KR101070342B1 - 도포막 형성 장치 및 도포막 형성 방법 - Google Patents

도포막 형성 장치 및 도포막 형성 방법 Download PDF

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아키히로 후지모토
히데하루 교우다
준이치 기타노
오사무 미야하라
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Abstract

본 발명은 노광 장치에 파티클이 들어가는 것을 매우 적게 할 수 있는 도포막 형성 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
레지스트막 노광 전에 기판에 대하여 레지스트막 등으로 이루어지는 도포막을 형성하는 도포막 형성 장치는, 기판(W)에 도포 처리 등을 행하는 처리부와, 기판을 처리부에 반입하기 전에 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 도포 전 세정 유닛과, 기판을 처리부에 반입하기 전에 기판(W)의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 검사 유닛과, 세정 후, 검사 유닛에서 기판의 검사를 행하고, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하여, 허용 범위였던 경우에 상기 처리부에의 기판의 반입을 허용하고, 허용 범위로부터 벗어난 경우에 상기 도포 전 세정 유닛에서 기판의 세정을 행하고 나서 처리부에의 기판의 반입을 허용하는 제어부를 갖는다.

Description

도포막 형성 장치 및 도포막 형성 방법{COATING FILM FORMING APPARATUS AND COATING FILM FORMING METHOD}
본 발명은 노광 처리에 앞서 기판에 레지스트막 등의 도포막을 형성하는 도포막 형성 장치 및 도포막 형성 방법에 관한 것이며, 특히 더블 패터닝 기술에 적합한 도포막 형성 장치 및 도포막 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에 있어서는 피처리 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 웨이퍼라고 함) 상에 회로 패턴을 형성하기 위해 포토리소그래피 기술이 이용되고 있다. 포토리소그래피를 이용한 회로 패턴의 형성은 웨이퍼 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 이 레지스트막에 광을 조사하여 회로 패턴에 대응하도록 레지스트막을 노광한 후, 이것을 현상 처리하는 순서로 행하여진다.
반도체 디바이스는 최근, 동작 속도의 향상 등의 관점으로부터 고집적화의 경향이 있기 때문에, 포토리소그래피 기술에 있어서는 웨이퍼 상에 형성되는 회로 패턴의 미세화가 요구되고 있다. 여기서, 45 nm 노드의 고해상도를 실현하는 포토리소그래피 기술로서, 웨이퍼와 노광용 투영 렌즈 사이에 공기보다도 높은 굴절률을 갖는 순수 등의 노광액을 공급하고, 노광액의 굴절률을 이용하여 투영 렌즈로부 터의 조사광의 파장을 짧게 함으로써 노광의 선 폭을 가늘게 하는 액침(Immersion) 노광이 제안되어 있다(예컨대 특허문헌 1 참조). 또한, 패터닝을 2회 행하여 미세 패턴을 형성하는 더블 패터닝이라고 부르는 기술도 제안되어 있다. 이들 액침 노광 기술과 더블 패터닝 기술은 조합하여 이용하는 것이 검토되고 있다.
더블 패터닝 기술은 에칭 전에 2회 노광을 행하여야 하며, 노광 전에 발생한 파티클이 노광기에 들어가기 쉽다. 웨이퍼 이면에 파티클이 있는 경우, 노광 처리시에 파티클이 있는 개소에서 디포커스를 일으킬 우려가 있다. 종래 디포커스는 비교적 큰 파티클이 있는 경우에 발생하였지만, 기술 노드의 미세화에 수반하는 디포커스를 일으키는 파티클 사이즈가 작아지고 있으며, 이러한 웨이퍼 이면의 파티클을 무시할 수 없는 문제가 계속되고 있다. 또한, 이러한 미세화에 수반하여 포토리소그래피 시의 공정수도 증가하여, 웨이퍼 이면에 파티클이 부착되는 리스크도 커지고 있다. 따라서, 지금까지 이상으로 레지스트막 등을 형성하는 도포막 형성 장치로부터 노광 장치에 파티클을 들어가기 어렵게 하는 것이 요구된다.
[특허문헌 1] 국제 공개 2005-029559호 팜플렛
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 노광 장치에 파티클이 들어가는 것을 매우 적게 할 수 있는 도포막 형성 장치 및 도포막 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 그와 같은 도포막 형성 방법을 실행하기 위한 제어 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제1 관점에서는, 레지스트막의 노광 전에 기판에 대하여 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막으로 이루어지는 도포막을 형성하는 도포막 형성 장치로서, 기판에 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막을 도포하는 하나 또는 복수의 도포 유닛 및 기판에 대하여 도포막 형성에 필요한 열적 처리를 행하는 하나 또는 복수의 열적 처리 유닛을 갖는 처리부와, 기판을 상기 처리부에 반입하기 전에 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 도포 전 세정 유닛과, 기판을 상기 처리부에 반입하기 전에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 도포 전 검사 유닛과, 상기 도포 전 세정 유닛에서의 기판 세정 후, 상기 도포 전 검사 유닛에서 기판의 검사를 행하고, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하여, 허용 범위였던 경우에 상기 처리부에의 기판 반입을 허용하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성 장치를 제공한다.
상기 제1 관점의 장치에 있어서, 상기 처리부와 상기 노광 장치 사이에 설치된 인터페이스부와, 상기 인터페이스부에서 기판을 노광 장치에 반입 전에 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 노광 전 세정 유닛과, 기판을 노광 장치에 반입 전에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 노광 전 검사 유닛을 더 구비하고, 상기 제어부는 상기 노광 전 세정 유닛에서의 기판의 세정 후, 상기 노광 전 검사 유닛에서 기판의 검사를 행하고, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부 에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하여, 허용 범위였던 경우에 상기 노광 장치에의 기판의 반입을 허용하는 구성으로 할 수 있다.
또한, 상기 제1 관점의 장치에 있어서, 상기 처리부에 설치된, 노광 후의 기판에 현상 처리를 실시하는 현상 유닛 및 현상 처리 전후에 필요한 열적 처리를 행하는 열적 처리 유닛과, 현상 처리 후에 상기 처리부로부터 반출된 기판에 대해서, 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 현상 후 세정 유닛과, 현상 처리 후에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 현상 후 검사 유닛을 더 구비하고, 상기 제어부는 상기 현상 후 세정 유닛에서의 기판의 세정 후, 상기 현상 후 검사 유닛에서 기판의 검사를 행하며, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하여, 허용 범위였던 경우에 다음 공정에의 기판의 공급을 허용하는 구성으로 할 수 있다.
본 발명의 제2 관점에서는, 레지스트막의 노광 전에 기판에 대하여 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막으로 이루어지는 도포막을 형성하는 도포막 형성 장치로서, 기판에 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막을 도포하는 하나 또는 복수의 도포 유닛 및 기판에 대하여 도포막 형성에 필요한 열적 처리를 행하는 하나 또는 복수의 열적 처리 유닛을 갖는 처리부와, 기판을 상기 처리부에 반입하기 전에 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 도포 전 세정 유닛과, 기판을 상기 처리부에 반입하기 전에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 도포 전 검사 유닛과, 상기 도포 전 검사 유닛에서 기판의 검사를 행하고, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하여, 허용 범위였던 경우에 상기 처리부에의 기판의 반입을 허용하고, 허용 범위로부터 벗어난 경우에 상기 도포 전 세정 유닛에서 기판의 세정을 행하고 나서 상기 처리부에의 기판의 반입을 허용하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성 장치를 제공한다.
상기 제2 관점의 장치에 있어서, 상기 처리부와 상기 노광 장치 사이에 설치된 인터페이스부와, 상기 인터페이스부에서 기판을 상기 노광 장치에 반입 전에 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 노광 전 세정 유닛과, 기판을 상기 노광 장치에 반입 전에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 노광 전 검사 유닛을 더 구비하고, 상기 제어부는 상기 노광 전 검사 유닛에서 기판의 검사를 행하고, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하여, 허용 범위였던 경우에 상기 노광 장치에의 기판의 반입을 허용하고, 허용 범위로부터 벗어난 경우에 상기 노광 전 세정 유닛에서 기판의 세정을 행하고 나서 상기 노광 장치에의 기판의 반입을 허용하는 구성으로 할 수 있다.
또한, 상기 제2 관점의 장치에 있어서, 상기 처리부에 설치된, 노광 후의 기판에 현상 처리를 실시하는 현상 유닛 및 현상 처리 전후에 필요한 열적 처리를 행하는 열적 처리 유닛과, 현상 처리 후에 상기 처리부로부터 반출된 기판에 대해서, 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 현상 후 세정 유닛과, 현상 처리 후에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 현상 후 검사 유닛을 더 구비하고, 상기 제어부는 상기 현상 후 검사 유닛에서 기판의 검사를 행하며, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하여, 허용 범위였던 경우에 다음 공정에의 기판의 공급을 허용하고, 허용 범위로부터 벗어난 경우에 상기 현상 후 세정 유닛에서 기판의 세정을 행하고 나서 다음 공정에의 기판의 공급을 허용하는 구성으로 할 수 있다.
