CN109143786A - 一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法 - Google Patents

一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109143786A
CN109143786A CN201811119730.8A CN201811119730A CN109143786A CN 109143786 A CN109143786 A CN 109143786A CN 201811119730 A CN201811119730 A CN 201811119730A CN 109143786 A CN109143786 A CN 109143786A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
cooled
room temperature
spherical defect
cold plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811119730.8A
Other languages
English (en)
Inventor
赵永勋
卫路兵
邵璐
闫树文
陈宝忠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian Microelectronics Technology Institute
Original Assignee
Xian Microelectronics Technology Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Microelectronics Technology Institute filed Critical Xian Microelectronics Technology Institute
Priority to CN201811119730.8A priority Critical patent/CN109143786A/zh
Publication of CN109143786A publication Critical patent/CN109143786A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法，包括1)将晶圆置于冷板上进行涂胶前冷却；2)将完成步骤1)的晶圆涂覆底部抗反射涂层，静置60～100s，然后传送至高温热板上烘烤，接着传送至冷板冷却至室温；3)对冷却至室温的晶圆进行光刻胶涂覆，然后传送到低温热板烘烤，接着传送至冷板冷却到室温，然后进行边缘曝光；4)将边缘曝光完成的晶圆转移至低温热板上进行曝光，然后烘焙，接着传送至冷板冷却至室温；5)对完成步骤4)的晶圆进行显影，显影完成后在低温热板上坚膜，接着传送至冷板冷却至室温。本发明通过晶圆在涂覆底部抗反射涂层后静置60～100s，在保证晶圆每步工艺状态的一致性的同时，减少了深亚微米光刻工艺球状缺陷的产生。

Description

一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法
技术领域
本发明属于半导体晶圆制造技术领域，涉及一种减少深亚微米光刻工艺球状 缺陷的方法。
背景技术
在半导体晶圆制造中，深亚微米光刻工艺过程中，经常会出现一种特殊的球 状残留物，即所谓的“球状缺陷(ball defect)”，如图1所示。此缺陷产生于晶圆 表面，在晶圆进行后续的刻蚀、淀积或者离子注入的过程中，球状缺陷会影响刻 蚀后形貌和离子注入的深度，并导致淀积工艺发生目标质量的偏差。最终，影响 到晶圆的良率。
通过能量散射谱表征，球状缺陷的主要成分为C和O，在整个半导体晶圆制 造涉及的物料中，与光刻胶的关系最大，而检查光刻胶喷涂的状态和流量都是正 常的。针对球状缺陷，业界在光刻胶涂布单元做了大量的试验，包括调整光刻胶 涂布单元的排风，调整光刻胶涂布单元与机械手臂单元的正压力，更换新的CUP， 这些试验结果显示球状缺陷的数量有所减少和改善，但是不能完全消除。
通过实验发现，在底部抗反射涂层工艺腔，前5片晶圆由于下一步高温热板 时间较长，当有一片在热板时，下一片晶圆需要在涂胶腔等待，并且每片等待的 时间不一样，当晶圆工艺到第6片及后序的片数，这等待时间就趋于一样。而晶 圆在等待时，旋转马达会将晶圆顶起，暴露在腔体上面；此时，腔体上部存在的 光刻胶粉尘等物质来不及被排风抽走，而是落在顶起的晶圆上，从而形成球状缺 陷。
另外，在调研文献中的实验结果时发现，当涂胶转速小于一定值时，产生球 状缺陷的数量将会降低。但是，因为光刻及后续工艺对光刻胶厚度的要求，为保 证涂胶膜厚在一定的规范内，通过降低涂胶转速来减少球状缺陷的方法是不可行 的。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种减少深亚微米光刻工 艺球状缺陷的方法。
为达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：
一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法，包括以下步骤：
1)将晶圆置于涂胶腔内的冷板上进行涂胶前冷却，冷却至室温；
