TWI626997B - 膜處理單元及基板處理裝置 - Google Patents

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TWI626997B
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田中裕二
浅井正也
春本将彦
金山幸司
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斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

於待機槽之噴嘴收容孔收容噴嘴。於該狀態下，自複數個噴出口對噴嘴之外周面噴出洗淨液。藉此，附著於噴嘴之塗佈液及其固化物等溶解，自噴嘴被除去。繼而，自複數個噴出口對噴嘴之外周面噴出金屬用除去液。藉此，殘留於噴嘴之金屬成分溶解，並自噴嘴被除去。進而，自複數個噴出口對噴嘴之外周面噴出純水，沖洗附著於噴嘴之金屬用除去液。

Description

膜處理單元及基板處理裝置
本發明係關於一種對基板進行處理之膜處理單元及基板處理裝置。
於製造半導體器件等之微影步驟中，藉由於基板上供給抗蝕液等塗佈液而形成塗佈膜。例如，基板藉由旋轉夾頭一面水平地保持一面旋轉。於該狀態下，藉由自噴嘴向基板之上表面之大致中央部噴出抗蝕液，而於基板之整個上表面形成作為塗佈膜之抗蝕膜。 於自噴嘴噴出抗蝕液後，在噴嘴之前端部附著抗蝕液。若附著於噴嘴之抗蝕液固化，則有其固化物成為顆粒之可能性。因此，於噴出抗蝕液後，使用溶劑進行噴嘴的洗淨(例如參照專利文獻1)。 [專利文獻1]日本專利特開2003-178965號公報
[發明所欲解決之問題] 近年來，為了形成更微細之圖案，研究出應用含有金屬之塗佈膜(以下稱為含金屬之塗佈膜)。根據發明者之實驗，可知即便使用溶劑洗淨噴嘴，金屬成分亦無法除去而殘留於噴嘴。有因殘留於噴嘴之金屬成分而污染基板或基板處理裝置之可能性。又，有因受金屬成分污染之基板被搬送至曝光裝置而污染曝光裝置之可能性。 本發明之目的在於提供一種能夠防止因金屬所致之污染之膜處理單元及基板處理裝置。 [解決問題之技術手段] (1)按照本發明之一態樣之膜處理單元具備：處理液噴嘴，其將處理液噴出至基板之被處理面；移動機構，其使處理液噴嘴於基板之上方之處理位置與基板之外側之洗淨位置之間移動；及除去液供給部，其構成為，於洗淨位置，將使金屬溶解之第1除去液供給至處理液噴嘴。 於該膜處理單元中，處理液噴嘴於處理位置與洗淨位置之間移動。於處理液噴嘴處於處理位置之狀態下，自處理液噴嘴對基板之被處理面供給處理液。於供給處理液後，處理液噴嘴移動至洗淨位置，自除去液供給部對處理液噴嘴供給使金屬溶解之第1除去液。 於處理液中含有金屬之情形時，有金屬殘留於處理液噴嘴之可能性。又，於在基板上形成含有金屬之塗佈膜之情形，且藉由處理液將該塗佈膜溶解之情形時，有溶解之塗佈膜中之金屬附著於處理液噴嘴之可能性。根據上述構成，於供給處理液後對處理液噴嘴供給第1除去液，因此可使殘留或附著於處理液噴嘴之金屬溶解而除去。因此，可防止金屬自處理液噴嘴擴散。其結果為，可防止基板或其他裝置被金屬污染。 (2)亦可為，膜處理單元進而具備以水平姿勢保持基板並使其旋轉之旋轉保持部，處理液噴嘴構成為，藉由將含有金屬及塗佈液之含金屬之塗佈液作為處理液噴出至由旋轉保持部旋轉之基板之被處理面，而於被處理面形成含金屬之塗佈膜。於此情形時，即便含金屬之塗佈液中之金屬殘留於處理液噴嘴，亦可使該金屬溶解而除去。因此，可防止金屬自處理液噴嘴擴散。 (3)亦可為，除去液供給部構成為，於洗淨位置將使塗佈液溶解之第2除去液供給至處理液噴嘴。於此情形時，可使附著於處理液噴嘴之塗佈液及其固化物溶解而除去。 (4)亦可為，膜處理單元進而具備設置於洗淨位置且收容處理液噴嘴之至少一部分之收容部，收容部具有第1開口，除去液供給部包含第1除去液供給系統，該第1除去液供給系統經由第1開口將第1除去液供給至收容部內之處理液噴嘴。於此情形時，以簡單之構成便可將第1除去液供給至處理液噴嘴。 (5)亦可為，收容部具有第2開口，除去液供給部包含第2除去液供給系統，該第2除去液供給系統經由第2開口將第2除去液供給至收容部內之處理液噴嘴。於此情形時，以簡單之構成便可將第2除去液供給至處理液噴嘴。又，於共通之收容部中將第1及第2除去液分別供給至處理液噴嘴，因此與將第1及第2除去液於不同之部位供給至處理液噴嘴之情形相比，可省空間化，且可將塗佈液及金屬自處理液噴嘴高效率地除去。 (6)亦可為，第2開口位於較第1開口更上方。於此情形時，處理液噴嘴中之第2除去液之供給位置變得高於第1除去液之供給位置。因此，於自第1開口對處理液噴嘴供給第1除去液後自第2開口對處理液噴嘴供給第2除去液之情形時，可藉由第2除去液充分地沖洗第1除去液。 (7)亦可為，膜處理單元進而具備設置於洗淨位置且收容處理液噴嘴之至少一部分之收容部，收容部具有開口，除去液供給部包含除去液供給系統，該除去液供給系統經由開口將第1除去液及第2除去液選擇性地供給至收容部內之處理液噴嘴。於此情形時，以簡單之構成便可將第1除去液及第2除去液高效率地供給至處理液噴嘴。 (8)亦可為，膜處理單元進而具備除去液回收單元，該除去液回收單元以將供給至處理液噴嘴之第1及第2除去液分離並回收之方式設置。於此情形時，使用者無需進行用以分離使用過之第1除去液與使用過之第2除去液之作業。藉此，可減少第1及第2除去液之回收成本及廢棄成本。 (9)亦可為，處理液噴嘴構成為，於在處理位置對基板噴出含金屬之塗佈液之前，於洗淨位置噴出含金屬之塗佈液。於此情形時，可藉由預先噴出含金屬之塗佈液而將處理液噴嘴內以新的含金屬之塗佈液填滿，可將該新的含金屬之塗佈液噴出至基板。由於無需另外設置此種預噴出空間，故而可省空間化。 (10)亦可為，膜處理單元進而具備周緣部除去液供給單元，該周緣部除去液供給單元以於基板之被處理面之除周緣部以外之區域殘留含金屬之塗佈膜之方式，將使含金屬之塗佈液溶解之第3除去液供給至由旋轉保持部旋轉之基板之被處理面之周緣部。 於此情形時，於除周緣部以外之基板之被處理面形成含金屬之塗佈膜，防止金屬殘留於基板之周緣部。藉此，防止金屬自基板之周緣部擴散。 (11)亦可為，第3除去液包含使金屬溶解之第4除去液及使塗佈液溶解之第5除去液，周緣部除去液供給單元包含將第4及第5除去液供給至基板之被處理面之周緣部之1個或複數個除去液噴嘴。 於此情形時，藉由第4除去液將含金屬之塗佈液中之金屬除去，並且藉由第5除去液將含金屬之塗佈液中之塗佈液除去。藉此，可將基板之周緣部之含金屬之塗佈膜適當地除去。 (12)亦可為，第5除去液與第1除去液相同，膜處理單元進而具備用以回收供給至處理液噴嘴之第1除去液及供給至基板之第5除去液的共通回收配管。 於此情形時，第1除去液與第5除去液經由共通回收配管予以回收，因此可抑制構成之複雜化並且提高第1及第5除去液之回收效率。 (13)亦可為，處理液噴嘴構成為對形成具有感光性且含有金屬之含金屬之塗佈膜後且進行曝光處理後之基板之被處理面供給顯影液。於此情形時，即便由顯影液溶解之含金屬之塗佈膜中之金屬附著於處理液噴嘴，亦可使該金屬溶解而除去。因此，防止金屬自處理液噴嘴擴散。 (14)按照本發明之另一態樣之基板處理裝置係以鄰接於對基板進行曝光處理之曝光裝置之方式配置者，且具備：上述膜處理單元，其於利用曝光裝置之曝光處理前，在基板之被處理面形成含金屬之塗佈膜；及顯影處理單元，其於利用曝光裝置之曝光處理後，進行基板之顯影處理。 於該基板處理裝置中，藉由膜處理單元於利用曝光裝置之曝光處理前之基板之被處理面形成含金屬之塗佈膜，對利用曝光裝置之曝光處理後之基板進行顯影處理。藉此，可於基板之被處理面形成微細之圖案。又，由於使用上述膜處理單元，故而防止基板、或基板處理裝置或者曝光裝置之內部被金屬污染。 (15)亦可為，膜處理單元構成為將具有感光性之感光性膜作為含金屬之塗佈膜形成於基板之被處理面。於此情形時，由於感光性膜含有金屬，故而可抑制曝光之光之衰減，以較高之解像度形成曝光圖案。 (16)亦可為，膜處理單元構成為將抗反射膜作為含金屬之塗佈膜形成於基板之被處理面。於此情形時，由於抗反射膜含有金屬，故而可抑制曝光之光之衰減，以較高之解像度形成曝光圖案。 (17)按照本發明之又一態樣之基板處理裝置係以鄰接於對基板進行曝光處理之曝光裝置之方式配置者，且具備：膜形成單元，其於利用曝光裝置之曝光處理前，在基板之被處理面形成含有金屬之含金屬之塗佈膜；及上述膜處理單元，其於利用曝光裝置之曝光處理後，進行基板之顯影處理。 於該基板處理裝置中，藉由膜形成單元於利用曝光裝置之曝光處理前之基板之被處理面形成含金屬之塗佈膜，藉由膜處理單元對利用曝光裝置之曝光處理後之基板進行顯影處理。藉此，可於基板之被處理面形成微細之圖案。又，由於使用上述膜處理單元，故而防止基板、或基板處理裝置或曝光裝置之內部被金屬污染。 [發明之效果] 根據本發明，可防止金屬自處理液噴嘴擴散，防止基板等被金屬污染。
以下，使用圖式對本發明之一實施形態之膜處理單元及基板處理裝置進行說明。再者，於以下說明中，所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板或光罩用基板等。 (1)基板處理裝置 圖1係本發明之第1實施形態之基板處理裝置之模式性俯視圖。於圖1及圖2以後之特定圖中，為了明確位置關係，標註表示相互正交之X方向、Y方向及Z方向之箭頭。X方向及Y方向於水平面內相互正交，Z方向相當於鉛垂方向。 如圖1所示，基板處理裝置100具備裝載區塊11、第1處理區塊12、第2處理區塊13、洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。由洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B構成傳遞區塊14。以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式配置曝光裝置15。於本例中，曝光裝置15藉由EUV(Extreme Ultra Violet，遠紫外線)對基板W進行曝光處理。EUV之波長為13 nm以上且14 nm以下。 如圖1所示，裝載區塊11包含複數個載體載置部111及搬送部112。於各載體載置部111載置多段地收納複數個基板W之載體113。於搬送部112設置主控制器114及搬送機構115。主控制器114控制基板處理裝置100之各種構成元件。搬送機構115保持基板W並且搬送該基板W。 第1處理區塊12包含塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部123。