KR20200042054A - 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법은, 증착 장치에 포함된 챔버의 내부 공간에 대상 기판을 제공하는 단계, 유기 물질 및 상기 유기 물질과 결합된 증착 물질을 포함하는 제1 물질을 상기 대상 기판에 증착하여 예비 증착층을 형성하는 단계, 상기 예비 증착층을 가열하여 상기 유기 물질을 제거하는 예비 분해 단계, 상기 예비 증착층에 유기 용제를 포함하는 제2 물질을 분사 하여 상기 예비 증착층에 잔존하는 상기 유기 물질을 제거하는 분해 단계, 및 상기 분해 단계를 거처 증착층을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법{DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는 공정 효율이 향상된 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치, 반도체 소자, 및 기타 전자 소자 등은 복수의 박막을 구비한다. 이러한 복수의 박막을 형성하는 방법 중 기상 증착 방법이 하나의 방법이다.
박막을 형성하는 기술 중에 화학 기상 증착 방법(Chemical Vapor Deposition: CVD)이 많이 사용되고 있다. 화학 기상 증착 방법은 화학 반응을 수반하는 증착 기술로, 전구체 물질의 화학 반응을 이용하여 증착 대상 기판 표면상에 절연막이나 전극 등을 형성한다.
이러한 증착 장치는 최근 표시 소자의 미세화와 고효율, 고출력 소자 개발 등으로 박막 형성 기술 중 매우 중요한 기술로 주목 받고 있다.
본 발명에 따르면, 공정 효율이 향상된 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 세정 효율이 증대된 증착 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치는, 소정의 내부 공간이 정의되고, 상기 내부 공간에 배치된 스테이지 및 상기 스테이지 상에 배치된 대상 기판을 포함하는 챔버, 상기 내부 공간에 제1 물질을 제공하는 제1 공급부, 상기 제1 공급부와 이격되어 배치되고, 상기 내부 공간에 제2 물질을 제공하는 제2 공급부, 상기 제1 공급부와 이격되어 상기 챔버와 연결되고, 상기 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함하는 제2 공급부, 상기 내부 공간 내에 배치되어 상기 제1 공급부 및 상기 제2 공급부와 연결되고, 상기 제1 물질 또는 상기 제2 물질을 상기 대상 기판으로 분사시키는 분사구를 포함하는 샤워 헤드를 포함하고, 상기 제1 물질은 유기 물질 및 증착 물질을 포함하고, 상기 제2 물질은 상기 제1 물질로부터 상기 유기 물질을 분리시키는 유기 용제(organic solvent)를 포함한다.
상기 제1 공급부와 상기 챔버를 연결하는 제1 공급 배관 및 상기 제2 공급부와 상기 챔버를 연결하는 제2 공급 배관을 포함하고, 상기 제1 물질은 상기 제1 공급 배관을 통해 상기 샤워 헤드에 제공되며, 상기 제2 물질은 상기 제2 공급 배관을 통해 상기 샤워 헤드에 제공되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 챔버와 연결된 진공 펌프를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 챔버의 내부 압력을 체크하는 압력 게이지 및 상기 압력 게이지와 연결된 압력 제어부를 포함하고, 상기 압력 제어부는 상기 진공 펌프와 연결된 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 공급부와 연결되고 상기 제1 물질이 저장된 전구체 공급부 및 상기 전구체 공급부와 연결되어 상기 전구체 공급부로 가스를 제공하는 가스 공급부를 포함하는 것을 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 전구체 공급부와 상기 가스 공급부 사이에 배치되어 상기 가스의 유량을 조절하는 유량 조절기를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법은, 증착 장치에 포함된 챔버의 내부 공간에 대상 기판을 제공하는 단계, 유기 물질 및 상기 유기 물질과 결합된 증착 물질을 포함하는 제1 물질을 상기 대상 기판에 증착하여 예비 증착층을 형성하는 단계, 상기 예비 증착층을 가열하여 상기 유기 물질을 제거하는 예비 분해 단계, 상기 예비 증착층에 유기 용제를 포함하는 제2 물질을 분사 하여 상기 예비 증착층에 잔존하는 상기 유기 물질을 제거하는 분해 단계, 및 상기 분해 단계를 거처 증착층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 예비 분해 단계 및 상기 분해 단계는 상기 챔버의 상기 내부 공간에서 진행되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 증착 장치는, 상기 제1 물질을 저장하는 제1 공급부 및 상기 제1 공급부와 상기 챔버를 연결하는 제1 공급 배관, 상기 제2 물질을 저장하는 제2 공급부 및 상기 제2 공급부와 상기 챔버를 연결하는 제2 공급 배관, 상기 제1 물질이 저장된 전구체 공급부, 상기 전구체 공급부와 연결되어 반응 가스를 제공하는 가스 공급부, 및 상기 전구체 공급부와 상기 가스 공급부를 상기 챔버에 연결하는 가스 배관, 상기 챔버의 내부 압력을 조절하는 진공 펌프 및 상기 진공 펌프와 상기 챔버를 연결하는 진공 배관, 상기 진공 펌프와 상기 가스 배관을 연결하는 세정 배관을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
표시 장치 제조 방법은, 상기 제1 물질을 상기 챔버 내로 운반하는 반응 가스를 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
표시 장치 제조 방법은, 유량 조절기를 통해 상기 반응 가스의 유량을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
표시 장치 제조 방법은, 상기 증착 장치를 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 증착 장치를 세정하는 단계는, 상기 제2 물질이 상기 제1 공급 배관, 상기 가스 배관, 상기 진공 배관, 및 상기 세정 배관을 순환하여 세정되는 것을 특징으로 할 수 있다.
