KR101039210B1 - 도포 현상 장치 - Google Patents

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다로오 야마모또
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Abstract

본 발명은 기판의 이면에 부착되어 있던 액적을 기초로 하는 기판으로의 액적의 재부착 등의 오염을 억제할 수 있는 기판 반송 장치를 제공하는 것이다.
액체 침투 노광된 기판을 반송하는 아암 본체를 구비한 기판 반송 장치에 있어서, 상기 아암 본체에 마련되고, 기판의 이면에 있어서의 주연부보다도 내부측을 지지하는 지지부와, 상기 기판 주연부의 위치를 규제하기 위해 상기 지지부에 대해 상기 기판의 주연부를 끼워서 대향하는 위치에 마련된 규제부와, 상기 지지부와 규제부 사이에 있어서의 기판의 이면보다도 하방 위치에 마련된 액받이부를 구비하도록 기판 반송 장치를 구성한다. 기판 이면의 주연부에 부착된 액적은 액받이부 상에 도피할 수 있다. 이로 인해, 반복 기판의 반송이 행해져 액받이부에 액적이 축적되었다고 해도, 기판의 주연부가 액받이부에 충돌할 우려가 없으므로, 그 액적이 비산하여 기판의 표면에 부착되거나 하는 일이 억제된다.
반도체 웨이퍼, 기판 반송 장치, 반송 아암, 아암 본체, 규제부, 지지부

Description

도포 현상 장치{COATING-DEVELOPING APPARATUS}
도1은 본 발명의 기판 세정 장치를 구비한 도포 현상 장치의 일례를 나타내는 평면도.
도2는 상기의 도포 현상 장치를 도시하는 전체 사시도.
도3은 본 발명에 관한 기판 반송 기구의 상면도 및 측면도.
도4는 상기 기판 반송 기구에 마련된 아암 본체의 사시도.
도5는 상기 아암 본체의 선단부를 도시한 측면도.
도6의 (a) 내지 (d)는 상기 기판 반송 기구에 웨이퍼가 교환되는 모습을 도시하는 설명도.
도7의 (a) 및 (b)는 상기 기판 반송 기구에 적재된 웨이퍼가 위치 맞춤되는 모습을 도시하는 설명도.
도8의 (a) 내지 (c)는 상기 기판 반송 기구에 웨이퍼가 교환될 때 아암 본체의 선단부의 모습을 도시하는 설명도.
도9의 (a) 내지 (c)는 상기 기판 반송 기구에 웨이퍼가 교환될 때 아암 본체의 선단부의 모습을 도시하는 설명도.
도10의 (a) 및 (b)는 다른 실시 형태에 관한 액받이부의 구조를 도시하는 세로 단면도.
도11의 (a) 내지 (c)는 다른 실시 형태에 관한 기판 반송 기구의 아암 본체의 측면도.
도12는 웨이퍼를 액체 침투 노광하기 위한 노광 수단을 도시하는 설명도.
도13은 액체 침투 노광이 행해진 직후 웨이퍼의 모습을 도시하는 측면도.
도14의 (a) 내지 (c)는 종래의 기판 반송 기구에 의해 상기 웨이퍼가 반송되는 모습을 도시하는 설명도.
도15의 (a) 및 (b)는 종래의 기판 반송 기구에 의해 상기 웨이퍼가 반송될 때에 파티클이 비산하는 모습을 도시하는 설명도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
W : 반도체 웨이퍼
31A : 제1 기판 반송 장치
4A, 4B : 반송 아암
46 : 아암 본체
51, 61 : 규제부
54, 65 : 지지부
53, 64 : 액받이부
[문헌 1] 일본 특허 공개 평11-243133호
본 발명은 액체가 기판의 이면 주연부에 남을 가능성이 있는 처리, 예를 들어 액체 침투 노광 처리된 기판을 반송하는 기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 상기 기판 반송 장치를 구비한 도포 현상 장치에 관한 것이다.
종래, 반도체 제조 공정 중 하나인 포토레지스트 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에, 상기 웨이퍼에 현상액을 공급하고 현상하여 레지스트 패턴을 작성하고 있다. 이러한 처리는, 일반적으로 도포 유닛과 현상 유닛을 포함한 도포 현상 장치의 처리 블록에 노광 장치를 접속한 시스템을 이용하여 행해진다.
이 처리 블록으로부터 노광 장치에 혹은 노광 장치로부터 처리 블록으로의 웨이퍼의 전달은, 예를 들어 처리 블록과 노광 장치 사이에 개재하는 인터페이스부를 거침으로써 행해지고, 이 인터페이스부에는, 예를 들어 2개의 기판 반송 장치가 설치되어 있다.
그런데, 최근 디바이스 패턴의 미세화 및 박막화의 요청으로부터 노광의 해상도를 올리는 것을 목적으로 하여 액체 침투 노광이라 불리는 노광 수법을 도입하는 것이 검토되고 있다. 액체 침투 노광이란 웨이퍼의 표면에 광을 투과시키는 초순수 등의 액층을 형성한 상태에서, 광원으로부터 발생한 광을 이 액층을 투과시킴으로써 웨이퍼 표면에 조사시켜 소정의 회로 패턴을 레지스트에 전사하는 노광 처리이다. 상세하게 서술하면, 예를 들어 ArF를 노광 처리를 행하기 위한 광원으로서 이용하였을 경우에, 그 광원으로부터 발생한 광의 파장은 대기 중에서는 193 ㎚이지만, 수중에서는 실질적으로 134 ㎚가 되도록 이 수법은 광의 파장이 수중에서는 짧아지는 것을 이용하여 해상도가 높은 노광 처리를 행하는 것이다.
