JP2006295161A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006295161A
JP2006295161A JP2006102872A JP2006102872A JP2006295161A JP 2006295161 A JP2006295161 A JP 2006295161A JP 2006102872 A JP2006102872 A JP 2006102872A JP 2006102872 A JP2006102872 A JP 2006102872A JP 2006295161 A JP2006295161 A JP 2006295161A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
lithographic apparatus
space
substrate
projection system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006102872A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006295161A5 (ja
JP4667290B2 (ja
Inventor
Marcel Beckers
ベッカーズ マルセル
Donders Sjoerd Nicolaas Lambertus
ニコラース ラムベルトゥス ドンデルス シュールト
Alexander Hoogendam Christiaan
アレクサンダー ホーゲンダム クリスティアーン
Johannes Henricus Wilhelmus Jacobs
ヘンリクス ヴィルヘルムス ヤコブス ヨハネス
Nicolaas Ten Kate
テン カテ ニコラース
Nicolaas R Kemper
ルドルフ ケンパー ニコラース
Ferdy Migchelbrink
ミグチェルブリンク フェルディ
Elmar Evers
エヴァース エルマー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2006295161A publication Critical patent/JP2006295161A/ja
Publication of JP2006295161A5 publication Critical patent/JP2006295161A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4667290B2 publication Critical patent/JP4667290B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation

Abstract

【課題】液浸リソグラフィ装置用の液体供給システムにおいて、乱流を低減し、且つ浸漬液のオーバーフローを低減するシール部材またはバリア部材を提供すること。
【解決手段】本発明の液浸リソグラフィ装置用の液体供給システムは、投影システムの最終要素と基板の間に浸漬液の層流を提供する。制御システムはオーバーフローの変化を最小限に抑え、抽出装置は振動を最小限に抑えるように構成された出口のアレイを含む。
【選択図】図6

