TW202006855A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

以覆蓋下層膜之方式於基板之被處理面形成外周部經曝光之感光性抗蝕膜，於感光性抗蝕膜上形成含金屬抗蝕膜。將含金屬抗蝕膜之外周部去除後，將感光性抗蝕膜之外周部去除。或者，以覆蓋下層膜之方式於基板之被處理面形成外周部經曝光之第1感光性抗蝕膜，於第1感光性抗蝕膜上形成外周部經曝光之第2感光性抗蝕膜，於第2感光性抗蝕膜上形成含金屬抗蝕膜。將含金屬抗蝕膜之外周部去除後，將第2感光性抗蝕膜之外周部去除。於含金屬抗蝕膜之顯影後，將第1感光性抗蝕膜之外周部去除。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置及基板處理方法。
於半導體元件等之製造中之微影製程中，藉由對基板之上表面噴出塗佈液來形成塗佈膜。此處，若於基板周緣部存在塗佈膜，則於搬送基板之搬送機構固持基板周緣部時，塗佈膜之一部分會剝離而成為顆粒。因此，藉由對基板周緣部噴出有機溶劑來將基板周緣部之塗佈膜溶解。藉此，將基板周緣部之塗佈膜去除。
近年來一直在研究，為了形成更微細之圖案，而於基板上形成含有金屬之含金屬塗佈膜作為塗佈膜。於該構成中，確認到，即便於對基板周緣部噴出有機溶劑之情形時，含金屬塗佈膜之金屬成分亦無法被去除而是殘留於基板周緣部上。因此，殘留於基板周緣部之金屬成分會導致基板處理裝置及其他曝光裝置等污染。
於專利文獻1中，記載有將不同於含金屬塗佈膜但含有金屬之硬質遮罩膜去除之塗佈處理方法。於該方法中，於基板周緣部形成由負型光阻液構成之遮蔽膜。然後，於基板表面形成硬質遮罩膜。繼而，利用包含有機溶劑之硬質遮罩膜去除液將基板周緣部之硬質遮罩膜去除。其後，利用溶解負型光阻之遮蔽膜去除液將遮蔽膜去除。
[專利文獻1]日本專利特開2014-45171號公報
[發明所欲解決之問題]
可藉由使用專利文獻1中記載之塗佈處理方法來將基板周緣部之金屬成分更確實地去除。然而，於該塗佈處理方法中，含金屬塗佈膜形成為於基板周緣部附近隆起之形狀。因此，無法有效利用基板周緣部附近之含金屬塗佈膜之區域，而使良率下降。
本發明之目的在於提供一種可防止產生金屬污染、並且於基板上形成具有均勻膜厚之含金屬塗佈膜的基板處理裝置及基板處理方法。 [解決問題之技術手段]
(1)本發明之一態樣之基板處理裝置具備：感光性塗佈液供給部，其藉由對具有形成有被處理膜之被處理面之基板供給感光性塗佈液，而以將被處理膜覆蓋之方式於基板之被處理面形成感光性塗佈膜；邊緣曝光部，其將重疊於基板之被處理面之周緣部上之感光性塗佈膜之外周部曝光；含金屬塗佈液供給部，其藉由將含有金屬之塗佈液作為含金屬塗佈液供給至感光性塗佈膜上，而於感光性塗佈膜上形成含金屬塗佈膜；第1去除液供給部，其對含金屬塗佈膜供給第1去除液，以將重疊於基板之被處理面之周緣部之含金屬塗佈膜之外周部去除；及第2去除液供給部，其於含金屬塗佈膜之外周部被去除後，對感光性塗佈膜供給第2去除液，以將感光性塗佈膜之經曝光之外周部去除。
於該基板處理裝置中，藉由利用感光性塗佈液供給部對基板供給感光性塗佈液，而於基板之被處理面形成感光性塗佈膜。利用邊緣曝光部將感光性塗佈膜之外周部曝光。藉由利用含金屬塗佈液供給部對感光性塗佈膜上供給含金屬塗佈液，而於感光性塗佈膜上形成含金屬塗佈膜。藉由利用第1去除液供給部對含金屬塗佈膜供給第1去除液，而將含金屬塗佈膜之外周部去除。於含金屬塗佈膜之外周部被去除後，利用第2去除液供給部對感光性塗佈膜供給第2去除液，藉此將感光性塗佈膜之經曝光之外周部去除。
根據該構成，感光性塗佈膜以將被處理膜覆蓋之方式形成於基板之被處理面之整個面而非僅形成於基板周緣部。因此，含金屬塗佈膜不會於基板周緣部附近隆起，而以均勻厚度形成於感光性塗佈膜上。又，於將含金屬塗佈膜之外周部去除時，即便於含金屬塗佈膜之金屬成分殘留於感光性塗佈膜之外周部之情形時，該金屬成分亦會連同感光性塗佈膜之外周部一起被去除。因此，即便於搬送機構保持基板周緣部之情形時，金屬成分亦不會附著於搬送機構。其結果，可防止產生金屬污染，並且於基板上形成具有均勻膜厚之含金屬塗佈膜。
(2)亦可為，第1去除液為使含金屬塗佈膜溶解且不使感光性塗佈膜溶解之液體，第2去除液為使感光性塗佈膜溶解且不使含金屬塗佈膜溶解之液體。於該情形時，可選擇性地且容易地將含金屬塗佈膜及感光性塗佈膜之外周部依序去除。
(3)亦可為，第1去除液包含有機溶劑，第2去除液包含進行正型顯影之顯影液。於該情形時，可利用第1去除液於不使感光性塗佈膜溶解之情況下使含金屬塗佈膜溶解。可利用第2去除液於不使含金屬塗佈膜溶解之情況下使感光性塗佈膜溶解。
(4)本發明之另一態樣之基板處理裝置係使用將基板曝光之曝光裝置者，且具備：第1感光性塗佈液供給部，其藉由對具有形成有被處理膜之被處理面之基板供給第1感光性塗佈液，而以將被處理膜覆蓋之方式於基板之被處理面形成第1感光性塗佈膜；第2感光性塗佈液供給部，其藉由對第1感光性塗佈膜上供給感光波長分佈不同於第1感光性塗佈液之第2感光性塗佈液，而於第1感光性塗佈膜上形成第2感光性塗佈膜；第1邊緣曝光部，其將重疊於基板之被處理面之周緣部上之第2感光性塗佈膜之外周部曝光；含金屬塗佈液供給部，其藉由將含有金屬之塗佈液作為含金屬塗佈液供給至第2感光性塗佈膜上，而於第2感光性塗佈膜上形成含金屬塗佈膜；第1去除液供給部，其對含金屬塗佈膜供給第1去除液，以將重疊於基板之被處理面之周緣部之含金屬塗佈膜之外周部去除；第2去除液供給部，其於含金屬塗佈膜之外周部被去除後，對第2感光性塗佈膜供給第2去除液，以將第2感光性塗佈膜之經曝光之外周部去除；第2邊緣曝光部，其將重疊於基板之被處理面之周緣部之第1感光性塗佈膜之外周部曝光；顯影液供給部，其對含金屬塗佈膜供給顯影液，以使利用曝光裝置曝光成特定圖案之含金屬塗佈膜顯影；及第3去除液供給部，其於含金屬塗佈膜顯影後，對第1感光性塗佈膜供給第3去除液，以將第1感光性塗佈膜之經曝光之外周部去除。
於該基板處理裝置中，藉由利用第1感光性塗佈液供給部對基板供給第1感光性塗佈液，而於基板之被處理面形成第1感光性塗佈膜。藉由利用第2感光性塗佈液供給部對第1感光性塗佈膜上供給第2感光性塗佈液，而於第1感光性塗佈膜上形成第2感光性塗佈膜。利用第1邊緣曝光部將第2感光性塗佈膜之外周部曝光。藉由利用含金屬塗佈液供給部對第2感光性塗佈膜上供給含金屬塗佈液，而於第2感光性塗佈膜上形成含金屬塗佈膜。
藉由利用第1去除液供給部對含金屬塗佈膜供給第1去除液，而將含金屬塗佈膜之外周部去除。於含金屬塗佈膜之外周部被去除後，利用第2去除液供給部對第2感光性塗佈膜供給第2去除液，藉此將第2感光性塗佈膜之經曝光之外周部去除。利用第2邊緣曝光部將第1感光性塗佈膜之外周部曝光。藉由利用顯影液供給部對含金屬塗佈膜供給顯影液，而使利用曝光裝置曝光成特定圖案之含金屬塗佈膜顯影。於含金屬塗佈膜顯影後，利用第3去除液供給部對第1感光性塗佈膜供給第3去除液，藉此將第1感光性塗佈膜之經曝光之外周部去除。