이 액체 침투 노광을 행하는 노광 장치에 대해 도12를 이용하여 간단하게 설명한다. 도시하지 않은 보유 지지 기구에 의해 수평 자세로 유지된 웨이퍼(W)의 상방에는 웨이퍼(W)와 간극을 두고 대향하도록 노광 수단(1)이 배치되어 있다. 노광 수단(1)의 중앙 선단부에는 렌즈(1a)가 개재 설치되어 있고, 이 렌즈(1a)의 외주측에는 웨이퍼(W)의 표면에 액층을 형성하기 위한 용액, 예를 들어 순수를 공급하기 위한 공급구(1b)와, 웨이퍼(W)에 공급한 순수를 흡인하여 회수하기 위한 흡인구(1c)가 각각 설치되어 있다. 이 경우, 공급구(1b)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 순수를 공급하는 한편, 이 순수를 흡인구(1c)에 의해 회수함으로써, 렌즈(1a)와 웨이퍼(W)의 표면 사이에 액막(순수막)이 형성된다. 그리고, 도시하지 않은 광원으로부터 발생하고, 이 광은 상기 렌즈(1a)를 통과하고, 상기 액막을 투과하여 웨이퍼(W)에 조사되어 소정의 회로 패턴이 레지스트에 전사된다.
계속해서, 렌즈(1a)와 웨이퍼(W)의 표면 사이에 액막을 형성한 상태에서, 노광 수단(1)을 가로로 슬라이드 이동시켜 다음 전사 영역(쇼트 영역)에 대응하는 위치에 상기 노광 수단(1)을 배치하고, 광을 조사하는 동작을 반복함으로써 웨이퍼(W) 표면에 회로 패턴을 차례로 전사해 간다.
이미 서술한 바와 같이, 액체 침투 노광이 행해짐으로써 노광을 끝낸 직후의 웨이퍼는, 예를 들어 도13에 도시한 바와 같이 노광에 이용된 액체, 예를 들어 순수가 그 표면으로부터 주단부면을 통해 이면의 일부에 권취하여 액적(11)이 형성되어 있다. 웨이퍼(W)의 이면에 관한 액적(11)의 부착 범위는 웨이퍼(W)의 주연부로부터 내측으로, 예를 들어 2 ㎜ 정도 치우친 위치이다. 또한, 도면 중 부호 12는 웨이퍼(W) 상에 형성된 레지스트막이다.
도14의 (a) 내지 (c)는 이미 서술한 액체 침투 노광을 끝낸 웨이퍼(W)를 반송하기 위해 검토되어 있는 반송 아암 선단부측의 모습을 도시하고 있고, 도면 중 부호 13은 그 아암 본체이다. 도면 중 부호 14는 아암 본체(13)의 선단부 상에 마련된 갈고리부이며, 이 갈고리부(14)에는 웨이퍼(W)의 주연부의 위치를 규제하는 규제부(15)가 설치되어 있다. 이 규제부(15)의 내측의 기립면인 규제면(15a)은 아암 본체(13) 상에 적재된 웨이퍼(W)의 주단부면과 마주 향하고, 웨이퍼(W)의 주연부의 위치를 규제하는 역할을 다한다. 또한, 규제면(15a)의 하단부로부터는 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 지지면(16)이 연속되어, 예를 들어 대략 수평으로 형성되어 있다. 또한, 갈고리부(14)에 있어서의 지지면(16)의 내측에는 내측으로 내려간 경사면(17)이 마련되어 있다.
상기 아암 본체(13)가, 예를 들어 노광 장치에 마련된 스테이지(도시하지 않음)에 적재된 웨이퍼(W)를 퍼올리도록 작용 및 지지면(16) 상에 웨이퍼(W)가 적재된다[도14의 (a), (b)]. 또한, 도14의 (b)에 있어서 지지면(16)과 접하는 웨이퍼(W)의 주연부로부터 내부까지의 길이는, 예를 들어 1 ㎜ 정도이다. 이렇게 웨이퍼(W)가 지지면(16) 상에 적재되면 웨이퍼(W)의 주연부에 있어서의 액막(11)을 형 성하는 액체는 지지면(16)과 규제면(15a)이 이루는 모서리부로 압박된다. 그리고, 도14의 (c)에 도시한 바와 같이, 상기 웨이퍼(W)가 아암 본체(13)로부터 이격된 후, 상기 모서리부로 압박된 액체(18)는 표면 장력에 의해 상기 모서리부에 부착된 상태로 잔류될 우려가 있고, 예를 들어 이러한 반송이 반복 행해짐으로써 모서리부에 잔류되는 액체(18)는 점차적으로 축적된다.
그러나, 이와 같이 모서리부에 액체(18)가 잔류되고, 축적되면 아암 본체(13)가 노광 장치로부터 다음 웨이퍼(W)를 받을 때의 충격에 의해, 혹은 다음 웨이퍼(W)를 수취한 후 반송 시의 아암 본체(13)의 진동에 의해, 그 액체(18)가 비산하여 웨이퍼(W)의 표면에 재부착될 우려가 있다. 웨이퍼(W)의 표면에 물방울이 부착되면, 후속 공정인 가열 처리 시에 물방울이 부착되어 있는 부위 혹은 워터 마크가 생성된 부위의 온도가 다른 부위의 온도와 다르고, 결과적으로 레지스트 패턴의 면내 균일성을 악화시키는 요인이 된다. 또한, 웨이퍼(W)를 가열하기 전에 세정하는 것도 고려되지만, 미소한 물방울을 제거하는 것이 곤란하므로, 웨이퍼(W)의 반송 시에 있어서의 물방울의 부착은 피하는 것이 필요하다.
또한, 이 액체(18)의 표면 장력에 의해 웨이퍼(W)가 아암 본체(13)에 부착되고, 상기 웨이퍼(W)를 처리 블록측에 교환할 때에, 예를 들어 아암 본체(13)로부터 그 웨이퍼(W)가 튀어 버리는 등에 의해 반송 에러를 일으킬 우려가 있다.
