TWI323494B - Coating-developing apparatus and coating-developing method and computer-readable recording medium - Google Patents

Description

1323494 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 關於—種塗布顯影裝置及塗布顯影方法，該塗布顯 顯影方法，於基板表面塗偏劑液，浸潤式曝光 【先前技術】 於半導體晶片（以下稱「晶片」）或LCD (液 玻巧象基板形成抗剌麵之方法，係; 板塗布抗蝕劑液；顯影部，顯影曝光後之基板，等。、 ，於，光裝置之曝光技術中，有為了對於利用既有之光 化本或氟化氣（Μ)之曝光技術加以改良以提高 =度，而於基板表面形親光透過之軸陳態下進行曝光之 置，二二進行此浸潤式料之曝光裝 曰^用圖11間早5兄明。於由未圖示之固持機構保持水平姿 Γ认之上方’配置有與晶片W表面隔著間隙相對之曝光機構 中央前端部，介設有透鏡10，二： 卜周側各设置有：供給口 u，於晶片w表面供給形成液層 液，例如純水；抽吸口 12，抽吸回收供給於晶片臂之純水。 供給σ 11供給純水於⑼w之表面，並將此純水 tmtVi 10 驗，自糊示之光源發光，此光通麟賴1G，穿透窄 ㈣射晶片w，以使既定之電路圖案轉印於抗姓劑。 ㈣ϊί ’依例如圖12所示’以於透鏡10與晶片w之表面之間 ，使曝光機構' 橫向滑行移動，配置該曝光機構1 热: ρ區域（照射區域）13之位置，重複照射光之動作， 較實=^_轉印既__。糾，區域13 94 然後，塗布抗蝕劑液於晶片後，進行 溶析’並使浸潤式曝光時之水滴難;;片=制 ΐί，成撥水性之保護膜之方法亦有所記載^文獻!）。 之狀態下，自曝光裝置被輸送至塗布顯影有水浦 在之部位與其他部位之溫度相異等 則因水滴存 有不此有必要清洗曝光後之^面m =著於晶片後，隨時間之經過尺寸逐漸縮小 縮小。因此有下列之課題··晶片之料糾點尺寸急遽 =】、之時段’則水滴滲入保護膜内，到達抗寸ί ==溶解層’即所謂水漬，對圖案之=性: 並且，一般基於粒子產生之觀點，而瞧 ㈢ ίΐ=ί二之邊緣部的曝光，於供給顯影 緣曝光。考 裝置回到塗布顯影裝置側後再進行邊 之擴ί型之抗侧中，為使曝光時發生之酸 理開 加熱部安裝有：熱板；冷卻二“。=用^用加熱部時， 片載於冷卻板，調整复笑片之專用臂’以例如使晶 利文獻2) 其4，方法，圖咖時間之丨亙定化（專 加，行㈣時間之調整之方法，有加熱部台數增 進行PED時間之調整^自=此專待部對晶片 輪送臂之作章上，曰Λ ^心寺#輸曰片至加熱部’則晶片 八a曰片自被送入清洗部或邊緣曝光部至被送出之 94 =差置設 臂之控制程式'然而若於等 範圍[1 專及號公報（請參考日增專利 ^οοΐ^Γί!)2^ (lfa 【發明内容】 (發明所欲解決之課題） 況τ進行，其目的在於提供以下技術: 於先 成抗咖，其次對浸潤式曝;後=顯影處理 劑圖案之解像所造成之孩·。 *板上之水雜於抗飯 潤 ★ίίι本發明之進—步之目的’在於提供以下技術：可脾 二二二後之基板進行邊緣曝光的技術，及於進行使&束ΐ 於進仃基板之輪送控制的技術。 