KR20180080312A - 막 처리 유닛 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20180080312A
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유지 다나카
마사야 아사이
마사히코 하루모토
고지 가네야마
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

대기 포트의 노즐 수용 구멍에 노즐이 수용된다. 그 상태로, 복수의 토출구로부터 노즐의 외주면에 세정액이 토출된다. 이것에 의해, 노즐에 부착되는 도포액 및 그 고화물 등이 용해되어, 노즐로부터 제거된다. 계속해서, 복수의 토출구로부터 노즐의 외주면에 금속용 제거액이 토출된다. 이것에 의해, 노즐에 잔존하는 금속 성분이 용해되어, 노즐로부터 제거된다. 또한, 복수의 토출구로부터 노즐의 외주면에 순수가 토출되어, 노즐에 부착되는 금속용 제거액이 씻어내어진다.

Description

막 처리 유닛 및 기판 처리 장치
본 발명은, 기판에 처리를 행하는 막 처리 유닛 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등의 제조에 있어서의 리소그래피 공정에서는, 기판 상에 레지스트액 등의 도포액이 공급됨으로써 도포막이 형성된다. 예를 들면, 기판이 스핀 척에 의해 수평으로 유지되면서 회전된다. 이 상태로, 기판의 상면의 대략 중앙부에 노즐로부터 레지스트액이 토출됨으로써, 기판의 상면 전체에 도포막으로서 레지스트막이 형성된다.
노즐로부터 레지스트액이 토출된 후, 노즐의 선단부에는 레지스트액이 부착된다. 노즐에 부착되는 레지스트액이 고화(固化)되면, 그 고화물이 파티클이 될 가능성이 있다. 그 때문에, 레지스트액의 토출 후에는, 용제를 이용하여 노즐의 세정이 행해진다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
일본국 특허공개 2003-178965호 공보
최근, 보다 미세한 패턴을 형성하기 위해, 금속을 함유하는 도포막(이하, 금속함유 도포막이라고 부른다.)을 적용하는 것이 연구되고 있다. 발명자의 실험에 의하면, 용제를 이용하여 노즐을 세정해도, 금속 성분이 제거되지 않고 노즐에 잔존하는 것을 알 수 있었다. 노즐에 잔존하는 금속 성분에 의해, 기판 또는 기판 처리 장치가 오염될 가능성이 있다. 또, 금속 성분에 의해 오염된 기판이 노광 장치에 반송됨으로써, 노광 장치가 오염될 가능성이 있다.
본 발명의 목적은, 금속에 의한 오염을 방지하는 것이 가능한 막 처리 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
(1) 본 발명의 일 국면에 따른 막 처리 유닛은, 기판의 피처리면에 처리액을 토출하는 처리액 노즐과, 처리액 노즐을 기판의 윗쪽의 처리 위치와 기판의 바깥쪽의 세정 위치 사이에서 이동시키는 이동 기구와, 세정 위치에 있어서, 금속을 용해시키는 제1 제거액을 처리액 노즐에 공급하도록 구성되는 제거액 공급부를 구비한다.
이 막 처리 유닛에 있어서는, 처리액 노즐이 처리 위치와 세정 위치 사이에서 이동된다. 처리액 노즐이 처리 위치에 있는 상태로, 처리액 노즐로부터 기판의 피처리면에 처리액이 공급된다. 처리액의 공급 후에 처리액 노즐이 세정 위치로 이동되어, 제거액 공급부로부터 처리액 노즐에 금속을 용해시키는 제1 제거액이 공급된다.
처리액에 금속이 포함되는 경우에는, 처리액 노즐에 금속이 잔존하고 있을 가능성이 있다. 또, 기판 상에 금속을 포함하는 도포막이 형성되어 있는 경우이며, 처리액에 의해 그 도포막이 용해되는 경우에는, 용해된 도포막 중의 금속이 처리액 노즐에 부착되어 있을 가능성이 있다. 상기의 구성에 의하면, 처리액의 공급 후에 처리액 노즐에 제1 제거액이 공급되므로, 처리액 노즐에 잔존 또는 부착되는 금속을 용해시켜 제거할 수 있다. 따라서, 처리액 노즐로부터 금속이 확산되는 것이 방지된다. 그 결과, 기판 또는 다른 장치가 금속에 의해 오염되는 것이 방지된다.
(2) 막 처리 유닛은, 기판을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 회전 유지부를 더 구비하고, 처리액 노즐은, 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 피처리면에 금속 및 도포액을 포함하는 금속함유 도포액을 처리액으로서 토출함으로써 피처리면에 금속함유 도포막을 형성하도록 구성되어도 된다. 이 경우, 처리액 노즐에 금속함유 도포액 중의 금속이 잔존하고 있어도, 그 금속을 용해시켜 제거할 수 있다. 따라서, 처리액 노즐로부터 금속이 확산되는 것이 방지된다.
(3) 제거액 공급부는, 세정 위치에 있어서, 도포액을 용해시키는 제2 제거액을 처리액 노즐에 공급하도록 구성되어도 된다. 이 경우, 처리액 노즐에 부착되는 도포액 및 그 고화물을 용해시켜 제거할 수 있다.
(4) 막 처리 유닛은, 세정 위치에 설치되며, 처리액 노즐의 적어도 일부가 수용되는 수용부를 더 구비하고, 수용부는 제1 개구를 가지며, 제거액 공급부는, 수용부 내의 처리액 노즐에 제1 개구를 통하여 제1 제거액을 공급하는 제1 제거액 공급계를 포함해도 된다. 이 경우, 간단한 구성으로 처리액 노즐에 제1 제거액을 공급할 수 있다.
(5) 수용부는 제2 개구를 가지며, 제거액 공급부는, 수용부 내의 처리액 노즐에 제2 개구를 통하여 제2 제거액을 공급하는 제2 제거액 공급계를 포함해도 된다. 이 경우, 간단한 구성으로 처리액 노즐에 제2 제거액을 공급할 수 있다. 또, 공통의 수용부에 있어서 처리액 노즐에 제1 및 제2 제거액이 각각 공급되므로, 제1 및 제2 제거액이 상이한 장소에서 처리액 노즐에 공급되는 경우에 비해, 공간절약화가 가능하고, 또한 도포액 및 금속을 처리액 노즐로부터 효율적으로 제거할 수 있다.
(6) 제2 개구는, 제1 개구보다 윗쪽에 위치해도 된다. 이 경우, 처리액 노즐에 있어서의 제2 제거액의 공급 위치가 제1 제거액의 공급 위치보다 높아진다. 그 때문에, 제1 개구로부터 처리액 노즐에 제1 제거액을 공급한 후에 제2 개구로부터 처리액 노즐에 제2 제거액을 공급한 경우에, 제2 제거액에 의해 제1 제거액을 충분히 씻어낼 수 있다.
(7) 막 처리 유닛은, 세정 위치에 설치되며, 처리액 노즐의 적어도 일부가 수용되는 수용부를 더 구비하고, 수용부는 개구를 가지며, 제거액 공급부는, 수용부 내의 처리액 노즐에 개구를 통하여 제1 제거액 및 제2 제거액을 선택적으로 공급하는 제거액 공급계를 포함해도 된다. 이 경우, 간단한 구성으로 효율적으로 처리액 노즐에 제1 제거액 및 제2 제거액을 공급할 수 있다.
(8) 막 처리 유닛은, 처리액 노즐에 공급된 제1 및 제2 제거액을 분리하여 회수하도록 설치된 제거액 회수 유닛을 더 구비해도 된다. 이 경우, 사용자는, 사용이 완료된 제1 제거액과 사용이 완료된 제2 제거액을 분리하기 위한 작업을 행할 필요가 없다. 이것에 의해, 제1 및 제2 제거액의 회수 비용 및 폐기 비용을 삭감할 수 있다.
(9) 처리액 노즐은, 처리 위치에 있어서 기판에 금속함유 도포액을 토출하기 전에, 세정 위치에 있어서 금속함유 도포액을 토출하도록 구성되어도 된다. 이 경우, 금속함유 도포액을 예비적으로 토출함으로써 처리액 노즐 내를 새로운 금속함유 도포액으로 채울 수 있어, 그 새로운 금속함유 도포액을 기판에 토출할 수 있다. 이러한 예비적인 토출 스페이스를 별도 설치할 필요가 없기 때문에, 공간절약화가 가능해진다.
(10) 막 처리 유닛은, 기판의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속함유 도포막이 잔존하도록, 금속함유 도포액을 용해시키는 제3 제거액을 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 피처리면의 주연부에 공급하는 주연부 제거액 공급 유닛을 더 구비해도 된다.
이 경우, 주연부를 제외한 기판의 피처리면에 금속함유 도포막이 형성되어, 기판의 주연부에 금속이 잔존하는 것이 방지된다. 이것에 의해, 기판의 주연부로부터 금속이 확산되는 것이 방지된다.
(11) 제3 제거액은, 금속을 용해시키는 제4 제거액과 도포액을 용해시키는 제5 제거액을 포함하고, 주연부 제거액 공급 유닛은, 제4 및 제5 제거액을 기판의 피처리면의 주연부에 공급하는 하나 또는 복수의 제거액 노즐을 포함해도 된다.
이 경우, 금속함유 도포액 중의 금속이 제4 제거액에 의해 제거됨과 함께, 금속함유 도포액 중의 도포액이 제5 제거액에 의해 제거된다. 그것에 의해, 기판의 주연부의 금속함유 도포막을 적절히 제거할 수 있다.
(12) 제5 제거액은 제1 제거액과 동일하며, 막 처리 유닛은, 처리액 노즐에 공급된 제1 제거액 및 기판에 공급된 제5 제거액을 회수하기 위한 공통의 회수 배관을 더 구비해도 된다.
이 경우, 제1 제거액과 제5 제거액이 공통의 회수 배관을 통하여 회수되므로, 구성의 복잡화가 억제되면서 제1 및 제5 제거액의 회수 효율이 향상된다.
(13) 처리액 노즐은, 감광성을 가지면서 금속을 함유하는 금속함유 도포막의 형성 후이며 또한 노광 처리 후의 기판의 피처리면에 현상액을 공급하도록 구성되어도 된다. 이 경우, 현상액에 의해 용해된 금속함유 도포막 중의 금속이 처리액 노즐에 부착되어 있어도, 그 금속을 용해시켜 제거할 수 있다. 따라서, 처리액 노즐로부터 금속이 확산되는 것이 방지된다.
(14) 본 발명의 다른 국면에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 노광 처리를 행하는 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판 처리 장치로서, 노광 장치에 의한 노광 처리 전에, 기판의 피처리면에 금속함유 도포막을 형성하는 상기의 막 처리 유닛과, 노광 장치에 의한 노광 처리 후에, 기판의 현상 처리를 행하는 현상 처리 유닛을 구비한다.
이 기판 처리 장치에 있어서는, 노광 장치에 의한 노광 처리 전의 기판의 피처리면에 막 처리 유닛에 의해 금속함유 도포막이 형성되어, 노광 장치에 의한 노광 처리 후의 기판에 현상 처리가 행해진다. 이것에 의해, 기판의 피처리면에 미세한 패턴을 형성할 수 있다. 또, 상기의 막 처리 유닛이 이용되므로, 기판, 또는 기판 처리 장치 혹은 노광 장치의 내부가 금속에 의해 오염되는 것이 방지된다.
(15) 막 처리 유닛은, 금속함유 도포막으로서 감광성을 가지는 감광성막을 기판의 피처리면에 형성하도록 구성되어도 된다. 이 경우, 감광성막이 금속을 함유하므로, 노광광의 감쇠가 억제되어, 노광 패턴을 높은 해상도로 형성할 수 있다.
(16) 막 처리 유닛은, 금속함유 도포막으로서 반사 방지막을 기판의 피처리면에 형성하도록 구성되어도 된다. 이 경우, 반사 방지막이 금속을 함유하므로, 노광광의 감쇠가 억제되어, 노광 패턴을 높은 해상도로 형성할 수 있다.
(17) 본 발명의 또 다른 국면에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 노광 처리를 행하는 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판 처리 장치로서, 노광 장치에 의한 노광 처리 전에, 기판의 피처리면에 금속을 포함하는 금속함유 도포막을 형성하는 막 형성 유닛과, 노광 장치에 의한 노광 처리 후에, 기판의 현상 처리를 행하는 상기의 막 처리 유닛을 구비한다.
