CN108352302B - 膜处理单元以及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

在待机座的喷嘴容纳孔容纳有喷嘴。在该状态下，从多个喷出口向喷嘴的外周面喷出清洗液。由此，附着于喷嘴的涂敷液及其固化物等被溶解，从喷嘴除去。接着，从多个喷出口向喷嘴的外周面喷出金属用除去液。由此，残存于喷嘴的金属成分被溶解，从喷嘴除去。进而，从多个喷出口向喷嘴的外周面喷出纯水，从而冲洗附着于喷嘴的金属用除去液。

Description

膜处理单元以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及对基板进行处理的膜处理单元以及基板处理装置。
背景技术
在半导体器件等的制造中的光刻工序中，通过向基板上供给抗蚀液等涂敷液来形成涂敷膜。例如，基板被旋转卡盘保持为水平并被旋转。在该状态下，通过从喷嘴向基板的上表面的大致中央部喷出抗蚀液，在基板的上表面整体形成抗蚀膜来作为涂敷膜。
在从喷嘴喷出抗蚀液后，抗蚀液附着于喷嘴的顶端部。若附着于喷嘴的抗蚀液固化，则该固化物可能变为颗粒。因此，在喷出抗蚀液后，使用溶剂进行喷嘴的清洗(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2003-178965号公报
发明内容
发明要解决的问题
近年，为了形成更微细的图案，研究应用含有金属的涂敷膜(下面，称为含有金属涂敷膜)。根据发明人的实验可知，即使使用溶剂清洗喷嘴，金属成分仍无法除去而残存于喷嘴。基板或基板处理装置可能被残存于喷嘴的金属成分污染。另外，通过被金属成分污染的基板被搬运至曝光装置，曝光装置可能被污染。
本发明的目的在于，提供一种能够防止被金属污染的膜处理单元以及基板处理装置。
解决问题的手段
(1)本发明的第一方面的膜处理单元，具有：处理液喷嘴，向基板的被处理面喷出处理液；移动机构，使处理液喷嘴在基板的上方的处理位置与基板的外侧的清洗位置之间移动；除去液供给部，在清洗位置将使金属溶解的第一除去液向处理液喷嘴供给。
在该膜处理单元中，使处理液喷嘴在处理位置与清洗位置之间移动。在处理液喷嘴处于处理位置的状态下，从处理液喷嘴向基板的被处理面供给处理液。在供给处理液后，处理液喷嘴移动至清洗位置，从除去液供给部向处理液喷嘴供给使金属溶解的第一除去液。
在处理液包含有金属的情况下，在处理液喷嘴可能残存有金属。另外，在基板上形成有包含金属的涂敷膜的情况下，且该涂敷膜被处理液溶解的情况下，溶解的涂敷膜中的金属可能附着于处理液喷嘴。根据上述的结构，在供给处理液后，向处理液喷嘴供给第一除去液，因此，能够使残存或附着于处理液喷嘴的金属溶解而除去。因此，防止金属从处理液喷嘴扩散。其结果，防止基板或其他装置被金属污染。
(2)膜处理单元还可以具有旋转保持部，该旋转保持部将基板保持为水平姿势并使该基板旋转，处理液喷嘴也可以构成为，通过将含有金属以及涂敷液的含有金属涂敷液作为处理液向通过旋转保持部进行旋转的基板的被处理面喷出，在被处理面形成含有金属涂敷膜。在该情况下，即使含有金属涂敷液中的金属残存于处理液喷嘴，也能够使该金属溶解而除去。因此，防止金属从处理液喷嘴扩散。
(3)除去液供给部也可以构成为，在清洗位置向处理液喷嘴供给使涂敷液溶解的第二除去液。在该情况下，能够使附着于处理液喷嘴的涂敷液及其固化物溶解而被除去。
(4)膜处理单元还可以具有容纳部，该容纳部设置于清洗位置，该容纳部容纳处理液喷嘴的至少一部分，容纳部也可以具有第一开口，除去液供给部也可以包括第一除去液供给系统，该第一除去液供给系统使第一除去液通过第一开口供给至容纳部内的处理液喷嘴。在该情况下，能够以简单的结构向处理液喷嘴供给第一除去液。
(5)容纳部也可以具有第二开口，除去液供给部也可以包括第二除去液供给系统，该第二除去液供给系统使第二除去液通过第二开口供给至容纳部内的所述处理液喷嘴。在该情况下，能够以简单的结构向处理液喷嘴供给第二除去液。另外，在共用的容纳部中，向处理液喷嘴分别供给第一除去液以及第二除去液，因此，与第一除去液以及第二除去液在不同的位置向处理液喷嘴供给的情况相比，能够节省空间，并且能够高效地从处理液喷嘴除去涂敷液以及金属。
(6)第二开口也可以相比第一开口更靠上方。在该情况下，处理液喷嘴中的第二除去液的供给位置比第一除去液的供给位置高。因此，在从第一开口向处理液喷嘴供给第一除去液后，从第二开口向处理液喷嘴供给第二除去液的情况下，能够利用第二除去液充分地冲洗第一除去液。
(7)膜处理单元还可以具有容纳部，该容纳部设置于清洗位置，容该容纳部纳处理液喷嘴的至少一部分，容纳部也可以具有开口，除去液供给部也可以包括除去液供给系统，该除去液供给系统使第一除去液以及第二除去液选择性地通过开口供给至容纳部内的处理液喷嘴。在该情况下，能够以简单的结构高效地向处理液喷嘴供给第一除去液以及第二除去液。
(8)膜处理单元还可以具有除去液回收单元，该除去液回收单元设置为将供给至处理液喷嘴的第一除去液以及第二除去液分离并回收。在该情况下，使用者无需进行用于将已使用的第一除去液和已使用的第二除去液分离的操作。由此，能够降低第一除去液以及第二除去液的回收成本以及废弃成本。
(9)处理液喷嘴也可以构成为，在处理位置向基板喷出含有金属涂敷液前，在清洗位置喷出含有金属涂敷液。在该情况下，通过预备地喷出含有金属涂敷液，能够利用新的含有金属涂敷液充满处理液喷嘴，能够将该新的含有金属涂敷液向基板喷出。由于无需另外设置这样的预备喷出的空间，因此，能够节省空间。
(10)膜处理单元还可以具有周缘部除去液供给单元，该周缘部除去液供给单元以在基板的被处理面的除了周缘部以外的区域残存含有金属涂敷膜的方式，向通过旋转保持部进行旋转的基板的被处理面的周缘部供给使含有金属涂敷液溶解的第三除去液。
在该情况下，在基板的被处理面的除了周缘部以外的部分形成有含有金属涂敷膜，防止金属残存于基板的周缘部。由此，防止金属从基板的周缘部扩散。
(11)第三除去液也可以包括使金属溶解的第四除去液和使涂敷液溶解的第五除去液，周缘部除去液供给单元也可以包括将第四除去液以及第五除去液供给至基板的被处理面的周缘部的一个或多个除去液喷嘴。
在该情况下，含有金属涂敷液中的金属通过第四除去液被除去，并且含有金属涂敷液中的涂敷液通过第五除去液被除去。由此，能够合适地除去基板的周缘部的含有金属涂敷膜。
(12)第五除去液也可以与第一除去液相同，膜处理单元还可以具有用于对供给至处理液喷嘴的第一除去液以及供给至基板的第五除去液进行回收的共用的回收配管。
在该情况下，由于第一除去液和第五除去液通过共用的回收配管被回收，因此，既能够抑制结构的复杂化，又能够提高第一除去液以及第五除去液的回收效率。
(13)处理液喷嘴也可以构成为，向形成具有感光性且含有金属的含有金属涂敷膜后且曝光处理后的基板的被处理面供给显影液。在该情况下，即使被显影液溶解的含有金属涂敷膜中的金属附着于处理液喷嘴，也能够使该金属溶解并除去。因此，防止金属从处理液喷嘴扩散。
(14)本发明的其他方面的基板处理装置，配置为与对基板进行曝光处理的曝光装置相邻，基板处理装置具有：上述的膜处理单元，在利用曝光装置进行曝光处理前，在基板的被处理面形成含有金属涂敷膜，以及显影处理单元，在利用曝光装置进行曝光处理后，对基板进行显影处理。
在该基板处理装置中，通过膜处理单元在利用曝光装置进行曝光处理前的基板的被处理面形成含有金属涂敷膜，对利用曝光装置进行曝光处理后的基板进行显影处理。由此，能够在基板的被处理面上形成微细的图案。另外，由于使用上述的膜处理单元，因此，防止了基板、基板处理装置或曝光装置的内部被金属污染。
(15)膜处理单元也可以构成为，将具有感光性的感光性膜作为含有金属涂敷膜形成于基板的被处理面。该情况下，由于感光性膜含有金属，因此，能够抑制曝光光束的衰减，从而能够以高分辨率形成曝光图案。
(16)膜处理单元也可以构成为，将反射防止膜作为含有金属涂敷膜形成于基板的被处理面。该情况下，由于反射防止膜含有金属，因此，能够抑制曝光光束的衰减，从而能够以高分辨率形成曝光图案。
(17)本发明的另一其他方面的基板处理装置，配置为与对基板进行曝光处理的曝光装置相邻，基板处理装置具有：膜形成单元，在利用曝光装置进行曝光处理前，在基板的被处理面形成包含金属的含有金属涂敷膜，以及上述的膜处理单元，在利用曝光装置进行曝光处理后，对基板进行显影处理。
