JPH11242341A - 現像方法および現像装置ならびに半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジストの現像処理工程において、レジスト
へのダメージを低減し、レジスト寸法精度を向上させ
る。 【解決手段】 現像カップ７の内部に、被処理物１０を
載置して上下動および回転可能なスピンヘッド３と、ス
ピンヘッド３を取り囲み、現像液１１が貯留されるディ
ップ槽４と、被処理物１０にシャワー状に現像液１１を
供給するシャワーノズル２と、スピンヘッド３上の被処
理物１０の任意の位置に現像液を供給する可動ノズル１
と、が設けられ、可動ノズル１の変位、スピンヘッド３
の回転、スピンヘッド３の降下によるディップ槽４内の
現像液１１への被処理物１０の浸漬、等の操作を任意に
組み合わせることで、１台の現像装置にて多様な現像処
理を実現した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、現像技術および半
導体装置の製造技術に関し、特に、半導体装置の製造工
程におけるフォトマスクや半導体ウェハ等におけるレジ
スト現像処理等に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造プロセスでは、半導体
ウェハに所望の回路パターン等を転写形成するフォトリ
ソグラフィが用いられ、このフォトリソグラフィでは、
半導体ウェハに被着されたレジストの現像処理が行われ
ている。

【０００３】また、半導体ウェハの前記フォトリソグラ
フィに用いられるフォトマスクやレチクル等の露光原版
そのものの製造過程でも、透明なマスク基板に所望の形
状の遮光パターンを形成するためにフォトリソグラフィ
が用いられ、このフォトリソグラフィでも現像処理が必
要となる。

【０００４】従来、このようなウェハの現像方式として
は、ウェハ上に現像液を盛った状態にて現像するパドル
現像が主流である。また、ほとんどのものが矩形である
フォトマスクの現像方式は、マスク基板を回転させなが
ら行うシャワー方式が主流である。

【０００５】なお、半導体ウェハやフォトマスクの現像
技術については、たとえば、株式会社工業調査会、１９
９３年１１月２０日発行、「電子材料」１９９３年別
刷、Ｐ７６〜Ｐ８０、等に記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記の各現像方式には
以下のような技術的課題があることを見出した。すなわ
ち、前述した従来の現像技術を検討した結果、パドル方
式では、パターンの疎密の影響によりレジストの溶解度
差が生じ、現像後のレジストパターンの寸法にバラツキ
が発生する。また、シャワー方式では、現像液によるレ
ジスト表面へのダメージが懸念される。

【０００７】更に上述のレジストの寸法ばらつきやダメ
ージは、最終的にウェハに転写形成される回路パターン
の精度低下や欠陥の発生の一因となり、ウェハに形成さ
れる半導体装置等の製品歩留りが低下するという技術的
課題が発生する。

【０００８】本発明の目的は、現像工程におけるレジス
トのパターン精度を向上させることが可能な現像技術を
提供することにある。

【０００９】本発明の他の目的は、現像工程におけるレ
ジストの損傷を防止することが可能な現像技術を提供す
ることにある。

【００１０】本発明の他の目的は、被処理物やレジスト
の種別、さらには現像されるレジストパターンの精度等
に応じた多様な現像処理を行うことが可能な現像技術を
提供することにある。

【００１１】本発明の他の目的は、化学増幅型ポジレジ
ストを使用する場合に、面内加工精度の優れたレジスト
像を形成することが可能な、現像技術を提供することに
ある。

【００１２】本発明の他の目的は、露光原版のパターン
精度や半導体ウェハのレジストに転写形成されるレジス
トパターンの精度を向上させることにより、半導体ウェ
ハに形成される半導体装置の歩留りを向上させることが
可能な半導体装置の製造技術を提供することにある。

【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１５】すなわち、本発明の現像方法は、被処理物
の一主面に被着されたレジストの現像を行う現像方法に
おいて、被処理物の一主面に現像液を供給してレジスト
の現像を行う第１の方法、および被処理物を現像液に浸
漬してレジストの現像を行う第２の方法、の各々を単独
にまたは組み合わせて実行するものである。

【００１６】また、本発明の現像装置は、被処理物の一
主面に被着されたレジストの現像を行う現像装置におい
て、被処理物の一主面に現像液を供給してレジストの現
像を行う第１の現像機構と、被処理物を現像液に浸漬し
てレジストの現像を行う第２の現像機構とを併せ備えた
ものである。