표시 장치 제조 방법은, 상기 챔버의 내부 압력을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 챔버는, 상기 제1 공급 배관 및 상기 제2 공급 배관과 연결되고 상기 제1 물질 또는 상기 제2 물질을 상기 대상 기판으로 분사시키는 분사구를 포함하는 샤워 헤드, 및 상기 샤워 헤드와 마주하고 상기 대상 기판을 지지하는 스테이지를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 분해 단계의 상기 가열은, 상기 스테이지에서 발생된 열을 통해 이루어지는 것을 특징으로 할 수 있다.
표시 장치 제조 방법은, 벨브를 통해 상기 제1 공급 배관, 상기 제2 공급 배관, 상기 가스 배관, 상기 진공, 및 상기 세정 배관 각각의 개폐를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법은, 증착 장치에 포함된 챔버의 내부 공간에 대상 기판을 제공하는 단계, 제1 공급부를 통해 유기 물질 및 상기 유기 물질과 결합된 증착 물질을 포함하는 제1 물질을 상기 대상 기판에 증착하여 예비 증착층을 형성하는 단계, 제2 공급부를 통해 상기 예비 증착층에 유기 용제를 포함하는 제2 물질을 분사하여 상기 유기 물질을 제거하는 분해 단계, 상기 분해 단계를 거처 증착층을 형성하는 단계, 및 상기 챔버 및 상기 제1 공급부를 세정하는 단계를 포함하고, 상기 세정하는 단계는, 상기 제2 공급부로부터 제공된 제2 물질이 상기 챔버 및 상기 제1 공급부를 순환하여 세정된다.
표시 장치 제조 방법은, 상기 예비 증착층을 가열하여 상기 유기 물질을 제거하는 예비 분해 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 증착 장치는, 상기 제1 공급부와 상기 챔버를 연결하는 제1 공급 배관, 상기 제2 공급부와 상기 챔버를 연결하는 제2 공급 배관, 상기 제1 물질이 저장된 전구체 공급부, 상기 전구체 공급부와 연결되어 반응 가스를 제공하는 가스 공급부, 및 상기 전구체 공급부와 상기 가스 공급부를 상기 챔버에 연결하는 가스 배관, 상기 챔버의 내부 압력을 조절하는 진공 펌프 및 상기 진공 펌프와 상기 챔버를 연결하는 진공 배관, 상기 진공 펌프와 상기 가스 배관을 연결하는 세정 배관을 포함하고, 상기 증착 장치를 세정하는 단계는, 상기 제2 물질이 상기 제1 공급 배관, 상기 가스 배관, 상기 진공 배관, 및 상기 세정 배관을 순환하여 세정되는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 증착 장치에 따르면, 유기금속 전구체와 유기금속 전구체에 포함된 유기 물질을 분해하는 물질이 하나의 증착 장치 내에서 분사될 수 있다. 이에 따라, 유기금속 전구체에 포함된 유기 물질을 분해 시키기 위한 별도의 압력 조절 및 진공도 조절과정이 생략될 수 있으며, 이에 따라, 공정 비용 및 시간이 단축된 증착 장치를 제공할 수 있다.
또한, 유기금속 전구체에 포함된 유기 물질을 제거하는 물질을 증착 장치 내부로 순환시킴으로써, 증착 장치를 세정하는데 요구되는 시간을 단축시킬 수 있다. 공정 수율이 향상된 증착 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 블록도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도들이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도들이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의됩니다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 이하, 도 1 내지 도 5c를 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도1을 참조하면, 본 발명에 따른 증착 장치(DA)는 챔버(CV), 제1 공급부(SM1), 제2 공급부(SM2), 전구체 공급부(PM), 가스 공급부(GS), 유량 조절기(MC), 진공 펌프(VP), 압력 게이지(PG), 압력 제어부(PC), 각 구성들을 연결하는 배관들, 및 배관들을 계패하는 벨브들을 포함한다.
챔버(CV)는 스테이지(ST), 대상 기판(BS), 및 샤워 헤드(SH)를 포함한다. 챔버(CV)는 소정의 내부 공간이 정의된다. 챔버(CV)의 내부 공간은 대기 중으로부터 밀폐된 공간일 수 있다. 챔버(CV)는 대상 기판(BS)을 외부와 격리 시키며, 대상 기판(BS)에 박막을 형성하기 위한 증착 공정이 수행될 수 있는 내부 공간을 제공한다. 도시되지 않았으나, 챔버(CV)의 측면에는 대상 기판(BS)의 인입 및 인출을 위한 도어가 형성될 수 있다. 쳄버(CV)는 스테인레스스틸 재질 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
스테이지(ST)는 챔버(CV)의 내부 공간에 배치된다. 일 실시예에 따르면, 스테이지(ST)는 챔버(CV)의 하부에 배치되어 대상 기판(BS)을 지지한다. 스테이지(ST)는 대상 기판(BS)을 고정하는 고정 수단(미도시) 및 스테이지(ST)를 수직 이동 및 회전이 가능하도록 하는 수단(미도시)을 포함할 수 있다. 고정 수단(미도시)은 클램프, 압력 수단, 접착물질 등 다양한 종류일 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
대상 기판(BS)은 증착 공정에 의해 박막이 형성되는 층일 수 있다. 대상 기판(BS)은 표시 장치의 구성들이 배치되는 기저층으로 제공되거나, 표시 장치의 구성들이 형성된 층으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 대상 기판(BS)은 영상을 표시하는 화소의 일 구성인 트랜지스터가 형성된 상태로 제공될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다. 대상 기판(BS)에 형성된 박막에 관한 설명은 후술한다.