Description

本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常は基板のターゲット部分上に適用するマシンである。リソグラフィ装置は、例えば集積回路(IC)の製造に用いることができる。そのような場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターン付与デバイスを、ICの個々の層に形成する回路パターンを生成するために使用することができる。このパターンを、基板(例えばシリコン・ウェハ)上の(例えば1つまたは複数のダイの一部を含む)ターゲット部分に転送することができる。パターンの転送は通常、基板上に設けた放射線感光材料(レジスト)の層への結像によるものである。一般に、単一の基板は、連続的にパターンが形成される隣接ターゲット部分からなる網状部分を含む。周知のリソグラフィ装置には、パターン全体をターゲット部分に一度に露光することによって各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパと、パターンを放射線ビームによって所与の方向(「走査」方向)に走査し、それと同時にこの方向に対して平行または逆平行に基板を同期して走査することによって各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナとが含まれる。パターンを基板にインプリントすることによってパターンをパターン付与デバイスから基板に転送することも可能である。
投影システムの最終要素と基板の間の空間を満たすように、リソグラフィ投影装置内の基板を、例えば水など比較的高い屈折率を有する液体に浸すことが提唱されている。その要点は、液体中では露光放射線の波長がより短くなるため、より小さいフィーチャの結像が可能になることにある。(液体の効果を、システムの有効NAを高め、且つ焦点深度をも高めることと考えることもできる。)固体粒子(例えば石英)を懸濁させた水を含む他の浸漬液も提唱されている。
しかし、基板または基板と基板テーブルを液体槽に沈めること(例えば米国特許第4509852号明細書参照。その全体を参照によって本明細書に組み込む)は、走査露光中に加速させなければならない大量の液体が存在することを意味する。このため、追加のモータもしくはより強力なモータが必要になり、液体の乱れによって望ましくない予測できない影響をまねくかもしれない。
提唱されている解決策の1つは、液体閉じ込めシステム(液体制限システム)を用いて、液体供給システムが基板の局所領域上のみに、且つ投影システムの最終要素と基板の間に、液体を供給するようにすることである(基板は一般に、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する)。これを構成するために提唱されている1つの方法が国際公開第99/49504号パンフレットに開示されており、その全体を参照によって本明細書に組み込む。図2および図3に示すように、液体は少なくとも1つの入口INによって、望ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って基板に供給され、投影システムの下を通過した後、少なくとも1つの出口OUTによって除去される。すなわち、基板が要素の下を−X方向に走査されると、液体は要素の+X側で供給され、−X側で取り出される。図2は、液体が入口INを介して供給され、低圧源に接続された出口OUTによって要素の反対側で取り出される配置を概略的に示している。図2の例では液体が最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されているが、必ずしもこのようにしなくてもよい。最終要素の周りに配置される入口および出口は、様々な向きおよび数とすることが可能であり、両側に出口を備えた4組の入口を最終要素の周りに規則正しいパターンで設けた一実施例を図3に示す。
提唱されている他の解決策は、投影システムの最終要素と基板テーブルの間の空間の少なくとも一部の境界に沿って延びるシール部材を有する液体供給システムを提供することである。そのような解決策を図4に示す。シール部材は、XY平面内では投影システムに対して実質的に静止しているが、Z方向(光軸の方向)にはある程度の相対移動が可能である。シール部材と基板表面の間にシールが形成される。シールは、ガス・シールなど非接触シールであることが望ましい。そうしたガス・シールを有するシステムを図5に示すが、これは欧州特許出願公開第1420298号明細書に開示されており、その全体を参照によって本明細書に組み込む。
欧州特許出願公開第1420300号明細書には、ツインまたはデュアル・ステージの液浸リソグラフィ装置の考え方が開示されている。そうした装置は、基板を支持する2つのステージを備えている。レベリングの測定が第1の位置にあるステージを用いて浸漬液なしで実施され、露光は、浸漬液が存在する第2の位置にあるステージを用いて実施される。あるいは、装置はただ1つのステージを有している。
欧州特許出願公開第1420298号明細書に開示されているシール部材にはいくつかの問題がある。システムは、投影システムの最終要素と基板の間に浸漬液を供給することができるが、投影システムの最終要素と基板の間の空間で浸漬液のオーバーフローが起こることや、浸漬液の再循環が生じることがあり、その結果、放射線ビームが再循環領域を通して投影されることによって浸漬液が暖められ、その屈折率が変化すると、結像の誤差が生じる恐れがある。さらにある特定の状況では、シール部材のオーバーフローを回避することが困難である。
先に言及した問題のいくつかを克服するシール部材またはバリア部材を提供することが望ましい。本発明の1つの観点は、乱流を低減し、且つ浸漬液のオーバーフローを低減するシール部材またはバリア部材を提供することにある。
本発明の1つの観点によれば、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターンが形成された放射線ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、投影システムの最終要素と基板の間の空間に液体を収容するように構成されたバリア部材であって、最終要素と基板テーブルの間の空間を取り囲む面を有するバリア部材とを有するリソグラフィ装置において、バリア部材が、液体を空間に供給するように構成された液体入口、および液体を空間から除去するように構成された液体出口を有しており、液体入口および/または液体出口が上記面の内周の一部分の周りに延びているリソグラフィ装置が提供される。
本発明の他の観点によれば、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターンが形成された放射線ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、投影システムの最終要素と基板の間の空間に液体を収容するように構成されたバリア部材であって、最終要素と基板テーブルの間の空間を取り囲む面を有するバリア部材とを有するリソグラフィ装置において、バリア部材が、液体を空間に供給するように構成された液体入口を有しており、この入口が、プレート部材によって上記の空間から隔てられたバリア部材内のチャンバを有しており、プレート部材が上記面の少なくとも一部を形成し、またプレート部材がチャンバと上記空間との間に延びる複数のスルー・ホールを有しており、このスルー・ホールを通してする液体が流れるようになっているリソグラフィ装置が提供される。
本発明の他の観点によれば、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターンが形成された放射線ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、投影システムの最終要素と基板の間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、液体供給システムによる空間からの液体の抽出速度を動的に変化させるように、および/または液体供給システムによる液体の供給速度を動的に変化させるように構成された制御システムであって、それによって空間内の液体レベルを所定の最大値と所定の最小値の間に維持する制御システムとを有するリソグラフィ装置が提供される。
本発明の他の観点によれば、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターンが形成された放射線ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、投影システムの最終要素と基板の間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムとを有するリソグラフィ装置であって、液体供給システムが、液体を空間から除去するように構成された抽出装置を有し、この抽出装置が2次元アレイのオリフィスを有し、このオリフィスを介して液体を空間から抽出することができるリソグラフィ装置が提供される。
本発明の他の観点によれば、パターンが形成された放射線ビーム(パターン形成済み放射線ビーム)を基板に投影するように投影システムを用いるステップであって、バリア部材が、パターン形成済みビームを投影する投影システムの最終要素と基板との間の空間を取り囲む面を有しており、それによって最終要素と基板の間の空間に液体を収容するステップと、液体入口を介して液体を空間に供給するステップと、液体出口を介して液体を空間から除去するステップとを含むデバイス製造方法であって、液体入口および/または液体出口が上記面の内周の一部分の周りに延びている方法が提供される。
本発明の他の観点によれば、投影システムを用いてパターン形成済み放射線ビームを基板に投影するステップを含むデバイス製造方法であって、投影システムの最終要素と基板の間に液体が供給され、この液体が、面を有するバリア部材によって収容され、またこの液体が、入口を介して上記空間に供給され、この入口が、プレート部材によって上記空間から隔てられたバリア部材内のチャンバを有し、プレート部材が、チャンバと空間との間に延びる複数のスルー・ホールを有し、このスルー・ホールを通して液体が流れる方法が提供される。
本発明の他の観点によれば、投影システムを用いてパターン形成済み放射線ビームを基板に投影するステップを含むデバイス製造方法であって、液体が投影システムの最終要素と基板の間の空間に供給されており、空間からの液体の抽出速度を動的に変化させること、および/または空間への液体の供給速度を動的に変化させることによって、空間内の液位を所定の最大値と所定の最小値の間に維持する方法が提供される。
本発明の他の観点によれば、投影システムを用いてパターン形成済み放射線ビームを基板に投影するステップを含むデバイス製造方法であって、投影システムの最終要素と基板の間の空間に液体が供給されており、液体が、2次元アレイのオリフィスを有する抽出装置を介して空間から抽出される方法が提供される。
次に、本発明の実施例を、添付の概略図を参照して例示のみの目的で説明するが、図中において同じ参照記号は同じ部品を指すものであることに留意されたい。
