TWI436403B - A cleaning method, a substrate processing method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method - Google Patents

A cleaning method, a substrate processing method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method Download PDF

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Description

洗淨方法、基板處理方法、曝光裝置、以及元件製造方法
本發明，係關於洗淨方法及包含使基板曝光之步驟的基板處理方法、曝光裝置、以及元件製造方法。
為半導體元件或液晶顯示元件等之微元件製程之一的微影步驟中，係使用將形成於光罩上之圖案投影曝光至感光性基板上的曝光裝置。該曝光裝置，具有用以支撐光罩之光罩載台與用以支撐基板之基板載台，係一邊逐次移動光罩載台及基板載台一邊透過投影光學系統將光罩圖案投影曝光至基板者。微元件之製造中，為達到元件之高密度化，而要求形成於基板上之圖案的微細化。為回應上述要求而希望曝光裝置具有更高之解析度，作為用以實現其高解析度之機構之一，係有一種如下述專利文獻1所揭示之提案，其係在將折射率較氣體高之液體充滿於投影光學系統與基板間之狀態下進行曝光處理的液浸曝光裝置。
【專利文獻1】國際公開第99/49504號公報
當液體殘留於基板上而汽化時，即有可能在基板上形成附著痕(所謂水痕)。由於附著痕會產生異物之作用，因此當在基板上形成有附著痕之狀態下，對該基板施以包含顯影處理等各種製程處理時，即會產生圖案缺陷等不良狀況。又，當在基板上形成有附著痕之狀態下將基板搬出時，即可能使用以搬送基板之搬送系統受到污染、或使收容基板之載具受到污染等。
本發明有鑑於上述情形，其目的係提供基板處理方法、曝光裝置、以及使用該曝光裝置之元件製造方法，其可抑制附著於基板上之異物(液體的附著痕等)所導致之不良狀況產生。
為解決上述問題，本發明採用了對應實施形態所示之圖1~圖19的下述構成。不過，付加於各要素之包含括弧的符號僅係該要素之例示，而並非限定各要素。
根據本發明之第1態樣，係提供一種基板處理方法，其具備：曝光步驟，係將第1液體之液浸區域形成於基板上，並透過該第1液體將曝光用光照射於該基板，以使該基板曝光；以及浸漬步驟，係在該曝光步驟之前，將該基板浸漬於第2液體。
根據本發明之第1態樣，藉由在透過第1液體將曝光用光照射於基板上前(在曝光步驟之前步驟中進行)將基板浸漬於第2液體，而可抑制在基板上形成附著痕之不良狀況產生。此外，在浸漬步驟中將基板浸漬於第2液體之動作，係與在曝光步驟中為進行液浸曝光而使基板接觸於第1液體之動作相異。
根據本發明之第2態樣，係提供基板處理方法，其具備：曝光步驟，係透過第1液體將曝光用光照射於基板，以使基板曝光；以及洗淨步驟，係以第2液體洗淨與第1液體接觸後之基板，以減小或除去因從基板溶解至第1液體中之溶解物所造成之附著於基板上的異物。
根據本發明之第2態樣，藉由以第2液體洗淨與第1液體接觸後之基板，而能減小或除去因從基板溶解至第1液體中之溶解物所造成之附著於基板上的異物(液體之附著痕等)。據此，可抑制因上述異物所導致之不良狀況。
根據本發明之第3態樣，係提供基板處理方法，其包含：將基板保持於保持具：曝光步驟，係透過第1液體將曝光用光照射於基板，以使該基板曝光；以及洗淨步驟，係將該已曝光之基板保持於保持具之狀態下，以第2液體來予以洗淨。
根據本發明之第3態樣，係將與第1液體接觸後之基板保持於基板保持具之狀態下以第2液體來予以洗淨，藉此可減小或除去附著於基板上之異物。據此，可抑制因上述異物所導致之不良狀況。
根據本發明之第4態樣，係提供元件製造方法，其包含：第1態樣之基板處理方法、在該曝光步驟後使基板顯影之步驟、以及對該已顯影之基板進行加工之步驟。
根據本發明之第5態樣，係提供元件製造方法，其包含：第2或第3態樣之基板處理方法、在後烘烤步驟之後使基板顯影之步驟、以及對該已顯影之基板進行加工之步驟。
根據照本發明之第4及第5態樣之元件製造方法，由於可在抑制因異物(液體的附著痕等)造成之不良狀況產生的情況下處理基板，因此可製造具有所欲性能之元件。
根據本發明之第6態樣，係提供曝光裝置，其係將第1液體之液浸區域形成於基板上，再透過該第1液體將曝光用光照射於該基板上，以使該基板曝光；其具備：基板保持具，係保持基板；以及浸漬裝置，係在透過第1液體來使基板曝光前將基板浸漬於第2液體。
根據本發明之第6態樣，藉由在透過第1液體將曝光用光照射於基板上來加以曝光之前，以浸漬裝置將基板浸漬於第2液體，藉此可抑制因附著於基板上之異物(液體的附著痕等)所導致之不良狀況產生。
根據本發明之第7態樣，係提供曝光裝置，係將第1液體之液浸區域形成於基板上，再透過第1液體將曝光用光照射於基板上，以使基板曝光；其特徵在於：具備洗淨裝置，其係以第2液體洗淨與第1液體接觸後之基板，以減小或除去因從基板溶解至第1液體中之溶解物所造成之附著於基板上的異物。
根據本發明之第7態樣，藉由洗淨裝置以第2液體洗淨與第1液體接觸後之基板，而能減小或除去因從基板溶解至第1液體中之溶解物所造成之附著於基板上的異物(液體之附著痕等)。據此，可抑制因上述異物所導致之不良狀況。
根據本發明之第8態樣，係提供使用上述態樣之曝光裝置的元件製造方法。
根據本發明之第8態樣，由於可在抑制因附著於基板之異物(液體的附著痕等)造成之不良狀況產生的情況下處理基板，因此可製造具有所欲性能之元件。
根據本發明，係可良好地對基板施以既定處理，而能製造具有所欲性能之元件。
以下，參照圖式說明本發明之實施形態，但本發明並不侷限於此。
<第1實施形態>
圖1，係顯示具備第1實施形態之曝光裝置之元件製造系統一實施形態的圖。圖1中，元件製造系統SYS，具備：曝光裝置EX－SYS、塗布/顯影裝置C/D－SYS、以及用以搬送基板P之搬送系統H。曝光裝置EX－SYS，具備：介面部IF，係形成與塗布/顯影裝置C/D－SYS間之連接部；曝光裝置本體EX，係於基板P上形成第1液體LQ1之液浸區域LR，再透過第1液體LQ1將曝光用光EL照射於基板P上以使基板P曝光；以及控制裝置CONT，係統籌控制曝光裝置EX－SYS整體之動作。塗布/顯影裝置C/D－SYS具備塗布/顯影裝置本體C/D，該塗布/顯影裝置本體C/D包含：塗布裝置(未圖示)，係對曝光處理前之基板P之基材塗布感光材(光阻)；以及顯影裝置(未圖示)，係對在曝光裝置本體EX已進行曝光處理之基板P施以顯影處理。曝光裝置本體EX，係配置於潔淨度受到管理之第1處理室裝置CH1內部。另一方面，包含塗布裝置及顯影裝置之塗布顯影裝置本體C/D，係與第1處理室裝置CH1分開配置於第2處理室裝置CH2內部。又，用以收容曝光裝置本體EX之第1處理室裝置CH1、以及用以收容塗布/顯影裝置本體C/D之第2處理室裝置CH2，係透過介面部IF而連接。
搬送系統H，具備將基板P搬送於介面部IF與曝光裝置本體EX間之第1搬送系統H1、以及將基板P搬送於介面部IF與塗布/顯影裝置本體C/D之間的第2搬送系統H2。第1搬送系統H1係構成曝光裝置EX－SYS之一部分，第2搬送系統H2則構成塗布/顯影裝置C/D－SYS的一部分。第1搬送系統H1設於第1處理室裝置CH1內部，第2搬送系統則設於第2處理室裝置CH2內部。
在搬送系統H的搬送路徑途中，設有將基板P浸漬於第2液體LQ2之浸漬裝置30以及對基板P進行調溫之調溫機構40。本實施形態中，浸漬裝置30及調溫機構40係設於塗布/顯影裝置C/D－SYS。浸漬裝置30及調溫裝置40係設於第2處理室裝置CH2內部之第2搬送系統H2的搬送路徑途中。
第1搬送系統H1，具有將曝光處理前之基板P搬入(裝載)於曝光裝置本體EX的基板載台PST、且將曝光處理後之基板P從曝光裝置本體EX之基板載台PST搬出(卸載)的功能。藉由塗布/顯影裝置本體C/D之塗布裝置而施有感光材塗布處理之基板P，在經由浸漬裝置30及調溫機構40施以既定處理後，即透過介面部IF從第2搬送系統H2移交至第1搬送系統H1。此處，在第1、第2處理室裝置CH1、CH2各與介面部IF對向部分，設有開口及用以用以開關該開口之擋門。在將基板P搬送至介面部IF之搬送動作中，擋門係開放。第1搬送系統H1，將曝光處理前之基板P裝載於曝光裝置本體EX的基板載台PST。經曝光處理後之基板P，藉由第1搬送系統H1來從基板載台PST卸載。第1搬送系統H1，將卸載之基板P透過介面部IF移交至塗布/顯影裝置C/D－SYS的第2搬送系統H2。第2搬送系統H2即將曝光處理後之基板P搬送至塗布/顯影裝置本體C/D的顯影裝置內。塗布/顯影裝置本體C/D的顯影裝置，即對移交之基板P施以顯影處理。
接著，參照圖2說明曝光裝置本體EX。圖2係顯示曝光裝置本體EX之概略構成圖。圖2中，曝光裝置本體EX，具備：光罩載台MST，係可保持光罩M來移動；基板載台PST，具有用以保持基板P之基板保持具PH，能使保持基板P之基板保持具PH移動；照明光學系統IL，係以曝光用光EL照明保持於光罩載台PST之光罩M；以及投影光學系統PL，係將曝光用光EL所照明之光罩M之圖案像投影於基板P上。
本實施形態之曝光裝置本體EX係一適用液浸法的液浸曝光裝置，其用以在實質上縮短曝光波長來提高解析度且在實質上放大焦深，其具備液浸機構100，係以第1液體LQ1充滿投影光學系統PL之像面側中曝光用光EL的光路空間。液浸機構100，具備：嘴構件70，係設於投影光學系統PL之像面側附近，具有用以供應第1液體LQ1之供應口12及用以回收第1液體LQ1之回收口22；液體供應機構10，係透過設於嘴構件70之供應口12，將第1液體LQ1供應至投影光學系統PL的像面側；以及液體回收機構20，係透過設於嘴構件70之回收口22來回收投影光學系統PL之像面側的第1液體LQ1。嘴構件70，係以包圍第1光學元件LS1之方式形成為環狀，該第1光學元件LS1，係在基板P(基板載台PST)上方，位於構成投影光學系統PL之複數個光學元件中最接近光學系統PL之像面的位置。
曝光裝置EX，係採用一種局部液浸方式，其至少在將光罩M之圖案像投影於基板P上的期間，在包含投影光學系統PL之投影區域AR1(藉由液體供應機構10供應之液體LQ所形成)的基板P上一部分，局部地形成較投影區域AR1大且較基板P小之第1液浸區域LR。具體而言，曝光裝置EX，係在最接近投影光學系統PL之像面之第1光學元件LS1的下面LSA與配置於投影光學系統PL像面側之基板P上面間充滿第1液體LQ1，藉由使曝光用光EL透過此投影光學系統PL與基板P間之液體LQ及投影光學系統PL、並通過光罩M而照射於基板P，來將光罩M之圖案投影曝光於基板P。控制裝置CONT，係使用液體供應機構10供應既定量之第1液體LQ1至基板P上，且使用液體回收機構20將基板P上之第1液體LQ1回收既定量，藉此在基板P上形成第1液體LQ1之液浸區域LR。
本實施形態係以使用掃描型曝光裝置(即掃描步進機)作為曝光裝置EX之情形為例來說明，該掃描型曝光裝置，係一邊使光罩M與基板P往掃描方向之彼此互異的方向(反方向)同步移動，一邊將形成於光罩M之圖案曝光於基板P。以下說明中，將在水平面內光罩M與基板P同步移動之方向(掃描方向)設為X軸方向、將在水平面內與X軸方向正交之方向設為Y軸方向(非掃描方向)、將垂直於X軸及Y軸方向且與投影光學系統PL之光軸AX一致的方向設為Z軸方向。又，將繞X軸、Y軸、及Z軸周圍之旋轉(傾斜)方向分別設為θ X、θ Y、以及θ Z方向。此外，此處所指之「基板」，包含在半導體晶圓等之基材上已塗布感光材(光阻)者；「光罩」包含已形成欲縮小投影於基板上之元件圖案的標線片。
照明光學系統IL，具有：曝光用光源、使曝光用光源所射出之光束的照度均一化的光學積分器、使來自光學積分器之曝光用光EL聚光的聚光透鏡、中繼透鏡系統、以及用以設定以曝光用光EL形成之光罩M上之照明區域的視野光閘等。光罩M上之既定照明區域，係藉由照明光學系統IL以均一照度分佈的曝光用光EL來照明。作為從照明光學系統IL射出之曝光用光EL，例如可使用從水銀燈射出之亮線(g線、b線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)、或ArF準分子雷射光(波長193nm)及F2 雷射光(波長157nm)等真空紫外光(VUV光)等。本實施形態係使用ArF準分子雷射光。
本實施形態，係使用純水來作為形成液浸區域LR之第1液體LQ1。純水不但能使ArF準分子雷射光透射，例如亦能使水銀燈所射出之亮線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)透射。
