CN101123182A - 图形形成方法以及图形形成装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够防止在基板上发生处理不良的图形形成方法，包括：在作为基板的晶片W上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜并且涂敷保护液形成保护膜的工序(步骤2)；在浸渍在作为具有比水高的折射率的液体的高折射率液体中的状态下，使在晶片W上形成的抗蚀剂膜液浸曝光成规定图形的工序(步骤5)；对液浸曝光后的抗蚀剂膜进行显影的工序(步骤8)；和在抗蚀剂膜形成后液浸曝光前、以及液浸曝光后显影前，使用高折射率液体作为清洗液来清洗晶片W的工序(步骤4、6)。

Description

图形形成方法以及图形形成装置
技术领域
本发明涉及一种在半导体基板等基板上形成规定的抗蚀剂图形的图形形成方法以及图形形成装置。
背景技术
在半导体元件的制造中，为了在半导体晶片上形成电路图形而使用光刻技术。使用光刻技术形成电路图形按照如下顺序进行：在半导体晶片上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜，在该抗蚀剂膜上照射光，对抗蚀剂膜进行曝光以使其与电路图形对应，之后，对其进行显影处理。
从提高操作速度等观点出发，在近阶段半导体元件有高集成化的趋向，因此，在光刻技术中，要求在半导体晶片上形成的电路图形越来越细微化。因此，作为实现45纳米(nm)节点的高解析度的光刻技术，已经提出一种向半导体晶片与曝光用的投影透镜之间供给具有比空气高的折射率的纯水等的曝光液，利用曝光液的折射率缩短来自投影透镜的照射光的波长，以此来使曝光的谱线宽度(线宽)变细的液浸曝光(Immersion)的技术方案(例如参照专利文献1)。另外，还有报告称为了进一步获得高解析度，尝试使用由环状碳氢化合物框架为基本的化合物等组成的、作为具有比纯水高的折射率的液体的高折射率液体(High Index Liquid)作为曝光液来进行液浸曝光，并且能够实现32nm节点的高解析度(参照非专利文献1)。
然而，在使用液浸曝光的电路图形的形成中，在液浸曝光前以提高对曝光液的亲和性为目的，以及在液浸曝光后以除去附着在半导体晶片上的曝光液为目的，作为清洗液使用纯水来实施清洗半导体晶片(例如，参照专利文献2)。
但是，如上所述，在曝光液使用高折射率液体的情况下，由于曝光液与现有的液浸曝光前后所使用的清洗液的物性差异很大，因此，在现有的使用纯水进行的清洗中，在液浸曝光前的清洗中，有可能因清洗液的残渣而在液浸曝光时在抗蚀剂膜上产生气泡和残液等处理不良，在液浸曝光后的清洗中，有可能发生处理不均等的处理不良。
【专利文献1】国际公开2005-029559号手册
【专利文献2】日本特开2006-80403号公报
【非专利文献1】作者不详，“半导体制造 新一代液浸曝光用 高折射率新型液体(delphi)的开发～实现谱线宽度为32nm的细微加工～(半導体製造 次世代液浸露光用 高屈折率新規液体(デルファィ)の開発 ～線幅32ナノメ一トルの微细加工を実現～)”【online】、2005年9月12日三井化学株式会社、【2006年6月检索】、网址<http://www.mitsui-chem.co.jp/whats/2005_0912.htm>
发明内容
本发明是鉴于上述这种情况而提出的，其目的在于提供一种能够防止在基板上发生处理不良的图形形成方法和图形形成装置、以及存储有用来实施这种图形形成方法的控制程序的计算机能够读取的存储介质。
为了解决上述问题，本发明的第一方面提供一种图形形成方法，其特征在于：其是一种在基板上形成规定抗蚀剂图形的图形形成方法，包括：在基板上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜的工序；在浸渍在作为具有比水高的折射率的液体的高折射率液体中的状态下，使在基板上形成的抗蚀剂膜液浸曝光成规定图形的工序；对液浸曝光后的抗蚀剂膜进行显影的工序；和在抗蚀剂膜形成后液浸曝光前、以及液浸曝光后显影前的至少一个时期，使用包含上述高折射率液体的有效成分的清洗液清洗基板的工序。