상기 제1 및 제2 관점에 있어서, 상기 노광 장치로서는 액체를 통해 노광 처리를 실시하는 액침 노광 장치를 이용할 수 있다. 또한, 상기 도포 전 세정 유닛은 기판에 세정액을 공급하는 세정액 공급 기구 및 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 브러쉬를 갖는 구성으로 할 수 있다.
본 발명의 제3 관점에서는, 레지스트막을 노광 장치로 노광하기 전에 처리부에서 기판에 대하여 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막으로 이루어지는 도포막을 형성하는 도포막 형성 방법으로서, 기판을 상기 처리부에 반입하기 전에 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 공정과, 상기 세정 후, 기판을 상기 처리부에 반입하기 전에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 공정과, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하는 공정과, 상기 파티클 상태가 허용 범위였던 경우에 상기 처리부에 기판을 반입하는 공정과, 상기 처리부에 있어서, 기판에 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막을 도포하는 공정과, 상기 처리부에 있어서, 기판에 대하여 도포막 형성에 필요한 열적 처리를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성 방법을 제공한다.
상기 제3 관점의 방법에 있어서, 기판을 노광 장치에 반입하기 전에 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 공정과, 상기 노광 전의 세정 후, 상기 노광 장 치에 반입하기 전에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 공정과, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하는 공정과, 상기 파티클 상태가 허용 범위였던 경우에 상기 노광 장치에 기판을 반입하는 공정을 더 갖도록 할 수 있다.
또한, 상기 제3 관점의 방법에 있어서, 노광 후의 기판에 현상 처리를 실시하는 공정과, 현상 처리 전후에 필요한 열적 처리를 행하는 공정과, 현상 처리 후에 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 공정과, 상기 현상 처리 후의 세정 후에 적어도 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 공정과, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하는 공정과, 파티클 상태가 허용 범위였던 경우에 다음 공정으로 기판을 공급하는 공정을 더 갖도록 할 수 있다.
본 발명의 제4 관점에서는, 레지스트막을 노광 장치로 노광하기 전에 처리부에서 기판에 대하여 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막으로 이루어지는 도포막을 형성하는 도포막 형성 방법으로서, 기판을 상기 처리부에 반입하기 전에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 공정과, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하는 공정과, 상기 파티클 상태가 허용 범위였던 경우에 상기 처리부에 기판을 반입하는 공정과, 상기 파티클 상태가 허용 범위로부터 벗어난 경우에 기판의 세정을 행하고 나서 상기 처리부에 기판을 반입하는 공정과, 상기 처리부에 있어서, 기판에 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막을 도포하는 공정과, 상기 처리부에 있어서, 기판에 대하여 도 포막 형성에 필요한 열적 처리를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성 방법을 제공한다.
상기 제4 관점의 방법에 있어서, 기판을 노광 장치에 반입하기 전에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 공정과, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하는 공정과, 상기 파티클 상태가 허용 범위였던 경우에 상기 노광 장치에 기판을 반입하는 공정과, 상기 파티클 상태가 허용 범위로부터 벗어난 경우에 기판의 세정을 행하고 나서 상기 노광 장치에 기판을 반입하는 공정을 더 포함하는 것으로 할 수 있다.
또한, 상기 제4 관점의 방법에 있어서, 노광 후의 기판에 현상 처리를 실시하는 공정과,
현상 처리 전후에 필요한 열적 처리를 행하는 공정과, 현상 처리 후에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 공정과, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하는 공정과, 상기 파티클 상태가 허용 범위였던 경우에 다음 공정으로 기판을 공급하는 공정과, 상기 파티클 상태가 허용 범위로부터 벗어난 경우에 기판의 세정을 행하고 나서 다음 공정으로 기판을 공급하는 공정을 더 포함하는 것으로 할 수 있다.
또한, 상기 제4 관점의 방법에 있어서, 상기 노광 장치로서, 액체를 통해 노광 처리를 실시하는 액침 노광 장치를 이용할 수 있다.
본 발명의 제5 관점에서는, 컴퓨터 상에서 동작하여, 도포막 형성 장치를 제어하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서, 상기 제어 프 로그램은 실행시에, 상기 제3 또는 제4 관점의 방법이 행해지도록 컴퓨터에 상기 도포막 형성 장치를 제어시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체를 제공한다.
본 발명에 의하면, 레지스트막 등의 도포막 형성을 행하는 처리부에 기판을 반입하기 전에 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하고, 기판의 이면 및 에지부의 파티클 상태를 검사하며, 파티클이 허용 범위인 웨이퍼만을 처리부에 반입하여 도포 처리에 제공하기 때문에, 파티클로 오염된 기판이 처리부에 반입되지 않고, 그 후의 노광 장치에서의 노광 처리에 있어서, 기판 이면의 파티클에 의한 디포커스의 우려를 적게 할 수 있다. 또한, 도포 처리에 들어가기 전에 부적절한 기판을 제외할 수 있기 때문에, 불필요한 처리를 생략하는 것이 가능해지며, 처리 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 인 라인에서 세정 및 검사를 행하여 부적절한 웨이퍼를 제외하기 때문에, 신속한 처리를 행할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 레지스트막 등의 도포막 형성을 행하는 처리부에 기판을 반입하기 전에 웨이퍼의 이면 및 에지부의 파티클 검사를 행하고, 그 결과허용 범위인 것은 도포 처리를 행하며, 허용 범위를 벗어나는 것은 세정을 행하고 나서 도포 처리를 행하도록 하였기 때문에, 세정하는 웨이퍼의 매수를 감할 수 있어 효율적이다. 또한, 검사를 세정 전에 행함으로써, 검사 결과에 기초하여 세정을 행하도록 할 수 있어 보다 효율적인 세정을 행할 수 있다.
또한, 기판을 노광 장치에 반입하기 전에도 기판의 세정·검사를 행하여 부 적절한 웨이퍼를 제외함으로써, 노광 장치에 반입되는 기판의 이면 및 에지부의 파티클을 한층 적게 할 수 있어, 보다 신뢰성이 높은 처리를 행할 수 있다.
또한, 현상 처리 후의 웨이퍼에 대해서도 세정·검사를 행하여 부적절한 기판을 제외함으로써, 더블 패터닝 처리에 있어서의 2회째 패터닝에 제공하는 기판의 파티클을 한층 더 적게 하여, 보다 한층 신뢰성이 높은 처리를 실현할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 도포·현상 장치를 구비한 패턴 형성 장치의 개략 평면도이며, 도 2는 그 개략 사시도이다.
패턴 형성 장치(1)는 반도체 기판인 웨이퍼(W)에 소정의 레지스트 패턴을 형성하기 위한 것이며, 웨이퍼(W)에 레지스트 등을 도포하고, 또한, 노광 후의 현상을 행하는 도포·현상 장치(2)와, 웨이퍼(W)에 액침 노광 처리를 실시하는 노광 장치(3)를 구비하고 있다. 도포·현상 장치(2)는 웨이퍼(W)의 반송 스테이션인 카세트 스테이션(11)과, 웨이퍼(W)에 소정의 처리를 실시하는 복수의 처리 유닛을 갖는 처리 스테이션(12)과, 처리 스테이션(12) 및 노광 장치(3) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 인터페이스 스테이션(13)을 구비하고 있다. 카세트 스테이션(11), 처리 스테이션(12), 인터페이스 스테이션(13) 및 노광 장치(3)는 이 순서대로 패턴 형성 장치(1)의 길이 방향(Y 방향)으로 직렬로 배치되어 있다.
카세트 스테이션(11)은 복수장, 예컨대 13장의 웨이퍼(W)가 수용된 웨이퍼 카세트(CR)를 적재하는 카세트 적재대(11a)와, 카세트 적재대(11a) 상의 웨이퍼 카세트(CR)와 후술하는 처리 스테이션(12)의 제3 처리 유닛군(G3)에 설치된 트랜지션 유닛 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 웨이퍼 반송부(11c)를 Y 방향으로 직렬로 갖고 있다. 카세트 적재대(11a) 상에는 웨이퍼 카세트(CR)를 위치 결정하기 위한 위치 결정부(11b)가 패턴 형성 장치(1)의 폭 방향(X 방향)으로 복수, 예컨대 5개 설치되어 있으며, 웨이퍼 카세트(CR)는 그 개구가 웨이퍼 반송부(11c)의 케이스의 벽면에 설치된 개폐부(11e)와 대향하도록 위치 결정부(11b) 위치에 적재된다. 웨이퍼 반송부(11c)는 그 케이스 내에 배치된, 웨이퍼(W)를 유지할 수 있는 반송 픽(11d)을 갖고, 이 반송 픽(11d)에 의해 카세트 적재대(11a) 상의 각 웨이퍼 카세트(CR)와 처리 스테이션(12) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성되어 있다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 카세트 스테이션(11)의 하부에는 도포·현상 장치(2)의 전체를 제어하는 제어부(20)가 설치되어 있다. 이 제어부(20)의 상세한 내용은 후술한다. 또한, 노광 장치(3)에도 도시하지 않은 제어부가 설치되어 있다.
