CN1979338B - 涂敷显影装置及方法、计算机程序及记录有其的记录介质 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供以下技术：在基板上形成抗蚀剂膜并对液浸曝光后的基板进行显影处理的装置中，可抑制液浸曝光残留在基板上的水滴对抗蚀剂图案的显像带来的不良影响。若附着在基板上的液滴经过一段时间，则其尺寸急剧减小，这时，着眼于在基板的抗蚀剂膜上形成变质层(水印)，在液浸曝光后，在进入液滴的尺寸急剧减小的时间带之前的时间带上，进行基板的搬送控制，使得在洗净部洗净基板。具体地说，在从曝光装置中输出搬出准备信号时，优先于其他的搬送作业，接口部的基板搬送单元将搬送台上的基板搬送至洗净部。

Description

涂敷显影装置及方法、计算机程序及记录有其的记录介质
技术领域
本发明涉及在基板的表面上涂敷抗蚀剂液并且对液浸曝光后的基板进行显影的涂敷显影装置和涂敷显影方法。
背景技术
作为在半导体晶片(以下称为“晶片”)或者LCD(液晶显示器)用的玻璃基板等基板上形成抗蚀剂图案的方法，通过连接有涂敷、显影装置和曝光装置的系统来进行实施，其中，该涂敷、显影装置包括用于在基板上涂敷抗蚀剂液的涂敷部和对曝光后的基板进行显影的显影部等。
作为曝光装置的曝光技术，具有下述方法，即，为了进一步改良利用现有光源(例如氟化氩(ArF)或者氟化氪(KrF))进行的曝光技术以提高清晰度，而在基板的表面形成使光透过的液相，并在此状态下进行曝光(以下称为“液浸曝光”)。参照图11简单说明进行该液浸曝光的曝光装置。在利用未图示的保持机构而被保持为水平姿势的晶片W的上方，配置有与晶片W的表面隔开间隙并与之相对的曝光单元1。在上述曝光单元1的中央前端部设置有透镜10，在该透镜10的外周侧分别设置有供给用于在晶片W的表面形成液层的溶液(例如纯水)用的供给口11、以及用于吸引供给晶片W的纯水并进行回收的吸引口12。这时，在从上述供给口11向晶片W的表面供给纯水的同时，利用吸引口12回收该纯水，由此，在透镜10和晶片W的表面之间形成液膜(纯水膜)。然后，由未图示的光源发出光，使该光通过该透镜10，并透过该液膜而被照射到晶片W上，由此，在抗蚀剂上转印规定的电路图案。
接着，例如，如图12所示，当在透镜10和晶片W的表面之间形成有液膜的状态下，使曝光单元1横向滑移，将该曝光单元1配置在与下一个转印区域(拍摄(shot)区域)13对应的位置上，通过反复进行照射光的动作，而在晶片W的表面顺次转印规定的电路图案。其中，曝光区域13记载为比实际要大。
此外，还记载有在晶片的表面上形成防水性保护膜的技术，使得当在晶片上涂敷抗蚀剂液后并且进行液浸曝光之前，能够在抑制抗蚀剂的溶解析出的同时，使液浸曝光时的水滴难以残留在晶片表面(专利文献1)。
作为上述液浸曝光的课题之一，列举有在水滴残留于晶片上的状态下将其从曝光装置搬送至涂敷、显影装置侧的可能性。虽然会在曝光后对晶片W进行加热处理，但是，若晶片上有水滴，则因为存在水滴部位的温度会变成与其他部位温度不同等的原因，而会对其正下方的图像显像带来不良影响。所以，有必要洗净曝光后的晶片的表面以除去水滴。
所以，虽然对在涂敷、显影装置侧设置洗净装置的方案进行研究，但是，当水滴附着在晶片上后，其尺寸会随着时间的流逝而逐渐变小，在某一时刻尺寸会迅速变小。若晶片的洗净时刻处在水滴尺寸急速变小的时间带中，则水滴会渗入保护膜内并到达抗蚀剂膜的表面，形成相对于显影液的不溶解层、即所谓的水膜，因此，会对图案的线宽的均匀性带来不良影响。
另外，一般从生成微粒的观点出发，而进行如下操作，使得对于曝光前的晶片，在周边曝光部曝光晶片的周边部，在供给显影液时除去晶片周边部的抗蚀剂。但是，因为有可能在周边曝光时损伤保护膜，所以，正在研究将晶片从曝光装置送回涂敷、显影装置侧之后再进行周边曝光的方案。
