JP2005012228A - 浸漬フォトリソグラフィシステム及びマイクロチャネルノズルを使用する方法 - Google Patents

浸漬フォトリソグラフィシステム及びマイクロチャネルノズルを使用する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005012228A
JP2005012228A JP2004181684A JP2004181684A JP2005012228A JP 2005012228 A JP2005012228 A JP 2005012228A JP 2004181684 A JP2004181684 A JP 2004181684A JP 2004181684 A JP2004181684 A JP 2004181684A JP 2005012228 A JP2005012228 A JP 2005012228A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
immersion photolithography
substrate
liquid immersion
photolithography system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004181684A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4083710B2 (ja
Inventor
Herman Vogel
フォーゲル ハーマン
Klaus Simon
シーモン クラウス
Theodorus Anna Maria Derksen Antonius
テオドルス アンナ マリア デルクセン アントニウス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Holding NV
Original Assignee
ASML Holding NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Holding NV filed Critical ASML Holding NV
Publication of JP2005012228A publication Critical patent/JP2005012228A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4083710B2 publication Critical patent/JP4083710B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)

Abstract

【課題】液体浸漬フォトリソグラフィシステムにおいて、液体の速度プロフィルを均一にし、光ひずみを防止することである。
【解決手段】電磁放射で基板101を露光する露光システムが、電磁放射を基板上に集束させる投影光学系100を有しており、投影光学系100と基板101との間に液体流107を提供する液体供給システムが設けられており、基板と投影光学系との間に液体流の実質的に均一な速度分布を提供するために投影光学系の縁部に沿って配置された複数のマイクロノズル416が設けられている。
【選択図】図4