図1は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示している。この装置は、放射線ビームB(例えば、UV放射線またはDUV放射線)を調節するように構成された照明システム(照明器)ILを含んでいる。支持体(例えばマスク・テーブル)MTは、パターン付与デバイス(例えばマスク)MAを支持しており、またあるパラメータに従ってパターン付与デバイスを正確に位置決めするように構成された第1の位置決めデバイスPMに接続されている。基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WTは、基板(例えばレジスト塗布ウェハ)Wを保持するように構成されており、またあるパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決めデバイスPWに接続されている。投影システム(例えば屈折投影レンズ・システム)PSは、パターン付与デバイスMAによって放射線ビームBに与えられたパターンを、基板Wの(例えば1つまたは複数のダイを含む)ターゲット部分Cに投影するように構成されている。基準フレームRFは、投影システムPSを支持するように構成されている。
照明システムは、放射線の方向付け、成形、または制御のための、屈折式、反射式、磁気式、電磁式、静電式または他のタイプの光学要素、あるいはそれらの任意の組合せなど、様々なタイプの光学要素を含むことができる。
支持体は、例えばパターン付与デバイスの重量を支えるものである。それは、パターン付与デバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、ならびに例えばパターン付与デバイスが真空環境に保持されているかどうかなど他の条件によって決まる方法でパターン付与デバイスを保持している。支持体は、機械式、真空式、静電式または他のクランプ技術を用いてパターン付与デバイスを保持することもできる。支持体を、例えばフレームまたはテーブルとすることが可能であり、これらは必要に応じて固定することも移動させることもできる。支持体は、パターン付与デバイスが、例えば投影システムに対してなど所望の位置にあることを保証することができる。本明細書中の「レチクル」または「マスク」という用語の使用はいずれも、「パターン付与デバイス」というより一般的な用語と同義であると考えられる。
本明細書で使用する「パターン付与デバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するためなど、放射線ビームの断面にパターンを与えるために用いることができる任意のデバイスを指すものとして広く解釈すべきである。例えばパターンが位相シフト・フィーチャ、またはいわゆるアシスト・フィーチャを含む場合には、放射線ビームに与えられるパターンが、基板のターゲット部分における所望のパターンと厳密に一致しない可能性があることに留意すべきである。一般に放射線ビームに与えられるパターンは、集積回路などターゲット部分に作製されるデバイスの特定の機能層に対応している。
パターン付与デバイスは、透過式であってもよく、反射式であってもよい。パターン付与デバイスの例には、マスク、プログラマブル・ミラー・アレイおよびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、それにはバイナリ・マスク、交互位相シフト・マスク(alternating PSM)および減衰位相シフト・マスク(attenuated PSM)などのマスク・タイプ、ならびに様々なハイブリッド型のマスク・タイプが含まれる。プログラマブル・ミラー・アレイの一例は、小さいミラーのマトリクス状のアレイ(配列)を使用するものであり、入射する放射線ビームを異なる方向に反射するように、それぞれのミラーを別々に傾斜させることができる。傾斜したミラーは、ミラーのマトリクスによって反射された放射線ビームにパターンを与える。
本明細書で使用する「投影システム」という用語は、使用する露光放射線に対して、あるいは浸漬液の使用や真空の使用など他の要因に対して適切な、屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁式および静電式の光学系、またはそれらの任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。本明細書中の「投影レンズ」という用語の使用はいずれも「投影システム」というより一般的な用語と同義であると考えられる。
本明細書で図示する装置は、(例えば透過性マスクを使用した)透過式のものである。あるいは装置は、(例えば先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイを使用した、または反射性マスクを使用した)反射式のものであってもよい。
リソグラフィ装置は、2(デュアル・ステージ)または3以上の基板テーブル(および/または2以上のマスク・テーブル)を有するタイプのものであってもよい。こうした「マルチ・ステージ」装置では、追加のテーブルを並行して用いてもよく、あるいは1つまたは複数のテーブル上で予備ステップを実施し、それと同時に1つまたは複数の他のテーブルを露光に用いてもよい。
図1を参照すると、照明器ILは放射線源SOから放射線を受け取る。例えば放射線源がエキシマ・レーザーである場合、放射線源とリソグラフィ装置を別々の構成要素にすることができる。そうした場合には、放射線源がリソグラフィ装置の一部を形成しているとは考えられず、放射線は、例えば適切な指向性ミラーおよび/またはビーム・エキスパンダを含むビーム伝達システムBDを用いて、放射線源SOから照明器ILへ送られる。他の場合、例えば放射線源が水銀ランプである場合には、放射線源をリソグラフィ装置の一部とすることができる。放射線源SOおよび照明器ILを、必要であればビーム伝達システムBDと共に、放射線システムと呼ぶことがある。
照明器ILは、放射線ビームの角度強度分布を調整するための調整デバイスADを含むことができる。一般に、照明器のひとみ面内における強度分布の少なくとも外側および/または内側の半径方向範囲(それぞれ一般にσ−アウタ(σ−outer)、σ−インナ(σ−inner)と呼ばれる)を調整することができる。さらに照明器ILは、積算器INやコンデンサCOなど他の様々な構成要素を含むことができる。照明器を用いて、所望の均一性および強度分布をその断面に有するように放射線ビームを調節することができる。
放射線ビームBは、支持体(例えばマスク・テーブルMT)上に保持されたパターン付与デバイス(例えばマスクMA)に入射し、パターン付与デバイスによって放射線ビームBにパターンが形成される。マスクMAを通過した放射線ビームBは、ビームを基板Wのターゲット部分Cに集束させる投影システムPSを通過する。第2の位置決めデバイスPWおよび位置センサIF(例えば干渉測定デバイス、リニア・エンコーダまたは容量センサ)を用いて、基板テーブルWTを、例えば異なるターゲット部分Cを放射線ビームBの経路内に位置決めするように、正確に移動させることができる。同様に、第1の位置決めデバイスPMおよび(図1には明示されていないが、干渉測定デバイス、リニア・エンコーダまたは容量センサとすることができる)他の位置センサを用いて、マスクMAを、例えばマスク・ライブラリから機械的に取り出した後で、または走査中に、放射線ビームBの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、マスク・テーブルMTの移動は、第1の位置決めデバイスPMの一部を形成する長ストローク・モジュール(粗い位置決め)および短ストローク・モジュール(細かい位置決め)を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2の位置決めデバイスPWの一部を形成する長ストローク・モジュールおよび短ストローク・モジュールを用いて実現することができる。スキャナではなくステッパである場合には、マスク・テーブルMTを短ストローク・アクチュエータに接続するだけでもよく、または固定してもよい。マスクMAおよび基板Wは、マスク・アライメント・マークM1、M2、および基板アライメント・マークP1、P2を用いて整列させることができる。図示した基板のアライメント・マークは専用のターゲット部分を占めているが、それらをターゲット部分相互間の空間に配置してもよい(これらはスクライブレーン・アライメント・マークとして知られている)。同様に、マスクMA上に2つ以上のダイを設ける場合には、マスクのアライメント・マークをダイ相互間に配置することができる。
図示した装置は、以下のモードの少なくとも1つで使用することができる。
(1)ステップ・モードでは、放射線ビームに与えられたパターン全体を1回でターゲット部分Cに投影しながらマスク・テーブルMTおよび基板テーブルWTが本質的に静止した状態に保たれる(すなわち、ただ1回の静止露光)。次いで、異なるターゲット部分Cを露光することができるように、基板テーブルWTをXおよび/またはY方向に移動させる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の静止露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
(2)走査モードでは、放射線ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影しながらマスク・テーブルMTおよび基板テーブルWTが同期して走査される(すなわち、ただ1回の動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)率、および像の反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の動的露光におけるターゲット部分の(非走査方向の)幅が制限され、走査移動の長さによってターゲット部分の(走査方向の)高さが決定される。
(3)他のモードでは、マスク・テーブルMTを本質的に静止した状態に保ってプログラム可能なパターン付与デバイスを保持し、放射線ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影しながら基板テーブルWTが移動または走査される。このモードでは、一般にパルス式の放射線源が使用され、基板テーブルWTが移動するたびに、または走査中の連続する放射線パルスの合間に、プログラム可能なパターン付与デバイスが必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイなど、プログラム可能なパターン付与デバイスを利用したマスクレス・リソグラフィに簡単に適用することができる。
前述の使用モードの組合せおよび/または変形形態、あるいは全く異なる使用モードを採用することもできる。
図6は、本発明のシール部材またはバリア部材12を示している。投影システムの光軸から半径方向外側で動作するように、複数の入口124が提供されており、それを介して浸漬液500が投影システムPSと基板Wの間の空間11に供給される。そしてシール部材12の底面80の上には、2004年8月19日に出願された米国特許出願第10/921348号(その全体を参照によって本明細書に組み込む)に開示されたものなど、液体除去デバイス180が提供される。液体除去デバイス180の半径方向外側には、入口322を介して大気へ、また出口324を介して低圧源へ接続された陥凹部320が提供されている。陥凹部320の半径方向外側には、ガス・ナイフ(gas knife)420が存在している。シール部材12の底面80上のこれら3つの部材の配置は、2005年1月14日に出願された米国特許出願第60/643626号に詳しく記載されており、その全体を参照によって本明細書に組み込む。シール部材12の頂部内面には垂直に延びる突起部または障壁220が存在し、それを越えて浸漬液500がオーバーフロー領域222へ流入することが可能であり、その場合、浸漬液500を、ポート228に取り付けられた低圧源によって孔アレイ(hole array)224を介して抽出することができる。