이 기판 처리 장치에 있어서는, 노광 장치에 의한 노광 처리 전의 기판의 피처리면에 막 형성 유닛에 의해 금속함유 도포막이 형성되어, 노광 장치에 의한 노광 처리 후의 기판에 막 처리 유닛에 의해 현상 처리가 행해진다. 이것에 의해, 기판의 피처리면에 미세한 패턴을 형성할 수 있다. 또, 상기의 막 처리 유닛이 이용되므로, 기판, 또는 기판 처리 장치 혹은 노광 장치의 내부가 금속에 의해 오염되는 것이 방지된다.
본 발명에 의하면, 처리액 노즐로부터 금속이 확산되는 것이 방지되어, 기판 등이 금속에 의해 오염되는 것이 방지된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시의 형태에 관련된 기판 처리 장치의 모식적 평면도이다.
도 2는 도 1의 도포 처리부, 현상 처리부 및 세정 건조 처리부의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다.
도 3은 도포 처리 유닛의 구성을 나타내는 모식적 평면도이다.
도 4는 도 3의 노즐 블록 및 대기 포트에 대해서 설명하기 위한 부분 종단면도이다.
도 5는 노즐의 세정 처리의 구체예에 대해서 설명하기 위한 도이다.
도 6은 회수 유닛의 다른 구성예에 대해서 설명하기 위한 도이다.
도 7은 도 1의 열 처리부 및 세정 건조 처리부의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다.
도 8은 금속 제거 유닛의 제1 구성예를 나타내는 도이다.
도 9는 금속 제거 유닛의 제2 구성예를 나타내는 도이다.
도 10은 반송부의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다.
도 11은 반송 기구를 나타내는 사시도이다.
도 12는 대기 포트의 다른 예에 대해서 설명하기 위한 도이다.
도 13은 스핀 유닛의 다른 예에 대해서 설명하기 위한 모식적 측면도이다.
도 14는 회수 유닛의 다른 예에 대해서 설명하기 위한 모식적 측면도이다.
도 15는 회수 유닛의 다른 예에 대해서 설명하기 위한 모식적 측면도이다.
도 16은 현상 처리 유닛의 일례에 대해서 설명하기 위한 모식적 측면도이다.
이하, 본 발명의 일실시의 형태에 관련된 막 처리 유닛 및 기판 처리 장치에 대해서 도면을 이용하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체 기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판 또는 포토마스크용 기판 등을 말한다.
(1) 기판 처리 장치
도 1은, 본 발명의 제1 실시의 형태에 관련된 기판 처리 장치의 모식적 평면도이다. 도 1 및 도 2 이후의 소정의 도에는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 붙이고 있다. X방향 및 Y방향은 수평면 내에서 서로 직교하고, Z방향은 연직 방향에 상당한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 인덱서 블록(11), 제1 처리 블록(12), 제2 처리 블록(13), 세정 건조 처리 블록(14A) 및 반입 반출 블록(14B)을 구비한다. 세정 건조 처리 블록(14A) 및 반입 반출 블록(14B)에 의해, 인터페이스 블록(14)이 구성된다. 반입 반출 블록(14B)에 인접하도록 노광 장치(15)가 배치된다. 본 예에 있어서, 노광 장치(15)는, EUV(Extreme Ultra Violet； 초자외선)에 의해 기판(W)에 노광 처리를 행한다. EUV의 파장은, 13nm 이상 14nm 이하이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 인덱서 블록(11)은, 복수의 캐리어 재치부(111) 및 반송부(112)를 포함한다. 각 캐리어 재치부(111)에는, 복수의 기판(W)을 다단으로 수납하는 캐리어(113)가 재치된다. 반송부(112)에는, 메인 콘트롤러(114) 및 반송 기구(115)가 설치된다. 메인 콘트롤러(114)는, 기판 처리 장치(100)의 다양한 구성 요소를 제어한다. 반송 기구(115)는, 기판(W)을 유지하면서 그 기판(W)을 반송한다.
제1 처리 블록(12)은, 도포 처리부(121), 반송부(122) 및 열 처리부(123)를 포함한다. 도포 처리부(121) 및 열 처리부(123)는, 반송부(122)를 사이에 두고 대향하도록 설치된다. 반송부(122)와 인덱서 블록(11) 사이에는, 기판(W)이 재치되는 기판 재치부(PASS1~PASS4)(도 10 참조)가 설치된다. 반송부(122)에는, 기판(W)을 반송하는 반송 기구(127, 128)(도 10 참조)가 설치된다.
제2 처리 블록(13)은, 현상 처리부(131), 반송부(132) 및 열 처리부(133)를 포함한다. 현상 처리부(131) 및 열 처리부(133)는, 반송부(132)를 사이에 두고 대향하도록 설치된다. 반송부(132)와 반송부(122) 사이에는, 기판(W)이 재치되는 기판 재치부(PASS5~PASS8)(도 10 참조)가 설치된다. 반송부(132)에는, 기판(W)을 반송하는 반송 기구(137, 138)(도 10 참조)가 설치된다.
세정 건조 처리 블록(14A)은, 세정 건조 처리부(161, 162) 및 반송부(163)를 포함한다. 세정 건조 처리부(161, 162)는, 반송부(163)를 사이에 두고 대향하도록 설치된다. 반송부(163)에는, 반송 기구(141, 142)가 설치된다. 반송부(163)와 반송부(132) 사이에는, 재치겸 버퍼부(P-BF1, P-BF2)(도 10 참조)가 설치된다. 재치겸 버퍼부(P-BF1, P-BF2)는, 복수의 기판(W)을 수용 가능하게 구성된다.
또, 반송 기구(141, 142) 사이에 있어서, 반입 반출 블록(14B)에 인접하도록, 기판 재치부(PASS9), 후술하는 엣지 노광부(EEW)(도 10 참조) 및 후술하는 재치겸 냉각부(P-CP)(도 10 참조)가 설치된다. 재치겸 냉각부(P-CP)는, 기판(W)을 냉각하는 기능(예를 들면, 쿨링 플레이트)을 구비한다. 재치겸 냉각부(P-CP)에 있어서, 기판(W)이 노광 처리에 적합한 온도로 냉각된다. 반입 반출 블록(14B)에는, 반송 기구(146)가 설치된다. 반송 기구(146)는, 노광 장치(15)에 대한 기판(W)의 반입 및 반출을 행한다.
(2) 도포 처리부, 현상 처리부 및 세정 건조 처리부
도 2는, 도 1의 도포 처리부(121), 현상 처리부(131) 및 세정 건조 처리부(161)의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 도포 처리부(121)에는, 도포 처리실(21, 22, 23, 24)이 계층적으로 설치된다. 각 도포 처리실(21~24)에는, 도포 처리 유닛(129)이 설치된다. 현상 처리부(131)에는, 현상 처리실(31~34)이 계층적으로 설치된다. 각 현상 처리실(31~34)에는, 현상 처리 유닛(139)이 설치된다.
(2-1) 도포 처리 유닛
도 3은, 도포 처리 유닛(129)의 구성을 나타내는 모식적 평면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 각 도포 처리 유닛(129)은, 노즐 반송 기구(60), 2세트의 스핀 유닛(61) 및 2세트의 노즐 유닛(62)을 포함한다. 노즐 반송 기구(60)는, 파지부(601), 한 쌍의 제1 가이드 레일(602), 제2 가이드 레일(603) 및 한 쌍의 실린더(604)를 포함한다. 한 쌍의 제1 가이드 레일(602)은, 2세트의 스핀 유닛(61) 및 2세트의 노즐 유닛(62)을 사이에 두도록 서로 평행으로 배치된다. 제2 가이드 레일(603)은, 한 쌍의 제1 가이드 레일(602)에 대해 직교하도록 배치된다. 제2 가이드 레일(603)의 양단부는 한 쌍의 실린더(604)를 통하여 한 쌍의 제1 가이드 레일(602)에 각각 부착된다. 제2 가이드 레일(603)은, 제1 가이드 레일(602)을 따라 이동 가능하고, 또한 한 쌍의 실린더(604)에 의해 제1 가이드 레일(602)에 대해 승강 가능하다. 제2 가이드 레일(603)을 따라 이동 가능하게 파지부(601)가 설치된다.
각 스핀 유닛(61)은, 스핀 척(611), 컵(612) 및 엣지 린스 노즐(613)을 포함한다. 스핀 척(611)은, 기판(W)을 유지한 상태로, 후술하는 모터(611a)에 의해 회전 구동된다. 컵(612)은 스핀 척(611)의 주위를 둘러싸도록 설치된다.
각 노즐 유닛(62)은, 복수의 노즐 블록(620) 및 복수의 대기 포트(WP)를 포함한다. 본 예에서는, 복수의 노즐 블록(620)에 각각 대응하도록 복수의 대기 포트(WP)가 설치된다. 각 노즐 블록(620)은, 대응하는 대기 포트(WP)에서 대기한다. 각 노즐 블록(620)에는, 도포액 배관(411)을 통하여, 금속 및 도포액을 포함하는 금속함유 도포액이 공급된다. 금속은, 금속 분자 또는 금속 산화물 등의 금속 성분을 포함한다. 본 예에서는, 금속 성분으로서, 예를 들면 Sn(주석), HfO2(산화 하프늄) 또는 ZrO2(이산화 지르코늄)이 이용된다. 또, 도포액으로서, 반사 방지막용의 도포액 및 레지스트막용의 도포액이 이용된다.
또한, 스핀 유닛(61) 및 노즐 유닛(62)의 각각의 수는, 2개에 한정되지 않는다. 스핀 유닛(61) 및 노즐 유닛(62)이 각각 1개만 설치되어도 되고, 또는 3개 이상 설치되어도 된다. 또, 스핀 유닛(61)의 수와 노즐 유닛(62)의 수가 상이해도 된다.
노즐 반송 기구(60)는, 파지부(601)에 의해 어느 하나의 노즐 블록(620)을 파지하여, 그 노즐 블록(620)을 기판(W)의 윗쪽의 처리 위치와, 대응하는 대기 포트(WP) 상의 대기 위치 사이에서 이동시킨다. 노즐 블록(620)이 처리 위치에 있는 상태로, 스핀 척(611)이 회전되면서 노즐 블록(620)으로부터 금속함유 도포액이 토출된다. 그것에 의해, 회전하는 기판(W) 상에 금속함유 도포액이 도포된다.
본 실시의 형태에 있어서는, 도 2의 도포 처리실(22, 24)의 노즐 블록(620)에, 반사 방지막용의 도포액을 포함하는 금속함유 도포액이 공급되고, 도포 처리실(21, 23)의 노즐 블록(620)에, 레지스트막용의 도포액을 포함하는 금속함유 도포액이 공급된다. 이하, 금속함유 도포액에 의해 형성되는 반사 방지막 및 레지스트막을 금속함유 도포막으로 총칭한다.
엣지 린스 노즐(613)은, 스핀 척(611)에 의해 유지된 기판(W)의 피처리면의 주연부를 향하도록 배치된다. 여기서, 피처리면이란 회로 패턴 등의 각종 패턴이 형성되는 기판(W)의 면을 말한다. 기판(W)의 주연부란, 기판(W)의 피처리면에 있어서, 기판(W)의 외주부에 따른 일정 폭의 영역을 말한다.
엣지 린스 노즐(613)은, 기판(W)의 주연부로부터 금속함유 도포막을 제거하기 위한 막 제거액을 토출한다. 막 제거액으로서, 시너, 아세트산 부틸(butyl acetate), PGMEA(propyleneglycol monomethyl ether acetate： 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트), PGME(propyleneglycol monomethyl ether： 프로필렌글리콜모노메틸에테르)를 포함하는 유기용매 외에, TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide： 수산화 테트라메틸암모늄), 또는, 암모니아 및 과산화 수소수를 포함하는 수용액 등이 이용되어도 된다.
스핀 척(611)에 의해 기판(W)이 회전된 상태로, 엣지 린스 노즐(613)로부터 기판(W)의 주연부에 막 제거액이 토출된다. 이것에 의해, 기판(W)의 주연부에 도포된 도포액이 용해되어 제거된다.
도 4는, 도 3의 노즐 블록(620) 및 대기 포트(WP)에 대해서 설명하기 위한 종단면도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 노즐 블록(620)은, 지지 블록(621) 및 노즐(622)을 포함한다. 노즐(622)은, 지지 블록(621)의 하면으로부터 아래쪽으로 돌출하도록 설치된다. 노즐 블록(620)은, 도포액 배관(411)을 통하여 도포액 공급원(410)에 접속된다. 도포액 배관(411)에는 밸브(Va)가 끼워 넣어진다. 밸브(Va)가 열림으로써, 도포액 공급원(410)으로부터 도포액 배관(411)을 통하여 노즐 블록(620)에 금속함유 도포액이 공급되고, 노즐(622)로부터 금속함유 도포액이 토출된다.