Description

本発明は、液体浸漬フォトリソグラフィ、特に、浸漬フォトリソグラフィシステムにおける液体流の速度プロフィルを制御するための方法及びシステムに関する。
光リソグラフィの実際の限界は、媒体を介してイメージングが行われる場合のこの媒体が空気であると仮定する。この実際の限界は、有効波長方程式
Figure 2005012228
によって規定され、この場合、8は入射光の波長であり、NAは投影光学系の開口数であり、nは媒体の屈折率である。ここで、投影光学系の最後のレンズエレメントと、イメージングされるウェハとの間に(空気ではなく)液体を導入することによって、屈折率が変化(増大)し、これにより、光源の有効波長を低下させることによって解像度を高めることができる。光源の波長を低下させることは、自動的により小さな細部のより微細な解像度を可能にする。このように、浸漬リソグラフィは、例えば157nm光源を115nm波長へ有効に低下させることによって魅力的になり、これにより、産業界において今日使用されている同じフォトリソグラフィツールを用いて臨界的な層のプリントを可能にしながら解像度を高める。
同様に、浸漬リソグラフィは193nmリソグラフィを145nmリソグラフィへ押し下げることができる。理論上は、193nmツール等のより古い技術を今も依然として使用することができる。また、理論上は、157nmリソグラフィの多くの問題、例えば、大量のCaF、硬いペリクル、窒素パージ等、を回避することができる。
しかしながら、浸漬フォトリソグラフィの将来性にも拘わらず、浸漬フォトリソグラフィシステムの商業化をこれまで妨げてきた多数の問題が存在する。これらの問題は光ひずみを含む。例えば、浸漬リソグラフィスキャニングの間、システムパフォーマンスを妨害するおそれのある十分なg荷重が生ぜしめられる。これらの加速負荷は、レンズとの振動する流体せん断相互作用を生ぜしめるおそれがあり、光学的損失を生ぜしめる。損積リソグラフィのレンズ−流体環境における上下スキャニング動作は、光学系に可変流体せん断力を生ぜしめる。このことは、レンズの振動不安定性を生ぜしめるおそれがあり、このことは、光学的“フェイディング”を生じるおそれがある。その他の速度プロフィル不均一も、光ひずみを生じるおそれがある。
本発明の課題は、液体浸漬フォトリソグラフィシステムにおいて、液体の速度プロフィルを均一にし、光ひずみを防止することである。
本発明は、露光領域における液体のほぼ均一な速度プロフィルを有する浸漬フォトリソグラフィシステムに向けられており、このシステムは、関連技術の問題及び欠点の1つ又は2つ以上を実質的に排除する。
露光システムを含む液体浸漬フォトリソグラフィシステムが提供され、露光システムは、電磁放射で基板を露光し、電磁放射を基板上に集束させる投影光学系を有している。液体供給システムは、投影光学系と基板との間に液体流を提供する。複数のマイクロノズルが、投影光学系の一方の側の縁部に沿って選択的に配置されており、これにより、基板が露光される領域に液体流の実質的に均一な速度分布を提供する。
別の態様において、露光システムを含む液体浸漬フォトリソグラフィシステムが提供され、露光システムは、電磁放射で基板上の露光領域を露光し、投影光学系を有している。投影光学系と露光領域との間に液体流が生ぜしめられる。マイクロシャワーが、投影光学系の一方の側に設けられており、所望の速度プロフィルを有する液体流を露光領域に提供する。
本発明の付加的な特徴及び利点は以下に説明される。さらに別の特徴及び利点は、以下に示される説明に基づき当業者に明らかになるか、又は本発明の実用によって学ばれるであろう。本発明の利点は、記述された説明及び請求項並びに添付の図面において特に指摘された構造によって実現及び達成される。
前記の概略的な説明及び以下の詳細な説明は例でありかつ説明のためのものであり、請求項に記載された発明のさらなる説明を提供しようとするものである。
本発明の典型的な実施形態のさらなる理解を提供しようとしておりかつ本願明細書に組み込まれかつ本願明細書の一部を構成した添付の図面は、本発明の実施形態を示しており、詳細な説明と共に本発明の原理を説明するために働く。
ここで本発明の実施形態を詳しく引用し、その例は添付の図面に示されている。
浸漬フォトリソグラフィにおける1つの大きな問題は、液体流の不均一性、特に垂直方向での勾配である。不均一性は、主として移動面の近傍において液体がこの面(例えばウェハの面)と接触することによるものである。例えば、スキャニングの間、ウェハは露光系に対して移動し、その表面の近傍に“ひきずり効果”を生じる。つまり、流体力学の法則は、ウェハ面に対する流体速度がこれらの領域においてゼロであり(又は少なくともゼロに近い)、これに対して流体速度はウェハ面から離れるほど大きくなると規定する。同様に、レンズの底面に対する流体速度はゼロである。これらの流体速度のばらつきは、“境界層”速度プロフィルとして知られている。これらの効果の組み合わせは、液体にせん断力を生ぜしめ、このせん断力は2つの光ひずみ問題を生じる:1)開口ハードウェアに対する慣性振動力の発生(光ひずみを生じる)、2)流体に速度ストリエーションを形成し、これは付加的な光ひずみを生じる。
付加的に、露光領域への液体の噴射は、速度分布における潜在的な付加的な不均一性を備える液体流をも提供する。例えば、流体に多数のストリエーションが存在する可動性があり、さらに露光品質を低下させる。同様に、気泡、光流体振動、又は液体流における乱流が、露光プロセスへの光ひずみの導入により、フォトリソグラフィシステムの全体的パフォーマンスを低下させるおそれもある。すなわち、速度プロフィルを取り扱う場合、フォトリソグラフィシステムにおけるイメージングの品質の観点から、不均一性は重要である。理想的な場合、液体の速度プロフィルは全ての場所において実質的に均一である。
図1は、本発明の液体浸漬フォトリソグラフィシステムをブロック図形式で示している。図1に示したように、フォトリソグラフィツールの投影光学系100はレンズ102(通常は複数のレンズ素子から成っている)を有している。この図においては、レンズ102は平らな底面108を有しているが、そうである必要はない。レンズ高さ409(図4参照)は、ウェハ101までの特定の距離を維持するために調整可能である。
投影光学系100は、ハウジング103(下側部分のみが示されている)をも有している。ハウジング103は、環状の液体チャネル105Aと、複数のその他のこのようなチャネル105B等を有している。液体はチャネル105を流過する(この図においてチャネル105Aを通って流入し、チャネル105Bを通って流出する)。矢印107A,107Bは、ウェハ101が投影光学系100の視野を横切ってスキャンされているときの、ウェハ101上の液体流の方向を示している。
図2は、図1に示された構造の底面を示している。図2に示したように、クリア開口領域216は、投影光学系100とレンズ102との露光領域を規定している。様々な矢印107A〜107D、211A〜211Dは、あらゆる与えられた時間における可能な液体流方向を示している。さらに図2に示したように、ハウジング103は、多数の加圧チャンバ215A〜215Dをも有している。各加圧チャンバ215は、“プレナム”とも呼ばれる。したがって、プレナム215は、以下に説明するように、圧力源としても働く。露光が行われていないとき、又はウェハ101が交換されているときには、液体流は完全に遮断されることができることも認められるであろう。
さらに、図2に示したように、ハウジング103の下側部分は多数の区分に分割されている。この図において、ギャップ217A〜217Dによって分離された4つのこのような区分(四分円)が形成されている。ほとんどの用途において4つの四分円が最適な数であると予想されるが、このような区分の数は4つよりも多くても少なくともよいことが認められるであろう。例えば、1つの軸線のみに沿った動作のためには、ハウジング103を2つの区分に分割すれば十分である。X−Y動作のためには、4つの区分(四分円)が有利である。さらに大きな制御のためには、8つの区分が必要とされるであろう。この区分形成により、以下に説明するように、液体流方向の制御が可能となる。液体流の方向を制御することにより、レンズ102における機械的ひずみに反作用することができ、したがって、X方向での流れプロフィル(特にステップの間)は、Y方向での流れプロフィル(特にスキャンの間)とは異なってよい。
図3は、液体流の方向が反転されていることを除き、図1に示したものと同じ構造を示している。当業者によって認められるように、実用的なフォトリソグラフィシステムにおいて、液体流の方向を反転する能力は重要である。なぜならば、ウェハ移動の方向は通常1つの方向に限定されていないからである。同様に、図2に示したように、ウェハ101はX方向及びY方向に移動することができることが当業者によって認められるであろう。すなわち、ハウジング103を四分円に分割することにより、液体流の方向は、ウェハ移動のあらゆる方向のために調整されることができる。
図4は、本発明の実施形態をさらに詳しく示している。図4に示したように、レンズ102はハウジング103に取り付けられている。ハウジング103は環状のチャネル105A,105Bを有しており、これらのチャネルを通って液体は液体供給システム(これらの図面には示されていない)から流入しかつ流出する。チャネル105Aから、液体は第1の大きなプレナム215Aに進入する。液体は次いで、ディフューザスクリーン412Aを通って第1の小さなプレナム414A(通常は第1のプレナム215Aよりも小さい)に流入する。ディフューザスクリーン412Aは、第1の大きなプレナム215Aに存在する乱流及び気泡を除去するのを助ける。ディフューザスクリーン412は圧力降下スクリーンとしても働く。
第1の小さなプレナム414Aは圧力チャンバとしても働く。第1の小さなプレナム414Aから、液体は次いで、マイクロシャワーの形式で配置された複数のマイクロチャネルノズル(マイクロノズル)416Aを流過する。すなわち、液体がマイクロノズル416に到達するまでに、全てのマイクロノズル416への入口における圧力は均一であり、乱流及び気泡は液体から実質的に除去されている。マイクロノズル416の後、液体は、レンズ102の下方のクリア開口領域216に流入し、レンズ102とウェハ101との間の空間が液体で充填される。
クリア開口領域216において、液体流は、高さと共に均一であり、乱流、気泡、ストリエーション及び、光イメージの品質に影響するその他の欠点を有していない。
クリア開口領域216の他方の側において、液体はやはりマイクロチャネルノズル416Bのセットを通って第2の小さなプレナム414Bに流入し、ディフューザスクリーン412Bを通って第2の大きなプレナム215Bに流入し、チャネル105Bから流出する。
すなわち、図4において左から右へウェハ101が相対的に移動すると、ウェハ101は、液体に“ひきずり効果”を生ぜしめる。したがって、液体流の方向は、“ひきずり効果”に反作用して実質的に均一な速度プロフィルを生ぜしめるために右から左である必要がある。
