JP2010103532A - 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】例えば泡が生成され、及び／又は液浸空間内に侵入する可能性が低減される流体ハンドリングシステムを提供する。
【解決手段】特に流体ハンドリング構造の底面の開口のアレイの寸法と間隔とに関して、液浸液内の泡の形成を処理し、及び／又は防止する手段が講じられた流体ハンドリング構造及びリソグラフィ装置を開示する。
【選択図】図６

Description

[0001] 本発明は、流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置、及びデバイスを製造する方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] 例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体にリソグラフィ投影装置内の基板を浸漬させて投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填することが提案されている。液体は、望ましくは蒸留水であるが、他の液体も使用することができる。液体に関して本発明のある実施形態について説明する。しかし、流体、特に湿潤流体、非圧縮性流体、及び／又は空気より屈折率が大きい流体、望ましくは水より屈折率が大きい流体が適している。ガスを除く流体が特に望ましい。このポイントは、液体内の方が露光放射の波長が短いため、より小さいフィーチャの結像が可能であるということである。（液体の効果は、システムの開口数（ＮＡ）と焦点深度を増加させることである。）固体微粒子（例えば、石英）を内部に懸濁させた水、又はナノ微粒子（最大１０ｎｍの寸法の微粒子）の懸濁液を含む他の液浸液も提案されている。懸濁微粒子は、それを懸濁させる液体と屈折率が類似していても又は類似していなくても又は違っていても又は同じであってもよい。適している他の液体は、芳香族炭化水素、フッ化炭化水素などの炭化水素、及び水溶液である。

[0004] しかし、基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。

[0005] 液浸装置では、液浸液は、流体ハンドリングシステム、構造又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体又は液体を供給でき、従って、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に流体を閉じ込めることができ、従って、流体閉じ込めシステムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、流体へのバリアを提供でき、従って、流体閉じ込め構造などのバリア部材である。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスフローを生成又は使用して、例えば、流体及び／又は液体の位置を制御するのを助けることができる。ガスフローは、流体を閉じ込める封止を形成でき、従って、流体ハンドリング構造は、封止部材と呼ぶことができる。そのような封止部材は、流体閉じ込め構造である。ある実施形態では、液浸流体ではなく液浸液が使用される。その場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムである。上の説明に鑑み、この節で流体に関して定義されたフィーチャへの言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと理解することができる。

[0006] 提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口によって基板上に、望ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に出口を持つ４組の入口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。

[0007] 提案されている別の配置構成は、封止部材を備えた液体供給システムを提供することである。封止部材は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在することができる。そのような配置構成を図４に示す。封止部材は、ＸＹ平面で投影システムに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）にある程度相対的に動くことができる。封止部材と基板表面との間に封止が形成される。望ましくは封止は、ガスシールなどの非接触封止である。ガスシールを備えたそのようなシステムは、ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されており、これを図５に示す。

[0008] ＥＰ−Ａ−１，４２０，３００号には、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の考え方が開示されている。そのような装置は、基板を支持する２つのステージを備える。第１の位置でステージを用いて、液浸液なしにレベリング測定が実行され、液浸液が存在する第２の位置でステージを用いて露光が実行される。別の方法としては、装置は１つのステージだけを有する。

[0009] ＷＯ２００５／０６４４０５号は液浸液が閉じ込められていないオールウェット配置構成を開示する。そのようなシステムでは、基板の上面全体が液体に覆われている。このことは有利である。何故なら、基板の上面全体が同じ条件にさらされるからである。これは、温度管理と基板の処理にとって有利である。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが、投影システムの最終要素と基板との間のギャップに液体を供給する。液体は、基板の残りの部分から漏れ出すことができる。基板テーブルの縁部にあるバリアによって液体が流出することが防止されるため、液体を基板テーブルの上面から制御された方法で除去することができる。そのようなシステムでは温度管理と基板の処理が向上するが、液浸液の蒸発は避けられない。この問題を緩和する１つの方法が、ＵＳ２００６／１１９８０９号に開示されている。この開示では、すべての位置で基板Ｗを覆い、基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に液浸液を延在させるように配置される部材が提供される。

[0010] 液浸液内の泡の形成は回避するのが望ましい。液浸液内の泡は、投影システムの最終要素と基板との間の液浸空間内に侵入することがある。液浸空間内の泡によって結像エラーが発生することがある。液浸液内、特に空間内の泡の存在は回避しなければならない。

[0011] 例えば、泡が生成され、及び／又は液浸空間内に侵入する可能性が低減される流体ハンドリングシステムを提供することが望ましい。

[0012] 本発明のある態様によれば、基板を支持する基板テーブルと、開口を有する流体ハンドリング構造とを備えるリソグラフィ装置が提供される。開口は寸法を有する。開口は使用時に基板及び／又は基板テーブルの方へ液体の流れを誘導するように配置されている。使用時に、開口は、動作距離だけ基板及び／又は基板テーブルから離間する。開口の寸法は、動作距離を３．５で除算して得た値より小さい。

[0013] 本発明のある態様によれば、基板を支持する基板テーブルと、開口を有する流体ハンドリング構造とを備えるリソグラフィ装置が提供される。開口は寸法を有する。開口は使用時に基板及び／又は基板テーブルの方へ液体の流れを誘導するように配置されている。開口の寸法は、使用時に、開口を通過する液体の流れが端部を有するジェットコアを形成する程度の大きさである。ジェットコアの端部は、開口と基板及び／又は基板テーブルとの間に位置する。

