JP5813280B2 - 半導体デバイス用洗浄液、および洗浄方法 - Google Patents
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Description
(1)特許文献1〜3に記載の洗浄液では、反射防止膜、例えば、オルガノシロキサン系反射防止膜の除去性が十分でなく、加えて、配線材料として使用される銅やTi(チタン)の腐食が生じるという問題があった。
(2)特許文献4に記載の洗浄液では、配線材料として使用される銅やTi(チタン)の腐食は小さいが、フォトレジストや反射防止膜(例えば、オルガノシロキサン系反射防止膜)の除去性が十分ではなかった。
(3)特許文献5に記載の洗浄液では、フォトレジストや反射防止膜(例えば、オルガノシロキサン系反射防止膜)の除去を行うために高温にする必要があり、かつ長時間を要するため、高スループットを目指すデバイス製造にとっては十分とはいえなかった。
(4)特許文献6に記載の洗浄液では、比較的短時間で洗浄性能を得ることができるが、使用温度は十分低温とはいえず、また要する時間も短時間とはいえなかった。また、腐食防止剤として用いているベンゾトリアゾール類は生分解性が低いなど環境負荷が高いため、廃液処理などの環境設備に多大のコストを要するという問題があった。
<1> 還元剤および界面活性剤を含み、pHが10〜14であり、フォトレジスト、エッチング残渣物、反射防止膜、およびアッシング残渣物の少なくともいずれかを除去するために用いられる半導体デバイス用洗浄液であって、
前記還元剤が、ヒドロキシルアミンまたはその誘導体であり、
さらに、一般式(1)で表される第4級アンモニウム水酸化物を含み、
洗浄液全量に対してエーテル系溶剤を0.0001〜0.5質量%含有する、半導体デバイス用洗浄液。
<2> 前記界面活性剤が、カチオン性界面活性剤またはノニオン性界面活性剤である<1>に記載の半導体デバイス用洗浄液。
<3> 前記カチオン性界面活性剤が、第4級アンモニウム塩系界面活性剤、またはアルキルピリジウム系界面活性剤である<2>に記載の半導体デバイス用洗浄液。
<4> 前記ノニオン性界面活性剤が、ポリプロピレンオキサイドポリエチレンオキサイド系界面活性剤、ポリアルキレンオキサイドジスチレン化フェニルエーテル系界面活性剤、ポリアルキレンオキサイドアルキルフェニルエーテル系界面活性剤、ポリアルキレンオキサイドトリベンジルフェニルエーテル系界面活性剤、アセチレンポリアルキレンオキサイド系界面活性剤、およびポリアルキレンオキサイドアルキルエーテル系界面活性剤からなる群より選ばれる少なくとも1種である<2>に記載の半導体デバイス用洗浄液。
<5> さらに、水を含み、前記水の含有量が洗浄液全体の質量に対して50質量%以上である、<1>〜<4>のいずれかに記載の半導体デバイス用洗浄液。
<6> 前記エーテル系溶剤の含有量が0.1〜0.5質量%である、<1>〜<5>のいずれかに記載の半導体デバイス用洗浄液。
<7> 前記エーテル系溶剤が、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、または、ポリエチレングリコールである、<1>〜<6>のいずれかに記載の半導体デバイス用洗浄液。
<8> <1>〜<7>のいずれかに記載の半導体デバイス用洗浄液を用いて、半導体デバイスを洗浄する半導体デバイスの洗浄方法。
<9> ドライエッチング工程の後に、<1>〜<7>のいずれかに記載の半導体デバイス用洗浄液を用いて半導体デバイスを洗浄する洗浄工程を実施することを特徴とする半導体デバイスの洗浄方法。
<10> 前記半導体デバイスが、誘電率kが3.0以下の層間絶縁膜を有する半導体デバイスである<8>または<9>に記載の半導体デバイスの洗浄方法。
本発明の洗浄液は、還元剤を含有する。本発明で用いられる還元剤は、還元作用を有する化合物であればよいが、例えば、水素化ホウ素ナトリウムおよびそのアンモニウム塩、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、または、ホスフィン酸ナトリウム、ホスホン酸ナトリウム、ホスホン酸水素ナトリウム、ジホスホン酸ナトリウム、次リン酸ナトリウム、次リン酸二水素二ナトリウム、およびそれらのアンモニウム塩、カリウム塩、または、ヒドラジンもしくはその誘導体(フェニルヒドラジン、ベンジルヒドラジン、エチルヒドラジン、N,N−ジメチルヒドラジンなど)が挙げられる。
なかでも、好ましくはN,N−ジエチルヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン、N,N−ジカルボキシエチルヒドロキシルアミン、N,N−ジスルホエチルヒドロキシルアミンである。なお、上記のヒドロキシルアミンおよびヒドロキシルアミン誘導体は、それぞれの塩であってもよく、具体的には、硫酸ヒドロキシルアミン、塩酸ヒドロキシルアミン、硝酸ヒドロキシルアミンなどが挙げられる。
