KR101122820B1 - 도포?현상 장치 및 기판 반송 방법, 및 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체 - Google Patents

도포?현상 장치 및 기판 반송 방법, 및 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체 Download PDF

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

노광 후 베이크 유닛의 대수를 증가시키지 않고, 노광 후 지연 시간을 각 웨이퍼에서 일정하게 할 수 있는 도포?현상 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이를 위해, 처리부(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 행함과 함께, 노광 후의 웨이퍼(W)를 노광 후 베이크 유닛(PEB)으로 반입하는 제1 반송 기구(21)와, 노광 장치(3)와의 사이에서 기판의 수수를 행하는 제2 반송 기구(22)에 의해 노광 종료 후의 웨이퍼(W)를 노광 후 베이크 유닛(PEB)에 반송할 때에, 인터페이스부(13)에, 웨이퍼(W)의 수수부(TRS)를 설치하고, 제어부(20)는, 노광 장치(3)에서의 노광 종료 후, 노광 후 베이크 유닛(PEB)에서 노광 후 베이크 처리가 개시될 때까지의 시간이 웨이퍼마다 일정해지도록 수수부(TRS) 및 노광 후 베이크 유닛(PEB)의 대기부의 2개소에서 기판을 대기시킨다.
베이크 유닛, 도포?현상 장치, 반송 기구, 웨이퍼, 노광 장치

Description

도포?현상 장치 및 기판 반송 방법, 및 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체 {COATING-DEVELOPING APPARATUS, SUBSTRATE TRANSPORTATION METHOD, AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM STORING COMPUTER PROGRAM}
본 발명은, 기판에 대하여 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 노광 장치에 의해 노광 처리가 실시된 후에 현상 처리를 행하는 도포?현상 장치 및 기판 반송 방법에 관한 것으로, 특히 레지스트막에 대하여 액체에 침지시킨 상태에서 노출되는 액침 노광 장치에 적합하게 이용되는 도포?현상 장치 및 기판 반송 방법, 및 컴퓨터 프로그램에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라고 함) 상에 회로 패턴을 형성하기 위해서 포토리소그래피 기술이 이용되고 있다. 포토리소그래피를 이용한 회로 패턴의 형성은, 웨이퍼 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 이 레지스트막에 광을 조사하여 회로 패턴에 대응하도록 레지스트막을 노광한 후, 이것을 현상 처리한다고 하는 수순으로 행해진다. 이와 같은 포토리소그래피 공정은, 레지스트 등의 도포 및 노광 후의 현상의 일련의 처리를 실시하는 도포?현상 장치에 노광 장치를 조합한 시스템에 의해 행해진다.
한편, 최근, 점점 패턴이 미세화되고, 레지스트로서 더 높은 감도를 갖는 화 학 증폭형 레지스트가 이용되고 있다. 화학 증폭형 레지스트를 이용한 경우, 노광 후에 노광 후 베이크 유닛(PEB)에 의해 가열 처리함으로써 반응을 촉진시키는데, 노광하고 나서 가열 처리를 개시하는 동안에도 반응이 진행하기 때문에, 노광하고 나서 노광 후 베이크 유닛(PEB)에 의한 가열이 개시될 때까지의 시간이 변동되면, 선폭의 균일성이 저하한다. 이 때문에, 이 시간을 일정하게 하는 것이 바람직하다. 그러나, 도포?현상 장치에서의 노광 장치와의 인터페이스부에서 반도체 웨이퍼를 반송하는 반송 아암은 노광 장치로부터 노광 후 베이크 유닛(PEB)에의 반송뿐만 아니라, 여러 가지 반송을 행하고 있기 때문에, 반송 아암의 사정에 따라 노광 장치로부터 노광 후 베이크 유닛에서 가열 처리를 개시할 때까지의 시간이 웨이퍼에 따라 필연적으로 변동된다.
이와 같은 것을 방지하는 기술로서, 특허 문헌 1에서는, 노광 장치에 의해 노광이 종료하고 나서 노광 후 베이크 유닛에서 가열이 개시될 때까지의 노광 후 지연 시간을 각 웨이퍼에서 일정하게 하기 위해서, 반송 개시 지연 시간의 최대값(Tmax)에 최단 시간(Tmin)을 더한 값으로부터 실 반송 시간(Tr)을 빼서 구해지는 대기 시간(Tt) 동안, 노광 후 베이크 유닛(PEB)에서 비가열 상태로 대기시키는 것이 기재되어 있다. 이에 의해, 모든 웨이퍼에서, 노광 장치에 의해 노광이 종료하고 나서 노광 후 베이크 유닛에서 가열이 개시될 때까지를 일정하게 할 수 있다.
그런데, 반도체 디바이스는 최근, 동작 속도의 향상 등의 관점으로부터 고집적화의 경향에 있기 때문에, 포토리소그래피 기술에서는, 웨이퍼 상에 형성되는 회로 패턴의 미세화가 요구되고 있다. 그래서, 45㎚ 노드의 고해상도를 실현하는 포 토리소그래피 기술로서, 웨이퍼와 노광용 투영 렌즈의 사이에 공기보다도 높은 굴절률을 갖는 순수 등의 노광액을 공급하고, 노광액의 굴절률을 이용하여 투영 렌즈로부터의 조사광의 파장을 짧게 함으로써 노광의 선폭을 더 좁게 할 수 있는 액침(Immersion) 노광이 제안되어 있다(예를 들면 특허 문헌 2 참조).
이 액침 노광에서는, 웨이퍼가 노광 장치로부터 젖은 상태에서 반출되고, 그 젖은 웨이퍼가 도포?현상 장치에 되돌려지기 때문에, 웨이퍼에 워터마크가 형성되는 등의 문제점이 발생하지 않도록, 인터페이스부에서 세정?건조 처리를 행할 필요가 있다.
이 때문에, 액침 노광을 행하는 경우에는, 노광 종료 후부터 노광 후 베이크를 행할 때까지의 동안에 인터페이스부에서 상기 반송 대기 시간 외에 세정?건조 처리의 시간도 가산되게 되고, 전술한 반송 개시 지연 시간의 최대값은 매우 긴 것으로 된다.
따라서, 액침 노광 처리를 행하는 경우에 상기 특허 문헌 1에 기재된 방법으로 전술한 바와 같은 방법으로 노광 후 지연 시간을 각 웨이퍼에서 일정하게 하면 노광 후 베이크 유닛(PEB)에서의 웨이퍼의 대기 시간이 길어지기 때문에, 동일한 스루풋을 유지하도록 하면, 도포?현상 장치에서의 노광 후 베이크 유닛(PEB)의 필요 대수가 증가한다. 노광 후 베이크 유닛(PEB)은 고가의 것이기 때문에, 그 필요 대수를 증가시키지 않고 노광 후 베이크 처리까지의 시간을 정돈하는 방법이 요망되어지고 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특개 2004-193597호 공보
[특허 문헌 2] 국제 공개 2005-029559호 팸플릿
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 노광 후 베이크 유닛의 대수를 증가시키지 않고, 노광 후 지연 시간을 각 웨이퍼에서 일정하게 할 수 있는, 액침 노광용으로서 적합한, 도포?현상 장치 및 기판 반송 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 그와 같은 것을 실현 가능한 노광 후의 기판을 노광 후 베이크 유닛으로 반송시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 제1 관점에서는, 기판에 대하여 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 노광 장치에 의해 노광 처리가 실시된 후에 현상 처리를 행하는 도포?현상 장치로서, 레지스트 도포 및 현상을 행하기 위한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리 유닛을 구비한 처리부와, 상기 처리부와 상기 노광 장치의 사이에 배치되고, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행하는 인터페이스부와, 상기 처리부에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구와, 상기 인터페이스부에서 기판을 반송하는 인터페이스부 반송 기구와, 기판의 반송을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 처리부는, 노광 후의 기판에 현상에 앞서 베이크 처리를 실시하는, 대기부를 갖는 복수의 노광 후 베이크 유닛을 갖고, 상기 인터페이스부 반송 기구는, 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 노광 후의 기판을 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반입하는 제1 반송 기구와, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행하는 제2 반송 기구를 갖고, 상기 인터페이스부는, 상기 제2 반송 기구에 의해 반송해 온 기판을 재치하고, 상기 제1 반송 기구에 의해 수취 가능하게 하는 수수부를 더 갖고, 상기 제어부는, 상기 노광 장치에서의 노광 종료 후, 노광 후 베이크 유닛에서 노광 후 베이크 처리가 개시될 때까지의 노광 후 지연 시간이 기판마다 일정해지도록 상기 수수부 및 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부의 2개소에서 기판을 대기시키는 동시에, 상기 노광 후 지연 시간을, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구 각각에 분담하고, 상기 제2 반송 기구 담당분의 노광 후 지연시간에 대응하는 대기 시간을 상기 수수부가 갖게 하고, 제1 반송 기구 담당분의 노광 후 지연 시간에 대응하는 대기 시간을 상기 대기부가 갖게 하는 것을 특징으로 하는 도포?현상 장치를 제공한다.
상기 제1 관점에서, 상기 제어부는, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간을 설정하고, 또한, 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간을 설정하는 것으로 할 수 있다.
이 경우에, 상기 제어부는, 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간으로서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하고, 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간으로서 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용할 수 있다.
