXの一部を示す拡大図である。第2実施形態は、第1実施形態の変形例であって、第1支持機構80は、弾性体として、ばね部材(コイルばね部材)81’を有している。第1支持機構80は、コイルばね部材81’を用いて、トラップ部材60を揺動可能に支持する。本実施形態の第1支持機構80は、上述の第1実施形態のような、内部空間82を有する弾性体81及び調整装置88等を備えていない。これにより、第1支持機構80は、簡易な構成で、トラップ部材60を揺動可能に支持することができる。
なお、図12に示す例では、第1支持機構80はコイルばね部材81’を有しているが、板ばね部材等、他の弾性体を有していてもよい。また、第1支持機構80は、ベローズ部材及びばね部材等の弾性体に限られず、例えばヒンジ機構、ゴム等の可撓性を有する可撓性部材等を有していてもよい。
<第3実施形態>
次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。本実施形態の特徴的な部分は、第1支持機構80が、トラップ部材60を移動する駆動装置を含む点にある。
図13は、第3実施形態に係る露光装置EXの一部を示す拡大図である。図13において、第1支持機構80は、トラップ部材60を移動する駆動装置50と、トラップ部材60と基板Pとの位置関係を検出する検出装置51とを備えている。本実施形態においても、第1支持機構80は、保持機構70に保持されたノズル部材20から機械的に分離して、トラップ部材60を支持する。
駆動装置50は、例えばローレンツ力で駆動するボイスコイルモータ及びリニアモータ等を含み、トラップ部材60を、少なくともZ軸、θX、及びθY方向に駆動可能である。ローレンツ力で駆動するボイスコイルモータ等はコイルユニットとマグネットユニットとを有し、それらコイルユニットとマグネットユニットとは非接触状態で駆動する。これにより、トラップ部材60を駆動する駆動装置50による振動の発生が抑制されている。
上述の実施形態と同様、複数のトラップ部材60は、支持板部材83に接続されており、駆動装置50は、液体回収部材40の支持面44と支持板部材83とを接続するように設けられている。制御装置3は、駆動装置50を駆動することによって、液体回収部材40の支持面44に対して、支持板部材83に接続された複数のトラップ部材60を、少なくともZ軸、θX、及びθY方向に移動可能である。
検出装置51は、液体回収部材40の支持面44とトラップ部材60を支持する支持板部材83との位置関係を検出する第1検出装置51Aと、液体回収部材40の支持面44と基板ステージ2に保持されている基板Pとの位置関係を検出する第2検出装置51Bとを備えている。第1検出装置51Aは、例えば支持面44に設けられたレーザ干渉計等を含み、支持板部材83の上面に設けられた反射面を用いて、支持面44に対する支持板部材83(ひいてはトラップ部材60)の位置を光学的に検出する。第2検出装置51Bも、支持面44に対する基板Pの位置を光学的に検出する。
第1検出装置51Aは、支持板部材83の上面の複数の所定位置のそれぞれに設けられた反射面のそれぞれに検出光を照射し、トラップ部材60を支持する支持板部材83のZ軸、θX、及びθY方向に関する位置を検出可能である。ここで、支持板部材83の上面(反射面)とトラップ部材60の下端との位置関係は、設計値等によって既知であるため、第1検出装置51Aは、支持板部材83の上面の反射面を用いて、トラップ部材60の下端のZ軸、θX、及びθY方向に関する位置を検出可能である。また、第2検出装置51Bは、基板Pの表面の複数の所定位置のそれぞれに検出光を照射し、基板ステージ2に保持された基板Pの表面のZ軸、θX、及びθY方向に関する位置を検出可能である。第1、第2検出装置51A、51Bを含む検出装置51の検出結果は制御装置3に出力される。制御装置3は、検出装置51の検出結果に基づいて、トラップ部材60の下端と基板Pの表面とのZ軸、θX、及びθY方向に関する位置関係、すなわちトラップ部材60の下端と基板Pの表面との距離D2を求めることができる。なお、検出装置51としては、レーザ干渉計に限られず、例えば静電容量センサ、エンコーダ等、他の構成を有する検出装置を用いることも可能である。
制御装置3は、少なくとも液浸空間LSが形成されている間、検出装置51の検出結果に基づいて、トラップ部材60と基板Pとの距離D2が、ノズル部材20と基板Pとの距離D1よりも小さい状態を維持しつつ、トラップ部材60と基板Pとが接触しないように、駆動装置50を制御する。基板Pの走査露光中など、基板Pの位置及び姿勢(傾き)が変化する場合においても、制御装置3は、検出装置51の検出結果に基づいて、基板Pの表面とトラップ部材60の下端との距離D2をほぼ一定に維持するように、駆動装置50を駆動する。これにより、基板Pとトラップ部材60とが接触することを抑制しつつ、トラップ部材60で液体LQをトラップすることができ、液体LQの漏出を抑制することができる。
また、制御装置3は、駆動装置50を駆動して、トラップ部材60を上方に退避させることができる。例えば、制御装置3は、駆動装置50を駆動して、トラップ部材60の下端と基板Pの表面との距離D2が、ノズル部材20のランド面27と基板Pの表面との距離D1よりも大きくなるように、トラップ部材60の位置を調整することができる。
なお、本実施形態においては、基板Pの表面とトラップ部材60の下端との距離D2をほぼ一定に維持するように、すなわち、基板Pの位置及び姿勢の変化に追従するように、駆動装置50を用いてトラップ部材60を移動しているが、例えば、基板Pの位置及び姿勢の変化によって、基板Pの表面とトラップ部材60の下端との距離D2が所定値以下になったときに、トラップ部材60と基板Pとが接触しないように、駆動装置50を用いてトラップ部材60を移動するようにしてもよい。
<第4実施形態>
次に、第4実施形態について説明する。図14は、第4実施形態に係る露光装置EXの一部を示す拡大図である。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。また、本実施形態においては、トラップ部材が設けられていない。
図14において、露光装置EXは、基板Pの表面と対向するように配置された第1液体回収口22を有し、基板Pの表面との間に液浸空間LSを形成するノズル部材20と、基板Pの表面に存在する液体LQを回収するための第2液体回収口141とを備えている。また、本実施形態に係る露光装置EXは、露光光ELの光路空間Kに対して第2液体回収口141の外側に配置され、基板Pの表面に向かって気体を吹き出す気体吹出口45を備えている。本実施形態においては、少なくとも液浸空間LSが形成されている状態においては、第2液体回収口141と基板Pの表面との距離D3は、ノズル部材20と基板Pとの距離D1よりも小さい。
本実施形態においては、第2液体回収口141は、液体回収部材140に設けられ、気体吹出口55も、液体回収部材40に設けられている。第2液体回収口141は、液体回収部材140の内側面140Tの下端に形成されている。気体吹出口45は、基板Pの表面と対向する液体回収部材140の下面140Bに形成されている。液体回収部材140の下面140BはXY平面とほぼ平行である。本実施形態においては、液体回収部材140の下面140Bと基板Pの表面との距離D4は、第2液体回収口141と基板Pの表面との距離D3よりも小さい。なお、第2液体回収口141は、ノズル部材20を取り囲むように連続的に一つ配置してもよいし、ノズル部材20を取り囲むように、離散的に複数配置してもよい。
露光装置EXは、液体回収部材140を、基板Pの表面に対して可動に支持する支持機構80’を備えている。支持機構80’は、弾性体81’を含む。弾性体81’は、ベローズ状の部材を含む。支持機構80’は、矩形の環状に形成された第1ベローズ部材81Gと、矩形の環状に形成され、第1ベローズ部材81Gを囲むように設けられた第2ベローズ部材81Hと、矩形の環状に形成され、第2ベローズ部材81Hを囲むように設けられた第3ベローズ部材81Cと、矩形の環状に形成され、第3ベローズ部材81Cを囲むように設けられた第4ベローズ部材81Dと、矩形の環状に形成され、第4ベローズ部材81Dを囲むように設けられた第5ベローズ部材81Eと、矩形の環状に形成され、第5ベローズ部材81Eを囲むように設けられた第6ベローズ部材81Fとを備えている。また、支持機構80’は、第1〜第6ベローズ部材81C〜81Hを介して液体回収部材140を支持する支持構造体89を有している。支持構造体89は、第1コラムCL1の鏡筒定盤7に接続されている。支持構造体89とノズル部材20とは離れている。