【００１７】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体ウェハを準備する第１の工程と、半導体ウェハに
レジストを被着させる第２の工程と、レジストを光また
は電子線にて所望のパターンに露光する第３の工程と、
露光されたレジストを現像する第４の工程と、現像され
たレジストをマスクとして半導体ウェハをエッチングす
る第５の工程と、レジストを除去する第６の工程と、を
実行することにより、半導体ウェハの一主面に所望の半
導体装置を形成する半導体装置の製造方法において、第
４の工程では、上述の現像方法現像装置を用いて現像を
行うものである。

【００１８】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
透明基板に遮光膜が形成されたマスク基板を準備する工
程と、マスク基板にレジストを被着させる工程と、マス
ク基板のレジストを光または電子線にて所望のパターン
に露光する工程と、露光されたマスク基板のレジストを
現像する工程と、現像されたレジストをマスクとしてマ
スク基板の遮光膜を所望のパターンにエッチングする工
程とを経てフォトマスクを制作する第１の工程と、フォ
トマスクを露光原版とするフォトリソグラフィにて、半
導体ウェハに所望の回路パターンを形成する第２の工程
と、を含む半導体装置の製造方法において、第１の工程
におけるマスク基板のレジストの現像には、上述の現像
方法、または現像装置を用いるものである。

【００１９】前述した本発明の現像方法および装置によ
れば、被処理物に対し、現像液を任意の位置に滴下する
こと、あるいは現像液に浸しながら現像を行い現像条件
を最適化し、加工精度を向上させることができ製品の歩
留りおよび品質の向上がはかれる。

【００２０】また、このような本発明の現像方法および
装置を、半導体装置の製造プロセスにおけるフォトリソ
グラフィや、フォトマスク、レチクル等の露光原版の製
造工程におけるフォトリソグラフィに適用することによ
り、半導体装置の製造プロセスにおける製品歩留りの向
上を実現することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳細に説明する。

【００２２】図１は本発明の一実施の形態である現像方
法が実施される現像装置における現像部の構成の一例を
示す側断面図であり、図２は、この現像装置における現
像部の平面図、図３は、本実施の形態の現像装置におけ
る制御系の構成の一例を示す概念図である。また、図４
は、本実施の形態の現像方法および装置を半導体装置の
製造プロセスに適用した場合の一例を示すフローチャー
トである。

【００２３】なお、本実施の形態では、現像方法および
現像装置の一例として、半導体装置の製造プロセスに用
いられるフォトマスクやウェハの現像工程に適用した場
合を例に採って説明する。

【００２４】図１に例示されるように、本実施の形態の
現像装置における現像処理部は、底部に排気口７ａおよ
び側面部のシャッタ７ｂを有する現像カップ７、現像カ
ップ７の中央部に配置され、被処理物１０を水平な姿勢
で保持するスピンヘッド３、スピンヘッド３を回転させ
るスピンモータ５、スピンヘッド３を上下動させる昇降
機構５ａ、スピンヘッド３の下側に当該スピンヘッド３
を取り囲むように配置されたディップ槽４、現像カップ
７の内部においてスピンヘッド３の上方に配置され、現
像液１１や純水等を被処理物１０の全体にシャワー状に
供給する複数のシャワーノズル２、側面部のシャッタ７
ｂを介して現像カップ７内に入り込むことにより、被処
理物１０の任意の位置に現像液１１を供給する可動ノズ
ル１、等で構成されている。

【００２５】スピンヘッド３には、複数の可動爪３ａが
設けられており、被処理物１０として矩形あるいは正方
形のフォトマスクを処理する場合にはこの可動爪３ａに
て被処理物の外周部を支持する。また、被処理物１０が
半導体ウェハの場合には、スピンヘッド３に対して図示
しない真空吸着機構にて保持する。

【００２６】可動ノズル１は、水平面内を移動するＸ−
Ｙテーブル１ａ上に回動テーブル１ｂを介して支持さ
れ、支柱１ｃと、この支柱１ｃに対する鉛直面内での取
り付け角度θ１を自在に設定可能なアーム１ｄ、このア
ーム１ｄの先端部に配置されたノズル先端１ｅ等で構成
されている。そして、Ｘ−Ｙテーブル１ａの水平面内で
の変位と、回動テーブル１ｂの水平面内での旋回変位
（旋回角度θ２）とを適宜組み合わせることにより、図
２に例示されるように、スピンヘッド３に載置された被
処理物１０の周辺部から中心部に至る任意の範囲内で、
ノズル先端１ｅを移動させることが可能になっている。