대기 포트(WP)는, 액공급 용기(71), 회수 용기(72) 및 노즐 수납 용기(73)를 포함한다. 액공급 용기(71)는, 회수 용기(72) 상에 설치된다. 액공급 용기(71)에는, 상하 방향의 관통 구멍(71a)이 형성되어 있다. 관통 구멍(71a)의 상반부의 내직경은, 관통 구멍(71a)의 하반부의 내직경보다 크다. 그것에 의해, 관통 구멍(71a)의 내면에는 단차가 형성되어 있다. 액공급 용기(71)의 관통 구멍(71a)의 상반부에 노즐 수납 용기(73)가 수용되고, 단차에 의해 지지된다. 노즐 수납 용기(73)에는, 상하로 관통하는 노즐 수용 구멍(73a)이 형성되어 있다. 노즐 수용 구멍(73a)은, 상단으로부터 하단으로 점차 작아지는 내직경을 가진다. 노즐 블록(620)의 노즐(622)이 노즐 수납 용기(73)의 노즐 수용 구멍(73a) 내에 수용된다. 이 경우, 지지 블록(621)이 액공급 용기(71)의 상면에 지지된다.
액공급 용기(71)에는, 외면으로부터 내면으로 연장되도록 유로(711a, 711b)가 형성된다. 노즐 수납 용기(73)에는, 유로(731a, 732a) 및 복수의 유로(733a)가 서로 연통하도록 형성됨과 함께, 유로(731b, 732b) 및 복수의 유로(733b)가 서로 연통하도록 형성된다. 유로(732a) 및 유로(732b)는, 각각 노즐 수용 구멍(73a)을 둘러싸도록 환형으로 연장된다. 유로(731a)는, 유로(711a)와 연통하도록 노즐 수납 용기(73)의 외면으로부터 유로(732a)로 연장되고, 유로(731b)는, 유로(711b)와 연통하도록 노즐 수납 용기(73)의 외면으로부터 유로(732b)로 연장된다.
복수의 유로(733a)는, 방사형으로 늘어서도록 유로(732a)로부터 노즐 수용 구멍(73a)의 내면으로 각각 연장된다. 복수의 유로(733b)는, 방사형으로 늘어서도록 유로(732b)로부터 노즐 수용 구멍(73a)의 내면으로 각각 연장된다. 노즐 수용 구멍(73a)의 내면에 있어서, 유로(733a)가 토출구(OP1)로서 개구하고, 유로(733b)가 토출구(OP2)로서 개구한다. 복수의 토출구(OP1, OP2)는, 노즐 수용 구멍(73a) 내에 수용되는 노즐(622)의 외주면을 둘러싸듯이 각각 둘레 방향으로 늘어선다. 또, 복수의 토출구(OP1)는, 복수의 토출구(OP2)보다 윗쪽에 각각 위치한다.
액공급 용기(71)의 유로(711a)에는, 배관(421)이 접속된다. 배관(421)은, 배관(421a, 421b)으로 분기하여 세정액 공급원(741) 및 순수 공급원(742)으로 연장된다. 배관(421a, 421b)에는 밸브(V1, V2)가 각각 끼워 넣어진다. 밸브(V1, V2)가 선택적으로 열림으로써, 세정액 공급원(741) 및 순수 공급원(742)으로부터 세정액 및 순수가 유로(711a)에 선택적으로 이끌린다.
세정액은, 제2 제거액의 예이다. 세정액은 상술한 엣지 린스 노즐(613)로부터 토출되는 막 제거액과 동일한 액이며, 예를 들면 상기의 막 제거액이 세정액으로서 이용된다. 대기 포트(WP)에 공급되는 세정액과 도 3의 엣지 린스 노즐(613)에 공급되는 막 제거액이 동일한 경우, 공통의 세정액 공급원(741)으로부터 도 3의 엣지 린스 노즐(613) 및 대기 포트(WP)에 막 제거액 및 세정액이 각각 공급되어도 된다. 유로(711a)에 이끌린 세정액 또는 순수는, 유로(731a), 유로(732a)를 통하여 복수의 유로(733a)에 이끌리고, 복수의 토출구(OP1)로부터 노즐 수용 구멍(73a)에 수용된 노즐(622)의 외주면에 토출된다.
액공급 용기(71)의 유로(711b)에는, 배관(422)이 접속된다. 배관(422)은, 금속용 제거액 공급원(743)으로 연장된다. 배관(422)에는 밸브(V3)가 끼워 넣어진다. 밸브(V3)가 열림으로써, 금속용 제거액 공급원(743)으로부터 유로(711b)에 금속용 제거액이 이끌린다. 금속용 제거액은, 제1 제거액의 예이다. 금속용 제거액으로서, 알칼리성 제거액 또는 산성 제거액이 이용된다. 알칼리성 제거액은, 예를 들면 암모니아 및 과산화 수소를 포함하는 수용액이다. 알칼리성 제거액은, 예를 들면 TMAH여도 된다. 산성 제거액은, 예를 들면 희불산을 포함하는 수용액이다. 산성 제거액은, 예를 들면 황산 및 과산화 수소를 포함하는 수용액이어도 되고, 아세트산을 포함하는 수용액이어도 된다. 또, 금속용 제거액으로서 킬레이트제를 포함하는 수용액이 이용되어도 된다. 킬레이트제는, 유기산, 유기산의 염, 아미노산, 아미노산의 유도체, 무기 알칼리, 무기 알칼리의 염, 알킬아민, 알킬아민의 유도체, 알칸올아민 및 알칸올아민의 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택된 일종 또는 복수종을 포함해도 된다. 금속용 제거액은, 금속함유 도포액에 포함되는 금속 성분을 용해 제거 가능하다. 유로(711b)에 이끌린 금속용 제거액은, 유로(731b), 유로(732b)를 통하여 복수의 유로(733b)에 이끌리고, 복수의 토출구(OP2)로부터 노즐 수용 구멍(73a)에 수용된 노즐(622)의 외주면에 토출된다.
회수 용기(72)는, 관통 구멍(71a)에 연통하는 저류부(72a)를 가진다. 또, 회수 용기(72)에는 유로(72b)가 형성되고, 그 유로(72b)에 배관(423)이 접속된다. 유로(72b)를 통하여 저류부(72a) 내의 세정액 또는 금속용 제거액이 배관(423)에 이끌린다. 배관(423)은, 배관(423a, 423b)으로 분기하여 회수 탱크(TA1, TA2)로 연장된다. 배관(423a)에는 밸브(V4)가 끼워 넣어지고, 배관(423b)에는 밸브(V5)가 끼워 넣어진다. 배관(423, 423a, 423b), 회수 탱크(TA1, TA2) 및 밸브(V4, V5)에 의해 회수 유닛(400)이 구성된다. 밸브(V4, V5)가 선택적으로 열림으로써, 저류부(72a) 내의 세정액 및 금속용 제거액이 회수 탱크(TA1, TA2)에 선택적으로 이끌린다. 본 예에서는, 세정액이 회수 탱크(TA1)에 이끌리고, 금속용 제거액이 회수 탱크(TA2)에 이끌린다. 또, 저류부(72a) 내의 액체 등을 공장의 폐기 라인으로 이끌기 위한 배관(424)이 회수 용기(72)에 접속된다. 배관(424)에는 밸브(V6)가 끼워 넣어진다. 배관(424)은, 배관(423)으로부터 분기하도록 설치되어도 된다.
각 대기 포트(WP)에서, 미리 정해진 기간에, 대응하는 노즐 블록(620)의 노즐(622)의 세정 처리가 행해진다. 세정 처리가 행해지는 기간은, 예를 들면, 도포 처리 유닛(129)에 있어서 기판(W)의 처리가 일정시간 이상 휴지되는 기간이다.
도 5는, 노즐(622)의 세정 처리의 구체예에 대해서 설명하기 위한 도이다. 도 4의 밸브(V1~V6)는, 예를 들면, 후술하는 로컬 콘트롤러(LC1)(도 7)에 의해 제어된다. 우선, 도 4의 밸브(V1)가 열리고, 밸브(V2, V3)가 닫힌다. 또, 밸브(V4)가 열리고, 밸브(V5, V6)가 닫힌다.
이것에 의해, 도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 노즐 수납 용기(73)의 복수의 토출구(OP1)로부터 노즐(622)의 외주면에 세정액이 토출된다. 이 경우, 복수의 토출구(OP1)는, 노즐(622)의 외주면을 둘러싸도록 배치되므로, 노즐(622)의 외주면의 둘레 방향의 전체에 걸쳐 세정액이 공급된다. 이것에 의해, 노즐(622)에 부착되는 도포액 및 그 고화물 등이 용해되어, 노즐(622)로부터 제거된다.
또, 노즐(622)에 공급된 세정액은, 도 4의 회수 탱크(TA1)에 이끌린다. 이 경우, 노즐(622)로부터 제거된 금속함유 도포액 등의 오염물이 회수 탱크(TA1)에 이끌리는 것을 방지하기 위해, 세정액의 토출이 개시되고 나서의 일정 시간만 밸브(V4)가 닫히고 또한 밸브(V6)가 열려도 된다. 이것에 의해, 금속함유 도포액 등의 오염물은, 도 4의 배관(424)을 통하여 폐기된다.
세정액이 노즐(622)에 공급되어도, 금속함유 도포액에 함유되는 금속 성분이 충분히 제거되지 않고, 노즐(622) 상에 잔존할 가능성이 있다. 그래서, 다음에, 도 4의 밸브(V1, V2)가 닫히고, 밸브(V3)가 열린다. 또, 밸브(V5)가 열리고, 밸브(V4, V6)가 닫힌다.
이것에 의해, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 노즐 수납 용기(73)의 복수의 토출구(OP2)로부터 노즐(622)의 외주면에 금속용 제거액이 토출된다. 이 경우도, 복수의 토출구(OP2)는, 노즐(622)의 외주면을 둘러싸도록 배치되므로, 노즐(622)의 외주면의 둘레 방향의 전체에 걸쳐 금속용 제거액이 공급된다. 이것에 의해, 노즐(622)에 잔존하는 금속 성분이 용해되어, 노즐(622)로부터 제거된다.
또, 노즐(622)에 공급된 금속용 제거액은, 도 4의 회수 탱크(TA2)에 이끌린다. 이 경우, 저류부(72a)에 잔존하는 세정액 및 노즐(622)로부터 제거된 금속 성분 등이 회수 탱크(TA2)에 이끌리는 것을 방지하기 위해, 금속용 제거액의 토출이 개시되고 나서의 일정 시간만 밸브(V5)가 닫히고 또한 밸브(V6)가 열려도 된다. 이것에 의해, 저류부(72a) 내의 세정액 및 금속 성분 등은, 도 4의 배관(424)을 통하여 폐기된다.
다음에, 도 4의 밸브(V1, V3)가 닫히고, 밸브(V2)가 열린다. 또, 밸브(V4, V5)가 닫히고, 밸브(V6)가 열린다. 이것에 의해, 도 5(c)에 나타내는 바와 같이, 노즐 수납 용기(73)의 복수의 토출구(OP1)로부터 노즐(622)의 외주면에 순수가 토출되어, 노즐(622)에 부착되는 금속용 제거액이 씻어내어진다. 복수의 토출구(OP1)는, 복수의 토출구(OP2)보다 윗쪽에 위치하므로, 토출구(OP1)로부터 토출된 순수는, 토출구(OP2)로부터 토출된 금속용 제거액보다 노즐(622)의 외주면의 높이 위치에 도달하고, 또한 그 위치로부터 노즐(622)의 외주면을 타고 아래쪽으로 흐른다. 그것에 의해, 순수에 의해 금속용 제거액이 충분히 씻어내어져, 노즐(622)에 금속용 제거액이 잔존하는 것이 방지된다. 따라서, 금속용 제거액이 금속함유 도포액에 혼입되어 기판(W)에 공급되는 것이 방지된다.
또, 토출된 순수 및 씻어내어진 금속용 제거액은, 도 4의 배관(424)을 통하여 폐기된다. 이와 같이 하여, 노즐(622)이 청정화되고, 노즐(622)의 세정 처리가 종료된다.
노즐(622)로의 세정액, 금속용 제거액 또는 순수의 공급 시에, 석백 밸브 등을 이용하여, 세정액, 금속용 제거액 또는 순수가 노즐(622)의 내부에 흡인되어도 된다. 이 경우, 세정액, 금속용 제거액 또는 순수에 의해 노즐(622)의 내부를 세정할 수 있다.
