JPH0883745A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JPH0883745A
JPH0883745A JP21597294A JP21597294A JPH0883745A JP H0883745 A JPH0883745 A JP H0883745A JP 21597294 A JP21597294 A JP 21597294A JP 21597294 A JP21597294 A JP 21597294A JP H0883745 A JPH0883745 A JP H0883745A
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JP
Japan
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wafer
nozzle
supplied
nozzles
processing
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JP21597294A
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English (en)
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Yoshiaki Yamada
善章 山田
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 低価格で、且つ一つのユニットで塗布、現像
処理が可能な処理装置を提供する。 【構成】 ウエハを真空チャック1で保持して内部に収
納する塗布カップ2と、この塗布カップの一側に配設さ
れ所望の処理液が供給され且つ滴下可能な第1のノズル
3と、この第1のノズル3をウエハの上方に搬送する第
1の搬送手段6と、塗布カップ2の他側に配設されそれ
ぞれ異なる種類のリンス液が供給される複数の第2のノ
ズル7と、この第2のノズル7の内から必要に応じて1
個を選択しウエハの上方に搬送する第2の搬送手段10
とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造プロセス
の写真製版工程に用いられる例えば塗布および現像等の
処理を行う処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】現在、化学増幅型レジストが大気中の浮
遊塩基成分に対して敏感であり、レジストパターン形成
がこの浮遊塩基成分に大きく依存することから、レジス
トと大気とを遮断するために、レジスト上にオーバコー
ト膜を塗布する技術が開発されている。又、従来のナフ
トキノンジアジド型レジストに対しても、その性能を向
上させるために、露光光のコントラストをオーバコート
膜によって増強し、レジスト膜内に入射される光コント
ラストを増強するプロセスであるContrast Enhancement
Layar Processや、レジスト膜内での露光光多重干渉に
よる寸法変動をオーバコート膜によって抑制する効果を
持った、Anti-reflective Coating on Resistといった
オーバコートプロセスが幅広く用いられている。そし
て、これらオーバコート膜は、下層のレジストとインタ
ーミキシングが起こらないようにするため、レジストが
有機性であるのに対して水溶性である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たようにレジストが有機性であるのに対してオーバコー
ト膜が水溶性であるのにもかかわらず、従来の塗布装置
は一つの処理カップに対して一種類のサイドリンスを供
給するラインしかないため、一つの処理カップで下層の
レジストとオーバコートとを塗布した後、サイドリンス
によってウエハ外周の塗布膜を除去する場合、水溶性材
料も有機性材料も共に除去できる材料を選択する必要が
あり、材料の選択が困難であるという問題点があった。
【0004】又、オーバコート材を露光後現像する際に
除去する必要があるが、現像液や現像後のリンス液等が
用いられている純水で完全に除去できない材料の場合、
現像カップとは別に上層剤を除去する処理ユニットが必
要になり装置として価格が上がるという問題点があっ
た。
【0005】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、低価格で、且つ一つのユニット
で塗布、現像処理が可能な処理装置を提供することを目
的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
る処理装置は、ウエハをチャックで保持して内部に収納
する処理カップと、処理カップの一側に配設され所望の