【００２７】また、図３に例示されるように、可動ノズ
ル１の上述のような動作は、可動ノズル制御部１０１に
て制御され、スピンヘッド３の動作は、テーブル制御部
１０２にて制御され、シャワーノズル２の動作は、シャ
ワーノズル制御部１０３にて制御され、さらに、現像カ
ップ７における排気口７ａおよび側面部のシャッタ７ｂ
の動作、さらには、被処理物１０をスピンヘッド３に載
置したり、スピンヘッド３から被処理物１０を取り出し
たりする図示しない搬送ロボット等の動作は、現像カッ
プ制御部１０４にて制御されている。

【００２８】さらに、これらの各制御部は、コントロー
ルパネル６に設けられた主制御部６ａにて統括して制御
されることにより、後述のような現像装置の上述した各
構成の連携した動作の自動的な実行あるいは操作者によ
る手動操作等が実現される。また、コントロールパネル
６には、操作者が主制御部６ａを介して上述の各制御部
の動作を制御するための操作入力や、装置の状態表示等
を行うためのキーボードやディスプレイ等で構成される
ユーザＩ／Ｆ６ｂが備えられている。

【００２９】なお、可動ノズル制御部１０１、テーブル
制御部１０２、シャワーノズル制御部１０３、現像カッ
プ制御部１０４、主制御部６ａ等は、説明の便宜上、別
個に図示されているが、これらを、プログラム制御され
る一つのマイクロプロセッサ等によってまとめて実現し
てもよいことは言うまでもない。

【００３０】このような構成により、たとえば現像液を
供給する可動ノズル１はコントロールパネル６からの操
作により、手動操作にて、あるいは自動的に任意の前後
左右や回転等の移動が行われる。

【００３１】たとえば、シャワーノズル２は被処理物１
０に現像液１１中の気泡が付着するのを防止するために
必要に応じてコントロールパネル６からの操作により、
手動操作にて、あるいは自動的に用いられる。また、シ
ャワーノズル２は必要に応じて、純水等を用いた現像後
のリンス操作等にも用いられる。

【００３２】現像カップ７の中央部に設けられたスピン
ヘッド３は、コントロールパネル６から手動操作にて、
あるいは自動的に操作する。そして、このスピンヘッド
３の下部に設けられたディップ槽４には、所定の液面高
さに現像液１１が貯留され、このディップ槽４の内部
に、被処理物１０を載置したスピンヘッド３を降下さ
せ、ディップ槽４内の現像液１１に被処理物１０を浸漬
する動作が行われる。

【００３３】なお、現像液１１の種類は、レジストの種
別等に応じて、たとえばアルカリ系および有機溶剤系等
がある。たとえば、サブミクロンの解像度が必要とされ
るフォトリソグラフィで用いられる化学増幅型レジスト
の場合には、ポジ型およびネガ型のいずれの場合にもア
ルカリ系現像液が用いられ、化学増幅型レジスト以外の
より解像度の低いレジストでは、ポジ型ではアルカリ系
現像液が、ネガ型では有機溶剤系の現像液が用いられ
る。

【００３４】また、耐蝕性等の観点から、現像液がアル
カリ系か有機溶剤系かに応じて、現像装置の現像液１１
に接する部分（接液部）の材質を考慮する必要がある。
例えば、アルカリ系の現像液１１を用いる場合には、接
液部に、たとえばフッ素系樹脂が用いられ、有機溶剤系
の現像液１１を用いる場合には、接液部に、たとえばス
テンレス鋼等の金属材料を用いることができる。

【００３５】従って、接液部の材質が異なる、図１の構
成の現像装置を複数台用意して、被処理物１０やレジス
ト等の種別等に応じて、複数の現像装置を使い別けるよ
うにしてもよい。

【００３６】また、本実施の形態の場合には、フォトマ
スクの現像では、後述のような多様な現像方法を、上述
のような被処理物１０の種別やレジストの種別、さらに
はパターン（解像度）精度等に応じて、たとえば図４の
フローチャートのように使い分けることができる。

