TWI636490B - 顯像裝置、基板處理裝置、顯像方法以及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

於基板的一表面上形成有含金屬塗佈膜，於含金屬塗佈膜上藉由感光性的有機材料而形成有機塗佈膜，有機塗佈膜被曝光成預定的圖案。顯像液藉由細縫噴嘴而供給於有機塗佈膜，藉此有機塗佈膜形成預定的圖案。另外，置換液係藉由置換噴嘴而供給於有機塗佈膜的圖案及含金屬塗佈膜，藉此含金屬塗佈膜的部分被去除，於含金屬塗佈膜形成預定的圖案。清洗液藉由清洗噴嘴而供給於具有有機塗佈膜的圖案及含金屬塗佈膜的圖案的基板。

Description

顯像裝置、基板處理裝置、顯像方法以及基板處理方法
本發明係有關於進行基板的顯像的顯像裝置、基板處理裝置、顯像方法以及基板處理方法。
於半導體元件(device)等的製造中的微影(lithography)工序中，係藉由於基板上供給阻劑(resist)液等的塗佈液而形成塗佈膜。塗佈膜被曝光後，藉由顯像而於塗佈膜形成預定的圖案(pattern)。對塗佈膜形成圖案後的基板進行清洗(rinse)處理。在此，於塗佈膜的圖案的厚度大且寬度小的情形中，存有因清洗處理中的清洗液的表面張力而發生圖案的崩毀的情形(例如，參照專利文獻1、2)。
於專利文獻1中記載有在清洗液混入異丙醇(isopropyl alcohol)使清洗液的表面張力降低而防止圖案的崩毀。於專利文獻2記載有在清洗處理後以比重1.5以上且表面張力20dyns/cm以下的氟系惰性液體與清洗液置換，藉此防止圖案的崩毀。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開平7-122485號公報。
專利文獻2：日本特開平9-82629號公報。
近年，形成於基板的晶片之高積體化持續進展。於該情形中，隨著塗佈膜的圖案寬度的微細化，會發生圖案的崩毀，使良率容易降低。因此，謀求能更確實地防止圖案的崩毀。
本發明的目的係提供可以防止塗佈膜的圖案之崩毀的顯像裝置、基板處理裝置、顯像方法以及基板處理方法。
(1)本發明之一形態的顯像裝置係用以對基板進行顯像處理，於基板的一表面上形成有含有金屬的塗佈液的膜作為含金屬塗佈膜，於含金屬塗佈膜上形成有第一有機塗佈膜，該第一有機塗佈膜係藉由感光性的有機材料而形成且被曝光成預定的圖案；顯像裝置係具有：顯像液供給部，藉由將顯像液供給至第一有機塗佈膜而形成具有預定的圖案的第一有機塗佈膜圖案；第一去除液供給部，將用以去除金屬的第一去除液供給至第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜，藉此形成具有預定的圖案的含金屬塗佈膜圖案；以及清洗液供給部，將清洗液供給至具有第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜圖案的基板。
於基板的一表面上形成有含金屬塗佈膜，藉由感光性的有機材料於含金屬塗佈膜上形成有第一有機塗佈膜，第一有機塗佈膜被曝光成預定的圖案。該顯像裝置中，藉由顯像液供給部對第一有機塗佈膜供給顯像液。藉此，第一有機塗佈膜被顯像，形成有具有預定的圖案的第一有機塗佈膜圖案。另外，藉由第一去除液供給部將第一去除液供給至第一有機 塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜。藉此，從第一有機塗佈膜圖案露出的含金屬塗佈膜的部分被去除，形成具有預定的圖案的含金屬塗佈膜圖案。之後，藉由清洗液供給部將清洗液供給至具有第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜圖案的基板。
依據該構成，可藉由清洗液洗浄形成有第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜圖案的基板。在此，含金屬塗佈膜圖案對於基板的接合力係較第一有機塗佈膜圖案對於基板的接合力還大。因此，含金屬塗佈膜圖案係在被施加較大的表面張力的情形下仍可不崩毀地殘留。從而，上述洗浄中，即使在第一有機塗佈膜圖案因清洗液的表面張力而崩毀的情形下，仍可防止含金屬塗佈膜圖案崩毀。
(2)第一去除液亦可含有添加了鰲合劑的水溶液、鹼性水溶液或酸性水溶液。該情形下，可容易地將含金屬塗佈膜的部分去除。
(3)鰲合劑亦可含有從有機酸、有機酸的鹽、氨基酸、氨基酸的衍生物、無機鹼、無機鹼的鹽、烷基胺、烷基胺的衍生物、鏈烷醇胺及鏈烷醇胺的衍生物所構成的群組中選擇的一種或複數種。該情形下，可容易地將含金屬塗佈膜的部分更去除。
(4)本發明的另一形態的顯像裝置係用以對基板進行顯像處理，於基板的一表面上形成有含有金屬的塗佈液的膜作為含金屬塗佈膜，於含金屬塗佈膜上形成有第一有機塗佈膜，該第一有機塗佈膜係藉由感光性的有機材料而形成且被曝光成預定的圖案；顯像裝置係具有：第一去除液供給部，將用以去除金屬的第一去除液供給至第一有機塗佈膜及含金屬塗佈膜，藉此形成具有預定的圖案的第一有機塗佈膜圖案 及具有預定的圖案的含金屬塗佈膜圖案；以及清洗液供給部，將清洗液供給至具有第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜圖案的基板。
於基板的一表面上形成有含金屬塗佈膜，藉由感光性的有機材料於含金屬塗佈膜上形成有第一有機塗佈膜，第一有機塗佈膜被曝光成預定的圖案。該顯像裝置中，藉由第一去除液供給部將第一去除液供給至第一有機塗佈膜及含金屬塗佈膜。藉此，第一有機塗佈膜被顯像，形成具有預定的圖案的第一有機塗佈膜圖案。另外，從第一有機塗佈膜圖案露出的含金屬塗佈膜的部分被去除，形成具有預定的圖案的含金屬塗佈膜圖案。之後，藉由清洗液供給部將清洗液供給至具有第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜圖案的基板。
依據該構成，可藉由清洗液洗浄形成有第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜圖案的基板。在此，含金屬塗佈膜圖案對於基板的接合力係較第一有機塗佈膜圖案對於基板的接合力還大。因此，含金屬塗佈膜圖案係在被施加較大的表面張力的情形下仍可不崩毀地殘留。從而，上述洗浄中，即使在第一有機塗佈膜圖案因清洗液的表面張力而崩毀的情形下，仍可防止含金屬塗佈膜圖案崩毀。
(5)第一去除液亦可含有鹼性水溶液。該情形下，可一邊將第一有機塗佈膜顯像一邊容易地將含金屬塗佈膜的部分去除。
(6)顯像裝置亦可更具有：旋轉保持部，保持基板並且使藉由清洗液供給部供給清洗液後的基板旋轉。該情形下，可使被供給清洗液的基板在短時間乾燥。另外，由於含金屬塗佈膜圖案與基板的接合力大，故即使在藉由基板的旋轉 而於含金屬塗佈膜圖案施加離心力的情形下，仍可防止含金屬塗佈膜圖案崩毀。
