TWI323924B - Substrate transportation device, substrate transportation method and coating-developing apparatus - Google Patents

Description

1323924 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於液體可能殘留在基板背面之邊緣部份的處理； 例如輸送已浸液曝光處理之基板的基板輸送裝置、基板輪送方 法，以及具備該基板輸送裝置的塗佈、顯影裝置。 【先前技術】 昔日來，於半導體製程之一的光阻處理中，將光阻塗佈到 導體晶圓（以下稱晶圓）的表面，並以所既定之模型將該光阻加以暖 ，之，、，再將顯影液供應到該晶圓，以顯影並形成光阻圖案。‘ 行述般的處理時，一般所採用之系統係於含有塗佈單元及顧 影單者之塗佈、顯影裴置的處理區塊後連接曝光裝置。”、 從該^區塊聽光裝置，或從曝光裝制處理區塊之晶圓 ，遞达’係猎由例如經由介於處理區塊與曝光裝置二者間的 邛而進行，又该介面部則裝有例如兩個之基板輸送裝置。 =近年來，由於設倾式的細微化、触化要求，薇商已 =提㈣光的解析度為目的’而人稱為浸渍曝光的曝光 浸渍ί光:係於形成使光穿透到晶圓w表面的ϋ 射到晶圓表面，而將所既定的電路模型加阻 的曝先處理。詳言之，例如採用ArF作為用 ίΓ™ l93nm ^ ^ 中則盆利用水之波長在水 12簡單說明。晶圓 二該，la的外圍側又分別設置供應口 i二員 4用以在日日H W之表面形成液層的溶液，例如純水；抽吸口 6 1323924 lc以抽及而回收已供應到晶圓w後的純水。此時，從供 供應純巧晶圓W之表面的另一方面，藉由抽吸口 lc以回-收 純水，猎此’透鏡la與晶圓w的表面之間形成液體膜(純水 ^玄光^發自未目示之光源，並通職透鏡la之後，穿透該液體 膜’以丨丨射到晶圓W ’而將所既定的電路模型加以轉印到光阻。 接著於透鏡la與晶圓w的表面二者之間形成液體膜 =下’使曝光機構1〇〇滑動到旁邊，以在對應於下一個轉印區域 域)的位置上配置該曝光機構1〇〇， = 的動作，依1將電路模型加以轉印到晶圓w表面。辦先…射 如^於:前^般地進行浸液曝光，使㈣結束曝光後之晶圓W 以妞於曝光的液體，例如純水從絲面經由邊端面， =繞”的—部份而形成液滴1卜落㈣日圓w表面之液滴u m ΐ從晶圓w之邊緣向内側靠近例如約2mm程度的位 置。又，圖中之12係形成於晶圓w上的光阻膜。 g圖了輸社結賴软浸祕触_ w所設計 j达#。卩’尤其係其中之前端部份的樣 : =4/裝有用以限制晶圓W之邊緣位置二二:Ϊ! 的曰inm1/之關的紅® ’與放朗臂部本體13上 =。又，從_面15a的下娜，連接用‘:^置的 =面16，亚例如略水平般地形成之。此外，於^ 16之内側’裝有往内側下斜的傾斜面17。 卩的支拉面 該臂部本體13如同從例如裝設於曝光裝 ， 於平台(未圖示)的晶圓W捧起般地動作，並將晶圓^到 面16上（圖14(a)、（bV)。又，於si 圆放置到支擇 晶圓w邊緣到内側的長度係例如約=之3支 晶圓J-放置到支稽面16上時，形成，液^ 的液體被_财面16與_ 15a二麵=== 1323924 外，如圖14(c)所示，該晶圓W從臂部本體13離開後，被推 該角形部之液體18由於表面張力將出現原原本本地貼著在該^ 3 部而殘留的情形。