了易 (解決課題之手段） i=ii;施以加熱處理’而後由顯影處理部進行顯影i ，洗部，清洗浸潤式曝光後之基板之表面； 及 第1基板輸職構’敎制式曝光後之基板至此清洗部； 控制部，對於由該基板輸送機構所為之基板輸送施行控制， 1323494 俾於自浸潤式曝光結束時點之經過時間與浸潤式曝光時殘留於基 板之液滴之尺寸之關係中，在進入液滴尺寸急遽縮小之時段前之 時段内’由清洗部清洗該基板。 ,關於此發明之具體樣態，可舉下例：基板輸送機構依下述方 式構成.將曝光前之基板遞交至用以將基板送入至曝光妒置的送 入台，及自用以從曝光裝置送出基板的送出台接收曝光其 板，再輸送至該清洗部； 土 該控制部㈣該基板輸送機構，使其於自曝鍵置 板之送出準備訊號時，優先於其他輸送作業，將

板送入至清洗部。 σ上之I 並且，可具有：等待部，使在該清洗部被清洗 邊緣曝光部，騎自該特倾卽之魏，在 J自該等待部取出’輸送至該邊緣曝光部，“將： 輸送至該加熱部； 尤傻财具 於此-情形時’該控制部宜依 清洗部之基板之清洗開始時點:該ί=; 邊緣曝光部為止之時間為預定 加熱部。 这，束之基板優先於其他輸送作業而輪送至該 並且’於本發明，可採用備有下列之構成 液，俾形成於浸潤式曝光時用^保護基 :的基板由力•㈣觸二後; 構將以牆===== 8 1323494 該清洗部清洗魏表面；及基板輪送蝴 控制’俾於自浸潤式曝光結束時點之經過時間輪送 留於基板之液滴之尺寸之關係中，在進人液光時殘 段前之時段内，在該清洗部進行該基板之清洗尺Lh、之時 於本發明亦可備有：基板輸送至等待 洗過之基板輸送至料部；基板料製程，〗 洗部清 f反之清洗開始時點到該基板被輸送至邊緣之 為預定之設定時間，而使基板於該轉 ^為^之日守間， 曝f咖呈，藉由第2基板輸送機構自該等待邱至邊緣 邊緣部進行曝光；及基板』==部=邊對基板之 作業，輸駐加熱Ϊ。由料2基域賴構，優先於其他輪送 布顯S置本ΐ之記錄媒體，用於-塗 r，其次以曝光裝置進侧式;】成抗餘 其特徵在於該記錄媒體備有用以實影處理； 驟群。 貝个知明之塗布顯影方法之步 (發明之效果） 依本發明，著眼於以 時間後，其尺寸急遽縮小，之液滴經過-定之 潰），因此於進入液滴之尺寸、=反之巧劑膜形成變質層（水 之產生，其結果可可!^制抗韻劑膜之變質層 不良影響。 欠留水滴以成之對抗鞋劑圖案之解像之 潤二=時：齊=該經過時間係清洗浸 束後’至爾哪 9 纖送至邊緣曝光部之時間，為預定之設 時間於美#nf土板自邊緣曝光部送出時，浸潤式曝光後之經過 於程i整齊—致’因此將邊緣曝光結束之基板優先 整齊熱部’以達成於基板間上述經過時間 制處理旦，亚，ί板之輸送控制程式更為容易，並可抑 牛低0而若將浸潤式曝光後加熱前之經過時間之調敕 ί ΪΓΓ，則於加熱部内之基板之停留時間延 數曰夕，然而本發明與此方法相比可以較少加熱部台數解決^ 【實施方式】 系絲明ί實施職之連接塗布顯影裝置與曝光裝置之 中Β]你二f，乡照圖1及圖2並—面簡單說明。圖1及圖2 中載體站，用以送出送入密封收納有例如13片基板的 “2f體!