JP6152281B2 - パターン検査方法及びパターン検査装置 - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 337
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 60
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 64
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 37
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 42
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 28
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 23
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/0008—Industrial image inspection checking presence/absence
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
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- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
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Description
検査チャンバ内で、複数の図形パターンが形成された露光用マスク基板の検査領域が、それぞれ隣り同士で一部が重なり合うように短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域のうち、それぞれ隣り合うストライプ領域を含まない第1のストライプ領域群の各々に対して、レーザ光或いは電子ビームを用いて、当該ストライプ領域の長手方向に向かって当該ストライプ領域内に配置される図形パターンの画像を取得する工程と、
第1のストライプ領域群のすべてのストライプ領域に対してパターンの画像を取得した後で露光用マスク基板を冷却する工程と、
前記第1のストライプ領域群のすべてのストライプ領域に対してパターンの画像を取得し、かつ第1のストライプ領域群のすべてのストライプ領域に対してパターンの画像を取得した後で露光用マスク基板を冷却した後、検査チャンバ内で、前記複数のストライプ領域の第1のストライプ領域群を除く残りのストライプ領域群のうち、それぞれ隣り合うストライプ領域を含まない第2のストライプ領域群の各々に対して、レーザ光或いは電子ビームを用いて、当該ストライプ領域の長手方向に向かって当該ストライプ領域内に配置される図形パターンの画像を取得する工程と、
を備えたことを特徴とする。
複数の図形パターンが形成された試料の検査領域が、それぞれ隣り同士で一部が重なり合うように短冊状に分割された複数のストライプ領域のうち、それぞれ隣り合うストライプ領域を含まない第1のストライプ領域群の各々に対して、レーザ光或いは電子ビームを用いて、当該ストライプ領域の長手方向に向かって当該ストライプ領域内に配置される図形パターンの欠陥を検査する工程と、
第1のストライプ領域群のすべてのストライプ領域に対してパターンの欠陥を検査した後、試料を冷却する工程と、
冷却後、複数のストライプ領域の第1のストライプ領域群を除く残りのストライプ領域群のうち、それぞれ隣り合うストライプ領域を含まない第2のストライプ領域群の各々に対して、レーザ光或いは電子ビームを用いて、当該ストライプ領域の長手方向に向かって当該ストライプ領域内に配置される図形パターンの欠陥を検査する工程と、
を備えたことを特徴とする。
再度冷却後、複数のストライプ領域の第1と第2のストライプ領域群を除く残りのストライプ領域群のうち、それぞれ隣り合うストライプ領域を含まない第3のストライプ領域群の各々に対して、レーザ光或いは電子ビームを用いて、当該ストライプ領域の長手方向に向かって当該ストライプ領域内に配置される図形パターンの欠陥を検査する工程と、
をさらに備えても好適である。
レーザ光或いは電子ビームを用いて、複数の図形パターンが形成された露光用マスク基板のパターン欠陥検査が行われる検査チャンバと、
検査チャンバの外部に配置され、露光用マスク基板の冷却を行う冷却部と、
検査チャンバ内で、露光用マスク基板の検査領域が、それぞれ隣り同士で一部が重なり合うように短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域のうち、それぞれ隣り合うストライプ領域を含まない第1のストライプ領域群のすべてのストライプ領域に対してパターンの画像が取得された場合に、冷却部により冷却が行われた露光用マスク基板を、複数のストライプ領域の第1のストライプ領域群を除く残りのストライプ領域群のうち、それぞれ隣り合うストライプ領域を含まない第2のストライプ領域群の画像を取得するために検査チャンバに搬入するように搬送系を制御する制御回路と、
を備えたことを特徴する。
レーザ光或いは電子ビームを用いて、複数の図形パターンが形成された試料のパターン欠陥検査が行われる検査チャンバと、
検査チャンバの外部に配置され、試料からの放電を行う放電部と、
を備えたことを特徴する。
図1は、実施の形態1におけるパターン検査装置の構成を示す構成図である。図1において、試料、例えばマスクに形成されたパターンの欠陥を検査する検査装置100は、検査部150、制御系回路160(制御部)、搬出入口(I/F)130、ロードロックチャンバ131、ロボットチャンバ140、及び冷却チャンバ146を備えている。検査部150は、光源103と検査チャンバ151を有している。
上述した実施の形態1では、レーザ光を用いて検査ストライプ20上を走査したが、実施の形態2では、電子ビームを用いて検査する場合について説明する。
20 検査ストライプ
100,300 検査装置
101 フォトマスク
102,208 XYθテーブル
103 光源
104 拡大光学系
105 フォトダイオードアレイ
106,207 センサ回路
107 位置回路
108 比較回路
109 磁気ディスク装置
110 制御計算機
112 参照回路
113 オートローダ制御回路
114 テーブル制御回路
115 磁気テープ装置
116 FD
117 CRT
118 パターンモニタ
119 プリンタ
120 バス
122 レーザ測長システム
123 ストライプパターンメモリ
130 搬出入口
131 ロードロックチャンバ
140 ロボットチャンバ
146 冷却チャンバ
148 放電チャンバ
149 イオナイザ
150,250 検査部
151,212 検査チャンバ
160,260 制御系回路
170 照明光学系
171 真空ポンプ
201 電子銃