図4において、420は、ウェハ101の動作によって誘発される、クリア開口領域216における有効流体速度プロフィルを示している。421は、マイクロチャネルノズル416からの、対向噴射される流体速度プロフィルを示しており、クリア開口領域216におけるレンズ102と液体との間の境界面にほぼネットゼロの結果的流体速度を生ぜしめる。
熱勾配が屈折ひずみ及び画質低下を生じないようにするために、マイクロチャネルノズル416は、時々作動液体をリフレッシュ(すなわち交換)する(これは、強い電磁放射への曝露が液体の分子を解離させるので、時間の経過と共に生じる作動流体の解離を防止するために必要である)。一定流れによる液体(例えば水)の分裂を回避することは別の利点である。短い露光波長では、水は、約2.86J/cmRTにおいて分裂することができ、通常Pは、4.75×10−19J毎分子になる。193nmにおいて1つの光子は1.03×10−18Jを有する。付加的に、液体をリフレッシュし続けることにより、液体の一定温度を維持することができる。液体は、露光中、又は露光の間隔にリフレッシュされてよい。
マイクロノズル416は、光学系と液体との間の慣性せん断力に対するバッファとしても作用する。せん断力は、方程式
Figure 2005012228
によって定義され、この場合、Aは面積であり、:は粘度パラメータであり、xは距離変数であり、vは速度である。せん断力は、ウェハ101とレンズ102との間の典型的な100μmギャップの場合に約1ニュートンである。これらのせん断力は、レンズ102と流体との間の相対加速運動を慣性的に抑制することにより中和される。これは、単にスキャニングとは反対方向に流体の運動を形成することにより達せられる。マイクロチャネルノズル416は、光学系と流体との間の慣性せん断力に対するバッファとしても作用する。
付加的に、ハウジング103は、ウェハ101からあらゆる過剰な液体を除去するためのガスを供給するためのシステムを有している。ハウジング103は、ガス供給システム(図4には示されていない)からのガス流入のための供給側アニュラス406Aと、ガスシール410Aとを有しており、このガスシール410Aは、ウェハ101までの距離をブリッジしておりかつあらゆる過剰な液体を含みかつ除去するための“スキージ”を形成している。さらに、ハウジング103は、戻り側ガス流出アニュラス405を有している(この戻り側ガス流出アニュラスを通って過剰な液体が除去される)。過剰な液体は、排出ガスと共に、戻り側ガス流出アニュラス405Aを通って除去されてよい。図4の左側に示されているように、ハウジング103の反対側の四分円に同様の構造が設けられている。ガス供給システムは、液体流が存在する場合にはいつでも液体供給システムと関連して働き、その結果、クリア開口領域216に液体流が存在する場合にのみ作動させられればよい。
前記のように、図4において、ウェハが左から右へ移動する場合、液体流は、チャネル105Aにおいて流入し、チャネル105Bにおいて流出する。スキャン方向が反転された場合、液体流も反転する。
図5は、図4のマイクロノズル構造領域の部分的な等角図を示している。チャネル105A〜105D(図5には示されていない)は、外部管507A〜507Dに接続されており、これらの外部管を介して液体が供給される。同様に、この図には示されていないが、アニュラス405,406は環状のガスカップリングに接続されていてよい。
図6は、本発明において使用されてよい液体排出速度プロフィルの例を示している。当業者によって認められるであろうが、“自然の”速度プロフィルは、図4における高さを備えた均一ではなく、垂直方向勾配を有していてよく、この垂直方向勾配は光ひずみを生じるおそれがある。この自然の勾配を補償するために、図6に示したように、種々異なる長さの管(マイクロノズル416)が使用されてよい。図6において、マイクロノズルの長さは、最大でLから、最小でLまでの範囲に分布しており、図6の左側に示されたマイクロノズル416の出口における速度プロフィルをほぼ生ぜしめる。マイクロノズル416が長くなるほど、特定のマイクロノズルからの液体の排出速度は小さくなる。さらに、マイクロノズル416自体は、さらに速度プロフィルを制御する必要があるならば、種々異なる直径を有していてよい。マイクロノズル416の管は、さらに速度プロフィルを制御するために、必ずしもウェハ101に対して平行である必要はない。
典型的なシステムにおいて、ウェハ101の上方の液体の高さは約100ミクロンである。高さが高くなるほど、概して、速度プロフィルが制御される必要のある容積が大きくなるので、より多くのマイクロノズル416Aが必要とされる。
つまり、マイクロノズル416の長さ、直径及び向きを注意深く選択することによって、ウェハ101のクリア開口領域216における速度プロフィルが制御され、クリア開口領域216に亘って実質的に均一な速度プロフィルが生ぜしめられ、露光品質が改良される。本質的に、図6に示したような、構造によって生ぜしめられる速度プロフィルは、そうでなければ存在するであろう“自然の”プロフィルの“反対”であってよい。つまり、マイクロノズル416の特性は、実質的に均一の速度プロフィルを生ぜしめるように個別製作される。
スキャニングの間ウェハ101は一方向に移動するのに対し、液体は再循環され、反対方向に噴射される。したがって、本発明の効果は、スキャニング動作によって誘発される液体速度プロフィルを中和することであり、レンズ102と液体との間の慣性抑制を生じる。換言すれば、合計の効果は“ゼロ”合計慣性であり、速度プロフィルは運動から除かれる。液体流の方向に応じて、せん断力が低減又は排除されるか、又は光ひずみが低減される。すなわち、浸漬リソグラフィプロセスは、一定の流体リフレッシュにより、ピークレベルにおいて、気泡を回避し、光流体振動を抑制することができる。
プレナム215における流体は、乱流及び気泡を有しているが、液体がディフューザスクリーン412を通過するまでに、流れは均一となる。したがって、ディフューザスクリーン412及びプレナム414を通過し、マイクロノズル416から出た後、液体流れは、実質的にストリエーション、光流体振動、乱流、気泡、及びその他の不均一によって生ぜしめられる欠陥なしに、所望の速度プロフィルを有しており、改良された画質を提供する。
前記のように、レンズ102の底面108は平坦である必要はない。ほぼ均一な速度プロフィルを生ぜしめるために、湾曲した底面108を備えたレンズ102を使用し、マイクロノズルの長さ、直径及び向きの適切な配列によりあらゆる誘発された速度プロフィル不均一を補償することができる。
マイクロノズル416は、慣用のリソグラフィ技術を使用してシリコン材料上に構成される。顕微鏡的スケールにおいて、マイクロノズル416は、互い違いに積層された管から成るハニカム材料に似ており、それは、水力直径及び長さのキー特性寸法を有する。マイクロノズル416は、クリア開口領域216内へ拡開している。
マイクロノズル416の典型的な管の直径は、例えば数ミクロンから数十ミクロン(例えば5〜50ミクロン)まで変化してよく、幾つかの場合には、直径が5mmに達し、長さは約10〜100直径である。その他の長さ及び/又は直径が使用されてよい。円形のノズルではなくスリットが使用されてもよい。単位面積ごとのマイクロノズルの数は変更されてよい。
193ナノメートルイメージングのために、液体は有利には水(例えば脱イオン水)であるが、その他の液体、例えばシクロオクタン、Kripton (R) (フォンブリンオイル)、及びパーフルオロポリエーテルオイル、が使用されてよい。
本発明は、液体浸漬フォトリソグラフィシステムに多数の利点を提供する。例えば、ステップ及びスキャンシステムにおいて、伝達が改善され、ひずみが少なくなる。液体自体がいかなる塵芥をも含有しておらず、液体の存在が、露光中にクリア開口領域216に存在する塵芥に対するバリヤとして作用するので、レンズ102とウェハ101との間のクリア開口領域216に空気中の塵芥粒子が進入することはできない。有利には、液体は、ウェハ101がウェハステージに積載された後に導入され、ウェハ101が取り出される前に除去される。これにより、塵芥及び粒子状物質による汚染が最小限に抑制される。付加的に、ウェハ交換中に液体がこぼれないようにする別の方法も可能であり、本発明は、上記アプローチのみに限定されない。
スキャニング動作により誘発される流体速度プロフィルは中和され、レンズ102とせん断流体との間に慣性抑制が生じる。慣性ダンパとして作用するのとは別に、マイクロノズル416は作動流体容積をリフレッシュするために働き、これにより、光源により生ぜしめられる熱勾配による屈折ひずみを排除する。マイクロノズル416の二次的利点は、容積リフレッシュ中における気泡の形成を防止する能力である。また、これらのマイクロノズル416の寸法は、より慣用のリフレッシュ技術を苦しめる気泡の形成を防止する。これらの利点の全ては、半導体表面上に著しくより小さなフィーチャを規定するために、概して既存のフォトリソグラフィツール及び波長の使用を許容する。
結論
本発明の様々な実施形態を上に説明したが、これらの実施形態は限定としてではなく例として示されていることが理解されるべきである。発明の思想及び範囲から逸脱することなく、形式及び詳細を様々に変更することができることは当業者に明らかとなるであろう。
本発明は、明示された機能及びその関係の性能を示す機能的ビルディングブロック及び方法ステップを用いて上に説明された。これらの機能的ビルディングブロック及び方法ステップの境界は、説明の便宜のために、本願明細書に任意に規定された。明示された機能及びその関係が適切に実施される限り、択一的な境界が規定されることができる。また、方法ステップの順序は再配置されてよい。つまり、あらゆるこのような択一的な境界が、請求項に記載された発明の範囲及び思想に含まれる。当業者は、これらの機能的ビルディングブロックが、個別の構成部材、用途特定の集積回路、適当なソフトウェアを実行するプロセッサ、及び同様のもの又はそれらのあらゆる組み合わせによって実行されることを認識するであろう。つまり、本発明の広さ及び範囲は、前記の典型的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、請求項及びその均等物に基づいてのみ定義されるべきである。
基本的な液体浸漬フォトリソグラフィの構成の側面図を示している。 図1の構成の平面図を示している。 液体の流れ方向が図1とは反対方向になっている、基本的な液体浸漬フォトリソグラフィ構成を示している。 液体浸漬フォトリソグラフィシステムの付加的な詳細を示している。 図4の構造の部分的な等角図を示している。 典型的な液体速度プロフィルを示している。
符号の説明
100 投影光学系、 101 ウェハ、 102 レンズ、 103 ハウジング、 105 チャネル、 107 液体流、 108 底面、 215 プレナム、 216 クリア開口領域、 217 ギャップ、 405 戻り側ガス流出アニュラス、 406A 供給側アニュラス、 409 レンズ高さ、 410A ガスシール、 412 ディフューザスクリーン、 414 プレナム、 416 マイクロノズル、 507 外部管

