KR20110055404A - 템플릿 처리 방법, 프로그램, 컴퓨터 기억 매체, 템플릿 처리 장치 및 임프린트 시스템 - Google Patents

템플릿 처리 방법, 프로그램, 컴퓨터 기억 매체, 템플릿 처리 장치 및 임프린트 시스템 Download PDF

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KR20110055404A
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코우키치 히로시로
타카노리 니시
타카히로 키타노
쇼이치 데라다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

템플릿의 표면에 이형제를 적절하게 성막하면서 템플릿 처리의 스루풋을 향상시킨다. 템플릿의 표면에 이형제를 성막하는 템플릿 처리에서는, 먼저 템플릿의 표면을 세정한다(공정(A2)). 그 후, 도포 유닛에서 템플릿의 표면에 이형제를 도포한다(공정(A3)). 그 후, 템플릿 상의 이형제를 건조시킨다(공정(A4)). 그 후, 템플릿 상의 이형제에 알코올을 도포하여 템플릿의 표면에 이형제를 밀착시키고, 또한 이형제의 미반응 부분을 제거한다(공정(A5)). 그 후, 템플릿 상의 알코올을 건조 제거한다(공정(A6)). 이렇게 하여 템플릿의 표면에 이형제가 소정의 막 두께로 성막된다.

Description

템플릿 처리 방법, 프로그램, 컴퓨터 기억 매체, 템플릿 처리 장치 및 임프린트 시스템{TEMPLATE PROCESSING METHOD, PROGRAM, COMPUTER STORAGE MEDIUM, TEMPLATE PROCESSING APPARATUS AND IMPRINT SYSTEM}
본 발명은 표면에 전사(轉寫) 패턴이 형성된 템플릿 상에 이형제(離型劑)를 성막하는 템플릿 처리 방법, 프로그램, 컴퓨터 기억 매체, 템플릿 처리 장치 및 임프린트 시스템에 관한 것이다.
예를 들면, 반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하, ‘웨이퍼’라고 함)에 포토리소그래피 처리를 행하여 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴을 형성하는 것이 행해지고 있다.
전술한 레지스트 패턴을 형성할 때에는 반도체 디바이스의 고집적화를 더욱 도모하기 위하여 당해 레지스트 패턴의 미세화가 요구되고 있다. 일반적으로 포토리소그래피 처리에서의 미세화의 한계는 노광 처리에 이용되는 광의 파장 정도이다. 이 때문에, 종래부터 노광 처리의 광을 단파장화시키는 것이 진행되고 있다. 그러나, 노광 광원의 단파장화에는 기술적, 비용적인 한계가 있어, 광의 단파장화를 진행시키는 방법만으로는, 예를 들면 수 나노미터 오더의 미세한 레지스트 패턴을 형성하는 것이 곤란한 상황이다.
따라서, 근래에 웨이퍼에 포토리소그래피 처리를 행하는 대신에, 이른바 임프린트라고 불리는 방법을 이용하여 웨이퍼 상에 미세한 레지스트 패턴을 형성하는 것이 제안되었다. 이 방법은 표면에 미세한 패턴을 가지는 템플릿(몰드 또는 형(型)이라고 불리는 경우도 있음)을 웨이퍼 상에 형성한 레지스트 표면에 압착시키고, 그 후에 박리하여 당해 레지스트 표면에 직접 패턴의 전사를 행하는 것이다(특허 문헌 1).
일본특허공개공보 2009-43998호
전술한 임프린트 방법에서 이용되는 템플릿의 표면에는 템플릿을 레지스트로부터 박리하기 쉽게 하기 위하여 통상적으로 레지스트에 대하여 발액성(發液性)을 가지는 이형제가 성막되어 있다.
템플릿의 표면에 이형제를 성막할 때에는, 먼저 템플릿의 표면을 세정한 후, 당해 템플릿의 표면에 이형제를 도포한다. 이때, 템플릿 상의 이형제의 접촉각은, 예를 들면 77 도 ~ 80 도로 되어 있다. 이어서, 성막되는 이형제가 소정의 접촉각, 예를 들면 110 도 정도를 가지고 레지스트에 대한 발액성 기능을 발휘할 수 있도록 하기 위하여 이형제를 템플릿의 표면에 밀착시킨다. 구체적으로는, 이형제와 템플릿의 표면을 화학 반응시켜, 이형제 중에 포함된 성분 중 레지스트에 대하여 발액성을 가지는 성분, 예를 들면 불화물(弗化物) 성분을 템플릿의 표면에 흡착시킨다. 그 후, 이형제의 미반응부를 제거하여 템플릿의 표면에 소정의 막 두께의 이형제가 성막된다. 이때, 이형제의 미반응부란 이형제가 템플릿의 표면과 화학 반응하여 밀착되는 부분 이외를 말한다.
그러나, 전술한 바와 같이 이형제를 성막하는 경우, 템플릿 상의 이형제를 템플릿의 표면에 밀착시키는데 시간이 걸린다. 예를 들면, 상온 분위기 하에 템플릿을 방치한 경우, 이형제를 템플릿에 밀착시키는데 약 24 시간 걸린다.
따라서, 발명자들은 이형제와 템플릿의 표면의 화학 반응을 촉진시키기 위하여 템플릿 상의 이형제를 가열하여 소성시키는 것을 시도하였다. 이 경우, 이형제를 템플릿에 밀착시키는 시간을 단축시킬 수 있었다. 예를 들면, 이형제를 60℃로 가열한 경우 이형제를 템플릿에 밀착시키는데 필요한 시간은 약 1 시간이고, 이형제를 200℃로 가열한 경우 이형제를 템플릿에 밀착시키는데 필요한 시간은 약 3 분이었다.
그러나, 이 경우 일단 가열한 템플릿을 냉각시키는데 시간이 걸린다. 따라서, 템플릿 처리의 스루풋을 향상시키는 것에는 이르지 못했다. 또한, 이형제를 가열하면 당해 이형제는 열팽창하기 때문에 템플릿의 표면에 이형제를 소정의 막 두께로 성막할 수 없다. 그리고, 이와 같이 이형제가 성막된 템플릿을 이용하여 임프린트 처리를 행한 경우, 웨이퍼 상에 수 나노미터 오더의 미세한 레지스트 패턴을 형성하는 것은 곤란하였다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 템플릿의 표면에 이형제를 적절하게 성막하면서 템플릿 처리의 스루풋을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 표면에 전사 패턴이 형성된 템플릿 상에 이형제를 성막하는 템플릿 처리 방법으로서, 상기 템플릿의 표면에 이형제를 도포하는 이형제 처리 공정과, 그 후, 상기 템플릿 상의 이형제에 알코올을 도포하여 상기 템플릿의 표면과 상기 이형제와의 밀착성을 향상시키는 알코올 처리 공정을 가지는 것을 특징으로 하고 있다.
발명자들이 조사한 바, 템플릿 상의 이형제에 알코올을 도포하면, 템플릿의 표면과 이형제와의 화학 반응이 촉진되어 당해 템플릿의 표면과 이형제와의 밀착성이 향상된다는 것을 알 수 있었다. 즉, 이형제에 알코올을 도포하면 템플릿의 표면에 이형제를 단시간에 밀착시킬 수 있고, 템플릿 상에 성막되는 이형제의 접촉각을 소정의 각도로 하여 당해 이형제의 이형 기능을 발휘시킬 수 있다. 이와 같이 단시간에 이형제를 템플릿의 표면에 밀착시킬 수 있으므로, 템플릿 처리 전체의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 게다가, 이 경우 종래와 같이 이형제를 가열할 필요가 없기 때문에 이형제가 열팽창하지도 않는다. 따라서, 템플릿의 표면에 이형제를 소정의 막 두께로 적절하게 성막할 수 있다.
상기 알코올 처리 공정에서, 상기 알코올에 의해 상기 템플릿의 표면과 상기 이형제와의 밀착성을 향상시킨 후, 당해 알코올에 의해 상기 템플릿 상의 이형제의 미반응부를 제거해도 좋다. 이때, 이형제의 미반응부란 이형제가 템플릿의 표면과 화학 반응하여 밀착되는 부분 이외를 말한다.
적어도 상기 알코올 처리 공정 중 또는 상기 알코올 처리 공정 후에 상기 템플릿 상의 이형제에 광을 조사하여 상기 템플릿의 표면과 상기 이형제와의 밀착성을 더 향상시켜도 좋다. 이러한 경우, 상기 광의 파장은 350 nm ~ 2500 nm인 것이 바람직하다.
상기 템플릿 처리 방법은, 상기 알코올 처리 공정 후에, 린스액에 의해 상기 템플릿 상의 이형제의 미반응부를 제거하는 린스 공정을 가지고 있어도 좋다.
상기 템플릿 처리 방법은, 상기 이형제 처리 공정 전에, 상기 템플릿의 표면을 세정하는 세정 공정을 가지고 있어도 좋다.
다른 관점에 따른 본 발명에 따르면, 상기 템플릿 처리 방법을 템플릿 처리 장치에 의해 실행시키기 위하여 당해 템플릿 처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램이 제공된다.
또한, 다른 관점에 따른 본 발명에 따르면, 상기 템플릿 처리 방법을 템플릿처리 장치에 의해 실행시키기 위한 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.
또한, 다른 관점에 따른 본 발명은, 표면에 전사 패턴이 형성된 템플릿 상에 이형제를 성막하는 템플릿 처리 장치로서, 상기 템플릿을 보지(保持)하여 회전시키는 회전 보지 부재와, 상기 템플릿의 표면으로 이형제를 공급하는 이형제 노즐과, 상기 템플릿 상의 이형제로 알코올을 공급하는 알코올 노즐을 구비한 도포 유닛을 가지는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 도포 유닛은, 상기 템플릿 상의 이형제에 광을 조사하는 광 조사부를 구비하고 있어도 좋다. 이러한 경우, 상기 도포 유닛은 350 nm ~ 2500 nm의 파장을 가지는 상기 광만을 투과시키는 광 필터를 더 구비하고 있어도 좋다.
상기 도포 유닛은, 상기 템플릿 상의 이형제로 린스액을 공급하는 린스액 노즐을 더 구비하고 있어도 좋다. 또한 상기 템플릿 처리 장치는, 상기 도포 유닛에서 상기 템플릿의 표면에 도포된 상기 이형제의 미반응부를 린스액에 의해 제거하는 린스 유닛을 더 가지고 있어도 좋다.
상기 템플릿 처리 장치는, 상기 도포 유닛에서 상기 이형제가 도포되기 전의 템플릿의 표면을 세정하는 세정 유닛을 가지고 있어도 좋다.
또한, 다른 관점에 따른 본 발명은, 상기 템플릿 처리 장치를 구비한 임프린트 시스템으로서, 상기 템플릿 처리 장치에서 표면에 이형제가 성막된 상기 템플릿을 이용하여 상기 전사 패턴을 기판 상에 형성되는 도포막에 전사하여 당해 도포막에 소정의 패턴을 형성하는 임프린트 유닛을 가지는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 다른 관점에 따른 본 발명은, 전사(轉寫) 패턴이 형성된 템플릿(template) 상에 이형제(離型劑)를 성막하는 템플릿 처리 방법으로서, 이형제조(離型劑槽) 내에 저장된 이형제 중에 복수의 템플릿을 침지시켜 당해 템플릿의 표면에 이형제를 부착시키는 이형제 처리 공정과, 그 후, 알코올조 내에 저장된 액체 상태의 알코올 중에 상기 복수의 템플릿을 침지시키거나, 또는 기체 상태 혹은 미스트 상태의 알코올 중에 상기 복수의 템플릿을 노출시켜 당해 템플릿의 표면과 상기 이형제와의 밀착성을 향상시키는 알코올 처리 공정을 가지는 것을 특징으로 하고 있다.
발명자들이 조사한 바, 이형제가 부착된 템플릿을 액체 상태의 알코올 중에 침지시키거나, 또는 이형제가 부착된 템플릿을 기체 상태 혹은 미스트 상태의 알코올 중에 노출시키면, 이 알코올에 의해 템플릿의 표면과 이형제와의 화학 반응이 촉진되어 당해 템플릿의 표면과 이형제와의 밀착성이 향상된다는 것을 알 수 있었다. 즉, 알코올에 의해 템플릿의 표면에 이형제를 단시간에 밀착시킬 수 있고, 템플릿 상에 성막되는 이형제의 접촉각을 소정의 각도로 하여 당해 이형제의 이형 기능을 발휘시킬 수 있다. 이와 같이 단시간에 이형제를 템플릿의 표면에 밀착시킬 수 있으므로, 템플릿 처리 전체의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 게다가, 이 경우 종래와 같이 이형제를 가열할 필요가 없기 때문에 이형제가 열팽창하지도 않는다. 따라서, 템플릿의 표면에 이형제를 소정의 막 두께로 적절하게 성막할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 복수의 템플릿을 한 번에 처리하기 때문에 전술한 템플릿 처리의 스루풋을 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 알코올 처리 공정에서, 상기 액체 상태의 알코올, 기체 상태의 알코올 또는 미스트 상태의 알코올에 의해 상기 템플릿의 표면과 상기 이형제와의 밀착성을 향상시킨 후, 당해 액체 상태의 알코올, 기체 상태의 알코올 또는 미스트 상태의 알코올에 의해 상기 템플릿 상의 이형제의 미반응부를 제거해도 좋다. 또한, 이형제의 미반응부란 이형제가 템플릿의 표면과 화학 반응하여 밀착되는 부분 이외를 말한다.
상기 이형제 처리 공정에서, 상기 복수의 템플릿을 상기 이형제조 내의 이형제 중에 침지시킨 후, 상기 복수의 템플릿에 가스를 분사하여 당해 템플릿 상의 이형제를 건조시키고, 상기 알코올 처리 공정에서, 상기 복수의 템플릿을 상기 알코올조 내의 액체 상태의 알코올 중에 침지시킨 후, 상기 복수의 템플릿에 가스를 분사하여 당해 템플릿 상의 액체 상태의 알코올을 제거해도 좋다.
상기 템플릿 처리 방법은, 상기 알코올 처리 공정 후에, 린스액조에 저장된 린스액 중에 상기 복수의 템플릿을 침지시켜 상기 템플릿 상의 이형제의 미반응부를 제거하는 린스 공정을 더 가지고 있어도 좋다.
상기 템플릿 처리 방법은, 상기 이형제 처리 공정 전에, 세정액조에 저장된 세정액 중에 상기 복수의 템플릿을 침지시켜 당해 템플릿의 표면을 세정하는 세정 공정을 더 가지고 있어도 좋다.