또한, 예를 들어 도포 현상 장치 내의 웨이퍼(W)의 반송이 일단부 정지되면 상기 모서리부에 축적된 액체(18)가 건조되어 파티클(10)이 발생할 우려가 있다. 이 파티클(10)은 액체(18)가 공기 중의 성분을 흡착되거나 또는 아암 본체(13)를 구성하는 성분이 순수한 액체(18) 속에 용출됨으로써 발생하고 있는 가능성이 있고, 상세한 발생 원리에 대해서는 검증이 진행되고 있다. 그리고, 다시 아암 본체(13)에 의해 웨이퍼(W)의 반송이 행해지면, 도15의 (a), (b)에 도시한 바와 같이, 아암 본체(13)가 노광 장치로부터 다음 웨이퍼(W)를 받을 때의 충격에 의해, 혹은 다음 웨이퍼(W)를 받은 후 반송 시의 아암 본체(13)의 진동에 의해, 그 파티클(10)이 비산하여 웨이퍼(W)에 전사할 우려가 있다. 또한, 특허 문헌 1에는 도포 현상 장치 내에 마련된 기판 보유 지지 장치에 대해 기재되어 있지만, 액체 침투 노광 프로세스를 도입하였을 때 상술한 문제에 대한 대책은 기재되어 있지 않다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 평11-243133호
본 발명은, 이러한 문제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 그 목적으로 하는 바는 액체 침투 노광 처리된 기판을 반송하는 데 있어서, 기판의 이면에 부착되어 있던 액적을 기초로 하는 기판으로의 액적의 재부착 등의 오염을 억제할 수 있는 기판 반송 장치, 기판 반송 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 다른 목적은, 이러한 기판 반송 장치를 인터페이스에 설치함으로써 액체 침투 노광을 기초로 하는 기판 오염을 억제할 수 있고, 수율의 저하를 피할 수 있는 도포 현상 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 액체 침투 노광되어 기판을 반송하는 아암 본체를 구비한 기판 반송 장치에 있어서, 상기 아암 본체에 마련되고, 기판의 이면에 있어서의 주연부보 다도 내부측을 지지하는 지지부와, 상기 기판 주연부의 위치를 규제하기 위해 상기 지지부에 대해 상기 기판의 주연부를 끼워서 대향한 위치에 마련된 규제부와, 상기 지지부와 규제부 사이에 있어서의 기판의 이면보다도 하방 위치에 마련된 액받이부를 구비한 것을 특징으로 한다.
이 기판 반송 장치의 일례로서는, 기판이 지지부에 지지된 후, 상기 기판의 후방측의 주연부를 전방측에 상대적으로 압박하는 압박 수단을 구비하고, 기판이 전방측에 상대적으로 압박됨으로써, 기판 전방측의 규제부에 의해 기판 주연부의 위치가 규제되는 구성을 예로 들 수 있다. 본 발명의 바람직한 형태로서는, 상기 액받이부에는 액체를 흡인하기 위한 흡인구가 설치되어 있는 구성, 혹은 상기 액받이부에 기판 이면의 주연부를 건조하기 위한 가스를 토출하는 가스 토출구가 설치되어 있는 구성, 또는 상기 액받이부에는 흡수성 부재가 설치되어 있는 구성 등을 예로 들 수 있다. 또한, 상기 흡인구는 아암 본체에 형성된 흡인로의 선단 개구부로 구성되고, 또한 상기 가스 토출구는 아암 본체에 형성된 가스 공급로의 선단 개구부로 구성된다. 또한, 상기 액받이부의 바닥면은, 예를 들어 상기 바닥면에 부착된 액적이 미끄러 떨어지도록 지지부로부터 규제부를 보아 좌우 방향으로 경사져 있도록 구성된다.
다른 발명은, 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 도포 유닛 및 노광된 후의 기판에 현상액을 공급하여 현상하는 현상 유닛이 마련된 처리 블록과, 기판의 표면에 액층을 형성하여 액체 침투 노광을 행하는 노광 장치에 접속되는 인터페이스부를 구비한 도포 현상 장치에 있어서, 상기 인터페이스부는 액체 침투 노광 후의 기 판을 처리 블록측에 반송하는 기판 반송 장치로서 이미 서술한 기판 반송 장치를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기판 반송 방법은 기판의 이면에 있어서의 주연부보다도 내부측을 지지하는 지지부와, 상기 기판 주연부의 위치를 규제하기 위해 상기 지지부에 대해 상기 기판의 주연부를 끼워서 대향한 위치에 마련된 규제부를 구비한 기판 반송 장치를 이용하여, 액체가 기판의 이면 주연부에 남을 가능성이 있는 처리가 된 기판을 반송하는 기판을 반송하는 공정과, 상기 지지부와 규제부 사이에 있어서의 기판의 이면보다도 하방 위치에 마련된 액받이부에 고인 액체를 흡인하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명 방법은 상기 지지부와 규제부 사이에 있어서의 기판의 이면에 가스를 토출하여 건조시키는 공정을 더 포함하도록 해도 좋고, 이 경우 상기 액체를 흡인하는 공정과 상기 건조시키는 공정은 동시에 행해지도록 해도 좋다. 이 기판의 반송 방법은 기판의 후방측에 마련된 압박 수단을 상대적으로 후퇴시킨 상태에서 기판을 지지부에 지지하는 공정과, 계속해서 상기 압박 수단을 상대적으로 전방측에 압출하고, 기판 전방측의 규제부에 의해 기판 주연부의 위치를 규제하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 형태를 액체 침투 노광을 행하는 시스템에 적용한 전체 구성에 대해, 도1 및 도2를 참조하면서 간단하게 설명해 둔다. 이 시스템은 도포 현상 장치에 노광 장치를 접속한 것이며, 도면 중 부호 B1은 기판, 예를 들어 웨이퍼(W)가, 예를 들어 13매 밀폐 수납된 캐리어(C1)를 반입출하기 위한 적재부(20a)를 구 비한 캐리어 스테이션(20)과, 이 캐리어 스테이션(20)으로부터 보아 전방의 벽면에 마련되는 개폐부(21)와, 개폐부(21)를 통해 캐리어(C1)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 전달 수단(A1)이 마련되어 있다.
