JP2007214279A - 塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実施するためのコンピュータプログラム。 - Google Patents
塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実施するためのコンピュータプログラム。 Download PDFInfo
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- 238000011161 development Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 51
- 238000004590 computer program Methods 0.000 title claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 236
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 131
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 115
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000006872 improvement Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 102
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 102
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 90
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 81
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 78
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 32
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 6
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 200
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 88
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 45
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 20
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 10
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 3
- -1 developing apparatus Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical class [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- UAIFZYSPVVBOPN-UHFFFAOYSA-N trimethyl(prop-1-en-2-yloxy)silane Chemical compound CC(=C)O[Si](C)(C)C UAIFZYSPVVBOPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Abstract
【解決手段】基板の表面に薄膜を形成した被処理基板の上にレジスト液を塗布するレジスト膜形成用の塗布ユニットCOTと、レジスト膜の表面に光を透過する液層を形成した状態で露光した後のレジスト膜を現像する現像ユニットDEVと、を備えた塗布、現像装置において、レジスト膜の周縁部を溶剤により除去するための第1の周縁部洗浄手段と、レジスト膜を保護するために、撥水性材料を含む塗布液を基板の表面全体に塗布する保護膜形成用の塗布ユニットITCと、レジスト膜の周縁部の除去により露出した基板の露出面を含む領域に、前記保護膜の密着性を向上させるための密着性向上用の流体を供給する密着性向上処理部と、を備えるように塗布、現像装置を構成する。
【選択図】図2
Description
26 反射防止膜形成ユニット
27 レジスト塗布ユニット
28 保護膜形成ユニット
2A 現像ユニット
61 レジスト液供給ノズル
71 エッジリンスノズル
8 密着性向上処理部
81 ノズル本体
Claims (18)
- 基板の表面に薄膜を形成した被処理基板の上にレジスト液を塗布するレジスト膜形成用の塗布ユニットと、レジスト膜の表面に光を透過する液層を形成した状態で露光した後のレジスト膜を現像する現像ユニットと、を備えた塗布、現像装置において、
レジスト膜の周縁部を溶剤により除去するための第1の周縁部洗浄手段と、
液層を用いた露光時に前記レジスト膜を保護するために、撥水性材料を含む塗布液を基板の表面全体に塗布する保護膜形成用の塗布ユニットと、
前記撥水性材料を含む塗布液を被処理基板の表面に塗布する前に、レジスト膜の周縁部の除去により露出した基板の露出面を含む領域に、前記保護膜の密着性を向上させるための密着性向上用の流体を供給する密着性向上処理部と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 密着性向上用の流体を供給する領域は、被処理基板の裏面の周縁部を含むことを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。
- 被処理基板の表面にレジスト液を塗布する前に、反射防止膜を形成するための塗布液を塗布する反射防止膜形成用の塗布ユニットと、
レジスト液を基板に塗布する前に反射防止膜の周縁部を溶剤により除去するための第2の周縁部洗浄手段と、を備え、
第1の周縁部洗浄手段により処理された後のレジスト膜の周縁は、反射防止膜の周縁よりも内側に位置していることを特徴とする請求項1または2記載の塗布、現像装置。 - 密着性向上処理部は、被処理基板を水平に保持して鉛直軸回りに回転させるための回転ステージと、この回転ステージに保持された被処理基板の周縁部を表裏両面側から間隙をおいて挟むように形成されたコ字型のノズル本体と、このノズル本体に設けられ、被処理基板表面の周縁部における基板の露出面と、被処理基板の裏面の周縁部と、を含む領域に密着性向上用の流体を供給するためのノズル部と、前記ノズル本体に設けられ、密着性向上用の流体を吸引する吸引部と、を備えたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
- 密着性向上処理部の回転ステージは、保護膜形成用の塗布ユニットに設けられた回転ステージを共用することを特徴とする請求項4記載の塗布、現像装置。
