CN104334287A - 用于将保护覆层施加至电子装置组件的设备、系统以及方法 - Google Patents

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CN104334287A CN201380026777.9A CN201380026777A CN104334287A CN 104334287 A CN104334287 A CN 104334287A CN 201380026777 A CN201380026777 A CN 201380026777A CN 104334287 A CN104334287 A CN 104334287A
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Abstract

一种涂覆设备，所述涂覆设备可被构造成同时接收大量的电子装置组件并对所述大量的电子装置组件进行防水处理。所述涂覆设备可包括轨道，用于将所述电子装置组件运送至施加站中。所述施加站可具有立方体形状，并且包括入口门以及相对的出口门。所述入口门和出口门可使得能够将多个衬底引入施加站中，以及将所述多个衬底从施加站中移除。另外，所述入口门和出口门可使得能够将施加站与外部环境隔离，并因此对抗湿材料施加至所述多个衬底时的条件提供控制。还公开了用于使电子装置和其它衬底抗湿的方法。

Description

用于将保护覆层施加至电子装置组件的设备、系统以及方法
优先权声明
要求于2012年3月23日提交的题目为“APPARATUSES FORWATERPROOFING ELECTRONIC DEVICE ASSEMBLIES ANDMETHODS(用于使电子装置组件防水的设备以及方法)”的美国临时专利申请第61/615,172号(“’172临时申请”)的、根据35 U.S.C.§119(e)的优先权。所述’172临时申请被全文通过引用并入本文中。
技术领域
本发明总体涉及用于形成保护覆层的设备，更特别地，涉及被构造成沿装配线放置的涂覆设备。本发明还涉及这样的涂覆设备，该涂覆设备被构造成在整个电子装置被装配之前将保护覆层(例如，抗湿覆层，等等)施加至电子装置的子组件及构件并且被构造成布置于电子装置装配系统中，以及涉及用于保护电子装置的系统和方法(例如，使电子装置抗湿，等等)。
发明内容
公开了用于保护电子装置以及其它衬底的设备、系统以及方法，包括用于使电子装置以及其它衬底抗湿的设备、系统以及方法的各个实施例。
当在本文中使用时，术语“保护覆层”包括抗湿覆层或膜，以及保护电子组件的各个部件免受外部影响的其它覆层或膜。术语“抗湿”指的是覆层防止所涂覆的元件或特征部暴露至湿气的能力。抗湿覆层可抵抗一个或多个类型的湿气的润湿或穿透，或者它使得一个或多个类型的湿气不能渗透或基本不能渗透。抗湿覆层可排斥一个或多个类型的湿气。在某些实施例中，抗湿覆层可为不能渗透或基本不能渗透或排斥水、水溶液(例如，盐溶液、酸溶液、碱溶液、饮料、等等)或者水蒸气或其它水溶性材料的蒸气(例如，潮气、雾、霭、等等)、湿度等等)。使用术语“抗湿”修饰术语“覆层”不应当被认为是限制这样的材料的范围，覆层保护电子装置的一个或多个构件免受该材料的影响。术语“抗湿”还可指覆层的这样的能力，该能力限制有机液体或蒸气(例如，有机溶剂，呈液态或气态的形式的其它有机材料，等等)以及可能对电子装置或它的构件构成威胁的各种其它物质或条件的渗透或者排斥所述有机液体或蒸气以及可能对电子装置或它的构件构成威胁的各种其它物质或条件。公开了与掩膜在保护覆层的施加中的使用有关的各个方面。
在一个方面中，已经被构造成将保护覆层作为电子装置组件的部分施加至电子装置的设备(其在本文中可被称作“涂覆设备”)被构造成同时接收大量的电子装置组件或子组件(例如，部分地装配的电子装置，等等)并将保护覆层施加至所述大量的电子装置组件或子组件，或者被构造成所谓的“高吞吐量(high throughput)”设备。在某些实施例中，可将涂覆设备构造成同时接收成百上千(例如，多达大致一千(1,000)，等等)个或者甚至成千上万个电子装置组件并将保护覆层施加至所述电子装置组件。