^設* :載置部20 ’可複數個排列載錄體2，· i 透自載置部20觀看，前方之壁面；遞交機構A】， 透過開閉部21自載體2取出晶片w。 m Γίί載體站B1之内側’連接有由框體22包圍之處理區塊 將Γ埶ί理區”2自前方側依序使下列部份交互排列配置:(i 诚ϋ，，、、、ΊΡα糸之單凡多段化而成之棚架單元m、U2、U3，及⑻ 構成在棚架單元Ul、U2、U3與液體處理單元U4、U5等夂軍 施2片遞交接受之基板輸送機構的主要輸送機構^2、 。並且主要輸达機構Α2、Α3，設置於由區隔壁U包圍之空 二體站B1觀看’由以下構成:設置於前後方向 3側之一面部；後述之例如右侧之液體處 早= 側之一面側；及形成左側之一面側的背面侧。並 且’圖1及® 2中24、25，係腿度單元，财：用於 元之處理液之溫度調節装置或溫溼度調節用之導管等。 上述J體，理單元U4、U5，係於如例如圖2所示，抗飯劑液 或顯影液等之藥液收納部26之上，備有：塗布單元（c〇T) %， 於晶片W表面塗布抗蝕劑液；保護犋形 =形3 :於，有抗_膜之晶片w之表面形成^水性^= Μ，顯衫早兀（DEV) 27，於晶片w之表 保匕 } 3a ^5 ^ 成林種早凡係進行於液體處理單元U4 j

者，其組合包含加熱（㈣）日日日二二二元剛 冷部Β曰片W之冷卻單元等。 ‘'、早7L 連接:ΐΐΐΐ Ϊf Β2中之棚架yf元U3之内側，透過介面部Β3 ft i 以下，關於介面部B3，參照圖1、圖2及圖 並面5兒明。介面部B3，由第1輸送室28a、第2輸 θ 構成’設於處理區塊Β2無光裝置财之間之前後，久 助輸送部31Β 〇此等主輪送部3ια及輔：送部則 31Β ’為基板輸送機構。 於第1輸送室28a夾主輸送部31Α，自載體站m側觀看 下邊緣曝光部（WEE) 7，選擇性地僅曝光晶^ =,、，、彖。卩，專待部41，使由後述之清洗部4〇清洗之晶片％ 待1緩衝匣（SBU)，一次性地收納複數片例如25片之晶％ : ft?二上下Λ層設有：遞交單元（TRS2);高精密度;度調節 早兀（CPL)，包含有例如冷卻板。 圖4係將由上述主輸送部31A及辅助輸送部31B輸送之晶 W的輸送通道，與此等輸送部3U及31B之控制系相對岸J 記載之圖。亦參照此圖4並一面說明，即上述主輸送部巧:加: ，4所示，備有下列之功能：逐次輸送載置於棚架單元之遞交 單元（TRS1)之曝光前之晶片w，至缓衝匣（SBU)、穷^ 溫度調節單元，並逐次輸送_助輸送部31B 單元(TRS2)之曝光後之晶片w，至等待部4i、邊緣曝光部（WEE又) 7及加熱單元（PEB)。於此例，輔助輸送部31B相當於第1基板 輸送機構，主輸送部31A相當於第2基板輸送機構。 土 1323494 旋轉可自由升降且於錯直軸四周可自由 補之基體34，因引導機構35 =」目由 再於此基體34上設有可自由進了6左右方，動而構成。 白韵細姑進退臂36。於第2輸送室2肋，於 自載月豆站B1側硯看辅助輸送部 於 於浸潤式曝光前清洗晶片w之表面。左側先糊’ 此輔助輸送部31B，如圖4所示