【００３７】次に、本実施の形態の現像方法および装
置、さらには半導体装置の製造方法の作用の一例につい
て説明する。

【００３８】本実施の形態では、たとえば、図８に例示
されるように、被処理物１０は、フォトマスクの場合、
矩形のマスク基板の中央部分に集積回路パターン領域１
０ａが設定され、その外側の領域に集積回路パターン以
外の位置合わせパターン等が配置されるレクトパターン
領域１０ｂが設定された構成となっている。

【００３９】まず、被処理物１０が半導体ウェハの場合
には、本実施の形態の現像工程に到来するに先立って、
一例として、半導体ウェハを準備する第１の工程と、半
導体ウェハにレジストを被着させる第２の工程と、レジ
ストを光または電子線にて所望のパターンに露光する第
３の工程とが行われ、露光されたレジストを現像する第
４の工程として、本実施の形態の現像方法および装置が
適用される。

【００４０】そして、現像されたレジストをマスクとし
て半導体ウェハをエッチングする第５の工程と、レジス
トを除去する第６の工程と、を実行することにより、半
導体ウェハの一主面に所望の半導体装置を形成すること
が行われる。

【００４１】また、被処理物１０が半導体ウェハの露光
工程に用いられるフォトマスクの場合には、透明基板に
遮光膜が形成されたマスク基板を準備する工程と、前記
マスク基板にレジストを被着させる工程と、前記マスク
基板の前記レジストを光または電子線にて所望のパター
ンに露光する工程と、を経て、本実施の形態の現像工程
に到来し、露光された前記マスク基板の前記レジストを
現像する工程が行われる。

【００４２】その後、現像された前記レジストをマスク
として前記マスク基板の前記遮光膜を所望のパターンに
エッチングする工程とを経て、集積回路パターン領域１
０ａに所望の露光パターンを有するフォトマスクが制作
される。このフォトマスクは、前述の第３の工程の半導
体ウェハの光露光に用いられる。

【００４３】以下、本実施の形態の露光方法および装置
の作用の一例を説明する。

【００４４】まず、準備として、コントロールパネル６
にて可動ノズル１、スピンヘッド３の回転数等のパラメ
ータを、たとえば後述のような複数種の現像方法毎に、
予め設定しておく。そしてスピンヘッド３に被処理物１
０をセットする。

【００４５】たとえば、第１の現像方法として、被処理
物１０が載置されたスピンヘッド３を回転させ、可動ノ
ズル１のノズル先端１ｅを回転している被処理物１０の
任意の位置に位置付けて現像液１１の滴下を開始し、そ
の後、可動ノズル１を、被処理物１０を横断する方向に
移動させることで被処理物１０の全面に現像液１１をい
き渡らせるようにする。

【００４６】そして、被処理物１０を回転数を落として
回転させながら現像液１１を滴下し続け処理を行う流下
方式（）、あるいは被処理物１０の全体に現像液１１
が行き渡った時点で現像液１１の供給および回転を停止
するパドル方式（）等の現像処理が随意に行われる。

【００４７】このような現像動作の一例を示すタイムチ
ャートが図５である。なお、図５において、ノズル位置
について図７を参照してさらに詳細に説明すると、初期
位置Ｐ０とは、可動ノズル１がスピンヘッド３から最も
遠ざかった待機位置である。また、周辺Ｐ１は、被処理
物１０が矩形の場合には、図７に例示されるように、矩
形の被処理物１０に内接する円よりも内側の位置であ
り、図８のレクトパターン領域１０ｂ内で、かつ、集積
回路パターン１０ａの回転範囲（ハッチング部分）の外
側の位置である。すなわち、矩形の被処理物１０の場
合、この周辺Ｐ１よりも外側で現像液１１の供給を開始
すると、回転する被処理物１０のコーナ部分の側壁等に
当たって飛散する現像液１１の飛沫が被処理物１０のレ
ジスト表面に斑に被着する等の不良が発生するので、当
該不良発生を回避すべく、周辺Ｐ１の位置が図７および
図８の如くに設定される。

【００４８】滴下位置Ｐ２は、流下式現像において、
被処理物１０の全域に現像液１１が行き渡った後も当該
現像液１１を供給し続ける位置であり、図８の集積回路
パターン領域１０ａの回転範囲（ハッチング部分）の内
部に設定される。この位置でノズル先端１ｅから被処理
物１０上の供給される現像液１１は、たとえば図７の分
散範囲１１ａのように、回転する被処理物１０の径方向
に広がり、この分散範囲１１ａの広がりと被処理物１０
の回転により、現像中において、当該被処理物１０の全
域に均一に現像液１１が供給され続けることになる。