처리 스테이션(12)은 카세트 스테이션(11)으로부터 반송된 웨이퍼를 세정하여 검사하는 세정·검사부(12a)와, 레지스트막의 도포막 형성 및 노광 후의 레지스트막의 현상, 나아가서는 이들에 부수되는 열처리 등의 처리를 행하는 도포·현상 처리부(12b)를 갖고 있다.
세정·검사부(12a)는 정면측에 제1 처리 유닛군(G1)을 갖고, 배면측에 제2 처리 유닛군(G2)을 가지며, 이들 제1 및 제2 처리 유닛군(G1 및 G2) 사이에 웨이퍼반송 기구(14)가 배치되어 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 제1 처리 유닛군(G1) 은 전달 유닛(TRS)과 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부를 세정하는 2대의 세정 유닛(CLN)이 3단으로 겹쳐 구성되어 있으며, 제2 처리 유닛군(G2)은 제1 검사 유닛(CHK1)과 검사에 의해 리젝트된 웨이퍼(W)가 수용되는 제1 리젝트 웨이퍼 카세트(RCR1)가 2단으로 겹쳐져 있다. 웨이퍼 반송 기구(14)는 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 포크(14a)를 갖고 있다. 이 포크(14a)는 상하 이동 및 선회가 가능하고, 제1처리 유닛군(G1), 제2 처리 유닛군(G2)의 각 유닛 및 후술하는 제5 처리 유닛군(G5)의 전달 유닛(TRS1)에 액세스 가능하다.
도포·현상 처리부(12b)는 케이스(15) 내에 배치되어 있으며, 그 전면측(도 1 하측)에 카세트 스테이션(11)측에서 인터페이스 스테이션(13)측을 향하여 순서대로 제3 처리 유닛군(G3)과 제4 처리 유닛군(G4)을 갖고, 그 배면측(도 1 상측)에 카세트 스테이션(11)측으로부터 인터페이스 스테이션(13)측을 향하여 순서대로 제5 처리 유닛군(G5), 제6 처리 유닛군(G6) 및 제5 처리 유닛군(G7)을 갖고 있다. 또한, 도포·현상 처리부(12b)는 제5 처리 유닛군(G5)과 제6 처리 유닛군(G6) 사이에 제1 주 반송부(A1)를 갖고, 제6 처리 유닛군(G6)과 제7 처리 유닛군(G7) 사이에 제2 주 반송부(A2)를 갖고 있다. 또한, 제1 주 반송부(A1)의 이면측에는 제8 처리 유닛군(G8)이 설치되어 있다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 제3 처리 유닛군(G3)은 웨이퍼(W)에 노광시의 광의 반사를 방지하는 반사 방지막을 형성하는 2개의 하부 코팅 유닛(BARC)과, 웨이퍼(W)에 레지스트막을 형성하는 3개의 레지스트 도포 유닛(COT)이 겹쳐 구성되어 있다. 제4 처리 유닛군(G4)은 웨이퍼(W)에 현상 처리를 실시하는, 예컨대 3개의 현상 유닛(DEV)과, 웨이퍼(W)에 형성된 레지스트막의 표면에 발수성을 갖는 보호막(탑코트막)을 형성하는, 예컨대 2개의 탑코팅 유닛(ITC)이 겹쳐 구성되어 있다.
제5 처리 유닛군(G5), 제6 처리 유닛군(G6), 제7 처리 유닛군(G7)은, 예컨대 레지스트 도포 후의 웨이퍼(W)에 가열 처리를 실시하는 프리 베이킹 유닛(PAB), 현상 처리 후의 웨이퍼(W)에 가열 처리를 실시하는 포스트 베이킹 유닛(POST), 노광 후 현상 전의 웨이퍼(W)에 가열 처리를 실시하는 노광 후 베이킹 유닛(PEB), 소수화 처리 또는 프리 베이킹된 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 온도 조절 유닛인 냉각 유닛(CPL1)과, 노광 후 베이킹 유닛(PEB)으로 가열된 웨이퍼(W)를 소정온도로 조정하는 온도 조절 유닛인 냉각 유닛(CPL3)과 포스트 베이킹 유닛(POST)으로 가열된 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 유닛(CPL4) 등이, 예컨대 10단으로 겹쳐 구성되어 있다. 또한, 제8 처리 유닛군(G8)은 웨이퍼(W)에 소수화 처리를 실시하는 어드히젼 유닛(adhesion unit)(ADH)을, 예컨대 2단 겹쳐 구성되어 있다. 이들은, 예컨대 도 4에 도시하는 바와 같이 배치되어 있다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 제5 처리 유닛군(G5)은 카세트 스테이션(11)과 제1 주 반송부(A1) 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달부가 되는 전달 유닛(TRS1)을 갖고, 제7 처리 유닛군(G7)은 제2 주 반송 부(A2)와 인터페이스 스테이션(13)의 후술하는 제1 인터페이스 스테이션 반송 기구(21) 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달부가 되는 전달 유닛(TRS2)을 갖고 있다.
프리 베이킹 유닛(PAB) 및 포스트 베이킹 유닛(POST)은 모두 가열 플레이트를 구비하고, 제1 주 반송부(A1) 및 제2 주 반송부(A2)의 쌍방으로부터 액세스할 수 있도록 구성되어 있다. 한편, 노광 후 베이킹 유닛(PEB)은 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 플레이트 및 가열 후의 웨이퍼를 냉각하는 냉각 플레이트를 구비하고, 역시 제1 주 반송부(A1) 및 제2 주 반송부(A2)의 쌍방으로부터 액세스할 수 있도록 구성되어 있다.
제1 주 반송부(A1)는 웨이퍼(W)를 유지할 수 있는 제1 주 웨이퍼 반송 아암(16)을 갖고, 이 제1 주 웨이퍼 반송 아암(16)은 제3 처리 유닛군(G3), 제5 처리 유닛군(G5) 및 제6 처리 유닛군(G6), 제8 처리 유닛군(G8)의 각 유닛에 선택적으로 액세스할 수 있도록 되어 있다. 제2 주 반송부(A2)는 웨이퍼(W)를 유지할 수 있는 제2 주 웨이퍼 반송 아암(17)을 갖고, 이 제2 주 웨이퍼 반송 아암(17)은 제4 처리 유닛군(G4), 제6 처리 유닛군(G6) 및 제7 처리 유닛군(G7)의 각 유닛에 선택적으로 액세스할 수 있도록 되어 있다.
제3 처리 유닛군(G3)과 세정·검사부(12a) 사이 및 제4 처리 유닛군(G4)과 인터페이스 스테이션(13) 사이에는 각각, 제3 및 제4 처리 유닛군(G3, G4)에 공급되 는 처리액의 온도 조절 장치나 온도 습도 조절용 덕트 등을 구비한 온도 습도 조절 유닛(18)이 설치되어 있다(도 1 참조). 또한, 제3 및 제4 처리 유닛군(G3, G4)의 하측에는 각각, 이들에 약액을 공급하는 케미컬 유닛(CHM)이 설치되어 있다(도 2 참조).
인터페이스 스테이션(13)은 도 5에 도시하는 개략 사시도에 도시하는 바와 같이, 케이스 내에 배치된, 처리 스테이션(12)측의 제1 인터페이스 스테이션(13a)과, 노광 장치(3)측의 제2 인터페이스 스테이션(13b)을 갖고 있다. 제1 인터페이스 스테이션(13a)에는 제7 처리 유닛군(G7)의 개구부와 대면하도록 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 제1 웨이퍼 반송 기구(21)가 설치되어 있으며, 제2 인터페이스 스테이션(13b)에는 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 제2 웨이퍼 반송 기구(22)가 설치되어 있다.
제1 인터페이스 스테이션(13a)의 정면측에는 웨이퍼 주변부의 여분의 레지스트를 제거하기 위해 웨이퍼(W)의 에지부만을 선택적으로 노광하는 주변 노광 장치(WEE)와, 노광 장치(3)에 반송되는 웨이퍼(W)를 일시적으로 수용하는 인(in)용 버퍼 카세트(INBR)와, 노광 장치(3)로부터 반송된 웨이퍼(W)를 일시적으로 수용하는 아웃(out)용 버퍼 카세트(OUTBR)와, 노광 장치(3)에 반송되기 전의 웨이퍼를 세정하는 전(前) 세정 유닛(PRECLN)과, 노광 장치(3)로부터 반송된 웨이퍼(W)를 세정하는 후 세정 유닛(POCLN)이 겹쳐 구성된 제9 처리 유닛군(G9)이 배치되어 있다. 제1 인터페이스 스테이션(13a)의 배면측에는 웨이퍼(W)를 고정밀도로 온도 조절하는 고정밀도 온도 조절 유닛(CPL)이, 예컨대 2단으로 겹쳐 구성된 제10 처리 유닛군(G10)이 배치되어 있다.