샤워 헤드(SH)는 유입부(SP1) 및 배출부(SP2)를 포함한다. 샤워 헤드(SH)는 챔버(CV)의 내부 공간에 배치된다. 일 실시예에 따르면, 샤워 헤드(SH)는 챔버(CV)의 상부에 배치될 수 있다. 샤워 헤드(SH)는 대상 기판(BS)과 마주하여 배치될 수 있다. 유입부(SP1)는 대상 기판(BS)으로 분사되는 가스 및 증착 물질이 유입될 수 있는 소정의 공간을 갖는다. 배출부(SP2)는 복수의 분사구들(NZ)을 포함한다. 분사구들(NZ)은 유입부(SP1)로부터 제공되는 가스 및 증착 물질을 대상 기판(BS)을 향하는 방향으로 분사한다.
전구체 공급부(PM)는 제1 물질(PR)을 저장할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 제1 물질(PR)은 증착 물질 및 유기 물질을 포함하는 전구체(precursor)로 정의될 수 있다. 일 실시예에 따른 증착 물질은 금속을 포함할 수 있다. 따라서, 제1 물질(PR)은 유기금속 전구체일 수 있다.
예를 들어, 증착 물질은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 탄탈륨(Ta), 니오븀(Nb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 루테튬(Lu), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 란타늄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 및 이터븀(Yb) 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.
가스 공급부(GS)는 증착 공정에 사용되는 반응 가스를 분사할 수 있다. 가스 공급부(GS)에서 제공된 반응 가스는 제1 물질(PR)과 결합하여 대상 기판(BS) 상에 박막을 형성하는데 필요한 환경을 조성할 수 있다. 가스 공급부(GS)에서 제공되는 반응 가스는 증착 공정의 시작 시점부터 종료 시점까지 지속되어 공급될 수 있다. 가스 공급부(GS)에서 공급되는 반응 가스의 종류는 한정되지 않으며, 대상 기판(BS) 상에 형성되는 박막의 종류에 따라 다양한 반응 가스를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 가스 배관(GSL)은 가스 공급부(GS), 전구체 공급부(PM), 및 제1 공급부(SM1)를 연결하는 배관일 수 있다. 가스 배관(GSL)은 제1 벨브(V1)을 포함한다. 제1 벨브(V1)는 가스 배관(GSL)의 계패를 조절하여 전구체 공급부(PM)에서 제1 공급부(SM1)로 제공되는 유입물 및 제1 공급부(SM1)에서 전구체 공급부(PM)로 제공되는 유입물의 흐름을 조절할 수 있다.
일 실시예에 따른 증착 장치(DA)는 유량 조절기(MC)를 포함할 수 있다. 유량 조절기(MC)는 가스 공급부(GS) 및 전구체 공급부(PM)를 사이에 두고 가스 배관(GSL)에 배치될 수 있다. 유량 조절기(MC)는 가스 공급부(GS)에서 제공되는 반응 가스의 양을 조절하여 대상 기판(BS) 상에 박막을 형성하는데 필요한 환경을 조절할 수 있다.
제1 공급부(SM1)는 가스 공급부(GS)에서 제공되는 반응 가스와 제1 물질(PR)이 결합된 소스 가스가 저장될 수 있다. 소스 가스는 샤워 헤드(SH)를 통해 대상 기판(BS)에 분사되는 가스일 수 있다.
일 실시예에 따른 제1 공급 배관(SML1)은 제1 공급부(SM1)와 챔버(CV)를 연결하는 배관일 수 있다. 제1 공급 배관(SML1)은 챔버(CV) 내의 샤워 헤드(SH)의 일 측에 연결된다. 예를 들어, 제1 공급 배관(SML1)은 유입부(SP1)의 일 측에 연결될 수 있다. 제1 공급 배관(SML1)은 제2 벨브(V2)를 포함할 수 있다. 제2 벨브(V2)는 제1 공급 배관(SML1)의 계패를 조절하여 제1 공급부(SM1)에서 챔버(CV)로 제공되는 유입물 및 챔버(CV)에서 제1 공급부(SM1)으로 제공되는 유입물의 흐름을 조절할 수 있다.
일 실시예에 따른 제2 공급부(SM2)는 제2 물질(OC)을 저장할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 제2 물질(OC)은 유기 용제(organic solvent)를 포함할 수 있다. 제2 물질(OC)은 제1 물질(PR)에 포함된 유기 물질을 분해하는 물질일 수 있다. 제2 물질(OC)은 제1 물질(PR)의 종류에 따라 다향하게 변할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
일 실시예에 따른 제2 공급 배관(SML2)은 제2 공급부(SM2)와 챔버(CV)를 연결하는 배관일 수 있다. 제2 공급 배관(SML2)은 챔버(CV) 내의 샤워 헤드(SH)의 타 측에 연결된다. 예를 들어, 제2 공급 배관(SML2)은 유입부(SP1)의 타 측에 연결될 수 있다. 일 실시예에 따른 제2 공급 배관(SML2)은 제1 공급 배관(SML1)과 이격되어 배치될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 증착 장치(DA)는 유기금속 전구체인 제1 물질(PR)과 제1 물질(PR)에 포함된 유기 물질을 분해하는 제2 물질(OC)이 하나의 챔버(CV) 내에서 분사 될 수 있다.
