KR100762522B1 - 도포, 현상 장치 및 그 방법 - Google Patents

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야스시 하야시다
노부아키 마츠오카
요시오 기무라
잇세이 유에다
히카루 이토
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Abstract

상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있고, 공간 절약화를 도모할 수 있는 도포, 현상 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 도포, 현상 장치에 있어서, 처리 블록(S2)에, 3층의 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)과, 2층의 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)을 서로 적층하여 마련한다. 상기 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)의 각각에는, 레지스트막의 하방측 또는 상방측의 반사 방지막을 형성하는 제 1 또는 제 2 반사 방지막 유닛(31, 33)과, 도포 유닛(32)이 마련되어 있기 때문에, 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 공간 절약화를 도모할 수 있고, 또한 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있다.

Description

도포, 현상 장치 및 그 방법{COATING/DEVELOPING DEVICE AND METHOD}
도 1은 본 발명에 관한 도포, 현상 장치의 실시의 형태를 도시하는 평면도이다.
도 2는 상기 도포, 현상 장치를 도시하는 사시도이다.
도 3은 상기 도포, 현상 장치를 도시하는 측부 단면도이다.
도 4는 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 도포 유닛과 선반 유닛과 반송 수단을 도시하는 사시도이다.
도 5는 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 선반 유닛을 반송 영역측으로부터 본 정면도이다.
도 6은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 처리 블록과 인터페이스 블록을 도시하는 측부 단면도이다.
도 7a 및 7b는 각각 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 도포 유닛을 도시하는 측면도와 평면도이다.
도 8은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 인터페이스아암의 일례를 도시하는 사시도이다.
도 9는 상기 도포, 현상 장치의 다른 실시의 형태의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 10은 상기 도포, 현상 장치의 또한 다른 실시의 형태의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 11은 도 10의 도포, 현상 장치에 있어서의 처리 블록과 인터페이스 블록을 도시하는 측부 단면도이다.
도 12는 종래의 도포, 현상 장치를 도시하는 평면도이다.
부호의 설명
W 반도체 웨이퍼 20 캐리어
S1 캐리어 블록 S2 처리 블록
S3 인터페이스 블록 S4 노광 장치
S5 보조 블록 A1~A5 메인아암
B1~B5 단위 블록 C 트랜스퍼아암
D1 제 1 전달아암 D2 제 2 전달아암
E 인터페이스아암 F 제 3 전달아암
31 제 1 반사 방지막 형성 유닛 32 도포 유닛
33 제 2 반사 방지막 형성 유닛 81 검사 유닛
82 세정 유닛 100 제어부
본 발명은, 예컨대 반도체 웨이퍼나 LCD 기판(액정 디스플레이용 글래스 기판) 등의 기판에 대하여 레지스트액의 도포 처리나, 노광후의 현상 처리 등을 실행하는 도포, 현상 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스나 LCD 기판의 제조 프로세스에 있어서는, 포토리소그래피라고 불려지는 기술에 의해 기판에 대하여 레지스트 패턴의 형성이 실행되고 있다. 이 기술은, 예컨대 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 함) 등의 기판에, 레지스트액을 도포하여, 해당 웨이퍼의 표면에 액막을 형성하여, 포토 마스크를 이용하여 해당 레지스트막을 노광한 후, 현상 처리를 실행하는 것에 의해 소망하는 패턴을 얻는, 일련의 공정에 의해 실행되고 있다.
처리는, 일반적으로 레지스트액의 도포나 현상을 실행하는 도포, 현상 장치에, 노광 장치를 접속한 레지스트 패턴 형성 장치를 이용하여 실행되고, 예컨대 특허 문헌 1에 나타내는 구성이 알려져 있다. 이 장치에서는, 예컨대 도 12에 도시하는 바와 같이, 여러장의 웨이퍼(W)를 수납한 캐리어(10)가 캐리어 블록(1A)의 캐리어 스테이지(11)에 반입되고, 캐리어(10)내의 웨이퍼는 전달아암(12)에 의해 처리 블록(1B)으로 전달된다. 그리고 처리 블록(1B)내의 도포 유닛(13A)으로 반송되어, 레지스트액이 도포되어, 이어서 인터페이스 블록(1C)을 거쳐서 노광 장치(1D)로 반송된다. 노광 처리후의 웨이퍼는, 다시 처리 블록(1B)으로 되돌려져 현상 유닛(13B)에서 현상 처리가 실행되어, 본래의 캐리어(10)내로 되돌려지도록 되어 있다. 도면 중 14(14a~14c)는, 도포 유닛(13A)이나 현상 유닛(13B) 처리의 전후로 웨이퍼에 대하여 소정의 가열 처리나 냉각 처리를 실행하기 위한 가열 유닛, 냉각 유닛이나 전달 스테이지 등을 구비한 선반 유닛이다.
여기서 웨이퍼(W)는 처리 블록(1B)에 마련된 2개의 반송 수단(15A, 15B)에 의해, 도포 유닛(13A)과 현상 유닛(13B)과 선반 유닛(14a~14c)의 각 부(部) 등의, 처리 블록(1B)내에서 웨이퍼(W)가 놓여지는 모듈 사이에서 반송된다. 이 때, 웨이퍼(W)는 상기 처리가 실시되는데 있어서, 처리 예정의 모든 웨이퍼(W)에 대해서, 미리 각각이 어떤 타이밍으로 어떤 모듈에 반송될지를 정한 반송 스케쥴에 따라서 반송되고 있다.
그런데 종래에는, 도포, 현상 장치는 소정의 품종의 전용 장치로서 이용되고 있고, 품종이 다른 처리에 대해서는 별도의 장치를 이용한다는 사고방식이였지만, 최근에는 한 대의 장치에 의해서 소량 다품종의 생산에 대응할 수 있는 것이 바래지고 있다. 예컨대 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는 경우나, 레지스트막의 상하의 한쪽에 반사 방지막을 형성하는 경우, 레지스트막만으로 반사 방지막을 형성하지 않는 경우 등, 도포의 형태가 다른 경우가 있고, 이러한 품종이 다른 처리에도 적용할 수 있는 장치의 개발이 요구되고 있다. 이 경우, 도포막을 형성하기 위한 유닛이나, 현상 처리를 실행하기 위한 유닛이 동일한 처리 블록내에 마련되어 있는 구성으로서는, 하나의 처리 블록에 내장되는 유닛수가 많고, 처리 블록이 대형화하여, 점유 면적이 커져 버린다.
또한 처리 블록(1B)에 마련된 도포 유닛(13A)이나 가열 유닛 등의 모듈이나 반송 수단(15A, 15B)이 고장나거나, 반송 수단(15A, 15B)과 각 모듈의 사이에서 소 정의 타이밍으로 웨이퍼(W)의 전달을 실행할 수 없는 경우 등의 트러블이 발생하는 경우가 있고, 이 경우에는, 반송 수단(15A, 15B)의 동작을 정지하여, 장치의 가동을 정지하도록 되어 있다.
그러나 반송 수단(15A, 15B)이 정지해 버리면, 각 모듈에서는 웨이퍼(W)가 취출되지 않고, 모듈내에 그대로 남겨져 버린다. 여기서 도포 유닛(13A)으로 처리된 웨이퍼(W)는, 해당 유닛(13A)내에 놓여진 그대로 놓아두면 막질이 악화해 버려, 그 후에 반송 수단(15A, 15B)에 의한 반송을 개시해도, 소정 품질의 레지스트막을 확보할 수 없다. 이 때문에 각 모듈내에 남겨진 웨이퍼(W)는 제품이 되지 않고 회수되어, 표면에 형성된 도포막이 용제로 세정되어 재사용 된다.
그런데 최근 노광 장치의 스루풋이 커지는 경향이 있어, 이것에 맞추어 도포, 현상 장치에 있어서도 노광 장치의 스루풋에 맞춘 처리 능력이 요구되고 있다. 이 때문에 처리 블록(1B)내의 라인에 들어가는 웨이퍼(W)의 매수를 많게 하고 있기 때문에, 처리 블록(1B)내에서 트러블이 발생하면, 회수하지 않으면 안되는 웨이퍼(W)의 매수가 많아져, 세정 처리 등 웨이퍼(W)의 재생 사용을 위해 실행되는 처리의 부담이 커져 버린다. 또한 웨이퍼(W)를 회수하거나, 트러블이 있었던 장소의 확인이나 수정 작업 등을 실행하는 사이에는 장치가 가동할 수 없기 때문에, 스루풋이 저하해 버린다.
여기서 본 발명자들은, 도포, 현상 장치의 스루풋을 높이기 위해서, 노광 처리전의 모듈을 수납하는 에어리어와, 노광 처리후의 모듈을 수납하는 에어리어를 상하에 배치하여, 각각의 에어리어에 반송 수단을 마련하는 것에 의해, 반송 수단 의 부하를 경감하는 것을 검토하고 있다. 이와 같이, 도포 처리를 실행하는 에어리어와, 현상 처리를 실행하는 에어리어를 각각 상하에 배치하고, 각각의 에어리어에 반송 수단을 마련하는 구성은 특허 문헌 2에 기재되어 있다.
그러나 이러한 구성에 있어서도, 도포 처리를 실행하는 에어리어, 현상 처리를 실행하는 에어리어에서, 모듈이나 반송 수단의 고장 등의 트러블이 발생하는 경우가 있어, 상술과 동일한 문제가 발생할 우려가 있지만, 이 점에 대해서 특허 문헌 2에는 아무런 기재도 되어 있지 않다.
(특허 문헌 1) 일본 특허 공개 2004-193597호 공보
(특허 문헌 2) 일본특허 제 3337677호 공보
본 발명은, 이러한 사정하에 행해진 것으로서, 그 목적은, 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 반사 방지막을 도포하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있고, 또한 공간 절약화를 도모할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다. 또한 다른 목적은, 도포막 형성용의 단위 블록 하나에 이상이 발생한 경우라도, 스루풋의 저하를 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 도포, 현상 장치는, 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하여, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 인터페이스 블록을 거쳐서 노광 장치로 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 거쳐서 되돌아온 노광후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
a) 상기 처리 블록은, 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블록과, 상기 도포막 형성용의 단위 블록에 대하여 적층된 현상 처리용의 단위 블록을 구비하고,
b) 상기 각 단위 블록은, 약액을 기판에 도포하기 위한 액 처리 유닛과, 기판을 가열하는 가열 유닛과, 기판을 냉각하는 냉각 유닛과, 이들 유닛간에서 기판을 반송하는 단위 블록용의 반송 수단을 구비하고,
c) 상기 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블록에 마련되는 액 처리 유닛은, 기판에 레지스트액을 도포하기 위한 도포 유닛과, 레지스트액을 도포하기 전에 기판에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 제 1 반사 방지막 유닛과, 레지스트액을 도포한 후에 기판에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 제 2 반사 방지막 유닛을 포함하고, 도포막 형성용의 단위 블록에서는, 단위 블록 단위로, 기판에 대하여 레지스트막을 포함하는 도포막의 형성이 실행되는 것을 특징으로 한다.
또한 도포막 형성용의 단위 블록 하나에서 이상이 발생했을 때에, 해당 이상이 발생한 도포막 형성용의 단위 블록에 대해서는 기판의 반송을 실행하지 않고, 다른 도포막 형성용의 단위 블록에 대해서는 기판의 반송을 실행하도록 제어하는 제어부를 구비하도록 해도 좋다.
또한 각 단위 블록마다 캐리어 블록측에 마련되어, 각 단위 블록의 반송 수단과의 사이에서 기판의 전달을 실행하는 제 1 전달 스테이지를 적층하여 구성된 제 1 전달 스테이지군과, 상기 제 1 전달 스테이지끼리의 사이에서 기판의 전달을 실행하기 위한 제 1 기판 전달 수단을 구비하도록 구성해도 좋고, 각 단위 블록마다 인터페이스 블록측에 마련되어, 각 단위 블록의 반송 수단과의 사이에서 기판의 전달을 실행하는 제 2 전달 스테이지를 적층하여 구성된 제 2 전달 스테이지군과, 상기 제 2 전달 스테이지끼리의 사이에서 기판의 전달을 실행하기 위한 제 2 기판 전달 수단을 구비하도록 구성해도 좋다.
