JP2011171760A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】投影システムと基板との間の空間に流体を閉じ込める流体閉じ込めシステムを含む液浸リソグラフィ装置が開示される。流体閉じ込めシステムは、流体を供給する、入口ポートおよび出口ポートに接続された流体入口を含む。液浸リソグラフィ装置は、入口ポートに提供される流体の流量および出口ポートから除去される流体の流量を変化させることによって流体入口を通る流体の流れを制御する流体供給システムをさらに含む。
【選択図】図6a
Description
[0022] ここで、本発明の実施形態を、一例としてのみ、対応の参照符号が対応部分を
示す添付の概略図を参照して説明する。
Claims (24)
- 投影システムと基板との間の空間に流体を閉じ込める流体閉じ込めシステムであって、
流体を供給する、入口ポートおよび出口ポートに接続された流体入口を含む、流体閉じ込めシステムと、
前記入口ポートに提供される流体の流量および出口ポートから除去される流体の流量を変化させることによって流体入口を通る流体の流れを制御する流体供給システムと
を含む、液浸リソグラフィ装置。 - 前記流体入口は、前記流体閉じ込めシステムの下側の流体供給入口へ通じる、請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記流体供給システムは、前記出口ポートから導かれる導管または前記流体入口と出口ポートを流体連通させる導管の断面積を変化させる弁を含む、請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 第1の弁と並行して、フロー制限器を含むバイパス導管をさらに含む、請求項3に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記流体供給システムは、流体源と前記入口ポートとの間に接続された導管または前記流体入口と入口ポートを流体連通させる導管の断面積を変化させる弁を含む、請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記流体供給システムは、前記入口ポートをドレインと流体連通させる導管の断面積を変化させる弁を含む、請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記流体供給システムと関連する弁を制御するコントローラをさらに含み、前記コントローラは、前記入口および出口ポートを通る前記流体の流れを変化させて、前記流体入口を通る前記流体の流量を変化させる、請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記コントローラは、前記流体の流量を実質的に一定に維持する、請求項7に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記流体供給システムは、単一の弁を使用して、前記入口ポートに提供される前記流体の流量および前記出口ポートから除去される前記流体の流量を変化させる、請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記単一の弁は、前記入口ポートの上流もしくは下流または前記出口ポートの上流もしくは下流に配置されている、請求項9に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 液浸リソグラフィ装置であって、
投影システムと基板との間に流体を閉じ込める流体閉じ込めシステムを含み、前記流体閉じ込めシステムは、
コンポーネントを用いて流体の流れを前記基板および/または基板をサポートする基板テーブルに向かって誘導する流体供給入口と、
前記流体供給入口からの流体および/または前記流体閉じ込めシステムの外からのガスを抽出する抽出出口であって、前記流体供給入口が配置されている第2の表面より、前記基板および/または基板テーブルから遠い前記流体閉じ込めシステムの第1の表面にある、抽出出口と
を含む、液浸リソグラフィ装置。 - 前記第1の表面および/または前記第2の表面が、実質的に平坦である、請求項11に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記第1の表面および/または前記第2の表面が、前記基板および/または基板テーブルの上面に対して実質的に平行である、請求項11に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 使用の際に、前記第1の表面が、前記第2の表面より前記基板および/または基板テーブルから約1/10から3倍遠い、請求項11に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記抽出出口が、前記投影システムの光軸に対して前記流体閉じ込めシステムの下側の最も半径方向外側のアクティブコンポーネントである、請求項11に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記第1の表面が、前記流体閉じ込めシステムの平面エッジへ延びる、請求項11に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記第1の表面が、前記流体閉じ込めシステムの下面における凹所の上壁である、請求項11に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 使用の際に、前記流体閉じ込めシステムの下側のジオメトリと組み合わせて、前記流体入口を通る液体の流れによって生成される前記流体閉じ込めシステムと前記基板および/または基板テーブルとの間の反発力が、前記流体閉じ込めシステムと前記基板および/または基板テーブルとの間のずれに関係なく、前記抽出出口を通る流れによって生成される前記流体閉じ込めシステムと前記基板および/または基板テーブルとの間の引力より大きくなるようなレベルで、前記抽出出口を通る抽出および前記流体供給入口を通る液体の流れを制御するコントローラをさらに含む、請求項11に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 投影システムと基板の局所エリアとの間の空間に流体を閉じ込める流体閉じ込めシステムと、
前記流体が前記流体閉じ込めシステムによって閉じ込められるように、前記投影システムと反対側の前記流体閉じ込めシステムの下側に配置可能であるシャッター部材と、
前記流体閉じ込めシステムに面している前記シャッター部材の表面上の突出体であって、前記突出体の位置は、下側に隣接している場合、前記下側の流体供給出口に対応するが、前記下側の抽出入口には対応しない、突出体と
を含む、液浸リソグラフィ装置。 - 前記シャッター部材がディスクの形を有し、かつ前記装置の残りから分離可能である、請求項19に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 液浸リソグラフィ装置であって、
投影システムと基板との間の空間に流体を閉じ込める、流体の流れのための導管を含む流体閉じ込めシステムを含み、前記流体閉じ込めシステムは、
前記空間に流体を供給する前記導管における出口であって、前記導管の中間端である出口と、
流体の流れの方向に、前記出口または前記出口の下流に配置されているフロー制限と、
弁であって、前記弁が前記出口を通る流体の流量を制御するように動作可能であるように、かつ流体が前記導管を連続的に流れるように、前記導管に配置された弁と
を有する、
液浸リソグラフィ装置。 - 基板上に、流体閉じ込めシステムを使用して空間に閉じ込められている流体を介して、パターン付き放射ビームを投影することを含むデバイス製造方法であって、前記流体閉じ込めシステムは、少なくとも部分的に流体供給入口から出て前記基板へ向かう流体の流れに支えられ、かつ前記流体供給入口への流体流量は、前記流体供給入口に接続されている入口ポートへの前記流量および前記流体供給入口にやはり接続されている出口ポートを介して前記流体供給入口から出る前記流量によって調節されている、デバイス製造方法。