본 발명의 제2 관점에서는, 기판에 대하여 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대하여 액체에 침지시킨 상태에서 노광하는 액침 노광 장치에 의해 액침 노광 처리가 실시된 후에 현상 처리를 행하는 도포?현상 장치로서, 레지스트 도포 및 현상을 행하기 위한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리 유닛을 구비한 처리부와, 상기 처리부와 상기 노광 장치의 사이에 배치되고, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 액침 노광 후의 기판을 세정하는 세정 유닛을 갖는 인터페이스부와, 상기 처리부에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구와, 상기 인터페이스부에서 기판을 반송하는 인터페이스부 반송 기구와, 기판의 반송을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 처리부는, 노광 후의 기판에 현상에 앞서 베이크 처리를 실시하는, 대기부를 갖는 복수의 노광 후 베이크 유닛을 갖고, 상기 인터페이스부 반송 기구는, 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 노광 후의 기판을 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반입하는 제1 반송 기구와, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 상기 세정 유닛에 대한 기판의 반입출을 행하는 제2 반송 기구를 갖고, 상기 인터페이스부는, 상기 제2 반송 기구에 의해 반송해 온 기판을 재치하고, 상기 제1 반송 기구에 의해 수취 가능하게 하는 수수부를 더 갖고, 상기 제어부는, 상기 노광 장치에서의 노광 종료 후, 노광 후 베이크 유닛에서 노광 후 베이크 처리가 개시될 때까지의 노광 후 지연 시간이 기판마다 일정해지도록 상기 수수부 및 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부의 2개소에서 기판을 대기시키는 동시에, 상기 노광 후 지연 시간을, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구 각각에 분담하고, 상기 제2 반송 기구 담당분의 노광 후 지연시간에 대응하는 대기 시간을 상기 수수부가 갖게 하고, 제1 반송 기구 담당분의 노광 후 지연 시간에 대응하는 대기 시간을 상기 대기부가 갖게 하는 것을 특징으로 하는 도포?현상 장치를 제공한다.
상기 제2 관점에서, 상기 제어부는, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 세정 유닛으로 기판을 반송하고, 상기 세정 유닛에서 기판의 세정 처리를 행하고, 상기 세정 처리 종료 후 상기 세정 유닛으로부터 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간을 설정하고, 또한, 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간을 설정하는 것으로 할 수 있다.
이 경우에, 상기 제어부는, 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간으로서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서, 상기 제2 반송 기구가 상기 세정 유닛으로 기판을 반송하고, 상기 세정 유닛에서 기판의 세정 처리를 행하고, 상기 세정 처리 종료 후 상기 세정 유닛으로부터 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하고, 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간으로서 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용할 수 있다.
상기 제1 및 제2 관점에서, 상기 인터페이스부는, 기판 상의 레지스트막의 주연부를 노광하는 주연 노광 장치와, 버퍼부를 갖고, 상기 제1 반송 기구는, 상기 처리부로부터 기판을 수취하고 나서 상기 주연 노광 장치에 반송하고, 기판의 주연 노광 처리가 끝난 후에 필요에 따라 버퍼부로 기판을 반송하도록 구성할 수 있다.
또한, 상기 인터페이스부는, 상기 제1 반송 기구에 의해 처리부로부터 반송해 온 기판을 재치함과 함께 온도 조절하고, 상기 제2 반송 기구에 의해 상기 반송 장치로 그 기판을 반송 가능하게 하는 온도 조절 유닛을 더 갖는 구성으로 할 수 있다.
또한, 상기 노광 후 베이크 유닛은, 기판을 재치하여 가열하는 가열 플레이트와, 상기 가열 플레이트에 인접한 냉각 위치와 상기 가열 플레이트의 상방 위치의 사이에서 이동 가능하게 설치되고, 상기 가열 플레이트에 대한 기판의 수수 및 가열 후의 기판의 냉각을 행하는 냉각 플레이트와, 상기 냉각 위치에 있는 상기 냉각 플레이트에 대하여 돌몰(突沒) 가능하게 설치되고 상기 냉각 플레이트에의 기판의 수수를 행하는 제1 승강 핀과, 상기 가열 플레이트에 대하여 돌몰 가능하게 설치되고 상기 가열 플레이트에의 기판의 수수를 행하는 제2 승강 핀을 갖고, 상기 대기부는, 상기 냉각 플레이트 상(上), 상승한 상태의 상기 제1 승강 핀 상, 상승한 상태의 상기 제2 승강 핀 상의 어느 하나인 구성으로 할 수 있다.
본 발명의 제3 관점에서는, 기판에 대하여 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 노광 장치에 의해 노광 처리가 실시된 후에 현상 처리를 행하는 도포?현상 장치로서, 레지스트 도포 및 현상을 행하기 위한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리 유닛을 구비한 처리부와, 상기 처리부와 상기 노광 장치의 사이에 배치되고, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행하는 인터페이스부와, 상기 처리부에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구와, 상기 인터페이스부에서 기판을 반송하는 인터페이스부 반송 기구를 구비하고, 상기 처리부는, 노광 후의 기판에 현상에 앞서 베이크 처리를 실시하는, 대기부를 갖는 복수의 노광 후 베이크 유닛을 갖고, 상기 인터페이스부 반송 기구는, 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 노광 후의 기판을 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반입하는 제1 반송 기구와, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행하는 제2 반송 기구를 갖고, 상기 인터페이스부는, 상기 제2 반송 기구에 의해 반송해 온 기판을 재치하고, 상기 제1 반송 기구에 의해 수취 가능하게 하는 수수부를 더 갖는 도포?현상 장치를 이용하여 노광 후의 기판을 노광 후 베이크 유닛으로 반송하는 기판 방송 방법이며, 상기 노광 장치에서의 노광 종료 후, 노광 후 베이크 유닛에서 노광 후 베이크 처리가 개시될 때까지의 노광 후 지연 시간이 기판마다 일정해지도록 상기 수수부 및 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부의 2개소에서 기판을 대기시키는 동시에, 상기 노광 후 지연 시간을, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구 각각에 분담하고, 상기 제2 반송 기구 담당분의 노광 후 지연시간에 대응하는 대기 시간을 상기 수수부가 갖게 하고, 제1 반송 기구 담당분의 노광 후 지연 시간에 대응하는 대기 시간을 상기 대기부가 갖게 하면서 기판을 반송하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법을 제공한다.
상기 제3 관점에서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간을 설정하고, 또한, 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간을 설정하도록 할 수 있다.
이 경우에, 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간으로서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하고, 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간으로서 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용할 수 있다.
본 발명의 제4 관점에서는, 기판에 대하여 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대하여 액체에 침지시킨 상태에서 노광하는 액침 노광 장치에 의해 액침 노광 처리가 실시된 후에 현상 처리를 행하는 도포?현상 장치로서, 레지스트 도포 및 현상을 행하기 위한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리 유닛을 구비한 처리부와, 상기 처리부와 상기 노광 장치의 사이에 배치되고, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 액침 노광 후의 기판을 세정하는 세정 유닛을 갖는 인터페이스부와, 상기 처리부에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구와, 상기 인터페이스부에서 기판을 반송하는 인터페이스부 반송 기구를 구비하고, 상기 처리부는, 노광 후의 기판에 현상에 앞서 베이크 처리를 실시하는, 대기부를 갖는 복수의 노광 후 베이크 유닛을 갖고, 상기 인터페이스부 반송 기구는, 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 노광 후의 기판을 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반입하는 제1 반송 기구와, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 상기 세정 유닛에 대한 기판의 반입출을 행하는 제2 반송 기구를 갖고, 상기 인터페이스부는, 상기 제2 반송 기구에 의해 반송해 온 기판을 재치하고, 상기 제1 반송 기구에 의해 수취 가능하게 하는 수수부를 더 갖는 도포?현상 장치를 이용하여 노광 후의 기판을 노광 후 베이크 유닛으로 반송하는 기판 반송 방법이며, 상기 노광 장치에서의 노광 종료 후, 노광 후 베이크 유닛에서 노광 후 베이크 처리가 개시될 때까지의 노광 후 지연 시간이 기판마다 일정해지도록 상기 수수부 및 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부의 2개소에서 기판을 대기시키는 동시에, 상기 노광 후 지연 시간을, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구 각각에 분담하고, 상기 제2 반송 기구 담당분의 노광 후 지연시간에 대응하는 대기 시간을 상기 수수부가 갖게 하고, 제1 반송 기구 담당분의 노광 후 지연 시간에 대응하는 대기 시간을 상기 대기부가 갖게 하면서 기판을 반송하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법을 제공한다.
상기 제4 관점에서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 세정 유닛으로 기판을 반송하고, 상기 세정 유닛에서 기판의 세정 처리를 행하고, 상기 세정 처리 종료 후 상기 세정 유닛으로부터 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간을 설정하고, 또한, 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간을 설정하도록 할 수 있다.
이 경우에, 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간으로서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서, 상기 제2 반송 기구가 상기 세정 유닛으로 기판을 반송하고, 상기 세정 유닛에서 기판의 세정 처리를 행하고, 상기 세정 처리 종료 후 상기 세정 유닛으로부터 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하고, 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간으로서 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하 게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용할 수 있다.
본 발명의 제5 관점에서는, 기판에 대하여 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 노광 장치에 의해 노광 처리가 실시된 후에 현상 처리를 행하는 도포?현상 장치로서, 레지스트 도포 및 현상을 행하기 위한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리 유닛을 구비한 처리부와, 상기 처리부와 상기 노광 장치의 사이에 배치되고, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행하는 인터페이스부와, 상기 처리부에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구와, 상기 인터페이스부에서 기판을 반송하는 인터페이스부 반송 기구를 구비하고, 상기 처리부는, 노광 후의 기판에 현상에 앞서 베이크 처리를 실시하는, 대기부를 갖는 복수의 노광 후 베이크 유닛을 갖고, 상기 인터페이스부 반송 기구는, 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 노광 후의 기판을 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반입하는 제1 반송 기구와, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행하는 제2 반송 기구를 갖고, 상기 인터페이스부는, 상기 제2 반송 기구에 의해 반송해 온 기판을 재치하고, 상기 제1 반송 기구에 의해 수취 가능하게 하는 수수부를 더 갖는 도포?현상 장치를 이용하여 노광 후의 기판을 노광 후 베이크 유닛으로 반송시키기 위한 컴퓨터 프로그램이며, 상기 노광 장치에서의 노광 종료 후, 노광 후 베이크 유닛에서 노광 후 베이크 처리가 개시될 때까지의 노광 후 지연 시간이 기판마다 일정해지도록 상기 수수부 및 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부의 2개소에서 기판을 대기시키는 동시에, 상기 노광 후 지연 시간을, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구 각각에 분담하고, 상기 제2 반송 기구 담당분의 노광 후 지연시간에 대응하는 대기 시간을 상기 수수부가 갖게 하고, 제1 반송 기구 담당분의 노광 후 지연 시간에 대응하는 대기 시간을 상기 대기부가 갖게 하도록, 상기 제1 및 제2 반송 기구를 컴퓨터에 제어시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 제공한다.