根據該構成，第1感光性塗佈膜以將被處理膜覆蓋之方式形成於基板之被處理面之整個面而非僅形成於基板周緣部，第2感光性塗佈膜係形成於第1感光性塗佈膜上。因此，含金屬塗佈膜不會於基板周緣部附近隆起，而以均勻厚度形成於第2感光性塗佈膜上。又，於將含金屬塗佈膜之外周部去除時，即便於含金屬塗佈膜之金屬成分殘留於第2感光性塗佈膜之外周部之情形時，該金屬成分亦會連同第2感光性塗佈膜之外周部一起被去除。進而，於使含金屬塗佈膜顯影時，即便於含金屬塗佈膜之金屬成分殘留於第1感光性塗佈膜之外周部之情形時，該金屬成分亦會連同第1感光性塗佈膜之外周部一起被去除。因此，即便於搬送機構保持基板周緣部之情形時，金屬成分亦不會附著於搬送機構。其結果，可防止產生金屬污染，並且於基板上形成具有均勻膜厚之含金屬塗佈膜。
(5)亦可為，第1去除液為使含金屬塗佈膜溶解且不使第1及第2感光性塗佈膜溶解之液體，第2去除液為使第2感光性塗佈膜溶解且不使含金屬塗佈膜溶解之液體，第3去除液為使第1感光性塗佈膜溶解且不使含金屬塗佈膜溶解之液體，顯影液為使含金屬塗佈膜溶解且不使第1及第2感光性塗佈膜溶解之液體。於該情形時，可選擇性地且容易地將含金屬塗佈膜、第2感光性塗佈膜及第1感光性塗佈膜之外周部依序去除並且使含金屬塗佈膜顯影。
(6)亦可為，第1去除液包含有機溶劑，第2去除液包含進行正型顯影之顯影液，第3去除液包含進行正型顯影之顯影液，顯影液包含進行負型顯影之顯影液。
於該情形時，可利用第1去除液於不使第1及第2感光性塗佈膜溶解之情況下使含金屬塗佈膜溶解。可利用第2去除液於不使含金屬塗佈膜溶解之情況下使第2感光性塗佈膜溶解。可利用第3去除液於不使含金屬塗佈膜溶解之情況下使第1感光性塗佈膜溶解。可利用顯影液於不使第1及第2感光性塗佈膜溶解之情況下使含金屬塗佈膜溶解。
(7)亦可為，第1感光性塗佈膜包含i光線抗蝕膜、氟化氪抗蝕膜及氟化氬抗蝕膜中之任一種抗蝕膜，第2感光性塗佈膜包含i光線抗蝕膜、氟化氪抗蝕膜及氟化氬抗蝕膜中之其他抗蝕膜。於該情形時，可容易地形成感光波長分佈互不相同之第1感光性塗佈膜及第2感光性塗佈膜。
(8)本發明之又一態樣之基板處理方法包括如下步驟：藉由利用感光性塗佈液供給部對具有形成有被處理膜之被處理面之基板供給感光性塗佈液，而以將被處理膜覆蓋之方式於基板之被處理面形成感光性塗佈膜；利用邊緣曝光部將重疊於基板之被處理面之周緣部上之感光性塗佈膜之外周部曝光；藉由利用含金屬塗佈液供給部將含有金屬之塗佈液作為含金屬塗佈液供給至感光性塗佈膜上，而於感光性塗佈膜上形成含金屬塗佈膜；利用第1去除液供給部對含金屬塗佈膜供給第1去除液，以將重疊於基板之被處理面之周緣部之含金屬塗佈膜之外周部去除；以及於含金屬塗佈膜之外周部被去除後，利用第2去除液供給部對感光性塗佈膜供給第2去除液，以將感光性塗佈膜之經曝光之外周部去除。
根據該基板處理方法，含金屬塗佈膜不會於基板周緣部附近隆起，而以均勻厚度形成於感光性塗佈膜上。又，於將含金屬塗佈膜之外周部去除時，即便於含金屬塗佈膜之金屬成分殘留於感光性塗佈膜之外周部之情形時，該金屬成分亦會連同感光性塗佈膜之外周部一起被去除。因此，即便於搬送機構保持基板周緣部之情形時，金屬成分亦不會附著於搬送機構。其結果，可防止產生金屬污染，並且於基板上形成具有均勻膜厚之含金屬塗佈膜。
(9)亦可為，供給第1去除液之步驟包括供給使含金屬塗佈膜溶解且不使感光性塗佈膜溶解之液體，供給第2去除液之步驟包括供給使感光性塗佈膜溶解且不使含金屬塗佈膜溶解之液體。於該情形時，可選擇性地且容易地將含金屬塗佈膜及感光性塗佈膜之外周部依序去除。
(10)亦可為，供給第1去除液之步驟包括供給有機溶劑，供給第2去除液之步驟包括藉由供給顯影液進行正型顯影。於該情形時，可利用第1去除液於不使感光性塗佈膜溶解之情況下使含金屬塗佈膜溶解。可利用第2去除液於不使含金屬塗佈膜溶解之情況下使感光性塗佈膜溶解。
(11)本發明之又一態樣之基板處理方法係使用將基板曝光之曝光裝置者，包括如下步驟：藉由利用第1感光性塗佈液供給部對具有形成有被處理膜之被處理面之基板供給第1感光性塗佈液，而以將被處理膜覆蓋之方式於基板之被處理面形成第1感光性塗佈膜；藉由利用第2感光性塗佈液供給部對第1感光性塗佈膜上供給感光波長分佈不同於第1感光性塗佈液之第2感光性塗佈液，而於第1感光性塗佈膜上形成第2感光性塗佈膜；利用第1邊緣曝光部將重疊於基板之被處理面之周緣部上之第2感光性塗佈膜之外周部曝光；藉由利用含金屬塗佈液供給部將含有金屬之塗佈液作為含金屬塗佈液供給至第2感光性塗佈膜上，而於第2感光性塗佈膜上形成含金屬塗佈膜；利用第1去除液供給部對含金屬塗佈膜供給第1去除液，以將重疊於基板之被處理面之周緣部之含金屬塗佈膜之外周部去除；於含金屬塗佈膜之外周部被去除後，利用第2去除液供給部對第2感光性塗佈膜供給第2去除液，以將第2感光性塗佈膜之經曝光之外周部去除；利用第2邊緣曝光部將重疊於基板之被處理面之周緣部之第1感光性塗佈膜之外周部曝光；利用顯影液供給部對含金屬塗佈膜供給顯影液，以使利用曝光裝置曝光成特定圖案之含金屬塗佈膜顯影；以及於含金屬塗佈膜顯影後，利用第3去除液供給部對第1感光性塗佈膜供給第3去除液，以將第1感光性塗佈膜之經曝光之外周部去除。
根據該基板處理方法，含金屬塗佈膜不會於基板周緣部附近隆起，而以均勻厚度形成於第2感光性塗佈膜上。又，於將含金屬塗佈膜之外周部去除時，即便於含金屬塗佈膜之金屬成分殘留於第2感光性塗佈膜之外周部之情形時，該金屬成分亦會連同第2感光性塗佈膜之外周部一起被去除。進而，於使含金屬塗佈膜顯影時，即便於含金屬塗佈膜之金屬成分殘留於第1感光性塗佈膜之外周部之情形時，該金屬成分亦會連同第1感光性塗佈膜之外周部一起被去除。因此，即便於搬送機構保持基板周緣部之情形時，金屬成分亦不會附著於搬送機構。其結果，可防止產生金屬污染，並且於基板上形成具有均勻膜厚之含金屬塗佈膜。
(12)亦可為，供給第1去除液之步驟包括供給使含金屬塗佈膜溶解且不使第1及第2感光性塗佈膜溶解之液體，供給第2去除液之步驟包括供給使第2感光性塗佈膜溶解且不使含金屬塗佈膜溶解之液體，供給顯影液之步驟包括供給使含金屬塗佈膜溶解且不使第1及第2感光性塗佈膜溶解之液體，供給第3去除液之步驟包括供給使第1感光性塗佈膜溶解且不使含金屬塗佈膜溶解之液體。於該情形時，可選擇性地且容易地將含金屬塗佈膜、第2感光性塗佈膜及第1感光性塗佈膜之外周部依序去除並且使含金屬塗佈膜顯影。
(13)亦可為，供給第1去除液之步驟包括供給有機溶劑，供給第2去除液之步驟包括藉由供給顯影液進行正型顯影，供給顯影液之步驟包括藉由供給顯影液進行負型顯影，供給第3去除液之步驟包括藉由供給顯影液進行正型顯影。
於該情形時，可利用第1去除液於不使第1及第2感光性塗佈膜溶解之情況下使含金屬塗佈膜溶解。可利用第2去除液於不使含金屬塗佈膜溶解之情況下使第2感光性塗佈膜溶解。可利用顯影液於不使第1及第2感光性塗佈膜溶解之情況下使含金屬塗佈膜溶解。可利用第3去除液於不使含金屬塗佈膜溶解之情況下使第1感光性塗佈膜溶解。
(14)亦可為，形成第1感光性塗佈膜之步驟包括形成i光線抗蝕膜、氟化氪抗蝕膜及氟化氬抗蝕膜中之任一種抗蝕膜，形成第2感光性塗佈膜之步驟包括形成i光線抗蝕膜、氟化氪抗蝕膜及氟化氬抗蝕膜中之其他抗蝕膜。於該情形時，可容易地形成感光波長分佈互不相同之第1感光性塗佈膜及第2感光性塗佈膜。 [發明之效果]
根據本發明，可防止產生金屬污染，並且於基板上形成具有均勻膜厚之含金屬塗佈膜。