각 노즐 블록(620)은, 기판(W) 상에 도포액을 토출하기 전에, 대응하는 대기 포트(WP)에서 예비 토출(프리디스펜스)을 행해도 된다. 예비 토출에 의해, 노즐(622) 내를 새로운 도포액으로 채울 수 있어, 그 새로운 도포액을 기판(W) 상에 토출할 수 있다. 또, 세정 처리 후에 예비 토출이 행해진 경우, 노즐(622) 내에 잔존하는 세정액 및 금속 제거액 등이 제거된다. 그것에 의해, 세정액 및 금속 제거액 등이 기판(W) 상에 토출되는 것이 방지된다.
도 5의 예에서는, 노즐(622)에 세정액, 금속용 제거액 및 순수가 순서대로 공급되지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 노즐(622)에 금속용 제거액이 공급된 후, 순수 대신에 세정액이 노즐(622)에 공급되어도 된다. 이 경우, 세정액에 의해 금속용 제거액을 씻어낼 수 있다. 또, 처음에 세정액이 아니라 금속용 제거액이 노즐(622)에 공급되고, 계속해서 세정액이 노즐(622)에 공급되어도 된다. 이 경우, 금속용 제거액에 의해 노즐(622)로부터 금속 성분이 제거된 후, 세정액에 의해 도포액 및 고화물 등이 노즐(622)로부터 제거되고, 또한 금속용 제거액이 씻어내어진다.
또, 도 4 및 도 5의 예에서는, 노즐(622)의 세정 처리에 1종류의 금속용 제거액 만이 이용되지만, 복수 종류의 금속용 제거액이 이용되어도 된다. 이 경우, 복수 종류의 금속용 제거액이 순서대로 노즐(622)에 공급되어도 되고, 어느 하나의 금속용 제거액이 선택적으로 노즐(622)에 공급되어도 된다.
도 6은, 회수 유닛(400)의 다른 구성예에 대해서 설명하기 위한 도이다. 도 6의 예에 대해서, 도 4의 예와 상이한 점을 설명한다. 도 6의 예에서는, 배관(423)이 분리 탱크(TA3)에 접속된다. 또, 분리 탱크(TA3)가 배관(423a, 423b)을 통하여 회수 탱크(TA1, TA2)에 접속된다. 이 경우, 대기 포트(WP)의 저류부(72a)로부터 세정액 및 금속용 제거액이 공통의 분리 탱크(TA3)에 이끌린다.
여기서, 세정액과 금속용 제거액은 서로 상이한 비중을 가지며, 금속용 제거액의 비중은 세정액의 비중보다 크다. 그 때문에, 분리 탱크(TA3) 내에 있어서는, 세정액의 층(LA1)과 금속용 제거액의 층(LA2)이 상하로 분리되도록 형성된다. 그래서, 분리 탱크(TA3)에는, 층(LA1)과 층(LA2)의 경계면을 검출하는 경계 검출부(BS)가 설치된다. 경계 검출부(BS)로서는, 예를 들면 정전 용량식의 액면 레벨 센서가 이용된다. 이 대신에, 플로트식, 광학식, 초음파식, 전도율식, 피에조 공진식 등의 다른 방식의 액면 레벨 센서가 경계 검출부(BS)로서 이용되어도 된다.
분리 탱크(TA3)에는, 층(LA1)과 층(LA2)의 경계면의 하한 높이(L1) 및 상한 높이(L2)가 설정된다. 상한 높이(L2)는 하한 높이(L1)보다 윗쪽에 위치한다. 분리 탱크(TA3)에는, 상한 높이(L2)보다 높은 위치에 배관(423a)이 부착되고, 하한 높이(L1)보다 낮은 위치에 배관(423b)이 부착된다.
예를 들면, 경계 검출부(BS)에 의해 검출되는 경계면의 높이가 하한 높이(L1) 미만인 경우, 밸브(V5)가 닫힌다. 이것에 의해, 세정액이 배관(423b)을 통하여 회수 탱크(TA2)에 이끌리는 것이 방지된다. 이 경우, 밸브(V4)는 열려도 되고, 닫혀져도 된다. 경계 검출부(BS)에 의해 검출되는 경계면의 높이가 하한 높이(L1) 이상이며 또한 상한 높이(L2) 미만인 경우, 밸브(V4, V5)가 열린다. 이것에 의해, 세정액 및 금속용 제거액이 배관(423a, 423b)을 통하여 회수 탱크(TA1, TA2)에 각각 이끌린다. 경계 검출부(BS)에 의해 검출되는 경계면의 높이가 상한 높이(L2) 이상인 경우, 밸브(V5)가 열리고, 밸브(V4)가 닫힌다. 이것에 의해, 금속용 제거액이 배관(423b)을 통하여 회수 탱크(TA2)에 이끌린다. 또, 금속용 제거액이 배관(423a)을 통하여 회수 탱크(TA1)에 이끌리는 것이 방지된다.
이와 같이, 도 6의 예에서는, 세정액 및 금속용 제거액의 비중에 의거하여, 사용이 완료된 세정액과 사용이 완료된 금속용 제거액이 분리된다. 이것에 의해, 세정액과 금속용 제거액을 분리하여 회수하는 것이 가능해진다. 이 경우, 사용자는, 세정액과 금속용 제거액을 분리하기 위한 작업을 행할 필요가 없다. 이것에 의해, 각 액의 회수 비용 및 폐기 비용을 저감할 수 있다.
(2-2) 현상 처리 유닛 및 세정 건조 처리 유닛
도 2에 나타내는 바와 같이, 현상 처리 유닛(139)은, 도포 처리 유닛(129)과 마찬가지로, 복수의 스핀 척(35) 및 복수의 컵(37)을 구비한다. 또, 도 1에 나타내는 바와 같이, 현상 처리 유닛(139)은, 현상액을 토출하는 2개의 슬릿 노즐(38) 및 그들 슬릿 노즐(38)을 X방향으로 이동시키는 이동 기구(39)를 구비한다.
현상 처리 유닛(139)에 있어서는, 도시하지 않은 구동 장치에 의해 스핀 척(35)이 회전된다. 그것에 의해, 기판(W)이 회전된다. 이 상태로, 슬릿 노즐(38)이 이동하면서 각 기판(W)에 현상액을 공급한다. 이것에 의해, 기판(W)의 현상 처리가 행해진다.
세정 건조 처리부(161)에는, 복수(본 예에서는 3개)의 세정 건조 처리 유닛(BSS)이 설치된다. 각 세정 건조 처리 유닛(BSS)에 있어서는, 유기용제 또는 순수를 이용하여 노광 처리 전의 기판(W)의 주연부 및 이면의 세정 및 건조 처리가 행해진다. 여기서, 이면이란 기판(W)의 피처리면과 반대측의 면을 말한다.
(3) 열 처리부
도 7은, 도 1의 열 처리부(123, 133) 및 세정 건조 처리부(162)의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 열 처리부(123)는, 윗쪽에 설치되는 상단 열 처리부(301) 및 아래쪽에 설치되는 하단 열 처리부(302)를 가진다. 상단 열 처리부(301) 및 하단 열 처리부(302)에는, 복수의 열처리 유닛(PHP), 복수의 밀착 강화 처리 유닛(PAHP) 및 복수의 냉각 유닛(CP)이 설치된다.
열 처리부(123)의 최상부에는 로컬 콘트롤러(LC1)가 설치된다. 로컬 콘트롤러(LC1)는, 도 1의 메인 콘트롤러(114)로부터의 지령에 의거하여, 도포 처리부(121)(도 1), 반송부(122)(도 1) 및 열 처리부(123)의 동작을 제어한다.
열처리 유닛(PHP)에 있어서는, 기판(W)의 가열 처리 및 냉각 처리가 행해진다. 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)에 있어서는, 기판(W)과 반사 방지막의 밀착성을 향상시키기 위한 밀착 강화 처리가 행해진다. 구체적으로는, 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)에 있어서, 기판(W)에 HMDS(헥사메틸디실라산) 등의 밀착 강화제가 도포됨과 함께, 기판(W)에 가열 처리가 행해진다. 냉각 유닛(CP)에 있어서는, 기판(W)의 냉각 처리가 행해진다.
열 처리부(133)는, 윗쪽에 설치되는 상단 열 처리부(303) 및 아래쪽에 설치되는 하단 열 처리부(304)를 가진다. 상단 열 처리부(303) 및 하단 열 처리부(304)에는, 냉각 유닛(CP) 및 복수의 열처리 유닛(PHP)이 설치된다.
열 처리부(133)의 최상부에는, 로컬 콘트롤러(LC2)가 설치된다. 로컬 콘트롤러(LC2)는, 도 1의 메인 콘트롤러(114)로부터의 지령에 의거하여, 현상 처리부(131)(도 1), 반송부(132)(도 1) 및 열 처리부(133)의 동작을 제어한다.
(4) 금속 제거 유닛
상기와 같이, 도 3의 스핀 척(611)에 의해 기판(W)이 회전된 상태로, 엣지 린스 노즐(613)로부터 기판(W)의 주연부에 막 제거액이 토출됨으로써, 기판(W)의 주연부에 도포된 도포액이 용해된다. 그것에 의해, 기판(W)의 주연부의 금속함유 도포막이 제거된다. 그러나, 기판(W)의 주연부에는 금속함유 도포액에 함유되어 있던 금속 성분이 잔존하고 있을 가능성이 있다. 또, 기판(W)의 이면에 금속함유 도포액이 돌아들어간 경우에는, 기판(W)의 이면에는 금속함유 도포액에 함유되어 있던 금속 성분이 잔존하고 있다.
기판(W)의 주연부 또는 이면에 금속 성분이 부착된 상태로 기판(W)이 기판 처리 장치(100) 내에서 반송되면, 기판 처리 장치(100)의 내부 및 노광 장치(15)의 내부에 금속 성분에 의한 오염이 발생한다. 그래서, 세정 건조 처리부(162)에는, 노광 처리 전의 기판(W)의 주연부 및 이면에 부착된 금속 성분을 제거하는 복수(본 예에서는 6개)의 금속 제거 유닛(MR)이 설치된다.
본 예에서는, 3개의 금속 제거 유닛(MR)과 나머지 3개의 금속 제거 유닛(MR)에서는, 상이한 금속용 제거액이 이용된다. 이 경우, 금속함유 도포액에 함유된 금속 성분의 종류에 따라, 적합한 금속 제거 유닛(MR)에 의해 기판(W)의 주연부 및 이면에 부착된 금속 성분을 제거할 수 있다.
도 8은, 금속 제거 유닛(MR)의 제1 구성예를 나타내는 도이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 금속 제거 유닛(MR)에는, 모터(1), 스핀 척(3), 컵(4), 2개의 이면 세정 노즐(7), 주연부 세정 노즐(8) 및 기체 공급부(9)가 설치된다. 스핀 척(3)은, 연직축 둘레에서 회전 가능하게 모터(1)의 회전축(2)의 상단에 부착된다. 컵(4)은, 스핀 척(3)에 유지된 기판(W)의 주위를 둘러싸도록 배치된다. 컵(4)의 하부에는 배기부(5) 및 배액부(6)가 형성된다.
2개의 이면 세정 노즐(7)은, 스핀 척(3)에 의해 유지된 기판(W)의 이면을 향하도록 배치된다. 이면 세정 노즐(7)로부터 기판(W)의 이면에 금속용 제거액이 토출된다. 주연부 세정 노즐(8)은, 스핀 척(3)에 의해 유지된 기판(W)의 주연부를 향하도록 배치된다. 주연부 세정 노즐(8)로부터 기판(W)의 주연부에 금속용 제거액이 토출된다.
기체 공급부(9)는, 스핀 척(3)에 의해 유지된 기판(W)의 대략 중앙부의 윗쪽에 배치된다. 기체 공급부(9)로부터 기판(W)의 피처리면의 대략 중앙부에 불활성 가스, 예를 들면 질소 가스가 분출된다. 이 경우, 기체 공급부(9)로부터 분출되는 기체는, 기판(W)의 피처리면의 대략 중앙부에 확산된다. 이것에 의해, 주연부 세정 노즐(8)로부터 토출되는 금속용 제거액이 기판(W)의 피처리면에 형성된 도포막에 부착되는 것이 방지된다.