光罩載台MST係能保持光罩M來移動。光罩載台MST，係藉由真空吸附(或靜電吸附)來保持光罩M。光罩載台MST，藉由包含線性馬達(由控制裝置CONT控制)等之光罩載台驅動機構MSTD的驅動，而能在保持光罩M之狀態下，在與投影光學系統PL之光軸AX呈垂直的平面內、亦即XY平面內二維移動，且能微幅旋轉於θ Z方向。於光罩載台MST上固設有在光罩載台MST上與光罩載台MST一起移動之移動鏡91。又，在與移動鏡91對向之位置設有雷射干涉儀92。光罩載台MST上之光罩M之二維方向位置及θ Z方向之旋轉角(視情況不同有時亦包含θ X、θ Y方向之旋轉角)，係藉由雷射干涉儀92以即時方式測量。雷射干涉儀92之測量結果輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT，根據雷射干涉儀92之測量結果驅動光罩載台驅動裝置MSTD，藉此來進行保持於光罩載台MST之光罩M的位置控制。
投影光學系統PL，係以既定之投影倍率β將光罩M之圖案像投影於基板P。投影光學系統PL包含複數個光學元件，該等光學元件係以鏡筒PK支撐。本實施形態中，投影光學系統PL，係投影倍率β例如為1/4、1/5、或1/8之縮小系統。此外，投影光學系統PL亦可為等倍系統及放大系統之任一者。又，本實施形態中，構成投影光學系統PL之複數個光學元件中、最接近投影光學系統PL之像面側的第1光學元件LS1係從鏡筒PK露出。
基板載台PST具有保持基板P之基板保持具PH，係能在投影光學系統PL之像面側之底座構件BP上移動。基板保持具PH，例如藉由真空吸附等來保持基板P。於基板載台PST上設有凹部96，用以保持基板P之基板保持具PH即配置於凹部96。又，基板載台PST中凹部96以外之上面97，係和保持於基板保持具PH之基板P上面大致相同高度(同一面高)的平坦面(平坦部)。
基板載台PST，藉由控制裝置CONT所控制之包含線性馬達等的基板載台驅動裝置PSTD之驅動，而能在透過基板保持具PH保持基板P之狀態下，在底座構件BP上之XY平面內進行2維移動及微幅旋轉於θ Z方向。進一步地，基板載台PST亦可移動於Z軸方向、θ X方向、以及θ Y方向。據此，支撐於基板載台PST之基板P的上面，即可在X軸、Y軸、Z軸、θ X、θ Y、及θ Z方向之六個自由度方向進行移動。於基板載台PST側面固設有可與基板載台PST一起移動之移動鏡93。又，在與移動鏡93對向之位置設有雷射干涉儀94。基板載台PST上之基板P的二維方向位置及旋轉角，係藉由雷射干涉儀94以即時方式測量。又，曝光裝置EX具備例如日本特開平8－37149號公報所揭示之斜入射方式的焦點/調平檢測系統(未圖示)，其用以檢側支撐於基板PST之基板P上面的面位置資訊。焦點/調平檢測系統，係檢測基板P上面之面位置資訊(Z軸方向之位置資訊、以及基板P之θ X及θ Y方向的傾斜資訊)。此外，焦點/調平檢測系統係採用使用靜電容型方式者。雷射干涉儀94之測量結果輸出至控制裝置CONT。焦點/調平檢測系統之檢測結果亦輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT，根據焦點/調平檢測系統之檢測結果來驅動基板載台驅動裝置PSTD，藉由控制基板P之焦點位置(Z位置)及傾斜角(θ X、θ Y)來使基板P上面與投影光學系統PL之像面一致，且根據雷射干涉儀94之測量結果，進行基板P之X軸方向、Y軸方向、及Z軸方向的位置控制。
其次，說明液浸機構100之液體供應機構10及液體回收機構20。液體供應機構10，係用以將第1液體LQ1供應至投影光學系統PL之像面側。液體供應機構10，具備能送出第1液體LQ1之液體供應部11、以及其一端部連接於液體供應部11之供應管13。供應管13之另一端部連接於嘴構件70。於嘴構件70內部形成有用以連接供應管13之另一端部與供應口12的內部流路(供應流路)。液體供應部11，具備用以收容第1液體LQ1之槽、加壓泵、以及用以去除第1液體LQ1中之異物的過濾單元等。液體供應部11之液體供應動作係由控制裝置CONT所控制。此外，液體供應機構10之槽、加壓泵、過濾單元等，並不須全部由曝光裝置EX來具備，亦可使用設有曝光裝置EX之工廠等的設備來代用。
液體回收機構20，係用以回收投影光學系統PL之像面側的第1液體LQ1。液體回收機構20，具備能回收第1液體LQ1之液體回收部21、以及其一端部連接於液體回收部21之回收管23。回收管23之另一端部連接於嘴構件70。於嘴構件70內部形成有用以連接回收管23之另一端部與回收口22的內部流路(回收流路)。液體回收部21，例如具備：真空泵等真空系統(吸引裝置)、將所回收之第1液體LQ1與氣體分離的氣液分離器、以及用以收容所回收之第1液體LQ1的槽等。此外，液體回收機構20之真空系統、氣液分離器、槽等，並不須全部由曝光裝置EX來具備，亦可使用設有曝光裝置EX之工廠等的設備來替代。
用以供應第1液體LQ1之供應口12及用以回收第1液體LQ1之回收口22，係形成於嘴構件70之下面70A。嘴構件70之下面70A，係設於與基板P上面及基板載台PST上面97相對向的位置。嘴構件70，係一設置成包圍光學元件LS1側面之環狀構件，供應口12，係在嘴構件70之下面70A中、以包圍投影光學系統PL之第1光學元件LS1(投影光學系統PL之光軸AX)的方式設置有複數個。又，回收口22，係在嘴構件70之下面70A中、設置於相對第1光學元件LS1較供應口12更偏外側之處，並設置成包圍第1光學元件LS1及供應口12。
又，控制裝置CONT，係使用液體供應機構10將既定量液體LQ供應至基板P上，且使用液體回收機構20將基板P上之液體LQ回收既定量，藉此將第1液體LQ1之液浸區域LR局部地形成於基板P上。在形成第1液體LQ1之液浸區域LR時，控制裝置CONT，即分別驅動液體供應部11及液體回收部21。當藉由控制裝置CONT之控制將第1液體LQ1從液體供應部11送出時，該從液體供應部11送出之第1液體LQ1，即在流過供應管13後，透過嘴構件70之供應流路從供應口12供應至投影光學系統PL的像面側。又，當藉由控制裝置CONT驅動液體回收部21時，投影光學系統PL之像面側的第1液體LQ1，即透過回收口22流入嘴構件70之回收流路，而在流過回收管23後回收至液體回收部21。
其次，參照圖3之流程圖說明具備上述曝光裝置本體EX之元件製造系統SYS的動作。
首先，在塗布/顯影裝置本體C/D之塗布裝置，進行對包含矽晶圓(半導體晶圓)之基材施以塗布感光材之塗布處理(步驟S1)。塗布處理，例如係藉由旋轉塗布法等既定塗布方法將感光材塗布於基材上。此外，在將感光材塗布於基材上前，係對該基材進行既定之前處理。前處理可舉例有用以除去基材上之異物的洗淨處理、使洗淨後之基材乾燥之乾燥處理、或用以使基材與感光材之緊貼性提高的表面改質處理等。表面改質處理，例如有在基材上塗布六甲基二矽氮烷(HMDS)等之處理等。又，作為前處理，亦可於基材上(感光材的下層)被覆反射防止膜((bottom ARC(Anti－Reflective Coating))。
圖4，係顯示已在塗布/顯影裝置本體C/D進行塗布處理後之基板P的圖。圖4中，基板P具有基材1與被覆於該基材1之上面1A一部分的感光材2。如上所述，基材1包含例如矽晶圓。感光材2係以既定之厚度(例如200nm左右)，被覆於幾乎佔盡基材1之上面1A的中央部位區域。另一方面，於基材1之上面1A的周緣部1As並未被覆感光材2，在該上面1A之周緣部1As露出基材1。又，於基材1之側面1C或下面(背面)1B亦未被覆有感光材2。本實施形態中，係使用化學增強型光阻來作為感光材2。
在以旋轉塗布法等既定塗布方法來將感光材2設於基材1上時，於基板1周緣部亦塗布有感光材2。該部分係接觸於用以搬送基板P之搬送系統的搬送臂、或接觸於預先保管基板P之載具的搭架(基板支撐部)。經由該種機械方式之接觸，有可能會使基材1之周緣部的感光材2剝離。當感光材2剝離時，不僅會成為異物而污染搬送臂或載具，且該污染物亦有可能與潔淨之基板P再度接觸而造成污染程度擴大。又，有時亦有感光材2在基材1周緣部設置較中央部多量而產生隆起的現象。該基材1之周緣部的感光材2容易剝離，剝離後的感光材2會成為異物，而當該異物附著於基板P上時即會影響圖案轉印精度。因此，在以既定塗布方法將感光材2設於基材1上後、進行曝光處理之前，係使用例如溶劑來除去周緣部1As之感光材2(所謂邊緣洗淨,edge rinse)。藉此，除去在基材1(基板P)周緣部之感光材2，而如圖4所示，基材1即在該周緣部1As露出。
在對基材1施以感光材2之塗布處理後，對基板P進行熱處理(預烘烤)(步驟S2)。藉由預烘烤來使殘存於感光材2中的溶劑揮發。
其次，進行將基板P浸漬於第2液體LQ2之浸漬處理(步驟S3)。浸漬處理係藉由設於塗布/顯影裝置C/D－SYS之浸漬裝置30來進行。浸漬裝置30根據與基板P相關之資訊，以預先決定之既定浸漬條件來將基板P浸漬於第2液體LQ2。
圖5係顯示浸漬裝置30之圖。圖5中，浸漬裝置30，具備：保持具31，供保持基板P下面(基材1的下面1B)之中央部位；軸33，係連接於保持具31；旋轉機構32，係透過軸33來使保持基板P之保持具31旋轉；環狀構件34，係設置成包圍保持於保持具31之基板P周圍，以防止液體飛散；以及液體供應部36，係透過供應構件35之供應口35A將第2液體LQ2供應至基板P上。於保持具31，藉由第2搬送系統H2而裝載有已施以預烘烤之基板P。於保持具31上面設有構成真空裝置一部分之真空吸附孔，保持具31以吸附方式來保持基板P之下面中央部。旋轉機構32包含馬達等之致動器，藉由旋轉連接於保持具31之軸33，即可旋轉保持在保持具31之基板P。旋轉機構32，係於每一單位時間以既定轉數將保持基板P之保持具31旋轉於圖中的θ Z方向。供應構件35，係配置於保持在保持具31之基板P的上方，其具有用以供應第2液體LQ2之供應口35A。從液體供應部36送出之第2液體LQ2，係透過供應構件35之供應口35A從基板P上方供應至基板P上面。又，供應構件35，藉由未圖示之驅動機構，可移動於X軸、Y軸、Z軸、θ X、θ Y、θ Z方向。亦即，亦即，供應構件35，能相對保持在保持具31之基板P來進行移動。浸漬裝置30，藉由使供應構件35相對基板P移動，而能以第2液體LQ2浸漬基板P之表面整體。又，浸漬裝置30，藉由使供應構件35相對基板P來進行移動，而可調整第2液體LQ2供應至基板P之供應方向，或調整供應口35A與基板P之距離等。又，液體供應部36能以連續方式或間歇方式透過供應構件35之供應口35A將第2液體LQ2供應至基板P上。又，液體供應部36可調整所供應之第2液體LQ2的溫度、或每單位時間所供應之第2液體LQ2的量(包含流量、流速)等。此外，供應構件35與基板P之相對移動，並不侷限於供應構件35的移動，亦可使基板P移動，或使上述兩方均移動。
浸漬裝置30，係對保持於保持具31之基板P從供應構件35的供應口35A供應第2液體LQ2，以將基板P浸漬於第2液體LQ2。被覆於基板P中基材1之上面1A的感光材2，藉由供應構件35所供應之第2液體LQ2來充份地浸漬。
本實施形態中，浸漬裝置30，係藉由旋轉機構32來將保持於保持具31之基板P旋轉於圖中的θ Z方向，並一邊使供應構件35在X軸方向相對基板P(保持於保持具31)進行移動，一邊利用供應構件35來連續供應第2液體LQ2。藉此，能對基板P上面之大致全面供應第2液體LQ2。據此，浸漬裝置30，能使感光材2之大致全面浸漬於第2液體LQ2。又，由於在保持於保持具31之基板P周圍設有環狀構件34，因此藉由環狀構件34，可防止因基板P之旋轉所造成之第2液體LQ2的飛散。
本實施形態中，用於浸漬處理的第2液體LQ2，係與為了進行液浸曝光處理而用以在基板P上形成液浸區域LR的第1液體LQ1相同。亦即，本實施形態中的第2液體LQ2，與第1液體LQ1同樣地具有既定純度(潔淨度)且管理成既定溫度之純水。當然，只要係能預先溶解將基板P浸於第1液體LQ1時所溶解出之物質者，則第2液體LQ2亦可與第1液體LQ1相異。例如，可使用臭氧水來作為第2液體LQ2。
圖6，係顯示將基板P之感光材2浸漬於第2液體LQ2之狀態的示意圖。如上所述，本實施形態之感光材2係化學增強型光阻，該化學增強型光阻，包含：底座樹脂、底座樹脂中所包含之光酸產生劑(PAG：photo Acid Generator)、以及稱為抑制劑(Quencher)之胺系物質。當此種感光材2與液體接觸時，感光材2中之一部分成分、具體而言係PAG或胺系物質等即會溶解至液體中。以下說明中，將感光材2所含之物質中有可能會溶解至液體(LQ1,LQ2)中之物質(PAG或胺系物質等)適當稱為「既定物質」。
圖6中，係將感光材2浸漬於第2液體LQ2，從感光材2中溶解出PAG或胺系物質等既定物質至第2液體LQ2。當感光材2上面與第2液體LQ2接觸時，存在於距感光材2上面既定厚度(例如5~10 nm左右)之第1區域2U的既定物質(PAG或胺系物質等)，雖然會溶解至第2液體LQ2中，但存在於其下層之第2區域2S的既定物質，則幾乎不會溶解至第2液體LQ2中。又，從感光材2上面與第2液體LQ2開始接觸起經過既定時間(例如數秒~數十秒左右)後，從第1區域2U溶解至第2液體LQ2之既定物質即幾乎不存在。亦即，從感光材2上面與第2液體LQ2開始接觸起經過既定時間後，存在於感光材2之第1區域2U的既定物質，即大致溶解殆盡，而從感光材2大致不會溶解出既定物質至第2液體LQ2中。又，該既定時間係視感光材2而改變。