제2 공급 배관(SML2)은 제3 벨브(V3)를 포함할 수 있다. 제3 벨브(V3)는 제2 공급 배관(SML2)의 계패를 조절하여 제2 공급부(SM2)에서 챔버(CV)로 제공되는 유입물 및 챔버(CV)에서 제2 공급부(SM2)으로 제공되는 유입물의 흐름을 조절할 수 있다.
진공 펌프(VP)는 배출부(VO)를 포함한다. 진공 펌프(VP)는 챔버(CV)의 일 측에 연결될 수 있다. 진공 펌프(CV)는 증착 공정 시 챔버(CV)의 내부를 진공 상태로 유지시킬 수 있다. 배출부(VO)는 증착 장치(DA)에 연결된 배관들과 챔버(CV) 내의 불순물들 및 잔여 가스를 외부로 배출하는 통로일 수 있다. 진공 펌프(VP)는 챔버(CV)의 내부 기압을 고진공 또는 저진공으로 조절할 수 있다.
일 실시예에 따른 진공 배관(UPL)은 진공 펌프(VP)와 챔버(CV)를 연결하는 배관일 수 있다. 진공 배관(UPL)은 챔버(VP)의 내부 기압을 조절하는 배관일 수 있다. 또한, 진공 배관(UPL)은 챔버(VP)를 세정 하는 과정에서 챔버(VP) 내의 불순물들 및 잔여 가스가 진공 펌프(VP)로 이동되는 배관일 수 있다. 진공 배관(UPL)은 제4 벨브(V4)를 포함한다. 제4 벨브(V4)는 진공 배관(UPL)의 계패를 조절하여 챔버(CV)에서 진공 펌프(VP)로 제공되는 유입물 및 진공 펌프(VP)에서 챔버(CV)로 제공되는 유입물의 흐름을 조절할 수 있다.
압력 게이지(PG)는 챔버(CV)에 연결되어 챔버(CV)의 내부 기압을 측정할 수 있다. 압력 제어부(PC)의 일 단은 압력 게이지(PG)와 연결되며, 압력 제어부(PC)의 타단은 진공 펌프(VP)와 연결될 수 있다. 압력 게이지(PG)에서 측정된 챔버(CV)의 내부 압력 정보는 압력 제어부(PC)로 송신되며, 압력 게이지(PG)는 송신된 내부 압력 정보를 기반으로 진공 펌프(VP)를 작동시켜 증착 환경에 맞는 챔버(CV)의 내부 압력을 조절할 수 있다.
일 실시예에 따른 증착 장치(DA)는 세정 배관(CL)을 포함한다. 일 실시예에 따른 세정 배관(CL)은 가스 배관(GSL)과 진공 펌프(VP)를 연결하는 배관일 수 있다. 세정 배관(CL)은 챔버(CV)에서부터 가스 공급부(GS)를 연결하는 배관들을 세정 하는 과정에서 배관들 내의 불순물들 및 잔여 가스가 진공 펌프(VP)로 이동되는 배관일 수 있다. 세정 배관(CL)은 제5 벨브(V5)를 포함한다. 제5 벨브(V4)는 세정 배관(CL)의 계패를 조절하여 배관들에서 진공 펌프(VP)로 제공되는 불순물들 및 잔여 가스의 흐름을 조절할 수 있다.
도 2에는 세정 작업 시 증착 장치(DA) 내부에 쌓인 잔여 유기 물질 및 잔여 가스가 배출되는 경로를 화살표로 표시하였다.
일 실시예에 따르면, 증착 공정 후, 제1 물질(PR)에 포함된 유기 물질은 가스 배관(GSL), 제1 공급부(SM1), 제1 공급 배관(SML1), 챔버(CV), 및 진공 배관(UPL) 내부에 쌓일 수 있다. 본 발명에 따르면, 제2 공급부(SM2)에서 제공되는 제2 물질(OC)은 제1 물질(PR)을 제거하는 유기 용제를 포함함으로써, 증착 장치(DA)의 세정 공정 시 증착 장치(DA)에 쌓인 잔여 유기 물질들을 제거하는 세정제로 쓰일 수 있다.
따라서, 제2 물질(OC)을 가스 배관(GSL), 제1 공급부(SM1), 제1 공급 배관(SML1), 챔버(CV), 및 진공 배관(UPL) 등 증착 장치(DA) 내부로 분사하여 잔여 유기 물질을 제거할 수 있다.
본 발명의 증착 장치(DA)에 따르면, 유기금속 전구체인 제1 물질(PR)과 제1 물질(PR)에 포함된 유기 물질을 분해하는 제2 물질(OC)이 하나의 챔버(CV) 내에서 분사될 수 있다. 이에 따라, 유기금속 전구체(본 발명 제1 물질(PR))에 포함된 유기 물질을 분해 시키기 위한 별도의 압력 조절 및 진공도 조절과정이 생략될 수 있으며, 이에 따라, 공정 비용 및 시간이 단축된 증착 장치를 제공할 수 있다.