상기 제5 관점에서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간을 설정하고, 또한, 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간을 설정하도록 할 수 있다.
이 경우에, 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간으로서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하고, 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간으로서 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용할 수 있다.
본 발명의 제6 관점에서는, 기판에 대하여 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대하여 액체에 침지시킨 상태에서 노광하는 액침 노광 장치에 의해 액침 노광 처리가 실시된 후에 현상 처리를 행하는 도포?현상 장치로서, 레지스트 도포 및 현상을 행하기 위한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리 유닛을 구비한 처리부와, 상기 처리부와 상기 노광 장치의 사이에 배치되고, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 액침 노광 후의 기판을 세정하는 세정 유닛을 갖는 인터페이스부와, 상기 처리부에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구와, 상기 인터페이스부에서 기판을 반송하는 인터페이스부 반송 기구를 구비하고, 상기 처리부는, 노광 후의 기판에 현상에 앞서 베이크 처리를 실시하는, 대기부를 갖는 복수의 노광 후 베이크 유닛을 갖고, 상기 인터페이스부 반송 기구는, 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 노광 후의 기판을 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반입하는 제1 반송 기구와, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 상기 세정 유닛에 대한 기판의 반입출을 행하는 제2 반송 기구를 갖고, 상기 인터페이스부는, 상기 제2 반송 기구에 의해 반송해 온 기판을 재치하고, 상기 제1 반송 기구에 의해 수취 가능하게 하는 수수부를 더 갖는 도포?현상 장치를 이용하여 노광 후의 기판을 노광 후 베이크 유닛으로 반송시키기 위한 컴퓨터 프로그램이며, 상기 노광 장치에서의 노광 종료 후, 노광 후 베이크 유닛에서 노광 후 베이크 처리가 개시될 때까지의 노광 후 지연 시간이 기판마다 일정해지도록 상기 수수부 및 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부의 2개소에서 기판을 대기시키는 동시에, 상기 노광 후 지연 시간을, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구 각각에 분담하고, 상기 제2 반송 기구 담당분의 노광 후 지연시간에 대응하는 대기 시간을 상기 수수부가 갖게 하고, 제1 반송 기구 담당분의 노광 후 지연 시간에 대응하는 대기 시간을 상기 대기부가 갖게 하도록, 상기 제1 및 제2 반송 기구를 컴퓨터에 제어시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 제공한다.
상기 제6 관점에서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 세정 유닛으로 기판을 반송하고, 상기 세정 유닛에서 기판의 세정 처리를 행하고, 상기 세정 처리 종료 후 상기 세정 유닛으로부터 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간을 설정하고, 또한, 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되 고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간을 설정하도록 할 수 있다.
이 경우에, 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간으로서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서, 상기 제2 반송 기구가 상기 세정 유닛으로 기판을 반송하고, 상기 세정 유닛에서 기판의 세정 처리를 행하고, 상기 세정 처리 종료 후 상기 세정 유닛으로부터 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하고, 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간으로서 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 노광 장치에서의 노광 종료 후, 노광 후 베이크 유닛에서 노광 후 베이크 처리가 개시될 때까지의 시간이 기판마다 일정해지도록 상기 수수부 및 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부의 2개소에서 기판을 대기시키기 때문에, 노광 후 베이크 유닛에서의 대기 시간을 짧게 할 수 있고, 노광 후 베이크 유닛의 대수를 증가시키지 않고, 노광 후 지연 시간을 각 웨이퍼에서 일정하게 할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 관한 도포?현상 장치를 구비한 패턴 형성 장치의 개략 평면도이고, 도2는 그 개략 사시도이다.
패턴 형성 장치(1)는, 반도체 기판인 웨이퍼(W)에 소정의 레지스트 패턴을 형성하기 위한 것으로서, 웨이퍼(W)에 레지스트 등을 도포하고, 또한 노광 후의 현상을 행하는 도포?현상 장치(2)와, 웨이퍼(W)에 노광 처리를 실시하는 액침 노광 장치(3)를 구비하고 있다. 도포?현상 장치(2)는, 웨이퍼(W)의 반송 스테이션인 카세트 스테이션(11)과, 웨이퍼(W)에 소정의 처리를 실시하는 복수의 처리 유닛을 갖는 처리 스테이션(12)과, 처리 스테이션(12) 및 노광 장치(3)의 사이에서 웨이퍼(W)를 수수하기 위한 인터페이스 스테이션(13)을 구비하고 있다. 카세트 스테이션(11), 처리 스테이션(12), 인터페이스 스테이션(13) 및 노광 장치(3), 이 순으로 패턴 형성 장치(1)의 길이 방향(Y방향)으로 직렬로 배치되어 있다.
카세트 스테이션(11)은, 복수 매, 예를 들면 13매의 웨이퍼(W)가 수용된 웨이퍼 카세트(CR)를 재치하는 카세트 재치대(11a)와, 카세트 재치대(11a) 상의 웨이퍼 카세트(CR)와 후술하는 처리 스테이션(12)의 제3 처리 유닛군(G3)에 설치된 트랜지션 유닛과의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 웨이퍼 반송부(11c)를 Y방향으로 직렬로 갖고 있다. 카세트 재치대(11a) 상에는, 웨이퍼 카세트(CR)를 위치 결정하기 위한 위치 결정부(11b)가, 패턴 형성 장치(1)의 폭방향(X방향)으로 복수, 예를 들면 5개 설치되어 있고, 웨이퍼 카세트(CR)는, 그 개구가 웨이퍼 반송부(11c)의 케이스의 벽면에 설치된 개폐부(11e)와 대향하도록, 위치 결정부(11b) 위치에 재치된다. 웨이퍼 반송부(11c)는, 그 케이스 내에 배치된, 웨이퍼(W)를 지지 가능한 반송 픽(11d)을 갖고, 이 반송 픽(11d)에 의해 카세트 재치대(11a) 상의 각 웨이퍼 카세트(CR)와 트랜지션 유닛의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성되어 있다.
처리 스테이션(12)은, 케이스(15) 내에 배치되어 있고, 그 전면측(도1 하측)에, 카세트 스테이션(11)측으로부터 인터페이스 스테이션(13)측을 향하여 차례로, 제1 처리 유닛군(G1)과 제2 처리 유닛군(G2)을 갖고, 그 배면측(도1 상방)에, 카세트 스테이션(11)측으로부터 인터페이스 스테이션(13)측을 향하여 차례로, 제3 처리 유닛군(G3), 제4 처리 유닛군(G4) 및 제5 처리 유닛군(G5)을 갖고 있다. 또한, 처리 스테이션(12)은, 제3 처리 유닛군(G3)과 제4 처리 유닛군(G4)의 사이에 제1 주 반송부(A1)를 갖고, 제4 처리 유닛군(G4)과 제5 처리 유닛군(G5)의 사이에 제2 주 반송부(A2)를 갖고 있다. 또한, 제1 주 반송부(A1)의 이면측에는, 제6 처리 유닛군(G6)이 설치되어 있다.
도2에 도시한 바와 같이, 제1 처리 유닛군(G1)은, 웨이퍼(W)에 노광시의 광의 반사를 방지하는 반사 방지막을 형성하는 2개의 보텀 코팅 유닛(BARC)과, 웨이퍼(W)에 레지스트막을 형성하는 3개의 레지스트 도포 유닛(COT)이 겹쳐 쌓여 구성되어 있다. 제2 처리 유닛군(G2)은, 웨이퍼(W)에 현상 처리를 실시하는 예를 들면 3개의 현상 유닛(DEV)과, 웨이퍼(W)에 형성된 레지스트막의 표면에 발수성을 갖는 보호막(톱 코트막)을 형성하는 예를 들면 2개의 톱 코팅 유닛(ITC)이 겹쳐 쌓여 구성되어 있다.
제3 처리 유닛군(G3), 제4 처리 유닛군(G4), 제5 처리 유닛군(G5)은, 예를 들면, 레지스트 도포 후의 웨이퍼(W)에 가열 처리를 실시하는 프리베이크 유닛(PAB), 현상 처리 후의 웨이퍼(W)에 가열 처리를 실시하는 포스트 베이크 유닛(POST), 노광 후 현상 전의 웨이퍼(W)에 가열 처리를 실시하는 노광 후 베이크 유닛(PEB), 소수화 처리 또는 프리베이크된 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 온도 조절 유닛인 냉각 유닛(CPL1)과, 노광 후 베이크 유닛(PEB)에서 가열된 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하는 온도 조절 유닛인 냉각 유닛(CPL3)과 포스트 베이크 유닛(POST)에서 가열된 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 유닛(CPL4) 등이 예를 들면 10단으로 겹쳐 쌓여 구성되어 있다. 또한, 제6 처리 유닛군(G6)은, 웨이퍼(W)에 소수화 처리를 실시하는 애드히전 유닛을 예를 들면 2단 겹쳐 쌓아 구성되어 있다. 이들은, 예를 들면 도3에 도시한 바와 같이 배치되어 있다. 도3에 도시한 바와 같이, 제3 처리 유닛군(G3)은 카세트 스테이션(11)과 제1 주 반송부(A1)의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수부로 되는 수수 유닛(TRS1)을 갖고, 제5 처리 유닛군(G5)은 제2 주 반송부(A2)와 인터페이스 스테이션(13)의 후술하는 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)의 사이에서의 웨이퍼(W)의 수수부로 되는 수수 유닛(TRS2)을 갖고 있다.
프리베이크 유닛(PAB) 및 포스트 베이크 유닛(POST)은, 모두 가열 플레이트 를 구비하고, 제1 주 반송부(A1) 및 제2 주 반송부(A2)의 쌍방으로부터 액세스할 수 있도록 구성되어 있다.
