JP2012114259A

JP2012114259A - 基板処理システム及び基板処理方法

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Publication number: JP2012114259A
Application number: JP2010262217A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Ide; 俊幸井手
Original assignee: Lapis Semiconductor Co Ltd
Current assignee: Lapis Semiconductor Co Ltd
Priority date: 2010-11-25
Filing date: 2010-11-25
Publication date: 2012-06-14
Also published as: CN102479689A; US20120135610A1

Abstract

【課題】露光された感光性樹脂材料の発泡現象を抑制できる基板処理システム及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１は、洗浄装置２１、レジスト塗布装置２２、周辺露光装置２３、基板搬送機構３０及びシステムコントローラ１０を備える。システムコントローラ１０は、レジスト塗布装置２２でレジスト膜が形成された時から、周辺露光装置２３による露光工程が開始されるまでの基板Ｗの待ち時間を監視する待ち時間監視部１０Ｂと、待ち時間が制限時間を超えたとき、基板搬送機構３０に基板Ｗを洗浄装置２１に搬送させるプロセス制御部１０Ａとを有する。プロセス制御部１０Ａは、洗浄装置２１によりレジスト膜が除去された基板Ｗをレジスト塗布装置２２に搬送させる。
【選択図】図２

Description

本発明は、ウエハなどの基材上に形成された感光性樹脂材料を露光する技術に関し、特に、基材の周辺部（エッジ部）上に形成された不要な感光性樹脂材料を露光する周辺露光技術に関する。

半導体製造プロセスのフォトリソグラフィ工程では、ウエハの全面に感光性樹脂材料を塗布し、この塗布膜すなわちレジスト膜をレチクル（基板上に回路などのパターンが描画された原版）に通した光で露光して、レチクルのパターンをレジスト膜に転写することが行われる。その後、レジスト膜に対して薬液を用いた現像処理を施すことでレジストパターンが形成される。このレジストパターンは、被加工膜をエッチング加工するためのマスクとして使用されるものである。ウエハ上に形成されたレジスト膜のうちウエハ周辺部（エッジ部）上の感光性樹脂材料は、ウエハから剥離して塵となり、歩留まり低下の原因となるおそれがある。そこで、レチクルを用いた露光工程に先立ち、ウエハ周辺部上の不要な感光性樹脂材料のみを露光する周辺露光工程が従来より行われていた。

しかしながら、周辺露光工程で露光された感光性樹脂材料が光化学反応を起こして発泡し、この発泡により、感光性樹脂材料の一部（発泡片）がレジスト膜の未露光部分に飛散し付着するという問題がある。未露光部分に付着した発泡片は、後のフォトリソグラフィ工程で形成されるレジストパターンに欠陥（パターン異常）を引き起こすおそれがある。

図１（Ａ）〜（Ｄ）は、周辺露光工程における発泡現象によるパターン異常を説明するための断面図である。図１（Ａ）に示されるように、基板４０上に被加工膜４１及びレジスト膜４３が形成された後、この基板４０の外周部上のレジスト膜４３に周辺露光用の光ＬＢが照射される。図１（Ｂ）に示されるように、周辺露光用の光ＬＢにより発泡片４３ａ，４３ｂ，４３ｃがレジスト膜４３の未露光部分の上に飛散する。このレジスト膜４３に対して現像処理を実行すると、図１（Ｃ）に示されるように、本来存在しない異常なレジストパターン４３ｒａ，４３ｒｂ，４３ｒｃが形成される。そして、これら異常なレジストパターン４３ｒａ，４３ｒｂ，４３ｒｃをマスクとするエッチングを実行すると、図１（Ｄ）に示されるように異常な加工パターン４１ｐａ，４１ｐｂ，４１ｐｃが形成されることとなる。