캐리어 적재부(B1)의 안쪽에는 하우징(22)에 의해 주위를 둘러싸는 처리부(B2)가 접속되어 있고, 이 처리부(B2)에는 전방으로부터 차례로 가열 및 냉각계의 유닛을 다단화한 선반 유닛(U1, U2, U3) 및 액처리 유닛(U4, U5)의 각 유닛 사이의 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 주반송 수단(A2, A3)이 교대로 배열하여 설치되어 있다. 또한, 주반송 수단(A2, A3)은 캐리어 적재부(B1)로부터 보아 전후 방향으로 배치되는 선반 유닛(U1, U2, U3) 측으로 일면부와, 후술하는 예를 들어 우측의 액처리 유닛(U4, U5) 측의 일면측과, 좌측의 일면측을 이루는 배면부로 구성되는 구획벽(23)에 의해 둘러싸여지는 공간 내에 적재하고 있다. 또한, 도면 중 부호 24, 25는 각 유닛으로 이용되는 처리액의 온도 조절 장치나 온습도 조절용의 덕트 등을 구비한 온습도 조절 유닛이다.
액처리 유닛(U4, U5)은, 예를 들어 도2에 도시한 바와 같이, 레지스트액이나 현상액 등의 약액 수납부(26) 상에 도포 유닛(COT)(27), 현상 유닛(DEV)(28) 및 반사 처리 방지막 형성 유닛(BARC) 등을 복수단, 예를 들어 5단으로 적층하여 구성되어 있다. 또한, 이미 서술한 선반 유닛(U1, U2, U3)은 액처리 유닛(U4, U5)으로 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 유닛을 복수단, 예를 들어 10단으로 적층한 구성으로 되어 있고, 그 조합은 웨이퍼(W)를 가열(베이크)하는 가열 유닛 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 유닛 등이 포함된다.
처리부(B2)에 있어서의 선반 유닛(U3)의 깊이측에는 인터페이스부(B3)를 통해 노광부(B4)가 접속되어 있다. 이 인터페이스부(B3)는, 상세하게는 도1에 도시한 바와 같이 처리부(B2)와 노광부(B4) 사이에 전후로 마련되는 제1 반송실(3A), 제2 반송실(3B)로 구성되어 있고, 각각에 기판 반송 장치인 제1 기판 반송 장치(31A) 및 제2 기판 반송 장치(31B)가 설치되어 있다. 제1 반송실(3A)에는 선반 유닛(U6) 및 버퍼 카세트(CO)가 설치되어 있다. 선반 유닛(U6)에는 노광을 한 웨이퍼(W)를 PEB 처리하는 가열 유닛(PEB) 및 냉각 플레이트를 갖는 고정밀도 온도 조절 유닛 등을 상하로 적층한 구성이 된다.
상기의 시스템에 있어서의 웨이퍼(W)의 흐름에 대해 간단하게 설명한다. 우선, 외부로부터 웨이퍼(W)의 수납된 캐리어(C1)가 적재대(20a)에 적재되면, 개폐부(21)와 함께 캐리어(C1)의 덮개가 제외되어 전달 수단(A1)에 의해 웨이퍼(W)가 취출된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U1)의 일단부를 이루는 전달 유닛을 통해 주반송 수단(A2)으로 교환되고, 선반 유닛(U1 내지 U3) 내의 하나의 선반에 의해 반사 방지막의 형성이나 냉각 유닛에 의한 기판의 온도 조정 등이 행해진다.
그러한 후, 주반송 수단(A2)에 의해 웨이퍼(W)는 도포 유닛(COT)(27) 내에 반입되고, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트막이 성막되는 동시에 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 레지스트막의 외측에 표면측 주연부로부터 측단부를 통해 이면측 주연부에 걸치는 보호막인 발수성막이 성막된다. 그러한 후, 웨이퍼(W)는 주반송 수단(A2)에 의해 외부로 반출되고, 가열 유닛으로 반입되어 소정의 온도로 베이크 처리가 이루어진다.
베이크 처리를 끝낸 웨이퍼(W)는, 계속해서 냉각 유닛에 의해 냉각된 후, 선반 유닛(U3)의 전달 유닛을 경유하여 인터페이스부(B3)로 반입되고, 이 인터페이스부(B3)를 통해 노광부(B4) 내로 반입된다. 그리고, 상세하게는 「배경 기술」의 란에 기재한 바와 같이 웨이퍼(W)의 표면에 대향하도록 노광 장치(1)가 배치되어 액체 침투 노광이 행해진다.
그러한 후, 액체 침투 노광을 끝낸 웨이퍼(W)는 제2 기판 반송 장치(31B)에 의해 노광부(B4)로부터 취출되고, 그 후 선반 유닛(U6)의 일단을 이루는 가열 유닛(PEB)으로 반입된다. 상기 가열 유닛에서는 가열 처리가 행해지고, 가열 처리함으로써 노광된 부위의 레지스트에 포함되는 산발생 성분으로부터 발생한 산이 레지스트에 확산하게 된다. 이 산의 작용에 의해 레지스트 성분이 화학적으로 반응한, 예를 들어 포지티브형의 레지스트의 경우에는 현상액에 대해 가용해성이 되고, 네거티브형의 레지스트의 경우에는 현상액에 대해 불용해성이 된다.
그러한 후, 웨이퍼(W)는 제1 기판 반송 장치(31A)에 의해 가열 유닛으로부터 반출되어 주반송 수단(A3)으로 교환된다. 그리고, 이 주반송 수단(A3)에 의해 현상 유닛(28) 내로 반입된다. 상기 현상 유닛(28)에서는 웨이퍼(W)의 발수성막 형성 영역에 용해액을 공급하여 발수성막을 용해 제거가 행해지는 동시에, 용해 제거한 웨이퍼(W)의 표면에 남김없이 현상액의 공급이 행해진다. 현상액을 공급함으로써, 현상액에 대해 가용해성의 부위가 용해됨으로써 소정의 패턴의 레지스트 마스크가 웨이퍼(W)의 표면에 형성된다. 그러한 후, 웨이퍼(W)는 적재대(20a) 상의 원래의 캐리어(C1)로 복귀된다.