[0014] 本発明のある態様によれば、基板を支持する基板テーブルを備えるリソグラフィ装置が提供される。基板テーブルは、基板テーブルの縁部と基板との間にギャップを備える。ギャップは深さを有する。流体ハンドリング構造は開口を有する。開口は寸法を有する。開口は使用時に基板及び／又は基板テーブルの方へ液体の流れを誘導するように配置されている。使用時に、開口は、動作距離だけ基板及び／又は基板テーブルから離間する。開口の寸法は、動作距離とギャップの深さの半分との総和に１／３．５を乗算して得た値より小さい。

[0015] 本発明のある態様によれば、基板を支持する基板テーブルを備えるリソグラフィ装置が提供される。基板テーブルは、基板テーブルの縁部と基板との間にギャップを備える。流体ハンドリング構造は開口を有する。開口は寸法を有する。開口は使用時に基板及び／又は基板テーブルの方へ液体の流れを誘導するように配置されている。開口の寸法は、使用時に、開口を通過する液体の流れが端部を有するジェットコアを形成する程度の大きさである。ジェットコアの端部は、開口とギャップに半分入った地点との間に位置する。

[0016] 本発明のある態様によれば、基板を支持する基板テーブルと、開口のアレイを有する流体ハンドリング構造とを備えるリソグラフィ装置が提供される。アレイにおける隣接する開口はある距離だけ離間する。開口のアレイは、使用時に基板及び／又は基板テーブルの方へ流体のフローを誘導するように配置されている。使用時に、開口のアレイは動作距離だけ基板及び／又は基板テーブルから離間する。アレイにおける隣接する開口間の距離は、動作距離の１．１６倍より小さい。

[0017] 本発明のある態様によれば、基板を支持する基板テーブルと、開口のアレイを有する流体ハンドリング構造とを備えるリソグラフィ装置が提供される。アレイにおける隣接する開口はある距離だけ離間する。開口のアレイは、使用時に基板及び／又は基板テーブルの方へ液体の流れを誘導するように構成されている。各々の開口を通過する液体の流れはジェットを形成する。アレイにおける隣接する開口間の距離は、隣接する開口から流出する液体のジェットが基板及び／又は基板テーブルに達する前に合流する程度の大きさである。

[0018] 本発明のある態様によれば、使用時に基板及び／又は基板テーブルに対向する底面に溝を有し、溝に少なくとも１つの開口を有する流体ハンドリング構造が提供される。開口は、使用時に基板及び／又は基板を支持する基板テーブルの方へ液体の流れを誘導するように構成され配置されている。

[0019] 本発明のある態様によれば、投影システムの最終要素と基板及び／又は基板を支持する基板テーブルとの間に流体を提供するステップを含むデバイス製造方法が提供される。提供ステップは、流体ハンドリング構造と基板との間に開口を通して液体を供給するステップを含む。開口の寸法は開口と基板との距離を３．５で除算して得た値より小さい。

[0020] 本発明のある態様によれば、投影システムの最終要素と基板及び／又は基板を支持する基板テーブルとの間に流体を提供するステップを含むデバイス製造方法が提供される。提供ステップは、流体ハンドリング構造と基板及び／又は基板テーブルとの間に開口を通して液体を供給するステップを含む。開口の寸法は、開口と基板との距離と基板テーブルの縁部と基板との間のギャップの深さの半分との総和に１／３．５を乗算して得た値より小さい。

[0021] 本発明のある態様によれば、投影システムの最終要素と基板及び／又は基板を支持する基板テーブルとの間に流体を提供するステップを含むデバイス製造方法が提供される。提供ステップは、流体ハンドリング構造と基板及び／又は基板テーブルとの間に開口アレイを通して液体を供給するステップを含む。アレイにおける隣接する開口は、開口の少なくとも１つと基板との距離の１．１６倍より小さい距離だけ離間する。

[0022] 本発明のある態様によれば、投影システムの最終要素と基板及び／又は基板を支持するように構成された基板テーブルとの間に流体を提供するステップを含むデバイス製造方法が提供される。提供ステップは、流体ハンドリング構造と基板及び／又は基板テーブルとの間に開口を通して液体を供給するステップを含む。開口は流体ハンドリング構造の底面に位置する溝の表面に画定されている。底面は基板及び／又は基板テーブルに対向する。

[0023] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の図面を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。

[0024]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0025]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0025]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0026]リソグラフィ装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。 [0027]リソグラフィ装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。 [0028]本発明のある実施形態による流体ハンドリングシステムの概略断面図である。 [0029]図６の流体ハンドリングシステムの２つの実施形態の平面図である。 [0029]図６の流体ハンドリングシステムの２つの実施形態の平面図である。 [0030]流体ハンドリングシステムの開口から流出する流体のジェットの様々なゾーンの概略図である。

[0031] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

[0032] 照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0033] 支持構造は、パターニングデバイスを支持、つまりその重量を支えている。該支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0034] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。

[0035] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[0036] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。

[0037] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。

[0038] リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。

[0039] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0040] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＭを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。

[0041] 放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、投影システムＰＳを通過し、これは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブラインアラインメントマークとして知られる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0042] 図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0043] １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。