在本发明的第一方面中，作为上述清洗液优选使用上述高折射率液体。
此外，在以上的本发明的第一方面中，上述清洗工序通过一边使基板水平旋转一边向基板的主面供给上述清洗液来进行。
本发明的第二方面提供一种图形形成装置，其特征在于：其是在基板上形成规定的抗蚀剂图形的图形形成装置，包括：抗蚀剂涂敷、显影部，在基板上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜，在浸渍在作为具有比水高的折射率的液体的高折射率液体中的状态下，在使该抗蚀剂膜曝光成规定图形的液浸曝光后进行显影；和清洗部，在抗蚀剂膜形成后液浸曝光前、以及液浸曝光后显影前的至少一个时期，使用包含上述高折射率液体的有效成分的清洗液清洗基板。
在本发明的第二方面中，上述清洗部包括：水平保持基板并使其旋转的旋转卡盘以及向被上述旋转卡盘保持的基板的主面供给上述清洗液的清洗液供给机构，通过上述旋转卡盘使基板旋转，并且通过上述清洗液供给机构供给上述清洗液而能够清洗基板。
本发明的第三方面提供一种计算机能够读取的存储介质，其特征在于：其是存储有在计算机上运行的控制程序的计算机能够读取的存储介质，上述控制程序在运行时使计算机控制处理装置，以实施上述图形形成方法。
根据本发明，由于在抗蚀剂膜形成后液浸曝光前、以及液浸曝光后显影前的至少一个时期，使用包含液浸曝光中所用的高折射率液体的有效成分的清洗液清洗基板，因此，通过液浸曝光前的清洗，能够提高基板对液浸曝光时的高折射率液体的亲和性，防止在抗蚀剂膜上产生残液和气泡等，另外，通过液浸曝光后的清洗，能够充分除去液浸曝光时附着在基板上的高折射率液体防止发生处理不均等。因此，能够有效地防止在基板上发生处理不良。
附图说明
图1是能够实施本发明的图形形成方法的图形形成装置的概略平面图。
图2是图形形成装置的概略立体图。
图3是在图形形成装置中所设置的对接台(interface station)的概略立体图。
图4是在图形形成装置中所设置的控制部的概念图。
图5是图形形成装置的图形形成方法的工序图。
图6是在图形形成装置中所设置的曝光装置的液浸曝光部的概略截面图。
图7是在图形形成装置中所设置的前清洗单元的概略截面图。
符号说明
1       图形形成装置
31      工序程序控制器
32      用户界面
33      存储部
61      旋转卡盘
62      处理液供给机构(清洗液供给机构)
30      液浸曝光部
COT     抗蚀剂涂敷单元(抗蚀剂涂敷部)
DEV     显影单元(显影部)
POCLN   后清洗单元(清洗部)
PRECLN  前清洗单元(清洗部)
W晶片  (基板)
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是能够实施本发明图形形成方法的图形形成装置的概略平面图，图2是其概略立体图。
图形形成装置1用于在作为半导体基板的晶片W上形成规定的抗蚀剂图形，其包括：作为晶片W的搬送台的盒台11；具有多个对晶片W实施规定处理的处理单元的处理台12；对晶片W实施曝光处理的曝光装置14；和用于在处理台12以及曝光装置14之间交接晶片W的对接台13。以盒台11、处理台12、对接台13以及曝光装置14的顺序沿着图形形成装置1的长度方向(Y方向)串联设置盒台11、处理台12、对接台13以及曝光装置14。