다른 관점에 따른 본 발명에 따르면, 상기 템플릿 처리 방법을 템플릿 처리 장치에 의해 실행시키기 위하여 당해 템플릿 처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램이 제공된다.
또한, 다른 관점에 따른 본 발명에 따르면, 상기 템플릿 처리 방법을 템플리 처리 장치에 의해 실행시키기 위한 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.
또한, 다른 관점에 따른 본 발명은, 전사(轉寫) 패턴이 형성된 템플릿(template) 상에 이형제(離型劑)를 성막하는 템플릿 처리 장치로서, 복수의 템플릿을 보지(保持)하여 반송하는 반송 암과, 이형제를 저장하며 상기 복수의 템플릿을 상기 이형제 중에 침지시켜 당해 템플릿의 표면에 이형제를 부착시키는 이형제조(離型劑槽)와, 상기 이형제조의 하류측에 설치되어 액체 상태의 알코올을 저장하며 상기 복수의 템플릿을 상기 액체 상태의 알코올 중에 침지시켜 당해 템플릿의 표면과 상기 이형제와의 밀착성을 향상시키는 알코올조, 또는 상기 이형제조의 하류측에 설치되어 기체 상태 혹은 미스트 상태의 알코올을 공급하며 상기 복수의 템플릿을 상기 기체 상태 혹은 미스트 상태의 알코올 중에 노출시켜 당해 템플릿의 표면과 상기 이형제와의 밀착성을 향상시키는 알코올 공급부를 구비한 알코올 처리 유닛을 가지는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 이형제조의 상방에는 상기 복수의 템플릿에 가스를 분사하는 가스 노즐이 설치되고, 상기 알코올조의 상방에는 상기 복수의 템플릿에 가스를 분사하는 가스 노즐이 설치되어 있어도 좋다.
상기 알코올 처리 유닛의 하류측에 설치되어 린스액을 저장하며 상기 복수의 템플릿을 상기 린스액 중에 침지시켜 상기 템플릿 상의 이형제의 미반응부를 제거하는 린스액조를 더 가지고 있어도 좋다.
상기 템플릿 처리 장치는, 상기 이형제조의 상류측에 설치되어 세정액을 저장하며 상기 복수의 템플릿을 상기 세정액 중에 침지시켜 상기 템플릿의 표면을 세정하는 세정액조를 더 가지고 있어도 좋다.
본 발명에 따르면, 템플릿의 표면에 이형제를 적절하게 성막하면서 템플릿 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 템플릿 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 2는 제 1 실시예에 따른 템플릿 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
도 3은 제 1 실시예에 따른 템플릿 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
도 4는 템플릿의 사시도이다.
도 5는 도포 유닛의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 6은 보지 부재의 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 7은 도포 유닛의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 8은 세정 유닛의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 9는 세정 유닛의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 10은 템플릿 처리의 각 공정을 나타낸 순서도이다.
도 11은 템플릿 처리의 각 공정에서의 템플릿의 상태를 모식적으로 도시한 설명도로서, 도 11의 (a)는 템플릿의 표면이 세정된 모습을 도시하고, 도 11의 (b)는 템플릿의 표면에 이형제가 도포된 모습을 도시하고, 도 11의 (c)는 템플릿 상의 이형제에 알코올이 도포된 모습을 도시하고, 도 11의 (d)는 템플릿 상에 이형제가 성막된 모습을 도시한다.
도 12는 다른 실시예에 따른 도포 유닛의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 도포 유닛의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 14는 다른 실시예에 따른 템플릿 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
도 15는 린스 유닛의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 16은 제 1 실시예에 따른 임프린트 시스템의 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 17은 임프린트 유닛의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 18은 임프린트 유닛의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 19는 임프린트 처리의 각 공정을 나타낸 순서도이다.
도 20은 임프린트 처리의 각 공정에서의 템플릿과 웨이퍼의 상태를 모식적으로 도시한 설명도로서, 도 20의 (a)는 웨이퍼 상에 레지스트액이 도포된 모습을 도시하고, 도 20의 (b)는 웨이퍼 상의 레지스트막을 광중합시킨 모습을 도시하며, 도 20의 (c)는 웨이퍼 상에 레지스트 패턴이 형성된 모습을 도시하고, 도 20의 (d)는 웨이퍼 상의 잔존막이 제거된 모습을 도시한다.
도 21은 제 2 실시예에 따른 템플릿 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 22는 제 2 실시예에 따른 템플릿 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
도 23은 템플릿의 사시도이다.
도 24는 반송 유닛의 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
도 25는 반송 유닛의 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
도 26은 세정 유닛의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 27은 템플릿 처리의 각 공정을 나타낸 순서도이다.
도 28은 템플릿 처리의 각 공정에서의 템플릿의 상태를 모식적으로 도시한 설명도로서, 도 28의 (a)는 템플릿의 표면이 세정된 모습을 도시하고, 도 28의 (b)는 템플릿을 이형제 중에 침지시킨 모습을 도시하고, 도 28의 (c)는 표면에 이형제가 부착된 템플릿을 알코올 중에 침지시킨 모습을 도시하고, 도 28의 (d)는 템플릿 상에 이형제가 성막된 모습을 도시한다.
도 29는 다른 실시예에 따른 템플릿 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 30은 다른 실시예에 따른 알코올 처리 유닛의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
(제 1 실시예)
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 도 1은 본 실시예에 따른 템플릿 처리 장치(1)의 구성의 개략을 도시한 평면도이다. 도 2 및 도 3은 템플릿 처리 장치(1)의 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
본 실시예의 템플릿 처리 장치(1)에서는, 도 4에 도시한 바와 같이 직육면체 형상을 가지며 표면에 소정의 전사 패턴(C)이 형성된 템플릿(T)이 처리된다. 이하, 전사 패턴(C)이 형성되어 있는 템플릿(T)의 면을 표면(T1)이라고 하고, 당해 표면(T1)과 반대측의 면을 이면(T2)이라고 한다. 또한, 템플릿(T)에는 가시광, 근자외광, 자외선 등의 광을 투과 가능한 투명 재료, 예를 들면 글라스가 이용된다.
템플릿 처리 장치(1)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 복수, 예를 들면 5 매의 템플릿(T)을 카세트 단위로 외부와 템플릿 처리 장치(1)와의 사이에서 반입출하거나, 템플릿 카세트(CT)에 대하여 템플릿(T)을 반입출하는 템플릿 반입출 스테이션(2)과, 템플릿(T)에 소정의 처리를 실시하는 복수의 처리 유닛을 구비한 처리 스테이션(3)을 일체로 접속시킨 구성을 가지고 있다.
템플릿 반입출 스테이션(2)에는 카세트 재치대(10)가 설치되어 있다. 카세트 재치대(10)는 복수의 템플릿 카세트(CT)를 X 방향(도 1 중의 상하 방향)으로 일렬로 재치(載置) 가능하게 되어 있다. 즉, 템플릿 반입출 스테이션(2)은 복수의 템플릿(T)을 보유 가능하게 구성되어 있다.
템플릿 반입출 스테이션(2)에는 X 방향으로 연장되는 반송로(11) 상을 이동 가능한 템플릿 반송체(12)가 설치되어 있다. 템플릿 반송체(12)는 수직 방향 및 수직축을 중심(θ 방향)으로도 이동 가능하며, 템플릿 카세트(CT)와 처리 스테이션(3)과의 사이에서 템플릿(T)을 반송할 수 있다.
처리 스테이션(3)에는 그 중심부에 반송 유닛(20)이 설치되어 있다. 이 반송 유닛(20)의 주변에는 각종 처리 유닛이 다단으로 배치된, 예를 들면 4 개의 처리 블록(G1 ~ G4)이 배치되어 있다. 처리 스테이션(3)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는 템플릿 반입출 스테이션(2)측에서부터 제 1 처리 블록(G1), 제 2 처리 블록(G2)이 차례로 배치되어 있다. 처리 스테이션(3)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측)에는 템플릿 반입출 스테이션(2)측에서부터 제 3 처리 블록(G3), 제 4 처리 블록(G4)이 차례로 배치되어 있다. 처리 스테이션(3)의 템플릿 반입출 스테이션(2)측에는 템플릿(T)의 전달을 행하기 위한 트랜지션 유닛(21)이 배치되어 있다.
반송 유닛(20)은 템플릿(T)을 보지(保持)하여 반송하고 또한 수평 방향, 수직 방향 및 수직축을 중심으로 이동 가능한 반송 암을 가지고 있다. 그리고 반송 유닛(20)은 처리 블록(G1 ~ G4) 내에 배치된 후술하는 각종 처리 유닛 및 트랜지션 유닛(21)에 대하여 템플릿(T)을 반송할 수 있다.
제 1 처리 블록(G1)에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 복수의 액처리 유닛, 예를 들면 템플릿(T)에 액체 상태의 이형제(離型劑)와 알코올을 도포하는 도포 유닛(30, 31)이 아래에서부터 차례로 2 단으로 적층되어 있다. 제 2 처리 블록(G2)도 마찬가지로 도포 유닛(32, 33)이 아래에서부터 차례로 2 단으로 적층되어 있다. 또한, 제 1 처리 블록(G1) 및 제 2 처리 블록(G2)의 최하단에는 상기 도포 유닛(30 ~ 33)으로 이형제를 공급하기 위한 케미컬실(34, 35)이 각각 설치되어 있다.
제 3 처리 블록(G3)에는, 도 3에 도시한 바와 같이, 템플릿(T)에 대하여 자외선을 조사하여 템플릿(T) 상에 이형제가 성막되기 전의 표면(T1)을 세정하는 세정 유닛(40, 41)이 아래에서부터 차례로 2 단으로 적층되어 있다.
제 4 처리 블록(G4)에도 제 3 처리 블록(G3)과 마찬가지로 세정 유닛(42, 43)이 아래에서부터 차례로 2 단으로 적층되어 있다.
이어서, 전술한 도포 유닛(30 ~ 33)의 구성에 대하여 설명한다. 도포 유닛(30)은, 도 5에 도시한 바와 같이, 측면에 템플릿(T)의 반입출구(도시하지 않음)가 형성된 처리 용기(110)를 가지고 있다.
처리 용기(110) 내의 중앙부에는 템플릿(T)을 보지하여 회전시키는 회전 보지 부재(111)가 설치되어 있다. 회전 보지 부재(111)의 중앙 부분은 하방으로 움푹 패여 템플릿(T)을 수용하는 수용부(112)가 형성되어 있다. 수용부(112)의 하부에는 템플릿(T)의 외형보다 작은 홈부(112a)가 형성되어 있다. 따라서, 수용부(112) 내에서는, 홈부(112a)에 의해 템플릿(T)의 하면 내주부는 회전 보지 부재(111)와 접하지 않고, 템플릿(T)의 하면 외주부만이 회전 보지 부재(111)에 지지되어 있다. 수용부(112)는, 도 6에 도시한 바와 같이, 템플릿(T)의 외형에 적합한 대략 사각형의 평면 형상을 가지고 있다. 수용부(112)에는 측면으로부터 내측으로 돌출된 돌출부(113)가 복수 형성되고, 이 돌출부(113)에 의해 수용부(112)에 수용되는 템플릿(T)이 위치 결정된다. 또한, 반송 유닛(20)의 반송 암으로부터 수용부(112)로 템플릿(T)을 전달할 때에 당해 반송 암이 수용부(112)와 간섭하는 것을 피하기 위하여, 수용부(112)의 외주에는 절결부(114)가 4 개소에 형성되어 있다.
회전 보지 부재(111)는, 도 5에 도시한 바와 같이, 커버체(115)에 장착되고, 회전 보지 부재(111)의 하방에는 샤프트(116)를 개재하여 회전 구동부(117)가 설치되어 있다. 이 회전 구동부(117)에 의해, 회전 보지 부재(111)는 수직축을 중심으로 소정의 속도로 회전할 수 있고 또한 승강할 수 있다.
회전 보지 부재(111)의 주위에는 템플릿(T)으로부터 비산(飛散) 또는 낙하하는 이형제를 회수하는 컵(120)이 설치되어 있다. 컵(120)의 하면에는 회수된 이형제를 배출하는 배출관(121)과 컵(120) 내의 분위기를 배기하는 배기관(122)이 접속되어 있다.
도 7에 도시한 바와 같이, 컵(120)의 X 방향 부방향(도 7의 하방향)측에는 Y 방향(도 7의 좌우 방향)을 따라 연장되는 레일(130)이 형성되어 있다. 레일(130)은, 예를 들면 컵(120)의 Y 방향 부방향(도 7의 좌방향)측의 외방에서부터 Y 방향 정방향(도 7의 우방향)측의 외방까지 형성되어 있다. 레일(130)에는, 예를 들면 2 개의 암(131, 132)이 장착되어 있다.
제 1 암(131)에는 템플릿(T) 상으로 이형제를 공급하는 이형제 노즐(133)이 지지되어 있다. 제 1 암(131)은 노즐 구동부(134)에 의해 레일(130) 상을 이동 가능하다. 이에 따라, 이형제 노즐(133)은 컵(120)의 Y 방향 정방향측의 외방에 설치된 대기부(135)로부터 컵(120) 내의 템플릿(T)의 중심부 상방까지 이동할 수 있다. 또한, 제 1 암(131)은 노즐 구동부(134)에 의해 승강 가능하여 이형제 노즐(133)의 높이를 조정할 수 있다. 또한, 이형제의 재료에는 후술하는 웨이퍼 상의 레지스트막에 대하여 발액성을 가지는 재료, 예를 들면 불소 탄소계 화합물 등이 이용된다. 또한, 본 실시예에서는 액체 상태의 이형제를 이용하고 있으나 기체 상태의 이형제를 이용해도 좋다.
제 2 암(132)에는 템플릿(T) 상의 이형제에 상온의 알코올, 예를 들면 에탄올을 공급하는 알코올 노즐(140)이 지지되어 있다. 제 2 암(132)은 노즐 구동부(141)에 의해 레일(130) 상을 이동 가능하다. 이에 따라, 알코올 노즐(140)은 컵(120)의 Y 방향 부방향측의 외방에 설치된 대기부(142)로부터 컵(120) 내의 템플릿(T)의 중심부 상방까지 이동할 수 있다. 또한, 제 2 암(132)은 노즐 구동부(141)에 의해 승강 가능하여 알코올 노즐(140)의 높이를 조절할 수 있다. 또한, 알코올은 알코올류이면 되며 에탄올 이외의 다른 알코올을 이용해도 좋다. 예를 들면, 메탄올, 프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 헵탄올을 이용해도 좋고, 혹은 이들 알코올의 혼합물을 이용해도 좋다. 또한, 알코올의 농도는 특별히 한정되지 않으나 100%인 것이 바람직하다. 또한, 본 실시예에서는 상온의 알코올을 이용하고 있으나, 알코올이 결로(結露)되는 것을 억제하기 위하여, 예를 들면 70℃ 이하로 가열된 알코올을 이용해도 좋다. 또한, 본 실시예에서는 액체 상태의 알코올을 이용하고 있으나 기체 상태의 알코올을 이용해도 좋다.