以下，使用圖式對本發明之一實施形態之基板處理裝置及基板處理方法進行說明。再者，於以下說明中，基板係指半導體基板、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display平面顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽電池用基板等。
[1]第1實施形態 (1)基板處理裝置 圖1係本發明之第1實施形態之基板處理裝置之模式性俯視圖。如圖1所示，基板處理裝置100具備導引區塊11及塗佈區塊12。
導引區塊11包含複數個載具載置部111及搬送部112。於各載具載置部111載置將複數個基板W多段收納之載具113。於搬送部112設置控制部114及搬送裝置115。控制部114控制基板處理裝置100之各種構成要素。搬送裝置115一面保持基板W，一面搬送該基板W。
塗佈區塊12包含塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部123。塗佈處理部121及熱處理部123係以隔著搬送部122對向之方式設置。
圖2係主要表示圖1之塗佈處理部121之基板處理裝置100之模式性側視圖。如圖2所示，於塗佈處理部121設置複數個塗佈處理單元(旋轉塗佈機)20。各塗佈處理單元20具備複數個旋轉吸盤21、複數個護罩22、複數個塗佈噴嘴23、移動機構24、複數個邊緣清洗噴嘴25及複數個斜面清洗噴嘴26(參照下述圖6(b))。複數個護罩22與複數個旋轉吸盤21分別對應，以將對應之旋轉吸盤21之周圍覆蓋之方式設置。
於塗佈處理單元20中，旋轉吸盤21將基板W以水平姿勢吸附保持並使其旋轉。於該狀態下，任一塗佈噴嘴23利用移動機構24移動至基板W之上方，自該塗佈噴嘴23噴出塗佈液。藉此，將塗佈液塗佈於基板W之被處理面上，而於基板W之被處理面上形成塗佈液之膜(以下稱作塗佈膜)。此處，被處理面係指供形成電路圖案等各種圖案之基板W之面。
複數個塗佈噴嘴23之各者可噴出該塗佈噴嘴23所固有之種類之塗佈液。於以下說明中，於將複數個塗佈噴嘴23加以區分之情形時，將複數個塗佈噴嘴23分別稱作塗佈噴嘴23a、23b、23c……。
又，自任一邊緣清洗噴嘴25向基板W之周緣部噴出清洗液。基板W之周緣部係指基板W之被處理面中沿基板W之外周部之固定寬度之區域。藉此，將附著於基板W之周緣部之塗佈液去除。複數個邊緣清洗噴嘴25之各者可噴出對該邊緣清洗噴嘴25所固有之種類之去除液。於以下說明中，於將複數個邊緣清洗噴嘴25加以區分之情形時，將複數個邊緣清洗噴嘴25分別稱作邊緣清洗噴嘴25a、25b、25c……。
進而，自斜面清洗噴嘴26向基板W之斜面部噴出清洗液。斜面部係指自基板W之被處理面之外周部朝向基板W之最外周部傾斜之部分及自基板W之背面之外周部朝向基板W之最外周部傾斜之部分。背面係指與基板W之被處理面為相反側之面。藉此，將附著於基板W之斜面部之塗佈液去除。
圖3係主要表示圖1之熱處理部123之基板處理裝置100之模式性側視圖。如圖3所示，熱處理部123具有上段熱處理部101及下段熱處理部102。於上段熱處理部101及下段熱處理部102之各者設置複數個加熱單元PHP、複數個冷卻單元CP及邊緣曝光部40。於加熱單元PHP中，進行基板W之加熱處理。於冷卻單元CP中，進行基板W之冷卻處理。
邊緣曝光部40具備旋轉吸盤41及光源42。光源42例如包括高壓水銀燈，出射具有365 nm之峰值波長之光(i光線)作為曝光光。於邊緣曝光部40，旋轉吸盤41將基板W以水平姿勢吸附保持並使其旋轉。於該狀態下，自光源42對基板W之周緣部之固定寬度之區域照射i光線。藉此，對基板W上之周緣部中之固定寬度之區域進行曝光處理(邊緣曝光處理)。
圖4係主要表示圖1之搬送部122之側視圖。如圖4所示，搬送部122具有上段搬送室125及下段搬送室126。於上段搬送室125設置搬送裝置(搬送機械手)127，於下段搬送室126設置搬送裝置128。搬送裝置127、128之各者一面保持基板W，一面搬送該基板W。於搬送部112與上段搬送室125之間，設置基板載置部P1、P2，於搬送部112與下段搬送室126之間，設置基板載置部P3、P4。
(2)基板處理 圖5～圖7係供進行處理之基板W之局部放大縱剖視圖。圖5(a)表示例如由矽形成之未處理之基板W。圖5(a)之基板W自圖1之導引區塊11被搬送至塗佈區塊12之熱處理部123，利用冷卻單元CP對基板W進行冷卻處理。
冷卻處理後，基板W被搬送至圖1之塗佈處理部121之任一塗佈處理單元20，藉由旋轉吸盤21被保持及進行旋轉。於該狀態下，如圖5(b)所示，利用塗佈噴嘴23a向基板W之被處理面之大致中央部噴出塗佈液。藉此，於基板W之被處理面形成下層膜F1作為塗佈膜。
又，如圖5(c)所示，利用邊緣清洗噴嘴25a對基板W之周緣部噴出清洗液。藉此，進行邊緣清洗處理，而將附著於基板W之周緣部之塗佈液去除。作為圖5(c)之清洗液，例如可為有機溶劑，亦可為純水或水溶液。邊緣清洗處理後，基板W被搬送至熱處理部123，利用圖1之加熱單元PHP或冷卻單元CP對基板W進行特定熱處理(包括冷卻處理)。
於本實施形態中，下層膜F1具有交替積層有無機性之塗佈膜及有機性之塗佈膜之構成。於該情形時，每當於塗佈處理部121中於基板W形成一個塗佈膜並進行邊緣清洗處理後，便於熱處理部123中對基板W進行熱處理。於圖5(d)之例中，下層膜F1具有於基板W上依序積層有塗佈膜Fa、Fb、Fc之構成。
塗佈膜Fa例如為氮化矽膜、氧化矽膜或多晶矽膜，且係於本實施形態中之基板處理結束後成為利用未圖示之外部之蝕刻裝置進行蝕刻之對象之膜。塗佈膜Fb例如為SOC(Spin On Carbon，旋塗碳)膜。塗佈膜Fc例如為SOG(Spin On Glass，旋轉塗佈玻璃)膜或SiARC(Si-rich Anti Reflective Coating，富矽抗反射塗層)膜。塗佈膜Fb、Fc係用作用於塗佈膜Fa之蝕刻之遮罩。
於本實施形態中，下層膜F1包含塗佈膜Fa～Fc，但本發明並不限定於此。塗佈膜Fc係用於使塗佈膜Fa之蝕刻速率擴增。因此，於能夠以足夠大之蝕刻速率對塗佈膜Fa進行蝕刻之情形時，下層膜F1亦可包含塗佈膜Fa、Fb而不含塗佈膜Fc。或者，下層膜F1亦可包含塗佈膜Fa而不含塗佈膜Fb、Fc。
其後，基板W被搬送至塗佈處理部121之任一塗佈處理單元20，藉由旋轉吸盤21被保持及進行旋轉。於該狀態下，如圖6(a)所示，利用塗佈噴嘴23b將感光性之光阻液作為塗佈液噴出至基板W之被處理面之大致中央部。藉此，以覆蓋下層膜F1之方式於基板W之被處理面形成感光性抗蝕膜F2作為塗佈膜。感光性抗蝕膜F2例如為藉由i光線感光之i光線抗蝕膜。
又，如圖6(b)所示，利用斜面清洗噴嘴26向基板W之斜面部噴出清洗液。藉此，進行斜面清洗處理，而將附著於基板W之斜面部之光阻液去除。圖6(b)之清洗液亦可為與圖5(c)相同之清洗液體。
斜面清洗處理後，基板W被搬送至熱處理部123，利用加熱單元PHP或冷卻單元CP對基板W進行特定熱處理。熱處理後，基板W於圖3之邊緣曝光部40中藉由旋轉吸盤41被保持及進行旋轉。於該狀態下，如圖6(c)所示，自光源42對基板W之周緣部之固定寬度之區域照射曝光光。藉此，對基板W上之周緣部中之感光性抗蝕膜F2之固定寬度之區域進行邊緣曝光處理。邊緣曝光處理後，利用冷卻單元CP對基板W進行冷卻處理。
