CN100541713C - 高折射率液体循环系统、图案形成装置以及图案形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供高折射率液体循环系统、图案形成装置以及图案形成方法。高折射率液体循环系统(9)包括：回收在液浸曝光部(30)使用的高折射率液体的第一回收部(4a)；将由第一回收部(4a)回收的高折射率液体供给到后清洗单元(POCLN)作为清洗液使用的第一供给部(4b)；回收在后清洗单元(POCLN)使用的高折射率液体的第二回收部(4c)；将由第二回收部(4c)回收的高折射率液体供给到液浸曝光部(30)的第二供给部(4d)，使高折射率液体在液浸曝光部(30)和后清洗单元(POCLN)之间循环，其不使装置以及工艺规程构成复杂，减少由高折射率液体构成的曝光液和清洗液的使用量，且能防止在基板上产生处理斑点。

Description

高折射率液体循环系统、图案形成装置以及图案形成方法
技术领域
本发明涉及一种图案形成装置上的、用于循环使用高折射率液体的高折射率液体循环系统以及使用这样的高折射率液体循环系统的图案形成装置和图案形成方法，其中，图案形成装置包括对半导体基板等基板涂敷抗蚀剂和在曝光后进行显影的抗蚀剂涂敷·显影部、和在将形成有抗蚀剂膜的基板浸渍在高折射率液体中的状态下，将抗蚀剂膜曝光为规定图案的液浸曝光部。
背景技术
在制造半导体设备时，为了在半导体晶片上形成电路图案，使用光刻技术。使用光刻形成电路图案按以下顺序进行：在半导体晶片上涂敷抗蚀剂液形成抗蚀剂膜，将光照射在该抗蚀剂膜上，与电路图案相对应地对抗蚀剂膜进行曝光，然后对其进行显影处理。
近阶段，半导体设备由于出于提高动作速度等方面的考虑，有高集成化的倾向，所以对于光刻技术来说，要求在半导体晶片上形成的电路图案细微化。因此，作为实现45nm节(node)的高分辨率的光刻技术，提出有液浸(Immersion)曝光方案，该液浸曝光方案是将具有比空气高的折射率的纯水等曝光液供给到半导体晶片和曝光用的投影透镜之间，利用曝光液的折射率缩短来自投影透镜的照射光的波长，由此使曝光的线宽很细小(参照例如专利文献1)。另外，有报告称，为了获得更高的分辨率，尝试使用由以环状烃结构为基本成分的化合物等构成的、具有比纯水高的折射率的液体——高折射率液体(HighIndex Liquid)作为曝光液来进行液浸曝光，并能够实现32nm节的高分辨率(参照非专利文献1)。
但是，在液浸曝光前，通常为了提高对曝光液的亲和性，还有在液浸曝光后，通常为了除去附着在半导体晶片上的曝光液，用纯水等清洗液(或冲洗液)对半导体晶片进行清洗(或冲洗)(参照例如专利文献2)。但是，如以上所述，在曝光液使用高折射率液体的情况下，在现有的液浸曝光前进行清洗时，由于清洗液和曝光液的物理性质大不相同，所以，在液浸曝光时，有可能由于清洗液的渣滓，使其在抗蚀剂膜上产生气泡或者残液等。，另外，由于高折射率液体粘性大，所以在现有的液浸曝光后进行清洗时，有可能不能充分地除去曝光液。即，在曝光液使用高折射率液体的情况下，现有进行的液浸曝光前或液浸曝光后的清洗，难以抑制处理斑点的发生。
另一方面，若考虑成本以及环境等方面，优选是减少曝光液和清洗液的使用量。特别是由于高折射率液体一般情况下价格很高，所以，在使用高折射率液体的情况下，强烈希望能够利用极少的使用量进行处理。为了减少曝光液和清洗液的使用量，可以考虑使这些液体循环再循环。但是，因若想要使这些液体循环再循环，由于曝光液用和清洗液用，分别需要用于回收使用后的液体的机构以及处理，因此招致装置以及工艺规程的复杂化。
专利文献1：国际公开2005-029559号小册子
专利文献2：日本专利特开2006-80403号公报
非专利文献1：作者不详，“半导体制造下一代液浸曝光用高折射率新液体(德尔斐)的开发～实现线宽32纳米的微细加工～”、【online】、2005年9月12日、三井化学股份有限公司、【2006年6月检索】、国际互联网<http://www.mitsui-chem.co.jp/whats/2005_0912.htm>
发明内容
本发明是鉴于这样的情况而提出的，其目在于提供一种不使装置以及工艺规程的构成复杂，减少由高折射率液体构成的曝光液和清洗液的使用量，且能够防止在基板上产生处理斑点的高折射率液体循环系统和高折射率液体循环方法、使用这样的高折射率液体循环系统的图案形成装置以及图案形成方法、以及存储用于实行这样的图案形成方法的控制程序的计算机能读取的存储介质。
为了解决上述问题，本发明的第一观点是提供一种高折射率液体循环系统，该高折射率液体循环系统包括：在基板上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜，在曝光后进行用于使曝光的抗蚀剂膜显影的一连串处理，具有在涂敷抗蚀剂后对曝光前的基板或/和在曝光后对显影前的基板进行清洗的清洗部的抗蚀剂涂敷·显影部；在将形成有抗蚀剂膜的基板浸渍在具有比水高的折射率的液体即高折射率液体中的状态下，将抗蚀剂膜曝光成规定图案的液浸曝光部，是形成规定的抗蚀剂图案的图案形成装置上的、用于循环使用高折射率液体的高折射率液体循环系统，其特征在于，包括：回收在上述液浸曝光部使用的高折射率液体的第一回收部；将由上述第一回收部回收的高折射率液体供给到上述清洗部作为清洗液使用的第一供给部；回收在上述清洗部所使用的高折射率液体的第二回收部；将由上述第二回收部回收的高折射率液体供给到上述液浸曝光部的第二供给部，高折射率液体在从上述液浸曝光部回收到上述第一回收部后，由上述第一供给部供给到上述清洗部用于清洗，在从上述清洗部回收到上述第二回收部后，由上述第二供给部供给到上述液浸曝光部用于液浸曝光，在上述液浸曝光部和上述清洗部之间循环。