한편, 노광 후 베이크 유닛(PEB)은, 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 플레이트 및 가열 후의 웨이퍼를 냉각하는 냉각 플레이트를 구비하고, 역시 제1 주 반송부(A1) 및 제2 주 반송부(A2)의 쌍방으로부터 액세스할 수 있도록 구성되어 있다. 노광 후 베이크 유닛(PEB)은, 본 발명에서 중요하기 때문에, 그 구조를 나중에 상세하게 설명한다.
제1 주 반송부(A1)는, 웨이퍼(W)를 지지 가능한 제1 주 웨이퍼 반송 아암(16)을 갖고, 이 제1 주 웨이퍼 반송 아암(16)은, 제1 처리 유닛군(G1), 제3 처리 유닛군(G3) 및 제4 처리 유닛군(G4), 제6 처리 유닛군(G6)의 각 유닛에 선택적으로 액세스할 수 있도록 되어 있다. 제2 주 반송부(A2)는, 웨이퍼(W)를 지지 가능한 제2 주 웨이퍼 반송 아암(17)을 갖고, 이 제2 주 웨이퍼 반송 아암(17)은, 제2 처리 유닛군(G2), 제4 처리 유닛군(G4) 및 제5 처리 유닛군(G5)의 각 유닛에 선택적으로 액세스할 수 있도록 되어 있다.
제1 처리 유닛군(G1)과 카세트 스테이션(11)의 사이 및 제2 처리 유닛군(G2)과 인터페이스 스테이션(13)의 사이에는 각각, 제1 및 제2 처리 유닛군(G1, G2)에 공급되는 처리액의 온도 조절 장치나 온도 습도 조절용 덕트 등을 구비한 온도 습 도 조절 유닛(18)이 설치되어 있다(도1 참조). 또한, 제1 및 제2 처리 유닛군(G1, G2)의 하측에는 각각, 이들에 약액을 공급하는 케미컬 유닛(CHM)이 설치되어 있다(도2 참조).
인터페이스 스테이션(13)은, 처리 스테이션(12)측의 제1 인터페이스 스테이션(13a)과, 노광 장치(3)측의 제2 인터페이스 스테이션(13b)를 갖고 있다. 제1 인터페이스 스테이션(13a)에는, 제5 처리 유닛군(G5)의 개구부와 대면하도록, 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)가 설치되어 있고, 제2 인터페이스 스테이션(13b)에는, X방향으로 이동 가능한 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)가 설치되어 있다.
도4에 도시한 바와 같이, 제1 인터페이스 스테이션(13a)의 배면측에는, 웨이퍼 주변부의 여분의 레지스트를 제거하기 위해서 웨이퍼(W)의 에지부만을 선택적으로 노광하는 주변 노광 장치(WEE)와, 노광 장치(3)에 반송되는 웨이퍼(W)를 일시 수용하는 인용 버퍼 카세트(INBR)와, 노광 장치(3)로부터 반송된 웨이퍼(W)를 일시 수용하는 아웃용 버퍼 카세트(OUTBR)가 겹쳐 쌓여 구성된 제7 처리 유닛군(G7)이 배치되어 있다. 또한, 제1 인터페이스 스테이션(13a)의 정면측에는, 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로 반송할 때에 고정밀도로 온도 조절하는 고정밀도 온도 조절 유닛(CPL)과, 노광 후의 웨이퍼가 재치되는 수수 유닛(TRS)이 각각 2단씩 합계 4단으로 겹쳐 쌓여 구성된 제8 처리 유닛군(G8)이 배치되어 있다.
한편, 도5에 도시한 바와 같이, 제2 인터페이스 스테이션(13b)의 정면측에는, 액침 노광 후의 웨이퍼(W)를 세정하고, 건조시키는 세정 유닛(PIR)이 2단으로 겹쳐 쌓여 구성된 제9 처리 유닛군(G9)이 배치되어 있다. 세정 유닛(PIR)은, 스핀 척에 수평 상태로 웨이퍼(W)를 지지시키고, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 표면 중심부에 세정액을 공급하면서 세정 처리를 행하고, 그 후 떨어내기 건조를 행하는 것이다.
상기 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)는, 웨이퍼(W)를 수수하기 위한 포크(21a)를 갖고 있다. 이 포크(21a)는, 상하이동 및 선회가 가능하고, 제5 처리 유닛군(G5), 제6 처리 유닛군(G6), 제7 처리 유닛군(G7)의 각 유닛에 액세스 가능하고, 이에 의해 각 유닛 간에서의 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
상기 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)는, 웨이퍼(W)를 수수하기 위한 상하 2개의 포크(22a, 22b)를 갖고 있다. 이들 포크(22a, 22b)는, 도1의 Y방향을 따른 수평 이동, 상하이동 및 선회가 가능하고, 제7 처리 유닛군(G7)의 각 유닛 및 노광 장치(3)의 후술하는 인 스테이지(3a) 및 아웃 스테이지(3b)에 액세스 가능하고, 이들 각부의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 상단의 포크(22a)는 노광 장치(3)에 반입할 때에 이용되고, 하단의 포크(22b)는 노광 장치(3)로부터 반출할 때에 이용된다. 이와 같이, 젖은 상태의 웨이퍼(W)를 취급하는 포크(22b)를 설치하고 이 포크(22b)를 하단에 설치함으로써, 포크(22a)에 재치된 건조 웨이퍼(W)에 액적이 부착할 우려를 회피할 수 있다.
제1 인터페이스 스테이션(13a)의 상부에는, 제1 인터페이스 스테이션(13a) 또는 인터페이스 스테이션(13)의 기류를 조정하는 기류 조정부(23)가 설치되고, 제2 인터페이스 스테이션(13b)의 상부에는, 노광 장치(3)로부터 반송된 웨이퍼(W)가 건조하지 않도록 제2 인터페이스 스테이션(13b) 또는 인터페이스 스테이션(13)을 가습하는 가습부(24)가 설치되어 있다(도2 참조).
노광 장치(3)는, 인터페이스 스테이션(13)으로부터 반송된 웨이퍼(W)를 재치하는 인 스테이지(3a)와, 인터페이스 스테이션(13)에 반송되는 웨이퍼(W)를 재치하는 아웃 스테이지(3b)와, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)를 소정의 액체에 침지시킨 상태에서 레지스트막을 노광하는 액침 노광부(30)와, 인 스테이지(3a), 액침 노광부(30) 및 아웃 스테이지(3b)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 웨이퍼 반송 기구(25)를 갖고 있다.
도2에 도시한 바와 같이, 카세트 스테이션(11)의 하부에는 도포?현상 장치(2)의 전체를 제어하는 제어부(20)가 설치되어 있다. 이 제어부(20)의 상세는 후술한다. 또한, 노광 장치(3)에도 도시하지 않은 제어부가 설치되어 있다.
이와 같이 구성된 도포?현상 장치(2) 및 노광 장치(3)를 구비한 패턴 형성 장치(1)에서 실 웨이퍼의 처리를 행하는 경우에는, 우선, 웨이퍼 반송부(11c)의 반송 픽(11d)에 의해, 웨이퍼 카세트(CR)로부터 1매의 웨이퍼(W)를 꺼내고, 처리 스테이션(12)의 제3 처리 유닛군(G3)에 설치된 수수 유닛(TRS1)에 반송한다. 다음에, 제1 및 제2 주 반송부(A1, A2)에 의해, 레서피의 순서에 따라서, 제1 내지 제6 처리 유닛군(G1 내지 G6)의 소정의 유닛에 웨이퍼(W)를 순차 반송하고, 웨이퍼(W)에 일련의 처리를 실시한다. 예를 들면, 애드히전 유닛(ADH)에서의 애드히전 처리, 보텀 코팅 유닛(BARC)에서의 반사 방지막의 형성, 레지스트 도포 유닛(COT)에서의 레지스트막의 형성, 톱 코팅 유닛(ITC)에서의 보호막의 형성, 프리베이크 유닛(PAB)에서의 프리베이크 처리를 행한다. 또한, 애드히전 처리는 필요에 따라 실시된다.
그 후, 제2 주 반송부(A2)에 의해 웨이퍼(W)를 제5 처리 유닛군(G5)의 수수 유닛(TRS2)에 반송하고, 제1 인터페이스 스테이션(13a)의 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)에 의해 웨이퍼(W)를 수취하여, 주변 노광 장치(WEE)에 반송하고, 거기서 주변 노광 처리를 행하고, 다시 고정밀도 온도 조절 유닛(CPL)에 반송하고, 거기서 온도 조절 처리를 행한다. 이어서, 제2 인터페이스 스테이션(13b)의 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)(포크(22a))에 의해 웨이퍼(W)를 고정밀도 온도 조절 유닛(CPL)으로부터 노광 장치(3)의 인 스테이지(3a)에 반송한다. 그 후, 노광 장치(3)의 웨이퍼 반송 기구(25)에 의해 웨이퍼(W)를 액침 노광부(30)에 반송하여 웨이퍼(W)에 액침 노광 처리를 실시한다. 그 후, 웨이퍼 반송 기구(25)에 의해 웨이퍼(W)를 아웃 스테이지(3b)에 반송하고, 이어서, 제2 인터페이스 스테이션(13b)에서 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)(포크(22b))에 의해 웨이퍼(W)를 세정 유닛(PIR)에 반송하여 웨이퍼(W)를 세정?건조하고, 이어서 제1 인터페이스 스테이션(13a)의 수수 유닛(TRS)에 반송한다. 그 후, 제1 인터페이스 스테이션(13a)의 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)에 의해 수수 유닛(TRS)의 웨이 퍼(W)를 제5 처리 유닛군(G5)의 노광 후 베이크 유닛(PEB)에 반송한다.