上記発泡現象を抑制する周辺露光技術が、たとえば、特開平５−２０５９９１号公報（特許文献１）、特公平７−５０６７６号公報（特許文献２）及び特公平７−５０６７７号公報（特許文献３）に開示されている。これら特許文献に開示されている周辺露光技術は、いずれも、ウエハ周辺部上の感光性樹脂材料への露光を複数回に分けて行うことにより、一回当たりの露光量を低くして光化学反応の発生を抑制するというものである。

特開平５−２０５９９１号公報特公平７−５０６７６号公報特公平７−５０６７７号公報

しかしながら、たとえ周辺露光を複数回に分けて実行しても、発泡現象が生じてレジストパターンに欠陥が生じ、歩留まりが低下する場合があり、さらなる発泡現象の抑制のための対策が求められていた。

上記に鑑みて本発明の目的は、感光性樹脂材料に対する露光時の発泡現象を効果的に抑制することができる基板処理システム及び基板処理方法を提供することである。

本発明による基板処理システムは、基板の表面に洗浄処理を施す洗浄装置と、前記基板の表面に感光性樹脂材料を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置と、前記基板の周辺部上に形成された当該レジスト膜を露光する周辺露光装置と、前記レジスト塗布装置から前記周辺露光装置に前記基板を搬送する基板搬送機構と、前記洗浄装置と前記レジスト塗布装置と前記周辺露光装置と前記基板搬送機構とのそれぞれの動作を制御するシステムコントローラとを備え、前記システムコントローラは、前記レジスト膜が形成された時から、前記周辺露光装置により前記レジスト膜への露光工程が開始されるまでの当該基板の待ち時間を監視する待ち時間監視部と、前記待ち時間が制限時間を超えたとき、前記基板搬送機構に当該基板を前記洗浄装置に搬送させ、前記洗浄装置により前記レジスト膜が除去された当該基板を前記洗浄装置から前記レジスト塗布装置に搬送させるプロセス制御部とを有することを特徴とする。

本発明による基板処理方法は、基板の表面に洗浄処理を施す洗浄装置と、前記基板の表面に感光性樹脂材料を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置と、前記基板の周辺部上に形成された当該レジスト膜を露光する周辺露光装置と、前記レジスト塗布装置から前記周辺露光装置に前記基板を搬送する基板搬送機構とを備えた基板処理システムにおける基板処理方法であって、前記レジスト膜が形成された時から、前記周辺露光装置により前記レジスト膜への露光工程が開始されるまでの当該基板の待ち時間を監視するステップと、前記待ち時間が制限時間を超えたとき、前記基板搬送機構に当該基板を前記洗浄装置に搬送させるステップと、前記洗浄装置により前記レジスト膜が除去された当該基板を前記洗浄装置から前記レジスト塗布装置に搬送させるステップとを備えることを特徴とする。

本発明によれば、発泡現象を抑制し、レジストパターンの欠陥発生を抑制することができる。

周辺露光工程における発泡現象によるパターン異常を説明するための断面図である。本発明に係る実施の形態の基板処理システムの構成を概略的に示す機能ブロック図である。本実施の形態の周辺露光装置の構成の一例を概略的に示す図である。周辺露光前のウエハの待ち時間を監視する処理手順の一例を概略的に示すフローチャートである。周辺露光のシーケンスを説明するための概略図である。

以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照しつつ説明する。

図２は、本実施の形態の基板処理システム１の構成を概略的に示す機能ブロック図である。図２に示されるように、基板処理システム１は、洗浄・乾燥装置２１、レジスト塗布装置２２、周辺露光装置２３、投影露光装置（ステッパー）２４、現像装置２５及びエッチング装置２６といった、ウエハ（基板）Ｗに半導体集積回路を形成するための半導体製造プロセスを実行する装置群を備える。なお、図２は、基板処理システム１の構成の一部を示すものであり、基板処理システム１は、図２に明示した装置群２１〜２６と連係して動作する他の装置群（図示せず）も備えている。