処理液が供給され且つ滴下可能な第1のノズルと、第1
のノズルをウエハの上方に搬送する第1の搬送手段と、
処理カップの他側に配設されそれぞれ異なる種類のリン
ス液が供給される複数の第2のノズルと、第2のノズル
の内から必要に応じて1個を選択しウエハの上方に搬送
する第2の搬送手段とを備えたものである。
【0007】又、この発明の請求項2に係る処理装置
は、請求項1において、第1のノズルを複数個配設しそ
れぞれ異なるレジスト液が供給されるようにしたもので
ある。
【0008】又、この発明の請求項3に係る処理装置
は、請求項1において、第2のノズルのいずれかにプラ
イマーが供給されるようにしたものである。
【0009】又、この発明の請求項4に係る処理装置
は、請求項1において、第1のノズルに現像液が供給さ
れるようにしたものである。
【0010】又、この発明の請求項5に係る処理装置
は、請求項4において、第2のノズルのいずれかに界面
活性剤が添加された水を供給するようにしたものであ
る。
【0011】又、この発明の請求項6に係る処理装置
は、請求項1において、第2の搬送手段を、第2のノズ
ルをウエハの上方の所望の位置に設定することが可能で
あるようにしたものである。
【0012】
【作用】この発明の請求項1における処理装置の第1の
搬送手段は、所望の処理液が供給され、且つ滴下可能な
第1のノズルをウエハの上方に搬送し、また、第2の搬
送手段は、それぞれ異なる種類のリンスが供給される複
数の第2のノズルの内から、必要に応じて1個を選択し
ウエハの上方に搬送する。
【0013】又、この発明の請求項2における処理装置
の第1のノズルは、複数個配設されるとともに、それぞ
れ異なるレジストが供給される。
【0014】又、この発明の請求項3における処理装置
のいずれかの第1のノズルは、プライマーが供給され
る。
【0015】又、この発明の請求項4における処理装置
の第1のノズルは、現像液が供給される。
【0016】又、この発明の請求項5における処理装置
のいずれかの第2のノズルは、界面活性剤が添加された
水が供給される。
【0017】又、この発明の請求項6における処理装置
の第2の搬送手段は、第2のノズルをウエハの上方の所
望の位置に設定する。
【0018】
【実施例】
実施例1.以下、この発明の実施例を図に基づいて説明
する。図1はこの発明の実施例1における塗布装置の概
略構成を示す平面図、図2および図3は図1における塗
布装置の塗布処理プロセスを示すフロー図である。図に
おいて、1は被処理物としての半導体ウエハ(図示せ
ず)(以下、ウエハと称す)を真空により吸着固定して
回転させる真空チャック、2はこの真空チャック1を内
部に収納し、ウエハから飛散する処理液を受けるための
塗布カップである。
【0019】3は例えばガロン瓶等のようなレジスト液
が入った容器と接続され、レジスト液の滴下が可能な第
1のノズル、4はこの第1のノズル3を把持する第1の
アーム、5はこの第1のアーム4を移動させて、第1の
ノズル3を塗布カップ2内の真空チャック1に吸着固定
されたウエハの上方に移動させる第1の駆動部で、第1
のアーム4とともに第1の搬送手段6を構成する。7は
それぞれ異なる種類のリンス液が供給され、リンス液の
滴下が可能な複数の第2のノズル、8はこれら複数の第
2のノズル7の内から、必要に応じていずれか1個を選
択して把持する第2のアーム、9はこの第2のアーム8
を移動させて、第2のノズル7をウエハの上方に移動さ
せる第2の駆動部で、第2のアーム8とともに第2の搬
送手段10を構成している。
【0020】次に、上記のように構成された実施例1に
おける塗布装置の動作について図2および図3に示すフ
ローにしたがって説明する。まず、塗布カップ2内に塗
布装置のメインアーム(図示せず)によりウエハが搬送
され、真空チャック1により吸着固定(ステップS1
される。次いで、下層レジストとしてTHMR−iP3
300(東京応化工業製)が供給される第1のノズル3
を第1のアーム4で把持(ステップS2)し、第1の駆
動部5を駆動させることにより第1のアーム4を移動さ
せて、第1のノズル3をウエハの上方中央部に移動(ス
テップS3)させる。
【0021】その後、第1のノズル3から下層レジスト
がウエハ上に滴下(ステップS4)される。そして、滴
下終了後、第1のノズル3は初期位置に移動(ステップ
5)する。一方、ウエハは真空チャック1により回転
駆動(ステップS6)され、滴下された下層レジストは
全表面に広がりレジスト膜が形成される。そして、この
回転中に下層レジストの残余分や形成されたレジスト膜
内に残っている有機シンナ分が気化され、安定した後、
ウエハの回転は停止(ステップS7)される。
【0022】次に、第1のアーム4により上層剤として
TSP−5(東京応化工業製)が供給される第1のノズ