2)将完成步骤1)的晶圆在涂胶腔内涂覆底部抗反射涂层，静置60～100s， 然后传送至180℃高温热板上烘烤60s，接着传送至冷板冷却至室温；
3)对冷却至室温的晶圆进行光刻胶涂覆，然后传送到90℃低温热板烘烤60s， 接着传送至冷板冷却至室温，然后进行边缘曝光；
4)将边缘曝光完成的晶圆转移至曝光机进行曝光，然后在112℃低温热板上 烘焙90s，接着传送至冷板冷却至室温；
5)完成步骤4)的晶圆转移至显影腔内进行显影，显影完成后在112℃低温 热板上坚膜60s，接着传送至冷板冷却至室温。
本发明进一步的改进在于：
涂胶腔和显影腔为Clean Track ACT8涂胶显影一体机的涂胶腔和显影腔。
曝光机为PAS 5500-750F型深紫外光刻机。
边缘曝光的具体方式为：
在Clean Track ACT8涂胶显影一体机WEE工艺腔内，通过汞灯边缘曝光的 方式将晶圆周边3mm以外的光刻胶曝光。
涂胶显影一体机和曝光机内部腔体的腔体温度为21～23℃，腔体湿度为 40％～50％RH。
底部抗反射涂层采用AR10L光刻胶，光刻胶涂覆采用UV135光刻胶，显影 中的显影液采用FHD-5显影液。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明通过使晶圆在涂胶腔内涂覆底部抗反射涂层后静置60～100s，既减少 了深亚微米光刻工艺球状缺陷的产生，保证了产能；同时也保证了晶圆每步工艺 状态的一致性。进一步通过汞灯边缘曝光的方式将晶圆周边3mm以外的光刻胶 曝光，显影后边缘部分的光刻胶将被溶解，保证晶圆边缘处干净无残留；曝光完 成的晶圆在112℃低温热板烘焙90s，消除驻波效应，保证光刻胶较好的形貌； 显影完成的晶圆又在112℃低温热板坚膜60s，进一步将光刻胶中残余的溶剂等 蒸发，使光刻胶硬化，便于进行后续的的刻蚀或注入工艺。现有方法作业深亚微 米光刻后，每片晶圆缺陷数量在数十个以上，甚至达到102量级，缺陷扫描分布 图如图3所示，球状缺陷的典型形貌参见图4(a)以及图4(b)；本方法作业深 亚微米光刻后，对晶圆进行缺陷扫描，球状缺陷分布map如图5(a)以及图5 (b)所示，通过缺陷逐一排查，未发现有球状缺陷，球状缺陷消失。
附图说明
图1为晶圆表面球状缺陷示意图；
图2为本发明深亚微米光刻工艺流程图；
图3为原涂胶工艺后球状缺陷数量示意图；
图4为原涂胶工艺后球状缺陷典型形貌图，(a)是球状缺陷的形貌示意图， (b)为球状缺陷在光刻后管芯内的通常位置示意图；
图5为本发明光刻工艺球状缺陷分布图，(a)为一次光刻后球状缺陷分布示 意图，(b)为另一次光刻后球状缺陷分布示意图；
图6为本发明实施例1的球状缺陷分布图；
图7为本发明实施例2的球状缺陷分布图；
图8为本发明实施例3的球状缺陷分布图；
图9为本发明实施例3重复实验的球状缺陷分布图，(a)为第1次实验的球 状缺陷分布图，(b)为第8次实验的球状缺陷分布图；
图10为本发明实施例4的球状缺陷分布图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例 中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述 的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的 实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实 施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、 “第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应 该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例 能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具 有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步 骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单 元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其 它步骤或单元。
下面结合附图对本发明做进一步详细描述：
参见图2，本发明减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法，包括以下步骤：
1)将晶圆置于涂胶显影一体机的涂胶腔内的23℃冷板进行涂胶前的冷却预 处理，时间为60s；
2)将晶圆在涂胶腔内涂覆底部抗反射涂层，静置60～100s；
3)将静置完成的晶圆在180℃高温热板上烘烤60s，蒸发抗反射涂层中的溶 剂；
4)将晶圆传送到冷板，使温度降为室温为下一步工艺做好准备；
5)对晶圆进行需要的光刻胶涂覆，便于曝光后将光刻版上的图形印制到胶 膜中；
6)将晶圆传送到90℃低温热板烘烤60s，将胶层中的水蒸气等液体排出；
7)将晶圆传送到23℃冷板冷却到室温；
8)通过汞灯边缘曝光的方式将晶圆周边3mm以外的光刻胶曝光，显影后边 缘部分的光刻胶将被溶解，保证晶圆边缘处干净无残留；
9)将晶圆转移至曝光机内进行曝光，将光刻版图形转移到晶圆上；
10)将曝光完成的晶圆在112℃低温热板上烘焙90s，消除驻波效应，保证 光刻胶较好的形貌；