また、基板処理システム１は、ロット単位の複数枚のウエハ（基板）Ｗが収容された基板キャリア３１を搬送する基板搬送機構３０を備える。基板搬送機構３０は、システムコントローラ１０からの指令に応じて、装置群２１〜２６のうちのいずれかに基板キャリア３１を搬入し、あるいは、装置群２１〜２６のうちのいずれかから、処理が完了したウエハＷが収容された基板キャリア３１を搬出する機能を有する。基板搬送機構３０は、システムコントローラ１０からの指令に応じて、装置群２１〜２６のうちの任意の装置から他の装置へ基板キャリア３１を搬送することができる。

さらに、基板処理システム１は、上記装置群２１〜２６及び基板搬送機構３０の動作を個別に制御するシステムコントローラ１０と、操作入力部（操作パネル）１１と、表示部（モニタ）１２と、音響出力部（スピーカ）１３とを備える。オペレータは、操作入力部１１を操作してプロセス条件に関する情報を入力することができる。システムコントローラ１０は、操作入力部１１への入力情報に基づいて制御処理を行う。表示部１２は、たとえば、ＬＣＤ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ）からなり、システムコントローラ１０から出力された画像情報を表示する機能を有している。

また、システムコントローラ１０は、製造ライン上の装置群２１〜２６で実行される一連のプロセスを制御するプロセス制御部１０Ａと、処理待ちのウエハＷの待ち時間を監視する待ち時間監視部１０Ｂとを有する。このようなシステムコントローラ１０は、たとえば、マイクロプロセッサ，ＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ），ＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）及び入出力インタフェースを含む構成を有していればよい。また、システムコントローラ１０の機能の全部または一部は、ハードウェアで実現されてもよいし、あるいは、マイクロプロセッサにより実行されるコンピュータプログラムで実現されてもよい。当該機能の全部または一部がコンピュータプログラムで実現される場合、マイクロプロセッサは、記録媒体（図示せず）からコンピュータプログラムをロードし実行することによって当該機能を実現することができる。

レジスト塗布装置２２は、搬入されたウエハＷの表面に液状の感光性樹脂材料を均一に塗布してその全面にポジ型のレジスト膜を形成する装置である。ウエハＷ上には、図示されない成膜装置により被加工膜が形成されており、レジスト塗布装置２２は、この被加工膜上にレジスト膜を形成する。また、レジスト塗布装置２２は、ウエハＷに対する処理が完了したか否かを検出する光学式または機械式の位置検出センサ２２Ｓを備えている。位置検出センサ２２Ｓによる検出結果は、システムコントローラ１０に転送される。

レジスト膜が形成されたウエハＷは、基板キャリア３１に収容された状態で、レジスト塗布装置２２から搬出される。その後のウエハＷは、通常の場合、すなわちウエハＷの待ち時間が所定の制限時間以内の場合には、待ち時間を経た後に周辺露光装置２３に搬入される。

一方、ウエハＷの待ち時間が制限時間を超える場合には、当該ウエハＷは、周辺露光装置２３に搬入されず、洗浄・乾燥装置２１に搬入される。この場合、洗浄・乾燥装置２１は、搬入されたウエハＷに洗浄処理を施してウエハＷ上のレジスト膜を除去する。その後、当該ウエハＷは、洗浄・乾燥装置２１からレジスト塗布装置２２に搬入される。レジスト塗布装置２２は、当該ウエハＷの表面に再びレジスト膜を形成することとなる。洗浄・乾燥装置２１は、ウエハＷに対する洗浄処理が完了したか否かを検出する光学式または機械式の位置検出センサ２１Ｓを備えている。位置検出センサ２１Ｓによる検出結果は、システムコントローラ１０に転送される。