塗佈處理部121及熱處理部123以隔著搬送部122對向之方式設置。於搬送部122與裝載區塊11之間設置供基板W載置之基板載置部PASS1～PASS4(參照圖10)。於搬送部122設置搬送基板W之搬送機構127、128(參照圖10)。 第2處理區塊13包含顯影處理部131、搬送部132及熱處理部133。顯影處理部131及熱處理部133以隔著搬送部132對向之方式設置。於搬送部132與搬送部122之間設置供基板W載置之基板載置部PASS5～PASS8(參照圖10)。於搬送部132設置搬送基板W之搬送機構137、138(參照圖10)。 洗淨乾燥處理區塊14A包含洗淨乾燥處理部161、162及搬送部163。洗淨乾燥處理部161、162以隔著搬送部163對向之方式設置。於搬送部163設置搬送機構141、142。於搬送部163與搬送部132之間設置載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(參照圖10)。載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2構成為可收容複數個基板W。 又，於搬送機構141、142之間，以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式設置基板載置部PASS9、下述邊緣曝光部EEW(參照圖10)及下述載置兼冷卻部P-CP(參照圖10)。載置兼冷卻部P-CP具備將基板W冷卻之功能(例如冷卻板)。於載置兼冷卻部P-CP中，基板W被冷卻至適於曝光處理之溫度。於搬入搬出區塊14B設置搬送機構146。搬送機構146進行基板W相對於曝光裝置15之搬入及搬出。 (2)塗佈處理部、顯影處理部及洗淨乾燥處理部 圖2係表示圖1之塗佈處理部121、顯影處理部131及洗淨乾燥處理部161之內部構成之模式性側視圖。如圖2所示，於塗佈處理部121分層地設置塗佈處理室21、22、23、24。於各塗佈處理室21～24設置塗佈處理單元129。於顯影處理部131分層地設置顯影處理室31～34。於各顯影處理室31～34設置顯影處理單元139。 (2-1)塗佈處理單元 圖3係表示塗佈處理單元129之構成之模式性俯視圖。如圖3所示，各塗佈處理單元129包含噴嘴搬送機構60、2組旋轉單元61及2組噴嘴單元62。噴嘴搬送機構60包含抓持部601、一對第1導軌602、第2導軌603及一對汽缸604。一對第1導軌602以隔著2組旋轉單元61及2組噴嘴單元62之方式相互平行地配置。第2導軌603以相對於一對第1導軌602正交之方式配置。第2導軌603之兩端部經由一對汽缸604分別安裝於一對第1導軌602。第2導軌603可沿第1導軌602移動，且可藉由一對汽缸604相對於第1導軌602升降。可沿第2導軌603移動地設置抓持部601。 各旋轉單元61包含旋轉夾頭611、承杯(cup)612及邊緣清洗噴嘴613。旋轉夾頭611以保持基板W之狀態由下述馬達611a旋轉驅動。承杯612以包圍旋轉夾頭611之周圍之方式設置。 各噴嘴單元62包含複數個噴嘴區塊620及複數個待機槽WP。於本例中，以分別對應於複數個噴嘴區塊620之方式設置複數個待機槽WP。各噴嘴區塊620於對應之待機槽WP中待機。對各噴嘴區塊620，經由塗佈液配管411供給含有金屬及塗佈液之含金屬之塗佈液。金屬包含金屬分子或金屬氧化物等金屬成分。於本例中，作為金屬成分，例如使用Sn(錫)、HfO2 (氧化鉿)或ZrO2 (二氧化鋯)。又，作為塗佈液，使用抗反射膜用之塗佈液及抗蝕膜用之塗佈液。 再者，旋轉單元61及噴嘴單元62之各者之數量並不限定於2個。旋轉單元61及噴嘴單元62可分別僅設置1個，或者亦可設置3個以上。又，旋轉單元61之數量與噴嘴單元62之數量亦可不同。 噴嘴搬送機構60係藉由抓持部601抓持任一噴嘴區塊620，使該噴嘴區塊620於基板W之上方之處理位置與對應之待機槽WP上之待機位置之間移動。於噴嘴區塊620處於處理位置之狀態下，一面使旋轉夾頭611旋轉一面自噴嘴區塊620噴出含金屬之塗佈液。藉此，於旋轉之基板W上塗佈含金屬之塗佈液。 於本實施形態中，對圖2之塗佈處理室22、24之噴嘴區塊620供給含有抗反射膜用塗佈液之含金屬之塗佈液，對塗佈處理室21、23之噴嘴區塊620供給含有抗蝕膜用塗佈液之含金屬之塗佈液。以下，將由含金屬之塗佈液形成之抗反射膜及抗蝕膜統稱為含金屬之塗佈膜。 邊緣清洗噴嘴613以朝向由旋轉夾頭611保持之基板W之被處理面之周緣部之方式配置。此處，所謂被處理面係指形成電路圖案等各種圖案之基板W之面。所謂基板W之周緣部係指於基板W之被處理面沿基板W之外周部之一定寬度之區域。 邊緣清洗噴嘴613噴出用以將含金屬之塗佈膜自基板W之周緣部除去之膜除去液。作為膜除去液，除包含稀釋劑、乙酸丁酯(butyl acetate)、PGMEA(propyleneglycol monomethyl ether acetate，丙二醇單甲醚乙酸酯)、PGME(propyleneglycol monomethyl ether，丙二醇單甲醚)之有機溶劑以外，亦可使用TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide，氫氧化四甲基銨)、或含有氨及過氧化氫水之水溶液等。 於藉由旋轉夾頭611旋轉基板W之狀態下，自邊緣清洗噴嘴613對基板W之周緣部噴出膜除去液。藉此，塗佈於基板W之周緣部之塗佈液溶解而被除去。 圖4係用以說明圖3之噴嘴區塊620及待機槽WP之縱剖視圖。如圖4所示，噴嘴區塊620包含支持區塊621及噴嘴622。噴嘴622以自支持區塊621之下表面向下方突出之方式設置。噴嘴區塊620經由塗佈液配管411連接於塗佈液供給源410。於塗佈液配管411中介插設有閥Va。藉由打開閥Va，自塗佈液供給源410經由塗佈液配管411對噴嘴區塊620供給含金屬之塗佈液，自噴嘴622噴出含金屬之塗佈液。 待機槽WP包含液體供給容器71、回收容器72及噴嘴收納容器73。液體供給容器71設置於回收容器72上。於液體供給容器71形成有上下方向之貫通孔71a。貫通孔71a之上半部之內徑大於貫通孔71a之下半部之內徑。藉此，於貫通孔71a之內表面形成有階差。於液體供給容器71之貫通孔71a之上半部收容噴嘴收納容器73，由階差支持。於噴嘴收納容器73形成有上下貫通之噴嘴收容孔73a。噴嘴收容孔73a具有自上端向下端逐漸變小之內徑。噴嘴區塊620之噴嘴622收容於噴嘴收納容器73之噴嘴收容孔73a內。於此情形時，支持區塊621支持於液體供給容器71之上表面。 於液體供給容器71，以自外表面向內表面延伸之方式形成流路711a、711b。於噴嘴收納容器73，以相互連通之方式形成流路731a、732a及複數個流路733a，並且以相互連通之方式形成流路731b、732b及複數個流路733b。流路732a及流路732b分別以包圍噴嘴收容孔73a之方式呈環狀延伸。流路731a以與流路711a連通之方式自噴嘴收納容器73之外表面向流路732a延伸，流路731b以與流路711b連通之方式自噴嘴收納容器73之外表面向流路732b延伸。 複數個流路733a以呈放射狀排列之方式自流路732a向噴嘴收容孔73a之內表面分別延伸。複數個流路733b以呈放射狀排列之方式自流路732b向噴嘴收容孔73a之內表面分別延伸。於噴嘴收容孔73a之內表面，流路733a作為噴出口OP1開口，流路733b作為噴出口OP2開口。複數個噴出口OP1、OP2以包圍收容於噴嘴收容孔73a內之噴嘴622之外周面之方式分別沿圓周方向排列。又，複數個噴出口OP1分別位於較複數個噴出口OP2更上方。 於液體供給容器71之流路711a連接配管421。配管421分支為配管421a、421b並延伸至洗淨液供給源741及純水供給源742。於配管421a、421b分別中介插設有閥V1、V2。藉由選擇性地打開閥V1、V2，洗淨液及純水自洗淨液供給源741及純水供給源742選擇性地導引至流路711a。 洗淨液為第2除去液之例。洗淨液係與自上述邊緣清洗噴嘴613噴出之膜除去液相同之液體，例如將上述膜除去液用作洗淨液。於供給至待機槽WP之洗淨液與供給至圖3之邊緣清洗噴嘴613之膜除去液相同之情形時，亦可自共通之洗淨液供給源741對圖3之邊緣清洗噴嘴613及待機槽WP分別供給膜除去液及洗淨液。導引至流路711a之洗淨液或純水經由流路731a、流路732a導引至複數個流路733a，自複數個噴出口OP1噴出至收容於噴嘴收容孔73a之噴嘴622之外周面。 於液體供給容器71之流路711b連接配管422。配管422延伸至金屬用除去液供給源743。於配管422中介插設有閥V3。藉由打開閥V3，金屬用除去液自金屬用除去液供給源743導引至流路711b。金屬用除去液為第1除去液之例。作為金屬用除去液，使用鹼性除去液或酸性除去液。鹼性除去液為例如含有氨及過氧化氫之水溶液。鹼性除去液亦可為例如TMAH。酸性除去液為例如含有稀氫氟酸之水溶液。酸性除去液可為例如含有硫酸及過氧化氫之水溶液，亦可為含有乙酸之水溶液。又，亦可使用含有螯合劑之水溶液作為金屬用除去液。螯合劑亦可包含選自由有機酸、有機酸之鹽、胺基酸、胺基酸之衍生物、無機鹼、無機鹼之鹽、烷基胺、烷基胺之衍生物、烷醇胺及烷醇胺之衍生物所組成之群中之一種或複數種。金屬用除去液可將含金屬之塗佈液中所含之金屬成分溶解除去。導引至流路711b之金屬用除去液經由流路731b、流路732b導引至複數個流路733b，自複數個噴出口OP2噴出至收容於噴嘴收容孔73a之噴嘴622之外周面。 回收容器72具有與貫通孔71a連通之貯存部72a。又，於回收容器72中形成流路72b，於該流路72b連接配管423。經由流路72b將貯存部72a內之洗淨液或金屬用除去液導引至配管423。配管423分支為配管423a、423b並延伸至回收槽TA1、TA2。於配管423a中介插設有閥V4，於配管423b中介插設有閥V5。由配管423、423a、423b、回收槽TA1、TA2及閥V4、V5構成回收單元400。藉由選擇性地打開閥V4、V5，將貯存部72a內之洗淨液及金屬用除去液選擇性地導引至回收槽TA1、TA2。於本例中，洗淨液導引至回收槽TA1，金屬用除去液導引至回收槽TA2。又，於回收容器72連接用以將貯存部72a內之液體等導引至工廠之廢棄線之配管424。於配管424中介插設有閥V6。配管424亦可以自配管423分支之方式設置。 於各待機槽WP中，在預先規定之期間，進行對應之噴嘴區塊620之噴嘴622之洗淨處理。進行洗淨處理之期間例如為於塗佈處理單元129中將基板W之處理暫停一定時間以上之期間。 圖5係用以說明噴嘴622之洗淨處理之具體例之圖。圖4之閥V1～V6例如由下述現場控制器LC1(圖7)控制。