(7)顯像裝置亦可更具有：第二去除液供給部，係對被第一去除液供給部供給第一去除液後且被清洗液供給部供給清洗液前的基板供給用以去除第一有機塗佈膜圖案的第二去除液。該情形下，可以簡單的構成將形成含金屬塗佈膜圖案後成為不需要的第一有機塗佈膜圖案去除。
(8)亦可進一步在基板中之一表面與含金屬塗佈膜之間形成有第二有機塗佈膜。該情形下，成為可使用形成的含金屬塗佈膜圖案將第二有機塗佈膜形成為預定的圖案。另外，藉由將第二有機塗佈膜形成為厚，而成為可形成厚度大且寬度小的第二有機塗佈膜的圖案。
(9)顯像裝置亦可更具有：第三去除液供給部，係對被第一去除液供給部供給第一去除液後且被清洗液供給部供給清洗液前的基板供給用以去除第二有機塗佈膜的第三去除液，藉此形成具有預定的圖案的第二有機塗佈膜圖案。
該情形下，從含金屬塗佈膜圖案露出的第二有機塗佈膜的部分被第三去除液去除。藉此，可容易地形成具有預定的圖案的第二有機塗佈膜圖案。
(10)本發明的再另一形態的基板處理裝置係以隣接於用以將基板曝光的曝光裝置的方式配置，基板處理裝置係具有：含金屬塗佈膜形成部，將含有金屬的塗佈液作為含金屬塗佈液供給至基板的一表面，藉此於一表面上形成含金屬塗佈膜；第一有機塗佈膜形成部，將藉由感光性材料所形成的第一有機塗佈液供給至含金屬塗佈膜，藉此於藉由含金屬塗佈膜形成部所形成的含金屬塗佈膜上形成第一有 機塗佈膜；以及本發明之一形態或另一形態的顯像裝置，對藉由第一有機塗佈膜形成部所形成的第一有機塗佈膜被曝光裝置曝光成預定的圖案的基板進行顯像處理。
該基板處理裝置中，係藉由含金屬塗佈膜形成部將含金屬塗佈液供給至基板的一表面。藉此，於基板的一表面上形成有含金屬塗佈膜。藉由第一有機塗佈膜形成部將藉由感光性材料所形成的第一有機塗佈液供給至含金屬塗佈膜。藉此，於藉由含金屬塗佈膜形成部所形成的含金屬塗佈膜上形成有第一有機塗佈膜。曝光裝置中，藉由第一有機塗佈膜形成部所形成的第一有機塗佈膜係曝光成預定的圖案。
顯像裝置中，藉由顯像液供給部將顯像液供給至被曝光成預定的圖案的第一有機塗佈膜。藉此，第一有機塗佈膜被顯像，形成具有預定的圖案的第一有機塗佈膜圖案。藉由第一去除液供給部將第一去除液供給至第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜。藉此，從第一有機塗佈膜圖案露出的含金屬塗佈膜的部分被去除，形成具有預定的圖案的含金屬塗佈膜圖案。之後，藉由清洗液供給部將清洗液供給至具有第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜圖案的基板。
依據該構成，可藉由清洗液洗浄形成有第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜圖案的基板。在此，含金屬塗佈膜圖案對於基板的接合力係較第一有機塗佈膜圖案對於基板的接合力還大。因此，含金屬塗佈膜圖案係在被施加較大的表面張力的情形下仍可不崩毀地殘留。從而，上述洗浄中，即使在第一有機塗佈膜圖案因清洗液的表面張力而崩毀的情形下，仍可防止含金屬塗佈膜圖案崩毀。
(11)基板處理裝置亦可更進一步具有：第二有機塗佈膜 形成部，係在藉由含金屬塗佈膜形成部於基板的一表面形成有含金屬塗佈膜前，藉由將第二有機塗佈液供給至基板的一表面，而於一表面與含金屬塗佈膜之間形成第二有機塗佈膜。
該情形下，於基板的一表面與含金屬塗佈膜之間形成有第二有機塗佈膜。藉此，成為可使用含金屬塗佈膜圖案而使第二有機塗佈膜形成為預定的圖案。另外，藉由將第二有機塗佈膜形成為厚，而可形成厚度大且寬度小的第二有機塗佈膜的圖案。
(12)本發明的再另一形態的顯像方法係用以對基板進行顯像處理，於基板的一表面上形成有含有金屬的塗佈液的膜作為含金屬塗佈膜，於含金屬塗佈膜上形成有第一有機塗佈膜，該第一有機塗佈膜係藉由感光性的有機材料而形成且被曝光成預定的圖案；顯像方法係具有：藉由顯像液供給部將顯像液供給至第一有機塗佈膜，藉此形成具有預定的圖案的第一有機塗佈膜圖案的步驟；藉由第一去除液供給部將用以去除金屬的第一去除液供給至第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜，藉此形成具有預定的圖案的含金屬塗佈膜圖案的步驟；以及藉由清洗液供給部將清洗液供給至具有第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜圖案的基板的步驟。
於基板的一表面上形成有含金屬塗佈膜，藉由感光性的有機材料於含金屬塗佈膜上形成有第一有機塗佈膜，第一有機塗佈膜被曝光成預定的圖案。依據該顯像方法，藉由顯像液供給部將顯像液供給至第一有機塗佈膜。藉此，第一有機塗佈膜被顯像，形成具有預定的圖案的第一有機塗佈膜圖案。另外，藉由第一去除液供給部將第一去除液供給至第一有機 塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜。藉此，從第一有機塗佈膜圖案露出的含金屬塗佈膜的部分被去除，形成具有預定的圖案的含金屬塗佈膜圖案。之後，藉由清洗液供給部將清洗液供給至具有第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜圖案的基板。
依據該方法，可藉由清洗液洗浄形成有第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜圖案的基板。在此，含金屬塗佈膜圖案對於基板的接合力係較第一有機塗佈膜圖案對於基板的接合力還大。因此，含金屬塗佈膜圖案係在被施加較大的表面張力的情形下仍可不崩毀地殘留。從而，上述洗浄中，即使在第一有機塗佈膜圖案因清洗液的表面張力而崩毀的情形下，仍可防止含金屬塗佈膜圖案崩毀。
(13)本發明再另一形態的顯像方法係用以對基板進行顯像處理，於基板的一表面上形成有含有金屬的塗佈液的膜作為含金屬塗佈膜，於含金屬塗佈膜上形成有第一有機塗佈膜，該第一有機塗佈膜係藉由感光性的有機材料而形成且被曝光成預定的圖案；顯像方法係具有：藉由第一去除液供給部將用以去除金屬的第一去除液供給至第一有機塗佈膜及含金屬塗佈膜而形成具有預定的圖案的第一有機塗佈膜圖案及具有預定的圖案的含金屬塗佈膜圖案的步驟；以及藉由清洗液供給部將清洗液供給至具有第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜圖案的基板的步驟。