11)将晶圆传送至23℃冷板上进行冷却至室温；
12)将晶圆转移至显影腔内进行显影，完成光刻版上图形最终的转移；
13)将显影完成的晶圆在112℃低温热板上坚膜60s，进一步将光刻胶中残 余的溶剂等蒸发，使光刻胶硬化，接着将晶圆传送到23℃冷板冷却到室温，为后 续的刻蚀或注入工艺做好准备。
其中，涂胶显影一体机为Clean Track ACT8涂胶显影一体机，曝光机为PAS 5500-750F型深紫外光刻机；过程中保证涂胶显影一体机和曝光机内部腔体的腔 体温度为21～23℃，腔体湿度为40％～50％RH。本发明的涂胶工艺菜单(参见表 1)与现有的涂胶工艺菜单(参见表2)相比，完成底部抗反射涂层匀胶后，需要 静置60～100s。通过实验发现，当静置时间小于60秒时，在底部抗反射涂层工艺 腔，前5片晶圆由于下一步高温热板时间较长，当有一片在热板时，下一片晶圆 需要在涂胶腔等待，并且每片等待的时间不一样，当晶圆工艺到第6片及后序的 片数，这等待时间就趋于一样。而晶圆在等待时，旋转马达会将晶圆顶起，暴露 在腔体上面；此时，腔体上部存在的光刻胶粉尘等物质来不及被排风抽走，而是落在顶起的晶圆上，从而形成球状缺陷。通过静置，即使晶圆不能及时进入高温 热板，但不会被顶起暴露在腔体上部，通过对晶圆每步工艺状态的一致性的分析 结合具体的实验结果，静置时间在60～100s，此时间是通过分析连续作业时，晶 圆在各个工艺腔体进入前及完成工艺后等待和静置的时间后，为保证晶圆每步工 艺状态的一致性，所选择的最优工艺设置，时间少则球状不能消除；时间长则在 不存在球状缺陷的情况下，导致产能降低。
表1本发明的涂胶工艺菜单
续表
表2现有的涂胶工艺菜单
续表
现结合实施例，对应用本发明的方法进行详细说明：
首先，准备好待使用的晶圆，无图形片或者衬底片均可，但要保证晶圆使用 前的缺陷数量不能太多，以免进行缺陷分析时造成的干扰和缺陷分类的工作量。 检查光刻胶的余量和保质期，深亚微米关键层次光刻工艺需要用到两种光刻胶， 即底部抗反射涂层(型号：AR10L)和不同层次对应厚度的光刻胶(型号：UV135)。 且光刻胶余量要满足使用，并在保质期内。
其次，将需要使用的产品光刻版装入深亚微米曝光机中备用，为了检查发明 的效果，尽量使用线宽较小的制程，如有源区或者多晶层次。保证显影液(型号： FHD-5)充足，且在保质期内。
选择光刻工艺菜单，参见表3。
新工艺菜单作业流程共21步，分别示意晶圆从开始工艺到完成整个光刻工 艺所经过的工艺类型、执行的菜单(或工艺条件)、需要进入的机台工艺腔体。 第13步中完成涂胶的晶圆从ACT8涂胶显影一体机进入750F光刻机等待曝光； 完成光刻版图形转移后，晶圆又通过交换接口从750F光刻机传送到ACT8涂胶 显影一体机进行显影。各部工艺从Modulename可知，是典型的晶圆制造中光刻 工艺标准流程，依次在相应机台选择对应菜单，并按照图2所示流程进行光刻。
表3本发明的光刻工艺菜单作业流程表
步骤 工艺名称 菜单名 腔体
1 起始位 1-*
2 传输 2-8
3 冷板 023015 2-11
4 涂胶 R0J 2-2
5 高温热板 170060 2-28
6 冷板 023045 2-9
7 涂胶 N7J 2-1
8 低温热板 145090 2-27
9 冷板 023045 2-12
10 传输 2-16
11 边缘曝光 TEL-STD 3-4
12 缓冲位 3-2
13 曝光接口 3-5
14 缓冲位 3-3
15 冷板 023003 2-15
16 低温热板 140090 2-22
17 冷板 023045 2-19
18 显影 0E1 2-3 2-4
19 低温热板 140090 2-23
20 传输冷板 30SEC 2-7
21 终止位 1-*
实施例1
1)将晶圆置于涂胶显影一体机的涂胶腔内的23℃冷板进行涂胶前的冷却预 处理，时间为60s；
2)将晶圆在涂胶腔内涂覆底部抗反射涂层，静置50s；
3)将静置完成的晶圆在180℃高温热板上烘烤60s，蒸发抗反射涂层中的溶 剂；
4)将晶圆传送到冷板，使温度降为室温为下一步工艺做好准备；
5)对晶圆进行需要的光刻胶涂覆，便于曝光后将光刻版上的图形印制到胶 膜中；
6)将晶圆传送到90℃低温热板烘烤60s，将胶层中的水蒸气等液体排出；
7)将晶圆传送到23℃冷板冷却到室温；
8)通过汞灯边缘曝光的方式将晶圆周边3mm以外的光刻胶曝光，显影后边 缘部分的光刻胶将被溶解，保证晶圆边缘处干净无残留；
9)将晶圆转移至曝光机内进行曝光，将光刻版图形转移到晶圆上；
10)将曝光完成的晶圆在112℃低温热板上烘焙90s，消除驻波效应，保证 光刻胶较好的形貌；
11)将晶圆传送至23℃冷板上进行冷却至室温；
12)将晶圆转移至显影腔内进行显影，完成光刻版上图形最终的转移；
13)将显影完成的晶圆在112℃低温热板上坚膜60s，进一步将光刻胶中残 余的溶剂等蒸发，使光刻胶硬化，接着将晶圆传送到23℃冷板冷却到室温，为后 续的刻蚀或注入工艺做好准备。
对本实施例光刻完成的晶圆进行球状缺陷分析，球状缺陷分布结果参见图6， 通过缺陷逐一排查，球状缺陷相较于原有方式明显减少，球状缺陷的数量约为10 个。
实施例2
本实施例除步骤2)外与实施例1相同，本实施例中步骤2)为：
将晶圆在涂胶腔内涂覆底部抗反射涂层，静置60s。
对本实施例光刻完成的晶圆进行球状缺陷分析，球状缺陷分布结果参见图7， 通过缺陷逐一排查，球状缺陷相较于原有方式明显减少，缺陷数量约2到3个， 对于一般的半导体晶圆制程这个数量的缺陷是可以接受的。