本発明の洗浄液は界面活性剤を含有する。界面活性剤としては、ノニオン性、アニオン性、カチオン性界面活性剤、および、両性界面活性剤を用いることができる。
ノニオン性界面活性剤としては、例えば、ポリアルキレンオキサイドアルキルフェニルエーテル系界面活性剤、ポリアルキレンオキサイドアルキルエーテル系界面活性剤、ポリエチレンオキサイドとポリプロピレンオキサイドからなるブロックポリマー系界面活性剤、ポリオキシアルキレンジスチレン化フェニルエーテル系界面活性剤、ポリアルキレントリベンジルフェニルエーテル系界面活性剤、アセチレンポリアルキレンオキサイド系界面活性剤、などを用いることができる。
なかでも好ましくは、ポリアルキレンオキサイド(以下PAO)アルキルエーテル系界面活性剤で、PAOデシルエーテル、PAOラウリルエーテル、PAOトリデシルエーテル、PAOアルキレンデシルエーテル、PAOソルビタンモノラウレート、PAOソルビタンモノオレエート、PAOソルビタンモノステアレート、テトラオレイン酸ポリエチレンオキサイドソルビット、PAOアルキルアミン、PAOアセチレングリコールから選択されるポリアルキレンオキサイドアルキルエーテル系界面活性剤である。ポリアルキレンオキサイドとしては、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイドまたはポリブチレンオキサイドの重合体が好ましい。
本発明の洗浄液のpHは10〜14であり、さらに好ましくは11〜14である。pHが上記の数値の範囲内であると、フォトレジスト、反射防止膜、エッチング残渣、および、アッシング残渣を十分に除去することができるため好ましい。pHの測定方法としては、公知のpHメーターを用いて測定することができる。
なかでも、本発明においてはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、または、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、コリンを用いることがより好ましい。特に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリンが好ましい。第4級アンモニウム水酸化物は、単独でも、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
アルカリ金属水酸化物または第4級アンモニウム水酸化物は、それぞれの2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明の洗浄液は水溶液であり、水の含有量は洗浄液全体の質量に対して50〜98質量%であることが好ましい。また本発明の洗浄液では、ヘテロ環含有の金属腐食防止剤、例えばベンゾトリアゾールなどを使用しないことが好ましく、実質的に含まないことがより好ましい。
本発明の洗浄液は、水溶性有機溶剤を含有してもよい。水溶性有機溶剤は、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、1−プロピルアルコール、2−プロピルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、1,6−ヘキサンジオール、ソルビトール、キシリトール等のアルコール系溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル系溶剤、ホルムアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、アセトアミド、モノメチルアセトアミド、ジメチルアセトアミド、モノエチルアセトアミド、ジエチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド系溶剤、ジメチルスルホン、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶剤、γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン等のラクトン系溶剤等が挙げられる。
これらの中で好ましいのはアルコール系、エーテル系、アミド系、含硫黄系溶剤で、さらに好ましくは、1,6−ヘキサンジオール、テトラエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、N−メチルピロリドンおよびジメチルスルホキシドである。水溶性有機溶剤は、単独でも、2種類以上を適宜組み合わせて用いてもよい。
本発明の洗浄液は、ふっ素含有化合物を含有してもよい。ふっ素含有化合物は、ふっ化水素酸と、アンモニアまたは有機アミンとが反応して生成するふっ化物塩である。例えば、ふっ化アンモニウム、酸性ふっ化アンモニウム、メチルアミンふっ化水素塩、エチルアミンふっ化物塩、プロピルアミンふっ化物塩、ふっ化テトラメチルアンモニウム、ふっ化テトラエチルアンモニウム、エタノールアミンふっ化水素塩、トリエチレンジアミンふっ化水素塩などが挙げられる。これらは単独で使用しても、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