並且，由於反複進行例如前述般的輸送^ > 在角形部之液體18漸漸地蓄積。 之召 然而，如此一來，液體18—殘留並蓄積在角形部時，由 部本體13從曝光裝置取下下一片晶圓時所產生的碰撞，或由於^ 下下一片晶圓後並加以輸送時，臂部本體13所產生的振兮 體18將出現濺開而再附著到晶圓w表面的情形。水滴一附 晶圓W的表面，於後工程之加熱處理時，水滴所附著之部位 痕所產生之部位的溫度與其他部位之溫度不同，結果成為使光二 圖案的面内均勻性下降之賴。又，雖然水滴亦可能於加敎 洗淨，但由於去除微小的水滴係屬困難，因此必 ^〗 圓W時導致水滴附著。 足充於輸运日日 其次，由於該液體18的表面張力，使晶圓w貼著在 體13，並於將該晶圓W遞送到處理區塊側時 ° 晶圓W從臂部本體13跳起等，弓丨發誤輸送的情形糾如由於該 ，說，例如當塗佈、顯影裝置内之晶圓w—旦 出現畜積在該角形部之液體18乾燥，而產生微粒1〇 _形、。兮 ，10可能由於液體i8吸著空氣中的成份，或由於 體13之成份溶出到純水之液體18中所產生，至 ^ =驗證正麵行巾。料，當再謂由f原曰 置取下下一片曰η ib)所不’由於臂部本體I3從曝光裝 认一士 日日圓 寸斤產生之碰撞，或由於取下下一片曰圓德 ’臂部本體13所產生的振動，該 τ 顯影裝置㈣Ϊ專獻中，針對於裝置在塗伟' r日士的个板支撐裝置有所揭露，但是對於導人浸液曝光f 私呀的刖述之問題的對策並未揭露。 又农+九裂 專利文獻1日本專利特開平nn33號公報 8 【發明内容】 浸 可 供塗佈、顯影裝置，藉由 ’可抑制基板受自浸液曝光的 抑制來自附著於基板背面之G置、基板輪送方法，-J 之污染。又，本發在;f嶋再附著到基板等 將前述之基板輸送;Ϊ設=於提供塗佈、—… 污染，並避免良率下降。 解_決課題之手辟 徵浸f曝光之基板的臂部本體之 以古…二:、備’份：支撐部，裝設於該臂部本濟， 板的邊緣之位广裝對向的位置’以限制該基 輪送裝置的—例而言，可舉出以 以後，具_以將該基板之後側邊緣 邊U:減f機構’而基板相對地被推壓到前側’使基板的 而可舉出以下的結構：於該液滴收容部設置抽吸口， 1由吸液體，絲該賴收容部設置職财 二燥基板之背部的邊緣部份；或於該液滴收容部=吸 i j 4。又，該抽吸口係作為形成在臂部本體之抽吸通路的 口部而構成，而該氣體噴出口則作為形成在臂部本體之氣 ，供應通路的前關構成。此外，從支撐部往關部看過 去，該液滴收容部的底面係朝左右方向傾斜而構成，以使附 例如該底面的液滴滑落。 至於其他之發明的特徵，於塗佈、顯影裝置中，具備處理區 塊’裝有將光阻塗佈到基板之表面的塗佈單元，以及將顯影液供 1323924 應到曝光後之基板，而進行顯影的題寻彡置 將液層形成於基板之表面，以進行浸^ 傷曝光裝置， 和曝光裳置的介面部。而其中，該介供？連接於處理區塊 置，以作為將浸液曝光後的基板之基板輸送裝 送裝置。 輪别處理區塊側之基板輸 本發社基板輸送綠的特__ 板輸送裝置：支撐部，支撐比基板的背 下—邛伤之基 限制部’對著前述支撐部，中間隔著祕的、1為_的部份； 向的位置’用以限制該基板的邊緣之^。