계속해서, 상기 제2 기판 반송 장치(31B)에 대해 상세하게 설명한다. 도3은 제2 기판 반송 장치(31B)의 상면과 측면을 도시하고 있고, 이 제2 기판 반송 장치(31B)는 서로 독립하여 동작하는 다관절의 반송 아암(4A, 4B)과 이러한 반송 아암(4A, 4B)을 지지하는 반송 기체(41)에 의해 구성되어 있다. 반송 아암(4A, 4B)은 위로부터 이 차례로 겹치도록 마련되어 있고, 반송 아암(4A)은 노광 처리 전의 웨이퍼(W)를 제1 반송실(3A)로부터 노광부(B4)로 반송하고, 반송 아암(4B)은 액체 침투 노광을 받는 웨이퍼(W)를 노광부(B4)로부터 제1 반송실(3A)로 반송하게 되어 있다. 예를 들어, 반송 아암(4A, 4B)은 각각 같은 구성을 갖고 있고, 반송 아암(4A, 4B)은 각각 제1 내지 제3 아암(42 내지 44)에 의해 구성되어 있다. 제1 아암(42)의 기단부는 반송 기체(41) 상에 접속되어 있고, 또한 제1 아암(42)의 타단부는 제2 아암(43)의 일단부에 접속되어 있다. 제3 아암(44)은, 각각 상기 제2 아암의 타단부가 접속된 접속부(45)와 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 아암 본체(46)에 의해 구성되어 있다. 이 아암 본체(46)는, 보다 상세하게는 후술하지만, 개략적으로는 2개의 포크부가 수평 방향으로 신장한 포크 형상을 갖고 있고, 그 아암 본체(46)의 기초부측은 상기 접속부(45)에 접속되어 있다. 각 아암 본체(46)는 제1, 제2 아암(42, 43)을 통해 진퇴 가능하게 구성되고, 또한 반송 기체(41)를 통해, 예를 들어 수직 축 주위에 선회 및 승강 가능하게 구성되어 있다.
계속해서, 아암 본체(46)의 구성에 대해 도4, 도5를 참조하면서 보다 상세하게 설명한다. 도4는 상기 아암 본체(46)의 사시도이며, 도5는 아암 본체(46)의 선단부측의 측면도이다. 도면 중 부호 51은, 예를 들어 아암 본체(46)의 갈고리 부(50)의 선단부측에 설치된 볼록부인 규제부이다. 규제부(51)는 웨이퍼(W)의 주연부를 규제하는 것이며, 내측으로 경사진 규제면(52)을 구비하고 있다. 규제부(51)의 후방측에는 상기 규제부(51)와 간격을 두고 볼록부인 지지부(54)가 마련되어 있고, 이 지지부(54)는 예를 들어 아암 본체(46)의 선단부측에서 후단부측을 향해 상측으로 경사지는 경사면(55)과, 후단부측에서 선단부측을 향해 상측으로 경사지는 경사면(56)을 구비하고 있다. 예를 들어, 경사면(55)은 경사면(56)에 연속하도록 마련되고, 경사면(56)은 경사면(55)보다도 완만하게 경사지고 있다. 도면 중 부호 53은 규제부(51)와 지지부(54)에 둘러싸여 홈 형상으로 형성된 액받이부이다. 후술하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 위치 맞춤이 행해졌을 경우에는 규제면(52)과 후술의 규제면(63) 사이에 웨이퍼가 끼워져 있던 상태에서 상기 지지부(54)의 정상부 및 후술의 지지부(65)의 정상부에 웨이퍼(W)의 이면이 적재되도록 되어 있고, 그때에 웨이퍼(W)의 주연부의 이면에 형성된 액막이 액받이부(53)에 수습되도록 되어 있다. 또한, 도5 중에 도시한 바와 같이 액받이부(53)의 평면부의 선단부측으로부터 후단부측까지의 길이(L1)는, 예를 들어 5 ㎜ 정도이다. 또한, 액받이부(53)의 평면부로부터 규제부(51)에 있어서의 규제면(52)의 상단부까지의 높이(h1)는, 예를 들어 2 ㎜ 내지 3 ㎜이며, 액받이부(53)의 평면부로부터 지지부(54)의 정상부까지의 높이(h2)는, 예를 들어 1 ㎜ 정도이다.
아암 본체(46)의 후방 모서리측에는 부채형의 블록으로서 형성된 웨이퍼(W)의 위치를 규제하는 규제부(61)가 설치되어 있다. 이 규제부(61)에는 부채의 내주측을 향해 하측으로 경사진 경사면(62)이 형성되어 있다. 도면 중 부호 63은 하강 한 경사면(62)과 연속하도록 마련된 규제면이며, 웨이퍼(W)의 후방부측의 주연부의 위치를 규제하는 역할을 갖고 있다. 경사면(62)의 후단부측에는 단부(60)가 형성되어 있고, 웨이퍼(W)가 아암 본체(46)에 대해 예정된 위치로부터 후방으로 크게 벗어난 경우라도 단부(60)에 의해 웨이퍼(W)의 후방부측 주연부의 위치가 규제되도록 되어 있다.
부채형의 규제부(61)의 전방측에는 상기 규제부(61)와 간격을 두고 상기 지지부(54)와 대략 마찬가지로 형성된 위치 맞춤 후 기판의 이면이 적재되는 지지부(65)가 설치되어 있다. 단, 이 지지부(65)는 지지부(54)와 달리 선단부측으로부터 후단부측을 향해 상승하는 경사면쪽이 후단부측으로부터 선단부측을 향해 상승하는 경사면보다도 완만하게 형성되어 있다.
도면 중 부호 64는 지지부(65)와 규제부(61)에 의해 둘러싸여지는 액받이부이며, 상기 액받이부(53)와 마찬가지로 웨이퍼(W)가 각 지지부에 적재되면 웨이퍼(W)의 주연부의 이면측에 부착된 액적(74)이 이 액받이부(64)에 수습되도록 되어 있다.
다음에, 노광부(B4)로부터 액체 침투 노광을 받은 웨이퍼(W)가 제2 기판 반송 장치(31B)의 반송 아암(4B)의 아암 본체(46)로 교환되는 모습을 도6의 (a) 내지 (d), 및 도7의 (a) 및 (b)를 참조하면서 설명한다. 도6의 (a) 내지 (d) 중 부호 71은 노광부(B4)에 마련된 웨이퍼(W)가 적재되는 스테이지이다. 또한, 도면 중 부호 72는 웨이퍼(W)의 위치 맞춤을 하기 위한 얼라이먼트부이지만 상세하게는 후술한다. 또한, 도면이 번잡해지는 것을 피하기 위해, 도6의 (a) 내지 (d)에서는 제2 기판 반송 장치(31B)의 반송 아암(4B)의 아암 본체(46)에만 도시하고, 기판 반송 장치(31B)의 다른 각 부의 기재는 생략하고 있다.