Claims (40)

  1. 液体浸漬フォトリソグラフィシステムにおいて、
    電磁放射で基板を露光する露光システムが設けられており、該露光システムが、電磁放射を基板上に集束させる投影光学系を有しており、
    投影光学系と基板との間に液体流を提供する液体供給システムが設けられており、
    基板と投影光学系との間に液体流の実質的に均一な速度分布を提供するために投影光学系の縁部に沿って配置された複数のマイクロノズルが設けられていることを特徴とする、液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  2. 前記複数のマイクロノズルが、可変長さの複数の管を含む、請求項1記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  3. 前記管の可変長さが、不均一を補償する速度プロフィルを提供する、請求項1記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  4. 前記液体供給システムが、
    液体を第1のプレナムに供給するための入口チャネルと、
    第1のディフューザスクリーンとを含んでおり、該第1のディフューザスクリーンを通って液体が第2のプレナムに流入することができる、請求項1記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  5. 前記液体供給システムがさらに、
    液体を露光領域から第3のプレナムへ除去する第2の複数のマイクロノズルを有しており、
    第2のディフューザスクリーンを有しており、該第2のディフューザスクリーンを通って液体が第4のプレナムに流入し、
    出口チャネルを有しており、該出口チャネルを介して液体が循環させられるようになっている、請求項4記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  6. 前記投影光学系が、ハウジングを含み、該ハウジングと基板との間にガスシールが設けられている、請求項1記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  7. 前記ハウジングが、ガスシールに接続された複数の環状のチャネルを含んでおり、該チャネルを介して、迷った液体を除去するために露光領域の周囲に負圧が維持される、請求項6記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  8. 前記マイクロノズルの直径が5μm〜5mmである、請求項1記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  9. 前記マイクロノズルがスリット状である、請求項1記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  10. マイクロノズルの少なくとも幾つかが、基板と投影光学系との間の領域へ拡開した部分を含んでいる、請求項1記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  11. 液体流の方向が反転可能である、請求項1記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  12. 前記液体供給システムが少なくとも3つのチャネルを有しており、該チャネルを通って液体が流れることができる、請求項1記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  13. 前記液体供給システムが、速度プロフィルの不均一を補償する、請求項1記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  14. 液体浸漬フォトリソグラフィシステムにおいて、
    電磁放射で基板上の露光領域を露光しかつ投影光学系を有する露光システムが設けられており、
    投影光学系と露光領域との間に液体流を提供するための手段が設けられており、
    液体流が露光領域に存在する場合に、所望の速度プロフィルを有する液体流を提供する第1のマイクロシャワーが投影光学系の一方の側に設けられていることを特徴とする、液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  15. 前記マイクロシャワーが、可変長さの複数の管を含んでいる、請求項14記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  16. 前記管の可変長さが、不均一を補償する速度プロフィルを提供する、請求項15記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  17. 液体供給システムが設けられており、該液体供給システムが、
    液体を第1のプレナムに供給するための入口チャネルと、
    第1のディフューザスクリーンとを有しており、該第1のディフューザスクリーンを通って液体が第2のプレナムに流入することができ、
    液体が、マイクロシャワーを介して露光領域に流入する、請求項14記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  18. 液体供給システムにさらに、
    液体を露光領域から第3のプレナムへ除去するための第2のマイクロシャワーが設けられており、
    第2のディフューザスクリーンが設けられており、該第2のディフューザスクリーンを通って液体が第4のプレナムへ流入することができ、
    出口チャネルが設けられており、該出口チャネルを通って液体が露光領域から循環されることができる、請求項15記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  19. 前記投影光学系が、ハウジングと基板との間にガスシールを備えたハウジングを含んでいる、請求項14記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  20. 前記ハウジングが複数のチャネルを含んでおり、これらのチャネルを介して、迷った液体を除去するために露光領域の周囲に負圧が維持される、請求項14記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  21. 前記マイクロシャワーが、直径が5μm〜5mmのマイクロノズルを有する、請求項14記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  22. 前記マイクロノズルの少なくとも幾つかが、露光領域内へ拡開した部分を含んでいる、請求項21記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  23. 前記マイクロノズルがスリット状である、請求項21記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  24. 液体流の方向が反転可能である、請求項14記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  25. 前記液体供給システムが少なくとも3つのチャネルを含んでおり、これらのチャネルを通って液体が流れることができる、請求項14記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  26. 前記マイクロシャワーが、スキャニングによる速度プロフィルの不均一を補償する、請求項14記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  27. 液体浸漬フォトリソグラフィシステムにおいて、
    電磁放射で基板上の露光領域を露光しかつ投影光学系を含む露光システムが設けられており、
    投影光学系と露光領域との間に液体流が提供されており、該液体流が、露光システムと基板との相対移動を補償する速度プロフィルを有していることを特徴とする、液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  28. 液体浸漬フォトリソグラフィシステムにおいて、
    電磁放射で基板上の露光領域を露光しかつ投影光学系を含む露光システムが設けられており、
    投影光学系のレンズの縁部に沿って、露光領域に液体流を提供する複数のマイクロノズルが設けられていることを特徴とする、液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  29. 液体浸漬フォトリソグラフィシステムにおいて、
    電磁放射で基板を露光する露光システムが設けられており、該露光システムが、基板上に電磁放射を集束させる投影光学系を含んでおり、
    該投影光学系と基板との間に液体流を提供する液体供給システムが設けられており、
    基板の移動方向を補償するように液体流の方向が変化させられることを特徴とする、液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  30. 基板と投影光学系との間の液体流の実質的に均一な速度分布を提供するために、投影光学系の縁部に沿って複数のマイクロノズルが配置されている、請求項29記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  31. 前記複数のマイクロノズルが、可変長さの複数の管を含む、請求項30記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  32. 前記管の可変長さが、不均一を補償する速度プロフィルを提供する、請求項31記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  33. 前記液体供給システムが、
    液体を第1のプレナムに供給するための入口チャネルと、
    第1のディフューザスクリーンとを含んでおり、該第1のディフューザスクリーンを通って液体が第2のプレナムに流入することができ、
    次いで液体がマイクロノズルに流入することができる、請求項29記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  34. 前記液体供給システムがさらに、
    露光領域から第3のプレナムへ液体を除去する第2の複数のマイクロノズルと、
    第2のディフューザスクリーンとを含んでおり、該第2のディフューザスクリーンを通って液体が第4のプレナムに流入し、
    さらに出口チャネルを含んでおり、該出口チャネルを通って液体が循環させられる、請求項33記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  35. 前記液体供給システムが、速度プロフィルの不均一を補償する、請求項29記載の液体浸漬フォトリソグラフィシステム。
  36. 基板を露光する方法において、
    投影光学系を使用して電磁放射を基板上に投影し、
    投影光学系と基板との間に液体流を供給し、
    実質的に均一な速度プロフィルを提供するために液体流の速度プロフィルを制御することを特徴とする、基板を露光する方法。
  37. ガス供給システムを使用して基板から過剰な液体を除去するステップを含む、請求項36記載の方法。
  38. 液体流の方向を反転させるステップを含む、請求項36記載の方法。
  39. 基板を露光する方法において、
    投影光学系を使用して電磁放射を基板上に投影し、
    投影光学系と基板との間に液体流を供給し、
    基板の移動方向の変化を補償するために液体流の方向を変化させることを特徴とする、基板を露光する方法。
  40. ガス供給システムを使用して基板から過剰な液体を除去するステップを含む、請求項39記載の方法。
JP2004181684A 2003-06-19 2004-06-18 浸漬フォトリソグラフィシステム及びマイクロチャネルノズルを使用する方法 Expired - Fee Related JP4083710B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/464,542 US6867844B2 (en) 2003-06-19 2003-06-19 Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007264182A Division JP4705943B2 (ja) 2003-06-19 2007-10-10 液体浸漬フォトリソグラフィシステム及びシステム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005012228A true JP2005012228A (ja) 2005-01-13
JP4083710B2 JP4083710B2 (ja) 2008-04-30

Family

ID=33418156

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004181684A Expired - Fee Related JP4083710B2 (ja) 2003-06-19 2004-06-18 浸漬フォトリソグラフィシステム及びマイクロチャネルノズルを使用する方法
JP2007264182A Expired - Fee Related JP4705943B2 (ja) 2003-06-19 2007-10-10 液体浸漬フォトリソグラフィシステム及びシステム
JP2010094280A Expired - Fee Related JP4806726B2 (ja) 2003-06-19 2010-04-15 浸漬フォトリソグラフィシステム
JP2010293569A Pending JP2011066458A (ja) 2003-06-19 2010-12-28 浸漬フォトリソグラフィシステム

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007264182A Expired - Fee Related JP4705943B2 (ja) 2003-06-19 2007-10-10 液体浸漬フォトリソグラフィシステム及びシステム
JP2010094280A Expired - Fee Related JP4806726B2 (ja) 2003-06-19 2010-04-15 浸漬フォトリソグラフィシステム
JP2010293569A Pending JP2011066458A (ja) 2003-06-19 2010-12-28 浸漬フォトリソグラフィシステム

Country Status (8)

Country Link
US (9) US6867844B2 (ja)
EP (1) EP1489462B1 (ja)
JP (4) JP4083710B2 (ja)
KR (1) KR100609795B1 (ja)
CN (2) CN101241308A (ja)
DE (1) DE602004027193D1 (ja)
SG (1) SG115709A1 (ja)
TW (1) TWI288308B (ja)