另一方面，就化学增幅型的抗蚀剂而言，为了使在曝光时发生的酸的扩散程度在晶片间保持一致，优选使从曝光晶片的时刻开始到开始加热处理为止的时间(PED时间)一致。为此，在使用组装有热板和兼用作晶片专用支臂的冷却板的加热部时，例如，通过将晶片载置在冷却板上来调整该待机时间，而能够实现PED时间的恒定化(专利文献2)。
但是，在冷却板上进行PED时间的调整的方法，存在加热部的台数增多、以及成本提高的缺点。相对于此，若通过设置待机部，在该待机部上对晶片进行PED时间的调整，并在此之后将晶片从该待机部搬送至加热部，那么，在晶片搬送臂的作业中，因为从将晶片搬入洗净部或者周边曝光部开始到将其搬出为止的时间不规则，所以在待机部的时间的调整幅度变大。尤其是，因为通过设置洗净部而增加一个放置晶片的模块，若要确保高生产量，则有必要仔细研究晶片搬送臂的控制程序，若晶片间的从待机部搬出的时刻相差过大，则晶片搬送臂的控制就变得极其困难(如果不顾及生产量则不会引起这样的问题)。
专利文献1：日本特开2005-175079号公报(权利要求1、0036)
专利文献2：日本特开2004-193597号公报(段落0071～0074以及图4)
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供以下技术：在基板上形成抗蚀剂膜并对液浸曝光后的基板进行显影处理的装置中，能够抑制液浸曝光残留在基板上的水滴对抗蚀剂图案的显像所带来的不良影响。
另外，本发明的另一目的在于提供以下技术：对完成液浸曝光的基板进行周边曝光，同时，控制从结束曝光到开始加热处理的时间，使其在基板间保持一致，这时，能够易于进行基板的搬送控制。
本发明涉及一种涂敷、显影装置，在基板上涂敷抗蚀剂液以形成抗蚀剂膜，并在加热部中对在曝光装置中被液浸曝光后的基板进行加热处理，之后，在显影处理部中进行显影处理，其特征在于，包括：
洗净液浸曝光后的基板表面的洗净部；
向该洗净部交接液浸曝光后的基板的第一基板搬送单元；和
控制部，在从液浸曝光的完成时刻开始的经过时间与液浸曝光时残留在基板上的液滴尺寸之间的关系中，在进入液滴尺寸急剧变小的时间带之前的时间带中，进行利用所述基板搬送单元进行的基板搬送控制，使得在洗净部洗净基板。
作为本发明具体实施方式，基板搬送单元构成为将曝光前的基板交接至搬入台，其中，该搬入台用于将基板搬入曝光装置，从用于将基板从曝光装置搬出的搬出台接收曝光后的基板，并向上述洗净部搬送，上述控制部，例如在接到来自曝光装置的基板的搬出准备信号时，控制上述基板搬送单元，使得优先于其他的搬送作业，将上述搬出台上的基板搬入洗净部。
另外，在构成为还包括用于使已在上述洗净部洗净的基板待机的待机部；在进行在上述加热部中的加热处理之前，对搬出该待机部的基板进行周边部的曝光的周边曝光部；以及从上述待机部取出基板，并将其搬送至上述周边曝光部，而且在周边曝光后向上述加热部搬送基板的第二基板搬送单元的情况下，
优选上述控制部进行如下控制：为了使从洗净部中的基板洗净开始时刻开始、到将该基板搬送至周边曝光部为止的时间为预先定好的设定时间，使基板在上述待机部待机，同时，控制第二基板搬送单元，使得优先于其他的搬送作业，将完成周边曝光的基板搬送到加热部。
另外，在本发明中能够采用具有保护膜形成部的结构，保护膜形成部在抗蚀剂膜上涂敷药液，形成用于在液浸曝光时保护基板表面的防水性的保护膜。
本发明另一方面涉及一种涂敷、显影方法，在基板上涂敷抗蚀剂液以形成抗蚀剂膜，对于在曝光装置中被液浸曝光后的基板，在加热部中进行加热处理，之后，在显影处理部进行显影处理，其特征在于，包括：