涂覆设备可被构造成布置于装配线中。在某些实施例中，涂覆设备的构造可使它能够在装配线中占据一定地方而不会向与装配线的每一侧相邻的通道侵入显著的距离或者以其它方式堵塞所述通道。在某些特定实施例中，涂覆设备可具有不多于大致两米或三米的宽度。
涂覆设备的宽度可至少部分地由涂覆设备的框架限定。除了别的之外，涂覆设备的框架可承载轨道。所述轨道可被构造成承载支架，所述支架转而可被构造成承载多个衬底(例如，电子装置组件，等等)。在某些实施例中，支架可包括多个搁板，所述多个搁板中的每一个可被构造成保持多个衬底。所述轨道可被构造成沿涂覆设备的长度运送支架，并因此运送所述衬底。特别地，所述轨道可被构造成将支架运送至施加站中以及将支架从施加站中运送出，在施加站中电子组件被至少部分地覆盖以保护覆层。在某些实施例中，施加站可包括沉积室，并且为了简单起见，此后可被称作沉积室。
施加站可包括至少一个门，所述至少一个门提供至所述沉积室的通道。施加站可被构造成使得能够将每个门关闭，以使得将沉积室与施加站的外部的环境密封开来。在某些实施例中，施加站可包括在沉积室的一侧上的入口门，轨道可通过所述入口门将支架运送至沉积室中。在沉积室的另一侧(例如，相对侧，等等)上，施加站可包括出口门，支架可通过所述出口门沿轨道离开沉积室。在某些实施例中，施加站可被构造成使存在于沉积室内的支架旋转。
除了施加站和它的沉积室之外，涂覆设备可包括预处理站，所述预处理站可被构造成为保护覆层的施加准备衬底。在一特定实施例中，预处理站可包括除气室。除气室可被构造成在由保护材料所构成的覆层被施加至衬底之前将挥发性化合物从所述衬底去除。在其中涂覆设备还包括轨道的实施例中，所述轨道可将支架连同支架上的电子装置组件运送至预处理站(例如，除气室，等等)中以及运送通过所述预处理站。在某些实施例中，预处理站可包括一个或多个门，所述一个或多个门可被构造成将预处理站的内部与预处理站的外部的环境密封开来。在这种类型的其它实施例中，预处理站可没有门，这可减少清洁、维护和/或修理的需要。
可选而非必要地，涂覆设备可包括一个或多个泵和/或阀，以对涂覆设备的一个或多个其它构件(例如，施加站、预处理站、等等)中的压力提供控制。
当然，涂覆设备还包括由一个或多个构件所构成的供应系统，所述一个或多个构件将保护材料(例如，抗湿材料，等等)供应至沉积室。尽管涂覆设备的宽度使它能够被布置于装配线中，但是可将所述供应系统设置和/或定向成使得使涂覆设备的总宽度最小化。例如，但并非为限制本发明，所述供应系统可设置于比预处理站(若有的话)以及施加站高的高度处，或者甚至设置于预处理站(若有的话)以及施加站上方。当然，供应系统可位于涂覆设备上的任何地方。
在供应系统的一个特定实施例(无论如何都不应当将其认为是对本发明的范围或者所附权利要求中的任一项的范围的限制)中，保护材料包括聚合物(例如，聚对亚苯基二亚甲基(poly(p-xylylene)、或聚对二甲苯、等等)。在某些实施例中，可通过将前体材料(例如，[2.2]对环芳烷或者其类似物，其在现有技术中还被称作“聚对二甲苯二聚物”(parylene dimer)，等等)引入气化室中而将这样的材料供应至沉积室。一旦前体材料已经被气化，它就可流入热解室中，在热解室中可由前体材料形成反应物(例如，对亚苯基二亚甲基(p-xylylene)、等等的单体，等等)。热解室转而可将所述反应物传递至沉积室。
在其中可控制涂覆设备10的一个或多个构件中的压力的实施例中和/或在其中施加站20内的压力被控制(例如，保持恒定，保持于环境压力(例如，大气压力，等等)以下的压力条件下，保持于真空条件下，等等)的实施例中，供应系统可包括阀系统。在某些实施例中，阀系统可控制通过供应系统的材料的流动。在其中供应系统包括气化室和热解室的实施例中，阀系统可包括在气化室和热解室之间的第一截止阀，以及在热解室和沉积室之间的第二截止阀。可将所述截止阀控制成使得在气化室和沉积室中的一个或两个的运行被暂时地中断时可恒定地保持热解室内的条件(例如，温度、压力、等等)。例如，当进入气化室(例如，以将另外的前体材料引入气化室中，等等)时，关闭第一截止阀可保持热解室内的条件。作为另一示例，当沉积室被敞开以使电子装置组件能够被引入其中或者使电子装置组件能够从其中被移除时，关闭第二截止阀可保持热解室内的条件。