在该基板处理装置中，通过膜形成单元在利用曝光装置进行曝光处理前的基板的被处理面形成含有金属涂敷膜，通过膜处理单元对利用曝光装置进行曝光处理后的基板进行显影处理。由此，能够在基板的被处理面上形成微细的图案。另外，由于使用上述的膜处理单元，因此，防止了基板或基板处理装置或曝光装置的内部被金属污染。
发明效果
根据本发明，能够防止金属从处理液喷嘴扩散，能够防止基板等被金属污染。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的基板处理装置的示意性的俯视图。
图2是表示图1的涂敷处理部、显影处理部以及清洗干燥处理部的内部结构的示意性的侧视图。
图3是表示涂敷处理单元的结构的示意性的俯视图。
图4是用于说明图3的喷嘴部以及待机座的局部纵向剖视图。
图5是用于说明喷嘴的清洗处理的具体例的图。
图6是用于说明回收单元的其他结构例的图。
图7是表示图1的热处理部以及清洗干燥处理部的内部结构的示意性的侧视图。
图8是表示金属除去单元的第一结构例的图。
图9是表示金属除去单元的第二结构例的图。
图10是表示搬运部的内部结构的示意性的侧视图。
图11是表示搬运机构的立体图。
图12是用于说明待机座的其他例子的图。
图13是用于说明旋转单元的其他例子的示意性的侧视图。
图14是用于说明回收单元的其他例子的示意性的侧视图。
图15是用于说明回收单元的其他例子的示意性的侧视图。
图16是用于说明显影处理单元的一例的示意性的侧视图。
具体实施方式
下面，使用附图说明本发明的一个实施方式的膜处理单元以及基板处理装置。此外，在下面的说明中，基板是指半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板或光掩膜用基板等。
(1)基板处理装置
图1是本发明的第一实施方式的基板处理装置的示意性的俯视图。在图1以及图2以后的规定的图中，为了明确位置关系，用箭头表示彼此正交的X方向、Y方向以及Z方向。X方向和Y方向在水平面内彼此正交，Z方向相当于铅垂方向。
如图1所示，基板处理装置100具有分度器区11、第一处理区12、第二处理区13、清洗干燥处理区14A以及搬入搬出区14B。通过清洗干燥处理区14A以及搬入搬出区14B构成转接区14。曝光装置15配置为与搬入搬出区14B相邻。在本例中，曝光装置15利用EUV(ExtremeUltra Violet：远紫外线)对基板W进行曝光处理。EUV的波长为13nm以上14nm以下。
如图1所示，分度器区11包括多个搬运器载置部111和搬运部112。在各搬运器载置部111上载置有将多个基板W分多层容纳的搬运器113。在搬运部112设置有主控制器114和搬运机构115。主控制器114控制基板处理装置100的各种结构构件。搬运机构115一边保持基板W一边搬运该基板W。
第一处理区12包括涂敷处理部121、搬运部122以及热处理部123。涂敷处理部121和热处理部123设置为隔着搬运部122相对。在搬运部122与分度器区11之间设置有载置基板W的基板载置部PASS1～PASS4(参照图10)。在搬运部122设置有搬运基板W的搬运机构127、128(参照图10)。
第二处理区13包括显影处理部131、搬运部132以及热处理部133。显影处理部131以及热处理部133设置为隔着搬运部132相对。在搬运部132与搬运部122之间设置有载置基板W的基板载置部PASS5～PASS8(参照图10)。在搬运部132设置有搬运基板W的搬运机构137、138(参照图10)。
清洗干燥处理区14A包括清洗干燥处理部161、162以及搬运部163。清洗干燥处理部161、162设置为隔着搬运部163相对。在搬运部163设置有搬运机构141、142。在搬运部163与搬运部132之间设置有载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2(参照图10)。载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2构成为能够容纳多个基板W。
另外，在搬运机构141、142之间，以与搬入搬出区14B相邻的方式，设置有基板载置部PASS9、后述的边缘曝光部EEW(参照图10)以及后述的载置兼冷却部P-CP(参照图10)。载置兼冷却部P-CP具有冷却基板W的功能(例如，冷却板)。在载置兼冷却部P-CP中，基板W被冷却至适合曝光处理的温度。在搬入搬出区14B设置有搬运机构146。搬运机构146用于向曝光装置15搬入基板W和从曝光装置15搬出基板W。
(2)涂敷处理部、显影处理部以及清洗干燥处理部
图2是表示图1的涂敷处理部121、显影处理部131以及清洗干燥处理部161的内部结构的示意性的侧视图。如图2所示，在涂敷处理部121分层地设置有涂敷处理室21、22、23、24。在各涂敷处理室21～24设置有涂敷处理单元129。在显影处理部131分层地设置有显影处理室31～34。在各显影处理室31～34设置有显影处理单元139。
(2-1)涂敷处理单元
图3是表示涂敷处理单元129的结构的示意性的俯视图。如图3所示，各涂敷处理单元129包括喷嘴搬运机构60、两组旋转单元61以及两组喷嘴单元62。喷嘴搬运机构60包括把持部601、一对第一导轨602、第二导轨603以及一对气缸604。一对第一导轨602隔着两组旋转单元61以及两组喷嘴单元62相互平行地配置。第二导轨603配置为与一对第一导轨602正交。第二导轨603的两端部经由一对气缸604分别安装于一对第一导轨602。第二导轨603能够沿第一导轨602移动，且通过一对气缸604相对于第一导轨602能够升降。把持部601设置为能够沿第二导轨603移动。
各旋转单元61包括旋转卡盘611、杯612以及边缘冲洗喷嘴613。旋转卡盘611在保持基板W的状态下被后述的马达611a驱动而旋转。杯612设置为包围旋转卡盘611的周围。
各喷嘴单元62包括多个喷嘴部620和多个待机座WP。在本例中，在多个喷嘴部620分别对应地设置有多个待机座WP。各喷嘴部620在对应的待机座WP中进行待机。含有金属以及涂敷液的含有金属涂敷液通过涂敷液配管411向各喷嘴部620供给。金属包括金属分子或金属氧化物等金属成分。在本例中，作为金属成分，使用例如Sn(锡)、HfO2(氧化铪)或ZrO2(二氧化锆)。另外，作为涂敷液，使用反射防止膜用涂敷液以及抗蚀膜用涂敷液。
此外，旋转单元61以及喷嘴单元62各自的数量并不限定为两个。旋转单元61以及喷嘴单元62也可以分别只设置一个，或也可以设置3个以上。另外，也可以使旋转单元61的数量和喷嘴单元62的数量不同。
喷嘴搬运机构60利用把持部601把持任一个喷嘴部620，使该喷嘴部620在基板W的上方的处理位置与对应的待机座WP上的待机位置之间移动。在喷嘴部620处于处理位置的状态下，一边使旋转卡盘611旋转，一边从喷嘴部620喷出含有金属涂敷液。由此，向旋转的基板W上涂敷含有金属涂敷液。
在本实施方式中，向图2的涂敷处理室22、24的喷嘴部620供给含有反射防止膜用涂敷液的含有金属涂敷液，向涂敷处理室21、23的喷嘴部620供给含有抗蚀膜用涂敷液的含有金属涂敷液。下面，将由含有金属涂敷液形成的反射防止膜以及抗蚀膜统称为含有金属涂敷膜。
边缘冲洗喷嘴613配置为朝向被旋转卡盘611保持的基板W的被处理面的周缘部。在此，被处理面是指基板W的形成有电路图案等各种图案的面。基板W的周缘部是指在基板W的被处理面中沿着基板W的外周面的一定宽度的区域。
边缘冲洗喷嘴613喷出用于从基板W的周缘部除去含有金属涂敷膜的膜除去液。作为膜除去液，除了包括稀释剂、乙酸丁酯(butyl acetate)、PGMEA(propyleneglycolmonomethyl ether acetate：丙二醇甲醚醋酸酯)、PGME(propyleneglycol monomethylether：丙二醇甲醚乙酸脂)的有机溶剂以外，还可以使用含有TMAH(tetra methylammonium hydroxide：四甲基氢氧化铵)或氨水以及双氧水的水溶液等。
在利用旋转卡盘611使基板W旋转的状态下，从边缘冲洗喷嘴613向基板W的周缘部喷出膜除去液。由此，涂敷于基板W的周缘部的涂敷液溶解而被除去。