도 9는, 금속 제거 유닛(MR)의 제2 구성예를 나타내는 도이다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 제2 구성예에 있어서의 금속 제거 유닛(MR)에는, 도 8의 주연부 세정 노즐(8) 및 기체 공급부(9) 대신에 기액 공급 노즐(10)이 설치된다. 기액 공급 노즐(10)은, 수평 방향으로 늘어선 액체 노즐(10a) 및 기체 노즐(10b)을 포함한다. 기액 공급 노즐(10)은, 스핀 척(3)에 의해 유지된 기판(W)의 주연부를 향하도록 배치된다. 여기서, 기체 노즐(10b)은, 액체 노즐(10a)보다 기판(W)의 중심의 가까이에 배치된다.
액체 노즐(10a)로부터 기판(W)의 주연부에 금속용 제거액이 토출된다. 기체 노즐(10b)로부터 기판(W)의 주연부에 불활성 가스, 예를 들면 질소 가스가 분출된다. 이 경우, 기체 노즐(10b)로부터 기체가 분출되는 기판(W)의 위치는, 액체 노즐(10a)로부터 금속용 제거액이 토출되는 위치보다 기판(W)의 중심에 가깝다. 그 때문에, 액체 노즐(10a)로부터 토출되는 금속용 제거액은, 기체 노즐(10b)로부터 분출되는 기체에 의해 기판(W)의 중심을 향하는 것이 방해된다. 이것에 의해, 액체 노즐(10a)로부터 토출되는 금속용 제거액이 기판(W)의 피처리면에 형성된 도포막에 부착되는 것이 방지된다.
도 8 및 도 9의 금속 제거 유닛(MR)에 있어서는, 주연부 세정 노즐(8) 또는 액체 노즐(10a)로부터 기판(W)의 주연부에 금속용 제거액이 공급되므로, 기판(W)의 주연부에 있어서의 금속함유 도포막 중의 금속 성분이 용해되어, 기판(W)의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속함유 도포막이 잔존한다. 또, 이면 세정 노즐(7)로부터 기판(W)의 이면에 금속용 제거액이 공급되므로, 금속함유 도포액이 기판(W)의 이면으로 돌아들어간 경우에도, 이면의 기판(W)의 이면에 부착된 금속함유 도포액 중의 금속 성분이 제거된다.
또, 본 예에서는, 열 처리부(123)에 의해 금속함유 도포막이 경화된 후의 기판(W)이 금속 제거 유닛(MR)에 반송되므로, 금속 제거 유닛(MR)에 있어서 기체 공급부(9) 또는 기체 노즐(10b)로부터 기판(W)에 기체가 토출되어도 금속함유 도포막의 막두께에 영향을 주지 않는다. 이러한 결과, 기판(W)의 피처리면에 금속함유 도포막을 균일한 두께로 형성할 수 있다.
(5) 반송부
도 10은, 반송부(122, 132, 163)의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 반송부(122)는, 상단 반송실(125) 및 하단 반송실(126)을 가진다. 반송부(132)는, 상단 반송실(135) 및 하단 반송실(136)을 가진다. 상단 반송실(125)에는 반송 기구(127)가 설치되며, 하단 반송실(126)에는 반송 기구(128)가 설치된다. 또, 상단 반송실(135)에는 반송 기구(137)가 설치되며, 하단 반송실(136)에는 반송 기구(138)가 설치된다.
도포 처리실(21, 22)(도 2)과 상단 열 처리부(301)(도 7)는 상단 반송실(125)을 사이에 두고 대향하며, 도포 처리실(23, 24)(도 2)과 하단 열 처리부(302)(도 7)는 하단 반송실(126)을 사이에 두고 대향한다. 마찬가지로, 현상 처리실(31, 32)(도 2)과 상단 열 처리부(303)(도 7)는 상단 반송실(135)를 사이에 두고 대향하며, 현상 처리실(33, 34)(도 2)과 하단 열 처리부(304)(도 7)는 하단 반송실(136)을 사이에 두고 대향한다.
반송부(112)와 상단 반송실(125) 사이에는, 기판 재치부(PASS1, PASS2)가 설치되며, 반송부(112)와 하단 반송실(126) 사이에는, 기판 재치부(PASS3, PASS4)가 설치된다. 상단 반송실(125)과 상단 반송실(135) 사이에는, 기판 재치부(PASS5, PASS6)가 설치되며, 하단 반송실(126)과 하단 반송실(136) 사이에는, 기판 재치부(PASS7, PASS8)가 설치된다.
상단 반송실(135)과 반송부(163) 사이에는, 재치겸 버퍼부(P-BF1)가 설치되며, 하단 반송실(136)과 반송부(163) 사이에는 재치겸 버퍼부(P-BF2)가 설치된다. 반송부(163)에 있어서 반입 반출 블록(14B)과 인접하도록, 기판 재치부(PASS9), 복수의 엣지 노광부(EEW) 및 복수의 재치겸 냉각부(P-CP)가 설치된다.
재치겸 버퍼부(P-BF1)는, 반송 기구(137) 및 반송 기구(141, 142)(도 1)에 의한 기판(W)의 반입 및 반출이 가능하게 구성된다. 재치겸 버퍼부(P-BF2)는, 반송 기구(138) 및 반송 기구(141, 142)(도 1)에 의한 기판(W)의 반입 및 반출이 가능하게 구성된다. 또, 기판 재치부(PASS9), 엣지 노광부(EEW) 및 재치겸 냉각부(P-CP)는, 반송 기구(141, 142)(도 1) 및 반송 기구(146)에 의한 기판(W)의 반입 및 반출이 가능하게 구성된다.
엣지 노광부(EEW)에 있어서는, 기판(W)의 주연부의 노광 처리(엣지 노광 처리)가 행해진다. 기판(W)에 엣지 노광 처리가 행해짐으로써, 후의 현상 처리 시에, 기판(W)의 주연부 상의 레지스트막이 제거된다. 그것에 의해, 현상 처리 후에 있어서, 기판(W)의 주연부가 다른 부분과 접촉한 경우에, 기판(W)의 주연부 상의 레지스트막이 박리되어 파티클이 되는 것이 방지된다.
기판 재치부(PASS1) 및 기판 재치부(PASS3)에는, 인덱서 블록(11)으로부터 제1 처리 블록(12)으로 반송되는 기판(W)이 재치되고, 기판 재치부(PASS2) 및 기판 재치부(PASS4)에는, 제1 처리 블록(12)으로부터 인덱서 블록(11)으로 반송되는 기판(W)이 재치된다.
기판 재치부(PASS5) 및 기판 재치부(PASS7)에는, 제1 처리 블록(12)으로부터 제2 처리 블록(13)으로 반송되는 기판(W)이 재치되고, 기판 재치부(PASS6) 및 기판 재치부(PASS8)에는, 제2 처리 블록(13)으로부터 제1 처리 블록(12)으로 반송되는 기판(W)이 재치된다.
재치겸 버퍼부(P-BF1, P-BF2)에는, 제2 처리 블록(13)으로부터 세정 건조 처리 블록(14A)으로 반송되는 기판(W)이 재치되고, 재치겸 냉각부(P-CP)에는, 세정 건조 처리 블록(14A)으로부터 반입 반출 블록(14B)으로 반송되는 기판(W)이 재치되고, 기판 재치부(PASS9)에는, 반입 반출 블록(14B)으로부터 세정 건조 처리 블록(14A)으로 반송되는 기판(W)이 재치된다.
다음에, 반송 기구(127)에 대해서 설명한다. 도 11은, 반송 기구(127)를 나타내는 사시도이다. 도 10 및 도 11에 나타내는 바와 같이, 반송 기구(127)는, 장척형의 가이드 레일(311, 312)을 구비한다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 가이드 레일(311)은, 상단 반송실(125) 내에 있어서 상하 방향으로 연장되도록 반송부(112)측에 고정된다. 가이드 레일(312)은, 상단 반송실(125) 내에 있어서 상하 방향으로 연장되도록 상단 반송실(135)측에 고정된다.
가이드 레일(311)과 가이드 레일(312) 사이에는, 장척형의 가이드 레일(313)이 설치된다. 가이드 레일(313)은, 상하 운동 가능하게 가이드 레일(311, 312)에 부착된다. 가이드 레일(313)에 이동 부재(314)가 부착된다. 이동 부재(314)는, 가이드 레일(313)의 길이 방향으로 이동 가능하게 설치된다.
이동 부재(314)의 상면에는, 장척형의 회전 부재(315)가 회전 가능하게 설치된다. 회전 부재(315)에는, 기판(W)의 외주부를 유지하기 위한 핸드(H1, H2, H3)가 부착된다. 핸드(H1~H3)는, 회전 부재(315)의 길이 방향으로 이동 가능하게 설치된다. 핸드(H1)는 핸드(H2)보다 윗쪽에 배치되고, 핸드(H2)는 핸드(H3)보다 윗쪽에 배치된다.
상기와 동일한 구성에 의해, 반송 기구(127)는, 상단 반송실(125) 내에 있어서 X방향 및 Z방향으로 자유롭게 이동할 수 있다. 또, 핸드(H1~H3)를 이용하여 도포 처리실(21, 22)(도 2), 기판 재치부(PASS1, PASS2, PASS5, PASS6)(도 10) 및 상단 열 처리부(301)(도 7)에 대해 기판(W)의 수도(受渡)를 행할 수 있다.
또한, 도 10에 나타내는 바와 같이, 반송 기구(128, 137, 138)는 반송 기구(127)와 동일한 구성을 가진다. 또, 본 실시의 형태에 있어서는, 도 1의 반송 기구(142)는, 반송 기구(127)와 동일한 3개의 핸드(H1~H3)를 가진다.
(6) 기판 처리
도 1, 도 2, 도 7 및 도 10을 참조하면서 기판 처리를 설명한다. 인덱서 블록(11)의 캐리어 재치부(111)(도 1)에는, 미처리 기판(W)이 수용된 캐리어(113)가 재치된다. 반송 기구(115)는, 캐리어(113)로부터 기판 재치부(PASS1, PASS3)(도 10)에 미처리 기판(W)을 반송한다. 또, 반송 기구(115)는, 기판 재치부(PASS2, PASS4)(도 10)에 재치된 처리가 완료된 기판(W)을 캐리어(113)에 반송한다.
제1 처리 블록(12)에 있어서, 반송 기구(127)(도 10)는, 중단 및 하단의 핸드(H2, H3)를 이용하여 기판 재치부(PASS1)에 재치된 미처리 기판(W)을 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)(도 7), 냉각 유닛(CP)(도 7) 및 도포 처리실(22)(도 2)에 순서대로 반송한다. 다음에, 반송 기구(127)는, 핸드(H2, H3)를 이용하여 도포 처리실(22)의 기판(W)을, 열처리 유닛(PHP)(도 7), 냉각 유닛(CP)(도 7), 도포 처리실(21)(도 2), 열처리 유닛(PHP)(도 7) 및 기판 재치부(PASS5)(도 10)에 순서대로 반송한다.
이 경우, 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)에 있어서, 기판(W)에 밀착 강화 처리가 행해진 후, 냉각 유닛(CP)에 있어서, 반사 방지막의 형성에 적합한 온도로 기판(W)이 냉각된다. 다음에, 도포 처리실(22)에 있어서, 도포 처리 유닛(129)(도 2)에 의해 기판(W) 상에 반사 방지막이 형성된다. 계속해서, 열처리 유닛(PHP)에 있어서, 기판(W)의 열처리가 행해진 후, 냉각 유닛(CP)에 있어서, 레지스트막의 형성에 적합한 온도로 기판(W)이 냉각된다. 다음에, 도포 처리실(21)에 있어서, 도포 처리 유닛(129)(도 2)에 의해, 기판(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후, 열처리 유닛(PHP)에 있어서, 기판(W)의 열처리가 행해지고, 그 기판(W)이 기판 재치부(PASS5)에 재치된다.
또, 반송 기구(127)는, 상단의 핸드(H1)를 이용하여 기판 재치부(PASS6)(도 10)에 재치된 현상 처리 후의 기판(W)을 기판 재치부(PASS2)(도 10)에 반송한다.
반송 기구(128)(도 10)는, 중단 및 하단의 핸드(H2, H3)를 이용하여 기판 재치부(PASS3)에 재치된 미처리 기판(W)을 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)(도 7), 냉각 유닛(CP)(도 7) 및 도포 처리실(24)(도 2)에 순서대로 반송한다. 다음에, 반송 기구(128)는, 핸드(H2, H3)를 이용하여 도포 처리실(24)의 기판(W)을, 열처리 유닛(PHP)(도 7), 냉각 유닛(CP)(도 7), 도포 처리실(23)(도 2), 열처리 유닛(PHP)(도 7) 및 기판 재치부(PASS7)(도 10)에 순서대로 반송한다.