Hi元(cpl)内之晶片w，輪送丄光裝置 以f (TRS2)。並且上述主輸送部31A』： 。根據來自後述之讓9之指令，由未圖示之控制器 % 清洗部4G之構造’使關5鮮制。圖5中 ==+部之旋轉㈣’因真空吸附保持晶^之水平: ，成。此奴軺夾碩50因驅動部51可旋轉於鉛直四周，且可 ，且於旋轉夾頭50之設有：槽52，包圍自 夾頭50之側方部分，於該槽52之底面設有：排液部，專 管53或排放管54等。 匕3排乳 、並且，圖5中55 ,係於晶片W之接近旋轉中心，供給 f清洗液供給°*嘴，此清洗雜給11嘴％，連接m夜供给 ’透過供給道61供給清洗液，例如純水。於上述供給道61° ^設有閥V1G。並且，圖5中63，係晶片w之送出人口 處理容器64巾’面對輔助輸送部3m之送入區域之面，設有= 閘板65。 接述邊緣曝光部（靈）7之構造，使用圖6簡單 况月。匕3有輸迗口 71之框體70内，設有真空夾頭所成之台％， ，台72之驅動部由引導機構％及旋轉機構乃組合，台π可 線周圍之旋轉動作而構成。並且設有：光照射 12 方W之表面。另外，台72，於曝光區域内向晶片W之半徑 Μ ° I直線移動。於如此之邊緣曝光部（WEE) 7，因台72之旋 線動作，晶片之邊緣部逐次曝光。 制ρ ^述之塗布顯影裝置，如圖4所示，備有控制部9，含有控 ^ 部3U及辅助輸送部31B之驅動之電腦。此控制 93。94传ιΐ Ί1程产91、第2程式92及中央處理裝置（CPU) 7，即液滴控制部9之控制動作關聯，首先說明關於圖 之圖7之尺寸逐漸縮小，而超過某時點例如後述 自浸潤式眼ί之二ίί遽縮小，於t2消失。在此第1程式91，係 叩被清洗^進行輔助輸送部’ 0:片％於清洗部 未圖示，然而備有：於清洗部 ^洗工°w, ’控制部9， 於邊緣曝光部7對晶片%之必要之程式； 成例浸潤式曝光時^參^圖u 片W上 成例如純水讀層’目此㈣細）^f W上形 例如〇.5μηι〜1_之液滴。此 、曰曰 上私留有直徑 亦即曝光結束之時點如圖7所示尺^ ’ 肖失之時點， 之經過時間係60秒左右。/此 至開^、遽縮小之時點tl 潤式曝光結束時點例如3〇秒 ，於自晶片W之浸 而至清洗部⑽ 辅助輸送部仙而構成。此洗部4〇而控制 備訊號時之進行中之作業，係接、^^業，非接收送出準 間，與自送出準備訊號發出出之時間中為最大 如。38上之 13 部31B開始其他輪送 2 肴訊號發出時，辅助輸送 式曝光結束之時點，計，亦較自晶片W之浸潤 短而安裝於系統。/'巧始心遽&小之時點〇之經過時間為 行使時間於晶ί 虫劑時，關於晶片W，宜進 進行PED時間之管 /間(PE^谓）’於此實施形態，為 光部7之時間，為預定’至該晶片W輪送至邊緣曝 片w等待，並將^曝光 1=曰=此於上述等待部41使晶 進行之其他輪送作業，輪^ j W ’優先於主輸送部31A 關於例如上述設定時間Ta、，=(ΡΕβ)而控制主輸送部31A。 出之時間中為最大之咖，m光結束至送出準備訊號發 加熱部（卿）減_之1自=4備議發出至其晶片W由 設定值，根據此設定^^取崎間之合計時間，WED時間之 92^ ^ 部9之電腦。 渠（CD)、磁光盤⑽）等，安裝於係控制 接著，說明關於上述實 能 關於上述之塗布顯影裝’而首先在此簡單說明 單元U!之一段之遞交單片W。然後晶片W透過為棚架 棚架單元m〜U2内之—圖不），遞交至主輸送裝置A2，於 例如疎水化處理、；棚行做為塗布處理之前處理， 片W之表面塗布由塗布單元（COT) 30於晶 元（tc) 3，於形成有;^虫劑膜^部之保護膜形成單 膜成膜。