JP4667290B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4667290B2 JP4667290B2 JP2006102872A JP2006102872A JP4667290B2 JP 4667290 B2 JP4667290 B2 JP 4667290B2 JP 2006102872 A JP2006102872 A JP 2006102872A JP 2006102872 A JP2006102872 A JP 2006102872A JP 4667290 B2 JP4667290 B2 JP 4667290B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- space
- lithographic apparatus
- projection system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 189
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 122
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 55
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 55
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 61
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001122767 Theaceae Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 229920003259 poly(silylenemethylene) Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
Description
(1)ステップ・モードでは、放射線ビームに与えられたパターン全体を1回でターゲット部分Cに投影しながらマスク・テーブルMTおよび基板テーブルWTが本質的に静止した状態に保たれる(すなわち、ただ1回の静止露光)。次いで、異なるターゲット部分Cを露光することができるように、基板テーブルWTをXおよび/またはY方向に移動させる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の静止露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
(2)走査モードでは、放射線ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影しながらマスク・テーブルMTおよび基板テーブルWTが同期して走査される(すなわち、ただ1回の動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)率、および像の反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の動的露光におけるターゲット部分の(非走査方向の)幅が制限され、走査移動の長さによってターゲット部分の(走査方向の)高さが決定される。
(3)他のモードでは、マスク・テーブルMTを本質的に静止した状態に保ってプログラム可能なパターン付与デバイスを保持し、放射線ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影しながら基板テーブルWTが移動または走査される。このモードでは、一般にパルス式の放射線源が使用され、基板テーブルWTが移動するたびに、または走査中の連続する放射線パルスの合間に、プログラム可能なパターン付与デバイスが必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイなど、プログラム可能なパターン付与デバイスを利用したマスクレス・リソグラフィに簡単に適用することができる。
B 放射線ビーム
BD ビーム伝達システム
C、TP ターゲット部分
IF 位置センサ
IL 照明器
M1、M2 マスク・アライメント・マーク
MA パターン付与デバイス、マスク
MT マスク・テーブル、支持体
P1、P2 基板アライメント・マーク
PS 投影システム
PM、PW 位置決めデバイス
RF 基準フレーム
SO 放射線源
W 基板
WT 基板テーブル
IN 入口
OUT 出口
d オリフィスの直径
t 壁の厚さ
11 空間
12 シール部材、バリア部材
80 底面
120、122 チャンバ
121 オリフィス、孔
123 プレート
124 液体入口、オリフィス
126 外側プレート、外壁
128 入口、供給部、入力部
180 液体除去デバイス、液体抽出ユニット、抽出装置
184、324、328 出口
220 障壁
222 オーバーフロー領域、オーバーフロー、溝
223 頂部プレート
224 孔のアレイ、メッシュ、抽出システム
228 抽出装置、出口、ポート
320 陥凹部
322、1248 入口
330 ボリューム
340 隙間
420 ガス・ナイフ
500 浸漬液
1128、1228、1148、1184、1328 弁
1500 リザーバ
2228、2148、2328 低圧源
Claims (19)
- リソグラフィ装置であって、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
パターンが形成された放射線ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
前記投影システムの最終要素と前記基板テーブルの間の空間を取り囲む面を有するバリア部材であって、該バリア部材は前記最終要素と前記基板の間の空間に液体を包含するように構成され、また該バリア部材は、液体を前記空間に供給するように構成された液体入口、および液体を前記空間から除去するように構成された液体出口を有し、前記液体入口および/または前記液体出口は前記面の内周の一部分に延びており、前記液体入口と前記液体出口とは基板から高さを異なる距離に設けられ、前記液体入口および前記液体出口が前記空間を挟んで向かい合うように配置されているバリア部材と
を有するリソグラフィ装置。 - バリア部材の内側周縁に対する前記一部分の比率が約1/2未満であり約1/20より大きい請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- バリア部材の内側周縁に対する前記一部分の比率が約1/3未満であり約1/15より大きい請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記液体入口および前記液体出口が、前記面の内周の異なる部分に沿って配置されている請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記液体出口が、前記内周をたどる方向の位置によって異なる液体抽出速度を提供するように構成されている請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 最大抽出速度が、実質的に前記液体入口に対向する位置において提供される請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記液体出口が、実質的に前記内周全体に延びている請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置であって、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
パターンが形成された放射線ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
前記投影システムの最終要素と前記基板テーブルの間の空間を取り囲む面を有するバリア部材であって、該バリア部材は前記最終要素と前記基板の間の空間に液体を包含するように構成されており、また液体を前記空間に供給するように構成された液体入口を有しているバリア部材と
を有するリソグラフィ装置において、
前記入口は、プレート部材によって前記空間から隔てられた前記バリア部材内のチャンバを有し、
前記プレート部材は前記面の少なくとも一部を形成し、また前記チャンバと前記空間との間に液体が該プレート部材を通して流れるための複数のスルー・ホールを有し、
前記プレート部材は基板に対し傾斜しており、前記スルー・ホールの軸線は基板上面から離れるように前記投影システムの方に傾斜されている
ことを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記複数のスルー・ホールが、前記プレート部材内で2次元アレイを形成している請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記スルー・ホールが、前記プレート部材の厚さより大きくない直径を有している請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記スルー・ホールが、1平方ミリメートル当たり少なくとも1つのスルー・ホールの密度を有している請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記スルー・ホールの直径が、約0.005から約1mmまでの範囲内である請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記スルー・ホールの直径が、約0.05から約1mmまでの範囲内である請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記スルー・ホールの軸線の方向が、実質的に前記面と垂直である請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記スルー・ホールの各軸線の方向が、実質的に平行である請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記スルー・ホールの軸線の方向を、前記基板から離れるように、前記投影システムの方に約5°〜約40°だけ傾斜させた請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記スルー・ホールが前記周の一部分に沿って延びている請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 投影システムを用いて、パターンが形成された放射線ビームを基板に投影するステップであって、バリア部材が、前記パターンが形成されたビームを投影する投影システムの最終要素と基板との間の空間を取り囲む面を有し、且つ前記最終要素と前記基板の間の空間に液体を包含するように構成されているステップと、
液体入口を介して液体を前記空間に供給するステップと、
液体出口を介して液体を前記空間から除去するステップと
を含むデバイス製造方法であって、