[0044] ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。

[0045] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0046] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0047] 投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供する装置は、少なくとも２つのカテゴリに分類される。これらは、基板Ｗの実質的に全体とオプションで基板テーブルＷＴの一部が浴液中に浸漬される浴タイプの装置と、液体が基板の局所領域にのみ供給される液体供給システムを使用するいわゆる局所液浸システムである。後者のカテゴリでは、液体によって充填される空間は、基板の上面より平面視で小さく、液体によって充填される領域は、その領域の下を基板Ｗが移動している間、投影システムＰＳに対して静止している。

[0048] 本発明のある実施形態が企図する別の配置構成は、液体を閉じ込めないオールウェット解決策である。この配置構成では、基板の上面全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われている。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体はウェーハ上の液体の薄膜のような膜であってもよい。そのようなシステムで図２〜図５の任意の液体供給装置を使用することができる。しかし、封止フィーチャは存在せず、活動化されず、通常のフィーチャほど効率的でなく、その他の点で液体を局所領域にのみ閉じ込める効果を有しない。４つの異なるタイプの局所液体供給システムを図２〜図５に示す。図２〜図４に開示した液体供給システムについては上述した。

[0049] 図５は、バリア部材又は流体閉じ込め構造１２を備えた局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造の概略図を示す。バリア部材又は流体閉じ込め構造１２は、投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下の説明で、基板Ｗの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルの表面も指すことに留意されたい。）流体閉じ込め構造１２は、投影システムに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。ある実施形態では、流体閉じ込め構造と基板Ｗの表面との間には封止が形成される。封止はガスシール又は流体シールなどの非接触封止でよい。

[0050] 流体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間内に閉じ込められるように、基板Ｗへの非接触封止１６を投影システムのイメージフィールドの周囲に形成できる。空間は、投影システムＰＳの最終要素の下方に位置し、それを取り囲む流体閉じ込め構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムの下方の空間、さらに液体入口１３を通して流体閉じ込め構造１２内に流し込まれる。液体は、液体出口１３によって除去できる。流体閉じ込め構造１２は、投影システムの最終要素から上に少し突き出すことができる。液体のバッファが提供されるように、液面は最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、流体閉じ込め構造１２は、上端で投影システム又はその最終要素の形状にぴったりと一致する例えば円形の内周を有する。底部で、内周は、イメージフィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。

[0051] 液体は、使用時に流体閉じ込め構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシールは、ガス、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、Ｎ_２又は他の不活性ガスによって形成される。ガスシール内のガスは入口１５を介して流体閉じ込め構造１２と基板Ｗとの間のギャップに加圧下で提供される。ガスは出口１４を介して抽出される。液体を内側に閉じ込める高速のガス流１６が存在するように、ガス入口１５上の過剰圧力、出口１４上の真空レベル及びギャップの幾何構造が配置されている。流体閉じ込め構造１２と基板Ｗとの間の液体上のガスの力で、液体は空間１１内に封じ込められる。入口／出口は空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は連続的又は不連続的である。ガス１６のフローは、液体を空間１１内に封じ込める効果がある。そのようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0052] 本発明は、液浸装置で使用される任意のタイプの流体ハンドリングシステムに適用できる。図５の例は、液体が常に基板Ｗの上面の局所領域にのみ提供されるいわゆる局所領域配置構成である。単相抽出器（２相モードで動作するか否かにかかわらず）を使用する流体ハンドリングシステムを含む他の構成も可能である。この例として、２００４年８月１９日出願の米国特許出願公開ＵＳ２００６−００３８９６８Ａ１号がある。ある実施形態では、単相抽出器は、ガスから液体を分離して単一液相の液体抽出を可能にする多孔質の材料で覆われた入口を備えることができる。多孔質の材料の下流にあるチャンバは、わずかに圧力がかかった状態に保たれ、液体で満たされている。チャンバ内の加圧は、多孔質の材料の穴に形成されたメニスカスによって、周囲ガスがチャンバ内に引き込まれない程度の大きさである。しかし、多孔質の表面が液体に接触すると、フローを制限するメニスカスは存在せず、液体はチャンバ内に自由に流入できる。多孔質の材料は、例えば５〜５０μｍの範囲の直径の多数の小さい孔を有する。ある実施形態では、多孔質の材料は少なくともわずかに親水性であり、すなわち、水などの液浸液に対して９０°未満の接触角を有する。可能な別の配置構成は、空気ドラッグの原理に基づく配置構成である。いわゆる空気ドラッグの原理は、２００７年１１月３０日出願の米国特許出願第１１／９８７，５６９号及び２００８年５月８日出願の米国特許出願第６１／０７１，６２１号に記載されている。このシステムでは、抽出孔は、望ましくは角部を有する形状に配置されている。角部は、ステップ及びスキャン方向に整列することができる。これによって、２つの流出口がスキャン方向に垂直に整列していた場合と比較して、所与の速度について、流体ハンドリング構造の表面の２つの開口の間のメニスカスにかかる力が低減する。本発明はオールウェット液浸装置で使用する流体ハンドリング構造にも適用できる。オールウェット実施形態では、例えば、液体を投影システムの最終要素と基板との間に閉じ込める閉じ込め構造から液体が漏れることを可能にすることで、流体は基板テーブルの上面全体を覆うことができる。オールウェット実施形態の流体ハンドリング構造の一例が、２００８年９月２日出願の米国特許出願第６１／１３６，３８０号に記載されている。