또한, 이상의 구성에서는 이형제 노즐(133)과 알코올 노즐(140)이 다른 암(131, 132)에 지지되어 있었으나, 동일한 암에 지지되어 이 암의 이동의 제어에 따라 이형제 노즐(133)과 알코올 노즐(140)의 이동과 공급 타이밍을 제어해도 좋다. 또한, 예를 들면 회전 보지 부재(111)의 홈부(112a) 내에 세정액, 예를 들면 유기용제를 분사하는 세정액 노즐을 설치해도 좋다. 이 세정액 노즐로부터 템플릿(T)의 이면(T2)에 세정액을 분사함으로써 당해 이면(T2)을 세정할 수 있다.
또한, 도포 유닛(31 ~ 33)의 구성은 전술한 도포 유닛(30)의 구성과 동일하므로 설명을 생략한다.
이어서, 전술한 세정 유닛(40 ~ 43)의 구성에 대하여 설명한다. 세정 유닛(40)은, 도 8에 도시한 바와 같이, 측면에 템플릿(T)의 반입출구(도시하지 않음)가 형성된 처리 용기(150)를 가지고 있다.
처리 용기(150) 내에는 템플릿(T)을 흡착 보지하는 척(141)이 설치되어 있다. 척(141)은, 템플릿(T)의 표면(T1)이 상방을 향하도록 그 이면(T2)을 흡착 보지한다. 척(141)의 하방에는 척 구동부(142)가 설치되어 있다. 이 척 구동부(142)는 처리 용기(150) 내의 저면(底面)에 설치되며 Y 방향을 따라 연장되는 레일(143) 상에 설치되어 있다. 이 척 구동부(142)에 의해, 척(141)은 레일(143)을 따라 이동할 수 있다.
처리 용기(150) 내의 천장면이며 레일(143)의 상방에는 척(141)에 보지된 템플릿(T)에 자외선을 조사하는 자외선 조사부(144)가 설치되어 있다. 자외선 조사부(144)는, 도 9에 도시한 바와 같이, X 방향으로 연장되어 있다. 그리고, 템플릿(T)이 레일(143)을 따라 이동하는 중에 자외선 조사부(144)로부터 당해 템플릿(T)의 표면(T1)에 자외선을 조사함으로써, 템플릿(T)의 표면(T1) 전체 면에 자외선이 조사된다.
또한, 세정 유닛(41 ~ 43)의 구성은 전술한 세정 유닛(40)의 구성과 동일하므로 설명을 생략한다.
이상의 템플릿 처리 장치(1)에는, 도 1에 도시한 바와 같이, 제어부(200)가 설치되어 있다. 제어부(200)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는 템플릿 반입출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3) 간의 템플릿(T)의 반송 또는 처리 스테이션(3)에서의 구동계의 동작 등을 제어하여 템플릿 처리 장치(1)에서의 후술하는 템플릿 처리를 실행하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 이 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉서블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어부(200)에 인스톨 된 것이어도 좋다.
본 실시예에 따른 템플릿 처리 장치(1)는 이상과 같이 구성되어 있다. 이어서, 이 템플릿 처리 장치(1)에서 행해지는 템플릿 처리에 대하여 설명한다. 도 10은 이 템플릿 처리의 주된 처리 순서를 나타내고, 도 11의 (a) 내지 (d)는 각 공정에서의 템플릿(T)의 상태를 도시하고 있다.
먼저, 템플릿 반송체(12)에 의해 카세트 재치대(10) 상의 템플릿 카세트(CT)로부터 템플릿(T)이 취출되어 처리 스테이션(3)의 트랜지션 유닛(21)으로 반송된다(도 10의 공정(A1)). 이때, 템플릿 카세트(CT) 내에는, 템플릿(T)이 전사 패턴(C)이 형성된 표면(T1)이 상방을 향하도록 수용되어 있고, 이 상태로 템플릿(T)은 트랜지션 유닛(21)으로 반송된다.
그 후, 반송 유닛(20)에 의해 템플릿(T)은 세정 유닛(40)으로 반송되어 척(141)에 흡착 보지된다. 이어서, 척 구동부(142)에 의해 템플릿(T)을 레일(143)을 따라 이동시키면서, 자외선 조사부(144)로부터 당해 템플릿(T)에 자외선이 조사된다. 이렇게 하여 템플릿(T)의 표면(T1) 전체 면에 자외선이 조사되고, 도 11의 (a)에 도시한 바와 같이, 템플릿(T)의 표면(T1)의 유기 오염물 또는 파티클 등의 불순물이 제거되어 당해 표면(T1)이 세정된다(도 10의 공정(A2)).
그 후, 반송 유닛(20)에 의해 템플릿(T)은 도포 유닛(30)으로 반송되어 회전 보지 부재(111)로 전달된다. 이어서, 제 1 암(131)에 의해 이형제 노즐(133)을 템플릿(T)의 중심부 상방까지 이동시키고, 템플릿(T)을 회전시킨다. 그리고, 템플릿(T)을, 예를 들면 10 초간 회전시키고, 회전 중인 템플릿(T) 상으로 이형제를 공급하여 원심력에 의해 이형제를 템플릿(T) 상에서 확산시킨다. 이렇게 하여, 도 11의 (b)에 도시한 바와 같이, 템플릿(T)의 표면(T1) 전체 면에 이형제(S)가 도포된다(도 10의 공정(A3)).
그 후, 이형제 노즐(133)로부터의 이형제(S)의 공급을 정지하고, 템플릿(T)을 추가로, 예를 들면 20 초간 회전시킨다. 이 템플릿(T)의 회전에 의해 당해 템플릿(T) 상의 이형제(S)를 건조시킨다(도 10의 공정(A4)). 이와 같이 이형제(S)를 건조시키는 동안에 이형제 노즐(133)이 템플릿(T)의 중심부 상방으로부터 이동하고, 제 2 암(132)에 의해 대기부(142)의 알코올 노즐(140)이 템플릿(T)의 중심부 상방까지 이동한다.
템플릿(T) 상의 이형제(S)가 건조되면, 계속해서 템플릿(T)을, 예를 들면 10 초간 회전시키고, 회전 중인 템플릿(T) 상의 이형제(S)로 알코올을 공급한다. 공급된 알코올은 원심력에 의해 이형제(S) 상에서 확산되어 템플릿(T)의 표면(T1) 전체 면에 도포된다(도 10의 공정(A5)). 이렇게 하여 도포된 알코올에 의해 도 11의 (c)에 도시한 바와 같이, 이형제(S)가 템플릿(T)의 표면(T1)과 강고하고 면밀하게 화학 반응하여, 당해 템플릿(T)의 표면(T1)에 이형제(S)가 밀착된다. 또한, 이와 같이 템플릿(T)의 표면(T1)에 이형제(S)가 밀착된 후, 추가로 이형제(S) 상의 알코올에 의해 이형제(S)의 미반응부만, 즉 이형제(S)가 템플릿(T)의 표면(T1)과 화학 반응하여 당해 표면(T1)과 밀착되는 부분 이외만이 제거된다. 이때, 템플릿(T)의 표면(T1)에 이형제(S)가 밀착되어 있으므로, 템플릿(T)의 표면(T1)으로부터 소정 거리의 이형제(S)가 박리되지는 않는다. 또한, 템플릿(T) 상의 이형제(S)의 접촉각은 소정의 각도, 예를 들면 108 도로 되어 있어, 이형제(S)는 후술하는 레지스트막에 대하여 충분한 발액성을 가지며, 그 이형 기능을 발휘할 수 있다. 이렇게 하여, 도 11의 (d)에 도시한 바와 같이, 템플릿(T) 상에 전사 패턴(C)을 따른 이형제(S)가 소정의 막 두께로 성막된다.
그 후, 알코올 노즐(140)로부터의 알코올의 공급을 정지하고, 템플릿(T)을 추가로, 예를 들면 20 초간 회전시킨다. 이 템플릿(T)의 회전에 의해 당해 템플릿(T) 상의 알코올을 건조시켜 제거한다(도 10의 공정(A6)).
그 후, 반송 유닛(20)에 의해 템플릿(T)은 트랜지션 유닛(21)으로 반송되고, 템플릿 반송체(12)에 의해 템플릿 카세트(CT)로 되돌려진다(도 10의 공정(A7)). 이렇게 하여 템플릿 처리 장치(1)에서의 일련의 템플릿 처리가 종료되고, 템플릿(T)의 표면(T1)에, 전사 패턴(C)의 형상을 따른 이형제(S)가 소정의 막 두께로 성막된다.
이상의 실시예에 따르면, 공정(A5)에서 템플릿(T) 상의 이형제(S)에 알코올을 도포하고 있으므로, 템플릿(T)의 표면(T1)과 이형제(S)와의 화학 반응이 촉진되어 당해 템플릿(T)의 표면(T1)과 이형제(S)의 밀착성이 향상된다. 즉, 템플릿(T)의 표면(T1)에 이형제(S)를 단시간에 밀착시킬 수 있다. 이에 따라, 공정(A1) ~ 공정(A7)의 템플릿 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한, 공정(A5)에서 알코올에 의해 템플릿(T)의 표면(T1)에 이형제(S)를 밀착시킨 후, 추가로 이형제(S) 상의 알코올에 의해 이형제(S)의 미반응 부분만이 제거된다. 이와 같이 템플릿(T)의 표면(T1)과 이형제(S)와의 밀착과, 이형제(S)의 미반응 부분의 제거를 동일한 공정에서 행하고 있으므로, 템플릿 처리의 스루풋을 더 향상시킬 수 있다.
또한, 공정(A5)에서 템플릿(T)의 표면(T1)에 이형제(S)가 밀착되므로, 당해 템플릿(T) 상의 이형제(S)의 접촉각을 소정의 각도로 할 수 있다. 이에 따라, 이형제(S)는 레지스트막에 대하여 충분한 발액성을 가지며, 그 이형 기능을 발휘할 수 있다.
또한, 공정(A5)에서 템플릿(T)의 표면(T1)과 이형제(S)를 밀착시킬 때 종래와 같이 이형제를 가열하지 않으므로 이형제(S)가 열 팽창하지 않는다. 따라서, 템플릿(T)의 표면(T1)에 이형제(S)를 소정의 막 두께로 적절하게 성막할 수 있다.
또한, 공정(A4) ~ 공정(A6), 즉 이형제(S)의 도포 및 건조와, 알코올의 도포 및 건조를 하나의 도포 유닛(30)에서 행하고 있으므로, 템플릿(T)의 표면(T1)과 이형제(S)를 밀착시키기 위한 처리를 행하는 처리 유닛을 별도로 설치할 필요가 없다. 이 때문에, 템플릿 처리 장치(1)를 소형화시킬 수 있다.
또한, 공정(A2)에서 템플릿(T)의 표면(T1)을 세정하고 있으므로, 그 후 공정(A3)에서 템플릿(T)의 표면(T1)에 이형제(S)를 소정의 막 두께로 도포할 수 있다. 또한, 이 공정(A2)은 템플릿(T)의 표면(T1)이 미리 충분히 세정되어 있는 경우에는 생략해도 좋다.
또한, 이상의 실시의 공정에서는 공정(A4)과 공정(A6)에서 템플릿(T)을 회전시킴으로써 템플릿(T) 상의 이형제(S)와 알코올을 건조시키고 있었으나, 예를 들면 질소 등의 불활성 가스 또는 건조 공기 등의 가스를 템플릿(T)의 표면(T1)에 분사하여 템플릿(T) 상의 이형제(S)와 알코올을 적극적으로 건조시켜도 좋다. 이러한 경우, 도포 유닛(30)에는 상기 가스를 템플릿(T)의 표면(T1)에 분사하는 가스 노즐이 별도로 설치된다.
이상의 실시예의 도포 유닛(30)에서 템플릿(T) 상의 이형제(S)에 광을 조사해도 좋다. 이러한 경우, 도 12에 도시한 바와 같이, 도포 유닛(30)의 처리 용기(110) 내의 천장면이며 회전 보지 부재(111)의 상방에는 템플릿(T)에 광을 조사하는 광 조사부(210)가 설치되어 있다. 광 조사부(210)는 회전 보지 부재(111)에 보지된 템플릿(T)의 표면(T1)과 대향하여 당해 표면(T1) 전체 면을 덮도록 배치되어 있다. 또한, 광 조사부(210)에는, 예를 들면 메탈 할라이드 램프(metal halide lamp)가 이용된다.
회전 보지 부재(111)와 광 조사부(210)의 사이에는 소정의 파장의 광만을 투과시키는 광 필터(211)가 배치되어 있다. 광 필터(211)는 회전 보지 부재(111)에 보지된 템플릿(T)의 표면(T1)과 대향하여 당해 표면(T1) 전체 면을 덮도록 배치되어 있다. 또한, 광 필터(211)는 광 조사부(210)에서의 광의 조사면에 배치해도 좋다. 또한, 광 조사부(210)와 광 필터(211)는 회전 보지 부재(111)에 대하여 비스듬히 상방에 배치해도 좋다.
전술한 광 필터(211)가 투과시키는 광의 소정의 파장은, 예를 들면 350 nm ~ 2500 nm이다. 발명자들이 조사한 바, 이러한 파장의 광을 템플릿(T) 상의 이형제(S)에 조사하면, 템플릿(T)의 표면(T1)과 이형제(S)의 화학 결합을 촉진시킬 수 있어 템플릿(T)의 표면(T1)과 이형제(S)와의 밀착성이 향상된다는 것을 알 수 있었다. 즉, 전술한 알코올에 의한 템플릿(T)의 표면(T1)과 이형제(S)의 화학 결합을 더 촉진시킬 수 있어, 보다 단시간에 템플릿(T)의 표면(T1)에 이형제(S)를 밀착시킬 수 있음을 알 수 있었다. 또한, 350 nm보다 짧은 파장의 광을 이형제(S)에 조사하면, 이형제(S)가 파괴되어 그 이형 기능이 손상되는 경우가 있다는 것을 알 수 있었다. 또한, 2500 nm보다 긴 파장의 광을 이형제(S)에 조사하면, 이형제(S)가 가열되어 열 팽창하는 경우가 있다는 것을 알 수 있었다. 따라서, 템플릿(T)의 표면(T1)에 이형제(S)를 소정의 막 두께로 적절하게 성막하기 위하여, 광의 소정의 파장을 전술한 바와 같이 350 nm ~ 2500 nm로 하였다. 또한, 광 필터(211)는 350 nm보다 짧은 파장의 광을 차단하는 필터와 2500 nm보다 긴 파장의 광을 차단하는 필터를 중첩하여 형성해도 좋다.