並且有時以抗及A _ aa片之表面，使撥水性保護 抗反射Μ料（BARC) 3&代#疎水化處理， 14 」曰日片w塗布抗反射膜。並且有時 其上形成上述伊膜。以3 h ± h彳场成抗反射膜，於 4之加熱早元（PAB)加熱（ J之 曰日片W由主輸送部31Α輸送 面口ΡΒ3 ==CPL)， =送=;至曝光裝置B4之(送入曝= i、+、Li 縛光裝置54進行浸潤式曝光。曝光之日只w, 邛41-邊緣曝光部（WEE)—棚竿單 —）專待 然後晶片w由儀液#授H 3之加熱早兀（PEB)， 於曰>5 主’、液處里早凡115之一之棚架之顯影單元（DEV) 液，目抗1蝴顯娜成蚊之目案形狀 罩。然後，由遞交機構A1晶片w回載置台2q上之原 -兄，文’間式曝光後之晶片W輸送至加熱部（PEB)之狀 ΐ於；το、並一面說明。浸潤式曝光結束後，其晶片c 則向抑制口於;^出準備訊號（⑽ready訊號）自曝光裝置 於送機隹，出步驟⑴。此時輔助輸送部31B (第1基板 否係輸送作業中之判斷（步驟S2)，若係輸送作 於關聯該:助③3 並且若非輸送作業中，優先 M卜$曰^ 動作指令’輔助輸送部31B將送出台 38上之日日片W送入清洗部4〇 (步驟S4)〇 in。甫助輪送部31B之輸送控制’顯示具體之例於圖9及圖 #制i 9部*W之清洗結束’清洗結束訊號輸出 势在輔助輸送部31B進行自清洗部40輸送至遞交單 凡Η邻啼、ΐ。於+此作業中自曝光裝置B4輸出送入準備訊號（in 接著輸出out ready訊號後，因out ready訊號之輸 出’ ’ ；mready訊號之輸出，於現在之輸送作業結束後，由輔 15 助輸送部31B進行自送出台38向 據in ready訊號之輸送作業，亦即自：♦:产二二其後進行根 之將晶片W送入送入台37之作業。问4月山度，皿度5周卽單元（CPL) 並且於圖10,自曝光裝置Β4' 。^ 送部3料行自高精密度溫度單出1n= ’目此輔助輸 送入台37之作業。於此作業中早^ ) ^將晶片W送入 再接著out ready訊號輸出後，月洗σΜ〇輸出〉月洗結束訊號， 洗結束訊叙_，财^目叙細，優先於清 進行自送出台38向清洗結束後’由輔助輪送部通 訊號之輸送作業，亦即自。其後’進行根據清洗結束 TRS2之作業。 '月/邛40之將晶片W送入遞交單元 供給ΐΐ ，糊咖，自清洗液 後使旋轉_ 5〇轉，^轉巾―始清洗液之供給，然 方向擴散，清洗晶清洗液以離心力向晶片W之半徑 暫時使其雜，使晶# w〕’ 嘴V1G停止清洗液之供給後亦 送部31B自清洗部4〇送二1乾燥（步驟S5)。其後，輔助輸 主輸送部31A輸送此aI二㈢片W，遞交至遞交單元TRS2，其次 等待部41之晶片w =齡甘;量自清洗結束之經過時間，對送入 (步驟S7)。若未經過^時間是否經過已述之設定時間1¾ 然而若經過設定時間τ，寸間巧，其晶片W於等待部41等待， 未進行輸送作業，^自輸送部31Α (第2基板輸送機構），若 (步驟S8)。並且主於、、,、^·邛41送出晶片W送入邊緣曝光部7 作業結束，自等待部若係輸送作業中，則等待其輸送 清洗結束之經過時間之晶f W送入邊緣曝光部7。