除了截止阀之外，涂覆设备的阀系统可包括一个或多个控制阀。控制阀可设置于热解室和沉积室之间。替代地，或替代地，流动控制阀可设置于气化室和热解室之间。一个或多个流动控制阀可控制材料流动通过涂覆设备的一个或多个速度。例如，一个或多个控制阀可提供对前体材料气化的速度、气化的前体材料从气化室流入热解室中的速度、以及反应物从热解室流入沉积室中的速度的控制。
尽管本发明强调了涂覆设备的、被构造成将抗湿保护覆层同时地沉积至多个衬底(其包括电子装置组件)上的实施例，但是本发明的各种教义还适用于采用不同的技术的、施加其它类型的保护覆层的和/或被构造成用于与各种其它类型的衬底结合使用的涂覆设备。
还公开了用于使电子装置组件抗湿的方法。
通过考虑接着发生的描述、附图、以及所附权利要求，对于本发明所属领域的普通技术人员而言，本发明的发明主题的其它方面以及所述主题的各个方面的特征和优点将变得显而易见。
附图说明
在附图中：
图1和2为涂覆设备的一个实施例的示意图。
具体实施方式
图1和2示出涂覆设备10的一个实施例。涂覆设备10被构造成将保护覆层施加至衬底50上。在各个实施例中，涂覆设备10可包括所谓的“高吞吐量”设备，其中每一衬底的涂覆时间可为大约几秒钟(例如，三十秒钟或更少、二十秒钟或更少、十秒钟或更少、等等)。涂覆设备10可被构造成同时将防水覆层施加至多个衬底50。在某些实施例中，可对成百上千个衬底50(例如，多达大致一千(1,000)个衬底、成千上万个衬底、等等)同时进行涂覆。很多因素可确定可被同时涂覆的衬底的数量，除其它因素之外，所述很多因素包括但不限于：所述多个衬底的尺寸，将覆层施加至衬底的技术以及发生涂覆的位置的体积。在这样的实施例中，每一衬底的涂覆时间可指完成一个周期所需的持续时间与在该周期期间被涂覆的衬底的数量的商。
并非为限制所公开的主题的范围，涂覆设备10可被构造成在电子装置构件的装配期间在电子装置构件上形成防水覆层。该类型的衬底50在本文中还可称作电子装置组件。
在某些实施例中，涂覆设备10可包括框架11，用于承载涂覆设备的其它构件。涂覆设备10(包括它的框架11)可被构造成布置于装配线100中。在某些实施例中，涂覆设备10可被构造成安装至装配线中而不会向装配线100的任一侧上的通道102中突出显著的距离。这样的实施例可被构造成布置于装配线100中而不会堵塞或以其它方式阻碍沿与装配线100相邻的通道102中的一个或两个所进行的运动。如在下文中将变得更加显而易见的，涂覆设备10的各个构件的设置和取向可赋予涂覆设备10被容易地布置于装配线100中的能力。
涂覆设备10可包括轨道12，用于沿涂覆设备10运送一个或多个衬底50或者将一个或多个衬底50运送通过涂覆设备10。更特别地，轨道12可被构造成运送互补地构造的支架14，该支架14转而被构造成将一个或多个衬底50运载通过涂覆设备10。在所示实施例中，轨道12沿涂覆设备10的框架11的长度定向。轨道12可为连续的，或者它可包括很多分离的段。在图1和2所示的实施例中，轨道12可被构造成使得它可同时承载多个支架14，所述多个支架14可位于涂覆设备10的不同的元件、或不同的站处。轨道12的高度可从输入位置向输出位置逐步地且轻微地减小，轨道12在所述输入位置处接收支架14，从所述输出位置将支架14从涂覆设备10中移除。高度的这样的逐步减小可使重力作用能够促进每个支架14沿轨道12的所有部分或所选择的部分的运动，并因此促进每个支架14通过涂覆设备10的运动。
单独的运送车13可将支架14运载至轨道12。为了使支架14能够从运送车13运动至轨道12，可将轨道12定位成(例如，定位于一定位置处，定位于一定高度处，等等)使得能够使运送车13处于与轨道12相邻的位置中以及设置成从运送车13容易地接收支架14。当按组合使用时，运送车13、轨道12以及支架14可使衬底50能够运动通过整个装配设施，从而使涂覆设备10能够作为装配线100的一部分被使用或者与装配线100分离地使用。