또한, 도포 유닛(30)의 그 외의 구성은 상기 실시예의 도포 유닛(30)의 구성과 동일하므로 설명을 생략한다.
이러한 경우, 공정(A5)에서 템플릿(T) 상의 이형제(S)에 알코올을 도포하고, 광 조사부(210)로부터 하방에 광이 조사된다. 조사된 광 중 350 nm보다 짧은 파장의 광과 2500 nm보다 긴 파장의 광은 광 필터(211)에 의해 그 진행이 차단된다. 그리고, 350 nm ~ 2500 nm의 파장의 광만이 광 필터(211)를 투과하여 템플릿(T) 상의 이형제(S)에 조사된다. 그리고, 이들 알코올과 광에 의해 템플릿(T)의 표면(T1)과 이형제(S)의 화학 결합이 촉진되어, 템플릿(T)의 표면(T1)에 이형제(S)를 단시간, 예를 들면 5 초간에 밀착시킨다. 이와 같이 템플릿(T)의 표면(T1)과 이형제(S)를 더 단시간에 밀착시킬 수 있으므로, 템플릿 처리의 스루풋을 더 향상시킬 수 있다. 또한, 공정(A1 ~ A4), 공정(A6, A7)은 상기 실시예와 동일하므로 설명을 생략한다.
이상의 실시예에서는, 공정(A5)에서 템플릿(T) 상의 이형제(S)에 알코올을 도포하고 또한 당해 이형제(S)에 광을 조사하고 있었으나, 공정(A6)에서 템플릿(T) 상의 알코올을 건조 제거한 후 이형제(S)에 광을 조사해도 좋다. 또한, 공정(A5) 내지 공정(A6) 후까지 연속적으로 이형제(S)에 광을 조사해도 좋다. 어느 경우에도 템플릿(T)의 표면(T1)에 이형제(S)를 단시간에 밀착시킬 수 있다.
이상의 실시예의 도포 유닛(30)은, 도 13에 도시한 바와 같이, 템플릿(T) 상의 이형제(S)로 린스액, 예를 들면 이형제(S)의 용제를 공급하는 린스액 노즐(220)을 추가로 가지고 있어도 좋다. 린스액 노즐(220)은 제 3 암(221)에 지지되어 있다. 제 3 암(221)은 노즐 구동부(222)에 의해 레일(130) 상을 이동 가능하다. 이에 따라, 린스액 노즐(220)은 대기부(142)와 컵(120)과의 사이에 설치된 대기부(223)로부터 컵(120) 내의 템플릿(T)의 중심부 상방을 지나 대기부(135)와 컵(120)과의 사이에 설치된 대기부(224)까지 이동할 수 있다. 또한, 제 3 암(221)은 노즐 구동부(222)에 의해 승강 가능하여 린스액 노즐(220)의 높이를 조정할 수 있다. 또한, 도포 유닛(30)의 그 외의 구성에 대해서는 상기 실시예와 동일하므로 설명을 생략한다. 또한, 이상의 구성에서 린스액 노즐(220)은 제 3 암(221)에 지지되어 있었으나, 이형제 노즐(133)과 알코올 노즐(140)과 함께 동일한 암에 지지되어도 좋다.
이러한 경우, 공정(A6)에서 템플릿(T) 상의 알코올을 건조시키는 동안에 알코올 노즐(140)이 템플릿(T)의 중심부 상방으로부터 이동하고, 제 3 암(221)에 의해 대기부(224)의 린스액 노즐(220)이 템플릿(T)의 중심부 상방까지 이동한다. 그리고, 회전 중인 템플릿(T) 상으로 린스액을 공급하여 템플릿(T)의 표면(T1) 전체 면을 린스한다. 소정 시간 경과하면, 이형제(S)의 미반응부만이 박리되어 템플릿(T) 상에 전사 패턴(C)을 따른 이형제(S)가 성막된다. 그 후, 린스액의 공급을 정지한 후 추가로 템플릿(T)을 계속 회전시켜 그 표면(T1)을 털어내기 건조시킨다. 이와 같이하여 템플릿(T) 상의 이형제(S)가 린스된다. 이형제(S)의 린스 처리가 종료되면, 공정(A7)에서 템플릿(T)은 템플릿 카세트(CT)로 되돌려진다. 또한, 공정(A1 ~ A7)은 상기 실시예와 동일하므로 설명을 생략한다. 또한, 이상의 구성에서는 템플릿(T)을 회전시킴으로써 린스액을 건조시키고 있었으나, 예를 들면 질소 등의 불활성 가스 또는 건조 공기 등의 가스를 템플릿(T)의 표면(T1)에 분사하여 템플릿(T) 상의 린스액을 적극적으로 건조시켜도 좋다.
이상의 실시예에 따르면, 공정(A5)에서 알코올에 의해 이형제(S)의 미반응 부분을 모두 제거할 수 없는 경우에도 이 이형제(S)의 미반응 부분을 린스액에 의해 확실하게 제거할 수 있다. 따라서, 템플릿(T) 상의 이형제(S)를 보다 확실하게 소정의 막 두께로 성막할 수 있다.
이상의 실시예에서는 도포 유닛(30)에 린스액 노즐(220)을 설치하였으나, 이 대신에 린스액에 의해 템플릿(T) 상의 이형제(S)의 미반응부를 제거하는 린스 유닛을 템플릿 처리 장치(1) 내에 추가로 설치해도 좋다. 이러한 경우, 도 14에 도시한 바와 같이, 제 1 처리 블록(G1)에는 도 2에 도시한 도포 유닛(31) 대신에 린스 유닛(230)이 배치된다. 마찬가지로, 제 2 처리 블록(G2)에도 도포 유닛(33) 대신에 린스 유닛(231)이 배치된다. 또한, 린스 유닛(230, 231)으로는 각각 케미컬실(34, 35)로부터 린스액이 공급된다.
린스 유닛(230)은, 도 15에 도시한 바와 같이, 측면에 템플릿(T)의 반입출구(도시하지 않음)가 형성된 처리 용기(240)를 가지고 있다.
처리 용기(240) 내의 저면에는 템플릿(T)을 침지시키는 침지조(槽)(241)가 설치되어 있다. 침지조(241) 내에는 템플릿(T) 상의 이형제(S)를 린스하기 위한 린스액이 저장되어 있다.
처리 용기(240) 내의 천장면이며 침지조(241)의 상방에는 템플릿(T)을 보지하는 보지부(242)가 설치되어 있다. 보지부(242)는 템플릿(T)의 이면(T2)의 외주부를 흡착 보지하는 척(243)을 가지고 있다. 템플릿(T)은 그 표면(T1)이 상방을 향하도록 척(243)에 보지된다. 척(243)은 승강 기구(244)에 의해 승강할 수 있다. 그리고, 템플릿(T)은 보지부(242)에 보지된 상태로 침지조(241)에 저장된 린스액에 침지되어 당해 템플릿(T) 상의 이형제(S)가 린스된다.
보지부(242)는 척(243)에 보지된 템플릿(T)의 상방에 설치된 가스 공급부(245)를 가지고 있다. 가스 공급부(245)는, 예를 들면 질소 등의 불활성 가스 또는 건조 공기 등의 가스를 하방, 즉 척(243)에 보지된 템플릿(T)의 표면(T1)에 분사할 수 있다. 이에 따라, 침지조(241)에서 린스된 템플릿(T)의 표면(T1)을 건조시킬 수 있다. 또한, 린스 유닛(230)에는 내부의 분위기를 배기하는 배기관(도시하지 않음)이 접속되어 있다.
또한, 린스 유닛(231)의 구성은 전술한 린스 유닛(230)의 구성과 동일하므로 설명을 생략한다.
이러한 경우, 공정(A6)에서 템플릿(T) 상의 알코올을 건조 제거한 후, 템플릿(T)은 린스 유닛(230)으로 반송되어 보지부(242)에 보지된다. 이어서, 보지부(242)를 하강시켜 템플릿(T)을 침지조(241)에 저장된 린스액에 침지시킨다. 소정 시간 경과되면 이형제(S)의 미반응부만이 박리된다. 그 후 보지부(242)를 상승시키고, 가스 공급부(245)로부터 가스를 템플릿(T)에 분사하여 그 표면(T1)을 건조시킨다. 이렇게 하여 린스 유닛(230)에서의 처리가 종료되면, 공정(A7)에서 템플릿(T)은 템플릿 카세트(CT)로 되돌려진다. 또한, 공정(A1 ~ A7)은 상기 실시예와 동일하므로 설명을 생략한다.
이상의 실시예에서도, 공정(A5)에서 알코올에 의해 이형제(S)의 미반응 부분을 모두 제거할 수 없는 경우에 이 이형제(S)의 미반응 부분을 린스액에 의해 확실하게 제거할 수 있다. 따라서, 템플릿(T) 상의 이형제(S)를 보다 확실하게 소정의 막 두께로 성막할 수 있다.
이상의 실시예에서는, 세정 유닛(40)에서 템플릿(T)을 이동시키면서 당해 이동 중인 템플릿(T)에 자외선을 조사하고 있었으나, 예를 들면 도 12에 도시한 도포 유닛(30)과 마찬가지로 템플릿(T)의 표면(T1) 전체 면을 덮는 자외선 조사부를 이용하여 템플릿(T)에 자외선을 조사해도 좋다. 이러한 경우, 한 번의 조사로 템플릿(T)의 표면(T1) 전체 면에 자외선을 조사할 수 있으므로, 템플릿(T)의 표면(T1)의 세정을 신속하게 행할 수 있다. 또한 이 경우, 템플릿(T)을 회전시켜 당해 회전 중인 템플릿(T)의 표면(T1) 전체 면에 자외선을 조사해도 좋다.
이상의 실시예의 템플릿 처리 장치(1)는, 도 16에 도시한 바와 같이, 임프린트 시스템(300)에 배치되어 있어도 좋다. 임프린트 시스템(300)은 템플릿(T)을 이용하여 기판으로서의 웨이퍼(W) 상에 레지스트 패턴을 형성하는 임프린트 유닛(310)과, 복수, 예를 들면 25 매의 웨이퍼(W)를 카세트 단위로 외부와 임프린트 시스템(300)과의 사이에서 반입출하거나, 웨이퍼 카세트(CW)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입출하는 웨이퍼 반입출 스테이션(311)을 가지고 있다. 또한, 템플릿 처리 장치(1)와 임프린트 유닛(310)과의 사이에는 템플릿(T)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(312)이 배치되어 있다. 임프린트 시스템(300)은 이들 템플릿 처리 장치(1), 인터페이스 스테이션(312), 임프린트 유닛(310), 웨이퍼 반입출 스테이션(311)을 일체로 접속시킨 구성을 가지고 있다.
웨이퍼 반입출 스테이션(311)에는 카세트 재치대(320)가 설치되어 있다. 카세트 재치대(320)는 복수의 웨이퍼 카세트(CW)를 X 방향(도 16 중의 상하 방향)으로 일렬로 재치 가능하게 되어 있다. 즉, 웨이퍼 반입출 스테이션(311)은 복수의 웨이퍼(W)를 보유 가능하게 구성되어 있다.
웨이퍼 반입출 스테이션(311)에는 X 방향으로 연장되는 반송로(321) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송체(322)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송체(322)는 수직 방향 및 수직축을 중심(θ 방향)으로도 이동 가능하며, 웨이퍼 카세트(CW)와 임프린트 유닛(310)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
웨이퍼 반입출 스테이션(311)에는 웨이퍼(W)의 방향을 조정하는 얼라인먼트 유닛(323)이 추가로 설치되어 있다. 얼라인먼트 유닛(323)에서는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 노치부의 위치에 기초하여 웨이퍼(W)의 방향이 조정된다.
인터페이스 스테이션(312)에는 X 방향으로 연장되는 반송로(330) 상을 이동하는 템플릿 반송체(331)가 설치되어 있다. 또한, 반송로(330)의 X 방향 부방향측에는 템플릿(T)의 표리면을 반전시키는 반전 유닛(332)이 배치되고, 반송로(330)의 X 방향 정방향측에는 복수의 템플릿(T)을 일시적으로 보관하는 버퍼 카세트(333)가 배치되어 있다. 템플릿 반송체(331)는 수직 방향 및 수직축을 중심(θ 방향)으로도 이동 가능하며, 처리 스테이션(3), 반전 유닛(332), 버퍼 카세트(333), 임프린트 유닛(310)과의 사이에서 템플릿(T)을 반송할 수 있다.
템플릿 처리 장치(1)의 처리 스테이션(3)에는 반송 유닛(20)의 인터페이스 스테이션(312)측에 템플릿(T)의 전달을 행하기 위한 트랜지션 유닛(334)이 배치되어 있다.
이어서, 전술한 임프린트 유닛(310)의 구성에 대하여 설명한다. 임프린트 유닛(310)은, 도 17에 도시한 바와 같이, 측면에 템플릿(T)의 반입출구(도시하지 않음)와 웨이퍼(W)의 반입출구(도시하지 않음)가 형성된 처리 용기(340)를 가지고 있다.
처리 용기(340) 내의 저면에는 웨이퍼(W)가 재치되어 보지되는 웨이퍼 보지부(341)가 설치되어 있다. 웨이퍼(W)는 그 피처리면이 상방을 향하도록 웨이퍼 보지부(341)의 상면에 재치된다. 웨이퍼 보지부(341) 내에는 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하여 승강시키기 위한 승강 핀(342)이 설치되어 있다. 승강 핀(342)은 승강 구동부(343)에 의해 상하 이동할 수 있다. 웨이퍼 보지부(341)의 상면에는 당해 상면을 두께 방향으로 관통하는 관통홀(344)이 형성되어 있고, 승강 핀(342)은 관통홀(344)을 삽입 통과하도록 되어 있다. 또한, 웨이퍼 보지부(341)는 당해 웨이퍼 보지부(341)의 하방에 설치된 이동 기구(345)에 의해 수평 방향으로 이동 가능하고 또한 수직축을 중심으로 회전 가능하다.