周辺露光装置２３は、ウエハＷの全面に形成されたレジスト膜のうちウエハ周辺部（エッジ部）上の不要なレジストのみを露光する機能を有する。図３は、周辺露光装置２３の構成の一例を概略的に示す図である。図３に示されるように、周辺露光装置２３は、ウエハＷが載置されるステージ２３４と、光源２３５と、コンデンサレンズ２３６と、集光レンズ２３７とを備えている。ステージ２３４は、駆動制御部２３２からの指令に応じて、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸のそれぞれ方向にウエハＷを駆動して、照射光ＬＢに対してウエハＷを位置決めする機能を有する。また、ステージ２３４の上面は、表面に載置されたウエハＷを吸着して保持する機能を有する。光源２３５としては、たとえばｉ線（波長：約３６５ｎｍ）用の放電ランプを使用することができるが、これに限定されるものではない。

また、周辺露光装置２３は、光源２３５の動作を制御して露光照度を制御する露光制御部２３３と、ステージ２３４の動作を制御する駆動制御部２３２と、システムコントローラ１０からの指令に応じて駆動制御部２３２及び露光制御部２３３の各処理を制御する主制御部２３１とを備えている。なお、図示されないが、ロボットアームなどのウエハＷの搬出入機構も周辺露光装置２３に組み込まれている。

光源２３５から出射された光ＬＢは、コンデンサレンズ２３６及び集光レンズ２３７を経てウエハＷに照射される。このとき、ステージ２３４は、ウエハＷを移動させることにより、光ＬＢの照射位置をウエハＷの外周部に沿って移動させることができる。照射光ＬＢは、時計周りまたは反時計周りにウエハＷの外周部を走査する。周辺露光装置２３は、照度の比較的低い照射光ＬＢを用いて、複数回数に亘ってウエハＷの外周部を多重に露光することにより、レジスト膜の露光部分の光化学反応の発生を抑制することができる。

外周部が露光された後のウエハＷは、基板キャリア３１に収容された状態で、周辺露光装置２３から搬出される。その後のウエハＷは、待ち時間を経た後に、投影露光装置２４に搬入される。周辺露光装置２３は、ウエハＷに対する周辺露光処理が完了したか否かを検出する光学式または機械式の位置検出センサ２３Ｓを備えている。位置検出センサ２３Ｓによる検出結果は、システムコントローラ１０に転送される。

投影露光装置２４は、周辺露光がなされたウエハＷにレチクル（図示せず）に通した光で露光して、レチクルの原版パターンをレジスト膜に転写するという投影露光工程を実行する。レジスト膜上の露光部分は、光化学反応を起こしてアルカリ溶液に溶ける構造に変化する。投影露光がなされた後のウエハＷは、基板キャリア３１に収容された状態で、投影露光装置２４から搬出される。その後のウエハＷは、待ち時間を経た後に、現像装置２５に搬入される。投影露光装置２４は、ウエハＷに対する投影露光処理が完了したか否かを検出する光学式または機械式の位置検出センサ２４Ｓを備えている。位置検出センサ２４Ｓによる検出結果は、システムコントローラ１０に転送される。

現像装置２５は、投影露光されたウエハＷ上のレジスト膜に対して、このレジスト膜の露光部分を溶解させる薬液を用いた現像処理を施すことでウエハＷ上にレジストパターンを形成する。現像処理が完了した後のウエハＷは、基板キャリア３１に収容された状態で、現像装置２５から搬出される。その後のウエハＷは、待ち時間を経た後に、エッチング装置２６に搬入される。現像装置２５は、ウエハＷに対する現像処理が完了したか否かを検出する光学式または機械式の位置検出センサ２５Ｓを備えている。位置検出センサ２５Ｓによる検出結果は、システムコントローラ１０に転送される。

そして、エッチング装置２６は、前記レジストパターンをエッチングマスクとして、ウエハＷにウエットエッチングまたはドライエッチングを施すことにより、レジストパターンの下地である被加工膜をパターニングする。その後のウエハＷは、基板キャリア３１に収容された状態でエッチング装置２６から搬出される。エッチング装置２６は、ウエハＷに対するエッチング処理が完了したか否かを検出する光学式または機械式の位置検出センサ２６Ｓを備えている。位置検出センサ２６Ｓによる検出結果は、システムコントローラ１０に転送される。