또, 반송 기구(128)(도 10)는, 상단의 핸드(H1)를 이용하여 기판 재치부(PASS8)(도 10)에 재치된 현상 처리 후의 기판(W)을 기판 재치부(PASS4)(도 10)에 반송한다. 도포 처리실(23, 24)(도 2) 및 하단 열 처리부(302)(도 7)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용은, 상기의 도포 처리실(21, 22)(도 2) 및 상단 열 처리부(301)(도 7)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용과 각각 동일하다.
제2 처리 블록(13)에 있어서, 반송 기구(137)(도 10)는, 하단의 핸드(H3)를 이용하여 기판 재치부(PASS5)에 재치된 레지스트막 형성 후의 기판(W)을 재치겸 버퍼부(P-BF1)(도 10)에 반송한다.
또, 반송 기구(137)(도 10)는, 상단 및 중단의 핸드(H1, H2)를 이용하여 세정 건조 처리 블록(14A)에 인접하는 열처리 유닛(PHP)(도 7)으로부터 노광 처리 후이며 또한 열처리 후의 기판(W)을 취출한다. 반송 기구(137)는, 핸드(H1, H2)를 이용하여 그 기판(W)을 냉각 유닛(CP)(도 7), 현상 처리실(31, 32)(도 2) 중 어느 한 쪽, 열처리 유닛(PHP)(도 7) 및 기판 재치부(PASS6)(도 10)에 순서대로 반송한다.
이 경우, 냉각 유닛(CP)에 있어서, 현상 처리에 적합한 온도로 기판(W)이 냉각된 후, 현상 처리실(31, 32) 중 어느 한 쪽에 있어서, 현상 처리 유닛(139)에 의해 기판(W)의 현상 처리가 행해진다. 그 후, 열처리 유닛(PHP)에 있어서, 기판(W)의 열처리가 행해지고, 그 기판(W)이 기판 재치부(PASS6)에 재치된다.
반송 기구(138)(도 10)는, 하단의 핸드(H3)를 이용하여 기판 재치부(PASS7)에 재치된 레지스트막 형성 후의 기판(W)을 재치겸 버퍼부(P-BF2)(도 10)에 반송한다.
또, 반송 기구(138)(도 10)는, 상단 및 중단의 핸드(H1, H2)를 이용하여 인터페이스 블록(14)에 인접하는 열처리 유닛(PHP)(도 7)으로부터 노광 처리 후이며 또한 열처리 후의 기판(W)을 취출한다. 반송 기구(138)는, 핸드(H1, H2)를 이용하여 그 기판(W)을 냉각 유닛(CP)(도 7), 현상 처리실(33, 34)(도 2) 중 어느 한 쪽, 열처리 유닛(PHP)(도 7) 및 기판 재치부(PASS8)(도 10)에 순서대로 반송한다. 현상 처리실(33, 34) 및 하단 열 처리부(304)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용은, 상기의 현상 처리실(31, 32) 및 상단 열 처리부(303)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용과 각각 동일하다.
세정 건조 처리 블록(14A)에 있어서, 반송 기구(142)(도 1)는, 하단의 핸드(H3)를 이용하여 재치겸 버퍼부(P-BF1, P-BF2)(도 10)에 재치된 기판(W)을 금속 제거 유닛(MR)(도 7)에 반송한다. 또, 반송 기구(142)는, 상단 및 중단의 핸드(H1, H2)를 이용하여, 금속 제거 유닛(MR)의 기판(W)을 재치겸 버퍼부(P-BF1)(도 10) 또는 재치겸 버퍼부(P-BF2)(도 10)에 반송한다. 반송 기구(141)(도 1)는, 금속 제거 유닛(MR)으로부터 재치겸 버퍼부(P-BF1, P-BF2)에 반송된 기판을 세정 건조 처리 유닛(BSS)(도 2), 엣지 노광부(EEW) 및 재치겸 냉각부(P-CP)(도 10)에 순서대로 반송한다.
이 경우, 금속 제거 유닛(MR)에 있어서, 기판(W)의 주연부 및 이면에 잔존하는 금속 성분의 제거가 행해진다. 또, 세정 건조 처리 유닛(BSS)에 있어서, 기판(W)의 주연부 및 이면의 세정 및 건조 처리가 행해진다. 계속해서, 엣지 노광부(EEW)에 있어서 기판(W)의 엣지 노광 처리가 행해진다. 그 후, 재치겸 냉각부(P-CP)에 있어서 노광 장치(15)(도 1)에 의한 노광 처리에 적합한 온도로 기판(W)이 냉각된다.
또, 반송 기구(142)(도 1)는, 기판 재치부(PASS9)(도 10)에 재치된 노광 처리 후의 기판(W)을 상단 열 처리부(303) 또는 하단 열 처리부(304)의 열처리 유닛(PHP)(도 7)에 반송한다. 이 경우, 열처리 유닛(PHP)에 있어서 노광 후 베이크(PEB) 처리가 행해진다.
반입 반출 블록(14B)에 있어서, 반송 기구(146)(도 1)는, 재치겸 냉각부(P-CP)(도 10)에 재치된 노광 처리 전의 기판(W)을 노광 장치(15)(도 1)의 기판 반입부에 반송한다. 또, 반송 기구(146)는, 노광 장치(15)의 기판 반출부로부터 노광 처리 후의 기판(W)을 취출하고, 그 기판(W)을 기판 재치부(PASS9)(도 10)에 반송한다. 노광 장치(15)에 있어서는, 극히 짧은 파장을 가지는 EUV에 의해 기판(W)에 노광 처리가 행해진다. 이 경우, 기판(W) 상의 도포막에 금속 성분이 함유되어 있으므로, EUV광의 흡수가 효율적으로 행해짐으로써, 미세한 노광 패턴을 높은 해상도로 형성할 수 있다. 또한, 노광 방법은 이것에 한정되지 않고, 다른 방법에 의해 기판(W)에 노광 처리가 행해져도 된다.
상기의 기판(W)의 반송에 의하면, 금속 성분이 제거되기 전의 기판(W)과 금속 성분이 제거된 후의 기판(W)이 반송 기구(127, 128, 137, 138, 142)가 상이한 핸드에 의해 유지된다. 이것에 의해, 금속 성분이 제거된 후의 기판(W)에 반송 기구(127, 128, 137, 138, 142)의 핸드를 통하여 금속 성분이 부착되는 것이 방지된다. 이것에 의해, 반송 기구를 통한 금속 오염의 확대가 방지된다.
(7) 효과
본 실시의 형태에 관련된 기판 처리 장치(100)에 있어서는, 도포 처리 유닛(129)의 노즐(622)에 세정액 및 금속용 제거액이 공급됨으로써 노즐(622)의 세정 처리가 행해진다. 그것에 의해, 노즐(622)에 부착되는 도포액 및 그 고화물이 제거됨과 함께, 노즐(622)에 잔류하는 금속 성분이 제거된다. 따라서, 노즐(622)로부터 금속 성분이 확산되는 것이 방지된다. 그 결과, 기판(W), 기판 처리 장치(100) 및 노광 장치(15)의 내부가 금속에 의해 오염되는 것이 방지된다.
(8) 대기 포트(WP)의 다른 예
도 12는, 대기 포트(WP)의 다른 예에 대해서 설명하기 위한 도이다. 도 12의 대기 포트(WP)에 대해서, 도 4의 예와 상이한 점을 설명한다.
도 12의 대기 포트(WP)에서는, 액공급 용기(71)의 유로(711a) 및 노즐 수납 용기(73)의 유로(731a, 732a, 733a)가 형성되지 않는다. 또, 배관(422)이 배관(422a, 422b, 422c)으로 분기하고, 이들 배관(422a, 422b, 422c)이 세정액 공급원(741), 순수 공급원(742) 및 금속용 제거액 공급원(743)에 각각 접속된다. 밸브(V1, V2, V3)는, 배관(422a, 422b, 422c)에 각각 끼워 넣어진다. 밸브(V1, V2, V3)가 선택적으로 열림으로써, 세정액 공급원(741), 순수 공급원(742) 및 금속용 제거액 공급원(743)으로부터 상술한 세정액, 순수 및 금속용 제거액이 선택적으로 유로(711b)에 이끌린다. 이것에 의해, 공통의 복수의 토출구(OP2)로부터 노즐(622)에 세정액, 순수 및 금속용 제거액이 각각 토출된다.
본 예에 있어서도, 세정액이 노즐(622)에 토출됨으로써, 노즐(622)에 부착되는 도포액 및 그 고화물 등이 제거된다. 또, 금속용 제거액이 노즐(622)에 토출됨으로써, 노즐(622)에 잔존하는 금속 성분이 제거된다. 또, 순수가 노즐(622)에 토출됨으로써, 노즐(622)에 부착되는 금속용 제거액이 씻어내어진다. 이것에 의해, 노즐(622)을 청정화할 수 있다. 또, 도 4의 예와 비교해, 대기 포트(WP)의 구성이 간단해진다.
또한, 노즐(622)의 세정 처리 시에, 도 3의 노즐 반송 기구(60)에 의해 노즐(622)이 승강되어도 된다. 예를 들면, 세정액 및 순수가 토출되는 기간에는, 노즐(622)이 제1 높이에 유지되고, 금속용 제거액이 토출되는 기간에는, 노즐(622)이 제1 높이보다 높은 제2 높이에 유지되어도 된다. 이 경우, 도 5의 예와 마찬가지로, 노즐(622)의 외주면 상에 있어서, 금속용 제거액이 공급되는 영역보다 순수가 공급되는 영역이 넓어진다. 그것에 의해, 순수에 의해 금속용 제거액이 충분히 씻어내어져, 노즐(622)에 금속용 제거액이 잔존하는 것이 방지된다.
또, 상기와 같이, 노즐(622)에 금속용 제거액이 공급된 후, 순수 대신에 세정액이 공급되어도 된다. 또, 처음에 금속용 제거액이 노즐(622)에 공급되고, 그 후에 세정액이 노즐(622)에 공급되어도 된다. 또, 복수 종류의 금속용 제거액이 이용되어도 된다. 또, 도 12의 예에서는, 도 4의 회수 유닛(400)이 이용되지만, 이 대신에, 도 6의 회수 유닛(400)이 이용되어도 된다.
혹은, 도포액을 용해시키는 성질을 가지는 금속용 제거액이 유로(711b)에 공급되어도 된다. 이 경우, 노즐(622)에 금속용 제거액이 공급됨으로써, 노즐(622)로부터 도포액 및 고화물이 제거되고, 동시에 금속 성분이 제거된다. 이것에 의해, 간단한 구성으로 효율적으로 노즐(622)을 청정화할 수 있다.
(9) 스핀 유닛의 다른 예
도 13은, 스핀 유닛(61)의 다른 예에 대해서 설명하기 위한 모식적 측면도이다. 도 13의 스핀 유닛(61)에 대해서, 도 3의 스핀 유닛(61)과 상이한 점을 설명한다.
도 13의 스핀 유닛(61)은, 도 3의 구성에 더하여, 엣지 린스 노즐(614) 및 백 린스 노즐(615, 616)을 더 구비한다. 엣지 린스 노즐(614)은, 엣지 린스 노즐(613)과 마찬가지로, 스핀 척(611)에 의해 유지된 기판(W)의 피처리면의 주연부를 향하도록 배치된다. 백 린스 노즐(615, 616)은, 스핀 척(611)에 의해 유지된 기판(W)의 이면을 향하도록 배치된다. 스핀 척(611)은, 모터(611a)의 회전축의 상단부에 설치된다.
엣지 린스 노즐(613, 614)에는, 공급 배관(613p, 614p)이 각각 접속된다. 공급 배관(613p, 614p)에는, 각각 공급 밸브(613v, 614v)가 끼워 넣어진다. 백 린스 노즐(615, 616)에는, 각각 공급 배관(615p, 616p)이 접속된다. 공급 배관(615p, 616p)에는, 각각 공급 밸브(615v, 616v)가 끼워 넣어진다.
엣지 린스 노즐(613) 및 백 린스 노즐(615)에는, 공급 배관(613p, 615p)을 통하여 막 제거액이 공급되고, 엣지 린스 노즐(614) 및 백 린스 노즐(616)에는, 공급 배관(614p, 616p)을 통하여 금속용 제거액이 공급된다. 본 예에 있어서, 막 제거액 및 금속용 제거액이 제3 제거액의 예이며, 막 제거액이 제4 제거액의 예이며, 금속용 제거액이 제5 제거액의 예이다.