首先，打開圖4之閥V1，關閉閥V2、V3。又，打開閥V4，關閉閥V5、V6。 藉此，如圖5(a)所示，自噴嘴收納容器73之複數個噴出口OP1對噴嘴622之外周面噴出洗淨液。於此情形時，複數個噴出口OP1以包圍噴嘴622之外周面之方式配置，因此遍及噴嘴622之外周面之整個圓周方向地供給洗淨液。藉此，附著於噴嘴622之塗佈液及其固化物等溶解，自噴嘴622除去。 又，供給至噴嘴622之洗淨液導引至圖4之回收槽TA1。於此情形時，為了防止自噴嘴622除去之含金屬之塗佈液等污染物導引至回收槽TA1，亦可於自開始洗淨液之噴出後之一定時間內關閉閥V4且打開閥V6。藉此，含金屬之塗佈液等污染物經由圖4之配管424被廢棄。 即便洗淨液被供給至噴嘴622，含金屬之塗佈液中含有之金屬成分亦有無法充分地除去而殘留於噴嘴622上之可能性。因此，接下來關閉圖4之閥V1、V2，打開閥V3。又，打開閥V5，關閉閥V4、V6。 藉此，如圖5(b)所示，自噴嘴收納容器73之複數個噴出口OP2對噴嘴622之外周面噴出金屬用除去液。於此情形時，複數個噴出口OP2亦以包圍噴嘴622之外周面之方式配置，因此遍及噴嘴622之外周面之整個圓周方向地供給金屬用除去液。藉此，殘留於噴嘴622之金屬成分溶解，自噴嘴622除去。 又，供給至噴嘴622之金屬用除去液導引至圖4之回收槽TA2。於此情形時，為了防止殘留於貯存部72a之洗淨液及自噴嘴622除去之金屬成分等導引至回收槽TA2，亦可於自金屬用除去液開始噴出後之一定時間內關閉閥V5且打開閥V6。藉此，貯存部72a內之洗淨液及金屬成分等經由圖4之配管424被廢棄。 其次，關閉圖4之閥V1、V3，打開閥V2。又，關閉閥V4、V5，打開閥V6。藉此，如圖5(c)所示，自噴嘴收納容器73之複數個噴出口OP1對噴嘴622之外周面噴出純水，沖洗附著於噴嘴622之金屬用除去液。複數個噴出口OP1位於較複數個噴出口OP2更上方，因此自噴出口OP1噴出之純水較自噴出口OP2噴出之金屬用除去液到達噴嘴622之外周面之更高位置，進而自該位置沿著噴嘴622之外周面流向下方。藉此，藉由純水充分地沖洗金屬用除去液，防止金屬用除去液殘留於噴嘴622。因此，防止金屬用除去液混入至含金屬之塗佈液供給至基板W。 又，噴出之純水及沖洗之金屬用除去液經由圖4之配管424被廢棄。如此，噴嘴622潔淨化，噴嘴622之洗淨處理結束。 對噴嘴622供給洗淨液、金屬用除去液或純水時，亦可使用回吸閥等將洗淨液、金屬用除去液或純水抽吸至噴嘴622之內部。於此情形時，可藉由洗淨液、金屬用除去液或純水洗淨噴嘴622之內部。 各噴嘴區塊620亦可於將塗佈液噴出至基板W上之前，於對應之待機槽WP中進行預噴出(預分注)。藉由預噴出，可將噴嘴622內以新的塗佈液填滿，可將該新的塗佈液噴出至基板W上。又，於洗淨處理後進行預噴出之情形時，將殘留於噴嘴622內之洗淨液及金屬除去液等除去。藉此，防止洗淨液及金屬除去液等被噴出至基板W上。 於圖5之例中，對噴嘴622依序供給洗淨液、金屬用除去液及純水，但本發明並不限於此。亦可於對噴嘴622供給金屬用除去液後，代替純水而將洗淨液供給至噴嘴622。於此情形時，可藉由洗淨液沖洗金屬用除去液。又，亦可首先對噴嘴622供給金屬用除去液而非洗淨液，然後對噴嘴622供給洗淨液。於此情形時，於藉由金屬用除去液將金屬成分自噴嘴622除去後，藉由洗淨液將塗佈液及固化物等自噴嘴622除去，且沖洗金屬用除去液。 又，於圖4及圖5之例中，噴嘴622之洗淨處理僅使用1種金屬用除去液，亦可使用複數種金屬用除去液。於此情形時，可將複數種金屬用除去液依序供給至噴嘴622，亦可將任一金屬用除去液選擇性地供給至噴嘴622。 圖6係用以說明回收單元400之其他構成例之圖。關於圖6之例，說明與圖4之例不同之方面。於圖6之例中，配管423連接於分離槽TA3。又，分離槽TA3經由配管423a、423b連接於回收槽TA1、TA2。於此情形時，自待機槽WP之貯存部72a將洗淨液及金屬用除去液導引至共通之分離槽TA3。 此處，洗淨液與金屬用除去液具有互不相同之比重，金屬用除去液之比重大於洗淨液之比重。因此，於分離槽TA3內，洗淨液之層LA1與金屬用除去液之層LA2形成為上下分離。因此，於分離槽TA3中設置檢測層LA1與層LA2之邊界面之邊界檢測部BS。作為邊界檢測部BS，例如使用靜電電容式之液位感測器。亦可取而代之，使用浮式、光學式、超音波式、導電率式、壓電共振式等其他方式之液位感測器作為邊界檢測部BS。 於分離槽TA3中設定層LA1與層LA2之邊界面之下限高度L1及上限高度L2。上限高度L2位於較下限高度L1更上方。於分離槽TA3中，在高於上限高度L2之位置安裝配管423a，在低於下限高度L1之位置安裝配管423b。 例如，於藉由邊界檢測部BS檢測之邊界面之高度未達下限高度L1之情形時，關閉閥V5。藉此，防止洗淨液經由配管423b導引至回收槽TA2。於此情形時，閥V4可打開，亦可關閉。於藉由邊界檢測部BS檢測之邊界面之高度為下限高度L1以上且未達上限高度L2之情形時，打開閥V4、V5。藉此，洗淨液及金屬用除去液經由配管423a、423b分別被導引至回收槽TA1、TA2。於藉由邊界檢測部BS檢測之邊界面之高度為上限高度L2以上之情形時，打開閥V5，關閉閥V4。藉此，防止金屬用除去液經由配管423b導引至回收槽TA2。又，防止金屬用除去液經由配管423a導引至回收槽TA1。 如此，於圖6之例中，基於洗淨液及金屬用除去液之比重，將使用過之洗淨液與使用過之金屬用除去液分離。藉此，可將洗淨液與金屬用除去液分離並回收。於此情形時，使用者無需進行用以分離洗淨液與金屬用除去液之作業。藉此，可減少各液之回收成本及廢棄成本。 (2-2)顯影處理單元及洗淨乾燥處理單元 如圖2所示，顯影處理單元139與塗佈處理單元129同樣地具備複數個旋轉夾頭35及複數個承杯37。又，如圖1所示，顯影處理單元139具備噴出顯影液之2個狹縫噴嘴38及使該等狹縫噴嘴38沿X方向移動之移動機構39。 於顯影處理單元139中，藉由未圖示之驅動裝置使旋轉夾頭35旋轉。藉此，使基板W旋轉。於該狀態下，狹縫噴嘴38一面移動一面對各基板W供給顯影液。藉此，進行基板W之顯影處理。 於洗淨乾燥處理部161設置複數個(本例中為3個)洗淨乾燥處理單元BSS。於各洗淨乾燥處理單元BSS中使用有機溶劑或純水進行曝光處理前之基板W之周緣部及背面之洗淨以及乾燥處理。此處，所謂背面係指基板W之與被處理面為相反側之面。 (3)熱處理部 圖7係表示圖1之熱處理部123、133及洗淨乾燥處理部162之內部構成之模式性側視圖。如圖7所示，熱處理部123具有設置於上方之上段熱處理部301及設置於下方之下段熱處理部302。於上段熱處理部301及下段熱處理部302設置複數個熱處理單元PHP、複數個密接強化處理單元PAHP及複數個冷卻單元CP。 於熱處理部123之最上部設置現場控制器LC1。現場控制器LC1基於來自圖1之主控制器114之指令，控制塗佈處理部121(圖1)、搬送部122(圖1)及熱處理部123之動作。 於熱處理單元PHP中進行基板W之加熱處理及冷卻處理。於密接強化處理單元PAHP中進行用以提高基板W與抗反射膜之密接性之密接強化處理。具體而言，於密接強化處理單元PAHP中，於基板W塗佈HMDS(Hexamethyldisilazane，六甲基二矽氮烷)等密接強化劑並且對基板W進行加熱處理。於冷卻單元CP中進行基板W之冷卻處理。 熱處理部133具有設置於上方之上段熱處理部303及設置於下方之下段熱處理部304。於上段熱處理部303及下段熱處理部304設置冷卻單元CP及複數個熱處理單元PHP。 於熱處理部133之最上部設置現場控制器LC2。現場控制器LC2基於來自圖1之主控制器114之指令，控制顯影處理部131(圖1)、搬送部132(圖1)及熱處理部133之動作。 (4)金屬除去單元 如上所述，於藉由圖3之旋轉夾頭611使基板W旋轉之狀態下，自邊緣清洗噴嘴613對基板W之周緣部噴出膜除去液，藉此塗佈於基板W之周緣部之塗佈液溶解。藉此，將基板W之周緣部之含金屬之塗佈膜除去。然而，有於基板W之周緣部殘留含金屬之塗佈液中含有之金屬成分之可能性。又，於含金屬之塗佈液流回至基板W之背面之情形時，於基板W之背面殘留含金屬之塗佈液中含有之金屬成分。 若於在基板W之周緣部或背面附著有金屬成分之狀態下於基板處理裝置100內搬送基板W，則會於基板處理裝置100之內部及曝光裝置15之內部產生因金屬成分所致之污染。因此，於洗淨乾燥處理部162設置將附著於曝光處理前之基板W之周緣部及背面之金屬成分除去之複數個(本例中為6個)金屬除去單元MR。 於本例中，在3個金屬除去單元MR與剩餘3個金屬除去單元MR中使用不同之金屬用除去液。於此情形時，可根據含金屬之塗佈液中含有之金屬成分之種類，藉由適當之金屬除去單元MR將附著於基板W之周緣部及背面之金屬成分除去。 圖8係表示金屬除去單元MR之第1構成例之圖。如圖8所示，於金屬除去單元MR設置馬達1、旋轉夾頭3、承杯4、2個背面洗淨噴嘴7、周緣部洗淨噴嘴8及氣體供給部9。旋轉夾頭3可繞鉛垂軸旋轉地安裝於馬達1之旋轉軸2之上端。承杯4以包圍保持於旋轉夾頭3之基板W之周圍之方式配置。於承杯4之下部形成排氣部5及排液部6。 2個背面洗淨噴嘴7以朝向由旋轉夾頭3保持之基板W之背面之方式配置。自背面洗淨噴嘴7對基板W之背面噴出金屬用除去液。周緣部洗淨噴嘴8以朝向由旋轉夾頭3保持之基板W之周緣部之方式配置。自周緣部洗淨噴嘴8對基板W之周緣部噴出金屬用除去液。 氣體供給部9配置於由旋轉夾頭3保持之基板W之大致中央部之上方。自氣體供給部9對基板W之被處理面之大致中央部噴出惰性氣體、例如氮氣。於此情形時，自氣體供給部9噴出之氣體於基板W之被處理面之大致中央部擴散。藉此，防止自周緣部洗淨噴嘴8噴出之金屬用除去液附著於形成於基板W之被處理面之塗佈膜。 圖9係表示金屬除去單元MR之第2構成例之圖。如圖9所示，於第2構成例中之金屬除去單元MR，代替圖8之周緣部洗淨噴嘴8及氣體供給部9而設置氣液供給噴嘴10。氣液供給噴嘴10包含沿水平方向排列之液體噴嘴10a及氣體噴嘴10b。氣液供給噴嘴10以朝向由旋轉夾頭3保持之基板W之周緣部之方式配置。於此，氣體噴嘴10b配置於較液體噴嘴10a靠基板W之中心之附近。 自液體噴嘴10a對基板W之周緣部噴出金屬用除去液。自氣體噴嘴10b對基板W之周緣部噴出惰性氣體、例如氮氣。於此情形時，自氣體噴嘴10b噴出氣體之基板W之位置較自液體噴嘴10a噴出金屬用除去液之位置接近於基板W之中心。因此，防止自液體噴嘴10a噴出之金屬用除去液因自氣體噴嘴10b噴出之氣體而朝向基板W之中心。藉此，防止自液體噴嘴10a噴出之金屬用除去液附著於形成於基板W之被處理面之塗佈膜。 