도 18에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 보지부(341)의 X 방향 부방향(도 18의 하방향)측에는 Y 방향(도 18의 좌우 방향)을 따라 연장되는 레일(350)이 설치되어 있다. 레일(350)은, 예를 들면 웨이퍼 보지부(341)의 Y 방향 부방향(도 18의 좌방향)측의 외방에서부터 Y 방향 정방향(도 18의 우방향)측의 외방까지 형성되어 있다. 레일(350)에는 암(351)이 장착되어 있다.
암(351)에는 웨이퍼(W) 상으로 레지스트액을 공급하는 레지스트액 노즐(352)이 지지되어 있다. 레지스트액 노즐(352)은, 예를 들면 웨이퍼(W)의 직경 치수와 동일하거나 그보다 긴 X 방향을 따른 가늘고 긴 형상을 가지고 있다. 레지스트액 노즐(352)에는, 예를 들면 잉크젯 방식의 노즐이 이용되고, 레지스트액 노즐(352)의 하부에는 길이 방향을 따라 일렬로 형성된 복수의 공급구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 그리고, 레지스트액 노즐(352)은 레지스트액의 공급 타이밍, 레지스트액의 공급량 등을 엄밀하게 제어할 수 있다.
암(351)은 노즐 구동부(353)에 의해 레일(350) 상을 이동 가능하다. 이에 따라, 레지스트액 노즐(352)은 웨이퍼 보지부(341)의 Y 방향 정방향측의 외방에 설치된 대기부(354)로부터 웨이퍼 보지부(341) 상의 웨이퍼(W)의 상방까지 이동할 수 있고, 또한 당해 웨이퍼(W)의 표면 상을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 암(351)은 노즐 구동부(353)에 의해 승강 가능하여 레지스트액 노즐(352)의 높이를 조정할 수 있다.
처리 용기(340)내의 천장면이며 웨이퍼 보지부(341)의 상방에는, 도 17에 도시한 바와 같이, 템플릿(T)을 보지하는 템플릿 보지부(360)가 설치되어 있다. 즉, 웨이퍼 보지부(341)와 템플릿 보지부(360)는 웨이퍼 보지부(341)에 재치된 웨이퍼(W)와 템플릿 보지부(360)에 보지된 템플릿(T)이 대향하도록 배치되어 있다. 또한, 템플릿 보지부(360)는 템플릿(T)의 이면(T2)의 외주부를 흡착 보지하는 척(361)을 가지고 있다. 척(361)은 당해 척(361)의 상방에 설치된 이동 기구(362)에 의해 수직 방향으로 이동 가능하고 또한 수직축을 중심으로 회전 가능하게 되어 있다. 이에 따라, 템플릿(T)은 웨이퍼 보지부(341) 상의 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 방향으로 회전하여 승강할 수 있다.
템플릿 보지부(360)는 척(361)에 보지된 템플릿(T)의 상방에 설치된 광원(363)을 가지고 있다. 광원(363)으로부터는, 예를 들면 가시광, 근자외광, 자외선 등의 광이 발광되고, 이 광원(363)으로부터의 광은 템플릿(T)을 투과하여 하방에 조사된다.
본 실시예에 따른 임프린트 시스템(300)은 이상과 같이 구성되어 있다. 이어서, 이 임프린트 시스템(300)에서 행해지는 임프린트 처리에 대하여 설명한다. 도 19는 이 임프린트 처리의 주된 처리 순서를 나타내고, 도 20의 (a) 내지 (d)는 이 임프린트 처리의 각 공정에서의 템플릿(T)과 웨이퍼(W)의 상태를 도시하고 있다.
먼저, 템플릿 반송체(12)에 의해 템플릿 반입출 스테이션(2)으로부터 처리 스테이션(3)으로 템플릿(T)이 반송된다(도 19의 공정(B1)). 처리 스테이션(3)에서는 템플릿(T)의 표면(T1)의 세정(도 19의 공정(B2)), 표면(T1)에의 이형제(S)의 도포(도 19의 공정(B3)), 이형제(S)의 건조(도 19의 공정(B4)), 템플릿(T) 상의 이형제(S)에의 알코올의 도포(도 19의 공정(B5)), 알코올의 건조 제거(도 19의 공정(B6))가 차례로 행해져 템플릿(T)의 표면(T1)에 이형제(S)가 성막된다. 또한, 이들 공정(B2 ~ B6)은 상기 실시예에서의 공정(A2 ~ A6)과 동일하므로 상세한 설명을 생략한다.
이형제(S)가 성막된 템플릿(T)은 트랜지션 유닛(334)으로 반송된다. 이어서, 템플릿(T)은 인터페이스 스테이션(312)의 템플릿 반송체(331)에 의해 반전 유닛(332)으로 반송되어, 템플릿(T)의 표리면이 반전된다. 즉, 템플릿(T)의 이면(T2)이 상방을 향하게 된다. 그 후, 템플릿(T)은 템플릿 반송체(331)에 의해 임프린트 유닛(310)으로 반송되고, 템플릿 보지부(360)의 척(361)에 흡착 보지된다.
이와 같이 처리 스테이션(3)에서 템플릿(T)에 소정의 처리를 행하고 임프린트 유닛(310)으로 템플릿(T)을 반송하는 중에, 웨이퍼 반입출 스테이션(311)에서는 웨이퍼 반송체(322)에 의해 카세트 재치대(320) 상의 웨이퍼 카세트(CW)로부터 웨이퍼(W)가 취출되어 얼라인먼트 유닛(323)으로 반송된다. 그리고, 얼라인먼트 유닛(323)에서 웨이퍼(W)의 노치부의 위치에 기초하여 웨이퍼(W)의 방향이 조정된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송체(322)에 의해 임프린트 유닛(310)으로 반송된다(도 19의 공정(B7)). 또한, 웨이퍼 반입출 스테이션(311)에서 웨이퍼 카세트(CW) 내의 웨이퍼(W)는 그 피처리면이 상방을 향하도록 수용되어 있고, 이 상태로 웨이퍼(W)는 임프린트 유닛(310)으로 반송된다.
임프린트 유닛(310)으로 반입된 웨이퍼(W)는 승강 핀(342)으로 전달되고 웨이퍼 보지부(341) 상에 재치되어 보지된다. 이어서, 웨이퍼 보지부(341)에 보지된 웨이퍼(W)를 수평 방향의 소정의 위치로 이동시켜 위치 조정을 한 후, 레지스트액 노즐(352)을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동시키고, 도 20의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W) 상에 레지스트액이 도포되어 도포막으로서의 레지스트막(R)이 형성된다(도 19의 공정(B8)). 이때, 제어부(200)에 의해 레지스트액 노즐(352)로부터 공급되는 레지스트액의 공급 타이밍 또는 공급량 등이 제어된다. 즉, 웨이퍼(W) 상에 형성되는 레지스트 패턴에서 볼록부와 대응되는 부분(템플릿(T)의 전사 패턴(C)에서의 오목부와 대응되는 부분)에 도포되는 레지스트액의 양은 많고, 오목부와 대응되는 부분(전사 패턴(C)에서의 볼록부와 대응되는 부분)에 도포되는 레지스트액의 양은 적어지도록 도포된다. 이와 같이 전사 패턴(C)의 개구율에 따라 웨이퍼(W) 상에 레지스트액이 도포된다.
웨이퍼(W) 상에 레지스트막(R)이 형성되면, 웨이퍼 보지부(341)에 보지된 웨이퍼(W)를 수평 방향의 소정의 위치로 이동시켜 위치 조정을 행하고, 템플릿 보지부(360)에 보지된 템플릿(T)을 소정의 방향으로 회전시킨다. 그리고, 도 20의 (a)의 화살표로 도시한 바와 같이, 템플릿(T)을 웨이퍼(W)측으로 하강시킨다. 템플릿(T)은 소정의 위치까지 하강하여, 템플릿(T)의 표면(T1)이 웨이퍼(W) 상의 레지스트막(R)에 압착된다. 또한, 이 소정의 위치는 웨이퍼(W) 상에 형성되는 레지스트 패턴의 높이에 기초하여 설정된다. 이어서, 광원(363)으로부터 광이 조사된다. 광원(363)으로부터의 광은, 도 20의 (b)에 도시한 바와 같이, 템플릿(T)을 투과하여 웨이퍼(W) 상의 레지스트막(R)에 조사되고, 이에 따라 레지스트막(R)은 광 중합한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막(R)에 템플릿(T)의 전사 패턴(C)이 전사되어 레지스트 패턴(P)이 형성된다(도 19의 공정(B9)).
그 후, 도 20의 (c)에 도시한 바와 같이, 템플릿(T)을 상승시켜 웨이퍼(W) 상에 레지스트 패턴(P)을 형성한다. 이때, 템플릿(T)의 표면(T1)에는 이형제(S)가 도포되어 있으므로, 웨이퍼(W) 상의 레지스트가 템플릿(T)의 표면(T1)에 부착되지는 않는다. 그 후, 웨이퍼(W)는 승강 핀(342)에 의해 웨이퍼 반송체(322)로 전달되어 임프린트 유닛(310)으로부터 웨이퍼 반입출 스테이션(311)으로 반송되고, 웨이퍼 카세트(CW)로 되돌려진다(도 19의 공정(B10)). 또한, 웨이퍼(W) 상에 형성된 레지스트 패턴(P)의 오목부에는 얇은 레지스트의 잔존막(L)이 남는 경우가 있는데, 예를 들면 임프린트 시스템(300)의 외부에서, 도 20의 (d)에 도시한 바와 같이, 당해 잔존막(L)을 제거해도 좋다.
이상의 공정(B7 ~ B10)(도 19 중의 점선으로 둘러싼 부분)을 반복적으로 행하여, 하나의 템플릿(T)을 이용하여 복수의 웨이퍼(W) 상에 레지스트 패턴(P)을 각각 형성한다. 앞서 전술한 공정(B1 ~ B6)을 반복적으로 행하여 복수의 템플릿(T)의 표면(T1) 상에 이형제(S)를 성막한다. 이형제(S)가 성막된 템플릿(T)은 인터페이스 스테이션(312)의 버퍼 카세트(333)에 보관된다.
그리고 소정 매수의 웨이퍼(W)에 대하여 공정(B7 ~ B10)이 행해지면, 웨이퍼 반송체(331)에 의해 사용 완료 템플릿(T)이 임프린트 유닛(310)으로부터 반출되어 반전 유닛(332)으로 반송된다(도 19의 공정(B11)). 이어서, 웨이퍼 반송체(331)에 의해 버퍼 카세트(333) 내의 템플릿(T)이 임프린트 유닛(310)으로 반송된다. 이렇게 하여 임프린트 유닛(310) 내의 템플릿(T)이 교환된다. 또한, 템플릿(T)을 교환하는 타이밍은 템플릿(T)의 열화 등을 고려하여 설정된다. 또한, 웨이퍼(W)에 상이한 패턴(P)을 형성하는 경우에도 템플릿(T)이 교환된다. 예를 들면, 템플릿(T)을 1 회 사용할 때마다 당해 템플릿(T)을 교환해도 좋다. 또한, 예를 들면 1 매의 웨이퍼(W)마다 템플릿(T)을 교환해도 좋으며, 예를 들면 1 로트마다 템플릿(T)을 교환해도 좋다.
반전 유닛(332)으로 반송된 사용 완료 템플릿(T)은 그 표리면이 반전된다. 그 후, 웨이퍼 반송체(331), 반송 유닛(20), 웨이퍼 반송체(12)에 의해 템플릿(T)은 템플릿 카세트(CT)로 되돌려진다. 이와 같이하여, 임프린트 시스템(300)에서 템플릿(T)을 연속적으로 교환하면서 복수의 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 레지스트 패턴(P)이 연속적으로 형성된다.
이상의 실시예의 임프린트 시스템(300)은 템플릿 처리 장치(1)를 가지고 있으므로, 임프린트 시스템(300)에서 템플릿(T) 상에 이형제(S)를 성막하면서 당해 템플릿(T)을 임프린트 유닛(310)으로 연속적으로 공급할 수 있다. 이에 따라, 예를 들면 템플릿(T)이 열화되기 전, 혹은 복수의 웨이퍼(W) 상에 상이한 레지스트 패턴(P)을 형성하는 경우에도 임프린트 유닛(310) 내의 템플릿(T)을 연속적으로 효율적으로 교환할 수 있다. 따라서, 복수의 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 레지스트 패턴(P)을 연속적으로 형성할 수 있다. 또한, 이에 따라 반도체 디바이스의 양산화를 실현하는 것도 가능해진다.
이상, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 적합한 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 특허 청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에서 각종 변경예 또는 수정예를 도출해낼 수 있다는 것은 자명하며, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 본 발명은 이 예에 한정되지 않으며 다양한 태양을 취할 수 있는 것이다. 본 발명은 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용될 수 있다.
(제 2 실시예)
이하, 본 발명의 제 2 실시예에 대하여 설명한다. 도 21은 본 실시예에 따른 템플릿 처리 장치(1)의 구성의 개략을 도시한 평면도이다. 도 22는 템플릿 처리 장치(1)의 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
본 실시예의 템플릿 처리 장치(1)에서는, 도 23에 도시한 바와 같이, 직육면체 형상을 가지며 표면에 소정의 전사 패턴(P)이 형성된 템플릿(T)이 처리된다. 또한, 템플릿(T)에는 가시광, 근자외광, 자외선 등의 광이 투과 가능한 투명 재료, 예를 들면 글라스가 이용된다.
템플릿 처리 장치(1)는 템플릿(T)의 반입, 템플릿(T)의 처리, 템플릿(T)의 반출을 배치(batch)식으로 일괄적으로 행하도록 구성되어 있다. 이 템플릿 처리 장치(1)는, 도 21에 도시한 바와 같이, 복수, 예를 들면 5 매의 템플릿(T)을 캐리어 단위로 외부로부터 템플릿 처리 장치(1)로 반입하고, 캐리어(C)로부터 처리 전의 템플릿(T)을 취출하는 반입 스테이션(2)과, 템플릿(T)에 소정의 처리를 실시하는 복수의 처리 유닛을 구비한 처리 스테이션(3)과, 처리 후의 템플릿(T)을 캐리어(C) 내에 수납하고, 템플릿(T)을 캐리어 단위로 템플릿 처리 장치(1)로부터 외부로 반출하는 템플릿 반출 스테이션(4)을 일체로 접속시킨 구성을 가지고 있다. 또한, 반입 스테이션(2)과 반출 스테이션(4)을 일체화시켜 템플릿(T)의 반입과 반출의 양방을 행하는 반입출 스테이션을 설치해도 좋다.