盒台11沿着Y方向串联式地包括：盒载置台11a，载置收容有多个(例如13个)晶片W的晶片盒(CR)；和晶片搬送部11c，用于在盒载置台11a上的晶片盒(CR)与后述的被设置在处理台12的第三处理单元组G3中的转换单元之间搬送晶片W。在盒载置台11a上，沿着图形形成装置1的宽度方向(X方向)设置有多个(例如5个)用来对晶片盒(CR)进行定位的定位部11b，晶片盒(CR)按照其开口与设置在晶片搬送部11c的框体的壁面上的开关部11e相向的方式而被载置在定位部11b的位置。晶片搬送部11c具有被配置在其框体内的能够保持晶片W的搬送拾取器11d，构成为利用该搬送拾取器11d在盒载置台11a上的各个晶片盒(CR)与转换单元之间搬送晶片W。
处理台12被配置在框体15内，在其前面(图1下方)一侧，从盒台11侧向对接台13侧依次具有第一处理单元组G1与第二处理单元组G2，在其背面(图1上方)一侧，从盒台11向对接台13依次具有第三处理单元组G3、第四处理单元组G4以及第五处理单元组G5。另外，处理台12在第三处理单元组G3与第四处理单元组G4之间具有第一主搬送部A1，在第四处理单元组G4与第五处理单元组G5之间具有第二主搬送部A2。
第一处理单元组G1通过层积在晶片W上形成防止曝光时光的反射的防反射膜的例如两个底部涂敷装置(bottom boating unit)(BARC)与在晶片W的表面上涂敷抗蚀剂而形成抗蚀剂膜的例如三个抗蚀剂涂敷单元(COT)而构成。第二处理单元组G2通过层积对在晶片W上形成的曝光后的抗蚀剂膜进行显影的例如三个显影单元(DEV)与向在形成于晶片W上的抗蚀剂膜的表面供给保护液，然后形成作为对后述液浸曝光用的液体的拨水膜的保护膜的例如两个顶部涂敷装置(topcoating unit)(ITC)而构成。
第三处理单元组G3、第四处理单元组G4、第五处理单元组G5通过层积例如10层对晶片W施以疏水化处理的粘附单元(adhesion unit)、对抗蚀剂涂敷后的晶片W施以加热处理的预烘焙单元(prebake unit)、对显影处理后的晶片W施以加热处理的后烘焙单元(postbake unit)、对曝光后显影前的晶片W施以加热处理的后曝光烘焙单元(postexposition bake unit)等的热处理单元而构成。另外，第三处理单元组G3具有在盒台11与第一主搬送部A1之间的用作晶片W的交接部的转换单元(transition unit)。第五处理单元组G5具有在第二主搬送部A2与对接台13的后述第一晶片搬送体21之间的用作晶片W的交接部的转换单元。
第一主搬送部A1具有能够保持晶片W的第一主晶片搬送臂16，该第一主晶片搬送臂16能够有选择地进入第一处理单元组G1、第三处理单元组G3以及第四处理单元组G4的各个单元。第二主搬送部A2具有能够保持晶片W的第二主晶片搬送臂17，该第二主晶片搬送臂17能够有选择地进入第二处理单元组G2、第四处理单元组G4以及第五处理单元组G5的各个单元。
在第一处理单元组G1与盒台11之间以及第二处理单元组G2与对接台13之间分别设置有温度湿度调节单元18，其具备供给至第一以及第二处理单元组G1、G2的处理液的温度调节装置、温度湿度调节用管道等。另外，在第一以及第二处理单元组G1、G2的下侧分别设置有向它们供给药液的化学单元(CHM)。
图3是在图形形成装置1中设置的对接台13的概略立体图。
对接台(interface station)13具有被配置在框体内的、处理台12一侧的第一对接台13a和曝光装置14一侧的第二对接台13b。在第一对接台13a中按照与第五处理单元组G5的开口部相对的方式设置有用来搬送晶片W的第一晶片搬送体21，在第二对接台13b中设置有能够沿X方向移动的用来搬运晶片W的第二晶片搬送体22。
在第一对接台13a的正面一侧配置有第六处理单元组G6，它通过层积为了除去晶片周边部多余的抗蚀剂而有选择地仅对晶片W的边缘部进行曝光的周边曝光装置(WEE)、暂时收纳被搬送至曝光装置14的晶片W的内用缓冲盒(INBR)、暂时收纳从曝光装置14被搬送的晶片W的外用缓冲盒(OUTBR)、清洗被搬送至曝光装置14之前的晶片W的前清洗单元(PRECLN)、清洗从曝光装置14被搬送的晶片W的后清洗单元(POCLN)而构成。在第一对接台13a的背面一侧配置有第七处理单元组G7，它通过例如层积两层对晶片W进行高精度调温的高精度调温单元(CPL)而构成。