於圖8及圖9之金屬除去單元MR中，由於自周緣部洗淨噴嘴8或液體噴嘴10a對基板W之周緣部供給金屬用除去液，故而基板W之周緣部之含金屬之塗佈膜中之金屬成分溶解，於基板W之被處理面之除周緣部以外之區域殘留含金屬之塗佈膜。又，由於自背面洗淨噴嘴7對基板W之背面供給金屬用除去液，故而即便於含金屬之塗佈液流回至基板W之背面之情形時，亦會將背面之附著於基板W之背面之含金屬之塗佈液中之金屬成分除去。 又，於本例中，藉由熱處理部123使含金屬之塗佈膜硬化後之基板W被搬送至金屬除去單元MR，因此即便於金屬除去單元MR中自氣體供給部9或氣體噴嘴10b對基板W噴出氣體，亦不會對含金屬之塗佈膜之膜厚造成影響。該等之結果為，可於基板W之被處理面以均勻之厚度形成含金屬之塗佈膜。 (5)搬送部 圖10係表示搬送部122、132、163之內部構成之模式性側視圖。如圖10所示，搬送部122具有上段搬送室125及下段搬送室126。搬送部132具有上段搬送室135及下段搬送室136。於上段搬送室125設置搬送機構127，於下段搬送室126設置搬送機構128。又，於上段搬送室135設置搬送機構137，於下段搬送室136設置搬送機構138。 塗佈處理室21、22(圖2)與上段熱處理部301(圖7)隔著上段搬送室125對向，塗佈處理室23、24(圖2)與下段熱處理部302(圖7)隔著下段搬送室126對向。同樣地，顯影處理室31、32(圖2)與上段熱處理部303(圖7)隔著上段搬送室135對向，顯影處理室33、34(圖2)與下段熱處理部304(圖7)隔著下段搬送室136對向。 於搬送部112與上段搬送室125之間設置基板載置部PASS1、PASS2，於搬送部112與下段搬送室126之間設置基板載置部PASS3、PASS4。於上段搬送室125與上段搬送室135之間設置基板載置部PASS5、PASS6，於下段搬送室126與下段搬送室136之間設置基板載置部PASS7、PASS8。 於上段搬送室135與搬送部163之間設置載置兼緩衝部P-BF1，於下段搬送室136與搬送部163之間設置載置兼緩衝部P-BF2。於搬送部163中，以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式設置基板載置部PASS9、複數個邊緣曝光部EEW及複數個載置兼冷卻部P-CP。 載置兼緩衝部P-BF1構成為可利用搬送機構137及搬送機構141、142(圖1)進行基板W之搬入及搬出。載置兼緩衝部P-BF2構成為可利用搬送機構138及搬送機構141、142(圖1)進行基板W之搬入及搬出。又，基板載置部PASS9、邊緣曝光部EEW及載置兼冷卻部P-CP構成為可利用搬送機構141、142(圖1)及搬送機構146進行基板W之搬入及搬出。 於邊緣曝光部EEW中進行基板W之周緣部之曝光處理(邊緣曝光處理)。藉由對基板W進行邊緣曝光處理，於其後之顯影處理時，將基板W之周緣部上之抗蝕膜除去。藉此，防止於顯影處理後基板W之周緣部與其他部分接觸之情形時，基板W之周緣部上之抗蝕膜剝離而成為顆粒。 於基板載置部PASS1及基板載置部PASS3載置自裝載區塊11向第1處理區塊12搬送之基板W，於基板載置部PASS2及基板載置部PASS4載置自第1處理區塊12向裝載區塊11搬送之基板W。 於基板載置部PASS5及基板載置部PASS7載置自第1處理區塊12向第2處理區塊13搬送之基板W，於基板載置部PASS6及基板載置部PASS8載置自第2處理區塊13向第1處理區塊12搬送之基板W。 於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2載置自第2處理區塊13向洗淨乾燥處理區塊14A搬送之基板W，於載置兼冷卻部P-CP載置自洗淨乾燥處理區塊14A向搬入搬出區塊14B搬送之基板W，於基板載置部PASS9載置自搬入搬出區塊14B向洗淨乾燥處理區塊14A搬送之基板W。 其次，對搬送機構127進行說明。圖11係表示搬送機構127之立體圖。如圖10及圖11所示，搬送機構127具備長條狀之導軌311、312。如圖10所示，導軌311於上段搬送室125內以沿上下方向延伸之方式固定於搬送部112側。導軌312於上段搬送室125內以沿上下方向延伸之方式固定於上段搬送室135側。 於導軌311與導軌312之間設置長條狀之導軌313。導軌313可上下移動地安裝於導軌311、312。於導軌313安裝移動構件314。移動構件314設置為可沿導軌313之長度方向移動。 於移動構件314之上表面可旋轉地設置長條狀之旋轉構件315。於旋轉構件315安裝用以保持基板W之外周部之手H1、H2、H3。手H1～H3設置為可沿旋轉構件315之長度方向移動。手H1配置於較手H2更上方，手H2配置於較手H3更上方。 藉由如上所述之構成，搬送機構127可於上段搬送室125內沿X方向及Z方向自由地移動。又，可使用手H1～H3對塗佈處理室21、22(圖2)、基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6(圖10)及上段熱處理部301(圖7)進行基板W之交接。 再者，如圖10所示，搬送機構128、137、138具有與搬送機構127相同之構成。又，於本實施形態中，圖1之搬送機構142具有與搬送機構127相同之3個手H1～H3。 (6)基板處理 一面參照圖1、圖2、圖7及圖10一面對基板處理進行說明。於裝載區塊11之載體載置部111(圖1)載置收容未處理之基板W之載體113。搬送機構115自載體113向基板載置部PASS1、PASS3(圖10)搬送未處理之基板W。又，搬送機構115將載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖10)之處理過之基板W搬送至載體113。 於第1處理區塊12中，搬送機構127(圖10)使用中段及下段之手H2、H3將載置於基板載置部PASS1之未處理之基板W依序搬送至密接強化處理單元PAHP(圖7)、冷卻單元CP(圖7)及塗佈處理室22(圖2)。其次，搬送機構127使用手H2、H3將塗佈處理室22之基板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖7)、冷卻單元CP(圖7)、塗佈處理室21(圖2)、熱處理單元PHP(圖7)及基板載置部PASS5(圖10)。 於此情形時，於密接強化處理單元PAHP中對基板W進行密接強化處理後，於冷卻單元CP中將基板W冷卻至適於抗反射膜之形成之溫度。其次，於塗佈處理室22中藉由塗佈處理單元129(圖2)於基板W上形成抗反射膜。繼而，於熱處理單元PHP中進行基板W之熱處理後，於冷卻單元CP中將基板W冷卻至適於抗蝕膜之形成之溫度。其次，於塗佈處理室21中，藉由塗佈處理單元129(圖2)於基板W上形成抗蝕膜。其後，於熱處理單元PHP中進行基板W之熱處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS5。 又，搬送機構127使用上段之手H1將載置於基板載置部PASS6(圖10)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS2(圖10)。 搬送機構128(圖10)使用中段及下段之手H2、H3將載置於基板載置部PASS3之未處理之基板W依序搬送至密接強化處理單元PAHP(圖7)、冷卻單元CP(圖7)及塗佈處理室24(圖2)。其次，搬送機構128使用手H2、H3將塗佈處理室24之基板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖7)、冷卻單元CP(圖7)、塗佈處理室23(圖2)、熱處理單元PHP(圖7)及基板載置部PASS7(圖10)。 又，搬送機構128(圖10)使用上段之手H1將載置於基板載置部PASS8(圖10)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS4(圖10)。塗佈處理室23、24(圖2)及下段熱處理部302(圖7)中之基板W之處理內容與上述塗佈處理室21、22(圖2)及上段熱處理部301(圖7)中之基板W之處理內容分別相同。 於第2處理區塊13中，搬送機構137(圖10)使用下段之手H3將載置於基板載置部PASS5之抗蝕膜形成後之基板W搬送至載置兼緩衝部P-BF1(圖10)。 又，搬送機構137(圖10)使用上段及中段之手H1、H2自與洗淨乾燥處理區塊14A鄰接之熱處理單元PHP(圖7)取出曝光處理後且熱處理後之基板W。搬送機構137使用手H1、H2將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖7)、顯影處理室31、32(圖2)中的任一者、熱處理單元PHP(圖7)及基板載置部PASS6(圖10)。 於此情形時，於冷卻單元CP中將基板W冷卻至適於顯影處理之溫度後，於顯影處理室31、32中之任一者中藉由顯影處理單元139進行基板W之顯影處理。其後，於熱處理單元PHP中進行基板W之熱處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS6。 搬送機構138(圖10)使用下段之手H3將載置於基板載置部PASS7之抗蝕膜形成後之基板W搬送至載置兼緩衝部P-BF2(圖10)。 又，搬送機構138(圖10)使用上段及中段之手H1、H2自與傳遞區塊14鄰接之熱處理單元PHP(圖7)取出曝光處理後且熱處理後之基板W。搬送機構138使用手H1、H2將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖7)、顯影處理室33、34(圖2)中之任一者、熱處理單元PHP(圖7)及基板載置部PASS8(圖10)。顯影處理室33、34及下段熱處理部304中之基板W之處理內容與上述顯影處理室31、32及上段熱處理部303中之基板W之處理內容分別相同。 於洗淨乾燥處理區塊14A中，搬送機構142(圖1)使用下段之手H3將載置於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖10)之基板W搬送至金屬除去單元MR(圖7)。又，搬送機構142使用上段及中段之手H1、H2將金屬除去單元MR之基板W搬送至載置兼緩衝部P-BF1(圖10)或載置兼緩衝部P-BF2(圖10)。搬送機構141(圖1)將自金屬除去單元MR搬送至載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2之基板依序搬送至洗淨乾燥處理單元BSS(圖2)、邊緣曝光部EEW及載置兼冷卻部P-CP(圖10)。 