於基板的一表面上形成有含金屬塗佈膜，藉由感光性的有機材料於含金屬塗佈膜上形成有第一有機塗佈膜，第一有機塗佈膜被曝光成預定的圖案。依據該顯像方法，藉由第一去除液供給部將第一去除液供給至第一有機塗佈膜及含金屬塗佈膜。藉此，第一有機塗佈膜被顯像，形成具有預定的 圖案的第一有機塗佈膜圖案。另外，從第一有機塗佈膜圖案露出的含金屬塗佈膜的部分被去除，形成具有預定的圖案的含金屬塗佈膜圖案。之後，藉由清洗液供給部將清洗液供給至具有第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜圖案的基板。
依據該方法，可藉由清洗液洗浄形成有第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜圖案的基板。在此，含金屬塗佈膜圖案對於基板的接合力係較第一有機塗佈膜圖案對於基板的接合力還大。因此，含金屬塗佈膜圖案係在被施加較大的表面張力的情形下仍可不崩毀地殘留。從而，上述洗浄中，即使在第一有機塗佈膜圖案因清洗液的表面張力而崩毀的情形下，仍可防止含金屬塗佈膜圖案崩毀。
(14)顯像方法亦可更進一步包含藉由旋轉保持部保持且旋轉被清洗液供給部供給清洗液後的基板的步驟。該情形下，可使被供給清洗液的基板在短時間乾燥。另外，由於含金屬塗佈膜圖案與基板的接合力大，故即使在藉由基板的旋轉而於含金屬塗佈膜圖案施加離心力的情形下，仍可防止含金屬塗佈膜圖案崩毀。
(15)本發明的再另一形態的基板處理方法係使用用以將基板曝光的曝光裝置，基板處理方法係具有：藉由含金屬塗佈膜形成部將含有金屬的塗佈液作為含金屬塗佈液供給至基板的一表面，藉此於一表面上形成含金屬塗佈膜的步驟；藉由第一有機塗佈膜形成部將藉由感光性材料所形成的第一有機塗佈液供給至藉由含金屬塗佈膜形成部所形成的含金屬塗佈膜，藉此於藉由含金屬塗佈膜形成部所形成的含金屬塗佈膜上形成第一有機塗佈膜的步驟；以及對藉由第一有機塗佈膜形成部所形成的第一有機塗佈膜被曝光裝置 曝光為預定的圖案的基板使用本發明的再另一形態的顯像方法進行顯像處理的步驟。
依據該基板處理方法，藉由含金屬塗佈膜形成部將含金屬塗佈液供給至基板的一表面。藉此，於基板的一表面上形成有含金屬塗佈膜。藉由第一有機塗佈膜形成部將藉由感光性材料所形成的第一有機塗佈液供給至含金屬塗佈膜。藉此，於藉由含金屬塗佈膜形成部所形成的含金屬塗佈膜上形成有第一有機塗佈膜。曝光裝置中，藉由第一有機塗佈膜形成部所形成的第一有機塗佈膜係曝光成預定的圖案。
依據顯像方法，藉由顯像液供給部將顯像液供給至被曝光成預定的圖案的第一有機塗佈膜。藉此，第一有機塗佈膜被顯像，形成具有預定的圖案的第一有機塗佈膜圖案。藉由第一去除液供給部將第一去除液供給至第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜。藉此，從第一有機塗佈膜圖案露出的含金屬塗佈膜的部分被去除，形成有具有預定的圖案的含金屬塗佈膜圖案。之後，藉由清洗液供給部將清洗液供給至具有第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜圖案的基板。
依據該方法，可藉由清洗液洗浄形成有第一有機塗佈膜圖案及含金屬塗佈膜圖案的基板。在此，含金屬塗佈膜圖案對於基板的接合力係較第一有機塗佈膜圖案對於基板的接合力還大。因此，含金屬塗佈膜圖案係在被施加較大的表面張力的情形下仍可不崩毀地殘留。從而，上述洗浄中，即使在第一有機塗佈膜圖案因清洗液的表面張力而崩毀的情形下，仍可防止含金屬塗佈膜圖案崩毀。
(16)基板處理方法亦可更進一步包含在形成含金屬塗佈膜的步驟之前藉由第二有機塗佈膜形成部將第二有機塗 佈液供給至基板的一表面而於一表面與含金屬塗佈膜之間形成第二有機塗佈膜的步驟。
該情形下，基板的一表面與含金屬塗佈膜之間形成第二有機塗佈膜。藉此，成為可使用含金屬塗佈膜圖案而將第二有機塗佈膜形成為預定的圖案。另外，藉由將第二有機塗佈膜形成為厚，而可形成厚度大且寬度小的第二有機塗佈膜的圖案。
依據本發明，可以防止塗佈膜的圖案的崩毀。
1‧‧‧顯像液
2‧‧‧清洗液
3、5‧‧‧置換液
4‧‧‧清洗液
11‧‧‧索引區塊
12‧‧‧塗佈區塊
13‧‧‧塗佈顯像區塊
14‧‧‧介面區塊
15‧‧‧曝光裝置
21、22、23、
24、32、34‧‧‧塗佈處理室
25、35‧‧‧旋轉夾盤
27、37‧‧‧罩
28‧‧‧塗佈液噴嘴
29‧‧‧噴嘴搬送機構
30、40‧‧‧置換噴嘴
31、33‧‧‧顯像處理室
36‧‧‧清洗噴嘴
38‧‧‧細縫噴嘴
39‧‧‧移動機構
100‧‧‧基板處理裝置
101、103‧‧‧上段熱處理部
102、104‧‧‧下段熱處理部
111‧‧‧承載器載置部
112‧‧‧搬送部
113‧‧‧承載器
114‧‧‧主控制器
115‧‧‧搬送機構
121‧‧‧塗佈處理部
122‧‧‧搬送部
123‧‧‧熱處理部
125、135‧‧‧上段搬送室
126、136‧‧‧下段搬送室
127、128、137、138‧‧‧搬送機構(搬送機器人)
129‧‧‧塗佈處理單元
131‧‧‧塗佈顯像處理部
132、163‧‧‧搬送部
133‧‧‧熱處理部
139、139X‧‧‧顯像處理單元
141、142、143‧‧‧搬送機構
161、162‧‧‧洗浄乾燥處理部
14A‧‧‧洗浄乾燥處理區塊
14B‧‧‧搬入搬出區塊
15a‧‧‧基板搬入部
15b‧‧‧基板搬出部
F1、F3‧‧‧有機塗佈膜(塗佈膜)
F2‧‧‧含金屬塗佈膜(塗佈膜)
LC1、LC2‧‧‧局部控制器
PASS1、PASS2、PASS3、PASS4、PASS5、PASS6、PASS7、PASS8、PASS9‧‧‧基板載置部
P-BF1、P-BF2‧‧‧載置兼緩衝部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
SD1、SD2‧‧‧洗浄乾燥處理單元
X、Y、Z‧‧‧方向
W‧‧‧基板
PHP‧‧‧熱處理單元
CP‧‧‧冷卻單元
圖1係示意性地顯示本發明之一實施形態的顯像處理單元之構成的俯視圖。
圖2係成為圖1的顯像處理單元的處理對象的基板的部分擴大縱剖面圖。
圖3中的(a)至圖3中的(c)係用以說明圖1的顯像處理單元的動作之圖。
圖4中的(a)至圖4中的(c)係用以說明圖1的顯像處理單元的動作之圖。
圖5係具有圖1的顯像處理單元的基板處理裝置的示意性的俯視圖。
圖6係示意性地顯示圖5的塗佈處理部、塗佈顯像處理部及洗浄乾燥處理部的內部構成的側視圖。
圖7係示意性地顯示圖5的熱處理部及洗浄乾燥處理部的內部構成的側視圖。
圖8係示意性地顯示搬送部的內部構成的側視圖。
圖9係示意性地顯示另一實施形態的顯像處理單元之 構成的俯視圖。
圖10中的(a)至圖10中的(c)係用以說明圖9的顯像處理單元的動作之圖。