利用第一基板搬送单元将液浸曝光后的基板搬送至洗净部的工序；
在该洗净部洗净基板表面的工序；和
在从液浸曝光完成时刻开始的经过时间与液浸曝光时残留在基板上的液滴尺寸之间的关系中，在进入液滴尺寸急剧减小的时间带之前的时间带中，进行基板的搬送控制，使得在洗净部洗净基板的工序。
在本发明中，也可以包括如下工序：将在上述洗净部洗净的基板搬送至待机部的工序；为了使从上述洗净部中的基板的洗净开始时刻开始、到将该基板搬送至周边曝光部为止的时间为预先定好的设定时间，而使基板在上述待机部待机的工序；利用上述第二基板搬送单元将基板搬出上述待机部，搬送至周边曝光部的工序；在上述周边曝光部对基板的周边部进行曝光的工序；和利用上述第二基板搬送单元，优先于其他的搬送作业，将已在上述周边曝光部完成周边曝光的基板搬送至加热部的工序。
另外，本发明另一方面涉及一种记录有计算机可读程序的记录介质，其中，所述计算机程序在涂敷、显影装置中使用，该涂敷、显影装置在基板上涂敷抗蚀剂液以形成抗蚀剂膜，并对于在曝光装置中被液浸曝光后的基板，在加热部中进行加热处理后，在显影处理部进行显影处理，其特征在于：
包括用于实施本发明的上述涂敷显影方法的步骤组。
根据本发明，若附着在基板上的液滴经过一段时间，则其尺寸急剧减小，这时，着眼于在基板的抗蚀剂膜上形成变质层(水印(watermark))，在进入液滴的尺寸急剧减小的时间带之前的时间带上，因为进行基板的搬送控制，使得在洗净部洗净基板，所以能够抑制抗蚀剂膜的变质层的生成，结果，能够抑制残留水滴对抗蚀剂图案的显影的不良影响。
另外，洗净液浸曝光后的基板，再对该基板进行周边曝光，同时，在使从液浸曝光终了后开始到开始加热处理为止的经过时间在基板间一致的时候，使从洗净部中的基板的洗净开始时刻到将该基板搬入周边曝光部为止的时间为预先定好的设定时间。所以，在将基板搬出周边曝光部时，在基板间，液浸曝光后的经过时间基本一致，所以，通过优先于其他的搬送作业，而首先将完成周边曝光的基板搬送至加热部，达成使基板间的上述经过时间一致的目的，且基板间的搬送控制程序变容易，能够抑制生产量的降低。然而，若在加热部内进行液浸曝光后、加热前的经过时间的调整，则因为基板在加热部内的滞留时间变长，其台数增加，所以相较该方法来说，本发明只需要较少的加热部的台数。
附图说明
图1是表示本发明的涂敷、显影装置的实施方式的平面图。
图2是表示本发明的涂敷、显影装置的实施方式的立体图。
图3是表示上述涂敷、显影装置的接口部的简要立体图。
图4是表示上述涂敷、显影装置的晶片搬送路径和控制部的平面图。
图5是表示设置在上述接口部内的洗净部的简要截面图。
图6是表示设置在上述接口部内的周边曝光部的简要截面图。
图7是表示液滴的尺寸与经过时间的关系的特性图。
图8是表示在上述实施方式中曝光后的晶片到加热部的搬送控制的流程图。
图9是接口部的状态与搬送臂的一个动作相对应当说明图。
图10是接口部的状态与搬送臂的一个动作相对应当说明图。
图11是表示用于液浸曝光晶片的曝光装置的说明图。
图12是表示利用上述曝光方法液浸曝光晶片表面的状态的说明图。
符号说明
W：半导体晶片；B3：接口部；B4：曝光装置；28a：第一搬送室；28b：第二搬送室；3：保护膜形成单元；31A：主搬送部；31B：辅助搬送部；37：搬入台；38：搬出台；40：洗净部；41：待机部；55：洗净液供给喷嘴；7：周边曝光部；9：控制部；91：第一程序；92：第二程序；V10：阀。
具体实施方式
参照图1和图2简单说明将曝光装置连接到本发明的实施方式的涂敷、显影装置上的系统的整体结构。在图1和图2中，B1是用于将密闭收容例如13枚基板的载体2搬入搬出的载体站，设置有可以并行载置多个载体2的载置部20、从该载置部20观察被设置在前方壁面上的开闭部21、以及用于经由开闭部21从载体2取出晶片W的交接装置A1。