前記液体入口および/または前記液体出口が前記面の内周の一部分に延びており、前記液体入口と前記液体出口とは基板から高さを異なる距離に設けられ、前記液体入口および前記液体出口が前記空間を挟んで向かい合うように配置されている方法。 - 投影システムを用いて、パターンが形成された放射線ビームを基板に投影するステップを含むデバイス製造方法であって、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間に液体が供給され、前記液体が、面を有するバリア部材によって包含され、且つプレート部材によって前記空間から隔てられた前記バリア部材内のチャンバを有する入口を介して前記空間に供給され、前記プレート部材が前記チャンバと前記空間との間に延びる複数のスルー・ホールを有し、前記プレート部材は基板に対し傾斜しており、前記スルー・ホールの軸線は基板上面から離れるように前記投影システムの方に傾斜されており、該スルー・ホールを通して前記液体が流れる方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/098,615 US7411654B2 (en) | 2005-04-05 | 2005-04-05 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009292141A Division JP5474524B2 (ja) | 2005-04-05 | 2009-12-24 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2010206356A Division JP5270631B2 (ja) | 2005-04-05 | 2010-09-15 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006295161A JP2006295161A (ja) | 2006-10-26 |
JP2006295161A5 JP2006295161A5 (ja) | 2010-11-11 |
JP4667290B2 true JP4667290B2 (ja) | 2011-04-06 |
Family
ID=36591286
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006102872A Active JP4667290B2 (ja) | 2005-04-05 | 2006-04-04 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2009292141A Expired - Fee Related JP5474524B2 (ja) | 2005-04-05 | 2009-12-24 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2010206356A Expired - Fee Related JP5270631B2 (ja) | 2005-04-05 | 2010-09-15 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009292141A Expired - Fee Related JP5474524B2 (ja) | 2005-04-05 | 2009-12-24 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2010206356A Expired - Fee Related JP5270631B2 (ja) | 2005-04-05 | 2010-09-15 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (8) | US7411654B2 (ja) |
EP (1) | EP1710630A3 (ja) |
JP (3) | JP4667290B2 (ja) |
KR (1) | KR100759065B1 (ja) |
CN (3) | CN101256365B (ja) |
SG (4) | SG171645A1 (ja) |
TW (2) | TWI340303B (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100585476B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2006-06-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
US8692973B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
WO2006080516A1 (ja) | 2005-01-31 | 2006-08-03 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TW200644079A (en) * | 2005-03-31 | 2006-12-16 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and device production method |
US20070132976A1 (en) * | 2005-03-31 | 2007-06-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US7411654B2 (en) | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7385673B2 (en) * | 2005-06-10 | 2008-06-10 | International Business Machines Corporation | Immersion lithography with equalized pressure on at least projection optics component and wafer |
US7834974B2 (en) * | 2005-06-28 | 2010-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7468779B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7474379B2 (en) | 2005-06-28 | 2009-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411658B2 (en) | 2005-10-06 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI397945B (zh) * | 2005-11-14 | 2013-06-01 | 尼康股份有限公司 | A liquid recovery member, an exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method |
US7633073B2 (en) * | 2005-11-23 | 2009-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7701551B2 (en) | 2006-04-14 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9477158B2 (en) | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8144305B2 (en) * | 2006-05-18 | 2012-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8004651B2 (en) | 2007-01-23 | 2011-08-23 | Nikon Corporation | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method |
US20080231823A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-09-25 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for reducing the escape of immersion liquid from immersion lithography apparatus |
US20090122282A1 (en) * | 2007-05-21 | 2009-05-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, liquid immersion system, exposing method, and device fabricating method |
US8681308B2 (en) * | 2007-09-13 | 2014-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG151198A1 (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-30 | Asml Netherlands Bv | Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus |
US8233139B2 (en) * | 2008-03-27 | 2012-07-31 | Nikon Corporation | Immersion system, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
NL1036715A1 (nl) | 2008-04-16 | 2009-10-19 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus. |
NL2003333A (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-26 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US8896806B2 (en) | 2008-12-29 | 2014-11-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5407383B2 (ja) * | 2009-02-05 | 2014-02-05 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
NL2004162A (en) * | 2009-02-17 | 2010-08-18 | Asml Netherlands Bv | A fluid supply system, a lithographic apparatus, a method of varying fluid flow rate and a device manufacturing method. |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
US20120013864A1 (en) * | 2010-07-14 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
CN104570613B (zh) * | 2013-10-25 | 2018-01-19 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 浸没头、浸没流场初始化和维持方法及光刻设备 |
CN104950585B (zh) * | 2014-03-25 | 2017-06-27 | 上海微电子装备有限公司 | 一种浸液限制机构 |
USD850951S1 (en) * | 2017-08-04 | 2019-06-11 | Inno Instrument (China) .Inc | Optical time domain reflectometer |
CN112631082B (zh) * | 2020-12-25 | 2024-04-05 | 浙江启尔机电技术有限公司 | 一种浸液供给装置 |
