JPH10189412A - 基板の回転洗浄方法 - Google Patents
基板の回転洗浄方法Info
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- JPH10189412A JPH10189412A JP34473996A JP34473996A JPH10189412A JP H10189412 A JPH10189412 A JP H10189412A JP 34473996 A JP34473996 A JP 34473996A JP 34473996 A JP34473996 A JP 34473996A JP H10189412 A JPH10189412 A JP H10189412A
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- Japan
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- substrate
- cleaning liquid
- rotating
- cleaning
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 現像後に基板を洗浄する際に、表面に断線等
の原因となる微粒子が残らないようにする。 【解決手段】 現像後の基板２上に洗浄液６を供給し、
回転洗浄せしめる際に、基板の主回転数をある程度低く
し、しかも、主回転数に致るまでのアクセスタイムを長
くするか或いはメインの回転洗浄工程の前に、極低速で
回転せしめる予備の回転洗浄工程を設けるか、基板の回
転を停止せしめる工程を設ける。
の原因となる微粒子が残らないようにする。 【解決手段】 現像後の基板２上に洗浄液６を供給し、
回転洗浄せしめる際に、基板の主回転数をある程度低く
し、しかも、主回転数に致るまでのアクセスタイムを長
くするか或いはメインの回転洗浄工程の前に、極低速で
回転せしめる予備の回転洗浄工程を設けるか、基板の回
転を停止せしめる工程を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板表面のホトレジ
ストを現像した後の基板の回転洗浄方法に関する。
ストを現像した後の基板の回転洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハ等の基板にレジストパタ
ーンを形成する手順を、図１１に基づいて簡単に説明す
ると、先ず、基板の表面にレジスト液を塗布する。この
とき、基板表面には下層反射防止膜（ＢＡＲＣ）を塗布
することが行われている。この下層反射防止膜は露光時
にレジスト膜を透過した光線が薄膜や基板表面で反射
（乱反射）し、レジストパターンの局所的な歪み（ノッ
チング）や寸法精度の劣化を招くのを防止する役目を果
たす。
ーンを形成する手順を、図１１に基づいて簡単に説明す
ると、先ず、基板の表面にレジスト液を塗布する。この
とき、基板表面には下層反射防止膜（ＢＡＲＣ）を塗布
することが行われている。この下層反射防止膜は露光時
にレジスト膜を透過した光線が薄膜や基板表面で反射
（乱反射）し、レジストパターンの局所的な歪み（ノッ
チング）や寸法精度の劣化を招くのを防止する役目を果
たす。
【０００３】そして、基板の表面にレジスト液を塗布し
たならば、プリベークを行った後、マスクを介して露光
し、更にポストイクスポージャベーク（ＰＥＢ）を経た
後、現像、洗浄及び乾燥を行うようにしている。
たならば、プリベークを行った後、マスクを介して露光
し、更にポストイクスポージャベーク（ＰＥＢ）を経た
後、現像、洗浄及び乾燥を行うようにしている。
【０００４】前記現像はスピンナー上に基板を保持し、
基板上に現像液を供給して現像を行うとともに、基板を
回転させることで現像液を基板上から除去し、また前記
洗浄も現像と同様に、スピンナー上に基板を保持し、基
板上に洗浄液（純水）を供給して基板上に残っている現
像液を除去するとともに基板表面を洗浄し、この後加熱
乾燥するようにしている。
基板上に現像液を供給して現像を行うとともに、基板を
回転させることで現像液を基板上から除去し、また前記
洗浄も現像と同様に、スピンナー上に基板を保持し、基
板上に洗浄液（純水）を供給して基板上に残っている現
像液を除去するとともに基板表面を洗浄し、この後加熱
乾燥するようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図１２は上記した従来
の方法で基板表面を乾燥させた後の状態を示す断面図で
あり、レジストパターンの間に微粒子が残る場合があ
る。この微粒子は、レジストの溶け残り、下層反射防止
膜からの滲み出し、現像液や洗浄液中の不純物であると
推定されるが、これら微粒子が存在すると、後のエッチ
ングプロセスでマスクとして作用し、断線等の欠陥を生
じる。
の方法で基板表面を乾燥させた後の状態を示す断面図で