図6はシール部材12の概略的な断面図である。前述の5つの要素のそれぞれが、必ずしもシール部材の周縁全体を囲んで存在している必要はない。これは特に、浸漬液入口124、および液体出口または抽出装置(すなわち障壁220/孔のアレイ224)を有する場合である。図7aに見られるように、これらがシール部材12の局所的な内側周縁の周りのみに、望ましくは互いに向かい合って提供されると有利になることがある。図から分かるように、液体入口124と液体出口は、基板Wから異なる距離のところにある。液体入口124および/または液体出口の長さの適切な比率は、シール部材12の内側周縁の1/2未満、望ましくは1/3未満である。液体入口124および/または液体出口の長さは、望ましくはシール部材12の内側周縁の1/20未満、より望ましくは1/15または1/10未満である。これは、入口124から投影システムPSと基板の間の空間11を横切って(すなわち交差流れ)ターゲット部分TPを通過し(放射線ビームは、このターゲット部分TPを通過して基板に結像する)、孔のアレイ224を介して空間の外へと出る乱れのない浸漬液の層流の生成を助ける。シール部材12の入口124の反対側に液体抽出ユニット180を設けることによって、空間11を横切る浸漬液の流れを促すこともできるが、必ずしもそうする必要はない。あるいは、周縁全体を囲むように抽出ユニット180を配置し、場合によっては、それに対して入口124の反対方向により大きい抽出圧力を加えるようにしてもよい。図7bは、3つの液体出口または抽出装置224をバリア部材12の内側周縁の周りに設けた他の実施例を示している。3つの出口は約120°離れて配置され、最も大きい出口が液体入口124の向かい側に配置され、他の2つの出口はそれよりも小さく、入口124の両側に配置されている。
次に、液体入口124に液体を供給する方法、および液体入口124自体の設計について、図6および図8を参照して詳しく記述する。図6に見られるように、浸漬液は入口128を介してシール部材12内に供給される。第1のチャンバ120を第2のチャンバ122と液体連通させるオリフィス121に浸漬液を押し込むことによって、浸漬液に第1の圧力降下が生じる。実際には、オリフィス121は、チャンバ120と122を隔てるプレート123内に作製された複数の個別の孔である。この複数の孔121は、図示した実施例では規則正しい1次元アレイとして配置されているが、上下に平行な2列以上の孔121など他の配置を用いることもできる。孔121は、チャンバ122を空間11から隔てるプレート126全体にわたって接線方向に流れを分散させ、供給部128の構成にかかわらず、オリフィス124のアレイの幅全体にわたって均一な流れになることを保証する。浸漬液が第2のチャンバ122に入ると、浸漬液はオリフィス124を通って、投影システムPSと基板Wの間の空間11に入る。オリフィス124は、シール部材12のプレート126内に(規則正しい)2次元アレイとして設けられる。これによって、空間11内部に平行で均一な流れが生じる。オリフィス124のアレイは、プレート126の下面80に向かって、望ましくはシール部材12の使用中に投影システムPSの高さより低くなるように配置される。
本発明者は、浸漬液がチャンバ122を出る方向の制御において、オリフィス124の直径dと外側プレート126の厚さtの比を考慮に入れることが可能であることを見出した。このことは、すべてのオリフィス124が、使用中に基板Wと平行になる平面内でプレート126を貫通して穿孔される場合にもあてはまる。
図8(a)から分かるように、オリフィス124の直径dが外側プレート126の厚さtより大きい場合、浸漬液の流れは、矢印127で示した角度、すなわち基板Wの表面に平行ではない角度で出て行く可能性がある。図8(b)では、壁の厚さtがオリフィス124の直径dと等しく、図8(c)では、オリフィス124の直径dが外壁126の厚さtより小さい。オリフィスの直径をプレート126の厚さより小さくすべきであることが分かっている。一般に、基板表面と平行、且つオリフィスがプレート126内に加工された方向に平行に出て行く流れの場合、プレートの厚さは約0.4mm、オリフィス124の直径は約0.15mmになる(プレート126は、必ずしも垂直方向を向いているわけではなく、図示したように傾斜していてもよい)。寸法は、十分大きい圧力降下を生じさせるのに十分小さいオリフィス124を有することと、所望の剛性を与えるのに十分厚いプレートの厚さを有することとの間の兼ね合いである。結果として、従来技術の設計よりも低速の層流がより多くなり、混合が少なくなる。比較的厚いプレートに小さいオリフィスを作製することによって、平行な流れが促される。流れをオリフィスの軸線と同じ方向を向けることが可能になる所望のプレートの厚さtとオリフィスの直径dの比は、少なくとも1:2.5である。オリフィスは、実質的に互いに平行に、且つ実質的に基板Wの面に平行に、且つオリフィスが貫通して延びているプレート126の面に実質的に垂直に加工(穿孔)される。オリフィスを、レーザーによって20μm程度、および所望の大きさに穿孔することができる。プレートに小さい孔を作製する他の方法は、例えばニッケルの電鋳法(電解析出)によるものである。この技術を用いると、10μm〜1mmの厚さのシートに5〜500μmの直径を有する孔を製造することが可能になる。この技術を用いて、この記述の他の箇所に記載した入口と出口の両方を作製することができる。しかし、他の製造方法とは異なり、この方法を用いてスルー・ホールの軸線の位置を正確に調整することは困難である。
オリフィスの数およびその軸線の角度が外側プレート126を機能させること、ならびにその直径が液体の流れる方向に影響を及ぼすことが分かっている。一般に、単一の孔の場合、流れは孔の軸線からわずかに離れ、プレートの孔の軸線と鋭角をなす側へ向けられる。すなわち、図8で孔の軸線が基板Wと平行である場合、流れは水平面から少し下方に基板の方へ向けられる。存在する孔が多いほど効果が顕著になる。この効果を用いて、多くの用途(例えばエア・シャワー、パージ・フード)で任意の流体のタイプの流れ方向を変えることが可能であり、それによって翼や偏向板の必要性やコアンダ効果の使用をなくすこと、もしくは減らすことができる。その効果はきわめて強力であるため、重力に対して作用することが可能である。この効果の源は多数の非対称の流体ジェットによる相互作用であると考えられる。流れの偏向は流体が大量の同じ流体に流入するときにも生じ、したがって流れの偏向は、ティーポットの注ぎ口に沿ってお茶が漏れるティーポットの漏出問題とは関係がない。外壁126が垂直である場合には、オリフィス124の軸線を基板Wの上面と平行にすべきである。図示したように外壁126が傾斜している場合、基板表面に平行な流れを得るためには、オリフィス124の軸線を基板上面から離れるように約20度だけ、望ましくは5〜40度の範囲で傾斜させるべきであることが分かっている。
2段階の圧力降下(液体がオリフィス121を通過するときに前述の圧力降下があり、また液体がオリフィス124を通過するときにも圧力降下があることは明らかである)が、供給部の幅および供給部の高さ全体にわたって生じるように配置される。この方法では前述のように、供給経路の構成(すなわち、入力部128とチャンバ120の間の経路)にかかわらず、第1の圧力降下によって流れがオリフィス124全体にわたって均一に供給されることが保証される。
層流になることが望ましく、それは層流が浸漬液の再循環を防止するからであり、この浸漬液の再循環は、液体の再循環領域が残りの液体より温かくもしくは冷たくなって異なる屈折率を有するようになること、あるいは浸漬液によってレジストの所定の領域が他の領域より多く溶解されること(すなわち、浸漬液内でレジスト濃度が不均一になって、浸漬液の屈折率を変化させる可能性がある)、および投影レンズへのレジストの運搬を防止することを結果として導く。
望ましくは、プレート126内の孔の密度は、1平方mmあたり15孔程度である。1平方mmあたり1〜30孔の範囲が望ましい。
従来技術のシール部材では、液体はシール部材12の底面80から、または空間11を画定するシール部材12の内壁に配置された単一の出口から抽出される。出口は、シール部材12内面の周縁全体を囲む1次元アレイの孔であるか、または周縁を囲む環状溝を有している。このタイプの液体抽出に伴う問題は、シール部材の内壁の孔は抽出を行っているか行っていないかのどちらかであり、抽出の有無の移り変わりによってシール部材12の望ましくない振動が生じる恐れがあることである。提唱されている1つの解決策が、欧州特許出願第04256585.3号明細書に開示されており、その全体を参照によって本明細書に組み込む。その文書では、図6に示したものと類似の障壁220が提供されている。この場合、空間内の浸漬液500は、その高さが障壁の高さより上に上昇すると、障壁から障壁の後ろの、障壁より高さが低いプールまたはオーバーフロー222へオーバーフローする。次いで、浸漬液をオーバーフロー222から除去することができる。この場合も、このシステムに伴う困難は、抽出が生じ易いか生じないかのどちらかであることであり、抽出量の制御に伴う困難があるため、時々オーバーフローが生じる。
本発明では、液体を通過させて抽出するシール部材12の壁に、2次元アレイの孔またはメッシュ224が提供される。障壁220からオーバーフローした浸漬液、または2次元アレイ224の最も下部の孔のレベルより上を流れる浸漬液は、抽出装置228によって抽出される。単位面積当たりの孔の数および/または孔のサイズが、基板から最も遠い最小値から基板に最も近いまたは最低位置における最大値まで増加する、不均一な孔のアレイをシール部材の壁に用いることが望ましい。それによって高さが最も低いところではアレイを通過する浸漬液に対する抵抗が小さくなり、プレート上部の高さでは空気に対する抵抗が大きくなる。したがって孔の分布に垂直方向の勾配(サイズまたは密度、あるいは両方)を用いることによって、垂直方向の高さが増すにつれて流れに対するプレートの抵抗が大きくなる。したがって、孔を通して流出した空気流が水を押しのけて高さの制御を困難にするという問題が対処される。そのような実施例を図9a〜eに示す。図10a〜eに示す他の実施例では障壁は存在せず、浸漬液は、その高さがアレイ224の最も下部の孔より上に達するとすぐに除去される。図7aおよび図7bに示すように、図9a〜eおよび10a〜eに示した抽出用の配置を、シール部材12の内側周縁の一部分の周りのみに、望ましくは入口124の向かい側に設けることができる。ただし、図9a〜eおよび図10a〜eに示した出口を、シール部材12の内側周縁の周り全体に設けることも可能である。後者の実施例では、シール部材周縁の周りの出口228を様々なレベルの圧力として、それによってシール部材12の内側周縁の周りの様々な抽出速度に対応することができる。シール部材12の周縁全体を囲んで延びる抽出装置の圧力を変える、または局所的な抽出装置のみに対応することによって様々な抽出速度に対応することにより、入口124からターゲット部分TPを横切り、抽出装置を通って流出する浸漬液の層流を促すのを助けることができる。
孔のアレイ224は、直径0.1〜0.5mm程度の孔を含むことができる。1平方mmあたり0.25〜5孔の密度が望ましい。2次元アレイの孔の使用には、浸漬液の高さが高くなるとアレイ224のより多くの孔が濡れて抽出速度が高まるため、浸漬液11を制御しやすくするという利点がある。反対に、浸漬液の高さが低くなると濡れる孔が少なくなり、抽出速度が低下する。このようにして、出口228の抽出速度を調整する必要なしに、浸漬液の抽出が自動的に調節される。これは特に、孔のアレイ224が垂直であるとき、または少なくとも部分的に垂直方向を向いているときにあてはまる。障壁220の使用によって、孔のアレイ224を障壁より低い高さまで延ばすようにすることが可能になり、抽出能力が高まる。バリア部材12を液体親和性(浸漬液が水性の場合には親水性)のものにした場合、表面張力効果による液体レベルの増加を最小限に抑えることができる。