再者，於本實施形態中，感光性抗蝕膜F2為i光線抗蝕膜，但本發明並不限定於此。感光性抗蝕膜F2亦可為其他感光性抗蝕膜。例如，感光性抗蝕膜F2亦可為藉由具有248 nm之峰值波長之光而感光之KrF(氟化氪)抗蝕膜。於該情形時，光源42包含KrF準分子雷射器。或者，感光性抗蝕膜F2亦可為藉由具有193 nm之峰值波長之光而感光之ArF(氟化氬)抗蝕膜。於該情形時，光源42包含ArF準分子雷射器。
其後，基板W被搬送至塗佈處理部121之任一塗佈處理單元20，藉由旋轉吸盤21被保持及進行旋轉。於該狀態下，如圖7(a)所示，將含有用於高效吸收EUV (Extreme Ultra Violet，超紫外線)之金屬成分或金屬氧化物等金屬成分作為組合物之含金屬抗蝕液作為塗佈液利用塗佈噴嘴23c向基板W之被處理面之大致中央部噴出。EUV之波長為13 nm以上14 nm以下。金屬成分例如包含Sn(錫)、HfO2 (氧化鉿)或ZrO2 (二氧化鋯)。藉此，以覆蓋感光性抗蝕膜F2之方式於基板W之被處理面形成含金屬抗蝕膜F4作為塗佈膜。
又，如圖7(b)所示，利用邊緣清洗噴嘴25b對基板W之周緣部噴出清洗液。作為圖7(b)之清洗液，使用使含金屬抗蝕膜F4溶解且不使感光性抗蝕膜F2溶解之液體。具體而言，作為清洗液，例如使用MIBC(methyl isobutyl carbinol，甲基異丁基甲醇)或MIBK(methyl isobutyl ketone，甲基異丁基酮)等溶解性較低之有機溶劑。藉此，進行邊緣清洗處理，而將附著於基板W之周緣部之含金屬抗蝕液去除。
進而，如圖7(c)所示，利用邊緣清洗噴嘴25c對基板W之周緣部噴出清洗液。作為圖7(c)之清洗液，使用使感光性抗蝕膜F2溶解且不使含金屬抗蝕膜F4溶解之液體。具體而言，作為清洗液，使用例如包含TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide，氫氧化四甲基銨)或KOH(potassium hydroxide，氫氧化鈉)之鹼性水溶液等顯影液。藉此，進行邊緣清洗處理，而將殘留於基板W之周緣部之感光性抗蝕膜F2藉由正型顯影去除。
上述兩個階段之邊緣清洗處理後，基板W被搬送至熱處理部123，利用加熱單元PHP或冷卻單元CP對基板W進行特定熱處理。其後，基板W自塗佈區塊12被搬送至導引區塊11，基板處理結束。
(3)基板處理裝置之動作 一面參照圖1～圖7，一面對基板處理裝置100之動作進行說明。再者，於以下說明中，將圖2之積層於塗佈處理部121之複數個塗佈處理單元20中配置於上部之一半塗佈處理單元20稱作上段之塗佈處理單元20，另一方面，將配置於下部之剩餘一半塗佈處理單元20稱作下段之塗佈處理單元20。
於導引區塊11之載具載置部111(圖1)載置收容有未處理之基板W之載具113。搬送裝置115自載具113向基板載置部P1、P3(圖4)搬送未處理之基板W。又，搬送裝置115將載置於基板載置部P2、P4(圖4)之已處理之基板W搬送至載具113。
於塗佈區塊12，搬送裝置127將載置於基板載置部P1之基板W依序搬送至上段熱處理部101(圖3)之冷卻單元CP及塗佈處理部121(圖2)之上段之任一塗佈處理單元20。於該情形時，於冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適於形成下層膜F1之溫度。又，於塗佈處理單元20中，如圖5(b)所示般於基板W上形成下層膜F1，如圖5(c)所示般對基板W進行邊緣清洗處理。
然後，搬送裝置127將利用塗佈處理單元20形成有下層膜F1之基板W依序搬送至上段熱處理部101之加熱單元PHP及冷卻單元CP。於該情形時，於加熱單元PHP中，將基板W加熱至150℃～400℃後，於冷卻單元CP中進行冷卻。如圖5(d)所示，於下層膜F1包含複數個塗佈膜Fa～Fc之情形時，搬送裝置127於塗佈處理單元20與加熱單元PHP及冷卻單元CP之間反覆進行上述基板W之搬送。
其後，搬送裝置127將基板W依序搬送至塗佈處理部121之上段之任一塗佈處理單元20、上段熱處理部101之加熱單元PHP、冷卻單元CP、邊緣曝光部40及冷卻單元CP。於該情形時，於塗佈處理單元20中，如圖6(a)所示般於基板W上形成感光性抗蝕膜F2，如圖6(b)所示般對基板W進行斜面清洗處理。又，於加熱單元PHP中，將基板W加熱至90℃～130℃後，於冷卻單元CP中進行冷卻。其次，於邊緣曝光部40中，如圖6(c)所示般對基板W進行邊緣曝光處理，於冷卻單元CP中將基板W冷卻。
其後，搬送裝置127將基板W依序搬送至塗佈處理部121之上段之任一塗佈處理單元20、上段熱處理部101之加熱單元PHP及冷卻單元CP。於該情形時，於塗佈處理單元20中，如圖7(a)所示般於基板W上形成含金屬抗蝕膜F4後，如圖7(b)及圖7(c)所示般對基板W進行兩個階段之邊緣清洗處理。又，於加熱單元PHP中，將基板W加熱至90℃～200℃後，於冷卻單元CP中進行冷卻。最後，搬送裝置127將冷卻後之基板W搬送至基板載置部P2。
搬送裝置128將載置於基板載置部P3之基板W依序搬送至下段熱處理部102(圖3)之冷卻單元CP及塗佈處理部121(圖2)之下段之任一塗佈處理單元20。其次，搬送裝置128將基板W依序搬送至下段熱處理部102之加熱單元PHP及冷卻單元CP。於下層膜F1包含複數個塗佈膜之情形時，搬送裝置128於塗佈處理單元20與加熱單元PHP及冷卻單元CP之間反覆進行上述基板W之搬送。
繼而，搬送裝置128將基板W依序搬送至塗佈處理部121之下段之任一塗佈處理單元20、下段熱處理部102之邊緣曝光部40、加熱單元PHP及冷卻單元CP。其後，搬送裝置128將基板W依序搬送至塗佈處理部121之下段之任一塗佈處理單元20、下段熱處理部102之加熱單元PHP、冷卻單元CP及基板載置部P2。下段之塗佈處理單元20及下段熱處理部102中之基板W之處理內容與上段之塗佈處理單元20及上段熱處理部101中之基板W之處理內容分別相同。
(4)效果 於本實施形態之基板處理裝置100中，感光性抗蝕膜F2以覆蓋下層膜F1之方式形成於基板W之被處理面之整個面而非僅形成於基板W之周緣部。因此，含金屬抗蝕膜F4不會於基板W之周緣部附近隆起，而以均勻厚度形成於感光性抗蝕膜F2上。又，於將含金屬抗蝕膜F4之外周部去除時，即便於含金屬抗蝕膜F4之金屬成分殘留於感光性抗蝕膜F2之外周部之情形時，該金屬成分亦會連同感光性抗蝕膜F2之外周部一起被去除。
因此，即便於搬送裝置115、127、128保持基板W之周緣部之情形時，金屬成分亦不會附著於搬送裝置115、127、128。藉此，可防止產生金屬污染，並且於基板W上形成具有均勻膜厚之含金屬抗蝕膜F4。其結果，可有效利用基板W之周緣部附近之含金屬抗蝕膜F4之區域，而可防止良率下降。
[2]第2實施形態 (1)基板處理裝置 針對第2實施形態之基板處理裝置，對與第1實施形態之基板處理裝置100不同之方面進行說明。圖8係本發明之第2實施形態之基板處理裝置之模式性俯視圖。如圖8所示，基板處理裝置100除導引區塊11及塗佈區塊12以外，進而具備顯影區塊13、洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。利用洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B構成傳遞區塊14。利用EUV對基板W進行曝光處理之曝光裝置15以與搬入搬出區塊14B相鄰之方式配置。