【００４９】中心Ｐ３は、回転する被処理物１０の中央
部である。

【００５０】すなわち、図７における流下式現像で
は、ノズル先端１ｅが、周辺Ｐ１に移動した時点で現像
液１１の供給を開始し、その後、まず中心Ｐ３までノズ
ル先端１ｅを移動させつつ現像液１１を供給すること
で、被処理物１０の全域に均一に現像液１１を行き渡ら
せた後、さらにノズル先端１ｅを滴下位置Ｐ２まで戻
し、この滴下位置Ｐ２において、図７の分散範囲１１ａ
を持つように現像液１１の供給を継続して現像処理を行
う。

【００５１】一方、第２の現像方法として、たとえば、
スピンヘッド３へ被処理物１０をセットした後、可動ノ
ズル１にて被処理物１０の全面に現像液１１をいき渡ら
せ、その後、スピンヘッド３ごと降下させ、ディップ槽
４の内部の現像液１１に被処理物１０を浸す。ディップ
槽４の内部では、スピンヘッド３の回転または静止、あ
るいは間欠的な回転にて処理を行う。この第２の現像方
法の作用の一例を図６のタイムチャートに示す。なお、
図６では、スピンヘッド３の降下によるディップ操作部
分のみを示し、最初の可動ノズル１にて被処理物１０の
全面に現像液１１をいき渡らせる操作部分は省略されて
いる。

【００５２】また、第３の現像方法として、シャワー式
現像を行うこともできる。このシャワー式現像では、ス
ピンヘッド３に被処理物１０を載置した後、複数のシャ
ワーノズル２から、シャワー状に現像液１１を被処理物
１０に供給する。この時、必要に応じて、スピンヘッド
３を回転させてもよい。

【００５３】また、上述の第１ないし第３の現像方法を
任意に組み合わせて、より多様な現像方法を実現するこ
とも容易に実現できる。

【００５４】以上説明したように、本実施の形態の現像
方法および装置によれば、たとえば、被処理物１０に対
し、可動ノズル１を用いて現像液１１を任意の位置に滴
下供給すること、あるいはディップ槽４の現像液１１に
浸しながら現像を行う等の多様な現像方法を任意に選択
して現像条件を最適化し、被処理物１０のレジストの現
像処理における加工精度を向上させることができ製品の
歩留りおよび品質の向上がはかれる。また、被処理物１
０のレジストへのダメージが少なく面内の加工精度に優
れたレジスト像が形成でき、製品の歩留り向上、品質の
向上が期待でき有益である。

【００５５】たとえば、被処理物１０に被着されるレジ
ストとして、株式会社日立化成工業社製の化学増幅型ポ
ジレジスト（ＲＥ５１００Ｐ）を使用し、現像液１１と
して東京応化社製のアルカリ現像液（ＮＭＤ３）を使用
する場合に、被処理物１０における集積回路パターン領
域１０ａ等において、面内加工精度の優れたレジスト像
を形成することができる。

【００５６】さらに、半導体装置の製造プロセスでは、
フォトマスクや半導体ウェハ等の被処理物１０の種別、
使用するレジストの種別、要求されるパターン精度、等
の多様なパラメータに応じて、一つの現像装置において
複数の多様な現像方法を選択し、あるいは任意に組み合
わせて現像処理が可能であるので、半導体装置の製造工
程におけるフォトマスクや半導体ウェハの現像プロセス
等の最適化を容易に行うことができ、半導体装置の製造
工程における半導体装置の歩留りが向上する。

【００５７】以上、本発明によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その主旨を逸脱しな
い範囲で変更可能であることは言うまでもない。

【００５８】たとえば、被処理物としては、上述の実施
の形態に例示したフォトマスク等の露光原版や半導体ウ
ェハ等に限らず、液晶パネルまたは配線基板等、フォト
リソグラフィによって被処理物に所望のパターンが形成
される技術分野に広く適用することができる。

【００５９】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００６０】すなわち、本発明の現像方法によれば、現
像工程におけるレジストのパターン精度を向上させるこ
とができる、という効果が得られる。