또한, 제1 물질(PR)에 포함된 유기 물질을 제거하는 제2 물질(OC)을 증착 장치(DA) 내부로 순환시킴으로써, 증착 장치(DA)를 세정하는데 요구되는 시간을 단축시킬 수 있다. 공정 수율이 향상된 증착 장치(DA)를 제공할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 1에 설명한 구성과 동일한 구성에 대해 동일한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 증착 장치(DA-1)는 가스 공급부들(GS1, GS2, GS3) 및 가스 공급부들(GS1, GS2, GS3) 각각에 연결된 가스 배관들(GLS1, GLS2, GLS3)을 포함할 수 있다. 또한, 가스 배관들(GLS1, GLS2, GLS3) 각각에 연결된 유량 조절기(MC1, CM2, CM3) 및 벨브들(V1-1, V1-2, V1-3)을 포함할 수 있다.
제1 가스 공급부(GS1), 제1 가스 배관(GSL1), 제1 유량 조절기(MC1), 및 제1 벨브(V1-1)는 도 1에서 설명한 가스 공급부(GS), 가스 배관(GSL), 유량 조절기(MC), 및 제1 벨브(V1)와 대응될 수 있다.
제2 가스 공급부(GS2)는 제2 가스 배관(GSL2)을 통해 제1 공급부(SM1)과 연결된다. 제2 가스 공급부(GS2)는 제2 가스 배관(GSL2)에 배치된 제2 유량 조절기(MC2)를 통해 제2 가스 공급부(GS2)에서 제1 공급부(SM1)으로 제공되는 가스의 양을 조절할 수 있다.
제3 가스 공급부(GS3)는 제3 가스 배관(GSL3)을 통해 제1 공급부(SM1)과 연결된다. 제3 가스 공급부(GS3)는 제3 가스 배관(GSL3)에 배치된 제3 유량 조절기(MC3)를 통해 제3 가스 공급부(GS3)에서 제1 공급부(SM1)으로 제공되는 가스의 양을 조절할 수 있다.
일 실시예에 따른 가스 공급부들(GS1, GS2, GS3) 각각은 증착 공정에 필요한 반응 가스를 포함할 수 있다. 가스 공급부들(GS1, GS2, GS3)에서 제공된 각각의 반응 가스들은 제1 물질(PR1)을 챔버(CV)로 운송하는데 사용될 수 있다. 또한, 챔버(CV) 내부의 공정 압력을 유지 시키기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 실란(SiH4), 암모니아(NH3), 질소(N2), 산소(O2), 아르곤(Ar), 및 수소(H2)가스를 포함할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 반응 가스의 종류는 대상 기판(BS) 상에 형성되는 증착층의 종류에 따라 다향하게 변할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
또한, 도 3에는 세 개의 가스 공급부들(GS1, GS2, GS3) 및 가스 공급부들(GS1, GS2, GS3)과 연결된 가스 배관들(GLS1, GLS2, GLS3)을 도시하였으나, 복수로 제공되는 것이면 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
일 실시예에 따르면, 세정 배관(CL)은 각각의 가스 배관들(GLS1, GLS2, GLS3)에 연결될 수 있다. 세정 배관(CL)은 가스 배관들(GLS1, GLS2, GLS3)로부터 세정 배관(CL)으로 유입되는 유입물의 흐름을 조절하는 벨브들(V5-1, V5-2, V5-3)을 포함한다. 벨브들(V5-1, V5-2, V5-3)은 세정 배관(CL)과 가스 배관들(GLS1, GLS2, GLS3)이 연결되는 부위에 인접하여 배치될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 블록도이다. 도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도들이다. 도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도들이다. 도 1에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해 동일한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다. 이하, 도 1, 및 4 내지 도 6c를 참조하여 본 발명에 따른 증착 장치를 이용한 표시 장치 제조 방법을 설명한다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 증착 장치(DA)를 이용한 표시 장치 제조 방법은, 대상 기판을 제공하는 단계(S100), 예비 증착층을 형성하는 단계(S200), 예비 분해 단계(S300), 분해 단계(S400), 증착층을 형성하는 단계(S500), 및 세정하는 단계(S600)를 포함할 수 있다.
대상 기판을 제공하는 단계(S100)는 챔버(CV) 내의 스테이지(ST) 상에 대상 기판(BS)가 제공될 수 있다. 일 실시예에 따른 대상 기판(BS)은 증착 공정에 의해 박막이 형성되는 층일 수 있다. 대상 기판(BS)은 표시 장치의 구성들이 배치되는 기저층으로 제공되거나, 표시 장치의 구성들이 형성된 층으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 대상 기판(BS)은 영상을 표시하는 화소의 일 구성인 트랜지스터가 형성된 상태로 제공될 수 있다.
이후, 예비 증착층을 형성하는 단계(S200)는 제1 물질(PR)을 대상 기판(BS)에 증착하여 형성할 수 있다. 예비 증착층은 유기 물질 및 증착 물질이 포함된 제1 물질(PR)이 대상 기판(BS)에 증착된 상태로 정의될 수 있다. 제1 물질(PR)은 제1 공급부(SM1)로부터 샤워 헤드(SH)의 유입부(SP1)에 제공되어 배출부(SP2)의 분사구(NZ)를 통해 대상 기판(BS)에 증착될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 예비 증착층을 형성하는 단계(S200)는 제1 물질(PR)을 챔버(CV) 내로 운반하는 반응 가스를 공급하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한, 유량 조절기(MC)를 통해 가스 공급부(GS)에서 공급되는 반응 가스의 유량을 조절하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 챔버(CV) 내부 압력을 조절하는 단계를 더 포함할 수 있다. 압력 게이지(PG)에서 측정된 챔버(CV)의 내부 기압 정보는 압력 제어부(PC)로 송신되며, 압력 게이지(PG)는 송신된 내부 기압 정보를 기반으로 진공 펌프(VP)를 작동시켜 증착 환경에 맞는 챔버(CV)의 내부 기압을 조절할 수 있다. 챔버(CV) 내의 내부 압력은 반응 가스를 공급시킴으로써 유지할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 공급부(SM1)에는 가스 공급부(GS)에서 제공된 반응 가스와 반응 가스에 의해 운반된 제1 물질(PR)이 결합된 소스 가스가 저장될 수 있다. 이에 따라, 예비 증착층을 형성하는 단계(S200)에서 챔버(CV)의 샤워 헤드(SH)에서 분사되는 물질은 소스가스 일 수 있다.