在本发明的第一观点中，上述第一回收部和上述第一供给部中的至少一方，以及上述第二回收部和上述第二供给部中的至少一方，分别具有暂时贮存高折射率液体的贮存罐，在上述贮存罐中优选是贮存有比重比高折射率液体的小、且能与高折射率液体分离的、用于防止高折射率液体挥发的防挥发液。
另外，在以上的本发明的第一观点中，优选是还包括在由上述第二供给部供给前、对由上述第二回收部回收后的高折射率液体进行过滤的过滤器。
而且，在以上的本发明的第一观点中，优选是还包括在由上述第二供给部供给前对由上述第二回收部回收后的高折射率液体进行除气的除气部。
而且，在以上的本发明的第一观点中，优选是还包括在由上述第二供给部供给前将由上述第二回收部回收后的高折射率液体调整为规定温度的温度调节机构。在这种情况下，上述温度调节机构从高折射率液体的流通方向的上游侧向下游侧，依次包括：将由上述第二回收部回收后的高折射率液体调整到上述规定温度附近的第一温度调节部；将由上述第一温度调节部调整到上述规定温度附近的高折射率液体调整到上述规定温度的第二温度调节部。
而且，在以上的本发明的第一观点中，优选是上述高折射率液体折射率在1.5以上。
另外，本发明的第二观点是提供一种图案形成装置，该图案形成装置是在基板上形成规定的抗蚀剂图案的图案形成装置，其特征在于，包括：在基板上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜，在曝光后进行用于使曝光了的抗蚀剂膜显影的一连串处理，具有在涂敷抗蚀剂后对曝光前的基板或/和在曝光后对显影前的基板进行清洗的清洗部的抗蚀剂涂敷·显影部；在将形成了抗蚀剂膜的基板浸渍在具有比水高的折射率的液体即高折射率液体中的状态下，将抗蚀剂膜曝光成规定的图案的液浸曝光部；用于循环使用高折射率液体的高折射率液体循环机构，上述清洗部用高折射率液体清洗基板，上述高折射率液体循环机构包括：回收在上述液浸曝光部使用的高折射率液体的第一回收部；将由上述第一回收部回收的高折射率液体供给到上述清洗部的第一供给部；回收在上述清洗部使用的高折射率液体的第二回收部；将由上述第二回收部回收的高折射率液体供给到上述液浸曝光部的第二供给部，高折射率液体在从上述液浸曝光装置回收到上述第一回收部后，由上述第一供给部供给到上述清洗装置用于清洗，在从上述清洗装置回收到上述第二回收部后，由上述第二供给部供给到上述液浸曝光装置，用于液浸曝光，在上述液浸曝光装置和上述清洗装置之间循环。
在本发明的第二观点中，上述抗蚀剂涂敷·显影部还包括：在基板上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜，在曝光后进行用于使曝光的抗蚀剂膜显影的一连串处理的处理站(station工位)；介于上述处理站和上述液浸曝光部之间、且配置了上述清洗部的、具有在上述处理站、上述液浸曝光部和上述清洗部之间输送基板的输送机构的交接站，上述液浸曝光部保持比上述交接站高的压力，在上述交接站可以设置收集高折射率液体的挥发成分的收集机构。在这种情况下，上述收集机构优选是提取收集的高折射率液体的挥发成分中的有机成分，供给到上述第一回收部、上述第一供给部、上述第二回收部和上述第一供给部的至少任意一个。
另外，本发明的第三观点是提供一种图案形成方法，该图案形成方法包括：由涂敷抗蚀剂装置在基板上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜的工序；由液浸曝光装置在将形成有抗蚀剂膜后的基板浸渍在具有比水高的折射率的液体即高折射率液体中的状态下，将抗蚀剂膜曝光成规定图案的工序；由显影装置使曝光后的抗蚀剂膜显影的工序；由清洗装置在形成抗蚀剂膜后对曝光前的基板或/和在曝光后对显影前的基板进行清洗的工序，是形成规定的抗蚀剂图案的图案形成方法，其特征在于：在上述清洗工序中，从上述液浸曝光装置回收在上述曝光工序使用后的高折射率液体，作为清洗液使用，在上述曝光工序，从上述清洗装置回收使用在上述清洗工序使用后的高折射率液体，使高折射率液体在上述液浸曝光装置和上述清洗装置之间循环。
在本发明的第三观点中，在上述清洗工序和上述曝光工序中，在分别使用从上述液浸曝光装置和上述清洗装置回收的高折射率液体之前，优选是暂时贮存在贮存有比重比高折射率液体的小、且能够与高折射率液体分离的、用于防止高折射率液体挥发的防挥发液的贮存罐中。
另外，在以上的本发明的第三观点中，优选是对从上述清洗装置回收的高折射率液体进行过滤，在上述曝光工序中使用。
而且，在以上的本发明的第三观点中，优选是对从上述清洗装置回收的高折射率液体进行除气，在上述曝光工序中使用。
而且，在以上的本发明的第三观点中，优选是将从上述清洗装置回收的高折射率液体调整到规定的温度，在上述曝光工序中使用。
而且，在以上的本发明的第三观点中，优选是上述高折射率液体折射率在1.5以上。
而且，本发明的第四观点，是提供一种计算机能读取的存储介质，该存储介质是存储在计算机上工作的控制程序的计算机能读取的存储介质，其特征在于：上述控制程序使计算机控制处理装置，使其在实际运行时执行上述图案形成方法。