노광 후 베이크 유닛(PEB)에서 노광 후 베이크 처리를 행한 후, 제1, 제2 주 반송부(A1, A2)에 의해, 레서피의 순서에 따라서, 소정의 유닛에 웨이퍼(W)를 순차 반송하여 소정의 처리를 행한다. 예를 들면, 노광 후 베이크 처리 후, 현상 유닛(DEV)에서의 현상 처리, 포스트 베이크 유닛(POST)에서의 포스트 베이크 처리, 냉각 유닛(CPL4)에서의 냉각 처리를 순차 행하고, 그 후, 웨이퍼(W)를, 제3 처리 유닛군(G3)에 설치된 수수 유닛(TRS1)을 통하여 카세트 스테이션(11)의 웨이퍼 카세트(CR)로 반송한다.
이상의 공정에서, 화학 증폭형 레지스트는, 노광하고 나서 가열 처리를 개시하는 동안에도 반응이 진행하기 때문에, 노광 장치(3)에서의 노광 처리 종료 후부터 노광 후 베이크 처리 유닛(PEB)에서 가열할 때까지의 노광 후 지연 시간(PED 시간)이 변동되면, 선폭의 균일성이 저하한다. 그러나, 인터페이스 스테이션(13)에서의 제1 및 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(21, 22)는 서로 비동기로 독립하여 제어되기 때문에, 반송의 사정에 따라 기판마다 PED 시간이 필연적으로 변동한다. 따라서, 선폭 균일성을 확보하기 위해서는, 상기 특허 문헌 1과 같이 노광 후 베이크 유닛(PEB)에서 가열 전에 웨이퍼(W)를 대기시켜 PED 시간을 일정하게 하는 것이 유효한데, 액침 노광 처리를 행하는 경우에는, 세정 유닛(PIR)에서 세정 처리를 행하기 때문에, 노광 후 베이크 유닛(PEB)에서의 대기 시간이 증가하고, 동일한 스루풋을 유지하기 위한 노광 후 베이크 유닛(PEB)의 필요 대수가 증가한다.
본 실시 형태는, 노광 후 베이크(BEB)의 대수를 증가시키지 않고, PED 시간을 일정하게 하는 방법을 제공하는 것으로서, 이하, 그 점에 대하여 설명한다.
우선, 노광 후 베이크 유닛(PEB)에 대하여 설명한다.
도6의 (a), (b)에 도시한 바와 같이, 노광 후 베이크 유닛(PEB)은, 케이스(62) 내에, 가열 플레이트(63)와, 반송 아암을 겸용하는 냉각 플레이트(64)가 나란히 놓여 있고, 케이스(62)의 양측면의 냉각 플레이트(64)에 대응하는 부분에, 각각 제1 주 반송부(A1) 및 제2 주 반송부(A2)로부터 액세스 가능한 반입출구(51a, 51b)가 형성되어 있다. 그리고, 반입된 웨이퍼(W)는, 우선 냉각 플레이트(64)에 재치되도록 이루어져 있다. 냉각 플레이트(64)는, 도시하지 않은 이동 기구에 의해, 도시한 기준 위치와 가열 플레이트(63)의 바로 위 위치의 사이에서 이동 가능하게 구성되어 있다. 냉각 플레이트(64)의 기준 위치에 대응하는 부분 및 가열 플레이트(63)에 대응하는 부분에는, 각각 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 승강 핀(65, 66)이 설치되어 있다. 또한, 냉각 플레이트(64)에는 승강 핀(65, 66)이 통과하기 위한 절결(67)이 형성되어 있다. 그리고, 가열 플레이트(63)에 대한 웨이퍼(W)의 수수는, 냉각 플레이트(64)를 통하여 행해지도록 되어 있다. 또한, 기준 위치에 있는 냉각 플레이트(64)에 웨이퍼(W)를 재치시킨 상태에서 대기시키는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 승강 핀(65 또는 66)을 돌출시킨 상태에서 그 위에 대기시킬 수도 있다. 또한, 반입출구(51a, 51b)는 도시하지 않은 셔터로 개폐 가능하게 되어 있다.
다음에, 제어부(20)에 대하여 설명한다. 도7은 제어부(20)의 요부를 도시한 블록도이다.
이 제어부(20)는, 도포?현상 장치(2)의 각 유닛 및 각 반송 기구 등의 각 구성부를 제어하는 마이크로 프로세서(MPU)를 구비한 컨트롤러(71)와, 공정 관리자가 패턴 형성 장치(1)의 각 구성부를 관리하기 위해서 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 패턴 형성 장치(1)의 각 구성부의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 이루어진 유저 인터페이스(72)와, 처리에 필요한 레서피 등의 정보가 기억된 기억부(73)를 갖고 있다.
제어부(20)는, 도포?현상 장치(2)의 전체를 제어하는 것으로서, 도7에 도시한 바와 같이, 도포?현상 장치(2)의 각 구성부를 제어하는 컨트롤러(71)를 갖고 있다. 컨트롤러(71)에는, 오퍼레이터가 도포?현상 장치(2)의 각 구성부를 관리하기 위해 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 도포?현상 장치(2)의 각 구성부의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 이루어진 유저 인터페이스(72)가 접속되어 있다. 또한, 컨트롤러(71)에는, 도포?현상 장치(2)에서 실행되는 각종 처리를 컨트롤러(71)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따라 도포?현상 장치(2)의 각 구성부에 소정의 처리를 실행시키기 위한 제어 프로그램 즉 레서피 등이 수납된 기억부(73)가 접속되어 있다. 레서피 등의 제어 프로그램은 기억부(73) 중의 기억 매체에 기억되어 있다. 기억 매체는, 하드디스크나 반도체 메모리이어도 되고, CDROM, DVD, 플래시 메모리 등의 가반성의 것이어도 된다.
제어부(20)는, 이와 같이 도포?현상 장치(2)의 전체를 제어하는 것인데, 이하, 실시 형태의 요부에 관련된 인터페이스 스테이션(13)에서의 반송계의 제어를 중심으로 설명한다.
컨트롤러(71)는, 인터페이스 스테이션(13)의 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)를 제어하는 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구 제어부(81)와, 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)를 제어하는 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구 제어부(82)와, 제8 처리 유닛군(G8)의 수수 유닛(TRS)에서 웨이퍼(W)를 대기시키는 대기 시간을 연산하는 TRS 대기 시간 연산부(83)와, 노광 후 베이크 유닛(PEB)에서 웨이퍼를 대기시키는 대기 시간을 연산하는 PEB 대기 시간 연산부(84)를 갖고 있다.
TRS 대기 시간 연산부(83)는, 노광 장치(3)로부터 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)가 웨이퍼(W)를 수취하여 제8 처리 유닛군(G8)의 수수 유닛(TRS)에 재치하고, 이 수수 유닛(TRS)으로부터 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)가 수취할 때까지의 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22) 담당분의 노광 후 지연 시간(제2 PED 시간)이 항상 최대값으로 되도록 수수 유닛(TRS)에서의 웨이퍼(W)의 대기 시간을 연산한다.
또한, PEB 대기 시간 연산부(84)는, 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)가 수수 유닛(TRS)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여, 노광 후 베이크 유닛(PEB)에 웨이퍼를 반송하고, 노광 후 베이크 처리가 개시될 때까지의 제1 인터페이스 스테이 션 반송 기구(21) 담당분의 노광 후 지연 시간(제1 PED 시간)이 항상 최대값으로 되도록 노광 후 베이크 유닛(PEB)에서의 웨이퍼(W)의 대기 시간을 연산한다.
또한, 기억부(73)는, 웨이퍼(W)의 반송 레서피를 복수 저장하고 있고, 이들 반송 레서피로부터 웨이퍼(W)의 반송 스케줄을 작성하는 반송 스케줄 작성 프로그램(85)을 갖고 있다. 반송 스케줄은, 웨이퍼(W)가 재치되는 모듈(예를 들면 처리 유닛이나 수수 유닛)과 각 웨이퍼의 대응 관계를 시계열적으로 나타낸 것이다.
다음에, 제어부(20)에 의한 본 실시 형태의 PED 시간의 제어에 대하여 상세하게 설명한다. 전술한 바와 같이, 각 웨이퍼(W)에 의해 노광 종료 후부터 노광 후 베이크 유닛(PEB) 시간이 변동되는 것을 회피하기 위해서, 웨이퍼(W)의 대기 시간을 두어 각 웨이퍼에서의 PED 시간을 일정하게 하는데, 노광 후 베이크 유닛(PEB)에서의 대기만으로는 PED 시간 자체가 길어지고, 노광 후 베이크 유닛(PEB)의 필요 대수가 증가하기 때문에, 본 실시 형태에서는, 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)와 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)에서 개별적으로 최대 지연 시간을 파악하여, 각각에 대기 시간을 갖게 함으로써, 노광 후 베이크 유닛(PEB)에서의 대기 시간을 단축한다. 즉, 도8에 도시한 바와 같이, 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)에 대응하는 웨이퍼 대기부로서 제8 처리 유닛군(G8)의 수수 유닛(TRS)을 이용하고, 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)에 대응하는 웨이퍼 대기부로서 노광 후 베이크 유닛(PEB)을 이용하도록 하고, 제어부(20)에 의해 노광 장치(3)에서의 노광 종료 후, 노광 후 베이크 유닛(PEB)에서 노광 후 베이 크 처리가 개시될 때까지의 시간이 웨이퍼마다 일정해지도록 한다.
도9는, 제어부(20)에 의해 PEB 시간을 제어할 때의 플로를 설명하기 위한 플로차트이다.
우선, 노광 후, 노광 장치(3)의 아웃 스테이지(3b)에 웨이퍼(W)가 재치된 후, 아웃 레디 신호가 출력된 시점부터 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)가 웨이퍼(W)를 수수 유닛(TRS)에 반송할 때까지 실제로 걸린 시간(Tr2)을 계측한다(스텝 1). 계속해서 스텝 1에서 계측된 Tr2에 기초하여, 수수 유닛(TRS)에서의 대기 시간(Tt2)을 연산한다(스텝 2). 이 때의 대기 시간(Tt2)의 연산은, 미리 구해져 있는 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22) 담당분의 노광 후 지연 시간(제2 PED 시간)(Tp2)의 최대값(Tp2max)으로부터 상기 Tr2를 감함으로써 구해진다. 즉,
Tt2 = Tp2max - Tr2
로 된다.