第1〜第6ベローズ部材81C〜81Hは、液体回収部材140の上面140Aと、その液体回収部材140の上面140Aと対向する支持構造体89の支持面89Bとを接続するように設けられている。液体回収部材140の上面140A及び支持構造体89の支持面89Bのそれぞれは、矩形の環状に形成されている。そして、第1ベローズ部材81Gと第2ベローズ部材81Hとの間には第1内部空間82Aが形成され、第3ベローズ部材81Cと第4ベローズ部材81Dとの間には第2内部空間82Bが形成され、第5ベローズ部材81Eと第6ベローズ部材81Fとの間には第3内部空間82Cが形成されている。第1〜第6ベローズ部材81C〜81H及び支持構造体89を含む支持機構80’は、保持機構70に保持されたノノズル部材20から機械的に分離して、液体回収部材140を支持する。
液体回収部材140の第2液体回収口141は、液体回収部材140の内部に形成された第2回収流路142、第1内部空間82A、及び支持構造体89に形成された回収流路46を介して、第2液体回収装置43に接続されている。第2液体回収装置43は、第2液体回収口141、第2回収流路142、第1内部空間82A、及び回収流路46を介して、液体LQを回収可能である。
液体回収部材140の気体吹出口45は、液体回収部材140の内部に形成された気体供給流路47、第2内部空間82B、及び支持構造体89に形成された気体供給流路48を介して、気体供給装置49に接続されている。気体供給装置49は、清浄で温度調整された気体を、気体吹出口45に供給可能である。気体供給装置49は、露光装置EXが収容されたチャンバ内の気体とほぼ同じ気体(例えばドライエア)を供給する。気体供給装置49の動作は制御装置3に制御される。制御装置3は、気体供給装置49から気体を送出し、気体吹出口45より、基板Pの表面に向かって気体を吹き出す。液体回収部材140の下面40Bに設けられた気体吹出口45から気体を吹き出すことによって、液体回収部材140の下面140Bと基板Pの表面との間にガスベアリングが形成される。
また、露光装置EXは、支持機構80’の第3内部空間82Cの気体の圧力を調整する調整装置88を備えている。上述の実施形態と同様、調整装置88’は、第3内部空間82Cの気体を吸引可能な排気口84’と、排気口84’に接続された排気流路85’と、排気流路85’の途中に設けられたバルブ機構86’と、バルブ機構86’を介して排気流路85’に接続可能に設けられ、気体を吸引可能な真空系を含む吸引装置87’とを備えている。また、バルブ機構86’を制御することにより、排気口84’と外部空間(大気空間)とが排気流路85’を介して流体的に接続可能である。制御装置3は、バルブ機構86’を駆動して、弾性体81’の第3内部空間82Cの気体の圧力を調整可能である。その第3内部空間82Cの気体の圧力を調整することによって、液体回収部材140と基板Pの表面との距離D4を調整可能である。また、制御装置3は、バルブ機構86’を制御して、排気口84’と外部空間(大気空間)とを流体的に接続して、第3内部空間82Cを大気開放することができる。
弾性体81’を含む支持機構80’は、液体回収部材140をZ軸、θX、及びθY方向に関して揺動可能(移動可能)に支持する。また、支持機構80’は、液体回収部材140をX軸、Y軸、及びθZ方向には動かさないように支持する。支持機構80’によって揺動可能に支持されている液体回収部材140は、液体回収部材140の下面140Bと基板Pの表面との間にガスベアリングが形成されることによって、基板Pと接触することなく、液体回収部材140の下面140Bと基板Pの表面との間の距離D4のギャップを維持しつつ、基板Pの動き(位置及び姿勢)に追従することができる。したがって、基板PがZ軸、θX、及びθY方向に移動した場合でも、液体回収部材140は、その下面140Bと基板Pの表面との距離D4をほぼ一定に維持することができる。すなわち、基板Pの表面に対して非接触支持された液体回収部材140は、液体回収部材140を揺動可能に支持する支持機構80’の作用(弾性体81’の弾性作用)と、ガスベアリングの作用(液体回収部材140の下面140Bと基板Pの表面との間に形成された気体の層の作用)とによって、基板PがZ軸、θX、及びθY方向に移動した場合でも、基板Pと液体回収部材140との接触を抑制しつつ、微小な距離D4のギャップを維持することができる。
また、支持機構80’は、ノズル部材20と液体回収部材140とを離した状態で支持している。そのため、支持機構80’に支持されている液体回収部材140が揺動しても、ノズル部材20と液体回収部材140とは衝突しない。
本実施形態においては、少なくとも液浸空間LSが形成されている状態においては、液体回収部材140に設けられた第2液体回収口141と基板Pの表面との距離D3が、ノズル部材20と基板Pの表面との距離D1よりも小さい。そのため、ノズル部材20の第1液体回収口22で回収しきれずに基板P上に存在する液体LQ(液体LQの膜、滴を含む)を、第2液体回収口141で円滑に回収することができる。
また、気体吹出口45は、基板Pの表面と対向する位置に設けられており、基板Pの表面に向かって気体を吹き出す。気体吹出口45から吹き出された気体によって、液体回収部材140の下面140Bと基板Pの表面との間には、高い圧力を有する気体の層(膜)が形成される。そのため、その高い圧力を有する気体の層によって、液体LQの流出を防止することができる。また、液体回収部材140の下面140Bと基板Pの表面との間の距離D4は微小である。そのため、たとえ基板P上に液体LQの薄膜、滴などが形成されても、その液体LQが光路空間Kに対して液体回収部材40よりも外側に漏出することを抑制できる。
また、気体吹出口45から吹き出された気体の一部は、基板Pに吹き付けられた後、基板Pの表面に沿うように、光路空間Kに向かう気流を生成する。光路空間Kに向かう気流が生成されることにより、その気体の力によって、基板P上に形成されている液体LQの薄膜及び/又は滴を第2液体回収口141に近づけることができ、基板P上に形成されている薄膜状、及び/又は滴状の液体LQをより円滑に回収することができる。このように、基板Pの表面に近い位置に設けられた第2液体回収口141と、気体吹出口45から吹き出された気体とによって、液体LQが基板P状に残留ことを防止することができる。
また、図15の模式図に示すように、制御装置3は、吸引装置87’を用いて、支持機構80’の第3内部空間82Cの圧力を調整することによって、液体回収部材140の位置を調整することができる。吸引装置87’を駆動して、弾性体81’の第3内部空間82Cの圧力を調整して、弾性体81’のZ軸方向の縮み量を調整することによって、液体回収部材140のZ方向の位置を調整することができる。したがって、例えば、露光装置EXの初期化動作時、露光装置EXのメンテナンス作業時等において、液体回収部材140の下面をノズル部材20の下面よりも上方に退避させたい場合、吸引装置87’を駆動して、弾性体81’の第3内部空間82Cを負圧にすることによって、基板Pの表面と液体回収部材140の下面140Bとの距離D4が、基板Pの表面とノズル部材20のランド面27よりも大きくなるように、液体回収部材140の位置を調整することができる。
また、例えば、液体回収部材140の下面140Bと対向する位置に基板Pが無い状態であっても、制御装置3は、吸引装置87’を用いて、弾性体81’の第3内部空間82Cを負圧にする。これにより、液体回収部材140の下面140Bが、ノズル部材20のランド面27よりも上方に配置されるように、液体回収部材140の位置を調整することができる。例えば、基板Pの液浸露光が終了した後、基板ステージ2上の基板Pをアンロードするために、基板Pを保持した基板ステージ2を基板交換位置に移動した場合、液体回収部材140の下面140Bとの間でガスベアリングを形成するための基板P(あるいは基板ステージ2などの物体)が、液体回収部材140の下面140Bと対向しない位置に移動される可能性がある。液体回収部材140の下面140Bと対向する位置に基板Pが無いと、液体回収部材140が下降し(垂れ下がり)、周辺機器及び周辺部材と衝突してしまう不都合が生じる可能性がある。本実施形態においては、制御装置3は、吸引装置87’を用いて、弾性体81’の第3内部空間82Cを負圧にすることによって、液体回収部材140の下面140BのZ軸方向の位置を調整することができる。そのため、液体回収部材140が基板Pなどの物体と対向していない状態であっても、液体回収部材140が下降する(垂れ下がる)ことを抑制できる。もちろん、液体回収部材140の下面140Bと対向する位置に基板Pが有る状態であっても、吸引装置87’を用いて、弾性体81’の第3内部空間82Cを調整することによって、液体回収部材140の下面140BのZ軸方向に関する位置を調整することができる。