图4用于说明图3的喷嘴部620以及待机座WP的纵向剖视图。如图4所示，喷嘴部620包括支撑区621和喷嘴622。喷嘴622设置为从支撑区621的下表面向下方突出。喷嘴部620经由涂敷液配管411与涂敷液供给源410连接。在涂敷液配管411上安装有阀Va。通过打开阀Va，含有金属涂敷液从涂敷液供给源410通过涂敷液配管411向喷嘴部620供给，从喷嘴622喷出含有金属涂敷液。
待机座WP包括液供给容器71、回收容器72以及喷嘴容纳容器73。液供给容器71设置于回收容器72上。在液供给容器71形成有上下方向的通孔71a。通孔71a的上半部分的内径比通孔71a的下半部部的内径大。由此，在通孔71a的内表面形成有阶梯。在液供给容器71的通孔71a的上半部分容纳有喷嘴容纳容器73，该喷嘴容纳容器73被阶梯支撑。在喷嘴容纳容器73形成有上下贯通的喷嘴容纳孔73a。喷嘴容纳孔73a具有从上端向下端逐渐变小的内径。喷嘴部620的喷嘴622容纳于喷嘴容纳容器73的喷嘴容纳孔73a内。在该情况下，支撑区621被液供给容器71的上表面支撑。
流路711a、711b以从液供给容器71的外表面延伸至内表面的方式形成在液供给容器71上。在喷嘴容纳容器73中以相互连通的方式形成有流路731a、732a以及多个流路733a，并且以相互连通的方式形成有流路731b、732b以及多个流路733b。流路732a以及流路732b分别以包围喷嘴容纳孔73a的方式呈环状延伸。流路731a以与流路711a连通的方式从喷嘴容纳容器73的外表面延伸至流路732a，流路731b以与流路711b连通的方式从喷嘴容纳容器73的外表面延伸至流路732b。
多个流路733a以放射状地排列的方式，分别从流路732a延伸至喷嘴容纳孔73a的内表面。多个流路733b以放射状地排列的方式，分别从流路732b延伸至喷嘴容纳孔73a的内表面。在喷嘴容纳孔73a的内表面，流路733a开口为喷出口OP1，流路733b开口为喷出口OP2。多个喷出口OP1、OP2分别以包围容纳在喷嘴容纳孔73a内的喷嘴622的外周面的方式沿周向排列。另外，多个喷出口OP1相比多个喷出口OP2更靠上方配置。
液供给容器71的流路711a连接有配管421。配管421分支为配管421a、421b并延伸至清洗液供给源741以及纯水供给源742。在配管421a、421b上分别安装有阀V1、V2。通过选择性地打开阀V1、V2，选择性地将清洗液以及纯水从清洗液供给源741以及纯水供给源742向流路711a引导。
清洗液是第二除去液的例子。清洗液是与从上述的边缘冲洗喷嘴613喷出的膜除去液相同的液体，例如，上述的膜除去液用作清洗液。在供给至待机座WP的清洗液和供给至图3的边缘冲洗喷嘴613的膜除去液相同的情况下，也可以从共用的清洗液供给源741分别向图3的边缘冲洗喷嘴613和待机座WP供给膜除去液以及清洗液。引导至流路711a的清洗液或纯水通过流路731a、流路732a向多个流路733a引导，并从多个喷出口OP1向容纳于喷嘴容纳孔73a的喷嘴622的外周面喷出。
在液供给容器71的流路711b连接有配管422。配管422延伸至金属用除去液供给源743。在配管422上安装有阀V3。通过打开阀V3，从金属用除去液供给源743向流路711b引导金属用除去液。金属用除去液是第一除去液的例子。作为金属用除去液，使用碱性除去液或酸性除去液。碱性除去液是含有例如氨水以及过氧化氢的水溶液。碱性除去液也可以是例如TMAH。酸性除去液是含体验例如稀氢氟酸的水溶液。酸性除去液也可以是含有例如硫酸以及过氧化氢的水溶液，也可以是含有醋酸的水溶液。另外，作为金属用除去液，也可以使用含有螯合剂(Chelating agent)的水溶液。螯合剂也可以包含从由有机酸、有机酸盐、氨基酸、氨基酸衍生物、无机碱、无机碱盐、烷基胺、烷基胺衍生物、烷醇胺以及烷醇胺衍生物组成的组中选择的一种或多种。金属用除去液能够溶解除去包含有金属涂敷液中所含有的金属成分。引导至流路711b的金属用除去液通过流路731b、流路732b向多个流路733b引导，并从多个喷出口OP2向容纳于喷嘴容纳孔73a的喷嘴622的外周面喷出。
回收容器72具有与通孔71a连通的贮存部72a。另外，在回收容器72上形成有流路72b，该流路72b连接有配管423。贮存部72a内的清洗液或金属用除去液通过流路72b向配管423引导。配管423分支为配管423a、423b并延伸至回收罐TA1、TA2。在配管423a上安装有阀V4，在配管423b上安装有阀V5。通过配管423、423a、423b、回收罐TA1、TA2以及阀V4、V5构成回收单元400。通过选择性地打开阀V4、V5，贮存部72a内的清洗液以及金属用除去液选择性地被引导至回收罐TA1、TA2。在本例中，清洗液被引导至回收罐TA1，金属用除去液被引导至回收罐TA2。另外，用于将贮存部72a内的液体等向工厂的废弃线引导的配管424与回收容器72连接。在配管424上安装有阀V6。配管424也可以设置为从配管423分支。
在各待机座WP中，在预定的期间对应的喷嘴部620的喷嘴622进行清洗处理。进行清洗处理的期间例如是在涂敷处理单元129中基板W的处理暂停一定时间以上的期间。
图5是用于说明喷嘴622的清洗处理的具体例的图。图4的阀V1～V6被例如后述的局域控制器LC1(图7)控制。首先，打开图4的阀V1，关闭阀V2、V3。另外，打开阀V4，关闭阀V5、V6。
由此，如图5的(a)所示，从喷嘴容纳容器73的多个喷出口OP1向喷嘴622的外周面喷出清洗液。在该情况下，多个喷出口OP1配置为包围喷嘴622的外周面，因此，清洗液供给至喷嘴622的外周面的整个周向。由此，附着于喷嘴622的涂敷液及其固化物等被溶解，从而从喷嘴622除去。
另外，供给至喷嘴622的清洗液引导至图4的回收罐TA1。在该情况下，为了防止从喷嘴622除去的含有金属涂敷液等污染物引导至回收罐TA1，也可以在从喷出清洗液开始的一定时间关闭阀V4且打开阀V6。由此，含有金属涂敷液等污染物通过图4的配管424被废弃。
即使清洗液供给至喷嘴622，含有金属涂敷液所含有的金属成分也可能不会充分地除去，而残存于喷嘴622上。因此，接着，关闭图4的阀V1、V2，打开阀V3。另外，打开阀V5，关闭阀V4、V6。
由此，如图5的(b)所示，从喷嘴容纳容器73的多个喷出口OP2向喷嘴622的外周面喷出金属用除去液。在该情况下，由于多个喷出口OP2配置为围绕喷嘴622的外周面，因此，金属用除去液被供给至喷嘴622的外周面的整个周向。由此，残存于喷嘴622的金属成分被溶解，从而从喷嘴622除去。
另外，供给至喷嘴622的金属用除去液被引导至图4的回收罐TA2。在该情况下，为了防止残存于贮存部72a的清洗液和从该喷嘴622除去的金属成分等被引导至回收罐TA2，也可以在从金属用除去液喷出开始的一定时间关闭阀V5且打开阀V6。由此，贮存部72a内的清洗液以及金属成分等通过图4的配管424被废弃。
接着，关闭图4的阀V1、V3，打开阀V2。另外，关闭阀V4、V5，打开阀V6。由此，如图5的(c)所示，从喷嘴容纳容器73的多个喷出口OP1向喷嘴622的外周面喷出纯水，从而冲洗附着于喷嘴622的金属用除去液。由于多个喷出口OP1相比多个喷出口OP2更靠上方配置，因此，从喷出口OP1喷出的纯水到达喷嘴622的外周面的比从喷出口OP2喷出的金属用除去液更高的位置，进而从该位置在喷嘴622的外周面传递并向下方流动。由此，利用纯水充分地冲洗金属用除去液，从而防止金属用除去液残存于喷嘴622。因此，能够防止金属用除去液混入含有金属涂敷液被供给至基板W。
另外，喷出的纯水和被冲洗掉的金属用除去液通过图4的配管424被废弃。这样一来，喷嘴622被清洗，喷嘴622的清洗处理结束。
在向喷嘴622供给清洗液、金属用除去液或纯水时，也可以使用倒吸阀等将清洗液、金属用除去液或纯水吸引至喷嘴622的内部。在该情况下，能够利用清洗液、金属用除去液或纯水清洗喷嘴622的内部。
各喷嘴部620在向基板W上喷出涂敷液之前，也可以在对应的待机座WP中进行预喷出(预分配)。通过预喷出，能够利用新的涂敷液充满喷嘴622，从而能够将该新的涂敷液向基板W上喷出。另外，在清洗处理后进行预喷出的情况下，能够除去残存于喷嘴622内的清洗液以及金属除去液等。由此，能够防止清洗液以及金属除去液等向基板W上喷出。