- 密着性向上処理部は、処理容器内に設けられ、被処理基板を載置したときに被処理基板の周縁部が飛び出るように被処理基板よりも小さく形成された基板載置台と、基板載置台に載置された被処理基板の表面の周縁部における基板の露出面を含む領域及び被処理基板の裏面の周縁部に密着性向上用のガスを供給するための密着性向上用のガス供給部と、処理容器内を排気する排気部と、を備えたことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
- 前記排気部は、被処理基板上に供給されたガスが被処理基板の外側に向かって流れるように設けられていることを特徴とする請求項6記載の塗布、現像装置。
- 前記ガス供給部は、基板載置台に載置された被処理基板の表面の周縁部に対向するように設けられ、このガス供給部よりも被処理基板の中央部側には、被処理基板の表面と対向するようにパージ用のガス供給部が設けられていることを特徴とする請求項6または7記載の塗布、現像装置。
- 密着性向上用の流体は、ヘキサメチルジシラザンの流体であることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
- 基板の表面に薄膜を形成した被処理基板の上にレジスト膜を形成し、次いでレジスト膜の表面に光を透過する液層を形成した状態で露光した後、レジスト膜を現像する塗布、現像方法において、
前記被処理基板の上にレジスト液を塗布する工程と、
前記被処理基板上のレジスト膜の周縁部を溶剤により除去する工程と、
液層を用いた露光時に前記レジスト膜を保護するために、撥水性材料を含む塗布液を基板の表面全体に塗布する工程と、
撥水性材料を含む塗布液を被処理基板の表面に塗布する前に、レジスト膜の周縁部の除去により露出した基板の露出面を含む領域に密着性向上用の流体を供給して、前記保護膜の密着性を向上させる処理を行う工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。 - 密着性向上用の流体を供給する領域は、被処理基板の裏面の周縁部を含むことを特徴とする請求項10記載の塗布、現像方法。
- 被処理基板の表面にレジスト液を塗布する前に、反射防止膜を形成するための塗布液を塗布する工程と、
レジスト液を基板に塗布する前に反射防止膜の周縁部を溶剤により除去する工程と、を含み、
溶剤により周縁部の除去処理がされた後のレジスト膜の周縁は、反射防止膜の周縁よりも内側に位置していることを特徴とする請求項10または11記載の塗布、現像方法。 - 前記保護膜の密着性を向上させる処理を行う工程は、回転ステージに水平に保持された被処理基板の周縁部をコ字型のノズル本体により表裏両面側から間隙をおいて挟む工程と、回転ステージにより被処理基板を鉛直軸回りに回転させる工程と、前記ノズル本体に設けられたノズル部から、被処理基板の表面の周縁部における基板の露出面と、被処理基板裏面の周縁部と、を含む領域に密着性向上用の流体を供給する工程と、を含むことを特徴とする請求項10ないし12のいずれか一に記載の塗布、現像方法。
- 前記保護膜の密着性を向上させる処理を行う工程は、処理容器内に設けられ、被処理基板よりも小さく形成された基板載置台に被処理基板を載置する工程と、基板載置台の上方側に設けられたガス供給部から、基板載置台上の被処理基板の表面の周縁部における基板の露出面を含む領域及び被処理基板の裏面の周縁部に密着性向上用のガスを供給する工程と、処理容器内を排気する工程と、を含むことを特徴とする請求項10ないし12のいずれか一に記載の塗布、現像方法。
- 処理容器内を排気する工程は、被処理基板上に供給されたガスが被処理基板の外側に向かって流れるように排気する工程であることを特徴とする請求項14記載の塗布、現像方法。
- 前記保護膜の密着性を向上させる処理を行う工程は、基板載置台に載置された被処理基板の表面の周縁部に密着性向上用のガスを供給する工程と、被処理基板における密着性向上用のガス供給位置よりも中央部側にパージ用のガスを供給する工程と、を含むことを特徴とする請求項10ないし15のいずれか一に記載の塗布、現像方法。
- 密着性向上用の流体は、ヘキサメチルジシラザンの流体であることを特徴とする請求項10ないし16のいずれか一に記載の塗布、現像方法。
- レジスト膜の表面に光を透過する液層を形成した状態で露光した後のレジスト膜を現像する塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムにおいて、
請求項10ないし17のいずれか一つを実施することを特徴とするコンピュータプログラム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006031365A JP4830523B2 (ja) | 2006-02-08 | 2006-02-08 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実施するためのコンピュータプログラム。 |
US11/672,230 US8518494B2 (en) | 2006-02-08 | 2007-02-07 | Coating and developing apparatus, coating film forming method, and storage medium storing program for performing the method |
KR1020070012599A KR101278414B1 (ko) | 2006-02-08 | 2007-02-07 | 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 그 방법을 실시하기위한 컴퓨터 판독 가능한 프로그램을 기록한 기억 매체 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006031365A JP4830523B2 (ja) | 2006-02-08 | 2006-02-08 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実施するためのコンピュータプログラム。 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007214279A true JP2007214279A (ja) | 2007-08-23 |
JP4830523B2 JP4830523B2 (ja) | 2011-12-07 |
Family
ID=38479494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006031365A Active JP4830523B2 (ja) | 2006-02-08 | 2006-02-08 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実施するためのコンピュータプログラム。 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8518494B2 (ja) |
JP (1) | JP4830523B2 (ja) |
KR (1) | KR101278414B1 (ja) |
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KR20070080833A (ko) | 2007-08-13 |
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