ル3を把持(ステップS8)する。そして、上記下層レ
ジストの場合と同様に、第1の駆動部5の駆動により第
1のアーム4を移動させて、第1のノズル3をウエハの
上方中央部に移動(ステップS9)させる。次いで、第
1のノズル3から上層剤をウエハ上に滴下(ステップS
10)する。そして、上層剤の滴下が終了すると、第1の
ノズル3は初期位置に移動(ステップS11)する。一
方、ウエハは真空チャック1により再び回転駆動(ステ
ップS12)され、レジスト膜上に上層剤の塗布膜が形成
され、ウエハは回転を停止(ステップS13)する。
【0023】このように、レジスト膜および塗布膜とい
うように2回連続して塗布した場合には、ウエハの外周
部には塗布膜がエッジ付近にまで達している。そして、
このウエハの外周部にまで達した塗布膜の付着は、ウエ
ハハンドリング時における発塵の原因等になるため、除
去する必要がある。このため、以下に説明するようなウ
エハ外周部における塗布膜の除去処理が行われる。
【0024】まず、第2のアーム8により上層剤を溶解
除去するために有効な純水が供給される第2のノズル7
を把持(ステップS14)する。次いで、第2の駆動部
9を駆動させ第2のアーム8を移動させて、第2のノズ
ル7をウエハの外周から内側に約5mm離れた第1の位
置に移動(ステップS15)させる。そして、真空チャッ
ク1によりウエハを低速回転(ステップS16)させなが
ら、第2のノズル7から純水を滴下(ステップS17)す
る。この滴下により、ウエハの最外周から5mm内部ま
での上層剤の塗布膜は溶解除去される。
【0025】一方、純水の滴下が終了した第2のノズル
7は初期の位置に移動(ステップS18)する。そして、
今度は第2のアーム8により下層レジストに対して溶解
性の高い、例えば3−メトキシプロピオン酸メチル溶媒
等の有機性シンナーリンス液が供給される第2のノズル
7を把持(ステップS19)する。次いで、第2の駆動部
9を駆動させて第2のアーム8を移動させ、第2のノズ
ル7をウエハの外周から内側に約3mm離れた第2の位
置に移動(ステップS20)させる。
【0026】そして、第2のノズル7から有機性シンナ
ーリンス液を滴下(ステップS21)させ、ウエハ外周部
付近のレジスト膜を除去した後、ウエハの回転を停止
(ステップS22)させ、第2のノズル7を初期位置に移
動(ステップS23)することにより、オーバコート塗布
のプロセスは完了する。そして、これら一連の処理によ
り、ウエハ上に外周部の異物等もなく均一で清浄な塗布
膜が形成される。
【0027】このように上記実施例1によれば、第2の
ノズル7をそれぞれ異なる種類のリンス液が供給される
複数個とし、第2の搬送手段10によりこれら複数個の
第2のノズル7の内から必要に応じて1個を選択し、ウ
エハ上方に搬送して順次滴下できるようにしたことによ
り、それぞれ単独に水溶性材料および有機性材料の除去
が可能なリンス液で用を足すことができるようになるの
で、リンス液の材料の選択が容易になることは勿論のこ
と、一つのユニットで異なる種類の処理が可能となるた
め低価格の装置を提供することができ、又、第2のノズ
ル7をウエハ上方の所望の位置に停止できるようにした
ため、ウエハ外周部の塗布膜の除去が容易にできるよう
になる。
【0028】実施例2.図4はこの発明の実施例2にお
ける現像装置の概略構成を示す平面図、図5および図6
は図4における現像装置の現像処理プロセスを示すフロ
ー図である。図において、11はウエハを真空により吸
着固定して回転させる真空チャック、12はこの真空チ
ャック11を内部に収納し、ウエハから飛散する処理液
を受けるための現像カップである。
【0029】13は現像液が供給され滴下が可能な第1
のノズル、14はこの第1のノズル13を把持する第1
のアーム、15はこの第1のアーム14を移動させて、
第1のノズル13を現像カップ12内の真空チャック1
1に吸着固定されたウエハの上方に移動させる第1の駆
動部で、第1のアーム14とともに第1の搬送手段16
を構成する。17はそれぞれ異なる現像リンス液が供給
され滴下が可能な複数の第2のノズル、18はこの第2
のノズル17を把持しウエハの上方まで移動させる第2
の搬送手段としての第2のアームである。
【0030】次に、上記のように構成された実施例1に
おける現像装置の動作について図5および図6に示すフ
ローにしたがって説明する。まず、現像カップ12内に
現像装置のメインアーム(図示せず)によりウエハが搬
送され、真空チャック11により吸着固定(ステップS
31)される。次いで、上層剤として用いられるTSP−
5(東京応化工業製)の専用剥離液が供給される第2の
ノズル17を、第2のアーム18で把持(ステップ
32)するとともにウエハの上方中央部に移動(ステッ
プS34)させる。