반입 스테이션(2)에는 캐리어(C)를 재치(載置)하는 캐리어 재치대(10)와, 캐리어(C)로부터 처리 전의 템플릿(T)을 취출하는 로더(11)와, 캐리어 재치대(10)로부터 로더(11)로 캐리어(C)를 이송하는 이송 유닛(12)이 설치되어 있다. 로더(11)는 캐리어 재치대(10)의 하류측, 즉 Y 방향 정방향측(도 21 중의 우방향측)에 배치되어 있다. 또한, 이송 유닛(12)은 캐리어 재치대(10) 및 로더(11)의 X 방향 정방향측(도 21 중의 상방향측)에 배치되어 있다.
캐리어 재치대(10)의 상면에는 개구부(13)가 X 방향(도 21 중의 상하 방향)으로 연장되어 형성되어 있다. 캐리어(C)의 하면 주연부가 개구부(13)의 주연부에 재치되어, 복수의 캐리어(C)가 캐리어 재치대(10) 상의 소정의 위치에 재치되도록 되어 있다. 캐리어 재치대(10)의 내부에는 캐리어 반송 유닛(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 이 캐리어 반송 유닛에 의해 캐리어(C)는 개구부(13)를 따라 이동 가능하다. 또한, 캐리어(C)는 캐리어 반송 유닛에 의해 수직 중심(θ 방향)으로 회전 가능하고 또한 승강 가능하다. 캐리어 재치대(10) 상의 캐리어(C)에는 복수, 예를 들면 5 매의 템플릿(T)이 기립한 상태의 수직 자세로 병렬로 수납되어 있다. 또한, 반입 스테이션(2)에는, 예를 들면 캐리어(C)를 90도 회동시켜 당해 캐리어(C) 내의 템플릿(T)의 자세를 수평 자세에서 수직 자세로 변환시키는 다른 캐리어 재치대가 설치되어 있어도 좋다.
로더(11)에는 캐리어(C) 내의 복수의 템플릿(T)을 취출하여 보지(保持)하는 보지부(14)가 설치되어 있다. 보지부(14)는 그 하방에 설치된 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있다. 또한, 보지부(14)에는 템플릿(T)을 삽입하여 보지하는 보지 홈(15)이 소정의 간격으로, 예를 들면 5 개소에 형성되어 있다. 이 보지 홈(15)의 간격은 후술하는 반송 암(50)의 보지 홈(53)의 간격과 동일하다. 따라서, 반송 암(50)이 복수의 템플릿(T)을 적절하게 보지할 수 있도록, 보지부(14)는 복수의 템플릿(T)을 수직 자세로 정렬시킬 수 있다.
이송 유닛(12)은 접근, 이격 가능 또한 신축 가능하게 구성된 한 쌍의 암을 구비한 이송 암(16)을 가지고 있다. 이송 암(16)은 한 쌍의 암으로 캐리어(C)를 보지하여 이송할 수 있다. 이송 암(16)은 Y 방향(도 21 중의 좌우 방향)으로 연장되는 레일(17)을 따라 이동 가능하고, 또한 승강 가능하게 구성되어 있다.
또한, 반출 스테이션(4)도 반입 스테이션(2)과 동일한 구성을 가지고 있다. 즉, 반출 스테이션(4)에는 캐리어(C)를 재치하는 캐리어 재치대(20)와, 처리 후의 템플릿(T)을 캐리어(C)에 수납하는 언로더(21)와, 언로더(21)로부터 캐리어 재치대(20)로 캐리어(C)를 이송하는 이송 유닛(22)이 설치되어 있다. 언로더(21)는 캐리어 재치대(20)의 상류측, 즉 Y 방향 부방향측에 배치되어 있다. 또한, 이송 유닛(22)은 언로더(21) 및 캐리어 재치대의 X 방향 정방향측에 배치되어 있다. 또한, 이들 캐리어 재치대(20), 언로더(21), 이송 유닛(22)의 구성은 각각 반입 스테이션(2)의 캐리어 재치대(10), 로더(11), 이송 유닛(12)의 구성과 동일하므로 설명을 생략한다.
처리 스테이션(3)에는 상류측에서부터 차례로, 즉 반입 스테이션(2)측에서부터 차례로 템플릿(T)의 표면을 세정하는 세정 유닛(30, 31), 템플릿(T)의 표면을 이형제 처리하는 이형제 처리 유닛(32), 템플릿(T)의 표면을 알코올 처리하는 알코올 처리 유닛(33)이 일렬로 배치되어 있다. 또한, 일반적인 세정 프로세스에 따라 세정 유닛(30)에서는 산(酸) 세정이 행해지고, 세정 유닛(31)에서는 린스 세정이 행해진다.
또한, 이들 세정 유닛(30, 31), 이형제 처리 유닛(32), 알코올 처리 유닛(33)의 X 방향 부방향측에는 복수의 템플릿(T)을 보지하여 반송하는 반송 유닛(34)이 설치되어 있다. 반송 유닛(34)은, 도 22에 도시한 바와 같이, 로더(11)와 언로더(21)와의 사이에서 Y 방향(도 22 중의 좌우 방향)으로 연장되는 레일(35)을 따라 이동할 수 있다. 즉, 반송 유닛(34)은 로더(11), 각 처리 유닛(30 ~ 33), 언로더(21)에 대하여 복수의 템플릿(T)을 반송할 수 있다. 또한, 도시한 예에서 레일(35)은 로더(11), 각 처리 유닛(30 ~ 33), 언로더(21)의 측면에 설치되어 있으나, 예를 들면 템플릿 처리 장치(1)의 저면(底面)에 설치되어 있어도 좋다.
로더(11)와 세정 유닛(30)의 사이에는, 도 21에 도시한 바와 같이, 개폐 가능한 셔터(40)가 설치되어 있다. 마찬가지로 세정 유닛(30, 31)의 사이, 세정 유닛(31)과 이형제 처리 유닛(32)의 사이, 이형제 처리 유닛(32)과 알코올 처리 유닛(33)의 사이, 알코올 처리 유닛(33)과 언로더(21)의 사이에도 각각 셔터(40)가 설치되어 있다. 셔터(40)는 각 처리 유닛(30 ~ 33) 내의 분위기를 차단할 수 있다.
이어서, 반송 유닛(34)의 구성에 대하여 설명한다. 반송 유닛(34)은, 도 24 및 도 25에 도시한 바와 같이, 템플릿(T)을 보지하는 반송 암(50)을 가지고 있다. 반송 암(50)은 접근, 이격 가능 또한 신축 가능하게 구성된 한 쌍의 암(51, 51)과, 암(51, 51)을 지지하는 지지 부재(52)를 가지고 있다. 지지 부재(52)는 굴곡되어 그 하단부에서 암(51, 51)을 지지하고 있다. 암(51)에는 템플릿(T)을 삽입하여 보지하는 보지 홈(53)이 형성되어 있다. 보지 홈(53)은 소정의 간격으로, 예를 들면 5 개소에 형성되며, 반송 암(50)은 복수, 예를 들면 5 매의 템플릿(T)을 수직 자세로 보지할 수 있다. 또한, 이 보지 홈(51)의 소정의 간격은 전술한 바와 같이 로더(11) 및 언로더(21)의 보지부(14)에 형성된 보지 홈(15)의 간격과 동일하다.
반송 암(50)의 기단부(基端部)에는 반송 암(50)을 지지하는 지지부(54)가 설치되어 있다. 지지부(54)의 하방에는 샤프트(55)를 개재하여 이동 기구(56)가 설치되어 있다. 이 이동 기구(56)에 의해 반송 암(50)은 승강할 수 있다. 또한, 이동 기구(56)는 레일(35)에 장착되어, 반송 유닛(34)은 레일(35)을 따라 이동할 수 있도록 되어 있다.
이어서, 처리 스테이션(3)의 각 처리 유닛(30 ~ 31)의 구성에 대하여 설명한다. 세정 유닛(30)은, 도 26에 도시한 바와 같이, 내부에 세정액을 저장하는 세정액조(60)를 가지고 있다. 세정액조(60)는 그 상면이 개구되고, 템플릿(T)을 수용하는데 충분한 크기를 구비한 대략 직육면체의 형상을 가지고 있다. 따라서, 세정액조(60)는 반송 유닛(34)의 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)을 세정액 중에 침지시켜 템플릿(T)의 표면의 유기 오염물 또는 파티클 등의 불순물을 제거하여 당해 템플릿(T)의 표면을 세정할 수 있다. 또한, 세정액으로는, 예를 들면 황산 과산화수소수가 이용된다.
세정액조(60)의 저면에는 세정액조(60) 내로 세정액을 공급하는 급액관(61)이 접속되어 있다. 급액관(61)은 세정액을 공급하는 세정액 공급원(62)과 연통되어 있다. 급액관(61)에는 세정액의 흐름을 제어하는 밸브 또는 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(63)이 설치되어 있다. 또한, 세정액조(60)의 저면에는 밸브(64)를 개재하여 세정액조(60) 내의 세정액을 배출하는 배액관(65)이 접속되어 있다. 밸브(64)는 배액관(65)으로부터 배출되는 세정액의 배액량을 조절할 수 있다.
세정액조(60)의 상방에는 반송 암(50) 내에 보지된 복수의 템플릿(T)의 표면에, 예를 들면 질소 등의 불활성 가스 또는 건조 공기 등의 가스를 분사하는 가스 노즐(70)이 설치되어 있다. 이 가스 노즐(70)로부터 분사되는 가스에 의해 세정액조(60)에서 세정된 템플릿(T)의 표면을 건조시킬 수 있다. 가스 노즐(70)에는 가스 공급원(71)과 연통되는 급기관(72)이 접속되어 있다. 급기관(72)에는 레지스트액의 흐름을 제어하는 밸브 또는 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(73)이 설치되어 있다.
세정 유닛(30)의 측면에는 셔터(40)를 닫음으로써 형성되는 세정 유닛(30) 내의 실내 분위기를 배기하는 배기관(74)이 접속되어 있다. 배기관(74)에는 배기량을 조절하는 밸브(75)가 설치되어 있다. 또한, 배기관(74)은 반송 암(50)과 대향하는 세정 유닛(30)의 측면에 설치되어도 좋고, 셔터(40)에 설치되어도 좋다.
다른 처리 유닛(31 ~ 33)도 전술한 세정 유닛(30)과 동일한 구성을 가지고 있다. 세정 유닛(31)은 세정 유닛(30)에서의 세정액조(60) 대신에, 도 21에 도시한 바와 같이, 내부에 순수를 저장하는 순수조(80)를 가지고 있다. 순수조(80)는 반송 유닛(34)의 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)을 순수 중에 침지시켜 템플릿(T)의 표면을 린스 세정할 수 있다. 또한, 순수조(80)의 구성은 전술한 세정조(60)의 구성과 동일하므로 설명을 생략한다. 또한, 세정 유닛(31)의 그 외의 구성에 대해서도 전술한 세정 유닛(30)의 구성과 동일하다. 예를 들면, 순수조(80)의 상방에도 반송 암(50) 내에 보지된 복수의 템플릿(T)의 표면에 가스를 분사하는 가스 노즐(70)이 설치되어 있다.
이형제 처리 유닛(32)은 세정 유닛(30)에서의 세정조(60) 대신에 내부에 액체 상태의 이형제를 저장하는 이형제조(離型劑槽)(81)를 가지고 있다. 이형제조(81)는 반송 유닛(34)의 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)을 이형제 중에 침지시켜 템플릿(T)의 표면에 이형제를 부착시킬 수 있다. 또한, 이형제조(81)의 구성은 전술한 세정조(60)의 구성과 동일하므로 설명을 생략한다. 또한, 이형제 처리 유닛(32)의 그 외의 구성에 대해서도 전술한 세정 유닛(30)의 구성과 동일하다. 예를 들면, 이형제조(81)의 상방에도 반송 암(50) 내에 보지된 복수의 템플릿(T)의 표면에 가스를 분사하는 가스 노즐(70)이 설치되어 있다. 또한, 이형제의 재료로는, 예를 들면 웨이퍼 상에 형성되며 템플릿(T)의 전사 패턴(P)이 전사되는 레지스트막에 대하여 발액성을 가지는 재료, 예를 들면 불소탄소계 화합물 등이 이용된다.
알코올 처리 유닛(33)은 세정 유닛(30)에서의 세정조(60) 대신에 내부에 상온에서 액체 상태의 알코올, 예를 들면 에탄올을 저장하는 알코올조(82)를 가지고 있다. 알코올조(82)는 반송 유닛(34)의 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)을 액체 상태의 알코올 중에 침지시켜 템플릿(T)의 표면과 이형제와의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 알코올조(82)의 구성은 전술한 세정조(60)의 구성과 동일하므로 설명을 생략한다. 또한, 알코올 처리 유닛(33)의 그 외의 구성에 대해서도 전술한 세정 유닛(30)의 구성과 동일하다. 예를 들면, 알코올조(82)의 상방에도 반송 암(50) 내에 보지된 복수의 템플릿(T)의 표면에 가스를 분사하는 가스 노즐(70)이 설치되어 있다. 또한, 알코올은 알코올류이면 되며 에탄올 이외의 다른 알코올을 이용해도 좋다. 예를 들면, 메탄올, 프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 헵탄올을 이용해도 좋고, 혹은 이들 알코올의 혼합물을 이용해도 좋다. 또한, 알코올의 농도는 특별히 한정되지 않으나 100%인 것이 바람직하다. 또한, 본 실시예에서는 상온의 알코올을 이용하고 있으나, 알코올이 결로(結露)되는 것을 억제하기 위하여, 예를 들면 70℃ 이하로 가열한 알코올을 이용해도 좋다.
이상의 템플릿 처리 장치(1)에는, 도 21에 도시한 바와 같이, 제어부(100)가 설치되어 있다. 제어부(100)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는 반입 스테이션(2)과 처리 스테이션(3) 간의 템플릿(T)의 반송 또는 처리 스테이션(3)과 반출 스테이션(4) 간의 템플릿(T)의 반송, 처리 스테이션(3)에서의 구동계의 동작 등을 제어하여 템플릿 처리 장치(1)에서의 후술하는 템플릿 처리를 실행하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 이 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉서블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 이 기억 매체로부터 제어부(100)에 인스톨 된 것이어도 좋다.
본 실시예에 따른 템플릿 처리 장치(1)는 이상과 같이 구성되어 있다. 이어서, 이 템플릿 처리 장치(1)에서 행해지는 템플릿 처리에 대하여 설명한다. 도 27은 이 템플릿 처리의 주된 처리 순서를 나타내고, 도 28의 (a) 내지 (d)는 각 공정에서의 템플릿(T)의 상태를 도시하고 있다.