本発明の洗浄液は、キレート剤を含有してもよい。キレート剤としては、例えば、アミノポリカルボン酸塩群{エチレンジアミンテトラ酢酸塩(EDTA)、ジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸塩(HEDTA)、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸塩(DHEDDA)、ニトリロ酸酢酸塩(NTA)、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸塩(HIDA)、β−アラニンジ酢酸塩、アスパラギン酸ジ酢酸塩、メチルグリシンジ酢酸塩、イミノジコハク酸塩、セリンジ酢酸塩、ヒドロキシイミノジコハク酸塩、ジヒドロキシエチルグリシン塩、アスパラギン酸塩、グルタミン酸塩など}、ヒドロキシカルボン酸塩群{ヒドロキシ酢酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩、グルコン酸塩など}、シクロカルボン酸塩群{ピロメリット酸塩、ベンゾポリカルボン酸塩、シクロペンタンテトラカルボン酸塩など}、エーテルカルボン酸塩群{カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネート、酒石酸ジサクシネートなど}、その他カルボン酸塩群{マレイン酸誘導体、シュウ酸塩など}、有機カルボン酸(塩)ポリマー群{アクリル酸重合体および共重合体(アクリル酸−アリルアルコール共重合体、アクリル酸−マレイン酸共重合体、ヒドロキシアクリル酸重合体、多糖類−アクリル酸共重合体など)、多価カルボン酸重合体および共重合体群{マレイン酸、イタコン酸、フマル酸、テトラメチレン−1,2−ジカルボン酸、コハク酸、アスパラギン酸、グルタミン酸などのモノマーの重合体および共重合体}、グリオキシル酸重合体、多糖類群{デンプン、セルロース、アミロース、ペクチン、カルボキシメチルセルロースなど}、ホスホン酸塩群{メチルジホスホン酸塩、アミノトリスメチレンホスホン酸塩、エチリデンジホスホン酸塩、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸塩、エチルアミノビスメチレンホスホン酸塩、エチレンジアミンビスメチレンホスホン酸塩、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸塩、ヘキサメチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、プロピレンジアミンテトラメチレンホスホン酸塩、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸塩、トリエチレンテトラミンヘキサメチレンホスホン酸塩およびテトラエチレンペンタミンヘプタメチレンホスホン酸塩など}などが挙げられる。
なお、これらの塩としては、アンモニウム塩、アルカノールアミン(モノエタノールアミン、トリエタノールアミンなど)塩などが挙げられる。これらは単独で使用しても、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
本発明において、洗浄対象物である半導体デバイスの材質としては、シリコン、非晶性シリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、銅、チタン、チタン−タングステン、窒化チタン、タングステン、タンタル、タンタル化合物、クロム、クロム酸化物、アルミニウム等の半導体配線材料、あるいはガリウム−砒素、ガリウム−リン、インジウム−リン等の化合物半導体等が施された半導体基板、ポリイミド樹脂等のプリント基板、LCDなどに使用されるガラス基板等が挙げられる。
また、本発明の洗浄液は、層間絶縁膜を有する半導体デバイス(例えば、半導体デバイス基板)に対しても好適に使用することができる。層間絶縁膜としては、好ましくは誘電率kが3.0以下、より好ましくは2.6以下であり、具体的な層間絶縁膜の材料としてはSiOC系材料、ポリイミドなどの有機系ポリマーなどが挙げられる。なお、本発明の洗浄液が用いられる半導体デバイス(半導体素子)の具体例としては、例えば、集積回路(IC、LSI)などの半導体デバイス用基板などが挙げられる。なお、半導体デバイス基板としては、例えば、基材表面に金属配線が形成された単層基板、その表面に層間絶縁膜などを介して配線が形成されてなる多層配線基板、さらにフォトレジストが積層している多層配線基板などが挙げられる。本発明の洗浄液ではこれらの材質(配線材料、層間絶縁膜材料など)を腐食することはなく、残渣物を除去することができる。