한편, 제2 인터페이스 스테이션(13b)의 정면측에는 레지스트막 등의 도포막을 형성한 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부를 검사하는 제2 검사 유닛(CHK2)으로 검사한 결과 리젝트된 웨이퍼(W)를 수용하기 위한 제2 리젝트 웨이퍼 카세트(RCR2)가 2단으로 겹쳐 구성된 제11 처리 유닛군(G11)이 배치되어 있다.
제1 웨이퍼 반송 기구(21)는 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 포크(21a)를 갖고 있다. 이 포크(21a)는 상하 이동 및 선회가 가능하며, 제7 처리 유닛군(G7), 제9 처리 유닛군(G9), 제10 처리 유닛군(G10)의 각 유닛에 액세스 가능하고, 이것에 의해 각 유닛 사이에서의 웨이퍼(W) 반송을 행한다.
제2 웨이퍼 반송 기구(22)는 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 상하 2개의 포크(22a, 22b)를 갖고 있다. 이들 포크(22a, 22b)는 도 1의 Y 방향에 따른 수평 이동, 상하 이동 및 선회가 가능하고, 제9 처리 유닛군(G9)의 전 세정 유닛(PRECLN) 및 후 세정 유닛(POCLN), 제10 처리 유닛군(G10)의 각 유닛, 제11 처리 유닛군(G11)의 각 유닛, 노광 장치(3)의 후술하는 인 스테이지(3a) 및 아웃 스테이지(3b)에 액세스가능하여, 이들 각부 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
제1 인터페이스 스테이션(13a)의 상부에는 제1 인터페이스 스테이션(13a) 또는 인터페이스 스테이션(13)의 기류를 조정하는 기류 조정부(23)가 설치되고, 제2 인터페이스 스테이션(13b)의 상부에는 노광 장치로부터 반송된 웨이퍼(W)가 건조되지 않도록 제2 인터페이스 스테이션(13b) 또는 인터페이스 스테이션(13)을 가습하는 가습부(24)가 설치되어 있다.
상기 세정·검사부(12a)에서의 세정 유닛(CLN)은 도 6의 개략 단면도에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 수용하는 케이스(60)와, 케이스(60) 내에서 웨이퍼(W)를 그 이면을 위로 한 상태에서 수평으로 유지하여 회전시키는 스핀척(61)과, 스핀척(61)에 유지된 웨이퍼(W)에 세정액으로서 약액 및 순수를 공급하는 세정액 공급 기구(62)와, 세정 기구(63)와, 스핀척(61)에 유지된 웨이퍼(W)로부터 털어진 세정액 등의 처리액을 받아내는 컵체(64)와, 스핀척(61)을 회전시키는 모터(65)를 구비하고 있다.
케이스(60)의 측벽에는 웨이퍼(W)를 반입출하기 위한 반입출구(60a)가 형성되어 있다. 반입출구(60a)에는 셔터(60b)가 설치되어 있다. 스핀척(61)은 승강 가능하며, 웨이퍼(W)의 하면을 진공 흡착하여 웨이퍼(W)를 유지한 상태에서 모터(65)에 의해 회전된다.
세정액 공급 기구(62)는 세정액으로서 약액을 공급하기 위한 약액 공급원(62a)과, 순수를 공급하기 위한 순수 공급원(62b)과, 약액 공급원(62a)으로부터의 약액 및 순수 공급원(62b)으로부터의 순수를 스핀척(61)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면(상면) 에지부에 공급하는 표면측 노즐(62c)과, 약액 공급원(62a)으로부터의 약액 및 순수 공급원(62b)으로부터의 순수를 스핀척(61)에 유지된 웨이퍼(W)의 이면(하면)에 공급하는 이면측 노즐(62d)과, 약액 공급원(62a)으로부터의 약액 및 순수 공급원(62b)으로부터의 순수를 표면측 노즐(62c) 및 이면측 노즐(62d)에 유도하는 도관(62e)과, 약액과 순수를 전환하고 유량을 조절하는 밸브(62f)를 갖고 있다.
세정 기구(63)는 웨이퍼 이면 세정 브러쉬(63a)와, 웨이퍼 에지부 세정 브러쉬(63b)를 갖고 있다. 웨이퍼 이면 세정 브러쉬(63a)는 웨이퍼(W)의 이면(하면)을 따라 이동 가능하게 구성되고, 웨이퍼 이면을 스크럽 세정하는 것이 가능해지고 있다. 또한, 웨이퍼 에지부 세정 브러쉬(63b)는 세정 중에는 에지부에 고정되고, 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써 웨이퍼(W)의 에지부를 스크럽 세정하는 것이 가능해지고 있다.
컵체(64)는 웨이퍼(W)를 유지한 스핀척(61)이 하강한 위치에 있을 때에 스핀척(61)에 유지된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 설치되어 있다. 또한, 컵체(64)는 그 상단부가 상측을 향하여 내측으로 경사지고 있으며, 웨이퍼(W)로부터 털어진 세정액 및 이면측 노즐(62d)로부터 공급된 세정액을 확실하게 받아낼 수 있게 되어 있다. 컵체(64) 내의 저벽에는 받아낸 세정액을 배출하는 배출관(64a)이 접속되어 있다.
인터페이스 스테이션(13)의 전 세정 유닛(PRECLN)도 기본적으로는 상기 세정 유닛(CLN)과 동일한 구성을 갖고 있다. 단지, 웨이퍼(W)의 표면을 세정해야 하는 경우에는, 표면측 노즐(62c)은 웨이퍼(W)의 중심 바로 위에 위치하는 것이 가능하게 구성된다. 한편, 후 세정 유닛(POCLN)은 브러쉬에 의한 스크럽 세정은 필요가 없기 때문에, 브러쉬는 설치되어 있지 않다. 그 밖의 구성은 전 세정 유닛(PRECLN)과 동일하게 되어 있다.
또한, 세정 유닛(CLN), 전 세정 유닛(PRECLN)은 브러쉬를 설치하는 대신에, 초음파 세정 노즐을 이용하여도 좋다. 그 경우에는 이면측의 초음파 세정 노즐은 스캔 가능하게 하고, 표면측의 초음파 세정 노즐은 에지부에 고정하면 좋다.
제1 검사 유닛(CHK1)은 도 7의 개략 구성도에 도시하는 바와 같이, 케이스(71)와, 케이스(71) 내에서 웨이퍼(W)를 회전 가능하게 유지하는 스핀척(72)과, 스핀척(72)을 회전시키는 모터(73)와, 스핀척(72)에 유지된 웨이퍼(W) 표면의 에지부, 베벨부, 이면을 각각 촬상하는 3개의 CCD 카메라(72a, 72b, 72c)를 갖고 있다. 그리고, 이 CCD 카메라(72a, 72b, 72c)에 의해 웨이퍼(W)의 표면 에지부, 베벨부, 이면을 촬상하고, 화상 처리함으로써 그 상태가 파악되도록 되어 있다. 웨이퍼(W)의 이면을 촬상하는 CCD 카메라(72)는 웨이퍼(W)의 이면을 따라 이동 가능하게 되어 있으며, 웨이퍼(W) 이면의 대부분을 검사할 수 있도록 되어 있다. 또한, 케이스(71)의 측벽에는 웨이퍼 반입출구(71a)가 설치되어 있으며, 이 웨이퍼 반입출구(71a)는 셔터(71b)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 이 검사 유닛(CHK)에서의 검사 항목으로서는, 웨이퍼(W) 에지부에서의 레지스트막 등의 도포막의 박리 및 도포 상태를 들 수 있다. 또한, 이들 CCD 카메라(72a, 72b, 72c) 대신에 광학적인 카메라를 이용하여도 좋고, 원소 분석 기능을 갖게 하여, 파티클의 부착 상태를 파악하도록 하여도 좋다.
또한, 제2 검사 유닛(CHK2)도 마찬가지로 구성된다.
노광 장치(3)는 인터페이스 스테이션(13)으로부터 반송된 웨이퍼(W)를 적재하는 인 스테이지(3a)와, 인터페이스 스테이션(13)에 반송되는 웨이퍼(W)를 적재하 는 아웃 스테이지(3b)와, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)를 소정의 액체에 침지시킨 상태에서 레지스트막을 노광하는 액침 노광부(30)와, 인 스테이지(3a), 액침 노광부(30) 및 아웃 스테이지(3b) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 웨이퍼 반송 기구(25)를 갖고 있다.