因此，如後述般，即將第1液體LQ1之液浸區域LR形成於以第2液體LQ2施以既定時間浸漬處理後之基板P(感光材2)上，亦幾乎不會從基板P(感光材2)溶解出既定物質至第1液體LQ1中。
對基板P進行浸漬處理之後，即對基板P上之第2液體LQ2施以除去處理(步驟S4)。在進行第2液體LQ2之除去處理時，浸漬裝置30係停止液體供應部36所進行之第2液體LQ2的供應，或一邊逐漸減少供應量一邊以旋轉機構32來使保持基板P之保持具31旋轉。浸漬裝置30，藉由使用旋轉機構32以每單位時間既定轉數來旋轉基板P，而利用離心力之作用使附著於基板P的第2液體LQ2從基板P飛散來加以除去。亦即，本實施形態中，浸漬裝置30，亦具備用以除去第2液體LQ2之液體除去機構的功能。
步驟S3中，用以進行基板P之浸漬處理的浸漬條件，係根據與基板P相關之資訊來設定。浸漬條件中，包含將基板P浸漬於第2液體LQ2之浸漬時間，亦即從在步驟S3中使第2液體LQ2接觸於基板P起直到在步驟S4中從基板P上除去第2液體LQ2為止的時間。又，與基板P相關之資訊係包含感光材2之資訊。感光材2之資訊中，包含與形成感光材2之形成材料相關之資訊、或感光材2之部分既定物質溶解至第2液體LQ2中的溶解時間。此外，形成感光材2的形成材料，包含上述底座樹脂、PAG、胺系物質等之材料。從感光材2與第2液體LQ2開始接觸起到所有既定物質從感光材2(感光材2的第1區域2U)大致溶解出為止的時間(溶解時間)，係根據感光材2形成材料之物性、或PAG等既定物質之含量等而改變。又，從感光材2與第2液體LQ2開始接觸起直到既定物質開始溶解為止之時間(溶解時間)，亦隨著感光材2而改變。據此，根據與包含感光材2資訊之基板P相關的資訊，來將包含浸漬時間之浸漬條件設定為最佳，藉此即可從感光材2(第1區域2U)將上述既定物質大致全部溶解至第2液體LQ2中。
又，浸漬條件亦包含第2液體LQ2之除去條件。第2液體LQ2之除去條件，例如有以旋轉機構32進行之基板P之每單中時間的轉數(旋轉速度)、旋轉加速度、以及執行基板P之旋轉的時間(旋轉時間)等。或者，作為第2液體LQ2之除去條件，亦可舉出旋轉機構32之旋轉速度檔案或旋轉加速度檔案等。根據第2液體LQ2之除去條件之不同，第2液體LQ2與基板P接觸的時間(亦即浸漬時間)或基板P上之第2液體LQ2的動作(移動速度等)亦隨之改變。因此，根據與基板P相關之資訊來將第2液體LQ2之除去條件設定為最佳，藉此即可從感光材2(第1區域2U)使上述既定物質大致全部溶解至第2液體LQ2中。
又，亦可將所供應之第2液體LQ2的溫度作為浸漬條件。又，如本實施形態所述般，當從供應構件35之供應口35A將第2液體LQ2供應至基板P時，浸漬條件，亦可舉出所供應之第2液體LQ2之每單位時間的量(包含流量、流速)、供應第2液體LQ2時之供應壓力、以及使第2液體LQ2流動於基板P之方向。
又，將基板P浸漬於液體(LQ1,LQ2)時，不侷限於感光材2所包含之既定物質，隨著構成基材1之物質的不同，其一部分亦有溶解至液體中的可能性。因此，浸漬裝置30，亦可將基材1浸於液體(LQ1,LQ2)之可能性、或基板1之形成材料(物質)的資訊作為與基板P相關之資訊。
此外，此處之浸漬裝置30，雖係一邊旋轉基板P一邊將第2液體LQ2供應至基板P上，但只要能將基板P(感光材2)浸漬於第2液體LQ2，則可採用任意之構成。例如，亦可先在液體槽充滿第2液體LQ2，再將基板P浸漬於該液體槽中之第2液體LQ2。又，亦能以噴吹之方式將第2液體LQ2供應至基板P，以使基板P浸漬於第2液體LQ2。將第2液體LQ2噴吹於基板P時，可將第2液體LQ2噴吹時之壓力作為浸漬條件，該浸漬條件同樣係根據與基板P相關之資訊來設定。
又，如圖7所示，作為用以除去基板P上之第2液體LQ2之液體除去機構39，亦可係將具有吹出口37A,38A(用以吹出氣體)之吹出構件37,38分別配置於基板P之上面側及下面側的構成。液體除去機構39，藉由從吹出構件37,38吹出之氣體之力將附著於基板P的第2液體LQ2除去。在使用液體除去機構39來除去第2液體LQ2時，從吹出口37A,38A吹出之氣體之壓力、或每單位時間之氣體供應量(流速)等，亦可作為浸漬條件(除去條件)。
從基板P上除去第2液體LQ2後，藉由調溫機構40進行基板P之調溫(步驟S5)。在使用液體除去機構39來除去殘留於基板P上之第2液體LQ2時，可能會因第2液體LQ2的汽化熱造成基板P的溫度改變，而成為與所欲溫度不同之溫度。因此，調溫機構40係進行基板P的調溫，以補償在除去第2液體LQ2時之汽化熱所造成之基板P的溫度變化。此外，基板P之溫度調整，係以與基板保持具PH之溫度及/或第1液體LQ之溫度大致相同的方式來進行。藉由將基板P之溫度調整成與基板保持具PH大致相同溫度，而能抑制在將基板P裝載於基板保持具PH時因基板P之溫度變化造成之基板P的伸縮。又，藉由以與第1液體LQ1大致相同溫度之方式來進行基板P的調溫，即能抑制在將第1液體LQ1之液浸區域LR形成於基板P上時第1液體LQ1之溫度變化或基板P之溫度變化所造成的基板P之伸縮。
圖8係顯示調溫機構40之圖。圖8中，調溫機構40，具備：保持具41，係保持基板P；調溫器42，係設於保持具41內部，包含加熱裝置及冷卻裝置；溫度感測器43，係測量保持於保持具41之基板P的溫度；以及溫度控制裝置44，係根據溫度感測器43之測量結果，透過調溫器42來對保持基板P之保持具41進行調溫。於保持具41，藉由第2搬送系統H2來裝載已施有浸漬處理之基板P。調溫機構40之溫度控制裝置44，係在將基板P保持於保持具41之狀態下，根據溫度感測器43之測量結果，透過調溫器42來進行保持具41的調溫，藉此將保持於該保持具41之基板P調整成所欲溫度。
此外，亦可如圖9所示，作為調溫機構40’，亦可係具備可收容基板P之收容室45與進行收容室45內部之調溫之調溫器46的構成。又，將基板P配置於已調整成所欲溫度之收容室45內部。如此，即可將基板P配置於已調整成所欲溫度之氣體環境中。或者，亦可藉由從圖7所示之吹出構件37,38將已調整成既定溫度之氣體吹於基板P，以進行基板P之調溫。
此外，亦可使參照圖5所說明之浸漬裝置30的保持具31具有可對所保持之基板P進行調溫的調溫功能。又，亦可在除去基板P上之第2液體LQ2後，使用浸漬裝置30之保持具31來進行基板P的調溫。或者，亦可考量除去第2液體LQ2時之汽化熱所造成之基板P的溫度變化，而在除去第2液體LQ2之前，使用浸漬裝置30之保持具31來進行基板P的調溫。此時，於浸漬裝置30預先儲存有與第2液體LQ2相關之資訊(包含所使用之第2液體LQ2之物性及除去條件等)、以及除去該第2液體LQ2時之汽化熱所造成之基板P的溫度變化間的關係。前述關係，例如可藉由實驗或模擬方式來預先求出。浸漬裝置30，可根據前述所儲存之關係與執行第2液體LQ2之除去處理時的除去條件，來預測因除去第2液體LQ2時之汽化熱所造成之基板P的溫度變化。又，浸漬裝置30，可根據所預測之結果，在從基板P上除去第2液體LQ2前進行基板P之調溫，來將除去第2液體LQ2後之基板P溫度成為所欲值。例如，浸漬裝置30，可考量因在除去第2液體LQ2時之汽化熱所造成之基板P的溫度下降，將基板P之溫度設定成較所欲值高。當然，亦可在裝載於浸漬裝置30之保持具31前進行基板P之調溫，以補償因以浸漬裝置30除去第2液體LQ2時之汽化熱所造成之基板P的溫度變化。
在進行基板P之調溫後，第2搬送系統H2即從調溫機構40搬出基板P，透過介面部IF移交至曝光裝置EX－SYS的第1搬送系統H1。第1搬送系統H1，即將基板P搬送(裝載)至曝光裝置本體EX的基板保持具PH(步驟S6)。
曝光裝置EX－SYS的控制裝置CONT，係使用液浸機構100來將第1液體LQ1之液浸區域LR形成於呈保持於基板保持具PH之狀態的基板P上。又，控制裝置CONT係透過第1液體LQ1將曝光用光EL照射於呈保持於基板保持具PH之狀態的基板P上，藉此進行基板P的液浸曝光(步驟S7)。
圖10，係顯示對基板載台PST之基板保持具PH所保持之基板P進行液浸曝光時之狀態圖。圖10中，基板載台PST具有凹部96，於凹部96內側設有用以保持基板P之基板保持具PH。基板保持具PH，具有：底座構件80，具有與基板P下面(基材1的下面1B)相隔既定距離而對向之底面80B；周壁部81，係形成於底座構件80上，具有與基板P下面對向之上面81A；以及支撐部82，係形成於周壁部81的內側之底面80B上。周壁部81，係對應基板P之形狀形成為大致圓環狀。周壁部81之上面81A，係形成為與基板P下面之周緣部對向。又，周壁部81之上面81A為平坦面。基板保持具PH之支撐部82，在周壁部81內側以相同型式設有複數個。支撐部82包含複數個支撐銷，基板保持具PH具有所謂銷夾頭機構。基板保持具PH之銷夾頭機構具有吸引機構，該吸引機構具備使基板保持具PH之底座構件80、周壁部81、以及基板P所包圍之空間83成為負壓，藉由使空間83成為負壓來以支撐部83吸附保持基板P。吸引口84以相同型式而在底座構件80之底面80B上設有複數個。又，基板保持具PH所保持之基板P的側面(基材1的側面1C)、與設於該基板P周圍之基板載台PST之凹部96的內側面96A之間，形成有具0.1~1.0左右之距離的間隙A。又，本實施形態中，周壁部81之上面81A為平坦面，該上面81A，被覆有氟系樹脂材料等撥液性材料而具有撥液性。又，在周壁部81的上面81A與基板P的下面之間形成有既定間隙B。
本實施形態中，由於在透過第1液體LQ1將曝光用光EL照射於基板P上之前，係在步驟S3當中，將基板P浸漬於第2液體LQ2，因此如上所述，已由第2液體LQ2浸漬處理過的感光材2，即使再度接觸第1液體LQ1時，亦幾乎不會從感光材2溶解既定物質(PAG等)至第1液體LQ1。
又，即使於感光材2之第1區域2U幾乎不存在PAG，但如圖11之示意圖所示，照射至基板P之感光材2的曝光用光EL，會通過第1區域2U到達存在有PAG之第2區域2S。
在基板P之浸漬曝光結束後，控制裝置CONT即停止液體供應機構10之第1液體LQ1的供應，且繼續驅動液體回收機構20，以回收基板P上及基板載台PST上的第1液體LQ1來加以除去。接著，控制裝置CONT使用第1搬送系統H1從基板保持具PH搬出(卸載)基板P。
從基板保持具PH所卸載之已施行曝光處理之基板P，即被施以稱為PEB(Post Exposure Bake)之熱處理(後烘烤)(步驟S8)。化學增強型光阻中，係會因曝光用光EL之照射而從PAG產生酸。又，藉由對照射曝光用光EL後之化學增強型光阻進行後烘烤，而可在與曝光用光EL之照射區域(光阻M的圖案)對應之區域產生鹼可溶性。基板P之後烘烤，可使用如同參照圖8或圖9所說明之設於塗布/顯影裝置CD－SYS的調溫機構40來進行。據此，曝光處理完畢之基板P，在藉由第1搬送系統H1而從基板保持具PH卸載後，透過介面部IF被移交至第2搬送系統H2。第2搬送系統H2將基板P裝載於調溫機構40的保持具部41。調溫機構40，對裝載於保持具部41之基板P進行後烘烤。此外，本實施形態中，以液體除去機構除去液體後之基板P的溫度調整、以及基板P在曝光後的後烘烤處理兩者，雖係以調溫機構40來進行，但當然亦可分別利用個別的調溫機構來進行。
圖12，係進行後烘烤(PEB)之感光材2之動作的示意圖。由於步驟S3所進行之浸漬處理，在感光材2之第1區域2U幾乎已不存在PAG，因此在將曝光用光EL照射於感光材2後，在感光材2之第1區域2U中幾乎不會產生起因於PAG的酸。另一方面，由於在感光材2的第2區域2S存在有充足的PAG，因此藉由曝光用光EL的照射，在第2區域2S中會從PAG產生大量的酸。當對包含上述狀態之感光材2的基板P施以後烘烤處理時，即會產生如圖12所示位於第2區域2S之酸擴散至第1區域2U的現象。亦即，在曝光後，雖於第1區域2U幾乎不存有酸，但藉由後烘烤之進行，於第1區域2U即會補上存在於第2區域2S之酸。接著，於第1區域2U補上酸之狀態下，藉由持續進行後烘烤，而能在感光材2之中與曝光用光EL之照射區域(光罩M的圖案)對應的區域產生鹼可溶性。
接著，已被施以後烘烤處理之基板P，被第2搬送系統H2搬送至塗布/顯影裝置本體C/D，施以顯影處理(步驟S9)。
如上所說明般，藉由在透過第1液體LQ1將曝光用光EL照射於基板P上之前，將基板P浸漬於第2液體LQ2，而可在基板P的液浸曝光中，抑制PAG等既定物質溶解至液浸區域LR的第1液體LQ1中。當PAG等既定物質溶解至第1液體LQ1而污染第1液體LQ1，該受污染之第1液體LQ1乾燥時，即有可能會在基板P上形成起因於該既定物質的附著痕(水痕)。然而，由於在液浸區域LR的第1液體LQ1中幾乎沒有從基板P所溶解的既定物質，因此即使殘留於基板P上之第1液體LQ1乾燥，亦可抑制附著痕形成在基板P上之不良狀況產生。
又，由於可防止在包含感光材2之基板P上形成附著痕之不良狀況，因此在進行顯影處理時，亦可防止圖案缺陷的產生。據此，可製造具有所欲性能之元件。
又，由於可防止液浸區域LR之第1液體LQ受污染，因此亦能防止與該第1液體LQ1接觸之嘴構件70、第1光學元件LS1、基板載台PST的上面97、基板保持具PH、以及設於基板載台PST之上面97的光測量部等之污染，而能進行高精度之曝光處理及測量處理。
又，在步驟S3中，雖PAG等既定物質溶解至浸漬過基板P之第2液體LQ2中，而使第2液體LQ2受到該既定物質的污染，但在步驟S4中，由於從基板P除去第2液體LQ2，因此可防止在基板P上產生異物(附著物)。又，只要在以潔淨之第2液體LQ2沖洗受污染的第2液體LQ2後進行基板P之液體除去的話，假使第2液體LQ2之液滴等殘留於基板P上，由於第2液體LQ2中之污染物質(溶解物質)濃度下降，因此即使該殘留之第2液體LQ2乾燥亦能抑制於基板P上產生異物(附著物)。
本實施形態中，浸漬裝置30雖設於塗布/顯影裝置C/D－SYS，但當然亦可設於曝光裝置EX－SYS。例如，亦可將浸漬裝置30設於構成曝光裝置EX－SYS之第1搬送系統H1的搬送路徑途中。藉此，即可在曝光裝置EX－SYS以第2液體LQ2來浸漬液浸曝光處理前的基板P。或者，亦可將浸漬裝置30設於介面部IF。又，亦可將調溫機構40設於曝光裝置EX－SYS。藉此，即在曝光裝置EX－SYS中使用調溫機構40來進行基板P的調溫，以補償在除去第2液體LQ2時之汽化熱造成之基板P的溫度變化。調溫機構40亦能與液浸裝置30同樣地設於第1搬送系統H1的搬送路徑途中。當然，亦可將調溫機構40設於介面部IF。
此外，雖調溫機構40最好設於浸漬裝置30(液體除去機構)附近，但亦可將浸漬裝置30配置於塗布/顯影裝置C/D－SYS，將調溫機構40配置於曝光裝置EX－SYS。
又，當無須補償汽化熱造成之基板P的溫度變化時，或汽化熱造成之基板P的溫度變化較可容許範圍內小時，係可省略浸漬處理後的溫度調整。
又，本實施形態中，浸漬裝置30雖係設於搬送系統H(H1,H2)的搬送路徑途中，並在基板P保持於基板保持具PH前將基板P浸漬於第2液體LQ2，但亦可使液浸機構100具有浸漬裝置的功能，在將基板P保持於基板保持具PH後，由第1液體LQ1來浸漬基板P。亦即，可在將基板P裝載於基板保持具PH來加以保持後、在開始基板P的液浸曝光之前，設置一先從嘴構件70之供應口12將第1液體LQ1供應至基板P上、再以該所供應之第1液體LQ1來浸漬基板P的步驟。控制裝置CONT，一邊透過嘴構件70的供應口12及回收口22來進行第1液體LQ1的供應及回收，一邊使基板保持具PH所保持的基板P相對嘴構件70移動於XY方向，藉此即能以第1液體LQ1浸漬基板P上面之廣泛區域。又，在結束浸漬處理後，控制裝置CONT即使用液體回收機構20從基板P上回收(除去)第1液體LQ1，在結束第1液體LQ1的除去後，即使用液浸機構100再度於基板P上形成第1液體LQ1的液浸區域LR，並透過該第1液體LQ1使基板P曝光。藉由上述構成，即無須在搬送系統H之搬送路徑途中設置浸漬裝置30，而可進行基板P的浸漬處理。據此，可謀求裝置構成之簡略化及減低裝置成本。
此外，在使用液浸機構100進行浸漬處理時，亦最好係根據與基板P相關之資訊來將浸漬條件設定成最佳。又，在使用液浸機構100來進行浸漬條件時，須將浸漬條件設定成不會對第1光學元件LS1等帶來不良影響。例如，在使用液浸機構100進行基板P的浸漬處理時，可將液浸機構100之第1液體LQ1的每單位時間之供應量及回收量，設定成多於液浸曝光時之第1液體LQ1的每單位時間之供應量及回收量。藉此，在進行浸漬處理時之第1液體LQ1在基板P上之流速，即會較液浸曝光時之第1液體LQ1在基板P上的流速。據此，在浸漬處理時，即能從回收口22快速地回收溶解至第1液體LQ1中的污染物質，而可防止因從基板P溶解出之既定物質所造成之異物附著於基板P上或基板載台PST的上面97、或第1光學元件LS1等。
又，上述動作中，雖在使用液浸機構100之浸漬處理後，將形成液浸區域LR之第1液體LQ1全部回收，並再度以第1液體LQ1來形成液浸區域LR，但亦可在形成液浸區域LR之狀態下(例如，一邊繼續液體的供應與回收)繼續浸漬處理(浸漬步驟)再進行浸漬曝光處理(曝光步驟)。此時，只要管理基板浸漬於第1液體的時間，在經過既定物質溶解結束之時間後開始進行曝光即可。亦即，將液體供應至基板P上，待經過足以從基板P溶解出既出物質之時間後開始進行液浸曝光，藉此作法亦可達成本發明之目的。不過，由於液體中包含溶解之既定物質，因此係最好一邊維持液浸區域一邊進行液體的淨化或回收動作。
本實施形態中，亦可使液體回收機構20所回收之至少一部分的第1液體LQ1(及/或第2液體LQ2)回到液體供應機構10。或者，亦可將液體回收機構20所回收的第1液體LQ1(或第2液體LQ2)予以全部廢棄，且從液體供應機構10供應新的潔淨之第1液體LQ1(及/或第2液體LQ2)。此外，嘴構件70等之液浸機構1的構造，並不侷限於上述構造，例如亦可使用歐洲專利公開第1420298號公報、國際公開第2004/055803號公報、國際公開第2004/057589號公報、國際公開第2004/057590號公報、國際公開第2005/029559號公報等所記載者。
又，在使用液浸機構100來進行浸漬處理時，亦可使用與第1液體LQ1不同之第2液體LQ2。
又，第1實施形態中，藉由配置在進行浸漬處理之基板P的液浸曝光後、除去從基板保持具PH搬出之基板P上所殘留之液體的液體除去機構，而能更有效地防止在基板P上產生異物(附著物)。例如，可如圖7所示，配置可對基板P的表面與背面噴吹氣體來除去液體之機構。此時，亦可將吹出口37A,38A配置於基板P周邊附近，藉由基板P之旋轉僅除去殘留於基板P之周緣附近的液體。此時，亦可配置在基板P之液浸曝光後、檢測出從基板保持具PH搬出之基板P上所殘留之液體的檢測裝置，在檢測到基板P上有液體時，亦可使用上述液體除去機構來對基板P執行液體除去動作。
此外，上述第1實施形態中，雖係在曝光步驟之前將基板P浸漬於第2液體LQ，並從基板P將既定物質幾乎完全溶解至第2液體LQ2中，但若溶解至第1液體LQ1之既定物值為少量而可容許時，即使未從基板P將大致全部之既定物質溶解至第2液體LQ2中亦可。
<第2實施形態>
其次，參照圖13之流程圖說明第2實施形態。又，以下說明中，對與上述第1實施形態相同或相等之構成部分係賦與同一符號，並簡化或省略其說明。
第2實施形態之特徵部分，係對液浸曝光結束後之基板施以洗淨處理這點。以下說明中，雖在對基板P進行液浸曝光之前並未對基板P進行浸漬處理，但當然亦可在對已施行浸漬處理之基板P進行液浸曝光後，施以如下所述之洗淨處理。亦即，本實施形態之曝光裝置及曝光方法中，浸漬裝置及浸漬步驟並非必須。
與上述實施形態同樣地，在將基板P保持於基板保持具PH之狀態下，對該基板P施以液浸曝光處理(步驟S7)。
結束液浸曝光處理後，在將基板P保持於基板保持具PH之狀態下，進行對基板P予以洗淨之洗淨處理(步驟S7.1)。控制裝置CONT，係在一邊以液浸機構100進行第1液體LQ1的供應及回收、一邊將第1液體LQ1保持於投影光學系統PL之像面側的狀態下，使保持於基板保持具PH之基板P相對嘴構件70移動，以使用第1液體LQ1來洗淨基板P。
在基板P之液浸曝光中，會從基板P、特別是從其感光材溶解出既定物質至液浸區域LR的第1液體LQ1中，而有可能因該溶解至第1液體LQ1中之既定物質(溶解物)造成異物附著於基板P上。控制裝置CONT，藉由以第1液體LQ1洗淨與形成液浸區域LR之第1液體LQ1接觸後的基板P，來減小(分解、微粒化、微小化)或除去因從基板P溶解至第1液體LQ1中之溶解物造成之附著於基板P上的異物。如此，可防止在基板P上形成附著痕之不良狀況。此外，因溶解至第1液體LQ1中之既定物質(溶解物)所造成之附著於基板P上的異物，係指含有第1實施形態所述之PAG或胺系物質之類的感光材成分之「既定物質」本身，以及此種「既定物質」經變質、聚合、或分解後產生的物質。此種物質，可藉由紅外線光譜分析或TOF－SIMS分析等之分析方法，檢測出PAG或胺系物質本身、或該等之化合物特有的官能基等，再加以鑑定。
圖14，係以示意方式顯示洗淨基板P時之狀態的俯視圖。如圖14的箭頭y1、y2所示般，控制裝置CONT，一邊使嘴構件70與基板保持具PH所保持之基板P在XY方向相對移動，一邊從嘴構件70之供應口12來供應第1液體LQ1，且從回收口22來回收第1液體LQ1。藉此作法，能良好地洗淨基板P上面之大致全區。
又，由於在本實施形態之基板P的周緣部1As有基材1露出，因此控制裝置CONT，即使用從嘴構件70之供應口12供應的第1液體LQ1，重點式地洗淨保持於基板保持具PH之基板P的周緣部1As。
圖15，係顯示洗淨基板P之周緣部1As時之狀態的截面圖。在使用第1液體LQ1來洗淨基板P的周緣部1As時，控制裝置CONT，係於基板P之周緣部1As上形成第1液體LQ1的液浸區域LR。接著，使嘴構件70與基板載台PST相對移動，而如圖14之箭頭y3所示，使第1液體LQ1之液浸區域LR沿形成為大致圓環狀之周緣部1As(間隙A)移動。此外，液浸區域LR沿箭頭y3之移動次數，並不侷限於一次(一圈)，亦可執行任意次(複數圈)。
由於與感光材2相較，基材1對第1液體LQ1較具有親液性，因此用以進行液浸曝光之第1液體LQ1，有可能會殘留於基材1之露出部的周緣部1As或側面1C。又，殘留於周緣部1As之第1液體LQ1乾燥後，可能成為異物而附著於基材1的周緣部1As或形成為附著痕。因在，藉由在液浸曝光後重點式地洗淨基材1的周緣部1As，而可防止於基板P之周緣部1As附著異物，進而可防止附著痕形成之不良狀況。或者，即使於周緣部1As附著異物，亦可除去或減小該異物。又，如本實施形態所述，藉由使第1液體LQ1之液浸區域LR沿間隙A移動，而可防止異物附著於基板P側面(基材1的側面1C)，而假使異物附著亦可減小或除去該附著異物。
接著，在以基板保持具PH保持基板P之狀態下進行既定時間之洗淨處理後，控制裝置CONT使用液體回收機構20，回收供洗淨處理用之第1液體LQ1，來將之除去(步驟S7.2)。其次，控制裝置CONT，即使用第1搬送系統將該已施以洗淨處理之基板P卸載。由於在基板保持具PH上進行基板P的洗淨處理，因此可抑制在卸載基板P時受到第1搬送系統H1之污染。接著，與上述實施形態同樣地，對基板P進行後烘烤(步驟S8)及顯影處理(步驟S9)。
如上述，在將已進行曝光處理之基板P從基板保持具PH搬出之前，係在保持於基板保持具PH之狀態下，使用從嘴構件70之供應口12供應的第1液體LQ1來對基板P進行洗淨處理。據此，可除去或減小附著於基板P之異物(附著物)。又，即使在洗淨處理後第1液體LQ1之液滴等殘留於基板P上，由於藉由洗淨處理來使殘留於該基板P上之第1液體LQ1中的污染物質(溶解物質)濃度降低，因此即使該殘留之第1液體LQ1乾燥，仍能防止(控制)於基板P上產生異物(附著物)。據此，不僅可防止搬送系統H之污染，即使在塗布/顯影裝置CD－SYS進行顯影處理時，亦可防止圖案缺陷的產生。又，從基板載台PST(基板保持具PH)將基板P搬出至基板收納容器時，亦可防止基板收納容器之污染。特別是，本實施形態中，由於重點式地洗淨基板P的周緣部分，因此，能有效地防止支撐基板P周緣部之搬送系統或基板收納容器的污染。
此外，第2實施形態中之洗淨處理，亦可使用有別於第1液體LQ1之第2液體LQ2。此時，只要在使用第1液體LQ1之液浸曝光處理後回收第1液體LQ1，並進一步使用液浸機構100來進行第2液體LQ2的供應及回收即可。又，第2液體LQ2可使用含有洗淨作用成分之液體，亦可使與第1液體同種類之液體含有例如界面活性劑、水溶性有機溶劑等具備洗有作用之成分，來調製第2液體。
<第3實施形態>
其次說明第3實施形態。第3實施形態之特徵部分，係從基板保持具PH卸載已結束液浸曝光之基板P後、以第2液體LQ2洗淨該基板P這點。本實施形態中，用於洗淨處理之之第2液體LQ2與用於液浸曝光處理之第1液體LQ1係相同。
圖16，係顯示用以洗淨從基板保持具PH搬出之基板P之洗淨裝置50的示意圖。洗淨裝置50，係設於塗布/顯影裝置C/D－SYS之第2搬送系統H2途中，其可洗淨基板P上面及基板P下面(基材1的下面1B)。
洗淨裝置50，具備：第1供應構件51，係配置於基板P上方，具有將第2液體LQ2供應至基板P上面之供應口51A；以及第2供應構件52，係配於基板P下方，具有將第2液體LQ2供應至基板P的下面之供應口52A。基板P係保持於未圖示保持具部，第1、第2供應構件51、52與基板P可進行相對移動。又，一邊使第1、第2供應構件51、52與基板P進行相對移動，一邊由第1、第2供應構件51、52將第2液體LQ2供應至基板P，藉此即能由第2液體LQ2來洗淨基板P之上面(包含周緣部)、下面、以及側面。又，藉由一邊旋轉基板P一邊供應第2液體LQ2，來洗淨基板P。
又，對於洗淨處理後的基板P，例如藉由圖7所示之吹出構件37,38來將氣體吹於基板P，而能除去附著於基板P的第2液體LQ2。又，亦可在洗淨基板P時，同時進行第2液體LQ2的供應與氣體的供應。
如上述，從基板保持具PH將已施以曝光處理之基板P卸載後，亦可使用由洗淨裝置50之供應構件51,52供應的第2液體LQ2來洗淨基板P。在將基板P保持於基板保持具PH之狀態下進行基板P之液浸曝光等時，當液體透過間隙A及間隙B(參照圖10)浸入基板P之下面側時，有可能會於基板P之側面或下面附著異物、或是形成第1液體LQ1的附著痕。本實施形態中，由於亦能良好地洗淨基板P的側面或下面，因此即使於基板P之側面或下面附著異物，亦可減小或除去該異物。據此，在洗淨處理後，可防止基板P之搬送系統或用以對基板P進行後烘烤(PEB)之調溫機構的污染。又，亦可在該洗淨處理後進行顯影處理，藉此防止圖案缺陷的產生。
此外，第3實施形態中，亦可使用與第1液體LQ1相異者來作為第2液體LQ2。特別是，在第3實施形態中，在僅洗淨基板P的側面(周緣部1As)或背面(下面)等不影響感光材2之部分時，由於可使用松香水等有機溶劑來作為第2液體LQ2，因此能有效除去或減小基板P之側面或背面的附著物(異物)。
又，第3實施形態中，同樣能併用第1實施形態所說明之浸漬處理。
此外，本實施形態中，洗淨裝置50，雖係設於塗布/顯影裝置C/D－SYS之構成，但當然亦可設於曝光裝置EX－SYS。例如，亦可將洗淨裝置50設於構成曝光裝置EX－SYS之第1搬送系統H1的搬送路徑途中。藉此，可在曝光裝置EX－SYS以第2液體LQ2來洗淨液浸曝光處理後的基板P。或者，亦可將洗淨裝置50設置於介面部IF。
又，上述第2實施形態及第3實施形態中，雖敘述了在液浸曝光後洗淨基板P之情形，但在基板載台PST(基板保持具PH)進行曝光處理等所欲之處理結束前，有可能產生必須將與第1液體LQ1接觸之基板P從基板保持具PH搬出的錯誤狀況。此時，同樣可執行第2實施形態及第3實施形態所說明之洗淨處理。
又，亦可設置有檢測裝置，用以檢測液浸曝光後之基板P的表面異物(包含液體、及/或液體的附著痕)，僅在檢測出基板P表面之無法容許的異物時，才使用洗淨裝置50來進行基板P的洗淨。又，第2及第3實施形態中，洗淨處理的條件，可根據感光材2的種類等與上述基板P相關之資訊來設定。
<第4實施形態>
其次，參照圖17及圖18說明第4實施形態。如圖17所示，第4實施形態之特徵部分，係於待曝光之基板P表面形成覆蓋感光材2的薄膜3這點。該薄膜3具有反射防止膜(top ARC)或上覆膜(保護膜)等。又，薄膜3，亦有係覆蓋形成於感光材2上之反射防止膜之上覆膜的情形。上覆膜，係用以使感光材2隔絕於液體者，例如以氟素系之撥液性材料來形成。
如圖18之示意圖所示，藉由薄膜3的設置，即使基板P接觸於液體，亦能抑制從感光材2溶解出既定物質(PAG等)至液體。據此，在感光材2被薄膜3被覆時，能將進行第1實施形態所說明之浸漬處理時的浸漬條件，相對感光材2未被薄膜3被覆時來加以改變。亦即，能將有無薄膜3作為與基板P相關之資訊，根據薄膜3的資訊，來設定使用上述浸漬裝置30或液浸機構100進行浸漬處理時的浸漬條件。具體而言，可根據有無薄膜3，來適當設定浸漬條件中的例如浸漬時間。例如，在具有薄膜3時，由於從感光材2大致不會溶解出既定物質至液體，因此可縮短浸漬時間或省略浸漬處理本身。
又，當具有薄膜3時，由於能抑制既定物質從感光材2溶解至液體，因此可抑制基板P之異物附著或附著痕的形成。據此，亦可根據有無薄膜3，來適當設定第2及第3實施形態所說明之洗淨處理時的洗淨條件。例如，在具有薄膜3時，即縮短洗淨時間、或省略洗淨處理本身。
此外，根據薄膜3之構成物質之不同，亦有感光材2之既定物質透過薄膜3溶解至液體中、或形成薄膜3之材料物質溶解至液體中的可能性。據此，在進行浸漬處理或洗淨處理時，作為與基板P相關之資訊者，不僅感光材2上有無薄膜3，最好係亦考量薄膜3之材料(物質)等的資訊。
再者，於第1實施形態中，在感光材2上形成有薄膜(top ARC、保護膜)3之情形，亦可將浸漬裝置30兼用為薄膜3的塗布(形成)裝置。
又，所使用之第1、第2液體LQ1、LQ2，亦可為相同材質(水)但性質或成分(水質)相異者。此處之液體的性質或成分，其項目例如有為，液體的電阻率、液體中的全有機碳(TOC：total organic carbon)、液體中所含之具有微粒(particle)或氣泡(bubble)之異物、包含溶氧(DO：dissolved oxygen)及溶氮(DN：dissolved nitrogen)之溶存氣體、金屬離子含量、液體中的二氧化矽濃度、以及生菌等。例如，為了要進行液浸曝光，第1液體LQ1須有充份的潔淨度，但作為浸漬處理用之第2液體LQ2，可具有較第1液體LQ1低的潔淨度。第1、第2液體LQ1、LQ2可使用各種流體，例如可使用超臨界流體。
又，所使用之第1、第2液體LQ1、LQ2，可使用相同材質(水)但溫度相異者。
此外，上述實施形態中，從液浸曝光結束後(步驟S7)至後烘烤開始(步驟S8)為止的時間，最好係將洗淨處理時間(步驟S7.1)設定成控制在預先設定的既定時間以內。當在第1處理室裝置CH1內部之氣體環境中存在有氨等鹼基性物質時，其可能會被感光材2表面所吸附，而產生與酸的中和反應，造成酸的失活現象。因此，最好係促進中和反應前即進行後烘烤。如此，藉由考量從液浸曝光終止後至後烘烤開始為止之時間來設定洗淨處理時間，即可在促進中和反應前進行後烘烤。
又，上述實施形態中，雖係以使用化學增強型光阻來作為感光材2為例進行了說明，但亦可使用不含PAG者，例如鄰甲酚(Novolac)樹脂系光阻。此時，同樣可藉由浸漬曝光處理預先將感光材上的異物除去後，才進行液浸曝光處理。又，可藉由在液浸曝光處理後進行洗淨處理，來防止附著痕的形成。
又，上述實施形態中，為簡化說明，而僅說明於基材1塗布感光材2之情形，但即是係經由數次曝光步驟，而於基材1上形成有圖案層之情形時，亦可進行上述浸漬處理或洗淨處理。此時，亦可考量圖案層之形成材料溶解至液體中之情形。如上所述，本實施形態之液體LQ係使用純水。純水之優點為能容易地在半導體製造工廠等處大量取得，且對基板P上之光阻或光學元件(透鏡)等無不良影響。又，純水除了對環境無不良影響外，由於雜質之含有量極低，因此亦能期待有洗淨光學元件(設於基板P之表面、以及投影光學系統PL前端)之作用。又，從工廠等所供應之純水純度較低時，亦可使曝光裝置具備超純水製造器。
又，純水(水)對波長為193nm左右之曝光用光EL的折射率n係大致1.44左右，若使用ArF準分子雷射光(波長193nm)來作為曝光用光EL之光源時，在基板P上則將波長縮短為1/n、亦即大約134nm左右，即可獲得高解析度。再者，由於焦深與在空氣中相較放大約n倍、亦即約1.44倍，因此只要能確保與在空氣中使用時相同程度之焦深時，即能更增加投影光學系統PL之數值孔徑，從此點來看亦能提高解析度。
此外，使用如上所述之液浸法時，有時投影光學系統PL之數值孔徑NA會成為0.9~1.3。如此，投影光學系統PL之數值孔徑NA變大時，由於習知用作為曝光用光之任意偏極光有時會因偏光效果不同而使成像性能惡化，因此最好是使用偏光照明。此時，最好是進行配合光罩(標線片)之等間隔線(line and space)圖案之線圖案長邊方向的直線偏光照明，而從光罩(標線片)之圖案射出較多S偏光成分(TE偏光成分)、亦即沿線圖案長邊方向之偏光方向成分的繞射光。在投影光學系統PL與塗布於基板P表面之光阻間充滿液體時，與在投影光學系統PL與塗布於基板P表面之光阻間充滿空氣(氣體)的情形相較，由於有助於提高對比之S偏光成分(TE偏光成分)之繞射光的光阻表面透射率會變高，因此即使投影光學系統之數值孔徑NA超過1.0時，亦能得到高成像性能。又，若適當組合相移光罩或如特開平6－188169號公報所揭示之配合線圖案長邊方向的斜入射照明法(特別是偶極(dipole)照明法)等，則更具效果。特別是，直線偏光照明法與偶極照明法之組合，係當線/空間圖案之周期方向限於既定一方向時、或孔圖案沿既定一方向密集形成時相當有效。例如，併用直線偏光照明法及偶極照明法，來照明透射率6%之半透光(half－tone)型相移光罩(半間距45nm左右之圖案)時，將照明系統之瞳面中形成偶極之二光束的外接圓所規定之照明σ設為0.95、將其瞳面之各光束半徑設為0.125σ、將投影光學系統PL之數值孔徑設為NA＝1.2時，即能較使用任意偏極光將焦深(DOF)增加150nm左右。
又，直線偏光照明與小σ照明法(表示照明系統的數值孔徑NAi與投影光學系統的數值孔徑NAp之比值之σ在0.4以下之照明法)的組合亦為有效。又，例如以ArF準分子雷射光為曝光用光，使用1/4左右之縮小倍率的投影光學系統PL，將微細之等間隔線圖案(例如25~50nm左右之等間隔線)曝光於基板P上時，依光罩M構造(例如圖案之細微度或鉻之厚度)的不同，藉由波導效果(Wave guide)使光罩M發揮偏光板之作用，而使從光罩M射出S偏光成分(TE偏光成分)之繞射光多於使對比下降之P偏光成分(TM偏光成分)的繞射光。此時，雖最好是使用上述直線偏光照明，但即使以任意偏極光來照明光罩M，而投影光學系統PL之數值孔徑NA如為0.9~1.3般較大之情形時，亦能得到高解析性能。
又，當將光罩M上之極微細等間隔線圖案曝光於基板P上時，藉由線柵(Wire Grid)效果雖亦有可能使P偏光成分(TM偏光成分)大於S偏光成分(TE偏光成分)，但例如以ArF準分子雷射光為曝光用光，並使用1/4左右之縮小倍率的投影光學系統PL將較25nm大之線/空間圖案曝光於基板P上時，由於從光罩M射出S偏光成分(TE偏光成分)之繞射光多於P偏光成分(TM偏光成分)的繞射光，因此即使投影光學系統PL之數值孔徑NA如為0.9~1.3般較大之情形時，亦能得到高解析性能。
再者，除了與光罩(標線片)之線圖案長邊方向配合的直線偏光照明(S偏光照明)以外，如特開平6－53120號公報所揭示，將以光軸為中心之圓接線(周)方向直線偏光的偏光照明法與斜入射照明法組合亦具有效果。特別是，除了光罩(標線片)之圖案沿既定一方向延伸之線圖案以外，在沿複數個相異方向延伸之線圖案混合(周期方向相異之等間隔線圖案混合)的情形下，同樣如特開平6－53120號公報所揭示，藉由併用偏光照明法(沿以光軸為中心之圓的接線方向直線偏光)與環帶照明法，即使投影光學系統PL之數值孔徑NA較大時，亦能得到高成像性能。例如，在併用偏光照明法(沿以光軸為中心之圓的接線方向直線偏光)與環帶照明法(環帶比3/4)，來照明透射率6%之半透光型相移光罩(半間距63nm左右之圖案)的情形下，將照明σ設為0.95、將投影光學系統PL之數值孔徑設為NA＝1.00時，較使用任意偏極光之情形能使焦深(DOF)增加250nm左右，當半間距為55nm左右之圖案且投影光學系統PL之數值孔徑為NA＝1.2時，能使焦深增加100nm左右。
再者，除了上述各種照明法以外，適用例如日本特開平4－277612號公報或特開2001－345245號公報所揭示之累進式焦點曝光法、或適用使用多波長(例如雙波長)之曝光用光而可得到與累進式焦點曝光法具同樣效果之多波長曝光法，亦為有效。本實施形態中，將光學元件LS1安裝於投影光學系統PL前端，藉由此光學元件能進行投影光學系統PL之光學特性的調整，例如像差(球面像差、慧形像差等)。此外，作為安裝於投影光學系統PL前端之光學元件，亦可係使用於調整投影光學系統PL之光學特性的光學板。或亦可係能使曝光用光EL透射之平行平面板。
此外，因液體LQ流動所產生之投影光學系統PL前端之光學元件與基板P間的壓力較大時，亦可不將該光學元件作成能交換之構造，而是將光學元件堅固地固定成不會因其壓力而移動。
又，本實施形態中，雖係以液體LQ充滿投影光學系統PL與基板P間的構成，但亦可係例如在將平行平面板所構成之蓋玻片安裝於基板P表面之狀態下來充滿液體LQ的構成。
又，上述實施形態之投影光學系統，雖係以液體充滿前端之光學元件之像面側的光路空間，但亦可採用如國際公開第2004/019128號公報所揭示般，亦以液體充滿前端光學元件之光罩側之光路空間的投影光學系統。
此外，本實施形態之液體(第1液體)雖係水，但亦可係水以外之液體。例如，曝光用光之光源為F2 雷射光時，由於此F2 雷射光無法透射過水，因此亦可使用能使F2 雷射光透射之液體來作為液體LQ，例如過氟聚醚(PFPE,perfluoro－polyether)或氟系油等氟系流體亦可。此時，例如以包含氟之極性小的分子構造物質來形成薄膜，藉此對與液體LQ接觸之部分進行親液化處理。又，作為液體LQ，其他亦能使用對曝光用光EL具透射性且折射率盡可能較高、並對塗布於投影光學系統PL與基板P表面之光阻較穩定者(例如杉木油(cedar oil))。此時，表面處理亦根據所使用之液體LQ的極性來進行。
又，作為上述各實施形態之基板P，除了半導體元件製造用之半導體晶圓以外，亦能適用於顯示器元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或在曝光裝置所使用之光罩或標線片的原版(合成石英、矽晶圓)等。
作為曝光裝置EX，除了能適用於使光罩M與基板P同步移動來對光罩M之圖案進行掃描曝光的步進掃描方式之掃描型曝光裝置(掃描步進機)以外，亦能適用於步進重複方式之投影曝光裝置(步進器)，其係在使光罩M與基板P靜止之狀態下，使光罩M之圖案一次曝光，並使基板P依序步進移動。
又，作為曝光裝置EX，亦能適用下述曝光裝置，即：在使第1圖案與基板P大致靜止之狀態下，使用投影光學系統(例如1/8縮小倍率且不含反射元件之折射型投影光學系統)將第1圖案之縮小像一次曝光於基板P之方式的曝光裝置。此時，進一步於其後，亦能適用於接合方式之一次曝光裝置，其係在使第2圖案與基板P大致靜止之狀態下，使用該投影光學系統使第2圖案之縮小像與第1圖案部分重疊而一次曝光於基板P。又，作為接合方式之曝光裝置，亦能適用於步進接合方式之曝光裝置，其係在基板P上將至少兩個圖案部分重疊而轉印，並依序移動基板P。又，上述實施形態中，雖以具備投影光學系統PL之曝光裝置為例來進行說明，但本發明亦可適用於不具備投影光學系統PL之曝光裝置及曝光方法。
又，本發明亦能適用於雙載台型曝光裝置。雙載台型曝光裝置之構造及曝光動作，例如揭示於特開平10－163099號及特開平10－214783號(對應美國專利6,341,007、6,400,441、6,549,269、以及6,590,634)、特表2000－505958號(對應美國專利5,969,441)、或者美國專利6,208,407。
再者，本發明亦可適用於如特開平11－135400號公報所揭示之曝光裝置，其具備用以保持基板之基板載台與用以裝載形成有基板標記之基準構件或各種光電感測器的測量載台。
又，上述實施形態中，雖採用在投影光學系統PL與基板P之間局部充滿液體的曝光裝置，但本發明，亦能適用於如揭示於特開平6－124873號公報、特開平10－303114號公報、以及美國專利第5,825,043號等般、在將曝光對象之基板表面整體浸於液體之狀態下進行基板曝光的液浸曝光裝置。作為曝光裝置EX之種類，並不限於用以將半導體元件圖案曝光於基板P之半導體元件製造用曝光裝置，而亦能廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置、或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、標線片、以及光罩等之曝光裝置等。
當於基板載台裝置PST或光罩載台裝置MST使用線性馬達時，亦可採用使用空氣軸承之氣浮型及使用勞倫茲(Lorentz)力或磁阻力之磁浮型中的任一型。又，各載台PST、MST，亦可係沿導件移動之類型，或亦可係不設導件之無導件類型。於載台使用線性馬達之例，係揭示於美國專利5,623,853及5,528,118。
作為各載台裝置PST、MST之驅動機構亦可使用平面馬達，其係使二維配置有磁鐵之磁鐵單元與二維配置有線圈之電樞單元相對向，藉由電磁力來驅動各載台PST、MST。此時，只要將磁鐵單元與電樞單元中之任一方連接於載台PST、MST、並將磁鐵單元與電樞單元中之另一方設置於載台PST、MST之移動面側即可。
因基板載台裝置PST之移動所產生的反作用力，可如特開平8－166475號公報(美國專利第5,528,118)之記載，使用框構件以機械方式釋放至地面(大地)，以避免傳至投影光學系統PL。
因基板載台MST之移動所產生的反作用力，可如特開平8－330224號公報(美國專利第5,874,820)之記載，使用框構件以機械方式釋放至地面(大地)，以避免傳至投影光學系統PL。
如上所述，本申請案之實施形態的曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統(包含本案申請範圍中所列舉的各構成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置之組裝製程，係包含各種次系統相互之機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置之組裝製程前，係有各次系統個別之組裝製程。當各種次系統至曝光裝置之組裝製程結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置整體之各種精度。此外，曝光裝置之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之潔淨處理室進行。
半導體元件之微元件，如圖19所示，係經由下述步驟所製造，即：進行微元件之功能、性能設計的步驟201、根據此設計步驟製作光罩(標線片)之步驟202、製造構成元件基材之基板的步驟203、藉由前述實施形態之曝光裝置EX將光罩圖案曝光於基板並使曝光之基板顯影的基板處理(曝光處理步驟)步驟204、元件組裝步驟(包含切割步驟、接合步驟、封裝步驟等加工處理)205、檢查步驟206等。此外，曝光處理步驟204中，除了曝光步驟之外，亦包含圖3及圖13所說明之浸漬及洗淨步驟。
根據此發明，由於能隨液浸曝光來良好地進行基板之處理，而能製造具有所欲性能之元件。
1．．．基材
1As．．．周緣部
2．．．感光材
3．．．上覆膜(保護膜)
10．．．液體供應機構
20．．．液體回收機構
12．．．供應口
22．．．回收口
30．．．浸漬裝置
39．．．液體除去機構
40．．．調溫機構
50．．．洗淨裝置
70．．．嘴構件
100．．．液浸機構
EL．．．曝光用光
EX．．．曝光裝置本體
EX－SYS．．．曝光裝置
C/D．．．塗布/顯影裝置本體
C/D－SYS．．．塗布/顯影裝置
H．．．搬送系統
H1．．．第1搬送系統
H2．．．第2搬送系統
LQ1．．．第1液體
LQ2．．．第2液體
LR．．．液浸區域
P．．．基板
PH．．．基板保持具
SYS．．．元件製造系統
圖1係顯示包含第1實施形態之曝光裝置之元件製造系統的圖。
圖2係顯示曝光裝置本體之概略構成圖。
圖3係顯示元件製造系統之一動作例的流程圖。
圖4係顯示基板一例之側截面圖。
圖5係顯示浸漬裝置一例之圖。
圖6係顯示進行浸漬處理之基板之動作的示意圖。
圖7係顯示除去液體之一動作例的圖。
圖8係顯示調溫機構一例之圖。
圖9係顯示調溫機構之另一例的圖。
圖10係顯示對保持於基板保持具之基板進行液浸曝光時之狀態圖。
圖11係顯示曝光用光照射於基板時之狀態示意圖。
圖12係進行熱處理之基板之動作的示意圖。
圖13係顯示第2實施形態之元件製造系統之一動作例的流程圖。
圖14係顯示基板洗淨動作一例之俯視圖。
圖15係顯示基板洗淨動作一例之側截面圖。
圖16係顯示第3實施形態之基板洗淨動作一例的圖。
圖17係顯示第3實施形態之基板一例的側截面圖。
圖18係進行浸漬處理之基板之動作的示意圖。
圖19係顯示微元件之一製程例的流程圖。

Claims (55)

  1. 一種基板處理方法，其特徵在於，具備：曝光步驟，係將第1液體之液浸區域形成於基板上，並透過該第1液體將曝光用光照射於該基板，以使該基板曝光；以及浸漬步驟，係在該曝光步驟之前，將該基板浸漬於第2液體。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，該基板，包含基材與被覆於該基材表面之感光材；根據與該基板相關之資訊來設定浸漬條件。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中，與該基板相關之資訊，包含該感光材之資訊。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理方法，其中，與該基板相關之資訊，包含該感光材之部分物質溶解至該第2液體中之溶解時間。
  5. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中，與該基板相關之資訊，包含覆蓋該感光材之保護膜的資訊。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理方法，其中，與該基板相關之資訊，包含該保護膜之有無。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，係在從該基板除去該第2液體後，於該基板上形成該第1液體之液浸區域。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中，該液浸條件，包含該第2液體之除去條件。
  9. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中，係調整該基板之溫度，以補償除去該第2液體時之汽化熱所造成之該基板的溫度變化。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，該基板之溫度調整，係在從該基板除去第2液體後進行。
  11. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中，該浸漬條件包含浸漬時間。
  12. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，係在將該基板保持於基板保持具之狀態下照射該曝光用光；在將該基板保持於基板保持具之前，將該基板浸漬於該第2液體。
  13. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，係在將該基板保持於基板保持具之狀態下照射該曝光用光；在將該基板保持於基板保持具之後，將該基板浸漬於該第2液體。
  14. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，該第1液體與該第2液體相同。
  15. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，該第1液體與該第2液體相異。
  16. 如申請專利範圍第1至15項中任一項之基板處理方法，其中，係在透過該第1液體將曝光用光照射於該基板上之後，以第3液體來洗淨該基板。
  17. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其進一步包含在被覆於該基材上之感光材上形成薄膜的步驟。
  18. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其進一步包含藉由將感光材塗布於基材來調製基板的基板調製步驟、以及將調製後之基板予以預烘烤之預烘烤步驟，在進行該預烘烤步驟後進行浸漬步驟。
  19. 一種基板處理方法，其特徵在於，具備：曝光步驟，係透過第1液體將曝光用光照射於基板，以使該基板曝光；以及洗淨步驟，係以第2液體洗淨與第1液體接觸後之該基板，以減小或除去因從該基板溶解至該第1液體中之溶解物所造成之附著於該基板上的異物。
  20. 如申請專利範圍第19項之基板處理方法，其中，係透過該第1液體將該曝光用光照射於基板上後，以該第2液體來洗淨該基板。
  21. 如申請專利範圍第20項之基板處理方法，其中，係以該第2液體來洗淨該基板之周緣部。
  22. 如申請專利範圍第20項之基板處理方法，其中，該基板，包含基材與被覆於該基材表面之感光材；該基材在該周緣部中係露出。
  23. 如申請專利範圍第19項之基板處理方法，其中，係以該第2液體來洗淨該基材之背面。
  24. 如申請專利範圍第19項之基板處理方法，其中，係在將該基板保持於基板保持具之狀態下照射該曝光用光；在從該基板保持具搬出該基板之前，以該第2液體來洗淨該基板。
  25. 如申請專利範圍第19項之基板處理方法，其中，係在將該基板保持於基板保持具之狀態下照射該曝光用光；在從該基板保持具搬出該基板之後，以該第2液體來洗淨該基板。
  26. 如申請專利範圍第19項之基板處理方法，其中，該基板，包含基材與被覆於該基材表面之感光材；該溶解物，包含來自該感光材之溶解物。
  27. 如申請專利範圍第19項之基板處理方法，其中，該第1液體與該第2液體相同。
  28. 如申請專利範圍第19項之基板處理方法，其中，該第1液體與該第2液體相異。
  29. 如申請專利範圍第19項之基板處理方法，其中，該溶解物係該感光材之成分。
  30. 如申請專利範圍第19項之基板處理方法，其進一步包含對已曝光之該基板進行後烘烤之後烘烤步驟，該洗淨步驟，係在該後烘烤步驟之前進行。
  31. 一種基板處理方法，其特徵在於，包含：將基板保持於保持具：曝光步驟，係透過第1液體將曝光用光照射於基板，以使該基板曝光；以及洗淨步驟，係將該已曝光之基板保持於保持具之狀態下，以第2液體來予以洗淨。