並 裝设於對 份之處報板加以輸送;抽吸;留；^f背面之邊緣部 2?限制部二者間之基板的背面較下方 積在液滴收容部的液體加以抽吸。 衣枉則將畜 -者;ΐίΐίϊίί亦可包ΐ將氣體噴出到前述支撐部與限制部 =間之基板的月面，以使其乾燥的製程。此時，抽吸該液 的製程二者亦可同時進行。又，該基板輸送方法的 ϊϊΐ包含町兩段傾：支撐㈣，钱設於基板後側方^ ιψίίΐ構相對地往後退，驗此狀態下，使絲由支撐部支撐； 1，驟，接著將該推壓機構相對地推出到前侧方，以藉由基板 之刖側方的限制部，而限制基板之邊緣的位置。 效果 ^發日狀基板輸送裝置由於藉蚊撐部，以支撐比浸液曝光 =後之基板的背面邊緣較為内側部份，並且於支撐部以及限制 ^標部與晶圓之邊緣位置的_部二者間，設置賴收容部； =，附著於基才反背面之邊緣部份(邊緣或其附近)的液滴可以躲到 容部上。因此，即使反複進行基板的輸送，而液滴收容部 田知了液滴，但由於基板的邊緣仍不會碰著到液滴收容部， 是可抑制絲魅生關_著祕板之表面的卿^ p & 又’於基板放置到臂部本體之上以後，若能藉由推壓機構， 1323924 ^將基板從後面推；再藉由前侧方雜制部，以限制基板的位置， 則在在可將基板放置到親的位置，可謂缺自動對準此， =成確錄送基板之目的；但此時，由於基板必定會碰^ 側方的限制部，可知設置液滴收容部的效果很大。 的液滴收容部設置抽吸ϋ，可將液滴收容部上 於3之畜積而產生。又，藉由在該液滴收容部設置氣^ 賀出口，可促進去除基板之背面的液滴。又，若: 吸水性構件）加 以組合，將更加有效 =置性構件，由於液滴將從液滴收容部消失，實有1 外，若能將前述之手段（抽吸口、氣體噴出口 、 >。 【實施方式】 佳形態 卜圖H針對適用於進行浸液曝光之系統的整體結構，失昭圖 ^接曝光裝置；圖巾之B1裝有：輸送㈣ 置後 載置台施，以將密封收納著基板例如十：片ί圓玄具備 C1加以送入送出;開關部21，從該輸㈡。日;圓來工具 【，遞送裝置A1 ’經由開關部21，從 輸运工具載置部B1的内側連接著處理部B2， 於框體22包圍四周。於該處理部B2中，理部B2 並列而裝置，以位於從前面依序將純·ΪίΊΑ2、A3 3 =的棚架單元U1、U2、U3以及液處理‘ 3，單元 =之間’進行晶圓w的遞又、U5的各 二區隔抑所圍成的空間内。該區隔壁23^置=，放置 係從輸送工具載置部B1看& —面所構成； U1、U2、U3部份之— a ^刻後方向而配置的棚架單元

射刀之面、-係後述之例如右側的液處理單H 11 1323924 U5部份之一面’以及形成左側之一面的背面部。此外，圖中之％、 25係溫、屋度調節單元，具備各單元所使用之處理液體的溫度調節 裝置，或者液體處理單元U4、U5内之溫渥度調節用的導管等。