涂覆设备10的某些实施例可包括预处理站16。预处理站16可被构造成为进一步的加工准备每个衬底50以及，可选而非必要地，支架14。预处理站16的尺寸可对应于涂覆设备10的所期望的吞吐量(例如，预处理站16可包括具有大致1m3的体积的室，等等)。并非为限制本发明，所述预处理站可包括除气室，所述除气室可被构造成在保护覆层被施加至衬底50之前促进任何挥发性成分或可能存在于所述衬底50上的其它潜在的污染物(例如，来自电子装置组件的焊剂，等等)的释放以及捕获所述任何挥发性成分或其它潜在的污染物。在其中涂覆设备10还包括轨道12的实施例中，轨道12可穿过预处理站16的内部并且预处理站16的内部可被构造成接收支架14。在某些实施例中，预处理站16可被构造成在它的内部保持暴露至其中设置有涂覆设备10的环境的同时运行。换种方式说，预处理站16可没有门。
在任何预处理之后，可将衬底50从预处理站16直接运送至涂覆设备10的施加站20。替代地，在将衬底50从预处理站16(例如，除气室，等等)中移除与将衬底50引入施加站20中之间，可暂时地(例如，两个小时或更少，一个小时或更少，三十(30)分钟或更少，等等)保持衬底50。
无论涂覆设备是否包括预处理站16，一旦每个衬底50准备好被进行防水处理，就可将它引入涂覆设备10的施加站20中。在其中涂覆设备10包括轨道12的实施例中，施加站20可沿轨道12设置，或者轨道12可被构造成将支架14运送至施加站20中以及将支架14从施加站20中运送出。
施加站20的构造可对应于将覆层施加至每个衬底50的一个或多个过程。在某些实施例中，例如，其中要被施加至一个或多个衬底50的保护覆层包括聚合物(例如，聚对亚苯基二亚甲基、或聚对二甲苯；可按与聚对二甲苯类似的方式形成的另外的材料；沉积的(例如，通过化学气相沉积(CVD)过程，原子层沉积(ALD)过程，等等)任何材料；等等)，施加站20可包括沉积室。施加站的、接收一个或多个衬底50以进行涂覆的部分可被构造成(例如，具有一定的体积，等等)提供所期望的吞吐量(例如，具有大致1m3的体积的聚对二甲苯沉积室可接收支架14，所述支架14承载用于几百(例如，五百，七百，九百，一千，等等)个智能电话的电子装置组件；等等，其中被引入施加站20中的支架14、衬底50以及任何其它成分占据施加站20内的20％、25％、50％或更多的体积)。
在将保护覆层施加至一个或多个衬底50时，可将每个衬底50与施加站20的外部的环境或涂覆设备10的外部的环境隔离(例如，以防止每个衬底50的表面的污染；以防止覆层的污染；以在比如CVD过程、ALD过程等等中提供真空；等等)。在施加站20的一侧处的入口门22可提供至它的内部(例如，在施加站20的内部内的沉积室，等等)的通道。在某些实施例(比如所示实施例)中，施加站还可在施加站20的相对侧处包括出口门24，该出口门24可有助于将一个或多个衬底50从施加站20的内部内移除。当施加站20的每个门22、24覆盖施加站20中与其相对应的开口而置于关闭位置中时，施加站20的每个门22、24可(可选而非必要地，与施加站20的一个或多个其它密封特征部一同)被构造成抵靠着施加站20的相邻部分而密封并且，因此，被构造成将施加站20的内部与施加站20的外部的环境密封开来。在某些实施例中，施加站20以及它的内部可被形成为(或者基本形成为)矩形棱柱，以及当任何门(一个或两个)22、24覆盖施加站20中与其对应的开口而处于关闭位置中时，任何门(一个或两个)22、24可为基本平坦的或平面的。
施加站20可在它的内部内包括可旋转的滚筒25。可旋转的滚筒25可被构造成在衬底50和/或支架14存留于施加站20的内部内时(例如，在保护覆层被沉积至每个衬底50上或以其它方式施加至每个衬底50时，等等)使衬底50或承载有一个或多个衬底50的支架14旋转。可旋转的滚筒25可提高保护覆层在每个衬底50上的形成均匀性。
暴露至施加站20的内部的特征部(比如，施加站20的以及它的一个或两个门22、24的内表面；以及轨道12、支架14以及可旋转的滚筒25(若存在)的表面)可基本没有可能致使保护材料在它被沉积时聚集的凹痕以及其它特征部，所述凹痕和其它特征部可能使保护材料的移除复杂化。在某些实施例中，此类特征部的表面可为基本光滑的(例如，抛光的、玻璃状的、等等)，这可有助于将保护材料从其移除(例如，通过简单的剥离，等等)。