在上述载体站B1的里侧连接有由筐体22围成的处理块B2，在该处理块B2上，从前方开始依次设置有交替排列设置的主搬单元A2、A3，其构成基板搬送单元，在将加热·冷却系统的单元多层化的架式单元U1、U2、U3和液处理单元U4、U5的各单元之间进行晶片W的交接。另外，主搬送单元A2、A3被放置在由区隔壁23所围住的空间内，区隔壁23由从载体站B1观察被配置在前后方向上的架式单元U1、U2、U3侧的一面部、后述的例如右侧的液处理单元U4、U5侧的一面侧、和构成左侧一面侧的背面部构成。另外，在图1和图2中，24、25是具备在各单元中使用的处理液的温度调节装置和温湿度调节用的管道等的温湿度调节单元。
例如，如图2所示，上述液处理单元U4、U5构成为在抗蚀剂液和显影液等药液收纳部26的上面将以下单元层积为多层，例如5层，即，用于在晶片W的表面涂敷抗蚀剂液的涂敷单元(COT)30；作为用于在已形成抗蚀剂膜的晶片W的表面形成防水性保护膜的保护膜形成部的保护膜形成单元(TC)3；用于在晶片W的表面涂敷显影液的显影单元(DEV)27、以及反射防止膜单元(BARC)3a等。另外，上述架式单元U1、U2、U3构成为，将用于进行在液处理单元U4、U5中进行的处理的前处理以及后处理的各种单元层积为多层，例如10层，该组合包含加热(烘焙)晶片W的加热单元和冷却晶片W的冷却单元等。
在上述处理块B2的架式单元U3的里侧，经由接口部B3连接着曝光装置B4。下面，参照图1、图2和图3说明接口部B3。接口部B3由前后地设置于处理块B2和曝光装置B4之间的第一搬送室28a和第二搬送室28b所构成，分别设置有主搬送部31A和辅助搬送部31B。这些主搬送部31A和辅助搬送部31B是构成基板搬送单元的部分。
在第一搬送室28a上夹着主搬送部31A而从载体站B1侧观察的左侧，例如上下设置有用于只选择性地曝光晶片W的边缘部的周边曝光部(WEE)7、用于使在后述的洗净部40洗净的晶片待机的待机部41、和一次性收纳多枚(例如25枚)晶片W的缓冲盒(SBU)。同样，在右侧上下地层积设置有交接单元(TRS2)、和具有例如冷却板的高精度温调单元(CPL)。
图4是描述利用上述主搬送部31A和辅助搬送部31B搬送晶片W的搬送路径和这些搬送部31A以及31B的控制系统的图。若参照该图4进行说明，则如图4所示，上述主搬送部31A具有以下作用：在将载置在架式单元U3的交接单元(TRS1)的曝光前的晶片W依次搬入缓冲盒(SBU)、高精度温调单元(CPL)的同时，将由辅助搬送部31B载置在交接单元(TRS2)的曝光后的晶片W依次搬入待机部41、周边曝光部(WEE)7和加热单元(PEB)。在该例子中，辅助搬送部31B相当于第一基板搬送单元，主搬送部31A相当于第二基板搬送单元。
所述辅助搬送部31B构成为使得自由升降且绕铅直轴自由旋转的基体34能够通过导向机构35的运动而沿左右方向移动，再者，在该基体34上设置有进退自由的搬送臂36。在第二搬送室28b上从载体站B1侧观察的辅助搬送部31B的左侧设置有用于在液浸曝光前洗净晶片W的表面的洗净部40。
如图4所示，该辅助搬送部31B具有在将高精度温调单元(CPL)内的晶片W搬入曝光装置B4的搬入台37的同时，将曝光装置B4的搬出台38上的晶片W依次搬入洗净部40和交接单元(TRS2)的作用。另外，所述主搬送部31A和辅助搬送部31B根据后述控制部9的指令利用未图示的控制器控制驱动。