なお、本実施形態において、気体吹出口45は、液体回収部材140を取り囲むように、連続的に設けられている必要はなく、液体回収部材140を取り囲むように、離散的に配置されていてもよい。
<第5実施形態>
次に、第5実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の主要構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。第5実施形態は、上述の第4実施形態の変形例であって、第5実施形態の特徴的な部分は、液体回収部材140の第2液体回収口141の近傍に、トラップ部材160を配置した点にある。
図16は、第5実施形態に係る露光装置EXの一部を示す拡大図である。図16において、トラップ部材160は、液体回収部材140に支持されている。トラップ部材60を支持する液体回収部材140は、上述の第4実施形態と同様、基板P上に存在する液体LQを回収する第2液体回収口141と、基板Pの表面と対向する下面140Bに設けられた気体吹出口45とを有している。トラップ部材160の下端と基板Pの表面との距離D2は、第2液体回収口141と基板Pの表面との距離D3よりも小さい。トラップ部材160は、第2液体回収口141の近傍に配置されており、トラップ部材160でトラップされた液体LQは、第2液体回収口141で回収される。
気体吹出口45は、露光光ELの光路空間Kに対して、第2液体回収口141及びその近傍に配置されたトラップ部材160の外側に設けられている。本実施形態においても、気体吹出口45は、基板Pの表面に向かって気体を吹き出す。また、気体吹出口45から気体を吹き出すことによって、基板Pの表面と、トラップ部材160を支持する液体回収部材140の下面140Bとの間にガスベアリングが形成される。
以上説明したように、第2液体回収口141と気体吹出口45とを備えた液体回収部材140でトラップ部材160を支持することができ、より一層、液体LQの漏出を抑制することができる。
また、気体吹出口45から吹き出された気体によって、基板P上の薄膜状、及び/又は滴状の液体LQをトラップ部材160に近づけ、その液体LQをトラップ部材160に接触させることができる。これにより、トラップ部材160は、液体LQを良好にトラップできる。
<第6実施形態>
次に、第6実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の主要構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。第6実施形態は、上述の第1実施形態の変形例であって、第6実施形態の特徴的な部分は、基板Pの表面に向かって気体を吹き出す気体吹出口が、第2液体回収口41が設けられた液体回収部材40とは別の部材に設けられている点にある。
図17は、第6実施形態に係る露光装置EXの一部を示す拡大図である。図17において、露光装置EXは、上述の実施形態と同様、第2液体回収口41を有する液体回収部材40と、液体回収部材40に第1支持機構80を介して支持されたトラップ部材60とを有している。本実施形態の液体回収部材40、第1支持機構80、及びトラップ部材60等は、上述の第1実施形態と同様である。
露光装置EXは、露光光ELの光路空間Kに対してトラップ部材60の外側に設けられ、基板Pの表面に向かって気体を吹き出す気体吹出口45’を有している。本実施形態においては、気体吹出口45’は、液体回収部材40とは別の気体用ノズル部材52に設けられている。ノズル部材52の気体吹出口45’は、露光光ELの光路空間Kに対してトラップ部材60及び第2液体回収口41の外側に設けられている。ノズル部材52は環状部材であって、基板P(基板ステージ2)の上方において、液体回収部材40を囲むように設けられている。
ノズル部材52は、基板Pの表面に対して傾斜した突起部を有しており、気体吹出口45’は、その突起部のほぼ先端に設けられている。ノズル部材52の突起部は、露光光ELの光路空間Kから外側に向かうにつれて基板Pとの距離が大きくなるように傾斜している。本実施形態においては、気体吹出口45’は、光路空間K、及び第2液体回収口41を囲むように環状に形成され、所定のスリット幅を有するスリット状に形成されている。気体吹出口45’は、基板ステージ2に保持された基板Pの上方において、その基板Pの表面と対向する位置に設けられている。気体吹出口45’と基板Pの表面との距離D5は、ランド面27と基板Pの表面との距離D1とほぼ同じ、または距離D1よりも小さい。
なお、気体吹出口45’は、第2液体回収部材40を取り囲むように、連続的に設けられている必要はなく、第2液体回収部材40を取り囲むように、離散的に配置されていてもよい。
気体吹出口45’には、気体供給装置49’から気体が供給される。気体吹出口45’は、光路空間Kに向けて基板Pに対して傾斜方向に気体を吹き出す。気体吹出口45’から吹き出された気体の一部は、基板Pに吹き付けられた後、基板Pの表面に沿うように、光路空間Kに向かう気流を生成する。光路空間Kに向かう気流が生成されることにより、その気体の力によって、基板P上の液体LQの薄膜、及び/又は滴をトラップ部材60に近づけ、その液体LQをトラップ部材60に接触させることができる。これにより、トラップ部材60は、液体LQを良好にトラップできる。また、液体回収部材40とは別のノズル部材52に気体吹出口45’を設けることで、例えばノズル部材52を移動可能な駆動装置を設けることにより、その駆動装置を用いて、ノズル部材52の気体吹出口45’と、光路空間K、ノズル部材20、トラップ部材60、及び液体回収部材40の少なくとも1つとの位置関係を調整することができる。
<第7実施形態>
次に、第7実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の主要構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図18は、第7実施形態に係る露光装置EXの一部を示す拡大図である。図18において、支持機構280’は、液体回収部材240を移動する駆動装置50’と、液体回収部材240と基板Pとの位置関係を検出する検出装置51’とを備えている。本実施形態においても、支持機構280’は、保持機構70に保持されたノズル部材20から機械的に分離して、液体回収部材240を支持する。
駆動装置50’は、例えばローレンツ力で駆動するボイスコイルモータ及びリニアモータ等を含み、液体回収部材240を、少なくともZ軸、θX、及びθY方向に駆動可能である。
駆動装置50’は、支持構造体289の支持面289Bと液体回収部材240の上面240Aとを接続するように設けられている。制御装置3は、駆動装置50’を駆動することによって、支持構造体289の支持面289Bに対して、液体回収部材240を、少なくともZ軸、θX、及びθY方向に移動可能である。
検出装置51’は、支持構造体289の支持面289Bと液体回収部材240との位置関係を検出する第1検出装置51A’と、支持構造体289の支持面289Bと基板ステージ2に保持されている基板Pとの位置関係を検出する第2検出装置51B’とを備えている。第1検出装置51A’は、例えば支持面289Bに設けられたレーザ干渉計等を含み、液体回収部材240の上面240Aに設けられた反射面を用いて、支持面289Bに対する液体回収部材240の位置を光学的に検出する。第2検出装置51B’も、支持面289Bに対する基板Pの位置を光学的に検出する。