在其中涂覆设备10包括预处理站16和施加站20的实施例中，施加站20可与预处理站16相间隔。在其中施加站20的入口门22面对预处理站16的出口、与预处理站16的出口相对的实施例中，这样的相间隔的布置可提供至入口门22的可进入性——若期望或需要这样的通道的话(例如，用于在维护期间进行清洁，用于维修，等等)。
当一个或多个衬底50处于施加站20中时，并且如果适当的话(例如，在其中施加站20包括沉积室的至少某些实施例中，等等)，可关闭施加站20的每个门22、24。接着可将保护材料从供应系统30引导至施加站20中。供应系统30在某些实施例中可位于高于支架14、预处理站16(若有的话)、和/或施加站20的高度处或者甚至至少部分地位于支架14、预处理站16(若有的话)、和/或施加站20上方。这样的布置可使涂覆设备10的宽度最小化。当然，供应系统30以及它的构件可位于涂覆设备10上的任何地方。
在其中抗湿材料被沉积和/或聚合(例如，其中抗湿材料包括聚对亚苯基二亚甲基，等等)的实施例中，供应系统30可包括气化室31和热解室32。另外，供应系统30可包括阀系统33。真空源26(例如，真空泵，等等)可与施加站20相关联，以朝向一个或多个衬底50抽吸反应物或者以其它方式帮助调节材料流动、沉积作用和/或聚合作用。
如在现有技术中已知的，气化室31可被构造成使前体材料气化。在某些实施例中，一个或多个真空源31v(例如，真空泵，等等)可与气化室31相关联并且可专门用于与气化室31一同使用。真空源31v可用来调节气化室31内的一个或多个位置处的压力；例如，以在气化室31被封闭时防止气化室31内的压力超过安全界限。真空源31v还可用来控制气化室31下游(例如，在热解室32中，在施加站20中，等等)的压力。在某些实施例中，气化室31可包括比如阀的隔离特征部31i，该隔离特征部31i使得能够将前体材料引入气化室31的一个部分(例如，容器31r，等等)中同时保持气化室31的剩余部分(例如，大部分，等等)中的压力和/或温度。
气化室31可被构造成使得可将气化室31的不同的部分加热至不同的温度。作为示例，气化室31的容器31r(其可有助于将一种或多种前体材料引入供应系统30中)可被构造成被加热至气化温度。在某些实施例中，气化室31的容器31r可被构造成被选择性地冷却(例如，以选择性地使一种或多种前体材料的气化减速或停止，等等)。温度控制元件31tr(比如，加热元件、冷却元件、或其组合)可被构造成选择性地加热和/或冷却气化室31的容器31r。可将气化室31的一个或多个壁31w、或者一个或多个内表面加热至与容器31r不同的温度(例如，更高的温度，等等，所述更高的温度可防止气化室31内的材料聚集于气化室31的内表面上)。相应地，另外的温度控制元件31tw。
可选而非必要地，气化室31可具有这样的构造，该构造致使一种或多种前体材料气化，以为热解作准备。作为特定的、但并非限制性的示例，气化室31可包括一个或多个隔板，所述一个或多个隔板可使一种或多种前体材料均匀地分布，并且因此使所述一种或多种前体材料能够以恒定的速度被引入热解室32中。
热解室32可与气化室31相关联，以使得使气化的一种或多种前体材料能够从气化室31流动至热解室32中。热解室32可被构造成将气化的一种或多种前体材料转化成反应物，所述反应物最终可被沉积至衬底50上并且聚合以在衬底50上形成保护覆层。
阀系统33可包括在气化室31和热解室32之间的第一停止阀34。第二停止阀35可设置于热解室32和施加站20之间。阀系统33还可包括一个或多个控制阀36、37，或“节流阀(throttling valves)”，其可用来控制材料流入供应系统30的一个或多个元件中的速度、流动通过供应系统30的一个或多个元件的速度、或者从供应系统30的一个或多个元件中流出的速度。在所示实施例中，第一控制阀36位于热解室32和施加站20之间。另外，或甚至替代地，第二控制阀37可在气化室31和热解室32之间位于更远的上游。由于停止阀34和控制阀36的位置与停止阀35和控制阀37的位置类似，在每个一般位置处的单一的阀可被构造成既提供停止功能又提供控制功能。