あり、レジストパターンの間に微粒子が残る場合があ
る。この微粒子は、レジストの溶け残り、下層反射防止
膜からの滲み出し、現像液や洗浄液中の不純物であると
推定されるが、これら微粒子が存在すると、後のエッチ
ングプロセスでマスクとして作用し、断線等の欠陥を生
じる。
【０００６】斯かる微粒子の再付着を防止する方法とし
て、特開平８−５５７８１号公報に開示される方法が提
案されている。この方法は、現像後に、リンス液（洗浄
液）をレジスト膜に滴下しながら１０００〜２０００rp
mで回転させ、次いでリンス液の供給を停止した状態で
３００〜５００rpmで回転させ、更にこれらより高速
（４０００rpm）で回転させる方法である。
て、特開平８−５５７８１号公報に開示される方法が提
案されている。この方法は、現像後に、リンス液（洗浄
液）をレジスト膜に滴下しながら１０００〜２０００rp
mで回転させ、次いでリンス液の供給を停止した状態で
３００〜５００rpmで回転させ、更にこれらより高速
（４０００rpm）で回転させる方法である。
【０００７】しかしながら、上記の方法によっても、下
地に下層反射防止膜を形成した場合には微粒子が残る傾
向にある。
地に下層反射防止膜を形成した場合には微粒子が残る傾
向にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、洗浄液に
急激な力が作用するような条件で洗浄した場合に、微粒
子が残るという知見を得、鋭意研究を重ねた結果本発明
を成したものである。即ち、本願の第１発明は、基板の
主回転数に致るまでの時間（アクセスタイム）を１秒以
上とすることで、従来よりもゆっくりと回転速度を上
げ、洗浄液内での気泡等の発生を抑えるようにした。
急激な力が作用するような条件で洗浄した場合に、微粒
子が残るという知見を得、鋭意研究を重ねた結果本発明
を成したものである。即ち、本願の第１発明は、基板の
主回転数に致るまでの時間（アクセスタイム）を１秒以
上とすることで、従来よりもゆっくりと回転速度を上
げ、洗浄液内での気泡等の発生を抑えるようにした。
【０００９】アクセスタイムは長ければ長い方が良い結
果が得られた。したがって１秒よりも５秒、更には１５
秒の方が更に好ましい。また、基板の主回転数もなるべ
く低い方が好ましいが、あまり低くすると、洗浄時間が
長くなるので、２５００rpm以下が好ましい。
果が得られた。したがって１秒よりも５秒、更には１５
秒の方が更に好ましい。また、基板の主回転数もなるべ
く低い方が好ましいが、あまり低くすると、洗浄時間が
長くなるので、２５００rpm以下が好ましい。
【００１０】また、基板を回転させる工程の前に、低速
で予備回転させる工程を設けることで、更に効率良く洗
浄を行うことができる。
で予備回転させる工程を設けることで、更に効率良く洗
浄を行うことができる。
【００１１】一方、本願の第２発明は、基板を回転させ
る工程の前に、基板上に供給された洗浄液を静止せしめ
る工程を設けた。ここで、洗浄液を静止せしめるには、
例えば、回転が停止している基板上に洗浄液を供給する
か、洗浄液が供給された基板の回転を停止することで行
う。
る工程の前に、基板上に供給された洗浄液を静止せしめ
る工程を設けた。ここで、洗浄液を静止せしめるには、
例えば、回転が停止している基板上に洗浄液を供給する
か、洗浄液が供給された基板の回転を停止することで行
う。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。ここで、図１は以下に述べる
実施例の概略を示す図であり、各実施例は先ず図１
（ａ）に示すように、スピンナー１上に半導体ウェーハ
等の基板２をセットする。この基板２の表面には下層反
射防止膜３が形成され、この下層反射防止膜３の上に、
アルカリ可溶性樹脂、酸発生剤及び架橋剤を主成分とし
てなるアルカリ現像性の化学増幅型ネガレジストから形
成されたレジスト膜４が形成されている。尚、図１
（ａ）に示すレジスト膜４は既にマスクを介した露光が
終了している。
図面に基づいて説明する。ここで、図１は以下に述べる
実施例の概略を示す図であり、各実施例は先ず図１
（ａ）に示すように、スピンナー１上に半導体ウェーハ
等の基板２をセットする。この基板２の表面には下層反
射防止膜３が形成され、この下層反射防止膜３の上に、
アルカリ可溶性樹脂、酸発生剤及び架橋剤を主成分とし
てなるアルカリ現像性の化学増幅型ネガレジストから形
成されたレジスト膜４が形成されている。尚、図１
（ａ）に示すレジスト膜４は既にマスクを介した露光が
終了している。
【００１３】そして、図１（ｂ）に示すように、レジス
ト膜４上に現像液５を供給し、現像を行う。現像中は基
板２を低速で回転させたり、間欠的に回転させる。更
に、基板の回転で一旦現像液を除去した後、再度現像液
をレジスト膜４上に供給するようにしてもよい。
ト膜４上に現像液５を供給し、現像を行う。現像中は基