於此情形時，於金屬除去單元MR中進行殘留於基板W之周緣部及背面之金屬成分之除去。又，於洗淨乾燥處理單元BSS中進行基板W之周緣部及背面之洗淨以及乾燥處理。繼而，於邊緣曝光部EEW中進行基板W之邊緣曝光處理。其後，於載置兼冷卻部P-CP中將基板W冷卻至適於利用曝光裝置15(圖1)之曝光處理之溫度。 又，搬送機構142(圖1)將載置於基板載置部PASS9(圖10)之曝光處理後之基板W搬送至上段熱處理部303或下段熱處理部304之熱處理單元PHP(圖7)。於此情形時，於熱處理單元PHP中進行曝光後烘烤(PEB)處理。 於搬入搬出區塊14B中，搬送機構146(圖1)將載置於載置兼冷卻部P-CP(圖10)之曝光處理前之基板W搬送至曝光裝置15(圖1)之基板搬入部。又，搬送機構146自曝光裝置15之基板搬出部取出曝光處理後之基板W，並將該基板W搬送至基板載置部PASS9(圖10)。於曝光裝置15中，藉由具有極短波長之EUV對基板W進行曝光處理。於此情形時，由於基板W上之塗佈膜中含有金屬成分，故而可藉由高效率地進行EUV光之吸收，以較高之解像度形成微細之曝光圖案。再者，曝光方法並不限定於此，亦可藉由其他方法對基板W進行曝光處理。 根據上述基板W之搬送，除去金屬成分前之基板W與除去金屬成分後之基板W由搬送機構127、128、137、138、142之不同之手保持。藉此，防止金屬成分經由搬送機構127、128、137、138、142之手附著於除去金屬成分後之基板W。藉此，防止經由搬送機構之金屬污染之擴大。 (7)效果 於本實施形態之基板處理裝置100中，藉由對塗佈處理單元129之噴嘴622供給洗淨液及金屬用除去液而進行噴嘴622之洗淨處理。藉此，將附著於噴嘴622之塗佈液及其固化物除去並且將殘留於噴嘴622之金屬成分除去。因此，防止金屬成分自噴嘴622擴散。其結果為，防止基板W、基板處理裝置100及曝光裝置15之內部被金屬污染。 (8)待機槽WP之另一例 圖12係用以說明待機槽WP之另一例之圖。關於圖12之待機槽WP，對與圖4之例不同之方面進行說明。 於圖12之待機槽WP中，未形成液體供給容器71之流路711a以及噴嘴收納容器73之流路731a、732a、733a。又，配管422分支為配管422a、422b、422c，該等配管422a、422b、422c分別連接於洗淨液供給源741、純水供給源742及金屬用除去液供給源743。閥V1、V2、V3分別插接至配管422a、422b、422c。藉由選擇性地打開閥V1、V2、V3，自洗淨液供給源741、純水供給源742及金屬用除去液供給源743將上述洗淨液、純水及金屬用除去液選擇性地導引至流路711b。藉此，自共通之複數個噴出口OP2對噴嘴622分別噴出洗淨液、純水及金屬用除去液。 於本例中，亦藉由將洗淨液噴出至噴嘴622，而除去附著於噴嘴622之塗佈液及其固化物等。又，藉由將金屬用除去液噴出至噴嘴622，而除去殘留於噴嘴622之金屬成分。又，藉由將純水噴出至噴嘴622，而沖洗附著於噴嘴622之金屬用除去液。藉此，可使噴嘴622潔淨化。又，與圖4之例相比，待機槽WP之構成變得簡單。 再者，亦可於噴嘴622之洗淨處理時藉由圖3之噴嘴搬送機構60將噴嘴622升降。例如，亦可於噴出洗淨液及純水之期間將噴嘴622維持為第1高度，於噴出金屬用除去液之期間將噴嘴622維持為高於第1高度之第2高度。於此情形時，與圖5之例同樣地，於噴嘴622之外周面上，被供給純水之區域較被供給金屬用除去液之區域變大。藉此，藉由純水充分地沖洗金屬用除去液，防止金屬用除去液殘留於噴嘴622。 又，如上所述，亦可於對噴嘴622供給金屬用除去液後，代替純水而供給洗淨液。又，亦可首先將金屬用除去液供給至噴嘴622，其後將洗淨液供給至噴嘴622。又，亦可使用複數種金屬用除去液。又，於圖12之例中使用圖4之回收單元400，但亦可取而代之而使用圖6之回收單元400。 或者，亦可將具有使塗佈液溶解之性質之金屬用除去液供給至流路711b。於此情形時，藉由對噴嘴622供給金屬用除去液，而自噴嘴622除去塗佈液及固化物，同時除去金屬成分。藉此，以簡單之構成便可高效率地使噴嘴622潔淨化。 (9)旋轉單元之另一例 圖13係用以說明旋轉單元61之另一例之模式性側視圖。關於圖13之旋轉單元61，對與圖3之旋轉單元61不同之方面進行說明。 圖13之旋轉單元61除具備圖3之構成以外，進而具備邊緣清洗噴嘴614及背部清洗噴嘴615、616。邊緣清洗噴嘴614與邊緣清洗噴嘴613同樣地，以朝向由旋轉夾頭611保持之基板W之被處理面之周緣部之方式配置。背部清洗噴嘴615、616以朝向由旋轉夾頭611保持之基板W之背面之方式配置。旋轉夾頭611設置於馬達611a之旋轉軸之上端部。 於邊緣清洗噴嘴613、614分別連接供給配管613p、614p。於供給配管613p、614p分別中介插設有供給閥613v、614v。於背部清洗噴嘴615、616分別連接供給配管615p、616p。於供給配管615p、616p分別中介插設有供給閥615v、616v。 對邊緣清洗噴嘴613及背部清洗噴嘴615經由供給配管613p、615p供給膜除去液，對邊緣清洗噴嘴614及背部清洗噴嘴616經由供給配管614p、616p供給金屬用除去液。於本例中，膜除去液及金屬用除去液為第3除去液之例，膜除去液為第4除去液之例，金屬用除去液為第5除去液之例。 於在基板W上形成含金屬之塗佈膜後，於藉由旋轉夾頭611使基板W旋轉之狀態下，自邊緣清洗噴嘴613對基板W之周緣部噴出膜除去液，並且自背部清洗噴嘴615對基板W之背面噴出膜除去液。於此情形時，塗佈於基板W之周緣部及背面之塗佈液被溶解除去。 其後，於藉由旋轉夾頭611使基板W旋轉之狀態下，自邊緣清洗噴嘴614對基板W之周緣部噴出金屬用除去液，並且自背部清洗噴嘴616對基板W之背面噴出金屬用除去液。於此情形時，殘留於基板W之周緣部及背面之金屬成分溶解而被除去。 如此，於圖13之旋轉單元61中，於基板W上形成含金屬之塗佈膜並且自基板W之周緣部及背面除去塗佈液及金屬成分，因此無需將基板W搬送至金屬除去單元MR。因此，可縮短基板W之搬送時間，可提高產出量。又，由於亦無需設置金屬除去單元MR，故而可實現基板處理裝置100之小型化及裝置成本之減少。 再者，於本例中，噴出膜除去液之邊緣清洗噴嘴613與噴出金屬用除去液之邊緣清洗噴嘴614分別單獨地設置，但亦可設置選擇性地噴出膜除去液與金屬用除去液之共通之邊緣清洗噴嘴。同樣地，亦可設置選擇性地噴出膜除去液與金屬用除去液之共通之背部清洗噴嘴。或者，金屬用除去液亦可具有使塗佈液溶解之性質。於此情形時，亦可不設置邊緣清洗噴嘴613及背部清洗噴嘴615。 於旋轉單元61設置回收單元61A。回收單元61A包含回收配管DR、回收閥DRv1、DRv2及回收槽RTa、RTb。於承杯612之排液部連接回收配管DR。回收配管DR於下游分支為2個分支配管DRa、DRb。於分支配管DRa、DRb分別中介插設有回收閥DRv1、DRv2。分支配管DRa、DRb分別連接於回收槽RTa、RTb。 供給閥613v～616v及回收閥DRv1、DRv2例如由圖7之現場控制器LC1進行控制。首先，關閉供給閥613v～616v及回收閥DRv2，打開回收閥DRv1後，依序開放供給閥615v、613v。藉此，自背部清洗噴嘴615及邊緣清洗噴嘴613對基板W之背面及周緣部分別依序噴出膜除去液。 噴出至基板W之膜除去液藉由基板W之旋轉而甩掉，自承杯612之排液部經由回收配管DR導引至下游。於此情形時，分支配管DRa之回收閥DRv1打開，分支配管DRb之回收閥DRv2關閉，因此膜除去液經由分支配管DRa回收至回收槽RTa。其後，藉由將供給閥613v、615v依序關閉，膜除去液自邊緣清洗噴嘴613及背部清洗噴嘴615向基板W之噴出依序停止。 繼而，依序打開供給閥616v、614v。藉此，自背部清洗噴嘴616及邊緣清洗噴嘴614對基板W之背面及周緣部分別依序噴出金屬用除去液。又，關閉回收閥DRv1並且打開回收閥DRv2。 噴出至基板W之金屬用除去液藉由基板W之旋轉被甩掉，自承杯612之排液部經由回收配管DR導引至下游。於此情形時，分支配管DRb之回收閥DRv2打開，分支配管DRa之回收閥DRv1關閉，因此金屬用除去液經由分支配管DRb回收至回收槽RTb。其後，藉由將供給閥613v、供給閥616v依序關閉，金屬用除去液自邊緣清洗噴嘴614及背部清洗噴嘴616向基板W之噴出依序停止。 如此，於本例中，基於噴出膜除去液及金屬用除去液之期間，將使用過之膜除去液與使用過之金屬用除去液分離。藉此，幾乎所有使用過之膜除去液均被回收至回收槽RTa，且幾乎所有使用過之金屬用除去液被回收至回收槽RTb。於此情形時，使用者無需進行用以分離膜除去液與金屬用除去液之作業。藉此，可減少除去液之回收成本及廢棄成本。再者，亦可另外設置用以回收自圖3之噴嘴區塊620噴出之含金屬之塗佈液之回收槽。 於供給至上述待機槽WP之洗淨液與供給至旋轉單元61之膜除去液相同之情形時，亦可將圖4、圖6或圖12之回收槽TA1用作回收槽RTa。又，於供給至待機槽WP之金屬用除去液與供給至旋轉單元61之金屬用除去液相同之情形時，亦可將圖4、圖6或圖12之回收槽TA2用作回收槽RTb。 圖14係用以對用於自待機槽WP回收洗淨液及金屬用除去液之構成組合至回收單元61A之例進行說明之模式性側視圖。 於圖14之例中，自待機槽WP延伸之配管423a、423b與分支配管DRa、DRb連接。於此情形時，可將自待機槽WP排出之洗淨液回收至回收槽RTa，可將自待機槽WP排出之金屬用除去液回收至回收槽RTb。如此，藉由將用以自待機槽WP回收洗淨液及金屬用除去液之構成與回收單元61A組合，可進一步減少各液之回收成本及廢棄成本。 圖15係用以說明回收單元61A之另一例之模式性側視圖。關於圖15之回收單元61A，對與圖13之回收單元61A不同之方面進行說明。 圖15之回收單元61A包含回收槽RTc代替圖13之回收槽RTa、RTb。又，回收配管DR不分支而連接於回收槽RTc。於此情形時，來自承杯612之使用過之膜除去液及金屬用除去液被導引至共通之回收槽RTc。 此處，膜除去液與金屬用除去液具有互不相同之比重，金屬用除去液之比重大於膜除去液之比重。因此，於回收槽RTc內，膜除去液之層LA3與金屬用除去液之層LA4形成為上下分離。因此，於回收槽RTc設置檢測金屬用除去液與膜除去液之邊界面之邊界檢測部BSa。邊界檢測部BSa具有與圖6之邊界檢測部BS相同之構成。 於回收槽RTc設定層LA3與層LA4之邊界面之下限高度L3及上限高度L4。上限高度L4位於較下限高度L3更上方。於回收槽RTc中，在高於上限高度L4之位置安裝回收配管DRc，在低於下限高度L3之位置安裝回收配管DRd。