下面，参照图5简单说明上述洗净部40的结构。图5中50是构成基板保持部的旋转卡盘，构成为利用真空吸附水平地保持晶片W。该旋转卡盘50利用驱动部51能够绕铅直方向旋转且能够升降。另外，在旋转卡盘50的周围设置有包围从晶片W到旋转卡盘50的侧方部分的杯52，在该杯52的底面上设置有包含排气管53和排水管54等的排液部。
另外，图5中55是用于向晶片W的近旋转中心供给洗净液的洗净液供给喷嘴，该洗净液供给喷嘴55经由供给通路61与用于供给洗净液例如纯水的洗净液供给部62连接。在上述供给通路61上介设(经由设置)有阀V10。再者，图5中63是形成在处理容器64的辅助搬送部31B的搬入区域的相邻面上的晶片W的搬入搬出口，设置有开闭挡板65。
下面，参照图6简单说明上述周边曝光部(WEE)7的结构。在具有搬送口71的筐体70内设置有由真空卡盘构成的台72，该台72的驱动部由导向机构74和旋转机构73组合而成，使得台72构成为能够直线移动以及绕铅直轴旋转。另外，与载置在台72上的晶片W表面的周边部相对，设置有用于将从例如超高压水银灯或氙闪光灯等的光源75射出的光透过矩形的狭缝而照射在晶片W的表面的光照射部76。再者，使得台72能够在曝光区域内沿晶片W的半径方向直线移动。在这样的周边曝光部(WEE)7中，通过台72的旋转、直线运动依次曝光晶片的周边部。
如图4所示，上述涂敷、显影装置具备控制部9，其包含用于控制上述主搬送部31A和辅助搬送部31B的驱动的控制器。该控制部9具有第一程序91、第二程序92和中央处理装置(CPU)93。94是总线。关于控制部9的控制动作，首先就图7进行说明，虽然随着时间的流逝液滴的尺寸逐渐变小，但是，若经过某一时刻例如后述图7的t1时刻，则急剧减小，在t2时刻消失。这里，就从液浸曝光完成时刻开始的经过时间与在液浸曝光时残留在基板上的液滴的尺寸之间的关系而言，如图7所示，第一程序91是用于进行辅助搬送部31B的搬送控制，使得在进入液滴的尺寸急剧减小的时间带之前的时间带，即在比t1的时刻还靠前的时间带中在洗净部40洗净晶片W的程序。另外，控制部9，还具有未图示的为了在洗净部40实施洗净晶片W所必需的程序以及在周边曝光部7对晶片W实施周边曝光所必需的程序。
如上所述，液浸曝光时(参照图11、图12)，因为在晶片W上形成例如纯水的液层，因此，曝光之后，在晶片W上残留直径例如为0.5μm～1μm的液滴。该液滴的尺寸按图7所示变化，从液层消失的时刻、即曝光完成时刻开始到开始急剧变小的时刻t1为止的经过时间是60秒。所以，第一程序91构成为控制作为基板搬送单元的辅助搬送部31B，使得在从晶片W的液浸曝光完成时刻开始的例如30秒以内将该晶片W搬入洗净部40内。
在该实施方式中，控制部9构成为在从曝光装置B4接收晶片W的搬出准备信号(搬出就绪信号)时，控制辅助搬送部31B将所述搬出台38上的晶片W搬入洗净部40，优先于辅助搬送部31B进行的其他搬送作业。这是，所谓其他的搬送作业并不是在接收搬出准备信号时进行中的作业，而是接着该作业进行作业的意思。即，在该例子中，系统构成为即使将从曝光完成开始到发出搬出准备信号为止的时间中成为最大的时间，与从发出搬出准备信号开始到将搬出台38上的晶片W搬送至洗净部40的时间中成为最大的时间(在发出搬出准备信号时，辅助搬送部31B已开始其他搬送动作的情况下的时间)合计，也比从晶片W的液浸曝光完成时刻开始到液滴开始急剧变小的时刻t1为止的经过时间还短。