액침 노광부(30)는 도 8의 개략 단면도에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)가 적재되는 스테이지(31)와, 도시하지 않는 광원으로부터의 노광광으로 조명된 마스크의 패턴상(像)을 스테이지(31) 상의 웨이퍼(W)에 투영 노광하는 투영 렌즈(32)와, 스테이지(31) 상의 웨이퍼(W)와 투영 렌즈(32) 사이에, 노광액으로서, 예컨대 순수를 공급하는 공급구(33) 및 이 노광액을 회수하는 회수구(34)가 형성된 노광액 유통 부재(35)를 구비하고, 이들은 도시하지 않는 개폐 가능한 챔버 내에 수용되어 구성되어 있다.
스테이지(31)는 수평 방향으로 이동 가능하고, 또한, 미소 회전 가능하게 설치되어 있다. 또한, 스테이지(31)는 적재된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 환형 돌출부(36)를 갖고, 이 환형 돌출부(36)에 의해, 적재된 웨이퍼(W)를 유지하고, 웨이퍼(W)에 공급된 노광액의 유출을 방지할 수 있도록 구성되어 있다. 투영 렌즈(32)는 마스크의 패턴상을 소정의 배율로 웨이퍼(W)에 투영 노광하도록 구성되어 있다. 또한, 광원으로부터의 노광광으로서는 KrF 엑시머 레이저광 등의 원자외광이나 ArF 엑시머 레이저광 등의 진공 자외광 등이 이용된다. 노광액 유통 부재(35)는 투영 렌즈(32)의 선단부 또는 하단부 주위에 환형으로 설치되어 있으며, 공급구(33) 및 회수구(34)가 각각 하부에 둘레 방향으로 간격을 두고 복수 형성되어 있다. 그리고, 각 공급구(33)로부터 노광액이 공급되고, 공급된 노광액이 각 회수구(34)로부터, 예컨대 흡인되어 회수되도록 구성되어 있다.
상기 제어부(20)는 도 9의 블록도에 도시하는 바와 같이, 도포·현상 장치(2)의 각 유닛 및 각 반송 기구 등의 각 구성부를 제어하는 마이크로 프로세서(MPU)를 구비한 컨트롤러(51)와, 오퍼레이터가 패턴 형성 장치(1)의 각 구성부를 관리하기 위해 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나 패턴 형성 장치(1)의 각 구성부의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 사용자 인터페이스(52)와, 처리에 필요한 정보가 기억된 기억부(53)를 갖고 있다.
기억부(53)는 도포·현상 장치(2)에서 실행되는 각종 처리를 컨트롤러(51)의 제어로써 실현하기 위한 여러 가지의 제어 프로그램이나, 처리 조건 데이터나 처리 순서 등이 기록된 레시피, 또한, 처리에 필요한 데이터 베이스 등을 저장하고 있다.
처리시에는, 사용자 인터페이스(52)로부터의 지시 등을 받아 임의의 레시피를 기억부(53)로부터 호출하여 컨트롤러(51)에 실행시킴으로써 컨트롤러(51)의 제어하에서 도포·현상 장치(2)에 있어서 원하는 각종 처리가 행하여진다. 레시피는, 예컨대 CD-ROM, 하드디스크, 플렉서블 디스크, 비휘발성 메모리 등의 독출 가능한 기억 매체에 기억되어 있다. 또한, 레시피는 적절한 장치로부터, 예컨대 전용회선을 통해 수시 전송시켜 온라인으로 이용하거나 하는 것도 가능하다.
제어부(20)는 도 10의 모식도에 도시하는 바와 같이, 도포·현상 장치(2)의 전체를 컨트롤하지만, 세정 유닛(CLN) 등에서의 세정 후 또는 세정 전에 제1 및 제 2 검사 유닛(CHK1, CHK2)에 의한 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부를 검사한 결과에 기초하여, 에지부의 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하고, 그것에 기초하여 그 후의 처리를 제어하는 기능도 갖고 있다.
다음에, 이상과 같이 구성된 패턴 형성 장치(1)에 있어서의 처리 동작의 일실시형태에 대해서 도 11의 흐름도를 참조하여 설명한다.
우선, 웨이퍼 반송부(11c)의 반송 픽(11d)에 의해, 웨이퍼 카세트(CR)로부터 1장의 웨이퍼(W)를 취출하고, 처리 스테이션(12)에 반입한다(단계 1). 이 때, 반입된 웨이퍼(W)는 제1 처리 유닛군(G1)의 전달 유닛(TRS)에 전달된다.
계속해서, 웨이퍼 반송 기구(14)에 의해 전달 유닛(TRS)의 웨이퍼(W)를 제1 처리 유닛군(G1)의 세정 유닛(CLN)에 반입하여 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부를 세정한다(단계2). 이 때의 세정은 웨이퍼(W)를 스핀척(61)에 유지시키고, 웨이퍼(W)를 회전하면서, 표면측 노즐(62c)로부터 웨이퍼(W)의 표면 에지부에 이면측 노즐(62d)로부터 웨이퍼(W)의 이면에 약액을 공급하면서 브러쉬(63a, 63b)에 의해 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부를 스크럽 세정한다. 그 후, 세정액을 순수로 전환하여 린스 처리를 행하고, 순수의 공급을 정지한 후, 웨이퍼(W)를 고속으로 회전시켜 털기 건조를 행한다. 이 세정 처리에 의해, 전 공정의 에칭이나 성막에 의한 웨이퍼(W)의 이면이나 에지부에 부착된 파티클을 제거할 수 있다.
다음에, 세정 후의 웨이퍼(W)를 웨이퍼 반송 기구(14)에 의해 제2 처리 유닛군(G2)의 제1 검사 유닛(CHK1)에 반송하고, 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 검사를 행한다(단계 3). 에지부의 검사는 스핀척(72)에 웨이퍼(W)를 유지시켜 웨이퍼(W)를 천천히 회전시키면서, 웨이퍼(W) 표면의 에지부, 베벨부, 이면을 3개의 CCD 카메라(72a, 72b, 72c)로 촬상하고, 화상 처리하여 파티클 상태를 파악한다. 이면의 CCD 카메라(72c)는 스캔시켜 대략 이면 전면의 파티클 상태를 검사한다.
그리고, 제1 검사 유닛(CHK1)에서의 검사 결과는 제어부(20)의 컨트롤러(51)에 출력되고, 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위인지 여부를 판정한다(단계 4). 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위인 경우에는 웨이퍼(W)를 그대로 다음 공정에 제공한다. 즉, 웨이퍼(W)를 도포·현상 처리부(12b)에 반입하고, 레지스트 도포 등의 도포 처리 및 그것에 부수되는 열처리 등의 다른 처리를 행한다(단계 5). 한편, 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위로부터 떨어진 경우에는 웨이퍼(W)를 검사 유닛(CHK) 상의 제1 리젝트 웨이퍼 카세트(RCR1)에 반송하고, 처리로부터 제외한다(단계 6).
상기 단계 5의 도포 처리에 있어서는 도포·현상 처리부(12b)의 제5 처리 유닛군(G5)에 설치된 전달 유닛(TRS1)에 적재된 상태로부터 제1 및 제2 주반송부(A1, A2)에 의해, 레시피의 순서에 따라 제3∼7 처리 유닛군(G3∼G7) 소정의 유닛에 웨이퍼(W)를 순차 반송하고, 웨이퍼(W)에 일련의 처리를 실시한다. 예컨대, 어드히젼 유닛에서의 어드히젼 처리, 하부 코팅 유닛(BARC)에서의 반사 방지막의 형성, 레지스트 도포 유닛(COT)에서의 레지스트막 형성, 탑 코팅 유닛(ITC)에서의 보호막 형성, 프리베이킹 유닛에서의 프리베이킹 처리를 행한다.
상기 단계 5의 처리를 마친 웨이퍼(W)는 인터페이스 스테이션(13)에서 제1 웨이퍼 반송 기구(21)에 의해 웨이퍼(W)를 반송하고, 주변 노광 장치(WEE)에서의 주변 노광 처리를 행하며(단계 7), 전 세정 유닛(PRECLN)에서의 노광 전 세정 처리를 추가로 행한다(단계 8).
도포 처리 후의 웨이퍼(W)는 도포 처리 전에 세정 유닛(CLN)에서 세정을 행하여 제1 검사 유닛의 검사 결과 파티클이 허용 범위인 것이 확인된 것이기 때문에 반드시 노광 전의 세정이 필요한 것은 아니지만, 도포·현상 장치(2)에서 새롭게 부착되는 파티클도 다소는 존재하여, 이것이 웨이퍼(W)의 이면이나 에지부에 부착되는 경우도 있으며, 이것을 세정하기 위해 단계 8의 노광 전 세정을 행하는 것이 바람직하다. 이 세정 처리는 단계 2의 세정 처리와 동일한 스크럽 세정에 의해 행할 수 있다. 단지, 액침 노광 전의 세정도 겸하고 있기 때문에 표면측 노즐(62a)에 의해 웨이퍼(W) 표면(상면)의 세정도 행하는 것이 바람직하다.