이후, 예비 분해 단계(S300)는 제1 물질(PR)이 증착된 예비 증착층을 가열하여 제1 물질(PR)에 포함된 유기 물질을 제거한다. 제1 물질(PR)에 포함된 유기 물질의 일차적인 제거는 스테이지에서 발생된 열을 통해 이루어질 수 있다. 예비 분해 단계(S300)가 진행되면, 예비 증착층은 초기 증착된 제1 물질(PR)에 포함된 유기 물질 중 일부는 제거되고 잔존하는 유기 물질들은 예비 증착층에 남아 있을 수 있다. 대상 기판(BS)에 증착하고자 하는 최종 물질이 금속 및 주요 화합물인 경우, 잔존하는 유기 물질은 불순물로 작용하여 표시 장치의 신뢰성이 저하될 수 있다. 이에 따라, 잔존하는 유기 물질의 제거가 수반될 수 있다.
이후, 분해 단계(S400) 및 증착층을 형성하는 단계(S500)는 예비 증착층에 유기 용제를 포함하는 제2 물질(OC)을 분사하여 예비 증착층에 잔존하는 유기 물질을 제거 함으로써 증착층을 형성할 수 있다.
예비 증착층에 잔존하는 유기 물질을 제거하여 제1 물질(PR) 중 증착 물질만이 대상 기판(BS) 상에 박막으로 형성됨으로써 증착층이 형성된다.
이에 따라, 증착층에는 목적하고자 하는 증착 물질만이 남아 있게 됨으로써 신뢰성이 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다. 또한, 예비 분해 단계와 분해 단계는 동일 챔버(CV) 내에서 이루짐에 따라, 예비 증착층에 잔존하는 유기 물질을 제거 하기 위한 별도의 압력 조절 및 진공도 조절과정을 생략할 수 있다. 이에 따라, 공정 비용 및 시간이 단축된 증착 장치를 제공할 수 있다.
이후, 이후, 세정하는 단계(S600) 제2 공급부(SM2)로부터 제공된 제2 물질(OC)이 증착 장치(DA)를 순환하여 진행될 수 있다.
증착 공정 후, 제1 물질(PR)에 포함된 유기 물질은 제1 공급 배관(SML1), 가스 배관(GSL), 진공 배관(UPL), 및 상기 세정 배관(CL) 등, 증착 장치(DA)에 포함된 배관들 및 제1 공급부(SM1), 챔버(CV) 등에 내부에 쌓이게 된다.
본 발명에 따른 표시 장치 제조 방법은 증착 장치(DA)의 구성들 내부에 쌓인 유기 물질을 분해하는 제2 물질(OC)을 통해 세정함으로써, 증착 장치(DA)의 각 구성들을 분리하여 세정하는 작업을 생략할 수 있으며, 별도의 세정액 또는 세정 가스를 구비하는데 필요한 비용을 절약할 수 있다.
도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 본 발명에 따른 증착 장치(DA, 도 1 참조)를 이용하여 형성된 증착층(BI)의 공정 과정을 간략하게 도시하였다.
도 5a를 참조하면, 대상 기판(BS1)은 표시 장치에 포함된 기저층으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 대상 기판(BS1)은 트랜지스터를 포함하는 화소 및 기타 구성들이 증착되는 기저층일 수 있다.
유기 물질(PS) 및 유기 물질과 결합된 증착 물질(DM)을 포함하는 제1 물질(PR)을 대상 기판(BS1) 상에 증착하여 예비 증착층을 형성한다.
일 실시예에 따른 유기 물질(PS)은 X(NMeEt)4를 포함할 수 있다. 증착 물질(DM)은 지르코늄(Zr) 및/또는 하프늄(Hf)을 포함할 수 있다. 따라서, 예비 증착층을 형성하는 제1 물질(PR)은 Zr(NMeEt)4 및 Hf(NMeEt)4 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 반응 가스를 공급하는 단계에 따라 가스 공급부(GS)에서 반응 가스로 산소(O2)를 공급할 수 있다.
이후, 도 5b를 참조하면, 예비 증착층을 가열하여 유기 물질(PS)을 제거하는 예비 분해 단계를 진행한다. 예비 증착층의 가열은 스테이지(ST)에서 제공된 열(HT)을 통해 이루어질 수 있다. 예비 증착층을 이루는 제1 물질(PR) 중 유기 물질(PS)의 일부는 열 분해에 의해 제거될 수 있다. 열 분해 이후, 예비 증착층 상에는 잔존하는 유기 물질(PS)가 남아 있을 수 있다.