另外，就如上所述的化学增幅型抗蚀剂的情况而言，优选对晶片W进行如下控制，使得从曝光完成开始到开始在加热部(PEB)中加热为止的时间(PED时间)在晶片间保持一致，在该实施方式中，为了进行PED时间的管理而采用第二程序92。该第二程序92是用于控制主搬送部31A的程序，使得实现如下结果，即，为了使从洗净部40中的晶片W的洗净开始时刻开始，到该晶片W被搬送入周边曝光部7为止的时间为预先定制的设定时间Ta，而使该晶片W在上述待机部41中待机，同时，优先于主搬送部31A进行的其他搬送作业，将完成周边曝光的晶片W搬送至加热部(PEB)。例如，就上述设定时间Ta而言，是根据下述设定值进行决定，例如将从曝光完成开始到发出搬出准备信号为止的时间中成为最大的时间，与从发出搬出准备信号开始到开始在加热部(PEB)中加热该晶片W为止的最短时间的合计时间作为PED时间的设定值。
上述第一程序91和第二程序92被收纳于存储介质，例如软磁盘(FD)、存储卡、只读光盘(CD)、和磁光盘(MO)等中，被安装在作为控制部9的计算机中。
接着，虽然说明上述实施方式的作用，但是这里首先简单说明上述涂敷、显影装置中的晶片的流动。首先，若从外部将收纳有晶片W的载体2载置在载置部20上，则与开闭部21同时打开载体2的盖体，利用交接单元A1取出晶片W。然后，晶片W经由构成架式单元U1的一段的交接单元(未图示)而被送到主搬送单元A2，在架式单元U1、U2内的一个架内，例如进行疏水化处理和冷却处理作为涂敷处理的前处理，然后，在涂敷单元(COT)30内对晶片W的表面涂敷抗蚀剂液，之后，在作为保护膜形成部的保护膜形成单元(TC)3内在已形成抗蚀剂膜的晶片W的表面形成防水性保护膜。另外，有时也会在反射防止膜单元(BARC)3a内对晶片W涂敷反射防止膜以代替疏水化处理。另外，有时也会在抗蚀剂膜上形成反射防止膜，在其上再形成上述保护膜。随后，晶片W在构成架式单元U1～U3的一个架的加热单元(PAB)中被加热(烘焙处理)，再被冷却后，经由架式单元U3的交接单元(TRS1)，被搬入接口部B3。在该接口部B3中，晶片W利用主搬送部31A被从缓冲盒(SBU)搬送至高精度温调单元(CPL)，被载置在高精度温调单元(CPL)的晶片W利用辅助搬送部31B而被搬送至曝光装置B4的(用于搬入曝光装置B4)搬入台37上，在该曝光装置B4中进行液浸曝光处理。曝光后的晶片W利用辅助曝光装置31B而被进行如下搬送，即，搬出台38→洗净部40→交接单元(TRS2)，随后，利用主搬送部31A进行如下搬送，即，交接单元(TRS2)→待机部41→周边曝光部(WEE)→架式单元U3的加热单元(PEB)。然后，就晶片W而言，在构成液处理单元U5的一个架的显影单元(DEV)中，向晶片W的表面供给显影液，通过显影抗蚀剂形成规定图案形状的抗蚀剂膜。然后，通过交接装置A1将晶片W送回载置台20上的原来的载体2。
下面，参照图8～图10，说明将液浸曝光后的晶片W搬送至加热部(PEB)的状况。若液浸曝光完成，则该晶片W被放置于搬出台38上，同时从曝光装置B4向控制部9输出搬出准备信号(搬出就绪(outready)信号)(步骤S1)。这时，判断辅助搬送部31B(第一基板搬送单元)是否处于搬送作业中(步骤S2)，若是在搬送作业中，则等待至该作业结束(步骤S3)，另外，若不是在搬送作业中，则优先于该辅助搬送部31B涉及的动作指令，辅助搬送部31B从搬出台38将晶片W搬入洗净部40(步骤S4)。
对于辅助搬送部31B的搬送控制来说，在图9和图10中表示具体的例子。在洗净部40中，在晶片W的洗净完成之后，将洗净结束信号输送到控制部9，由此，辅助搬送部31B进行从洗净部40到交接单元TRS2的搬送作业。在该作业中，曝光装置B4输出搬入准备信号(搬入就绪(in ready)信号)，随后，若输出搬出就绪信号，则利用搬出就绪信号的输出，优先于搬入信号的输出，在现在的搬送作业完成后，由辅助搬送部31B进行从搬出台38向洗净部40的搬送。之后，进行基于输出就绪信号的搬送作业，即将高精度温调单元(CPL)的晶片W搬入搬入台37的作业。