オーバーフロー220は、浸漬液があふれ出しの危険なしに突然、短時間で増加することを許容する。例えば、シール部材12の面のすぐ近くを基板Wまたは閉鎖ディスクが移動する間、空間11の体積は突然減少し、浸漬液の高さが上昇する。この過剰な液体が抽出される間、水路222はその一部を収容することができる。
孔のアレイ310をメッシュまたは同等のものとして提供することが可能であることを理解すべきである。
図9a〜eは、抽出装置の障壁の実施例について様々な構成を示したものである。図9aでは、浸漬液はボリューム(容積部分;volume)330に入った後、抽出装置228によって抽出される。一方、図9bの設計では、浸漬液は狭い隙間340に入った後、出口228によって抽出される。毛管力によって、(十分狭く設計されていれば)隙間340は浸漬液で完全に満たされ、負圧を孔224のサイズと適合させれば、抽出された浸漬液内での泡の形成、または抽出された浸漬液内での泡の含有を防止することができ、それによって抽出の流れを単相流にして、有害な振動を防止することができる。図9cおよび図9dには、孔のアレイ224が形成された異なる角度の壁が示してある。図9eでは、オーバーフロー領域の上に頂部プレート223が追加されている。この頂部プレート223は、液体の吸引が投影システムPSのより近くで生じるようになるという事実によって、抽出能力を向上し、この時、液体のメニスカスが投影システムの外形に追従しようとする。これらの図の目的はやはり、本発明の観点を有する多くの構成が可能であることを示すことである。
図10a〜eは、障壁220のない様々な実施例を示している。内部に孔のアレイ224が形成された壁の傾斜を任意の角度にすることが可能であり、また浸漬液がたどる出口228への経路の様々な構成を示している。例えば図10bでは、単相流による抽出が可能になるように、隙間340は図9bの隙間と類似しており、図10eでは、頂部プレート223は図9eのものと類似している。
浸漬液のオーバーフローの危険を最小限に抑えることを助ける他の方法を図11に示す。図11に示したシステムは、抽出および入力の速度を動的に変化させることによって、流入する浸漬液の量を除去される浸漬液の量と適合させる。理解されるように、図6に関して先に記述したとおり浸漬液は入口128を介してシール部材12に供給され、出口184、228および328を介して除去される。制御可能な供給部を有することによって、動作状況にさらなる適応性が与えられる。例えば、出口328を通る漏出流量のより大きい変動が許容されるようになり、また浸漬液の供給を減らして補償することが可能になるため、抽出システム224に最大の流れを処理する十分な能力がない場合にも、それによって必ずしもオーバーフローが生じないようになる。一定の供給流れの場合にも、例えば異なる方向における走査など様々な動作条件により、可変の漏出または抽出のパラメータがもたらされる可能性があるため、制御可能な抽出が望ましく、それらのパラメータは、抽出を変化させることによって対処可能である。各抽出口は、制御可能な弁1228、1184、1328を含んでいる。図示するように、出口228、184、328はすべて、弁を介して低圧源2228、2148、2328に接続されている。抽出された浸漬液はリザーバ1500まで導かれるが、浸漬液を再循環させる場合には、リザーバ1500を入口1248に対する供給源とすることができる。その供給は弁1128によって制御され、リザーバ1500へのオーバーフロー経路は、それを制御する弁1148を備えている。
水位の制御機構により、浸漬液の供給速度、ならびにオーバーフロー224経由、液体抽出装置180経由、および陥凹型の抽出装置320経由の抽出を変化させることが可能になる。弁1228、1148、1128、1184、1328はそれぞれ可変弁であるが、オンまたはオフになる弁であってもよい。付与する負圧を変化させること、弁を用いて負圧を制御すること、弁1128、1184、1328を変化させること、あるいは(やはり図11に示した)周囲環境へのバイパスを変化させることによって、抽出量を変化させることが可能である。
動的な制御動作が必要なときを決定する3つのオプションがある。それは、浸漬液の高さを測定する直接的フィードバック、各抽出装置からの抽出の流れを測定する間接的フィードバック、または抽出の流れおよび動作状況の情報を用いて状況が変わるときに供給および/または抽出の流れを調整するフィード・フォワードである。
例えばリザーバ1500または空間11内の浮き(フロート)、あるいはシール部材12の底部における水圧の測定によるものなど、いくつかの方法によって水位を測定することができる。浸漬液上面における音響学的または光学的な信号の反射および検出によって、水面の位置を決定することもできる。他の可能性は、水量に応じて音響学的、光学的または電気的な信号の吸収もしくは伝達を測定すること、あるいは空間11の既知の位置に沈めたワイヤの熱損失を測定すること(ワイヤを沈めるほど熱損失が高くなる)によるものである。
本明細書では、リソグラフィ装置をICの製造に用いることについて特に言及しているが、本明細書で記載するリソグラフィ装置は、一体型光学システム、磁気ドメイン・メモリ用の誘導および検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドその他の製造など、他の用途にも使用可能であることを理解すべきである。こうした別の用途についての文脈では、本明細書中の「ウェハ」または「ダイ」という用語の使用はいずれも、それぞれ「基板」または「ターゲット部分」というより一般的な用語と同義であると考えられることを理解すべきである。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック(一般に基板にレジスト層を施し、露光されたレジストを現像するツール)や計測ツールおよび/または検査ツールで処理することができる。適用可能であれば、本明細書の開示をこうしたツールや他の基板処理ツールに適用してもよい。さらに、例えば多層ICを作製するために基板を2回以上処理することも可能であり、したがって本明細書で使用する基板という用語は、処理が施された複数の層を既に含む基板を指すこともある。
ここまで、本発明の実施例を光リソグラフィの場合に使用することについて特に言及してきたが、本発明は、例えばインプリント・リソグラフィなど他の用途に用いることも可能であり、状況が許す場合には、光リソグラフィに限定されないことを理解すべきである。インプリント・リソグラフィでは、パターン付与デバイスのトポグラフィによって基板上に生成されるパターンが決まる。パターン付与デバイスのトポグラフィを、基板に供給されたレジスト層に押し込むことが可能であり、その後、電磁放射線、熱、圧力またはそれらの組合せを適用することによってレジストを硬化させる。レジストの硬化後、パターン付与デバイスを移動させてレジストから離すと、レジストにパターンが残る。
本明細書で使用する「放射線」および「ビーム」という用語は、(例えば365、248、193、157または126nmの波長を有する)紫外(UV)放射線、および(例えば5〜20nmの範囲の波長を有する)極端紫外(EUV)放射線を含むあらゆるタイプの電磁放射線、ならびにイオン・ビームや電子ビームなどの粒子ビームを包含している。
「レンズ」という用語は、状況が許す場合には、屈折式、反射式、磁気式、電磁式および静電式の光学要素を含む、様々なタイプの光学要素の任意の1つまたはそれらの組合せを指すことがある。
ここまで本発明の特定の実施例について説明してきたが、本発明は記載したものとは別の方法で実施可能であることが理解されよう。例えば、本発明は、先に開示した方法を記述したマシン可読命令の1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータ・プログラム、あるいはそうしたコンピュータ・プログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体(例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク)の形とすることができる。
本発明は、任意の液浸リソグラフィ装置、特に、それだけには限定されるものではないが先に言及したタイプのものに適用することが可能である。
前述の説明は例示的なものであり、限定的なものではない。したがって添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、前述の本発明に変更を加えることが可能であることが当業者には明らかであろう。
本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。 従来技術のリソグラフィ投影装置に使用される液体供給システムを示す図である。 従来技術のリソグラフィ投影装置に使用される液体供給システムを示す図である。 他の従来技術のリソグラフィ投影装置による液体供給システムを示す図である。 欧州特許出願第03252955.4号に開示されているシール部材を示す図である。 本発明のシール部材の概略的な断面図である。 本発明のシール部材の平面図である。 本発明のシール部材の平面図である。 (a)〜(c)は、孔の直径とプレートの厚さの比に伴う、シール部材を通過する浸漬液の流れ方向の変化を示す図である。 本発明によるオーバーフローの実施例を示す図である。 本発明によるオーバーフローの実施例を示す図である。 本発明によるオーバーフローの実施例を示す図である。 本発明によるオーバーフローの実施例を示す図である。 本発明によるオーバーフローの実施例を示す図である。 本発明による液体抽出のための実施例を示す図である。 本発明による液体抽出のための実施例を示す図である。 本発明による液体抽出のための実施例を示す図である。 本発明による液体抽出のための実施例を示す図である。 本発明による液体抽出のための実施例を示す図である。 本発明によるシール部材において浸漬液を取り扱うための制御システムを示す図である。
符号の説明
AD 調整デバイス
B 放射線ビーム
BD ビーム伝達システム
C、TP ターゲット部分
IF 位置センサ
IL 照明器
M1、M2 マスク・アライメント・マーク
MA パターン付与デバイス、マスク
MT マスク・テーブル、支持体
P1、P2 基板アライメント・マーク
PS 投影システム
PM、PW 位置決めデバイス
RF 基準フレーム
SO 放射線源
W 基板
WT 基板テーブル
IN 入口
OUT 出口
d オリフィスの直径
t 壁の厚さ
11 空間
12 シール部材、バリア部材
80 底面
120、122 チャンバ
121 オリフィス、孔
123 プレート
124 液体入口、オリフィス
126 外側プレート、外壁
128 入口、供給部、入力部
180 液体除去デバイス、液体抽出ユニット、抽出装置
184、324、328 出口
220 障壁
222 オーバーフロー領域、オーバーフロー、溝
223 頂部プレート
224 孔のアレイ、メッシュ、抽出システム
228 抽出装置、出口、ポート
320 陥凹部
322、1248 入口
330 ボリューム
340 隙間
420 ガス・ナイフ
500 浸漬液
1128、1228、1148、1184、1328 弁
1500 リザーバ
2228、2148、2328 低圧源