【0031】なお、この間にウエハは真空チャック11
により低速回転駆動(ステップS33)されている。次
に、第2のノズル17から専用剥離液をウエハの中央部
に滴下(ステップS35)する。そして、この滴下された
専用剥離液はウエハが回転しているためにウエハの外周
まで振り飛ばされ、これによりウエハ全面に塗布されて
いたTSP−3塗布膜が除去される。次いで、TSP−
3塗布膜が完全に除去されると、ウエハの回転が停止
(ステップS36)されるとともに第2のノズル17は初
期の位置に移動(ステップS37)される。
【0032】次に、現像が行われる。まず、現像液が供
給される第1のノズル13を第1のアーム14で把持
(ステップS39)するとともに、ウエハの上方中央部に
移動(ステップS40)させる。ウエハはこの間に真空チ
ャック11により回転駆動(ステップS38)されてい
る。次いで、第1のノズル13から現像液が滴下(ステ
ップS41)され現像が進行する。そして現像が終了する
と、ウエハの回転は停止(ステップS42)されるととも
に第1のノズル13は初期の位置に移動(ステップ
43)される。
【0033】現像が終了すると、現像時に溶解析出した
成分の水洗除去が行われる。まず、純水が供給される第
2のノズル17を第2のアーム18で把持(ステップS
44)するとともに、ウエハの上方中央部に移動(ステッ
プS46)させる。ウエハはこの間に真空チャック11に
より回転駆動(ステップS45)されている。次いで、第
2のノズル17から純水が滴下(ステップS47)されウ
エハ表面の水洗除去が進行する。そして、水洗除去が終
了すると、第2のノズル17は初期の位置に移動(ステ
ップS48)される。一方、ウエハは回転により表面に残
っている純水が振り切られて乾燥され、乾燥が終了する
と回転は停止(ステップS49)される。そして、これら
一連の処理によりオーバコートプロセスを用いた写真製
版の現像が完了する。
【0034】このように上記実施例2によれば、それぞ
れ異なるリンス液が供給される複数の第2のノズル17
を備えたので、純水では除去できないようなオーバコー
ト膜でも除去できるようになるため、別々のユニットで
処理しなければならなかったプロセスを一つのユニット
で処理できるようになり、装置のスループットの向上、
価格の低減およびフットプリントの低減が可能になる。
【0035】実施例3.尚、上記実施例1では、第2の
ノズル7をウエハの外周に塗布されている膜の除去を行
うため、すなわち、サイドリンスのために用いたが、実
施例2の場合と同様に、第2のノズル7に塗布膜に対し
て可溶なリンス液を供給できるようにしておき、このリ
ンス液をウエハの中心部に滴下して塗布膜を全面溶解除
去し、再度塗布膜を形成することもでき、塗布膜の剥
離、形成を一つのユニットで処理可能とし、装置の価格
の低減およびフットプリントの低減が可能になる。
【0036】実施例4.又、レジスト塗布膜の下地ウエ
ハとの密着性を向上させるために、ウエハ上に例えばヘ
キサメチルジシラザン等のプライマー剤を滴下し、加熱
するプライマー処理と呼ばれる前処理を施すことが一般
的であるが、このプライマー剤を上記実施例1における
第2のノズル7の1個に供給されるようにしておけば、
同一ユニットでプライマー処理もできるようになる。さ
らに又、ウエハと塗布膜とのぬれ性を向上させるため
に、ウエハの表面に予め施されるシンナーを、第2のノ
ズル7の他の1個に供給されるようにしておいても良
く、上記と同様の効果を得ることができる。
【0037】実施例5.さらに又、上記実施例2では、
オーバコートの剥離のために現像後第2のノズル17か
ら純水を滴下させるようにしているが、写真製版のパタ
ーニングの際、そのパターン寸法が微細化されるにつれ
て、純水ではレジストパターンとの表面張力が大きく、
リンス後のウエハ回転による純水の乾燥時に、純水が除
去されるに伴ってレジストパターンが倒れる。そして、
この対策として純水の代わりに界面活性剤が添加された
水を用いることが知られている。したがって、この界面
活性剤が添加された水を、第2のノズル17の1個に供
給されるようにしておいても良く、上記実施例3と同様
の効果を得ることができる。
【0038】
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項1によ
れば、ウエハをチャックで保持して内部に収納する処理
カップと、処理カップの一側に配設され所望の処理液が
供給され且つ滴下可能な第1のノズルと、第1のノズル
をウエハの上方に搬送する第1の搬送手段と、処理カッ
プの他側に配設されそれぞれ異なる種類のリンス液が供
給される複数の第2のノズルと、第2のノズルの内から
必要に応じて1個を選択しウエハの上方に搬送する第2
の搬送手段とを備えたので、低価格で、且つ一つのユニ