[0053] 図６は、図１にＩＨとして示された流体ハンドリングシステム１２の概略断面図を示す。流体ハンドリングシステム１２は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の液浸空間１１に液浸液を閉じ込める。流体ハンドリングシステム１２は、液浸空間１１に液体を供給できる。しかし、図を見やすくするため、液浸空間１１への／からの液体が通過する開口（すなわち、入口及び出口）は全く示されていない。開口は、単相抽出器、多孔質の板、空気ドラッグ及びオールウェット構成に関して述べたような任意の適したタイプと構成のものであってよい。流体ハンドリングシステム１２が液浸液を局所領域に閉じ込めるタイプの場合、流体閉じ込め構造１２の下面２２に１つ又は複数の封止フィーチャ２０を配置してもよい。封止フィーチャ２０はいかなるタイプでもよく、例えば、ガスナイフなどのガスシール、液体抽出、及びメニスカスピン止めフィーチャのいずれであってもよい。メニスカスピン止めフィーチャは、液体メニスカスを固定するように構成されたポイントを有していてもよい。下面２２は、使用時に基板及び／又は基板テーブルＷＴに対向する。下面２２は、基板テーブルＷＴ及び／又は基板Ｗの上面に実質的に平行であってもよい。封止フィーチャ２０は、例えば、オールウェット実施形態では、なくてもよく又は効率が低くてもよく又は非活動化されていてもよい。

[0054] 流体ハンドリングシステム１２内には少なくとも１つの開口３０がある。開口３０は、使用時に基板Ｗ又は基板テーブルＷＴの方へ流体の流れを誘導するように構成されている。開口３０は、矢印３５の方向に液体を供給するために使用される。開口３０は、基板テーブル及び／又は基板の上面に垂直に液体の流れを誘導するように、流体ハンドリング構造の表面に構成し配置することができる。開口は、基板テーブルＷＴ及び／又は基板Ｗの上面に実質的に平行な表面に画定されていてもよい。

[0055] 液体ハンドリングシステム１２が基板テーブルＷＴと基板Ｗの縁部との間のギャップ４０上を通過する際、泡が形成されることがある。方向３５に出口３０の外へ流体を提供することは、流体ハンドリングシステム１２がギャップ４０上を通過する際の泡の形成を防止する役に立つことが分かっている。

[0056] 図８に関して以下に説明するように、アレイ状に配置された複数の開口３０を使用することも有益であると分かっている。ある実施形態では、図７ａ及び図７ｂに示すように、アレイは液浸空間１１の周辺部、すなわち、液浸空間の周縁に延在する。図７ａは、図６の流体ハンドリングシステム１２の第１の実施形態の平面図を示す。第１の実施形態では、流体ハンドリングシステム１２の上面２２上のフィーチャはすべて、平面視で、円形のパターンに配置されている。第２の実施形態では、図７ｂ（流体ハンドリングシステム１２の四分の一しか示していない）に示すように、封止フィーチャ２０、開口３０及び溝５０が少なくとも１つの角部を有する形状に配置されている。基板テーブルＷＴ及び基板Ｗへの液体の流れ３５はギャップ４０を液体で充填する助けになる。これによって、泡は、ギャップ４０内に閉じ込められ、液浸空間１１内に侵入し、結像に干渉して画像の欠陥を引き起こすことが回避される。

[0057] 本発明は、液体流れ３５が最適化されるような開口３０の寸法を企図する。以下の説明から、特に図８に関連して分かるように、基板Ｗのための基板テーブルＷＴの上面からできるだけ離して開口３０を提供することが望ましい。

[0058] しかし、この望ましさは「フライハイト」(“fly height”)（流体ハンドリングシステム１２の底面と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗの上面との間の距離）をできる限り小さくする望ましさとは逆である。小さいフライハイトでは、一般に、液浸液を液浸空間１１内に封じ込める効率が増す。従って、一実施形態では、流体ハンドリングシステム１２の下面２２に溝５０が画定される。溝５０はオプションのフィーチャであり、開口３０が下面２２にあってもよい。開口３０は、溝５０の表面に画定される。こうして、開口３０と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗの上面との間の距離（動作距離と呼ぶ）は、流体ハンドリングシステム１２のフライハイトを有害に増やすことなく増やすことができる。

[0059] 図８は、流体ハンドリングシステム１２の２つの開口３０、３０ａの断面図を示す。液体ジェット１００、１００ａが各開口３０、３０ａから流れ出る様子が示されている。ジェットは、液体の速度が一定であるジェットコア１１０を含む。液体の速度はジェットコア１１０内で最大である。ジェットコア１１０の断面領域は、開口３０からの距離と共に増加する。しかし、ジェット１００、１００ａ全体の断面領域も開口３０からの距離と共に増加する。

[0060] ジェットコア１１０が基板Ｗ又は基板テーブルＷＴまで延在する場合、泡が液浸液内に含まれ得ることが分かっている。特にジェットコア１１０がギャップ４０に縁部に接触する場合、泡が液浸液内に含まれ得ることが分かっている。従って、ジェットコア１１０の底部を開口３０、３０ａと基板テーブル及び／又は基板Ｗの上面との間に配置することが望ましい。しかし、ジェットコア１１０がギャップ４０の底部に達しない場合、性能の向上が得られる。例えば、ジェットコア１１０の底部がギャップ４０の上半分に位置する場合、性能の向上が得られる。それ故、ジェットコア１１０の長さは、動作距離プラスギャップ４０の半分より少ないことが望ましい。一実施形態では、ジェットコア１１０は、溝５０を超えて延在しない。図８に、これを、ジェットコア１１０が溝内に封じ込められるのに必要な溝５０の深さを示す破線によって示す。別の実施形態では、ジェットコア１１０は、溝５０を超えて延在する。より大きい寸法、例えば、長さ又は幅を備えた開口３０が使用することができるため、これは有利である。ある実施形態では、開口はその形状が実質的に円形のため、開口の寸法は開口の直径と考えられる。