实施例3
本实施例除步骤2)外与实施例1相同，本实施例中步骤2)为：
将晶圆在涂胶腔内涂覆底部抗反射涂层，静置70s。
对本实施例光刻完成的晶圆进行球状缺陷分析，球状缺陷分布结果参见图8， 通过缺陷逐一排查，未发现有球状缺陷。
重复进行10次实验，对完成的晶圆进行缺陷扫描，并进行缺陷review，未 发现球状缺陷的产生。其中，图9为抽取的其中两次的缺陷分布示意图，图9(a) 为第1次实验结果球状缺陷分布示意图，图9(b)为第8次实验结果球状缺陷分 布示意图。
实施例4
本实施例除步骤2)外与实施例1相同，本实施例中步骤2)为：
将晶圆在涂胶腔内涂覆底部抗反射涂层，静置100s。
对本实施例光刻完成的晶圆进行球状缺陷分析，球状缺陷分布结果参见图9， 通过缺陷逐一排查，未发现有球状缺陷。
以上内容仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡 是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发 明权利要求书的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将晶圆置于涂胶腔内的冷板上进行涂胶前冷却，冷却至室温；
2)将完成步骤1)的晶圆在涂胶腔内涂覆底部抗反射涂层，静置60～100s，然后传送至180℃高温热板上烘烤60s，接着传送至冷板冷却至室温；
3)对冷却至室温的晶圆进行光刻胶涂覆，然后传送到90℃低温热板烘烤60s，接着传送至冷板冷却至室温，然后进行边缘曝光；
4)将边缘曝光完成的晶圆转移至曝光机进行曝光，然后在112℃低温热板上烘焙90s，接着传送至冷板冷却至室温；
5)完成步骤4)的晶圆转移至显影腔内进行显影，显影完成后在112℃低温热板上坚膜60s，接着传送至冷板冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法，其特征在于，所述涂胶腔和显影腔为Clean Track ACT8涂胶显影一体机的涂胶腔和显影腔。
3.根据权利要求1所述的一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法，其特征在于，所述曝光机为PAS 5500-750F型深紫外光刻机。
4.根据权利要求1所述的一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法，其特征在于，所述边缘曝光的具体方式为：
在Clean Track ACT8涂胶显影一体机WEE工艺腔内，通过汞灯边缘曝光的方式将晶圆周边3mm以外的光刻胶曝光。
5.根据权利要求1所述的一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法，其特征在于，所述涂胶显影一体机和曝光机内部腔体的腔体温度为21～23℃，腔体湿度为40％～50％RH。
6.根据权利要求1所述的一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法，其特征在于，所述底部抗反射涂层采用AR10L光刻胶，光刻胶涂覆采用UV135光刻胶，显影中的显影液采用FHD-5显影液。
CN201811119730.8A 2018-09-25 2018-09-25 一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法 Pending CN109143786A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811119730.8A CN109143786A (zh) 2018-09-25 2018-09-25 一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811119730.8A CN109143786A (zh) 2018-09-25 2018-09-25 一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109143786A true CN109143786A (zh) 2019-01-04

Family

ID=64812257

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811119730.8A Pending CN109143786A (zh) 2018-09-25 2018-09-25 一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109143786A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113223937A (zh) * 2021-04-21 2021-08-06 华虹半导体(无锡)有限公司 检测barc热板烘烤形成的挥发物的方法
CN113703292A (zh) * 2021-09-02 2021-11-26 四川广义微电子股份有限公司 一种减少pi胶丝残留的方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010181557A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Sharp Corp 液晶パネルの製造方法、液晶パネルの製造装置