Claims (52)

  1. リソグラフィ装置であって、
    基板を保持するように構築された基板テーブルと、
    パターンが形成された放射線ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
    前記投影システムの最終要素と前記基板テーブルの間の空間を取り囲む面を有するバリア部材であって、該バリア部材は前記最終要素と前記基板の間の空間に液体を包含するように構成され、また該バリア部材は、液体を前記空間に供給するように構成された液体入口、および液体を前記空間から除去するように構成された液体出口を有し、前記液体入口および/または前記液体出口は前記面の内周の一部分の周りに延びているバリア部材と
    を有するリソグラフィ装置。
  2. 前記一部分が約1/2未満である請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記一部分が約1/3未満である請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記一部分が約1/20より大きい請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記一部分が約1/15より大きい請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  6. 前記液体入口および前記液体出口が前記面上に、前記空間の反対側で互いに向かい合うように配置されている請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  7. 前記液体入口および前記液体出口が、前記内周の周りの面の異なる部分に沿って配置されている請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  8. 前記液体出口が、前記内周をたどる方向の該液体出口の長さに沿って可変の液体抽出速度を提供するように配置されている請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  9. 最大抽出速度が、実質的に前記液体入口の向かい側に提供される請求項8に記載のリソグラフィ装置。
  10. 前記液体出口が、実質的に前記内周の周りに延びている請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  11. リソグラフィ装置であって、
    基板を保持するように構築された基板テーブルと、
    パターンが形成された放射線ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
    前記投影システムの最終要素と前記基板テーブルの間の空間を取り囲む面を有するバリア部材であって、該バリア部材は前記最終要素と前記基板の間の空間に液体を包含するように構成されており、また液体を前記空間に供給するように構成された液体入口を有しているバリア部材と
    を有するリソグラフィ装置において、
    前記入口は、プレート部材によって前記空間から隔てられた前記バリア部材内のチャンバを有し、
    前記プレート部材は前記面の少なくとも一部を形成し、また前記チャンバと前記空間との間に液体が該プレート部材を通して流れるための複数のスルー・ホールを有している
    ことを特徴とするリソグラフィ装置。
  12. 前記複数のスルー・ホールが、前記プレート部材内で2次元アレイを形成している請求項11に記載のリソグラフィ装置。
  13. 前記スルー・ホールが、前記プレート部材の厚さより大きくない直径を有している請求項11に記載のリソグラフィ装置。
  14. 前記スルー・ホールが、前記プレート部材の厚さの約0.75倍以下の直径を有している請求項11に記載のリソグラフィ装置。
  15. 前記スルー・ホールが、前記プレート部材の厚さの約0.5倍以下の直径を有している請求項11に記載のリソグラフィ装置。
  16. 前記スルー・ホールが、1平方ミリメートル当たり少なくとも1つのスルー・ホールの密度を有している請求項11に記載のリソグラフィ装置。
  17. 前記スルー・ホールの直径が、約0.005から約1mmまでの範囲内である請求項11に記載のリソグラフィ装置。
  18. 前記スルー・ホールの直径が、約0.05から約1mmまでの範囲内である請求項11に記載のリソグラフィ装置。
  19. 前記プレートの厚さが、約0.01から約5mmまでの範囲内である請求項11に記載のリソグラフィ装置。
  20. 前記プレートの厚さが、約0.1から約5mmまでの範囲内である請求項11に記載のリソグラフィ装置。
  21. 前記スルー・ホールの軸線の方向が、実質的に前記基板と平行である請求項11に記載のリソグラフィ装置。
  22. 前記スルー・ホールの軸線の方向が、実質的に前記面と垂直である請求項11に記載のリソグラフィ装置。
  23. 前記スルー・ホールの各軸線の方向が、実質的に平行である請求項11に記載のリソグラフィ装置。
  24. 前記スルー・ホールの軸線の方向を、前記基板から離れるように、前記投影システムの方に約5°〜約40°だけ傾斜させた請求項11に記載のリソグラフィ装置。
  25. 前記液体入口の流れ制限が、前記チャンバへの流入時に液体の第1の圧力降下を生じるように構成されている請求項11に記載のリソグラフィ装置。
  26. 前記スルー・ホールが前記周の一部分に沿って延びている請求項11に記載のリソグラフィ装置。
  27. 基板を保持するように構築された基板テーブルと、
    パターンが形成された放射線ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
    前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
    前記液体供給システムによる前記空間からの液体の抽出速度を動的に変化させるように、および/または前記液体供給システムによる液体の供給速度を動的に変化させるように構成され、それによって前記空間内の液体レベルを所定の最大値と所定の最小値の間に維持する制御システムと
    を有するリソグラフィ装置。
  28. 前記制御システムが、前記空間内の液体レベルの測定値に応答して前記1つまたは複数の速度を動的に変化させる請求項27に記載のリソグラフィ装置。
  29. 前記空間の所定の位置における液体の圧力を測定し、それによって前記空間内の液体レベルを決定するように構成された圧力センサをさらに有する請求項28に記載のリソグラフィ装置。
  30. 光学的および/または音響学的な源と、液体上面における光学的および/または音響学的な信号の反射およびその後の検出によって前記空間内の液体レベルを決定するように構成された、対応する光学的および/または音響学的な検出装置とをさらに有し、それによって前記空間内の液体レベルを決定する請求項28に記載のリソグラフィ装置。
  31. 前記空間の液体内に音響学的/光学的/電気的な信号を発生させるように構成された音響学的/光学的/電気的な信号発生装置、および音響学的/光学的/電気的な信号を検出するように構成された検出装置をさらに含み、それによって前記空間内の液体レベルを決定する請求項28に記載のリソグラフィ装置。
  32. 前記空間の所定の位置で液体内に沈められるように構成されたワイヤ、および該ワイヤの温度を測定するように構成された検出装置をさらに有し、それによって前記空間内の液体レベルを決定する請求項28に記載のリソグラフィ装置。
  33. 前記空間内の液体上面に浮かぶように構成された浮き、および該浮きの位置を測定するように構成されたセンサをさらに有し、それによって前記空間内の液体レベルを測定する請求項28に記載のリソグラフィ装置。
  34. 前記制御装置が、前記液体供給システムによって前記空間から抽出された液量の測定に基づいて前記1つまたは複数の速度を能動的に変化させる請求項27に記載のリソグラフィ装置。
  35. 前記制御装置が、前記装置の動作状況に基づくフィード・フォワード式の方法によって前記1つまたは複数の速度を動的に変化させる請求項27に記載のリソグラフィ装置。
  36. 抽出および/または供給の速度を制御するように構成された弁をさらに有する請求項27に記載のリソグラフィ装置。
  37. 前記液体供給システムの液体抽出装置に適用される圧力を制御するように構成された弁をさらに有する請求項27に記載のリソグラフィ装置。
  38. 基板を保持するように構築された基板テーブルと、
    パターンが形成された放射線ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
    前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムであって、該前記液体供給システムは液体を前記空間から除去するように構成された抽出装置を有し、該抽出装置は2次元アレイのオリフィスを有し、該オリフィスを介して液体を前記空間から抽出することができる液体供給システムと
    を有するリソグラフィ装置。
  39. 前記アレイが前記リソグラフィ装置の光軸の方向に延びている請求項38に記載のリソグラフィ装置。
  40. 前記アレイが前記空間の外周の周りの少なくとも一部に延びている請求項38に記載のリソグラフィ装置。
  41. 前記アレイが前記外周の一部分に沿って延びている請求項40に記載のリソグラフィ装置。
  42. 前記アレイが、前記空間に液体を供給するように構成された前記液体供給システムの入口の向かい側に配置されている請求項40に記載のリソグラフィ装置。
  43. 前記アレイは、前記空間内の液体レベルが高いほど、抽出される液体が通過するオリフィスが多くなるように配置および方向付けられている請求項38に記載のリソグラフィ装置。
  44. 液体が前記アレイの通過後に通る少なくとも1つの経路が、前記アレイから液体を引き出す毛管力が作用するような大きさに作製されており、それによって単相の抽出を促す請求項38に記載のリソグラフィ装置。
  45. 前記液体供給システムが前記空間を取り囲む面を提供し、また液体を包含するように構成されたバリア部材を有しており、前記抽出装置が前記面内に形成されている請求項38に記載のリソグラフィ装置。
  46. 前記バリア部材が垂直に延びる突起部を有し、前記空間内の液体レベルが該突起部の頂部の高さより高くなると、液体が該突起部を越えて流れる請求項38に記載のリソグラフィ装置。
  47. 前記突起部より低い高さにあるオーバーフロー領域が前記突起部と前記アレイの間に位置するように、前記アレイが前記突起部の半径方向外側に、前記突起部から間隔をあけて配置されている請求項46に記載のリソグラフィ装置。
  48. 前記アレイが、実質的に前記オーバーフロー領域の最も低い高さまで延びている請求項47に記載のリソグラフィ装置。
  49. 投影システムを用いて、パターンが形成された放射線ビームを基板に投影するステップであって、バリア部材が、前記パターンが形成されたビームを投影する投影システムの最終要素と基板との間の空間を取り囲む面を有し、且つ前記最終要素と前記基板の間の空間に液体を包含するように構成されているステップと、
    液体入口を介して液体を前記空間に供給するステップと、
    液体出口を介して液体を前記空間から除去するステップと
    を含むデバイス製造方法であって、
    前記液体入口および/または前記液体出口が前記面の内周の一部分の周りに延びている方法。
  50. 投影システムを用いて、パターンが形成された放射線ビームを基板に投影するステップを含むデバイス製造方法であって、
    前記投影システムの最終要素と前記基板の間に液体が供給され、前記液体が、面を有するバリア部材によって包含され、且つプレート部材によって前記空間から隔てられた前記バリア部材内のチャンバを有する入口を介して前記空間に供給され、前記プレート部材が前記チャンバと前記空間との間に延びる複数のスルー・ホールを有し、該スルー・ホールを通して前記液体が流れる方法。
  51. 投影システムを用いて、パターンが形成された放射線ビームを基板に投影するステップを含むデバイス製造方法であって、
    投影システムの最終要素と前記基板の間の空間に液体が供給され、前記空間からの液体の抽出速度を動的に変化させ、および/または前記空間への液体の供給速度を動的に変化させ、それによって前記空間内の液体レベルを所定の最大値と所定の最小値の間に維持する方法。
  52. 投影システムを用いて、パターンが形成された放射線ビームを基板に投影するステップを含むデバイス製造方法であって、
    投影システムの最終要素と前記基板の間の空間に液体が供給され、液体が、2次元アレイのオリフィスを有する抽出装置を介して空間から抽出される方法。
JP2006102872A 2005-04-05 2006-04-04 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Active JP4667290B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/098,615 US7411654B2 (en) 2005-04-05 2005-04-05 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009292141A Division JP5474524B2 (ja) 2005-04-05 2009-12-24 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2010206356A Division JP5270631B2 (ja) 2005-04-05 2010-09-15 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006295161A true JP2006295161A (ja) 2006-10-26
JP2006295161A5 JP2006295161A5 (ja) 2010-11-11
JP4667290B2 JP4667290B2 (ja) 2011-04-06