根据本发明，由于曝光液使用高折射率液体，对抗蚀剂膜进行液浸曝光，而且，使用清洗液在形成抗蚀剂膜后对曝光前的基板或/和在曝光后对显影前的基板进行清洗，所以，通过曝光前的清洗，能提高基板的对曝光液的亲和性，另外，通过曝光后的清洗，能从基板上充分地除去曝光液。而且，由于使用在液浸曝光使用后从液浸曝光部(或者液浸曝光装置)回收的高折射率液体进行清洗，而且，使用在清洗使用后从清洗部(或者清洗装置)回收的高折射率液体进行液浸曝光，使高折射率液体在液浸曝光部和清洗部之间循环，所以，可以使用于回收使用后的曝光液的机构以及处理、和用于回收使用后的清洗液的机构以及处理为通用的。因此，不会使装置以及工艺规程的构成复杂，能减少由高折射率液体构成的曝光液和清洗液的使用量，且能防止在基板上产生处理斑点。
附图说明
图1是作为本发明涉及的基板处理装置的一实施方式的图案形成装置的简要俯视图。
图2是图案形成装置的简要立体图。
图3是设置在图案形成装置上的交接站的简要立体图。
图4是表示设置在图案形成装置上的交接站(interface station)和曝光装置的主要部位的结构简图。
图5是设置在曝光装置上的曝光部的简要剖视图。
图6是设置在交接站上的前清洗单元的简要剖视图。
标号说明
1图案形成装置；4a第一回收部；4b第一供给部；4c第二回收部；4d第二供给部；5液体再生机构；6收集机构；9高折射率液体循环机构(高折射率液体循环系统)；12处理站；13交接站；14曝光装置；21第一晶片输送体(输送机构)；22第二晶片输送体(输送机构)；30液浸曝光部(液浸曝光装置)；41第一输送管道；42第二输送管道；41a、42a第一贮存罐；41b、42b第二贮存罐；51过滤器；52除气部；53温度调节机构；53a第一温度调节部；53b第二温度调节部；W晶片(基板)；COT涂敷抗蚀剂单元(涂敷抗蚀剂部、涂敷抗蚀剂装置)；DEV显影单元(显影部、显影装置)；POCLN后清洗单元(后清洗部、后清洗装置)；PRECLN前清洗单元(前清洗部、前清洗装置)
具体实施方式
以下参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是作为本发明涉及的基板处理装置的一实施方式的图案形成装置的简要俯视图，图2是其简要立体图。
图案形成装置1是用于在作为半导体基板的晶片W上形成规定抗蚀图案的装置，包括：作为晶片W的输送站的盒式站11；具有对晶片W实施规定的处理的多个处理单元的处理站12；对晶片W实施曝光处理的曝光装置14；以及用于在处理站12和曝光装置14之间传递晶片W的交接站13。盒式站11、处理站12、交接站13以及曝光装置14，接该顺序沿图案形成装置1的长度方向(Y方向)串联配置。
盒式站11沿Y方向顺次串连包括：放置收容有多个(例如13个)晶片的晶片盒(CR)的晶片盒放置台11a；以及用于在晶片盒放置台11a上的晶片盒(CR)和设置在后述的处理站12的第三处理单元组G3上的过渡单元之间输送晶片W的晶片输送部11c。在晶片盒放置台11a上，沿图案形成装置1的宽度方向(X方向)设置有多个(例如5个)用于对晶片盒(CR)进行定位的定位部11b，晶片盒(CR)放置在定位部11b上，使其开口朝向设置在晶片输送部11c的框体的壁面上的开关部11e。晶片输送部11c配置在该框体内，具有能够保持晶片W的输送检拾器(pick)11d，制成能够利用该输送检拾器11d在晶片盒放置台11a上的各晶片盒(CR)和过渡单元之间输送晶片W。
处理站12被配置在框体15内，在其前面侧(图1的下方)，从盒式站11侧向交接站13侧，按顺序具有第一处理单元组G1和第二处理单元组G2，在其背面侧(图1的上方)，从盒式站11侧向交接站13侧，按顺序具有第三处理单元组G3、第四处理单元组G4和第五处理单元组G5。另外，处理站12在第三处理单元组G3和第四处理单元组G4之间具有第一主输送部A1，在第四处理单元组G4和第五处理单元组G5之间具有第二主输送部A2。
第一处理单元组G1是层积用于在晶片W上形成曝光时防止光反射的防止反射膜的例如两个底涂层单元(BARC)和在晶片上形成抗蚀剂膜的例如三个涂敷抗蚀剂单元(COT)而构成的。第二处理单元组G2是层积对晶片W实施显影处理的例如三个显影单元(DEV)和用于在晶片W上所形成的抗蚀剂膜的表面上形成具有拨水性的抗蚀剂膜的例如两个外涂层单元(top coating unit)(ITC)而构成的。
第三处理单元组G3具有成为盒式站11和第一主输送部A1之间的晶片W的交接部的过渡单元。第五处理单元组G5具有成为在第二主输送部A2和交接站13的后述的第一晶片输送体21之间的晶片W的交接部的过渡单元。另外，第三处理单元组G3、第四处理单元组G4、第五处理单元组G5是有选择地层积例如对晶片W实施疏水化处理的附着单元或对涂敷抗蚀剂后的晶片W实施加热处理的预烘焙单元、对显影处理后的晶片实施加热处理的后烘焙单元、对曝光后显影前的晶片W实施加热处理的后曝光烘焙单元等热处理单元构成的。
第一主输送部A1具有能够保持晶片W的第一主晶片输送臂16，该第一主晶片输送臂16能够有选择地接近(访问)第一处理单元组G1、第三处理单元组G3和第四处理单元组G4的各单元。第二主输送部A2具有能够保持晶片W的第二主晶片输送臂17，该第二主晶片输送臂17能够有选择地接近第二处理单元组G2、第四处理单元组G4和第五处理单元组G5的各单元。
在第一处理单元组G1和盒式站11之间以及第二处理单元组G2和交接站13之间，分别设有将处理液供给第一和第二处理单元组G1、G2的液温调节泵18。在第一和第二处理单元组G1、G2的下侧分别设有将药水供给到该处的化学单元(CHM)。
图3是设置在图案形成装置1上的交接站13的简要立体图。