在图5的例子中，依次向喷嘴622供给清洗液、金属用除去液以及纯水，但本发明并不限定于此。在向喷嘴622供给金属用除去液后，也可以向喷嘴622供给清洗液来代替纯水。在该情况下，能够利用清洗液冲洗金属用除去液。另外，也可以最初向喷嘴622供给金属用除去液而不供给清洗液，接着向喷嘴622供给清洗液。在该情况下，在利用金属用除去液将金属成分从喷嘴622除去后，利用清洗液将涂敷液以及固化物等从喷嘴622除去，且冲洗金属用除去液。
另外，在图4以及图5的例子中，仅将一种金属用除去液用于喷嘴622的清洗处理，但也可以使用多种金属用除去液。在该情况下，也可以将多种金属用除去液依次向喷嘴622供给，也可以将任一金属用除去液选择性地向喷嘴622供给。
图6是用于说明回收单元400的其他结构例的图。在图6的例子中，说明与图4的例子的不同之处。在图6的例子中，配管423与分离罐TA3连接。另外，分离罐TA3经由配管423a、423b与回收罐TA1、TA2连接。在该情况下，清洗液以及金属用除去液从待机座WP的贮存部72a被引导至共用的分离罐TA3。
在此，清洗液和金属用除去液具有相互不同的比重，金属用除去液的比重比清洗液的比重大。因此，在分离罐TA3内，清洗液的层LA1和金属用除去液的层LA2上下分离。因此，在分离罐TA3上设置有检测层LA1与层LA2的边界面的边界检测部BS。作为边界检测部BS，例如使用电容式的液面水平传感器。取而代之，浮子式、光学式、超声波式、电导率式、压电共振式等其他方式的液面水平传感器也可以用作边界检测部BS。
在分离罐TA3中设定有层LA1与层LA2的边界面的下限高度L1和上限高度L2。上限高度L2相比下限高度L1更靠上方。在分离罐TA3中，在比上限高度L2高的位置安装有配管423a，在比下限高度L1低的位置安装有配管423b。
例如，在由边界检测部BS检测出的边界面的高度小于下限高度L1的情况下，关闭阀V5。由此，防止清洗液通过配管423b被引导至回收罐TA2。在该情况下，也可以打开阀V4，也可以关闭。在由边界检测部BS检测出的边界面的高度在下限高度L1以上且小于上限高度L2的情况下，打开阀V4、V5。由此，清洗液和金属用除去液通过配管423a、423b分别被引导至回收罐TA1、TA2。在由边界检测部BS检测出的边界面的高度在上限高度L2以上的情况下，打开阀V5，关闭阀V4。由此，金属用除去液通过配管423b被引导至回收罐TA2。另外，防止金属用除去液通过配管423a被引导至回收罐TA1。
这样，在图6的例子中，基于清洗液以及金属用除去液的比重，将已使用的清洗液和已使用的金属用除去液分离。由此，能够将清洗液和金属用除去液分离并回收。在该情况下，使用者无需进行用于使清洗液和金属用除去液分离的操作。由此，能够降低各液体的回收成本和废弃成本。
(2-2)显影处理单元以及清洗干燥处理单元
如图2所示，显影处理单元139与涂敷处理单元129同样，具有多个旋转卡盘35和多个杯37。另外，如图1所示，显影处理单元139具有喷出显影液的两个狭缝喷嘴38和使上述的狭缝喷嘴38沿X方向移动的移动机构39。
在显影处理单元139中，通过未图示的驱动装置使旋转卡盘35旋转。由此，基板W进行旋转。在该状态下，狭缝喷嘴38一边移动一边向各基板W供给显影液。由此，进行基板W的显影处理。
在清洗干燥处理部161设置有多个(在本例中为3个)清洗干燥处理单元BSS。在各清洗干燥处理单元BSS中，使用有机溶剂或纯水进行曝光处理前的基板W的周缘部和背面的清洗以及干燥处理。在此，背面是指基板W的与被处理面相反一侧的面。
(3)热处理部
图7是表示图1的热处理部123、133和清洗干燥处理部162的内部结构的示意性的侧视图。如图7所示，热处理部123具有设置于上方的上层热处理部301和设置于下方的下层热处理部302。在上层热处理部301和下层热处理部302中设置有多个热处理单元PHP、多个密合强化处理单元PAHP以及多个冷却单元CP。
在热处理部123的最上部设置有局域控制器LC1。局域控制器LC1基于来自图1的主控制器114的指令，控制涂敷处理部121(图1)、搬运部122(图1)以及热处理部123的动作。
在热处理单元PHP中进行基板W的加热处理以及冷却处理。在密合强化处理单元PAHP中进行用于使基板W与反射防止膜的紧密接合性提高的密合强化处理。具体而言，在密合强化处理单元PAHP中，向基板W涂敷HMDS(六甲基二硅氮烷)等密合强化剂，并且对基板W进行加热处理。在冷却单元CP中进行基板W的冷却处理。
热处理部133具有设置于上方的上层热处理部303和设置于下方的下层热处理部304。在上层热处理部303和下层热处理部304中设置有冷却单元CP和多个热处理单元PHP。
在热处理部133的最上部设置有局域控制器LC2。局域控制器LC2基于来自图1的主控制器114的指令，控制显影处理部131(图1)、搬运部132(图1)以及热处理部133的动作。
(4)金属除去单元
如上所述，在利用图3的旋转卡盘611使基板W旋转的状态下，通过从边缘冲洗喷嘴613向基板W的周缘部喷出膜除去液，使得涂敷于基板W的周缘部的涂敷液溶解。由此，基板W的周缘部的含有金属涂敷膜被除去。然而，在基板W的周缘部可能残存有含有金属涂敷液所含有的金属成分。另外，在含有金属涂敷液迂回至基板W的背面的情况下，在基板W的背面残存有含有金属涂敷液所含有的金属成分。
若基板W在基板W的周缘部或背面附着有金属成分的状态下在基板处理装置100内被搬运，则在基板处理装置100的内部和曝光装置15的内部发生因金属成分带来的污染。因此，在清洗干燥处理部162中设置有用于除去附着于曝光处理前的基板W的周缘部以及背面的金属成分的多个(在本例中为六个)金属除去单元MR。
在本例中，在3个金属除去单元MR和剩余的3个金属除去单元MR中，使用不同的金属用除去液。在该情况下，能够根据含有金属涂敷液所含有的金属成分的种类，利用合适的金属除去单元MR除去附着于基板W的周缘部以及背面的金属成分。
图8是表示金属除去单元MR的第一结构例的图。如图8所示，在金属除去单元MR中设置有马达1、旋转卡盘3、杯4、两个背面清洗喷嘴7、周缘部清洗喷嘴8以及气体供给部9。旋转卡盘3以能够围绕铅垂轴旋转的方式，安装于马达1的旋转轴2的上端。杯4配置为包围被旋转卡盘3保持的基板W的周围。在杯4的下部形成有排气部5和排液部6。
两个背面清洗喷嘴7配置为朝向被旋转卡盘3保持的基板W的背面。从背面清洗喷嘴7向基板W的背面喷出金属用除去液。周缘部清洗喷嘴8配置为朝向被旋转卡盘3保持的基板W的周缘部。从周缘部清洗喷嘴8向基板W的周缘部喷出金属用除去液。
气体供给部9配置在被旋转卡盘3保持的基板W的大致中央部的上方。从气体供给部9向基板W的被处理面的大致中央部喷出非活性气体例如氮气。在该情况下，从气体供给部9喷出的气体向基板W的被处理面的大致中央部扩散。由此，能够防止从周缘部清洗喷嘴8喷出的金属用除去液附着于形成在基板W的被处理面的涂敷膜。
图9是表示金属除去单元MR的第二结构例的图。如图9所示，在第二结构例的金属除去单元MR中设置有气液供给喷嘴10，来取代图8的周缘部清洗喷嘴8和气体供给部9。气液供给喷嘴10包括沿水平方向排列的液体喷嘴10a和气体喷嘴10b。气液供给喷嘴10配置为朝向被旋转卡盘3保持的基板W的周缘部。在此，气体喷嘴10b相比液体喷嘴10a更靠基板W的中心配置。
从液体喷嘴10a向基板W的周缘部喷出金属用除去液。从气体喷嘴10b向基板W的周缘部喷出非活性气体例如氮气。在该情况下，从气体喷嘴10b向基板W喷出气体的位置相比从液体喷嘴10a向基板W喷出金属用除去液的位置更靠基板W的中心。因此，防止从液体喷嘴10a喷出的金属用除去液相比从气体喷嘴10b喷出的气体更朝向基板W的中心。由此，防止从液体喷嘴10a喷出的金属用除去液附着于在基板W的被处理面所形成的涂敷膜。
在图8以及图9的金属除去单元MR中，从周缘部清洗喷嘴8或液体喷嘴10a向基板W的周缘部供给金属用除去液，因此，基板W的周缘部上的含有金属涂敷膜中的金属成分被溶解，从而在基板W的被处理面的除了周缘部以外的区域残存有含有金属涂敷膜。另外，从背面清洗喷嘴7向基板W的背面供给金属用除去液，因此，在含有金属涂敷液迂回至基板W的背面的情况下，能够除去背面的附着于基板W的背面的含有金属涂敷液中的金属成分。