板２を低速で回転させたり、間欠的に回転させる。更
に、基板の回転で一旦現像液を除去した後、再度現像液
をレジスト膜４上に供給するようにしてもよい。
【００１４】以上の工程が終了したら、図１（ｃ）に示
すように、レジストパターン膜４上に洗浄液（純水）６
を供給し、現像液を洗い流すととも基板を洗浄する。こ
の時、同時に基板の裏面洗浄を行ってもよい。尚、この
洗浄に用いる洗浄液としては、通常純水が用いられる。
又純水に界面活性剤を添加したり、イソプロピルアルコ
ールのような低級アルコール類を混合させることにより
表面張力を低下させた洗浄液が用いられる。
すように、レジストパターン膜４上に洗浄液（純水）６
を供給し、現像液を洗い流すととも基板を洗浄する。こ
の時、同時に基板の裏面洗浄を行ってもよい。尚、この
洗浄に用いる洗浄液としては、通常純水が用いられる。
又純水に界面活性剤を添加したり、イソプロピルアルコ
ールのような低級アルコール類を混合させることにより
表面張力を低下させた洗浄液が用いられる。
【００１５】尚、以下に述べる本発明の実施例と比較例
においては、上記したようなアルカリ現像性の化学増幅
型ネガレジストを用いた。周知のように、該ネガレジス
トは露光及びＰＥＢにより露光部が架橋する。これによ
り露光部はアルカリ不溶性となる一方、未露光部はアル
カリ可溶性であることからアルカリ現像液により、ネガ
型のレジストパターンが得られる。したがって、本発明
における実施例と比較例においては、通常、図１１のよ
うに施される処理工程のうち、欠陥を測定しやすくする
ために基板全面がアルカリ現像液に可溶となるよう、便
宜上、露光処理を省き評価したものである。
においては、上記したようなアルカリ現像性の化学増幅
型ネガレジストを用いた。周知のように、該ネガレジス
トは露光及びＰＥＢにより露光部が架橋する。これによ
り露光部はアルカリ不溶性となる一方、未露光部はアル
カリ可溶性であることからアルカリ現像液により、ネガ
型のレジストパターンが得られる。したがって、本発明
における実施例と比較例においては、通常、図１１のよ
うに施される処理工程のうち、欠陥を測定しやすくする
ために基板全面がアルカリ現像液に可溶となるよう、便
宜上、露光処理を省き評価したものである。
【００１６】（実施例１）現像後の基板を６００〜１０
００rpmで回転せしめ、基板上に純水を１．１リットル／min
の割合で供給した後、純水の供給を停止するとともに、
基板を主回転までアクセスタイム０．５秒でもってゆ
き、３０秒主回転のまま維持した。主回転数を６０００
rpm、４０００rpm及び２５００rpmとした場合の、欠陥
の増加率（欠陥数２／欠陥数１）を図２〜図４に示す。
尚、欠陥数１とは、基板１枚毎に、欠陥を検出する装置
ＫＬＡ−２１１２（ＫＬＡ社製）を用いて反射防止膜を
塗布しベーク後測定したものであり、欠陥数２とは、基
板１枚毎に、本発明の回転洗浄後測定したものである。
００rpmで回転せしめ、基板上に純水を１．１リットル／min
の割合で供給した後、純水の供給を停止するとともに、
基板を主回転までアクセスタイム０．５秒でもってゆ
き、３０秒主回転のまま維持した。主回転数を６０００
rpm、４０００rpm及び２５００rpmとした場合の、欠陥
の増加率（欠陥数２／欠陥数１）を図２〜図４に示す。
尚、欠陥数１とは、基板１枚毎に、欠陥を検出する装置
ＫＬＡ−２１１２（ＫＬＡ社製）を用いて反射防止膜を
塗布しベーク後測定したものであり、欠陥数２とは、基
板１枚毎に、本発明の回転洗浄後測定したものである。
【００１７】ここで、図２は主回転数を６０００rpmと
した場合の欠陥（DEFECT）の発生状況を示す図、図３は
主回転数を４０００rpmとした場合の欠陥の発生状況を
示す図、図４は主回転数を２５００rpmとした場合の欠
陥の発生状況を示す図であり、主回転数を６０００rpm
とした場合には、基板全面に欠陥が発生し、主回転数を
４０００rpmとした場合には、中心からオリエンテーシ
ョンフラットに向かう領域に欠陥が比較的集中して発生
し、主回転数を２５００rpmとした場合に更にその傾向
が強くなることが分かる。
した場合の欠陥（DEFECT）の発生状況を示す図、図３は
主回転数を４０００rpmとした場合の欠陥の発生状況を
示す図、図４は主回転数を２５００rpmとした場合の欠
陥の発生状況を示す図であり、主回転数を６０００rpm
とした場合には、基板全面に欠陥が発生し、主回転数を
４０００rpmとした場合には、中心からオリエンテーシ
ョンフラットに向かう領域に欠陥が比較的集中して発生
し、主回転数を２５００rpmとした場合に更にその傾向
が強くなることが分かる。
【００１８】また、実施例１からは、主回転数は低くす
れば、発生する欠陥数が減少し、しかも主回転数を２５
００rpmと低くした場合でも、欠陥は発生するため、単
に主回転数を下げただけでは充分な効果が得られないこ
とが分かる。
れば、発生する欠陥数が減少し、しかも主回転数を２５