第1検出装置51A’は、液体回収部材240の上面240Aの複数の所定位置のそれぞれに設けられた反射面のそれぞれに検出光を照射し、液体回収部材240のZ軸、θX、及びθY方向に関する位置を検出可能である。ここで、液体回収部材240の上面(反射面)240Aと液体回収部材240の下面240Bとの位置関係は、設計値等によって既知であるため、第1検出装置51A’は、液体回収部材240の上面240Aの反射面を用いて、液体回収部材240の下面240BのZ軸、θX、及びθY方向に関する位置を検出可能である。また、第2検出装置51B’は、基板Pの表面の複数の所定位置のそれぞれに検出光を照射し、基板ステージ2に保持された基板Pの表面のZ軸、θX、及びθY方向に関する位置を検出可能である。第1、第2検出装置51A’、51B’を含む検出装置51’の検出結果は制御装置3に出力される。制御装置3は、検出装置51’の検出結果に基づいて、液体回収部材240の下面240Bと基板Pの表面とのZ軸、θX、及びθY方向に関する位置関係、すなわち液体回収部材240の下面240Bと基板Pの表面との距離D4を求めることができる。なお、検出装置51’としては、レーザ干渉計に限られず、例えば静電容量センサ、エンコーダ等、他の構成を有する検出装置を用いることも可能である。
本実施形態においても、少なくとも液浸空間LSが形成されている状態においては、第2液体回収口241と基板Pの表面との距離D3が、ノズル部材20と基板Pとの距離D1よりも小さくなるように設定される。
制御装置3は、検出装置51’の検出結果に基づいて、第2液体回収口241と基板Pとの距離D3が、ノズル部材20と基板Pとの距離D1よりも小さい状態を維持しつつ、液体回収部材240と基板Pとが接触しないように、駆動装置50’を制御する。基板Pの走査露光中など、基板Pの位置及び姿勢(傾斜)が変化する場合においても、制御装置3は、検出装置51’の検出結果に基づいて、基板Pの表面と液体回収部材240の下面240Bとの距離D4をほぼ一定に維持するように、駆動装置50’を駆動する。これにより、基板Pと液体回収部材240とが接触することを抑制しつつ、第1液体回収口22で回収しきれずに基板P上に存在する薄膜状、及び/又は滴状の液体LQを、液体回収部材240に設けられた第2液体回収口241で回収することができ、基板P上に液体LQが残留することが防止される。なお、第2液体回収口241は、ノズル部材20を取り囲むように連続的に一つ配置してもよいし、ノズル部材20を取り囲むように、離散的に複数配置してもよい。
また、本実施形態においても、液体回収部材240の下面240Bには、基板Pに向けて気体を吹き出す気体吹出口245が設けられている。気体吹出口245から吹き出された気体によって、液体回収部材240の下面240Bと基板Pの表面との間には、高い圧力を有する気体の層(膜)が形成される。そのため、その高い圧力を有する気体の層によって、液体LQの流出を抑制することができる。
また、気体吹出口45から吹き出された気体の一部は、基板Pに吹き付けられた後、基板Pの表面に沿うように、光路空間Kに向かう気流を生成する。光路空間Kに向かう気流が生成されることにより、その気体の力によって、基板P上の液体LQを第2回収口241に近づけることができ、第1液体回収口22の外側に漏出した基板P上の液体LQもより確実に回収することができる。
また、制御装置3は、駆動装置50’を駆動して、液体回収部材240を上方に退避させることができる。例えば、制御装置3は、駆動装置50’を駆動して、液体回収部材240の下面240Bと基板Pの表面との距離D4が、ノズル部材20のランド面27と基板Pの表面との距離D1よりも大きくなるように、液体回収部材240の位置を調整することができる。
なお、本実施形態においては、液体回収部材240と基板Pの表面との間には、必ずしもガスベアリングが形成されなくてもよい。制御装置3は、検出装置51’の検出結果に基づいて、駆動装置50’を駆動することにより、液体回収部材240と基板Pとが接触しないように、微小な距離D4を維持して、第2液体回収口241を基板Pの表面に近づけることができる。また、本実施形態においては、気体吹出口245が省略されていてもよい。
なお、本実施形態においては、基板Pの表面と液体回収部材240の下面70Bとの距離D4がほぼ一定に維持されるように、すなわち、基板Pの位置及び姿勢の変化に追従するように、駆動装置50’を用いて液体回収部材240を移動している。しかしながら、例えば、基板Pの位置及び姿勢の変化によって、基板Pの表面と液体回収部材240の下面240Bとの距離D4が所定値以下になったときに、液体回収部材240と基板Pとが接触しないように、駆動装置50’を用いて液体回収部材240を移動するようにしてもよい。
また、本実施形態においては、液体回収部材240の下面240Bに第2液体回収口241を設けるようにしてもよい。液体回収部材240(240B)と基板Pの表面との距離D4が、第2液体回収口241と基板Pの表面との距離D3となり、基板P上の薄膜状、及び/又は滴状の液体LQを速やかに第2液体回収口241から回収することができる。
また、本実施形態においても、第2液体回収口241の近傍に、上述の実施形態と同様に、トラップ部材(60、160)を設けることができる。
また、本実施形態においても、上述の第6実施形態と同様、基板Pの表面に向かって気体を吹き出す気体吹出口を、第2液体回収口241が設けられた液体回収部材240とは別の部材に設けるようにしてもよい。
<第8実施形態>
次に、第8実施形態について説明する。本実施形態においては、ノズル部材20の変形例について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の主要構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。また第8実施形態においては、ノズル部材以外の構成は、第1実施形態と同様であるが、第2〜第7実施形態に第8実施形態のノズル部材を適用できることは言うまでもない。
図19は、第8実施形態に係るノズル部材120、トラップ部材60、及び液体回収部材40の近傍を下側から見た斜視図、図20は、YZ平面と平行な側断面図である。
図19及び図20に示すように、ノズル部材120において、第1液体回収口22は、露光光ELの光路空間Kに対してY軸方向(走査方向)に延在する第1延在領域EA1の外側に配置されている。本実施形態においては、第1液体回収口122は、Y軸方向に関して、第1延在領域EA1の両側に配置されている。第1延在領域EA1のX軸方向の大きさは、露光光ELの光路空間Kの断面形状のX軸方向の大きさ(投影領域ARのX軸方向の大きさ)とほぼ等しい。
上述の実施形態と同様、ノズル部材120は、基板Pの表面と対向するように、且つ露光光ELの光路空間Kを囲むように設けられ、基板Pの表面との間で液体LQを保持可能なランド面127を有している。ランド面127は、液体LQに対して親液性を有している。ランド面127は、基板ステージ2に保持された基板Pの表面(XY平面)とほぼ平行である。本実施形態においては、ランド面127の外形は、X軸方向を長手方向とする略矩形状である。ランド面127のX軸方向の大きさは、露光光ELの光路空間KのX軸方向の大きさよりも大きい。そして、第1液体回収口122は、ランド面127に対してY軸方向(走査方向)に延在する第2延在領域EA2の外側に配置されている。
第2延在領域EA2は、第1延在領域EA1を含み、第2延在領域EA2のX軸方向の大きさは、第1延在領域EA1のX軸方向の大きさよりも大きい。本実施形態においては、第1液体回収口122は、Y軸方向に関して、第1延在領域EA1を含む第2延在領域EA2の両側に配置されている。
また、ノズル部材120は、基板Pの表面と対向するように、且つランド面127に対してY軸方向両側のそれぞれに設けられた斜面127Sを有している。斜面127Sも、ランド面127と同様、液体LQに対して親液性(例えば、液体LQの接触角が40°以下)を有している。斜面127Sは、基板Pの表面との間で液体LQを保持可能である。斜面127Sは、基板Pの表面に対してランド面127よりも離れた位置に設けられている。具体的には、斜面127Sは、露光光ELの光路空間KからY軸方向に関して外側に向かうにつれて基板Pとの距離が大きくなるように傾斜している。また、ランド面127と斜面127Sとの間には段差がほぼ無い。斜面127SのX軸方向の大きさは、ランド面127のX軸方向の大きさとほぼ等しい。すなわち、第2延在領域EA2は、斜面127Sを含む。
すなわち、第1液体回収口122は、露光光ELの光路空間Kに対してX軸方向両側のそれぞれで、Y軸方向に延びるように互いに略平行に設けられている。