우선, 아암 본체(46)가 스테이지(71)에 대향하는 축퇴 위치로부터 신장하여 스테이지(71)를 향해 진행하고, 스테이지(71)에 적재된 웨이퍼(W)의 하면에 잠입한다[도6의 (a), (b)]. 그 후, 반송기체(41)를 통해 아암 본체(46)가 상승하고, 웨이퍼(W)는 규제부(51)와 규제부(61)에 끼워져 있던 상태에서 지지부(54, 65)에 적재되도록 아암 본체(46)로 교환된다[도6의 (c)]. 계속해서, 아암 본체(46)가 스테이지(71)로부터 후퇴하지만, 이 후퇴 시에 상기 웨이퍼(W)의 주연부가 그 웨이퍼(W)의 진로 상에 위치한 얼라이먼트부(72)에 접촉하여 상대적으로 웨이퍼(W)가 그 아암 본체(46)의 후퇴 방향과는 역방향으로 압박되어 규제부(51)에 의해 위치 맞춤된다[도6의 (d)]. 또한, 도7의 (a), (b)는 이 위치 맞춤이 행해질 경우의 얼라이먼트부(72)와 아암 본체(46)와 상면의 모습을 도시한 것이다. 본 예에서는 얼라이먼트부(72)는 아암 본체(46) 상의 웨이퍼(W)의 후방측의 주연부를 전방측으로 압박하는 압박 수단에 상당한다.
단, 웨이퍼(W)의 위치 맞춤으로서는 이렇게 행해지는 것에 한정되지 않고, 예를 들어 웨이퍼(W)의 주연부가 규제부(61)의 경사면(62) 상에 적재하도록 아암 본체(46)가 스테이지(71)로부터 웨이퍼를 받고, 웨이퍼(W)가 그 자신의 중량에 의해 경사면(62)을 미끄러 떨어져서 자동적으로 지지부(54, 65)에 적재되어 위치 맞춤되도록 각 규제부 및 각 지지부를 구성해도 좋다.
도8의 (a) 내지 (c), 및 도9의 (a) 내지 (c)는 이미 서술한 웨이퍼(W)의 교 환이 행해질 때에 있어서의 아암 본체(46)의 선단부측의 모습을 도시한 것이며, 도면 중 부호 73은 웨이퍼(W)에 도포된 레지스트이다. 도면 중 부호 74는 노광부(B4)에 있어서의 액체 침투 노광이 행해졌을 때에 웨이퍼(W)의 주연부의 이면에 부착된, 예를 들어 순수로 이루어지는 액적(74)이다.
도8의 (a)에 도시한 바와 같이, 아암 본체(46)가 웨이퍼(W)를 향해 상승하고, 도8의 (b)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)가 지지부(54, 65)에 지지된다[얼라이먼트부(72)에 의해 얼라이먼트되기 전에도 웨이퍼(W)의 주연부는 액받이부(53, 64)의 상방에 위치하고 있음]. 웨이퍼(W)의 이면측의 주연부에 부착되어 있는 액적(74)은 액받이부(53) 내에 수습된다. 액받이부(53)를 이루는 오목부의 깊이는 이미 서술한 바와 같이 1 ㎜ 정도이기 때문에, 액적(74)은 크기에도 따르지만 액받이부(53)의 바닥면으로부터 약간 부상한 상태에 있고, 따라서 도8의 (c)에 도시한 바와 같이, 아암 본체(46)로부터 웨이퍼(W)가 다음의 모듈로 교환되면, 아암 본체(46)의 갈고리부(50)에는 액적이 부착되지 않는다.
또한, 도9의 (a) 내지 (c)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)가 아암 본체(46)로 교환되었을 때, 혹은 얼라이먼트부(72)에 의해 상대적으로 전에 압출되어 웨이퍼(W)의 이면의 액적(74)의 일부 혹은 전부가 액받이부(53)에 부착되고, 웨이퍼(W)가 아암 본체(46)로부터 다음의 모듈로 교환되었을 때에 액적(75)이 액받이부(53)에 잔류될 경우도 고려된다. 이 경우, 아암 본체(46)가 다음의 웨이퍼(W)를 노광부(B4)로부터 받았을 때에, 그 웨이퍼(W)의 이면에 액적(74)이 부착되어 있었다고 해도, 액받이부(53)의 바닥부의 잔류 액적(75) 상에 웨이퍼(W)의 표면측의 액 적(74)이 적재하는 모습으로 이루어지고, 표면 장력에 의해 잔류 액적(75)이 웨이퍼(W)의 표면측에 흡착되어 제거되거나 혹은 그대로 액받이부(53) 내에 남게 되지만, 어떻게 해도 액적(74, 75)이 비산하여 웨이퍼(W)의 표면측에 부착되는 등의 일은 없다.
또한, 아암 본체(46)의 선단부측의 모습에 대해 설명해 왔지만, 아암 본체(46)의 후단부측에 대해서도 선단부측과 같이 웨이퍼(W)의 이면측에 부착된 액적은 액받이부(64)에 수습되고, 그 결과 웨이퍼(W)의 이면측의 액적 혹은 액받이부(64)에 잔류되어 있는 액적이 웨이퍼(W)의 표면측에 부착될 우려는 없다.