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019864A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Canon Inc 露光装置及び露光方法
JP2005101488A (ja) * 2002-12-10 2005-04-14 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
WO2005041276A1 (ja) * 2003-10-28 2005-05-06 Nikon Corporation 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
JP2006165500A (ja) * 2004-06-10 2006-06-22 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2006196906A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
WO2006080516A1 (ja) * 2005-01-31 2006-08-03 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2006093340A1 (en) * 2005-03-02 2006-09-08 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JP2006253456A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006261645A (ja) * 2005-02-21 2006-09-28 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
WO2006106851A1 (ja) * 2005-03-31 2006-10-12 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2006295161A (ja) * 2005-04-05 2006-10-26 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2007019463A (ja) * 2005-03-31 2007-01-25 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2007053329A (ja) * 2005-01-31 2007-03-01 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007525007A (ja) * 2003-06-24 2007-08-30 ラム リサーチ コーポレーション 液浸リソグラフィのために閉じこめられた液体を提供するための装置および方法
JP2007288185A (ja) * 2006-04-14 2007-11-01 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2008010893A (ja) * 2007-09-25 2008-01-17 Canon Inc 露光装置
JPWO2005104195A1 (ja) * 2004-04-19 2008-03-13 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JPWO2006080250A1 (ja) * 2005-01-25 2008-08-07 Jsr株式会社 液浸型露光システム、液浸型露光用液体のリサイクル方法及び供給方法
JP2009044168A (ja) * 2003-09-03 2009-02-26 Nikon Corp 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法
JP2009071316A (ja) * 2003-10-15 2009-04-02 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2009094532A (ja) * 2004-09-20 2009-04-30 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2009105472A (ja) * 2002-12-10 2009-05-14 Nikon Corp 真空システム、液浸露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP2009164623A (ja) * 2004-05-18 2009-07-23 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2010034555A (ja) * 2008-07-25 2010-02-12 Asml Netherlands Bv 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2010103532A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Asml Netherlands Bv 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2010118678A (ja) * 2003-08-26 2010-05-27 Nikon Corp 光学素子及び露光装置
JP2010171451A (ja) * 2004-06-10 2010-08-05 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2011082539A (ja) * 2005-02-21 2011-04-21 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2011258999A (ja) * 2005-01-31 2011-12-22 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
KR101391075B1 (ko) * 2005-08-15 2014-04-30 램 리써치 코포레이션 포토레지스트를 현상하는 장치 및 그 장치를 동작시키는방법
JP2014132357A (ja) * 2006-09-07 2014-07-17 Leica Microsystems Cms Gmbh 液浸対物レンズ、液浸膜を形成する装置及び方法
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method