另外，自 為例如關閉噴嘴Vl〇二里’若係對應清洗結束之訊號則佳，可 其次，於邊緣時點或停止旋轉夾頭50之旋轉之時點等。 其處理結束後，主^、、,= 7進行晶片w之邊緣曝光（步驟S9)， 运3la’若非輸送作業中，則優先於其他輸 16 1323494 ，作業’自邊緣曝光部7向加熱部p 右係輸送作業中’㈣待其作業進行，W(步顿S10)， PE:，晶片W。另外於此所謂其他輸=曝光部7向加熱部 运出曰曰片w之作業以外之作業。 乍業，即自等待部41 依上述實施之形態，接收來自曝 ， 馬上使晶月W送入清洗部4〇内，如^ 之送出準備訊號， W，於進入浸潤式曝光後附著之液滴之潤式曝光之晶片 時段，“ W於清洗部被清洗㈣行晶/ς、遽f小之時段前之 可抑制抗侧臈之變㈣之產生，之輸送控制，因此 之對抗·潰案之解像之不良影響果可抑制_留水滴造成 輪送;，至該晶… 部“晶片W之等待時間，然後間:而調整於等待 曝光結束之晶片W，優先於J：他之於部7送出時，將邊緣 因此可將曝光後，至加熱處理開始部咖， 進行咖時間之調整^f ί部7晶片W送出後 易，並可抑告丨丨卢神旦Θ致'，，口果日日片W之輸送控制程式容 調整於加熱部纟進#之曝光後加熱前之經過時間之 因此其台數8i 熱相之晶片w之停留時間延長， 解決二 曰“、、、而本發明與此方法相比可以少量加熱部台數 台以ί $可於形態’設置有2台清洗部4G，然而設置3 性之保護狀/Λ f且於以之競雜，綠形成有撥水 晶片w。、曰曰片W，然而亦可清洗形成有撥水性之抗蝕劑膜之 17 1323494 【圖式簡單說明】 ==示ίίΓ月之塗布顯影裝置之實施形態之平面圖。 明之塗布顯影裝置之實施形態之立體圖。 之平=係顯示於上述塗布顯影裝置之晶片之輸送通道及Ξ制部 圖5係顯不設於上述介面部内之清洗部之概略剖面圖。 和ΐϊ上述介面部内之邊緣曝光部之概略剖面圖。 圖係，員了液滴之尺寸與經過時間之關係之特性圖。 送控實施形態，曝光後之晶片至加熱部止之輪 示之介面部之狀態與輸送臂之動作之—例蝴應加以顯 示之1日=使;丨面部之狀g與輸送臂之動作之—例姆應加以顯 圖11係顯示為浸潤式曝光晶片之曝光機構之說明圖。 狀況由均曝光機鑛W表祕喂潤式曝光之 【主要元件符號說明】 w〜半導體晶片 A1〜遞交機構 A2〜3〜主輪送裝置 B1〜載體站 B2〜處理區塊 B3〜介面部 B4〜曝光裴置 U1〜3〜棚架單元 U4〜5〜液體處理單元 18 1323494 V10〜閥 1〜曝光裝置 2〜載體 3〜保護膜形成單元（TC) 3a〜抗反射膜單元（BARC) 7〜邊緣曝光部（WEE) 9〜控制部 — 10〜透鏡 - 11〜供給口 12〜抽吸口 φ 13〜轉印區域（照射區域） 20〜載置部 21〜開閉部 22-1框體 23〜區隔壁 24〜25〜溫溼度調節單元 26〜藥液收納部 27〜顯影單元（DEV) 28a〜第1輸送室 e 28b〜第2輸送室 30〜塗布單元（COT) 31A〜主輸送部 . 31B〜輔助輸送部 34〜基體 . 36〜臂 37〜送入台 38〜送出台 40〜清洗部 41〜等待部 19 1323494 50〜旋轉夾頭 51〜:驅動部 52〜槽 53〜排氣管 54〜排放管 55〜清洗液供給喷嘴 61〜供給道 62〜清洗液供給部 - 63〜送出入口 64〜處理容器 • 65〜開閉閘板 70〜框體 71〜輸送口 72〜台 73〜旋轉機構 74〜引導機構 7 5〜光源 76〜光照射部 91〜第1程式 92〜第2程式 • 93〜中央處理裝置（CPU) 94〜匯流排 20