如圖2所示，液處理單元U4、U5呈現多數段例如五段式疊 層而構成，係於光阻液或顯影液等之藥液收納部26之上，聶 佈單元(COT)27、顯影單元(DEV)28與反射處理防止卿成H 架單元m、U2、U3採用將各種單元加以多 數&式’例如十段璧層之結構，以進行液處理單元w、仍 之處理的丽處理與後處理；該各種單元組合包 的加熱單元，以及冷卻晶圓w的冷卻單元[”、从烤)日曰0 w 抑4處理=3架單元^3的_經由介面部B3而連接曝光 J二由第i ^面部B3係於處理部B2與曝光部B4 1由弟1輪达至3Α、第2輸送室3Β前後地裝詈所禮出， 並各別裝有基板輸送裝置的第1 成， 送裝置31Β。又，第ί板^裝置31Α及第2基板輸 Ε盒①。棚架單^υ6^；至加 裝 =架單元U6與緩衝晶圓 晶圓W ;以及呈有“3_)，PEB處理曝光後之 層之結構。 卩板"精度單元等^呈現上下式疊 以下簡單說明前述系統之晶 W的輸送工具C1從外 =的:私。百先，當收納晶圓 的外蓋和開關部21㈤時卸下，以置台施時，輪送工具C1 之後，晶圓w經由形成棚架單元、而。取出晶圓w。 到主要輸送裝置A2 ;再於棚 ^ /又的遞达早兀，被遞送 反射防止膜之形成或冷卻單元、，ϋ3内，一個棚架’藉由 其後’晶圓W藉由主要於…祐仃土板的溫度調整等。 (COT)27，·當光阻置Μ輸送到塗佈單元 膜於形成在晶圓％表面==面之同時’斥水性膜將成 緣部經過側端部，再橋的外面’該斥如生膜係從表面邊 由主要輪误壯i 7月面邊緣部的保護膜。之後，日 輸^ A2輸峨部，趙人_^， 12 1323924 之溫度進行供烤處理。 一 、、’σ束供烤處理的晶圓w接著於冷卻單元冷卻後，經由棚架單 =U3之遞送單元，以輸入到介面部Β3 ;再藉由該介面部bl、以 曝光部B4内。此外，如【先前技術】一攔所詳細記載，盥 曰曰副W之表面相互對向地配置曝光裝置1，以進行浸液曝光。、

r眼ίί η經由第2基板輸送裝置31B，結束浸液曝光的晶圓W 彡成棚料元U6之—⑽加熱單元 =^=\加熱單元_)中，進行加熱處理；經由加熱處理， 产之光阻所包含的酸化成份產生的酸將擴散到光阻。 作用，將使光阻成份產生化學性反應；例如於正型的 ί則影液成為可溶性；而於負型的光阻時，對於顯影 出，ίί、、: 5將晶圓w藉由第1基板輸送裝置3 ια從加熱單元輸 二之裝r3。之後，藉由該主要輸送裝置苁 供除後之晶圓w的整體表面。由於= 上之原本的輸送ίϋ先阻遮罩。然後，晶圓w回到載置台施 板輸置基_送裝置31B。圖3顯示第2基 之部分所構成：輸送臂部，置31B由以下

上方依此順序重疊而、4B。輸送臂部4A、4B係由 從第1輸送官3A於、s，輸达煮。卩4A將曝光處理前的晶圓W 的晶圓w從曝光τ完浸液曝光 4B分別具有相同沾处操丄輸迗至3A。例如，輸送臂部4A、 部42〜44所構成。、JH 4A ' 4B分別由第1〜第3臂 弟1 J。卩42的根端連接到輸送基體41上，而 13 1323924 設置的限制面，具有關晶81職側邊緣之位置 卿定之位置大幅地—往後方偏移日t田Γ圓= 後側故緣的位置仍將因為段差部60而受到限制。 61相频有支料& ;支撐部65 _該限制部 1 ί =於前述支撐部54的結構，更可放置已進行 之於ίΐίίίΐΊ然而，該支擇部65異於支撐部54，較 升之斜面1===升之斜面’係前端部份向後端部份上 部;======，繞的液滴收容 W之邊緣部份㈣ 丁况月其樣恶。圖6中之71係一平台 則的晶圓w。又，圖中之72係對準部，用以進^^圓於 席其詳ί說明如後述。此外，為了避免圖面變得複雜，、因此 回僅顯不第2基板輸送裝置31Β之輸送臂部 部 而省略第2基板輸送襄置31Β之其他各部份的記载的^本體46’ 著平部本體46從對向於平台71的伸縮位置伸長，以向 ，而伸人到放置於平台71之晶圓W的下面(圖‘ H ^後，經由輸送基體4卜使臂部本體46上升。