CN102479689A (zh) * 2010-11-25 2012-05-30 拉碧斯半导体株式会社 基板处理系统及基板处理方法
CN102560428A (zh) * 2012-03-09 2012-07-11 上海宏力半导体制造有限公司 化学气相沉积机台
CN102820245A (zh) * 2012-08-16 2012-12-12 上海华力微电子有限公司 具有存片槽的薄膜工艺系统及其存取片方法
CN103576466A (zh) * 2012-07-24 2014-02-12 无锡华润上华半导体有限公司 光刻方法
CN107168013A (zh) * 2016-03-07 2017-09-15 罗门哈斯电子材料有限责任公司 图案修整方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010181557A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Sharp Corp 液晶パネルの製造方法、液晶パネルの製造装置
CN102479689A (zh) * 2010-11-25 2012-05-30 拉碧斯半导体株式会社 基板处理系统及基板处理方法
CN102560428A (zh) * 2012-03-09 2012-07-11 上海宏力半导体制造有限公司 化学气相沉积机台
CN103576466A (zh) * 2012-07-24 2014-02-12 无锡华润上华半导体有限公司 光刻方法
CN102820245A (zh) * 2012-08-16 2012-12-12 上海华力微电子有限公司 具有存片槽的薄膜工艺系统及其存取片方法
CN107168013A (zh) * 2016-03-07 2017-09-15 罗门哈斯电子材料有限责任公司 图案修整方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113223937A (zh) * 2021-04-21 2021-08-06 华虹半导体(无锡)有限公司 检测barc热板烘烤形成的挥发物的方法
CN113223937B (zh) * 2021-04-21 2022-08-16 华虹半导体(无锡)有限公司 检测barc热板烘烤形成的挥发物的方法
CN113703292A (zh) * 2021-09-02 2021-11-26 四川广义微电子股份有限公司 一种减少pi胶丝残留的方法
CN113703292B (zh) * 2021-09-02 2024-05-17 四川广义微电子股份有限公司 一种减少pi胶丝残留的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100573320C (zh) 图形形成方法
TW497138B (en) Method for improving consistency of critical dimension
CN109143786A (zh) 一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法
JP3710717B2 (ja) 厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法
CN108803261A (zh) 方便单层正胶剥离的金属图形加工方法
CN1776523A (zh) 一种低成本简易制作光刻掩膜的方法
KR20110019711A (ko) 레지스트액 공급 장치, 레지스트액 공급 방법 및 컴퓨터로 판독가능한 기억 매체
TWI304916B (zh)
CN108594596A (zh) 一种利用pdms制作微凸透镜的方法
WO2014108039A1 (zh) 一种用于减少晶片边缘区域曝光散焦的曝光方法及光刻工艺
CN1983028A (zh) 掩膜坯及变换掩膜的制造方法
CN106802538B (zh) 超大板直写式光刻机扫描曝光方法
WO2018103751A1 (zh) 扇出型封装结构的制作方法
JP3859181B2 (ja) 導電パターン形成方法
CN102023477B (zh) 光刻方法
TWI584071B (zh) Negative photosensitive resin composition
CN102087484B (zh) 图形化蓝宝石衬底的光刻方法
JP4733192B2 (ja) 塗布処理方法及び塗布処理装置
JP2006128572A (ja) 露光条件補正方法、基板処理装置およびコンピュータプログラム
JP2010147055A (ja) 塗布処理方法及び塗布処理装置
CN102681261B (zh) 基板上隔垫物制造方法
CN101446765A (zh) 光刻显影的方法
CN1264196C (zh) 曝光掩模的制造方法及其应用
TWI802606B (zh) 微細圖案之製造方法及使用其之顯示元件之製造方法
CN113608411A (zh) 一种玻璃基底双面图形制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190104

RJ01 Rejection of invention patent application after publication