[0061] 以下のように、ジェットコア１１０の長さ（すなわち、開口３０、３０ａとジェットコア１１０の先端との間の距離）について数学的関係を以下のように記述することができる。ジェットコアの長さ＝８．３７５ｒ、ここでｒは開口３０、３０ａの寸法の半分（開口が円形の場合には半径）。この等式を用いて、開口３０、３０ａの寸法が動作距離を３．５で除算して得た値より小さい場合、ジェットコア１１０を開口３０、３０ａと基板テーブルＷＴ及び／又は基板Ｗの上面との間に配置すべきであるということが分かる。開口３０、３０ａの寸法が動作距離とギャップ４０の深さの半分との総和に１／３．５を乗算して得た値より小さい場合、上記のように利点が得られる。

[0062] 従って、開口３０、３０ａが流体ハンドリングシステム１２の下面２２よりも基板テーブル及び／又は基板Ｗの上面よりも遠くになるように開口３０、３０ａを溝５０内に配置することが望ましいことが理解されよう。これによって、流体ハンドリングシステムのフライハイトを低く保ちながら、開口３０、３０ａと基板テーブルＷＴ及び／又は基板Ｗの上面との間の距離を増加させることができる。

[0063] 一実施形態では、少なくとも１つの開口３０の寸法は、動作距離を４で除算して得た値より小さく、望ましくは動作距離を４．１８７５で除算して得た値より小さく、より望ましくは動作距離を４．５で除算して得た値より小さく、最も望ましくは動作距離を５で除算して得た値より小さい。一実施形態では、少なくとも１つの開口３０の寸法は、少なくとも動作距離を１００で除算して得た値である。一実施形態では、少なくとも１つの開口３０の寸法は、動作距離とギャップ４０の深さの半分との総和に少なくとも１／３．５を乗算して得た値、望ましくは総和に少なくとも１／４、１／４．１８７５、１／４．５、又は１／５を乗算して得た値である。

[0064] 一実施形態では、開口３０、３０ａの寸法は、溝の深さＧを３．５で除算して得た値より小さく、望ましくはＧを４で除算して得た値より小さく、より望ましくはＧを４．１８７５で除算して得た値より小さく、より望ましくはＧを４．５で除算して得た値より小さく、最も望ましくはＧを５で除算して得た値より小さい。一実施形態では、少なくとも１つの開口３０の寸法は、少なくとも溝の深さＧを１００で除算して得た値である。

[0065] 図８から分かるように、開口３０、３０ａから外に出る液体のジェット１００、１００ａは、開口３０、３０ａから遠いほど広がる。望ましくは、図８に示すように、隣接する開口３０、３０ａのジェット１００、１００ａは、基板テーブルＷＴ又は基板Ｗの上面に達する前に相互に作用する（すなわち、図８のＰで示すように交差する）。これによって、開口３０、３０ａのアレイの各開口３０、３０ａ間の全距離に沿って基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面に向かって下方にある速度を持った液体が確実に存在する。例えば、基板Ｗ又は基板テーブルＷＴの上面が開口３０、３０ａの間の等距離の地点Ｐよりも上部にあったならば、表面上への下向きのある速度を持った液体は存在せず、開口３０、３０ａのアレイから外に出る液体の清掃機能の効率は低下するであろう。

[0066] 隣接する開口のジェットは、基板Ｗ及び／又は基板テーブルの表面に達する前に相互に作用することが望ましい。しかし、隣接する開口３０、３０ａのジェット１００、１００ａは、ジェット１００、１００ａが溝５０から外に出る前に合流することがさらに望ましい。こうして、基板テーブルＷＴ及び／又は基板Ｗの表面に向かって下向きに動くある速度を持った液体の幕が、流体ハンドリングシステム１２の下面２２と基板テーブルＷＴ及び基板Ｗの上面との間に存在する。液体の流れは、連続する直線的なジェット又は連続する液体幕と呼ぶことができる。この構成は液浸液における泡を払拭する上で効果的である。よって泡が液浸空間１１に入り込むことを防ぐことができる。