於是，曰圓 w被遞送到臂部本體46，_成挟在關部51二:1 之間的狀態下’而放置於支撐部54、65(圖6( ) f 1 j =平⑽往後退。於該後退之時，二者:= 之前進路線上的對準部72，使晶圓地Ϊ到 進ίί、退方向呈反方向的推壓，而藉由限制料 進订位置輕(圖6(d))。又’圖7(a)、（b)顯示於進行餘置調整狀 15 對準部72與臂部本體46二者之上側面的樣態。於此例中， 结拖ί 72相當於推壓機構，將臂部本體46上的晶圓w之後側邊 、豕推壓到前方。 心 存u ΐ而’以晶圓…的位置調整而言，並不限定於如上述般進行。 ^ 〇亦可於晶圓w的邊緣部份放在限制部61之斜面62的狀熊 由於Γίΐ本體46從平台71取下晶83 w。而且，亦能於晶®"w y、本身重量而滑落斜面62，並自動地放置於支撐部54、幻， 仃位置調整的狀態下，而構成各限制部及各支撐部。 之前ΐ示於進行前述之晶® W的遞送時，臂部本體奶 圖中斤二現的樣態。圖中之73係塗佈於晶圓W的光阻。 部份的背®ϋ曝τΓ^4的浸轉糾，附著在晶ffl W之邊緣 月面之液滴74，由例如純水所形成。 當支t 體46朝向晶圓W上升；如圖8⑻所示， _53、64 社方），_以圓 w = 由於形ίί滴將收納到液滴收容部53内。如上述， 依其大小而陷部的深度約lmm程度，液滴74雖 的狀態。因此，如j =係呈現從液滴收容部53之底面稍微浮起 下一個模組時，臂^^所4=當晶圓W從臂部本體# -遞送到 又如圖9⑻〜icW體的液滴收容部53上並未附著液滴。 晶圓W因為對準邱乃不，於晶圓％遞送到臂部本體46時，或 74的-部份或=目對地推到前面，使晶圓W背面之液滴 46遞送到下1個槿细彳液滴收容部53 ;而晶圓W從臂部本體 情形。此時，臂％ /將出現液體75殘留在液滴收容部53的 使該晶圓從曝光部別取出下一片晶圓W時，即 74積在液滴收容邻夕^液滴74，仍將形成晶圓W背面之液滴 留液體75由於表:择^底部的殘留液體乃上的樣態。並且，殘 本本地殘留在液滴收容力n於一晶圓以背面後掉落，或原原 。但然論如何，液滴74不會產生藏開 16 1323924 而附者在晶圓w表面的情形。 後端二在：的;=二本體心 滴收容部64。修果，日L 面上的賴收納到液 部64的液滴不會；卿『晶圓W的\= 液滴或殘留在液滴收容 64上蓄積了液滴，但由於晶圓 ^ =商=部53、 53、64 ’於是可抑制該液滴產:::二==收容部 又，於晶® W放物卩本體46上以^：^；日® W = 的情形。 ==從 可謂=位置； 實地抑制液滴收容造。為了更確 液滴收容部53、64亦可採用向力亡了 =積，如圖10⑻所示， S3 . 64 專之吸水性構件81，並> ψ ^ 1次从及水纖維 吸走_在賴收容部^使触水性構件81 53去除。又該吸水性構件81 ^ 將液體75從液滴收容部 可同樣地在臂部本體46側;t也配置。此外，亦 17 1323924 液體，而從該液滴收容部64去除。 