另外，在图10中，从曝光装置B4输出搬入就绪信号，由此，辅助搬送部31B进行将来自高精度温调单元(CPL)的晶片W搬入至搬入台37的作业。在该作业中，洗净部40输出洗净完成信号，随后，若输出搬出就绪信号，则利用搬出就绪信号的输出，优先于洗净完成信号的输出，在现在的搬送作业完成后，由辅助搬送部31B进行从搬出台38向洗净部40的搬送。之后，进行基于洗净完成信号的搬送作业，即将洗净部40的晶片W搬入交接单元TRS2的作业。
回到图8，一旦将晶片W搬入洗净部40，就打开阀V10，开始从洗净液供给喷嘴55向该晶片W的大致旋转中心供给洗净液，然后，使旋转卡盘50旋转，利用离心力使上述洗净液沿着晶片W的径向扩散，以洗净晶片W的表面，通过阀V10停止洗净液的供给后，也使其暂时旋转，以干燥晶片W的表面(步骤S5)。然后，辅助搬送部31B从洗净部40搬出晶片W，送到交接单元TRS2，接着，主搬送部31A将该晶片W搬送到待机部41(步骤S6)。
控制部9对各晶片W测量其从洗净完成开始的经过时间，对搬入待机部41的晶片W，判断其经过时间是否经过上述的设定时间Ta(步骤S7)。若还没有经过设定时间Ta，则该晶片W继续在待机部41中待机，若经过设定时间Ta，且主搬送部31A(第二基板搬送单元)没有进行搬送作业，则将晶片W从待机部41搬出、并搬入周边曝光部7(步骤S8)。另外，若主搬送部31A处于搬送作业中，则等待至该搬送作业完成，将晶片W从待机部41搬出、并搬入周边曝光部7。再者，就从洗净完成开始的经过时间的测量而言，只要是与洗净完成相对应的信号就可以，例如，可以是关闭阀V10的时刻或者停止旋转卡盘50旋转的时刻等。
接着，在周边曝光部7进行晶片W的周边曝光(步骤9)，一旦该处理完成，如果主搬送部31a不在搬送作业中，则优先于其他的搬送作业，将该晶片W从周边曝光部7搬送至加热部PEB(步骤S10)，若处于搬送作业中，则等待其他的作业完成，再进行将晶片W从周边曝光部7搬送至加热部PEB的作业。再者，这里所述的其他的搬送作业，就是说将晶片W搬出待机部41的作业以外的作业。
根据上述实施方式，接受曝光装置B4的搬出准备信号后，直接将该晶片W搬入洗净部40内，这样，对于进行了液浸曝光的晶片W，进行晶片W的搬送控制，使得在进入液浸曝光后附着的液滴的尺寸急剧减小的时间带之前的时间带中，在洗净部洗净晶片W，所以能够抑制抗蚀剂膜的变质层的生成，其结果能够抑制残留水滴对抗蚀剂图案的显像的不良影响。
另外，调整晶片W在待机部41中的待机时间，使得从晶片W在洗净部40中的洗净开始时刻开始，到该晶片W被搬入周边曝光部7为止的时间，为预先定好的设定时间，于是，在被搬出周边曝光部7时，优先于其他的搬送作业，将完成周边曝光的晶片W搬送至加热部PEB，由此，能够使从曝光后到加热处理开始为止的经过时间(PED时间)在各晶片W之间基本一致。所以，若在把晶片W搬出周边曝光部7之后进行PED时间的调整，则晶片W间的曝光后的经过时间的差别增大，难于进行用于得到高生产量的搬送控制，但是通过调整晶片W在待机部41的待机时间，在被搬出周边曝光部7时，晶片W间的曝光后的经过时间基本一致，结果，晶片W的搬送控制程序变容易，另外，能够抑制生产量的降低。而且，若在加热部内进行曝光后加热前的经过时间的调整，则晶片W在加热部内的滞留时间延长，所以加热部的台数增多，但是相比该方法，本发明需要的加热部的台数少。
再者，在上述实施方式中，设置有两台洗净部42，此外，也可以设置一台或者三台以上。另外，在上述实施方式中，虽然洗净已形成防水性保护膜的晶片W，但是也可以是洗净已形成防水性抗蚀剂膜的晶片W。

Claims (8)