202 投影レンズ
204 偏向器
205 検出器
206 対物レンズ
210 電子鏡筒
Claims (4)
- 検査チャンバ内で、複数の図形パターンが形成された露光用マスク基板の検査領域が、それぞれ隣り同士で一部が重なり合うように短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域のうち、それぞれ隣り合うストライプ領域を含まない第1のストライプ領域群の各々に対して、レーザ光或いは電子ビームを用いて、当該ストライプ領域の長手方向に向かって当該ストライプ領域内に配置される図形パターンの画像を取得する工程と、
前記第1のストライプ領域群のすべてのストライプ領域に対してパターンの画像を取得した後で前記露光用マスク基板を冷却する工程と、
前記第1のストライプ領域群のすべてのストライプ領域に対してパターンの画像を取得し、かつ前記第1のストライプ領域群のすべてのストライプ領域に対してパターンの画像を取得した後で前記露光用マスク基板を冷却した後、前記検査チャンバ内で、前記複数のストライプ領域の第1のストライプ領域群を除く残りのストライプ領域群のうち、それぞれ隣り合うストライプ領域を含まない第2のストライプ領域群の各々に対して、レーザ光或いは電子ビームを用いて、当該ストライプ領域の長手方向に向かって当該ストライプ領域内に配置される図形パターンの画像を取得する工程と、
を備えたことを特徴とするパターン検査方法。 - 前記第2のストライプ領域群のすべてのストライプ領域に対してパターンの画像を取得した後、前記複数のストライプ領域の第1と第2のストライプ領域群を除く残りのストライプ領域群のうち、それぞれ隣り合うストライプ領域を含まない第3のストライプ領域群の各々に対して、レーザ光或いは電子ビームを用いて、当該ストライプ領域の長手方向に向かって当該ストライプ領域内に配置される図形パターンの画像を取得する工程と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載のパターン検査方法。 - 前記露光用マスク基板は、検査チャンバ内にて前記第1のストライプ領域群のすべてのストライプ領域に対してパターンの欠陥を検査した後、前記検査チャンバから搬出され、前記第2のストライプ領域群の各々に対してパターンの欠陥を検査する前に、前記検査チャンバに搬入されることを特徴とする請求項1又は2記載のパターン検査方法。
- レーザ光或いは電子ビームを用いて、複数の図形パターンが形成された露光用マスク基板のパターン欠陥検査が行われる検査チャンバと、
前記検査チャンバの外部に配置され、前記露光用マスク基板の冷却を行う冷却部と、
前記検査チャンバ内で、前記露光用マスク基板の検査領域が、それぞれ隣り同士で一部が重なり合うように短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域のうち、それぞれ隣り合うストライプ領域を含まない第1のストライプ領域群のすべてのストライプ領域に対してパターンの画像が取得された場合に、前記冷却部により冷却が行われた前記露光用マスク基板を、前記複数のストライプ領域の第1のストライプ領域群を除く残りのストライプ領域群のうち、それぞれ隣り合うストライプ領域を含まない第2のストライプ領域群の画像を取得するために前記検査チャンバに搬入するように搬送系を制御する制御回路と、
を備えたことを特徴するパターン検査装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013034498A JP6152281B2 (ja) | 2013-02-25 | 2013-02-25 | パターン検査方法及びパターン検査装置 |
US14/185,588 US9535015B2 (en) | 2013-02-25 | 2014-02-20 | Pattern inspection method and pattern inspection apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013034498A JP6152281B2 (ja) | 2013-02-25 | 2013-02-25 | パターン検査方法及びパターン検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014163775A JP2014163775A (ja) | 2014-09-08 |
JP6152281B2 true JP6152281B2 (ja) | 2017-06-21 |
Family
ID=51388216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013034498A Active JP6152281B2 (ja) | 2013-02-25 | 2013-02-25 | パターン検査方法及びパターン検査装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9535015B2 (ja) |
JP (1) | JP6152281B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150215584A1 (en) * | 2014-01-28 | 2015-07-30 | The Boeing Company | Non-Destructive Evaluation of Structures Using Motion Magnification Technology |
JP2017032457A (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査装置 |
US10304178B2 (en) * | 2015-09-18 | 2019-05-28 | Taiwan Semiconductor Manfacturing Company, Ltd. | Method and system for diagnosing a semiconductor wafer |
US10429284B1 (en) * | 2016-07-28 | 2019-10-01 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | In situ environmentally-isolated wear tester |
US10689955B1 (en) | 2019-03-05 | 2020-06-23 | SWM International Inc. | Intelligent downhole perforating gun tube and components |
US11078762B2 (en) | 2019-03-05 | 2021-08-03 | Swm International, Llc | Downhole perforating gun tube and components |