また、上述の実施形態と同様、第1液体回収口122には多孔部材134が配置されている。ランド面127の両側に配置された多孔部材134の下面135は、基板ステージ2に保持された基板Pの表面(XY平面)とほぼ平行であり、斜面127Sの両側に配置された多孔部材134の下面135は、露光光ELの光路空間KからY軸方向に関して外側に向かうにつれて基板Pとの距離が大きくなるように傾斜している。本実施形態においては、ランド面127の両側に配置された多孔部材134の下面135とランド面127とはほぼ面一である。斜面127Sの両側に配置された多孔部材134の下面135と斜面127Sともほぼ面一である。
本実施形態においては、ランド面127の外形が小さく、露光光ELの光路空間Kを十分に液体LQで満たせる範囲内で液浸空間LSを小さくすることができる。これにより、液体LQの漏出を抑制でき、露光装置EXのコンパクト化を図ることができる。また、液浸空間LSを形成した状態で基板PをY軸方向に移動した場合でも、基板P上で液体LQが薄膜になったり、滴になったりすることが抑制される。
また、第1液体回収口122は、露光光ELの光路空間Kに対してY軸方向に延在する延在領域EA1、EA2の外側に配置されている。そのため、例えば基板PがXY平面内においてY軸方向と傾斜する方向に移動したり、あるいはX軸方向に移動する場合でも、第1液体回収口122によって液体LQを良好に回収でき、液体LQが漏出したり、残留することを抑制することができる。また、液浸空間LSを形成した状態で基板PをY軸方向に移動した場合でも、第1液体回収口122は、露光光ELの光路空間Kに対してY軸方向に延在する延在領域EA1、EA2の外側に配置されているので、例えば液体LQが過剰に回収されることを抑制し、液浸空間LSを良好に形成しつつ、露光することができる。
また、本実施形態においては、液体LQと接触可能なノズル部材120の液体接触面(ランド面127、斜面127S、及び多孔部材134の下面135を含む)には段差がほぼ無いので、液体LQ中への気泡の混入、あるいは液体LQの漏出を抑制することができる。
なお、上述の第1〜第8実施形態において、複数のトラップ部材(60、160)が矩形の枠状に配置されているが、矩形に限らず、例えば八角形の枠状に複数のトラップ部材を配置してもよいし、円形の枠状に複数のトラップ部材を配置してもよい。複数の板状トラップ部材を円形の枠状に配置する場合には、すべての板状トラップ部材を、露光光ELの光路空間K(終端光学素子FLの光軸AX)に対して放射状に配置することができる。
また、トラップ部材(60,160)は、板状に限らず、他の形状であってもよい。例えば、トラップ部材が、棒状、あるいは糸状の部材であってもよい。
また、上述の第1〜第8実施形態においては、トラップ部材(60,160)、及び/又は第2液体回収口(41,141,241)を、ノズル部材20を取り囲むように配置しているが、これに限らず、例えばY軸方向に関して光路空間Kの両側など、基板P上で液体LQが薄膜、及び/又は滴になりやすい方向(位置)だけにトラップ部材及び/又は第2液体回収口を配置するようにしてもよい。 また、上述したように、上記の各実施形態においては、基板Pがノズル部材(20,120)と対向している状態で液浸空間LSを形成する場合について説明したが、ノズル部材が他の物体(例えば基板ステージ2の上面)と対向している場合にも、その物体上に液体LQが残留することが防止され、その物体の汚染などを防止することができる。
なお、上述の実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がFレーザである場合、このFレーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはFレーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル(PFPE)やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。また、液体LQとしては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLや基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油)を用いることも可能である。また、液体LQとしては、屈折率が1.6〜1.8程度のものを使用してもよい。更に、石英や蛍石よりも屈折率が高い(例えば1.6以上)材料で光学素子LS1を形成してもよい。
ここで、純水よりも屈折率が高い(例えば1.5以上)の液体LQとしては、例えば、屈折率が約1.50のイソプロパノール、屈折率が約1.61のグリセロール(グリセリン)といったC−H結合あるいはO−H結合を持つ所定液体、ヘキサン、ヘプタン、デカン等の所定液体(有機溶剤)、あるいは屈折率が約1.60のデカリン(Decalin: Decahydronaphthalene)などが挙げられる。また、液体LQは、これら液体のうち任意の2種類以上の液体を混合したものでもよいし、純水にこれら液体の少なくとも1つを添加(混合)したものでもよい。さらに、液体LQは、純水にH、Cs、K、Cl、SO 2−、PO 2−等の塩基又は酸を添加(混合)したものでもよいし、純水にAl酸化物等の微粒子を添加(混合)したものでもよい。なお、液体としては、光の吸収係数が小さく、温度依存性が少なく、投影光学系、及び/又は基板の表面に塗布されている感光材(又はトップコート膜あるいは反射防止膜など)に対して安定なものであることが好ましい。液体として、超臨界流体を用いることも可能である。また、基板には、液体から感光材や基材を保護するトップコート膜などを設けることができる。また、終端光学素子を、例えば石英(シリカ)、あるいは、フッ化カルシウム(蛍石)、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化リチウム、及びフッ化ナトリウム等のフッ化化合物の単結晶材料で形成してもよいし、石英や蛍石よりも屈折率が高い(例えば1.6以上)材料で形成してもよい。屈折率が1.6以上の材料としては、例えば、国際公開第2005/059617号パンフレットに開示されるサファイア、二酸化ゲルマニウム等、あるいは、国際公開第2005/059618号パンフレットに開示される塩化カリウム(屈折率は約1.75)等を用いることができる。
上記実施形態では、干渉計システムを用いて、マスクステージ及び基板ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば基板ステージの上面に設けられるスケール(回折格子)を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正(キャリブレーション)を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り替えて用いる、あるいはその両方を用いて、基板ステージの位置制御を行うようにしてもよい。
なお、上述の実施形態の投影光学系は、終端光学素子FLの像面側の光路空間Kを液体LQで満たしているが、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、終端光学素子FLの物体面側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。
また、上述の実施形態において、ノズル部材の構成は上述のものに限られず、例えば国際公開第2004/086468号パンフレット、国際公開第2005/024517号パンフレットに開示されているものを用いることもできる。
なお、上述の実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)、またはフィルム部材等が適用される。また、基板はその形状が円形に限られるものでなく、矩形など他の形状でもよい。
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。
また、露光装置EXとしては、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第1パターンの縮小像を投影光学系(例えば1/8縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系)を用いて基板P上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第2パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
また、本発明は、特開平10−163099号公報、特開平10−214783号公報、特表2000−505958号公報などに開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも適用できる。