여기서 제 1 전달 스테이지군은, 캐리어 블록과 처리 블록의 사이에서 기판의 전달을 실행하기 위한 캐리어 블록용 전달 스테이지를 포함하는 것으로 하고, 제 2 전달 스테이지군은, 인터페이스 블록과 처리 블록의 사이에서 기판의 전달을 실행하기 위해 인터페이스 블록용 전달 스테이지를 포함하는 것으로 할 수 있다.
또한 처리 블록과 인터페이스 블록의 사이에, 도포막 형성후 노광 처리전 및/또는 노광 처리후 현상 처리전 및 현상 처리후의 처리를 실행하는 유닛을 구비한 보조 블록을 마련하도록 해도 좋다. 이 때 상기 보조 블록에 마련되는 유닛은, 기판 표면의 상태를 검사하기 위한, 기판에 형성된 도포막의 막두께를 검사하기 위한 막두께 검사 유닛, 노광전 및/또는 노광후의 기판을 세정하기 위한 세정 유닛, 노광 장치에서 발생하는 패턴의 위치 어긋남을 검출하기 위한 디포커스검사 장치, 레지스트액의 도포 불균일을 검출하기 위한 도포 불균일 검출 장치, 현상 처리의 불량을 검출하기 위한 현상 불량 검출 장치, 기판에 부착한 파티클수를 검출하기 위한 파티클수 검출 장치, 레지스트 도포후의 기판에 발생하는 코밋을 검출하기 위한 코밋 검출 장치, 스플래시백 검출 장치, 기판 표면의 결함을 검출하기 위한 결함 검출 장치, 현상 처리후의 기판에 잔존하는 레지스트 찌꺼기를 검출하기 위한 찌꺼기 검출 장치, 레지스트 도포 처리 및/또는 현상 처리의 불량을 검출하기 위한 불량 검출 장치, 기판 상에 형성된 레지스트막의 선폭을 측정하기 위한 선폭 측정 장치, 노광후의 기판과 포토 마스크의 중첩 정밀도를 검사하기 위한 중첩 검사 장치 중 적어도 하나이다.
또한 상기 노광 장치로서, 기판 표면에 액층을 형성하여 액침 노광하는 것을 이용하여, 상기 보조 블록에 마련되는 유닛은, 상기 액침 노광된 후의 기판을 세정하는 세정 유닛으로서도 좋다. 이 때, 상기 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블록에 대하여, 레지스트막이 형성된 기판에 대하여, 상기 레지스트막의 위에 발수성의 보호막을 형성하기 위한 도포막 형성용의 단위 블록을 또한 적층하여 마련하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명은, 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하고, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 인터페이스 블록을 거쳐서 노광 장치로 반송하여, 상기 인터페이스 블록을 거쳐서 되돌아온 노광후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
a) 상기 처리 블록은, 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블록과, 상기 도포막 형성용의 단위 블록에 대하여 적층된 현상 처리용의 단위 블록을 구비하고,
b) 상기 각 단위 블록은, 약액을 기판에 도포하기 위한 액 처리 유닛과, 기 판을 가열하는 가열 유닛과, 기판을 냉각하는 냉각 유닛과, 이들 유닛의 사이에서 기판을 반송하는 단위 블록용의 반송 수단을 구비하고,
c) 상기 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블록에 마련되는 액 처리 유닛은, 기판에 레지스트액을 도포하기 위한 도포 유닛과, 레지스트액을 도포하기 전에 기판에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 제 1 반사 방지막 유닛과, 레지스트액을 도포한 후에 기판에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 제 2 반사 방지막 유닛을 포함하고, 도포막 형성용의 단위 블록에서는, 단위 블록 단위로, 기판에 대하여 레지스트막을 포함하는 도포막의 형성이 실행되는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치에서 실행되는 도포, 현상 방법에 있어서,
상기 도포막 형성용의 단위 블록 하나에서 이상이 발생했을 때에, 해당 이상이 발생한 도포막 형성용의 단위 블록에 대해서는 기판의 반송을 실행하지 않고, 다른 도포막 형성용의 단위 블록에 대해서는 기판의 반송을 실행하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 관한 도포, 현상 장치의 제 1 실시의 형태에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 발명의 도포, 현상 장치를 레지스트 패턴 형성 장치에 적용한 경우의 1 실시의 형태의 평면도를 도시하고, 도 2는 동 개략 사시도, 도 3은 동 개략 측면도이다. 이 장치는, 기판인 웨이퍼(W)가 예컨대 13장 밀폐 수납된 캐리어(20)를 반출입하기 위한 캐리어 블록(S1)과, 복수개 예컨대 5개의 단위 블록(B1~B5)을 세로로 배열하여 구성한 처리 블록(S2)과, 인터페이스 블록(S3)과, 노광 장치(S4)를 구비하고 있다.
상기 캐리어 블록(S1)에는, 상기 캐리어(20)를 복수개 탑재 가능한 탑재대(21)와, 이 탑재대(21)로부터 보아 전방의 벽면에 마련되는 개폐부(22)와, 개폐부(22)를 거쳐서 캐리어(20)로부터 웨이퍼(W)를 출력하기 위한 트랜스퍼아암(C)이 마련되어 있다. 이 트랜스퍼아암(C)은, 후술하는 단위 블록(B1, B2)의 전달 스테이지(TRS1, TRS2)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 실행하도록, 진퇴, 승강이 자유롭게, 연직축을 중심으로 회전이 자유롭게, 캐리어(20)의 배열 방향으로 이동이 자유롭게 구성되어 있다.
캐리어 블록(S1)의 내측에는 하우징(24)으로 주위를 둘러싸는 처리 블록(S2)이 접속되어 있다. 처리 블록(S2)은, 복수개 예컨대 5개의 단위 블록(B1~B5)을 적층하여 구성되어 있고, 이 예에서는, 하방측으로부터 제 1, 제 2 단위 블록(B1, B2)이 현상 처리를 실행하기 위한 단위 블록, 그 위의 3단의 제 3~제 5 단위 블록(B3~B5)이, 웨이퍼(W)에 대하여 도포액의 도포 처리를 실행하기 위한 도포막 형성용의 단위 블록으로서 할당되어 있다.
계속해서 제 1~제 5 단위 블록(B(B1~B5))의 구성에 대하여 설명한다. 이들 각 단위 블록(B1~B5)은, 웨이퍼(W)에 대하여 약액을 도포하기 위한 액 처리 유닛과, 상기 액 처리 유닛에서 실행되는 처리의 전처리 및 후처리를 실행하기 위한 각종 가열/냉각계의 처리 유닛과, 상기 액 처리 유닛과 가열/냉각계의 처리 유닛의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 실행하기 위한 전용 반송 수단인 메인아암(A1~A5)을 구비하고 있다.
상기 단위 블록(B1~B5)은, 이 예에서는, 각 단위 블록(B1~B5)의 사이에서, 상기 액 처리 유닛과, 가열/냉각계의 처리 유닛과, 반송 수단과의 배치 레이아웃이 동일하게 되도록 형성되어 있다. 여기서 배치 레이아웃이 동일하다는 것은, 각 처리 유닛에 있어서의 웨이퍼(W)를 탑재하는 중심 즉 액 처리 유닛에 있어서의 후술하는 스핀척의 중심이나, 가열 유닛이나 냉각 유닛에 있어서의 가열 플레이트나 냉각 플레이트의 중심이 동일하다는 의미이다.
도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)은 동일하게 구성되어 있기 때문에, 도 4에 도시하는 도포막 형성용의 제 3 단위 블록(B3)을 예로 하여 이하에 설명한다. 이 단위 블록(B3)의 거의 중앙에는, 해당 단위 블록(B3)의 길이 방향(도면 중 Y축 방향)으로, 캐리어 블록(S1)과 인터페이스 블록(S3)을 접속하기 위한, 웨이퍼(W)의 반송 영역(R1)이 형성되어 있다. 이 반송 영역(R1)의 캐리어 블록(S1)측에서 본 양측에는, 전방측(캐리어 블록(S1)측)으로부터 내측을 향하여 우측에, 상기 액 처리 유닛으로서, 레지스트막의 하층측의 반사 방지막(이하「제 1 반사 방지막」이라고 함)을 형성하기 위해서, 웨이퍼(W)에 대하여 제 1 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 제 1 반사 방지막 유닛(31)과, 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하기 위한 도포 유닛(32)과, 레지스트막의 상층측의 반사 방지막(이하「제 2 반사 방지막」이라고 함)을 형성하기 위해서, 웨이퍼(W)에 대하여 제 2 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 제 2 반사 방지막 유닛(33)이 각각 상기 반송 영역(R1)에 따라 나란히 마련되어 있다.
또한 반송 영역(R1)의 전방측으로부터 내측을 향하여 좌측에는, 가열/냉각계의 유닛을 다단(多段)화한 선반 유닛(U1)이 마련되어 있고, 이 선반 유닛(U1)은, 도포 유닛(32)이나 제 1 및 제 2 반사 방지막 유닛(31, 33)에서 실행되는 처리의 전처리 및 후처리를 실행하기 위한 각종 유닛을, 복수단 예컨대 2단에, 복수열 예컨대 4열에 걸쳐 적층한 구성으로 되어 있다. 이리 하여 상기 반송 영역(R1)은 구획되어 있고, 예컨대 이 구획된 반송 영역(R1)에 청정 에어를 분출시켜 배기하는 것에 의해, 해당 영역내 파티클의 부유(浮遊)를 억제하도록 되어 있다.
상술한 전처리 및 후처리를 실행하기 위한 각종 유닛 중에는, 예컨대 도 4 및 도 5(선반 유닛(U1)을 반송 영역(R1)측에서 본 도면)에 도시하는 바와 같이, 제 1 반사 방지막용 약액의 도포전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 조정하기 위한 냉각 유닛(COL31), 레지스트액의 도포전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 조정하기 위한 냉각 유닛(COL32), 제 2 반사 방지막용 약액의 도포전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 조정하기 위한 냉각 유닛(COL33), 제 1 반사 방지막용 약액의 도포후에 웨이퍼(W)의 가열 처리를 실행하기 위한 가열 유닛(CHP31), 레지스트액의 도포후에 웨이퍼(W)의 가열 처리를 실행하기 위한 예컨대 프리베이킹 유닛 등으로 불려지고 있는 가열 유닛(CHP32), 제 2 반사 방지막용 약액의 도포후에 웨이퍼(W)의 가열 처리를 실행하기 위한 가열 유닛(CHP33), 레지스트액과 웨이퍼(W)의 밀착성을 향상시키기 위한 소수(疎水)화 처리 유닛(ADH), 웨이퍼(W)의 에지부만을 선택적으로 노광하기 위한 주연 노광 장치(WEE) 등이 포함되어 있다.
또한 냉각 유닛(COL31~33)이나 가열 유닛(CHP31~33) 등의 각 처리 유닛은, 각각 처리 용기(41)내에 수납되어 있고, 선반 유닛(U1)은, 상기 처리 용기(41)가 4열에 걸쳐 2단으로 적층되어 구성되고, 각 처리 용기(41)의 반송 영역(R1)에 임하는 면에는 웨이퍼 반입출구(42)가 형성되어 있다. 도 4 중(43)은, 해당 단위 블록(B3)의 베이스 플레이트이며, 단위 블록(B2)과 칸막이 벽을 이루는 것이다.
상기 반송 영역(R1)에는 상기 메인아암(A3)이 마련되어 있다. 이 메인아암(A3)은, 해당 제 3 단위 블록(B3)내의 모든 모듈(웨이퍼(W)가 놓여지는 장소), 예컨대 선반 유닛(U1)의 각 처리 유닛, 제 1 및 제 2 반사 방지막 유닛(31, 33), 도포 유닛(32), 후술하는 선반 유닛(U2)과 선반 유닛(U3)의 각 부에서 웨이퍼의 전달을 실행하도록 구성되어 있고, 이 때문에 진퇴, 승강이 자유롭게, 연직축을 중심으로 회전이 자유롭게, Y축 방향으로 이동이 자유롭게 구성되어 있다.