Families Citing this family (222)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7234477B2 (en) 2000-06-30 2007-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
DE10123027B4 (de) * 2001-05-11 2005-07-21 Evotec Oai Ag Vorrichtung zur Untersuchung chemischer und/oder biologischer Proben
DE10239344A1 (de) * 2002-08-28 2004-03-11 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zum Abdichten einer Projektionsbelichtungsanlage
US8236382B2 (en) 2002-09-30 2012-08-07 Lam Research Corporation Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7632376B1 (en) 2002-09-30 2009-12-15 Lam Research Corporation Method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) in a proximity system
US7045018B2 (en) 2002-09-30 2006-05-16 Lam Research Corporation Substrate brush scrubbing and proximity cleaning-drying sequence using compatible chemistries, and method, apparatus, and system for implementing the same
US7614411B2 (en) 2002-09-30 2009-11-10 Lam Research Corporation Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head
US7997288B2 (en) 2002-09-30 2011-08-16 Lam Research Corporation Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate
US7513262B2 (en) 2002-09-30 2009-04-07 Lam Research Corporation Substrate meniscus interface and methods for operation
US6988327B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus
US7198055B2 (en) 2002-09-30 2007-04-03 Lam Research Corporation Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US7389783B2 (en) 2002-09-30 2008-06-24 Lam Research Corporation Proximity meniscus manifold
US7153400B2 (en) 2002-09-30 2006-12-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for depositing and planarizing thin films of semiconductor wafers
US7252097B2 (en) 2002-09-30 2007-08-07 Lam Research Corporation System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7372541B2 (en) * 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4362867B2 (ja) 2002-12-10 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7948604B2 (en) * 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
TW200421444A (en) * 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
SG171468A1 (en) * 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
JP4352874B2 (ja) * 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101036114B1 (ko) * 2002-12-10 2011-05-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
KR100971440B1 (ko) * 2002-12-19 2010-07-21 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
TW201908879A (zh) * 2003-02-26 2019-03-01 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
EP1610361B1 (en) * 2003-03-25 2014-05-21 Nikon Corporation Exposure system and device production method
WO2004090956A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101177331B1 (ko) * 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
SG141425A1 (en) * 2003-04-10 2008-04-28 Nikon Corp Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
KR101177330B1 (ko) * 2003-04-10 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치
WO2004090633A2 (en) * 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
KR101508809B1 (ko) * 2003-04-11 2015-04-06 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
JP4315198B2 (ja) * 2003-04-11 2009-08-19 株式会社ニコン 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法
JP4582089B2 (ja) * 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1624481A4 (en) * 2003-05-15 2008-01-30 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
TWI421906B (zh) * 2003-05-23 2014-01-01 尼康股份有限公司 An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
TWI424470B (zh) 2003-05-23 2014-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
CN100541717C (zh) 2003-05-28 2009-09-16 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3401946A1 (en) 2003-06-13 2018-11-14 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
KR101146962B1 (ko) * 2003-06-19 2012-05-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US7675000B2 (en) 2003-06-24 2010-03-09 Lam Research Corporation System method and apparatus for dry-in, dry-out, low defect laser dicing using proximity technology
JP4343597B2 (ja) * 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1498778A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6809794B1 (en) * 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1494074A1 (en) * 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1639391A4 (en) * 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS
EP2466382B1 (en) 2003-07-08 2014-11-26 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
EP2264531B1 (en) * 2003-07-09 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
WO2005006416A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法
WO2005006418A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7738074B2 (en) * 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1650787A4 (en) 2003-07-25 2007-09-19 Nikon Corp INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
EP2264534B1 (en) 2003-07-28 2013-07-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7370659B2 (en) * 2003-08-06 2008-05-13 Micron Technology, Inc. Photolithographic stepper and/or scanner machines including cleaning devices and methods of cleaning photolithographic stepper and/or scanner machines
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
SG145780A1 (en) 2003-08-29 2008-09-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI245163B (en) * 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4517367B2 (ja) 2003-09-03 2010-08-04 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4378136B2 (ja) * 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005083800A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Hitachi Ltd 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101421398B1 (ko) 2003-09-29 2014-07-18 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
KR101111364B1 (ko) 2003-10-08 2012-02-27 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광방법, 디바이스 제조 방법
JP2005136364A (ja) 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20060126949A (ko) 2003-10-08 2006-12-11 가부시키가이샤 니콘 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법
TW201738932A (zh) 2003-10-09 2017-11-01 Nippon Kogaku Kk 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法
KR101332543B1 (ko) * 2003-10-22 2013-11-25 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 디바이스의 제조 방법
US7352433B2 (en) * 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP3392713A1 (en) 2003-10-31 2018-10-24 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and method
JP2007525824A (ja) * 2003-11-05 2007-09-06 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. マイクロチップを製造するための方法および装置
EP1531362A3 (en) * 2003-11-13 2007-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置製造方法
TWI470371B (zh) 2003-12-03 2015-01-21 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, an element manufacturing method, and an optical component
WO2005059654A1 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
KR101499405B1 (ko) 2003-12-15 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
JP4308638B2 (ja) * 2003-12-17 2009-08-05 パナソニック株式会社 パターン形成方法
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7324274B2 (en) * 2003-12-24 2008-01-29 Nikon Corporation Microscope and immersion objective lens
JP2005191393A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
US8064044B2 (en) 2004-01-05 2011-11-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1706793B1 (en) 2004-01-20 2010-03-03 Carl Zeiss SMT AG Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2005076321A1 (ja) 2004-02-03 2005-08-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP3093873B1 (en) * 2004-02-04 2017-10-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device
CN100592210C (zh) 2004-02-13 2010-02-24 卡尔蔡司Smt股份公司 微平版印刷投影曝光装置的投影物镜
JP4220423B2 (ja) * 2004-03-24 2009-02-04 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
TWI402893B (zh) * 2004-03-25 2013-07-21 尼康股份有限公司 曝光方法
US8062471B2 (en) 2004-03-31 2011-11-22 Lam Research Corporation Proximity head heating method and apparatus
US7898642B2 (en) * 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1747499A2 (en) 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
JP3981368B2 (ja) * 2004-05-17 2007-09-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US7072021B2 (en) * 2004-05-17 2006-07-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20070029731A (ko) 2004-06-01 2007-03-14 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 자외선-투명성 알칸 및 진공 및 원자외선 응용에서 그의사용 방법
WO2005119368A2 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
EP2966670B1 (en) 2004-06-09 2017-02-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8373843B2 (en) * 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8717533B2 (en) * 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8508713B2 (en) * 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7481867B2 (en) 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
EP1756663B1 (en) * 2004-06-17 2015-12-16 Nikon Corporation Fluid pressure compensation for immersion lithography lens
US8698998B2 (en) * 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
EP3190605B1 (en) * 2004-06-21 2018-05-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
JP4809638B2 (ja) * 2004-07-01 2011-11-09 アイメック 液浸リソグラフィの方法および装置
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
ATE441937T1 (de) 2004-07-12 2009-09-15 Nikon Corp Belichtungsgerät und bauelemente- herstellungsverfahren
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1801853A4 (en) 2004-08-18 2008-06-04 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060044533A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-02 Asmlholding N.V. System and method for reducing disturbances caused by movement in an immersion lithography system
US20060046211A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Effectively water-free immersion lithography
SG10201802153XA (en) * 2004-09-17 2018-05-30 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device
US7379155B2 (en) 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006045748A2 (en) * 2004-10-22 2006-05-04 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure apparatus for microlithography
US7148951B2 (en) * 2004-10-25 2006-12-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US8547521B1 (en) * 2004-12-01 2013-10-01 Advanced Micro Devices, Inc. Systems and methods that control liquid temperature in immersion lithography to maintain temperature gradient to reduce turbulence
US7289193B1 (en) * 2004-12-01 2007-10-30 Advanced Micro Devices, Inc. Frame structure for turbulence control in immersion lithography
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1681597B1 (en) 2005-01-14 2010-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8692973B2 (en) * 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8018573B2 (en) * 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7864437B2 (en) * 2005-02-28 2011-01-04 Nikon Corporation Adaptor for microscope and microscope apparatus (microscope-use adaptor and microscope device)
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200644079A (en) * 2005-03-31 2006-12-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device production method
US20070132976A1 (en) * 2005-03-31 2007-06-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) * 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
US7317507B2 (en) 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7315033B1 (en) 2005-05-04 2008-01-01 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for reducing biological contamination in an immersion lithography system
US7751027B2 (en) 2005-06-21 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7652746B2 (en) * 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070085989A1 (en) * 2005-06-21 2007-04-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method
US7474379B2 (en) * 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7468779B2 (en) * 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7583358B2 (en) * 2005-07-25 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Systems and methods for retrieving residual liquid during immersion lens photolithography
US7456928B2 (en) * 2005-08-29 2008-11-25 Micron Technology, Inc. Systems and methods for controlling ambient pressure during processing of microfeature workpieces, including during immersion lithography
US7357768B2 (en) * 2005-09-22 2008-04-15 William Marshall Recliner exerciser
US7411658B2 (en) * 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4125315B2 (ja) * 2005-10-11 2008-07-30 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7656501B2 (en) 2005-11-16 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7804577B2 (en) * 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7773195B2 (en) * 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
KR100768849B1 (ko) * 2005-12-06 2007-10-22 엘지전자 주식회사 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법
US20070126999A1 (en) * 2005-12-07 2007-06-07 Nikon Corporation Apparatus and method for containing immersion liquid in immersion lithography
JP5027154B2 (ja) * 2005-12-22 2012-09-19 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 液浸露光装置及び液浸露光方法
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8472004B2 (en) * 2006-01-18 2013-06-25 Micron Technology, Inc. Immersion photolithography scanner
JP2007194484A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Toshiba Corp 液浸露光方法
US7446859B2 (en) * 2006-01-27 2008-11-04 International Business Machines Corporation Apparatus and method for reducing contamination in immersion lithography
US7787101B2 (en) 2006-02-16 2010-08-31 International Business Machines Corporation Apparatus and method for reducing contamination in immersion lithography
US7893047B2 (en) * 2006-03-03 2011-02-22 Arch Chemicals, Inc. Biocide composition comprising pyrithione and pyrrole derivatives
US9477158B2 (en) * 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
DE102006023876A1 (de) * 2006-05-19 2007-11-22 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung
US8027023B2 (en) 2006-05-19 2011-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device and method for reducing dynamic fluctuations in pressure difference
US7928366B2 (en) 2006-10-06 2011-04-19 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for accessing a process chamber using a dual zone gas injector with improved optical access
US20080009260A1 (en) * 2006-07-10 2008-01-10 Mediatek Inc. Mixer with dynamic intermediate frequency for radio-frequency front-end and method using the same
US20080067335A1 (en) * 2006-07-17 2008-03-20 Ya-Ching Hou Method of moving bubbles
US8813764B2 (en) 2009-05-29 2014-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer
US8208116B2 (en) * 2006-11-03 2012-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
US20080138631A1 (en) * 2006-12-06 2008-06-12 International Business Machines Corporation Method to reduce mechanical wear of immersion lithography apparatus
US8146902B2 (en) 2006-12-21 2012-04-03 Lam Research Corporation Hybrid composite wafer carrier for wet clean equipment
US8004651B2 (en) 2007-01-23 2011-08-23 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8654305B2 (en) 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US7978303B2 (en) * 2007-03-27 2011-07-12 United Microelectronics Corp. Method for removing micro-bubbles and/or particles from liquid, liquid supply apparatus and immersion exposure apparatus
US8464736B1 (en) 2007-03-30 2013-06-18 Lam Research Corporation Reclaim chemistry
US7975708B2 (en) 2007-03-30 2011-07-12 Lam Research Corporation Proximity head with angled vacuum conduit system, apparatus and method
CN101281375B (zh) * 2007-04-04 2011-02-09 联华电子股份有限公司 去除液体中微气泡/微粒的方法、液体供应装置及其应用
US8141566B2 (en) 2007-06-19 2012-03-27 Lam Research Corporation System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus
TWI389551B (zh) * 2007-08-09 2013-03-11 Mstar Semiconductor Inc 迦瑪校正裝置
US8681308B2 (en) * 2007-09-13 2014-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
WO2009050976A1 (en) 2007-10-16 2009-04-23 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
EP2179329A1 (en) 2007-10-16 2010-04-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2009188241A (ja) * 2008-02-07 2009-08-20 Toshiba Corp 液浸露光装置及び液浸露光方法
KR101448152B1 (ko) * 2008-03-26 2014-10-07 삼성전자주식회사 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서
NL1036715A1 (nl) * 2008-04-16 2009-10-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
JP5097166B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置の動作方法
WO2009145048A1 (ja) 2008-05-28 2009-12-03 株式会社ニコン 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法
SG159467A1 (en) * 2008-09-02 2010-03-30 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
US8477284B2 (en) * 2008-10-22 2013-07-02 Nikon Corporation Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials
US8634055B2 (en) * 2008-10-22 2014-01-21 Nikon Corporation Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials
NL2004162A (en) * 2009-02-17 2010-08-18 Asml Netherlands Bv A fluid supply system, a lithographic apparatus, a method of varying fluid flow rate and a device manufacturing method.
NL2005207A (en) * 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US20110222031A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
US8476004B2 (en) 2011-06-27 2013-07-02 United Microelectronics Corp. Method for forming photoresist patterns
TWI457180B (zh) * 2011-08-15 2014-10-21 Hermes Epitek Corp 氣體噴頭
US8701052B1 (en) 2013-01-23 2014-04-15 United Microelectronics Corp. Method of optical proximity correction in combination with double patterning technique
US8627242B1 (en) 2013-01-30 2014-01-07 United Microelectronics Corp. Method for making photomask layout
US9230812B2 (en) 2013-05-22 2016-01-05 United Microelectronics Corp. Method for forming semiconductor structure having opening