다음에, 이 세정 후의 웨이퍼(W)를 제2 웨이퍼 반송 기구(22)에 의해 제11 처리 유닛군(G11)의 제2 검사 유닛(CHK2)에 반송하고, 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 검사를 행한다(단계 9). 에지부의 검사는 상기 단계 3과 마찬가지로 행하여진다.
그리고, 제2 검사 유닛(CHK2)에서의 검사 결과는 제어부(20)의 컨트롤러(51)에 출력되고, 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위인지 여부를 판정한다(단계 10). 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위인 경우에는 웨 이퍼(W)를 그대로 다음 공정에 제공한다. 즉, 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)에 반입하고, 웨이퍼 반송 기구(25)에 의해 액침 노광부(30)에 반송하여 웨이퍼(W)에 액침 노광 처리를 실시한다(단계 11). 한편, 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위로부터 벗어난 경우에는 웨이퍼(W)를 제2 검사 유닛(CHK2) 상의 제2 리젝트 웨이퍼 카세트(RCR2)에 반송하고, 처리로부터 제외한다(단계 12).
그 후, 웨이퍼 반송 기구(25)에 의해 웨이퍼(W)를 아웃 스테이지(3b)에 반송하고, 계속해서, 인터페이스 스테이션(13)의 제2 웨이퍼 반송 기구(22)에 의해 웨이퍼(W)를 후 세정 유닛(POCLN)에 반송하여 웨이퍼(W)를 후 세정한다(단계 13). 그 후, 제7 처리 유닛군(G7)의 전달 유닛(TRS2)을 통해 웨이퍼(W)를 도포·현상부(12b)에 반입하고, 제1 및 제2 주 반송부(A1, A2)에 의해 레시피의 순서에 따라 제3∼7 처리 유닛군(G3∼G7) 소정의 유닛에 웨이퍼(W)를 순차적으로 반송하여 현상 처리 및 그 전후에 행해지는 열처리 등의 다른 처리를 행한다(단계 14). 예컨대, 포스트 익스포저 베이킹 유닛에서의 포스트 익스포저 베이킹 처리, 현상 유닛(DEV)에서의 현상 처리, 포스트 베이킹 유닛에서의 포스트 베이킹 처리를 순차적으로 행한다.
그 후, 웨이퍼(W)를 제5 처리 유닛군(G5)에 설치된 전달 유닛(TRS1)을 통해 세정·검사부(12a)에 반송하고, 더블 패터닝 처리에 있어서의 2회째 패터닝에 대비하여 세정 유닛(CLN)에 의해 현상 후의 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 세정을 행한다(단계 15). 이 세정은 반드시 필요한 것은 아니지만, 현상 처리 및 그 전후의 가열 처리를 행할 때에 부착된 파티클을 제거하는 점에서 행하는 것이 바람직하다.
이 세정 후, 또한, 제1 검사 유닛(CHK1)에서 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 검사를 행한다(단계 16). 에지부의 검사는 상기 단계 3과 마찬가지로 행하여진다.
그리고, 이 검사 결과는 제어부(20)의 컨트롤러(51)에 출력되고, 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위인지 여부를 판정한다(단계 17). 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위인 경우에는, 그 웨이퍼(W)를 2회째 패터닝용 카세트에 수용하고(단계 18), 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위로부터 벗어난 경우에는, 웨이퍼(W)를 제1 검사 유닛(CHK1) 상의 제1 리젝트 웨이퍼 카세트(RCR1)에 반송하여, 처리로부터 제외한다(단계 19).
이상과 같이 하여, 레지스트막 등의 도포 처리(포토리소그래피 공정)를 행하는 도포·현상부(12b)에 반입하기 전에 인 라인에서 세정 처리를 행하고, 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클 상태를 검사하여, 파티클이 허용 범위였던 웨이퍼만을 도포·현상부(12b)에 반입하여 도포 처리에 제공하기 때문에, 파티클로 오염된 웨이퍼가 도포·현상 장치(2)에 반입되는 경우는 없고, 그 후의 노광 장치(3)에서의 노광 처리에 있어서, 웨이퍼(W)의 이면의 파티클에 의한 디포커스의 우려를 적게 할 수 있다. 또한, 도포 처리에 들어가기 전에 부적절한 웨이퍼(W)를 제외할 수 있기 때문에, 불필요한 처리를 생략하는 것이 가능해져, 처리 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 인 라인에서 세정 및 검사를 행하여 부적절한 웨이퍼를 제외하기 때문에, 신속한 처리를 행할 수 있다.
또한, 노광 전에도 웨이퍼의 세정을 행하고, 그 후 검사를 행하여 부적절한 웨이퍼를 제외함으로써, 노광 장치에 반입되는 웨이퍼의 이면 및 에지부의 파티클 을 보다 한층 적게 할 수 있어, 보다 신뢰성이 높은 처리를 행할 수 있다.
또한, 현상 처리 후의 웨이퍼에 대해서도 세정을 행하고, 그 후 검사를 행하여 부적절한 웨이퍼를 제외함으로써, 더블 패터닝 처리에 있어서의 2회째 패터닝에 제공하는 웨이퍼의 파티클을 한층 더 적게 하여, 보다 한층 신뢰성이 높은 처리를 실현할 수 있다.
또한, 전술한 단계 6, 12, 19에서 처리로부터 제외된 웨이퍼(W)에 대해서는 그대로 처리를 행하지 않도록 하여도 좋지만, 로트의 최후에 또 한번 처리를 행하도록 하여도 좋다. 그리고, 세정 처리 후의 검사에서 OK가 되었을 때에는 그대로 처리를 계속한다. 또한, 검사 결과 NG가 된 경우에는 리젝트 웨이퍼로서 카세트에 복귀된다.
다음에, 패턴 형성 장치(1)에 있어서의 처리 동작의 다른 실시형태에 대해서 도 12의 흐름도를 참조하여 본 발명의 방법의 다른 실시형태에 대해서 설명한다.
상기 실시형태에서는 모든 웨이퍼(W)를 세정하고 나서 검사하고, 검사 결과가 OK였던 것만을 다음 공정에 공급하도록 하였지만, 세정의 필요성이 작은 것을 알 수 있으며, 세정의 효과를 대략 신뢰할 수 있는 경우에는 먼저 검사를 행하여, 검사 결과, 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부 파티클이 NG였던 것만을 세정하도록 하여도 좋고, 본 실시형태에서는 그와 같은 예에 대해서 설명한다.
도 12에 도시하는 바와 같이, 우선, 웨이퍼 반송부(11c)의 반송 픽(11d)에 의해, 웨이퍼 카세트(CR)로부터 1장의 웨이퍼(W)를 취출하여, 처리 스테이션(12)에 반입한다(단계 21). 이 때, 반입된 웨이퍼(W)는 제1 처리 유닛군(G1)의 전달 유닛(TRS)에 전달된다.
계속해서, 웨이퍼 반송 기구(14)에 의해 전달 유닛(TRS)의 웨이퍼(W)를 웨이퍼 반송 기구(14)에 의해 제2 처리 유닛군(G2)의 제1 검사 유닛(CHK1)에 반송하고, 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 검사를 행한다(단계 22). 이 때의 검사는 상기 단계 3과 마찬가지로 행한다.
그리고, 제1 검사 유닛(CHK1)에서의 검사 결과는 제어부(20)의 컨트롤러(51)에 출력되고, 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위인지 여부를 판정한다(단계 23). 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위인 경우에는 웨이퍼(W)를 그대로 다음 공정에 제공한다. 즉, 웨이퍼(W)를 도포·현상 처리부(12b)에 반입하고, 레지스트 도포 등의 도포 처리 및 그것에 부수되는 열처리 등의 다른 처리를 행한다(단계 24).
한편, 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위로부터 벗어난 경우에는, 웨이퍼(W)를 제1 처리 유닛군(G1)의 세정 유닛(CLN)에 반입하여 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부를 세정한다(단계 25). 이 때의 세정은 상기 단계 2와 마찬가지로 행할 수 있다.
세정 후의 웨이퍼(W)는 상기 단계 24에 따라서 도포·현상 처리부(12b)에 반입되고, 레지스트 도포 등의 도포 처리 및 그것에 부수되는 열처리 등의 다른 처리가 행하여진다.
상기 단계 24의 처리를 마친 웨이퍼(W)는 종전의 실시형태와 마찬가지로 주변 노광 처리를 행하고(단계 26), 계속해서 제11 처리 유닛군(G11)의 제2 검사 유닛(CHK2)에서 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 검사를 행한다(단계 27). 에지부의 검사는 상기 단계 3과 마찬가지로 행하여진다.
도포 처리 후의 웨이퍼(W)는 제1 검사 유닛의 검사 결과 파티클의 허용 범위 인 것이 확인된 것 또는 파티클이 허용 범위가 아닌 경우에 세정을 거친 것이기 때문에, 반드시 검사가 필요한 것은 아니지만, 도포·현상 장치(2)에서 새롭게 부착되는 파티클도 다소 존재하고, 이것이 웨이퍼(W)의 이면이나 에지부에 부착되는 경우도 있기 때문에 검사를 행하는 것이 바람직하다.