또한 반송 영역(R1)의 캐리어 블록(S1)과 인접하는 영역은, 제 1 웨이퍼 전달 영역(R2)으로 되어있고, 이 영역(R2)에는, 도 1 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 트랜스퍼아암(C)과 메인아암(A3)이 액세스할 수 있는 위치에 선반 유닛(U2)이 마련됨과 동시에, 이 선반 유닛(U2)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 실행하기 위한 제 1 기판 전달 수단을 행하는 제 1 전달아암(D1)을 구비하고 있다.
상기 선반 유닛(U2)은, 도 3에 도시하는 바와 같이, 해당 단위 블록(B3)의 메인아암(A3)과, 다른 단위 블록(B1, B2, B4, B5)의 메인아암(A1, A2, A4, A5)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 실행하기 위한 1개 이상 예컨대 2개의 제 1 전달 스테이지(TRS3)를 구비하고 있다. 이 예에서는, 각 단위 블록(B1~B5)은, 선반 유닛(U2)에 1개 이상 예컨대 2개의 제 1 전달 스테이지(TRS1~TRS5)를 구비하고 있고, 이에 의해 선반 유닛(U2)은, 제 1 전달 스테이지가 여러단(多段)으로 적층된 제 1 전달 스테이지군을 구성하고 있다. 또한 상기 제 1 전달아암(D1)은 각 제 1 전달 스테이지(TRS1~TRS5)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 실행할 수 있도록, 진퇴 및 승강이 자유롭게 구성되어 있다.
여기서 상기 제 1 및 제 2 단위 블록(B1, B2)의 제 1 전달 스테이지(TRS1, TRS2)는, 이 예로서는 트랜스퍼아암(C)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 실행되도록 구성되고, 캐리어 블록용 전달 스테이지에 상당한다. 또한 이 예에서는, 제 2 단위 블록(B2)은 제 1 전달 스테이지로서 예컨대 2개의 TRS-F를 또한 구비하고 있고, 이 전달 스테이지(TRS-F)는 트랜스퍼아암(C)에 의해 웨이퍼(W)를 처리 블록(S2)에 반입하기 위한 전용 전달 스테이지로서 이용된다. 이 전달 스테이지(TRS-F)도 캐리어 블록용 전달 스테이지에 상당하여, 제 1 단위 블록(B1)에 마련하도록 해도 좋다. 또한 이 전달 스테이지(TRS-F)를 별개로 마련하지 않고, 전달 스테이지(TRS1, TRS2)를 이용하여, 트랜스퍼아암(C)에 의해 웨이퍼(W)를 처리 블록(S2)에 반입하도록 해도 좋다.
또한 반송 영역(R1)의 인터페이스 블록(S3)과 인접하는 영역은, 제 2 웨이퍼 전달 영역(R3)으로 되어있고, 이 영역(R3)에는, 도 1, 3에 도시하는 바와 같이, 메인아암(A3)이 액세스할 수 있는 위치에 선반 유닛(U3)이 마련됨과 동시에, 이 선반 유닛(U3)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 실행하기 위한 제 2 기판 전달 수단을 행하는 제 2 전달아암(D2)을 구비하고 있다.
상기 선반 유닛(U3)은, 도 3 및 도 6에 도시하는 바와 같이, 해당 단위 블록 (B3)의 메인아암(A3)과, 다른 단위 블록(B1, B2, B4, B5)의 메인아암(A1, A2, A4, A5)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 실행하기 위한 1개 이상 예컨대 2개의 제 2 전달 스테이지(TRS8)를 구비하고 있다. 이 예에서는, 각 단위 블록(B1~B5)은, 선반 유닛(U3)에 1개 이상 예컨대 2개의 제 2 전달 스테이지(TRS6~TRS10)를 구비하고 있고, 이에 의해 선반 유닛(U3)은, 제 2 전달 스테이지가 여러단으로 적층된 제 2 전달 스테이지군을 구성하고 있다. 또한 상기 제 2 전달아암(D2)은 각 제 2 전달 스테이지(TRS6~TRS10)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 실행할 수 있도록, 진퇴 및 승강이 자유롭게 구성되어 있다.
이와 같이 본 실시의 형태에서는, 제 1 전달 스테이지(TRS1~TRS5)와 제 1 전달아암(D1)이 마련된 제 1 웨이퍼 전달 영역(R2)과, 제 2 전달 스테이지(TRS6~TRS10)와 제 2 전달아암(D2)이 마련된 제 2 웨이퍼 전달 영역(R3)은 5개의 단위 블록(B1~B5)끼리의 사이에서 연통된 영역으로서 형성되고, 이들 영역(R2, R3) 사이에 끼워진 반송 영역(R1)을 포함하는 영역은, 각 단위 블록끼리의 사이에 있어서 칸막이 벽에 의해 구획되도록 되어 있다. 그리고 5단으로 적층된 각 단위 블록(B1~B5)의 사이에서, 상술한 제 1 전달아암(D1)과 제 2 전달아암(D2)에 의해, 각각 제 1 전달 스테이지(TRS1~TRS5와 TRS-F), 제 2 전달 스테이지(TRS6~TRS10)을 거쳐서, 자유롭게 웨이퍼(W)의 전달을 실행할 수 있도록 구성되어 있다.
계속해서 다른 단위 블록에 대하여 도 3 및 도 5를 이용하여 간단히 설명한다. 제 4 및 제 5 단위 블록(B4, B5)는 제 3 단위 블록(B3)과 동일하게 구성되고, 제 4 단위 블록(B4)에서는, 액 처리 유닛으로서, 상기 제 1 반사 방지막 형성 유닛 (31)과, 도포 유닛(32)과, 제 2 반사 방지막 형성 유닛(33)이 마련되고, 선반 유닛(U1)에는, 제 1 반사 방지막용 약액, 레지스트액, 제 2 반사 방지막용 약액을 각각 도포하기 전에, 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 조정하기 위한 냉각 유닛(COL41, COL42, COL43), 제 1 반사 방지막용 약액, 레지스트액, 제 2 반사 방지막용 약액을 각각 도포한 후에, 웨이퍼(W)의 가열 처리를 실행하기 위한 가열 유닛(CHP41, CHP42, CHP43), 소수화 처리 유닛(ADH), 주연 노광 장치(WEE) 등이 포함되어 있다. 그리고 이 제 4 단위 블록(B4)에서는, 메인아암(A4)에 의해, 제 1 전달 스테이지(TRS4), 제 2 전달 스테이지(TRS9)와, 제 1 및 제 2 반사 방지막 유닛(31, 33)과, 도포 유닛(32)과, 선반 유닛(U1)의 각 처리 유닛에 대하여 웨이퍼(W)의 전달이 실행되도록 되어 있다.
그리고 제 5 단위 블록(B5)은, 액 처리 유닛으로서, 상기 제 1 반사 방지막 형성 유닛(31)과, 도포 유닛(32)과, 제 2 반사 방지막 형성 유닛(33)이 마련되고, 선반 유닛(U1)에는, 제 1 반사 방지막용 약액, 레지스트액, 제 2 반사 방지막용 약액을 각각 도포하기 전에, 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 조정하기 위한 냉각 유닛(COL51, COL52, COL53), 제 1 반사 방지막용 약액, 레지스트액, 제 2 반사 방지막용 약액을 각각 도포한 후에, 웨이퍼(W)의 가열 처리를 실행하기 위한 가열 유닛(CHP51, CHP52, CHP53), 소수화 처리 유닛(ADH), 주연 노광 장치(WEE) 등이 포함되어 있다. 그리고 이 제 5 단위 블록(B5)에서는, 메인아암(A5)에 의해, 제 1 전달 스테이지(TRS5), 제 2 전달 스테이지(TRS10)와, 제 1 및 제 2 반사 방지막 형성 유닛(31, 33)과, 도포 유닛(32)과, 선반 유닛(U1)의 각 처리 유닛에 대하여 웨이퍼 (W)의 전달이 실행되도록 되어 있다.
또한 제 1 및 제 2 단위 블록(B1, B2)은 동일하게 구성되고, 액 처리 유닛으로서 웨이퍼(W)에 대하여 현상 처리를 실행하기 위한 현상 유닛이 마련되고, 선반 유닛(U1)에는, 노광후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트 익스포져 베이킹(post exposure baking) 유닛 등으로 불려지고 있는 가열 유닛(PEB1, PEB2)이나, 이 가열 유닛(PEB1, PEB2)에 있어서의 처리후에 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 냉각 유닛(COL1, COL2), 현상 처리후의 웨이퍼(W)를 수분을 증발시키기 위해서 가열 처리하는 포스트 베이킹 유닛 등으로 불려지고 있는 가열 유닛(POST1, POST2)을 구비하고 있는 이외에는 제 3 단위 블록(B3)과 동일하게 구성되어 있다.
그리고 이들 제 1 및 제 2 단위 블록(B1, B2)에서는, 각각 메인아암(A1, A2)에 의해, 각각 제 1 전달 스테이지(TRS1, TRS2, TRS-F), 제 2 전달 스테이지(TRS6, TRS7)와, 현상 유닛과, 선반 유닛(U1)의 각 처리 유닛에 대하여 웨이퍼(W)의 전달이 실행되도록 되어 있다.
여기서 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)에서는, 이들 간의 칸막이 벽을 분리하여, 1개의 메인아암(A1)에 의해, 각각 제 1 전달 스테이지(TRS1, TRS2, TRS-F), 제 2 전달 스테이지(TRS6, TRS7)와, 단위 블록(B1, B2)의 현상 유닛과, 단위 블록(B1, B2)의 선반 유닛(U1)의 각 처리 유닛에 대하여 웨이퍼(W)의 전달이 실행되도록 구성해도 좋다.
또한 도 5는 이들 처리 유닛의 레이아웃의 일례를 도시하는 것으로서, 이 레이아웃은 편의상의 것이며, 처리 유닛은 가열 유닛(CHP, PEB, POST), 냉각 유닛 (COL), 소수화 처리 유닛(ADH), 주연 노광 장치(WEE)에 한하지 않고, 다른 처리 유닛을 마련하도록 해도 좋고, 실제의 장치에서는 각 처리 유닛의 처리 시간 등을 고려하여 유닛의 설치수가 결정된다.
한편, 처리 블록(S2)에 있어서의 선반 유닛(U3)의 내측에는, 인터페이스 블록(S3)을 거쳐서 노광 장치(S4)가 접속되어 있다. 인터페이스 블록(S3)에는, 처리 블록(S2)의 선반 유닛(U3)과 노광 장치(S4)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 실행하기 위한 인터페이스아암(E)과, 복수매의 웨이퍼(W)를 선반 형상으로 유지하기 위한 버퍼(83)를 구비하고 있다. 상기 인터페이스아암(E)은, 처리 블록(S2)과 노광 장치(S4)의 사이에 개재(介在)하는 웨이퍼(W)의 반송 수단을 행하는 것으로, 이 예로서는, 제 1~제 5 단위 블록(B1~B5)의 제 2 전달 스테이지(TRS6~TRS10)와 버퍼(83)의 각 부에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 하도록, 진퇴, 승강이 자유롭게, 연직축을 중심으로 로 회전이 자유롭게, X축 방향으로 이동이 자유롭게 구성되어, 이 예에서는 제 2 전달 스테이지(TRS6~TRS10)가 인터페이스 블록용 전달 스테이지에 상당한다.
상기 버퍼(83)는, 노광 장치(S4)의 스루풋과 처리 블록(S2)의 스루풋을 조정할 때나, 노광 조건의 전환의 사이에, 예컨대 도포 처리후의 웨이퍼(W)를 일단 스톡(stock)해 두어, 순차적으로 노광 장치(S4)에 반송하는 것 같은 경우에 이용된다. 이와 같이 하면, 노광 장치(S4)의 스루풋에 맞출 수 있고, 또한 로트(lot)마다, 노광 강도나 마스크종 등의 적절한 노광 조건으로 전환하여 노광 처리를 실행할 수 있다. 또한 노광 조건의 전환의 사이에도, 도포 처리는 연속하여 실행할 수 있기 때문에, 생산성이 향상한다.