Family Cites Families (152)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE206607C (ja)
GB1242527A (en) * 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
JPS55115052A (en) * 1979-02-27 1980-09-04 Ricoh Co Ltd Orignal recirculating device of copying machine
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
US4405701A (en) 1981-07-29 1983-09-20 Western Electric Co. Methods of fabricating a photomask
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
US4489910A (en) * 1982-05-24 1984-12-25 Ferguson Joseph D Mounting bracket for traffic signal installation
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US4778995A (en) 1987-05-12 1988-10-18 Eastman Kodak Company Stimulable phosphor imaging apparatus
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
US5962028A (en) * 1988-04-20 1999-10-05 Norian Corporation Carbonated hydroxyapatite compositions and uses
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
FR2724689B1 (fr) * 1994-09-16 1997-01-24 Kuhn Sa Mecanisme de verrouillage destine a equiper principalement une machine agricole
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5590537A (en) 1995-09-07 1997-01-07 The Perkin-Elmer Corporation Dry gas curtain for cryogenic surface
US6297871B1 (en) * 1995-09-12 2001-10-02 Nikon Corporation Exposure apparatus
US6104687A (en) 1996-08-26 2000-08-15 Digital Papyrus Corporation Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3466054B2 (ja) * 1997-04-18 2003-11-10 富士通株式会社 グループ化と集計演算処理方式
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
US5994430A (en) 1997-04-30 1999-11-30 Clariant Finance Bvi) Limited Antireflective coating compositions for photoresist compositions and use thereof
JP3817836B2 (ja) * 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
KR20010031972A (ko) 1997-11-12 2001-04-16 오노 시게오 노광 장치, 디바이스 제조 장치 및 노광 장치의 제조 방법
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
EP1039511A4 (en) 1997-12-12 2005-03-02 Nikon Corp PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS
AU2747999A (en) * 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2000292908A (ja) 1999-04-02 2000-10-20 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィー用ペリクル
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
TW513617B (en) 1999-04-21 2002-12-11 Asml Corp Lithographic projection apparatus and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus
JP4215900B2 (ja) 1999-08-13 2009-01-28 アルプス電気株式会社 ウェット処理用ノズル装置およびウェット処理装置
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
JP2001272604A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
DE50005527D1 (de) 2000-08-05 2004-04-08 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh Laserbearbeitungsmaschine mit wenigstens einem mit einem Spülmedium beaufschlagbaren optischen Element
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
US6398939B1 (en) 2001-03-09 2002-06-04 Phelps Dodge Corporation Method and apparatus for controlling flow in an electrodeposition process
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
JP2002373852A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置
US6954255B2 (en) 2001-06-15 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
KR20050044371A (ko) 2001-11-07 2005-05-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 광학 스폿 그리드 어레이 프린터
DE10305258A1 (de) 2002-02-08 2003-08-21 Creo Inc Verfahren und Vorrichtung zum Schutz von optischen Elementen
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7092069B2 (en) 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
JP4117530B2 (ja) 2002-04-04 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 液量判定装置、露光装置、および液量判定方法
US7690324B1 (en) 2002-06-28 2010-04-06 Novellus Systems, Inc. Small-volume electroless plating cell
GR1004408B (el) * 2002-08-14 2003-12-22 Αναλογικη μουσικη σημειογραφια
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2495613B1 (en) * 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121829A1 (en) 2002-11-29 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
TW200421444A (en) 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
JP4362867B2 (ja) * 2002-12-10 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101036114B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
KR20050085236A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
KR20050062665A (ko) 2002-12-10 2005-06-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
WO2004053957A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
CN100429748C (zh) 2002-12-10 2008-10-29 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
EP1429190B1 (en) 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
JP4184346B2 (ja) 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
DE60307322T2 (de) * 2002-12-19 2007-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
US7010958B2 (en) 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
KR100971440B1 (ko) 2002-12-19 2010-07-21 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
TW201908879A (zh) 2003-02-26 2019-03-01 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
EP1610361B1 (en) 2003-03-25 2014-05-21 Nikon Corporation Exposure system and device production method
WO2004090956A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
KR101177330B1 (ko) 2003-04-10 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
SG141425A1 (en) 2003-04-10 2008-04-28 Nikon Corp Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
JP4315198B2 (ja) 2003-04-11 2009-08-19 株式会社ニコン 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法
JP4582089B2 (ja) * 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
KR101508809B1 (ko) 2003-04-11 2015-04-06 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
TWI237307B (en) 2003-05-01 2005-08-01 Nikon Corp Optical projection system, light exposing apparatus and light exposing method
KR101647934B1 (ko) 2003-05-06 2016-08-11 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1624481A4 (en) 2003-05-15 2008-01-30 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
US6995833B2 (en) 2003-05-23 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
TWI421906B (zh) 2003-05-23 2014-01-01 尼康股份有限公司 An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
TWI424470B (zh) 2003-05-23 2014-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
CN100541717C (zh) * 2003-05-28 2009-09-16 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法
US7274472B2 (en) 2003-05-28 2007-09-25 Timbre Technologies, Inc. Resolution enhanced optical metrology
TWI442694B (zh) 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7684008B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3401946A1 (en) 2003-06-13 2018-11-14 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
KR101146962B1 (ko) 2003-06-19 2012-05-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1494074A1 (en) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1494075B1 (en) 2003-06-30 2008-06-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7932020B2 (en) * 2003-07-10 2011-04-26 Takumi Technology Corporation Contact or proximity printing using a magnified mask image
US20070132969A1 (en) 2003-07-24 2007-06-14 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and method for introducing an immersion liquid into an immersion space
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7700267B2 (en) 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7579135B2 (en) 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG145780A1 (en) 2003-08-29 2008-09-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
JP4378136B2 (ja) * 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
KR20060126949A (ko) 2003-10-08 2006-12-11 가부시키가이샤 니콘 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법
JP4323946B2 (ja) 2003-12-19 2009-09-02 キヤノン株式会社 露光装置
US20050231695A1 (en) 2004-04-15 2005-10-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for immersion lithography using high PH immersion fluid