交接站13配置在框体内，具有处理站12侧的第一交接站13a和曝光装置14侧的第二交接站13b。在第一交接站13a设有用于输送晶片W的第一晶片输送体21，使其朝向第五处理单元组G5的开口部，在第二交接站13b，设有用于输送能够沿X方向移动晶片W的第二晶片输送体22。
在第一交接站13a的正面侧，配置有第六处理单元组G6，该第六处理单元组G6是层积以下部分构成的：为了除去晶片周边部的多余抗蚀剂膜有选择地仅对晶片W的边缘部进行曝光的周边曝光装置(WEE)；暂时收容输送到曝光装置14的晶片W的内用缓冲箱(INBR)；暂时收容从曝光装置14输送过来的晶片W的外用缓冲箱(OUTBR)；对输送到曝光装置14之前的晶片W进行清洗的前清洗单元(PRECLN)；以及对从曝光装置14输送过来的晶片W进行清洗的后清洗单元(POCLN)。在第一交接站13a的背面侧配置有层积例如两层高精度地调节晶片W的温度的高精度温度调节单元(CPL)而构成的第七处理单元组G7。
第一晶片输送体21具有用于交接晶片W的叉子21a。该叉子21a能够接近(访问)第五处理单元组G5、第六处理单元组G6、第七处理单元组G7的各单元，因此，在各单元之间输送晶片W。
第二晶片输送体22具有用于交接晶片W的叉子22a。该叉子22a能够接近(访问)第六处理单元组G6的前清洗单元(PRECLN)和后清洗单元(POCLN)、第七处理单元组G7的各单元、曝光装置14的后述的内平台14a和外平台14b，在它们之间输送晶片W。
在第一交接站13a的上部，设置有调整第一交接站13a或交接站13的气流的气流调整部23，在第二交接站13b的上部，设置有为了不使从曝光装置输送过来的晶片W干燥而对第二交接站13b或交接站13进行加湿的加湿部24。
具有在晶片W上涂敷抗蚀剂、形成抗蚀剂膜的涂敷抗蚀剂单元(COT)、对由曝光装置14曝光后的抗蚀剂膜进行显影的显影单元(DEV)等的各单元的处理站12，和具有在涂敷抗蚀剂后对曝光前的晶片W进行清洗的前清洗单元(PRECLN)以及在曝光后对显影前的晶片W进行清洗的后清洗单元(POCLN)的交接站13，构成抗蚀剂涂敷·显影部。
曝光装置14包括：放置从交接站13输送过来的晶片W的内平台14a；放置输送到交接站13的晶片W的外平台14b；在将形成有抗蚀剂膜的晶片W浸渍在规定的液体中的状态下对抗蚀剂膜进行曝光的液浸曝光部30；以及在内平台14a、液浸曝光部30和外平台14b之间输送晶片W的晶片输送机构25。
在这样构成的图案形成装置1中，首先，由晶片输送部11c的输送检拾器11d从晶片盒(CR)取出一片晶片W，输送到设置在处理站12的第三处理单元组G3上的过渡单元。接着，由第一和第二主输送部A1、A2，按照制法(方案)的顺序，将晶片W依次输送到第一～第五处理单元组G1～G5的规定单元，对晶片W实施一连串的处理。在此，依次进行例如在附着单元进行附着处理、在涂敷抗蚀剂单元(COT)形成抗蚀剂膜、在外涂层单元(ITC)形成抗蚀剂膜、在预烘焙单元进行预烘焙处理。另外，也有时取代附着处理，在底涂层单元(BARC)形成防止反射膜，也有时在抗蚀剂膜上形成防止反射膜，在防止反射膜上形成抗蚀剂膜。
若在处理站12的对晶片W的一连串的处理结束，将晶片W输送到设置在第五处理单元组G5上的过渡单元，则由第一晶片输送体21，依次输送到周边曝光装置(WEE)、内用缓冲箱(INBR)、前清洗单元(PRECLN)以及高精度温度调节单元(CPL)，对晶片W实施一连串的处理。接着，用第二晶片输送体22将晶片W输送到曝光装置14的内平台14a上，再由晶片输送机构25输送到液浸曝光部30，在液浸曝光部30对晶片W实施曝光处理。
在液浸曝光部30曝光后，由晶片输送机构25将晶片W输送到外平台14b。接着，由第二晶片输送体22将晶片W输送到后清洗单元(POCLN)，对晶片W进行清洗。接着，在由第一晶片输送体21将晶片W输送到设置在第五处理单元组G5上的过渡单元之后，由第一和第二主输送部A1、A2按照制法的顺序，将晶片W依次输送到第一～第五处理单元组G1～G5的规定的单元，对晶片W实施一连串的处理。在此，依次进行例如在后曝光烘焙单元进行后曝光烘焙处理、在显影单元(DEV)进行显影处理、在后烘焙单元进行后烘焙处理。然后，在将晶片W输送到设置在第三处理单元组G3上的过渡单元后，输送到盒式站11的晶片盒(CR)。
以下，详细地对曝光装置14的液浸曝光部30、前清洗单元(PRECLN)以及后清洗单元(POCLN)进行说明。
图4是表示设置在图案形成装置1上的交接站13和曝光装置14的主要部位的简图，图5是设置在曝光装置14上的液浸曝光部30的简要剖视图，图6是设置在交接站13上的前清洗单元(PRECLN)的简要剖视图。
液浸曝光部30构成为：在将晶片W浸渍在具有比纯水(折射率1.44)高的折射率的液体、优选是折射率1.5以上的液体、例如是由以环状烃结构为基本成分的化合物构成的液体(折射率1.63)的高折射率液体中的状态下，将抗蚀剂膜曝光成规定的图案，进行所谓的液浸曝光。其结构为，前清洗单元(PRECLN)、后清洗单元(POCLN)都使用与在液浸曝光部30使用的液体相同或同一种高折射率液体对晶片W进行清洗。随之，如图4所示，在交接站13和曝光装置14，设置用于在液浸曝光部30和前清洗单元(PRECLN)以及后清洗单元(POCLN)之间循环使用高折射率液体的高折射率液体循环机构9(高折射率液体循环系统)。
高折射率液体循环机构9包括：将在液浸曝光部30使用后的高折射率液体输送到前清洗单元(PRECLN)和后清洗单元(POCLN)的第一输送管道41；将在前清洗单元(PRECLN)和后清洗单元(POCLN)使用后的高折射率液体输送到液浸曝光部30的第二输送管道42；以及用于回收该第二输送管道42内的高折射率液体的液体回收机构5。
