JP3996845B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板や液晶デバイス等に用いるガラス基板などに対し所定の処理を行う処理ユニットを複数備える基板処理装置における配線構成に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイス、液晶デバイス等の製造工程において、半導体基板やガラス基板などに種々の処理を行う基板処理装置においては、1つの処理工程を担う処理ユニットを複数備える多ユニット化、および、一の装置において異なる処理工程を連続的に行うべく異種の処理ユニットを複数備える複合化によって、スループットの向上という製造メーカーの要求に応えている。いきおい、装置自体が大型化する傾向にある。
【0003】
そうした大型化した基板処理装置を製造しこれを納入する場合、輸送手段の収容容積に限界がある関係から、装置をあらかじめいくつかの構成体に分割可能に製造して分割した状態で輸送し、納入先で組み立てることが一般的である。そうした場合の組み立て作業を効率化することを目的として、同一の処理を行う複数の処理ユニットに対する水、電力等の供給ラインの接続が容易となるように、それぞれの供給管やケーブルの接続口の集約化を図る技術がすでに開示されている。(例えば、特許文献1参照。)。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−198276号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
図5は、従来の基板処理装置1000の制御系の一部を模式的に示す図である。図5の基板処理装置1000には、例えば、基板に対し所定の薬液処理を行ういくつかの(図5においては2つの)処理ユニットUNを備えるものなど、基板処理に係る処理ユニット等をそれぞれに備える、いくつかの(図5においては4つの)処理ブロックBLKが備わっているものとする。また、基板処理装置1000全体の制御を担うメインコントローラMC0と、各処理ブロックBLKごとに備わり、該処理ブロックBLKに備わる処理ユニットの制御を担うユニットコントローラUC0と、各処理ユニットに備わり例えば薬液の漏洩を検知する漏液センサS0からの情報に応じて薬液供給を制御する薬液コントローラCC0とが備わっている。これらのコントローラはネットワークNに接続されている。また、センサS0と薬液コントローラCC0とは信号線SL0で接続され、処理ブロックBLKの境界ではコネクタCNで接続されている。なお、説明の簡略化のために図示は省略しているが、熱処理ユニット等とこれに対応して必要なコントローラ、センサ類が備わっていてもよい。
【0006】
従来の基板処理装置1000においては、それぞれのユニットコントローラUC0および薬液コントローラCC0は、制御対象となる処理ユニット等に関する制御処理のみを行い、メインコントローラMC0がそれを統括する態様であったので、それぞれのコントローラごとに、個別に、それぞれの制御対象との間で情報伝達を行う必要があった。
【0007】
そのため、特許文献1に記載された技術を用いたとしても、それぞれのブロック(基板処理装置の構成体)間を渡って設置する必要がある配線ケーブルについては、それぞれの本数分のコネクタをケーブルが通過する各ブロックに設ける必要があった。また、全てのケーブルを個別に接続する場合よりは取り外しが容易とはいえ、装置の複合化が進むにつれ、接続を要するケーブルの本数が増加し、必要なコネクタの数および種類も必然的に増加するため、特許文献1に開示された技術のみでは、組み立て作業効率の向上や接続の信頼性の維持に限界が生じることになった。
【0008】
ケーブル長の増大は、製造コストの増加を招くことにもなった。リモートI/Oや省配線システムと呼ばれる配線本数を削減するシステム用いることで、信頼性の向上は可能であるが、コスト面では不利である。
【0009】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、コネクタによるケーブル接続箇所を削減した、基板処理装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、基板に所定の処理を行う装置であって、少なくとも1つの処理ユニットと、前記少なくとも1つの処理ユニットに基板を搬送する搬送手段と、前記少なくとも1つの処理ユニットに設けられ、当該処理ユニットの状態を検知する少なくとも1つのセンサと、前記少なくとも1つの処理ユニットと前記搬送手段とを制御する部分制御手段と、をそれぞれが備え、互いに隣接配置されてなる個別の収容部に収容されている複数の部分制御単位と、前記複数の部分制御手段を制御する主制御手段と、前記少なくとも1つのセンサからの信号に応答して、当該センサの検知対象と対応した特定の制御対象について制御を行う少なくとも1つの特定制御手段と、を備え、前記部分制御単位を収容する前記収容部が、相異なる前記収容部との間で結線不要に隣接配置可能な構造を有しており、それぞれの前記部分制御手段と、前記主制御手段と、前記少なくとも1つの特定制御手段とがネットワーク接続されており、かつ、前記少なくとも1つのセンサは、同一の前記部分制御単位に備わる前記部分制御手段のみに電気的に接続されており、前記少なくとも1つのセンサからの検知信号は、当該部分制御手段を介して前記少なくとも1つの特定制御手段に伝達される、ことを特徴とする。