以下，使用圖式說明本發明之一實施形態的顯像裝置、基板處理裝置、顯像方法以及基板處理方法。另外，於以下的說明中，基板係指半導體基板、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence；電致發光)顯示裝置等的FPD(Flat Panel Display；平面顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photo mask)用基板或太陽能電池用基板等。
(1)顯像處理單元之構成
圖1係示意性地顯示本發明之一實施形態的顯像處理單元之構成的俯視圖。如圖1所示，顯像處理單元(旋轉顯像機(spin developer))139係具有複數個置換噴嘴30、複數個旋轉夾盤35、複數個清洗噴嘴36及複數個罩(cup)37。另外，顯像處理單元139係具有：2個細縫噴嘴38，用以噴出顯像液；以及移動機構39，用以使這些細縫噴嘴38朝一方向移動。於本實施形態中，置換噴嘴30、旋轉夾盤35、清洗噴嘴36及罩37係於顯像處理單元139各設有3個。
各旋轉夾盤35係在保持基板W的狀態下藉由未圖示的驅動裝置(例如，電動馬達)而被旋轉驅動。罩37係以包圍旋轉夾盤35的周圍的方式設置。從未圖示的顯像液貯留部通過顯像液配管將顯像液供給至各細縫噴嘴38。任意一個細縫噴嘴38係藉由移動機構39而移動至基板W的上方。 一邊旋轉旋轉夾盤35一邊從細縫噴嘴38噴出顯像液，藉此進行基板W的顯像處理。
置換噴嘴30係以能在罩37的外側的待避位置與被旋轉夾盤35所保持的基板W的中心部的上方的處理位置之間旋動的方式設置。於基板W的顯像處理後的置換處理時置換噴嘴30係移動至處理位置。藉由一邊旋轉旋轉夾盤35一邊從置換噴嘴30噴出置換液而進行基板W的置換處理。
作為置換液係使用例如鹼性置換液或酸性置換液。鹼性置換液係例如含有氨水及過氧化氫的水溶液。鹼性置換液亦可為例如TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide；氫氧化四甲銨)。酸性置換液係例如含有稀氟酸的水溶液。酸性置換液亦可為例如含有硫酸及過氧化氫的水溶液，或亦可為含有醋酸的水溶液。
或者，置換液亦可為含有鰲合劑的水溶液。鰲合劑係含有由有機酸、有機酸的鹽、氨基酸、氨基酸的衍生物、無機鹼、無機鹼的鹽、烷基胺、烷基胺的衍生物、鏈烷醇胺及鏈烷醇胺的衍生物所構成的群組中選擇的一種或複數種。
清洗噴嘴36係以可在罩37的外側的待避位置與由旋轉夾盤35所保持的基板W的中心部的上方的處理位置之間旋動的方式設置。於基板W的置換處理後的清洗處理時清洗噴嘴36移動至處理位置。藉由一邊旋轉旋轉夾盤35一邊從清洗噴嘴36噴出清洗液而進行基板W的清洗處理。
(2)顯像處理單元的動作
圖2係成為圖1的顯像處理單元139的處理對象的基板W的部分擴大縱剖面圖。如圖2所示，於基板W的被處理面形成有3種類的塗佈膜F1、F2、F3作為阻劑膜。具體而言係於基板W的被處理面上形成有塗佈膜F1，於塗佈膜F1上形成有塗佈膜F2，於塗佈膜F2上形成有塗佈膜F3。塗佈膜F1至F3係藉由後述的圖5至圖8的基板處理裝置100而形成於基板W的被處理面上。
塗佈膜F1係非感光性的有機膜，於本實施例中為SOC(Spin-On-Carbon；旋塗碳)膜。以下，將塗佈膜F1稱為有機塗佈膜F1。有機塗佈膜F1係具有較大的厚度。本實施例中有機塗佈膜F1的厚度係例如100nm以上300nm以下。
塗佈膜F2係非感光性的無機膜。於塗佈膜F2係含有金屬成分或金屬氧化物等的金屬成分作為組成物。本實施例中，使塗佈膜F2含有例如Sn(錫)、HfO2(氧化鉿)或ZrO2(二氧化鋯)作為金屬成分。以下，將塗佈膜F2稱為含金屬塗佈膜F2。含金屬塗佈膜F2係具有較小的厚度。本實施例中含金屬塗佈膜F2的厚度係例如5nm以上30nm以下。
塗佈膜F3係例如為有機膜，該有機膜係於紫外線區域中具有感光性。以下，將塗佈膜F3稱為有機塗佈膜F3。有機塗佈膜F3係被曝光成預定的圖案。本實施例中有機塗佈膜F3的厚度係例如20nm以上60nm以下。另外，於本實施形態中，有機塗佈膜F1及含金屬塗佈膜F2雖具有非感光性，但本發明不被此所限定。有機塗佈膜F1及含金屬塗佈膜F2在與有機塗佈膜F3感光波長區域不同的情形下亦可具有感光性。
圖3及圖4係用以說明圖1的顯像處理單元139的動作的圖。於顯像處理中，如圖3中的(a)所示，從細縫噴嘴38(圖1)對基板W供給顯像液1。藉此，於基板W的被處理面上形成有顯像液1的液層。然後，如圖3中的(b)所示，從清洗噴嘴36(圖1)對基板W供給清洗液2。藉此，有機塗佈膜F3的不要的部分及顯像液1被去除，於有機塗佈膜F3形成有圖案。
之後的置換處理中，如圖3中的(c)所示，從置換噴嘴30(圖1)對基板W供給置換液3。藉此，基板W的被處理面上形成有置換液3的液層，於基板W的被處理面殘留的清洗液2被置換為置換液3。之後，如圖4中的(a)所示，藉由保持置換液3的液層，使從有機塗佈膜F3露出的含金屬塗佈膜F2的一部分被去除，於含金屬塗佈膜F2形成有圖案。
之後的清洗處理中，如圖4中的(b)所示，藉由從清洗噴嘴36(圖1)對基板W供給清洗液4而使置換液3被去除。然後，如圖4中的(c)所示，基板W藉由旋轉夾盤35(圖1)而以高速(例如1000rpm以下)旋轉。藉此，殘留於基板W的清洗液4被甩開，而在短時間乾燥基板W。在此，由於含金屬塗佈膜F2的圖案與基板W(有機塗佈膜F1)的接合力大，故即使在藉由基板W的旋轉而於含金屬塗佈膜F2的圖案施加離心力的情形下，仍可防止含金屬塗佈膜F2的圖案崩毀。
另外，於圖3中的(a)至圖4中的(b)的處理中，基板W可藉由旋轉夾盤35而以低速(例如10rpm左右)旋轉或亦可停止。在基板W旋轉的情形中藉由攪拌顯像液1或置換液 3的液層而可使液層的濃度就整體而言更為均勻。
依據上述處理，如圖4中的(c)所示，有機塗佈膜F3的圖案的一部分雖有發生崩毀的可能性，但含金屬塗佈膜F2的圖案卻不會發生崩毀。因此，將有機塗佈膜F3的圖案去除後，使用乾蝕刻等將含金屬塗佈膜F2的圖案轉印於有機塗佈膜F1，藉此可以將厚度大且寬度小的有機塗佈膜F1的圖案不會發生崩毀地形成。
(3)基板處理裝置之構成
圖5係具有圖1的顯像處理單元139的基板處理裝置的示意性的俯視圖。於圖5及以後的預定的圖附記有為了使位置關係明確而表示彼此正交的X方向、Y方向及Z方向的箭頭符號。X方向及Y方向係於水平面內彼此正交，Z方向係相當於鉛直方向。