Claims (1)

1323494 十、申請專利範圍： 1. 一種塗布顯影裝置，先於基板塗布抗触 膜’其次以曝光裝置進行浸潤式曝光後，再將浸潤文m触劑 板由熱處理’而後在顯影處理部進=的基 清洗部，用以清洗浸潤式曝光後之基板之表面. 部 ^ 1基板輸送機構，用_交浸潤式曝級之基板至該清洗 制 由該基板輸送機構所為之基板輪送施行控 刖之蛉段内，在该清洗部進行該基板之清洗。 才仅 2. 如申請專利範圍第1項之塗布顯影裝置，其中： 該基板輸送機構係依下述方式構成 /前A 用以將基板送入至曝光裝置的送入台，及自用：η;父至 基板的送出台接《紐之基板，再輸送至該清洗=出 该控制部㈣祕域送麟，使其 =sr’優先於其他輸送作業，將該 .第2基板輸达機構，將基板自等 曝光部，並於邊轉級將其輸駐ί二S “至韻緣 清洗二方ί控制該第2基板輸送機構：為使自在 之時A Α^ -夕二1始時點到該基板被輸送至邊緣曝光部為止 ίΐ’ ^基咖_部等待’並將邊緣 4、、·。束之基紐先於其輯送健而輸送至該加熱部。 21 U2J494 4.如申清專利範圍第丨十ο τΕ 2形成部，用以在抗保護 用以保護基板表面的撥水性之夜料成域潤式曝光時 5.—種塗布顯影方法，弈於' 、 膜，其次以曝光裝置 ^^板塗布抗银劑液以形成抗银劑 板由加熱部施if 3光後，再將浸潤式曝光後的基 其特徵為包含 麵11影處理料行顯影處理； 後之U送至gH以第1基板輪送機構將浸潤式曝光 ’ _清洗部清面；及 洗部進行該基板之ίί財急遽縮小之時段前之時段内，在該清 如申請專利範圍第5項之塗布顯影方法，其中， :用以構係依下述方式構成：將曝光前之基板遞交至 ΐίίίΐ ΐί ’自&裝置送出基板的送出台接收曝 九後之基板，再輪送至該清洗部；又 ，基板輸送控制製程，係依下述方式控制該基板輸送機構： ;接收到送出準備訊號時，優先於其他輸送作業，將該送出台上 之基板送入至清洗部。 σ 7.如申請專利範圍第5或6項之塗布顯影方法，其中備有： /立基板輸送至等待部製程，將在清洗部清洗過之基^反輸送至等 待部， 基板等待製程，為使自該清洗部巾之基板之清洗開始時點到 該基板被輸送至邊緣曝光部為止之時間，為預定之設定時間，而 使基板於該等待部等待； 基板輸送至邊緣曝光部製程，藉由第2基板輸送機構自該等 22 1323494 待部取出基板，輪送至邊緣曝光部； 曝光基^緣部曝光製程’於該邊緣曝光部對基板之邊緣部進行 基板，由^第2基以^構將$邊緣曝光部邊緣曝光結束之 熱部。 戍機構，優先於其他輸送作業，輸送至加 8.如申請專利範图筮 撥水性保護膜形成夢5 ^塗布顯影方法，其中備有： 熱部施以加潤3光後，再將浸潤式曝光後的基板由加 於該記錄蛘心U後f 3處理部進行顯影處理；其特徵在 法之步備有為實施帽專利範圍第5或6項之塗布顯影方 十 圖式 23