【0011】
また、請求項2の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記部分制御単位に備わる前記部分制御手段に前記少なくとも1つのセンサから検知信号が伝達されると、前記部分制御手段がこれに応答して、前記部分制御単位において必要な制御を行うとともに、前記検知信号を対応する前記特定制御手段に対して伝達し、前記特定制御手段が、前記部分制御手段からの前記伝達信号に応答して、前記特定の制御対象について必要な制御を行う、ことを特徴とする。
また、請求項3の発明は、請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、前記部分制御手段のそれぞれが、個別のレシピデータに基づいて制御される、ことを特徴とする。
【0012】
また、請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記複数の部分制御単位の少なくとも1つが、前記少なくとも1つの処理ユニットとして、基板に対し薬液を用いた処理を行う薬液処理ユニットまたは基板を加熱または冷却する熱処理ユニットのいずれかを少なくとも1つ含むことを特徴とする。
また、請求項5の発明は、請求項4に記載の基板処理装置であって、前記複数の部分制御単位の少なくとも1つが、前記少なくとも1つの処理ユニットとして前記薬液処理ユニットを少なくとも備え、前記特定制御手段として、所定の供給源から前記基板処理装置に備わる全ての前記薬液処理ユニットへの薬液供給を前記特定の制御対象とする薬液コントローラを備える、ことを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
<全体構成>
図1は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置100の平面図である。基板処理装置100は、半導体基板(以下、単に「基板」という)に対し、所定の回路パターンを形成するためのフォトリソグラフィー工程に係る、レジスト塗布処理、現像処理やそれらに伴う所定の熱処理、薬液処理等を担う装置である。なお、図1には、基板処理装置100の長手方向をx軸方向とする水平面をxy平面とし、鉛直上向きをz軸とする三次元座標系を付している。
【0014】
図1に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置100は、インデクサブロック(IDブロック)1と、反射防止膜処理ブロック(BARCブロック)2と、レジスト膜処理ブロック(SCブロック)3と、現像処理ブロック(SDブロック)4と、インタフェイスブロック(IFBブロック)5とから主に構成される。各ブロックには、それぞれ、目的とする処理を行うための処理ユニット等が収容されている。基板処理装置100においては、これらの5つのブロックが上記の順に隣接配置されている。また、IFBブロック5の側方には、レジスト膜に対し所定の回路パターンを露光する処理を担う露光装置(ステッパ)STPが、隣接して配置されている。各ブロックは、個別にフレーム(枠体)に組み付けられ、各ブロックのフレームを上記の順に連結することにより、基板処理装置100が構成されている。なお、基板処理装置100においては、図示しない所定の供給手段によって各ブロック内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されている。これにより、各ブロック内おいて、パーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響が回避される。また、各ブロック内は外部に対して若干陽圧に保たれており、パーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、BARCブロック2内の気圧はIDブロック1内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、IDブロック1内の雰囲気がBARCブロック2に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理ブロックで処理を行うことができる。
【0015】
<IDブロック>