另外，在本例中，由于利用热处理部123使含有金属涂敷膜固化后的基板W被搬运至金属除去单元MR，因此，即使在金属除去单元MR中从气体供给部9或气体喷嘴10b向基板W喷出气体，也不会影响含有金属涂敷膜的膜厚。其结果，能够在基板W的被处理面使含有金属涂敷膜形成为均匀的厚度。
(5)搬运部
图10是表示搬运部122、132、163的内部结构的示意性的侧视图。如图10所示，搬运部122具有上层搬运室125和下层搬运室126。搬运部132具有上层搬运室135和下层搬运室136。在上层搬运室125设置有搬运机构127，在下层搬运室126设置有搬运机构128。另外，在上层搬运室135设置有搬运机构137，在下层搬运室136设置有搬运机构138。
涂敷处理室21、22(图2)和上层热处理部301(图7)隔着上层搬运室125相对，涂敷处理室23、24(图2)和下层热处理部302(图7)隔着下层搬运室126相对。同样地，显影处理室31、32(图2)和上层热处理部303(图7)隔着上层搬运室135相对，显影处理室33、34(图2)和下层热处理部304(图7)隔着下层搬运室136相对。
在搬运部112与上层搬运室125之间设置有基板载置部PASS1、PASS2，在搬运部112与下层搬运室126之间设置有基板载置部PASS3、PASS4。在上层搬运室125与上层搬运室135之间设置有基板载置部PASS5、PASS6，在下层搬运室126与下层搬运室136之间设置有基板载置部PASS7、PASS8。
在上层搬运室135与搬运部163之间设置有载置兼缓冲部P-BF1，在下层搬运室136与搬运部163之间设置有载置兼缓冲部P-BF2。在搬运部163中，以与搬入搬出区14B相邻的方式设置有基板载置部PASS9、多个边缘曝光部EEW以及多个载置兼冷却部P-CP。
载置兼缓冲部P-BF1构成为能够通过搬运机构137以及搬运机构141、142(图1)进行基板W的搬入以及搬出。载置兼缓冲部P-BF2构成为能够通过搬运机构138以及搬运机构141、142(图1)进行基板W的搬入以及搬出。另外，基板载置部PASS9、边缘曝光部EEW以及载置兼冷却部P-CP构成为能够通过搬运机构141、142(图1)以及搬运机构146进行基板W的搬入以及搬出。
在边缘曝光部EEW中进行基板W的周缘部的曝光处理(边缘曝光处理)。通过对基板W进行边缘曝光处理，在之后的显影处理时，能够除去基板W的周缘部上的抗蚀膜。由此，在显影处理后，防止在基板W的周缘部与其他部分接触的情况下，基板W的周缘部上的抗蚀膜剥离而变为颗粒。
在基板载置部PASS1以及基板载置部PASS3载置有从分度器区11向第一处理区12搬运的基板W，在基板载置部PASS2以及基板载置部PASS4载置有从第一处理区12向分度器区11搬运的基板W。
在基板载置部PASS5以及基板载置部PASS7载置有从第一处理区12向第二处理区13搬运的基板W，在基板载置部PASS6以及基板载置部PASS8载置有从第二处理区13向第一处理区12搬运的基板W。
在载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2载置有从第二处理区13向清洗干燥处理区14A搬运的基板W，在载置兼冷却部P-CP载置有从清洗干燥处理区14A向搬入搬出区14B搬运的基板W，在基板载置部PASS9载置有从搬入搬出区14B向清洗干燥处理区14A搬运的基板W。
接着，说明搬运机构127。图11是表示搬运机构127的立体图。如图10以及图11所示，搬运机构127具有长条状的导轨311、312。如图10所示，导轨311在上层搬运室125内以沿上下方向延伸的方式固定于搬运部112侧。导轨312在上层搬运室125内以沿上下方向延伸的方式固定于上层搬运室135侧。
在导轨311与导轨312之间设置有长条状的导轨313。导轨313以能够上下移动的方式安装于导轨311、312。在导轨313上安装有移动构件314。移动构件314设置为能够沿导轨313的长度方向移动。
长条状的旋转构件315以能够旋转的方式设置在移动构件314的上表面。在旋转构件315上安装有用于保持基板W的外周面的手部H1、H2、H3。手部H1～H3设置为能够沿旋转构件315的长度方向移动。手部H1配置在手部H2的上方，手部H2配置在手部H3的上方。
通过上述的结构，搬运机构127能够在上层搬运室125内沿X方向以及Z方向自由地移动。另外，利用手部H1～H3与涂敷处理室21、22(图2)、基板载置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6(图10)以及上层热处理部301(图7)进行基板W的交接。
此外，如图10所示，搬运机构128、137、138具有与搬运机构127相同的结构。另外，在本实施方式中，图1的搬运机构142具有与搬运机构127相同的3个手部H1～H3。
(6)基板处理
一边参照图1、图2、图7以及图10一边说明基板处理。在分度器区11的搬运器载置部111(图1)载置有容纳有未处理的基板W的搬运器113。搬运机构115从搬运器113向基板载置部PASS1、PASS3(图10)搬运未处理的基板W。另外，搬运机构115将载置于基板载置部PASS2、PASS4(图10)的处理完的基板W向搬运器113搬运。
在第一处理区12中，搬运机构127(图10)使用中层以及下层的手部H2、H3将载置于基板载置部PASS1的未处理的基板W依次搬运至密合强化处理单元PAHP(图7)、冷却单元CP(图7)以及涂敷处理室22(图2)。接着，搬运机构127使用手部H2、H3将涂敷处理室22的基板W依次搬运至热处理单元PHP(图7)、冷却单元CP(图7)、涂敷处理室21(图2)、热处理单元PHP(图7)以及基板载置部PASS5(图10)。
在该情况下，在密合强化处理单元PAHP中，对基板W进行密合强化处理后，在冷却单元CP中，基板W被冷却至适合反射防止膜形成的温度。接着，在涂敷处理室22中，利用涂敷处理单元129(图2)在基板W上形成反射防止膜。接着，在热处理单元PHP中，在进行基板W的热处理后，在冷却单元CP中，基板W被冷却至适合抗蚀膜形成的温度。接着，在涂敷处理室21中，利用涂敷处理单元129(图2)在基板W上形成抗蚀膜。然后，在热处理单元PHP中进行基板W的热处理，该基板W载置于基板载置部PASS5。
另外，搬运机构127利用上层的手部H1将载置于基板载置部PASS6(图10)的显影处理后的基板W搬运至基板载置部PASS2(图10)。
搬运机构128(图10)利用中层以及下层的手部H2、H3将载置于基板载置部PASS3的未处理的基板W依次搬运至密合强化处理单元PAHP(图7)、冷却单元CP(图7)以及涂敷处理室24(图2)。接着，搬运机构128利用手部H2、H3将涂敷处理室24的基板W依次搬运至热处理单元PHP(图7)、冷却单元CP(图7)、涂敷处理室23(图2)、热处理单元PHP(图7)以及基板载置部PASS7(图10)。
另外，搬运机构128(图10)利用上层的手部H1将载置于基板载置部PASS8(图10)的显影处理后的基板W搬运至基板载置部PASS4(图10)。涂敷处理室23、24(图2)以及下层热处理部302(图7)中的基板W的处理内容分别与上述的涂敷处理室21、22(图2)以及上层热处理部301(图7)中的基板W的处理内容相同。
在第二处理区13中，搬运机构137(图10)利用下层的手部H3将载置于基板载置部PASS5的抗蚀膜形成后的基板W搬运至载置兼缓冲部P-BF1(图10)。
另外，搬运机构137(图10)利用上层以及中层的手部H1、H2从与清洗干燥处理区14A相邻的热处理单元PHP(图7)取出曝光处理后且热处理后的基板W。搬运机构137利用手部H1、H2将该基板W依次搬运至冷却单元CP(图7)与显影处理室31、32(图2)中的任一个、热处理单元PHP(图7)以及基板载置部PASS6(图10)。
在该情况下，在冷却单元CP中，基板W被冷却至适合显影处理的温度后，在显影处理室31、32中的任一个中，利用显影处理单元139进行基板W的显影处理。然后，在热处理单元PHP中进行基板W的热处理，该基板W载置于基板载置部PASS6。