更に、上記各実施形態の露光装置EXは、例えば特開平11−135400号公報(対応国際公開1999/23692)、及び特開2000−164504号公報(対応米国特許第6,897,963号)等に開示されているように、基板を保持する基板ステージとは独立に移動可能であるとともに、計測部材(例えば、基準マークが形成された基準部材、及び/又は各種の光電センサなど)を搭載した計測ステージとを備えていてもよい。露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。この計測ステージを備える露光装置では、例えば前述の空間像計測器を含む複数の計測部材を全て計測ステージに設けてもよいが、その複数の計測部材の少なくとも1つを基板ステージに設けてもよい。
他の実施形態において、可変のパターンを生成する電子マスク(可変成形マスク、アクティブマスク、あるいはパターンジェネレータとも呼ばれる)を用いることができる。電子マスクとして、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器:Spatial Light Modulator (SLM)とも呼ばれる)の一種であるDMD(Deformable Micro-mirror Device又はDigital Micro-mirror Device)を用い得る。DMDは、所定の電子データに基づいて駆動する複数の反射素子(微小ミラー)を有し、複数の反射素子は、DMDの表面に2次元マトリックス状に配列され、かつ素子単位で駆動されて露光光を反射、偏向する。各反射素子はその反射面の角度が調整される。DMDの動作は、制御装置により制御され得る。制御装置は、基板上に形成すべきパターンに応じた電子データ(パターン情報)に基づいてそれぞれのDMDの反射素子を駆動し、照明系により照射される露光光を反射素子でパターン化する。DMDを使用することにより、パターンが形成されたマスク(レチクル)を用いて露光する場合に比べて、パターンが変更されたときに、マスクの交換作業及びマスクステージにおけるマスクの位置合わせ操作が不要になる。なお、電子マスクを用いる露光装置では、マスクステージを設けず、基板ステージによって基板をX軸及びY軸方向に移動するだけでもよい。また、基板上でのパターンの像の相対位置を調整するため、例えばアクチュエータなどによって、パターンをそれぞれ生成する電子マスクの相対位置を調整してもよい。なお、DMDを用いた露光装置は、例えば特開平8−313842号公報、特開2004−304135号公報、米国特許第6,778,257号公報に開示されている。
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6,778,257号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いてもよい。
また、国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。
なお、法令で許容される限りにおいて、上記各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許などの開示を援用して本文の記載の一部とする。
上述の実施形態の露光装置EXは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図21に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述した実施形態の露光装置EXによりマスクのパターンを基板に露光する露光工程及び露光後の基板を現像する現像工程などを含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
3…制御装置、20…ノズル部材、22…第1液体回収口、27…ランド面、40…液体回収部材、40B…下面、41…第2液体回収口、45…気体吹出口、50…駆動装置、51…検出装置、60…トラップ部材、80…第1支持機構、80’…支持機構、81…弾性体、82…内部空間、90…第2支持機構、EA1…第1延在領域、EA2…第2延在領域、EL…露光光、EX…露光装置、K…光路空間、LQ…液体、LS…液浸空間、P…基板

Claims (26)

  1. 基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
    前記露光光を射出する光学部材を含む投影光学系と、
    記基板の表面と対向するように配置された第1液体回収口と、前記光学部材の側面とギャップを介して配置される内周面と、前記ギャップに液体を供給する液体供給口と、を有し、前記基板の表面との間に液浸空間が形成される第1部材と、
    前記露光光の光路空間に対して前記第1液体回収口の外側に設けられ、前記第1部材と相対的に移動可能であり、前記基板の表面に存在する液体をトラップする第2部材と、を備え、
    前記第2部材と前記基板との距離が、前記第1部材と前記基板との距離よりも小さく、
    前記第2部材が、毛管作用によって前記液体を引き込む露光装置。
  2. 前記第2部材の近傍に配置され、前記第2部材でトラップされた液体を回収する第2液体回収口をさらに備える請求項1記載の露光装置。
  3. 前記第2部材は、前記第1液体回収口で回収しきれずに前記基板上に存在する滴状の液体をトラップする請求項1又は2記載の露光装置。
  4. 前記第1部材は、前記基板の表面と対向するように、且つ前記露光光の光路空間を囲むように設けられた平坦部を有し、
    前記第1液体回収口は、前記露光光の光路空間に対して前記平坦部の外側に配置され、
    前記第2部材と前記基板との距離が、前記平坦部と前記基板との距離よりも小さい請求項1〜3のいずれか一項記載の露光装置。
  5. 前記基板を所定方向に移動しながら前記基板の走査露光が実行され、
    前記第1液体回収口は、前記露光光の光路空間に対して少なくとも前記所定方向に延在する延在領域の外側に配置されている請求項1〜4のいずれか一項記載の露光装置。
  6. 前記第1液体回収口は、前記所定方向に関して、前記延在領域の両側に配置されている請求項5記載の露光装置。
  7. 前記第2部材は、前記露光光の光路空間を囲むように配置されている請求項1〜6のいずれか一項記載の露光装置。
  8. 前記第2部材は、可撓性部材を含む請求項1〜7のいずれか一項記載の露光装置。
  9. 前記第2部材は、複数の板状部材を含む請求項1〜8のいずれか一項記載の露光装置。
  10. 前記複数の板状部材の少なくとも一部は、前記露光光の光路空間に対して放射状に配置されている請求項9記載の露光装置。
  11. 前記第2部材を、可動に支持する支持装置をさらに備えた請求項1〜10のいずれか一項記載の露光装置。
  12. 前記支持装置は、前記投影光学系の下方に配置された前記基板と前記第2部材との距離が、前記基板と前記第1部材との距離よりも小さくなるように、前記第2部材を配置可能であり、かつ前記第2部材を前記第1部材よりも上方に退避可能である請求項11記載の露光装置。
  13. 基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
    前記露光光を射出する光学部材を含む投影光学系と、
    記基板の表面と対向するように配置された第1液体回収口を有し、前記基板の表面との間に液浸空間が形成される第1部材と、
    前記露光光の光路空間に対して前記第1液体回収口の外側に設けられ、前記基板の表面に存在する液体をトラップする第2部材と、
    前記第2部材を可動に支持する支持装置と、を備え、
    前記支持装置は、前記投影光学系の下方に配置された前記基板と前記第2部材との距離が、前記基板と前記第1部材との距離よりも小さくなるように、前記第2部材を配置可能であり、かつ前記第2部材を前記第1部材よりも上方に退避可能である露光装置。
  14. メンテナンス作業時に、前記支持装置によって、前記第2部材を前記第1部材よりも上方に退避させる請求項13記載の露光装置。
  15. 前記支持装置は、弾性体を含む請求項11〜14のいずれか一項記載の露光装置。
  16. 前記弾性体は内部空間を有し、
    前記支持装置は、前記内部空間の気体の圧力を調整することによって、前記第2部材と前記基板の表面との距離を調整する請求項15記載の露光装置。