回收配管DRc、DRd分別連接於未圖示之膜除去液回收部及金屬用除去液回收部。於回收配管DRc、DRd分別中介插設有回收閥DRv3、DRv4。 例如，於藉由邊界檢測部BSa檢測之邊界面之高度未達下限高度L3之情形時，關閉回收閥DRv4。藉此，防止膜除去液自回收配管DRd排出。於藉由邊界檢測部BSa檢測之邊界面之高度為下限高度L3以上且未達上限高度L4之情形時，打開回收閥DRv3、DRv4。藉此，膜除去液及金屬用除去液分別自回收配管DRc、DRd排出。於藉由邊界檢測部BSa檢測之邊界面之高度為上限高度L4以上之情形時，打開回收閥DRv4，且關閉回收閥DRv3。藉此，防止金屬用除去液自回收配管DRc排出。 如此，於本例中，基於膜除去液及金屬用除去液之比重，將使用過之膜除去液與使用過之金屬用除去液分離。藉此，可將膜除去液與金屬用除去液完全分離並回收。於此情形時，使用者無需進行用以分離膜除去液與金屬用除去液之作業。藉此，可減少除去液之回收成本及廢棄成本。 再者，於供給至上述待機槽WP之洗淨液與供給至旋轉單元61之膜除去液相同，且供給至待機槽WP之金屬用除去液與供給至旋轉單元61之金屬用除去液相同之情形時，亦可將圖6之分離槽TA3用作回收槽RTc。例如，亦可將圖6之配管423與圖15之回收配管DR連接。 又，亦可藉由其他構成將供給至基板W之膜除去液及金屬用除去液進行分離回收。例如，承杯612亦可為能將兩種除去液分離並回收之雙層承杯。 (10)其他實施形態 (10-1) 於上述實施形態中，對塗佈處理單元129之噴嘴622供給金屬用除去液，但本發明並不限於此。例如，亦可對顯影處理單元139之狹縫噴嘴38(圖1)供給金屬用除去液。圖16係表示顯影處理單元139之一例之模式性側視圖。圖16之顯影處理單元139包含用於供狹縫噴嘴38待機之待機槽WPa。於待機槽WPa經由配管431連接金屬用除去液供給源743。 於基板W之顯影處理中，自狹縫噴嘴38對基板W供給顯影液，藉此，基板W上之含金屬之塗佈膜之一部分溶解。於此情形時，有經溶解之含金屬之塗佈膜中之金屬附著於狹縫噴嘴38之可能性。因此，於待機槽WPa中對狹縫噴嘴38供給金屬用除去液。藉此，可將附著於狹縫噴嘴38之金屬除去。其結果為，防止金屬自狹縫噴嘴38擴散。 (10-2) 於上述實施形態中，於噴嘴區塊200待機之待機槽WP中進行噴嘴622之洗淨處理，但本發明並不限定於此。用以進行噴嘴622之洗淨處理之洗淨處理部亦可與待機槽WP分別單獨地設置。於此情形時，於待機槽WP中噴嘴區塊620待機並且進行預噴出，於洗淨處理部中進行噴嘴622之洗淨處理。 又，於上述實施形態中，利用洗淨液之噴嘴622之洗淨與利用金屬用除去液之噴嘴622之洗淨連續地進行，但本發明並不限於此。亦可獨立地進行利用洗淨液之噴嘴622之洗淨與利用金屬用除去液之噴嘴622之洗淨。例如，進行利用洗淨液之噴嘴622之洗淨之時序亦可與進行利用金屬用除去液之噴嘴622之洗淨之時序不同。又，進行利用洗淨液之噴嘴622之洗淨之頻度亦可與進行利用金屬用除去液之噴嘴622之洗淨之頻度不同。又，利用洗淨液之噴嘴622之洗淨與利用金屬用除去液之噴嘴622之洗淨亦可於互不相同之部位進行。 (10-3) 於上述實施形態中，抗反射液及抗蝕液兩者中含有金屬成分，但本發明並不限定於此。亦可於抗反射液及抗蝕液中之一者中不含金屬成分。又，亦可於用以形成硬質遮罩(HM)膜等其他膜之塗佈液中含有金屬成分。於此情形時，作為金屬成分，例如於塗佈液中含有氧化鈦(TiOx )、氧化鎢(WOx )或氧化鋯(ZrOx )。 (10-4) 於上述實施形態中，搬送機構127、128、137、138、141之手H1～H3保持基板W之外周部，但本發明並不限定於此。搬送機構127、128、137、138、141之手H1～H3亦可藉由吸附基板W而保持基板W之背面。 (10-5) 於上述實施形態中，搬送機構127、128、137、138、141較佳為具有3個手H1～H3，但本發明並不限定於此。搬送機構127、128、137、138、141可具有2個以下之手，亦可具有4個以上之手。 (10-6) 於上述形態中，於洗淨乾燥處理部161配置複數個洗淨乾燥處理單元BSS，於洗淨乾燥處理部162配置複數個金屬除去單元MR，但本發明並不限定於此。可於洗淨乾燥處理部162配置一部分或全部之洗淨乾燥處理單元BSS，亦可於洗淨乾燥處理部161配置一部分或全部之金屬除去單元MR。 (10-7) 於上述實施形態中，於塗佈處理單元129設置邊緣清洗噴嘴613，但本發明並不限定於此。例如，亦可不於塗佈處理單元129設置邊緣清洗噴嘴613，而於金屬除去單元MR設置邊緣清洗噴嘴613。於此情形時，於金屬除去單元MR中對基板W之周緣部供給膜除去液及金屬用除去液。為了回收使用後之膜除去液及金屬用除去液，亦可於金屬除去單元MR設置與圖13及圖15之例相同之回收單元。 (10-8) 於上述實施形態中，於傳遞區塊14設置邊緣曝光部EEW，但本發明並不限定於此。邊緣曝光部EEW亦可不設置於傳遞區塊14，而設置於第1處理區塊12之上段熱處理部301及下段熱處理部302。於此情形時，於抗蝕膜形成後基板W載置於基板載置部PASS5、PASS7之前對基板W進行邊緣曝光處理。 (10-9) 金屬除去單元MR亦可設置於其他部位。例如，亦可於第1或第2處理區塊12、13設置金屬除去單元MR。又，亦可於顯影處理單元139中，藉由對基板W之周緣部及背面供給金屬用除去液而將金屬成分自基板W之周緣部及背面除去。又，亦可於第1處理區塊12與第2處理區塊13之間配置包含金屬除去單元MR之其他處理區塊。 (11)申請專利範圍之各構成元件與實施形態之各元件之對應關係 以下，對申請專利範圍之各構成元件與實施形態之各元件之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述例。 於上述實施形態中，塗佈處理單元129或顯影處理單元139為膜處理單元之例，噴嘴622或狹縫噴嘴38為處理液噴嘴之例，噴嘴搬送機構60或移動機構39為移動機構之例，待機槽WP或待機槽WPa為除去液供給部之例。又，旋轉夾頭611為旋轉保持部之例，噴嘴收納容器73為收容部之例。 又，圖4及圖6之噴出口OP1為第1開口之例，圖4及圖6之配管421為第1除去液供給系統之例，圖4及圖6之噴出口OP2為第2開口之例，圖4及圖6之配管422為第2除去液供給系統之例，圖12之噴出口OP2為開口之例，圖12之配管422為除去液供給系統之例。 又，回收單元400為除去液回收單元之例，邊緣清洗噴嘴613、614為周緣部除去液供給單元及複數個除去液噴嘴之例，分支配管DRb為共通回收配管之例，基板處理裝置100為基板處理裝置之例，顯影處理單元139為顯影處理單元之例。 作為申請專利範圍之各構成元件，亦可使用具有申請專利範圍所記載之構成或功能之其他各種元件。 [產業上之可利用性] 本發明可有效地用於各種基板之處理。
1‧‧‧馬達
2‧‧‧旋轉軸
3‧‧‧旋轉夾頭
4‧‧‧承杯
5‧‧‧排氣部
6‧‧‧排液部
7‧‧‧背面洗淨噴嘴
8‧‧‧周緣部洗淨噴嘴
9‧‧‧氣體供給部
10‧‧‧氣液供給噴嘴
10a‧‧‧液體噴嘴
10b‧‧‧氣體噴嘴
11‧‧‧裝載區塊
12‧‧‧第1處理區塊
13‧‧‧第2處理區塊
14‧‧‧傳遞區塊
14A‧‧‧洗淨乾燥處理區塊
14B‧‧‧搬入搬出區塊
15‧‧‧曝光裝置
21‧‧‧塗佈處理室
22‧‧‧塗佈處理室
23‧‧‧塗佈處理室
24‧‧‧塗佈處理室
31‧‧‧顯影處理室
32‧‧‧顯影處理室
33‧‧‧顯影處理室
34‧‧‧顯影處理室
35‧‧‧旋轉夾頭
37‧‧‧承杯
38‧‧‧狹縫噴嘴
39‧‧‧移動機構
60‧‧‧噴嘴搬送機構
61‧‧‧旋轉單元
61A‧‧‧回收單元
62‧‧‧噴嘴單元
71‧‧‧液體供給容器
71a‧‧‧貫通孔
72‧‧‧回收容器
72a‧‧‧貯存部
72b‧‧‧流路
73‧‧‧噴嘴收納容器
73a‧‧‧噴嘴收容孔
100‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧載體載置部
112‧‧‧搬送部
113‧‧‧載體
114‧‧‧主控制器
115‧‧‧搬送機構
121‧‧‧塗佈處理部
122‧‧‧搬送部
123‧‧‧熱處理部
125‧‧‧上段搬送室
126‧‧‧下段搬送室
127‧‧‧搬送機構
128‧‧‧搬送機構
129‧‧‧塗佈處理單元
131‧‧‧顯影處理部
132‧‧‧搬送部
133‧‧‧熱處理部
135‧‧‧上段搬送室
136‧‧‧下段搬送室
137‧‧‧搬送機構
138‧‧‧搬送機構
139‧‧‧顯影處理單元
141‧‧‧搬送機構
142‧‧‧搬送機構
146‧‧‧搬送機構
161‧‧‧洗淨乾燥處理部
162‧‧‧洗淨乾燥處理部
163‧‧‧搬送部
301‧‧‧上段熱處理部
302‧‧‧下段熱處理部
303‧‧‧上段熱處理部
304‧‧‧下段熱處理部
311‧‧‧導軌
312‧‧‧導軌
313‧‧‧導軌
314‧‧‧移動構件
315‧‧‧旋轉構件
400‧‧‧回收單元
410‧‧‧塗佈液供給源
411‧‧‧塗佈液配管
421‧‧‧配管
421a‧‧‧配管
421b‧‧‧配管
422‧‧‧配管
422a‧‧‧配管
422b‧‧‧配管
422c‧‧‧配管
423‧‧‧配管
423a‧‧‧配管
423b‧‧‧配管
424‧‧‧配管
431‧‧‧配管
601‧‧‧抓持部
602‧‧‧第1導軌
603‧‧‧第2導軌
604‧‧‧汽缸
611‧‧‧旋轉夾頭
611a‧‧‧馬達
612‧‧‧承杯
613‧‧‧邊緣清洗噴嘴
613p‧‧‧供給配管
613v‧‧‧供給閥
614‧‧‧邊緣清洗噴嘴
614p‧‧‧供給配管
614v‧‧‧供給閥
615‧‧‧背部清洗噴嘴
615p‧‧‧供給配管
615v‧‧‧供給閥
616‧‧‧背部清洗噴嘴
616p‧‧‧供給配管
616v‧‧‧供給閥
620‧‧‧噴嘴區塊
621‧‧‧支持區塊
622‧‧‧噴嘴
711a‧‧‧流路
711b‧‧‧流路
731a‧‧‧流路
731b‧‧‧流路
732a‧‧‧流路
732b‧‧‧流路
733a‧‧‧流路
733b‧‧‧流路
741‧‧‧洗淨液供給源
742‧‧‧純水供給源
743‧‧‧金屬用除去液供給源
BS‧‧‧邊界檢測部
BSa‧‧‧邊界檢測部
BSS‧‧‧洗淨乾燥處理單元
CP‧‧‧冷卻單元
DR‧‧‧回收配管
DRa‧‧‧分支配管
DRb‧‧‧分支配管
DRc‧‧‧回收配管
DRd‧‧‧回收配管
DRv1‧‧‧回收閥
DRv2‧‧‧回收閥
DRv3‧‧‧回收閥
DRv4‧‧‧回收閥
EEW‧‧‧邊緣曝光部
H1‧‧‧手
H2‧‧‧手
H3‧‧‧手
L1‧‧‧下限高度
L2‧‧‧上限高度