그리고, 제2 검사 유닛(CHK2)에서의 검사 결과는 제어부(20)의 컨트롤러(51)에 출력되고, 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위인지 여부를 판정한다(단계 28). 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위인 경우에는 웨이퍼(W) 그대로 다음 공정에 제공한다. 즉, 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)에 반입하여, 웨이퍼 반송 기구(25)에 의해서 액침 노광부(30)에 반송하여 웨이퍼(W)에 액침 노광 처리를 실시한다(단계 29).
한편, 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위로부터 벗어나 있는 경우에는, 웨이퍼(W)를 제9 처리 유닛군(G9)의 전 세정 유닛(PRECLN)에 반입하여 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부를 세정한다(단계 30). 이 때의 세정은 상기 단계 2와 마찬가지로 행할 수 있다. 세정 후의 웨이퍼(W)는 상기 단계 29에 따라 노광 장치(3) 에 반입되고, 웨이퍼 반송 기구(25)에 의해 액침 노광부(30)에 반송되어 액침 노광 처리가 실시된다.
그 후, 웨이퍼 반송 기구(25)에 의해 웨이퍼(W)를 아웃 스테이지(3b)에 반송하고, 계속해서, 상기 실시형태의 단계 13과 완전 동일하게, 후 세정 유닛(POCLN)에 의한 후 세정을 행하고(단계 31), 또한, 제3∼7 처리 유닛군(G3∼G7) 소정의 유닛에 현상 처리 및 그 전후에 행해지는 열처리 등의 다른 처리를 행한다(단계 32).
그 후, 웨이퍼(W)를 제5 처리 유닛군(G5)에 설치된 전달 유닛(TRS1)을 통해 세정·검사부(12a)에 반송하고, 더블 패터닝 처리에 있어서의 2회째 패터닝에 대비하여 제1 검사 유닛(CHK1)에서 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 검사를 행한다(단계 33). 이 검사는 반드시 필요한 것은 아니지만, 현상 처리 및 그 전후의 가열 처리를 행할 때에 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부에 파티클이 부착되는 경우도 있으므로 행하는 것이 바람직하다.
그리고, 이 검사 결과는 제어부(20)의 컨트롤러(51)에 출력되고, 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위인지 여부를 판정한다(단계 34). 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위인 경우에는, 그 웨이퍼(W)를 2회째 패터닝용 카세트에 수용하고(단계 35), 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 파티클이 허용 범위로부터 벗어난 경우에는, 세정 유닛(CLN)에 의해 현상 후의 웨이퍼(W)의 이면 및 에지부의 세정을 행하며(단계 36), 그 후 상기 단계 35에 따라서 웨이퍼(W)를 2회째 패터닝용 카세트에 수용한다.
본 실시형태에서는 종전의 실시형태와 달리, 도포 전에 웨이퍼의 이면 및 에지부의 파티클 검사를 행하고, 그 결과 허용 범위인 것은 도포 처리를 행하며, 허용 범위를 벗어나는 것은 세정을 행하고 나서 도포 처리를 행하도록 하였기 때문에, 세정하는 웨이퍼의 장수를 감할 수 있어 효율적이다. 또한, 검사를 세정 전에 행함으로써, 검사 결과에 기초하여 세정을 행하도록 할 수 있어 보다 효율적인 세정을 행할 수 있다. 구체적으로는 검사에 의해 파티클의 부착 위치를 특정하고, 그 위치만을 중점적으로 세정하도록 할 수 있다.
또한, 노광 전에도 웨이퍼의 검사를 행하여, 파티클이 부착되어 있는 웨이퍼를 세정하고 나서 노광 장치에 반입하도록 하였기 때문에, 보다 신뢰성이 높은 처리를 행할 수 있다.
또한, 현상 처리 후의 웨이퍼에 대해서도 검사를 행하여, 파티클이 부착되어 있는 웨이퍼를 세정하도록 하였기 때문에, 더블 패터닝 처리에 있어서의 2회째 패터닝에 제공하는 웨이퍼의 파티클을 한층 더 적게 하여, 한층 신뢰성이 높은 처리를 실현할 수 있다.
또한, 이 실시형태는 그다지 세정의 필요성이 높지 않으며, 세정에 의해 대략 확실하게 웨이퍼 이면 및 에지부의 파티클을 제거할 수 있는 경우에 유효하지만, 보다 신뢰성을 높이기 위해, 검사에 의해 NG가 되어 그 후 세정한 웨이퍼를 적당한 타이밍에 픽업하고, 이들에 대해서 재차 검사하여, 허용 범위로부터 벗어난 것에 대해서 제외하도록 하여도 좋다.
이상, 본 발명의 전형적인 실시형태에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고 여러 가지 변형 가능하다. 예컨대, 상기 실시형태에서는 도포·현상 장치에 본 발명을 적용한 경우에 대해서 나타내었지만, 도포 처리 및 그것에 부수되는 처리만을 행하는 장치에 적용하여도 좋다. 또한, 본 실시형태에서는 검사 유닛에 있어서 CCD 카메라로써 에지부의 상태를 검사하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 광학적 카메라 등 다른 것을 이용할 수 있다. 또한, 상기 실시형태에서는 본 발명을 액침 노광 장치용 도포·현상 장치에 적용하였지만, 통상의 노광 장치용인 것에도 적용 가능하다. 또한, 상기 실시형태에서는 검사 유닛에서의 검사 결과를 컨트롤러에 의해 허용 범위인지 여부를 판단하도록 하였지만, 검사 화상으로부터 오퍼레이터가 판단하도록 하여도 좋다. 또한, 상기 실시형태에서는 도포 전에 세정 및 검사를 행하는 것 외에, 노광 전 및 현상 후에도 세정 및 검사를 행하는 예에 대해서 나타내었지만, 노광 전 및 현상 후의 세정 및 검사에 대해서는 필수가 아니며, 이들의 한쪽 또는 양쪽을 생략하여도 좋다. 또한, 도포 전의 검사 및 세정을 행하는 것 외에, 상기 다른 어느 한쪽 또는 양쪽의 검사 및 세정을 행하는 경우에는 이들의 1 또는 2를 앞의 실시형태와 같이 세정 처리 후에 검사하도록 하고, 다른 것을 후의 실시형태와 같이 검사 후에 세정하도록 하여도 좋다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 도포·현상 장치를 구비한 패턴 형성 장치의 개략 평면도.
도 2는 도 1에 도시하는 패턴 형성 장치를 도시한 개략 사시도.
도 3은 도 1에 도시하는 패턴 형성 장치의 도포·현상 장치에 있어서의 세정·검사부를 도시한 개략 측면도.
도 4는 도 1에 도시하는 패턴 형성 장치의 도포·현상 장치에 있어서의 주로 제3 처리 유닛군(G3), 제4 처리 유닛군(G4), 제5 처리 유닛군(G5)의 구성을 설명하기 위한 모식도.
도 5는 도 1에 도시하는 패턴 형성 장치의 도포·현상 장치에 있어서의 인터페이스 스테이션을 도시한 개략 사시도.
도 6은 도 1에 도시하는 패턴 형성 장치의 도포·현상 장치에 있어서의 세정·검사부의 세정 유닛을 도시한 개략 단면도.
도 7은 도 1에 도시하는 패턴 형성 장치의 도포·현상 장치에 있어서의 세정·검사부의 검사 유닛을 도시한 개략 단면도.
도 8은 도 1의 패턴 형성 장치에 탑재된 노광 장치에 있어서의 액침 노광부의 구조예를 도시한 개략도.
도 9는 도 1에 도시하는 패턴 형성 장치의 도포·현상 장치에 있어서의 제어부의 주요부를 도시한 블록도.
도 10은 제어부에 의한 도포·현상 장치의 제어를 설명하기 위한 모식도.
도 11은 도 1의 패턴 형성 장치에 있어서의 처리 동작의 일실시형태를 도시한 흐름도.