기판(W) 상에 금속함유 도포막이 형성된 후, 스핀 척(611)에 의해 기판(W)이 회전된 상태로, 엣지 린스 노즐(613)로부터 기판(W)의 주연부에 막 제거액이 토출됨과 함께, 백 린스 노즐(615)로부터 기판(W)의 이면에 막 제거액이 토출된다. 이 경우, 기판(W)의 주연부 및 이면에 도포된 도포액이 용해되어 제거된다.
그 후, 스핀 척(611)에 의해 기판(W)이 회전된 상태로, 엣지 린스 노즐(614)로부터 기판(W)의 주연부에 금속용 제거액이 토출됨과 함께, 백 린스 노즐(616)로부터 기판(W)의 이면에 금속용 제거액이 토출된다. 이 경우, 기판(W)의 주연부 및 이면에 잔존한 금속 성분이 용해되어 제거된다.
이와 같이, 도 13의 스핀 유닛(61)에 있어서는, 기판(W) 상에 금속함유 도포막이 형성됨과 함께, 기판(W)의 주연부 및 이면으로부터 도포액 및 금속 성분이 제거되므로, 기판(W)을 금속 제거 유닛(MR)에 반송할 필요가 없다. 그 때문에, 기판(W)의 반송 시간을 단축할 수 있어, 스루풋을 높일 수 있다. 또, 금속 제거 유닛(MR)을 설치하지 않아도 되기 때문에, 기판 처리 장치(100)의 소형화 및 장치 비용의 삭감이 가능해진다.
또한, 본 예에서는, 막 제거액을 토출하는 엣지 린스 노즐(613)과 금속용 제거액을 토출하는 엣지 린스 노즐(614)이 별개로 설치되지만, 막 제거액과 금속용 제거액을 선택적으로 토출하는 공통의 엣지 린스 노즐이 설치되어도 된다. 마찬가지로, 막 제거액과 금속용 제거액을 선택적으로 토출하는 공통의 백 린스 노즐이 설치되어도 된다. 혹은, 금속용 제거액이 도포액을 용해시키는 성질을 가져도 된다. 이 경우, 엣지 린스 노즐(613) 및 백 린스 노즐(615)이 설치되지 않아도 된다.
스핀 유닛(61)에는, 회수 유닛(61A)이 설치된다. 회수 유닛(61A)은, 회수 배관(DR), 회수 밸브(DRv1, DRv2) 및 회수 탱크(RTa, RTb)를 포함한다. 컵(612)의 배액부에 회수 배관(DR)이 접속된다. 회수 배관(DR)은, 하류에 있어서 2개의 분기 배관(DRa, DRb)으로 분기한다. 분기 배관(DRa, DRb)에는, 회수 밸브(DRv1, DRv2)가 각각 끼워 넣어진다. 분기 배관(DRa, DRb)은, 각각 회수 탱크(RTa, RTb)에 접속된다.
공급 밸브(613v~616v) 및 회수 밸브(DRv1, DRv2)는, 예를 들면, 도 7의 로컬 콘트롤러(LC1)에 의해 제어된다. 우선, 공급 밸브(613v~616v) 및 회수 밸브(DRv2)가 닫히고, 회수 밸브(DRv1)가 열린 후, 공급 밸브(615v, 613v)가 순차로 개방된다. 이것에 의해, 백 린스 노즐(615) 및 엣지 린스 노즐(613)로부터 기판(W)의 이면 및 주연부에 각각 막 제거액이 순차로 토출된다.
기판(W)에 토출된 막 제거액은 기판(W)의 회전에 의해 흩뿌려져, 컵(612)의 배액부로부터 회수 배관(DR)을 통하여 하류에 이끌린다. 이 경우, 분기 배관(DRa)의 회수 밸브(DRv1)는 열리고, 분기 배관(DRb)의 회수 밸브(DRv2)는 닫혀 있기 때문에, 막 제거액은, 분기 배관(DRa)을 통하여 회수 탱크(RTa)에 회수된다. 그 후, 공급 밸브(613v, 615v)가 순차로 닫힘으로써, 엣지 린스 노즐(613) 및 백 린스 노즐(615)로부터 기판(W)으로의 막 제거액의 토출이 순차로 정지된다.
계속해서, 공급 밸브(616v, 614v)가 순차로 열린다. 이것에 의해, 백 린스 노즐(616) 및 엣지 린스 노즐(614)로부터 기판(W)의 이면 및 주연부에 각각 금속용 제거액이 순차로 토출된다. 또, 회수 밸브(DRv1)가 닫힘과 함께, 회수 밸브(DRv2)가 열린다.
기판(W)에 토출된 금속용 제거액은 기판(W)의 회전에 의해 흩뿌려져, 컵(612)의 배액부로부터 회수 배관(DR)을 통하여 하류에 이끌린다. 이 경우, 분기 배관(DRb)의 회수 밸브(DRv2)는 열리고, 분기 배관(DRa)의 회수 밸브(DRv1)는 닫혀 있기 때문에, 금속용 제거액은, 분기 배관(DRb)을 통하여 회수 탱크(RTb)에 회수된다. 그 후, 공급 밸브(613v), 공급 밸브(616v)가 순차로 닫힘으로써, 엣지 린스 노즐(614) 및 백 린스 노즐(616)로부터 기판(W)으로의 금속용 제거액의 토출은 순차로 정지된다.
이와 같이, 본 예에서는, 막 제거액 및 금속용 제거액이 토출되는 기간에 의거하여, 사용이 완료된 막 제거액과 사용이 완료된 금속용 제거액이 분리된다. 이것에 의해, 거의 모든 사용이 완료된 막 제거액이 회수 탱크(RTa)에 회수되고, 거의 모든 사용이 완료된 금속용 제거액이 회수 탱크(RTb)에 회수된다. 이 경우, 사용자는, 막 제거액과 금속용 제거액을 분리하기 위한 작업을 행할 필요가 없다. 이것에 의해, 제거액의 회수 비용 및 폐기 비용을 저감할 수 있다. 또한, 도 3의 노즐 블록(620)으로부터 토출되는 금속함유 도포액을 회수하기 위한 회수 탱크가 별도 설치되어도 된다.
상기의 대기 포트(WP)에 공급되는 세정액이, 스핀 유닛(61)에 공급되는 막 제거액과 동일한 경우, 도 4, 도 6 또는 도 12의 회수 탱크(TA1)가 회수 탱크(RTa)로서 이용되어도 된다. 또, 대기 포트(WP)에 공급되는 금속용 제거액이, 스핀 유닛(61)에 공급되는 금속용 제거액과 동일한 경우, 도 4, 도 6 또는 도 12의 회수 탱크(TA2)가 회수 탱크(RTb)로서 이용되어도 된다.
도 14는, 대기 포트(WP)로부터 세정액 및 금속용 제거액을 회수하기 위한 구성이 회수 유닛(61A)에 조합된 예에 대해서 설명하기 위한 모식적 측면도이다.
도 14의 예에서는, 대기 포트(WP)로부터 연장되는 배관(423a, 423b)이, 분기 배관(DRa, DRb)과 접속된다. 이 경우, 대기 포트(WP)로부터 배출되는 세정액을 회수 탱크(RTa)에 회수할 수 있고, 대기 포트(WP)로부터 배출되는 금속용 제거액을 회수 탱크(RTb)에 회수할 수 있다. 이와 같이, 대기 포트(WP)로부터 세정액 및 금속용 제거액을 회수하기 위한 구성이, 회수 유닛(61A)과 조합됨으로써, 각 액의 회수 비용 및 폐기 비용을 더 저감하는 것이 가능해진다.
도 15는, 회수 유닛(61A)의 다른 예에 대해서 설명하기 위한 모식적 측면도이다. 도 15의 회수 유닛(61A)에 대해서, 도 13의 회수 유닛(61A)과 상이한 점을 설명한다.
도 15의 회수 유닛(61A)은, 도 13의 회수 탱크(RTa, RTb) 대신에 회수 탱크(RTc)를 포함한다. 또, 회수 배관(DR)은 분기하지 않고 회수 탱크(RTc)에 접속된다. 이 경우, 컵(612)으로부터의 사용이 완료된 막 제거액 및 금속용 제거액이 공통의 회수 탱크(RTc)에 이끌린다.
여기서, 막 제거액과 금속용 제거액은 서로 상이한 비중을 가지며, 금속용 제거액의 비중은 막 제거액의 비중보다 크다. 그 때문에, 회수 탱크(RTc) 내에 있어서는, 막 제거액의 층(LA3)과 금속용 제거액의 층(LA4)이 상하로 분리되도록 형성된다. 그래서, 회수 탱크(RTc)에는, 금속용 제거액과 막 제거액의 경계면을 검출하는 경계 검출부(BSa)가 설치된다. 경계 검출부(BSa)는, 도 6의 경계 검출부(BS)와 동일한 구성을 가진다.
회수 탱크(RTc)에는, 층(LA3)과 층(LA4)의 경계면의 하한 높이(L3) 및 상한 높이(L4)가 설정된다. 상한 높이(L4)는 하한 높이(L3)보다 윗쪽에 위치한다. 회수 탱크(RTc)에는, 상한 높이(L4)보다 높은 위치에 회수 배관(DRc)이 부착되고, 하한 높이(L3)보다 낮은 위치에 회수 배관(DRd)이 부착된다. 회수 배관(DRc, DRd)은, 각각 도시하지 않은 막 제거액 회수부 및 금속용 제거액 회수부에 접속된다. 회수 배관(DRc, DRd)에는, 각각 회수 밸브(DRv3, DRv4)가 끼워 넣어진다.
예를 들면, 경계 검출부(BSa)에 의해 검출되는 경계면의 높이가 하한 높이(L3) 미만인 경우, 회수 밸브(DRv4)가 닫힌다. 이것에 의해, 회수 배관(DRd)으로부터 막 제거액이 배출되는 것이 방지된다. 경계 검출부(BSa)에 의해 검출되는 경계면의 높이가 하한 높이(L3) 이상이며 또한 상한 높이(L4) 미만인 경우, 회수 밸브(DRv3, DRv4)가 열린다. 이것에 의해, 회수 배관(DRc, DRd)으로부터 각각 막 제거액 및 금속용 제거액이 배출된다. 경계 검출부(BSa)에 의해 검출되는 경계면의 높이가 경계면의 높이가 상한 높이(L4) 이상인 경우, 회수 밸브(DRv4)가 열리고, 또한 회수 밸브(DRv3)가 닫힌다. 이것에 의해, 회수 배관(DRc)으로부터 금속용 제거액이 배출되는 것이 방지된다.
이와 같이, 본 예에서는, 막 제거액 및 금속용 제거액의 비중에 의거하여, 사용이 완료된 막 제거액과 사용이 완료된 금속용 제거액이 분리된다. 이것에 의해, 막 제거액과 금속용 제거액을 완전하게 분리하여 회수하는 것이 가능해진다. 이 경우, 사용자는, 막 제거액과 금속용 제거액을 분리하기 위한 작업을 행할 필요가 없다. 이것에 의해, 제거액의 회수 비용 및 폐기 비용을 저감할 수 있다.
또한, 상기의 대기 포트(WP)에 공급되는 세정액이, 스핀 유닛(61)에 공급되는 막 제거액과 동일하며, 또한 대기 포트(WP)에 공급되는 금속용 제거액이, 스핀 유닛(61)에 공급되는 금속용 제거액과 동일한 경우, 도 6의 분리 탱크(TA3)가 회수 탱크(RTc)로서 이용되어도 된다. 예를 들면, 도 6의 배관(423)이 도 15의 회수 배관(DR)과 접속되어도 된다.
또, 기판(W)에 공급된 막 제거액 및 금속용 제거액이 다른 구성에 의해 분리 회수되어도 된다. 예를 들면, 컵(612)이 2종류의 제거액을 분리하여 회수 가능한 2중 컵이어도 된다.
(10) 다른 실시의 형태
(10-1)
상기 실시의 형태에서는, 도포 처리 유닛(129)의 노즐(622)에 금속용 제거액이 공급되지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 현상 처리 유닛(139)의 슬릿 노즐(38)(도 1)에 금속용 제거액이 공급되어도 된다. 도 16은, 현상 처리 유닛(139)의 일례를 나타내는 모식적 측면도이다. 도 16의 현상 처리 유닛(139)은, 슬릿 노즐(38)이 대기하기 위한 대기 포트(WPa)를 포함한다. 대기 포트(WPa)에는, 배관(431)을 통하여 금속용 제거액 공급원(743)이 접속된다.