IDブロック1は、基板処理装置100の外部からの未処理の基板Wの受け入れや、逆に処理済の基板Wの外部への払い出しを担う部位である。IDブロック1には、所定枚数の基板Wを多段に収納可能なカセットCを複数個(図1においては4個)並べて載置するカセット載置台6と、カセットCから未処理の基板Wを順に取り出して後段の処理へと供するとともに、処理済の基板W受け取って再びカセットCへと順に収納するインデクサ用搬送機構7とを備えている。
【0016】
インデクサ用搬送機構7は、カセット載置台6にY軸方向に水平移動可能な可動台7aと、可動台7a上にあって基板Wを水平姿勢で保持する保持アーム7bと、保持アーム7bの先端部分の内側に突出する複数本のピン10c(図1には3個の場合を図示)とを備えている(図2参照)。保持アーム7bは、Z軸方向への上下移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向への進退移動がそれぞれ可能に設けられている。基板Wは、ピン10cによって水平姿勢で保持される。
【0017】
IDブロック1における基板Wの受け渡しについて概説する。まず、インデクサ用搬送機構7が、所定のカセットCに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム7bが昇降および進退移動することにより、そのカセットCに収納されている未処理の基板Wを取り出す。保持アーム7bに基板Wを保持した状態で、インデクサ用搬送機構7が、後述する基板載置部PASS1、PASS2に対向する位置にまで水平移動する。そして、保持アーム7b上の基板Wを基板払出し用の上側の基板載置部PASS1に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部PASS2に処理済みの基板Wが載置されている場合、インデクサ用搬送機構7は、その処理済みの基板Wを保持アーム7b上に受け取って、所定のカセットCに処理済みの基板Wを収納する。以下、同様にカセットCから未処理基板Wを取り出して基板載置部PASS1に搬送するとともに、処理済み基板Wを基板載置部PASS2から受け取ってカセットCに収納するという動作を繰り返し行う。
【0018】
<BARCブロック、SCブロック、SDブロック>
図2は、基板処理装置100の正面図である。図3は、図2と同じ方向からみた場合の、熱処理部TPの配置構成を示す図である。以下、図1ないし図3に基づいて、BARCブロック2、SCブロック3、SDブロック4について説明する。
【0019】
BARCブロック2は、フォトレジスト膜の下部に、ステッパSTPにおける露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるための反射防止膜を形成する処理を担う。BARCブロック2は、基板Wの表面に反射防止膜を塗布する処理を担う第1塗布処理部8と、塗布に際し必要な熱処理を行う第1熱処理部9と、第1塗布処理部8および第1熱処理部9に対して基板Wの受け渡しをする第1主搬送機構10Aとを備える。
【0020】
SCブロック3は、反射防止膜が形成された基板W上にフォトレジスト膜を形成する処理を担う。なお、本実施の形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いる。SCブロック3は、フォトレジスト膜を塗布する処理を担う第2塗布処理部15と、塗布に際し必要な熱処理を行う第2熱処理部16と、第2塗布処理部15およぴ第2熱処理部16に対して基板Wの受け渡しをする第2主搬送機構10Bとを備える。
【0021】
SDブロック4は、ステッパSTPにおいて所定の回路パターンが露光された基板Wに対して現像処理をする機構である。SDブロック4は、現像液により現像処理を行う現像処理部30と、現像処理に際し必要な熱処理を行う第3熱処理部31と、現像処理部30および第3熱処理部31に対して基板Wの受け渡しをする第3主搬送機構10Cとを備える。
【0022】
以上のBARCブロック2、SCブロック3、およびSDブロック5においては、それぞれ、第1主搬送機構10A、第2主搬送機構10B、および第3主搬送機構10C(以下、これらを「主搬送機構10」と総称する)を間に挟み、第1塗布処理部8、第2塗布処理部15、および現像処理部30(以下、これらを「薬液処理部LP」と総称する)が装置正面側に位置するように、そして、第1熱処理部9、第2熱処理部16、および第3熱処理部31(以下、これらを「熱処理部TP」と総称する)が装置背面側に位置するように配置されている。すなわち、各部においてそれぞれに所定の薬液を用いた処理を行う薬液処理部LPと、各部においてそれぞれに熱処理を担う熱処理部TPとが、主搬送機構10を介在させて離間して備わるので、熱処理部TPから薬液処理部LPへの熱的影響が抑制される。また、本発明に係る基板処理装置100においては、熱処理部TPの正面側(主搬送機構10側)に図示しない熱隔壁が設けられており、この熱隔壁によっても、薬液処理部LPへの熱的影響が回避される態様となっている。