待ち時間監視部１０Ｂは、位置検出センサ２１Ｓ〜２６Ｓから出力される検出結果に基づいて、ウエハＷの待ち時間を監視する機能を有している。図４は、周辺露光前のウエハＷの待ち時間を監視する処理手順の一例を概略的に示すフローチャートである。以下、図４を参照しつつ、待ち時間監視部１０Ｂによる処理について説明する。

待ち時間監視部１０Ｂは、位置検出センサ２２Ｓによる検出結果に基づいて、レジスト塗布装置２２におけるウエハＷに対するレジスト塗布工程が開始されたことを検知すると、これに応じて図４の待ち時間監視処理を開始する。待ち時間監視部１０Ｂは、レジスト塗布工程が完了するまで待機し（ステップＳ１０のＮＯ）、レジスト塗布工程が完了したことを検知すると（ステップＳ１０のＹＥＳ）、その完了時刻を記録する（ステップＳ１１）。

その後、待ち時間監視部１０Ｂは、位置検出センサ２３Ｓによる検出結果に基づいて、周辺露光装置２３における周辺露光工程が開始されたか否かを判定する（ステップＳ１２）。周辺露光工程が開始されていない場合には（ステップＳ１２のＮＯ）、当該ウエハＷの待ち時間が制限時間（たとえば、１２時間）以内か否かを判定する（ステップＳ１３）。待ち時間が制限時間以内である場合は（ステップＳ１３のＹＥＳ）、ステップＳ１２に処理が戻る。

待ち時間が制限時間以内に周辺露光工程が開始された場合（ステップＳ１３のＹＥＳ及びステップＳ１２のＹＥＳ）、待ち時間監視部１０Ｂは、当該ウエハＷに対する待ち時間監視処理を終了する。

一方、待ち時間が制限時間を超えた場合は（ステップＳ１３のＮＯ）、待ち時間監視部１０Ｂは、表示部１２にアラームを示す画像情報を表示させ、且つ、音響出力部１３にアラームを示す音響情報を出力させる（ステップＳ１４）。これにより、オペレータは、アラームの報知を受ける。次いで、待ち時間監視部１０Ｂは、当該ウエハＷの再処理をプロセス制御部１０Ａに指示して（ステップＳ１５）、待ち時間監視処理を終了させる。この結果、当該ウエハＷは洗浄・乾燥装置２１に搬入されてウエハＷからレジスト膜が除去される。その後、当該ウエハＷは、洗浄・乾燥装置２１からレジスト塗布装置２２に搬入されるので、レジスト塗布装置２２は、当該ウエハＷの上に再びレジスト膜を形成する。レジスト膜が形成されたウエハＷは、レジスト塗布装置２２から搬出される。その後のウエハＷは、ウエハＷの待ち時間が制限時間以内の場合には待ち時間を経た後に周辺露光装置２３に搬入されるが、待ち時間が制限時間を超えた場合には、周辺露光装置２３に搬入されず、洗浄・乾燥装置２１に搬入される。

上記のように待ち時間が制限時間を超えた場合にウエハＷからレジスト膜を除去する理由は、周辺露光による発泡現象の原因の１つが、レジスト膜が形成された時点から周辺露光が行われるまでのウエハ間の待ち時間のバラツキにあり、待ち時間が長いほど、周辺露光による発泡が起こりやすくなるからである。本発明者は、実験を通じてこのことを確認した。以下、この実験内容について説明する。