如圖5所示，基板處理裝置100係具有索引(indexer)區塊11、塗佈區塊12、塗佈顯像區塊13、洗浄乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。藉由洗浄乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B而構成介面區塊14。以鄰接搬入搬出區塊14B的方式配置曝光裝置15。曝光裝置15中係對基板W進行曝光處理。
索引區塊11係包含複數個承載器(carrier)載置部111及搬送部112。於各承載器載置部111係載置有將複數個基板W多段地收納的承載器113。於搬送部112係設有主控制器114及搬送機構115。主控制器114係控制基板處理裝置100的各種構成要件。搬送機構115係一邊保持基板W一邊將該基板W搬送。
塗佈區塊12係包含塗佈處理部121、搬送部122及熱 處理部123。塗佈處理部121及熱處理部123係隔著搬送部122而對向。於搬送部122與索引區塊11之間係設有載置基板W的基板載置部PASS1至PASS4(參照圖8)。於搬送部122設有用以將基板W搬送的搬送機構(搬送機器人)127、128(參照圖8)。
塗佈顯像區塊13係包含塗佈顯像處理部131、搬送部132及熱處理部133。塗佈顯像處理部131及熱處理部133係隔著搬送部132而對向。搬送部132與搬送部122之間係設有載置基板W的基板載置部PASS5至PASS8(參照圖8)。於搬送部132設有用以將基板W搬送的搬送機構137、138(參照圖8)。
洗浄乾燥處理區塊14A係包含洗浄乾燥處理部161、162及搬送部163。洗浄乾燥處理部161、162係隔著搬送部163而對向。於搬送部163設有搬送機構141、142。
於搬送部163與搬送部132之間設有載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(參照圖8)。載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2係構成為可收容複數個基板W。
另外，於搬送機構141、142之間係以隣接於搬入搬出區塊14B的方式設有基板載置部PASS9及後述的載置兼冷卻部P-CP(參照圖8)。載置兼冷卻部P-CP係具有將基板W冷卻的功能(例如冷卻板)。基板W於載置兼冷卻部P-CP被冷卻為適合曝光處理的溫度。
於搬入搬出區塊14B設有搬送機構143。搬送機構143係進行基板W對於曝光裝置15的搬入及搬出。於曝光裝置15設有用以搬入基板W的基板搬入部15a及以及用以搬出基板W的基板搬出部15b。
(4)塗佈處理部及塗佈顯像處理部
圖6係示意性地顯示圖5的塗佈處理部121、塗佈顯像處理部131及洗浄乾燥處理部161的內部構成的側視圖。如圖6所示，於塗佈處理部121係階層地設有塗佈處理室21、22、23、24。於塗佈顯像處理部131階層地設有顯像處理室31、33及塗佈處理室32、34。於各塗佈處理室21至24、32、34設有塗佈處理單元(旋轉塗佈機)129。於各顯像處理室31、33設有圖1的顯像處理單元139。
各塗佈處理單元129係具有：旋轉夾盤25，用以將基板W保持；以及罩27，以將旋轉夾盤25的周圍覆蓋的方式設置。本實施形態中係於各塗佈處理單元129設置2組的旋轉夾盤25及罩27。旋轉夾盤25係被未圖示的驅動裝置(例如電動馬達)旋轉驅動。另外，如圖5所示，各塗佈處理單元129係具有將塗佈液噴出的複數個塗佈液噴嘴28及將該塗佈液噴嘴28予以搬送的噴嘴搬送機構29。
塗佈處理單元129中係藉由未圖示的驅動裝置而使旋轉夾盤25旋轉並且複數個塗佈液噴嘴28之中的任意一個塗佈液噴嘴28係藉由噴嘴搬送機構29而移動至基板W的上方，從該塗佈液噴嘴28噴出塗佈液。藉此，將塗佈液塗佈於基板W上。另外，從未圖示的邊緣(edge)清洗噴嘴對基板W的周縁部噴出清洗液。藉此，於基板W的周縁部附著的塗佈液被去除。
於塗佈處理室22、24的塗佈處理單元129中係將圖2的有機塗佈膜F1用的塗佈液從塗佈液噴嘴28供給至基板W。塗佈處理室21、23的塗佈處理單元129中係將圖2的含金屬塗佈膜F2用的塗佈液從塗佈液噴嘴28供給至基板 W。塗佈處理室32、34的塗佈處理單元129中係將圖2的有機塗佈膜F3用的塗佈液從塗佈液噴嘴28供給至基板W。
如圖5所示，塗佈處理室31、33中係以複數個旋轉夾盤35於X方向排列且移動機構39可於X方向移動的方式配置顯像處理單元139。塗佈處理室31、33中係對基板W進行如圖3及圖4所示的顯像處理、置換處理及清洗處理。
如圖6所示，於洗浄乾燥處理部161設置有複數個(本例中為4個)洗浄乾燥處理單元SD1。洗浄乾燥處理單元SD1中係進行曝光處理前的基板W的洗浄及乾燥處理。
(5)熱處理部
圖7係示意性地顯示圖5的熱處理部123、133及洗浄乾燥處理部162的內部構成的側視圖。如圖7所示，熱處理部123係具有設置於上方的上段熱處理部101及設置於下方的下段熱處理部102。於上段熱處理部101及下段熱處理部102設置有複數個熱處理單元PHP及複數個冷卻單元CP。熱處理單元PHP中係進行基板W的加熱處理及冷卻處理。冷卻單元CP中係進行基板W的冷卻處理。
於熱處理部123的最上部設置有局部(local)控制器LC1。局部控制器LC1係基於來自圖5的主控制器114的指令而控制塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部123的動作。
熱處理部133係具有設置於上方的上段熱處理部103及設置於下方的下段熱處理部104。於上段熱處理部103及下段熱處理部104設置有冷卻單元CP及複數個熱處理單元PHP。
於熱處理部133的最上部設置有局部控制器LC2。局部控制器LC2係基於來自圖5的主控制器114的指令而控制塗佈顯像處理部131、搬送部132及熱處理部133的動作。
於洗浄乾燥處理部162設置有複數個(於本例中為5個)洗浄乾燥處理單元SD2。洗浄乾燥處理單元SD2中係進行曝光處理後的基板W的洗浄及乾燥處理。
(6)搬送部
圖8係示意性地顯示搬送部122、132、163的內部構成的側視圖。如圖8所示，搬送部122係具有上段搬送室125及下段搬送室126。搬送部132係具有上段搬送室135及下段搬送室136。於上段搬送室125設有搬送機構127，於下段搬送室126設有搬送機構128。另外，於上段搬送室135設有搬送機構137，於下段搬送室136設有搬送機構138。
如圖8所示，於搬送部112與上段搬送室125之間設有基板載置部PASS1、PASS2，於搬送部112與下段搬送室126之間設有基板載置部PASS3、PASS4。於上段搬送室125與上段搬送室135之間設有基板載置部PASS5、PASS6，於下段搬送室126與下段搬送室136之間設有基板載置部PASS7、PASS8。