  17. 前記支持装置は、前記第1部材から機械的に分離して、前記第2部材を支持する請求項11〜16のいずれか一項記載の露光装置。
  18. 前記支持装置は、前記第2部材を移動する駆動装置を含む請求項11〜17のいずれか一項記載の露光装置。
  19. 前記第2部材と前記基板の表面との距離を検出する検出装置と、
    前記検出装置の検出結果に基づいて、前記駆動装置を制御する制御装置とをさらに備えた請求項18記載の露光装置。
  20. 前記第2部材でトラップされた液体を回収するための第2液体回収口をさらに備えた請求項1〜19のいずれか一項記載の露光装置。
  21. 前記露光光の光路空間に対して前記第2部材の外側に設けられ、前記基板の表面に向かって気体を吹き出し可能な気体吹出口をさらに備えた請求項1〜20のいずれか一項記載の露光装置。
  22. 前記第1部材は、前記露光光が通過する開口を有する請求項1〜21のいずれか一項記載の露光装置。
  23. 前記第1部材は、前記光学部材と前記開口との間の空間に前記液体を供給する液体供給口を有する請求項22記載の露光装置。
  24. 前記液体供給口から気体を吸引することによって前記光学部材の端面を乾燥する請求項23記載の露光装置。
  25. 前記液体供給口から気体を供給することによって前記光学部材の端面を乾燥する請求項23記載の露光装置。
  26. 請求項1〜請求項25のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070004182A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and system for inhibiting immersion lithography defect formation
JP2007096050A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Canon Inc 露光装置
US8144305B2 (en) 2006-05-18 2012-03-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7745102B2 (en) * 2006-05-26 2010-06-29 Massachusetts Institute Of Technology Immersion fluids for lithography
US8004651B2 (en) * 2007-01-23 2011-08-23 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
US8300207B2 (en) * 2007-05-17 2012-10-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, immersion system, exposing method, and device fabricating method
US20090122282A1 (en) * 2007-05-21 2009-05-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid immersion system, exposing method, and device fabricating method
KR101538246B1 (ko) * 2007-07-18 2015-07-20 가부시키가이샤 니콘 계측 방법, 스테이지 장치, 및 노광 장치
NL1036009A1 (nl) * 2007-10-05 2009-04-07 Asml Netherlands Bv An Immersion Lithography Apparatus.
US8233139B2 (en) * 2008-03-27 2012-07-31 Nikon Corporation Immersion system, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
JP5157637B2 (ja) * 2008-05-21 2013-03-06 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
NL2004362A (en) * 2009-04-10 2010-10-12 Asml Netherlands Bv A fluid handling device, an immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2005655A (en) * 2009-12-09 2011-06-14 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2006615A (en) 2010-05-11 2011-11-14 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US20120162619A1 (en) * 2010-12-27 2012-06-28 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, program, and storage medium
NL2008199A (en) 2011-02-28 2012-08-29 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2008979A (en) 2011-07-11 2013-01-14 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2008980A (en) 2011-07-11 2013-01-14 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
US9256137B2 (en) * 2011-08-25 2016-02-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method
US20130050666A1 (en) * 2011-08-26 2013-02-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method
NL2009271A (en) 2011-09-15 2013-03-18 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
US20130135594A1 (en) * 2011-11-25 2013-05-30 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium
NL2009692A (en) * 2011-12-07 2013-06-10 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
WO2013099959A1 (ja) * 2011-12-28 2013-07-04 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体
US9268231B2 (en) * 2012-04-10 2016-02-23 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium
US9823580B2 (en) 2012-07-20 2017-11-21 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium
US9568828B2 (en) 2012-10-12 2017-02-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium
US9494870B2 (en) 2012-10-12 2016-11-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium
US9720331B2 (en) * 2012-12-27 2017-08-01 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
US9651873B2 (en) 2012-12-27 2017-05-16 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