제2 PED 시간(Tp2)의 최대값(Tp2max)이 발생하는 것은, 노광 장치(3)의 아웃 스테이지(3b)에 웨이퍼(W)가 재치되어 아웃 레디 신호가 출력된 시점에서, 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)가 세정 유닛(PIR)으로부터 제8 처리 유닛군(G8)의 수수 유닛(TRS)으로 웨이퍼(W)를 반송하고, 계속해서 제8 처리 유닛군(G8)의 고정밀도 온도 조절 유닛(CPL)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 노광 장치의 인 스테이지(3a)로 반송하고, 이들 동작을 종료 후에 아웃 스테이지(3b)에 액세스하여 세정 유닛(PIR)으로 반송하고, 세정 종료 시점에서 제2 인터페이스 스테이션 반송 기 구(22)가 다른 웨이퍼(W)를 아웃 스테이지(3b)로부터 다른 세정 유닛(PIR)으로 반송하고, 다시 고정밀도 온도 조절 유닛(CPL)의 웨이퍼(W)를 인 스테이지(3a)로 반송하고, 이들 동작을 종료 후에 세정 유닛(PIR)으로부터 수수 유닛(TRS)으로 반송하는 경우이다. Tr2 = Tp2max의 경우에는, 대기 시간(Tt2)=0으로 된다.
한편, 제2 PED 시간(Tp2)의 최소값(Tp2min)은, 노광 장치(3)의 아웃 스테이지(3b)에 웨이퍼(W)가 재치되어 아웃 레디 신호가 출력된 시점에서 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)가 즉시 아웃 스테이지(3b)에 액세스할 수 있고, 또한 세정 유닛(PIR)에서의 세정 종료 시점에서 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)가 즉시 세정 유닛(PIR)에 액세스할 수 있는 경우이고, 이 때 대기 시간(Tt2)이 최대값(Tt2max)으로 된다. 즉, 통상의 처리시는 0≤Tt2≤Tt2max로 된다.
다음에, 상기 연산 결과에 기초하여 대기가 실행되고(스텝 3), 대기 시간이 소정의 시간으로 되었는지의 여부가 판단되어(스텝 4), 소정의 시간에 도달한 후, 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)의 수수 스테이지(TRS)로의 액세스를 허가하는 신호가 출력된다(스텝 5). 그리고, 반송을 허가하는 신호가 출력된 시점부터 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)가 웨이퍼(W)를 노광 후 베이크 유닛(PEB)로 반송할 때까지 실제로 걸린 시간(Tr1)을 계측한다(스텝 6). 계속해서 스텝 6에서 계측된 Tr1에 기초하여, 노광 후 베이크 유닛(PEB)에서의 대기 시간(Tt1)을 연산한다(스텝 7). 이 때의 대기 시간(Tt1)의 연산은, 미리 구해져 있는 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21) 담당분의 노광 후 지연 시간(제1 PED 시간)(Tp1)의 최대값(Tp1max)으로부터 상기 Tr1을 감함으로써 구해진다.
즉
Tt1 = Tp1max - Tr1
로 된다.
제1 PED 시간(Tp1)의 최대값(Tp1max)이 발생하는 것은, 스텝 5의 액세스 허가 신호가 나온 시점에서, 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)가 제5 처리 유닛군(G5)의 수수 유닛(TRS2)으로 웨이퍼(W)를 잡으러 가고, 그 웨이퍼(W)를 제7 처리 유닛군(G7)의 주변 노광 장치(WEE)에 수수함과 함께 그 안의 웨이퍼(W)를 인용 버퍼 카세트(INBR)에 넣고, 이들 동작을 종료 후에 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)에 의해 제8 처리 유닛군(G8)의 수수 유닛(TRS)으로부터 노광 후 베이크 유닛(PEB)으로 웨이퍼(W)를 반송하는 경우이다. Tr1=Tp1max의 경우에는, 대기 시간(Tt1)=0으로 된다.
한편, 제1 PED 시간(Tp1)의 최소값(Tp1min)은, 스텝 5의 액세스 허가 신호가 나온 시점에서, 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)가 즉시 수수 유닛(TRS)에 액세스할 수 있는 경우이다.
다음에, 상기 연산 결과에 기초하여 대기가 실행되고(스텝 8), 대기 시간이 소정의 시간으로 되었는지의 여부가 판단되어(스텝 9), 소정의 시간에 도달한 후, 가열 처리를 허가하는 신호가 출력되고(스텝 10), 노광 후 베이크 유닛(PEB) 내에서 웨이퍼(W)가 가열 플레이트(63) 상에 재치되어 노광 후 베이크 처리가 개시된다(스텝 11).
이와 같이, PED 시간의 최대값으로부터 실제의 반송 시간을 뺀 시간을 모두 노광 후 베이크 유닛(PEB)에서 대기시키는 것은 아니라, 제1 및 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(21, 22) 각각에 PED 시간을 분담하고, 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22) 담당분의 PED 시간에 대응하는 대기 시간을 노광 후 베이크 유닛(PEB)과는 별개의 수수 스테이지(TRS)에 갖게 하였기 때문에, 노광 후 베이크 유닛(PEB)에서의 대기 시간을 단축시킬 수 있다. 따라서, 노광 후 베이크 유닛(PEB)의 필요 대수의 증가를 회피시킬 수 있다.
다음에, 구체예에 대하여 설명한다. 도10은 PED 시간 관리의 타임차트의 구체예를 나타내는 도면으로서, (a)는 PED 시간이 최단인 케이스, (b)는 PED 시간이 최장인 케이스이다.
(a)의 PED 시간이 최단인 케이스에서는, 노광 장치(3)의 아웃 스테이지(3b)에 웨이퍼(W)가 재치되어 아웃 레디 신호가 출력되어 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)가 아웃 스테이지(3b)로부터 세정 유닛(PIR)으로 반송하는 시간(도면 중 (1))이 7.0초, 세정 유닛(PIR)에서 처리하는 시간(도면 중 (2))이 27.0초, 세정 종료 후, 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)가 세정 유닛(PIR)으로부터 수수 유닛(TRS)으로 반송하는 시간(도면 중(3))이 7.0초이고, 제2 PED 시간(Tp2)의 최소값(Tp2min) = (1) + (2) + (3) = 41.0초이다. 또한, 스텝 5의 액세스 허가 신호가 나오고 나서 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)가 수수 유닛(TRS)으로부터 노광 후 베이크 유닛(PEB)으로 웨이퍼(W)를 반송하는 시간(도면 중 (4))이 6.0초이고, 제1 PED 시간(Tp1)의 최소값(Tp1min) = (4) = 6.0초이다.
한편, (b)의 PED 시간이 최장인 케이스에서는, 노광 장치(3)의 아웃 스테이지(3b)에 웨이퍼(W)가 재치되어 아웃 레디 신호가 출력된 시점에서, 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)는 즉시는 그 웨이퍼(W)를 잡으러 갈 수 없고, 우선 세정 유닛(PIR)의 웨이퍼(W)를 제8 처리 유닛군(G8)의 수수 유닛(TRS)으로 반송하는 시간(도면 중 (ⅰ)):7.0초, 계속해서 제8 처리 유닛군(G8)의 고정밀도 온도 조절 유닛(CPL)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 노광 장치의 인 스테이지(3a)로 반송하는 시간(도면 중(ⅱ)):7.0초라고 하는 (ⅰ) + (ⅱ)의 14.0초 경과 후에 (1)의 반송을 행하고, 또한, (2)의 세정 처리 종료 시점에서 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)는 즉시는 그 웨이퍼(W)를 잡으러 갈 수 없고, 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)가 다른 웨이퍼(W)를 아웃 스테이지(3b)로부터 다른 세정 유닛(PIR)으로 반송하는 시간(도면 중(ⅲ)):7.0초, 다시 고정밀도 온도 조절 유닛(CPL)의 웨이퍼(W)를 인 스테이지(3a)로 반송하는 시간(도면 중(ⅳ)):7.0초라고 하는 (ⅲ)+(ⅳ)의 14.0초 경과 후에 (3)의 반송을 행한다. 따라서, 도면 중 (Ⅱ)로 나타내는, 제2 PED 시간(Tp2)의 최대값(Tp2max) = (1) + (2) + (3) + (ⅰ) + (ⅱ) + (ⅲ) + (ⅳ) = 69초이다. 또한, 스텝 5의 액세스 허가 신호가 나온 시점에서, 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)는 즉시는 제8 처리 유닛군(G8)의 수수 유닛(TRS)에 웨이퍼(W)를 잡으러 갈 수 없고, 제5 처리 유닛군(G5)의 수수 유닛(TRS2)으로 웨이퍼(W)를 잡으러 가고, 그 웨이퍼(W)를 제7 처리 유닛군(G7)의 주변 노광 장치(WEE) 에 수수함과 함께 그 안의 웨이퍼(W)를 인용 버퍼 카세트(INBR)에 넣는 시간(도면 중 (ⅴ)):11.8초 경과 후에 (4)의 반송을 행한다. 따라서, 도면 중 (Ⅰ)로 나타내는, 제1 PED 시간(Tp1)의 최대값(Tp1max) = (4) + (ⅴ) = 17.8초이다.
이와 같이, (a)의 PED 시간이 최단인 케이스에서는, 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22) 담당분에서는 최장의 케이스보다도 69.0 - 41.0 = 28.0초 짧고, 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구 담당분에서는 최장의 케이스보다도 17.8-6.0=11.8 즉 약 12.0초 짧기 때문에, 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22) 담당분의 변동 최대 28.0초를 제8 처리 유닛군(G8)의 수수 스테이지(TRS)에서 대기시킴으로써 조정하고, 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21) 담당분의 변동 최대 12.0초를 노광 후 베이크 유닛(PEB)의 전 대기로 조정한다.