또한 상기 인터페이스아암(E)은, 단위 블록(B1~B5) 중 특정한 단위 블록의 제 2 전달 스테이지에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 실행하도록 구성해도 좋고, 이 경우에는 인터페이스아암(E)이 액세스할 수 있는 제 2 전달 스테이지가 인터페이스 블록용 전달 스테이지에 상당한다.
계속해서 액 처리 유닛, 메인아암(A)(A1~A5), 제 1 및 제 2 전달아암(D1, D2), 인터페이스아암(E)의 구성에 대하여 간단히 설명한다. 우선 액 처리 유닛에 대하여, 도 7a 및 7b에 도시하는 도포 유닛(32)을 예로 하여 간단히 설명한다.
도면 중 51은, 처리 용기(50)내에 수납된 기판 유지부를 이루는 스핀척이며, 진공 흡착에 의해 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하도록 구성되어 있다. 이 스핀척(51)은 구동 기구(52)에 의해 연직축을 중심으로 회전할 수 있고, 또한 승강할 수 있게 되어 있다. 또한 스핀척(51)의 주위에는 웨이퍼(W)로부터 스핀척(51)에 걸친 측쪽 부분을 둘러싸는 컵(53)이 마련되고, 해당 컵(53)의 바닥부측에는, 오목부 형상을 이루는 액받이부(54)가 웨이퍼(W)의 주연 하방측에 전주(全周)에 걸쳐, 외측 영역과 내측 영역에 구획되어 마련되어 있고, 외측 영역의 바닥부에는 저류한 도포액 등을 배출하기 위한 드레인관(54a)이 접속되고, 내측 영역의 바닥부에는 두개의 배기관(54b)이 접속되어 있다. 또한 도시는 생략하지만, 웨이퍼(W)의 이면측을 지지하여 승강이 가능한 승강핀이 마련되어 있고, 이 승강핀과 메인아암(A)의 협동 작용에 의해 스핀척(51)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달이 실행되도록 되어 있다.
또한 도면 중 55은, 웨이퍼(W)에 대하여 도포액(레지스트액)을 공급하기 위한 약액 노즐이며, 이 약액 노즐(55)은 이동 기구(55a)에 의해, 예컨대 처리 용기 (50)의 Y방향으로 길게 마련된 가이드 레일(55b)을 따라, 컵(53)의 한쪽 단측의 외방측으로부터 다른 쪽 단부측의 외방측까지 이동, 또한 승강이 자유롭게 구성되어 있다. 도면 중 56은, 컵(53)의 외측에 마련된 약액 노즐의 대기 영역이다.
또한 도면 중(57)은, 스핀척(51)에 유지된 웨이퍼(W)의 주연부에 린스액을 공급하기 위한 사이드 린스 기구이며, 승강이 자유롭게, 연직축을 중심으로 회전이 자유롭게 구성되어 있다. 도면 중 58a은 처리 용기(50)의 천장부에 붙착된 필터 유닛, 58b는 처리 용기(50)의 바닥면에 마련된 배기부이며, 배기부(58b)로부터 소정의 배기량으로 배기함과 동시에, 필터 유닛(58a)에서 소정 유량의, 온도와 습도가 조정된 청정 기체를 공급하는 것에 의해, 처리 용기(50)내에 청정 기체의 다운 플로가 형성되어, 메인아암(A)의 반송 영역(R1)보다도 양압이 되도록 설정되어 있다. 도면 중 59은, 처리 용기(50)의 반송 영역(R1)에 임하는 면에 형성된 웨이퍼(W)의 반입출구이며, 개폐 셔터(59a)에 의해 개폐가 자유롭게 구성되어 있다.
이 도포 유닛(32)에서는, 웨이퍼(W)는 메인아암(A)에 의해 반입출구(59)를 거쳐서 처리용기(50)내에 반입되어, 도시하지 않는 승강핀과의 협동 작업에 의해, 컵(53)보다도 상방측에 위치시킨 스핀척(51)에 전달된다. 그리고 스핀척(51)을 처리 위치까지 하강시켜, 약액 노즐(55)로부터 해당 웨이퍼(W)의 중앙부에 레지스트액을 공급함과 동시에, 스핀척(51)을 회전시켜, 레지스트액을 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 넓히는 것에 의해, 해당 표면에 레지스트의 액막을 형성시킨다. 이리하여 레지스트의 액막이 형성된 웨이퍼(W)는 반입출구(59)를 거쳐서 메인아암(A)에 의해 도포 유닛(32)의 외부로 반출된다.
상기 제 1 반사 방지막 유닛(31)은, 레지스트액을 도포하기 전에 웨이퍼(W)에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 것, 제 2 반사 방지막 유닛(33)은, 레지스트액을 도포한 후에 웨이퍼(W)에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 것으로, 이들 유닛(31, 33)은, 약액 노즐로부터 각각 반사 방지막용의 약액을 공급하는 이외에는, 각각 도포 유닛(32)과 동일하게 구성된다. 그리고 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)에서는, 이들 제 1 및 제 2 반사 방지막 유닛(31, 33), 도포 유닛(32)이 각각 수납 용기(50)에 수납되고, 반송 영역(R1)에 임하도록 가로 방향(Y축 방향)으로 배열한 상태로 공통의 베이스 플레이트(43)에 마련되어 있다.
또한 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)에는, 액 처리 유닛으로서 3개의 현상 유닛이 반송 영역(R1)에 임하도록 횡방향(Y축 방향)으로 나란히 마련되지만, 이 현상 유닛은, 약액 노즐의 길이 방향에 걸쳐 현상액의 공급 영역이 형성되어 있고, 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 현상액을 공급하도록 구성되어, 세정액 노즐을 구비하는 점 이외에는, 도포 유닛과 거의 동일하게 구성되어 있다. 세정액 노즐은, 약액 노즐과 동일하게 구성되어, 이동 기구에 의해 상기 가이드 레일에 따라 이동이 자유롭게, 또한 승강이 자유롭게 구성되어 스핀척에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 세정액을 공급하도록 되어 있다.
이러한 현상 유닛에서는, 메인아암(A)에 의해 반입출구를 거쳐서 처리 용기내에 웨이퍼(W)가 반입되어, 스핀척에 웨이퍼(W)가 전달된다. 그리고 약액 노즐로부터 해당 웨이퍼(W)의 중앙부에 현상액을 공급함과 동시에, 스핀척에 의해 예컨대 웨이퍼(W)를 반회전시켜, 이에 의해 현상액을 웨이퍼(W)의 전면에 공급한다. 그리 고 소정 시간 경과 후, 세정액 노즐로부터 웨이퍼(W)에 세정액을 공급하고, 웨이퍼(W) 표면의 현상액을 씻어 없애, 그 후 웨이퍼(W)를 회전시켜 건조시키는 것에 의해 현상 처리를 종료한다.
또한 이 현상 유닛에서는, 세정액 노즐을 별개로 마련하는 대신에, 도포 유닛(32)의 사이드 린스 기구(57)와 동일한 구성의, 승강이 자유롭게, 연직축을 중심으로 회전이 자유롭게 구성된 세정 기구를 마련하여, 이에 의해, 스핀척에 유지된 웨이퍼(W)의 중앙부에 세정액을 공급하도록 해도 좋다.
또한 메인아암(A)은, 예컨대 도 4에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면측 주연 영역을 지지하기 위한 2개의 암(61, 62)을 구비하고 있고, 이들 암(61, 62)은 기대(基台)(63)를 따라 서로 독립하여 진퇴가 자유롭게 구성되어 있다. 또한 이 기대(63)는 회전 기구(64)에 의해 연직축을 중심으로 회전이 자유롭게 구성됨과 동시에, 이동 기구(65)에 의해, 선반 유닛(U1)을 지지하는 받침대부(66)의 반송 영역(R1)에 임하는 면에 붙착된 Y축 레일(67)에 따라 Y축 방향으로 이동이 자유롭고, 또한 승강 레일(68)에 따라 승강이 자유롭게 구성되어 있다. 이리하여 암(61, 62)은, 진퇴, 승강이 자유롭게, Y축 방향으로 이동이 자유롭게, 연직축을 중심으로 회전이 자유롭게 구성되어, 선반 유닛(U1)의 각 유닛이나 제 1 및 제 2 전달 스테이지, 액 처리 유닛의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 실행할 수 있도록 되어 있다. 이러한 메인아암(A)은, 후술하는 제어부로부터의 지령에 근거하여 도시하지 않는 컨트롤러에 의해 구동이 제어된다. 또한 암의 가열 유닛에서의 축열(蓄熱)을 방지하기 위해서, 웨이퍼(W)의 수취 순서를 프로그램으로 임의로 제어할 수 있게 되어 있다.
또한 상기 인터페이스아암(E)은, 예컨대 도 8에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면측 중앙 영역을 지지하기 위한 1개의 암(71)이 기대(72)를 따라 진퇴가 자유롭게 마련되어 있다. 상기 기대(72)는, 승강대(73)에 회전 기구(74)에 의해 연직축을 중심으로 회전이 자유롭게 부착되고, 상기 승강대(73)는 승강 레일(75)을 따라 승강이 자유롭게 마련되어 있다. 또한 예컨대 승강 레일(75)은, X축 레일(76)에 따라 X축 방향으로 이동이 자유롭게 마련되어 있다. 이리하여 암(71)은, 진퇴, 승강이 자유롭게, 연직축을 중심으로 회전이 자유롭게, X축 방향으로 이동이 자유롭게 구성되어, 선반 유닛(U3)의 제 2 전달 스테이지(TRS6~TRS10), 버퍼(83)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 실행할 수 있도록 되어 있다.
상기 제 1 및 제 2 전달아암(D1, D2)도, 연직축을 중심으로 회전하지 않고, X축 방향으로 이동하지 않는 이외에는, 인터페이스아암(E)과 동일하게 구성되어 있다. 이러한 제 1 및 제 2 전달아암(D1, D2), 인터페이스아암(E)은, 후술하는 제어부로부터의 지령에 근거하여 도시하지 않는 컨트롤러에 의해 구동이 제어된다.
여기서 상기 가열 유닛(CHP31~53, POST1, 2, PEB1, 2)으로서는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 가열 플레이트(45)와, 반송암을 겸용하는 냉각 플레이트(44)를 구비하여, 메인아암(A)과 가열 플레이트(45)의 사이의 웨이퍼(W)의 전달을 냉각 플레이트(44)에 의해 실행하는, 가열 냉각을 하나의 유닛으로 실행할 수 있는 구성의 장치가 이용되고, 냉각 유닛(COL1~COL53)으로서는, 예컨대 수냉 방식의 냉각 플레이트를 구비한 구성의 장치가 이용된다. 또한 상기 소수화 처리 유닛은, HMDS 분 위기 속에서 가스 처리를 실행하는 것이다.
이상으로, 상술한 레지스트 패턴 형성 장치는, 목적으로 하는 도포막에 따라 준비되는 프로세스 레시피나, 웨이퍼(W)의 반송 경로를 나타낸 반송 레시피의 작성이나 관리, 각 처리 유닛에 있어서의 처리나, 메인아암(A1~A5), 트랜스퍼아암(C), 제 1 및 제 2 전달아암(D1, D2), 인터페이스아암(E)의 구동 제어를 실행하는 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)를 구비하고 있다.
본 발명에서는, 현상 처리용의 제 1 및 제 2 단위 블록(B1, B2)과, 도포막 형성용의 제 3~제 5 단위 블록(B3~B5)이 준비되어 있으며, 각 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)에서는, 단위 블록(B3~B5)단위로 도포막이 형성되어, 이 도포막을 형성하기 위한 일련의 처리가 완결되도록 되어있다. 또한 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)에서도 단위 블록 단위로 일련의 처리가 완결되도록 되어있다.