００rpmと低くした場合でも、欠陥は発生するため、単
に主回転数を下げただけでは充分な効果が得られないこ
とが分かる。
【００１９】（実施例２）基板の主回転数を２５００rp
mとし、２５００rpmまでのアクセスタイム（主回転数に
なるまでの時間）を１５秒とし、他の条件は（実施例
１）と同様とした。欠陥の発生状況を図５に示す。
mとし、２５００rpmまでのアクセスタイム（主回転数に
なるまでの時間）を１５秒とし、他の条件は（実施例
１）と同様とした。欠陥の発生状況を図５に示す。
【００２０】図５から、アクセスタイムを長くすること
で、欠陥の発生は大幅に改善されることが分かる。ま
た、図５は主回転数を２５００rpmとし、アクセスタイ
ムを１５秒、主回転数での継続時間を３０秒とした場合
の欠陥の発生状況を示す図であり、この図からも、アク
セスタイムを長くすることで、欠陥の発生は大幅に改善
されることが分かる。
で、欠陥の発生は大幅に改善されることが分かる。ま
た、図５は主回転数を２５００rpmとし、アクセスタイ
ムを１５秒、主回転数での継続時間を３０秒とした場合
の欠陥の発生状況を示す図であり、この図からも、アク
セスタイムを長くすることで、欠陥の発生は大幅に改善
されることが分かる。
【００２１】また、以下の（表１）は、アクセスタイム
のみを変化させ、他は（実施例２）と同じ条件で、回転
洗浄させた場合の欠陥の増加の傾向を示すものである。
のみを変化させ、他は（実施例２）と同じ条件で、回転
洗浄させた場合の欠陥の増加の傾向を示すものである。
【００２２】
【表１】
【００２３】この（表１）から、アクセスタイムと欠陥
の数とは一定の関係があり、アクセスタイムを通常のア
クセスタイム（０．２〜０．５秒）の２倍以上（１秒以
上）とすることで、大幅に欠陥数が減少することが分か
る。
の数とは一定の関係があり、アクセスタイムを通常のア
クセスタイム（０．２〜０．５秒）の２倍以上（１秒以
上）とすることで、大幅に欠陥数が減少することが分か
る。
【００２４】（実施例３）この実施例にあっては、（実
施例２）の主回転数を２５００rpmとする回転洗浄工程
の前工程として、主回転数を６００rpmとしアクセスタ
イムを５秒にした予備回転させる工程を設け、他の条件
は（実施例２）と同一にした。欠陥の発生状況を図６で
示す。
施例２）の主回転数を２５００rpmとする回転洗浄工程
の前工程として、主回転数を６００rpmとしアクセスタ
イムを５秒にした予備回転させる工程を設け、他の条件
は（実施例２）と同一にした。欠陥の発生状況を図６で
示す。
【００２５】図６から低速の予備回転洗浄工程を、メイ
ンの回転洗浄工程の前に設けるのは有効であることが分
かる。
ンの回転洗浄工程の前に設けるのは有効であることが分
かる。
【００２６】（実施例４）この実施例にあっては、（実
施例２）の主回転数を２５００rpmとする回転洗浄工程
の前工程として、基板の回転を２秒間のアクセスタイム
で停止し、この停止状態を４秒間維持するようにした。
尚、この間は洗浄液の供給を継続した。欠陥の発生状況
を図７で示す。また、この際のアクセスタイムとは回転
から回転が停止するまでの時間である。以下、実施例
５，６お比較例も同様である。図７から一旦基板の回転
を停止させることが、欠陥発生の抑制に極めて効果的で
あることが分かる。
施例２）の主回転数を２５００rpmとする回転洗浄工程
の前工程として、基板の回転を２秒間のアクセスタイム
で停止し、この停止状態を４秒間維持するようにした。
尚、この間は洗浄液の供給を継続した。欠陥の発生状況
を図７で示す。また、この際のアクセスタイムとは回転
から回転が停止するまでの時間である。以下、実施例
５，６お比較例も同様である。図７から一旦基板の回転
を停止させることが、欠陥発生の抑制に極めて効果的で
あることが分かる。
【００２７】（実施例５）基板の回転を０．５秒間のア
クセスタイムで停止し、この停止状態を２秒間維持する
ようにし、他の条件は（実施例４）と同じにした。結果
を図８に示す。この図から、実施例４よりも欠陥数が若
干上昇していることが分かる。これは、基板の回転停止
までの時間が、影響しているものと思われる。
クセスタイムで停止し、この停止状態を２秒間維持する
ようにし、他の条件は（実施例４）と同じにした。結果
を図８に示す。この図から、実施例４よりも欠陥数が若
干上昇していることが分かる。これは、基板の回転停止
までの時間が、影響しているものと思われる。
【００２８】（実施例６）前記実施例４及び実施例５で
は、基板の回転停止中でも洗浄液の供給を継続したが、
この実施例では洗浄液の供給も停止した。但し、基板の
回転停止までのアクセスタイムは０．１秒とした。結果
を図９に示す。この図から、実施例４及び実施例５より
も欠陥数が若干上昇していることが分かる。これは、基
板の回転停止までの時間が、影響しているものと思われ
る。
は、基板の回転停止中でも洗浄液の供給を継続したが、
この実施例では洗浄液の供給も停止した。但し、基板の