이후, 도 5c를 참조하면, 예비 증착층에 제2 물질(OC)을 분사하여 예비 증착층에 잔존하는 유기 물질(PS)를 제거한다. 이에 따라, 대상 기판(BS1) 상에는 박막하고자 하는 증착 물질(DM) 만이 남아 있게 된다.
이후, 도 5d를 참조하면, 분해 단계를 거쳐 증착층(BI)이 형성된다. 본 발명에 따른 증착층(BI)은 예비 증착층에 잔존하는 유기 물질(PS)가 제거 됨에 따라 신뢰성이 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 반응 가스로 산소(O2)가 공급됨에 따라, 증착 물질(DM)이 산소(O2)와 반응하여, 증착층(BI)은 지르코늄 옥사이드(ZrOX) 및 하프늄 옥사이드(HfOX) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 본 발명에 따른 증착 장치(DA, 도 1 참조)를 이용하여 형성된 증착층(E1-A)의 실시예를 간략하게 도시하였다.
대상 기판(BS2)은 서브 기판(SUB) 상에 베리어층(BI), 트랜지스터(TR), 및 복수의 절연층들(IL1, IL2, IH)이 형성되어 제공될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 대상 기판(BS2)은 개구부가 정의된 제3 절연층(IH)까지 적층된 것일 수 있다.
일 실시예에 따른 베리어층(BI)은 도 5d에서 형성된 증착층(BI)과 대응될 수 있다. 베리어층(BI)은 서브 기판(SUB) 상에 형성된다. 베리어층(BI)은 외부로부터 이물질이 유입되는 것을 방지할 수 있다.
베리어층(BI) 상에 도전 물질을 패터닝 하여 트랜지스터(TR)을 형성한다. 트랜지스터(TR)는 반도체 패턴(SL), 제어 전극(CE), 입력 전극(IE), 및 출력 전극(OE)을 포함한다. 트랜지스터(TR)는 제어 전극(CE)을 통해 반도체 패턴(SL)에서의 전하 이동을 제어하여 입력 전극(IE)으로부터 입력되는 전기적 신호를 출력 전극(OE)을 통해 출력한다.
본 발명에 따른 증착 장치(DA, 도 1 참조)를 이용하여 제3 절연층(IH) 상에 증착층(E1-A)을 형성한다.
증착층(E1-A)의 제조 방법은, 대상 기판(BS2) 상에 제1 물질(PR)을 증착하여 예비 증착층을 형성한다. 일 실시예에 따른 제1 물질(PR)의 유기 물질(PS)은 [(n-Bu3P)X((CH3)(3)CCOO)]을 포함할 수 있다. 증착 물질(DM)은 은(Ag)을 포함할 수 있다. 따라서, 예비 증착층을 형성하는 제1 물질(PR)은 [(n-Bu3P)Ag((CH3)(3)CCOO)]을 포함할 수 있다.
이후, 예비 증착층을 가열하여 유기 물질(PS)을 제거하는 예비 분해 단계를 진행한다. 이후, 예비 증착층에 제2 물질(OC)을 분사하여 예비 증착층에 잔존하는 유기 물질(PS)를 제거한다. 이에 따라, 증착층(E1-A)은 박막하고자 하는 증착 물질(DM)인 은(Ag) 만이 남아 있게 된다.
이후, 도 6b 및 도 6c에 도시된 것과 같이, 증착층(E1-A)을 패터닝 하여 제1 전극(E1)을 형성한다. 이후, 제1 전극(E1)을 노출시키는 화소 정의막(PLE)를 형성한 후, 화소 정의막(PLE)에 의해 노출된 제1 전극(E1) 상에 발광층(EL), 전하 제어층(OL), 및 제2 전극(E2)을 형성하여 유기발광소자(ED)를 형성할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DA: 증착 장치 CV: 챔버
SM1: 제1 공급부 SM2: 제2 공급부
PM: 전구체 공급부 GS: 가스 공급부
MC: 유량 조절기 VP: 진공 펌프
PR: 제1 물질 OC: 제2 물질

Claims (20)

  1. 소정의 내부 공간이 정의되고, 상기 내부 공간에 배치된 스테이지 및 상기 스테이지 상에 배치된 대상 기판을 포함하는 챔버;
    상기 내부 공간에 제1 물질을 제공하는 제1 공급부;
    상기 제1 공급부와 이격되어 배치되고, 상기 내부 공간에 제2 물질을 제공하는 제2 공급부;
    상기 제1 공급부와 이격되어 상기 챔버와 연결되고, 상기 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함하는 제2 공급부;
    상기 내부 공간 내에 배치되어 상기 제1 공급부 및 상기 제2 공급부와 연결되고, 상기 제1 물질 또는 상기 제2 물질을 상기 대상 기판으로 분사시키는 분사구를 포함하는 샤워 헤드를 포함하고,
    상기 제1 물질은 유기 물질 및 증착 물질을 포함하고,
    상기 제2 물질은 상기 제1 물질로부터 상기 유기 물질을 분리시키는 유기 용제(organic solvent)를 포함하는 증착 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 공급부와 상기 챔버를 연결하는 제1 공급 배관 및 상기 제2 공급부와 상기 챔버를 연결하는 제2 공급 배관을 포함하고,
    상기 제1 물질은 상기 제1 공급 배관을 통해 상기 샤워 헤드에 제공되며,
    상기 제2 물질은 상기 제2 공급 배관을 통해 상기 샤워 헤드에 제공되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버와 연결된 진공 펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 챔버의 내부 압력을 체크하는 압력 게이지 및 상기 압력 게이지와 연결된 압력 제어부를 포함하고,
    상기 압력 제어부는 상기 진공 펌프와 연결된 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 공급부와 연결되고 상기 제1 물질이 저장된 전구체 공급부 및 상기 전구체 공급부와 연결되어 상기 전구체 공급부로 가스를 제공하는 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 전구체 공급부와 상기 가스 공급부 사이에 배치되어 상기 가스의 유량을 조절하는 유량 조절기를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  7. 증착 장치에 포함된 챔버의 내부 공간에 대상 기판을 제공하는 단계;