Family

ID=36591286

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006102872A Active JP4667290B2 (ja) 2005-04-05 2006-04-04 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2009292141A Expired - Fee Related JP5474524B2 (ja) 2005-04-05 2009-12-24 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2010206356A Expired - Fee Related JP5270631B2 (ja) 2005-04-05 2010-09-15 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009292141A Expired - Fee Related JP5474524B2 (ja) 2005-04-05 2009-12-24 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2010206356A Expired - Fee Related JP5270631B2 (ja) 2005-04-05 2010-09-15 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (8) US7411654B2 (ja)
EP (1) EP1710630A3 (ja)
JP (3) JP4667290B2 (ja)
KR (1) KR100759065B1 (ja)
CN (3) CN1847987B (ja)
SG (4) SG171645A1 (ja)
TW (2) TWI340303B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009260343A (ja) * 2008-04-16 2009-11-05 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置
JP2010103532A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Asml Netherlands Bv 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2010114455A (ja) * 2005-06-28 2010-05-20 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2010182870A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Nikon Corp 露光装置、及びデバイス製造方法
JP2011171760A (ja) * 2007-09-13 2011-09-01 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG121818A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101427056B1 (ko) 2005-01-31 2014-08-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070132976A1 (en) * 2005-03-31 2007-06-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
TW200644079A (en) * 2005-03-31 2006-12-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device production method
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7385673B2 (en) * 2005-06-10 2008-06-10 International Business Machines Corporation Immersion lithography with equalized pressure on at least projection optics component and wafer
US7834974B2 (en) 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) * 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JPWO2007055373A1 (ja) * 2005-11-14 2009-04-30 株式会社ニコン 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US7633073B2 (en) * 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7701551B2 (en) * 2006-04-14 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9477158B2 (en) * 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8144305B2 (en) * 2006-05-18 2012-03-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8004651B2 (en) * 2007-01-23 2011-08-23 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
US20080231823A1 (en) * 2007-03-23 2008-09-25 Nikon Corporation Apparatus and methods for reducing the escape of immersion liquid from immersion lithography apparatus
US20090122282A1 (en) * 2007-05-21 2009-05-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid immersion system, exposing method, and device fabricating method
SG151198A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-30 Asml Netherlands Bv Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
US8233139B2 (en) * 2008-03-27 2012-07-31 Nikon Corporation Immersion system, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
US8896806B2 (en) * 2008-12-29 2014-11-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
NL2004162A (en) * 2009-02-17 2010-08-18 Asml Netherlands Bv A fluid supply system, a lithographic apparatus, a method of varying fluid flow rate and a device manufacturing method.
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
US20120013864A1 (en) * 2010-07-14 2012-01-19 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
CN104570613B (zh) * 2013-10-25 2018-01-19 上海微电子装备(集团)股份有限公司 浸没头、浸没流场初始化和维持方法及光刻设备
CN104950585B (zh) * 2014-03-25 2017-06-27 上海微电子装备有限公司 一种浸液限制机构
USD850951S1 (en) * 2017-08-04 2019-06-11 Inno Instrument (China) .Inc Optical time domain reflectometer
CN112631082B (zh) * 2020-12-25 2024-04-05 浙江启尔机电技术有限公司 一种浸液供给装置
CN113189849B (zh) * 2021-04-22 2023-08-11 中国科学院光电技术研究所 一种近场光刻浸没系统及其浸没单元和接口模组