L3‧‧‧下限高度
L4‧‧‧上限高度
LA1‧‧‧層
LA2‧‧‧層
LA3‧‧‧層
LA4‧‧‧層
LC1‧‧‧現場控制器
LC2‧‧‧現場控制器
MR‧‧‧金屬除去單元
OP1‧‧‧噴出口
OP2‧‧‧噴出口
PAHP‧‧‧密接強化處理單元
PASS1‧‧‧基板載置部
PASS2‧‧‧基板載置部
PASS3‧‧‧基板載置部
PASS4‧‧‧基板載置部
PASS5‧‧‧基板載置部
PASS6‧‧‧基板載置部
PASS7‧‧‧基板載置部
PASS8‧‧‧基板載置部
PASS9‧‧‧基板載置部
P-BF1‧‧‧載置兼緩衝部
P-BF2‧‧‧載置兼緩衝部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
PHP‧‧‧熱處理單元
RTa‧‧‧回收槽
RTb‧‧‧回收槽
RTc‧‧‧回收槽
TA1‧‧‧回收槽
TA2‧‧‧回收槽
TA3‧‧‧分離槽
Va‧‧‧閥
V1‧‧‧閥
V2‧‧‧閥
V3‧‧‧閥
V4‧‧‧閥
V5‧‧‧閥
V6‧‧‧閥
W‧‧‧基板
WP‧‧‧待機槽
WPa‧‧‧待機槽
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向
圖1係本發明之第1實施形態之基板處理裝置之模式性俯視圖。 圖2係表示圖1之塗佈處理部、顯影處理部及洗淨乾燥處理部之內部構成之模式性側視圖。 圖3係表示塗佈處理單元之構成之模式性俯視圖。 圖4係用以說明圖3之噴嘴區塊及待機槽之局部縱剖視圖。 圖5(a)～(c)係用以說明噴嘴之洗淨處理之具體例之圖。 圖6係用以說明回收單元之其他構成例之圖。 圖7係表示圖1之熱處理部及洗淨乾燥處理部之內部構成之模式性側視圖。 圖8係表示金屬除去單元之第1構成例之圖。 圖9係表示金屬除去單元之第2構成例之圖。 圖10係表示搬送部之內部構成之模式性側視圖。 圖11係表示搬送機構之立體圖。 圖12係用以說明待機槽之另一例之圖。 圖13係用以說明旋轉單元之另一例之模式性側視圖。 圖14係用以說明回收單元之另一例之模式性側視圖。 圖15係用以說明回收單元之另一例之模式性側視圖。 圖16係用以說明顯影處理單元之一例之模式性側視圖。

Claims (15)

  1. 一種膜處理單元，其具備：處理液噴嘴，其將含有金屬成分及塗佈液之含金屬之塗佈液噴出至基板之被處理面；移動機構，其使上述處理液噴嘴於基板之上方之處理位置與基板之外側之洗淨位置之間移動；及除去液供給部，其構成為，於上述洗淨位置將使上述含金屬之塗佈液中所含之上述金屬成分溶解之第1除去液、及使上述含金屬之塗佈液中所含之上述塗佈液溶解之第2除去液供給至上述處理液噴嘴。
  2. 如請求項1之膜處理單元，其進而具備以水平姿勢保持基板並使其旋轉之旋轉保持部，上述處理液噴嘴構成為，藉由將上述含金屬之塗佈液噴出至由上述旋轉保持部旋轉之基板之上述被處理面，而於上述被處理面形成含金屬之塗佈膜。
  3. 如請求項1或2之膜處理單元，其進而具備設置於上述洗淨位置且收容上述處理液噴嘴之至少一部分之收容部，上述收容部具有第1及第2開口，且上述除去液供給部包含：第1除去液供給系統，該第1除去液供給系統經由上述第1開口將上述第1除去液供給至上述收容部內之上述處理液噴嘴；及 第2除去液供給系統，該第2除去液供給系統經由上述第2開口將上述第2除去液供給至上述收容部內之上述處理液噴嘴。
  4. 如請求項3之膜處理單元，其中上述第2開口位於較上述第1開口更上方。
  5. 如請求項1或2之膜處理單元，其進而具備設置於上述洗淨位置且收容上述處理液噴嘴之至少一部分之收容部，上述收容部具有開口，且上述除去液供給部包含除去液供給系統，該除去液供給系統經由上述開口將上述第1除去液及上述第2除去液選擇性地供給至上述收容部內之上述處理液噴嘴。
  6. 如請求項1或2之膜處理單元，其進而具備除去液回收單元，該除去液回收單元以將供給至上述處理液噴嘴之上述第1與上述第2除去液分離並回收之方式設置。
  7. 如請求項1或2之膜處理單元，其中上述處理液噴嘴構成為，於在上述處理位置對基板噴出上述含金屬之塗佈液之前，於上述洗淨位置噴出上述含金屬之塗佈液。
  8. 如請求項1或2之膜處理單元，其進而具備周緣部除去液供給單元，該周緣部除去液供給單元以於基板之上述被處理面之除周緣部以外之區域 殘留上述含金屬之塗佈膜之方式，將使上述含金屬之塗佈液溶解之第3除去液供給至由上述旋轉保持部旋轉之基板之上述被處理面之上述周緣部。
  9. 如請求項8之膜處理單元，其中上述第3除去液包含使上述金屬成分溶解之第4除去液及使上述塗佈液溶解之第5除去液，上述周緣部除去液供給單元包含將上述第4及第5除去液供給至基板之上述被處理面之周緣部之1個或複數個除去液噴嘴。
  10. 如請求項9之膜處理單元，其中上述第5除去液與上述第1除去液相同，且進而具備用以回收供給至上述處理液噴嘴之上述第1除去液及供給至基板之上述第5除去液的共通回收配管。
  11. 一種膜處理單元，其具備：處理液噴嘴，其將顯影液噴出至形成有含有具感光性之塗佈液及金屬成分之含金屬之塗佈膜的基板之被處理面；移動機構，其使上述處理液噴嘴於基板之上方之處理位置與基板之外側之洗淨位置之間移動；及除去液供給部，其構成為，於上述洗淨位置將使上述含金屬之塗佈膜中所含之上述金屬成分溶解之第1除去液供給至上述處理液噴嘴。
  12. 一種基板處理裝置，其係以鄰接於對基板進行曝光處理之曝光裝置 之方式配置者，且具備：如請求項1或2之膜處理單元，其於利用上述曝光裝置之曝光處理前，於基板之被處理面形成上述含金屬之塗佈膜；及顯影處理單元，其於利用上述曝光裝置之曝光處理後，進行基板之顯影處理。
  13. 如請求項12之基板處理裝置，其中上述膜處理單元構成為，將具有感光性之感光性膜作為上述含金屬之塗佈膜形成於上述基板之被處理面。
  14. 如請求項12之基板處理裝置，其中上述膜處理單元構成為，將抗反射膜作為上述含金屬之塗佈膜形成於基板之上述被處理面。
  15. 一種基板處理裝置，其係以鄰接於對基板進行曝光處理之曝光裝置之方式配置者，且具備：膜形成單元，其於利用上述曝光裝置之曝光處理前，於基板之被處理面形成含有具感光性之塗佈液及金屬成分之含金屬之塗佈膜；及如請求項11之膜處理單元，其於利用上述曝光裝置之曝光處理後，進行基板之顯影處理。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7110030B2 (ja) * 2018-08-16 2022-08-01 キヤノンマシナリー株式会社 塗布装置および塗布方法
JP2020035920A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR102161794B1 (ko) * 2018-12-21 2020-10-07 세메스 주식회사 부품 세정 장치 및 방법
US11798800B2 (en) * 2021-06-25 2023-10-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for solvent recycling

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6302600B1 (en) * 1999-05-26 2001-10-16 Nagase & Co., Ltd. Apparatus for treating surface of boards
US20010037858A1 (en) * 2000-05-08 2001-11-08 Hiroki Taniyama Processing apparatus, processing system and processing method
US20030059534A1 (en) * 2001-09-27 2003-03-27 Tokyo Electron Limited Substrate processing method
US20090136869A1 (en) * 2007-11-22 2009-05-28 Tsutomu Ogihara Metal oxide-containing film-forming composition, metal oxide-containing film, metal oxide-containing film-bearing substrate, and patterning method
TW201029757A (en) * 2008-09-04 2010-08-16 Tokyo Electron Ltd Nozzle cleaning for liquid process, method for preventing dryout of processing liquid and the apparatus thereof
US8927201B2 (en) * 2011-03-30 2015-01-06 Jsr Corporation Multilayer resist process pattern-forming method and multilayer resist process inorganic film-forming composition

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5148959A (ja) 1974-10-25 1976-04-27 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd Dokikenpahoshiki
JP2643814B2 (ja) 1993-12-24 1997-08-20 日本電気株式会社 半導体基板の洗浄方法
KR950018697U (ko) 1993-12-31 1995-07-22 유체 공급장치
JP2760418B2 (ja) 1994-07-29 1998-05-28 住友シチックス株式会社 半導体ウエーハの洗浄液及びこれを用いた半導体ウエーハの洗浄方法
US6076979A (en) * 1997-07-25 2000-06-20 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Method of and apparatus for supplying developing solution onto substrate
JP4024351B2 (ja) * 1997-08-11 2007-12-19 大日本スクリーン製造株式会社 現像装置