본 실시 형태의 제2 기판 반송 장치(31B)는 액체 침투 노광 처리된 웨이퍼(W)의 이면의 주연부보다도 내부측을 지지부(54, 65)에 의해 지지하고, 이 지지부(54, 65)와 웨이퍼의 주연부의 위치를 규제하는 규제부(51, 61) 사이에 각각 액받이부(53, 64)를 설치하도록 하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 이면의 주연부(주연부 혹은 그 부근)에 부착된 액적은 액받이부(53, 64) 상에 도피할 수 있다. 이로 인해, 반복 웨이퍼(W)의 반송이 행해지고, 액받이부(53, 64)에 액적이 축적되었다고 해도, 웨이퍼(W)의 주연부가 액받이부(53, 64)에 충돌할 우려가 없으므로, 그 액적이 비산하여 웨이퍼(W)의 표면에 부착되거나 하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 제2 기판 반송 장치(31B)는 웨이퍼(W)가 아암 본체(46) 상에 적재한 후에, 얼라이먼트부(72)에 의해 뒤로부터 웨이퍼(W)를 압박하여 전방측의 규제부(51)에 의해 웨이퍼(W)의 위치 규제를 행하게 하고 있으므로, 웨이퍼(W)를 항상 예정의 위치에 적재할 수 있다고 하면 자동 얼라이먼트가 가능하다. 따라서, 웨이 퍼(W)의 반송이 확실해진다.
이미 서술한 액받이부(53, 64)는, 이미 서술한 바와 같은 구조로 하는 데 한정되지 않고, 보다 확실하게 액받이부(53, 64)에 있어서의 액적(74)의 축적을 억제하기 위해 도10의 (a)에 도시한 바와 같이, 액받이부(53)를 좌우를 향해 하강하는 경사면으로서 구성하거나 혹은 도10의 (b)에 도시한 바와 같이, 액받이부(53, 64)를, 예를 들어 좌측 혹은 우측 하강의 경사면으로서 구성해도 좋다.
또한, 예를 들어 도11의 (a)에 도시한 바와 같이, 액받이부(53)의 바닥부에, 예를 들어 스폰지, 부직포, 흡수지, 흡수 섬유 등의 흡수성 부재(81)를 설치하고, 액받이부(53)에 잔류한 액체(75)를 도면 중 화살표로 나타낸 바와 같이, 흡수성 부재(81)에 급수시킴으로써 액받이부(53)로부터 액체가 제거되도록 액받이부(53)를 구성해도 좋다. 또한, 이 흡수성 부재(81)는, 예를 들어 교환 가능하게 설치되어 있다. 또한, 아암 본체(46)의 후방부측의 액받이부(64)의 바닥부에도 마찬가지로 상기 흡수성 부재(81)를 설치하고, 액받이부(64)에 잔류한 액체를 흡수성 부재(81)에 급수시켜 상기 액받이부(64)로부터 제거하도록 해도 좋다.
본 발명은, 이미 서술한 실시 형태 이외에, 예를 들어 도11의 (b)에 도시한 바와 같이 아암 본체(46)를 구성해도 좋다. 본 도11의 (b)에 도시한 아암 본체(46)의 액받이부(53)의 표면에는 가스 토출구(82) 및 액받이부(53)에 부착된 액체를 흡인하기 위한 흡인구(83)가 개방되어 있고, 토출구(82)는, 예를 들어 아암 본체(46) 내에 마련된 가스 공급로(84)에 연통하고 있다. 가스 공급로(84)의 단부 는, 예를 들어 밸브(V1)를 통해 N2(질소) 가스 등의 불활성 가스가 저류된 가스 공급원(85)에 접속되어 있다. 또한, 토출구(82)로부터 토출되는 가스는 불활성 가스에 한정되지 않고 에어 등의 건조용의 가스이면 좋다. 또한, 흡인구(83)는, 예를 들어 아암 본체(46) 내에 마련된 흡인로(86)에 접속되어 있고, 흡인로(86)의 단부는 밸브(V2)를 통해, 예를 들어 진공 펌프 등의 흡인 수단(87)에 접속되어 있다.
그리고, 예를 들어 이미 서술한 바와 같이 노광부(B4)의 스테이지(71)로부터 아암 본체(46)가 웨이퍼(W)를 수취하여 위치 맞춤된 직후에 밸브(V2)를 개방하고, 흡인구(83)를 통해 액받이부(53)에 부착된 액체의 흡인을 행하는 동시에, 밸브(V1)를 개방하고, 토출구(82)를 통해 웨이퍼(W)의 이면 주연부에, 상기 웨이퍼(W)가 기판 지지부(54, 64)로부터 부상하지 않는 정도의 유량으로 상기 N2 가스를 토출함으로써 웨이퍼(W)의 이면을 건조하고, 예를 들어 일정 시간 경과 후에 이미 서술한 흡인 및 가스 공급을 정지하도록 해도 좋다. 이렇게 아암 본체(46)를 형성한 경우에는 웨이퍼(W)의 이면에 부착되어 있는 액적이 불어 날려지고, 흡인구(83)로부터 흡인되어 제거되므로, 아암 본체(46)에 의한 웨이퍼(W)의 액세스 시 혹은 반송 시에 액적이 웨이퍼(W)의 표면측에 부착될 우려가 없고, 또한 아암 본체(46)의 갈고리 부분을 클리닝할 필요가 없거나 혹은 클리닝의 빈도가 적게 끝나 메인터넌스성이 우수하다.
또한, 상기 도11의 (b)의 아암 본체(46)에 있어서 웨이퍼(W)에 N2 가스를 송풍하는 타이밍 및 액받이부 액체의 흡인을 행하는 타이밍은 이미 서술한 예로 한정 되지 않고, 예를 들어 아암 본체(46)가 웨이퍼(W)를 수취하기 전부터 개시되어 있어도 좋다.
또한, 아암 본체(46)의 후방부측의 액받이부(64)의 표면에도 상기 흡인 수단(87)으로 접속된 흡인구(83) 및 가스 공급원(85)에 접속된 토출구(82)를 설치하고, 상기 액받이부(64)에 부착된 액체를 흡인하여 제거하는 동시에, 그 액받이부(64)의 토출구(82)로부터 가스를 웨이퍼(W)에 토출하여 웨이퍼(W)의 이면을 건조하도록 해도 좋다.
가스 공급로(84) 및 흡인로(86)는 아암 본체(46) 내에 형성되는 것에 한정되지 않고, 아암 본체(46) 외에 배관해도 좋지만, 아암의 신축에 의해 배관이 배치되므로, 각 아암 속에 형성하고 각 아암의 관절부의 회전축 중을 이용하여 경로를 확보하는 것이 득책이다.