【0023】
図2に示すように、薬液処理部LPを構成する第1塗布処理部8、第2塗布処理部15、および現像処理部30においては、いずれも、複数の処理ユニットが積層配置されている。
【0024】
第1塗布処理部8においては、3つの第1塗布処理ユニット8a〜8cが積層配置されている。第1塗布処理ユニット8a〜8cはそれぞれ、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック11、スピンチャック11上に保持された基板W上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル12などを備えている。
【0025】
同様に、第2塗布処理部15においては、3つの第2塗布処理ユニット15a〜15cが積層配置されている。第1塗布処理ユニット15a〜15cはそれぞれ、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック17、スピンチャック17上に保持された基板W上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル18などを備えている。
【0026】
さらに、現像処理部30においては、5つの現像処理ユニット30a〜30eが積層配置されている。現像処理ユニット30a〜30eはそれぞれ、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック32、スピンチャック32上に保持された基板W上に現像液を供給するノズル33などを備えている。
【0027】
図3に示すように、熱処理部TPを構成する第1熱処理部9、第2熱処理部16、および第3熱処理部31においては、それぞれに、複数の処理ユニットが2列に積層配置されている。
【0028】
第1熱処理部9においては、基板Wを所定の温度にまで加熟し、当該温度に保持可能な複数の加熱プレートHP、基板Wを所定の温度にまで冷却し当該温度に保持可能な複数の冷却プレートCP、基板Wに対するレジスト膜の密着力強化のために、HMDS(へキサメチルジシラザン)の蒸気雰囲気で基板Wを熱処理する複数のアドヒージョン処理ユニットAHLが処理ユニットとして備わり、それぞれが所定の位置に積層配置されている。また、下部には、熱処理部TPの各部を制御するヒータコントローラCONTが配置されている。なお、図3中において「×」印で示した箇所は、配管配線部が備わっていたり、処理ユニットを追加するための空きスペースとして確保されている箇所であるとする。
【0029】
同様に、第2熱処理部16および第3熱処理部31においても、複数の加熱プレートHP、複数の冷却プレートCPなどが処理ユニットとして備わる。各処理ユニットが2列に積層配置されている点は、第1熱処理部9と同様である。なお、第3熱処理部31には、後述する基板載置部PASS7、PASS8も備わっている。
【0030】
なお、加熱プレートHPの一部は、加熱後の基板を一時的に載置するための基板仮置部19に設けられた仮置部付加熱プレートであることが好ましい。この場合、主搬送機構10は、加熱された基板Wはいったん基板仮置部19に載置され、主搬送機構10Bないし10Cは、基板仮置部にアクセスして基板を受け取ることができる。加熱プレートHPに対して直接に基板の受け渡しをしないので、主搬送機構10Bおよび10Cに対する熱的影響が最小限に抑制されるという利点がある。図1には、第2熱処理部16および第3熱処理部31に基板仮置部19が備わる態様を例示的に示している。
【0031】
次に、主搬送機構10(10A〜10C)について説明する。なお、後述するIFBブロック5に備わる第4主搬送機構10Dも同様に構成されている。
【0032】
主搬送機構10においては、基台10d上に2個の保持アーム10a、10bが上下に備わっている(ただし、図1には1個のみ図示)。保持アーム10a、10bは、略C字状の先端部分を有しており、この先端部分の内側に突出する複数本のピン10c(図1には3個の場合を図示)によって基板Wを水平姿勢で保持することができる。保持アーム10a、10bは、図示しない駆動機構によって、水平面内の旋回移動、Z軸方向の昇降移動、および旋回半径方向の進退移動が可能に構成されている。
【0033】
<IFBブロック>