回転停止までのアクセスタイムは０．１秒とした。結果
を図９に示す。この図から、実施例４及び実施例５より
も欠陥数が若干上昇していることが分かる。これは、基
板の回転停止までの時間が、影響しているものと思われ
る。
【００２９】（比較例）主回転数を６０００rpm、アク
セスタイム０．５秒とする回転洗浄工程の前工程とし
て、基板の回転を２秒間のアクセスタイムで停止し、こ
の停止状態を４秒間維持するようにした。結果を図１０
に示す。この図から、前工程として、基板の回転を停止
する工程を設けても、アクセスタイムを短くして主回転
数を高くすると、欠陥数が急激に増加することが分かる
セスタイム０．５秒とする回転洗浄工程の前工程とし
て、基板の回転を２秒間のアクセスタイムで停止し、こ
の停止状態を４秒間維持するようにした。結果を図１０
に示す。この図から、前工程として、基板の回転を停止
する工程を設けても、アクセスタイムを短くして主回転
数を高くすると、欠陥数が急激に増加することが分かる
【００３０】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
現像後のレジストパターン膜を有する基板上に残る洗浄
液を回転洗浄せしめる際に、主回転数をある程度低く
し、しかも、主回転数に致るまでのアクセスタイムを長
くするか或いはメインの回転洗浄工程の前に、極低速で
回転せしめる予備の回転洗浄工程を設けるか、基板の回
転を停止せしめる工程を設けて、洗浄液が一旦静止する
状態を設けたので、現像後の洗浄液を乾燥せしめた後
に、基板表面に断線等の原因となる微粒子が殆ど認めら
れなくなる。
現像後のレジストパターン膜を有する基板上に残る洗浄
液を回転洗浄せしめる際に、主回転数をある程度低く
し、しかも、主回転数に致るまでのアクセスタイムを長
くするか或いはメインの回転洗浄工程の前に、極低速で
回転せしめる予備の回転洗浄工程を設けるか、基板の回
転を停止せしめる工程を設けて、洗浄液が一旦静止する
状態を設けたので、現像後の洗浄液を乾燥せしめた後
に、基板表面に断線等の原因となる微粒子が殆ど認めら
れなくなる。
【図１】各実施例の概略工程を説明した示す図
【図２】実施例１において、主回転数を６０００rpmと
した場合の欠陥の発生状況を示す図
した場合の欠陥の発生状況を示す図
【図３】実施例１において、主回転数を４０００rpmと
した場合の欠陥の発生状況を示す図
した場合の欠陥の発生状況を示す図
【図４】実施例１において、主回転数を２５００rpmと
した場合の欠陥の発生状況を示す図
した場合の欠陥の発生状況を示す図
【図５】実施例２における欠陥の発生状況を示す図
【図６】実施例３における欠陥の発生状況を示す図
【図７】実施例４における欠陥の発生状況を示す図
【図８】実施例５における欠陥の発生状況を示す図
【図９】実施例６における欠陥の発生状況を示す図
【図１０】比較例における欠陥の発生状況を示す図
【図１１】レジスト液の塗布から、現像液の洗浄乾燥ま
での工程を説明したブロック図
での工程を説明したブロック図
【図１２】従来の方法で洗浄した後の基板表面の拡大断
面図
面図
１…スピンナー、２…基板、３…下層反射防止膜、４…
レジスト膜、５…現像液、６…洗浄液（純水）。
レジスト膜、５…現像液、６…洗浄液（純水）。
Claims (8)
- 【請求項１】 現像後のレジストパターン膜を有する基
板表面に洗浄液を供給し、基板を回転させることで基板
表面を回転洗浄する方法において、前記基板の主回転数
に致るまでの時間を１秒以上とるようにしたことを特徴
とする基板の回転洗浄方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板の回転洗浄方法に
おいて、前記基板を回転させる工程の前に、低速で予備
回転させる工程を設けたことを特徴とする基板の回転洗
浄方法。 - 【請求項３】 現像後のレジストパターン膜を有する基
板表面に洗浄液を供給し、基板を回転させることで基板
表面を回転洗浄する方法において、前記基板を回転させ
る工程の前に、基板上に供給された洗浄液を静止せしめ
る工程を設けたことを特徴とする基板の回転洗浄方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の基板の回転洗浄方法に
おいて、前記洗浄液の静止は、回転が停止している基板
上に洗浄液を供給することで行うようにしたことを特徴
とする基板の回転洗浄方法。 - 【請求項５】 請求項３に記載の基板の回転洗浄方法に
おいて、前記洗浄液の静止は、洗浄液が供給された基板
の回転を停止することで行うようにしたことを特徴とす
る基板の回転洗浄方法。 - 【請求項６】 請求項３に記載の基板の回転洗浄方法に
おいて、前記基板の回転は主回転数に致るまでの時間を
１秒以上とることを特徴とする基板の回転洗浄方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載