【００６１】また、本発明の現像方法によれば、現像工
程におけるレジストの損傷を防止することができる、と
いう効果が得られる。

【００６２】また、本発明の現像方法によれば、被処理
物やレジストの種別、さらには現像されるレジストパタ
ーンの精度等に応じた多様な現像処理を行うことができ
る、という効果が得られる。

【００６３】また、本発明の現像方法によれば、化学増
幅型ポジレジストを使用する場合に、面内加工精度の優
れたレジスト像を形成することができる、という効果が
得られる。

【００６４】本発明の現像装置によれば、現像工程にお
けるレジストのパターン精度を向上させることができ
る、という効果が得られる。

【００６５】また、本発明の現像装置によれば、現像工
程におけるレジストの損傷を防止することができる、と
いう効果が得られる。

【００６６】また、本発明の現像装置によれば、被処理
物やレジストの種別、さらには現像されるレジストパタ
ーンの精度等に応じた多様な現像処理を行うことができ
る、という効果が得られる。

【００６７】本発明の半導体装置の製造方法によれば、
露光原版のパターン精度や半導体ウェハのレジストに転
写形成されるレジストパターンの精度を向上させること
により、半導体ウェハに形成される半導体装置の歩留り
を向上させることができる、という効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である現像方法が実施さ
れる現像装置における現像部の構成の一例を示す側断面
図である。

【図２】本発明の一実施の形態である現像方法が実施さ
れる現像装置における現像部の平面図である。

【図３】本発明の一実施の形態である現像装置における
制御系の構成の一例を示す概念図である。

【図４】本発明の一実施の形態である現像方法および装
置を半導体装置の製造プロセスに適用した場合の一例を
示すフローチャートである。

【図５】本発明の一実施の形態である現像方法および装
置の作用の一例を示すタイムチャートである。

【図６】本発明の一実施の形態である現像方法および装
置の作用の一例を示すタイムチャートである。

【図７】本発明の一実施の形態である現像方法および装
置の作用の一例を示す概念図である。

【図８】本発明の一実施の形態である現像方法および装
置にて処理される被処理物の構成の一例を示す平面図で
ある。

【符号の説明】

１ 可動ノズル １ａ Ｘ−Ｙテーブル １ｂ 回動テーブル １ｃ 支柱 １ｄ アーム １ｅ ノズル先端 ２ シャワーノズル ３ スピンヘッド ３ａ 可動爪 ４ ディップ槽 ５ スピンモータ ５ａ 昇降機構 ６ コントロールパネル ６ａ 主制御部 ６ｂ ユーザＩ／Ｆ ７ 現像カップ ７ａ 排気口 ７ｂ シャッタ １０ 被処理物 １０ａ 集積回路パターン領域 １０ｂ レクトパターン領域 １１ 現像液 １１ａ 分散範囲 １０１ 可動ノズル制御部 １０２ テーブル制御部 １０３ シャワーノズル制御部 １０４ 現像カップ制御部 θ１ 取り付け角度 θ２ 旋回角度