도 12는 도 1의 패턴 형성 장치에 있어서의 처리 동작의 다른 실시형태를 도시한 흐름도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 패턴 형성 장치 2 : 도포·현상 장치
3 : 노광 장치 20 : 제어부
30 : 액침 노광부 51 : 컨트롤러
52 : 사용자 인터페이스 53 : 기억부
COT : 레지스트 도포 유닛 BARC : 하부 코팅 유닛
ITC : 탑 코팅 유닛 CLN : 세정 유닛
PRECLN : 전 세정 유닛 CHK1, CHK2 : 검사 유닛
W : 반도체 웨이퍼

Claims (16)

  1. 레지스트막의 노광 전에 기판에 대하여 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막으로 이루어지는 도포막을 형성하는 도포막 형성 장치로서,
    기판에 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막을 도포하는 하나 또는 복수의 도포 유닛 및 기판에 대하여 도포막 형성에 필요한 열적 처리를 행하는 하나 또는 복수의 열적 처리 유닛을 갖는 처리부와,
    기판을 상기 처리부에 반입하기 전에 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 도포 전 세정 유닛과,
    기판을 상기 처리부에 반입하기 전에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 도포 전 검사 유닛과,
    상기 도포 전 세정 유닛에서의 기판의 세정 후, 상기 도포 전 검사 유닛에서 기판의 검사를 행하고, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하여, 허용 범위였던 경우에 상기 처리부로의 기판의 반입을 허용하는 제어부를
    구비하고,
    상기 도포 전 세정 유닛은 기판에 세정액을 공급하는 세정액 공급 기구 및 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 브러쉬를 포함하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 처리부와 상기 노광 장치 사이에 설치된 인터페이스부와,
    상기 인터페이스부에서 기판을 노광 장치에 반입 전에 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 노광 전 세정 유닛과,
    기판을 노광 장치에 반입하기 전에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 노광 전 검사 유닛
    을 더 구비하고, 상기 제어부는 상기 노광 전 세정 유닛에서의 기판의 세정 후, 상기 노광 전 검사 유닛에서 기판의 검사를 행하고, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하여 허용 범위였던 경우에 상기 노광 장치로의 기판의 반입을 허용하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 처리부에 설치된, 노광 후의 기판에 현상 처리를 실시하는 현상 유닛 및 현상 처리 전후에 필요한 열적 처리를 행하는 열적 처리 유닛과,
    현상 처리 후에 상기 처리부로부터 반출된 기판에 대해서, 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 현상 후 세정 유닛과,
    현상 처리 후에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 현상 후 검사 유닛
    을 더 구비하고, 상기 제어부는 상기 현상 후 세정 유닛에서의 기판의 세정 후, 상기 현상 후 검사 유닛에서 기판의 검사를 행하고, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하여, 허용 범위였던 경우에 다음 공정으로의 기판의 공급을 허용하는 것을 특징으로 하는 도 포막 형성 장치.
  4. 레지스트막의 노광 전에 기판에 대하여 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막으로 이루어지는 도포막을 형성하는 도포막 형성 장치로서,
    기판에 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막을 도포하는 하나 또는 복수의 도포 유닛 및 기판에 대하여 도포막 형성에 필요한 열적 처리를 행하는 하나 또는 복수의 열적 처리 유닛을 갖는 처리부와,
    기판을 상기 처리부에 반입하기 전에 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 도포 전 세정 유닛과,
    기판을 상기 처리부에 반입하기 전에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 도포 전 검사 유닛과,
    상기 도포 전 검사 유닛에서 기판의 검사를 행하고, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하여, 허용 범위였던 경우에 상기 처리부로의 기판의 반입을 허용하고, 허용 범위로부터 벗어난 경우에 상기 도포 전 세정 유닛에서 기판의 세정을 행하고 나서 상기 처리부로의 기판의 반입을 허용하는 제어부
    를 구비하고,
    상기 도포 전 세정 유닛은 기판에 세정액을 공급하는 세정액 공급 기구 및 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 브러쉬를 포함하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 처리부와 상기 노광 장치 사이에 설치된 인터페이스부와,
    상기 인터페이스부에서 기판을 상기 노광 장치에 반입 전에 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 노광 전 세정 유닛과,
    기판을 상기 노광 장치에 반입 전에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 노광 전 검사 유닛
    을 더 구비하고, 상기 제어부는 상기 노광 전 검사 유닛에서 기판의 검사를 행하고, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하여, 허용 범위였던 경우에 상기 노광 장치로의 기판의 반입을 허용하고, 허용 범위로부터 벗어난 경우에 상기 노광 전 세정 유닛에서 기판의 세정을 행하고 나서 상기 노광 장치로의 기판의 반입을 허용하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성 장치.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 처리부에 설치된, 노광 후의 기판에 현상 처리를 실시하는 현상 유닛 및 현상 처리 전후에 필요한 열적 처리를 행하는 열적 처리 유닛과,
    현상 처리 후에 상기 처리부로부터 반출된 기판에 대해서, 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 현상 후 세정 유닛과,
    현상 처리 후에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 현상 후 검사 유닛
    을 더 구비하고, 상기 제어부는 상기 현상 후 검사 유닛에서 기판의 검사를 행하고, 그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허 용 범위인지 여부를 판단하여, 허용 범위였던 경우에 다음 공정으로의 기판의 공급을 허용하고, 허용 범위로부터 벗어난 경우에 상기 현상 후 세정 유닛에서 기판의 세정을 행하고 나서 다음 공정으로의 기판의 공급을 허용하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성 장치.
  7. 제1항, 제2항, 제4항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 노광 장치는 액체를 통해 노광 처리를 실시하는 액침 노광 장치인 것을 특징으로 하는 도포막 형성 장치.
  8. 삭제
  9. 레지스트막을 노광 장치로 노광하기 전에 처리부에서 기판에 대하여 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막으로 이루어지는 도포막을 형성하는 도포막 형성 방법으로서,
    기판을 상기 처리부에 반입하기 전에 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 단계와,
    상기 세정 후, 기판을 상기 처리부에 반입하기 전에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 단계와,
    그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하는 단계와,
    상기 파티클 상태가 허용 범위였던 경우에 상기 처리부에 기판을 반입하는 단계와,
    상기 처리부에 있어서, 기판에 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막을 도포하는 단계와,
    상기 처리부에 있어서, 기판에 대하여 도포막 형성에 필요한 열적 처리를 행하는 단계
    를 포함하고,
    상기 세정하는 단계는 세정액 공급 기구에 의해 기판에 세정액을 공급하는 단계와, 브러쉬로 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    기판을 노광 장치에 반입하기 전에 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 단계와,
    상기 노광 전의 세정 후, 상기 노광 장치에 반입하기 전에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 단계와,
    그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하는 단계와,
    상기 파티클 상태가 허용 범위였던 경우에 상기 노광 장치에 기판을 반입하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성 방법.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    노광 후의 기판에 현상 처리를 실시하는 단계와,
    현상 처리 전후에 필요한 열적 처리를 행하는 단계와,
    현상 처리 후에 적어도 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 단계와,
    상기 현상 처리 후의 세정 후에 적어도 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 단계와,
    그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하는 단계와,
    파티클 상태가 허용 범위였던 경우에 다음 공정으로 기판을 공급하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성 방법.
  12. 레지스트막을 노광 장치로 노광하기 전에 처리부에서 기판에 대하여 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막으로 이루어지는 도포막을 형성하는 도포막 형성 방법으로서,
    기판을 상기 처리부에 반입하기 전에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 단계와,
    그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하는 단계와,
    상기 파티클 상태가 허용 범위였던 경우에 상기 처리부에 기판을 반입하는 단계와,
    상기 파티클 상태가 허용 범위로부터 벗어난 경우에 기판의 세정을 행하고 나서 상기 처리부에 기판을 반입하는 단계와,
    상기 처리부에 있어서, 기판에 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막을 도포하는 단계와,
    상기 처리부에 있어서, 기판에 대하여 도포막 형성에 필요한 열적 처리를 행하는 단계
    를 포함하고,
    상기 기판의 세정은, 세정액 공급 기구에 의해 기판에 세정액을 공급하는 단계와, 브러쉬로 기판의 이면 및 에지부를 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    기판을 노광 장치에 반입하기 전에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 단계와,
    그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하는 단계와,
    상기 파티클 상태가 허용 범위였던 경우에 상기 노광 장치에 기판을 반입하는 단계와,
    상기 파티클 상태가 허용 범위로부터 벗어난 경우에 기판의 세정을 행하고 나서 상기 노광 장치에 기판을 반입하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성 방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    노광 후의 기판에 현상 처리를 실시하는 단계와,
    현상 처리 전후에 필요한 열적 처리를 행하는 단계와,
    현상 처리 후에 기판의 이면 및 에지부의 상태를 검사하는 단계와,
    그 검사 결과에 기초하여 기판의 이면 및 에지부에서의 파티클 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하는 단계와,
    상기 파티클 상태가 허용 범위였던 경우에 다음 공정으로 기판을 공급하는 단계와,
    상기 파티클 상태가 허용 범위로부터 벗어난 경우에 기판의 세정을 행하고 나서 다음 공정으로 기판을 공급하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성 방법.
  15. 제9항, 제10항, 제12항 또는 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 노광 장치는 액체를 통해 노광 처리를 실시하는 액침 노광 장치인 것을 특징으로 하는 도포막 형성 방법.
  16. 컴퓨터 상에서 동작하며, 도포막 형성 장치를 제어하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서, 상기 제어 프로그램은 실행시, 제9항, 제10항, 제12항 또는 제13항 중 어느 한 항에 기재한 방법이 행해지도록, 컴퓨터에 상기 도포막 형성 장치를 제어시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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