在使用中，可将一种或多种前体材料引入气化室31中。当所述一种或多种前体材料被引入时，气化室31内的温度可能下降并且它的压力可能变化。当气化室31暴露至涂覆设备10的外部的环境时，通过关闭第一停止阀34可避免热解室的条件的类似的改变。一旦气化室31被封闭，或者在气化室31内的条件(例如，温度、压力、等等)已经返回至操作上可接受的水平之后，可重新打开第一停止阀34。
在操作期间，气化室31内的条件使所述一种或多种前体材料气化。气化的一种或多种前体材料流入热解室32中，在热解室32中的条件可使所述气化的一种或多种前体材料转化成反应物。在其中要沉积由聚对亚苯基二亚甲基所构成的防水覆层的实施例中，反应物可包括对亚苯基二亚甲基物。
当施加站20的每个门22、24被关闭时，反应物可流入或者被抽吸至施加站20中。在将施加站20的至少一个门22、24打开之前，可将第二停止阀35关闭，以使得能够调节施加站20内的压力(例如，从环境压力以下的压力调节至环境压力，从大气压力以下的压力调节至环境压力或大气压力、或者调节至环境压力以上，等等)，这可防止在门22、24被打开时将污染物引入每个衬底50上。在施加站20的至少一个门22、24被打开时将第二停止阀35关闭还可将热解室32与外部变量隔离并因此使得能够保持热解室32内的条件(例如，温度、压力、等等)，并且可防止热解室内的反应物在它们离开热解室之前反应。根据涂覆设备10所执行的行为的同步(例如，当前体材料被引入气化室31中时，与此同时，在施加站20被敞开时改变施加站20中的压力，或者与此同时，将衬底50引入施加站20中或者从施加站20中移除，等等)，可以同时将第一停止阀34和第二停止阀35关闭，从而将热解室32与外部条件完全隔离。
一旦已经将一个衬底50或者一组衬底50引入施加站20中，就可将每个门22、24关闭并且，当第二截止阀35保持关闭时，可降低施加站20内的压力(例如，通过真空源26，等等)。一旦施加站20内的压力与热解室32内的压力相同或者处于热解室32内压力的可接受的水平内，可将第二停止阀35打开，反应物(亦即，热解的材料)可被允许流入施加站20中，以沉积至一个或多个衬底50上并聚合(例如，在被沉积于一个或多个衬底50上之前聚合于一个或多个衬底50上，等等)。
可用一个或多个控制阀36、37至少部分地控制供应系统30的各个构件内的压力以及材料流动通过供应系统30的速度以及从供应系统30中流出的速度。在热解室32和施加站20之间的控制阀36可控制反应物流入施加站20中的速度。可用气化室31和热解室32之间的控制阀37实现类似的控制。另外，控制阀37可使得能够独立于从热解室32至施加站20中的反应物的流动调节从气化室31至热解室32的气化的前体材料的流动。
最初，热解室32内的压力可处于或接近它的所期望的操作压力(亦即，阀34和35在先前的沉积周期结束时或者在先前的沉积周期结束之后可以被关闭)。通过将所有的阀34、35、36、37关闭，可将气化室31内的压力以及可选而非必要地热解室32内的压力减小(例如，可形成真空，等等)至基础压力。当然，为了在施加站20内(当其中的压力减小时一个或多个衬底50可能存在于其内)实现所期望的基础压力，可将施加站20的每个门22、24密封于它的关闭位置中。一旦已经获得基础压力，就可将一个或多个阀34、35、36、37(例如，在热解室32和施加站20之间的阀35，等等)打开，以使施加站20(例如，施加站20内的沉积室，等等)内的压力能够开始调节(例如，以斜坡方式变化，等等)至基础压力(例如，5.5mTorr(0.73Pa)，等等)。可将该过程称作对涂覆设备10的“抽气降压”。可间接地通过热解室32和/或气化室31、直接地通过与施加站20相关联的真空源26、或者通过所述间接方式和直接方式的组合减小施加站20内的压力。
虽然可用一个或多个真空源(例如，与气化室31和/或热解室32相关联的一个或多个真空源，与施加站20相关联的真空源26，等等)完成对涂覆设备10的最初的抽气降压，但是可通过打开所有的阀34、35、36、37以及控制气化室31内的一个或多个温度而完成对施加站20内的压力的随后的调节(例如，在将保护覆层施加至施加站20内的一个或多个衬底50的过程期间所进行的调节，等等)。气化室31内的温度的增加对应于施加站20内的压力的增加。