顯影區塊13包含顯影處理部131、搬送部132及熱處理部133。顯影處理部131及熱處理部133以隔著搬送部132對向之方式設置。洗淨乾燥處理區塊14A包含洗淨乾燥處理部161、162及搬送部163。洗淨乾燥處理部161、162以隔著搬送部163對向之方式設置。於搬送部163設置搬送裝置141、142。於搬入搬出區塊14B設置搬送裝置143。搬送裝置143將基板W相對於曝光裝置15搬入及搬出。
圖9係主要表示圖8之塗佈處理部121、顯影處理部131及洗淨乾燥處理部161之基板處理裝置100之模式性側視圖。如圖9所示，於顯影處理部131設置複數個顯影處理單元(自旋顯影機)30。各顯影處理單元30與塗佈處理單元20同樣地具備複數個旋轉吸盤31及複數個護罩32。又，各顯影處理單元30具備噴出顯影液之複數個顯影噴嘴33、使各顯影噴嘴33於一方向移動之移動機構34及邊緣清洗噴嘴35。
於顯影處理單元30中，旋轉吸盤31將基板W以水平姿勢吸附保持並使其旋轉。於該狀態下，一面利用移動機構34使各顯影噴嘴33於一方向移動，一面對各基板W供給顯影液。藉此，進行基板W之顯影處理。又，自邊緣清洗噴嘴35對顯影處理後之基板W之周緣部噴出清洗液。
於洗淨乾燥處理部161設置複數個洗淨乾燥處理單元SD1。於洗淨乾燥處理單元SD1中，進行曝光處理前之基板W之洗淨及乾燥處理。
圖10係主要表示圖8之熱處理部123、133及洗淨乾燥處理部162之基板處理裝置100之模式性側視圖。如圖10所示，於本實施形態中，於熱處理部123之上段熱處理部101及下段熱處理部102之各者設置2個邊緣曝光部40。於以下說明中，將一邊緣曝光部40稱作邊緣曝光部40a，將另一邊緣曝光部40稱作邊緣曝光部40b。
邊緣曝光部40a與邊緣曝光部40b除光源42不同這方面以外，具有同一構成。於本實施形態中，邊緣曝光部40a之光源42例如包括高壓水銀燈，出射具有365 nm之峰值波長之光(i光線)作為曝光光。邊緣曝光部40b之光源42例如包括KrF準分子雷射器，出射具有248 nm之峰值波長之光作為曝光光。
熱處理部133具有上段熱處理部103及下段熱處理部104。於上段熱處理部103及下段熱處理部104設置複數個加熱單元PHP及冷卻單元CP。於上段熱處理部103及下段熱處理部104，以與洗淨乾燥處理區塊14A相鄰之方式設置之加熱單元PHP係以能夠自洗淨乾燥處理區塊14A搬入基板W之方式構成。
於洗淨乾燥處理部162設置複數個洗淨乾燥處理單元SD2。於洗淨乾燥處理單元SD2中，進行曝光處理前之基板W之洗淨及乾燥處理。
圖11係主要表示圖8之搬送部122、132、163之側視圖。如圖11所示，搬送部132具有上段搬送室135及下段搬送室136。又，於上段搬送室135設置搬送裝置137，於下段搬送室136設置搬送裝置138。搬送裝置137、138之各者一面保持基板W，一面搬送該基板W。
於上段搬送室125與上段搬送室135之間設置基板載置部P5、P6，於下段搬送室126與下段搬送室136之間設置基板載置部P7、P8。於上段搬送室135與搬送部163之間設置載置兼緩衝部PB1，於下段搬送室136與搬送部163之間設置載置兼緩衝部PB2。以於搬送部163與搬入搬出區塊14B相鄰之方式設置基板載置部P9及複數個載置兼冷卻部PCP。
(2)基板處理 圖12～圖14係第2實施形態中之供進行處理之基板W之局部放大縱剖視圖。於本實施形態中，對基板W進行與第1實施形態中之圖5(a)～圖6(b)之處理相同之處理。再者，於本實施形態中，於圖6(a)之處理中，將感光性之第1光阻液用作塗佈液。藉此，於基板W之被處理面形成感光性抗蝕膜F2。感光性抗蝕膜F2例如為藉由具有248 nm之峰值波長之光而感光之KrF抗蝕膜。
又，圖6(b)之處理後，基板W被搬送至塗佈處理部121之任一塗佈處理單元20，藉由旋轉吸盤21被保持及進行旋轉。於該狀態下，如圖12(a)所示，利用塗佈噴嘴23d將感光性之第2光阻液作為塗佈液向基板W之被處理面之大致中央部噴出。藉此，以覆蓋感光性抗蝕膜F2之方式於基板W之被處理面形成感光性抗蝕膜F3作為塗佈膜。感光性抗蝕膜F3例如為藉由具有365 nm之峰值波長之光而感光之i光線抗蝕膜。
於本實施形態中，感光性抗蝕膜F2為KrF抗蝕膜，感光性抗蝕膜F3為i光線抗蝕膜，但本發明並不限定於此。感光性抗蝕膜F2、F3亦可為其他抗蝕膜，只要具有互不相同之感光波長分佈即可。因此，亦可為，感光性抗蝕膜F2例如為i光線抗蝕膜、氟化氪抗蝕膜及氟化氬抗蝕膜中之任一種抗蝕膜，感光性抗蝕膜F3為其他抗蝕膜。
又，如圖12(b)所示，利用斜面清洗噴嘴26向基板W之斜面部噴出清洗液。藉此，進行斜面清洗處理，而將附著於基板W之斜面部之第2光阻液去除。圖12(b)之清洗液亦可為與圖6(b)相同之清洗液體。斜面清洗處理後，利用加熱單元PHP或冷卻單元CP對基板W進行特定熱處理。
斜面清洗處理後，基板W被搬送至圖8之熱處理部123，利用加熱單元PHP或冷卻單元CP對基板W進行特定熱處理。熱處理後，基板W於圖10之邊緣曝光部40a，藉由旋轉吸盤41被保持及進行旋轉。於該狀態下，如圖12(c)所示，自光源42對基板W之周緣部之固定寬度之區域照射曝光光。藉此，對基板W上之周緣部中之感光性抗蝕膜F3之固定寬度之區域進行邊緣曝光處理。邊緣曝光處理後，利用冷卻單元CP對基板W進行冷卻處理。
其後，基板W被搬送至塗佈處理部121之任一塗佈處理單元20，藉由旋轉吸盤21被保持及進行旋轉。於該狀態下，如圖13(a)所示，利用塗佈噴嘴23c將含金屬抗蝕液作為塗佈液向基板W之被處理面之大致中央部噴出。藉此，以將感光性抗蝕膜F3覆蓋之方式於基板W之被處理面形成含金屬抗蝕膜F4作為塗佈膜。
又，如圖13(b)所示，利用邊緣清洗噴嘴25b對基板W之周緣部噴出清洗液。作為圖13(b)之清洗液，使用使含金屬抗蝕膜F4溶解且不使感光性抗蝕膜F2、F3溶解之液體。具體而言，作為清洗液，使用例如MIBC或MIBK等溶解性較低之有機溶劑。藉此，進行邊緣清洗處理，而將附著於基板W之周緣部之含金屬抗蝕液去除。
進而，如圖13(c)所示，利用邊緣清洗噴嘴25c對基板W之周緣部噴出清洗液。作為圖13(c)之清洗液，使用使感光性抗蝕膜F3溶解且不使含金屬抗蝕膜F4溶解之液體。具體而言，作為清洗液，使用例如包含TMAH或KOH之鹼性水溶液等顯影液。藉此，進行邊緣清洗處理，將殘留於基板W之周緣部之感光性抗蝕膜F3藉由正型顯影去除。
上述兩個階段之邊緣清洗處理後，基板W被搬送至熱處理部123，利用加熱單元PHP或冷卻單元CP對基板W進行特定熱處理。其後，基板W被搬送至圖10之邊緣曝光部40b，藉由旋轉吸盤41被保持及進行旋轉。於該狀態下，如圖14(a)所示，自光源42對基板W之周緣部之固定寬度之區域照射曝光光。藉此，對基板W上之周緣部中之感光性抗蝕膜F2之固定寬度之區域進行邊緣曝光處理。邊緣曝光處理後，利用冷卻單元CP對基板W進行冷卻處理。
其後，基板W被搬送至圖8之曝光裝置15，對基板W進行曝光處理。藉此，使含金屬抗蝕膜F4曝光成特定圖案。利用曝光裝置15進行曝光處理後，基板W被搬送至熱處理部133，利用加熱單元PHP或冷卻單元CP對基板W進行包括曝光後烘烤(PEB)處理之特定熱處理。