IFBブロック5は、基板処理装置100と、隣接して備わるステッパSTPとの間の基板Wの受け渡しを担う。IFBブロック5は、ステッパSTPとの間で基板Wの受け渡しをするインタフェイス用搬送機構35と、フォトレジストが塗布された基板Wの周縁部を前もって露光する2つのエッジ露光ユニットEEWと、ステッパSTPが基板Wの受け入れが出来ない場合に、一時的に基板Wを収納する送り用バッファSBFと、露光後の基板Wを後段の処理部が処理できない場合に基板Wを収納する戻し用バッファRBFと、第4主搬送機構10Dとインタフェイス用搬送機構35との間で基板Wの受け渡しを行う後述する基板載置部PASS9、PASS10と、該エッジ露光ユニットEEWとSDブロック4に備わる加熱プレートHPとに隣接し、これらに対して基板Wを受け渡しする第4主搬送機構10Dと、を主として備えている。このうち、2つのEEW、戻し用RBF、基板載置部PASS9、PASS10は、上からこの順に積層配置されている。また、基板載置用送り用バッファSBFおよび戻し用バッファRBFはいずれも、複数枚の基板Wを多段に収納できる収納棚から構成されている。
【0034】
エッジ露光ユニットEEWは、図2に示すように、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック36、スピンチャック36上に保持された基板Wの周縁を露光する光照射器37などを備えている。2つのエッジ露光ユニットEEWは、IFBブロック5の中央部分に積層配置されている。
【0035】
図1、図2に示すように、インタフェイス用搬送機構35は、矢印AR2に示すように水平方向(Y軸方向)に移動可能な可動台35aと、この可動台35a上にあって基板Wを保持する保持アーム35bとを備えている。保持アーム35bは、図示しない駆動手段によって、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動とされている。インタフェイス用搬送機構35の水平方向に一定の可動範囲を有しており、それぞれ所定の位置で、ステッパSTP、基板載置部PASS9、PASS10、および送り用バッファSBFに対する基板Wの受け渡しを行えるようになっている。
【0036】
<基板の受け渡し>
次に、基板処理装置100における基板Wの受け渡しについて、隣接するブロック間における受け渡しを中心に説明する。図1に示すように、基板処理装置100においては、隣接するブロック同士の境界部に、互いの雰囲気を遮断することを目的とする隔壁13がそれぞれ設けられている。そして、それぞれの隔壁13には、基板Wを載置するための基板載置部PASS1〜PASS6が、当該隔壁13を部分的に貫通させて、上下に2個ずつ設けられている。
【0037】
いま、IDブロック1とBARCブロック2との間には上段側から順に基板載置部PASS1、PASS2が、BARCブロック2とSCブロック3との間には同様に基板載置部PASS3、PASS4が、SCブロック3とSDブロック4との間には、同様にPASS5、PASS6、それぞれ設けられている。
【0038】
また、SDブロック4とIFBブロック5との間で基板Wを受け渡すための基板載置部PASS7およびPASS8は、SDブロック4の第3熱処理部31に設けられている(図3参照)。さらに、上述したように、IFBブロック5には基板載置部PASS9およびPASS10が備わっている。これらを総称して基板載置部PASSと称するものとする。なお、10個の基板載置部PASS1〜PASS10は、5カ所に上下2段に設けられている。
【0039】
<基板処理装置の制御>
次に基板処理装置100の制御系と、その制御方法について説明する。図4は、基板処理装置100の、特に薬液処理部LPを構成する各部についての制御系を模式的に示す図である。
【0040】
薬液処理部LPを構成する第1塗布処理部8、第2塗布処理部15、および現像処理部30がそれぞれ備わる、BARCブロック2、SCブロック3、およびSDブロック4には、それぞれに対応して、サブコントローラSC2〜SC4が備わっている。さらに、基板処理装置100には、各サブコントローラを統括制御するメインコントローラMCも備わっている。メインコントローラMCと各サブコントローラSC2〜SC4は、ネットワークNにより互いに接続されている。また、このネットワークNには、所定の供給源から対象となる処理ユニットヘの薬液供給を制御する薬液コントローラCCも接続されている。なお、IDブロック1およびIFBブロック5においても、同様にサブコントローラが存在し、それぞれにネットワークNと接続されているが、議論の簡単のためここでは省略する。
【0041】
各サブコントローラSC2〜SC4は、各ブロックに備わる処理ユニットと信号線で接続されており、この信号線を介して、各処理ユニットはサブコントローラSC〜SC4に制御される。例えば、BARCブロック2においては、第1塗布処理部8に備わる3つの第1塗布処理ユニット8a〜8cとサブコントローラSC2とが信号線SL8aにて接続されている。SCブロック3、SDブロック4においても、同様に、各処理ユニットとサブコントローラSC3ないしSC4とが、信号線SL15aないしSL30aと接続されている。なお、図2においてはSDユニットが5つ備わる場合を示しているが、図4においては図示の都合上3つのみ示している。また、図4においては図示しない搬送機構とサブコントローラとの間も、所定の信号線にて電気的に接続され、この信号線を介して搬送機構の制御が行われる。