第一晶片搬送体21具有用来交接晶片W的叉形物21a。该叉形物21a能够进入第五处理单元组G5、第六处理单元组G6、第七处理单元组G7的各个单元，这样在各个单元之间进行晶片W的搬送。
第二晶片搬送体22具有用来交接晶片W的叉形物22a。该叉形物22a能够进入第六处理单元组G6的前清洗单元(PRECLN)以及后清洗单元(POCLN)、第七处理单元组G7的各个单元、曝光装置14的后述的内用台(in station)14a以及外用台(out station)14b，在这些各个部分之间进行晶片W的搬送。
在第一对接台13a的上部设置有调整第一对接台13a或者对接台13气流的气流调整部23，在第二对接台13b的上部设置有加湿第二对接台13b或者对接台13的加湿部，以使从曝光装置搬送来的晶片W不干燥。
曝光装置14包括：载置从对接台13搬送来的晶片W的内用台14a；载置被搬送至对接台13的晶片W的外用台14b；在浸渍在具有比水或者纯水高的折射率的液体的高折射率液体中的状态下，使在晶片W上形成的抗蚀剂膜曝光成规定图形的液浸曝光部30；和在内用台14a、液浸曝光部30以及外用台14b之间搬送晶片W的晶片搬送机构25。其中，关于曝光装置14的详细情况将在后面进行说明。
前清洗单元(PRECLN)以及后清洗单元(POCLN)分别使用包含在液浸曝光部30中所使用的高折射率液体的有效成分的液体，更优选使用具有与在液浸曝光部30中所使用的高折射率液体相同成分的高折射率液体作为清洗液来清洗(或者冲洗)晶片W。其中，关于前清洗单元(PRECLN)的详细情况将在后面进行说明。
如图2所示，在盒台11的下部设置有控制该图形形成装置1整体的控制部19。如图4所示，控制部19包括：配备有微型处理器(计算机)的工序程序控制器31；用户界面32，与该工序程序控制器31连接，由工序管理者为管理图形形成装置1而进行命令输入操作等的键盘以及可以通过屏幕观看图形形成装置1的工作情况的显示器等构成；以及存储部33，与工序程序控制器31连接，存储记录有用来在工序处理器31的控制下实现在图形形成装置1中实施的处理的控制程序或处理条件数据等。根据需要，按照从用户界面32发出的指示等，从存储部33中读取任意的方案并使其在工序程序控制器31中运行，由此，能够在工序程序控制器31的控制下实施在图形形成装置1中的处理。所述方案既可以存储在例如CD-ROM、硬盘、闪存等计算机可读取的存储介质中，还可以从其它的装置中例如通过专用线路随时传送从而在线使用。
下面，对图形形成装置1中的处理工序进行说明。
图5是图形形成装置1的图形形成方法的工序图。
在采用上述方式构成的图形形成装置1中，首先，利用晶片搬送部11c的搬送拾取器11d从晶片盒(CR)中取出1个晶片W，并将其搬送至设置在处理台12的第三处理单元组G3中的转换单元中，然后，根据方案的顺序，利用第一以及第二主搬送部A1、A2将晶片W顺次搬送至第一～五处理单元组G1～G5的规定单元中，对晶片W施以一系列的处理。此处，例如顺次进行粘附单元中的粘附工序(步骤1)、抗蚀剂涂敷单元(COT)中的抗蚀剂膜的形成以及顶部涂敷装置(ITC)中的形成保护膜的膜形成工序(步骤2)、以及预烘焙单元中的预烘焙工序(步骤3)。其中，既有取代粘附处理利用底部涂抹单元(BARC)形成防反射膜的情况，也有在抗蚀剂膜上形成防反射膜，并在防反射膜上形成保护膜的情况。
在处理台12中实施的晶片W的一系列处理结束，并将晶片W搬送至在第五处理单元组G5中设置的转换单元中之后，利用第一晶片搬送体21将晶片W搬送至前清洗单元(PRECLN)，在该前清洗单元(PRECLN)中实施使用高折射率液体的前清洗工序(步骤4)。其中，也有在将晶片W搬送至前清洗单元(PRECLN)之前，将其搬送周边曝光装置(WEE)中进行周边曝光，之后搬送至内用缓冲盒(INBR)的情况。