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理物の一主面に被着されたレジスト
   の現像を行う現像方法であって、前記被処理物の一主面
   に現像液を供給して前記レジストの現像を行う際、前記
   被処理物を回転させる操作と、前記現像液の前記被処理
   物に対する滴下供給位置を変化させる操作とを組み合わ
   せることにより、前記現像液を前記被処理物に行き渡ら
   せる操作を行うことを特徴とする現像方法。
2. 【請求項２】 被処理物の一主面に被着されたレジスト
   の現像を行う現像方法であって、前記被処理物を現像液
   に浸漬して前記レジストの現像を行う際、前記被処理物
   を前記現像液中で回転させることにより、前記現像液を
   前記被処理物に行き渡らせる操作を行うことを特徴とす
   る現像方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載の現像方法と、請求項２記
   載の現像方法とを組み合わせることを特徴とする現像方
   法。
4. 【請求項４】 請求項１記載の現像方法において、前記
   被処理物を回転しながら前記被処理物の一主面上の一部
   に前記現像液の滴下供給を開始し、前記現像液の前記被
   処理物に対する滴下供給位置を変化させて、前記現像液
   を前記被処理物に行き渡らせ、その後、前記被処理物の
   回転数を下げて現像処理することを特徴とする現像方
   法。
5. 【請求項５】 請求項１または２記載の現像方法におい
   て、前記レジストは化学増幅型レジストであり、前記現
   像液は水溶性であることを特徴とする現像方法。
6. 【請求項６】 請求項４記載の現像方法において、前記
   被処理物の一主面上の一部に前記現像液の滴下供給を開
   始する位置から決まる前記被処理物の同心円に内接した
   内側領域に、形成する集積回路のレジストパターンがあ
   ることを特徴とする現像方法。
7. 【請求項７】 被処理物の一主面に被着されたレジスト
   の現像を行う現像方法であって、前記被処理物は、半導
   体ウェハまたはフォトマスクまた液晶パネルまたは配線
   基板からなり、請求項１および請求項２記載の現像方法
   による現像を同一処理部にて行うことを特徴とする現像
   方法。
8. 【請求項８】 被処理物の一主面に被着されたレジスト
   の現像を行う現像装置であって、前記被処理物の一主面
   に現像液を供給して前記レジストの現像を行う第１の現
   像機構と、前記被処理物を現像液に浸漬して前記レジス
   トの現像を行う第２の現像機構とを併せ備えたことを特
   徴とする現像装置。
9. 【請求項９】 請求項８記載の現像装置において、 前記第１の現像機構は、前記被処理物が載置される載置
   台と、前記載置台に載置された前記被処理物の前記一主
   面の任意の位置に前記現像液を供給可能な可動ノズル、
   および前記被処理物にシャワー状に前記現像液を供給す
   るシャワーノズルの少なくとも一方とからなり、 前記第２の現像機構は、前記第１の現像機構と共通な前
   記載置台と、前記現像液が貯留され、前記載置台に対し
   て相対的に上下動することにより、前記載置台に載置さ
   れた前記被処理物を前記現像液中に浸漬させる動作を行
   う浸漬槽とからなる、ことを特徴とするとする現像装
   置。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の現像装置において、前
    記第１の現像機構および前記第２の現像機構に共通な前
    記載置台は、当該載置台を任意の速度で回転させる回転
    機構を備え、 前記第１の現像機構では、前記載置台の回転と、前記現
    像液を滴下供給する前記可動ノズルの前記被処理物を横
    断する方向への変位とを組み合わせることにより、前記
    現像液を前記被処理物の前記一主面の全域に行き渡らせ
    る操作が行われ、 前記第２の現像機構では、前記載置台に載置された前記
    被処理物を前記浸漬槽中の前記現像液に浸漬した状態
    で、前記載置台を静止または連続的または間欠的に任意
    の回転速度にて回転させる操作が行われることを特徴と
    するとする現像装置。
11. 【請求項１１】 請求項８，９または１０記載の現像装
    置において、前記被処理物は、半導体ウェハまたはフォ
    トマスクまた液晶パネルまたは配線基板からなることを
    特徴とする現像装置。
12. 【請求項１２】 半導体ウェハを準備する第１の工程
    と、 半導体ウェハにレジストを被着させる第２の工程と、 前記レジストを光または電子線にて所望のパターンに露
    光する第３の工程と、 露光された前記レジストを現像する第４の工程と、 現像された前記レジストをマスクとして前記半導体ウェ
    ハをエッチングする第５の工程と、 前記レジストを除去する第６の工程と、 を実行することにより、前記半導体ウェハの一主面に所
    望の半導体装置を形成する半導体装置の製造方法であっ
    て、 前記第４の工程では、請求項１，２，３，４，５，６ま
    たは７記載の現像方法、または請求項８，９，１０また
    は１１記載の現像装置を用いて現像が行われることを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 透明基板に遮光膜が形成されたマスク
    基板を準備する工程と、前記マスク基板にレジストを被
    着させる工程と、前記マスク基板の前記レジストを光ま
    たは電子線にて所望のパターンに露光する工程と、露光
    された前記マスク基板の前記レジストを現像する工程
    と、現像された前記レジストをマスクとして前記マスク
    基板の前記遮光膜を所望のパターンにエッチングする工
    程とを経てフォトマスクを制作する第１の工程と、 前記フォトマスクを露光原版とするフォトリソグラフィ
    にて、半導体ウェハに所望の回路パターンを形成する第
    ２の工程と、 を含む半導体装置の製造方法であって、 前記第１の工程における前記マスク基板の前記レジスト
    の現像には、請求項１，２，３，４，５，６または７記
    載の現像方法、または請求項８，９，１０または１１記
    載の現像装置を用いることを特徴とするとする半導体装
    置の製造方法。