在用于将聚对亚苯基二亚甲基保护覆层沉积至一个或多个衬底上的过程的一个特定实施例期间，可将气化室31内的温度以及上面放置有一种或多种前体材料的任何表面的温度调节(例如，斜升，等等)至所期望的温度，所述所期望的温度可为气化温度上限(例如，大致170℃，等等)、在施加站20内提供所期望的压力(例如，大致9mTorr(大致1.2Pa)至大致20mTorr(大致2.67Pa)的压力，等等)的温度、气化室31的操作温度(例如，大致130℃至大致140℃，等等)。可将气化室31的壁的内表面加热至一定温度，所述温度比气化室内的温度或者一种或多种前体材料最初被加热至的温度高(例如，高大致10℃；为大致180℃，为大致140℃至大致150℃，等等)。在某些实施例中，包括其中在最初的压力抽气降压之后将所有的阀(例如，阀34、35、36、37，等等)打开的那些实施例，可调节气化室31内的温度以及气化室31的壁的内表面的温度，直至在涂覆设备10的各个构件各处实现所期望的压力和温度。使气化室31的一个或多个温度斜升的该过程可花费大致20分钟至大致30分钟。
在操作期间，可将热解室32的温度加热至足够使由热解室32从气化室31所接收的一种或多种材料生成反应物的温度。在其中前体材料包括一种或多种聚对亚苯基二亚甲基前体的实施例中，可将热解室加热至大致650℃至大致690℃的温度(例如，大致675℃，等等)。
可在压力抽气降压和温度斜升中的一者或两者之前，将一种或多种前体材料引入气化室31中。替代地，一旦气化室31已经被加热至所期望的操作温度，就可将一种或多种前体材料引入气化室31中。
在其中气化室31被加热至大致130℃至大致140℃的温度(其中壁的温度稍高)的实施例中，可将热解室32加热至大致650℃至大致690℃的温度(例如，大致675℃，等等)并且施加站20内的压力可为大致9mTorr(大致1.2Pa)至大致20mTorr(大致2.67Pa)。在这样的条件下，要花费大致八十(80)分钟来将具有大致五(5)微米的厚度的聚对亚苯基二亚甲基膜沉积至每个衬底50上。
除了前文所描述的之外，涂覆设备10可包括一个或多个处理元件110(例如，计算机，等等)，所述一个或多个处理元件110可使涂覆设备10的各个构件的操作和同步自动化并控制涂覆设备10的各个构件的操作和同步。作为非限制性示例，处理元件110可被编程为提供所谓的“反馈回路”；亦即，被编程为从一个或多个传感器接收数据，接着根据从所述传感器所接收的数据控制涂覆设备10的一个或多个构件的操作。作为另一示例，处理元件110可被编程为使得与设施控制系统或设施自动系统相连通，并因此使能够将涂覆设备10集成至更大的处理系统(例如，装配系统，等等)中。
尽管前面的描述包含很多细节，但是这些细节不应当被构造为限制本发明的范围或者所附权利要求中的任一项的范围，而仅仅被构造为提供与可能落入本发明和所附权利要求的范围内的某些特定实施例相关的信息。可按组合使用来自不同实施例的特征。另外，还可想到本发明的其它实施例，其在本发明以及所附权利要求的范围内。因此，本发明的范围由所附权利要求和它们的法定的等同形式表明并且仅受所附权利要求和它们的法定的等同形式的限制。权利要求将包含对本发明所进行的、如在本文中所公开的所有的添加、删除以及修改，所示所有的添加、删除以及修改落入权利要求的意义和范围内。

Claims (15)

1.一种用于将抗湿覆层施加至多个至少部分地装配的电子装置的设备，所述设备包括：
框架，所述框架的宽度被构造成沿装配线安装而不会堵塞与所述装配线的每一侧相邻的通道；
导轨，所述导轨由所述框架承载并且沿所述框架的长度延伸，所述导轨被构造成承载用于保持所述多个至少部分地装配的电子装置的支架；
预处理站，所述导轨延伸通过所述预处理站；以及
施加站，所述导轨延伸通过所述施加站，所述施加站包括入口门以及出口门，所述入口门面对所述预处理站，所述出口门在所述施加站的与所述入口门相对的一侧。
2.根据权利要求1所述的设备，进一步包括：
多个支架，所述多个支架被构造成被沿所述导轨运送。