PEB處理後，基板W被搬送至圖9之顯影處理部131，藉由旋轉吸盤31被保持及進行旋轉。於該狀態下，如圖14(b)所示，自顯影噴嘴33向基板W之被處理面噴出顯影液。作為顯影液，使用使含金屬抗蝕膜F4溶解且不使感光性抗蝕膜F2、F3溶解之液體。具體而言，作為顯影液，使用例如包含nBA(乙酸正丁酯，n-butyl acetate)或2-庚酮(2-Heptanone)之有機溶劑等顯影液。藉此，進行負型顯影處理，而使含金屬抗蝕膜F4形成為特定圖案。
顯影處理後，基板W係如圖14(c)所示般利用邊緣清洗噴嘴35向由旋轉吸盤31旋轉之基板W之周緣部噴出清洗液。作為圖14(c)之清洗液，使用使感光性抗蝕膜F2溶解且不使含金屬抗蝕膜F4溶解之液體。具體而言，作為清洗液，使用例如包含TMAH或KOH之鹼性水溶液等顯影液。藉此，進行邊緣清洗處理，將殘留於基板W之周緣部之感光性抗蝕膜F2藉由正型顯影去除。其後，基板W自顯影區塊13被搬送至導引區塊11，基板處理結束。
(3)基板處理裝置之動作 一面參照圖8～圖14，一面對基板處理裝置100之動作進行說明。再者，於以下說明中，將圖9之積層於顯影處理部131之複數個顯影處理單元30中配置於上部之一半顯影處理單元30稱作上段之顯影處理單元30，另一方面，將配置於下部之剩餘一半顯影處理單元30稱作下段之顯影處理單元30。
導引區塊11之各部之動作與第1實施形態中之導引區塊11之各部之動作分別相同。又，對基板W進行圖5(a)～圖6(b)之處理後，進行特定熱處理前之塗佈區塊12之各部之動作與第1實施形態中之塗佈區塊12之各部之動作分別相同。
其後，於塗佈區塊12，搬送裝置127將基板W依序搬送至塗佈處理部121之上段之任一塗佈處理單元20、上段熱處理部101之加熱單元PHP及冷卻單元CP。於該情形時，於塗佈處理單元20中，如圖12(a)所示般於基板W上形成感光性抗蝕膜F3，如圖12(b)所示般對基板W進行斜面清洗處理。又，於加熱單元PHP中，將基板W加熱至90℃～130℃後，於冷卻單元CP中進行冷卻。
其後，搬送裝置127將基板W依序搬送至上段熱處理部101之邊緣曝光部40a及冷卻單元CP。於該情形時，於邊緣曝光部40a，如圖12(c)所示般對基板W進行邊緣曝光處理，於冷卻單元CP中將基板W冷卻。
其後，搬送裝置127將基板W依序搬送至塗佈處理部121之上段之任一塗佈處理單元20、上段熱處理部101之加熱單元PHP及冷卻單元CP。於該情形時，於塗佈處理單元20中，如圖13(a)所示，於基板W上形成含金屬抗蝕膜F4後，如圖13(b)及圖13(c)所示，對基板W進行兩個階段之邊緣清洗處理。又，於加熱單元PHP中，將基板W加熱至90℃～200℃後，於冷卻單元CP中進行冷卻。
其後，搬送裝置127將基板W依序搬送至上段熱處理部101之邊緣曝光部40b及冷卻單元CP。於該情形時，於邊緣曝光部40b中，如圖14(a)所示般對基板W進行邊緣曝光處理，於冷卻單元CP中，將基板W冷卻。最後，搬送裝置127將冷卻後之基板W搬送至基板載置部P5(圖11)。又，搬送裝置127將載置於基板載置部P6(圖11)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部P2(圖11)。
同樣地，對基板W進行圖5(a)～圖6(b)之處理後，搬送裝置128(圖11)將基板W依序搬送至塗佈處理部121之下段之任一塗佈處理單元20、下段熱處理部102(圖10)之加熱單元PHP及冷卻單元CP。其次，搬送裝置128將基板W依序搬送至塗佈處理部121之下段之任一塗佈處理單元20、下段熱處理部102之加熱單元PHP及冷卻單元CP。
繼而，搬送裝置128將基板W依序搬送至下段熱處理部102之邊緣曝光部40a、冷卻單元CP、塗佈處理部121之下段之任一塗佈處理單元20、下段熱處理部102之加熱單元PHP及冷卻單元CP。其後，搬送裝置128將基板W依序搬送至下段熱處理部102之邊緣曝光部40b、冷卻單元CP及基板載置部P7(圖11)。又，搬送裝置128將載置於基板載置部P8(圖11)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部P4(圖11)。
於顯影區塊13，搬送裝置137(圖11)將載置於基板載置部P5之基板W搬送至載置兼緩衝部PB1(圖11)。
此處，於與洗淨乾燥處理區塊14A相鄰之上段熱處理部103(圖10)之加熱單元PHP，載置有經曝光裝置15曝光處理後且熱處理(PEB處理)後之基板W。搬送裝置137將載置於加熱單元PHP之基板W依序搬送至冷卻單元CP及上段之任一顯影處理單元30(圖9)。於該情形時，於冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適於顯影處理之溫度。又，於顯影處理單元30中，如圖14(b)所示般對基板W進行顯影處理，如圖14(c)所示般對基板W進行邊緣清洗處理。最後，搬送裝置137將顯影及邊緣清洗處理後之基板W搬送至基板載置部P6。
同樣地，搬送裝置138(圖11)將載置於基板載置部P7之基板W搬送至載置兼緩衝部PB2(圖11)。又，搬送裝置138將載置於與洗淨乾燥處理區塊14A相鄰之下段熱處理部104(圖10)之加熱單元PHP之曝光處理後且熱處理(PEB處理)後之基板W依序搬送至冷卻單元CP、下段之任一顯影處理單元30(圖9)及基板載置部P8。下段之顯影處理單元30及下段熱處理部104中之基板W之處理內容與上段之顯影處理單元30及上段熱處理部103中之基板W之處理內容分別相同。
於洗淨乾燥處理區塊14A，搬送裝置141(圖8)將載置於載置兼緩衝部PB1、PB2(圖11)之基板W搬送至洗淨乾燥處理部161之洗淨乾燥處理單元SD1(圖9)。繼而，搬送裝置141將基板W自洗淨乾燥處理單元SD1搬送至載置兼冷卻部PCP(圖11)。於該情形時，於洗淨乾燥處理單元SD1中，進行基板W之洗淨及乾燥處理後，於載置兼冷卻部PCP中，將基板W冷卻至適於曝光裝置15(圖8)中之曝光處理之溫度。
搬送裝置142(圖8)將載置於基板載置部P9之曝光處理後之基板W搬送至洗淨乾燥處理部162之洗淨乾燥處理單元SD2(圖10)。又，搬送裝置142將洗淨及乾燥處理後之基板W自洗淨乾燥處理單元SD2搬送至上段熱處理部103之加熱單元PHP或下段熱處理部104之加熱單元PHP。於該加熱單元PHP中，將基板W加熱至100℃～200℃，藉此對基板W進行PEB處理。
於搬入搬出區塊14B，搬送裝置143(圖8)將載置於載置兼冷卻部PCP之曝光處理前之基板W搬送至曝光裝置15。又，搬送裝置143自曝光裝置15取出曝光處理後之基板W，並將該基板W搬送至基板載置部P9。
(4)效果 於本實施形態之基板處理裝置100中，感光性抗蝕膜F2以覆蓋下層膜F1之方式形成於基板W之被處理面之整個面而非僅形成於基板W之周緣部，感光性抗蝕膜F3形成於感光性抗蝕膜F2上。因此，含金屬抗蝕膜F4不會於基板W之周緣部附近隆起，而以均勻厚度形成於感光性抗蝕膜F3上。