士面上開有一柚吸口 83’用以抽: 容部53二者的液體；而氣體噴出體贺出口 82及液滴收 ί Vi 84 ° 二以連接到用以儲存N2(氮)氣體等之非活性氣體的I體供靡 =5望又，從喷出口 82喷出的氣體並不限^非活性^ 本體46内的抽吸通路86，而該= 通口路8386^古到f置於例如臂部 以連接到例如真空群之抽吸裝置87路縣&雜由閥V2， 亦可如前述般，臂部本體46從曝 ，亚進行位置調整後，隨即打 取 :，液體。於此同== 部份，二該晶圓W背面的邊緣 -在輸將 附著到晶圓W表面的情形。又，臂液滴不會產生 或清洗僅需低頻率即可%例體46的前爪部權青洗’ 又’該圖11〇3)之臂部本體46中，吹附>^备、友触2^1 液滴收容部之液體的日夺機並不2限於I述的: 例如^可從臂部本體46取下晶圓w以前即開始進=例子， 亦可^遠體46之後側部份的液滴收容部64之表面上， 紅之冋日守，將軋體從該液滴收容部64的噴出口 82噴出到晶^ 18 W，以乾燥晶圓w的背面。 氣體供應通路84及抽吸通路86不限於形成在臂部本體46之 營祐部本體46之外進行配管’但由於臂部的伸縮會使配 者轉。因此，將配管形成於各臂部之中’並利用各臂部之 P即。卩的旋轉軸的内部以確保通路，可謂一好方法。 又，亦可如圖11⑻所示，在液滴收容部53上設置吸水性構件 矣―ΐ吸通路86的一端連接到該吸水性構件81，抽吸通路86的 仿明由閥V2以連接到抽吸裝置87而構成臂部本體46,以 滴收二义181吸收已蓄積在液滴收容部53之液體75，而從液 X 去除之；並當一打開閥V2時，使抽吸裝置87抽吸並 性構件81所含的液體75，而乾燥該吸水性構件8卜藉 别U般地構成臂部本體46 ’可降低吸水性構件81的替換頻率。 ^於臂部本體46之後側部份麻容部64之底面與該 z壯詈S7谷ήΓ 53相同地’亦可經由抽吸通路86 *設置連接到抽吸 Ϊ容邱構件81，以使吸水性構件81抽吸已蓄積在液滴 並藉由抽吸裝置87去除吸水性構件81所含 的水伤，而乾燥該吸水性構件81。 【圖式簡單說明】 -例示具備本發明之基板輸送錢的塗佈、顯影裝置之 示該塗佈、顯影裝置之整體的立體圖。 ίΐ 4二ί本發明之基板輸送結構的頂面圖與側視圖。 Ϊ 基板輸送結構之臂部本體的立體圖。 ^ 2 ir、頦不該臂部本體之前端部份的側視圖。 明圖7綱⑻⑼係顯不晶圓遞送顺基板輸送結構之樣態的說 之樣顯域餘絲贿秘構㈣酸雜置調整 19 的前晶圓遞送到該基板輸送結構時，臂部本體 的前晶圓遞铜該基板輸送雜時，臂部本體 縱别=t⑻⑼係顯示關於其他實施形態的液滴收容部之構造的 辑麵的基板輸 送結構之臂 以浸液曝光之曝光裝置的說明圖。 圖14_(c)係顯二$ = 樣態的側视圖。四 時之樣態的說明圖。 _知的基板輸送結構以輪送該晶圓 圖15⑻(b)係顯示藉由明 時，微粒逸散之樣態的說^知的基板輸送結構以輪送讀晶圓 【主要元件符號說明】 1〜曝光裝置 la〜透鏡 lb〜供應口 lc〜抽吸口 3A〜第1輸送室 3B〜第2輸送室 4A，4B〜輸送臂部 10〜微粒 11〜液滴 12〜光阻膜 13〜臂部本體 14〜前爪部 15〜限制部 20 1323924 15a〜限制面 16〜支撐面 17〜傾斜面 18〜液體 20〜輸送站 20a〜載置台 21〜開關部 22〜框體 23〜區隔壁