[0067] 開口３０、３０ａが存在する表面と２つのジェット１００、１００ａが合流する地点Ｐとの間の距離ｈは、幾何学的に導き出すことができる。距離ｈは、ジェット１００、１００ａが開口がある表面となす角度を知ることで導き出すことができる。地点Ｐが基板テーブルＷＴ及び／又は基板Ｗの上面より上にある（例えば６０°の角度θについて）ためには、動作距離をある係数で乗算して得た値は隣接する開口３０、３０ａ間の距離より大きくなければならない。ある実施形態では、係数は１．１６である。いくつかの実施形態では、より小さい係数を有することが望ましい。従って、望ましくは、アレイにおける隣接する又は連続する開口間の距離は、動作距離の１．１６倍より小さい。より望ましくは、アレイにおける隣接する開口３０、３０ａ間の距離は、動作距離の０．８倍より小さく、さらに望ましくは動作距離の０．５倍より小さく、さらに望ましくは動作距離の０．４倍より小さく、最も望ましくは動作距離の０．３５倍より小さい。一実施形態では、アレイにおける隣接する又は連続する開口間の距離は、動作距離の少なくとも０．０１倍である。この距離が小さすぎると、開口は製造するのが困難になる。一実施形態では、アレイにおける隣接する又は連続する開口間の距離は、動作距離の少なくとも０．０２倍、０．０５倍又は０．１倍である。さらに望ましくは、アレイにおける隣接する開口３０、３０ａ間の距離は、溝５０の深さＧの１．６倍より小さく、望ましくは溝５０の深さＧの１．８倍、０．５倍、０．４倍又は０．３５倍より小さい。距離が短いほど、基板／基板テーブルに衝突する際の、又は溝５０から放出される際のフローはより均質になる。一実施形態では、アレイにおける隣接する又は連続する開口間の距離は、深さＧの少なくとも０．０１倍である。この距離が小さすぎると、開口は製造するのが困難になる。一実施形態では、アレイにおける隣接する又は連続する開口間の距離は、深さＧの少なくとも０．０２倍、０．０５倍、０．１倍である。

[0068] 実際、一実施形態では、開口３０の寸法は、２００μｍより小さく、別の実施形態では、１００μｍより小さい。一実施形態では、隣接する開口間の距離は４００μｍより小さく、別の実施形態では、３００μｍより小さい。望ましくは、開口間の距離は、２００μｍより小さく、望ましくは１００μｍより小さく、最も望ましくは７０μｍより小さい。溝５０の深さＧは、望ましくは５０μｍより大きく、より望ましくは１００μｍより大きく、最も望ましくは２００μｍより大きい。

[0069] 上記の条件を確実に満足するために、流体ハンドリングシステム１２のフライハイトを制御するコントローラ１００が提供される。コントローラ１００は、フライハイトを変更するようにオペレータがプログラミングできる。コントローラ１００は、開口から流出する液体の流量を制御することができる。液体の流量は、ジェット１００又はジェットコア１１０の形状には影響しないことに留意されたい。しかし、これらの変数の変動によって流体閉じ込め構造の動作条件が変化することがある。本発明を実施して特定のデバイス製造の動作条件及び工程条件を最適化するリソグラフィ装置のユーザにとって、このことは望ましい。そのような工程条件は注文仕様であって特定の顧客にしか利用できない。例えば、トップコート、レジスト（トップコートなしのレジストを含む）及び基板縁部の封止（ウェーハエッジシールとしても周知である）などの様々なタイプの塗膜上をスキャンするように動作条件を最適化できる。塗膜は、特定の接触角でもよく、親水性であっても又は疎水性であってもよい。動作条件は特定のタイプのデバイスを製造するように最適化できる。

[0070] 上記特徴のいずれも他の任意の特徴と併用することができ、また本出願はこれらの明示的に記載した組合せ以外も対象とすることが理解されよう。

[0071] ある実施形態では、基板テーブルと、流体ハンドリング構造とを備えるリソグラフィ装置が提供される。基板テーブルは基板を支持するように構成されている。流体ハンドリング構造は開口を有する。開口は寸法を有し、使用時に基板及び／又は基板テーブルの方へ液体の流れを誘導するように配置されている。開口は、動作距離だけ基板及び／又は基板テーブルから離間する。開口の寸法は、動作距離を３．５で除算して得た値より小さい。

[0072] 開口の寸法は、動作距離を４で除算して得た値より小さくてもよく、より望ましくは４．１８７５で除算して得た値、より望ましくは４．５で除算して得た値、最も望ましくは５で除算して得た値より小さい。流体ハンドリング構造は、使用時に基板及び／又は基板テーブルに対向する表面にさらに溝を備える。開口が溝に設けられていてもよい。開口の寸法は、溝の深さを３．５で除算して得た値より小さく、望ましくは４で除算して得た値、より望ましくは４．１８７５で除算して得た値、より望ましくは４．５で除算して得た値、最も望ましくは５で除算して得た値より小さい。

[0073] 開口３０は、２００μｍ、望ましくは１００μｍより小さい寸法を有していてもよい。開口は、アレイ内の複数の開口を含んでいてもよい。アレイにおける隣接する開口間の距離は、動作距離の１．１６倍より小さくてもよい。

[0074] ある実施形態では、基板テーブルと、流体ハンドリング構造とを備えるリソグラフィ装置が提供される。基板テーブルは、基板を支持するように構成することができる。流体ハンドリング構造は、開口を有していてもよい。開口は寸法を有していてもよく、使用時に基板及び／又は基板テーブルの方へ液体の流れを誘導するように配置してもよい。開口の寸法は、使用時に、開口を通過する液体の流れが開口と基板及び／又は基板テーブルとの間に位置する端部を有するジェットコアを形成する程度の大きさである。

[0075] ある実施形態では、基板テーブルと、流体ハンドリング構造とを備えるリソグラフィ装置が提供される。基板テーブルは、基板を支持するように構成することができる。基板テーブルは、基板テーブルの縁部と基板との間にギャップを備えていてもよい。ギャップは深さを有していてもよい。流体ハンドリング構造は開口を有していてもよい。開口は、寸法を有していてもよく、使用時に基板及び／又は基板テーブルの方へ液体の流れを誘導するように配置することができる。開口は、動作距離だけ基板及び／又は基板テーブルから離間していてもよい。開口の寸法は、動作距離とギャップの深さの半分との総和に１／３．５を乗算して得た値より小さくてもよい。