상기 반송 레시피는, 목적으로 하는 도포막의 종류에 따라서, 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)내 및 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)내 웨이퍼(W)의 반송 경로가, 예컨대 사용되는 모듈을, 사용하는 순서에 따라 기재하는 것에 의해 작성되고, 이리 하여 제어부(100)에는, 도포막마다 복수개의 반송 레시피가 저장되어 있다. 여기서 도포막의 종류에는, 예컨대 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는 경우, 레지스트막의 상하 중 어느 한 쪽에 반사 방지막을 형성하는 경우, 반사 방지막을 형성하지 않는 경우외, 레지스트막이나 반사 방지막의 종류를 바꾼 경우나, 레지스트막이나 반사 방지막의 두께를 바꾼 경우가 있다. 동일한 도포막이란 레지스트막이나 반사 방지막 등의 종류나 두께가 동일하고, 가열 유닛이나 냉 각 유닛에서의 처리 조건(처리 온도나 처리 시간)이 동일한 것을 말하고, 이 외의 도포막은 다른 도포막으로 한다.
이리하여 제어부(100)에서는, 복수의 반송 레시피로부터, 형성하고자 하는 도포막의 종류에 따라 소정의 반송 레시피를 선택하는 것에 의해, 결과적으로 웨이퍼(W)가 반송되는 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)과, 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)이 지정되고, 지정된 단위 블록(B1~B5)에서는, 소정의 반송 경로로 웨이퍼(W)가 반송되어, 일련의 처리가 실행되도록 되어 있다.
계속해서 이 레지스트 패턴 형성 장치의 작용에 대하여, 로트(A)의 웨이퍼(W)에 대해서는, 제 3 단위 블록(B3)에서 반송 레시피(A)에 따라서 웨이퍼(W)를 반송하여 제 1 도포막을 형성하고, 로트(B)의 웨이퍼(W)에 대해서는 제 4 단위 블록(B4)에서 반송 레시피(B)에 따라서 웨이퍼(W)를 반송하여 제 2 도포막을 형성하고, 로트(C)의 웨이퍼(W)에 대해서는 제 5 단위 블록(B5)에서 반송 레시피(C)에 따라서 웨이퍼(W)를 반송하여 제 3 도포막을 형성하는 경우를 예로 하여 설명한다.
우선 처리를 실행하기 전에, 오퍼레이터가, 웨이퍼(W)의 로트와, 이 로트에 대응하는 반송 레시피를 선택한다. 구체적으로는, 예컨대 로트(A)의 웨이퍼(W)에 대해서는 반송 레시피(A)(제 3 단위 블록(B3)에서 제 1 도포막을 형성하는 레시피)를 선택하고, 로트(B)의 웨이퍼(W)에 대해서는 반송 레시피(B)(제 4 단위 블록(B4)에서 제 2 도포막을 형성하는 레시피), 로트(C)의 웨이퍼(W)에 대해서는 반송 레시피(C)(제 5 단위 블록(B5)에서 제 3 도포막을 형성하는 레시피)를 선택하여, 로트(A), 로트(B), 로트(C)의 웨이퍼(W)가 순서대로 트랜스퍼아암(C)에 의해 떨쳐 내도 록 한다. 여기서 각각의 반송 레시피에는, 현상 처리를 실행할 때의 단위 블록(B1, B2)내의 반송 경로에 대해서도 기재되어 있다.
여기서 상기 제 1 도포막은 레지스트막의 상하에 각각 반사 방지막을 형성하는 경우, 제 2 도포막은 레지스트막 상에 반사 방지막을 형성하는 경우로써, 제 3 도포막은 레지스트막의 아래에 반사 방지막을 형성하는 경우로써 설명한다. 이 때 제 1~제 3 도포막은, 각각의 레지스트의 종류가 다르고, 가열 유닛에서의 가열 온도나, 냉각 유닛에서의 냉각 온도가 다른 것으로 한다.
우선 외부로부터 로트(A)의 웨이퍼(WA)를 포함하는 캐리어(20A)와, 로트(B)의 웨이퍼(WB)를 포함하는 캐리어(20B)와, 로트(C)의 웨이퍼(WC)를 포함하는 캐리어(20C)가 캐리어 블록(S1)에 반입되어, 트랜스퍼아암(C)에 의해 이 캐리어(20A, 20B, 20C)내에서 순서대로 웨이퍼(WA), 웨이퍼(WB), 웨이퍼(WC)가 취출된다.
계속해서 웨이퍼(WA～WC)는, 트랜스퍼아암(C)에 의해, 우선 처리 블록(S2)의 선반 유닛(U2)의 제 1 전달 스테이지(TRS-F)에 순서대로 전달되고, 이어서 웨이퍼(WA)는, 제 1 전달아암(D1)에 의해 제 1 전달 스테이지(TRS3)을 거쳐서, 단위 블록(B3)의 메인아암(A3)에 전달되고, 웨이퍼(WB)는, 제 1 전달아암(D1)에 의해 제 1 전달부(TRS4)를 거쳐서, 단위 블록(B4)의 메인아암(A4)에 전달되고, 웨이퍼(WC)는, 제 1 전달아암(D1)에 의해 제 1 전달부(TRS5)를 거쳐서, 단위 블록(B5)의 메인아암(A5)에 전달된다.
그리고 제 3 단위 블록(B3)에서는, 메인아암(A3)에 의해, 냉각 유닛(COL31) → 제 1 반사 방지막 유닛(31) → 가열 유닛(CHP31)의 순서로 반송되어, 웨이퍼 (WA) 표면에 제 1 반사 방지막이 형성된다. 이어서 웨이퍼(W)는 냉각 유닛(COL32) → 도포 유닛(32) → 가열 유닛(CHP32)의 순서로 반송되어, 제 1 반사 방지막 상에 레지스트막이 형성된다. 이어서 웨이퍼(WA)는, 냉각 유닛(COL33) → 제 2 반사 방지막 유닛(33) → 가열 유닛(CHP33) → 주연 노광 장치(WEE) → 선반 유닛(U3)의 제 2 전달 스테이지(TRS8)의 순서로 반송되어, 레지스트막 상에 제 2 반사 방지막이 형성된다.
또한 제 4 단위 블록(B4)에서는, 메인아암(A4)에 의해, 소수화 처리 유닛(ADH) → 냉각 유닛(COL42) → 도포 유닛(32) → 가열 유닛(CHP42)의 순서로 반송되어, 웨이퍼(WB) 상에 레지스트막이 형성된다. 이어서 웨이퍼(WB)는, 냉각 유닛(COL43) → 제 2 반사 방지막 유닛(33) → 가열 유닛(CHP43) → 주연 노광 장치(WEE) → 선반 유닛(U3)의 제 2 전달 스테이지(TRS9)의 순서로 반송되어, 레지스트막 상에 제 2 반사 방지막이 형성된다.
또한 제 5 단위 블록(B5)에서는, 메인아암(A5)에 의해, 냉각 유닛(COL51) → 제 1 반사 방지막 유닛(31) → 가열 유닛(CHP51)의 순서로 반송되어, 웨이퍼(WC) 표면에 제 1 반사 방지막이 형성된다. 이어서 웨이퍼(WC)는 소수화 처리 유닛(ADH) → 냉각 유닛(COL52) → 도포 유닛(32) → 가열 유닛(CHP52) → 주연 노광 장치(WEE) → 선반 유닛(U3)의 제 2 전달 스테이지(TRS10)의 순서로 반송되어, 레지스트막 상에 제 2 반사 방지막이 형성된다.
계속해서 제 2 전달 스테이지(TRS8)의 웨이퍼(WA), 전달 스테이지(TRS9)의 웨이퍼(WB), 전달 스테이지(TRS10)의 웨이퍼(WC)는, 각각 인터페이스아암(E)에 의 해 노광 장치(S4)에 미리 설정된 순서로 반송되어, 여기서 소정의 노광 처리가 실행된다. 노광 처리후의 웨이퍼(WA～WC)는, 인터페이스아암(E)에 의해, 미리 설정된 반송 레시피에 따라서 제 1 및 제 2 단위 블록(B1, B2)에 웨이퍼(W)를 전달하기 위해서, 선반 유닛(U3)의 제 2 전달 스테이지(TRS6(TRS7))에 반송되고, 이 스테이지(TRS6(TRS7)) 상의 웨이퍼(W)는, 단위 블록(B1(B2))의 메인아암(A1(A2))에 받아들여져, 해당 단위 블록(B1(B2))에서, 우선 가열 유닛(PEB1(PEB2)) → 냉각 유닛(COL1(COL2)) → 현상 유닛 → 가열 유닛(POST1(POST2))의 순서로 반송되어, 소정의 현상 처리가 실행된다. 이리 하여 현상 처리가 실행된 웨이퍼(WA～WC)는, 트랜스퍼아암(C)에 웨이퍼(W)를 전달하기 위해서, 제 1 전달 스테이지(TRS1(TRS2))에 순차적으로 반송되어, 트랜스퍼아암(C)에 의해, 캐리어 블록(S1)에 탑재되어 있는 본래의 캐리어(20A, 20B, 20C)로 되돌려진다.
이러한 레지스트 패턴 형성 장치에서는, 각 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)과, 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)을 다른 에어리어에 마련하여, 각각에 전용 메인아암(A)을 마련했기 때문에, 메인아암(A)의 부하가 경감한다. 이 때문에 메인아암(A)의 반송 효율이 향상하기 때문에, 결과적으로 스루풋을 높일 수 있다.
또한 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)의 각각에, 제 1 반사 방지막 유닛(31), 도포 유닛(32), 제 2 반사 방지막 유닛(33)을 구비하고 있기 때문에, 반송 레시피에 의해 선택하는 것에 의해, 하나의 단위 블록(B3(B4, B5))에서 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있다. 또한 복수의 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)을 서로 적층하여 마련하는 것에 의해, 품종이 다른 도포막의 형성에 대응하기 위해서 모듈수가 많아져도, 이들 모듈을 각 단위 블록(B3~B5)에 분산하여 마련할 수 있기 때문에, 처리 블록(S2)의 대형화를 억제하여, 공간 절약화를 도모할 수 있다.
또한 상술한 실시의 형태로 반사 방지막을 형성하지 않는 처리를 실행하는 경우에는, 예컨대 웨이퍼(W)는, 캐리어(20) → 트랜스퍼아암(C) → 선반 유닛(U2)의 제 1 전달 스테이지(TRS-F) → 제 1 전달아암(D1) → 제 1 전달 스테이지(TRS3~TRS5) → 단위 블록(B3~B5)의 메인아암(A3~A5) → 소수화 처리 유닛(ADH) → 냉각 유닛(COL32~COL52) → 도포 유닛(32) → 가열 유닛(CHP32~CHP52) → 주연 노광 장치(WEE) → 선반 유닛(U3)의 제 2 전달 스테이지(TRS8~TRS10) → 인터페이스아암(E) → 노광 장치(S4) → 인터페이스아암(E) → 제 2 전달 스테이지(TRS6, TRS7) → 단위 블록(B1, B2)의 경로로 반송된다.
이 때, 반송 레시피를 지정하는 것에 의해, 각 단위 블록(B3~B5)에서는, 각각 독립하여 웨이퍼(W)의 반송이 실행되고, 예컨대 제 3 단위 블록(B3)에서 제 1 도포막을 형성하는 처리와, 제 4 단위 블록(B4)에서 제 2 도포막을 형성하는 처리와 제 5 단위 블록(B5)에서 제 3 도포막을 형성하는 처리가 동시에 실행된다. 이 때문에 복수의 단위 블록에서 다른 처리를 동시에 실행할 수 있기 때문에, 소량 다품종의 도포막 형성에 적합하다. 여기서 동시에 도포막의 형성이 실행된다는 것은, 단위 블록(B3~B5)의 적어도 2개의 단위 블록내에 웨이퍼(W)가 놓여져 있는 상태를 말한다.
또한 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5) 중 어느 하나, 또는 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2) 중 어느 하나에서, 처리의 도중에 액 처리 유닛이나 가열 유닛 등의 모듈이나 메인아암(A1~A5)이 고장나거나, 메인아암(A1~A5)과 각 모듈의 사이에서 소정의 타이밍으로 웨이퍼(W)의 전달을 실행 할 수 없는 경우 등의 어떠한 이상이 발생한 경우, 해당 단위 블록으로의 웨이퍼(W)의 반송을 정지하는 한편, 다른 나머지 단위 블록에는 웨이퍼(W)의 반송을 속행하는 것에 의해, 처리를 속행할 수 있다.