の基板の回転洗浄方法において、前記基板の主回転数は
２５００rpm以下としたことを特徴とする基板の回転洗
浄方法。 - 【請求項８】 請求項１乃至請求項７のいずれかに記載
の基板の回転洗浄方法において、前記基板の表面には下
地膜として裏面反射防止膜が形成され、この裏面反射防
止膜の上にレジストパターン膜が形成されていることを
特徴とする基板の回転洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34473996A JPH10189412A (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 基板の回転洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34473996A JPH10189412A (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 基板の回転洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189412A true JPH10189412A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18371607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34473996A Pending JPH10189412A (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 基板の回転洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10189412A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6503335B2 (en) | 1998-11-12 | 2003-01-07 | WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FüR HALBLEITERMATERIALIEN AG | Centrifuge and method for centrifuging a semiconductor wafer |
| US7809460B2 (en) * | 2005-12-08 | 2010-10-05 | Tokyo Electron Limited | Coating and developing apparatus, coating and developing method and storage medium in which a computer-readable program is stored |
| WO2012004976A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | 住友ベークライト株式会社 | 硬化膜形成方法 |
-
1996
- 1996-12-25 JP JP34473996A patent/JPH10189412A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6503335B2 (en) | 1998-11-12 | 2003-01-07 | WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FüR HALBLEITERMATERIALIEN AG | Centrifuge and method for centrifuging a semiconductor wafer |
| US7809460B2 (en) * | 2005-12-08 | 2010-10-05 | Tokyo Electron Limited | Coating and developing apparatus, coating and developing method and storage medium in which a computer-readable program is stored |
| KR101068752B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2011-09-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포, 현상 장치 및 도포, 현상 방법 및 컴퓨터 판독가능한 프로그램을 기록한 기록 매체 |
| WO2012004976A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | 住友ベークライト株式会社 | 硬化膜形成方法 |
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