24, 25〜溫溼度調節單元 26〜藥液收納部 27〜疊層塗佈單元 28〜顯影單元 31A〜第1基板輸送裝置 31B〜第2基板輸送裝置 41〜輸送基體 42,43,44〜第1，第2，第3臂部 45〜連接部 46〜臂部本體

50〜前爪部 51〜限制部 52〜限制面 53〜液滴收容部 54〜支撐部 55,56〜斜面 60〜段差部 61〜限制部 62〜斜面 63〜限制面 21 1323924 64〜液滴收容部 65〜支撐部 71〜平台 72〜對準部 73〜光阻 74〜液滴 75〜殘留液體 81〜吸水性構件 82〜氣體喷出口 83〜抽吸口 84〜氣體供應通路 85〜氣體供應源 86〜抽吸通路 87〜抽吸裝置 100〜曝光機構 A1〜遞送裝置 A2, A3〜主要輸送裝置 B1〜輸送工具載置部 B2〜處理部 B3〜介面部 B4〜曝光部 C1〜輸送工具 U1，U2,U3〜棚架單元 U4,U5〜液處理單元 U6〜棚架單元 V1,V2〜閥 W〜半導體晶圓 CO〜緩衝晶圓匣盒 22

Claims (1)

1J23924 十、申請專利範圍： 部本;種基板輸送裝置，具制讀送已浸祕光後之基板的臂 其特徵為具有： 為内ίί:I裝設於該臂部本體’支撐著比基板的f面之邊緣較 於對目對於該支撐部，中間隔著該基板的邊緣，而裝設 、對向的位置，以限制該基板的邊緣之位置；及 面更:設置於比該支撐部與限制部二者間之基板的背 機構2^!^專=圍H項t基板輸送裝置，其中，更具有推壓 緣朝寸也u、^基板文支撐於該支撐部後，將該基板的後側之邊 滴收3容軸送裝置，其中，該液 4.如申請專利範圍第3項之基板輪 形成於臂部本體之抽吸通關前關=；：置，其巾’綠吸口係 5·如申請專利範圍第j或第2項之基板 ，收容部設置有用以將用以乾燥基板之〔、中’ 加以噴出的氣體噴出口。 1又逯緣邛份用之氣體 6. 如申睛專利範圍第5項之基板輸送沪 口係形成於臂部本體之氣體供應通路的前^開σ1 ’該氣體喷出 7. 如申請專利範圍第1或第2項之基 π| ° 滴收容部設置有吸水性構件。 裝置，其中，該液 ^口申請專利範圍第i或第2項之基板 支^觀察_部，該液滴收容部的底面朝n其中’從该 附著在該底面的液滴滑落。 工右方向傾斜，以使 9-種塗佈、顯影裝置，具有：處理區塊，設有將光阻塗佈到 23 U23924 佈單7" ’以及將顯影液供應到曝光後之_以進 2 衫早兀；曝光裝置，將液層形成於基板之表面，以進 订/又液曝光，與介面部，連接於該處理區塊與曝光裝置； 其特徵為： ’ 晋具備如申請專利範圍第1或第2項之基板輸送裝 ΐ送ίϊ 曝光後的基板加以輸送到該處理區塊側之ί板 10.—種基板輪送方法，其特徵為： 著比置’該基板輸送裳置具有：支撐部，支撐 ^板的月面之邊緣更内側的部份；及限制部，相 該基板輸送方法包括下列製程： :，置於 π.如申請專利範圍第〗〇項其、 氣體噴出到該支撐部與關部二者i ，其中，更包括將 之背面乾燥的製程。 有]的基板之背面，而使該基板 12 ·如申请專利範圍第〗彳工旨装、， 體的製程與該乾燥製朗時間進行二_方法，其中’該抽吸液 13.如申請專利範圍第1〇至12項 其中，包括下列步驟：練支撐步驟，1 基板輸送方法， 推壓機構相對地往後退之狀態下，，，装扠於該基板後側的 邊緣位置限制步驟，接著將镙部支撐著基板；及基板 藉由該基板之前側方侧方，以 24