図５（Ａ）〜（Ｃ）は、実験に用いた１回転分の周辺露光のシーケンスを説明するための概略図である。図５（Ａ）〜（Ｃ）には、オリフラ（オリエンテーションフラット；ＯｒｉｅｎｔａｔｉｏｎＦｌａｔ）Ｗｏを有するウエハＷの上面視図が示されている。オリフラＷｏの中央の角度位置が０°に設定されている。このシリコンウエハＷ上には、ｉ線用のポジ型レジスト「ＴＨＭＲ−ｉＰ２９００」（東京応化工業製）からなるレジスト膜が塗布されており、このレジスト膜に周辺露光が行われた。このレジスト膜の膜厚は約２．５μｍである。

図５（Ａ）のステップでは、周辺露光装置２３は、周辺露光用の照射光（ｉ線）ＬＢ１を、オリフラＷｏの一方の端部近傍の開始角１５°の位置から出発させてオリフラＷｏの他方の端部近傍の終了角３４５°の位置まで、反時計周りに且つ円弧状にウエハＷの外周部を走査させる。照射光ＬＢ１の露光位置は、ウエハＷの端面から径方向内側に３．０ｍｍ程度の位置に設定された。次に、図５（Ｂ）のステップでは、周辺露光装置２３は、周辺露光用の照射光（ｉ線）ＬＢ２を、開始角３４０°の位置から出発させて終了角２０°の位置まで、反時計周りに且つ円弧状にウエハＷの外周部を走査させる。照射光ＬＢ２の露光位置は、ウエハＷの端面から径方向内側に３．３ｍｍ程度の位置に設定された。そして、図５（Ｃ）のステップでは、周辺露光装置２３は、周辺露光用の照射光（ｉ線）ＬＢ３を、開始角３４１°の位置から出発させて終了角１９°の位置まで、反時計周りに且つ円弧状にウエハＷの外周部を走査させる。照射光ＬＢ３の露光位置は、ウエハＷの端面から径方向内側に３．５ｍｍ程度の位置に設定された。

以上の周辺露光シーケンスを基本として、露光エネルギー量を変えつつ、１回転、２回転、３回転及び４回転の周辺露光が行われた。このとき、周辺露光装置２３において露光フィルタ（波長選択フィルタ）は使用されていない。

まず、１回転の場合（実験１）の周辺露光シーケンスにおける照度（積算照射量）は約２５０００ｍＪ／ｃｍ^２であり、基準周期（露光時間）は、２５．０秒である。１回転の場合の露光条件をまとめると、下記の表１に示すものとなる。

次に、２回転の場合（実験２）の周辺露光シーケンスにおける１回転当たりの照度（積算照射量）は、上記実験１の照度の半分である約１２５００ｍＪ／ｃｍ^２であり、１回転当たりの基準周期（露光時間）は、１２．５秒である。２回転の場合の露光条件をまとめると、下記の表２に示すものとなる。

３回転の場合（実験３）の周辺露光シーケンスにおける１回転当たりの照度（積算照射量）は、上記実験１の照度の１／３である約８３３３ｍＪ／ｃｍ^２であり、１回転当たりの基準周期（露光時間）は、約８．３３秒である。そして、４回転の場合（実験４）の周辺露光シーケンスにおける１回転当たりの照度（積算照射量）は、上記実験１の照度の１／４である約６２５０ｍＪ／ｃｍ^２であり、１回転当たりの基準周期（露光時間）は、約６．２５秒である。

以上の１回転〜４回転の周辺露光によりレジスト膜に生じた発泡の個数を光学顕微鏡を用いて観察し、計数した。その結果を以下の表３に示す。

表３の結果は、ウエハＷの放置時間（待ち時間）を１６．０時間とした場合の結果である。表３によれば、基準周期を短くして１回転当たりの照度を小さくするほど、発泡現象が抑制されていることが分かる。

また、放置時間の条件を変更して実験１を行い、１回転の周辺露光によりレジスト膜に生じた発泡の個数を光学顕微鏡を用いて観察し、計数した。その結果を以下の表４に示す。

表４によれば、１回転の場合であっても、放置時間が短くなるほど、発泡現象が抑制されていることが分かる。特に放置時間を１２時間以下とすれば、発泡の個数が０個であった。このことから、ウエハＷの待ち時間の制限時間を１２時間とすれば、レジストパターンの欠陥発生を効果的に抑制することができる。