在前清洗单元(PRECLN)中实施的前清洗工序结束之后，利用第二晶片搬送体22将晶片W搬送至高精度调温单元(CPL)中并调整为规定的温度，再利用第二晶片搬送体22搬送至曝光装置14的内用台14a，利用晶片搬送机构25将其搬送至液浸曝光部30之后，在该液浸曝光部30中使用高折射率液体对在晶片W上形成的抗蚀剂膜进行液浸曝光工序(步骤5)。
在液浸曝光部30中实施的液浸曝光工序结束之后，利用晶片搬送机构25将晶片W搬送至外用台14b，利用第二晶片搬送体22将晶片W搬送至后清洗单元(POCLN)之后，在该后清洗单元(POCLN)中进行使用高折射率液体的后清洗工序(步骤6)。接着，利用第一晶片搬送体21将晶片W搬送至在第五处理单元组G5中所设置的转换单元中，然后根据方案的顺序，利用第一以及第二主搬送部A1、A2将晶片W顺次搬送至第一～五处理单元组G1～G5的规定单元中，对晶片W施以一系列的处理。此处，例如顺次进行在后曝光烘焙单元中的后曝光烘焙工序(步骤7)、在显影单元(DEV)中的显影工序(步骤8)、以及后烘焙单元中的后烘焙工序(步骤9)。接着，在将晶片W搬送至设置在第三处理群G3中的转换单元中之后，向盒台11的晶片盒(CR)进行搬送。
在本实施方式中，在晶片W上形成抗蚀剂膜等的膜之后，在使用高折射率液体作为曝光液对抗蚀剂膜进行液浸曝光之前，在前清洗单元(PRECLN)中，使用包含具有与曝光液大体相等物性的高折射率液体的有效成分的液体、优选使用具有与曝光液相等物性的高折射率液体作为清洗液来清洗晶片W，因此，能够提高晶片W对液浸曝光时的曝光液的亲和性，同时，能够防止清洗液与曝光液两者物性的差异所引起的、因清洗液的残渣导致的在液浸曝光时的抗蚀剂膜上产生气泡和残液等。另外，在液浸曝光之后显影之前，在后清洗单元(POCLN)中，使用包含具有与曝光液大体相等物性的高折射率液体的有效成分的液体、优选使用具有与曝光液相等物性的高折射率液体作为清洗液来清洗晶片W，因此，即便在液浸曝光时附着在晶片W上的作为曝光液的高折射率液体的粘性高，也能利用具有与该曝光液相等或者大体相等性质的清洗液的粘附力而除去曝光液。因此，能够防止在晶片W或者抗蚀剂膜上发生处理不均等处理不良，从而能提高在晶片W上形成的抗蚀剂图形的质量。
作为本实施方式中使用的高折射率流体可以适用例如日本特开2006-140429号公报中记载的流体。
下面，对曝光装置14的液浸曝光部30进行详细的说明。
图6是图形形成装置1中所设置的曝光装置14的液浸曝光部30的概略截面图。
液浸曝光部30包括：载置晶片W的台31；将被从图中未示的光源发出的曝光光照明的掩模的图形图像投影曝光在台31上的晶片W上的投影透镜32；在台31上的晶片W与投影透镜32之间形成有供给作为曝光液的高折射率液体的供给口33以及回收该曝光液的回收口34的曝光液流通部件35，这些构件被收纳在图中未示的能够开合的腔室内。
台31以能够沿着水平方向移动并且能够细微旋转的方式设置。此外，台31具有围绕被载置的晶片W的环状突出部36，通过该环状突出部36来保持被载置的晶片W，同时，能够防止被供给至晶片W的曝光液的流出。投影透镜32以规定的倍率将掩模的图形图像投影曝光在晶片W上。其中，作为来自光源的曝光光，使用KrF受激准分子激光器等的远紫外光和ArF受激准分子激光器等的真空紫外光等。曝光液流通部件35呈环状被设置在投影透镜32的顶端部或者下端部的周围，供给口33以及回收口34分别在其下部沿着圆周方向有间隔地形成多个。从各供给口33供给曝光液，同时，被供给的曝光液从各回收口34例如被吸引并被回收。