CN113189849B (zh) * | 2021-04-22 | 2023-08-11 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种近场光刻浸没系统及其浸没单元和接口模组 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005012228A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Asml Holding Nv | 浸漬フォトリソグラフィシステム及びマイクロチャネルノズルを使用する方法 |
JP2005057278A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Family Cites Families (131)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE206607C (ja) | ||||
DE242880C (ja) | ||||
DE224448C (ja) | ||||
DE221563C (ja) | ||||
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
ATE1462T1 (de) | 1979-07-27 | 1982-08-15 | Werner W. Dr. Tabarelli | Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe. |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4390273A (en) | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD206607A1 (de) | 1982-06-16 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten |
DD242880A1 (de) | 1983-01-31 | 1987-02-11 | Kuch Karl Heinz | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
US5040020A (en) | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
US5121256A (en) | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US6297871B1 (en) * | 1995-09-12 | 2001-10-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
US6104687A (en) | 1996-08-26 | 2000-08-15 | Digital Papyrus Corporation | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
AU1505699A (en) | 1997-12-12 | 1999-07-05 | Nikon Corporation | Projection exposure method and projection aligner |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
TWI242111B (en) | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
TW591653B (en) | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
US7731904B2 (en) * | 2000-09-19 | 2010-06-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for making probe support and apparatus used for the method |
JP3507462B2 (ja) * | 2000-09-19 | 2004-03-15 | キヤノン株式会社 | プローブ担体の製造方法及びそれに用いる装置 |
DE10050349C2 (de) * | 2000-10-11 | 2002-11-07 | Schott Glas | Verfahren zur Bestimmung der Strahlenbeständigkeit von Kristallen und deren Verwendung |
WO2002091078A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6600547B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
US6897941B2 (en) | 2001-11-07 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Optical spot grid array printer |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
JP4117530B2 (ja) | 2002-04-04 | 2008-07-16 | セイコーエプソン株式会社 | 液量判定装置、露光装置、および液量判定方法 |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101349876B (zh) | 2002-11-12 | 2010-12-01 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
KR100585476B1 (ko) | 2002-11-12 | 2006-06-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
EP1420298B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1571696A4 (en) | 2002-12-10 | 2008-03-26 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
CN1717776A (zh) | 2002-12-10 | 2006-01-04 | 株式会社尼康 | 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置 |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2004053955A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
AU2003289271A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device |
SG171468A1 (en) | 2002-12-10 | 2011-06-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
SG150388A1 (en) | 2002-12-10 | 2009-03-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
US7242455B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
AU2003302830A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
DE60326384D1 (de) | 2002-12-13 | 2009-04-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht |
US7514699B2 (en) | 2002-12-19 | 2009-04-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
WO2004057590A1 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
KR101381538B1 (ko) | 2003-02-26 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
CN101354539B (zh) * | 2003-02-26 | 2011-01-26 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
WO2004090956A1 (ja) * | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR20110104084A (ko) | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
KR101431938B1 (ko) | 2003-04-10 | 2014-08-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
WO2004090633A2 (en) * | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
EP2950148B1 (en) | 2003-04-10 | 2016-09-21 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
KR101129213B1 (ko) | 2003-04-10 | 2012-03-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 액체를 수집하는 런-오프 경로 |
WO2004092830A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
SG2013077797A (en) | 2003-04-11 | 2017-02-27 | Nippon Kogaku Kk | Cleanup method for optics in immersion lithography |
SG139736A1 (en) | 2003-04-11 | 2008-02-29 | Nikon Corp | Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly |
EP1614000B1 (en) | 2003-04-17 | 2012-01-18 | Nikon Corporation | Immersion lithographic apparatus |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7274472B2 (en) | 2003-05-28 | 2007-09-25 | Timbre Technologies, Inc. | Resolution enhanced optical metrology |