於上段搬送室135與搬送部163之間設有載置兼緩衝部P-BF1，於下段搬送室136與搬送部163之間設有載置兼緩衝部P-BF2。於搬送部163中以與搬入搬出區塊14B隣接的方式設有基板載置部PASS9及複數個載置兼冷卻部P-CP。
搬送機構127係對塗佈處理室21、22(圖6)、基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6(圖8)及上段熱處理部101(圖7)進行基板W的授受。搬送機構128係對塗佈處理室23、24(圖6)、基板載置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8(圖8)及下段熱處理部102(圖7)進行基板W的授受。
搬送機構137係對顯像處理室31(圖6)、塗佈處理室32(圖6)、基板載置部PASS5、PASS6(圖8)、載置兼緩衝部P-BF1(圖8)及上段熱處理部103(圖7)進行基板W的授受。搬送機構138係對顯像處理室33(圖6)、塗佈處理室34(圖6)、基板載置部PASS7、PASS8(圖8)、載置兼緩衝部P-BF2(圖8)及下段熱處理部104(圖7)進行基板W的授受。
(7)基板處理
參照圖5至圖8並對基板處理進行說明。索引區塊11的承載器載置部111(圖5)載置有承載器113，承載器113收容了未處理的基板W。搬送機構115係從承載器113將未處理的基板W搬送至基板載置部PASS1、PASS3(圖8)。另外，搬送機構115係將載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖8)的已處理的基板W搬送至承載器113。
於塗佈區塊12中，搬送機構127(圖8)係將載置於基板載置部PASS1的未處理的基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖7)及塗佈處理室22(圖6)。然後，搬送機構127係將塗佈處理室22的基板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖7)、冷卻單元CP(圖7)、塗佈處理室21(圖6)、熱處理單元PHP(圖7)及基板載置部PASS5(圖8)。
該情形下，於冷卻單元CP中基板W被冷卻至適合有機塗佈膜F1(圖2)的形成的溫度。然後，於塗佈處理室22 中，藉由塗佈處理單元129(圖6)於基板W上形成有有機塗佈膜F1。然後，於熱處理單元PHP中，進行基板W的熱處理後，於冷卻單元CP中基板W被冷卻至適合形成含金屬塗佈膜F2(圖2)的溫度。然後，於塗佈處理室21中，藉由塗佈處理單元129(圖6)於基板W上形成有含金屬塗佈膜F2。之後，於熱處理單元PHP中，進行基板W的熱處理，該基板W被載置於基板載置部PASS5。
另外，搬送機構127係將載置於基板載置部PASS6(圖8)的顯像處理、置換處理及清洗處理後的基板W搬送至基板載置部PASS2(圖8)。
搬送機構128(圖8)係將基板載置部PASS3所載置的未處理的基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖7)及塗佈處理室24(圖6)。然後，搬送機構128係將塗佈處理室24的基板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖7)、冷卻單元CP(圖7)、塗佈處理室23(圖6)、熱處理單元PHP(圖7)及基板載置部PASS7(圖8)。
另外，搬送機構128(圖8)係將基板載置部PASS8(圖8)所載置的顯像處理、置換處理及清洗處理後的基板W搬送至基板載置部PASS4(圖8)。塗佈處理室23、24(圖6)及下段熱處理部102(圖7)中的基板W的處理內容係分別與上述塗佈處理室21、22(圖6)及上段熱處理部101(圖7)中的基板W的處理內容相同。
塗佈顯像區塊13中，搬送機構137(圖8)係將基板載置部PASS5所載置的形成含金屬塗佈膜F2後的基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖7)、塗佈處理室32(圖6)、熱處理單元PHP(圖7)及載置兼緩衝部P-BF1(圖8)。
該情形下，冷卻單元CP中，基板W被冷卻至適合形成有機塗佈膜F3(圖2)的溫度。然後，塗佈處理室32中，藉由塗佈處理單元129(圖6)於基板W上形成有有機塗佈膜F3。之後，熱處理單元PHP中，進行基板W的熱處理，該基板W被載置於載置兼緩衝部P-BF1。
另外，搬送機構137(圖8)係從鄰接於洗浄乾燥處理區塊14A的熱處理單元PHP(圖7)將曝光處理後且熱處理後的基板W取出。搬送機構137係將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖7)、顯像處理室31(圖6)、熱處理單元PHP(圖7)及基板載置部PASS6(圖8)。
該情形下，冷卻單元CP中基板W被冷卻至適合顯像處理的溫度後，顯像處理室31中藉由顯像處理單元139進行基板W的顯像處理、置換處理及清洗處理。之後，熱處理單元PHP中，進行基板W的熱處理，該基板W被載置於基板載置部PASS6。
搬送機構138(圖8)係將基板載置部PASS7所載置的形成含金屬塗佈膜後的基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖7)及塗佈處理室34(圖6)、熱處理單元PHP(圖7)及載置兼緩衝部P-BF2(圖8)。
另外，搬送機構138(圖8)係從鄰接於介面區塊14的熱處理單元PHP(圖7)將曝光處理後且熱處理後的基板W取出。搬送機構138係將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖7)、顯像處理室33(圖6)、熱處理單元PHP(圖7)及基板載置部PASS8(圖8)。顯像處理室33、塗佈處理室34及下段熱處理部104中的基板W的處理內容係分別與上述顯像處理室31、塗佈處理室32及上段熱處理部103中的基板W 的處理內容相同。
洗浄乾燥處理區塊14A中，搬送機構141(圖5)係將載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖8)所載置的基板W依序搬送至洗浄乾燥處理單元SD1(圖6)及載置兼冷卻部P-CP(圖8)。該情形下，於洗浄乾燥處理單元SD1中進行基板W的洗浄及乾燥處理後，於載置兼冷卻部P-CP中基板W被冷卻至適合以曝光裝置15(圖5)進行的曝光處理的溫度。