在以这种方式构成的液浸曝光部30中，如果晶片W被晶片搬送机构25载置在台31上，则根据需要使台31以及/或者掩模水平移动，并且一边从曝光液流通部件35的各供给口33向晶片W与投影透镜32之间供给高折射率液体，一边利用投影透镜32将掩模的图形图像投影在晶片W上，这样，在晶片W上实施液浸曝光处理。此时，从各回收口34回收被供给至晶片W与投影透镜32之间的高折射率液体。此处，由于使用高折射率液体进行液浸曝光，因此，不仅能够显著缩短曝光波长，还能因此获得高清晰度。在进行规定时间的液浸曝光之后，停止供给曝光液。然后，利用晶片搬送机构25，晶片W从台31被搬送至外台14b。
下面，对前清洗单元(PRECLN)进行详细的说明。
图7是图形形成装置1中设置的前清洗单元(PRECLN)的概略截面图。
前清洗单元(PRECLN)包括：容纳晶片W的腔60；在腔60内水平保持晶片W并使其旋转的旋转卡盘61；向被旋转卡盘61保持的晶片W供给清洗液等处理液的处理液供给机构62(清洗液供给机构)；以及接住从被旋转卡盘61保持的晶片W中流下的或者被甩干的清洗液等的处理液的杯体64。
在与腔60的例如第一晶片搬送体21以及第二晶片搬送体22相向的侧壁上分别形成用于搬入搬出晶片W的搬入搬出口60a、60b，同时，设置能够开合该搬入搬出口60a、60b的挡板60c、60d。旋转卡盘61能够升降，在晶片W的下面真空吸附以保持晶片，并且利用马达等驱动源61a使保持的晶片W旋转。
处理液供给机构62包括：用来供给清洗液的清洗液供给源62a；用来供给纯水的纯水供给源62b；将来自清洗液供给源62a的清洗液以及来自纯水供给源62b的纯水从上方向被旋转卡盘61保持的晶片W的上面(表面)喷出的上侧喷嘴62c；将来自清洗液供给源62a的清洗液以及来自纯水供给源62b的纯水从下方向被旋转卡盘61保持的晶片W的下面(背面)以及周边部喷出的下侧喷嘴62d；将来自清洗液供给源62a的清洗液以及来自纯水供给源62b的纯水向上侧喷嘴62c以及下侧喷嘴62d引导的导管62e；以及将被导管62e引导的液体按照清洗液与纯水进行切换并调整在导管62e中流通的清洗液或者纯水的流量的阀等流量调整机构62f。上侧喷嘴62c以通过其基端部与设置在腔60内的沿着Y方向延伸的导轨42e连接而能够沿着导轨42e向Y方向移动并且能够升降的方式设置。下侧喷嘴62d例如在旋转卡盘61的圆周方向上有间隔地设置有多个。下侧喷嘴62d例如按照朝向上方且向晶片W外侧倾斜的方式而设，喷出的清洗液等处理液从内侧下方到达晶片W的周边部。其中，符号63是用于使上侧喷嘴62c预先待机的待机部。
杯体64的上部开口，它以在保持有晶片W的旋转卡盘61下降时围绕晶片W的方式而设。另外，杯体64其上端部朝向上方且向内侧倾斜，从而能够接住从晶片W流下的或者被甩开的处理液，同时也能够直接接住从下侧喷嘴62d喷出的处理液。杯体64内的底壁上连接着用来回收接住的处理液的回收管64a，从杯体64中被回收管64a回收的处理液被再利用或者废弃。
其中，后清洗单元(POCLN)具有与前清洗单元(PRECLN)相同的构造。
在以上述方式构成的前清洗单元(PRECLN)中，首先，利用第一晶片搬送体21，将晶片W从搬入搬出口60a搬入到腔60内，之后，使旋转卡盘61上升并吸附晶片W，使晶片W保持在旋转卡盘61上。接着，利用挡板60c关闭搬入搬出口60a，同时，使旋转卡盘61下降以使晶片W被杯体64围绕。利用旋转卡盘61使晶片W旋转，并且利用处理液供给机构62向晶片W供给清洗液来清洗晶片W。这样，清洗液渗入晶片W，于是晶片W对高折射率液体的亲水性提高。接着，在停止通过处理液供给机构62供给清洗液的状态下，利用旋转卡盘61使晶片W旋转，使晶片W一定程度地干燥。当晶片W干燥到一定程度，停止旋转卡盘61的旋转之后，使旋转卡盘61上升，同时，利用挡板60d打开搬入搬出口60b。之后，晶片W被第二晶片搬送体22从搬入搬出口60b搬出至腔60外。