먼저, 복수, 예를 들면 5 매의 템플릿(T)을 수납한 캐리어(C)가 템플릿 처리 장치(1) 내로 반입된다(도 27의 공정(A1)). 반입된 캐리어(C)는 캐리어 재치대(10) 상의 소정의 위치에 재치된다. 그리고, 캐리어 재치대(10)의 내부에 설치된 캐리어 반송 유닛에 의해 캐리어(C)를 개구부(13)를 따라 이송 유닛(12)측으로 이동시킨다. 그 후, 캐리어(C)는 이송 유닛(12)의 이송 암(16)에 보지되어 캐리어 재치대(10)로부터 로더(11)로 이송된다. 로더(11)에서는 캐리어(C)로부터 복수의 템플릿(T)이 취출되어 보지부(14)에 보지된다. 이때, 각 템플릿(T)은 보지부(14)에 형성된 보지 홈(15)에 삽입되어 보지된다. 그 후, 보지부(14)에 정렬 보지된 복수의 템플릿(T)은 반송 유닛(34)의 반송 암(50)으로 전달되어 보지된다.
그 후, 반송 유닛(34)에 의해 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)은 세정 유닛(30)으로 반송된다. 복수의 템플릿(T)이 세정액조(60)의 상방까지 반송되면, 세정 유닛(30)의 양측의 셔터(40)가 닫힌다. 그 후, 반송 암(50)을 하강시켜 세정액조(60) 내에 저장된 세정액 중에 복수의 템플릿(T)을 침지시킨다. 이 세정액에 의해 각 템플릿(T)의 표면의 유기 오염물 또는 파티클 등의 불순물이 제거되어, 도 28의 (a)에 도시한 바와 같이 템플릿(T)의 표면이 세정된다(도 27의 공정(A2)). 그 후, 반송 암(50)을 세정액조(60)의 상방으로 상승시킨다. 이어서, 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)의 표면에 가스 노즐(70)로부터 가스를 분사하여 각 템플릿(T)의 표면을 건조시킨다.
그 후, 셔터(40)가 열리고, 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)은 세정 유닛(31)으로 반송된다. 복수의 템플릿(T)이 순수조(80)의 상방까지 반송되면, 세정 유닛(31)의 양측의 셔터(40)가 닫힌다. 그 후, 반송 암(50)을 하강시켜 순수조(80) 내에 저장된 순수 중에 복수의 템플릿(T)을 침지시킨다. 이 순수에 의해 각 템플릿(T)의 표면이 린스 처리된다. 그 후, 반송 암(50)을 순수조(80)의 상방으로 상승시킨다. 이어서, 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)의 표면에 가스 노즐(70)로부터 가스를 분사하여 각 템플릿(T)의 표면을 건조시킨다.
그 후, 셔터(40)가 열리고, 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)은 이형제 처리 유닛(32)으로 반송된다. 복수의 템플릿(T)이 이형제조(81)의 상방까지 반송되면, 이형제 처리 유닛(32)의 양측의 셔터(40)가 닫힌다. 그 후, 반송 암(50)을 하강시켜 이형제조(81) 내에 저장된 이형제 중에 복수의 템플릿(T)을, 예를 들면 10 초간 침지시킨다(도 27의 공정(A3)). 그렇게 하면, 도 28의 (b)에 도시한 바와 같이 템플릿(T)의 표면에 이형제(S)가 부착된다. 그 후, 반송 암(50)을 이형제조(81)의 상방으로 상승시킨다. 이어서, 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)의 표면에 가스 노즐(70)로부터 가스를, 예를 들면 20 초간 분사하여 각 템플릿(T) 상의 이형제(S)를 건조시킨다(도 27의 공정(A4)).
그 후, 셔터(40)가 열리고, 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)은 알코올 처리 유닛(33)으로 반송된다. 복수의 템플릿(T)이 알코올조(82)의 상방까지 반송되면, 알코올 처리 유닛(33)의 양측의 셔터(40)가 닫힌다. 그 후, 반송 암(50)을 하강시켜 알코올조(82) 내에 저장된 액체 상태의 알코올 중에 복수의 템플릿(T)을, 예를 들면 10 초간 침지시킨다(도 27의 공정(A5)). 이 알코올에 의해, 도 28의 (c)에 도시한 바와 같이, 이형제(S)가 템플릿(T)의 표면과 강고하고 면밀하게 화학 반응하여, 당해 템플릿(T)의 표면에 이형제(S)가 밀착된다. 또한, 이와 같이 템플릿(T)의 표면에 이형제(S)가 밀착된 후, 추가로 알코올조(82) 내의 알코올에 의해 이형제(S)의 미반응부만, 즉 이형제(S)가 템플릿(T)의 표면과 화학 반응하여 당해 표면과 밀착되는 부분 이외만이 제거된다. 이때, 템플릿(T)의 표면에 이형제(S)가 밀착되어 있으므로, 템플릿(T)의 표면으로부터 소정 거리의 이형제(S)가 박리되지는 않는다. 또한, 템플릿(T) 상의 이형제(S)의 접촉각은 소정의 각도, 예를 들면 108도로 되어 있어, 이형제(S)는 레지스트막에 대하여 충분한 발액성을 가지며, 그 이형 기능을 발휘할 수 있다. 이렇게 하여, 도 28의 (d)에 도시한 바와 같이 템플릿(T) 상에 전사 패턴(P)을 따른 이형제(S)가 소정의 막 두께로 성막된다. 그 후, 반송 암(50)을 알코올조(82)의 상방으로 상승시킨다. 이어서, 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)의 표면에 가스 노즐(70)로부터 가스를, 예를 들면 20 초간 분사하여 각 템플릿(T) 상의 알코올을 건조시켜 제거한다(도 27의 공정(A6)).
그 후, 셔터(40)가 열리고, 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)은 언로더(21)로 반송된다. 언로더(21)에서는 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)이 보지부(14)로 전달된다. 이때, 각 템플릿(T)은 보지부(14)에 형성된 보지 홈(15)에 삽입되어 보지된다. 이어서, 언로더(21)에 미리 준비해 둔 캐리어(C) 내에 복수의 템플릿(T)이 수납된다. 그 후, 캐리어(C)는 이송 유닛(22)의 이송 암(16)에 보지되어, 언로더(21)로부터 캐리어 재치대(20)로 이송된다. 그리고 캐리어(C)가 캐리어 재치대(20)의 소정의 위치에 재치되면, 캐리어 재치대(20)의 내부에 설치된 캐리어 반송 유닛에 의해 캐리어(C)를 개구부(13)를 따라 이송 유닛(22)과 반대측으로 이동시킨다. 그 후, 캐리어(C)는 템플릿 처리 장치(1) 외부로 반출된다(도 27의 공정(A7)). 이렇게 하여 템플릿 처리 장치(1)에서의 일련의 템플릿 처리가 종료되고, 템플릿(T)의 표면에 전사 패턴(P)의 형상을 따른 이형제(S)가 소정의 막 두께로 성막된다.
또한, 일련의 템플릿 처리의 종료 후, 이형제(S)가 성막된 템플릿(T)은, 예를 들면 템플릿 처리 장치(1)로부터 임프린트 유닛(도시하지 않음)으로 반송된다. 그리고, 임프린트 유닛에서 템플릿(T)의 전사 패턴(P)이 웨이퍼 상의 레지스트막에 전사 된다. 이때, 이형제(S)에 의해 웨이퍼 상의 레지스트가 템플릿(T)의 표면에 부착되지 않는다. 따라서, 웨이퍼 상의 레지스트막에 소정의 패턴을 적절하게 형성할 수 있다.
이상의 실시예에 따르면, 공정(A5)에서 이형제(S)가 부착된 템플릿(T)을 액체 상태의 알코올 중에 침지시키고 있으므로, 템플릿(T)의 표면과 이형제(S)와의 화학 반응이 촉진되어 당해 템플릿(T)의 표면과 이형제(S)와의 밀착성이 향상된다. 즉, 템플릿(T)의 표면에 이형제(S)를 단시간에 밀착시킬 수 있다. 이에 따라, 공정(A1) ~ 공정(A7)의 템플릿 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한, 공정(A5)에서 알코올에 의해 템플릿(T)의 표면에 이형제(S)를 밀착시킨 후, 추가로 이 알코올에 의해 이형제(S)의 미반응 부분만이 제거된다. 이와 같이 템플릿(T)의 표면과 이형제(S)와의 밀착과, 이형제(S)의 미반응 부분의 제거를 동일한 공정에서 행하고 있으므로, 템플릿 처리의 스루풋을 더 향상시킬 수 있다.
또한, 공정(A2) ~ 공정(A6)에서 복수의 템플릿(T)에 대하여 일괄적으로 소정의 처리를 행하므로, 템플릿 처리의 스루풋을 더 향상시킬 수 있다.
또한, 공정(A5)에서 템플릿(T)의 표면에 이형제(S)가 밀착되므로, 당해 템플릿(T) 상의 이형제(S)의 접촉각을 소정의 각도로 할 수 있다. 이에 따라, 이형제(S)는 레지스트막에 대하여 충분한 발액성을 가지며, 그 이형 기능을 발휘할 수 있다.
또한, 공정(A5)에서 템플릿(T)의 표면과 이형제(S)를 밀착시킬 때 종래와 같이 이형제를 가열하지 않으므로 이형제(S)가 열팽창하지 않는다. 따라서, 템플릿(T)의 표면에 이형제(S)를 소정의 막 두께로 적절하게 성막할 수 있다.
또한, 공정(A2)에서 템플릿(T)의 표면을 세정하고 있으므로, 그 후 공정(A3)에서 템플릿(T)의 표면에 이형제(S)를 소정의 막 두께로 도포할 수 있다. 또한, 이 공정(A2)은 템플릿(T)의 표면이 미리 충분히 세정되어 있는 경우에는 생략해도 좋다.
또한, 세정 유닛(30)은 가스 노즐(70)을 가지고 있으므로, 공정(A2)에서 템플릿(T)의 표면을 세정한 후, 가스 노즐(70)로부터 분사되는 가스에 의해 템플릿(T)의 표면을 건조시킬 수 있다. 이 때문에, 세정 유닛(30)의 세정액이 후속의 순수조(80) 내의 순수에 섞이지 않는다. 마찬가지로 세정 유닛(31)과 이형제 처리 유닛(32)도 가스 노즐(70)을 가지고 있으므로, 세정 유닛(31)의 순수가 후속의 이형제조(81) 내의 이형제에 섞이지 않고, 또한 이형제 처리 유닛(32)의 이형제도 후속의 알코올조(82) 내의 알코올에 섞이지 않는다. 또한, 알코올 처리 유닛(33)도 가스 노즐(70)을 가지고 있으므로, 알코올 처리 유닛(33)의 알코올이 후속의 언로더(21)에 부착되지 않는다.
이상의 실시예의 템플릿 처리 장치(1)는 린스액에 의해 템플릿(T) 상의 이형제(S)의 미반응부를 제거하는 린스 유닛을 추가로 가지고 있어도 좋다. 이러한 경우, 도 29에 도시한 바와 같이, 처리 스테이션(3)에서 알코올 처리 유닛(33)의 하류측, 즉 알코올 처리 유닛(33)과 언로더(21)의 사이에 린스 유닛(110)이 배치된다. 또한, 린스 유닛(110)의 양측에도 개폐 가능한 셔터(40)가 설치되어 있다.
린스 유닛(110)은 도 26에 도시한 세정 유닛(30)과 동일한 구성을 가지며, 세정 유닛(30)에서의 세정액조(60) 대신에 내부에 린스액을 저장하는 린스액조(111)를 가지고 있다. 린스액조(111)는 반송 유닛(34)의 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)을 린스액 중에 침지시켜 템플릿(T) 상의 이형제(S)의 미반응부를 제거할 수 있다. 또한, 린스액조(111)의 구성은 전술한 세정조(60)의 구성과 동일하므로 설명을 생략한다. 또한, 린스 유닛110)의 그 외의 구성에 대해서도 전술한 세정 유닛(30)의 구성과 동일하다. 예를 들면, 린스액조(111)의 상방에도 반송 암(50) 내에 보지된 복수의 템플릿(T)의 표면에 가스를 분사하는 가스 노즐(70)이 설치되어 있다. 또한, 린스액으로는, 예를 들면 이형제(S)의 용제가 이용된다.
이러한 경우, 공정(A6)에서 템플릿(T) 상의 액체 상태의 알코올을 건조 제거한 후, 셔터(40)가 열리고, 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)은 린스 유닛(110)으로 반송된다. 복수의 템플릿(T)이 린스액조(111)의 상방까지 반송되면, 린스 유닛(110)의 양측의 셔터(40)가 닫힌다. 그 후, 반송 암(50)을 하강시켜 린스액조(111) 내에 저장된 린스액 중에 복수의 템플릿(T)을 침지시킨다. 이 린스액에 의해 각 템플릿(T) 상의 이형제(S)의 미반응부만이 박리된다. 그 후, 반송 암(50)을 린스액조(111)의 상방으로 상승시킨다. 이어서, 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)의 표면에 가스 노즐(70)로부터 가스를 분사하여 각 템플릿(T) 상의 린스액을 건조시켜 제거한다. 이렇게 하여 린스 유닛110)에서의 처리가 종료되면, 공정(A7)에서 언로더(21)에서 복수의 템플릿(T)이 캐리어(C) 내에 수납되고, 또한 캐리어 재치대(20)로 이송된 캐리어(C)가 템플릿 처리 장치(1) 외부로 반출된다. 또한, 공정(A1 ~ A7)은 상기 실시예와 동일하므로 설명을 생략한다.
이상의 실시예에 따르면, 공정(A5)에서 알코올에 의해 이형제(S)의 미반응 부분을 모두 제거할 수 없는 경우에도 이 이형제(S)의 미반응 부분을 린스액에 의해 확실하게 제거할 수 있다. 따라서, 템플릿(T) 상의 이형제(S)를 보다 확실하게 소정의 막 두께로 성막할 수 있다.
이상의 실시예의 알코올 처리 유닛(33)은 액체 상태의 알코올을 저장하는 알코올조(82)를 가지고 있었으나, 알코올조(82) 대신에, 예를 들면 도 30에 도시한 바와 같이 기체 상태의 알코올을 공급하는 알코올 공급부로서의 알코올 노즐(120)을 가지고 있어도 좋다. 알코올 노즐(120)은 셔터(40)을 닫음으로써 형성되는 알코올 처리 유닛(33)의 실내로 기체 상태의 알코올을 공급한다. 또한, 본 실시예에 따른 기체 상태의 알코올의 종류는 상기 실시예의 알코올조(82) 내에 저장되는 액체 상태의 알코올의 종류와 동일하므로 설명을 생략한다.