1.一种涂敷、显影装置，在基板上涂敷抗蚀剂液以形成抗蚀剂膜，并在加热部中对在曝光装置中被液浸曝光后残留有直径为0.5μm～1μm的纯水液滴的基板进行加热处理，之后，在显影处理部中进行显影处理，其特征在于，包括：
洗净液浸曝光后的基板表面的洗净部；
向该洗净部交接液浸曝光后的基板的第一基板搬送单元；和
控制部，在从液浸曝光的完成时刻开始的经过时间与液浸曝光时残留在基板上的液滴尺寸之间的关系中，在进入液滴尺寸急剧变小的时间带之前的时间带中，进行利用所述第一基板搬送单元进行的基板搬送控制，使得在洗净部洗净基板。
2.根据权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于：
所述第一基板搬送单元构成为，将曝光前的基板交接给用于将基板搬入曝光装置的搬入台，从用于将基板从曝光装置搬出的搬出台接收曝光后的基板，并向所述洗净部对其进行搬送，
所述控制部在从曝光装置接到基板搬出准备信号时，控制所述第一基板搬送单元，使得优先于其他搬送作业，将所述搬出台上的基板搬入洗净部。
3.根据权利要求1或2所述的涂敷、显影装置，其特征在于，还包括：
用于使已由所述洗净部洗净的基板待机的待机部；
对于从该待机部搬出的基板，在所述加热部中进行加热处理之前，进行周边部的曝光的周边曝光部；和
用于从所述待机部取出基板并将其搬送至所述周边曝光部，而且在周边曝光后向所述加热部进行搬送而设置的第二基板搬送单元，其中，
所述控制部进行如下控制：为了使从洗净部中的基板洗净开始时刻开始、到将该基板搬送至周边曝光部为止的时间为预先定好的设定时间，使基板在所述待机部待机，同时，控制第二基板搬送单元，使得优先于其他的搬送作业，将完成周边曝光的基板搬送到加热部。
4.根据权利要求1或2所述的涂敷、显影装置，其特征在于，包括：
在抗蚀剂膜上涂敷药液，形成用于在液浸曝光时保护基板的表面的防水性保护膜的保护膜形成部。
5.一种涂敷、显影方法，在基板上涂敷抗蚀剂液以形成抗蚀剂膜，对于在曝光装置中被液浸曝光后残留有直径为0.5μm～1μm的纯水液滴的基板，在加热部中进行加热处理，之后，在显影处理部进行显影处理，其特征在于，包括：
利用第一基板搬送单元将液浸曝光后的基板搬送至洗净部的工序；
在该洗净部洗净基板表面的工序；和
在从液浸曝光完成时刻开始的经过时间与液浸曝光时残留在基板上的液滴尺寸之间的关系中，在进入液滴尺寸急剧减小的时间带之前的时间带中，进行基板的搬送控制，使得在洗净部洗净基板的工序。
6.根据权利要求5所述的涂敷、显影方法，其特征在于：
所述第一基板搬送单元构成为，将曝光前的基板交接给用于将基板搬入曝光装置的搬入台，从曝光装置收到基板的搬出准备信号时，从用于将基板从曝光装置搬出的搬出台接收曝光后的基板，并向所述洗净部搬送，
进行基板的搬送控制的工序，在接收搬出准备信号时，控制所述第一基板搬送单元，使得优先于其他的搬送作业，将所述搬出台上的基板搬入洗净部。
7.根据权利要求5或6所述的涂敷、显影方法，其特征在于，还包括：
将在所述洗净部洗净的基板搬送至待机部的工序；
为了使从所述洗净部中的基板的洗净开始时刻开始、到将该基板搬送至周边曝光部为止的时间为预先定好的设定时间，而使基板在所述待机部待机的工序；
利用所述第二基板搬送单元将基板搬出所述待机部，并搬送至周边曝光部的工序；
在所述周边曝光部对基板的周边部进行曝光的工序；和
利用所述第二基板搬送单元，优先于其他的搬送作业，将已在所述周边曝光部完成周边曝光的基板搬送至加热部的工序。
8.根据权利要求5或6所述的涂敷、显影方法，其特征在于，包括：
在已形成抗蚀剂膜的基板上涂敷药液，形成用于在液浸曝光时保护基板表面的防水性保护膜的工序。
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