    유기 물질 및 상기 유기 물질과 결합된 증착 물질을 포함하는 제1 물질을 상기 대상 기판에 증착하여 예비 증착층을 형성하는 단계;
    상기 예비 증착층을 가열하여 상기 유기 물질을 제거하는 예비 분해 단계;
    상기 예비 증착층에 유기 용제를 포함하는 제2 물질을 분사 하여 상기 예비 증착층에 잔존하는 상기 유기 물질을 제거하는 분해 단계; 및
    상기 분해 단계를 거처 증착층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 예비 분해 단계 및 상기 분해 단계는 상기 챔버의 상기 내부 공간에서 진행되는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 증착 장치는,
    상기 제1 물질을 저장하는 제1 공급부 및 상기 제1 공급부와 상기 챔버를 연결하는 제1 공급 배관;
    상기 제2 물질을 저장하는 제2 공급부 및 상기 제2 공급부와 상기 챔버를 연결하는 제2 공급 배관;
    상기 제1 물질이 저장된 전구체 공급부, 상기 전구체 공급부와 연결되어 반응 가스를 제공하는 가스 공급부, 및 상기 전구체 공급부와 상기 가스 공급부를 상기 챔버에 연결하는 가스 배관;
    상기 챔버의 내부 압력을 조절하는 진공 펌프 및 상기 진공 펌프와 상기 챔버를 연결하는 진공 배관;
    상기 진공 펌프와 상기 가스 배관을 연결하는 세정 배관을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    표시 장치 제조 방법은,
    상기 제1 물질을 상기 챔버 내로 운반하는 반응 가스를 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    표시 장치 제조 방법은,
    유량 조절기를 통해 상기 반응 가스의 유량을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  12. 제9 항에 있어서,
    표시 장치 제조 방법은,
    상기 증착 장치를 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 증착 장치를 세정하는 단계는,
    상기 제2 물질이 상기 제1 공급 배관, 상기 가스 배관, 상기 진공 배관, 및 상기 세정 배관을 순환하여 세정되는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  14. 제9 항에 있어서,
    표시 장치 제조 방법은,
    상기 챔버의 내부 압력을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  15. 제9 항에 있어서,
    상기 챔버는,
    상기 제1 공급 배관 및 상기 제2 공급 배관과 연결되고 상기 제1 물질 또는 상기 제2 물질을 상기 대상 기판으로 분사시키는 분사구를 포함하는 샤워 헤드, 및 상기 샤워 헤드와 마주하고 상기 대상 기판을 지지하는 스테이지를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 분해 단계의 상기 가열은,
    상기 스테이지에서 제공된 열을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  17. 제9 항에 있어서,
    표시 장치 제조 방법은,
    벨브를 통해 상기 제1 공급 배관, 상기 제2 공급 배관, 상기 가스 배관, 상기 진공, 및 상기 세정 배관 각각의 개폐를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  18. 증착 장치에 포함된 챔버의 내부 공간에 대상 기판을 제공하는 단계;
    제1 공급부를 통해 유기 물질 및 상기 유기 물질과 결합된 증착 물질을 포함하는 제1 물질을 상기 대상 기판에 증착하여 예비 증착층을 형성하는 단계;
    제2 공급부를 통해 상기 예비 증착층에 유기 용제를 포함하는 제2 물질을 분사 하여 상기 유기 물질을 제거하는 분해 단계;
    상기 분해 단계를 거처 증착층을 형성하는 단계; 및
    상기 챔버 및 상기 제1 공급부를 세정하는 단계를 포함하고,
    상기 세정하는 단계는,
    상기 제2 공급부로부터 제공된 제2 물질이 상기 챔버 및 상기 제1 공급부를 순환하여 세정되는 표시 장치 제조 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    표시 장치 제조 방법은,
    상기 예비 증착층을 가열하여 상기 유기 물질을 제거하는 예비 분해 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  20. 제18 항에 있어서,
    상기 증착 장치는,
    상기 제1 공급부와 상기 챔버를 연결하는 제1 공급 배관;
    상기 제2 공급부와 상기 챔버를 연결하는 제2 공급 배관;
    상기 제1 물질이 저장된 전구체 공급부, 상기 전구체 공급부와 연결되어 반응 가스를 제공하는 가스 공급부, 및 상기 전구체 공급부와 상기 가스 공급부를 상기 챔버에 연결하는 가스 배관;
    상기 챔버의 내부 압력을 조절하는 진공 펌프 및 상기 진공 펌프와 상기 챔버를 연결하는 진공 배관;
    상기 진공 펌프와 상기 가스 배관을 연결하는 세정 배관을 포함하고,
    상기 증착 장치를 세정하는 단계는,
    상기 제2 물질이 상기 제1 공급 배관, 상기 가스 배관, 상기 진공 배관, 및 상기 세정 배관을 순환하여 세정되는 표시 장치 제조 방법.

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