이 경우에, 특허 문헌 1과 같이 PED 시간의 변동을 모두 노광 후 베이크 유닛(PEB)의 전 대기로 조정하면, 대기 시간은 28.0 + 12.0 = 40.0초로 매우 길어지는데, 상기 예에서는 노광 후 베이크 유닛(PEB)에서의 대기 시간은 12.0초로 해결된다. 노광 후 베이크 유닛(PEB)의 필요 대수는, PEB에서의 처리 시간, 대기 시간, 반송 시간 등과, 목표 사이클 타임에 의해 결정되고, 처리 시간+대기 시간이 길어지면 필요 대수가 많아지는 방향으로 된다. 상기 예에서는, 목표 사이클 타임을 24초로 하면, 노광 후 베이크 유닛(PEB)의 필요 대수는 7대로 되는데, 동일한 조건으로 모든 대기 시간을 노광 후 베이크 유닛(PEB)에 갖게 하면 필요 대수는 8대로 된다. 즉, 본 실시 형태의 방법을 이용함으로써, 특허 문헌 1의 방법을 이용 한 경우보다도 노광 후 베이크 유닛(PEB)의 필요 대수를 삭감할 수 있는 것이 확인된다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되지 않고 여러 가지로 변형 가능하다. 예를 들면, 상기 실시 형태에서는, 인터페이스 스테이션(13)에서 세정 유닛(PIR)에 대한 웨이퍼(W)의 수수를 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구(22)에서 행하는 예에 대하여 나타냈으나, 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21)에서 행하도록 하여도 된다. 또한, 상기 실시 형태에서는, 2개의 반송 기구를 이용한 경우에 대하여 나타냈으나, 반송 기구의 수는 이것에 한하는 것이 아니라, 3개 이상이어도 된다. 또한, 상기 실시 형태에서는 액침 노광 장치용 도포?현상 장치에 본 발명을 적용하였으나, 이것에 한하는 것은 아니다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 관한 도포?현상 장치를 구비한 패턴 형성 장치의 개략 평면도.
도2는 도1에 도시한 패턴 형성 장치를 도시한 개략 사시도.
도3은 도1에 도시한 패턴 형성 장치의 도포?현상 장치에서의 주로 제3 처리 유닛군(G3), 제4 처리 유닛군(G4), 제5 처리 유닛군(G5)의 구성을 설명하기 위한 모식도.
도4는 도1에 도시한 패턴 형성 장치의 도포?현상 장치에서의 제1 인터페이스 스테이션을 도시한 측면도.
도5는 도1에 도시한 패턴 형성 장치의 도포?현상 장치에서의 제2 인터페이스 스테이션을 도시한 측면도.
도6은 도1에 도시한 패턴 형성 장치의 도포?현상 장치에서의 노광 후 베이크 유닛을 도시한 수평 단면도 및 수직 단면도.
도7은 도1에 도시한 패턴 형성 장치의 도포?현상 장치에서의 제어부의 요부를 도시한 블록도.
도8은 노광 종료 후, 노광 후 베이크 유닛에서 노광 후 베이크 처리가 개시될 때까지의 제1 및 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구의 제어를 설명하기 위한 모식도.
도9는 제어부에 의해 PED 시간을 제어할 때의 플로를 설명하기 위한 플로차 트.
도10은 PED 시간 관리의 타임차트의 구체예를 나타내는 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 패턴 형성 장치
2 : 도포?현상 장치
3 : 노광 장치
20 : 집중 제어부
21 : 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구
22 : 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구
71 : 컨트롤러
72 : 유저 인터페이스
73 : 기억부
81 : 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구 제어부
82 : 제2 인터페이스 스테이션 반송 기구 제어부
83 : TRS 대기 시간 연산부
84 : PEB 대기 시간 연산부
85 : 반송 스케줄 작성 프로그램
PEB : 노광 후 베이크 유닛
PIR : 세정 유닛
TRS : 수수 유닛
W : 반도체 웨이퍼

Claims (21)

  1. 기판에 대하여 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 노광 장치에 의해 노광 처리가 실시된 후에 현상 처리를 행하는 도포?현상 장치이며,
    레지스트 도포 및 현상을 행하는 복수의 처리 유닛을 구비한 처리부와,
    상기 처리부와 상기 노광 장치의 사이에 배치되고, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행하는 인터페이스부와,
    상기 처리부에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구와,
    상기 인터페이스부에서 기판을 반송하는 인터페이스부 반송 기구와,
    기판의 반송을 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 처리부는, 노광 후의 기판에 현상에 앞서 베이크 처리를 실시하는, 대기부를 갖는 복수의 노광 후 베이크 유닛을 갖고,
    상기 인터페이스부 반송 기구는, 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 노광 후의 기판을 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반입하는 제1 반송 기구와, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행하는 제2 반송 기구를 갖고,
    상기 인터페이스부는, 상기 제2 반송 기구에 의해 반송해 온 기판을 재치하고, 상기 제1 반송 기구에 의해 수취 가능하게 하는 수수부를 더 갖고,
    상기 제어부는, 상기 노광 장치에서의 노광 종료 후, 노광 후 베이크 유닛에서 노광 후 베이크 처리가 개시될 때까지의 노광 후 지연 시간이 기판마다 일정해지도록 상기 수수부 및 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부의 2개소에서 기판을 대기시키는 동시에,
    상기 노광 후 지연 시간을, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구 각각에 분담하고, 상기 제2 반송 기구 담당분의 노광 후 지연시간에 대응하는 대기 시간을 상기 수수부가 갖게 하고, 제1 반송 기구 담당분의 노광 후 지연 시간에 대응하는 대기 시간을 상기 대기부가 갖게 하는 것을 특징으로 하는 도포?현상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간을 설정하고, 또한, 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간을 설정하는 것을 특징으로 하는 도포?현상 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간으로서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하고, 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간으로서 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하는 것을 특징으로 하는 도포?현상 장치.
  4. 기판에 대하여 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대하여 액체에 침지시킨 상태에서 노광하는 액침 노광 장치에 의해 액침 노광 처리가 실시된 후에 현상 처리를 행하는 도포?현상 장치이며,
    레지스트 도포 및 현상을 행하는 복수의 처리 유닛을 구비한 처리부와,
    상기 처리부와 상기 노광 장치의 사이에 배치되고, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 액침 노광 후의 기판을 세정하는 세정 유닛을 갖는 인터페이스부와,
    상기 처리부에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구와,
    상기 인터페이스부에서 기판을 반송하는 인터페이스부 반송 기구와,
    기판의 반송을 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 처리부는, 노광 후의 기판에 현상에 앞서 베이크 처리를 실시하는, 대기부를 갖는 복수의 노광 후 베이크 유닛을 갖고,
    상기 인터페이스부 반송 기구는, 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 노광 후의 기판을 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반입하는 제1 반송 기구와, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 상기 세정 유닛에 대한 기판의 반입출을 행하는 제2 반송 기구를 갖고,
    상기 인터페이스부는, 상기 제2 반송 기구에 의해 반송해 온 기판을 재치하고, 상기 제1 반송 기구에 의해 수취 가능하게 하는 수수부를 더 갖고,
    상기 제어부는, 상기 노광 장치에서의 노광 종료 후, 노광 후 베이크 유닛에서 노광 후 베이크 처리가 개시될 때까지의 노광 후 지연 시간이 기판마다 일정해지도록 상기 수수부 및 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부의 2개소에서 기판을 대기시키는 동시에,
    상기 노광 후 지연 시간을, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구 각각에 분담하고, 상기 제2 반송 기구 담당분의 노광 후 지연시간에 대응하는 대기 시간을 상기 수수부가 갖게 하고, 제1 반송 기구 담당분의 노광 후 지연 시간에 대응하는 대기 시간을 상기 대기부가 갖게 하는 것을 특징으로 하는 도포?현상 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 세정 유닛으로 기판을 반송하고, 상기 세정 유닛에서 기판의 세정 처리를 행하고, 상기 세정 처리 종료 후 상기 세정 유닛으로부터 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간을 설정하고, 또한, 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간을 설정하는 것을 특징으로 하는 도포?현상 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간으로서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서, 상기 제2 반송 기구가 상기 세정 유닛으로 기판을 반송하고, 상기 세정 유닛에서 기판의 세정 처리를 행하고, 상기 세정 처리 종료 후 상기 세정 유닛으로부터 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하고, 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간으로서 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하는 것을 특징으로 하는 도포?현상 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 인터페이스부는, 기판 상의 레지스트막의 주연부를 노광하는 주연 노광 장치와, 버퍼부를 갖고, 상기 제1 반송 기구는, 상기 처리부로부터 기판을 수취하고 나서 상기 주연 노광 장치에 반송하고, 기판의 주연 노광 처리가 끝난 후에 상기 버퍼부로 기판을 반송하는 것을 특징으로 하는 도포?현상 장치.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 인터페이스부는, 상기 제1 반송 기구에 의해 처리부로부터 반송해 온 기판을 재치함과 함께 온도 조절하고, 상기 제2 반송 기구에 의해 상기 반송 장치로 그 기판을 반송 가능하게 하는 온도 조절 유닛을 더 갖는 것을 특징으로 하는 도포?현상 장치.
  9. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 노광 후 베이크 유닛은, 기판을 재치하여 가열하는 가열 플레이트와, 상기 가열 플레이트에 인접한 냉각 위치와 상기 가열 플레이트의 상방 위치의 사이에서 이동 가능하게 설치되고, 상기 가열 플레이트에 대한 기판의 수수 및 가열 후의 기판의 냉각을 행하는 냉각 플레이트와, 상기 냉각 위치에 있는 상기 냉각 플레이트에 대하여 돌몰 가능하게 설치되고 상기 냉각 플레이트에의 기판의 수수를 행하는 제1 승강 핀과, 상기 가열 플레이트에 대하여 돌몰 가능하게 설치되고 상기 가열 플레이트에의 기판의 수수를 행하는 제2 승강 핀을 갖고, 상기 대기부는, 상기 냉각 플레이트 상, 상승한 상태의 상기 제1 승강 핀 상, 상승한 상태의 상기 제2 승강 핀 상의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 도포?현상 장치.