如图5所示，液浸曝光部30包括：图未示的能够开关的容器；放置收容在该容器内的晶片W的平台31；将用来自未图示的光源的曝光光线照射的掩膜的图案图像，投射到平台31上的晶片W上进行曝光的投影透镜32；在平台31上的晶片W和投影透镜32之间，形成供给作为曝光液的高折射率液体的供给口33和回收该曝光液的回收口34的曝光液流通构件35。
平台31设计成能够沿水平方向移动且能够微小地旋转。另外，平台31制成具有环状突出部36，使其包围放置的晶片W，由该环状突出部36保持放置的晶片W，而且，能够防止供给到晶片W的曝光液流出。投影透镜32制成能将掩膜的图案图像以规定的倍率投射到晶片W上进行曝光。而且，作为来自光源的曝光光线，可以使用KrF受激准分子激光等远紫外光或ArF受激准分子激光等真空紫外光等。曝光液流通构件35在投影透镜32的前端部或下端部的周围设置有圆环，在下部沿周向空开间隔分别形成多个供给口33和回收口34。另外，曝光液流通构件35与第一和第二输送管道41、42连接，使各供给口33与第二输送管道42内部连通，且各回收口34与第一输送管道41内部连通。因此，其结构为：能够从各供给口33供给由第二输送管道42输送的曝光液，而且，通过各回收口34回收的曝光液被输送到第一输送管道41。
在这样构成的液浸曝光部30中，若由晶片输送机构25将晶片W放置在平台31上，则根据需要使平台31和/或掩膜水平移动，且从曝光液流通构件35的各供给口33，将高折射率液体供给到晶片W和投影透镜32之间，同时由投影透镜32将掩膜的图案图像投射到晶片W上，由此对晶片W实施液浸曝光处理。此时，由第一输送管道41从各回收口34回收供给到晶片W和投影透镜32之间的高折射率液体。在本实施方式中，由于使用高折射率液体进行液浸曝光，所以，能够显著地缩短曝光波长，因此，能够获得高分辨率。在液浸曝光进行规定时间后，停止供给曝光液，由晶片输送机构25将晶片W从平台31输送到外平台14b。
如图6所示，前清洗单元(PRECLN)包括：收容晶片W的容器(腔室)60；在容器60内使晶片W保持水平而旋转的旋转卡盘61；升降并在第一晶片输送体21或第二晶片输送体22和旋转卡盘61之间交接晶片W的升降支杆62；将由高折射率液体构成的清洗液和氮气等吹扫气体排出并供给到保持在旋转卡盘61上的晶片W的喷淋头63；将吹扫气体(清洁气体)输送到喷淋头63的吹扫气体输送机构68；以及接受从晶片W上洒落或振落的清洗液的回收杯64。
在容器60的例如侧壁上，形成有送入送出晶片W的第一晶片输送体21或第二晶片输送体22能够通过的输送进出口65，而且，设置有能够开关该输送进出口65的闸门65a。升降支杆62制成能由升降机构66进行升降，在进入到容器60的第一晶片输送体21或第二晶片输送体22和旋转卡盘61之间交接晶片W。旋转卡盘61制成通过真空吸附晶片W的背面(下面)的中央部保持晶片W，由马达等旋转机构67使其旋转。喷淋头63制成与第一输送管道41连接，将由该第一输送管道41输送的清洗液供给到保持在旋转卡盘61上的晶片W的表面(上面)。回收杯64设置成围绕保持在旋转卡盘61上的晶片W，制成与第二输送管道42连接，将接住的清洗液输送到第二输送管道42。
而且，后清洗单元(POCLN)具有与前清洗单元相同的结构。
在这样构成的前清洗单元(PRECLN)中，首先，若晶片W从输送进出口65被输送到容器60内，则使升降机构66升降，将晶片W交到旋转卡盘61，由闸门65a封闭输送进出口65。接着，由旋转卡盘61使晶片W旋转，同时，由喷淋头63将清洗液供给到晶片W，对晶片W进行清洗，然后，使晶片W旋转，且将吹扫气体从喷淋头63供给到晶片W，使晶片W干燥。在此期间，从晶片W洒落或振落的清洗液，由回收杯64接住，由第二输送管道42回收。在晶片W的干燥结束后，由闸门65a打开输送进出口65。然后，晶片W从输送进出口65输送到容器60外。在本实施方式，由于使用与在液浸曝光时作为曝光液使用的液体相同或同一种高折射率液体作为清洗液，对液浸曝光前的晶片W进行清洗，所以，能够提高晶片W的对曝光液的亲和性，因此，能够防止在液浸曝光时由于清洗液的渣滓引起的在抗蚀剂膜上残留气泡或液体等情况的发生。
另外，由于高折射率液体粘性大(比纯水大)，所以，在液浸曝光时容易附着在晶片W上，难以用现有的液浸曝光后的纯水等，通过清洗而除去，在本实施方式中，由于用与在液浸曝光时使用的液体相同或同一种高折射率液体作为清洗液，对液浸曝光后的晶片W进行清洗，所以，能能够利用从喷淋头63喷出的高折射率液体的液压和粘性，充分地除去由附着在晶片W上的高折射率液体构成的曝光液。
如图4所示，第一输送管道41包括：设置在上游侧的、贮存高折射率液体的第一贮存罐41a；设置在下游侧的、贮存高折射率液体的第二贮存罐41b；将在液浸曝光部30使用的高折射率液体输送到第一贮存罐41a的第一泵41c；将贮存在第一贮存罐41a中的高折射率液体输送到第二贮存罐41b的第二泵41d；将贮存在第二贮存罐41b的高折射率液体输送到前清洗单元(PRECLN)和后清洗单元(POCLN)的第三泵41e；调整输送到第一贮存罐41a的高折射率液体的流量的第一阀41f；调整输送到前清洗单元(PRECLN)的高折射率液体的流量的第二泵41g；以及调整输送到后清洗单元(POCLN)的高折射率液体的流量的第三阀41h。第二输送管道42包括：设置在上游侧的、贮存高折射率液体的第一贮存罐42a；设置在下游侧的、贮存高折射率液体的第二贮存罐42b；将在前清洗单元(PRECLN)和后清洗单元(POCLN)回收的高折射率液体输送到第一贮存罐42a的第一泵42c；将贮存在第一贮存罐42a中的高折射率液体输送到第二贮存罐42b的第二泵42d；将贮存在第二贮存罐42b中的高折射率液体输送到液浸曝光部30的第三泵42e；以及调整输送到液浸曝光部30的高折射率液体的流量的阀42f。