【0042】
メインコントローラMCは、本実施の形態に係る基板処理装置100が設置される半導体製造行程の全体を管理する図示しないホストコンピュータとの間で通信可能に構成されている。基板処理装置100は、あらかじめ設定されたレシピデータに従って、メインコントローラMCおよび各サブコントローラが各部を制御することにより動作する。各ブロック内の基板処理状況は各サブコントローラを介してメインコントローラMCに集められ、さらにホストコンピュータに伝達される。これにより、各ブロックの稼働状態をホストコンピュータにおいて容易に把握できるようになっている。
【0043】
各ブロックにおいては、各サブコントローラSC2〜SC4が、レシピデータの設定に従って、搬送機構と各処理ユニットの動作を制御する。すなわち、基板処理装置100において各ブロックは、サブコントローラを部分制御手段とする部分制御単位を構成しているといえる。各サブコントローラSC2〜SC4は、それぞれに対応する基板載置部PASSにて基板Wを受け取り、所定の処理ユニットヘ順次に搬送し、所定の処理がなされた基板Wを出口となる基板載置部PASSに載置することによって完結する一連の制御を、各々独立して行うようになっている。これは、各ブロックについてそれぞれ、処理ユニットあるいは基板載置部PASSから受け取った基板Wを搬送機構によってどこに搬送させるか、その際にどのようなタイミングと優先順位で搬送を実行するか、およびそれぞれの処理ユニットでどのような条件で基板Wを処理するか、についての情報をレシピデータとして与えることで実現される。基板Wの出入り口となるせいぜい4つの基板載置部PASSにおける基板Wの載置状況を参照することを除くと、隣接するブロック間における基板Wの受け渡しそのものを直接には制御対象としないので、あるブロックにおける動作が他のブロックに与える影響を小さくすることができる。よって、装置全体として制御が単純化されるとともに、レシピデータにおいて容易かつ柔軟な動作設定も可能である。
【0044】
さらに、薬液処理部LPを構成する各処理ユニットには、それぞれ、ユニット内の薬液の漏洩を検知するための漏液センサが設けられている。例えば、第1塗布処理ユニット8a〜8cには、図4に示すように、漏液センサS8がそれぞれに設けられている。同様に、第2塗布処理ユニット15a〜15c、現像処理ユニット30a〜30eにも、それぞれ、漏液センサS15、S30が設けられている。これらの漏液センサS8、S15、およびS30も、それぞれが備わるブロックに対応するサブコントローラSC2ないしSC4と、信号線SL8b、SL15b、およびSL30bにてそれぞれ電気的に接続されている。
【0045】
例えば、いずれかのブロックに備わるいずれかの処理ユニットの内部にて、処理液の漏出があった場合、該処理ユニットに備わる漏液センサにてこれ検知されると、該処理ユニットが属するサブコントローラに、漏液検知信号が伝達される。該サブコントローラは、これに応答して、例えば該処理ユニットにおける処理動作の中止、他の処理ユニットヘの処理の振り替えなどの動作を制御するともに、該検知信号をネットワークNを通じて薬液コントローラCCに転送する。薬液コントローラCCは、これに応答して、該処理ユニットヘの薬液供給の中止や全体の供給量の制限などの動作を制御する。
【0046】
すなわち、本実施の形態の場合、メインコントローラMCは主としてブロック間の基板受け渡しタイミング(スケジューリング)の調整を行い、各サブコントローラが、対応する各ブロック内における搬送機構による基板Wの受け渡しと、ブロックに含まれる処理ユニットの動作とを、その動作状況をセンサにてモニタしつつ統括して制御していることになる。
【0047】
これにより、従来のように、センサと薬液コントローラとを直接に結ぶ信号線は不要となるので、配線類およびコネクタ類を削減できるとともに、これらが占有していたスペースも不要となる。
【0048】
従来の基板処理装置の場合、新たに処理ユニット等が追加されると、制御プログラムを大幅に修正する必要が生じるが、本発明の場合は、新たにブロックを追加しても、該ブロックに係るレシピデータを付加すればよく、隣接する既存のブロックの制御内容に影響を与えることはない。よって、ブロックの追加を容易かつ柔軟に行うことができる。例えば、SCブロック3とSDブロック44との間に、レジスト膜の厚みや線幅を検査する検査処理ユニットやブロック内の搬送を担う搬送機構とを含むブロックを追加する態様などが考えられる。また、ブロックが追加されても、ブロック間の結線作業等が煩雑になることもない。
【0049】
<変形例>