이 경우에는, 제어부(100)에, 어떤 단위 블록에서 문제가 발생한 시점에서, 해당 단위 블록에서는 메인아암을 정지하는 프로그램과, 이 때 알람 등으로 오퍼레이터에 알리는 프로그램과, 예컨대 트랜스퍼아암(C)에, 트러블이 발생한 단위 블록에는 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 지령을 출력하는 프로그램과, 트랜스퍼아암(C)에, 트러블이 발생한 단위 블록 이외의 단위 블록에는 웨이퍼(W)를 반송하는 지령을 출력하는 프로그램을 저장해 둔다.
이에 의해 트러블이 발생한 단위 블록에 대해서는 웨이퍼(W)의 반송이 정지되고, 그 이외의 단위 블록에서는 웨이퍼(W)의 반송이 실행되어, 소정의 처리가 속행된다. 이 때문에 트러블이 발생한 단위 블록 이외의 단위 블록에서는 장치를 가동시킬 수 있기 때문에, 장치를 정지하는 경우와 비교해서 스루풋을 높게 할 수 있다.
여기서 예컨대 3개의 도포막 형성용의 단위 블록을 이용하여 처리를 실행하고 있는 경우에는, 이들 3개의 단위 블록 각각에 웨이퍼(W)가 분산되도록 반송되기 때문에, 하나의 처리 블록에 도포 유닛이나 현상 유닛, 가열 유닛 등의 모든 모듈 이 마련되어 있는 경우와 비교해서, 하나의 단위 블록내에 체재하는 웨이퍼(W)가 적다. 따라서 하나의 단위 블록에서 트러블이 있었다고 해도, 이 단위 블록내에 존재하여, 처리가 도중에서 중단되었기 때문에 회수되는 웨이퍼(W)가, 상기 하나의 처리 블록(S)에 모든 모듈이 마련되어 있는 경우와 비교해서 적다. 이 때문에 예컨대 세정 처리 등의, 상기 회수된 웨이퍼(W)를 재사용하기 위한 처리의 부담이 적어진다.
또한 상술 한 바와 같이 로트(A), 로트(B), 로트(C)의 처리를 병렬로 실행하는 것이 아니라, 우선 로트(A)의 웨이퍼(W)에 대하여 제 1 도포막 형성을 실행한 후, 이어서 로트(B)의 웨이퍼(W)에 대하여 제 2 도포막 형성을 실행하는 경우를 상정하면, 도포 유닛이나 현상 유닛이나 가열 유닛 등의 모듈이 동일한 처리 블록에 마련되어 있는 구성에서는, 이들 제 1 도포막과 제 2 도포막은 가열 유닛에 있어서의 웨이퍼(W)의 가열 온도가 다르기 때문에, 제 1 도포막과 제 2 도포막의 로트 전환시에, 상기 가열 온도의 조정을 실행해야 한다. 이 때 이 온도의 조정에 어느 정도의 시간이 걸리기 때문에, 로트(A)의 처리가 종료하고 나서 로트(B)의 처리를 개시할 때까지 어느 정도의 시간이 필요하고, 장치가 가동하지 않는 시간이 길어져, 스루풋이 저하해 버린다.
이에 대하여 본 발명과 같이, 복수의 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)을 구비하는 경우에는, 어느 하나의 단위 블록에서 로트(A)의 웨이퍼(W)에 대하여 제 1 도포막의 형성을 실행한 후, 이어서 상기 제 1 도포막의 형성을 실행하는 단위 블록과는 별도의 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)에서 로트(B)의 웨이퍼(W)에 대 하여 제 2 도포막의 형성을 실행하도록, 웨이퍼(W)의 반송을 실행하는 것에 의해, 로트(B)의 웨이퍼(W)를 반송하는 단위 블록에서 미리 가열 유닛의 온도 조정을 실행할 수 있기 때문에, 로트(A)의 처리가 종료하고 나서, 즉시 로트(B)의 처리를 개시할 수 있고, 장치가 가동하지 않는 시간이 발생하지 않기 때문에, 스루풋의 저하가 억제된다는 이점도 있다.
또한 또 상술의 실시의 형태에서는, 하나의 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)에서, 노광 처리전까지의 도포막 형성을 위한 일련의 처리를 완결하고 있기 때문에, 상기 도포막의 형성을 하나의 단위 블록(B3~B5)내에서 실행할 수 있고, 도포막 형성을 위해서 다른 단위 블록에 웨이퍼(W)를 반송하는 경우와 비교해서, 단위 블록끼리의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송이 없기 때문에, 경로가 단순화하고, 웨이퍼(W)의 반송 효율을 높일 수 있다.
또한 5층의 단위 블록(B1~B5)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 실행하기 위한 전달아암과 전달 스테이지를, 처리 블록(S2)의 캐리어 블록(S1)에 인접하는 영역과, 인터페이스 블록(S3)에 인접하는 영역의 양쪽에 마련하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)를 캐리어 블록(B) → 각 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5) → 인터페이스 블록(B)과 일방향으로 스무스하게 반송할 수 있어, 반송 경로가 단순화되기 때문에, 반송 효율이 높아진다.
또한 또 각 단위 블록간의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 실행하기 위한 제 1 및 제 2 전달 스테이지(TRS1~TRS10)와, 이 전달 스테이지에 액세스하기 위한 전용 전달아암(D1, D2)을 마련하고 있기 때문에, 각 단위 블록간의 웨이퍼(W) 반송계의 구성이 심플하게 된다.
여기서 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)이나, 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)은, 기술한 바와 같이 각각 같은 단위 블록에 의해 구성되어, 즉 액처리 유닛, 가열 유닛, 냉각 유닛, 메인아암(A)의 배치 레이아웃이 도포막 형성용의 단위 블록끼리, 현상 처리용의 단위 블록끼리의 사이에서 동일하게 되도록 구성되어 있기 때문에, 도포액이나 현상액 등의 약액의 배관이나, 배액로나 배기로 등의 배관을 가깝게 정리할 수 있고, 또한 전기 계통의 케이블 등도 가깝게 정리할 수 있어, 상기 배관이나 케이블 등의 이동이 단순화되어, 조립 작업이 쉬워진다. 이 때문에 제조에 요하는 시간의 단축을 도모함과 동시에, 제조 스루풋이 높아지기 때문에 제조 코스트를 저감할 수 있다.
또한 이와 같이 도포막 형성용의 단위 블록, 현상 처리용의 단위 블록으로서, 각각 같은 단위 블록을 제조하면 되기 때문에, 구성이 다른 단위 블록을 제조하는 경우와 비교해서 제조 작업이 쉬워져, 제조 미스가 적어진다. 이 때문에 제조 스루풋이 높아져, 제조 코스트를 저감할 수 있다. 또한 공통의 부재를 이용할 수 있기 때문에, 이 점으로부터도 제조 코스트 저감에 공헌할 수 있다. 또한 동일한 단위 블록에 의해 구성하면, 기술한 바와 같이 제조 미스가 적어지기 때문에, 정밀도가 높아져, 조정이 쉬워진다. 이 때문에, 조정에 요하는 시간이 단축된다는 이점도 있다.
이상으로 이 실시의 형태에서는, 트랜스퍼아암(C)이 모든 단위 블록(B1~B5)의 제 1 전달 스테이지(TRS1~TRS5)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 실행하도록 구성 해도 좋고, 인터페이스아암(E)이 단위 블록(B1~B5)내 중 어느 하나의 제 2 전달 스테이지(TRS6~TRS10)와의 사이에서만 웨이퍼(W)의 전달을 실행하도록 구성해도 좋다.
계속해서 본 발명의 제 2 실시의 형태에 대하여 도 9에 근거하여 설명한다. 이 예는, 노광 장치(S4)로서, 웨이퍼(W)의 표면에 액층을 형성하여 액침 노광을 실행하는 장치를 이용함과 동시에, 처리 블록(S2)과 인터페이스 블록(S3)의 사이에 보조 블록(S5)을 마련하고, 또한 도포막 형성용의 단위 블록으로서, 예컨대 제 5 단위 블록(B5)의 상층측에, 제 2 반사 방지막 상에 발수성의 보호막을 형성하기 위한 유닛을 가지는 단위 블록(도시하지 않음)을 또한 적층하여 마련하는 예이다. 상기 발수성의 보호막을 형성하기 위한 유닛은, 액침 노광 대응시에 요구되는 액 처리 유닛인, 액침 노광될 때의 액체가 레지스트에 함침(含浸)되는 것을 막기 위한 보호막을 도포하는 발수성 보호막 도포 유닛이고, 또한 이 단위 블록에는 노광후의 보호막의 제거나 노광 전후로 웨이퍼(W)에 부착한 파티클이나, 노광에 지장을 초래하는 성분을 제거 세정하기 위한 세정 유닛이 마련되어도 좋다.
상기 보조 블록(S5)에는, 도포막 형성후 노광 처리전 및/또는 노광 처리후 현상 처리전 및 현상 처리후의 처리를 실행하는 유닛, 예컨대 도포막 형성후 노광 처리전에 실행하는 검사나, 노광 처리후 현상 처리전의 검사나, 현상 처리후의 검사를 실행하기 위한 검사 유닛(81)이나, 액침 노광후의 예컨대 세정 처리를 실행하기 위한 세정 유닛(82)과, 인터페이스 블록(S3)의 인터페이스아암(E)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 실행하기 위한 전달 스테이지(TRS)를 여러단으로 마련한 선반 유닛(U4)과, 처리 블록(S2)의 선반 유닛(U3)의 예컨대 전달 스테이지(TRS6~TRS10)와, 검사 유닛(81)과, 세정 유닛(82)과, 선반 유닛(U4)의 각 부에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 실행하기 위한 제 3 전달아암(F)을 구비하고 있다. 이들 검사 유닛(81)이나 세정 유닛(82)은 여러단으로 구성되어도 좋고, 전달아암(F)의 양측에, 세정 유닛(82) 또는 검사 유닛(81)만을 마련하도록 해도 좋고, 배치는 자유자재이다.
상기 제 3 전달아암(F)은, 진퇴, 승강이 자유롭게, 연직축을 중심으로 회전이 자유롭게 구성되고, 상기 도포막 형성후 노광 처리전에 실행하는 검사로서는, 도포막의 막두께 검사나 이물 검사 등이 있고, 노광 처리후 현상 처리전에 실행하는 검사로서는, 노광 중첩 검사 등이 있다. 또한 이에 한하지 않고, 기판 상의 얼라인먼트 마크를 검출하는 유닛이나, 레이저 처리에 의해 막을 일부 제거하는 유닛을 마련하도록 해도 좋다.
그리고 상기 보조 블록에 마련되는 유닛으로서는, 웨이퍼 표면의 상태를 검사하기 위한, 예컨대 웨이퍼(W)에 형성된 도포막의 막두께를 검사하기 위한 막두께 검사 유닛, 레지스트액의 도포 불균일을 검출하기 위한 도포 불균일 검출 장치, 노광전 및/또는 노광후의 기판을 세정하기 위한 세정 유닛, 노광 장치에서 발생하는 패턴의 위치 어긋남을 검출하기 위한 디포커스 검사 장치, 현상 처리의 불량을 검출하기 위한 현상 불량 검출 장치, 웨이퍼(W)에 부착한 파티클수를 검출하기 위한 파티클수 검출 장치, 레지스트 도포후의 웨이퍼(W) 표면에 레지스트액중의 기포나 이물질에 의해서 발생하는 코밋을 검출하기 위한 코밋 검출 장치, 웨이퍼(W) 표면으로부터 뛰어 나온 레지스트액의 용제가 웨이퍼(W)에 재부착하는 스플래시백 (splash back)을 검출하는 스플래시백 검출 장치, 웨이퍼(W) 표면의 동일 장소에 동일한 형상으로 나타나는 공통 결함을 검출하는 공통 결함 검출 장치, 현상 처리후의 웨이퍼(W)에 잔존하는 레지스트 찌꺼기를 검출하기 위한 찌꺼기 검출 장치, 레지스트 도포 처리 및/또는 현상 처리가 되어 있지 않은 불량을 검출하기 위한 무-레지스트, 무-현상 검사 장치(불량 검출 장치), 웨이퍼(W) 상에 형성된 레지스트막의 선폭을 측정하기 위한 선폭 측정 장치, 노광 장치에서 노광된 웨이퍼(W)와 포토 마스크와의 중첩 정밀도를 규격값과 비교하여 검사하기 위한 중첩 검사 장치의 적어도 하나가 마련된다.