  10. 기판에 대하여 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 노광 장치에 의해 노광 처리가 실시된 후에 현상 처리를 행하는 도포?현상 장치로서, 레지스트 도포 및 현상을 행하는 복수의 처리 유닛을 구비한 처리부와, 상기 처리부와 상기 노광 장치의 사이에 배치되고, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행하는 인터페이스부와, 상기 처리부에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구와, 상기 인터페이스부에서 기판을 반송하는 인터페이스부 반송 기구를 구비하고, 상기 처리부는, 노광 후의 기판에 현상에 앞서 베이크 처리를 실시하는, 대기부를 갖는 복수의 노광 후 베이크 유닛을 갖고, 상기 인터페이스부 반송 기구는, 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 노광 후의 기판을 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반입하는 제1 반송 기구와, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행하는 제2 반송 기구를 갖고, 상기 인터페이스부는, 상기 제2 반송 기구에 의해 반송해 온 기판을 재치하고, 상기 제1 반송 기구에 의해 수취 가능하게 하는 수수부를 더 갖는 도포?현상 장치를 이용하여 노광 후의 기판을 노광 후 베이크 유닛으로 반송하는 기판 반송 방법이며,
    상기 노광 장치에서의 노광 종료 후, 노광 후 베이크 유닛에서 노광 후 베이크 처리가 개시될 때까지의 노광 후 지연 시간이 기판마다 일정해지도록 상기 수수부 및 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부의 2개소에서 기판을 대기시키는 동시에,
    상기 노광 후 지연 시간을, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구 각각에 분담하고, 상기 제2 반송 기구 담당분의 노광 후 지연시간에 대응하는 대기 시간을 상기 수수부가 갖게 하고, 제1 반송 기구 담당분의 노광 후 지연 시간에 대응하는 대기 시간을 상기 대기부가 갖게 하면서 기판을 반송하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간을 설정하고, 또한, 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간을 설정하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간으로서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하고, 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간으로서 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  13. 기판에 대하여 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대하여 액체에 침지시킨 상태에서 노광하는 액침 노광 장치에 의해 액침 노광 처리가 실시된 후에 현상 처리를 행하는 도포?현상 장치로서, 레지스트 도포 및 현상을 행하는 복수의 처리 유닛을 구비한 처리부와, 상기 처리부와 상기 노광 장치의 사이에 배치되고, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 액침 노광 후의 기판을 세정하는 세정 유닛을 갖는 인터페이스부와, 상기 처리부에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구와, 상기 인터페이스부에서 기판을 반송하는 인터페이스부 반송 기구를 구비하고, 상기 처리부는, 노광 후의 기판에 현상에 앞서 베이크 처리를 실시하는, 대기부를 갖는 복수의 노광 후 베이크 유닛을 갖고, 상기 인터페이스부 반송 기구는, 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 노광 후의 기판을 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반입하는 제1 반송 기구와, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 상기 세정 유닛에 대한 기판의 반입출을 행하는 제2 반송 기구를 갖고, 상기 인터페이스부는, 상기 제2 반송 기구에 의해 반송해 온 기판을 재치하고, 상기 제1 반송 기구에 의해 수취 가능하게 하는 수수부를 더 갖는 도포?현상 장치를 이용하여 노광 후의 기판을 노광 후 베이크 유닛으로 반송하는 기판 반송 방법이며,
    상기 노광 장치에서의 노광 종료 후, 노광 후 베이크 유닛에서 노광 후 베이크 처리가 개시될 때까지의 노광 후 지연 시간이 기판마다 일정해지도록 상기 수수부 및 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부의 2개소에서 기판을 대기시키는 동시에,
    상기 노광 후 지연 시간을, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구 각각에 분담하고, 상기 제2 반송 기구 담당분의 노광 후 지연시간에 대응하는 대기 시간을 상기 수수부가 갖게 하고, 제1 반송 기구 담당분의 노광 후 지연 시간에 대응하는 대기 시간을 상기 대기부가 갖게 하면서 기판을 반송하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 세정 유닛으로 기판을 반송하고, 상기 세정 유닛에서 기판의 세정 처리를 행하고, 상기 세정 처리 종료 후 상기 세정 유닛으로부터 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간을 설정하고, 또한, 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간을 설정하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간으로서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서, 상기 제2 반송 기구가 상기 세정 유닛으로 기판을 반송하고, 상기 세정 유닛에서 기판의 세정 처리를 행하고, 상기 세정 처리 종료 후 상기 세정 유닛으로부터 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하고, 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간으로서 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  16. 기판에 대하여 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 노광 장치에 의해 노광 처리가 실시된 후에 현상 처리를 행하는 도포?현상 장치로서, 레지스트 도포 및 현상을 행하는 복수의 처리 유닛을 구비한 처리부와, 상기 처리부와 상기 노광 장치의 사이에 배치되고, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행하는 인터페이스부와, 상기 처리부에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구와, 상기 인터페이스부에서 기판을 반송하는 인터페이스부 반송 기구를 구비하고, 상기 처리부는, 노광 후의 기판에 현상에 앞서 베이크 처리를 실시하는, 대기부를 갖는 복수의 노광 후 베이크 유닛을 갖고, 상기 인터페이스부 반송 기구는, 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 노광 후의 기판을 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반입하는 제1 반송 기구와, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행하는 제2 반송 기구를 갖고, 상기 인터페이스부는, 상기 제2 반송 기구에 의해 반송해 온 기판을 재치하고, 상기 제1 반송 기구에 의해 수취 가능하게 하는 수수부를 더 갖는 도포?현상 장치를 이용하여 노광 후의 기판을 노광 후 베이크 유닛으로 반송시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체이며,
    상기 노광 장치에서의 노광 종료 후, 노광 후 베이크 유닛에서 노광 후 베이크 처리가 개시될 때까지의 노광 후 지연 시간이 기판마다 일정해지도록 상기 수수부 및 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부의 2개소에서 기판을 대기시키는 동시에,
    상기 노광 후 지연 시간을, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구 각각에 분담하고, 상기 제2 반송 기구 담당분의 노광 후 지연시간에 대응하는 대기 시간을 상기 수수부가 갖게 하고, 제1 반송 기구 담당분의 노광 후 지연 시간에 대응하는 대기 시간을 상기 대기부가 갖게 하도록, 상기 제1 및 제2 반송 기구를 컴퓨터에 제어시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체.
  17. 제16항에 있어서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간을 설정하고, 또한, 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간을 설정하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체.
  18. 제17항에 있어서, 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간으로서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하고, 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간으로서 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체.
  19. 기판에 대하여 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대하여 액체에 침지시킨 상태에서 노광하는 액침 노광 장치에 의해 액침 노광 처리가 실시된 후에 현상 처리를 행하는 도포?현상 장치로서, 레지스트 도포 및 현상을 행하는 복수의 처리 유닛을 구비한 처리부와, 상기 처리부와 상기 노광 장치의 사이에 배치되고, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 액침 노광 후의 기판을 세정하는 세정 유닛을 갖는 인터페이스부와, 상기 처리부에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구와, 상기 인터페이스부에서 기판을 반송하는 인터페이스부 반송 기구를 구비하고, 상기 처리부는, 노광 후의 기판에 현상에 앞서 베이크 처리를 실시하는, 대기부를 갖는 복수의 노광 후 베이크 유닛을 갖고, 상기 인터페이스부 반송 기구는, 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 노광 후의 기판을 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반입하는 제1 반송 기구와, 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행함과 함께, 상기 세정 유닛에 대한 기판의 반입출을 행하는 제2 반송 기구를 갖고, 상기 인터페이스부는, 상기 제2 반송 기구에 의해 반송해 온 기판을 재치하고, 상기 제1 반송 기구에 의해 수취 가능하게 하는 수수부를 더 갖는 도포?현상 장치를 이용하여 노광 후의 기판을 노광 후 베이크 유닛으로 반송시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체이며,
    상기 노광 장치에서의 노광 종료 후, 노광 후 베이크 유닛에서 노광 후 베이크 처리가 개시될 때까지의 노광 후 지연 시간이 기판마다 일정해지도록 상기 수수부 및 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부의 2개소에서 기판을 대기시키는 동시에,
    상기 노광 후 지연 시간을, 상기 제1 반송 기구 및 상기 제2 반송 기구 각각에 분담하고, 상기 제2 반송 기구 담당분의 노광 후 지연시간에 대응하는 대기 시간을 상기 수수부가 갖게 하고, 제1 반송 기구 담당분의 노광 후 지연 시간에 대응하는 대기 시간을 상기 대기부가 갖게 하도록, 상기 제1 및 제2 반송 기구를 컴퓨터에 제어시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체.
  20. 제19항에 있어서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서 상기 제2 반송 기구가 상기 세정 유닛으로 기판을 반송하고, 상기 세정 유닛에서 기판의 세정 처리를 행하고, 상기 세정 처리 종료 후 상기 세정 유닛으로부터 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간을 설정하고, 또한, 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 시간이 일정해지도록 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간을 설정하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체.
  21. 제20항에 있어서, 상기 수수부에서의 기판의 대기 시간으로서, 상기 노광 장치에서 기판이 반출 가능 상태로 되고 나서, 상기 제2 반송 기구가 상기 세정 유닛으로 기판을 반송하고, 상기 세정 유닛에서 기판의 세정 처리를 행하고, 상기 세정 처리 종료 후 상기 세정 유닛으로부터 상기 수수부로 기판을 반송할 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하고, 상기 노광 후 베이크 유닛의 상기 대기부에서의 기판의 대기 시간으로서 상기 수수부로 제1 반송 기구가 액세스 가능하게 되고 나서 상기 제1 반송 기구가 상기 노광 후 베이크 유닛으로 반송하여 가열이 개시될 때까지의 최장 시간으로부터 실제의 시간을 감한 값을 이용하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체.
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