又，於將含金屬抗蝕膜F4之外周部去除時，即便於含金屬抗蝕膜F4之金屬成分殘留於感光性抗蝕膜F3之外周部之情形時，該金屬成分亦會連同感光性抗蝕膜F3之外周部一起被去除。進而，於使含金屬抗蝕膜F4顯影時，即便於含金屬抗蝕膜F4之金屬成分殘留於感光性抗蝕膜F2之外周部之情形時，該金屬成分亦會連同感光性抗蝕膜F2之外周部一起被去除。
因此，即便於搬送裝置115、127、128、137、138、141～143保持基板W之周緣部之情形時，金屬成分亦不會附著於搬送裝置115、127、128，137、138、141～143。藉此，可防止產生金屬污染，並且於基板W上形成具有均勻膜厚之含金屬抗蝕膜F4。其結果，可有效利用基板W之周緣部附近之含金屬抗蝕膜F4之區域，而可防止良率下降。
[3]其他實施形態 (1)於上述實施形態中，將未處理之基板W搬入至基板處理裝置100，利用基板處理裝置100於基板W之被處理面形成下層膜F1，但本發明並不限定於此。亦可將利用其他裝置於被處理面形成有下層膜F1之基板W搬入至基板處理裝置100。於該情形時，不利用基板處理裝置100形成下層膜F1。因此，塗佈處理單元20亦可不含用於形成下層膜F1之塗佈噴嘴23a。
(2)於上述實施形態中，基板處理亦可以其他順序進行。例如，於第1實施形態中，圖6(c)之邊緣曝光處理亦可於圖7(b)之邊緣清洗處理與圖7(c)之邊緣清洗處理之間進行。於第2實施形態中，圖12(c)之邊緣曝光處理亦可於圖13(a)之邊緣清洗處理與圖13(b)之邊緣清洗處理之間進行。
(3)於上述實施形態中，塗佈處理單元20包含複數個塗佈噴嘴23，但本發明並不限定於此。亦可構成為塗佈處理單元20包含單個塗佈噴嘴23且該塗佈噴嘴23可噴出複數種塗佈液。
同樣地，於上述實施形態中，塗佈處理單元20包含複數個邊緣清洗噴嘴25，但本發明並不限定於此。亦可構成為塗佈處理單元20包含單個邊緣清洗噴嘴25且該邊緣清洗噴嘴25可噴出複數種清洗液。
(4)於上述實施形態中，於塗佈區塊12將不同種類之處理液(例如有機溶劑及水溶液)用作清洗液。因此，亦可於塗佈區塊12設置用於將包含有機溶劑之清洗液與包含水溶液之清洗液分離回收之機構。
同樣地，於第2實施形態中，於顯影區塊13將不同種類之處理液用作顯影液及清洗液。因此，亦可於顯影區塊13設置用於將顯影液與清洗液分離回收之機構。於該等情形時，可降低處理液之廢棄成本。
[4]技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應關係 以下，對技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述例。作為技術方案之各構成要素，亦可使用具有技術方案中記載之構成或功能之其他各種要素。
於上述實施形態中，下層膜F1係被處理膜之例，感光性抗蝕膜F2係感光性塗佈膜或第1感光性塗佈膜之例，感光性抗蝕膜F3係第2感光性塗佈膜之例，含金屬抗蝕膜F4係含金屬塗佈液之例。塗佈噴嘴23b係感光性塗佈液供給部或第1感光性塗佈液供給部之例，塗佈噴嘴23c係含金屬塗佈液供給部之例，塗佈噴嘴23d係第2感光性塗佈液供給部之例。
邊緣曝光部40係邊緣曝光部之例，邊緣曝光部40a、40b分別為第1及第2邊緣曝光部之例，邊緣清洗噴嘴25b、25c、35分別為第1～第3去除液供給部之例。基板處理裝置100係基板處理裝置之例，曝光裝置15係曝光裝置之例，顯影噴嘴33係顯影液供給部之例。
11‧‧‧導引區塊 12‧‧‧塗佈區塊 13‧‧‧顯影區塊 14‧‧‧傳遞區塊 14A‧‧‧洗淨乾燥處理區塊 14B‧‧‧搬入搬出區塊 15‧‧‧曝光裝置 20‧‧‧塗佈處理單元 21‧‧‧旋轉吸盤 22‧‧‧護罩 23‧‧‧塗佈噴嘴 23a‧‧‧塗佈噴嘴 23b‧‧‧塗佈噴嘴 23c‧‧‧塗佈噴嘴 23d‧‧‧塗佈噴嘴 24‧‧‧移動機構 25‧‧‧邊緣清洗噴嘴 25a‧‧‧邊緣清洗噴嘴 25b‧‧‧邊緣清洗噴嘴 25c‧‧‧邊緣清洗噴嘴 26‧‧‧斜面清洗噴嘴 30‧‧‧顯影處理單元(自旋顯影機) 31‧‧‧旋轉吸盤 32‧‧‧護罩 33‧‧‧顯影噴嘴 34‧‧‧移動機構 35‧‧‧邊緣清洗噴嘴 40‧‧‧邊緣曝光部 40a‧‧‧邊緣曝光部 40b‧‧‧邊緣曝光部 41‧‧‧旋轉吸盤 42‧‧‧光源 100‧‧‧基板處理裝置 101‧‧‧上段熱處理部 102‧‧‧下段熱處理部 103‧‧‧上段熱處理部 104‧‧‧下段熱處理部 111‧‧‧載具載置部 112‧‧‧搬送部 113‧‧‧載具 114‧‧‧控制部 115‧‧‧搬送裝置 121‧‧‧塗佈處理部 122‧‧‧搬送部 123‧‧‧熱處理部 125‧‧‧上段搬送室 126‧‧‧下段搬送室 127‧‧‧搬送裝置 128‧‧‧搬送裝置 131‧‧‧顯影處理部 132‧‧‧搬送部 133‧‧‧熱處理部 135‧‧‧上段搬送室 136‧‧‧下段搬送室 137‧‧‧搬送裝置 138‧‧‧搬送裝置 141‧‧‧搬送裝置 142‧‧‧搬送裝置 143‧‧‧搬送裝置 161‧‧‧洗淨乾燥處理部 162‧‧‧洗淨乾燥處理部 163‧‧‧搬送部 CP‧‧‧冷卻單元 F1‧‧‧下層膜 F2‧‧‧感光性抗蝕膜 F3‧‧‧感光性抗蝕膜 F4‧‧‧含金屬抗蝕膜 Fa‧‧‧塗佈膜 Fb‧‧‧塗佈膜 Fc‧‧‧塗佈膜 P1‧‧‧基板載置部 P2‧‧‧基板載置部 P3‧‧‧基板載置部 P4‧‧‧基板載置部 P5‧‧‧基板載置部 P6‧‧‧基板載置部 P7‧‧‧基板載置部 P8‧‧‧基板載置部 P9‧‧‧基板載置部 PB1‧‧‧載置兼緩衝部 PB2‧‧‧載置兼緩衝部 PCP‧‧‧載置兼冷卻部 PHP‧‧‧加熱單元 SD1‧‧‧洗淨乾燥處理單元 SD2‧‧‧洗淨乾燥處理單元 W‧‧‧基板
圖1係本發明之第1實施形態之基板處理裝置之模式性俯視圖。 圖2係主要表示圖1之塗佈處理部之基板處理裝置之模式性側視圖。 圖3係主要表示圖1之熱處理部之基板處理裝置之模式性側視圖。 圖4係主要表示圖1之搬送部之側視圖。 圖5(a)～(d)係供進行處理之基板之局部放大縱剖視圖。 圖6(a)～(c)係供進行處理之基板之局部放大縱剖視圖。 圖7(a)～(c)係供進行處理之基板之局部放大縱剖視圖。 圖8係本發明之第2實施形態之基板處理裝置之模式性俯視圖。 圖9係主要表示圖8之塗佈處理部、顯影處理部及洗淨乾燥處理部之基板處理裝置之模式性側視圖。 圖10係主要表示圖8之熱處理部及洗淨乾燥處理部之基板處理裝置之模式性側視圖。 圖11係主要表示圖8之搬送部之側視圖。 圖12(a)～(c)係第2實施形態中之供進行處理之基板之局部放大縱剖視圖。 圖13(a)～(c)係第2實施形態中之供進行處理之基板之局部放大縱剖視圖。 圖14(a)～(c)係第2實施形態中之供進行處理之基板之局部放大縱剖視圖。
23‧‧‧塗佈噴嘴
23c‧‧‧塗佈噴嘴
25‧‧‧邊緣清洗噴嘴
25b‧‧‧邊緣清洗噴嘴
25c‧‧‧邊緣清洗噴嘴
F1‧‧‧下層膜
F2‧‧‧感光性抗蝕膜
F4‧‧‧含金屬抗蝕膜
W‧‧‧基板