TWI347741B (en) * | 2003-05-30 | 2011-08-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1486827B1 (en) | 2003-06-11 | 2011-11-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005019616A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP4343597B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1494074A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005026634A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-01-27 | Sony Corp | 露光装置および半導体装置の製造方法 |
JP4697138B2 (ja) | 2003-07-08 | 2011-06-08 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法 |
US7738074B2 (en) | 2003-07-16 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
JP4168880B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2008-10-22 | 株式会社ニコン | 液浸用溶液 |
CN101430508B (zh) * | 2003-09-03 | 2011-08-10 | 株式会社尼康 | 为浸没光刻提供流体的装置和方法 |
JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4438747B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2010-03-24 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光装置の洗浄方法、メンテナンス方法並びにデバイスの製造方法 |
EP2267536B1 (en) | 2003-10-28 | 2017-04-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
JP2005159322A (ja) | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
JP2005175016A (ja) | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
US20050126282A1 (en) * | 2003-12-16 | 2005-06-16 | Josef Maatuk | Liquid sensor and ice detector |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005191393A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2005191381A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
ATE467902T1 (de) * | 2004-01-05 | 2010-05-15 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4018647B2 (ja) | 2004-02-09 | 2007-12-05 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2005286068A (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
JP4510494B2 (ja) | 2004-03-29 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US7227619B2 (en) * | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7057702B2 (en) * | 2004-06-23 | 2006-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7379155B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124359A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411654B2 (en) * | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101414833B (zh) * | 2007-10-19 | 2010-08-04 | 中兴通讯股份有限公司 | 低密度生成矩阵码的编码方法及装置 |
-
2005
- 2005-04-05 US US11/098,615 patent/US7411654B2/en active Active
-
2006
- 2006-04-03 SG SG201103111-9A patent/SG171645A1/en unknown
- 2006-04-03 EP EP06251863A patent/EP1710630A3/en not_active Withdrawn
- 2006-04-03 SG SG200807528-5A patent/SG147423A1/en unknown
- 2006-04-03 SG SG200602210A patent/SG126135A1/en unknown
- 2006-04-03 SG SG201103112-7A patent/SG171646A1/en unknown
- 2006-04-04 TW TW098145195A patent/TWI340303B/zh active
- 2006-04-04 JP JP2006102872A patent/JP4667290B2/ja active Active
- 2006-04-04 CN CN2008100926086A patent/CN101256365B/zh active Active
- 2006-04-04 CN CN2010101639669A patent/CN101807011B/zh active Active
- 2006-04-04 TW TW095112016A patent/TWI328721B/zh active
- 2006-04-04 CN CN2006100740868A patent/CN1847987B/zh active Active
- 2006-04-05 KR KR1020060031143A patent/KR100759065B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-04-11 US US12/081,168 patent/US8259287B2/en active Active
-
2009
- 2009-12-24 JP JP2009292141A patent/JP5474524B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-09-15 JP JP2010206356A patent/JP5270631B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-09-22 US US13/240,908 patent/US8976334B2/en active Active
- 2011-09-23 US US13/242,125 patent/US8988651B2/en active Active
-
2015
- 2015-03-20 US US14/664,360 patent/US9429853B2/en active Active
-
2016
- 2016-08-29 US US15/250,658 patent/US9857695B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-11-28 US US15/824,686 patent/US10209629B2/en active Active
-
2019
- 2019-02-15 US US16/276,861 patent/US10495984B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005012228A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Asml Holding Nv | 浸漬フォトリソグラフィシステム及びマイクロチャネルノズルを使用する方法 |
JP2005057278A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4667290B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US10649341B2 (en) | Lithographic apparatus | |
TWI460551B (zh) | 微影裝置及器件製造方法 | |
JP4545119B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP5620439B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP5227360B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法および制御システム | |
TWI424279B (zh) | 流體處理器件、浸潤微影裝置及器件製造方法 | |
JP2007288185A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2010147466A (ja) | 流体ハンドリング構造、テーブル、リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060919 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090630 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090925 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090930 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100316 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100614 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100617 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100915 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20100915 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101221 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4667290 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |