CN110385218A - 用于处理基板的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本发明构思涉及基板处理方法和装置，用于在喷嘴将光致抗蚀剂分配到基板上之后在喷嘴中提供多个气体层和防污染液体层，从而防止喷嘴中的光致抗蚀剂与空气接触，因而防止喷嘴中的光致抗蚀剂通过光致抗蚀剂与空气的反应而凝固。

Description

用于处理基板的方法和装置
技术领域
本文描述的发明构思的实施方式涉及基板处理方法和装置，更具体地，涉及用于防止存在于喷嘴中的处理液凝固的基板处理方法和装置。
背景技术
为了制造半导体器件，需要在诸如半导体晶片的基板上形成多个图案。通过连续执行诸如沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺等的各种工艺来形成半导体图案。
在这些工艺中，光刻工艺包括：用诸如光致抗蚀剂的光敏材料涂覆基板以在基板上形成光致抗蚀剂层的涂覆工序、在基板的光致抗蚀剂层上印刷中间掩模(reticle)图案以形成电路的曝光工序、以及将显影溶液分配到基板的光致抗蚀剂层上以选择性地去除暴露区域或相反区域的显影工序。
在上述工序中，用于执行涂覆工序的基板处理装置具有处理单元、原位埠(homeport)和喷嘴。在处理单元不对基板执行处理时，喷嘴在原位埠中待机。光致抗蚀剂通常在与空气接触时凝固。
当喷嘴在原位埠中待机时，留在喷嘴的排出通道中的光致抗蚀剂与原位埠中的喷嘴周围的空气接触，从而在喷嘴中凝固。
在留在排出通道中的光致抗蚀剂凝固的情况下，必须将喷嘴从装置中移除，或者必须由工人手动清洁，以去除凝固的光致抗蚀剂。
发明内容
本发明构思的实施方式旨在提供基板处理装置和方法，用于在完成分配光致抗蚀剂之后在喷嘴待机时防止留在喷嘴中的光致抗蚀剂凝固。
本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题，并且本发明构思所属领域的技术人员从以下描述中将清楚地理解本文未提及的任何其他技术问题。
根据示例性实施方式，一种用于处理基板的方法包括：通过形成有排出通道的喷嘴将处理液分配到基板上来处理基板的步骤；以及存放喷嘴的存放步骤，其中处理液被回吸到排出通道。在存放步骤中，以在排出通道中一次形成有第一气体层、第一防污染液体层、第二气体层和第二防污染液体层的状态存放喷嘴，并且第一气体层位于处理液附近。
可以在第二防污染液体层和喷嘴的远端之间还形成第三气体层。
处理液可以是光致抗蚀剂。
第一气体层和第二气体层可以是空气层。
第一防污染液体层和第二防污染液体层可以是稀释剂层。
根据示例性实施方式，一种用于处理基板的方法包括：通过喷嘴将处理液分配到基板上来处理基板的步骤；第一气体层形成步骤，其通过在喷嘴的排出通道中回吸处理液而在喷嘴的排出通道的端部形成第一气体层；第一液体层形成步骤，其在第一气体层形成步骤之后通过向喷嘴的排出通道施加吸力而将第一防污染液体从外部引入喷嘴的排出通道中，以在喷嘴的排出通道中形成第一防污染液体层；第二气体层形成步骤，其在第一液体层形成步骤之后通过向喷嘴的排出通道施加吸力而在喷嘴的排出通道中形成第二气体层；和第二液体层形成步骤，其在第二气体层形成步骤之后通过向喷嘴的排出通道施加吸力而将第二防污染液体从外部引入喷嘴的排出通道中，以在喷嘴的排出通道中形成第二防污染液体层。
该方法还可包括第三气体层形成步骤，其在第二液体层形成步骤之后，通过向喷嘴的排出通道施加吸力而在喷嘴的排出通道中形成第三气体层。
处理液可以是光致抗蚀剂。
第一气体层和第二气体层可以是空气层。
第一防污染液体和第二防污染液体可以是稀释剂。
可以在供喷嘴待机的原位埠中存在预定液位的液体且喷嘴的排出端浸没在所述液体的情况下，执行第一液体层形成步骤和第二液体层形成步骤。可以在喷嘴的排出端位于供喷嘴待机的原位埠中的液体表面上方的情况下，进行第一气体层形成步骤和第二气体层形成步骤。
第一气体层形成步骤可以在用于将处理液分配到基板上以处理基板的处理空间中执行。
根据示例性实施方式，一种用于处理基板的装置包括：杯状部，所述杯状部在其中具有处理空间，在该处理空间中处理基板；支撑单元，其用于在处理空间中支撑基板；液体分配单元，其将处理液分配到被支撑在支撑单元上的基板上；原位埠，其在液体分配单元的喷嘴不将处理液分配到基板上时存放喷嘴；和控制器，其控制液体分配单元。液体分配单元包括：喷嘴，该喷嘴在其中形成有排出通道；液体供应管线，其将处理液供应到喷嘴中；和回吸阀，其安装在液体供应管线上并向排出通道施加吸力。控制器控制回吸阀以向喷嘴的排出通道施加吸力，以使得在喷嘴被存放在原位埠中时在喷嘴中顺序地形成有第一气体层、第一防污染液体层、第二气体层和第二防污染液体层，并且其中第一气体层位于处理液附近。
当喷嘴位于处理空间中或处理空间上方时，控制器可控制液体分配单元以形成第一气体层。
在喷嘴位于原位埠中的情况下，控制器可以控制液体分配单元以在排出通道中形成第一防污染液体层、第二气体层和第二防污染液体层。
控制器可以向喷嘴的排出通道施加吸力，以在第二防污染液体层和喷嘴的排出口之间形成第三气体层。
第一气体层、第二气体层和第三气体层可以是空气层，第一防污染液体层和第二防污染液体层可以是稀释剂层。
原位埠可包括：主体，其具有容纳喷嘴的空间；供应管线，其将防污染液体供应到主体内；以及排放管线，其从主体排放防污染液体。
附图说明
通过参考以下附图的以下描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中除非另有说明，否则相同的附图标记在各个附图中指代相同的部分，其中：
图1是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理设备的俯视图；
图2是图1的基板处理设备沿A-A方向观察时的视图；
图3是图1的基板处理设备沿B-B方向观察时的视图；
图4是图1的基板处理设备沿C-C方向观察时的视图；
图5和图6是示出设在图1的涂覆室中的基板处理装置的截面图和平面图；
图7是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理方法的流程图；和
图8至图12是示出根据图7的流程图处理基板的状态的示例性视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述本发明构思的实施方式。然而，本发明构思可以以不同的形式实施，并且不应该被解释为限于本文所阐述的实施方式。更确切地说，提供这些实施方式是为了使本公开彻底和完整，并且将本发明构思的范围完全传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚说明，夸大了部件的尺寸。
本发明构思的基板处理设备可用于在诸如半导体晶片或平板显示器面板等基板上执行光刻工艺。根据实施方式，本发明构思的基板处理设备可以是连接到曝光装置并且在基板上执行涂覆工序和显影工序的装置。在以下描述中，将例示将晶片用作基板。
图1至图4是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理设备1的示意图。图1是示出基板处理设备1的顶视图。图2是图1的基板处理设备沿A-A方向观察时的视图；图3是图1的基板处理设备沿B-B方向观察时的视图；图4是图1的基板处理设备沿C-C方向观察时的视图。
参考图1至图4，基板处理设备1包括装载埠(load port)100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂覆和显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块600、以及接口模块700。
在下文中，第一方向12是指布置装载埠100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂覆和显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块600和接口模块700所布置的方向。第二方向14是指当俯视时垂直于第一方向12的方向，第三方向16是指垂直于第一方向12和第二方向14的方向。
其中容纳有基板W的盒子20放置在安装台120上。盒子20具有气密结构。例如，正面开口标准箱(FOUP)(在其前部具有门)可以用作盒子20。
在下文中，将详细描述装载埠100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂覆和显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块600和接口模块700。
装载埠100具有安装台120，其上放置有其中容纳有基板W的盒子20。安装台120沿第二方向14布置成行。图1示出了四个安装台120布置成行的示例。
转位模块200在放置在装载埠100的安装台120上的盒子20与第一缓冲模块300之间传送基板W。转位模块200具有框架210、转位机械手220和导轨230。框架210具有矩形平行六面体形状，内部具有空的空间，并且设置在装载埠100和第一缓冲模块300之间。
第一缓冲模块300具有框架310、第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲机械手360。框架310具有矩形平行六面体形状，内部具有空的空间，并且设置在转位模块200与涂覆和显影模块400之间。第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲机械手360位于框架310中。第一缓冲器320和第二缓冲器330临时存放基板W。第一缓冲机械手360在第一缓冲器320和第二缓冲器330之间传送基板W。冷却室350冷却基板W。
涂覆和显影模块400在曝光工序之前执行用光致抗蚀剂涂覆基板W的工序，并在曝光工序之后对基板W执行显影工序。涂覆和显影模块400具有矩形平行六面体形状。涂覆和显影模块400具有涂覆模块401和显影模块402。
涂覆模块401和显影模块402设置在不同的层上。根据一个实施方式，涂覆模块401位于显影模块402上方。
涂覆模块401执行：用诸如光致抗蚀剂的光敏材料涂覆基板W的工序，和在用光致抗蚀剂涂覆基板W的工序之前和之后加热或冷却基板W的热处理工序。
涂覆模块401具有光致抗蚀剂涂覆室410、烘焙室420和传送室430。光致抗蚀剂涂覆室410、传送室430和烘焙室420沿第二方向14顺序布置。因此，光致抗蚀剂涂覆室410和烘焙室420沿第二方向14彼此间隔开，传送室430位于它们之间。
光致抗蚀剂涂覆室410沿第一方向12和第三方向16布置。附图示出了布置有六个光致抗蚀剂涂覆室410的示例。
烘焙室420对基板W进行热处理。例如，烘焙室420在用光致抗蚀剂涂覆基板W之前通过将基板W加热到预定温度来执行去除基板W的表面上的有机物或水分的预烘焙工序，或者在用光致抗蚀剂涂覆基板W之后执行软烘焙工序。另外，烘焙室420执行在加热工序之后冷却基板W的冷却工序。
传送室430沿第一方向12与第一缓冲模块300的第一缓冲器320并排放置。
显影模块402通过分配显影溶液执行去除部分光致抗蚀剂以在基板W上获得图案的显影工序，以及执行在显影工序之前或之后加热或冷却基板W的热处理工序。显影模块402具有显影室460、烘焙室470和传送室480。显影室460、传送室480和烘焙室470沿第二方向14顺序布置。
显影室460都具有相同的结构。然而，在各个显影室460中使用的显影溶液的类型可以彼此不同。显影室460去除基板W上的光致抗蚀剂的曝光区域。此时，也去除了保护膜的曝光区域。或者，取决于所使用的光致抗蚀剂的类型，可以仅去除光致抗蚀剂和保护膜的掩模区域。
显影模块402的烘焙室470在基板W上执行热处理。例如，烘焙室470在显影工序之前执行加热基板W的后烘焙工序、在显影工序之后加热基板W的硬烘焙工序以及在烘焙工序之后冷却基板W的冷却工序。
第二缓冲模块500用作通道，通过该通道在涂覆和显影模块400与曝光前/曝光后处理模块600之间载送基板W。此外，第二缓冲模块500对基板W执行预定工序，例如冷却工序或边缘曝光工序。第二缓冲模块500具有框架510、缓冲器520、第一冷却室530、第二冷却室540、边缘曝光室550和第二缓冲机械手560。
在步进器执行浸液光刻的情况下，曝光前/曝光后处理模块600可以执行涂布保护膜的工序，该保护膜在浸液光刻期间保护基板W上的光致抗蚀剂膜。此外，曝光前/曝光后处理模块600可以在曝光工序之后执行清洁基板W的工序。另外，在使用化学增强的抗蚀剂执行涂覆工艺的情况下，曝光前/曝光后处理模块600可以执行曝光后烘焙工序。
曝光前/曝光后处理模块600具有预处理模块601和后处理模块602。预处理模块601在曝光工序之前执行处理基板W的工序，并且后处理模块602在曝光工序之后执行处理基板W的工序。
在曝光前/曝光后处理模块600中，预处理模块601和后处理模块602彼此完全分离。
涂覆模块601具有保护膜涂覆室610、烘焙室620和传送室630。保护膜涂覆室610、传送室630和烘焙室620沿第二方向14顺序布置。
因此，保护膜涂覆室610和烘焙室620沿第二方向14彼此间隔开，传送室630位于它们之间。保护膜涂覆室610沿第三方向16竖直布置。
或者，保护膜涂覆室610可以沿第一方向12和第三方向16布置。烘焙室620沿第三方向16竖直布置。或者，烘焙室620可以沿第一方向12和第三方向16布置。
后处理模块620具有清洁室660、曝光后烘焙室670和传送室680。清洁室660、传送室680和曝光后烘焙室670沿第二方向14顺序排列。
因此，清洁室660和曝光后烘焙室670沿第二方向14彼此间隔开，传送室680位于它们之间。清洁室660可以沿第三方向16竖直布置。
或者，清洁室660可以沿第一方向12和第三方向16布置。曝光后烘焙室670可以沿第三方向16竖直布置。或者，曝光后烘焙室670可以沿第一方向12和第三方向16布置。
接口模块700在预处理模块601和后处理模块602之间传送基板W。接口模块700具有框架710、第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机械手740。第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机械手740位于框架710中。
第一缓冲器720和第二缓冲器730彼此竖直间隔预定距离。第一缓冲器720设置在比第二缓冲器730更高的位置。第一缓冲器720位于对应于预处理模块601的高度处，第二缓冲器730设置在对应于后处理模块602的高度处。当俯视时，第一缓冲器720沿第一方向12与预处理模块601的传送室630对齐，并且第二缓冲器730沿第一方向12与后处理模块602的传送室680对齐。
图5和图6是示出图1的光致抗蚀剂涂覆室的示例的截面图和平面图。光致抗蚀剂涂覆室800包括杯状部810、支撑单元820、液体分配单元830、原位埠840、控制器850和壳体860。
杯状部810在其中具有用于处理基板W的处理空间811。处理空间811在顶部开口。根据一个实施方式，升降单元870设置在杯状部810的一侧。升降单元870竖直移动杯状部810。升降单元870包括支架871、可移动轴872和致动器873。支架871固定地附接到杯状部810。可移动轴872固定地联接到支架871并通过致动器873竖直移动。
支撑单元820在处理空间811中支撑并旋转基板W。支撑单元820包括支撑板821和驱动构件822。基板W放置在支撑板821的顶侧。支撑板821通过真空压力夹持基板W，以防止在支撑板821旋转时基板W与支撑板821分离。支撑板821可以具有比基板W小的面积。
支撑板821由驱动构件822旋转。驱动构件822联接到支撑板821的底侧。驱动构件822包括驱动轴822a和致动器822b。驱动轴822a联接到支撑板821的底侧。
液体分配单元830将光致抗蚀剂分配到被放置在支撑单元820上的基板W上。液体分配单元830包括喷嘴831、支撑杆832、回吸阀833和液体供应管线834。
喷嘴831将光致抗蚀剂分配到基板W上。喷嘴831具有形成在其中的排出通道，该排出通道供光致抗蚀剂流过。喷嘴831固定地连接到支撑杆832的远端。光致抗蚀剂通过液体供应管线834被供应到喷嘴831中。回吸阀833安装在液体供应管线834上。回吸阀833向喷嘴831的排出通道施加吸力。原位埠840用作待机空间，在不进行涂布工序时，该待机空间供喷嘴831待机并且存放。
原位埠840包括主体841、供应管线842和排放管线843。主体841提供容纳喷嘴831的空间。主体841具有在顶部开口的内部空间。
供应管线842连接到主体841以将稀释剂供应到主体841的内部空间中。排放管线843连接到主体841以将稀释剂从主体841的内部空间排放。在供应管线842和排放管线843上分别安装有阀门。
控制器850控制液体分配单元830和原位埠840。壳体860形成光致抗蚀剂涂覆室800的外观。杯状部810、支撑单元820、液体分配单元830和原位埠840位于壳体860内。控制器850位于壳体860的外部。
图7是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理方法的流程图。图8至图12是依次示出用于存放待机状态的喷嘴831的方法的视图。
在下文中，将参考图8至图12描述用于通过控制器850控制液体分配单元830和原位埠840的方法。在使基板W涂覆有由喷嘴831分配的光致抗蚀剂之后，顺序地执行第一气体层形成步骤S100、第一液体层形成步骤S200、第二气体层形成步骤S300、第二液体层形成步骤S400和第三气体层形成步骤S500。
根据一个实施方式，在将喷嘴831移动到原位埠840之前执行第一气体层形成步骤S100。例如，在喷嘴831位于处理空间811中或位于处理空间811正上方时执行第一气体层形成步骤S100。参考图8，在第一气体层形成步骤S100中，回吸阀833对喷嘴831的排出通道施加吸力。因此，留在喷嘴831的排出通道中的光致抗蚀剂被回吸预定距离，喷嘴831周围的空气被引入排出通道的远端以形成第一气体层G1。因为光致抗蚀剂在排出通道中被回吸预定距离，所以在喷嘴831移动时防止光致抗蚀剂从喷嘴831滴下。
当完成第一气体层形成步骤S100时，将喷嘴831移动到原位埠840并插入到原位埠840的内部空间中。在原位埠840中执行：通过操作回吸阀833来多次回吸喷嘴831中的光致抗蚀剂的存放工序。
接下来，执行第一液体层形成步骤S200。参考图9，在第一液体层形成步骤S200中，通过供应管线842将预定量的稀释剂供应到主体841的内部空间中。喷嘴831被放置成使得其排出口浸没在稀释剂中。
回吸阀833对喷嘴831的排出通道施加吸力。因此，光致抗蚀剂和第一气体层G1在排出通道中被回吸预定距离，并且预定量的稀释剂被引入喷嘴831的排出口，形成第一防污染液体层S1。之后，执行第二气体层形成步骤S300。参考图10，喷嘴831被放置成使得其排出口位于稀释剂的表面上方。为此，可以将喷嘴831与稀释剂的表面向上隔开预定距离，或者可以通过排出管线843从主体841排出预定量的稀释剂。
回吸阀833对喷嘴831的排出通道施加吸力。因此，光致抗蚀剂、第一气体层G1和第一防污染液体层S1在排出通道中被回吸预定距离，并且喷嘴831周围的预定量的空气被引入喷嘴831的排出口，以形成第二气体层G2。
之后，执行第二液体层形成步骤S400。参考图11，在第二液体层形成步骤S400中，喷嘴831被放置成使得其排出口浸没在稀释剂中。为此，可以将喷嘴831向下移动预定距离，或者可以将预定量的稀释剂供应到主体841的内部空间中。
回吸阀833对喷嘴831的排出通道施加吸力。因此，光致抗蚀剂、第一气体层G1、第一防污染液体层S1和第二气体层G2在排出通道中被回吸预定距离，并且预定量的稀释剂被引入喷嘴831的排出口，以形成第二防污染液体层S2。
最后，执行第三气体层形成步骤S500。参考图12，喷嘴831被放置成使得其排出口位于稀释剂表面上方。为此，可以将喷嘴831与稀释剂的表面向上隔开预定距离，或者可以通过排出管线843从主体841排出预定量的稀释剂。
回吸阀833对喷嘴831的排出通道施加吸力。因此，光致抗蚀剂、第一气体层G1、第一防污染液体层S1、第二气体层G2和第二气体层防污染液体层S2在排出通道中被回吸预定距离，并且喷嘴831周围的预定量的空气被引入喷嘴831的排出口中以形成第三气体层G3。
根据本发明构思的实施方式，在喷嘴831中设置有多个防污染液体层S1和S2，因此实现了以下效果。
通常，光致抗蚀剂在与空气接触时凝固。在将光致抗蚀剂分配到基板W上时，光致抗蚀剂部分地沉积在喷嘴831的排出口周围。当在完成工序之后存放喷嘴831期间将稀释剂引入喷嘴831中以形成第一防污染液体层S1时，在喷嘴831的排出口周围沉积的光致抗蚀剂溶解在稀释剂中并与稀释剂一起被引入喷嘴831中的排出通道中。
因此，当第一防污染液体层S1暴露于喷嘴831外部的空气时，第一防污染液体层S1中溶解的光致抗蚀剂凝固。然而，在如在本发明构思的实施方式中进一步形成第二防污染液体层S2的情况下，在第二防污染液体层S2中不包含光致抗蚀剂，或者在第二防污染液体层S2中仅溶解非常少量的光致抗蚀剂，因为当将稀释剂引入喷嘴831中以形成第一防污染液体层S1时，沉积在喷嘴831的排出口周围的大部分光致抗蚀剂被去除。
因此，即使第二防污染液体层S2暴露于喷嘴831外部的空气，也不会出现光致抗蚀剂在第二防污染液体层S2中凝固的上述问题。
尽管已经例示了执行液体吸入步骤两次，但是可以根据喷嘴831的远端被光致抗蚀剂污染的程度执行更多次的液体吸入步骤。
以上详细描述基于根据本发明构思的实施方式的基板处理装置。然而，不限于此，本发明构思适用于所有用于处理基板的装置。
此外，尽管已经例示了第一气体层G1、第二气体层G2和第三气体层G3是空气层，并且第一防污染液体层S1和第二防污染液体层S2是稀释剂层，但本发明构思不限于此。
此外，尽管已经例示了在处理空间811中或在处理空间811的正上方执行第一气体层G1的形成，但是本发明构思不限于此。
此外，尽管已经例示了第三气体层G3通过第三气体层形成步骤S500形成在第二防污染液体层S2下面，但是可以不执行第三气体层形成步骤S500，并且可以不提供第三气体层G3。
根据本发明构思的实施方式，基板处理装置和方法在喷嘴中提供多个气体层和防污染液体层，从而阻止空气流向喷嘴中的光致抗蚀剂并防止光致抗蚀剂持续暴露于空气中含有的反应物，这进而防止了光致抗蚀剂的凝固。
特别地，多个防污染液体层当中的最后的防污染液体层包含相对非常少量的光致抗蚀剂，因此即使与空气接触也会防止其凝固。
尽管已经参考示例性实施方式描述了本发明构思，但是对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。因此，应该理解，上述实施方式不是限制性的，而是说明性的。

Claims (18)

1.一种用于处理基板的方法，包括：
通过喷嘴将处理液分配到所述基板上来处理所述基板的工序，其中在所述喷嘴中形成有排出通道；和
存放所述喷嘴的存放工序，其中所述处理液被回吸到所述排出通道中，
其中，在所述存放步骤中，以在所述排出通道中依次形成有第一气体层、第一防污染液体层、第二气体层和第二防污染液体层的状态存放所述喷嘴，所述第一气体层位于所述处理液附近。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第二防污染液体层和所述喷嘴的远端之间还形成第三气体层。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述处理液是光致抗蚀剂。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一气体层和所述第二气体层是空气层。
5.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一防污染液体层和所述第二防污染液体层是稀释剂层。
6.一种用于处理基板的方法，包括：
通过喷嘴将处理液分配到所述基板上来处理所述基板的步骤；
第一气体层形成步骤，所述第一气体层形成步骤通过在所述喷嘴的排出通道中回吸所述处理液而在所述喷嘴的所述排出通道的端部形成第一气体层；
第一液体层形成步骤，所述第一液体层形成步骤在所述第一气体层形成步骤之后通过向所述喷嘴的所述排出通道施加吸力而将第一防污染液体从外部引入所述喷嘴的所述排出通道中，以在所述喷嘴的所述排出通道中形成第一防污染液体层；
第二气体层形成步骤，所述第二气体层形成步骤在所述第一液体层形成步骤之后通过向所述喷嘴的所述排出通道施加吸力而在所述喷嘴的所述排出通道中形成第二气体层；和
第二液体层形成步骤，所述第二液体层形成步骤在所述第二气体层形成步骤之后通过向所述喷嘴的所述排出通道施加吸力而将第二防污染液体从外部引入所述喷嘴的所述排出通道中，以在所述喷嘴的所述排出通道中形成第二防污染液体层。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括第三气体层形成步骤，所述第三气体层形成步骤在所述第二液体层形成步骤之后通过向所述喷嘴的所述排出通道施加吸力而在所述喷嘴的所述排出通道中形成第三气体层。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其中所述处理液是光致抗蚀剂。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一气体层和所述第二气体层是空气。
10.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一防污染液体和所述第二防污染液体是稀释剂。
11.根据权利要求6或7所述的方法，其中，在供所述喷嘴待机的原位埠中存在预定液位的液体且所述喷嘴的排出端浸没在所述液体的情况下，执行所述第一液体层形成步骤和所述第二液体层形成步骤中的每一个，并且在所述喷嘴的所述排出端位于供所述喷嘴待机的所述原位埠中的所述液体的表面上方的情况下，执行所述第一气体层形成步骤和所述第二气体层形成步骤中的每一个。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一气体层形成步骤在处理空间中执行，所述处理液在所述处理空间中被分配到所述基板上以处理所述基板。
13.一种用于处理基板的装置，包括：
杯状部，所述杯状部在其中具有处理空间，在所述处理空间中处理所述基板；
支撑单元，所述支撑单元用于在所述处理空间中支撑所述基板；
液体分配单元，其包括喷嘴，所述喷嘴用于将处理液分配到被支撑在所述支撑单元上的所述基板上；
原位埠，所述原位埠用于在所述喷嘴不将所述处理液分配到所述基板上时存放所述喷嘴；和
控制器，所述控制器用于控制所述液体分配单元，
其中所述液体分配单元包括：
喷嘴，所述喷嘴在其中形成有排出通道；
液体供应管线，所述液体供应管线用于将所述处理液供应到所述喷嘴中；和
回吸阀，所述回吸阀安装在所述液体供应管线上并用于向所述排出通道施加吸力，
其中所述控制器控制所述回吸阀以向所述喷嘴的所述排出通道施加所述吸力，以使得在所述喷嘴被存放在所述原位埠中时在所述喷嘴中顺序地形成有第一气体层、第一防污染液体层、第二气体层和第二防污染液体层，并且所述第一气体层位于所述处理液附近。
14.根据权利要求13所述的装置，其中，当所述喷嘴位于所述处理空间中或所述处理空间上方时，所述控制器控制所述液体分配单元以形成所述第一气体层。
15.根据权利要求13所述的装置，其中，在所述喷嘴位于所述原位埠中的情况下，所述控制器控制所述液体分配单元，以在所述排出通道中形成所述第一防污染液体层、所述第二气体层和所述第二防污染液体层。
16.根据权利要求13所述的装置，其中，所述控制器向所述喷嘴的所述排出通道施加吸力，以在所述第二防污染液体层和所述喷嘴的排出口之间形成第三气体层。
17.根据权利要求13所述的装置，其中所述第一气体层、所述第二气体层和所述第三气体层是空气，并且所述第一防污染液体层和所述第二防污染液体层是稀释剂。
18.根据权利要求13至17中任一项所述的装置，其中，所述原位埠包括：
主体，所述主体具有容纳所述喷嘴的空间；
供应管线，所述供应管线用于将防污染液体供应到所述主体内；和
排放管线，所述排放管线用于从所述主体排放所述防污染液体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI813112B (zh) * 2020-12-31 2023-08-21 南韓商細美事有限公司 基板處理設備及用於其之方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10656525B2 (en) * 2017-09-01 2020-05-19 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Photoresist baking apparatus
KR102677969B1 (ko) * 2020-12-30 2024-06-26 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100051059A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-04 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying-preventing method, and cleaning and drying-preventing apparatus
US20100098869A1 (en) * 2008-10-21 2010-04-22 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and liquid processing method
KR20110108964A (ko) * 2010-03-30 2011-10-06 현대제철 주식회사 전기로 조업방법
KR20140008656A (ko) * 2012-07-11 2014-01-22 밉스테크널러지(주) 휴대용 전자기기 또는 악세사리에 착탈 가능한 ｒｆ 송수신용 스티커
CN103765555A (zh) * 2011-07-21 2014-04-30 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法、元件制造方法、程序及记录媒体
CN104137225A (zh) * 2012-02-27 2014-11-05 东京毅力科创株式会社 液体处理装置和液体处理方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002535122A (ja) * 1999-01-20 2002-10-22 マイクロリス・コーポレーション 流れコントローラ
JP4606234B2 (ja) * 2005-04-15 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 液処理方法及び液処理装置
KR100941075B1 (ko) * 2007-12-27 2010-02-09 세메스 주식회사 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
JP5263284B2 (ja) * 2010-12-28 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 塗布方法、塗布装置及び記憶媒体

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100051059A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-04 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying-preventing method, and cleaning and drying-preventing apparatus
CN101666980A (zh) * 2008-09-04 2010-03-10 东京毅力科创株式会社 液处理中的喷嘴清洗、防止处理液干燥的方法及其装置
US20100098869A1 (en) * 2008-10-21 2010-04-22 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and liquid processing method
CN101727009A (zh) * 2008-10-21 2010-06-09 东京毅力科创株式会社 液处理装置和液处理方法
KR20110108964A (ko) * 2010-03-30 2011-10-06 현대제철 주식회사 전기로 조업방법
CN103765555A (zh) * 2011-07-21 2014-04-30 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法、元件制造方法、程序及记录媒体
CN104137225A (zh) * 2012-02-27 2014-11-05 东京毅力科创株式会社 液体处理装置和液体处理方法
KR20140008656A (ko) * 2012-07-11 2014-01-22 밉스테크널러지(주) 휴대용 전자기기 또는 악세사리에 착탈 가능한 ｒｆ 송수신용 스티커

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI813112B (zh) * 2020-12-31 2023-08-21 南韓商細美事有限公司 基板處理設備及用於其之方法

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