搬运机构138(图10)利用下层的手部H3将载置于基板载置部PASS7的抗蚀膜形成后的基板W搬运至载置兼缓冲部P-BF2(图10)。
另外，搬运机构138(图10)利用上层以及中层的手部H1、H2从与转接区14相邻的热处理单元PHP(图7)取出曝光处理后且热处理后的基板W。搬运机构138利用手部H1、H2将该基板W依次搬运至冷却单元CP(图7)与显影处理室33、34(图2)中的任一个、热处理单元PHP(图7)以及基板载置部PASS8(图10)。显影处理室33、34以及下层热处理部304中的基板W的处理内容分别与上述的显影处理室31、32以及上层热处理部303中的基板W的处理内容相同。
在清洗干燥处理区14A中，搬运机构142(图1)利用下层的手部H3将载置于载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2(图10)的基板W搬运至金属除去单元MR(图7)。另外，搬运机构142利用上层以及中层的手部H1、H2将金属除去单元MR的基板W搬运至载置兼缓冲部P-BF1(图10)或载置兼缓冲部P-BF2(图10)。搬运机构141(图1)将从金属除去单元MR搬运至载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2的基板依次搬运至清洗干燥处理单元BSS(图2)、边缘曝光部EEW以及载置兼冷却部P-CP(图10)。
在该情况下，在金属除去单元MR中将残存于基板W的周缘部以及背面的金属成分除去。另外，在清洗干燥处理单元BSS中进行基板W的周缘部和背面的清洗以及干燥处理。接着，在边缘曝光部EEW进行基板W的边缘曝光处理。然后，在载置兼冷却部P-CP中，基板W被冷却至适合利用曝光装置15(图1)进行曝光处理的温度。
另外，搬运机构142(图1)将载置于基板载置部PASS9(图10)的曝光处理后的基板W搬运至上层热处理部303或下层热处理部304的热处理单元PHP(图7)。在该情况下，在热处理单元PHP中进行曝光后烘(PEB)处理。
在搬入搬出区14B中，搬运机构146(图1)将载置于载置兼冷却部P-CP(图10)的曝光处理前的基板W搬运至曝光装置15(图1)的基板搬入部。另外，搬运机构146从曝光装置15的基板搬出部取出曝光处理后的基板W，并将该基板W搬运至基板载置部PASS9(图10)。在曝光装置15中，利用具有极短的波长的EUV对基板W进行曝光处理。在该情况下，由于基板W上的涂敷膜含有金属成分，因此，通过高效地进行EUV光的吸收，能够以高分辨率形成微细的曝光图案。此外，曝光方法并不限定于此，也可以利用其他方法对基板W进行曝光处理。
根据上述的基板W的搬运，利用搬运机构127、128、137、138、142的不同的手部保持除去金属成分前的基板W和除去金属成分后的基板W。由此，能够防止金属成分经由搬运机构127、128、137、138、142的手部附着于除去金属成分后的基板W。由此，能够防止金属污染经由搬运机构而扩大。
(7)效果
在本实施方式的基板处理装置100中，通过向涂敷处理单元129的喷嘴622供给清洗液以及金属用除去液来进行喷嘴622的清洗处理。由此，能够除去附着于喷嘴622的涂敷液及其固化物，并且能够除去残留于喷嘴622的金属成分。因此，防止金属成分从喷嘴622扩散。其结果，防止基板W、基板处理装置100以及曝光装置15的内部被金属污染。
(8)待机座WP的其他例子
图12是用于说明待机座WP的其他例子的图。针对图12的待机座WP，说明与图4的例子的不同之处。
在图12的待机座WP中，未形成有液供给容器71的流路711a以及喷嘴容纳容器73的流路731a、732a、733a。另外，配管422分支为配管422a、422b、422c，这些配管422a、422b、422c分别与清洗液供给源741、纯水供给源742以及金属用除去液供给源743连接。阀V1、V2、V3分别安装于配管422a、422b、422c。通过选择性地打开阀V1、V2、V3，从清洗液供给源741、纯水供给源742以及金属用除去液供给源743选择性地将上述的清洗液、纯水以及金属用除去液引导至流路711b。由此，清洗液、纯水以及金属用除去液分别从共用的多个喷出口OP2向喷嘴622喷出。
在本例中，通过清洗液向喷嘴622喷出，除去附着于喷嘴622的涂敷液及其固化物等。另外，通过金属用除去液向喷嘴622喷出，除去残存于喷嘴622的金属成分。另外，通过纯水向喷嘴622喷出，冲洗附着于喷嘴622的金属用除去液。由此，能够清洗喷嘴622。另外，与图4的例子相比，待机座WP的结构变简单。
此外，在喷嘴622的清洗处理时，也可以利用图3的喷嘴搬运机构60使喷嘴622升降。例如，可以在喷出清洗液以及纯水的期间，喷嘴622维持为第一高度，在喷出金属用除去液的期间，喷嘴622维持为比第一高度高的第二高度。在该情况下，与图5的例子同样，在喷嘴622的外周面上，供给纯水的区域比供给金属用除去液的区域宽阔。由此，利用纯水充分地冲洗掉金属用除去液，从而防止金属用除去液残存于喷嘴622。
另外，如上所述，也可以在向喷嘴622供给金属用除去液后，供给清洗液来代替纯水。另外，也可以最初向喷嘴622供给金属用除去液，然后向喷嘴622供给清洗液。另外，也可以使用多种金属用除去液。另外，在图12的例子中，使用了图4的回收单元400，但取而代之，也可以使用图6的回收单元400。
或者，也可以向流路711b供给具有使涂敷液溶解的性质的金属用除去液。在该情况下，通过向喷嘴622供给金属用除去液，从喷嘴622除去涂敷液以及固化物，同时除去金属成分。由此，能够以简单的结构高效地清洗喷嘴622。
(9)旋转单元的其他例子
图13是用于说明旋转单元61的其他例子的示意性的侧视图。针对图13的旋转单元61，说明与图3的旋转单元61的不同之处。
图13的旋转单元61除了图3的结构，还具有边缘冲洗喷嘴614以及背面冲洗喷嘴615、616。边缘冲洗喷嘴614与边缘冲洗喷嘴613相同，配置为朝向被旋转卡盘611保持的基板W的被处理面的周缘部。背面冲洗喷嘴615、616配置为朝向被旋转卡盘611保持的基板W的背面。旋转卡盘611设置在马达611a的旋转轴的上端部。
边缘冲洗喷嘴613、614分别连接有供给配管613p、614p。在供给配管613p、614p上分别安装有供给阀613v、614v。背面冲洗喷嘴615、616分别连接有供给配管615p、616p。在供给配管615p、616p上分别安装有供给阀615v、616v。
膜除去液通过供给配管613p、615p向边缘冲洗喷嘴613以及背面冲洗喷嘴615供给，金属用除去液通过供给配管614p、616p向边缘冲洗喷嘴614以及背面冲洗喷嘴616供给。在本例中，膜除去液以及金属用除去液是第三除去液的例子，膜除去液是第四除去液的例子，金属用除去液是第五除去液的例子。
在基板W上形成含有金属涂敷膜后，在通过旋转卡盘611使基板W旋转的状态下，从边缘冲洗喷嘴613向基板W的周缘部喷出膜除去液，并且从背面冲洗喷嘴615向基板W的背面喷出膜除去液。在该情况下，涂敷于基板W的周缘部以及背面的涂敷液被溶解而被除去。
然后，在通过旋转卡盘611使基板W旋转的状态下，从边缘冲洗喷嘴614向基板W的周缘部喷出金属用除去液，并且从背面冲洗喷嘴616向基板W的背面喷出金属用除去液。在该情况下，残存于基板W的周缘部以及背面的金属成分被溶解而被除去。
这样，在图13的旋转单元61中，在基板W上形成有含有金属涂敷膜，并且从基板W的周缘部以及背面除去涂敷液以及金属成分，因此，无需将基板W搬运至金属除去单元MR。因此，能够缩短基板W的搬运时间，从而能够提高处理能力。另外，由于也可以不设置金属除去单元MR，因此，能够使基板处理装置100小型化且能够降低装置成本。
此外，在本例中，喷出膜除去液的边缘冲洗喷嘴613和喷出金属用除去液的边缘冲洗喷嘴614分别单独地设置，但也可以设置选择性地喷出膜除去液或金属用除去液的共用的边缘冲洗喷嘴。同样地，也可以设置选择性地喷出膜除去液或金属用除去液的共用的背面冲洗喷嘴。或者，金属用除去液也可以具有使涂敷液溶解的性质。在该情况下，也可以不设置边缘冲洗喷嘴613以及背面冲洗喷嘴615。