[0076] 開口の寸法は、総和に１／４を乗算して得た値より小さくてもよく、より望ましくは１／４．１８７５、より望ましくは１／４．５、最も望ましくは１／５を乗算して得た値より小さくてもよい。

[0077] ある実施形態では、基板テーブルと、流体ハンドリング構造とを備えるリソグラフィ装置が提供される。基板テーブルは、基板を支持するように構成することができる。基板テーブルは、基板テーブルの縁部と基板との間にギャップを含んでいてもよい。流体ハンドリング構造は開口を有していてもよい。開口は寸法を有していてもよい。開口は、使用時に基板及び／又は基板テーブルの方へ液体の流れを誘導するように配置してもよい。開口の寸法は、使用時に、開口を通過する液体の流れが開口と基板及び／又は基板テーブルとの間に位置する端部を有するジェットコアを形成する程度の大きさでよい。

[0078] ある実施形態では、基板テーブルと、流体ハンドリング構造とを備えるリソグラフィ装置が提供される。基板テーブルは、基板を支持するように構成することができる。流体ハンドリング構造は、開口のアレイを有していてもよい。アレイにおける隣接する開口は、ある距離だけ離間する。開口のアレイは、使用時に基板及び／又は基板テーブルの方へ流体の流れを誘導するように配置されている。使用時に、開口のアレイは、動作距離だけ基板及び／又は基板テーブルから離間する。アレイにおける隣接する開口間の距離は、動作距離の１．１６倍より小さい。

[0079] アレイにおける隣接する開口間の距離は、動作距離の０．８倍より小さく、望ましくは動作距離の０．５倍より小さく、さらに望ましくは動作距離の０．４倍より小さく、さらに望ましくは動作距離の０．３５倍より小さい。流体ハンドリング構造は、使用時に基板及び／又は基板テーブルに対向する表面に溝をさらに備え、開口のアレイが溝に設けられていてもよい。アレイにおける隣接する開口間の距離は、溝の深さの１．１６倍より小さくてもよく、望ましくは溝の深さの０．８倍より小さく、より望ましくは０．５倍より小さく、さらに望ましくは０．４倍より小さく、最も望ましくは０．３５倍より小さい。隣接する開口間の距離は、４００μｍより小さく、望ましくは３００μｍより小さく、より望ましくは２００μｍより小さく、さらに望ましくは１００μｍより小さく、最も望ましくは７０μｍより小さい。リソグラフィ装置は、動作距離の大きさを制御するように構成されたコントローラをさらに備えることができる。

[0080] ある実施形態では、基板テーブルと、流体ハンドリング構造とを備えるリソグラフィ装置が提供される。基板テーブルは、基板を支持するように構成されている。流体ハンドリング構造は、開口のアレイを有する。アレイにおける隣接する開口は、ある距離だけ離間し、開口のアレイは、使用時に基板及び／又は基板テーブルの方へ液体の流れを誘導するように配置されている。各開口を通過する液体の流れはジェットを形成する。アレイにおける隣接する開口間の距離は、隣接する開口から流出する液体のジェットが基板及び／又は基板テーブルに達する前に合流する程度の大きさである。

[0081] ある実施形態では、使用時に基板及び／又は基板テーブルに対向する底面に溝を有し、溝に少なくとも１つの開口を有する流体ハンドリング構造が提供される。開口は、使用時に基板及び／又は基板テーブルの方へ液体の流れを誘導するように構成され配置されている。基板テーブルは、基板を支持するように構成されている。

[0082] 溝は、５０μｍを超える深さを有し、望ましくは１００μｍを超える深さ、より望ましくは２００μｍを超える深さを有していてもよい。

[0083] ある実施形態では、投影システムの最終要素と基板及び／又は基板を支持するように構成された基板テーブルとの間に流体を提供するステップを含むデバイス製造方法が提供される。提供ステップは、流体ハンドリング構造と基板との間に開口を通して液体を供給するステップを含む。開口の寸法は、開口と基板との間の距離を３．５で除算して得た値より小さい。

[0084] ある実施形態では、投影システムの最終要素と基板及び／又は基板を支持するように構成された基板テーブルとの間に流体を提供するステップを含むデバイス製造方法が提供される。提供ステップは、流体ハンドリング構造と基板との間に開口を通して液体を供給するステップを含む。開口の寸法は、開口と基板との間の距離と基板テーブルの縁部と基板との間のギャップの深さの半分との総和に１／３．５を乗算して得た値より小さい。

[0085] ある実施形態では、投影システムの最終要素と基板及び／又は基板を支持するように構成された基板テーブルとの間に流体を提供するステップを含むデバイス製造方法が提供される。提供ステップは流体ハンドリング構造と基板及び／又は基板テーブルとの間に開口アレイを通して液体を供給するステップを含む。アレイにおける隣接する開口は、開口の少なくとも１つと基板との距離の１．１６倍より小さい距離だけ離間する。

[0086] ある実施形態では、投影システムの最終要素と基板及び／又は基板を支持するように構成された基板テーブルとの間に流体を提供するステップを含むデバイス製造方法が提供される。提供ステップは、流体ハンドリング構造と基板及び／又は基板テーブルとの間に開口を通して液体を供給するステップを含む。開口は、流体ハンドリング構造の底面に位置する溝の表面に画定されている。底面は基板及び／又は基板テーブルに対向する。