알코올 노즐(120)에는 알코올 공급원(121)과 연통되는 공급관(122)이 접속되어 있다. 알코올 공급원(121)의 내부에는 기체 상태의 알코올, 예를 들면 알코올 증기가 저장되어 있다. 공급관(122)에는 알코올 증기의 흐름을 제어하는 밸브 또는 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(123)이 설치되어 있다.
알코올 처리 유닛(33)의 측면에는 당해 알코올 처리 유닛(33)의 실내 분위기를 배기하는 배기관(124)이 접속되어 있다. 배기관(124)에는 배기량을 조절하는 밸브(125)가 설치되어 있다. 또한, 배기관(124)은 반송 암(50)과 대향하는 알코올 처리 유닛(33)의 측면에 설치되어도 좋고, 셔터(40)에 설치되어도 좋다.
이러한 경우, 공정(A5)에서 알코올 노즐(120)로부터 알코올 처리 유닛(33) 내로 알코올 증기가 공급되어, 당해 알코올 처리 유닛(33) 내가 알코올 분위기로 유지된다. 그리고, 반송 암(50)에 보지된 복수의 템플릿(T)이 알코올 처리 유닛(33) 내로 반송되면, 당해 복수의 템플릿(T)은 알코올 분위기에 노출된다. 이 알코올에 의해 이형제(S)가 템플릿(T)의 표면과 강고하고 면밀하게 화학 반응하여, 당해 템플릿(T)의 표면에 이형제(S)가 밀착된다. 또한, 이와 같이 템플릿(T)의 표면에 이형제(S)가 밀착된 후, 추가로 알코올 처리 유닛(33) 내의 알코올에 의해 이형제(S)의 미반응부만, 즉 이형제(S)가 템플릿(T)의 표면과 화학 반응하여 당해 표면과 밀착되는 부분 이외만이 제거된다. 이렇게 하여, 템플릿(T) 상에 전사 패턴(P)을 따른 이형제(S)가 소정의 막 두께로 성막된다.
본 실시예에서는, 템플릿(T)이 기체 상태의 알코올 중에 노출되므로 템플릿(T)의 표면과 이형제(S)의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 이때, 액체 상태의 알코올을 이용한 경우 당해 액체 상태의 알코올에 의해 템플릿(T) 상의 이형제(S)가 약간 정도 흐를 우려가 있지만, 본 실시예와 같이 기체 상태의 알코올을 이용한 경우 템플릿(T) 상의 이형제(S)가 흐르지 않는다. 그러므로, 템플릿(T) 상의 이형제(S)의 접촉각을 보다 높일 수 있다. 따라서, 템플릿(T) 상에 이형제(S)를 보다 적절하게 성막할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 기체 상태의 알코올을 이용하고 있으므로 알코올 처리된 템플릿(T)을 건조시킬 필요가 없다. 이 때문에, 본 실시예의 알코올 처리 유닛(33)에서 상기 실시예의 처리 유닛(33)에 설치된 가스 노즐(70)을 생략할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 알코올 공급부로서 알코올 노즐(120)을 이용하였으나, 알코올 처리 유닛(33) 내로 기체 상태의 알코올을 공급할 수 있는 기구라면 다른 다양한 기구를 이용할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 알코올 노즐(120)로부터 기체 상태의 알코올을 공급하였으나, 기체 상태의 알코올 대신에 미스트 상태의 알코올을 알코올 노즐(120)로부터 공급해도 좋다. 이러한 경우에도 템플릿(T)이 미스트 상태의 알코올 중에 노출되므로, 템플릿(T)의 표면과 이형제(S)의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
이상의 실시예에서 세정 유닛(30, 31)은 별개로 설치되어 있었으나, 이른바 원 배스(one bath) 방식의 세정 유닛으로 해도 좋다. 이러한 경우, 세정 유닛의 세정조에는 세정액을 공급하는 세정액 공급원과 순수를 공급하는 순수 공급원이 접속된다. 이 세정 유닛에서는 먼저 세정조로 세정액을 공급한다. 이어서, 복수의 템플릿(T)을 세정액 중에 침지시켜 각 템플릿(T)의 표면을 세정한다. 그 후, 세정액을 세정조로부터 배출한 후, 세정조로 순수를 공급한다. 이어서, 복수의 템플릿(T)을 순수 중에 침지시켜 각 템플릿(T)의 표면을 린스 세정한다. 본 실시예에 따르면 2 개의 세정 유닛(30, 31)을 1 개의 세정 유닛으로 치환할 수 있으므로, 템플릿 처리 장치(1)를 소형화할 수 있다.
이상의 실시예의 각 처리 유닛(30 ~ 33, 110)에서는 각각 가스 노즐(70)로부터의 가스에 의해 템플릿(T)의 표면을 건조시켜 각 처리 유닛(30 ~ 33, 110)의 처리액이 후속 처리에 영향을 주지 않도록 하고 있었으나, 별도 세정조를 설치해도 좋다. 이 세정조에는, 예를 들면 순수가 저장된다. 이러한 경우, 각 처리 유닛(30 ~ 33, 110)에서 처리 후의 복수의 템플릿(T)을 순수로 세정할 수 있으므로, 각 처리 유닛(30 ~ 33, 110)의 처리액이 후속 처리에 영향을 주는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
이상의 실시예의 템플릿 처리 장치(1)에서, 처리 스테이션(3) 내에 반송 유닛(34)의 반송 암(50)을 세정하는 세정조를 추가로 설치해도 좋다. 이에 따라, 반송 암(50)에, 예를 들면 이형제 또는 알코올 등의 처리액이 부착되어도 후속 처리에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다.
이상의 실시예의 각 처리 유닛(30 ~ 33, 110)에는 복수의 템플릿(T)을 보지하며 승강 가능한 보지 기구가 추가로 설치되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 각 처리 유닛(30 ~ 33, 110)에서는 반송 암(50)으로부터 보지 기구로 복수의 템플릿(T)이 전달된다. 그리고, 보지 기구에 보지된 복수의 템플릿(T)에 대하여 소정의 처리가 행해진다. 이에 따라, 하나의 처리 유닛에서 복수의 템플릿(T)을 처리하는 중에 반송 암(50)에 의해 다른 처리 유닛으로 다른 복수의 템플릿(T)을 반송할 수 있다. 따라서, 템플릿 처리의 스루풋을 더 향상시킬 수 있다.
이상의 실시예의 템플릿 처리 장치(1)에는 1 개의 반송 유닛(34)이 설치되어 있었으나, 2 개 이상의 반송 유닛(34)을 설치해도 좋다. 이에 따라 템플릿(T)의 반송 효율이 향상되어, 템플릿 처리의 스루풋을 더 향상시킬 수 있다.
이상, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 적합한 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 특허 청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에서 각종 변경예 또는 수정예를 도출해낼 수 있다는 것은 자명하며, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 본 발명은 이 예에 한정되지 않으며 다양한 태양을 취할 수 있는 것이다.
본 발명은 표면에 전사 패턴이 형성된 템플릿 상에 이형제를 성막할 때에 유용하고, 또한 당해 이형제가 성막된 템플릿을 이용하여 기판 상에 소정의 패턴을 형성할 때에 유용하다.

Claims (24)

  1. 표면에 전사(轉寫) 패턴이 형성된 템플릿(template) 상에 이형제(離型劑)를 성막하는 템플릿 처리 방법으로서,
    상기 템플릿의 표면에 이형제를 도포하는 이형제 처리 공정과,
    그 후, 상기 템플릿 상의 이형제에 알코올을 도포하여 상기 템플릿의 표면과 상기 이형제와의 밀착성을 향상시키는 알코올 처리 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 알코올 처리 공정에서, 상기 알코올에 의해 상기 템플릿의 표면과 상기 이형제와의 밀착성을 향상시킨 후, 상기 알코올에 의해 상기 템플릿 상의 이형제의 미반응부를 제거하는 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    적어도 상기 알코올 처리 공정 중 또는 상기 알코올 처리 공정 후에 상기 템플릿 상의 이형제에 광을 조사하여 상기 템플릿의 표면과 상기 이형제와의 밀착성을 더욱 향상시키는 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 광의 파장은 350 nm ~ 2500 nm인 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 알코올 처리 공정 후에, 린스액에 의해 상기 템플릿 상의 이형제의 미반응부를 제거하는 린스 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 이형제 처리 공정 전에, 상기 템플릿의 표면을 세정하는 세정 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 방법.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 템플릿 처리 방법을 템플릿 처리 장치에 의해 실행시키기 위한 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체.
  8. 표면에 전사 패턴이 형성된 템플릿 상에 이형제를 성막하는 템플릿 처리 장치로서,
    상기 템플릿을 보지(保持)하여 회전시키는 회전 보지 부재와,
    상기 템플릿의 표면으로 이형제를 공급하는 이형제 노즐과,
    상기 템플릿 상의 이형제로 알코올을 공급하는 알코올 노즐을 구비한 도포 유닛을 가지는 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 도포 유닛은, 상기 템플릿 상의 이형제에 광을 조사하는 광 조사부를 구비한 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 도포 유닛은, 350 nm ~ 2500 nm의 파장을 가지는 상기 광만을 투과시키는 광 필터를 구비한 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 장치.
  11. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도포 유닛은, 상기 템플릿 상의 이형제로 린스액을 공급하는 린스액 노즐을 더 구비한 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 장치.
  12. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도포 유닛은, 상기 템플릿의 표면에 도포된 상기 이형제의 미반응부를 린스액에 의해 제거하는 린스 유닛을 더 가지는 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 장치.
  13. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도포 유닛은, 상기 이형제가 도포되기 전의 템플릿의 표면을 세정하는 세정 유닛을 더 가지는 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 장치.
  14. 청구항 8 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 기재된 템플릿 처리 장치를 구비한 임프린트 시스템으로서,
    상기 템플릿 처리 장치에서 표면에 이형제가 성막된 상기 템플릿을 이용하여 상기 전사(轉寫) 패턴을 기판 상에 형성되는 도포막에 전사하여 상기 도포막에 패턴을 형성하는 임프린트 유닛을 가지는 것을 특징으로 하는 임프린트 시스템.
  15. 전사(轉寫) 패턴이 형성된 템플릿(template) 상에 이형제(離型劑)를 성막하는 템플릿 처리 방법으로서,
    이형제조(離型劑槽) 내에 저장된 이형제 중에 복수의 템플릿을 침지시켜 상기 템플릿의 표면에 이형제를 부착시키는 이형제 처리 공정과,
    그 후, 알코올조 내에 저장된 액체 상태의 알코올 중에 상기 복수의 템플릿을 침지시키거나, 또는 기체 상태 혹은 미스트 상태의 알코올 중에 상기 복수의 템플릿을 노출시켜 상기 템플릿의 표면과 상기 이형제와의 밀착성을 향상시키는 알코올 처리 공정
    을 가지는 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 알코올 처리 공정에서, 상기 액체 상태의 알코올, 기체 상태의 알코올 또는 미스트 상태의 알코올에 의해 상기 템플릿의 표면과 상기 이형제와의 밀착성을 향상시킨 후, 상기 액체 상태의 알코올, 기체 상태의 알코올 또는 미스트 상태의 알코올에 의해 상기 템플릿 상의 이형제의 미반응부를 제거하는 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 방법.
  17. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    상기 이형제 처리 공정에서, 상기 복수의 템플릿을 상기 이형제조 내의 이형제 중에 침지시킨 후, 상기 복수의 템플릿에 가스를 분사하여 상기 템플릿 상의 이형제를 건조시키고,
    상기 알코올 처리 공정에서, 상기 복수의 템플릿을 상기 알코올조 내의 액체 상태의 알코올 중에 침지시킨 후, 상기 복수의 템플릿에 가스를 분사하여 상기 템플릿 상의 액체 상태의 알코올을 제거하는 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 방법.
  18. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    상기 알코올 처리 공정 후에, 린스액조에 저장된 린스액 중에 상기 복수의 템플릿을 침지시켜 상기 템플릿 상의 이형제의 미반응부를 제거하는 린스 공정을 더 가지는 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 방법.
  19. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    상기 이형제 처리 공정 전에, 세정액조에 저장된 세정액 중에 상기 복수의 템플릿을 침지시켜 상기 템플릿의 표면을 세정하는 세정 공정을 더 가지는 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 방법.
  20. 청구항 15 또는 청구항 16에 기재된 템플릿 처리 방법을 템플릿 처리 장치에 의해 실행시키기 위한 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체.
  21. 전사(轉寫) 패턴이 형성된 템플릿(template) 상에 이형제(離型劑)를 성막하는 템플릿 처리 장치로서,
    복수의 템플릿을 보지(保持)하여 반송하는 반송 암과,
    이형제를 저장하며 상기 복수의 템플릿을 상기 이형제 중에 침지시켜 상기 템플릿의 표면에 이형제를 부착시키는 이형제조(離型劑槽)와,
    상기 이형제조의 하류측에 설치되어 액체 상태의 알코올을 저장하며 상기 복수의 템플릿을 상기 액체 상태의 알코올 중에 침지시켜 상기 템플릿의 표면과 상기 이형제와의 밀착성을 향상시키는 알코올조, 또는 상기 이형제조의 하류측에 설치되어 기체 상태 혹은 미스트 상태의 알코올을 공급하여 상기 복수의 템플릿을 상기 기체 상태 혹은 미스트 상태의 알코올 중에 노출시켜 상기 템플릿의 표면과 상기 이형제와의 밀착성을 향상시키는 알코올 공급부를 구비한 알코올 처리 유닛을 가지는 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 이형제조의 상방에는 상기 복수의 템플릿에 가스를 분사하는 가스 노즐이 설치되고,
    상기 알코올조의 상방에는 상기 복수의 템플릿에 가스를 분사하는 가스 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 장치.
  23. 제 21 항 또는 제 22 항에 있어서,
    상기 알코올 처리 유닛의 하류측에 설치되어 린스액을 저장하며 상기 복수의 템플릿을 상기 린스액 중에 침지시켜 상기 템플릿 상의 이형제의 미반응부를 제거하는 린스액조를 더 가지는 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 장치.
  24. 제 21 항 또는 제 22 항에 있어서,
    상기 이형제조의 상류측에 설치되어 세정액을 저장하며 상기 복수의 템플릿을 상기 세정액 중에 침지시켜 상기 템플릿의 표면을 세정하는 세정액조를 더 가지는 것을 특징으로 하는 템플릿 처리 장치.
KR1020100111944A 2009-11-19 2010-11-11 템플릿 처리 방법, 프로그램, 컴퓨터 기억 매체, 템플릿 처리 장치 및 임프린트 시스템 KR20110055404A (ko)

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