US11268376B1 (en) | 2019-03-27 | 2022-03-08 | Acuity Technical Designs, LLC | Downhole safety switch and communication protocol |
US11619119B1 (en) | 2020-04-10 | 2023-04-04 | Integrated Solutions, Inc. | Downhole gun tube extension |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1140631A (ja) * | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Hitachi Ltd | パターン検査装置及び検査方法 |
JP2000193594A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Hitachi Ltd | 回路パターン検査方法およびその装置 |
EP1339100A1 (en) * | 2000-12-01 | 2003-08-27 | Ebara Corporation | Inspection method and apparatus using electron beam, and device production method using it |
EP1261016A4 (en) * | 2000-12-12 | 2007-06-27 | Ebara Corp | ELECTRON BEAM DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE ELECTRON BEAM DEVICE |
US20040032581A1 (en) | 2002-01-15 | 2004-02-19 | Mehrdad Nikoonahad | Systems and methods for inspection of specimen surfaces |
US7236847B2 (en) * | 2002-01-16 | 2007-06-26 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for closed loop defect reduction |
US7081625B2 (en) * | 2002-11-06 | 2006-07-25 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam apparatus |
US7138629B2 (en) * | 2003-04-22 | 2006-11-21 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
JP4053461B2 (ja) * | 2003-05-22 | 2008-02-27 | 株式会社荏原製作所 | パターン評価方法及びデバイス製造方法 |
US7012251B2 (en) | 2003-05-22 | 2006-03-14 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus, a pattern evaluation method and a device manufacturing method using the electron beam apparatus or pattern evaluation method |
JP4566035B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2010-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及びその方法 |
US8041103B2 (en) | 2005-11-18 | 2011-10-18 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space |
US7676077B2 (en) | 2005-11-18 | 2010-03-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
US7570796B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
KR101613048B1 (ko) * | 2005-11-18 | 2016-04-15 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 검사 데이터와 조합하여 설계 데이터를 활용하는 방법 및 시스템 |
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JP4764436B2 (ja) | 2008-02-14 | 2011-09-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 外観検査方法及び検査装置 |
US8194301B2 (en) * | 2008-03-04 | 2012-06-05 | Kla-Tencor Corporation | Multi-spot scanning system and method |
WO2013051221A1 (ja) * | 2011-10-03 | 2013-04-11 | パナソニック株式会社 | 薄膜素子、薄膜素子アレイ及び薄膜素子の製造方法 |
JP6364193B2 (ja) * | 2014-01-23 | 2018-07-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 焦点位置調整方法および検査方法 |
-
2013
- 2013-02-25 JP JP2013034498A patent/JP6152281B2/ja active Active
-
2014
- 2014-02-20 US US14/185,588 patent/US9535015B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140241611A1 (en) | 2014-08-28 |
JP2014163775A (ja) | 2014-09-08 |
US9535015B2 (en) | 2017-01-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161011 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170529 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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