JP6119242B2 (ja) * 2012-12-27 2017-04-26 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
DE102015216528A1 (de) * 2015-08-28 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für EUV-Projektionsbelichtungsanlage, EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit Beleuchtungssystem und Verfahren zum Betreiben einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
NL2019453A (en) * 2016-09-12 2018-03-15 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure for lithographic apparatus
US12072636B2 (en) 2019-09-13 2024-08-27 Asml Netherlands B.V. Fluid handling system and lithographic apparatus

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH08313842A (ja) 1995-05-15 1996-11-29 Nikon Corp 照明光学系および該光学系を備えた露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH1092722A (ja) 1996-09-18 1998-04-10 Nikon Corp 露光装置
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
WO1998028665A1 (en) 1996-12-24 1998-07-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
US6020964A (en) 1997-12-02 2000-02-01 Asm Lithography B.V. Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
JP4264676B2 (ja) 1998-11-30 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US6897963B1 (en) 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
JP3968862B2 (ja) 1998-03-09 2007-08-29 株式会社ニコン 照度計、照度計測方法及び露光装置
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
JP2001338868A (ja) 2000-03-24 2001-12-07 Nikon Corp 照度計測装置及び露光装置
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
JP4362867B2 (ja) 2002-12-10 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
TW201908879A (zh) * 2003-02-26 2019-03-01 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
JP2004304135A (ja) 2003-04-01 2004-10-28 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法
KR101177330B1 (ko) * 2003-04-10 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치
SG141425A1 (en) * 2003-04-10 2008-04-28 Nikon Corp Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
KR101748923B1 (ko) 2003-09-03 2017-06-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
WO2005041276A1 (ja) * 2003-10-28 2005-05-06 Nikon Corporation 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
KR101200654B1 (ko) 2003-12-15 2012-11-12 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
EP2490248A3 (en) 2004-04-19 2018-01-03 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
CN1954408B (zh) 2004-06-04 2012-07-04 尼康股份有限公司 曝光装置、曝光方法及元件制造方法
US20070139628A1 (en) * 2004-06-10 2007-06-21 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4543767B2 (ja) 2004-06-10 2010-09-15 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP3067750B1 (en) * 2004-06-10 2019-01-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
KR20180072867A (ko) * 2004-06-10 2018-06-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG10201802153XA (en) * 2004-09-17 2018-05-30 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device
JP4745643B2 (ja) 2004-11-08 2011-08-10 昭和パックス株式会社 多層紙袋
JP2007142366A (ja) 2005-10-18 2007-06-07 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007115730A (ja) * 2005-10-18 2007-05-10 Canon Inc 露光装置
US8134685B2 (en) 2007-03-23 2012-03-13 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
US8300207B2 (en) 2007-05-17 2012-10-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, immersion system, exposing method, and device fabricating method
US20090122282A1 (en) 2007-05-21 2009-05-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid immersion system, exposing method, and device fabricating method
US8233139B2 (en) 2008-03-27 2012-07-31 Nikon Corporation Immersion system, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method

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