  32. 一種曝光裝置，係將第1液體之液浸區域形成於基板上，再透過第1液體將曝光用光照射於該基板上，以使 該基板曝光，其特徵在於，具備：基板保持具，係保持基板；以及浸漬裝置，係在透過第1液體以使該基板曝光前，將該基板浸漬於第2液體。
  33. 如申請專利範圍第32項之曝光裝置，其中，該基板包含基材與被覆於該基材表面之感光材；並具有用以搬送該基板之搬送系統；該浸漬裝置，係設於該搬送系統之搬送路徑途中。
  34. 如申請專利範圍第32項之曝光裝置，其具有嘴構件，該嘴構件具有用以將該第1液體供應至被該基板保持具保持之該基板上的供應口；該浸漬裝置，係由該嘴構件之供應口來供應該第2液體。
  35. 如申請專利範圍第32項之曝光裝置，其中，該浸漬裝置，係根據該基板之資訊來設定該浸漬條件。
  36. 如申請專利範圍第32項之曝光裝置，其中，具備：液體除去機構，係用以除去該第2液體；及調溫機構，係調整該基板之溫度，以補償除去該第2液體時之汽化熱所造成之該基板的溫度變化。
  37. 如申請專利範圍第32項之曝光裝置，其具備用以洗淨與該第1液體接觸後之該基板的洗淨裝置。
  38. 一種曝光裝置，係將第1液體之液浸區域形成於基板上，再透過該第1液體將曝光用光照射於該基板上，以使該基板曝光，其特徵在於，具備： 洗淨裝置，係以第2液體洗淨與第1液體接觸後之該基板，以減小或除去因從該基板溶解至該第1液體中之溶解物所造成之附著於該基板上的異物。
  39. 如申請專利範圍第38項之曝光裝置，其具有：基板保持具，係保持被該曝光用光照射之該基板；以及搬送系統，係搬送該基板；該洗淨裝置，係設於該搬送系統之搬送路徑途中。
  40. 如申請專利範圍第38項之曝光裝置，其具備：基板保持具，係保持被該曝光用光照射之該基板；以及嘴構件，其具有用以將該第1液體供應至被該基板保持具保持之該基板上的供應口；該洗淨裝置，係從該嘴構件之供應口來供應該第2液體。
  41. 如申請專利範圍第40項之曝光裝置，其中，係使被該基板保持具保持之該基板與該嘴構件相對移動，藉此洗淨該基板。
  42. 如申請專利範圍第41項之曝光裝置，其中，該洗淨裝置，係洗淨被該基板保持具保持之該基板的周緣部。
  43. 如申請專利範圍第38項之曝光裝置，其中，該第1液體與該第2液體相同。
  44. 如申請專利範圍第38項之曝光裝置，其中，該第1液體與該第2液體相異。
  45. 如申請專利範圍第38項之曝光裝置，其中該基板，包含基材與被覆於基材上之感光材；該溶解物係該感光材之成分。
  46. 一種元件製造方法，其特徵在於：係使用申請專利範圍第32至45項中任一項之曝光裝置使基板曝光之動作；以及處理曝光後之該基板之動作。
  47. 一種局部液浸方式之曝光裝置，其特徵在於，具備：具有基板保持具之基板載台；以及用以形成液體之液浸區域的液浸機構；係執行洗淨處理，該洗淨處理係使藉由該液浸機構形成之該液浸區域，沿該基板載台之基板保持具所保持之基板的周圍間隙移動。
  48. 如申請專利範圍第47項之曝光裝置，其中，該液浸機構具有液體回收機構；使用該液體回收機構，在進行該洗淨處理後回收已使用於該洗淨處理之該液體。
  49. 如申請專利範圍第47項之曝光裝置，其中，該基板載台，具有與該基板保持具所保持之該基板之側面對向的內側面；該間隙形成於該基板保持具所保持之該基板之側面與該基板載台之內側面之間。
  50. 如申請專利範圍第49項之曝光裝置，其中，該間隙係0.1~1.0mm。
  51. 如申請專利範圍第47至50項中任一項之曝光裝置，其中，該液浸機構具有嘴構件；藉由使該嘴構件與該基板載台相對移動，使該液浸區域沿該間隙移動。
  52. 如申請專利範圍第47至50項中任一項之曝光裝置，其中，該液浸機構，係在曝光步驟中，以該液體於該基板保持具所保持之基板上之一部分形成局部液浸區域。
  53. 一種元件製造方法，其特徵在於，包含：使用申請專利範圍第47至52項中任一項之曝光裝置使基板曝光的動作；以及處理曝光後之該基板的動作。
  54. 一種洗淨方法，係以局部液浸方式之曝光裝置執行，其特徵在於，包含：將基板保持於該曝光裝置之基板保持具的動作；將液體之液浸區域形成於該基板保持具所保持之該基板之周緣部的動作；以及沿形成於該基板保持具所保持之該基板周圍之間隙移動該液浸區域的動作。
  55. 如申請專利範圍第54項之曝光裝置，其進一步包含在使該液浸區域沿該間隙移動後回收該液體的動作。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI731860B (zh) * 2015-05-28 2021-07-01 日商尼康股份有限公司 物體保持裝置、曝光裝置、平板顯示器之製造方法、以及元件製造方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101729866B1 (ko) * 2003-06-13 2017-04-24 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI530762B (zh) 2003-12-03 2016-04-21 尼康股份有限公司 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP4220423B2 (ja) * 2004-03-24 2009-02-04 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
EP1814144B1 (en) * 2004-10-26 2012-06-06 Nikon Corporation Substrate processing method and device production system
TW200625026A (en) 2004-12-06 2006-07-16 Nikon Corp Substrate processing method, method of exposure, exposure device and device manufacturing method
JP5040646B2 (ja) * 2005-03-23 2012-10-03 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
EP2527921A3 (en) 2005-04-28 2017-10-18 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
JP4718893B2 (ja) * 2005-05-13 2011-07-06 株式会社東芝 パターン形成方法
US20090033896A1 (en) * 2005-06-28 2009-02-05 Hiroyuki Nagasaka Exposure apparatus and method, and device manufacturing method
US8125610B2 (en) * 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
JP5217239B2 (ja) 2006-05-18 2013-06-19 株式会社ニコン 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
TW200818256A (en) * 2006-05-22 2008-04-16 Nikon Corp Exposure method and apparatus, maintenance method, and device manufacturing method
JP4994976B2 (ja) * 2006-07-18 2012-08-08 東京エレクトロン株式会社 高屈折率液体循環システム、パターン形成方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP2008042004A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
JP5151981B2 (ja) * 2006-08-30 2013-02-27 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP5029611B2 (ja) * 2006-09-08 2012-09-19 株式会社ニコン クリーニング用部材、クリーニング方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP4807749B2 (ja) * 2006-09-15 2011-11-02 東京エレクトロン株式会社 露光・現像処理方法
JP4926678B2 (ja) * 2006-12-04 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 液浸露光用洗浄装置および洗浄方法、ならびにコンピュータプログラムおよび記憶媒体
US20080204687A1 (en) * 2007-02-23 2008-08-28 Nikon Corporation Exposing method, exposure apparatus, device fabricating method, and substrate for immersion exposure
NL2004808A (en) * 2009-06-30 2011-01-12 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP5402664B2 (ja) * 2010-01-19 2014-01-29 株式会社ニコン 洗浄方法、露光装置、及びデバイスの製造方法
NL2008168A (en) * 2011-02-25 2012-08-28 Asml Netherlands Bv Method of calculating model parameters of a substrate, a lithographic apparatus and an apparatus for controlling lithographic processing by a lithographic apparatus.
NL2008845A (en) * 2011-05-24 2012-11-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and component.
US11014103B2 (en) * 2017-07-26 2021-05-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN107255907B (zh) * 2017-08-17 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种补偿装置、曝光装置及曝光补偿方法
CN107561747A (zh) * 2017-10-12 2018-01-09 惠科股份有限公司 一种显示基板的预烘烤装置及预烘烤系统
TWI673567B (zh) * 2018-02-13 2019-10-01 特銓股份有限公司 光罩靜電清潔設備以及光罩靜電清潔方法
CN110597021B (zh) * 2019-09-20 2021-04-23 上海华力微电子有限公司 浸没式光刻工艺中晶圆表面残水缺陷的改善方法

Family Cites Families (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPH0695511B2 (ja) * 1986-09-17 1994-11-24 大日本スクリ−ン製造株式会社 洗浄乾燥処理方法
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JP2830492B2 (ja) 1991-03-06 1998-12-02 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US5549663A (en) * 1994-03-09 1996-08-27 Cordis Corporation Endoprosthesis having graft member and exposed welded end junctions, method and procedure
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
CN1244018C (zh) 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光方法和曝光装置