在旋转单元61中设置有回收单元61A。回收单元61A包括回收配管DR、回收阀DRv1、DRv2以及回收罐RTa、RTb。杯612的排液部连接有回收配管DR。回收配管DR在下游分支为两个分支配管DRa、DRb。在分支配管DRa、DRb上分别安装有回收阀DRv1、DRv2。分支配管DRa、DRb分别与回收罐RTa、RTb连接。
供给阀613v～616v以及回收阀DRv1、DRv2例如通过图7的局域控制器LC1进行控制。首先，在关闭供给阀613v～616v以及回收阀DRv2，打开回收阀DRv1后，依次打开供给阀615v、613v。由此，从背面冲洗喷嘴615以及边缘冲洗喷嘴613分别向基板W的背面以及周缘部依次喷出膜除去液。
喷出至基板W的膜除去液因基板W旋转而被甩出，从杯612的排液部通过回收配管DR向下游引导。在该情况下，由于分支配管DRa的回收阀DRv1被打开，分支配管DRb的回收阀DRv2被关闭，因此，膜除去液通过分支配管DRa被回收至回收罐RTa。然后，通过依次关闭供给阀613v、615v，依次停止从边缘冲洗喷嘴613以及背面冲洗喷嘴615向基板W喷出膜除去液。
接着，依次关闭供给阀616v、614v。由此，依次从背面冲洗喷嘴616以及边缘冲洗喷嘴614分别向基板W的背面以及周缘部喷出金属用除去液。另外，关闭回收阀DRv1，并且打开回收阀DRv2。
喷出至基板W的金属用除去液因基板W的旋转被甩出，从杯612的排液部通过回收配管DR向下游引导。在该情况下，由于分支配管DRb的回收阀DRv2被打开，分支配管DRa的回收阀DRv1被关闭，因此，金属用除去液通过分支配管DRb被回收至回收罐RTb。然后，通过依次关闭供给阀613v、供给阀616v，依次停止从边缘冲洗喷嘴614以及背面冲洗喷嘴616向基板W喷出金属用除去液。
这样，在本例中，基于喷出膜除去液以及金属用除去液的期间，已使用的膜除去液和已使用的金属用除去液被分离。由此，几乎全部的已使用的膜除去液被回收至回收罐RTa，几乎全部的已使用的金属用除去液被回收至回收罐RTb。在该情况下，使用者无需进行用于使膜除去液和金属用除去液分离的操作。由此，能够降低除去液的回收成本和废弃成本。此外，也可以另外设置用于回收从图3的喷嘴部620喷出的含有金属涂敷液的回收罐。
在供给至上述的待机座WP的清洗液与供给至旋转单元61的膜除去液相同的情况下，图4、图6或图12的回收罐TA1也可以用作回收罐RTa。另外，在供给至待机座WP的金属用除去液与供给至旋转单元61的金属用除去液相同的情况下，图4、图6或图12的回收罐TA2也可以用作回收罐RTb。
图14是用于说明从待机座WP回收清洗液以及金属用除去液的结构与回收单元61A组合的例子的示意性的侧视图。
在图14的例子中，从待机座WP延伸的配管423a、423b与分支配管DRa、DRb连接。在该情况下，能够将从待机座WP排出的清洗液回收至回收罐RTa，能够将从待机座WP排出的金属用除去液回收至回收罐RTb。这样，通过用于从待机座WP回收清洗液以及金属用除去液的结构与回收单元61A组合，能够进一步降低各液体的回收成本以及废弃成本。
图15是用于说明回收单元61A的其他例子的示意性的侧视图。针对图15的回收单元61A，说明与图13的回收单元61A的不同之处。
图15的回收单元61A包括回收罐RTc，来代替图13的回收罐RTa、RTb。另外，回收配管DR不分支而与回收罐RTc连接。在该情况下，来自杯612的已使用的膜除去液以及金属用除去液被引导至共用的回收罐RTc。
在此，膜除去液和金属用除去液具有相互不同的比重，金属用除去液的比重比膜除去液的比重大。因此，在回收罐RTc内，膜除去液的层LA3和金属用除去液的层LA4上下分离。因此，在回收罐RTc上设置有检测金属用除去液与膜除去液的边界面的边界检测部BSa。边界检测部BSa具有与图6的边界检测部BS相同的结构。
在回收罐RTc中设置有层LA3与层LA4的边界面的下限高度L3以及上限高度L4。上限高度L4位于下限高度L3的上方。在回收罐RTc中，在比上限高度L4高的位置安装有回收配管DRc，在比下限高度L3低的位置安装有回收配管DRd。回收配管DRc、DRd分别与未图示的膜除去液回收部以及金属用除去液回收部连接。在回收配管DRc、DRd上分别安装有回收阀DRv3、DRv4。
例如，在由边界检测部BSa检测出的边界面的高度小于下限高度L3的情况下，关闭回收阀DRv4。由此，防止从回收配管DRd排出膜除去液。在由边界检测部BSa检测出的边界面的高度在下限高度L3以上且小于上限高度L4的情况下，打开回收阀DRv3、DRv4。由此，从回收配管DRc、DRd分别排出膜除去液以及金属用除去液。在由边界检测部BSa检测出的边界面的高度在上限高度L4以上的情况下，打开回收阀DRv4，并且关闭回收阀DRv3。由此，防止从回收配管DRc排出金属用除去液。
这样，在本例中，基于膜除去液以及金属用除去液的比重，已使用的膜除去液和已使用的金属用除去液被分离。由此，能够使膜除去液和金属用除去液完全地分离并回收。在该情况下，使用者无需进行用于使膜除去液和金属用除去液分离的操作。由此，能够降低除去液的回收成本以及废弃成本。
此外，在供给至上述的待机座WP的清洗液和供给至旋转单元61的膜除去液相同，并且供给至待机座WP的金属用除去液和供给至旋转单元61的金属用除去液相同的情况下，图6的分离罐TA3也可以用作回收罐RTc。例如，图6的配管423也可以与图15的回收配管DR连接。
另外，供给至基板W的膜除去液以及金属用除去液也可以通过其他结构分离回收。例如，杯612也可以是能够将两种除去液分离并回收的两重杯。
(10)其他实施方式
(10-1)
在上述实施方式中，向涂敷处理单元129的喷嘴622供给金属用除去液，但本发明并不限定于此。例如，也可以向显影处理单元139的狭缝喷嘴38(图1)供给金属用除去液。图16是表示显影处理单元139的一例的示意性的侧视图。图16的显影处理单元139包括用于供狭缝喷嘴38待机的待机座WPa。待机座WPa经由配管431与金属用除去液供给源743连接。
在基板W的显影处理中，通过从狭缝喷嘴38向基板W供给显影液，使得基板W上的含有金属涂敷膜的一部分被溶解。在该情况下，溶解的含有金属涂敷膜中的金属可能附着于狭缝喷嘴38。因此，在待机座WPa中向狭缝喷嘴38供给金属用除去液。由此，能够除去附着于狭缝喷嘴38的金属。其结果，防止金属从狭缝喷嘴38扩散。
(10-2)
在上述实施方式中，在喷嘴部200待机的待机座WP中进行喷嘴622的清洗处理，但本发明并不限定于此。用于进行喷嘴622的清洗处理的清洗处理部也可以与待机座WP分开单独地设置。在该情况下，在待机座WP中喷嘴部620进行待机并且进行预喷出，在清洗处理部中进行喷嘴622的清洗处理。
另外，在上述实施方式中，持续地进行利用清洗液清洗喷嘴622和利用金属用除去液清洗喷嘴622，但本发明并不限定于此。也可以使利用清洗液对喷嘴622的清洗和利用金属用除去液对喷嘴622的清洗独立进行。例如，利用清洗液清洗喷嘴622的时机与利用金属用除去液清洗喷嘴622的时机也可以不同。另外，利用清洗液清洗喷嘴622的频率与利用金属用除去液清洗喷嘴622的频率也可以不同。另外，利用清洗液对喷嘴622的清洗和利用金属用除去液对喷嘴622的清洗也可以在不同的位置进行。
(10-3)
在上述实施方式中，反射防止液以及抗蚀液均含有金属成分，但本发明并不限定于此。反射防止液以及抗蚀液中的一方也可以不含有金属成分。另外，在用于形成硬掩膜(HM)等其他膜的涂敷液中也可以含有金属成分。在该情况下，涂敷液含有作为金属成分的例如氧化钛(TiOx)、氧化钨(WOx)或氧化锆(ZrOx)。
(10-4)
在上述实施方式中，搬运机构127、128、137、138、141的手部H1～H3保持基板W的外周面，但本发明并不限定于此。搬运机构127、128、137、138、141的手部H1～H3也可以通过吸附基板W来保持基板W的背面。
(10-5)
在上述实施方式中，优选地，搬运机构127、128、137、138、141具有3个手部H1～H3，但本发明并不限定于此。搬运机构127、128、137、138、141也可以具有两个以下的手部，也可以具有四个以上的手部。
(10-6)
在上述方式中，在清洗干燥处理部161配置有多个清洗干燥处理单元BSS，在清洗干燥处理部162配置有多个金属除去单元MR，但本发明并不限定于此。在清洗干燥处理部162也可以配置有一部分或全部的清洗干燥处理单元BSS，在清洗干燥处理部161也可以配置有一部分或全部的金属除去单元MR。