以上に説明したように本実施の形態の基板処理システムは、ウエハＷ上にレジスト膜を形成した後のウエハＷの待ち時間が制限時間を超えた場合には、ウエハＷからレジスト膜を除去する再処理を行うので、周辺露光による発泡現象を抑制することができる。したがって、レジストパターンの欠陥発生を抑制することができる。

１基板処理システム、１０システムコントローラ、１０Ａプロセス制御部、１０Ｂ待ち時間監視部、１１操作入力部、１２表示部、１３音響出力部、２１洗浄・乾燥装置、２１Ｓ〜２６Ｓ位置検出センサ、２２レジスト塗布装置、２３周辺露光装置、２３１主制御部、２３２駆動制御部、２３３露光制御部、２３４ステージ、２３５光源、２３６コンデンサレンズ、２３７集光レンズ、２４投影露光装置（ステッパー）、２５現像装置、２６エッチング装置、３０基板搬送機構、３１基板キャリア。

Claims

基板の表面に洗浄処理を施す洗浄装置と、
前記基板の表面に感光性樹脂材料を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置と、
前記基板の周辺部上に形成された当該レジスト膜を露光する周辺露光装置と、
前記レジスト塗布装置から前記周辺露光装置に前記基板を搬送する基板搬送機構と、
前記洗浄装置と前記レジスト塗布装置と前記周辺露光装置と前記基板搬送機構とのそれぞれの動作を制御するシステムコントローラと
を備え、
前記システムコントローラは、
前記レジスト膜が形成された時から、前記周辺露光装置により前記レジスト膜への露光工程が開始されるまでの当該基板の待ち時間を監視する待ち時間監視部と、
前記待ち時間が制限時間を超えたとき、前記基板搬送機構に当該基板を前記洗浄装置に搬送させ、前記洗浄装置により前記レジスト膜が除去された当該基板を前記洗浄装置から前記レジスト塗布装置に搬送させるプロセス制御部と
を有することを特徴とする基板処理システム。
請求項１に記載の基板処理システムであって、前記周辺露光装置は、前記レジスト膜を複数回に亘って多重に露光することを特徴とする基板処理システム。
請求項１または２に記載の基板処理システムであって、前記待ち時間が前記制限時間を超えたとき、視覚情報または音響情報によりアラームを報知する報知手段をさらに備えることを特徴とする基板処理システム。
請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の基板処理システムであって、前記基板は、半導体ウエハであることを特徴とする基板処理システム。
基板の表面に洗浄処理を施す洗浄装置と、前記基板の表面に感光性樹脂材料を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置と、前記基板の周辺部上に形成された当該レジスト膜を露光する周辺露光装置と、前記レジスト塗布装置から前記周辺露光装置に前記基板を搬送する基板搬送機構とを備えた基板処理システムにおける基板処理方法であって、
前記レジスト膜が形成された時から、前記周辺露光装置により前記レジスト膜への露光工程が開始されるまでの当該基板の待ち時間を監視するステップと、
前記待ち時間が制限時間を超えたとき、前記基板搬送機構に当該基板を前記洗浄装置に搬送させるステップと、
前記洗浄装置により前記レジスト膜が除去された当該基板を前記洗浄装置から前記レジスト塗布装置に搬送させるステップと
を備えることを特徴とする基板処理方法。
請求項５に記載の基板処理方法であって、前記露光装置は、前記レジスト膜を複数回に亘って多重に露光することを特徴とする基板処理方法。
請求項５または６に記載の基板処理方法であって、前記待ち時間が前記制限時間を超えたとき、視覚情報または音響情報によりアラームを報知させるステップをさらに備えることを特徴とする基板処理方法。