由于在一般情况下，高折射率液体挥发性较高，所以，在第一贮存罐41a、42a和第二贮存罐41b、42b中分别贮存有比重比高折射率液体小，且与高折射率液体分离的水等防挥发液C，以不使高折射率液体挥发。
第二泵41d、42d分别制成：例如在第一贮存罐41a、42a内的高折射率液体达规定量以上时，将第一贮存罐41a、42a内的高折射率液体输送到第二贮存罐41b、42b。
在第二贮存罐41b、42b上分别连接有用于将新的高折射率液体补充到该第二贮存罐41b、42b的新液供给管道43、44。新液供给管道43、44分别制成：例如在第一贮存罐41a、42a内的高折射率液体在规定量以下，且第二贮存罐41b、42b内的高折射率液体在规定量以下时，将调整为规定的温度的新的高折射率液体补充到第二贮存罐41b、42b。
包含第一贮存罐41a、第一泵41c和第一阀41f的第一输送管道41的上游侧端部，构成回收在液浸曝光部30使用的高折射率液体的第一回收部4a，包含第二贮存罐41b、第三泵41e、第二阀41g和第三阀41h的第一输送管道41的下游侧端部，构成将由第一回收部回收的高折射率液体分别供给到前清洗单元(PRECLN)和后清洗单元(POCLN)的第一供给部4b。另外，包含第一贮存罐42a和第一泵42c的第二输送管道42的上游侧端部，构成回收分别在前清洗单元(PRECLN)和后清洗单元(POCLN)使用的高折射率液体的第二回收部4c，包含第二贮存罐42b、第三泵42e、以及阀42f的第二输送管道42的下游侧端部，构成将由第二回收部回收的高折射率液体供给到液浸曝光部30的第二供给部4d。
液体回收机构5包括：分别过滤第一输送管道41和第二输送管道42内的高折射率液体的过滤器51；对第二输送管道42内的高折射率液体进行除气的除气部52；以及将第二输送管道42内的高折射率液体调整为规定的温度的温度调节机构53。
过滤器51为了过滤向液浸曝光部30供给之前的高折射率液体、以及向前清洗单元(PRECLN)和后清洗单元(POCLN)供给之前的高折射率液体，例如，设置在第一输送管道41的第二贮存罐41b的下游侧，以及第二输送管道42的第二贮存罐42b的下游侧。除气部52例如设置在第一贮存罐42a上，使其对第一贮存罐42a内的高折射率液体进行除气。温度调节机构53例如由以下部分构成：将第一贮存罐42a内的高折射率液体调整到规定温度附近的第一温度调节部53a；以及在第二贮存罐42b内将由第一温度调节部53a调整到规定的温度附近的高折射率液体调整为规定温度的第二温度调节部53b。
在这样构成的高折射率液体循环机构9中，高折射率液体在从液浸曝光部30回收到第一回收部4a之后，由第一供给部4b分别供给到前清洗单元(PRECLN)和后清洗单元(POCLN)，以用于清洗，在从前清洗单元(PRECLN)和后清洗单元(POCLN)回收到第二回收部4c之后，由第二供给部4d供给到液浸曝光部30，以用于液浸曝光，在液浸曝光部30与前清洗单元(PRECLN)和后清洗单元(POCLN)之间循环。
在交接站13上设置有用于收集高折射率液体的挥发成分的收集机构6。曝光装置14(或液浸曝光部30)保持比交接站13高的压力，另外，如以上所述，由于高折射率液体挥发性高，所以，高折射率液体的挥发成分容易进入到交接站13内以及通过交接站13进入到处理站12内。若高折射率液体的挥发成分进入到处理站12内，则有可能会给晶片W带来不良的影响。因此，在本实施方式中，由于制成用收集机构6收集交接站13内的高折射率液体的挥发成分、以及要从曝光装置14进入到交接站13内的高折射率液体的挥发成分，所以，能够避免对晶片W的不良影响。用收集机构6收集的具有高折射率的液体的挥发成分，虽然也可以无害化后将其废弃，但在此仅提取挥发成分中的有机成分，将该有机成分通过供给管道60供给到第一输送管道41和第二输送管道的至少一方，因此能进一步提高高折射率液体的再循环效率。而且，收集机构6可以制成将从高折射率液体的挥发成分中除掉有机成分的空气排放到装置外。
在本实施方式，如以上所述，由于设置前清洗单元(PRECLN)和后清洗单元(POCLN)，使用高折射率液体，对由曝光装置14或液浸曝光部30使用高折射率液体进行液浸曝光处理前和液浸曝光处理后的晶片W进行清洗，所以，能够提高晶片W的对曝光液的亲和性，而且，能够从晶片W上充分地除去曝光液，因此能够防止在晶片W上出现处理斑点。
另一方面，在本实施方式中，由于其结构为：用第一输送管道41回收在曝光装置14或液浸曝光部30使用的高折射率液体，供给到前清洗单元(PRECLN)和后清洗单元(POCLN)，而且，用第二输送管道42回收在前清洗单元(PRECLN)和后清洗单元(POCLN)使用的高折射率液体，供给到液浸曝光部30，所以，使高折射率液体在液浸曝光部30与前清洗单元(PRECLN)和后清洗单元(POCLN)之间循环再循环，能够减少由高折射率液体构成的曝光液和清洗液的使用量，而且，能避免分别需要用于回收在曝光装置14或液浸曝光部30使用的曝光液的机构以及处理、和用于回收在前清洗单元(PRECLN)和后清洗单元(POCLN)使用的清洗液的机构以及处理。因此，将用于回收循环中的高折射率液体的除气部52和温度调节机构53，仅设置在第一输送管道41和第二输送管道42的任意一方、例如第二输送管道42上即可。因此，对环境有利，而且便于降低原料的成本，除此之外，还便于简化作为组合设备的装置。