기판(W)의 현상 처리에서는, 슬릿 노즐(38)로부터 기판(W)에 현상액이 공급됨으로써, 기판(W) 상의 금속함유 도포막의 일부가 용해된다. 이 경우, 용해된 금속함유 도포막 중의 금속이, 슬릿 노즐(38)에 부착될 가능성이 있다. 그래서, 대기 포트(WPa)에 있어서 슬릿 노즐(38)에 금속용 제거액이 공급된다. 이것에 의해, 슬릿 노즐(38)에 부착되는 금속을 제거할 수 있다. 그 결과, 슬릿 노즐(38)로부터 금속이 확산되는 것이 방지된다.
(10-2)
상기 실시의 형태에서는, 노즐 블록(200)이 대기하는 대기 포트(WP)에서 노즐(622)의 세정 처리가 행해지지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 노즐(622)의 세정 처리를 행하기 위한 세정 처리부가 대기 포트(WP)와는 별개로 설치되어도 된다. 이 경우, 대기 포트(WP)에서 노즐 블록(620)이 대기하면서 예비 토출을 행하고, 세정 처리부에 있어서 노즐(622)의 세정 처리가 행해진다.
또, 상기 실시의 형태에서는, 세정액에 의한 노즐(622)의 세정과 금속용 제거액에 의한 노즐(622)의 세정이 계속해서 행해지지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 세정액에 의한 노즐(622)의 세정과, 금속용 제거액에 의한 노즐(622)의 세정이 독립적으로 행해져도 된다. 예를 들면, 세정액에 의한 노즐(622)의 세정이 행해지는 타이밍이, 금속용 제거액에 의한 노즐(622)의 세정이 행해지는 타이밍과 상이해도 된다. 또, 세정액에 의한 노즐(622)의 세정이 행해지는 빈도가 금속용 제거액에 의한 노즐(622)의 세정이 행해지는 빈도와 상이해도 된다. 또, 세정액에 의한 노즐(622)의 세정과 금속용 제거액에 의한 노즐(622)의 세정이 서로 상이한 장소에서 행해져도 된다.
(10-3)
상기 실시의 형태에 있어서, 반사 방지액 및 레지스트액 양쪽에 금속 성분이 함유되어 있지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 반사 방지액 및 레지스트액의 한쪽에 금속 성분이 함유되지 않아도 된다. 또, 하드 마스크(HM)막 등의 다른 막을 형성하기 위한 도포액에 금속 성분이 함유되어 있어도 된다. 이 경우, 금속 성분으로서, 예를 들면 산화 티탄(TiOx), 산화 텅스텐(WOx) 또는 산화 지르코늄(ZrOx)이 도포액에 함유된다.
(10-4)
상기 실시의 형태에 있어서, 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)의 핸드(H1~H3)는 기판(W)의 외주부를 유지하지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)의 핸드(H1~H3)는, 기판(W)을 흡착함으로써 기판(W)의 이면을 유지해도 된다.
(10-5)
상기 실시의 형태에 있어서, 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)는 3개의 핸드(H1~H3)를 가지는 것이 바람직하지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)는 2개 이하의 핸드를 가져도 되고, 4개 이상의 핸드를 가져도 된다.
(10-6)
상기 형태에 있어서, 세정 건조 처리부(161)에 복수의 세정 건조 처리 유닛(BSS)이 배치되고, 세정 건조 처리부(162)에 복수의 금속 제거 유닛(MR)이 배치되지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 일부 또는 전부의 세정 건조 처리 유닛(BSS)이 세정 건조 처리부(162)에 배치되어도 되고, 일부 또는 전부의 금속 제거 유닛(MR)이 세정 건조 처리부(161)에 배치되어도 된다.
(10-7)
상기 실시의 형태에 있어서, 도포 처리 유닛(129)에 엣지 린스 노즐(613)이 설치되지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도포 처리 유닛(129)에 엣지 린스 노즐(613)이 설치되지 않고, 금속 제거 유닛(MR)에 엣지 린스 노즐(613)이 설치되어도 된다. 이 경우, 금속 제거 유닛(MR)에 있어서 기판(W)의 주연부에 막 제거액 및 금속용 제거액이 공급된다. 사용 후의 막 제거액 및 금속용 제거액을 회수하기 위해, 도 13 및 도 15의 예와 동일한 회수 유닛이 금속 제거 유닛(MR)에 설치되어도 된다.
(10-8)
상기 실시의 형태에 있어서, 인터페이스 블록(14)에 엣지 노광부(EEW)가 설치되지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 엣지 노광부(EEW)는 인터페이스 블록(14)에 설치되지 않고, 제1 처리 블록(12)의 상단 열 처리부(301) 및 하단 열 처리부(302)에 설치되어도 된다. 이 경우, 레지스트막의 형성 후, 기판(W)이 기판 재치부(PASS5, PASS7)에 재치되기 전에 기판(W)에 엣지 노광 처리가 행해진다.
(10-9)
금속 제거 유닛(MR)이 다른 장소에 설치되어도 된다. 예를 들면, 제1 또는 제2 처리 블록(12, 13)에 금속 제거 유닛(MR)이 설치되어도 된다. 또, 현상 처리 유닛(139)에 있어서, 기판(W)의 주연부 및 이면에 금속용 제거액이 공급됨으로써, 기판(W)의 주연부 및 이면으로부터 금속 성분이 제거되어도 된다. 또, 제1 처리 블록(12)과 제2 처리 블록(13) 사이에, 금속 제거 유닛(MR)을 포함하는 다른 처리 블록이 배치되어도 된다.
(11) 청구항의 각 구성 요소와 실시의 형태의 각 요소의 대응 관계
이하, 청구항의 각 구성 요소와 실시의 형태의 각 요소의 대응의 예에 대해서 설명하지만, 본 발명은 하기의 예에 한정되지 않는다.
상기 실시의 형태에 있어서는, 도포 처리 유닛(129) 또는 현상 처리 유닛(139)이 막 처리 유닛의 예이며, 노즐(622) 또는 슬릿 노즐(38)이 처리액 노즐의 예이며, 노즐 반송 기구(60) 또는 이동 기구(39)가 이동 기구의 예이며, 대기 포트(WP) 또는 대기 포트(WPa)가 제거액 공급부의 예이다. 또, 스핀 척(611)이 회전 유지부의 예이며, 노즐 수납 용기(73)가 수용부의 예이다.
또, 도 4 및 도 6의 토출구(OP1)가 제1 개구의 예이며, 도 4 및 도 6의 배관(421)이 제1 제거액 공급계의 예이며, 도 4 및 도 6의 토출구(OP2)가 제2 개구의 예이며, 도 4 및 도 6의 배관(422)이 제2 제거액 공급계의 예이며, 도 12의 토출구(OP2)가 개구의 예이며, 도 12의 배관(422)이 제거액 공급계의 예이다.
또, 회수 유닛(400)이 제거액 회수 유닛의 예이며, 엣지 린스 노즐(613, 614)이 주연부 제거액 공급 유닛 및 복수의 제거액 노즐의 예이며, 분기 배관(DRb)이 공통의 회수 배관의 예이며, 기판 처리 장치(100)가 기판 처리 장치의 예이며, 현상 처리 유닛(139)이 현상 처리 유닛의 예이다. 청구항의 각 구성 요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 가지는 다른 다양한 요소를 이용할 수도 있다.
본 발명은, 다양한 기판의 처리에 유효하게 이용할 수 있다.

Claims (17)

  1. 기판의 피처리면에 처리액을 토출하는 처리액 노즐과,
    상기 처리액 노즐을 기판의 윗쪽의 처리 위치와 기판의 바깥쪽의 세정 위치 사이에서 이동시키는 이동 기구와,
    상기 세정 위치에 있어서, 금속을 용해시키는 제1 제거액을 상기 처리액 노즐에 공급하도록 구성되는 제거액 공급부를 구비하는, 막 처리 유닛.
  2. 청구항 1에 있어서,
    기판을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 회전 유지부를 더 구비하고,
    상기 처리액 노즐은, 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 상기 피처리면에 금속 및 도포액을 포함하는 금속함유 도포액을 상기 처리액으로서 토출함으로써 상기 피처리면에 금속함유 도포막을 형성하도록 구성되는, 막 처리 유닛.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제거액 공급부는, 상기 세정 위치에 있어서, 상기 도포액을 용해시키는 제2 제거액을 상기 처리액 노즐에 공급하도록 구성되는, 막 처리 유닛.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 세정 위치에 설치되며, 상기 처리액 노즐의 적어도 일부가 수용되는 수용부를 더 구비하고,
    상기 수용부는 제1 개구를 가지며,
    상기 제거액 공급부는, 상기 수용부 내의 상기 처리액 노즐에 상기 제1 개구를 통하여 상기 제1 제거액을 공급하는 제1 제거액 공급계를 포함하는, 막 처리 유닛.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 수용부는 제2 개구를 가지며,
    상기 제거액 공급부는, 상기 수용부 내의 상기 처리액 노즐에 상기 제2 개구를 통하여 상기 제2 제거액을 공급하는 제2 제거액 공급계를 포함하는, 막 처리 유닛.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제2 개구는, 상기 제1 개구보다 윗쪽에 위치하는, 막 처리 유닛.
  7. 청구항 3에 있어서,
    상기 세정 위치에 설치되며, 상기 처리액 노즐의 적어도 일부가 수용되는 수용부를 더 구비하고,
    상기 수용부는 개구를 가지며,
    상기 제거액 공급부는, 상기 수용부 내의 상기 처리액 노즐에 상기 개구를 통하여 상기 제1 제거액 및 상기 제2 제거액을 선택적으로 공급하는 제거액 공급계를 포함하는, 막 처리 유닛.
  8. 청구항 3 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액 노즐에 공급된 상기 제1 및 상기 제2 제거액을 분리하여 회수하도록 설치된 제거액 회수 유닛을 더 구비하는, 막 처리 유닛.
  9. 청구항 2 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액 노즐은, 상기 처리 위치에 있어서 기판에 상기 금속함유 도포액을 토출하기 전에, 상기 세정 위치에 있어서 상기 금속함유 도포액을 토출하도록 구성되는, 막 처리 유닛.
  10. 청구항 2 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
    기판의 상기 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 상기 금속함유 도포막이 잔존하도록, 상기 금속함유 도포액을 용해시키는 제3 제거액을 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 상기 피처리면의 상기 주연부에 공급하는 주연부 제거액 공급 유닛을 더 구비하는, 막 처리 유닛.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 제3 제거액은, 상기 금속을 용해시키는 제4 제거액과 상기 도포액을 용해시키는 제5 제거액을 포함하고,
    상기 주연부 제거액 공급 유닛은,
    상기 제4 및 제5 제거액을 기판의 상기 피처리면의 주연부에 공급하는 하나 또는 복수의 제거액 노즐을 포함하는, 막 처리 유닛.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제5 제거액은 상기 제1 제거액과 동일하며,
    상기 처리액 노즐에 공급된 상기 제1 제거액 및 기판에 공급된 상기 제5 제거액을 회수하기 위한 공통의 회수 배관을 더 구비하는, 막 처리 유닛.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리액 노즐은, 감광성을 가지면서 금속을 함유하는 금속함유 도포막의 형성 후이며 또한 노광 처리 후의 기판의 상기 피처리면에 현상액을 공급하도록 구성되는, 막 처리 유닛.
  14. 기판에 노광 처리를 행하는 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판 처리 장치로서,
    상기 노광 장치에 의한 노광 처리 전에, 기판의 피처리면에 상기 금속함유 도포막을 형성하는 청구항 2 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 기재된 막 처리 유닛과,
    상기 노광 장치에 의한 노광 처리 후에, 기판의 현상 처리를 행하는 현상 처리 유닛을 구비하는, 기판 처리 장치.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 막 처리 유닛은, 상기 금속함유 도포막으로서 감광성을 가지는 감광성막을 상기 기판의 피처리면에 형성하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  16. 청구항 14 또는 청구항 15에 있어서,
    상기 막 처리 유닛은, 상기 금속함유 도포막으로서 반사 방지막을 기판의 상기 피처리면에 형성하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  17. 기판에 노광 처리를 행하는 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판 처리 장치로서,
    상기 노광 장치에 의한 노광 처리 전에, 기판의 피처리면에 금속을 포함하는 금속함유 도포막을 형성하는 막 형성 유닛과,
    상기 노광 장치에 의한 노광 처리 후에, 기판의 현상 처리를 행하는 청구항 13에 기재된 막 처리 유닛을 구비하는, 기판 처리 장치.
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