DE69735016T2 (de) 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
JP3693783B2 (ja) * 1997-03-21 2005-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
AU2747999A (en) * 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2000241990A (ja) * 1999-02-22 2000-09-08 Nec Corp フォトレジストパターンの形成方法
US6737207B2 (en) * 2000-04-25 2004-05-18 Nikon Corporation Method for evaluating lithography system and method for adjusting substrate-processing apparatus
US6827814B2 (en) 2000-05-08 2004-12-07 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, processing system and processing method
JP2001319849A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
JP2001345245A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Nikon Corp 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
JP2002148820A (ja) * 2000-11-15 2002-05-22 Clariant (Japan) Kk パターン形成方法及びこの方法に使用される処理剤
JP4015823B2 (ja) * 2001-05-14 2007-11-28 株式会社東芝 アルカリ現像液の製造方法，アルカリ現像液，パターン形成方法，レジスト膜の剥離方法，及び薬液塗布装置
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
EP1420300B1 (en) * 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3953460B2 (ja) * 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ投影装置
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
CN101470360B (zh) 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
JP4525062B2 (ja) * 2002-12-10 2010-08-18 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム
KR101036114B1 (ko) * 2002-12-10 2011-05-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
JP4232449B2 (ja) * 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
SG152063A1 (en) * 2002-12-10 2009-05-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
WO2004053952A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1573730B1 (en) 2002-12-13 2009-02-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
EP1732075A3 (en) 2002-12-19 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
EP1579435B1 (en) 2002-12-19 2007-06-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
JP4604452B2 (ja) * 2003-02-26 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
KR101508810B1 (ko) 2003-04-11 2015-04-14 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
TWI503865B (zh) 2003-05-23 2015-10-11 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
DE10324477A1 (de) 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP3993549B2 (ja) * 2003-09-30 2007-10-17 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
EP1672682A4 (en) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
KR101319109B1 (ko) 2003-10-08 2013-10-17 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법
WO2005076324A1 (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US20050205108A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
JP4220423B2 (ja) 2004-03-24 2009-02-04 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
JP4535489B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置
KR100557222B1 (ko) 2004-04-28 2006-03-07 동부아남반도체 주식회사 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 및 방법
JP4759311B2 (ja) * 2004-05-17 2011-08-31 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
ATE450813T1 (de) * 2004-05-17 2009-12-15 Fujifilm Corp Verfahren zur erzeugung eines musters
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005353763A (ja) 2004-06-09 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置及びパターン形成方法
EP3255652B1 (en) 2004-06-21 2018-07-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US7224427B2 (en) 2004-08-03 2007-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method
JP2006080143A (ja) 2004-09-07 2006-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置及びパターン形成方法
EP1814144B1 (en) 2004-10-26 2012-06-06 Nikon Corporation Substrate processing method and device production system
US7732123B2 (en) 2004-11-23 2010-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion photolithography with megasonic rinse
US7446850B2 (en) 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196770B2 (en) 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060250588A1 (en) 2005-05-03 2006-11-09 Stefan Brandl Immersion exposure tool cleaning system and method
US20070002296A1 (en) 2005-06-30 2007-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography defect reduction
US8383322B2 (en) 2005-08-05 2013-02-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography watermark reduction
US7986395B2 (en) 2005-10-24 2011-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography apparatus and methods
US20070093067A1 (en) 2005-10-24 2007-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer edge cleaning process
US8125610B2 (en) 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI731860B (zh) * 2015-05-28 2021-07-01 日商尼康股份有限公司 物體保持裝置、曝光裝置、平板顯示器之製造方法、以及元件製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
HK1147567A1 (en) 2011-08-12
EP1814144A4 (en) 2010-01-06
KR20070068341A (ko) 2007-06-29
EP1814144A1 (en) 2007-08-01
KR101285951B1 (ko) 2013-07-12
US20120008112A1 (en) 2012-01-12
US8941808B2 (en) 2015-01-27
US20080246931A1 (en) 2008-10-09
JP2006156974A (ja) 2006-06-15
CN101044594B (zh) 2010-05-12
US20080143980A1 (en) 2008-06-19
JP5408006B2 (ja) 2014-02-05
KR101236120B1 (ko) 2013-02-28
CN101866113A (zh) 2010-10-20
EP1814144B1 (en) 2012-06-06
CN101044594A (zh) 2007-09-26
JP2010177693A (ja) 2010-08-12
TW200631073A (en) 2006-09-01
WO2006046562A1 (ja) 2006-05-04
KR20120075497A (ko) 2012-07-06
CN101866113B (zh) 2013-04-24
JP4665712B2 (ja) 2011-04-06
US8040489B2 (en) 2011-10-18

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