ットで塗布、現像処理が可能な処理装置を提供すること
ができる。
【0039】又、この発明の請求項2によれば、請求項
1において、第1のノズルを複数個配設しそれぞれ異な
るレジスト液が供給されるようにしたので、低価格で、
且つ一つのユニットで塗布、現像処理が可能な処理装置
を提供することができる。
【0040】又、この発明の請求項3によれば、請求項
1において、第2のノズルのいずれかにプライマーが供
給されるようにしたので、低価格で、且つ一つのユニッ
トで塗布、現像処理が可能であることは勿論のこと、前
処理として行われるプライマー処理も可能な処理装置を
提供することができる。
【0041】又、この発明の請求項4によれば、請求項
1において、第1のノズルに現像液が供給されるように
したので、低価格で、且つ一つのユニットで塗布、現像
処理が可能な処理装置を提供することができる。
【0042】又、この発明の請求項5によれば、請求項
4において、第2のノズルのいずれかに界面活性剤が添
加された水を供給するようにしたので、低価格で、且つ
一つのユニットで塗布、現像処理が可能であることは勿
論のこと、現像のリンス時におけるレジストパターンの
倒れを防止することが可能な処理装置を提供することが
できる。
【0043】又、この発明の請求項6によれば、請求項
1において、第2の搬送手段を第2のノズルをウエハの
上方の所望の位置に設定することが可能であるようにし
たので、低価格で、且つ一つのユニットで塗布、現像処
理が可能であることは勿論のこと、溶解性の異なる複数
の膜のウエハ外周の塗布膜を除去する際に、それぞれの
膜に対して最適なリンス液で溶解除去することが可能な
処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施例1における塗布装置の概略
構成を示す平面図である。
【図2】 図1における塗布装置の塗布処理プロセスの
一部を示すフロー図である。
【図3】 図1における塗布装置の塗布処理プロセスの
残部を示すフロー図である。
【図4】 この発明の実施例2における現像装置の概略
構成を示す平面図である。
【図5】 図4における現像装置の現像処理プロセスの
一部を示すフロー図である。
【図6】 図4における現像装置の現像処理プロセスの
残部を示すフロー図である。
【符号の説明】
1,11 真空チャック、2 塗布カップ、3,13
第1のノズル、4,14 第1のアーム、5,15 第
1の駆動部、6,16 第1の搬送手段、7,17 第
2のノズル、8 第2のアーム、9 第2の駆動部、1
0 第2の搬送手段、12 現像カップ、18 第2の
アーム(第2の搬送手段)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/68 P H01L 21/30 569 C

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエハをチャックで保持して内部に収納
    する処理カップと、上記処理カップの一側に配設され所
    望の処理液が供給され且つ滴下可能な第1のノズルと、
    上記第1のノズルを上記ウエハの上方に搬送する第1の
    搬送手段と、上記処理カップの他側に配設されそれぞれ
    異なる種類のリンス液が供給される複数の第2のノズル
    と、上記第2のノズルの内から必要に応じて1個を選択
    し上記ウエハの上方に搬送する第2の搬送手段とを備え
    たことを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項2】 第1のノズルは複数個配設されそれぞれ
    異なるレジスト液が供給されることを特徴とする請求項
    1記載の処理装置。
  3. 【請求項3】 第2のノズルのいずれかにプライマーが
    供給されることを特徴とする請求項1記載の処理装置。
  4. 【請求項4】 第1のノズルには現像液が供給されるこ
    とを特徴とする請求項1記載の処理装置。
  5. 【請求項5】 第2のノズルのいずれかに界面活性剤が
    添加された水が供給されることを特徴とする請求項4記
    載の処理装置。
  6. 【請求項6】 第2の搬送手段は第2のノズルをウエハ
    の上方の所望の位置に設定することが可能であることを
    特徴とする請求項1記載の処理装置。
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US7427168B2 (en) 2002-03-01 2008-09-23 Tokyo Electron Limited Developing method and developing unit
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