상기 디포커스 검사는 미리 등록된 바른 패턴과의 비교에 의해서 노광 장치에 있어서의 초점 흐림을 검출하는 것이고, 선폭 측정 장치란, 예컨대 미리 등록된 바른 패턴과의 비교에 의해서 노광 장치에 있어서의 노광량이나 노광 시간이 적정한지 어떤지를 검출하는 것으로, 중첩 검사 장치란, 예컨대 하층의 패턴과 비교할 수 있도록 된 특정 부위의 패턴을, 미리 등록된 바른 패턴과 비교하는 것에 의해 노광 장치에 있어서의 노광 위치의 위치 어긋남을 검출하는 것이다.
이러한 구성에서는, 웨이퍼(W)에 대하여 노광후에 세정 처리를 실행하는 경우에는, 예컨대 상술한 제 1 실시의 형태와 동일하게, 웨이퍼(W)는, 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)에서 제 2 반사 방지막을 형성한 후, 발수성의 보호막을 형성하기 위한 단위 블록에 반송되고, 이어서 선반 유닛(U3)의 제 2 전달 스테이지를 거쳐서 보조 블록(S5)의 제 3 전달아암(F) → 선반 유닛(U4)의 전달 스테이지 → 인터페이스 블록(S3)의 인터페이스아암(E) → 노광 장치(S4)의 경로로 반송되고, 노광후의 웨이퍼(W)는, 인터페이스 블록(S3)의 인터페이스아암(E) → 보조 블록(S5)의 선반 유닛(U4)의 전달 스테이지 → 제 3 전달아암(F) → 세정 유닛(82) → 제 3 전달아암(F) → 선반 유닛(U3)의 전달 스테이지(TRS6, TRS7) → 메인아암(A1, A2) → 단위 블록(B1, B2)의 경로로 반송된다. 또한 선반 유닛(U4)은, 노광전, 또는 노광후의 웨이퍼(W)를 복수매, 스톡할 수 있도록 구성해도 좋고, 이 경우에는, 도 1 장치의 인터페이스 블록(S3)에 마련되는 버퍼(83)와 동일한 목적으로 이용된다.
또한 각종 검사를 실행하는 경우에는, 일정한 매수 간격으로 빼내어진 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 검사가 실행된다. 예컨대 도포막 형성후의 검사의 경우에는, 노광 장치(S4)에 반송되기 전에 보조 블록(S5)에서 검사가 실행되고, 노광후의 검사의 경우에는 노광 장치(S4)로부터 보조 블록(S5)에 되돌아온 웨이퍼(W)에 대하여 검사가 실행되고, 현상 처리후의 검사의 경우에는 처리 블록(S2)에서 현상 처리를 실행한 후, 다시 보조 블록(S5)에 웨이퍼(W)를 반송하여 검사가 실행된다.
여기서 상기 제 2 반사 방지막 상에 발수성의 보호막을 형성하는 것은, 해당 보호막에 의해 액침 노광시의 액체를 튀겨내어, 상기 액체를 웨이퍼(W)의 표면에 남기 어렵게 하기 위해서이며, 예컨대 웨이퍼(W)의 표면 및 주연부 이면측에 형성된다. 또한 액침 노광후의 세정 처리는, 상기 보호막이 웨이퍼(W)로부터 벗겨져 파티클의 발생 원인이 되는 것을 억제하기 위해서, 이 보호막을 제거하기 위해서 실행되는 것으로, 예컨대 웨이퍼(W)의 표면 및 이면측 주연부에 상기 보호막을 제거하기 위한 약액을 공급하여 상기 보호막을 제거하고, 이어서 상기 약액을 세정하 기 위한 세정액을 공급하는 것에 의해 실행된다.
이 실시의 형태에서는, 처리 블록(S2)과 인터페이스 블록(S3)의 사이에, 검사 유닛이나 세정 유닛을 구비한 보조 블록(S5)을 마련했기 때문에, 예컨대 상기 도포막 형성후 노광 처리전에 검사나 세정을 실행하는 경우, 및/또는 노광 처리후 현상 처리전에 검사나 세정을 실행하는 경우, 및 현상 처리후에 검사나 세정을 하는 경우에, 처리 블록(S2)과 인터페이스 블록(S3)의 사이의 웨이퍼(W)의 통로에서, 상기 검사나 세정을 할 수 있다. 이 때문에 웨이퍼(W)의 반송 경로의 복잡화를 억제하면서, 도포막 형성후나 노광 처리후, 현상 처리후의 적절한 타이밍에서 검사나 세정을 실행할 수 있고, 이러한 검사나 세정을 실행하는 경우라도, 반송 경로의 복잡화를 억제할 수 있다.
이 실시의 형태에 있어서도, 반사 방지막을 형성하지 않는 경우에는, 레지스트막 상에 상기 보호막을 형성하도록 해도 좋고, 세정 처리는, 노광 처리의 전후 중 어느 하나, 또는 노광 처리의 전후 양방에서 실행하도록 해도 좋다. 또한 보호막을 가지지 않는 경우에는, 상기 세정 유닛(82)은, 단지 웨이퍼(W)의 오염을 제거하기 위해서 사용된다.
이상에 있어서의 본 발명에서는, 제 1~제 5 단위 블록(B1~B5)끼리의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달을, 상기 제 1 전달아암(D1) 또는 제 2 전달아암(D2) 중 어느 한쪽에서 실행하도록 해도 좋다. 도 10, 도 11에 제 1 전달아암(D1)만으로 5층의 단위 블록(B1~B5)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 실행하는 경우의 제 3 단위 블록(B3)에 대하여 도시한다.
이 예가 상술한 실시의 형태와 다른 점은, 전달아암이 제 1 전달아암(D1)뿐이며, 제 2 전달 스테이지(TRS11, 12)는, 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)에만 마련되고, 이들 단위 블록(B1, B2)을 거쳐서 캐리어 블록(S1)과 인터페이스 블록(S3)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 실행되는 점이며, 이들 이외의 구성은, 상술한 실시의 형태와 동일하다. 도 10, 도 11 중 U5는, 제 2 전달 스테이지를 여러단으로 적층하여 이루어지는 제 2 전달 스테이지군을 구비한 선반 유닛이며, 제 2 전달 스테이지(TRS11, 12)는 예컨대 제 1 및 제 2 단위 블록(B1, B2)의 각각에 1개 이상 예컨대 2개 마련되고, 이들 전달 스테이지(TRS11, 12)는 인터페이스용 전달 스테이지에 상당한다.
이 레지스트 패턴 형성 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 흐름에 대하여 간단히 설명하면, 우선 캐리어 블록(S1)에 반입된 캐리어(20)로부터, 트랜스퍼아암(C)에 의해 웨이퍼(W)가 출력되어, 제 2 단위 블록(B2)의 전달 스테이지(TRS-F)로 전달된다. 이어서 웨이퍼(W)를 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)에 전달하기 위해서, 제 1 전달아암(D1)에 의해, 제 1 전달 스테이지(TRS3～TRS5)까지 반송하여, 해당 단위 블록(B3~B5)의 메인아암(A3~A5)에 전달한다.
그리고 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)에서는, 기술한 바와 같이 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성하기 위해서 각 모듈에 순차적으로 반송되고, 이리하여 도포막이 형성된 웨이퍼(W)는 전달 스테이지(TRS3~TRS5)로 반송된다.
이어서 전달 스테이지(TRS3～TRS5)의 웨이퍼(W)는 제 1 전달아암(D1)에 의해, 전달 스테이지(TRS1, TRS2)로 반송되고, 계속해서 단위 블록(B1, B2)의 메인아 암(A1, A2)에 의해 해당 단위 블록(B1, B2)의 제 2 전달 스테이지(TRS6, TRS7)로 반송된다. 그리고 전달 스테이지(TRS6, TRS7)의 웨이퍼(W)는, 인터페이스아암(E)에 의해 노광 장치(S4)로 반송되어, 여기서 소정의 노광 처리가 실행된다.
노광 처리후의 웨이퍼(W)는, 인터페이스아암(E)에 의해, 제 2 전달 스테이지(TRS6, TRS7)에 반송되고, 이 스테이지(TRS6, TRS7) 상의 웨이퍼(W)는, 단위 블록(B1, B2)의 메인아암(A1, A2)에 받아들여져, 해당 단위 블록(B1, B2)에서, 기술한 현상 처리가 실행된다. 이리 하여 현상 처리가 실행된 웨이퍼(W)는, 트랜스퍼아암(C)에 웨이퍼(W)를 전달하기 위해서, 제 1 전달 스테이지(TRS1, TRS2)로 반송되어, 트랜스퍼아암(C)에 의해, 캐리어 블록(S1)에 탑재되어 있는 본래의 캐리어(20)로 되돌려진다.
이 경우에는, 트랜스퍼아암(C)을 각 단위 블록(B1~B5)의 제 1 전달 스테이지에 대하여 액세스가 가능하게 구성하고, 도포막 형성용 단위 블록(B3~B5)과 트랜스퍼아암(C)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 실행하도록 해도 좋다.
이러한 도포, 현상 장치에서도, 상술한 실시의 형태와 동일하게, 각 단위 블록(B1~B5)마다 전용 메인아암(A)을 마련하는 것에 의해, 메인아암(A)의 반송 효율이 향상하여, 스루풋을 높일 수 있다. 또한 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)의 각각에서, 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있고, 품종이 다른 도포막의 형성에 대응하면서도, 처리 블록(S2)의 점유 면적의 공간 절약화를 도모할 수 있다. 또한 하나의 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)에서, 노광 처리전까지의 도포막 형성을 위한 일련의 처리를 완결하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 반송 경로가 단순화되어, 반송 효율을 높일 수 있다.
또한 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5) 중 어느 하나, 또는 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2) 중 어느 하나에 있어서, 처리의 도중에 트러블이 발생한 경우이더라도, 다른 나머지의 단위 블록에서는 처리를 속행할 수 있어, 장치를 정지하는 경우에 비교해서 스루풋을 높게 할 수 있다. 또한 트러블이 발생한 단위 블록에 체재하는 웨이퍼(W)가 적은 것으로부터, 처리의 도중에 회수되는 웨이퍼(W)가 적고, 웨이퍼(W)의 재사용을 위해 실행되는 처리의 부담이 적다. 또한 우선 로트(A)의 웨이퍼(W)에 대하여 제 1 도포막 형성을 실행한 후, 이어서 로트(B)의 웨이퍼(W)에 대하여 제 2 도포막 형성을 실행하는 경우를 상정한 경우에, 로트(A)의 처리가 종료하고 나서, 즉시 로트(B)의 처리를 개시할 수 있어, 장치가 가동하지 않는 시간이 발생하지 않기 때문에, 스루풋의 저하가 억제된다.
여기서 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)이나, 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)을 동일한 단위 블록에 의해 구성하는 것에 의해, 조립 작업의 용이화(容易化)나, 제조 스루풋의 향상, 제조 코스트의 저감, 조정 용이화를 도모할 수 있다.
또한 이 실시의 형태에서는, 상기 캐리어 블록(S1)과 인터페이스 블록(S2)의 사이를 접속하는 웨이퍼(W)의 반송 영역(R1)은 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)에만 형성하여, 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)과 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을, 제 1 전달아암(D1)으로만 실행하고 있기 때문에, 반송계가 적다.
이 때, 처리 블록(S2)과 인터페이스 블록(S3)의 사이의 웨이퍼(W)의 전달용의 인터페이스용 전달 스테이지는, 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)의 전달 스테이지(TRS11, TRS12)뿐이기 때문에, 인터페이스아암(E)의 액세스범위가 좁고, 해당암(E)의 이동 범위가 좁혀지기 때문에, 해당 암(E)의 반송 제어가 쉬어진다. 이와 같이, 반송계나 장치의 액세스 구성이 심플하기 때문에, 반송 수단의 제어가 실행하기 쉽다는 이점도 있다.