3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，每个支架包括多个相间隔的层，所述多个相间隔的层中的每一层被构造成接收所述多个至少部分地装配的电子装置。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的设备，其特征在于，所述施加站包括旋转滚筒，所述旋转滚筒用于使托盘以及由所述托盘所承载的所述多个至少部分地装配的电子装置在抗湿覆层被沉积至所述多个至少部分地装配的电子装置上时旋转。
5.根据权利要求1或权利要求2所述的设备，进一步包括：
气化室；以及
热解室，所述热解室与所述气化室以及施加站选择性地连通。
6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述气化室和热解室被以高于所述预处理站和施加站的高度定位于所述导轨上方。
7.根据权利要求5所述的设备，进一步包括：
阀系统，所述阀系统与所述气化室、热解室以及施加站相关联。
8.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，所述阀系统包括：
在所述气化室和热解室之间的节流阀，用于至少部分地控制从所述气化室流向所述施加站的材料的流动。
9.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，所述阀系统被构造成：
使所述气化室和热解室中的至少一个能够在所述气化室的容器、施加站的入口门以及施加站的出口门中的至少一个敞开至所述设备的外部的环境时连续运行；
在所述气化室的容器、施加站的入口门以及施加站的出口门中的至少一个敞开至所述设备的外部的环境时保持所述热解室的温度；或者
在所述气化室的容器、施加站的入口门以及施加站的出口门中的至少一个敞开至所述设备的外部的环境时保持所述热解室的压力。
10.根据权利要求13所述的设备，进一步包括：
真空源，所述真空源与所述气化室相关联并且专门用于与所述气化室一同使用。
11.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述气化室的温度控制所述施加站内的压力。
12.根据权利要求5所述的设备，进一步包括：
与所述气化室的材料容器相关联的第一温度控制元件；以及
与所述气化室的内表面相关联的第二温度控制元件。
13.一种用于将材料沉积至至少部分地装配的电子装置上的方法，所述方法包括：
在所述热解室保持操作温度时，将根据权利要求7所述的沉积设备的气化室和热解室之间的第一截止阀关闭；
将前体材料引入所述气化室中；
在将所述前体材料引入气化室中后将气化室封闭；
对气化室进行抽气降压以平衡气化室和热解室之间的压力；
在气化室被封闭时将所述第一截止阀打开；
使气化室内的前体材料气化；
将所述沉积设备的热解室和施加站之间的第二截止阀打开；
将气化的前体材料抽吸至所述热解室中；
在所述热解室中将前体材料转化成热解的材料；
将所述热解的材料抽吸至所述施加站中；
将所述热解的材料或所述热解的材料的反应产物沉积至所述施加站内的多个衬底上并且使热解的材料能够在所述多个衬底上形成聚合物膜，所述多个衬底以及在所述多个衬底上的聚合物膜共同构成多个涂覆过的衬底；
在所述聚合物膜具有期望的厚度之后，将所述第一截止阀和第二截止阀关闭；
将所述多个涂覆过的衬底从施加站中移除；
将另外的多个衬底引入施加站中；
将施加站封闭；
使施加站内的真空平衡；以及
在施加站内的真空平衡之后，将第一截止阀和第二截止阀重新打开，以使得能够重复抽吸气化的前体材料、转化、抽吸热解的材料、以及沉积的步骤。
14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：
在将所述热解的材料或所述热解的材料的反应产物沉积至所述多个衬底上时对所述另外的多个衬底进行预处理。
15.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：
将所述另外的多个衬底从施加站中移除；以及
将所述涂覆材料从施加站的表面剥离。
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