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2005012228A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Asml Holding Nv 浸漬フォトリソグラフィシステム及びマイクロチャネルノズルを使用する方法
JP2005057278A (ja) * 2003-07-31 2005-03-03 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Family Cites Families (130)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE206607C (ja)
DE224448C (ja)
DE242880C (ja)
DE221563C (ja)
GB1242527A (en) * 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) * 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
ATE1462T1 (de) 1979-07-27 1982-08-15 Werner W. Dr. Tabarelli Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) * 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4390273A (en) * 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US5040020A (en) * 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
US5121256A (en) * 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US6297871B1 (en) * 1995-09-12 2001-10-02 Nikon Corporation Exposure apparatus
US6104687A (en) * 1996-08-26 2000-08-15 Digital Papyrus Corporation Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) * 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
EP1039511A4 (en) 1997-12-12 2005-03-02 Nikon Corp PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
TWI242111B (en) * 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
JP3507462B2 (ja) * 2000-09-19 2004-03-15 キヤノン株式会社 プローブ担体の製造方法及びそれに用いる装置
US7731904B2 (en) * 2000-09-19 2010-06-08 Canon Kabushiki Kaisha Method for making probe support and apparatus used for the method
DE10050349C2 (de) * 2000-10-11 2002-11-07 Schott Glas Verfahren zur Bestimmung der Strahlenbeständigkeit von Kristallen und deren Verwendung
WO2002091078A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
US6600547B2 (en) * 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
CN1791839A (zh) * 2001-11-07 2006-06-21 应用材料有限公司 光点格栅阵列光刻机
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
JP4117530B2 (ja) 2002-04-04 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 液量判定装置、露光装置、および液量判定方法
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121818A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121819A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
CN101470360B (zh) * 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20050085236A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
CN100446179C (zh) 2002-12-10 2008-12-24 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
TW200421444A (en) 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
WO2004053957A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
SG150388A1 (en) 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
AU2003302831A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
CN100429748C (zh) 2002-12-10 2008-10-29 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
EP1571698A4 (en) 2002-12-10 2006-06-21 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4184346B2 (ja) 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
US7514699B2 (en) 2002-12-19 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
CN100385535C (zh) 2002-12-19 2008-04-30 皇家飞利浦电子股份有限公司 照射光敏层上斑点的方法和装置
CN101354539B (zh) * 2003-02-26 2011-01-26 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
EP3301511A1 (en) 2003-02-26 2018-04-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
KR101176817B1 (ko) * 2003-04-07 2012-08-24 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
EP3062152B1 (en) 2003-04-10 2017-12-20 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus
CN1771463A (zh) 2003-04-10 2006-05-10 株式会社尼康 用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道
SG2012050829A (en) 2003-04-10 2015-07-30 Nippon Kogaku Kk Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
WO2004090633A2 (en) * 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
KR101697896B1 (ko) 2003-04-11 2017-01-18 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
KR101324818B1 (ko) 2003-04-11 2013-11-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
EP1614000B1 (en) 2003-04-17 2012-01-18 Nikon Corporation Immersion lithographic apparatus
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7274472B2 (en) * 2003-05-28 2007-09-25 Timbre Technologies, Inc. Resolution enhanced optical metrology
TWI347741B (en) * 2003-05-30 2011-08-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261741A3 (en) * 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4343597B2 (ja) * 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1498778A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1494074A1 (en) * 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005026634A (ja) * 2003-07-04 2005-01-27 Sony Corp 露光装置および半導体装置の製造方法
JP4697138B2 (ja) 2003-07-08 2011-06-08 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法
US7738074B2 (en) * 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4168880B2 (ja) * 2003-08-29 2008-10-22 株式会社ニコン 液浸用溶液
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
EP1660925B1 (en) * 2003-09-03 2015-04-29 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
JP4378136B2 (ja) * 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3870182B2 (ja) * 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4438747B2 (ja) * 2003-09-26 2010-03-24 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光装置の洗浄方法、メンテナンス方法並びにデバイスの製造方法
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP1528433B1 (en) 2003-10-28 2019-03-06 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and method of operating the same
JP2005159322A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
JP2005175016A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2005175034A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 露光装置
US20050126282A1 (en) * 2003-12-16 2005-06-16 Josef Maatuk Liquid sensor and ice detector
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005191393A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
JP2005191381A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
WO2005067013A1 (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4018647B2 (ja) * 2004-02-09 2007-12-05 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
JP4510494B2 (ja) * 2004-03-29 2010-07-21 キヤノン株式会社 露光装置
JP2005286068A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Canon Inc 露光装置及び方法
US7227619B2 (en) * 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7057702B2 (en) * 2004-06-23 2006-06-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379155B2 (en) * 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE602006012746D1 (de) * 2005-01-14 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
US7411654B2 (en) * 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101414833B (zh) * 2007-10-19 2010-08-04 中兴通讯股份有限公司 低密度生成矩阵码的编码方法及装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2005012228A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Asml Holding Nv 浸漬フォトリソグラフィシステム及びマイクロチャネルノズルを使用する方法
JP2005057278A (ja) * 2003-07-31 2005-03-03 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010114455A (ja) * 2005-06-28 2010-05-20 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US8687168B2 (en) 2005-06-28 2014-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2011171760A (ja) * 2007-09-13 2011-09-01 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2009260343A (ja) * 2008-04-16 2009-11-05 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置
US9036127B2 (en) 2008-04-16 2015-05-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US9465302B2 (en) 2008-04-16 2016-10-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US10649341B2 (en) 2008-04-16 2020-05-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2010103532A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Asml Netherlands Bv 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US8508712B2 (en) 2008-10-23 2013-08-13 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010182870A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Nikon Corp 露光装置、及びデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20080212051A1 (en) 2008-09-04
SG171646A1 (en) 2011-06-29
TWI328721B (en) 2010-08-11
US20160370713A1 (en) 2016-12-22
JP2011066416A (ja) 2011-03-31
CN1847987B (zh) 2011-02-16
EP1710630A2 (en) 2006-10-11
JP2010074187A (ja) 2010-04-02
EP1710630A3 (en) 2006-10-25
US10495984B2 (en) 2019-12-03
KR100759065B1 (ko) 2007-09-19
US20180081285A1 (en) 2018-03-22
US7411654B2 (en) 2008-08-12
JP5474524B2 (ja) 2014-04-16
US8976334B2 (en) 2015-03-10
CN1847987A (zh) 2006-10-18
US20150309420A1 (en) 2015-10-29
CN101256365A (zh) 2008-09-03
TW200643661A (en) 2006-12-16
US9429853B2 (en) 2016-08-30
US10209629B2 (en) 2019-02-19
SG147423A1 (en) 2008-11-28
TWI340303B (en) 2011-04-11
US20190179232A1 (en) 2019-06-13
CN101807011B (zh) 2012-09-26
SG126135A1 (en) 2006-10-30
JP4667290B2 (ja) 2011-04-06
US8988651B2 (en) 2015-03-24
US20060221315A1 (en) 2006-10-05
US20120008116A1 (en) 2012-01-12
TW201020697A (en) 2010-06-01
US9857695B2 (en) 2018-01-02
US20120008118A1 (en) 2012-01-12
KR20060107357A (ko) 2006-10-13
CN101807011A (zh) 2010-08-18
CN101256365B (zh) 2012-12-26
SG171645A1 (en) 2011-06-29
JP5270631B2 (ja) 2013-08-21
US8259287B2 (en) 2012-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5270631B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US10649341B2 (en) Lithographic apparatus
TWI460551B (zh) 微影裝置及器件製造方法
JP5227360B2 (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法および制御システム
JP2010062558A (ja) 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2007110109A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
TWI424279B (zh) 流體處理器件、浸潤微影裝置及器件製造方法
JP2007288185A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2011151397A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2010147466A (ja) 流体ハンドリング構造、テーブル、リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
JP2010103532A (ja) 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060919

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061129

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090618

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090630

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090925

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090930

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091224

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100316

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100614

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100617

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100915

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20100915

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101221

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4667290

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250