[0087] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[0088] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。

[0089] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。

[0090] １つ又は複数のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ又は複数のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り可能命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ又は複数のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを格納するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。従って、コントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り可能命令に従って動作することができる。

[0091] 本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。

[0092] 本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組み合わせでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組み合わせを備えてよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。

[0093] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を改修できることが当業者には明白である。

Claims (15)

1. 基板を支持する基板テーブルと、
   開口を有する流体ハンドリング構造であって、該開口が、寸法を有し、且つ使用時に前記基板及び／又は前記基板テーブルの方へ液体の流れを誘導するように配置され、動作距離だけ基板及び／又は基板テーブルから離間し、前記開口の寸法が前記動作距離を３．５で除算して得た値より小さい、流体ハンドリング構造と、
   を備えるリソグラフィ装置。
2. 前記開口の寸法が、前記動作距離を４で除算して得た値より小さく、より望ましくは４．１８７５で除算して得た値、より望ましくは４．５で除算して得た値、最も望ましくは５で除算して得た値より小さい、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記流体ハンドリング構造が、使用時に前記基板及び／又は前記基板テーブルに対向する表面にさらに溝を備え、前記開口が溝に設けられた、請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記開口の寸法が、前記溝の深さを３．５で除算して得た値より小さく、望ましくは４で除算して得た値、より望ましくは４．１８７５で除算して得た値、より望ましくは４．５で除算して得た値、最も望ましくは５で除算して得た値より小さい、請求項３に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記開口の寸法が、２００μｍより小さく、望ましくは１００μｍより小さい、請求項１から４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記開口が、アレイ内の複数の開口を含む、請求項１から５のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記アレイにおける隣接する開口間の距離が、前記動作距離の１．１６倍より小さい、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記動作距離の大きさを制御するように構成されたコントローラをさらに含む、請求項１から７のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
9. 基板を支持する基板テーブルと、
   開口を有する流体ハンドリング構造であって、該開口が、寸法を有し、且つ使用時に前記基板及び／又は前記基板テーブルの方へ液体の流れを誘導するように配置され、前記開口の寸法が、使用時に、前記開口を通過する液体の流れが前記開口と前記基板及び／又は前記基板テーブルとの間に位置する端部を有するジェットコアを形成する程度の大きさである、流体ハンドリング構造と、
   を備えるリソグラフィ装置。
10. 基板を支持する基板テーブルであって、該基板テーブルの縁部と該基板との間にギャップを備え、該ギャップが深さを有する、基板テーブルと、
    開口を有する流体ハンドリング構造であって、該開口が、寸法を有し、且つ使用時に前記基板及び／又は前記基板テーブルの方へ液体の流れを誘導するように配置され、動作距離だけ前記基板及び／又は前記基板テーブルから離間し、前記開口の寸法が前記動作距離と前記ギャップの深さの半分との総和に１／３．５を乗算して得た値より小さい、流体ハンドリング構造と、
    を備えるリソグラフィ装置。
11. 基板を支持する基板テーブルであって、該基板テーブルの縁部と該基板との間にギャップを備える基板テーブルと、
    開口を有する流体ハンドリング構造であって、該開口が、寸法を有し、且つ使用時に前記基板及び／又は前記基板テーブルの方へ液体の流れを誘導するように配置され、前記開口の寸法が、使用時に、前記開口を通過する前記液体の流れが前記開口と前記ギャップに半分入った地点との間に位置する端部を有するジェットコアを形成する程度の大きさである、流体ハンドリング構造と、
    を備えるリソグラフィ装置。
12. 基板を支持する基板テーブルと、
    開口のアレイを有する流体ハンドリング構造であって、該アレイにおける隣接する開口がある距離だけ離間し、使用時に該開口のアレイが前記基板及び／又は前記基板テーブルの方へ流体の流れを誘導するように配置され且つ動作距離だけ前記基板及び／又は前記基板テーブルから離間し、前記アレイにおける隣接する開口間の距離が前記動作距離の１．１６倍より小さい、流体ハンドリング構造と、
    を備えるリソグラフィ装置。
13. 基板を支持する基板テーブルと、
    開口のアレイを有する流体ハンドリング構造であって、該アレイにおける隣接する開口がある距離だけ離間し、使用時に該開口のアレイが前記基板及び／又は前記基板テーブルの方へ液体の流れを誘導するように構成され、各々の開口を通過する前記液体の流れがジェットを形成し、前記アレイにおける隣接する開口間の距離が、隣接する開口から流出する液体のジェットが前記基板及び／又は前記基板テーブルに達する前に合流する程度の大きさである、流体ハンドリング構造と、
    を備えるリソグラフィ装置。
14. 使用時に基板及び／又は基板テーブルに対向する底面に溝を有し、該溝に少なくとも１つの開口を有する流体ハンドリング構造であって、該開口が、使用時に基板及び／又は前記基板を支持する基板テーブルの方へ液体の流れを誘導する、流体ハンドリング構造。
15. 投影システムの最終要素と基板及び／又は前記基板を支持する基板テーブルとの間に流体を提供するステップを含むデバイス製造方法であって、該提供ステップが、流体ハンドリング構造と基板との間に開口を通して液体を供給するステップを含み、該開口の寸法が該開口と前記基板との距離を３．５で除算して得た値より小さい、デバイス製造方法。