(10-7)
在上述实施方式中，在涂敷处理单元129设置有边缘冲洗喷嘴613，但本发明并不限定于此。例如，在涂敷处理单元129也可以不设置边缘冲洗喷嘴613，在金属除去单元MR也可以设置边缘冲洗喷嘴613。在该情况下，在金属除去单元MR中向基板W的周缘部供给膜除去液以及金属用除去液。为了回收使用后的膜除去液以及金属用除去液，与图13以及图15的例子相同的回收单元也可以设置于金属除去单元MR。
(10-8)
在上述实施方式中，在转接区14设置有边缘曝光部EEW，但本发明并不限定于此。边缘曝光部EEW也可以不设置于转接区14，而设置于第一处理区12的上层热处理部301以及下层热处理部302。在该情况下，在形成抗蚀膜后，在基板W载置于基板载置部PASS5、PASS7前，对基板W进行边缘曝光处理。
(10-9)
金属除去单元MR也可以设置在其他位置。例如，在第一或第二处理区12、13也可以设置有金属除去单元MR。另外，在显影处理单元139中，也可以通过向基板W的周缘部以及背面供给金属用除去液，从基板W的周缘部以及背面除去金属成分。另外，也可以在第一处理区12与第二处理区13之间配置包括金属除去单元MR的其他处理区。
(11)权利要求的各结构构件与实施方式的各构件的对应关系
下面，说明权利要求的各结构构件与实施方式的各构件的对应的例子，但本发明并不限定于下面的例子。
在上述实施方式中，涂敷处理单元129或显影处理单元139是膜处理单元的例子，喷嘴622或狭缝喷嘴38是处理液喷嘴的例子，喷嘴搬运机构60或移动机构39是移动机构的例子，待机座WP或待机座WPa是除去液供给部的例子。另外，旋转卡盘611是旋转保持部的例子，喷嘴容纳容器73是容纳部的例子。
另外，图4以及图6的喷出口OP1是第一开口的例子，图4以及图6的配管421是第一除去液供给系统的例子，图4以及图6的喷出口OP2是第二开口的例子，图4以及图6的配管422是第二除去液供给系统的例子，图12的喷出口OP2是开口的例子，图12的配管422是除去液供给系统的例子。
另外，回收单元400是除去液回收单元的例子，边缘冲洗喷嘴613、614是周缘部除去液供给单元以及多个除去液喷嘴的例子，分支配管DRb是共用回收配管的例子，基板处理装置100是基板处理装置的例子，显影处理单元139是显影处理单元的例子。
作为权利要求的各结构构件还能够使用具有权利要求所记载的结构或功能的其他各种结构构件。
工业实用性
本发明能够有效地利用于各种基板的处理。

Claims (17)

1.一种膜处理单元，具有：
处理液喷嘴，向基板的被处理面喷出处理液；
移动机构，使所述处理液喷嘴在基板的上方的处理位置与基板的外侧的清洗位置之间移动；
除去液供给部，在所述清洗位置向所述处理液喷嘴供给使金属溶解的第一除去液；
旋转保持部，将基板保持为水平姿势并使该基板旋转；以及
容纳部，设置于所述清洗位置，该容纳部容纳所述处理液喷嘴的至少一部分，
所述处理液喷嘴构成为，通过将含有金属以及涂敷液的含有金属涂敷液作为所述处理液向通过所述旋转保持部进行旋转的基板的所述被处理面喷出，在所述被处理面形成含有金属涂敷膜，
所述容纳部具有第一开口以及第二开口，
所述第二开口相比所述第一开口更靠上方，
所述除去液供给部包括：第一除去液供给系统，使所述第一除去液通过所述第一开口供给至所述容纳部内的所述处理液喷嘴；纯水供给系统，使纯水通过所述第二开口供给至所述容纳部内的所述处理液喷嘴。
2.如权利要求1所述的膜处理单元，其中，
所述除去液供给部构成为，向所述容纳部内的所述处理液喷嘴供给使所述涂敷液溶解的第二除去液。
3.如权利要求2所述的膜处理单元，其中，
所述除去液供给部包括第二除去液供给系统，该第二除去液供给系统使所述第二除去液通过所述第二开口供给至所述容纳部内的所述处理液喷嘴。
4.如权利要求3所述的膜处理单元，其中，
在所述第一除去液供给系统使所述第一除去液通过所述第一开口供给至所述容纳部内的所述处理液喷嘴后，所述纯水供给系统使纯水通过所述第二开口供给至所述容纳部内的所述处理液喷嘴。
5.如权利要求4所述的膜处理单元，其中，
在所述第一除去液供给系统使所述第一除去液通过所述第一开口供给至所述容纳部内的所述处理液喷嘴后，所述第二除去液供给系统使所述第二除去液通过所述容纳部内的所述第二开口供给。
6.如权利要求3所述的膜处理单元，其中，
在所述第二除去液供给系统使所述第二除去液通过所述第二开口供给至所述容纳部内的所述处理液喷嘴后，所述第一除去液供给系统使所述第一除去液通过所述容纳部内的所述第一开口供给，然后，所述纯水供给系统使纯水通过所述第二开口供给至所述容纳部内的所述处理液喷嘴。
7.如权利要求3所述的膜处理单元，其中，
在所述第一除去液供给系统使所述第一除去液通过所述第一开口供给至所述容纳部内的所述处理液喷嘴后，所述第二除去液供给系统使所述第二除去液通过所述容纳部内的所述第二开口供给。
8.如权利要求2～6中任一项所述的膜处理单元，其中，
所述膜处理单元还具有除去液回收单元，该除去液回收单元设置为将供给至所述处理液喷嘴的所述第一除去液以及所述第二除去液分离并回收。
9.如权利要求1～6中任一项所述的膜处理单元，其中，
所述处理液喷嘴构成为，在所述处理位置向基板喷出所述含有金属涂敷液前，在所述清洗位置喷出所述含有金属涂敷液。
10.如权利要求1～6中任一项所述的膜处理单元，其中，
所述膜处理单元还具有周缘部除去液供给单元，该周缘部除去液供给单元以在基板的所述被处理面的除了周缘部以外的区域残存所述含有金属涂敷膜的方式，向通过所述旋转保持部进行旋转的基板的所述被处理面的所述周缘部供给使所述含有金属涂敷液溶解的第三除去液。
11.如权利要求10所述的膜处理单元，其中，
所述第三除去液包括使所述金属溶解的第四除去液和使所述涂敷液溶解的第五除去液，
所述周缘部除去液供给单元包括将所述第四除去液以及第五除去液供给至基板的所述被处理面的周缘部的一个或多个除去液喷嘴。
12.如权利要求11所述的膜处理单元，其中，
所述第四除去液与所述第一除去液相同，
所述膜处理单元还具有用于对供给至所述处理液喷嘴的所述第一除去液以及供给至基板的所述第四除去液进行回收的共用的回收配管。
13.一种膜处理单元，具有：
处理液喷嘴，向基板的被处理面喷出处理液；
移动机构，使所述处理液喷嘴在基板的上方的处理位置与基板的外侧的清洗位置之间移动；
除去液供给部，在所述清洗位置向所述处理液喷嘴供给使金属溶解的第一除去液；
旋转保持部，将形成有具有感光性且含有金属的含有金属涂敷膜且曝光处理后的基板保持为水平姿势并使该基板旋转；以及
容纳部，设置于所述清洗位置，该容纳部容纳所述处理液喷嘴的至少一部分，
所述处理液喷嘴构成为，向通过所述旋转保持部进行旋转的所述基板上的所述含有金属涂敷膜供给显影液，
所述容纳部具有第一开口以及第二开口，
所述第二开口相比所述第一开口更靠上方，
所述除去液供给部包括：第一除去液供给系统，使所述第一除去液通过所述第一开口供给至所述容纳部内的所述处理液喷嘴；纯水供给系统，使纯水通过所述第二开口供给至所述容纳部内的所述处理液喷嘴。
14.一种基板处理装置，配置为与对基板进行曝光处理的曝光装置相邻，
所述基板处理装置具有：
权利要求1～12中任一项所述的膜处理单元，在利用所述曝光装置进行曝光处理前，在基板的被处理面形成所述含有金属涂敷膜，以及
显影处理单元，在利用所述曝光装置进行曝光处理后，对基板进行显影处理。
15.如权利要求14所述的基板处理装置，其中，
所述膜处理单元构成为，将具有感光性的感光性膜作为所述含有金属涂敷膜形成于所述基板的被处理面。
16.如权利要求14或15所述的基板处理装置，其中，
所述膜处理单元构成为，将反射防止膜作为所述含有金属涂敷膜形成于基板的所述被处理面。
17.一种基板处理装置，配置为与对基板进行曝光处理的曝光装置相邻，
所述基板处理装置具有：
膜形成单元，在利用所述曝光装置进行曝光处理前，在基板的被处理面形成包含金属的含有金属涂敷膜，以及
权利要求13所述的膜处理单元，在利用所述曝光装置进行曝光处理后，对基板进行显影处理。
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