上述の例では、薬液処理部LPにおける漏液センサとサブコントローラとの接続についてのみ説明しているが、熱処理部TPも含め、各処理ユニットにおける制御に際し必要な情報を取得するセンサ類については、同様にサブコントローラとの間で信号線を設ける態様であってよい。具体的には、薬液や純水の供給量をモニタする流量センサ、ユニット内部の温度、湿度、気圧を検知する温度センサ、湿度センサ、圧力センサ、加熱プレートHPや冷却プレートCPの温度をモニタする温度センサなど、種々のセンサに対して適用が可能である。これらのセンサからの信号は、いったんサブコントローラに送られた後、ネットワークNを通じて温度コントローラ、圧力コントローラなど対応するコントローラへとさらに伝達されることになる。
【0050】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項1ないし請求項5の発明によれば、センサからの検知信号は部分制御手段を通じて特定制御手段へと伝達されるので、センサと特定制御手段とを直接に結ぶ信号線を設ける必要がなく、配線およびコネクタの数を削減することができる。
【0051】
また、請求項1の発明によれば、結線作業を煩雑化させることなく、基板処理装置の組み立て、あるいは収容部の増設を行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】基板処理装置100の平面図である。
【図2】基板処理装置100の正面図である。
【図3】熱処理部TPの配置構成を示す図である。
【図4】基板処理装置100の、特に薬液処理部LPを構成する各部についての制御系を模式的に示す図である。
【図5】従来の基板処理装置の制御系を模式的に示す図である。
【符号の説明】
8a〜8c 第1塗布処理ユニット
10(10A〜10D) (第1〜第4)主搬送機構
13 隔壁
15a〜15c 第2塗布処理ユニット
30a〜30e 現像処理ユニット
100 基板処理装置
AHL アドヒージョン処理ユニット
C カセット
CC 薬液コントローラ
CP 冷却プレート
EEW エッジ露光ユニット
HP 加熱プレート
N ネットワーク
PASS(PASS1〜PASS10) 基板載置部
S8、S15、S30 漏液センサ
W 基板
Claims (5)
- 基板に所定の処理を行う装置であって、
少なくとも1つの処理ユニットと、
前記少なくとも1つの処理ユニットに基板を搬送する搬送手段と、
前記少なくとも1つの処理ユニットに設けられ、当該処理ユニットの状態を検知する少なくとも1つのセンサと、
前記少なくとも1つの処理ユニットと前記搬送手段とを制御する部分制御手段と、
をそれぞれが備え、互いに隣接配置されてなる個別の収容部に収容されている複数の部分制御単位と、
前記複数の部分制御手段を制御する主制御手段と、
前記少なくとも1つのセンサからの信号に応答して、当該センサの検知対象と対応した特定の制御対象について制御を行う少なくとも1つの特定制御手段と、
を備え、
前記部分制御単位を収容する前記収容部が、相異なる前記収容部との間で結線不要に隣接配置可能な構造を有しており、
それぞれの前記部分制御手段と、前記主制御手段と、前記少なくとも1つの特定制御手段とがネットワーク接続されており、
かつ、
前記少なくとも1つのセンサは、同一の前記部分制御単位に備わる前記部分制御手段のみに電気的に接続されており、前記少なくとも1つのセンサからの検知信号は、当該部分制御手段を介して前記少なくとも1つの特定制御手段に伝達される、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記部分制御単位に備わる前記部分制御手段に前記少なくとも1つのセンサから検知信号が伝達されると、前記部分制御手段がこれに応答して、前記部分制御単位において必要な制御を行うとともに、前記検知信号を対応する前記特定制御手段に対して伝達し、
前記特定制御手段が、前記部分制御手段からの前記伝達信号に応答して、前記特定の制御対象について必要な制御を行う、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記部分制御手段のそれぞれが、個別のレシピデータに基づいて制御される、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記複数の部分制御単位の少なくとも1つが、前記少なくとも1つの処理ユニットとして、基板に対し薬液を用いた処理を行う薬液処理ユニットまたは基板を加熱または冷却する熱処理ユニットのいずれかを少なくとも1つ含むことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記複数の部分制御単位の少なくとも1つが、前記少なくとも1つの処理ユニットとして、前記薬液処理ユニットを少なくとも備え、
前記特定制御手段として、所定の供給源から前記基板処理装置に備わる全ての前記薬液処理ユニットへの薬液供給を前記特定の制御対象とする薬液コントローラを備える、
ことを特徴とする基板処理装置。
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