另外，在本实施方式中，由于在第一输送管道41和第二输送管道42上设置暂时贮存高折射率液体的贮存罐41a、41b、42a、42b，而且，其结构是用水等防止挥发液C密封贮存罐41a、41b、42a、42b的高折射率液体的水封式，所以，能够防止高折射率液体挥发，能够提高再循环效率。
另外，在本实施方式，由于设置有过滤第二输送管道42内的高折射率液体的过滤器51、对第二输送管道42内的高折射率液体进行除气的除气部52、以及将第二输送管道42内的高折射率液体调整为规定的温度的温度调节机构53，所以，能够使在液浸曝光部30使用的曝光液保持新鲜状态，因此，能够使受到曝光液的温度或清洁度等很大的影响的液浸曝光处理保持很高的质量。
再有，在本实施方式，由于使温度调节机构53，从第二输送管道42的上游侧向下游侧依次由将高折射率液体粗略地调整到规定温度附近的第一温度调节部53a和将由第一温度调节部53a调整到规定温度附近的高折射率液体精确地调整到规定温度的第二温度调节部53b构成，所以，能够可靠地将在液浸曝光部30使用的曝光液调整为所希望的温度，因此，能进一步使液浸曝光处理保持很高的质量。
本发明并不限定于上述实施方式，可以有种种变形。在上述实施方式，虽然制成使高折射率液体在曝光部和前清洗单元及后清洗单元之间循环，但并不限于此，也可以制成使高折射率液体仅在曝光部和前清洗单元或后清洗单元之间循环。另外，除气部和温度调节机构并不仅限于第二输送管道，也可以设置在第一输送管道上。再有，也可以将清洗单元和高折射率液体循环机构一体地设置在曝光装置上。

Claims (16)

1.一种高折射率液体循环系统，其特征在于，包括：
在基板上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜，在曝光后进行用于使曝光的抗蚀剂膜显影的一连串处理，具有在涂敷抗蚀剂后对曝光前的基板或/和在曝光后对显影前的基板进行清洗的清洗部的抗蚀剂涂敷·显影部；以及在将形成有抗蚀剂膜的基板浸渍在作为具有比水高的折射率的液体的高折射率液体中的状态下，将抗蚀剂膜曝光成规定图案的液浸曝光部，该高折射率液体循环系统是形成规定的抗蚀剂图案的图案形成装置上的、用于循环使用高折射率液体的高折射率液体循环系统，其还包括：
回收在所述液浸曝光部所使用的高折射率液体的第一回收部；
将由所述第一回收部回收的高折射率液体供给到所述清洗部作为清洗液使用的第一供给部；
回收在所述清洗部所使用的高折射率液体的第二回收部；
将由所述第二回收部回收的高折射率液体供给到所述液浸曝光部的第二供给部，其中，
高折射率液体在从所述液浸曝光部回收到所述第一回收部后，由所述第一供给部供给到所述清洗部用于清洗，在从所述清洗部回收到所述第二回收部后，由所述第二供给部供给到所述液浸曝光部用于液浸曝光，在所述液浸曝光部和所述清洗部之间循环。
2.如权利要求1所述的高折射率液体循环系统，其特征在于：
所述第一回收部和所述第一供给部中的至少一方，以及所述第二回收部和所述第二供给部中的至少一方，分别具有暂时贮存高折射率液体的贮存罐，
在所述贮存罐中贮存有比重比高折射率液体的小、且能够与高折射率液体分离的、用于防止高折射率液体挥发的防挥发液。
3.如权利要求1或2所述的高折射率液体循环系统，其特征在于：
还包括在由所述第二供给部供给前、对由所述第二回收部回收后的高折射率液体进行过滤的过滤器。
4.如权利要求1或2所述的高折射率液体循环系统，其特征在于：
还包括在由所述第二供给部供给前对由所述第二回收部回收后的高折射率液体进行除气的除气部。
5.如权利要求1或2所述的高折射率液体循环系统，其特征在于：
还包括在由所述第二供给部供给前将由所述第二回收部回收后的高折射率液体调整为规定温度的温度调节机构。
6.如权利要求5所述的高折射率液体循环系统，其特征在于：
所述温度调节机构从高折射率液体的流通方向的上游侧向下游侧依次包括：
将由所述第二回收部回收后的高折射率液体调整到所述规定温度附近的第一温度调节部；以及
将由所述第一温度调节部调整到所述规定温度附近的高折射率液体调整到所述规定温度的第二温度调节部。
7.如权利要求1或2所述的高折射率液体循环系统，其特征在于：
所述高折射率液体折射率在1.5以上。
8.一种图案形成装置，是在基板上形成规定抗蚀剂图案的图案形成装置，其特征在于，包括：
在基板上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜，在曝光后进行用于使曝光的抗蚀剂膜显影的一连串处理，具有在涂敷抗蚀剂后对曝光前的基板或/和在曝光后对显影前的基板进行清洗的清洗部的抗蚀剂涂敷·显影部；
在将形成有抗蚀剂膜的基板浸渍在作为具有比水高的折射率的液体的高折射率液体中的状态下，将抗蚀剂膜曝光成规定的图案的液浸曝光部；以及
用于循环使用高折射率液体的高折射率液体循环机构，其中，
所述清洗部用高折射率液体清洗基板，
所述高折射率液体循环机构包括：
回收在所述液浸曝光部所使用的高折射率液体的第一回收部；
将由所述第一回收部回收的高折射率液体供给到所述清洗部的第一供给部；
回收在所述清洗部使用的高折射率液体的第二回收部；以及
将由所述第二回收部回收的高折射率液体供给到所述液浸曝光部的第二供给部，其中，