本発明の洗浄方法は、本発明の洗浄液を調製後(洗浄液調製工程)、得られた洗浄液を用いて半導体デバイスを洗浄し、フォトレジスト、反射防止膜、エッチング残渣、および、アッシング残渣などを除去する洗浄工程を備えることを特徴とする。
このパターンウェハの断面を走査電子顕微鏡写真(SEM:Scanning Electron Microscope)で確認すると、ビアホール壁面にはエッチング残渣が認められた。
続いて、表1に見られる組成の洗浄液1〜16を調液した(界面活性剤の例としてあげられているエマルゲンは花王株式会社より、サーフィノールは日信化学工業株式会社より販売されているノニオン性界面活性剤である。)。
表1に記載した温度に調温した各溶液に上記パターンウェハの切片(約2cm×2cm)を浸漬し、表1に記載した浸漬時間後にパターンウェハの切片を取り出し、直ちに超純水で水洗、N2乾燥を行った。浸漬試験後のパターンウェハの切片の断面および表面をSEMで観察し、フォトレジスト、反射防止膜、エッチング残渣の除去性、および、銅、Ti、TiN、シリコン基板、SiO2、SiOC系層間絶縁膜の腐食性について下記の判断基準に従って評価を行った。なお、浸漬温度を20〜55℃、浸漬時間を1分〜20分の範囲で浸漬試験を行い、その後の水洗時間を60秒と30秒の条件で行い、除去性、腐食性の評価結果を表1にまとめた。
《除去性》
A: フォトレジスト、反射防止膜、エッチング残渣が完全に除去された。
B: フォトレジスト、反射防止膜、エッチング残渣の溶解不良物が残存していた。
C: フォトレジスト、反射防止膜、エッチング残渣がほとんど除去されていなかった。
A: 銅、Ti、TiN、シリコン基板に腐食が全く認められなかった。
B: 銅、Ti、TiN、シリコン基板のうち少なくとも一つの材料に若干の腐食が認められた。
C: 銅、Ti、TiN、シリコン基板のうち少なくとも一つの材料に大きな腐食が認められた。
A: SiO2、SiOC系層間絶縁膜に腐食が全く認められなかった。
B: SiO2、SiOC系層間絶縁膜に若干の腐食が認められた。
C: SiO2、SiOC系層間絶縁膜に大きな腐食が認められた。
比較例1〜5においては、浸漬時間、浸漬温度の調整を行っても十分な除去性、腐食性を示すものがなかった。
Claims (10)
- 還元剤および界面活性剤を含み、pHが10〜14であり、フォトレジスト、エッチング残渣物、反射防止膜、およびアッシング残渣物の少なくともいずれかを除去するために用いられる半導体デバイス用洗浄液であって、
前記還元剤が、ヒドロキシルアミンまたはその誘導体であり、
さらに、一般式(1)で表される第4級アンモニウム水酸化物を含み、
洗浄液全量に対してエーテル系溶剤を0.0001〜0.5質量%含有する、半導体デバイス用洗浄液。
- 前記界面活性剤が、カチオン性界面活性剤またはノニオン性界面活性剤である請求項1に記載の半導体デバイス用洗浄液。
- 前記カチオン性界面活性剤が、第4級アンモニウム塩系界面活性剤、またはアルキルピリジウム系界面活性剤である請求項2に記載の半導体デバイス用洗浄液。
- 前記ノニオン性界面活性剤が、ポリプロピレンオキサイドポリエチレンオキサイド系界面活性剤、ポリアルキレンオキサイドジスチレン化フェニルエーテル系界面活性剤、ポリアルキレンオキサイドアルキルフェニルエーテル系界面活性剤、ポリアルキレンオキサイドトリベンジルフェニルエーテル系界面活性剤、アセチレンポリアルキレンオキサイド系界面活性剤、およびポリアルキレンオキサイドアルキルエーテル系界面活性剤からなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項2に記載の半導体デバイス用洗浄液。
- さらに、水を含み、前記水の含有量が洗浄液全体の質量に対して50質量%以上である、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体デバイス用洗浄液。
- 前記エーテル系溶剤の含有量が0.1〜0.5質量%である、請求項1〜5のいずれかに記載の半導体デバイス用洗浄液。
- 前記エーテル系溶剤が、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、または、ポリエチレングリコールである、請求項1〜6のいずれかに記載の半導体デバイス用洗浄液。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の半導体デバイス用洗浄液を用いて、半導体デバイスを洗浄する半導体デバイスの洗浄方法。
- ドライエッチング工程の後に、請求項1〜7のいずれかに記載の半導体デバイス用洗浄液を用いて半導体デバイスを洗浄する洗浄工程を実施することを特徴とする半導体デバイスの洗浄方法。
- 前記半導体デバイスが、誘電率kが3.0以下の層間絶縁膜を有する半導体デバイスである請求項8または9に記載の半導体デバイスの洗浄方法。
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