JP3785478B2 (ja) * 1997-09-01 2006-06-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法
JP3970432B2 (ja) * 1998-08-24 2007-09-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2000311879A (ja) 1999-04-28 2000-11-07 Mitsubishi Electric Corp 洗浄液およびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2001319910A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP3777542B2 (ja) * 2001-04-03 2006-05-24 東京エレクトロン株式会社 ノズル装置及び塗布装置及び塗布方法
JP3993496B2 (ja) * 2001-09-27 2007-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法および塗布処理装置
JP4252758B2 (ja) * 2002-03-22 2009-04-08 関東化学株式会社 フォトレジスト残渣除去液組成物
JP3956350B2 (ja) * 2002-03-25 2007-08-08 東京エレクトロン株式会社 位置決め機能を有する基板処理装置及び位置決め機能を有する基板処理方法
JP2004296991A (ja) * 2003-03-28 2004-10-21 Sony Corp 多層レジストマスクの形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP4328658B2 (ja) * 2004-04-09 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP4487628B2 (ja) * 2004-05-14 2010-06-23 凸版印刷株式会社 洗浄装置付塗布装置
JP4386359B2 (ja) * 2004-09-29 2009-12-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 保護膜形成装置、基板処理システム、および除去方法
FR2894691B1 (fr) 2005-12-13 2008-01-18 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de masque lithographique en reflexion et masque issu du procede
JP4695020B2 (ja) * 2006-05-29 2011-06-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP4767783B2 (ja) * 2006-07-26 2011-09-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP2008270509A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
KR100941075B1 (ko) 2007-12-27 2010-02-09 세메스 주식회사 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
JP5813280B2 (ja) * 2008-03-19 2015-11-17 富士フイルム株式会社 半導体デバイス用洗浄液、および洗浄方法
JP4571208B2 (ja) * 2008-07-18 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置
JP5442232B2 (ja) * 2008-10-01 2014-03-12 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 薬液吐出用ノズルの待機ポット及び薬液塗布装置並びに薬液塗布方法
KR101000404B1 (ko) 2008-11-21 2010-12-13 주식회사 실트론 웨이퍼 세정 방법
JP5326113B2 (ja) * 2009-06-25 2013-10-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の洗浄方法
JP2012031506A (ja) * 2010-06-30 2012-02-16 Tokyo Electron Ltd 金属膜形成システム、金属膜形成方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR101408788B1 (ko) 2010-09-01 2014-06-17 세메스 주식회사 기판처리장치
CN102656671B (zh) 2010-12-24 2015-12-02 松下电器产业株式会社 半导体晶体管的制造方法、使用了由该方法制造的半导体晶体管的驱动电路、包括该驱动电路和显示元件的像素电路、该像素电路配置成行列状的显示面板、以及具有该显示面板的显示装置
JP5519728B2 (ja) 2011-05-17 2014-06-11 富士フイルム株式会社 エッチング方法及びこれに用いられるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法
JP5970933B2 (ja) * 2011-09-15 2016-08-17 Jsr株式会社 パターン形成方法
JP5841389B2 (ja) * 2011-09-29 2016-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
JP6066552B2 (ja) * 2011-12-06 2017-01-25 関東化學株式会社 電子デバイス用洗浄液組成物
JP2013120830A (ja) * 2011-12-07 2013-06-17 Renesas Electronics Corp 検出方法
TWI544291B (zh) 2012-05-22 2016-08-01 斯克林半導體科技有限公司 顯像處理裝置
JP5841493B2 (ja) * 2012-05-22 2016-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 現像処理装置
JP5965729B2 (ja) 2012-05-31 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法および基板処理装置
JP6212818B2 (ja) * 2012-09-27 2017-10-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置、基板処理装置、処理液供給方法および基板処理方法
US10133173B2 (en) 2012-09-27 2018-11-20 SCREEN Holdings Co., Ltd. Processing fluid supply device, substrate processing device, processing fluid supply method, substrate processing method, processing fluid processing device, and processing fluid processing method
JP6029939B2 (ja) * 2012-11-07 2016-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 処理液供給装置およびこれを備えた基板処理装置
JP2015033679A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 東京エレクトロン株式会社 プライミング処理方法、塗布処理装置、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6302600B1 (en) * 1999-05-26 2001-10-16 Nagase & Co., Ltd. Apparatus for treating surface of boards
US20010037858A1 (en) * 2000-05-08 2001-11-08 Hiroki Taniyama Processing apparatus, processing system and processing method
US20030059534A1 (en) * 2001-09-27 2003-03-27 Tokyo Electron Limited Substrate processing method
US20090136869A1 (en) * 2007-11-22 2009-05-28 Tsutomu Ogihara Metal oxide-containing film-forming composition, metal oxide-containing film, metal oxide-containing film-bearing substrate, and patterning method
TW201029757A (en) * 2008-09-04 2010-08-16 Tokyo Electron Ltd Nozzle cleaning for liquid process, method for preventing dryout of processing liquid and the apparatus thereof
US8927201B2 (en) * 2011-03-30 2015-01-06 Jsr Corporation Multilayer resist process pattern-forming method and multilayer resist process inorganic film-forming composition

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