高折射率液体在从所述液浸曝光装置回收到所述第一回收部后，由所述第一供给部供给到所述清洗装置用于清洗，在从所述清洗装置回收到所述第二回收部后，由所述第二供给部供给到所述液浸曝光装置，用于液浸曝光，在所述液浸曝光装置和所述清洗装置之间循环。
9.如权利要求8所述的图案形成装置，其特征在于：
所述抗蚀剂涂敷·显影部还包括：
在基板上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜，在曝光后进行用于使曝光的抗蚀剂膜显影的一连串处理的处理站；以及
介于所述处理站和所述液浸曝光部之间、且配置有所述清洗部的、具有在所述处理站、所述液浸曝光部和所述清洗部之间输送基板的输送机构的交接站，其中，
所述液浸曝光部保持比所述交接站高的压力，在所述交接站设置收集高折射率液体的挥发成分的收集机构。
10.如权利要求9所述的图案形成装置，其特征在于：
所述收集机构提取收集的高折射率液体的挥发成分中的有机成分，供给到所述第一回收部、所述第一供给部、所述第二回收部和所述第一供给部的至少任一个。
11.一种图案形成方法，其特征在于：
其是形成规定的抗蚀剂图案的图案形成方法，包括：由涂敷抗蚀剂装置在基板上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜的工序；由液浸曝光装置在将形成有抗蚀剂膜后的基板浸渍在作为具有比水高的折射率的液体的高折射率液体中的状态下，将抗蚀剂膜曝光成规定的图案的工序；由显影装置使曝光后的抗蚀剂膜显影的工序；以及由清洗装置在形成抗蚀剂膜后对曝光前的基板或/和在曝光后对显影前的基板进行清洗的工序，其中，
在所述清洗工序中，从所述液浸曝光装置回收在所述曝光工序使用后的高折射率液体，作为清洗液使用，在所述曝光工序，从所述清洗装置回收使用在所述清洗工序使用后的高折射率液体，使高折射率液体在所述液浸曝光装置和所述清洗装置之间循环。
12.如权利要求11所述的图案形成方法，其特征在于：
在所述清洗工序和所述曝光工序中，在分别使用从所述液浸曝光装置和所述清洗装置回收的高折射率液体之前，暂时贮存在贮存有比重比高折射率液体的小、且能与高折射率液体分离的、用于防止高折射率液体挥发的防挥发液的贮存罐中。
13.如权利要求11或12所述的图案形成方法，其特征在于：
对从所述清洗装置回收的高折射率液体进行过滤，在所述曝光工序中使用。
14.如权利要求11或12所述的图案形成方法，其特征在于：
对从所述清洗装置回收的高折射率液体进行除气，在所述曝光工序中使用。
15.如权利要求11或12所述的图案形成方法，其特征在于：
将从所述清洗装置回收的高折射率液体调整到规定的温度，在所述曝光工序中使用。
16.如权利要求11或12所述的图案形成方法，其特征在于：
所述高折射率液体折射率在1.5以上。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008135723A (ja) * 2006-10-27 2008-06-12 Toshiba Corp 液浸露光装置および露光方法
US8681308B2 (en) * 2007-09-13 2014-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10971352B2 (en) * 2018-07-16 2021-04-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Cleaning method and apparatus

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3335190B2 (ja) * 1992-03-17 2002-10-15 新オオツカ株式会社 浸漬式洗浄装置
JP4444920B2 (ja) * 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR100872974B1 (ko) 2003-12-22 2008-12-08 동부일렉트로닉스 주식회사 습식 스테이션의 약액 순환장치 및 방법
US7906268B2 (en) * 2004-03-18 2011-03-15 Fujifilm Corporation Positive resist composition for immersion exposure and pattern-forming method using the same
CN108490741A (zh) * 2004-06-09 2018-09-04 株式会社尼康 曝光装置及元件制造方法
JP4271109B2 (ja) 2004-09-10 2009-06-03 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置
JP2009516927A (ja) * 2005-11-23 2009-04-23 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー アルカン液浸液を再循環させるための装置、および使用方法
JP2007201252A (ja) 2006-01-27 2007-08-09 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法

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