搬送機構142(圖5)係將基板載置部PASS9(圖8)所載置的曝光處理後的基板W依序搬送至洗浄乾燥處理單元SD2(圖7)及上段熱處理部103或下段熱處理部104的熱處理單元PHP(圖7)。該情形下，進行洗浄乾燥處理單元SD2中基板W的洗浄及乾燥處理後，在熱處理單元PHP中進行曝光後烘烤(PEB；post exposure bake)處理。
搬入搬出區塊14B中，搬送機構143(圖5)係將載置兼冷卻部P-CP(圖8)所載置的曝光處理前的基板W搬送至曝光裝置15的基板搬入部15a(圖5)。另外，搬送機構143(圖5)係從曝光裝置15的基板搬出部15b(圖5)取出曝光處理後的基板W，將該基板W搬送至基板載置部PASS9(圖8)。
於本實施形態中，設置於上段的塗佈處理室21、22、32、顯像處理室31及上段熱處理部101、103中的基板W的處理以及設置於下段的塗佈處理室23、24、34、顯像處理室33及下段熱處理部102、104中的基板W的處理係可以並行地進行。藉此，可不增加覆蓋區(footprint)地提高產出量(throughput)。
(8)功效
本實施形態的基板處理裝置100中係藉由塗佈處理室 22、24的塗佈處理單元129而於基板W的一表面上形成有機塗佈膜F1。另外，藉由塗佈處理室21、23的塗佈處理單元129於有機塗佈膜F1上形成有含金屬塗佈膜F2。更進一步地，藉由塗佈處理室32、34的塗佈處理單元129於含金屬塗佈膜F2上形成有由感光性的有機材料構成的有機塗佈膜F3。有機塗佈膜F3係藉由曝光裝置15曝光成預定的圖案。
顯像處理室31、33的顯像處理單元139中係從細縫噴嘴38將顯像液供給至有機塗佈膜F3。藉此，有機塗佈膜F3被顯像，於有機塗佈膜F3形成有預定的圖案。另外，藉由置換噴嘴30將置換液供給至有機塗佈膜F3的圖案及含金屬塗佈膜F2。藉此，從有機塗佈膜F3的圖案露出的含金屬塗佈膜F2的一部分被去除，於含金屬塗佈膜F2形成有預定的圖案。之後，藉由清洗噴嘴36將清洗液供給至具有有機塗佈膜F3的圖案及含金屬塗佈膜F2的圖案的基板W。
依據該構成，可藉由清洗液洗浄形成了有機塗佈膜F3的圖案及含金屬塗佈膜F2的圖案的基板W。在此，含金屬塗佈膜F2的圖案對於基板W的接合力係較有機塗佈膜F3的圖案對於基板W的接合力還大。因此，含金屬塗佈膜F2的圖案係即使在被施加較大的表面張力的情形下仍可不崩毀地殘留。從而，在上述洗浄中，即使在有機塗佈膜F3的圖案因清洗液的表面張力而崩毀的情形下，仍可防止含金屬塗佈膜F2的圖案崩毀。
另外，成為可使用已形成的含金屬塗佈膜F2的圖案將有機塗佈膜F1形成為預定的圖案。在此，由於有機塗佈膜 F1具有比較大的厚度，故成為可形成厚度大且寬度小的有機塗佈膜F1的圖案。
(9)另一實施形態
上述實施形態的基板處理裝置100中，雖未進行有機塗佈膜F3的圖案的去除及含金屬塗佈膜F2的圖案對有機塗佈膜F1的轉印，但本發明不被此所限定。基板處理裝置100中，亦可進行有機塗佈膜F3的圖案的去除及含金屬塗佈膜F2的圖案對有機塗佈膜F1的轉印。
圖9係示意性地顯示另一實施形態的顯像處理單元之構成的俯視圖。對另一實施形態的顯像處理單元139X與圖1的顯像處理單元139不同的點進行說明。如圖9所示，本實施形態的顯像處理單元139X係更具有複數個置換噴嘴40。於本實施形態中，置換噴嘴40係於顯像處理單元139X各設有3個。
置換噴嘴40係以可在罩37外側的待避位置與旋轉夾盤35所保持的基板W的中心部的上方的處理位置之間旋動的方式設置。於置換處理時，置換噴嘴40移動至處理位置。藉由一邊旋轉旋轉夾盤35一邊從置換噴嘴40噴出置換液而進行基板W的置換處理。作為從置換噴嘴40噴出的置換液可使用例如含有硫酸及過氧化氫的水溶液。
圖10係用以說明圖9的顯像處理單元139X的動作的圖。圖10中的(a)至(c)的置換處理係在圖4中的(a)的置換處理與圖4中的(b)的清洗處理之間進行。圖4中的(a)的置換處理之後，如圖10中的(a)所示，從置換噴嘴40(圖9)往基板W供給置換液5。藉此，於基板W的被處理面上形成有置換液5的液層，在基板W的被處理面殘留的置換液3 被置換液5所置換。之後，如圖10中的(b)所示，置換液5的液層被保持，藉此有機塗佈膜F3被去除。
另外，於有機塗佈膜F1進行適切的熱處理的情形中，即使在藉由溼蝕刻於有機塗佈膜F1形成圖案的情形下，圖案的崩毀亦不易發生。在此，本實施例中圖10中的(b)的工序之後，如圖10中的(c)所示，藉由置換液5的液層被更進一步保持，而使從含金屬塗佈膜F2露出的有機塗佈膜F1的部分被去除，於有機塗佈膜F1形成有圖案。之後，進行圖4中的(b)的清洗處理。藉此，置換液5被去除。
於顯像處理單元139X中雖進行了有機塗佈膜F3的圖案的去除及含金屬塗佈膜F2的圖案對有機塗佈膜F1的轉印，但本發明不被此所限定。於顯像處理單元139X中亦可進行有機塗佈膜F3的圖案的去除但不進行含金屬塗佈膜F2的圖案對有機塗佈膜F1的轉印。該情形下，圖10中的(b)的置換處理之後，不進行圖10中的(c)的置換處理地進行圖4中的(b)的清洗處理。
另外，於本實施形態中，雖用以進行有機塗佈膜F3的圖案的去除及含金屬塗佈膜F2的圖案對有機塗佈膜F1的轉印的置換噴嘴40被設置於顯像處理單元139X，但本發明不被此所限定。置換噴嘴40亦可不設置於顯像處理單元139X而設置於基板處理裝置100的其他的單元。
(10)變形例
(a)上述實施形態中，顯像處理單元139、139X雖具有對基板W供給顯像液的細縫噴嘴38，但本發明不被此所限定。在使用TMAH或KOH(potassium hydroxide；氫氧化鉀)等的鹼性水溶液作為從置換噴嘴30供給的置換液的情形 下，可藉由置換液對基板W進行正色調(positive tone)顯像處理。該情形下，顯像處理單元139、139X亦可不具有細縫噴嘴38。另外，此構成中係省略圖3中的(a)、(b)的顯像處理。此構成係相當於上述另一形態的發明及再另一形態的發明。
(b)上述實施形態中，雖於基板W與含金屬塗佈膜F2之間形成有有機塗佈膜F1，但本發明不被此所限定。在可以使用含金屬塗佈膜F2的圖案處理基板W的情形中亦可不形成有機塗佈膜F1。
(11)申請專利範圍的各構成要件與實施形態的各要件的對應關係
以下，雖針對申請專利範圍的各構成要件與實施形態的各要件的對應之例進行說明，但本發明不被下述例所限定。
上述實施形態中，基板W為基板之一例，顯像處理單元139、139X為顯像裝置之一例，含金屬塗佈膜F2為含金屬塗佈膜之一例，有機塗佈膜F3、F1分別為第一有機塗佈膜及第二有機塗佈膜之一例。細縫噴嘴38為顯像液供給部之一例，置換噴嘴30為第一去除液供給部之一例，清洗噴嘴36為清洗液供給部之一例，旋轉夾盤35為旋轉保持部之一例。