另一方面，在后清洗单元(POCLN)中，首先，利用第二晶片搬送体22，将晶片W从搬入搬出口60b搬入至腔60内，之后，使晶片W被旋转卡盘61保持，接着，在关闭搬入搬出口60b的同时，使旋转卡盘61下降。利用旋转卡盘61使晶片W旋转，并且利用处理液供给机构62向晶片W供给清洗液来清洗晶片W。在液浸曝光部30中进行液浸曝光时而附着在晶片W上的高折射率液体通过来自上侧喷嘴62c以及下侧喷嘴62d的清洗液的喷出压、与清洗液的粘附力以及旋转卡盘61的旋转产生的离心力而被除去。接着，利用旋转卡盘61使晶片W旋转，并利用处理液供给机构62向晶片W供给纯水来冲洗晶片W，而且，在停止通过处理液供给机构62供给纯水的状态下，利用旋转卡盘61使晶片W旋转而使晶片W干燥。当晶片W干燥，停止旋转卡盘61的旋转之后，使旋转卡盘61上升，同时，利用挡板60c打开搬入搬出口60a。之后，晶片W由第一晶片搬送体21从搬入搬出口60a被搬出腔60外。
前清洗单元(PRECLN)以及后清洗单元(POCLN)均利用旋转卡盘61水平保持晶片W并使其旋转，同时，利用处理液供给机构62的上侧喷嘴62c以及下侧喷嘴62d向晶片W的表面以及背面周边部喷出清洗液来清洗晶片W，因此，在前清洗单元(PRECLN)中，能够使清洗液大致均等地向晶片W的整个表面渗透，另外，在后清洗单元(POCLN)中，除了与清洗液的粘附力之外，还利用来自上侧喷嘴62c以及下侧喷嘴62d的清洗液的喷出压以及旋转卡盘61的旋转产生的离心力而能够有效地除去在液浸曝光部30中进行液浸曝光时附着在晶片W上的高折射率液体。因此，能够进一步确保防止晶片W发生处理不均等的处理不佳。
本发明并非局限于上述实施方式，它能够进行各种各样的变形。虽然在上述实施方式中，前清洗单元以及后清洗单元均使用具有在液浸曝光中所使用的高折射率液体的有效成分的液体作为清洗液来清洗基板，但也并不局限于此，也可以仅使前清洗单元以及后清洗单元中的任何一个使用具有高折射率的有效成分的液体作为清洗液而构成。

Claims (6)

1.一种图形形成方法，其特征在于：
其是在基板上形成规定抗蚀剂图形的图形形成方法，包括：
在基板上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜的工序；
使在基板上形成的抗蚀剂膜在浸渍在作为具有比水高的折射率的液体的高折射率液体中的状态下，液浸曝光成规定图形的工序；
对液浸曝光后的抗蚀剂膜进行显影的工序；和
在抗蚀剂膜形成后液浸曝光前、以及液浸曝光后显影前的至少一个时期，使用包含所述高折射率液体的有效成分的清洗液清洗基板的工序。
2.如权利要求1所述的图形形成方法，其特征在于：
作为所述清洗液使用所述高折射率液体。
3.如权利要求1或2所述的图形形成方法，其特征在于：
所述清洗工序通过一边使基板水平旋转一边向基板的主面供给所述清洗液来进行。
4.一种图形形成装置，其特征在于：
其是在基板上形成规定的抗蚀剂图形的图形形成装置，包括：
抗蚀剂涂敷、显影部，在基板上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜，在使该抗蚀剂膜在浸渍在作为具有比水高的折射率的液体的高折射率液体中的状态下，曝光成规定图形的液浸曝光后进行显影；和
清洗部，在抗蚀剂膜形成后液浸曝光前、以及液浸曝光后显影前的至少一个时期，使用包含所述高折射率液体的有效成分的清洗液清洗基板。
5.如权利要求4所述的图形形成装置，其特征在于：
所述清洗部包括水平保持基板并使其旋转的旋转卡盘和向被所述旋转卡盘保持的基板的主面供给所述清洗液的清洗液供给机构，
通过所述旋转卡盘使基板旋转，并通过所述清洗液供给机构供给所述清洗液清洗基板。
6.一种计算机能够读取的存储介质，其特征在于：
其是存储有在计算机上运行的控制程序的计算机能够读取的存储介质，
所述控制程序在运行时使计算机控制处理装置，以实施权利要求1至3中任一项所述的图形形成方法。
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