- 基板上に、流体閉じ込めシステムを使用して空間に閉じ込められている流体を介して、パターン付き放射ビームを投影することを含むデバイス製造方法であって、前記流体閉じ込めシステムは、
流体供給入口であって、該流体供給入口を通して、流体の流れがコンポーネントを用いて前記基板および/または基板をサポートする基板テーブルに向かって誘導される、流体供給入口と、
抽出出口であって、該抽出出口を通して、前記流体供給入口からの流体および/または前記流体閉じ込めシステムの外からのガスが抽出され、前記流体供給入口が配置されている第2の表面より、前記基板および/または基板テーブルから遠い前記流体閉じ込めシステムの第1の表面にある、抽出出口と
を含む、デバイス製造方法。 - 流体閉じ込めシステムの下で基板を交換する方法であって、
第1の基板を前記流体閉じ込めシステムの下から相対的に動かし、かつシャッター部材上の突出体が少なくとも前記流体閉じ込めシステムの下面における流体供給入口の下の位置にあるが、前記流体閉じ込めシステムの下側における抽出出口の下にはないように、前記流体閉じ込めシステムの下の前記シャッター部材を動かすことと、
前記シャッター部材を前記流体閉じ込めシステムの下から相対的に動かすことと、
第2の基板を前記流体閉じ込めシステムの下に動かすことと
を含む、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/898,637 | 2007-09-13 | ||
US11/898,637 US8681308B2 (en) | 2007-09-13 | 2007-09-13 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008227986A Division JP4866404B2 (ja) | 2007-09-13 | 2008-09-05 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011171760A true JP2011171760A (ja) | 2011-09-01 |
Family
ID=40454074
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008227986A Expired - Fee Related JP4866404B2 (ja) | 2007-09-13 | 2008-09-05 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2011101629A Pending JP2011171760A (ja) | 2007-09-13 | 2011-04-28 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008227986A Expired - Fee Related JP4866404B2 (ja) | 2007-09-13 | 2008-09-05 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8681308B2 (ja) |
JP (2) | JP4866404B2 (ja) |
KR (2) | KR101005039B1 (ja) |
CN (2) | CN102063023B (ja) |
NL (1) | NL1035816A1 (ja) |
TW (1) | TWI467343B (ja) |
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CN100541713C (zh) * | 2006-07-18 | 2009-09-16 | 东京毅力科创株式会社 | 高折射率液体循环系统、图案形成装置以及图案形成方法 |
-
2007
- 2007-09-13 US US11/898,637 patent/US8681308B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-08-12 NL NL1035816A patent/NL1035816A1/nl active Search and Examination
- 2008-09-01 TW TW97133506A patent/TWI467343B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-09-05 JP JP2008227986A patent/JP4866404B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-09 CN CN201110040146.5A patent/CN102063023B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-09 CN CN2008102150614A patent/CN101446776B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-12 KR KR1020080090336A patent/KR101005039B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-07-13 KR KR1020100067520A patent/KR20100098479A/ko not_active Application Discontinuation
-
2011
- 2011-04-28 JP JP2011101629A patent/JP2011171760A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102063023A (zh) | 2011-05-18 |
KR20090028467A (ko) | 2009-03-18 |
CN102063023B (zh) | 2014-10-15 |
KR20100098479A (ko) | 2010-09-07 |
NL1035816A1 (nl) | 2009-03-16 |
KR101005039B1 (ko) | 2010-12-30 |
CN101446776B (zh) | 2011-04-13 |
US8681308B2 (en) | 2014-03-25 |
TWI467343B (zh) | 2015-01-01 |
JP4866404B2 (ja) | 2012-02-01 |
CN101446776A (zh) | 2009-06-03 |
TW200919114A (en) | 2009-05-01 |
US20090073395A1 (en) | 2009-03-19 |
JP2009111349A (ja) | 2009-05-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110428 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110428 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130410 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130415 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130709 |
|
A02 | Decision of refusal |
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