置換噴嘴40為第二去除液供給部及第三去除液供給部之一例，曝光裝置15為曝光裝置之一例，基板處理裝置100為基板處理裝置之一例，塗佈處理室21、23的塗佈處理單元129為含金屬塗佈膜形成部之一例。塗佈處理室32、34的塗佈處理單元129為第一有機塗佈膜形成部之一例， 塗佈處理室22、24的塗佈處理單元129為第二有機塗佈膜形成部之一例。
作為申請專利範圍的各構成要件，亦可使用具有申請專利範圍所記載的構成或功能的其他的各種要件。
(產業可利用性)
本發明係可有效地利用於使用各種處理液的基板處理。

Claims (16)

  1. 一種顯像裝置，係用以對基板進行顯像處理；於前述基板的一表面上形成有含有金屬的塗佈液的膜作為含金屬塗佈膜，於前述含金屬塗佈膜上形成有第一有機塗佈膜，前述第一有機塗佈膜係藉由感光性的有機材料而形成且被曝光成預定的圖案；前述顯像裝置係具有：顯像液供給部，藉由將顯像液供給至前述第一有機塗佈膜而形成具有前述預定的圖案的第一有機塗佈膜圖案；第一去除液供給部，將用以去除金屬的第一去除液供給至前述第一有機塗佈膜圖案及前述含金屬塗佈膜，藉此形成具有前述預定的圖案的含金屬塗佈膜圖案；以及清洗液供給部，將清洗液供給至具有前述第一有機塗佈膜圖案及前述含金屬塗佈膜圖案的前述基板。
  2. 如請求項1所記載之顯像裝置，其中前述第一去除液係包含添加了鰲合劑的水溶液、鹼性水溶液或酸性水溶液。
  3. 如請求項2所記載之顯像裝置，其中前述鰲合劑係包含由有機酸、有機酸的鹽、氨基酸、氨基酸的衍生物、無機鹼、無機鹼的鹽、烷基胺、烷基胺的衍生物、鏈烷醇胺及鏈烷醇胺的衍生物所構成的群組中選擇的一種或複數種。
  4. 一種顯像裝置，係用以對基板進行顯像處理；於前述基板的一表面上形成有含有金屬的塗佈液的膜作為含金屬塗佈膜，於前述含金屬塗佈膜上形成有第一有機塗佈膜，前述第一有機塗佈膜係藉由感光性的有機材料而形成且被曝光成預定的圖案；前述顯像裝置係具有：第一去除液供給部，將用以去除金屬的第一去除液供給至前述第一有機塗佈膜及前述含金屬塗佈膜，藉此形成具有前述預定的圖案的第一有機塗佈膜圖案及具有前述預定的圖案的含金屬塗佈膜圖案；以及清洗液供給部，將清洗液供給至具有前述第一有機塗佈膜圖案及前述含金屬塗佈膜圖案的前述基板。
  5. 如請求項4所記載之顯像裝置，其中前述第一去除液係含有鹼性水溶液。
  6. 如請求項1至5中任一項所記載之顯像裝置，其中更具有：旋轉保持部，保持前述基板並且使藉由前述清洗液供給部供給前述清洗液後的前述基板旋轉。
  7. 如請求項1至5中任一項所記載之顯像裝置，其中更具有：第二去除液供給部，係對被前述第一去除液供給部供給前述第一去除液後且被前述清洗液供給部供給前述清洗液前的前述基板供給用以去除前述第一有機塗佈膜圖案的第二去除液。
  8. 如請求項1至5中任一項所記載之顯像裝置，其中進一步在前述基板中之前述一表面與前述含金屬塗佈膜之間形成有第二有機塗佈膜。
  9. 如請求項8所記載之顯像裝置，其中更具有：第三去除液供給部，係對被前述第一去除液供給部供給前述第一去除液後且被前述清洗液供給部供給前述清洗液前的前述基板供給用以去除前述第二有機塗佈膜的第三去除液，藉此形成具有前述預定的圖案的第二有機塗佈膜圖案。
  10. 一種基板處理裝置，係以隣接於用以將基板曝光的曝光裝置的方式配置；前述基板處理裝置係具有：含金屬塗佈膜形成部，將含有金屬的塗佈液作為含金屬塗佈液供給至前述基板的一表面，藉此於前述一表面上形成含金屬塗佈膜；第一有機塗佈膜形成部，將藉由感光性材料所形成的第一有機塗佈液供給至前述含金屬塗佈膜，藉此於藉由前述含金屬塗佈膜形成部所形成的前述含金屬塗佈膜上形成第一有機塗佈膜；以及如請求項1至5中任一項所記載的顯像裝置，對藉由前述第一有機塗佈膜形成部所形成的前述第一有機塗佈膜被前述曝光裝置曝光成預定的圖案的前述基板進行顯像處理。
  11. 如請求項10所記載之基板處理裝置，其中更進一步具有：第二有機塗佈膜形成部，係在藉由前述含金屬塗佈膜形成部於前述基板的前述一表面形成有前述含金屬塗佈膜前，藉由將第二有機塗佈液供給至前述基板的前述一表面，而於前述一表面與前述含金屬塗佈膜之間形成第二有機塗佈膜。
  12. 一種顯像方法，係用以對基板進行顯像處理；於前述基板的一表面上形成有含有金屬的塗佈液的膜作為含金屬塗佈膜，於前述含金屬塗佈膜上形成有第一有機塗佈膜，前述第一有機塗佈膜係藉由感光性的有機材料而形成且被曝光成預定的圖案；前述顯像方法係具有：藉由顯像液供給部將顯像液供給至前述第一有機塗佈膜，藉此形成具有前述預定的圖案的第一有機塗佈膜圖案的步驟；藉由第一去除液供給部將用以去除金屬的第一去除液供給至前述第一有機塗佈膜圖案及前述含金屬塗佈膜，藉此形成具有前述預定的圖案的含金屬塗佈膜圖案的步驟；以及藉由清洗液供給部將清洗液供給至具有前述第一有機塗佈膜圖案及前述含金屬塗佈膜圖案的前述基板的步驟。
  13. 一種顯像方法，係用以對基板進行顯像處理； 於前述基板的一表面上形成有含有金屬的塗佈液的膜作為含金屬塗佈膜，於前述含金屬塗佈膜上形成有第一有機塗佈膜，前述第一有機塗佈膜係藉由感光性的有機材料而形成且被曝光成預定的圖案；前述顯像方法具有：藉由第一去除液供給部將用以去除金屬的第一去除液供給至前述第一有機塗佈膜及前述含金屬塗佈膜而形成具有前述預定的圖案的第一有機塗佈膜圖案及具有前述預定的圖案的含金屬塗佈膜圖案的步驟；以及藉由清洗液供給部將清洗液供給至具有前述第一有機塗佈膜圖案及前述含金屬塗佈膜圖案的前述基板的步驟。
  14. 如請求項12或13所記載之顯像方法，其中更進一步包含藉由旋轉保持部保持且旋轉被前述清洗液供給部供給前述清洗液後的前述基板的步驟。
  15. 一種基板處理方法，係使用用以將基板曝光的曝光裝置，前述基板處理方法係具有：藉由含金屬塗佈膜形成部將含有金屬的塗佈液作為含金屬塗佈液供給至前述基板的一表面，藉此於前述一表面上形成含金屬塗佈膜的步驟；藉由第一有機塗佈膜形成部將藉由感光性材料所形成的第一有機塗佈液供給至藉由前述含金屬塗佈膜形成部所形成的前述含金屬塗佈膜，藉此於藉由前述 含金屬塗佈膜形成部所形成的前述含金屬塗佈膜上形成第一有機塗佈膜的步驟；以及對藉由前述第一有機塗佈膜形成部所形成的前述第一有機塗佈膜被前述曝光裝置曝光為預定的圖案的前述基板使用如請求項12或13所記載的顯像方法而進行顯像處理的步驟。
  16. 如請求項15所記載之基板處理方法，其中更進一步包含在形成前述含金屬塗佈膜的步驟之前藉由第二有機塗佈膜形成部將第二有機塗佈液供給至前述基板的前述一表面而於前述一表面與前述含金屬塗佈膜之間形成第二有機塗佈膜的步驟。
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