또한, 도11의 (c)에 도시한 바와 같이, 액받이부(53)의 바닥부에 흡수성 부(81)를 설치하고, 흡인로(86)의 일단부가 이 흡수성 부재(81)에 접속되고, 또한 흡인로(86)의 타단부가 밸브(V2)를 통해 흡인 수단(87)에 접속되도록 아암 본체(46)를 구성하고, 액받이부(53)에 고인 액체(75)가 흡수성 부재(81)에 흡수되어 액받이부(53)로부터 제거되어 있고, 또한 밸브(V2)를 개방하면 흡수성 부재(81)에 포함되는 액체(75)가 흡인 수단(87)에 의해 흡인되고 제거되어 상기 흡수성 부재(81)가 건조되도록 되어 있어도 좋다. 이와 같이 아암(46)을 구성함으로써 흡수성 부재(81)를 교환하는 빈도를 적게 할 수 있다.
또한, 아암 본체(46)의 후방부측의 액받이부(64)의 바닥면에도 상기 액받이 부(53)와 같이 흡인로(86)를 통해 흡인 수단(87)에 접속된 흡수성 부재(81)를 설치하고, 액받이부(64)에 고인 액체(75)를 흡수성 부재(81)가 흡수하고, 흡인 수단(87)에 의해 상기 흡수성 부재(81)에 포함되는 수분이 제거되어 상기 흡수성 부재(81)가 건조되도록 되어 있어도 좋다.
본 발명의 기판 반송 장치는 액체 침투 노광 처리된 기판 이면의 주연부보다도 내부측을 지지부에 의해 지지하고, 이 지지부와 웨이퍼의 주연부의 위치를 규제하는 규제부 사이에 액받이부를 설치하도록 하고 있기 때문에, 기판 이면의 주연부(주연부 혹은 그 부근)에 부착된 액적은 액받이부 상에 도피할 수 있다. 이로 인해, 반복하여 기판의 반송이 행해져 액받이부에 액적이 축적되었다고 해도, 기판의 주연부가 액받이부에 충돌할 우려가 없으므로, 그 액적이 비산하여 기판의 표면에 부착되거나 하는 일을 억제할 수 있다.
또한, 기판이 아암 본체 상에 적재한 후에, 압박 수단에 의해 뒤로부터 기판을 압박하여 전방측의 규제부에 의해 기판의 위치 규제를 행하게 하면, 기판을 항상 예정의 위치에 둘 수 있다고 하면 자동 얼라이먼트를 생기고, 이에 의해 기판의 반송이 확실해지는 이점이 있지만, 이 경우에는 기판이 전방측의 규제부에 반드시 충돌하므로, 액받이부를 설치하는 효과는 매우 크다.
또한, 상기 액받이부에 흡인구를 설치함으로써 액받이부 상의 액적을 용이하게 제거할 수 있기 때문에, 기판 표면으로의 액적의 재부착이나 액적의 축적에 의한 파티클의 생성을 억제할 수 있다. 또한, 액받이부에 가스 토출구를 설치함으로 써, 기판의 이면측의 액적의 제거를 촉진할 수 있고, 또한 액받이부에 흡수성 부재를 설치하면 액적이 액받이부에서 소실하므로 유효하고, 그래서 이러한 수법(흡인구, 가스 토출구, 흡수 부재)을 조합하면 보다 한층 유효하다.

Claims (13)

  1. 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 도포 유닛, 노광된 후의 기판에 대해 가열 처리하는 가열 유닛 및 이 가열 유닛에 의해 가열된 기판에 현상액을 공급하여 현상하는 현상 유닛이 설치된 처리 블록과, 기판의 표면에 액층을 형성하여 액침 노광을 행하는 노광 장치에 접속되는 인터페이스부를 구비한 도포 현상 장치에 있어서,
    상기 인터페이스부는 액침 노광후의 기판을 처리 블록측으로 반송하는 기판 반송 장치를 구비하고,
    상기 기판 반송 장치는,
    수평 방향으로 진퇴가능하게 구성되는 동시에 각각 진퇴 방향으로 신장하는 2개의 포크부를 갖는 포크 형상으로 성형되고, 액침 노광된 기판을 반송하기 위한 아암 본체와,
    상기 2개의 포크부의 각 선단부측 및 아암 본체의 후단부측에 설치되고, 진퇴 방향에 직교하는 방향으로부터 본 형상이 산 형상이고, 기판의 이면에 있어서의 주연부보다도 내부측을 산 형상 부분의 정상부에서 지지하는 지지부와,
    상기 기판에 있어서의 상기 진퇴 방향의 선단부측 주연부 또는 후단부측 주연부의 위치를 규제하기 위해 상기 선단부측의 지지부 및 후단부측의 지지부의 각각에 대해 상기 기판의 주연부를 사이에 두고 대향하는 위치에 마련된 규제부와,
    상기 선단부측의 지지부 및 후단부측의 지지부 각각과 규제부 사이에 있어서의 기판의 이면보다도 하방 위치에, 기판의 이면의 주연부에 부착된 액적을 도피시키기 위해 마련된 액받이부와,
    기판이 지지부에 지지된 후, 상기 기판의 후방측의 주연부를 전방측으로 상대적으로 압박하는 압박 수단을 구비하고,
    상기 포크부의 주연부는 상기 진퇴 방향에 직교하는 방향에 있어서 기판의 주연부보다도 내측에 위치하고,
    기판이 전방측으로 상대적으로 압박됨으로써, 기판의 전방측의 규제부에 의해 기판의 주연부의 위치가 규제되는 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 액받이부에는 액체를 흡인하기 위한 흡인구가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 흡인구는 아암 본체에 형성된 흡인로의 선단 개구부인 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 액받이부에 기판 이면의 주연부를 건조하기 위한 가스를 토출하는 가스 토출구가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 가스 토출구는 아암 본체에 형성된 가스 공급로의 선단 개구부인 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 액받이부에는 흡수성 부재가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 액받이부의 바닥면은 상기 바닥면에 부착된 액적이 미끄러 떨어지도록 지지부로부터 규제부를 보아 좌우 방향으로 경사져 있는 도포 현상 장치.
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