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，其具備： 感光性塗佈液供給部，其藉由對具有形成有被處理膜之被處理面之基板供給感光性塗佈液，而以將上述被處理膜覆蓋之方式於基板之被處理面形成感光性塗佈膜； 邊緣曝光部，其將重疊於基板之被處理面之周緣部上之上述感光性塗佈膜之外周部曝光； 含金屬塗佈液供給部，其藉由將含有金屬之塗佈液作為含金屬塗佈液供給至上述感光性塗佈膜上，而於上述感光性塗佈膜上形成含金屬塗佈膜； 第1去除液供給部，其對上述含金屬塗佈膜供給第1去除液，以將重疊於基板之被處理面之周緣部之上述含金屬塗佈膜之外周部去除；及 第2去除液供給部，其於上述含金屬塗佈膜之外周部被去除後，對上述感光性塗佈膜供給第2去除液，以將上述感光性塗佈膜之經曝光之外周部去除。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述第1去除液係使上述含金屬塗佈膜溶解且不使上述感光性塗佈膜溶解之液體，且 上述第2去除液係使上述感光性塗佈膜溶解且不使上述含金屬塗佈膜溶解之液體。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述第1去除液包含有機溶劑，且 上述第2去除液包含進行正型顯影之顯影液。
  4. 一種基板處理裝置，其係使用將基板曝光之曝光裝置者，且具備： 第1感光性塗佈液供給部，其藉由對具有形成有被處理膜之被處理面之基板供給第1感光性塗佈液，而以將上述被處理膜覆蓋之方式於基板之被處理面形成第1感光性塗佈膜； 第2感光性塗佈液供給部，其藉由對上述第1感光性塗佈膜上供給感光波長分佈不同於上述第1感光性塗佈液之第2感光性塗佈液，而於上述第1感光性塗佈膜上形成第2感光性塗佈膜； 第1邊緣曝光部，其將重疊於基板之被處理面之周緣部上之上述第2感光性塗佈膜之外周部曝光； 含金屬塗佈液供給部，其藉由將含有金屬之塗佈液作為含金屬塗佈液供給至上述第2感光性塗佈膜上，而於上述第2感光性塗佈膜上形成含金屬塗佈膜； 第1去除液供給部，其對上述含金屬塗佈膜供給第1去除液，以將重疊於基板之被處理面之周緣部之上述含金屬塗佈膜之外周部去除； 第2去除液供給部，其於上述含金屬塗佈膜之外周部被去除後，對上述第2感光性塗佈膜供給第2去除液，以將上述第2感光性塗佈膜之經曝光之外周部去除； 第2邊緣曝光部，其將重疊於基板之被處理面之周緣部之上述第1感光性塗佈膜之外周部曝光； 顯影液供給部，其對上述含金屬塗佈膜供給顯影液，以使利用上述曝光裝置曝光成特定圖案之上述含金屬塗佈膜顯影；及 第3去除液供給部，其於上述含金屬塗佈膜顯影後，對上述第1感光性塗佈膜供給第3去除液，以將上述第1感光性塗佈膜之經曝光之外周部去除。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中上述第1去除液係使上述含金屬塗佈膜溶解且不使上述第1及第2感光性塗佈膜溶解之液體，且 上述第2去除液係使上述第2感光性塗佈膜溶解且不使上述含金屬塗佈膜溶解之液體， 上述第3去除液係使上述第1感光性塗佈膜溶解且不使上述含金屬塗佈膜溶解之液體， 上述顯影液係使上述含金屬塗佈膜溶解且不使上述第1及第2感光性塗佈膜溶解之液體。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中上述第1去除液包含有機溶劑，且 上述第2去除液包含進行正型顯影之顯影液， 上述第3去除液包含進行正型顯影之顯影液， 上述顯影液包含進行負型顯影之顯影液。
  7. 如請求項4至6中任一項之基板處理裝置，其中上述第1感光性塗佈膜包含i光線抗蝕膜、氟化氪抗蝕膜及氟化氬抗蝕膜中之任一種抗蝕膜，且 上述第2感光性塗佈膜包含i光線抗蝕膜、氟化氪抗蝕膜及氟化氬抗蝕膜中之其他抗蝕膜。
  8. 一種基板處理方法，其包括如下步驟： 藉由利用感光性塗佈液供給部對具有形成有被處理膜之被處理面之基板供給感光性塗佈液，而以將上述被處理膜覆蓋之方式於基板之被處理面形成感光性塗佈膜； 利用邊緣曝光部將重疊於基板之被處理面之周緣部上之上述感光性塗佈膜之外周部曝光； 藉由利用含金屬塗佈液供給部將含有金屬之塗佈液作為含金屬塗佈液供給至上述感光性塗佈膜上，而於上述感光性塗佈膜上形成含金屬塗佈膜； 利用第1去除液供給部對上述含金屬塗佈膜供給第1去除液，以將重疊於基板之被處理面之周緣部之上述含金屬塗佈膜之外周部去除；以及 於上述含金屬塗佈膜之外周部被去除後，利用第2去除液供給部對上述感光性塗佈膜供給第2去除液，以將上述感光性塗佈膜之經曝光之外周部去除。
  9. 如請求項8之基板處理方法，其中供給上述第1去除液之步驟包括供給使上述含金屬塗佈膜溶解且不使上述感光性塗佈膜溶解之液體，且 供給上述第2去除液之步驟包括供給使上述感光性塗佈膜溶解且不使上述含金屬塗佈膜溶解之液體。
  10. 如請求項9之基板處理方法，其中供給上述第1去除液之步驟包括供給有機溶劑，且 供給上述第2去除液之步驟包括藉由供給顯影液進行正型顯影。
  11. 一種基板處理方法，其係使用將基板曝光之曝光裝置者，且包括如下步驟： 藉由利用第1感光性塗佈液供給部對具有形成有被處理膜之被處理面之基板供給第1感光性塗佈液，而以將上述被處理膜覆蓋之方式於基板之被處理面形成第1感光性塗佈膜； 藉由利用第2感光性塗佈液供給部對上述第1感光性塗佈膜上供給感光波長分佈不同於上述第1感光性塗佈液之第2感光性塗佈液，而於上述第1感光性塗佈膜上形成第2感光性塗佈膜； 利用第1邊緣曝光部將重疊於基板之被處理面之周緣部上之上述第2感光性塗佈膜之外周部曝光； 藉由利用含金屬塗佈液供給部將含有金屬之塗佈液作為含金屬塗佈液供給至上述第2感光性塗佈膜上，而於上述第2感光性塗佈膜上形成含金屬塗佈膜； 利用第1去除液供給部對上述含金屬塗佈膜供給第1去除液，以將重疊於基板之被處理面之周緣部之上述含金屬塗佈膜之外周部去除； 於上述含金屬塗佈膜之外周部被去除後，利用第2去除液供給部對上述第2感光性塗佈膜供給第2去除液，以將上述第2感光性塗佈膜之經曝光之外周部去除； 利用第2邊緣曝光部將重疊於基板之被處理面之周緣部之上述第1感光性塗佈膜之外周部曝光； 利用顯影液供給部對上述含金屬塗佈膜供給顯影液，以使利用上述曝光裝置曝光成特定圖案之上述含金屬塗佈膜顯影；以及 於上述含金屬塗佈膜顯影後，利用第3去除液供給部對上述第1感光性塗佈膜供給第3去除液，以將上述第1感光性塗佈膜之經曝光之外周部去除。
  12. 如請求項11之基板處理方法，其中供給上述第1去除液之步驟包括供給使上述含金屬塗佈膜溶解且不使上述第1及第2感光性塗佈膜溶解之液體，且 供給上述第2去除液之步驟包括供給使上述第2感光性塗佈膜溶解且不使上述含金屬塗佈膜溶解之液體， 供給上述顯影液之步驟包括供給使上述含金屬塗佈膜溶解且不使上述第1及第2感光性塗佈膜溶解之液體， 供給上述第3去除液之步驟包括供給使上述第1感光性塗佈膜溶解且不使上述含金屬塗佈膜溶解之液體。
  13. 如請求項12之基板處理方法，其中供給上述第1去除液之步驟包括供給有機溶劑，且 供給上述第2去除液之步驟包括藉由供給顯影液進行正型顯影， 供給上述顯影液之步驟包括藉由供給顯影液進行負型顯影， 供給上述第3去除液之步驟包括藉由供給顯影液進行正型顯影。
  14. 如請求項11至13中任一項之基板處理方法，其中形成上述第1感光性塗佈膜之步驟包括形成i光線抗蝕膜、氟化氪抗蝕膜及氟化氬抗蝕膜中之任一種抗蝕膜，且 形成上述第2感光性塗佈膜之步驟包括形成i光線抗蝕膜、氟化氪抗蝕膜及氟化氬抗蝕膜中之其他抗蝕膜。
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