이상으로 이 실시의 형태에서는, 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)과, 복수의 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 제 2 전달아암(D2)에 의해서만 실행하도록 해도 좋다. 이 경우에는 선반 유닛(U1)에는, 캐리어 블록(S1)과 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 실행하기 위한 캐리어 블록용 전달 스테이지가 마련된다. 또한 선반 유닛(U5)에는 각 단위 블록(B1~B5)에 제 2 전달 스테이지가 마련됨과 동시에, 인터페이스 블록(S3)과 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 실행하기 위한 인터페이스 블록용 전달 스테이지가 마련된다.
또한 이 경우에는, 인터페이스아암(E)을 각 단위 블록(B1~B5)의 제 2 전달 스테이지에 대하여 액세스가 가능하도록 구성하여, 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)과 인터페이스아암(E)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 실행하도록 해도 좋다.
또한 이 실시의 형태에서는, 상기 캐리어 블록(S1)과 인터페이스 블록(S3) 사이의 웨이퍼(W)의 반송을 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)의 적어도 하나를 거 쳐서만 실행하도록 해도 좋다. 구체적으로, 예컨대 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)의 전부에 있어서 캐리어 블록(S1)과 인터페이스 블록(S2)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송이 실행되어, 제 1 전달아암(D1)에서 단위 블록(B1~B5)간의 웨이퍼(W)의 전달을 실행하는 경우를 예로 들어 설명한다.
이 경우, 예컨대 각 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)은 캐리어 블록용 전달 스테이지와, 인터페이스 블록용 전달 스테이지를 구비하고 있다. 이 예에서는, 캐리어 블록(S1)의 웨이퍼(W)는 어느 하나의 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)의 전달 스테이지를 거쳐서 해당 단위 블록(B3~B5)에 반입되어, 여기서 도포막이 형성된다. 그리고 해당 단위 블록(B3~B5)의 인터페이스 블록용 전달 스테이지를 거쳐서 인터페이스아암(E)에 의해 노광 장치(S4)로 반송된다.
한편 노광후의 웨이퍼(W)는, 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5) 중 어느 하나의 인터페이스 블록용 전달 스테이지를 거쳐서 이들 단위 블록(B3~B5)에 반입되어, 제 1 전달 스테이지, 제 1 전달아암(D1)을 거쳐서 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)에 반송되어, 여기서 현상 처리된다. 현상 처리후의 웨이퍼(W)는 제 1 전달 스테이지에 반송되어, 제 1 전달아암(D1)에 의해 도포막 형성용 단위 블록(B3~B5)에 마련된 캐리어용 전달 스테이지에 반송되어, 여기에서 캐리어 블록(S1)으로 전달된다.
여기서 인터페이스 블록용 전달 스테이지는, 모든 단위 블록(B1~B5)에 마련하도록 해도 좋다. 또한 캐리어 블록용 전달 스테이지와 인터페이스 블록용 전달 스테이지는, 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)의 적어도 하나에 마련되어 있으면 좋고, 이들은 다른 도포막 형성용의 단위 블록에 마련되어 있어도 좋다.
또한 이 예에 있어서도, 모든 단위 블록(B1~B5) 사이의 웨이퍼(W)의 전달을 인터페이스 블록측에 마련된 전달 스테이지와, 이들 전달 스테이지에 액세스 가능한 전달아암의 조합에 의해서만 실행하도록 해도 좋다.
이상으로 본 발명에서는, 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)에만 웨이퍼(W)를 반송하여 처리를 실행하도록 해도 좋다. 또한 현상 처리용의 단위 블록을 1층으로 해도 좋고, 도포막 형성용의 단위 블록을 3층 이외의 복수층으로 해도 좋다. 또한 또 본 발명에서는, 트랜스퍼아암(C)으로 액세스할 수 있는 캐리어 블록용 전달 스테이지는, 트랜스퍼아암(C)과 적층된 단위 블록의 하나 이상의 단위 블록의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 실행되는 것이면 좋다. 또한 또 선반 유닛(U2, U5)에 대해서도 인터페이스아암(E)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 실행하기 위한 전용의 제 2 전달 스테이지(TRS)를 마련하여, 이 제 2 전달 스테이지(TRS)와 제 2 전달아암(D2)을 거쳐서 각 단위 블록(B1~B5)과 인터페이스 블록(S2)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 실행하도록 해도 좋다.
또한 각 단위 블록에 마련되는 선반 유닛(U1, U2, U5)의 전달 스테이지(TRS)는 1개 이상이라면 좋고, 냉각 기능을 구비한 것이라도 좋다. 또한 캐리어 블록(S1)과 인터페이스 블록(S3)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 실행하는 단위 블록에는, 트랜스퍼아암(C)과 인터페이스아암(E)의 사이, 또는 선반 유닛(U1)과 선반 유닛(U2(U5))의 사이에서, 웨이퍼(W)의 반송을 실행하기 위한 메인아암(A)과는 별개의, 전용의 반송 수단을 마련하도록 해도 좋다. 또한 선반 유닛(U1, U2(U5))에는, 전달 스테이지이외의 모듈 예컨대 냉각 유닛 등을 마련하도록 해도 좋고, 처리 블록(S2)에 적층되는 단위 블록(B1~B5)의 처리 유닛으로서, 목적에 따른 검사 유닛을 마련하도록 해도 좋다. 예컨대 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)에는, 막두께 측정기를 마련하도록 해도 좋고, 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)에 패턴 중첩 검사나 현상 처리후의 현상 결함 검사 유닛을 마련하도록 해도 좋다. 또한 단위 블록에 검사 유닛을 마련하도록 해도 좋고, 이 경우 메인아암(A)의 반송로 양측에 검사 유닛을 마련하도록 해도 좋고, 검사 유닛 전용의 단위 블록을 마련하도록 해도 좋다. 또한 본 발명은 반도체 웨이퍼뿐만 아니라 액정 디스플레이용의 글래스 기판(LCD 기판)이라고 하는 기판을 처리하는 도포, 현상 장치에도 적용할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에서는, 각각에 도포 유닛과, 제 1 반사 방지막 유닛과, 제 2 반사 방지막 유닛이 마련된 도포막 형성용의 단위 블록을 서로 적층하여 복수단 마련하고 있기 때문에, 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있음과 동시에, 처리 블록의 점유 면적을 작게 하여, 공간 절약화를 도모할 수 있다.
또한 도포막 형성용의 단위 블록 하나에 이상이 발생한 경우라도, 다른 단위 블록을 이용하여 도포막의 형성을 실행할 수 있기 때문에, 장치 전체의 가동을 정지하는 일이 없고, 가동을 정지한 경우와 비교해서 스루풋의 저하를 억제할 수 있다. 또한 복수층의 도포막 형성용의 단위 블록에서 도포막의 형성 처리를 분배하 여 실행하는 것에 의해, 이상이 발생한 단위 블록으로부터 회수하는 기판이 적어져, 해당 기판을 재사용하기 위해서 실행되는 처리의 부담이 경감된다.

Claims (11)

  1. 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록으로 전달하여, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 뒤, 인터페이스 블록을 거쳐서 노광 장치에 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 거쳐서 되돌아온 노광후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
    a) 상기 처리 블록은, 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블록과, 상기 도포막 형성용의 단위 블록에 대하여 적층된 현상 처리용의 단위 블록을 구비하고,
    b) 상기 각 단위 블록은, 약액을 기판에 도포하기 위한 액 처리 유닛과, 기판을 가열하는 가열 유닛과, 기판을 냉각하는 냉각 유닛과, 이들 유닛간에서 기판을 반송하는 단위 블록용의 반송 수단을 구비하고,
    c) 상기 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블록에 마련되는 액 처리 유닛은, 기판에 레지스트액을 도포하기 위한 도포 유닛과, 레지스트액을 도포하기 전에 기판에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 제 1 반사 방지막 유닛과, 레지스트액을 도포한 후에 기판에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 제 2 반사 방지막 유닛을 포함하고, 도포막 형성용의 단위 블록에서는, 단위 블록 단위로, 기판에 대하여 레지스트막을 포함하는 도포막의 형성이 실행되는 것을 특징으로 하는
    도포, 현상 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    도포막 형성용의 단위 블록 하나에서 이상이 발생했을 때에, 해당 이상이 발생한 도포막 형성용의 단위 블록에 대해서는 기판의 반송을 실행하지 않고, 다른 도포막 형성용의 단위 블록에 대해서는 기판의 반송을 실행하도록 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    각 단위 블록마다 캐리어 블록측에 마련되어, 각 단위 블록의 반송 수단간의 사이에서 기판의 전달을 실행하는 제 1 전달 스테이지를 적층하여 구성된 제 1 전달 스테이지군(群)과,
    상기 제 1 전달 스테이지끼리의 사이에서 기판의 전달을 실행하기 위한 제 1 기판 전달 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    각 단위 블록마다 인터페이스 블록측에 마련되어, 각 단위 블록의 반송 수단과의 사이에서 기판의 전달을 실행하는 제 2 전달 스테이지를 적층하여 구성된 제 2 전달 스테이지군과,
    상기 제 2 전달 스테이지끼리의 사이에서 기판의 전달을 실행하기 위한 제 2 기판 전달 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    제 1 전달 스테이지군은, 캐리어 블록과 처리 블록의 사이에서 기판의 전달을 실행하기 위한 캐리어 블록용 전달 스테이지를 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    제 2 전달 스테이지군은, 인터페이스 블록과 처리 블록의 사이에서 기판의 전달을 실행하기 위한 인터페이스 블록용 전달 스테이지를 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  7. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    처리 블록과 인터페이스 블록의 사이에, 도포막 형성후 노광 처리전, 및 노광 처리후 현상 처리전후, 중 적어도 하나의 경우에 처리를 실행하는 유닛을 구비한 보조 블록을 마련하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 보조 블록에 마련되는 유닛은, 기판 표면의 상태를 검사하기 위해, 기판에 형성된 도포막의 막두께를 검사하기 위한 막두께 검사 유닛, 노광전 및 노광후 중 적어도 하나의 경우에 기판을 세정하기 위한 세정 유닛, 노광 장치에서 발생하는 패턴의 위치 어긋남을 검출하기 위한 디포커스(defocus)검사 장치, 레지스트액의 도포 불균일을 검출하기 위한 도포 불균일 검출 장치, 현상 처리의 불량을 검출하기 위한 현상 불량 검출 장치, 기판에 부착한 파티클수를 검출하기 위한 파티클수 검출 장치, 레지스트 도포후 기판에 발생하는 코밋(comet)를 검출하기 위한 코밋 검출 장치, 스플래시백(splash back) 검출 장치, 기판 표면의 결함을 검출하기 위한 결함 검출 장치, 현상 처리후의 기판에 잔존하는 레지스트 찌꺼기를 검출하기 위한 찌꺼기 검출 장치, 레지스트 도포 처리 및 현상 처리 중 적어도 하나에서의 불량을 검출하기 위한 불량 검출 장치, 기판 상에 형성된 레지스트막의 선폭을 측정하기 위한 선폭 측정 장치, 노광후의 기판과 포토 마스크의 중첩 정밀도를 검사하기 위한 중첩 검사 장치의 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 노광 장치는, 기판 표면에 액층을 형성하여 액침(液浸) 노광하는 것으로,
    상기 보조 블록에 마련되는 유닛은, 상기 액침 노광된 후의 기판을 세정하는 세정 유닛인 것을 특징으로 하는 청구항 8에 기재된 도포, 현상 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블록에 대하여, 레지스트막이 형성된 기판에 대하여, 상기 레지스트막 상에 발수(撥水)성의 보호막을 형성하기 위한 도포막 형성용의 단위 블록을 또한 적층하여 마련하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  11. 청구항 1에 기재된 도포, 현상 장치에서 실행되는 도포, 현상 방법에 있어서,
    상기 도포막 형성용의 단위 블록 하나에 이상이 발생했을 때에, 해당 이상이 발생한 도포막 형성용의 단위 블록에 대해서는 기판의 반송을 실행하지 않고, 다른 도포막 형성용의 단위 블록에 대해서는 기판의 반송을 실행하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.
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