Cited By (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009105472A (ja) * 2002-12-10 2009-05-14 Nikon Corp 真空システム、液浸露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP4596077B2 (ja) * 2002-12-10 2010-12-08 株式会社ニコン 真空システム、液浸露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP2005101488A (ja) * 2002-12-10 2005-04-14 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP4529433B2 (ja) * 2002-12-10 2010-08-25 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
KR101117052B1 (ko) 2003-06-24 2012-02-22 램 리써치 코포레이션 액침 리소그래피용 침지액을 제공하는 장치 및 방법
JP2007525007A (ja) * 2003-06-24 2007-08-30 ラム リサーチ コーポレーション 液浸リソグラフィのために閉じこめられた液体を提供するための装置および方法
JP2005019864A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Canon Inc 露光装置及び露光方法
US7466393B2 (en) 2003-06-27 2008-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Immersion exposure technique
US7561248B2 (en) 2003-06-27 2009-07-14 Canon Kabushiki Kaisha Immersion exposure technique
US7372542B2 (en) 2003-06-27 2008-05-13 Canon Kabushiki Kaisha Immersion exposure technique
US7619714B2 (en) 2003-06-27 2009-11-17 Canon Kabushiki Kaisha Immersion exposure technique
US7679718B2 (en) 2003-06-27 2010-03-16 Canon Kabushiki Kaisha Immersion exposure technique
US7420651B2 (en) 2003-06-27 2008-09-02 Canon Kabushiki Kaisha Immersion exposure technique
US7349064B2 (en) 2003-06-27 2008-03-25 Canon Kabushiki Kaisha Immersion exposure technique
US7450216B2 (en) 2003-06-27 2008-11-11 Canon Kabushiki Kaisha Immersion exposure technique
JP2010118678A (ja) * 2003-08-26 2010-05-27 Nikon Corp 光学素子及び露光装置
US9817319B2 (en) 2003-09-03 2017-11-14 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US10203610B2 (en) 2003-09-03 2019-02-12 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
JP2016026309A (ja) * 2003-09-03 2016-02-12 株式会社ニコン 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法
JP2014197716A (ja) * 2003-09-03 2014-10-16 株式会社ニコン 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法
JP2009044168A (ja) * 2003-09-03 2009-02-26 Nikon Corp 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法
US8174674B2 (en) 2003-10-15 2012-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8570486B2 (en) 2003-10-15 2013-10-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009071316A (ja) * 2003-10-15 2009-04-02 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US7932996B2 (en) 2003-10-28 2011-04-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
WO2005041276A1 (ja) * 2003-10-28 2005-05-06 Nikon Corporation 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
JP4605014B2 (ja) * 2003-10-28 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
US8272544B2 (en) 2003-10-28 2012-09-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method
US8797506B2 (en) 2003-10-28 2014-08-05 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method
JPWO2005041276A1 (ja) * 2003-10-28 2007-04-26 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US10281632B2 (en) 2003-11-20 2019-05-07 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction
US10234770B2 (en) 2004-02-06 2019-03-19 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10241417B2 (en) 2004-02-06 2019-03-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
JPWO2005104195A1 (ja) * 2004-04-19 2008-03-13 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US9599907B2 (en) 2004-04-19 2017-03-21 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8488099B2 (en) 2004-04-19 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2014078761A (ja) * 2004-04-19 2014-05-01 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP4677986B2 (ja) * 2004-04-19 2011-04-27 株式会社ニコン ノズル部材、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
US10761438B2 (en) 2004-05-18 2020-09-01 Asml Netherlands B.V. Active drying station and method to remove immersion liquid using gas flow supply with gas outlet between two gas inlets
JP2009164623A (ja) * 2004-05-18 2009-07-23 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US9623436B2 (en) 2004-05-18 2017-04-18 Asml Netherlands B.V. Active drying station and method to remove immersion liquid using gas flow supply with gas outlet between two gas inlets
US9529273B2 (en) 2004-06-10 2016-12-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP2006165500A (ja) * 2004-06-10 2006-06-22 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US9778580B2 (en) 2004-06-10 2017-10-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP2018063450A (ja) * 2004-06-10 2018-04-19 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2011199310A (ja) * 2004-06-10 2011-10-06 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US10203614B2 (en) 2004-06-10 2019-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4515335B2 (ja) * 2004-06-10 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、ノズル部材、及びデバイス製造方法
JP2010171451A (ja) * 2004-06-10 2010-08-05 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2012129561A (ja) * 2004-06-10 2012-07-05 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2009094532A (ja) * 2004-09-20 2009-04-30 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2012114459A (ja) * 2005-01-14 2012-06-14 Asml Netherlands Bv リソグラフィ投影装置
US8675173B2 (en) 2005-01-14 2014-03-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006196906A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US7924403B2 (en) 2005-01-14 2011-04-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device and device manufacturing method
JP2009088551A (ja) * 2005-01-14 2009-04-23 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JPWO2006080250A1 (ja) * 2005-01-25 2008-08-07 Jsr株式会社 液浸型露光システム、液浸型露光用液体のリサイクル方法及び供給方法
JP2011258999A (ja) * 2005-01-31 2011-12-22 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007053329A (ja) * 2005-01-31 2007-03-01 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
WO2006080516A1 (ja) * 2005-01-31 2006-08-03 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US9746781B2 (en) 2005-01-31 2017-08-29 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR101513840B1 (ko) 2005-01-31 2015-04-20 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101427056B1 (ko) 2005-01-31 2014-08-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101440617B1 (ko) 2005-01-31 2014-09-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2014170974A (ja) * 2005-01-31 2014-09-18 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2011101034A (ja) * 2005-02-21 2011-05-19 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006261645A (ja) * 2005-02-21 2006-09-28 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2011082539A (ja) * 2005-02-21 2011-04-21 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
WO2006093340A1 (en) * 2005-03-02 2006-09-08 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JP2006253456A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP4622595B2 (ja) * 2005-03-11 2011-02-02 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
WO2006106851A1 (ja) * 2005-03-31 2006-10-12 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2007019463A (ja) * 2005-03-31 2007-01-25 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US9429853B2 (en) 2005-04-05 2016-08-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006295161A (ja) * 2005-04-05 2006-10-26 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4667290B2 (ja) * 2005-04-05 2011-04-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US10209629B2 (en) 2005-04-05 2019-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2011066416A (ja) * 2005-04-05 2011-03-31 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US10495984B2 (en) 2005-04-05 2019-12-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010074187A (ja) * 2005-04-05 2010-04-02 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US8976334B2 (en) 2005-04-05 2015-03-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9857695B2 (en) 2005-04-05 2018-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8988651B2 (en) 2005-04-05 2015-03-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
KR101391075B1 (ko) * 2005-08-15 2014-04-30 램 리써치 코포레이션 포토레지스트를 현상하는 장치 및 그 장치를 동작시키는방법
US8634059B2 (en) 2006-04-14 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007288185A (ja) * 2006-04-14 2007-11-01 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2011035423A (ja) * 2006-04-14 2011-02-17 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2014132357A (ja) * 2006-09-07 2014-07-17 Leica Microsystems Cms Gmbh 液浸対物レンズ、液浸膜を形成する装置及び方法
JP2008010893A (ja) * 2007-09-25 2008-01-17 Canon Inc 露光装置
JP4533416B2 (ja) * 2007-09-25 2010-09-01 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9383654B2 (en) 2008-07-25 2016-07-05 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010034555A (ja) * 2008-07-25 2010-02-12 Asml Netherlands Bv 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US11143968B2 (en) 2008-07-25 2021-10-12 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
US8508712B2 (en) 2008-10-23 2013-08-13 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010103532A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Asml Netherlands Bv 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8730450B2 (en) 2014-05-20
TW200502719A (en) 2005-01-16
US20140333910A1 (en) 2014-11-13
JP4083710B2 (ja) 2008-04-30
US9715178B2 (en) 2017-07-25
DE602004027193D1 (de) 2010-07-01
EP1489462A2 (en) 2004-12-22
US20140233003A1 (en) 2014-08-21
CN101241308A (zh) 2008-08-13
JP2011066458A (ja) 2011-03-31
US20080180645A1 (en) 2008-07-31
US7411650B2 (en) 2008-08-12
CN100371827C (zh) 2008-02-27
CN1573571A (zh) 2005-02-02
EP1489462B1 (en) 2010-05-19
US20050168713A1 (en) 2005-08-04
US20110273680A1 (en) 2011-11-10
US20110273676A1 (en) 2011-11-10
US20170293231A1 (en) 2017-10-12
JP2008022042A (ja) 2008-01-31
TWI288308B (en) 2007-10-11
SG115709A1 (en) 2005-10-28
JP2010187009A (ja) 2010-08-26
JP4806726B2 (ja) 2011-11-02
US20120140200A1 (en) 2012-06-07
US20040257544A1 (en) 2004-12-23
KR100609795B1 (ko) 2006-08-08
US8670105B2 (en) 2014-03-11
KR20040111122A (ko) 2004-12-31
US6867844B2 (en) 2005-03-15
US8004649B2 (en) 2011-08-23
US9709899B2 (en) 2017-07-18
EP1489462A3 (en) 2006-06-07
JP4705943B2 (ja) 2011-06-22
US8817230B2 (en) 2014-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4083710B2 (ja) 浸漬フォトリソグラフィシステム及びマイクロチャネルノズルを使用する方法
JP6259489B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
CN101666983B (zh) 流体处理结构、光刻设备和器件制造方法
JP4545119B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5437761B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
KR101099059B1 (ko) 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법
US20060023189A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101160948B1 (ko) 리소그래피 장치

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060914

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060915

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20060904

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061226

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070323

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070328

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070416

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070711

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071009

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20071114

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080115

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080213

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130222

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130222

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140222

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees