CN100547730C - 曝光装置及元件制造方法 - Google Patents

Abstract

曝光装置(EX)，透过投影光学系统(PL)及液体(LQ)将曝光用光(EL)照射于基板(P)上，以使基板(P)曝光。所述曝光装置(EX)，具备供应液体(LQ)且回收液体(LQ)的液浸机构(1)。所述液浸机构(1)具有平坦面，该平坦面配置成与该基板平行对向，且包围该曝光用光的光路；该液浸机构具有液体回收口，该液体回收口配置在相对该曝光用光的光路于该平坦面的外侧，且与该基板对向；所述液浸机构(1)具有多孔构件，该多孔构件具有与基板(P)的表面对向且相对基板(P)表面呈倾斜的斜面(2)；该液体回收口包含该多孔构件的斜面；该斜面形成为当其与该投影光学系统的光轴的距离越长则与该基板表面的间隔越大。

Description

曝光装置及元件制造方法

技术领域

本发明关于透过液体使基板曝光的曝光装置、曝光方法及元件制造方法。

背景技术

半导体元件或液晶显示元件，是通过将形成于掩膜版上的图案转印于感光性基板上、即所谓的光刻方法来制造。此光刻步骤所使用的曝光装置，具有支撑掩膜版的掩膜版载台与支撑基板的基板载台，使掩膜版载台与基板载台一边逐次移动一边透过投影光学系统将掩膜版的图案转印于基板。近年来，为对应元件图案的更高集成化，而期待投影光学系统具有更高分辨率。投影光学系统的分辨率，是所使用的曝光波长越短、或投影光学系统的数值孔径越大则会越提高。因此，曝光装置所使用的曝光波长逐年变短，投影光学系统的数值孔径则逐渐增大。又，目前主流的曝光波长虽为KrF准分子激光的248nm，但波长更短的ArF准分子激光的193nm也逐渐实用化。又，进行曝光时，焦深(DOF)也与分辨率同样重要。分辨率R及焦深δ分别以下式表示。

R＝k₁·λ/NA…(1)

δ＝±k₂·λ/NA²…(2)

此处，λ为曝光波长，NA为投影光学系统的数值孔径，k₁、k₂为处理系数。从(1)式、(2)式可知，为了提高分辨率R，而缩短曝光波长λ、增大数值孔径NA时，即会使焦深δ变窄。

若焦深δ变得过窄，即难以使基板表面与投影光学系统的像面一致，有进行曝光动作时焦点裕度不足的顾虑。因此，作为实质上缩短曝光波长且扩大焦深的方法，例如已有提出一种国际公开第99/49504号公报所揭示的液浸法。此液浸法，是以水或有机溶剂等液体充满投影光学系统下面与基板表面间来形成液浸区域，利用液体中的曝光用光的实质波长为在空气中的1/n倍(n为液体折射率，通常为1.2～1.6左右)这点来提高分辨率，且能将焦深放大至n倍。

此外，如上述专利文献1所揭示，是有一种一边使掩膜版与基板同步移动于扫描方向、一边将形成于掩膜版的图案曝光于基板的扫描型曝光装置。扫描型曝光装置，以提高元件的生产性为目的等而被要求扫描速度更高速。然而，在使扫描速度更高速时，即有可能难以将液浸区域的状态维持于所欲状态(大小等)，进而导致透过液体的曝光精度及测量精度劣化。因此，被要求即使在使扫描速度更高速时，也能将液体的液浸区域维持于所欲状态。

例如，当无法将液浸区域维持于所欲状态而在液体中产生气泡或间隙(Void)时，通过液体的曝光用光即因气泡或间隙而无法良好地到达基板上，使形成于基板上的图案产生缺陷等不良情形。又，在一边进行液体的供应及回收、一边于基板上一部分局部地形成液浸区域时，有可能因扫描速度的高速化而难以充分回收液浸区域的液体。当无法充分回收液体时，即会例如因残留于基板上的液体气化而形成附着痕(即所谓水痕，下述中即使液体非水时也将液体附着后的情形称为水痕)。水痕有可能会对基板上的光致抗蚀剂带来影响，并有可能因该影响导致所生产元件的性能劣化。又，也有可能随着扫描速度的更高速而难以将液浸区域维持于所欲大小。又，也有可能随着扫描速度的更高速而导致液浸区域的液体流出。

发明内容

本发明有鉴于上述情形，其目的在于提供能将液浸区域维持于所欲状态、良好地进行曝光处理的曝光装置、曝光方法及使用该曝光装置的元件制造方法。

为解决上述问题，本发明采用了对应实施形态所示的图1至图33的下述构成。不过，附加于各要素的包含括号的符号仅是该要素的例示，而并非限定各要素。

根据本发明第1发明，提供一种曝光装置(EX)，是透过液体(LQ)将曝光用光(EL)照射于基板(P)，以使基板(P)曝光，其特征在于，具备：投影光学系统(PL)；以及液浸机构(11，21等)，供应液体(LQ)且回收液体(LQ)；该液浸机构具有平坦面，该平坦面配置成与该基板平行对向，且包围该曝光用光的光路；该液浸机构具有液体回收口，该液体回收口配置在相对该曝光用光的光路于该平坦面的外侧，且与该基板对向；该液浸机构，具有多孔构件，该多孔构件具有与基板(P)表面对向且相对基板表面呈倾斜的斜面(2)；该液体回收口(22)包含该多孔构件的斜面(2)；该斜面形成为，当其与该投影光学系统的光轴的距离越长则与该基板表面的间隔越大。

根据本发明的第1发明，由于液浸机构的液体回收口形成于与基板表面对向的斜面，因此即使使形成于投影光学系统的像面侧的液浸区域与基板相对移动时，也能抑制液浸区域的液体与其外侧空间的界面(气液界面)的移动量，且抑制界面形状的较大变化。因此，能将液浸区域的状态(大小等)维持于所欲状态。又，能抑制液浸区域的扩大。

根据本发明第2发明，提供一种曝光装置(EX)，是透过液体(LQ)将曝光用光(EL)照射于基板(P)上，以使基板(P)曝光，其特征在于，具备：投影光学系统(PL)；以及液浸机构(11，21等)，供应液体(LQ)且回收液体(LQ)；液浸机构，具有形成为与基板(P)表面对向、且与基板(P)表面大致成平行的平坦部(75)；液浸机构的平坦部(75)，在投影光学系统(PL)的像面侧端面(T1)与基板(P)间配置成包围曝光用光(EL)所照射的投影区域(AR1)；液浸机构的液体供应口(12)，相对曝光用光(EL)所照射的投影区域(AR1)配置于平坦部(75)外侧。

根据本发明的第2发明，由于能将形成于基板表面与平坦部间的小间隙形成于投影区域附近、且形成为包围投影区域，因此不但能维持覆盖投影区域所需的十分小的液浸区域，且由于在平坦部外侧设置液体供应口，因此能防止气体混入形成液浸区域的液体中，以液体持续充满曝光用光的光路。

根据本发明第3发明，提供一种曝光装置(EX)，是透过液体(LQ)将曝光用光(EL)照射于基板(P)，以使基板(P)曝光，其特征在于，具备：投影光学系统(PL)；以及液浸机构(11，21等)，供应液体(LQ)且回收液体(LQ)；液浸机构，具有：液体供应口(12)，设于曝光用光(EL)的光路空间外侧的第1位置且供应液体(LQ)，以及导引构件(172D)，导引液体，使液体供应口(12)所供应的液体(LQ)透过光路空间流向与光路空间外侧的第1位置相异的第2位置。

根据本发明第3发明，由于从设于曝光用光光路空间外侧的第1位置的液体供应口所供应的液体，是通过导引构件流至与该光路空间外侧的第1位置相异的第2位置，因此能抑制气体部分(气泡)在充满曝光用光的光路空间的液体中形成气体部分(气泡)的不当情形产生，将液体维持于所欲状态。

根据本发明第4发明，提供一种曝光装置(EX)，是透过液体(LQ)将曝光用光(EL)照射于基板(P)，以使基板(P)曝光，其特征在于，具备：光学系统(PL)，具有与基板(P)对向的端面(T1)，使照射于基板(P)的曝光用光(EL)通过；以及液浸机构(11，21等)，是供应液体(LQ)且回收液体；该液浸装置具有板构件(172D)，该板构件具有以和基板(P)平行对向的方式配置于基板(P)与光学系统端面(T1)之间、且配置成包围曝光用光(EL)的光路的平坦面(75)；从设于光学系统端面(T1)附近的供应口(12)将液体(LQ)供应至光学系统端面(T1)与板构件(172D)间的空间(G2)，且从回收口(22)回收液体，该回收口(22)是在较该板构件的平坦面(75)更离开曝光用光(EL)光路的位置配置成与基板(P)对向。

根据本发明第4发明的曝光装置，由于形成于板构件的平坦面与基板间的微小间隙形成为包围曝光用光，且进一步于该平坦面外侧配置有液体回收口，因此能在基板上维持所欲状态的稳定液浸区域。又，由于将液体供应至板构件与光学系统的端面间的空间，因此于形成在曝光用光的光路的液浸区域难以产生气泡或间隙(Void)。

又，根据本发明第5发明，提供一种曝光装置(EX)，是透过液体(LQ)将曝光用光(EL)照射于基板(P)，以使基板(P)曝光，其特征在于，具备：光学构件(LS1)，具有与液体(P)接触的端面(T1)，并使曝光用光(EL)通过；以及液浸机构(11，21等)，是供应液体(LQ)且回收液体(LQ)；该液浸装置，具有配置成与基板(P)平行对向、且包围曝光用光(EL)的光路的平坦面(75)；以及相对曝光用光(EL)的光路、于平坦面(75)外侧相对该平坦面倾斜的斜面(2，2”)。

根据本发明第5发明的曝光装置，由于形成于板构件的平坦面与基板间的微小间隙形成为包围曝光用光，因此能在基板上维持所欲状态的稳定液浸区域。又，由于于该平坦面的外侧形成斜面，因此可抑制液体的扩大，防止液体漏出等。

根据本发明第6发明，提供一种曝光方法，是透过光学构件(LS1)与液体(LQ)将曝光用光(EL)照射于基板(P)，以使基板(P)曝光，其特征在于：是将基板(P)配置成与光学构件(LS1)的端面(T1)对向；将液体供应至在光学构件端面(T1)与基板(P)间配置成包围曝光用光(EL)的光路的板构件(172D)一面、与光学构件端面(T1)之间的空间(G2)，以液体充满光学构件端面(T1)与基板(P)之间的空间、以及该板构件的另一面与该基板之间；以和该液体的供应并行的方式从配置成与基板(P)对向的回收口(22)回收液体(LQ)，以在基板(P)上的一部分形成液浸区域(AR2)；透过于基板上的一部分形成液浸区域(AR2)的液体(LQ)，将曝光用光照射于该基板，以使基板(P)曝光。

根据本发明第6发明的曝光方法，由于形成于板构件的平坦面与基板间的微小间隙形成为包围曝光用光，因此能在基板上维持所欲状态的稳定液浸区域。又，由于将液体供应至板构件与光学系统的端面间的空间，因此于形成在曝光用光的光路的液浸区域难以产生气泡或间隙。

根据本发明第7发明，是提供使用上述实施例的曝光装置(EX)的元件制造方法。

根据本发明第7发明，由于即使在使扫描速度高速化时，也能在将液体的液浸区域维持于所欲状态的状态下，良好地进行曝光处理，因此能以高生产效率制造具有所欲性能的元件。

附图说明

图1是显示本发明曝光装置的第1实施形态的概略构成图。

图2是显示第1实施形态的嘴构件附近的概略立体图。

图3是从下侧观察第1实施形态的嘴构件的立体图。

图4是显示第1实施形态的嘴构件附近的侧视截面图。

图5是显示液体回收机构的一实施形态的概略构成图。

图6是用来说明液体回收机构的液体回收动作原理的示意图。

图7(a)及(b)是用来说明第1实施形态的液体回收动作的示意图。

图8(a)及(b)是显示液体回收动作的比较例的示意图。

图9是显示第2实施形态的嘴构件的示意图。

图10是显示第3实施形态的嘴构件的示意图。

图11是显示第4实施形态的嘴构件的示意图。

图12是从下侧观察第5实施形态的嘴构件的立体图。

图13是显示第6实施形态的嘴构件附近的概略立体图。

图14是从下侧观察第6实施形态的嘴构件的立体图。

图15是显示第6实施形态的嘴构件附近的侧视截面图。

图16是用来说明第6实施形态的嘴构件作用的图。

图17是从下侧观察第7实施形态的嘴构件的立体图。

图18是显示第7实施形态的嘴构件附近的侧视截面图。

图19是显示第8实施形态的嘴构件附近的概略立体图。

图20是从下侧观察第8实施形态的嘴构件的立体图。

图21是显示第8实施形态的嘴构件附近的侧视截面图。

图22是显示第8实施形态的嘴构件附近的侧视截面图。

图23是显示第8实施形态的导引构件的俯视图。

图24是显示第8实施形态的嘴构件附近的侧视截面图。

图25是显示第9实施形态的导引构件的俯视图。

图26是显示第10实施形态的导引构件的俯视图。

图27是显示第11实施形态的导引构件的俯视图。

图28是显示第12实施形态的导引构件的俯视图。

图29是显示第13实施形态的导引构件的俯视图。

图30是显示第14实施形态的导引构件的俯视图。

图31是显示第15实施形态的导引构件的俯视图。

图32是显示第16实施形态的导引构件的俯视图。

图33是显示半导体元件一制造工艺例的流程图。

主要元件符号说明

1                 液浸机构

2                 斜面

12                液体供应口

22                液体回收口

25                多孔构件

70，70’，70”    嘴构件

71D，72D          底板部(板状构件)

73                槽部

73A，74，74’     开口部

75                平坦面(平坦部)

76                壁部

130A              排气口

135               吸引装置(吸气系统)

140A              液体供应口

172D              底板部(构件，导引构件)

181               第1导引部

181F，182F        流路

182               第2导引部

AR1               投影区域

AR2               液浸区域

AX                光轴

EL    曝光用光

EX    曝光装置

G2    间隙(空间)

LQ    液体

P     基板

PL    投影光学系统

T1    端面

具体实施方式

以下虽然参照图式说明本发明的实施形态，但本发明并不限于此。

第1实施形态

图1为显示本实施形态的曝光装置的概略构成图。图1中，曝光装置EX，具有：掩膜版载台MST，能保持掩膜版M并移动；基板载台PST，能保持基板P并移动；照明光学系统IL，以曝光用光EL照明保持于掩膜版载台MST的掩膜版M；投影光学系统PL，将以曝光用光EL照明的掩膜版M的图案像投影于保持在基板载台PST的基板P；以及控制装置CONT，统筹控制曝光装置EX整体的动作。

本实施形态的曝光装置EX为一适用液浸法的液浸曝光装置，其用以在实质上缩短曝光波长来提高分辨率且在实质上放大焦深，其具备供应液体LQ且回收液体LQ的液浸机构1。液浸机构1，具备将液体LQ供应至投影光学系统PL的像面侧的液体供应机构10、以及将液体供应机构10所供应的液体LQ回收的液体回收机构20。曝光装置EX，至少在将掩膜版M的图案影像转印于基板P上的期间，在包含投影光学系统PL的投影区域AR1(通过液体供应机构10所供应的液体LQ所形成)的基板P上一部分，局部地形成较投影区域AR1大且较基板P小的液浸区域AR2。具体而言，曝光装置EX，采用一种局部液浸方式，其于投影光学系统PL的像面侧的光学元件LS1与配置于该像面侧的基板P表面间充满液体LQ，通过使曝光用光EL透过此投影光学系统PL与基板P间的液体LQ及投影光学系统PL、并通过掩膜版M而照射于基板P，来使掩膜版M的图案影像投影曝光于基板P。控制装置CONT，是使用液体供应机构10供应既定量的液体LQ至基板P上，且使用液体回收机构20将基板P上的液体LQ回收既定量，据此在基板P上局部形成液体LQ的液浸区域AR2。

于投影光学系统PL的像面侧附近、具体而言是投影光学系统PL的像面侧端部的光学元件LS1附近，配置有详述于后的嘴构件70。嘴构件70为一环状构件，其在基板P(基板载台PST)上方设置成包围投影光学元件LS1周围。本实施形态中，嘴构件70为构成液浸机构1的一部分。

本实施形态是以使用扫描型曝光装置(即扫描步进机)作为曝光装置EX的情形为例来说明，该扫描型曝光装置，是一边使掩膜版M与基板P往扫描方向的彼此互异的方向(反方向)同步移动，一边将形成于掩膜版M的图案曝光于基板P。以下说明中，将与投影光学系统PL的光轴AX一致的方向设为Z轴方向、将在垂直于Z轴方向的平面内掩膜版M与基板P同步移动的方向(扫描方向)设为X轴方向、将垂直于Z轴方向及X轴方向的方向(非扫描方向)设为Y轴方向。又，将绕X轴、Y轴及Z轴周围的旋转(倾斜)方向分别设为θX、θY以及θZ方向。

曝光装置EX，具备：设于地面上的底座BP、以及设于该底座BP上的主柱架9。于主柱架9形成有向内侧突出的上侧段部7及下侧段部8。照明光学系统IL，是以曝光用光EL照明被掩膜版载台MST支撑的掩膜版M，其由固定于主柱架9上部的框架3支撑。

照明光学系统IL，具有：曝光用光源、使从曝光用光源射出的曝光用光EL的照度均一化的光学积分器、使来自光学积分器的曝光用光EL聚光的聚光透镜、中继透镜系统、将曝光用光EL所形成的掩膜版M上的照明区域设定成狭缝状的可变视野光栅等。掩膜版M上的既定照明区域，是通过照明光学系统IL以均一照度分布的曝光用光EL来照明。作为从照明光学系统IL射出的曝光用光EL，例如使用从水银灯射出的亮线(g线、h线、i线)及KrF准分子激光(波长248nm)等远紫外光(DUV光)，或ArF准分子激光(波长193nm)及F₂激光(波长157nm)等真空紫外光(VUV光)等。本实施形态是使用ArF准分子激光。

本实施形态中，使用纯水来作为液体。纯水不但能使ArF准分子激光也能透射，例如也能使从水银灯射出的亮线(g线、h线、i线)及KrF准分子激光(波长248nm)等远紫外光(DUV光)透射。

掩膜版载台MST，能保持掩膜版M并移动。掩膜版载台MST，通过例如真空吸附(或静电吸附)方式来保持掩膜版M。于掩膜版载台MST下面，设有多个非接触轴承的空气轴承(air bearing)85。掩膜版载台MST，通过空气轴承85以非接触方式支撑于掩膜版台4上面(导引面)。于掩膜版载台MST及掩膜版台4的中央部，分别形成有使掩膜版M的图案像通过的开口部MK1，MK2。掩膜版台4透过防振装置86支撑于主柱架9的上侧段部7。也即，掩膜版载台MST透过防振装置86及掩膜版台4而支撑于主柱架9(上侧段部7)。又，通过防振装置86，来将掩膜版台4与主柱架9在振动上分离，能使主柱架9的振动不会传达至支撑掩膜版载台MST的掩膜版台4。

掩膜版载台MST，通过驱动控制装置CONT所控制的包含线性马达等的掩膜版载台驱动装置MSTD，而能在保持掩膜版M的状态下，在掩膜版台4上与投影光学系统PL的光轴AX垂直的平面内、也即XY平面内，进行2维移动及微幅旋转于θZ方向。掩膜版载台MST，能以指定的扫描速度移动于X轴方向，并具有掩膜版M全面至少能横越投影光学系统PL的光轴AX的X轴方向移动行程。

于掩膜版载台MST上，设有与掩膜版载台MST一起移动的移动镜81。又，在与移动镜81对向的位置设置激光干涉仪82。掩膜版载台MST上的掩膜版M的2维方向位置及θZ方向的旋转角(视情形不同有时也包含θX、θY方向的旋转角)，是通过激光干涉仪82以实时方式测量。激光干涉仪82的测量结果输出至控制装置CONT。控制装置CONT，即根据激光干涉仪82的测量结果来驱动掩膜版载台驱动装置MSTD，据此进行保持于掩膜版载台MST的掩膜版M的位置控制。

投影光学系统PL，以既定的投影倍率β将掩膜版M的图案投影曝光于基板P，由多个光学元件(包含设于基板P侧前端部的光学元件LS1)构成，这些光学元件以镜筒PK支撑。本实施形态中，投影光学系统PL，为投影倍率β例如为1/4、1/5或1/8的缩小系统。此外，投影光学系统PL也可为等倍系统及放大系统的任一者。又，投影光学系统PL，也可为包含折射元件与反射元件的反射折射系统、不包含反射元件的折射系统、不包含折射元件的反射系统的任一者。又，本实施形态的投影光学系统PL前端部的光学元件LS1是从镜筒PK露出，液浸区域AR2的液体LQ即接触于该光学元件LS1。

于保持投影光学系统PL的镜筒PK外周设有突缘PF，投影光学系统PL透过此突缘PF支撑于镜筒台5。镜筒台5透过防振装置87而支撑于主柱架9的下侧段部8。也即，投影光学系统PL透过防振装置87及镜筒台5而支撑于主柱架9(下侧段部8)。又，通过防振装置87，来将镜筒台5在振动上与主柱架9分离，能使主柱架9的振动不会传达至支撑投影光学系统PL的镜筒台5。

基板载台PST，能支撑保持基板P的基板保持具PH并移动，通过例如真空吸附方式等来保持基板P。于基板载台PST下面，设有多个非接触轴承的空气轴承88。基板载台PST，通过空气轴承88以非接触方式支撑于基板台6上面(导引面)。基板台6透过防振装置89支撑于底座BP上。又，通过防振装置89，来将基板台6在振动上与主柱架9及底座BP(地板面)分离，能使底座BP(地板面)或主柱架9的振动不会传达至支撑基板载台PST的基板台6。

基板载台PST，通过驱动控制装置CONT所控制的包含线性马达等的基板载台驱动装置PSTD，而能在透过基板保持具PH在保持基板P的状态下，在基板台6上的XY平面内进行2维移动及微幅旋转于θZ方向。进一步地，基板载台PST也可移动于Z轴方向、θX方向以及θY方向。

在基板载台PST上，设有与基板载台PST一起相对投影光学系统PL移动的移动镜83。又，在与移动镜83对向的位置设有激光干涉仪84。基板载台PST上的基板P在2维方向的位置及旋转角，是通过激光干涉仪84以实时方式测量。又，虽然未图示，但曝光装置EX具备焦点、调平检测系统，其用以检测支撑于基板载台PST的基板P的表面位置信息。作为焦点、调平检测系统，可采用从斜方向将检测光照射于基板P表面的斜入射方式、也可采用静电容量型传感器的方式等。焦点、调平检测系统，是透过液体LQ、或在不透过液体LQ的状态下，检测出基板P表面的Z轴方向的位置信息、以及基板P的θX及θY方向的倾斜信息。当是在不透过液体LQ的状态下检测基板P表面的面信息的聚焦调平检测系统时，也可是在离开投影光学系统PL的位置检测基板P表面的面信息。在离开投影光学系统PL的位置检测基板P表面的面信息的曝光装置，例如揭示于美国专利第6,674,510号，在本国际申请案的指定或选择的国家法令所容许的范围内，援用该文献的记载内容作为本文记载的一部分。

激光干涉仪84的测量结果输出至控制装置CONT。焦点、调平检测系统的检测结果也输出至控制装置CONT。控制装置CONT，根据焦点、调平检测系统的检测结果驱动基板载台驱动装置PSTD，通过控制基板P的焦点位置及倾斜角来使基板P表面与投影光学系统PL的像面一致，且根据激光干涉仪84的测量结果，进行基板P的X轴方向及Y轴方向的位置控制。

于基板载台PST上设有凹部90，用以保持基板P的基板保持具PH即配置于凹部90。又，基板载台PST中除了凹部90以外的上面91，是一与保持于基板保持具PH的基板P表面大致相同高度(同一面高)的平坦面(平坦部)。又，本实施形态中，移动镜83的上面也设置成与基板载台PST的上面91为大致同一面高。

由于将与基板P表面大致同一面高的上面91设于基板P周围，因此即使是对基板P的边缘区域进行液浸曝光时，由于在基板P的边缘部位外侧几乎没有段差，因此能将液体LQ保持于投影光学系统PL的像面侧，良好地形成液浸区域AR1。又，在基板P的边缘部与设于该基板P周围的平坦面(上面)91间虽有0.1～2mm左右的间隙，但通过液体LQ的表面张力而使液体LQ几乎不会流入该间隙，即使对基板P的周缘附近进行曝光时，也可通过上面91将液体LQ保持于投影光学系统PL下。

液浸机构1的液体供应机构10，用以将液体LQ供应至投影光学系统PL的像面侧，其具备：能送出液体LQ的液体供应部11、以及其一端部连接于液体供应部11的供应管13。供应管13的另一端部连接于嘴构件70。本实施形态中，液体供应机构10是供应纯水，液体供应部11具备纯水制造装置、以及调整所供应的液体(纯水)LQ温度的调温装置等。此外，只要能满足既定水质条件，也可不将纯水制造装置设于曝光装置EX，而是使用配置有曝光装置EX的工厂内的纯水制造装置(施力装置)。又，也可不将调整液体(纯水)LQ温度的调温装置设于曝光装置EX，而使用工厂内的设备来替代。液体供应机构10(液体供应部11)的动作是由控制装置CONT控制。为将液浸区域AR2形成于基板P上，液体供应机构10，是在控制装置CONT的控制下，将既定量液体LQ供应至配置在投影光学系统PL像面侧的基板P上。

又，于供应管13途中设有称为质量流量控制器的流量控制器16，其用以控制从液体供应部11送至投影光学系统PL像面侧的每一单位时间的液体量。流量控制器16的液体供应量的控制，是根据控制装置CONT的指令讯号所进行。

液浸机构1的液体回收机构20，用以回收投影光学系统PL的像面侧的液体LQ，其具备能回收液体LQ的液体回收部21、以及其一端部连接于液体回收部21的回收管23。回收管23的另一端部则连接于嘴构件70。液体回收部21，例如具备：真空泵等真空系统(吸引装置)、以及将所回收的液体LQ与气体分离的气液分离器、用以收容所回收的液体LQ的槽等。此外，也可不将真空系统、气液分离器、槽等全部设于曝光装置EX，而使用配置有曝光装置EX的工厂内的设备来替代其至少一部分。液体回收机构20(液体回收部21)的动作是由控制装置CONT控制。为将液浸区域AR2形成于基板P上，液体回收机构20，是在控制装置CONT的控制下，将液体供应机构10所供应的基板P上的液体LQ回收既定量。

嘴构件70是被喷嘴保持具92保持，该喷嘴保持具92连接于主柱架9的下侧段部8。透过喷嘴保持具92保持嘴构件70的主柱架9、与透过突缘PF支撑投影光学系统PL的镜筒PK的镜筒台5，透过防振装置87在振动上分离。据此，可防止在嘴构件70产生的振动传达至投影光学系统PL。又，透过喷嘴保持具92支撑嘴构件70的主柱架9、与支撑基板载台PST的基板台6，透过防振装置89在振动上分离。据此，可防止在嘴构件70产生的振动透过主柱架9及底座BP而传达至基板载台PST。又，透过喷嘴保持具92支撑嘴构件70的主柱架9、与支撑掩膜版载台MST的掩膜版台4，透过防振装置86在振动上分离。据此，可防止嘴构件70产生的振动透过主柱架9传达至掩膜版载台MST。

其次，参照图2、3及4说明液浸机构1及构成该液浸机构1一部分的嘴构件70。图2为显示嘴构件70附近的概略立体图的部分截断图、图3为从下侧观察嘴构件70的立体图、图4为侧视截面图。

嘴构件70，配置于投影光学系统PL的像面侧前端部的光学元件LS1附近，为一于基板P(基板载台PST)上方配置成包围投影光学系统PL周围的环状构件。于嘴构件70中央部具有能配置投影光学系统PL(光学元件LS1)的孔部70H。在嘴构件70的孔部70H的内侧面与投影光学系统PL的光学元件LS1的侧面间设有间隙。此间隙，是为了在振动上分离投影光学系统PL的光学元件LS1与嘴构件70所设置。据此，可防止在嘴构件70产生的振动直接传达至投影光学系统PL(光学元件LS1)。

此外，嘴构件70的孔部70H内侧面，对液体LQ具有拨液性(拨水性)，可抑制液体渗入投影光学系统PL侧面与嘴构件70内侧面的间隙。

于嘴构件70下面，形成有用以供应液体LQ的液体供应口12、以及用以回收液体LQ的液体回收口22。又，于嘴构件70内部，形成有连接于液体供应口12的供应流路14以及连接液体回收口22的回收流路24。又，于供应流路14连接供应管13另一端，于回收流路24连接回收管23另一端。液体供应口12、供应流路14以及供应管13是构成液体供应机构10的一部分，液体回收口22、回收流路24以及回收管23，是构成液体回收机构20的一部分。

液体供应口12，是在被基板载台PST支撑的基板P上方，设置成与该基板P表面对向。液体供应口12与基板P表面隔着既定距离。液体供应口12，配置成包围曝光用光EL所照射的投影光学系统PL的投影区域AR1。本实施形态中，液体供应口12，于嘴构件70下面形成为包围投影区域AR1的环形狭缝状。又，本实施形态中，投影区域AR1，为设定成以Y轴方向(非扫描方向)为长边方向的矩形。

供应流路14，具备其一部分连接于供应管13的另一端的缓冲流路部14H；以及其上端部连接于缓冲流路部14H、下端部连接于液体供应口12的倾斜流路部14S。倾斜流路部14S具有对应液体供应口12的形状，其沿XY平面的截面形成为包围光学元件LS1的环形狭缝状。倾斜流路部14S，具有与配置于其内侧的光学元件LS1侧面对应的倾斜角度，从侧视截面视之，形成为当其与投影光学系统PL的光轴AX的距离越长则与基板P表面的间隔越大。

缓冲流路部14H，以包围倾斜流路部14S上端部的方式设置于其外侧，为一形成为沿XY方向(水平方向)扩张的空间部。缓冲流路部14H内侧(光轴AX侧)与倾斜流路部14S上端部连接，其连接部为一弯曲角部17。又，在其连接部(弯曲角)17附近，具体而言是缓冲流路部14H的内侧(光轴AX侧)区域，设置有形成为包围倾斜流路部14S上端部的堤防部15。堤防部15，设置成从缓冲流路部14H底面往+Z方向突出。通过堤防部15，形成较缓冲流路部14H窄的狭窄流路部14N。

本实施形态中，嘴构件70，是将第1构件71与第2构件72组合而形成。第1、2构件71、72，例如可通过铝、钛、不锈钢、杜拉铝(duralumin)、或至少含上述中的二者的合金来形成。

第1构件71，具有：侧板部71A、其外侧端部连接于侧板部71A上部的既定位置的顶板部71B、其上端部连接于顶板部71B内侧端部的倾斜板部71C、以及连接于倾斜板部71C下端部的底板部71D(参照图3)，上述各板部彼此接合成一体。第2构件72，具有：其外侧端部连接于第1构件71上端部的顶板部72B、其上端部连接于顶板部72B内侧端部的倾斜板部72C、以及连接于倾斜板部72C下端部的底板部72D，上述各板部彼此接合成一体。又，以第1构件71的顶板部71B形成缓冲流路部14H的底面、以第2构件72的顶板部72B下面形成缓冲流路部14H的顶面。又，以第1构件71的倾斜板部71C上面(朝向光学元件LS1的面)形成倾斜流路部14S的底面、以第2构件72的倾斜板部72C下面(与光学元件1相反侧的面)形成倾斜流路部14S的顶面。第1构件71的倾斜板部71C及第2构件72的倾斜板部72C分别形成为研钵状。通过组合上述第1、第2构件71、72来形成狭缝状供应流路14。又，缓冲流路部14H外侧，是被第1构件71的侧板部71A上部区域封闭，第2构件72的倾斜板部72C上面是与光学元件LS1的侧面对向。

液体回收口22，是在支撑于基板载台PST的基板P上方，设置成与该基板P表面对向。液体回收口22与基板P表面隔着既定距离。液体回收口22是相对投影光学系统PL的投影区域AR1，以从液体供应口12离开的方式设置于液体供应口12外侧，并形成为包围液体供应口12及投影区域AR1。具体而言，通过第1构件71的侧板71A、顶板部71B、以及倾斜板部71C，来形成向下开口的空间部24，通过空间部24的前述开口部来形成液体回收口22，并通过前述空间部24形成回收流路24。又，于回收流路(空间部)24的一部分连接有回收管23的另一端。

于液体回收口22配置有覆盖该液体回收口22的具多个孔的多孔构件25。多孔构件25是由具多个孔的网状(mesh)构件构成。作为多孔构件25，例如能通过形成蜂巢形图案(由大致六角形的多个孔所构成)的网状构件来构成。多孔构件25形成为薄板状，例如为具有100μm左右的厚度。

多孔构件25，能通过对构成多孔构件的基材(由不锈钢(例如SUS316)等构成)的板构件施以凿孔加工来形成。又，也能于液体回收口22重叠配置多个薄板状多孔构件25。又，也可对多孔构件25施以用来抑制杂质溶于液体LQ的表面处理、或施以用来提高亲液性的表面处理。作为此种表面处理，是有使氧化铬附着于多孔构件25的处理，例如神钢环境对策股份有限公司的「GOLDEP」处理、或「GOLDEP WHITE」处理。通过施以此种表面处理，而能防止多孔构件25的杂质溶于液体LQ等不良情形产生。又，也可对嘴构件70(第1、第2构件71、72)施以上述表面处理。此外，也可使用杂质较不会溶于液体LQ的材料(钛等)来形成多孔构件25。

嘴构件70为俯视四角形状。如图3所示，液体回收口22，是于嘴构件70下面形成为包围投影区域A1R及液体供应口12的俯视框状(「口」字形)。又，于该回收口22配置有薄板状的多孔构件25。又，在液体回收口22(多孔构件25)与液体供应口12之间，配置有第1构件71的底板部71D。液体供应口12，是在第1构件71的底板部71D与第2构件72的底板部72D间形成为俯视环状的狭缝。

嘴构件70中，底板部71D、72D的各与基板P对向的面(下面)，为平行于XY平面的平坦面。也即，嘴构件70所具备的底板部71D、72D，是具有形成为与基板载台PST所支撑的基板P表面(XY平面)对向、且与基板P表面大致平行的下面。又，本实施形态中，底板部71D下面与底板部72D下面为大致同一面高，且与配置于基板载台PST的基板P表面间的间隙为最小的部分。据此，能将液体LQ良好地保持在底板部71D、72D下面与基板P之间，以形成液浸区域AR1。以下说明中，将形成为与基板P表面对向、且与基板P表面(XY平面)大致平行的底板部71D、72D下面(平坦部)，适当并称为「平坦面75」。

平坦面75，是配置于嘴构件70中最接近基板载台PST所支撑的基板P位置的面。且本实施形态中，由于底板部71D下面与底板部72D下面为大致同一面高，因此虽然将底板部71D下面及底板部72D下面一起当作平坦面75，但也可于配置底板部71D的部分配置多孔构件25来作为液体回收口，此时，仅有底板部72D的下面为平坦面75。

多孔构件25，具有与支撑于基板载台PST的基板P对向的下面2。又，多孔构件25，是以其下面2对支撑于基板载台PST的基板P表面(也即XY平面)呈倾斜的方式设于液体回收口22。也即，设于液体回收口22的多孔构件25，具有与支撑于基板载台PST的基板P表面对向的斜面(下面)2。液体LQ，透过配置于液体回收口22的多孔构件25的斜面2而被回收。因此，液体回收口22形成于斜面2。换言之，本实施形态中，斜面整体发挥液体回收口22的功能。又，液体回收口22，由于是形成为包围曝光用光EL所照射的投影区域AR1，因此配置于该液体回收口22的多孔构件25的斜面2，形成为包围投影区域AR1。

与基板P对向的多孔构件25的斜面2形成为，当其与投影光学系统PL(光学元件LS1)的光轴AX的距离越长则与基板P表面的间隔越大。如图3所示，本实施形态中，液体回收口22形成俯视呈「口」字形，并组合4枚多孔构件25A～25D配置于该液体回收口22。其中，相对投影区域AR1的X轴方向(扫描方向)分别配置于两侧的多孔构件25A、25C，配置成其表面与XZ平面正交、且与光轴AX的距离越长则与基板P表面的间隔越大。又，相对投影区域AR1分别配置于Y轴方向两侧的多孔构件25B、25D，配置成其表面与YZ平面正交、且与光轴AX的距离越长则与基板P表面的间隔越大。

相对XY平面的多孔构件25的下面2的倾斜角，是在考虑液体LQ的黏性或基板P表面的液体LQ接触角等后设定于3～20度间。此外，本实施形态中，该倾斜角设定于7度。

连接于第1构件71的倾斜板部71C下端部的底板部71D下面与侧板部71A下端部，设置成于Z轴方向大致相同位置(高度)。又，多孔构件25，是以其斜面2的内缘部与底板部71D下面(平坦面75)为大致同高的方式、且以斜面2的内缘部与底板部71D下面(平坦面75)连续的方式，安装于嘴构件70的液体回收口22。也即，平坦面75是与多孔构件25的斜面2连续地形成。又，多孔构件25配置成，当其与光轴AX的距离越长则与基板P表面的间隔越大。又，于斜面2(多孔构件25)的外缘部外侧，设有由侧板部71A下部的一部分区域所形成的壁部76。壁部76是以包围多孔构件25(斜面2)的方式设置于其周缘，其相对投影区域AR1设于液体回收口22外侧，用以抑制液体LQ的漏出。

形成平坦面75的底板部72D的一部分，是在Z轴方向配置于投影光学系统PL的光学元件LS1的像面侧端面T1与基板P之间。也即，平坦面75的一部分，潜入投影光学系统PL的光学元件LS1的下面(端面)T1之下。又，在形成平坦面75的底板部72D的中央部，形成有使曝光用光EL通过的开口部74。开口部74，具有对应投影区域AR1的形状，在本实施形态中形成为以Y轴方向(非扫描方向)为长边方向的椭圆状。开口部74形成为较投影区域AR1大，据此使通过投影光学系统PL的曝光用光EL不会被底板部72D遮蔽，而能到达基板P上。也即，平坦面75的至少一部分，是在不妨碍曝光用光EL的光路的位置，配置成包围曝光用光EL的光路、且潜入投影光学系统PL的端面T1之下。换言之，平坦面75的至少一部分，是在投影光学系统PL的像面侧的端面T1与基板P之间配置成包围投影区域AR1。又，底板部72D，是以其下面为平坦面75配置成与基板P表面对向，并设置成不与光学元件LS1的下面T1及基板P接触。此外，开口部74的边缘部74E可是直角状，或形成为锐角或圆弧状皆可。

又，平坦面75，配置于投影区域AR1和配置于液体回收口22的多孔构件25的斜面2间。液体回收口22是相对投影区域AR1在平坦面75外侧、且配置成包围着平坦面75。也即，液体回收口22，是在较平坦面75更离开曝光用光光路的位置配置成包围平坦面。又，液体供应口12，也相对投影区域AR1配置于平坦面75外侧。液体供应口12，设于投影光学系统PL的投影区域AR1与液体回收口22间，用以形成液浸区域AR2的液体LQ，是透过液体供应口12被供应至投影光学系统PL的投影区域AR1与液体回收口22间。此外，液体供应口12与液体回收口22的数目、位置及形状，并不限于本实施形态所述，只要是能将液浸区域AR2维持于所欲状态的构成即可。例如，液体回收口22也能配置成不包围平坦面75。此时，也能将液体回收口22，仅设于嘴构件70的下面中相对投影区域AR1的扫描方向(X方向)两侧的既定区域、或仅设于相对投影区域AR1的非扫描方向(Y方向)两侧的既定区域。

如上所述，平坦面75配置于光学元件LS1的下面T1与基板P间，基板P表面与光学元件LS1的下面T1的距离，是较基板P表面与平坦面75的距离长。也即，光学元件LS1的下面T1，是形成于较平坦面75高的位置(相对基板P为较远)。本实施形态中，光学元件LS1的下面T1与基板P的距离为3mm左右，而平坦面75与基板P的距离为1mm左右。又，平坦面75接触于液浸区域AR2的液体LQ，光学元件LS1的下面T1也接触于液浸区域AR2的液体LQ。也即，平坦面75及下面T1，为与液浸区域AR2的液体LQ接触的液体接触面。

投影光学系统PL的光学元件LS1的液体接触面T1具有亲液性(亲水性)。本实施形态中，是对液体接触面T1施以亲液化处理，通过该亲液化处理使光学元件LS1的液体接触面T1具亲液性。又，也对平坦面75施以亲液化处理而具有亲液性。此外，也可对平坦面75一部分(例如，底板部71D下面)施以拨液化处理而使其具有拨液性。当然，如上所述，也能以亲液性材料形成第1构件71及第2构件，来使平坦面75具亲液性。

作为用以使光学元件LS1的液体接触面T1等既定构件具亲液性的亲液化处理，例如能列举使MgF₂、Al₂O₃、SiO₂等亲液性材料附着的处理。或者，由于本实施形态的液体LQ是极性较大的水，因此作为亲液化处理(亲水化处理)，例如能以酒精等具有OH基的极性较大的分子结构物质来形成薄膜，以赋予亲液性(亲水性)。又，通过以萤石或石英来形成光学元件LS1，由于这些萤石或石英与水的亲和性高，因此即使未施以亲液化处理，也能得到良好的亲液性，而能使液体LQ与光学元件LS1的液体接触面T1大致全面紧贴。

又，作为使平坦面75一部分具有拨液性的拨液化处理，例如可列举将聚四氟化乙烯(铁氟龙(登记商标))等氟系列树脂材料、丙烯酸系列树脂材料、或硅系列树脂材料等拨液性材料附着等的处理。又，通过使基板载台PST的上面91具有拨液性，而能抑制液体LQ在液浸曝光中流出基板P外侧(上面91外侧)，且在液浸曝光后也能圆滑地回收液体LQ，防止有液体LQ残留于上面91的不良情形。

为将液体LQ供应至基板P上，控制装置CONT，驱动液体供应部11将液体LQ从液体供应部11送出。从液体供应部11送出的液体LQ，在流经供应管13后，即流入嘴构件70的供应流路14中的缓冲流路部14H。缓冲流路部14H是沿水平方向扩张的空间部，使流入缓冲流路部14H的液体LQ以沿水平方向扩张的方式流动。由于在缓冲流路部14H的流路下流侧的内侧(光轴AX侧)区域形成有堤防部15，因此液体LQ会在扩张于缓冲流路部14全区后，暂时被储存于此。接着，当液体LQ在缓冲流路部14H储存至既定量以上后(液体LQ的液面高于堤防部15的高度后)，即透过狭窄流路部14N流入倾斜流路部14S。流入倾斜流路部14S的液体LQ，即沿倾斜流路部14S流向下方，并透过液体供应口12供应至配置于投影光学系统PL像面侧的基板P上。液体供应口12从基板P上方将液体LQ供应至基板P上。

如此，通过设置堤防部15，使从缓冲流路部14H流出的液体LQ，从液体供应口12(以包围投影区域AR1的方式形成为环状)全区大致均一地供应至基板P上。也即，若未形成堤防部15(狭窄流路部14N)，流动于倾斜流路部14S的液体LQ的流量，在供应管13与缓冲流路部14H的连接部附近的区域会较其它的区域多，因此在形成为环状的液体供应口12各位置，对基板P上的液体供应量即会不均一。不过，由于设置狭窄流路部14N来形成缓冲流路部14H，当于该缓冲流路部14H储存至既定量以上的液体LQ后，才开始将液体供应至液体供应口12，因此能在使液体供应口12各位置的流量分布或流速分布均一的状态下，将液体LQ供应至基板P上。此处，虽然在供应流路14的弯曲角部17附近容易在例如开始供应时等残存气泡，但通过缩小此弯曲角部17附近的供应流路14来形成狭窄流路部14N，而能使流动于狭窄流路部14N的液体LQ的流速更高速，通过该高速的液体LQ的流动，能将气泡透过液体供应口12排出至供应流路14外部。接着，通过在排出气泡后执行液浸曝光动作，而能在无气泡的状态下于液浸区域AR2进行曝光处理。此外，堤防部15，也可设置成从缓冲流路部14H的顶面往-Z方向突出。其重点，是只要将较缓冲流路部14H狭窄的狭窄流路部14N设于缓冲流路部14H的流路下游侧即可。

此外，也可将部分堤防部15作成较低(较高)。通过预先于堤防部15设置部分高度相异的区域，而能防止在开始供应液体LQ时气体(气泡)残留于形成液浸区域AR2的液体中。又，也能将缓冲流路部14H分割成多条流路，来对应狭缝状液体供应口12的位置供应相异量的液体LQ。

又，为回收基板P上的液体LQ，控制装置CONT驱动液体回收部21。通过驱动具有真空系统的液体回收部21，基板P上的液体LQ，即透过配置有多孔构件25的液体回收口22流入回收流路24。当回收液浸区域AR2的液体LQ时，该液体LQ接触于多孔构件25的下面(斜面)2。由于液体回收口22(多孔构件25)是于基板P上方设置成与基板P对向，因此是从上方回收基板P上的液体LQ。流入回收流路24的液体LQ，在流经回收管23后被回收至液体回收部21。

图5是显示液体回收部21一例的图。图5中，液体回收部21，具备：回收槽26，连接于回收管23的一端部；真空泵(真空系统)27，透过配管27K连接于回收槽26；排液泵(排水泵)29，透过配管29K连接于回收槽26；以及液位传感器(水位传感器)28，设于回收槽26内侧。回收管23一端部连接于回收槽26上部。又，其一端部连接于真空泵27的配管27K的另一端部，连接于回收槽26上部。又，其一端部连接于排液泵29的配管29K的另一端部，连接于回收槽26下部。通过驱动真空泵27，而透过嘴构件70的液体回收口22将液体LQ回收并收容于回收槽26。通过驱动排液泵29，来将收容于回收槽26的液体LQ透过配管29K排出至外部。真空泵26及排液泵29的动作是被控制装置CONT控制。液位传感器28测量收容于回收槽26的液体LQ的液位(水位)，将其计测结果输出至控制装置CONT。控制装置CONT，根据液体传感器28的输出，将排液泵29的吸引力(排水力)调整成收容于回收槽26的液体LQ的液位(水位)大致为一定。控制装置CONT，由于能将收容于回收槽26的液体LQ的液位(水位)维持于大致一定，因此能使回收槽26内的压力稳定。据此，能使透过液体回收口22的液体LQ回收力(吸引力)稳定。此外，于图5所示的实施形态中，也可设置排液阀来替代排液泵29，并根据液位传感器28的输出进行排液阀的开闭调整或排出口的口径调整等，以将回收槽26内的液体LQ的液位维持于大致一定。

接着，说明本实施形态的液体回收机构20的回收方法一例。此外，本实施形态是将此回收方法称为起泡点法。液体回收机构20是使用此起泡点法仅从回收口22回收液体LQ，据此能抑制因液体回收引起的振动产生。

以下，参照图6的示意图说明本实施形态的液体回收机构20的液体回收动作原理。于液体回收机构20的回收口22配置有多孔构件25。作为多孔构件，例如能使用形成有多数个孔的薄板状网状构件。起泡点法，是在多孔构件25湿润的状态下，将多孔构件25的上面与下面的压力差控制成满足后述既定条件，据此来从多孔构件25的孔仅回收液体LQ。作为起泡点法的条件的参数，可列举多孔构件25的孔径、多孔构件25与液体LQ的接触角(亲和性)、以及液体回收部21的吸引力(多孔构件25上面的压力)等。

图6，是多孔构件25的部分截面放大图，是显示透过多孔构件25进行的液体回收的具体例。于多孔构件25之下配置有基板P，于多孔构件25与基板P间形成有气体空间及液体空间。更具体而言，于多孔构件25的第1孔25Ha与基板P间形成有气体空间，于多孔构件25的第2孔25Hb与基板P间则形成有液体空间。此种状况，例如是在液浸区域AR2的端部产生。或者，于液浸区域AR2的液体LQ中形成液体的间隙时，也会产生此种状况。又，于多孔构件25上形成有形成回收流路24一部分的流路空间。

图6中，将多孔构件25的第1孔25Ha与基板P间的空间的压力(在多孔构件25H下面的压力)设为Pa、将多孔构件25上的流路空间的压力(在多孔构件25上面的压力)设为Pb、将孔25Ha、25Hb的孔径(直径)设为d、将多孔构件25(孔25H内侧)与液体LQ的接触角设为θ、将液体LQ的表面张力设为γ，而符合

(4×γ×cosθ)/d≥(Pa-Pb)……(1A)

的条件时，即如图6所示，即使在多孔构件25的第1孔25Ha下侧(基板P侧)形成有气体空间，也能防止多孔构件25下侧空间的气体透过孔25Ha移动(渗入)至多孔构件25的上侧空间。也即，以满足上述式(1A)的条件的方式，使接触角θ、孔径d、液体LQ的表面张力γ、以及压力Pa，Pb达到最佳化，据此能将液体LQ与气体的界面维持在多孔构件25的孔25Ha内，抑制气体从第1孔25Ha渗入。另一方面，由于在多孔构件25的第2孔25Hb下侧(基板P侧)形成有液体空间，因此能透过第2孔25Hb仅回收液体LQ。

此外，上述式(1A)的条件中，为简化说明而并未考虑多孔构件25上的液体LQ的静水压。

又，本实施形态中，液体回收机构20，是将多孔构件25下的空间的压力Pa、孔25H的直径d、多孔构件25(孔25H的内侧面)与液体LQ的接触角θ、以及液体(纯水)LQ的表面张力γ设为一定，来控制液体回收部21的吸引力，将多孔构件25上的流路空间的压力调整成满足上述式(1A)。不过，于上述式(1A)中，由于当(Pb-Pb)越大、也即((4×γ×cosθ)/d)越大，越容易将压力Pb控制成满足上述式(1A)，因此孔25Ha，25Hb的直径d、以及多孔构件25与液体LQ的接触角θ最好是尽可能较小。

其次，说明使用具上述构成的曝光装置EX来将掩膜版M的图案像曝光于基板P的方法。

控制装置CONT，通过以具有液体供应机构10及液体回收机构20的液浸机构1将既定量的液体LQ供应至基板P上，且将既定量的基板P上的液体LQ回收，而在基板P上形成液体LQ的液浸区域AR2。液浸机构1所供应的液体LQ，是于含有投影区域AR1的基板P上一部分局部形成较投影区域AR1大且较基板P小的液浸区域AR2。

又，控制装置CONT，是与液体供应机构10对基板P上的液体LQ供应并行，以液体回收机构20进行对基板P上的液体LQ的回收，且一边使支撑基板P的基板载台PST移动于X轴方向(扫描方向)，一边透过投影光学系统PL与基板P间的液体LQ及投影光学系统PL将掩膜版M的图案影像投影曝光于基板P上。

本实施形态的曝光装置EX，是使掩膜版M与基板P一边沿X轴方向(扫描方向)移动一边将掩膜版M的图案像投影曝光于基板P，在进行扫描曝光时，是将掩膜版M的一部份图案像透过液浸区域AR2的液体LQ及投影光学系统PL而投影在投影区域AR1内，并使基板P与掩膜版M以速度V沿-X方向(或+X方向)的移动同步，而相对投影区域AR1以速度β·V(β为投影倍率)沿+X方向(或-X方向)移动。于基板P上设定有多个照射区域，在对一个照射区域的曝光结束后，通过基板P的步进移动使次一照射区域移动至扫描开始位置，之后，即以步进扫描方式一边移动基板P一边依序对各照射区域进行扫描曝光处理。

本实施形态中，多孔构件25相对基板P表面呈倾斜，是一透过配置于液体回收口22的多孔构件25的斜面2来回收液体LQ的构成，而液体LQ是透过包含斜面2的液体回收口22被回收。又，平坦面75(底面部71D的下面)与斜面2是连续形成。此时，当从图7(a)所示的初期状态(在平坦面75与基板P间形成有液体LQ的液浸区域AR2的状态)使基板P以既定速度相对液浸区域AR2往+X方向扫描移动既定距离时，即成为如图7(b)所示的状态。在图7(b)所示的扫描移动后的既定状态中，于液浸区域AR2的液体LQ即产生沿斜面2而往斜上方移动的成分F1、以及沿水平方向移动的成分F2。此时，液浸区域AR2的液体LQ与其外侧空间的界面(气液界面)LG形状是被维持。又，即使基板P相对液浸区域AR2高速移动，也能抑制界面LG的形状大幅变化。

又，斜面2与基板P间的距离大于平坦面75与基板P间的距离。也即，斜面2与基板P间的空间较平坦面75与基板P间的空间大。据此，能缩短在移动基板P后、图7(a)所示的初期状态的界面LG’与图7(b)所示的在扫描移动后的既定状态的界面LG间的距离L。据此，能抑制液浸区域AR2的扩张，缩小液浸区域AR2的大小。

例如，如图8(a)所示，当连续形成平坦面75与配置于液体回收口22的多孔构件25的下面2′、使多孔构件25的下面2′并非相对基板P呈倾斜而是与基板P表面呈大致平行时，换言之，即使包含下面2′的液体回收口22并无倾斜的情形下，使基板P相对液浸区域AR2移动时，仍可维持界面LG的形状。不过，由于下面2′并无倾斜，因此于液体LQ仅产生沿水平方向移动的成分F2，而几乎未产生往上方移动的成分(F1)。此时，由于界面LG移动与基板P的移动量大致相同的距离，因此在初期状态的界面LG′与在扫描移动后的既定状态的界面LG间的距离L即成为较大的值，使液浸区域AR2也随之增大。如此一来，为对应该较大的液浸区域AR2也必须将嘴构件70作得较大，又，为对应液浸区域AR2的大小，也须将基板载台PST本身的大小或基板载台PST的移动行程增大，导致曝光装置EX整体的巨大化。又，液浸区域AR2的大型化，是随着基板P对液浸区域AR2的扫描速度越高速而越为显著。

又，如图8(b)所示，在平坦面75与液体回收口22(多孔构件25的下面2′)间设置段差，据此当要将下面2′与基板P间的距离作成大于平坦面75与基板P间的距离时，换言之，也即要将下面2′与基板P间的空间作成大于平坦面75与基板P间的空间时，由于在液体LQ产生往上方移动的成分F1′，因此能将距离L设成较小的值，而可抑制液浸区域AR2的大型化。此外，由于在平坦面75与下面2′间设有段差，且平坦面75与下面2′并未连续形成，因此界面LG的形状较容易溃散。当界面LG的形状溃散时，即很有可能使气体进入液浸区域AR2的液体LQ中而在液体LQ中产生气泡等不良情形。又，当例如在使基板P沿+X方向高速扫描时有段差存在的话，除了会使界面LG的形状溃散以外，也会使往上方移动的成分F1′变大，使液浸区域AR2的最靠+X侧区域的液体LQ膜厚变薄，而在该状态下使基板P移动于-X方向(逆向扫描)时，即很有可能产生液体LQ散开的现象。当该散开的液体(参照图8(b)中的符号LQ′)例如残存于基板P上时，即产生因该液体LQ′气化而在基板P上形成附着痕(所谓水痕)等不良情形。又，液体LQ很有可能流出至基板P外侧，而产生周边构件及机器生锈或漏电等不良情形。又，产生前述不良情形的可能性，会随着基板P对液浸区域AR2的扫描速度的高速化而提高。

本实施形态中，由于与平坦面75(底板部71D的下面)连续地形成斜面2，并将液浸机构1(液体回收机构20)的回收口22，形成于与基板P在本国际申请案的指定或选择的国家法令所容许的范围内，援用该文献的记载内容作为本文记载的一部分表面对向的斜面2，因此即使是使形成于投影光学系统PL的像面侧的液浸区域AR2与基板P相对移动时，也能抑制液浸区域AR2的液体LQ与其外侧空间的界面LG的移动距离，而维持液浸区域AR2的形状(缩小界面LG的形状变化)，能将液浸区域AR2的大小或形状维持于所欲状态。据此，可防止如在液体LQ中产生气泡、未能完全回收液体、或有液体流出等不良情形。据此，也可谋求曝光装置EX整体的小型化。

又，在高速扫描基板P时，虽然很有可能使液浸区域AR2的液体LQ流出至外侧、或液浸区域AR2的液体LQ飞散至周围，但由于将壁部76设于斜面2周缘，因此可抑制液体LQ的漏出。也即，通过将壁部76设于多孔构件25周缘，而可在壁部76内侧形成缓冲空间，因此即使是液体LQ到达壁部76的内侧面，形成液浸区域AR2的液体LQ由于会在壁部76内侧的缓冲空间内扩张，因此能更确实地防止液体LQ漏出至壁部76外侧。

又，由于平坦面75的一部分(底板部72D下面)是以包围投影区域AR1的方式配置于投影光学系统PL的端面T1下，因此形成于平坦面75一部分(底板部72D下面)与基板P表面间的小间隙，是于投影区域附近形成为包围投影区域。据此，即使高速移动(扫描)基板P时，也能抑制气体混入液浸区域AR2液体LQ中或液体LQ流出等不良情形，且能谋求曝光装置EX整体的小型化。又，由于将液体供应口12配置于平坦面75的一部分(底板部72D下面)外侧，因此可防止气体(气泡)混入用以形成液浸区域AR2的液体LQ中，即使欲使基板P高速移动时，也能持续以液体充满曝光用光EL的光路。

第2实施形态

其次，参照图9说明本发明的第2实施形态。此处，以下说明中，对与上述实施形态相同或相等的构成部分赋予相同符号，简化或省略其说明。上述第1实施形态中，虽通过将薄板状多孔构件25相对基板P倾斜安装而形成斜面2，但也可如图9所示，于嘴构件70下面设置与曝光用光EL的光轴AX的距离越长则与基板P表面间的间隔越大的斜面2”，再将液体回收口22形成于该斜面2”的一部分的既定位置(既定区域)。又，也可将多孔构件25设于此液体回收口22。此时，嘴构件70的斜面2”与多孔构件25的下面2连续，且斜面2”与下面2大致同一面高。通过上述方式，例如在斜面2”与基板P间形成液体LQ的界面LG时，能维持该界面LG的形状，防止气泡于液浸区域AR2的液体LQ中产生等不良情形。又，也可缩小液浸区域AR2的大小。

第3实施形态

图10为显示本发明的第3实施形态的图。如图10所示，可形成为多孔构件25的下面2中、接近光轴AX的第1区域2A相对基板P的倾斜角度，大于其外侧的第2区域2B相对基板P的倾斜角度。

第4实施形态

图11为显示本发明的第4实施形态的图。如图11所示，可形成为多孔构件25的下面2中、接近光轴AX的第1区域2A相对基板P的倾斜角度，小于其外侧的第2区域2B相对基板P的倾斜角度。也即，多孔构件25的下面2并不须为平坦面，也可将多孔构件25的下面2设置成，当其与曝光用光EL的光轴AX的距离越长则与基板P表面的间隔越大。

第5实施形态

图12是显示本发明的第5实施形态的图。如图12所示，也可在形成于嘴构件70下面的斜面(多孔构件25下面)形成多个翼片构件150。翼片构件150为侧视呈大致三角形，于图12的侧视截面图中，配置在形成于多孔构件25的下面2与壁部76内侧的缓冲空间。又，翼片构件150，以其长边方向往外侧的方式呈放射状安装在壁部76内侧面。此处，多个翼片构件150彼此离开，而在各翼片构件150间形成空间部。如此，通过以此方式配置多个翼片构件150，由于能增加在形成于嘴构件70下面的斜面(多孔构件25下面)的液体接触面积，因此可提升嘴构件70下面的液体LQ的保持性能。此外，多个翼片构件150也能以等间隔设置，或也能以不等间隔设置。例如，将相对投影区域AR1配置于X轴方向两侧的翼片构件150的间隔，设定成小于相对投影区域AR1配置于Y轴方向两侧的翼片构件150的间隔。此外，翼片构件150表面最好是对液体LQ具有亲液性。又，翼片构件150也可通过对不锈钢(例如SUS316)施以「GOLDEP」处理或「GOLDEP WHITE」处理来形成，也可以玻璃(石英)等来形成。

第6实施形态

其次，参照图13、14、15及图16说明本发明的第6实施形态。此外，对与上述各实施形态相同或类似的机构及构件赋予共通符号，简化或省略其说明。图13是显示嘴构件70’附近的概略立体图的部分截面图、图14是从下侧观察嘴构件70’的立体图、图15是与YZ平面平行的侧视截面图，图16是与XZ平面平行的侧视截面图。

本实施形态的嘴构件70’，是组合第1构件171与第2构件172所构成，整体形成为俯视大致呈圆形。第1构件171，具有侧板部171A及较厚的倾斜板部171C，侧板部171A上端部与倾斜板部171C上端部连接。另一方面，第2构件172，具有倾斜板部172C与连接于倾斜板部172C下端部的底板部172D。第1构件171的倾斜板部171C、以及第2构件172的倾斜板部172C分别形成研钵状，第2构件172的倾斜板部172C，配置于第1构件171的倾斜板部171C内侧。又，第1构件171及第2构件172，是被未图示的支撑机构支撑成第1构件171的倾斜板部171C的内侧面171T与第2构件172的倾斜板部172C的外侧面172S呈稍微分离状态。又，在第1构件171的倾斜板部171C的内侧面171T与第2构件172的倾斜板部172C的外侧面172S间，设有俯视呈圆环状的狭缝状槽部73。本实施形态中，槽部73的狭缝宽度G1设定成3mm左右。又，本实施形态中，槽部73形成为相对XY平面(基板P表面)具约45度的倾斜。

光学元件LS1配置于以第2构件172的倾斜板部172C形成的孔部70H内侧，配置于该孔部70H的光学元件LS1侧面与第2构件172的倾斜板部172C的内侧面172T是对向。又，该倾斜板部172C的内侧面172T对液体LQ具拨液性(拨水性)，能抑制液体LQ渗入投影光学系统PL侧面与倾斜板部172C(嘴构件70’)的内侧面172T间的间隙。

第1构件171的倾斜板部171C中与基板P相对的下面171R，是一与XY平面平行的平坦面。又，第2构件172的底板部172D中与基板P对向的下面172R，也是一与XY平面平行的平坦面。又，第1构件171的倾斜板部171C的下面171R、与第2构件172的倾斜板部172C的下面172R为大致同一面高，由这些倾斜板部171C的下面171R、以及底板部172D的下面172R来形成平坦面75，该平坦面75与嘴构件70’中支撑于基板载台PST的基板P表面(基板载台PST上面)对向，且是一最接近此基板P表面(基板载台PST上面)的面。又，在形成平坦面75的底板部172D中央部形成有使曝光用光EL通过的开口部74。也即，平坦面75，形成为包围投影区域AR1。

如图15所示，形成平坦面75的底板部172D的一部分，是在Z轴方向配置于投影光学系统PL的光学元件LS1下面T1与基板P(基板载台)间。底板部172D，设置成不与光学元件LS1的下面T1及基板P(基板载台PST)接触。底板部172D的上面配置成与光学元件LS1的下面T1对向、且大致平行于光学元件LS1下面，于投影光学系统PL的端面T1与底板部172D上面间形成有既定间隙(空间)G2。

于第1构件171形成有向下开口的空间部24，与上述第1实施形态同样地，于空间部24的开口部形成有液体回收口22，而使空间部24发挥回收流路的功能。又，回收管23的另一端部连接于回收流路(空间部)24的一部分。于液体回收口22，配置有具有覆盖此液体回收口22的多孔的多孔构件25。多孔构件25，具有与支撑于基板载台PST的基板P相对的下面2。与上述第1实施形态同样地，多孔构件25，是以其下面2相对支撑于基板载台PST的基板P表面(也即XY平面)倾斜的方式设于液体回收口22。多孔构件25的斜面2形成为，当其与投影光学系统PL(光学元件LS1)的光轴AX的距离越长则与基板P表面间的间隔越大。又，如图15所示，多孔构件25，是以其斜面2的内缘部与第1构件171的下面171R(平坦面75)为大致同高的方式、且以斜面2内缘部与下面171R(平坦面75)连续的方式，安装于嘴构件70’的液体回收口22。

又，如图14所示，于嘴构件70’下面，液体回收口22，形成为包围开口部74(投影区域AR1)、槽部73、以及平坦面75的俯视呈圆环状。平坦面75，配置于使曝光用光EL通过的开口部74(投影区域AR1)与配置在液体回收口22的多孔构件25的斜面2间。液体回收口22，是相对开口部74(投影区域AR1)在平坦面75外侧、且配置成包围平坦面75。

如第5实施形态中所说明，于斜面(多孔构件25的下面)2呈放射状设有多个翼片构件150。翼片构件150呈侧视大致三角形，配置于形成在多孔构件25的下面2及壁部76内侧的缓冲空间。本实施形态中，各翼片构件150厚度约为0.1mm左右，以2度的间隔沿周方向配置多数个。

如图13所示，于第2构件172的倾斜板部172C的内侧面172T中，相对投影光学系统PL的投影区域AR1的Y轴方向两侧分别形成有凹部14A。凹部14A是沿倾斜板部172C的倾斜方向形成，其在与光学元件LS1的侧面间形成既定间隙G3(参照图15)。又，通过形成于凹部14A与光学元件LS1间的间隙G 3，而于投影光学系统PL的像面侧形成用以供应液体LQ的供应流路14。供应流路14的上端部透过未图示的供应管(供应流路)连接于液体供应部11，下端部则连接于投影光学系统PL的下面T1与底板部172D间的间隙(空间)G2，于其下端形成有将液体LQ供应至间隙G2的液体供应口12。又，液浸机构1，透过设于流路14下端部的液体供应口12，将从液体供应部11送出的液体LQ供应至投影光学系统PL与底板部172D间的间隙G2。本实施形态中，供应流路14形成为相对XY平面(基板P表面)具有约45度的倾斜。

此外，也可于底板部172D上面设置凹凸，来控制在底板部172D上面的液体流向或液体流速。例如，为决定从液体供应口12供应至底板部172D的上面172A的液体LQ流向，也可将翼片状构件配置于液体供应口12，或于底板部172D的上面172A设置翼片状突起部。此时，为了能在不残留气体部分的状态下以液体连续充满投影光学系统PL的像面侧的光路空间，最好是根据实验或模拟的结果来使液体LQ流向及液体LQ的流速达到最佳化。又，在从投影光学系统PL的像面侧空间大致全部回收液体LQ、而形成非液浸状态时，为了不使液体LQ残留于光学元件LS1的端面T1等，最好是根据实验或模拟的结果来使液体LQ流向及液体LQ的流速达到最佳化。或者，为了不使含有从基板P(感光性树脂等)溶出的物质的液体滞留最好是根据实验或模拟的结果来使液体LQ流向及液体LQ的流速达到最佳化。

再者，于第2构件172中相对投影区域AR1的X轴方向两侧，分别形成有沿倾斜方向贯通第2构件172的倾斜板部172C内部的狭缝状贯通孔130。形成于贯通孔130的下端部130A的开口，连接于投影光学系统PL的下面T1与底板部172D间的间隙(空间)G2，上端部130B则向开放至大气。能从下端部130A的开口沿底板部172D的上面172A、也即沿平行于基板的方向送出液体。

第1构件171与第2构件172间的槽部73，配置于曝光用光EL所照射的投影区域AR1与液体回收口22的斜面2间，形成为包围开口部74(投影区域AR1)。进一步地，槽部73也形成为包围构成平坦面75一部分的下面172R。换言之，于构成平坦面75一部分的下面172R外侧配置有槽部73。该槽部73，具有配置成与基板载台PST上面(支撑于基板载台PST的基板P)对向的开口部73A。也即，槽部73是向下侧开口。开口部73A设于投影光学系统PL的像面附近，槽部73，于其内部透过开口部73A与投影光学系统PL的像面周围的气体流通。

又，槽部73，除了与基板P(基板载台PST)对向的开口部73A外，也具有用来向大气开放的开口部73B。本实施形态中，槽部73，于其上端部具有用来向大气开放的开口部73B。此外，虽然开口部73B沿槽部73上端部形成为俯视呈圆环形，但也可仅形成于槽部73上端部的一部分。又，用来使槽部73的内部与外部流通的流通路并不限于槽部73的上端部，也可设于任意位置。例如，可于第1构件171一部分形成用来使槽部73内部的Z轴方向中间位置(既定位置)与槽部73外部流通的流路，透过该流路使槽部73向大气开放。

如此，由于形成具有与基板P(基板载台PST)对向的开口部73A及用来向大气开放的开口部73B的槽部73，因此嘴构件70’与基板P(基板载台PST)间的液体LQ一部分即可出入于槽部73内部。据此，即使嘴构件70’的大小(直径)较小，仍能抑制液体LQ向液体回收口22外侧流出。

又，如图15所示，于第1构件171一部分形成有用来使槽部73的内部与外部流通的流通路131，于该流通路131连接有包含真空系统的吸引装置132。流通路131及吸引装置132，是使用于在完全回收嘴构件70’与基板P(基板载台PST)间的液体LQ、也即完全回收形成液浸区域AR2的液体LQ时，透过槽部73来回收该液体LQ。

其次，说明设有具上述构造的嘴构件70’的液浸机构1动作。为将液体LQ供应至基板P上，控制装置CONT，即驱动液体供应部11来从液体供应部11送出液体LQ。从液体供应部11送出的液体LQ在流经供应管后，即流入嘴构件70’的供应流路14上端部。流入供应流路14上端部的液体LQ，即沿倾斜板部172C的倾斜方向流向下方，而从液体供应口12供应至投影光学系统PL的端面T1与底板部172D间的空间G2。此处，在将液体LQ供应至空间G2前存在于空间G2的气体部分，是透过贯通孔130或开口部74排出至外部。据此，能防止在开始对空间G2供应液体LQ时气体会留在空间G2的不良情形，并防止气体部分(气泡)产生于液体LQ中的不良情形。

供应至空间G2的液体LQ在充满空间G2后，即透过开口部74流入平坦面75与基板P(基板载台PST)间的空间。此时，由于液体回收机构20以每一单位时间将基板P上的液体LQ回收既定量，因此由透过开口部74流入平坦面75与基板P(基板载台PST)间的空间的液体LQ，而于基板P上形成所欲大小的液浸区域AR2。

此外，本实施形态中，由于缩小曝光用光EL通过的开口部74而使平坦面75的大小较大，因此能在基板P(基板载台PST)与嘴构件70’间良好地保持液体LQ。

在对基板P进行液浸曝光期间等形成液浸区域AR2的期间内，连接于槽部73的流通路131关闭且停止吸引装置132的驱动。据此，即使在使基板(基板载台PST)相对液浸区域AR2(形成为包覆投影区域AR1)进行移动时，液浸区域AR2的液体LQ一部分仍能出入于向大气开放的槽部73，而能防止液浸区域AR2扩大、或液浸区域AR2的液体LQ流出等不良情形。也即，例如图16所示，通过使基板P往+X方向移动，而使液浸区域AR2的液体LQ也随基板P的移动而往+X方向移动。此时，有可能会因液体LQ往+X方向移动而使液浸区域AR2往+X方向扩大或液浸区域AR2的液体LQ流出液体回收口22外侧。然而，由于该往+X方向移动的液体LQ的一部分进入+X侧的槽部73(参照图16中的箭头F3)，因此可抑制液浸区域AR2扩大或液体LQ流出等。

又，当在基板P的液浸曝光结束时等将嘴构件70’与基板P(基板载台PST)间的液体LQ完全回收时，控制装置CONT除了停止液体供应机构10的液体供应动作、并透过液体回收机构20的液体回收口22进行液体回收动作以外，且同时开启连接于槽部73的流通路131，驱动吸引装置132使槽部73的内部空间成为负压，而进行透过槽部73的开口部73A的液体回收动作。如此，通过也使用最接近基板P(基板载台PST)的开口部73A，而能以更短时间确实地回收嘴构件70’与基板P(基板载台PST)间的液体LQ。此时，由于用来向大气开放的开口部73B较发挥液体LQ回收口功能的开口部73A的尺寸小，因此可使槽部73达到足够的负压来回收液体LQ。

又，在透过槽部73回收液体LQ时，虽然有可能因槽部73的气体与液体LQ一起流入流通路131而在嘴构件70’产生振动，但由于透过槽部73进行的液体LQ的回收，不是在进行须要求基板P的曝光动作等精度时执行，因此不会产生问题。

此外，本实施形态中，虽然用以形成供应流路14的凹部14A，是相对投影区域AR1于Y轴方向两侧分别各设一个(合计二个)，但也能在任意多数处设置成包围曝光用光EL所照射的投影光学系统PL的投影区域AR1。又，也可于凹部14A上端部附近设置如第1实施形态中说明的堤防部15(缓冲流路部14H)。

第7实施形态

其次，参照图17及18说明本发明的第7实施形态。此外，本实施形态中，与上述各实施形态同样或类似的机构及构件赋予共通符号，省略详细说明。图17是从下侧观察嘴构件70’的立体图，图18是侧视截面图。于图17及18中异于上述第6实施形态之处，是第2构件172的底板部172D的大小较小，且底板部172D大部分并未配置于投影光学系统PL的下面T1与基板P(基板载台PST)间。也即，形成于底板部172D的开口部74，是大致与投影光学系统PL(光学元件LS1)的下面T1相同大小、且形成为大投影区域AR1很多的大致圆形。又，光学元件LS1的下面T1大部分是以与基板P(基板载台PST)对向的方式露出。从液体供应部11送出的液体LQ，透过形成于光学元件LS1侧面与凹部14A间的供应流路14，供应至投影光学系统PL的下面T1与基板P(基板载台PST)间的空间。本实施形态中，虽然平坦面75的面积变得较小，但与第6实施形态相较，由于第2构件172与投影光学系统PL的光学元件LS1间几乎毫无空间，使易滞留气体的部分变得较少，因此可更确实地防止在开始供应液体LQ开始时，气体部分(气泡)产生在形成液浸区域AR2的液体LQ中的不良情形。

此外，上述第6实施形态及第7实施形态中，虽为简化说明，而叙述嘴构件70’是以第1构件171及第2构件172的组合所构成，但实际上尚组合有其它数个构件所构成。当然，也可以一个构件来构成嘴构件70’。

又，上述第6实施形态及第7实施形态中，虽在开始供应液体LQ时是使用贯通孔130排出空间G2的气体，但也可将贯通孔130连接于吸引装置(真空系统)，在开始供应液体LQ时强制排出空间G2的气体。

又，上述第6实施形态及第7实施形态中，底板部172D的开口部74，并不限于图14或图17所示的形状，也可设定成在气体不残留的状态下，即使基板P(基板载台PST)移动仍可以液体LQ连续充满投影光学系统PL的像面侧的光路空间。

又，上述第6实施形态及第7实施形态中，在完全回收嘴构件70’与基板P(基板载台PST)间(投影光学系统PL的像面侧的光路空间)的液体LQ时，除了进行使用了液体回收口22或开口部73A的液体回收动作外，也可加上从液体供应口12吹出气体的动作。由于从液体供应口12吹出的气体是吹于投影光学系统PL前端部的光学元件LS1的下面T1，因此可除去附着(残留)于光学元件LS1的下面T1的液体LQ。从液体供应口12吹出的气体，能沿下面T1流动，使附着于光学元件LS1的下面T1中曝光用光EL所通过区域(也即与光学元件LS1的下面T1的投影区域AR1对应的区域)的液体(液滴)往该区域外侧移动(后退)。据此，除去附着于光学元件LS1的下面T1中曝光用光EL所通过区域的液体LQ。此外，也可通过以所喷吹的气体使附着于光学元件LS1的下面T1的液体LQ气化(干燥)来加以除去。从液体供应口12透过包含化学过滤器、粒子除去过滤器的过滤装置(未图示)吹出清净气体。又，使用大致与收容有曝光装置EX的室内部的气体大致相同的气体、例如空气(干燥空气)来作为气体。此外，也可使用氮气(干燥氮气)来作为吹出的气体。

又，在完全回收液体LQ时，也可在用以将存在于空间G2的气体排出至外部的贯通孔130等连接真空系统，并从形成于贯通孔130的下端部130A的开口吸引并回收液体LQ。

又，也可在用以将存在于空间G2的气体排出至外部的贯通孔130等连接气体供应系统，并透过该贯通孔130吹出气体。

此外，第6实施形态及第7实施形态中，也可将液体供应口12相对投影区域AR1分别配置于X轴方向两侧，并从扫描方向两侧供应液体LQ。此时，贯通孔130的下端部130A，例如是设在相对投影区域AR1在Y轴方向两侧等、与液体供应口12不同的位置。

又，第6及第7实施形态中，虽通过倾斜板部172C的凹部14A与光学元件LS1侧面间的间隙G3来形成供应流路14，而使该供应流路14下端部发挥液体供应口12的功能，但也可连接贯通孔130的上端部130B与液体供应部11而使贯通孔130发挥供应流路的功能，且使贯通孔130的下端部130A发挥液体供应口的功能。连接贯通孔130的上端部130B与液体供应部11并透过贯通孔130来供应液体LQ时，倾斜板部172C的凹部14A与光学元件LS1侧面间的间隙G3不与液体供应部11连接(空间G3并未发挥供应流路的功能)，而使液体LQ3上端部向大气开放。接着，在从贯通孔130对空间G2供应液体LQ前，存在于空间G2的气体即透过间隙G3排出至外部。如此，即使透过贯通孔130来供应液体LQ时，也可防止在开始对空间G2供应液体LQ时气体留在空间G2的不良情形，防止于液体LQ中产生气体部分(气泡)。又，在此情形下，也可连接空间G3上端部与吸引装置(真空系统)，在开始供应液体LQ时强制排出空间G2的气体。

又，透过贯通孔130来供应液体LQ时，能将发挥液体供应口功能的贯通孔130的下端部130A相对投影区域AR1分别配置于Y轴方向两侧，再从非扫描方向的两侧供应液体LQ。

第8实施形态

其次，参照图19、20、21及22说明本发明的第8实施形态。图19是显示嘴构件70”附近的概略立体图的部分剖断图，图20是从下侧观察嘴构件70”的立体图，图21是与YZ平面平行的侧视截面图，图22是与XZ平面平行的侧视截面图。以下说明中，对与上述实施形态相同或同等的构成部分赋与同一符号，简略或省略其说明。

嘴构件70”是组合第1构件171、第2构件172以及第3构件173所构成，整体形成为俯视大致呈圆形。第1构件171，具有侧板部171A及较厚的倾斜板部171C。第2构件172，具有倾斜板部172C与连接于倾斜板部172C下端部的底板部172D。第3构件173连接于第1构件171及第2构件172的上端部，于第3构件173中央部形成有用来配置光学元件LS1的孔部173H。光学元件LS1，配置于以第3构件173的孔部173H及第2构件172的倾斜板部172C形成的孔部70H内侧，配置于孔部70H内侧的光学元件侧面与第2构件172的倾斜板部172C的内侧面172T对向。又，在第1构件171的倾斜板部171C的内侧面171T与第2构件172的倾斜板部172C的外侧面172S间，设有俯视呈圆环形的狭缝状槽部73。槽部73形成为相对XY平面(基板P表面)具有约45度的倾斜。

又，通过第1构件171的倾斜板部171C的下面171R与第2构件172的底板部172D的下面172R来形成平坦面75，该平坦面是一在嘴构件70”中与支撑于基板载台PST的基板P表面(基板载台PST上面)对向、最接近该基板P表面(基板载台PST的上面)的面。平坦面75形成包围投影区域AR1。

形成平坦面75的底板部172D的一部分，是在Z轴方向配置于投影光学系统PL的光学元件LS1像面侧的下面T1与基板P(基板载台PST)间。底板部172D，设置成不与光学元件LS1的下面T1及基板P(基板载台PST)接触。底板部172D上面配置成与光学元件LS1的下面T1对向、且大致与光学元件LS1下面平行，于投影光学系统PL的端面T1与底板部172D的上面间形成有既定间隙(空间)G2。

于第1构件171形成有发挥回收流路功能的空间部24，于空间部24的开口部形成有液体回收口22。液体回收口22，是以包围开口部74(投影区域AR1)、槽部73、以及平坦面75的方式形成为俯视呈圆环状。于回收流路(空间部)24一部分连接有回收管23的另一端部。于液体回收口22配置有多孔构件25(具有与支撑于基板载台PST的基板P对向的斜面2)。多孔构件25，是以其斜面2的内缘部与第1构件171的下面171R(平坦面75)为大致同高的方式、且以斜面2内缘部与下面171R(平坦面75)连续的方式，安装于液体回收口22。于斜面2，呈放射状设有多个翼片构件150。

于第2构件172中相对投影区域AR1的Y轴方向两侧，分别形成有沿倾斜方向贯通第2构件172的倾斜板部172C内部的狭缝状贯通孔130。又，贯通孔140的上端部140B，是透过未图示供应管(供应流路)连接于液体供应部11，下端部140A，即连接于投影光学系统PL的下面T1与底板部172D间的间隙(空间)G2。也即，贯通孔140发挥供应流路的功能，形成于该贯通孔140的下端部140A的开口，发挥将液体LQ供应至间隙G2的液体供应口的功能。又，液体供应口140A分别设于曝光用光EL所照射的投影区域AR1的Y轴方向两侧，且设于曝光用光EL的光路空间外侧中曝光用光EL的光路空间两侧的既定位置(第1位置)。

液浸机构1，透过供应流路(贯通孔)140，将从液体供应部11送出的液体LQ自液体供应口(下端部)140A供应至内部空间(包含投影光学系统PL与底板部172D间的间隙(空间)G2)。供应流路140，形成为相对XY平面(基板P表面)具有约45度的倾斜。此外，为决定从液体供应口140A供应至底板部172D上面的液体LQ的流向，也可在液体供应口140A配置翼片状构件、或在底板部172D上面设置翼片状突起部。

于第2构件172中相对投影区域AR1的X轴方向两侧，分别形成有沿倾斜方向贯通第2构件172的倾斜板部172C内部的狭缝状贯通孔130。于第2构件172的上面中、贯通孔130的上端部130B的既定区域与第3构件173间形成有间隙。又，贯通孔130的上端部130B向大气开放，贯通孔130的下端部130A连接于投影光学系统PL的下面T1与底板部172D间的间隙(空间)G2。据此，间隙G2的气体，即可透过贯通孔130的上端部130B向外部空间排出(排气)。也即，形成于贯通孔130的下端部130A的开口，发挥排出间隙G2的气体的排气口功能，贯通孔130即发挥排气流路的功能。又，排气口(下端部)130A，与间隙G2的气体、也即投影光学系统PL的像面周围的气体连接。又，排气口130A，分别设于曝光用光EL所照射的投影区域AR1的X轴方向两侧，且设在曝光用光EL的光路空间外侧中曝光用光EL的光路空间两侧的既定位置(第2位置)。

如上所述，液体供应口140A，设于曝光用光EL的光路空间外侧的既定位置(第1位置)。又，底板部172D，也发挥导引从液体供应口140A供应的液体LQ流动的导引构件功能。底板部(导引构件)172D，配置成能防止气体留在曝光用光EL的光路空间的液体LQ中。也即，底板部172D，配置成使从液体供应口140A(设于曝光用光EL的光路空间外侧的第1位置)供应的液体LQ会透过曝光用光EL的光路空间流向与该光路空间外侧的第1位置相异的第2位置。此外，底板部172D，具有与基板P对向的平坦面(平坦部)75，与上述实施形态同样地，也具有使液体LQ稳定地充满曝光用光EL的光路的功能。

图23是底板部(导引构件)172D的俯视图。本实施形态中，于曝光用光EL的光路空间外侧的第2位置设有排气口130A，底板部172D，配置成使从液体供应口140A供应的液体LQ流向设有排气口130A的第2位置。导引构件172D是使液体LQ以在曝光用光EL的光路空间内不会产生涡流的方式流动。也即，底板部172D具有开口74’，该开口74’形成为使第1位置(配置有液体供应口140A)所供应的液体LQ会流向设有排气口130A的第2位置，以防止于曝光用光EL的光路空间内产生涡流。

底板部172D，具有：第1导引部181，形成从设有液体供应口140A的第1位置往曝光用光EL的光路空间(投影区域AR1)的流动方向；以及第2导引部182，是形成从曝光用光EL的光路空间往设有排气口130A的第2位置的流动方向。也即，通过第1导引部181，形成使液体LQ从液体供应口140A流向曝光用光EL的光路空间的流路181F，通过第2导引部182，形成使液体LQ从曝光用光EL的光路空间流向第2位置(排气口130A)的流路182F。

以第1导引部181形成的流路181F与以第2导引部182形成的流路182F交叉。以第1导引部181形成的流路181F是使液体LQ大致沿Y轴方向流动，以第2导引部182形成的流路182F是使液体LQ大致沿X轴方向流动。又，通过第1导引部181与第2导引部182形成俯视大致呈十字形的开口部74’。开口部74’配置于投影光学系统PL的像面侧，其设置成使曝光用光EL通过形成为大致十字形的开口部74’的大致中央部。也即，曝光用光EL的光路空间，是设定于以第1导引部181形成的流路181F与以第2导引部182形成的流路182F的交叉部。

本实施形态中，以第1导引部181形成的流路181F与以第2导引部182形成的流路182F为大致正交。又，以第1导引部181形成的流路181F的宽度D1与以第2导引部182形成的流路182F的宽度D2为大致相同。又，本实施形态中，第1导引部181与第2导引部182的连接部190形成为曲线状(圆弧状)。

液体供应口140A，是将液体LQ供应至内部空间(包含投影光学系统PL的下面T1与底板部172D间的间隙(空间)G2)。从液体供应口140A供应至间隙G2的液体LQ，是被第1导引部181导引而流向曝光用光EL的光路空间、并通过曝光用光EL的光路空间后，即被第2导引部182导引流向曝光用光EL的光路空间外侧。也即，液体LQ的流路，是在第1导引部181与第2导引部182的交叉位置或其附近弯曲。或者，液体LQ的流路是在光路空间或其附近弯曲。液浸机构1，通过以底板部172D的第1、第2导引部181，182导引液体LQ且使其流动，来抑制在曝光用光EL的光路空间内产生涡流。据此，即使于曝光用光EL的光路空间中有气体(气泡)，也能通过液体LQ的流动将气体(气泡)排出至曝光用光EL的光路空间外侧的第2位置，防止气体(气泡)留在曝光用光EL的光路空间。

如图19、21等所示，第1构件171与第2构件172间的槽部73，形成为围绕包含曝光用光EL的光路空间的开口部74’。进一步地，槽部73形成为也包围构成平坦面75一部分的下面172R。于槽部73下端部形成有配置成与基板P(基板载台PST的上面)对向的开口部73A。开口部73A形成为俯视大致呈圆环状。另一方面，于槽部73上端部也形成有俯视大致呈圆环状的开口部73B。又，于第1构件171的倾斜板部171C上端部中、与第2构件172对向的部分形成有缺口部171K，通过该缺口部171K而在槽部73上端部形成宽广部。接着，于该宽广部与第3构件173间形成空间73W。槽部73上端部的开口部73B配置于空间73W内侧，设于槽部73下端部(投影光学系统PL的像面侧附近)的开口部73A与空间73W透过槽部73相连接。也即，空间73W，是透过槽部73(开口部73A)与投影光学系统PL的像面周围的气体流通。

又，如图21所示，于第3构件173的一部分形成有与空间73W连接的流通路131’，该流通路131’与含有真空系统的吸引装置132透过配管133相连接。流通路131’及吸引装置132，是使用于在完全回收嘴构件70”与基板P(基板载台PST)间的液体LQ时，透过槽部73来回收该液体LQ。

又，于第3构件173中与流通路131’不同的位置形成有使空间73W内部与外部流通的孔部134。孔部134的直径(大小)较流通路131’的直径(大小)小，且远较开口部73A小。本实施形态中，孔部134的直径约为1mm。通过孔部134使空间73W向大气开放，据此，投影光学系统PL的像面周围的气体(间隙G2)也透过开口部73A、槽部73及空间73W向大气开放。据此，嘴构件70”与基板P(基板载台PST)间的液体LQ一部分即可出入于槽部73内部。据此，即使嘴构件70”的大小(直径)较小，也可抑制液体LQ向液体回收口22外侧流出。

其次，说明设有具上述构造的嘴构件70”的液浸机构1动作。为将液体LQ供应至基板P上，控制装置CONT，即驱动液体供应部11来从液体供应部11送出液体LQ。从液体供应部11送出的液体LQ在流经供应管后，即流入嘴构件70”的供应流路14的上端部140B。流入供应流路14的上端部140B的液体LQ，即流动于供应流路140，而从液体供应口140A供应至投影光学系统PL的端面T1与底板部172D间的空间G2。此处，在将液体LQ供应至空间G2前存在于空间G2的气体部分，是透过贯通孔130或开口部74’排出至外部。据此，能防止在开始对空间G2供应液体LQ时气体会留在空间G2的不良情形，并防止气体部分(气泡)产生于液体LQ中的不良情形。又，由于从液体供应部11送出的液体LQ流动于槽部(供应流路)140内侧，因此是在不会对光学元件LS1侧面等施加力量的状态下供应至空间G2。又，由于液体LQ不连接于光学元件LS1侧面，因此即使于光学元件LS1侧面涂布有例如既定功能材料时，也能抑制对功能材料带来影响。

供应至空间G2的液体LQ在充满空间G2后，即透过开口部74’流入平坦面75与基板P(基板载台PST)间的空间。此时，由于液体回收机构20是以每一单位时间将基板P上的液体LQ回收既定量，因此由透过开口部74’流入平坦面75与基板P(基板载台PST)间的空间的液体LQ，而于基板P上形成所欲大小的液浸区域AR2。

由于从液体供应口140A供应制空间G2的液体LQ，是在被第1导件181导引而流向曝光用光EL的光路空间(投影区域AR1)后，即被第2导件182导引而流向曝光用光EL的光路空间外侧，因此即使于液体LQ中产生气体部分(气泡)，也可通过液体LQ的流动，将该气泡排出至曝光用光EL的光路空间外侧。又，由于底板部172D是使液体LQ以不会在曝光用光EL的光路空间中产生涡流的方式流动，因此可防止气泡留在曝光用光EL的光路空间。又，由于底板部172D使液体LQ朝向排气口130A流动，因此存在于液体LQ中的气体部分(气泡)，即透过排气口130A圆滑地排出至外部。又，即使于平坦面75与基板P(基板载台PST)间的空间的液体LQ中有气体部分(气泡)存在，平坦面75与基板P(基板载台PST)间的空间的液体LQ，仍透过回收口22而与气体部分(气泡)一起被回收。

在对基板P进行液浸曝光期间等形成液浸区域AR2的期间内，连接于槽部73的流通路131’关闭且停止吸引装置132的驱动。据此，即使在使基板(基板载台PST)相对液浸区域AR2(形成为包覆投影区域AR1)进行移动时，液浸区域AR2的液体LQ一部分仍能出入于透过孔部134而向大气开放的槽部73(参照图22中的箭头F3)，而能防止液浸区域AR2的液体LQ流出等不良情形。

又，当在基板P的液浸曝光结束时等将嘴构件70”与基板P(基板载台PST)间的液体LQ完全回收时，控制装置CONT除了透过液体回收机构20的液体回收口22进行液体回收动作以外，且同时开启连接于槽部73的流通路131’，驱动吸引装置132使槽部73的内部空间成为负压，进行透过槽部73的开口部73A的液体回收动作。如此，通过也使用最接近基板P(基板载台PST)的开口部73A，而能以更短时间确实地回收嘴构件70”与基板P(基板载台PST)间的液体LQ。此时，由于用来向大气开放的孔部134较发挥液体LQ回收口功能的开口部73A的尺寸小，因此可使槽部73达到足够的负压来回收液体LQ。

又，当完全回收嘴构件70”与基板P(基板载台PST)间的液体LQ时，除了使用液体回收口22或开口部73A的液体回收动作外，也可加上从液体供应口140吹出气体的动作。

此外，当对基板P进行液浸曝光期间等形成液浸区域AR2期间内，只要是能维持液浸区域AR2的状态(形状等)的程度，也可开启连接于槽部73的流通路131’并驱动吸引装置132。通过此方式，而可透过槽部73回收液体LQ中的气泡。

又，如图24所示，也可连接贯通孔130的上端部130B与吸引装置(吸气系统)135，并透过贯通孔130连接排气口130A与吸引装置135。又，也可在例如开始供应用来形成液浸区域AR2的液体LQ时，驱动吸引装置135使贯通孔130内侧成为负压，来强制排出空间G2的气体。通过此方式，也可防止气体留在空间G2的不良情形产生，并防止于液体LQ产生气体部分(气泡)的不良情形产生。又，也可在驱动吸引装置135的同时对基板P进行液浸曝光，或于基板P的液浸曝光中停止吸引装置135的驱动。

此外，嘴构件70”虽是以第1、第2、第3构件171、172、173三构件构成，但也可由一构件构成，或由三个以外的多个构件构成。

第9实施形态

图25是显示第9实施形态的图。本实施形态的特征部分在于，以第2导引部182形成的流路182F的宽度D2较以第1导引部181形成的流路181F的宽度D1小。据此，可相对流动于以第1导引部181形成的流路181F的液体LQ流速，提高流动于以第2导引部182形成的流路182F的液体LQ流速。据此，能通过高速化的液体LQ，将曝光用光EL的光路空间的气体(气泡)迅速且圆滑地排出至曝光用光EL的光路空间外侧。

第10实施形态

图26是显示第10实施形态的图。本实施形态的特征部分在于，以第2导引部182形成的流路182F的宽度D2，形成为从曝光用光EL的光路空间(投影区域AR1或第2导引部182的上游侧)向设有排气口130A的第2位置(或第2导引部182的下游侧)逐渐变窄。即使是此种构成，也能相对流动于以第1导引部181形成的流路181F的液体LQ流速，提高流动于以第2导引部182形成的流路182F的液体LQ流速，而将气体(气泡)迅速且圆滑地排出至曝光用光EL的光路空间外侧。

第11实施形态

图27是显示第11实施形态的图。本实施形态的特征部分在于，第1导引部181与第2导引部182的连接部190形成为直线状，于第1导引部181与第2导引部182间形成有角部。即使是此种构成，也可抑制涡流的产生，防止气体(气泡)留在曝光用光EL的光路空间的液体LQ，并能将气体(气泡)排出至曝光用光EL的光路空间外侧。

第12实施形态

图28是显示第12实施形态的图。本实施形态的特征部分在于，以第1导引部181形成的流路181F中、液体供应口140A附近的既定区域(的流路宽度)，形成为从液体供应口140A向曝光用光EL的光路空间(投影区域AR1)逐渐变窄(从上游至下游)，以第2导引部182形成的流路182F中、排气口130A附近的既定区域(的流路宽度)，形成为从排气口130A向曝光用光EL的光路空间(投影区域AR1)逐渐变窄(从上游至下游)。又，本实施形态中，第1导引部181与第2导引部182大致成直角交叉。即使是此种构成，也可抑制涡流的产生，防止气体(气泡)留在曝光用光EL的光路空间的液体LQ，并能将气体(气泡)排出至曝光用光EL的光路空间外侧。

第13实施形态

图29是显示第13实施形态的图。本实施形态的特征部分在于，液体供应口140A仅设置一个。又，以第1导引部181形成的流路181F与以第2导引部182形成的流路182F为大致正交，开口部74’形成为俯视大致呈T字形。即使是此种构成，也可抑制涡流的产生，防止气体(气泡)留在曝光用光EL的光路空间的液体LQ，并能将气体(气泡)排出至曝光用光EL的光路空间外侧。

第14实施形态

图30是显示第14实施形态的图。本实施形态的特征部分在于，以第1导引部181形成的流路181F与以第2导引部182形成的流路182F并未正交，而是以90度以外的既定角度交叉。又，液体供应口140A(第1位置)，设于曝光用光EL的光路空间(投影区域AR1)的外侧区域中、从与投影区域AR1在Y轴方向并排的位置偏向θZ方向的位置，排气口130A(第2位置)也设于从与投影区域AR1在X轴方向并排的位置偏向θZ方向的位置。即使是此种构成，也可抑制涡流的产生，防止气体(气泡)留在曝光用光EL的光路空间的液体LQ，并能将气体(气泡)排出至曝光用光EL的光路空间外侧。

第15实施形态

图31是显示第15实施形态的图。本实施形态的特征部分在于，各液体供应口140A及排气口130A，分别设于曝光用光EL的光路空间外侧区域中的三个既定位置。本实施形态中，液体供应口140A及排气口130A，是在曝光用光EL的光路空间(投影区域AR1)外侧区域中，以大致等间隔交互配置成包围投影光学系统PL的光轴AX。又，以第1导引部181形成的多条流路181F及以第2导引部182形成的多条流路182F是以既定角度交叉。即使是此种构成，也可抑制涡流的产生，防止气体(气泡)留在曝光用光EL的光路空间的液体LQ，并能将气体(气泡)排出至曝光用光EL的光路空间外侧。

第16实施形态

图32是显示第16实施形态的图。本实施形态的特征部分在于，液体供应口140A(第1位置)是设在曝光用光EL的光路空间(投影区域AR1)外侧区域中与投影区域AR1在Y轴方向并排的位置，排气口130A(第2位置)是设在从与投影区域AR1在Y轴方向并排的位置偏向θZ方向的位置。本实施形态中，排气口130A(第2位置)是设在从曝光用光EL的光路空间(投影区域AR1)外侧区域中、从与投影区域AR1在Y轴方向并排的位置向θZ方向离开约45度的位置。又，底板部172D，具有：第1导引部181，形成从液体供应口140A往曝光用光EL的光路空间的流动方向；以及第2导引部82，形成从曝光用光EL的光路空间往排气口130A的流动方向。以第1导引部181形成的流路181F，使液体LQ大致沿Y轴方向流动。另一方面，以第2导引部182形成的流路182F，具有与流路181F正交而使液体LQ大致沿X轴方向流动的第1区域182Fa、以及使流经第1区域182Fa的液体LQ向排气口130A流动的第2区域182Fb。通过流路181F与流路182F的第1区域182Fa，形成俯视大致呈十字形的开口部74’。根据此种构造，即使在设置液体供应口140A或排气口130A的位置有限制，也可抑制涡流的产生，防止气体(气泡)留在曝光用光EL的光路空间的液体LQ，并能将气体(气泡)排出至曝光用光EL的光路空间外侧。

此外，若能抑制涡流产生，并能将气体(气泡)排出至曝光用光EL的光路空间外侧的话，液体供应口140A及排气口130A的数目及配置、以及对应该液体供应口140A及排气口130A的流路181F，182F的形状等即可任意设定。例如，也可设置四个以上的多个液体供应口140A及排气口130A，或也可使液体供应口140A及排气口130A的数目彼此不同，或也能以不相等的间隔配置液体供应口140A及排气口130A。液体供应口140A及排气口130A的数目及配置、以及对应该液体供应口140A及排气口130A的流路181F，182F的形状等，最好是根据实验或模拟结果使其达最佳化，能抑制涡流的产生、并能将气体(气泡)排出至曝光用光EL的光路空间外侧。

此外，上述第8至16实施形态中，虽然液浸机构1，虽通过底板部(导引构件)172D，使设于第1位置的液体供应口140A所供应的液体LQ流向设于第2位置的排气口130A，但也可不将排气口130A设于第2位置。即使无排气口130A，也可通过液体LQ的流动，将在曝光用光EL的光路空间的气体部分(气泡)排出至曝光用光EL的光路空间外侧，防止气体留在曝光用光EL的光路空间的液体LQ中。另一方面，通过设置排气口130A于第2位置，而能从曝光用光EL的光路空间圆滑地排出气体。

又，上述第8至第16实施形态中，虽液浸机构1沿Y轴方向对投影区域AR1供应液体LQ，但也可例如将液体供应口140A相对投影区域AR1分别设于X轴方向两侧，再沿X轴方向对投影区域AR1供应液体LQ。

此外，上述第1至第16实施形态中，形成于嘴构件70下面的斜面(多孔构件下面)也可为曲面。又，参照图9至图11所说明的上述第2至第4实施形态中，也可将壁部76设于多孔构件25的下面2周缘。

此外，上述第1至第16实施形态中，虽然于液体回收口22配置有多孔构件25，但也可不配置多孔构件25。即使此时，例如于嘴构件70下面设置与曝光用光EL的光轴AX的距离越长则与基板P表面间的间隔越大的斜面，并将液体回收口设于此斜面的既定位置，据此也可维持界面LG的形状，防止气泡产生于液浸区域AR2的液体LQ中等不良情形。又，也可缩小液浸区域AR2的大小。

又，于上述第1至第16实施形态中，虽于嘴构件70下面的斜面(多孔构件下面)设置液体回收口，但只要能将液体LQ的液浸区域AR2维持于所欲状态，也可不将斜面形成于嘴构件70下面，而在与平坦面75大致平行(同一面高)的面上设置液体回收口。也即，当液体LQ对基板P的接触角较大时，或从液体回收口22回收液体LQ的回收能力较高时等，即使增加基板P的移动速度也能在不使液体LQ漏出的状态下加以回收的话，也可将液体回收口设于与平坦面75平行(同一面高)的面。

又，于上述第1至第16实施形态中，虽在形成于嘴构件70下面的斜面(多孔构件下面)周围设置壁部76，但若能抑制液体LQ的漏出时，也可省略壁部76的设置。

又，于上述第1至第16实施形态中，虽将具有与基板P的开口73A对向的槽部73设于嘴构件，但也可省略此槽部73。此时，为使投影光学系统PL的像面侧的空间成为非液浸状态，可使用液体回收口22将所有投影光学系统PL的像面侧的液体LQ回收。此时，如第6至第16实施形态，在形成有连接于底板部72D上面与光学元件LS1间的空间G2的开口时，也可与液体回收口22的液体回收动作并行来从该开口回收液体LQ。

又，上述第1至第16实施形态的嘴构件嘴构件70，虽是将平坦面(平坦部)75的一部分形成于投影光学系统PL与基板P之间，并在其外侧形成斜面(多孔构件下面)，但也可不将平坦面的一部分配置于投影光学系统PL下，而是相对投影光学系统PL的光轴配置于投影光学系统PL的端面T1外侧(周围)。此时，平坦面75也可与投影光学系统PL的端面T1大致同一面高，或也可使平坦面75的Z轴方向位置，位于相对投影光学系统PL端面T1往+Z方向或-Z方向离开之处。

又，于上述第1至第5实施形态中，虽然液体供应口12是以包围投影区域AR1的方式形成为环形狭缝状，但也可设置彼此分离的多个供应口。此时，虽供应口的位置并无特别限定，但可在投影区域AR1两侧(X轴方向两侧或Y轴方向两侧)各设一个供应口，也可在投影区域AR1的X轴及Y轴方向两侧各设一个(共计四个)供应口。又，只要是能形成所欲的液浸区域AR2，也可在相对投影区域AR1往定方向离开的位置仅设置一个供应口。又，从多个供应口供应液体LQ时，也可调整从各供应口供应的液体LQ的量，来从各供应口供应不同量的液体。

又，于上述第1至第16实施形态中，虽投影光学系统PL的光学元件LS1是具有折射力的透镜元件，但也可使用无折射力的平行平面板作为光学元件LS1。

又，于上述第1至第16实施形态中，虽然是以液体LQ充满投影光学系统PL的光学元件LS1像面侧(下面侧)的光路空间，但也可采用如国际公开第2004/019128号说明书所揭示般，以液体LQ充满投影光学系统PL的光学元件LS1上面侧及下面侧二侧的光路空间的构造。

如上所述，本实施形态的液体LQ是使用纯水。纯水的优点为能容易地在半导体制造工厂等处大量取得，且对基板P上的光致抗蚀剂或光学元件(透镜)等无不良影响。又，纯水除了对环境无不良影响外，由于杂质的含有量极低，因此也能期待有洗净光学元件(设于基板P的表面、以及投影光学系统PL前端面)的作用。又，从工厂等所供应的纯水纯度较低时，也可使曝光装置具备超纯水制造器。

又，纯水(水)对波长为193nm左右的曝光用光EL的折射率n是大致1.44左右，若使用ArF准分子激光(波长193nm)来作为曝光用光EL的光源时，在基板P上则将波长缩短为1/n、也即大约134nm左右，即可获得高分辨率。再者，由于焦深与在空气中相较放大约n倍、也即约1.44倍左右，因此只要是能确保与在空气中使用时相同程度的焦深时，即能更增加投影光学系统PL的数值孔径，从此点来看也能提高分辨率。

此外，使用如上所述的液浸法时，有时投影光学系统PL的数值孔径NA会成为0.9～1.3。如此，投影光学系统PL的数值孔径NA变大时，由于现有用作为曝光用光的任意偏极光有时会因偏光效果不同而使成像性能恶化，因此最好是使用偏光照明。此时，最好是进行配合掩膜版(标线片)的线/空间(line andspace)图案的线图案长边方向的直线偏光照明，而从掩膜版(标线片)的图案射出较多S偏光成分(TE偏光成分)、也即沿线图案长边方向的偏光方向成分的绕射光。在投影光学系统PL与涂布于基板P表面的光致抗蚀剂间充满液体时，与在投影光学系统PL与涂布于基板P表面的光致抗蚀剂间充满空气(气体)的情形相较，由于有助于提高对比的S偏光成分(TE偏光成分)的绕射光的光致抗蚀剂表面透射率会变高，因此即使投影光学系统的数值孔径NA超过1.0时，也能得到高成像性能。又，若适当组合相移掩膜版或如特开平6-188169号公报所揭示的配合线图案长边方向的斜入射照明法(特别是偶极(dipole)照明法)等，则更具效果。特别是，直线偏光照明法与偶极照明法的组合，当线/空间图案的周期方向限于既定一方向时、或孔图案沿既定一方向密集形成时相当有效。例如，并用直线偏光照明法及偶极照明法，来照明透射率6％的半透光(half-tone)型相移掩膜版(半间距45nm左右的图案)时，将照明系统的瞳面中形成偶极的二光束的外接圆所规定的照明σ设为0.95、将其瞳孔平面的各光束半径设为0.125σ、将投影光学系统PL的数值孔径设为NA＝1.2时，即能较使用任意偏极光将焦深(DOF)增加150nm左右。

又，例如以ArF准分子激光为曝光用光，使用1/4左右的缩小倍率的投影光学系统PL，将微细的线/空间图案(例如25～50nm左右的线/空间)曝光于基板P上时，依掩膜版M构造(例如图案的细微度或铬的厚度)的不同，通过波导效果(Wave guide)使掩膜版M发挥偏光板的作用，而使从掩膜版M射出S偏光成分(TE偏光成分)的绕射光多于使对比下降的P偏光成分(TM偏光成分)的绕射光。此时，虽最好是使用上述直线偏光照明，但即使以任意偏极光来照明掩膜版M，而投影光学系统PL的数值孔径NA如为0.9～1.3般较大的情形时，也能得到高解析性能。

又，当将掩膜版M上的极微细线/空间图案曝光于基板P上时，通过线栅(Wire Grid)效果虽然也有可能使P偏光成分(TM偏光成分)大于S偏光成分(TE偏光成分)，但例如以ArF准分子激光为曝光用光，并使用1/4左右的缩小倍率的投影光学系统PL将较25nm大的线/空间图案曝光于基板P上时，由于从掩膜版M射出S偏光成分(TE偏光成分)的绕射光多于P偏光成分(TM偏光成分)的绕射光，因此即使投影光学系统PL的数值孔径NA如为0.9～1.3般较大的情形时，也能得到高解析性能。

再者，除了与掩膜版(标线片)的线图案长边方向配合的直线偏光照明(S偏光照明)以外，如特开平6-53120号公报所揭示，将以光轴为中心的圆接线(周)方向直线偏光的偏光照明法与斜入射照明法组合也具有效果。特别是，除了掩膜版(标线片)的图案沿既定一方向延伸的线图案以外，在沿多个相异方向延伸的线图案混合(周期方向相异的线/空间图案混合)的情形下，同样如特开平6-53120号公报所揭示，通过并用偏光照明法(沿以光轴为中心的圆的接线方向直线偏光)与环带照明法，即使投影光学系统PL的数值孔径NA较大时，也能得到高成像性能。例如，在并用偏光照明法(沿以光轴为中心的圆的接线方向直线偏光)与环带照明法(环带比3/4)，来照明透射率6％的半透光型相移掩膜版(半间距63nm左右的图案)的情形下，将照明σ设为0.95、将投影光学系统PL的数值孔径设为NA＝1.00时，较使用任意偏极光的情形能使焦深(DOF)增加250nm左右，当半间距为55nm左右的图案且投影光学系统PL的数值孔径为NA＝1.2时，能使焦深增加100nm左右。

本实施形态中，将光学元件LS2安装于投影光学系统PL前端，通过此透镜能进行投影光学系统PL的光学特性的调整，例如像差(球面像差、慧形像差等)。此外，作为安装于投影光学系统PL前端的光学元件，也可是使用于调整投影光学系统PL的光学特性的光学板。或也可是能使曝光用光EL透射的平行平面板。

此外，因液体LQ流动所产生的投影光学系统PL前端的光学元件与基板P间的压力较大时，也可不将该光学元件作成能交换的构造，而是将光学元件坚固地固定成不会因其压力而移动。

又，本实施形态中，虽然是以液体LQ充满投影光学系统PL与基板P间的构成，但也可是例如在将平行平面板所构成的盖玻片安装于基板P表面的状态下来充满液体LQ的构成。

又，使用图1至图32说明的实施形态的投影光学系统PL，虽然是以液体充满前端的光学元件的像面侧的光路空间，但也可采用如国际公开第2004/019128号公报所揭示般，也以液体充满光学元件LS1的掩膜版M侧的光路空间的投影光学系统。

此外，本实施形态的液体虽然是水，但也可是水以外的液体。例如，曝光用光的光源为F₂激光时，由于此F₂激光无法透射水，因此也可使用能使F₂激光透射的液体来作为第1、第2液体LQ1，LQ2，例如过氟聚醚(PFPE，perfluoro-polyether)或氟系列油等氟系列流体也可。此时，例如以包含氟的极性小的分子构造物质来形成薄膜，据此对与第1、第2液体LQ1，LQ2接触的部分进行亲液化处理。又，作为第1、第2液体LQ1，LQ2，其它也能使用对曝光用光EL具透射性且折射率尽可能较高、并对涂布于投影光学系统PL与基板P表面的光致抗蚀剂较稳定的液体(例如杉木油(cedar oil))。此时，表面处理也根据所使用的第1、第2液体LQ1，LQ2的极性来进行。又，也能使用具有所欲折射率的各种流体来替代液体LQ1，LQ2的纯水，例如超临界流体或高折射率气体。

又，于使用图1、4、15、16、18、21、22及24的说明中，虽是在使基板P与光学元件LS1的下面T1对向的状态下，以液体LQ充满光学元件LS1的下面T1与基板P间的空间，但即使是投影光学系统PL与其它构件(例如基板载台的上面91等)对向时，也能以液体充满投影光学系统PL与其它构件间。

又，作为上述各实施形态的基板P，除了半导体元件制造用的半导体晶片以外，也能适用于显示器元件用的玻璃基板、薄膜磁头用的陶瓷晶片、或在曝光装置所使用的掩膜版或标线片的原版(合成石英、硅晶片)等。

此外，上述实施形态中，虽使用于具光透射性的基板上形成既定遮光图案(或相位图案，减光图案)的光透射性掩膜版(标线片)，但也可使用例如美国专利第6,778,257号公报所揭示的电子掩膜版来代替此标线片，该电子掩膜版根据待曝光图案的电子资料来形成透射图案、反射图案或发光图案。

又，本发明也能适用于，如国际公开第2001/035168号说明书所揭示，通过将干涉纹形成于晶片W上、而在晶片W上形成线/空间图案的曝光装置(光刻系统)。

曝光装置EX，除了能适用于使掩膜版M与基板P同步移动来对掩膜版M的图案进行扫描曝光的步进扫描方式的扫描型曝光装置(扫描步进机)以外，也能适用于步进重复方式的投影曝光装置(步进器)，其是在使掩膜版M与基板P静止的状态下，使掩膜版M的图案一次曝光，并使基板P依序步进移动。

又，作为曝光装置EX，也能适用下述曝光装置，即：在使第1图案与基板P大致静止的状态下，使用投影光学系统(例如1/8缩小倍率且不含反射元件的折射型投影光学系统)将第1图案的缩小像一次曝光于基板P的方式的曝光装置。此时，进一步于其后，也能适用于接合方式的一次曝光装置，其是在使第2图案与基板P大致静止的状态下，使用该投影光学系统使第2图案的缩小像与第1图案部分重叠而一次曝光于基板P。又，作为接合方式的曝光装置，也能适用于步进接合方式的曝光装置，其是在基板P上将至少2个图案部分重叠而转印，并依序移动基板P。

又，本发明也能适用于具备保持基板的二个基板载台的双载台型曝光装置。双载台型曝光装置的构造及曝光动作，例如揭示于特开平10-163099号及特开平10-214783号(对应美国专利6,341,007、6,400,441、6,549,69及6,590,634)，特表2000-505958号(对应美国专利5,969,441)或美国专利6,208,407，在本国际申请案的指定或选择的国家法令所容许的范围内，援用上述文献的揭示作为本文记载的一部分。

再者，本发明也可适用于如特开平11-135400号公报所揭示的曝光装置，该曝光装置具备：保持基板P的基板载台、以及装载形成有基准标记的基准构件或各种光电传感器的计测载台。

作为曝光装置EX的种类，并不限于用以将半导体元件图案曝光于基板P的半导体元件制造用曝光装置，而也能广泛适用于液晶显示元件制造用或显示器制造用的曝光装置、或用以制造薄膜磁头、摄影元件(CCD)、标线片以及掩膜版等的曝光装置等。

当于基板载台PST或掩膜版载台MST使用线性马达时，也可采用使用了空气轴承的气浮型及使用了劳伦兹(Lorentz)力或电抗的磁浮型中的任一型。又，各载台PST、MST，也可是沿导件移动的类型，或也可是不设导件的无导件类型。于载台使用线性马达之例，是揭示于美国专利5,623,853及5,528,118，分别在本国际申请案的指定或选择的国家法令所容许的范围内，援用此等文献的记载内容作为本文记载的一部分。

作为各载台PST、MST的驱动机构也可使用平面马达，其是使二维配置有磁铁的磁铁单元与二维配置有线圈的电枢单元对向，通过电磁力来驱动各载台PST、MST。此时，只要将磁铁单元与电枢单元中的任一方连接于载台PST、MST、并将磁铁单元与电枢单元中的另一方设置于载台PST、MST移动侧即可。

因基板载台PST的移动所产生的反作用力，也可使用框构件以机械方式释放至地面(接地)，使其不传至投影光学系统PL。此反作用力的处理方法，例如，美国专利5,528,118(特开平8-166475号公报)所详细揭示的内容，在本国际申请案的指定或选择的国家法令所容许的范围内，援用该文献的记载内容作为本文记载的一部分。

因基板载台MST的移动所产生的反作用力，也可使用框构件以机械方式释放至地面(接地)，使其不传至投影光学系统PL。此反作用力的处理方法，例如，美国专利5,874,820(特开平8-330224号公报)所详细揭示的内容，在本国际申请案的指定或选择的国家法令所容许的范围内，援用该文献的记载内容作为本文记载的一部分。

如上所述，本申请案的实施形态的曝光装置EX，通过组装各种次系统(包含本发明的权利要求书中所列举的各构成要素)，以能保持既定的机械精度、电气精度、光学精度的方式所制造。为确保这些各种精度，于组装前后，进行对各种光学系统进行用以达成光学精度的调整、对各种机械系统进行用以达成机械精度的调整、对各种电气系统进行用以达成电气精度的调整。从各种次系统至曝光装置的组装制程，包含机械连接、电路的配线连接、气压回路的配管连接等。当然，从各种次系统至曝光装置的组装制程前，有各次系统个别的组装制程。当各种次系统至曝光装置的组装制程结束后，即进行综合调整，以确保曝光装置整体的各种精度。此外，曝光装置的制造最好是在温度及清洁度等皆受到管理的洁净室进行。

半导体元件的微元件，如图33所示，是经由下述步骤所制造，即：进行微元件的功能、性能设计的步骤201、根据此设计步骤制作掩膜版(标线片)的步骤202、制造构成元件基材的基板的步骤203、通过前述实施形态的曝光装置EX将掩膜版图案曝光于基板的曝光处理步骤204、元件组装步骤(包含切割步骤、接合步骤、封装步骤)205、检查步骤206等。

根据本发明，由于即使在使扫描速度高速化时，也可将液体的液浸区域维持于所欲状态，因此能以良好效率良好地进行曝光处理。

Claims (18)

1.一种曝光装置，是透过液体将曝光用光照射于基板，以使该基板曝光，其特征在于，具备：

投影光学系统；以及

液浸机构，供应该液体且回收该液体；

该液浸机构具有平坦面，该平坦面配置成与该基板平行对向，且包围该曝光用光的光路；

该液浸机构具有液体回收口，该液体回收口配置在相对该曝光用光的光路于该平坦面的外侧，且与该基板对向；

该液浸机构，具有多孔构件，该多孔构件具有与该基板表面对向且相对基板表面呈倾斜的斜面；

该液体回收口包含该多孔构件的斜面；

该斜面形成为，当其与该投影光学系统的光轴的距离越长则与该基板表面的间隔越大。

2.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，该斜面形成为包围该曝光用光所照射的投影区域。

3.如权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，该液浸机构，于该斜面周缘具有用来抑制该液体漏出的壁部。

4.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，该液体回收口形成为包围该曝光用光所照射的投影区域。

5.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，该多孔构件包含网体。

6.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，该平坦面与该斜面连续地形成，且形成为包围该曝光用光所照射的投影区域。

7.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，该液浸机构具有一构件，该构件具有该曝光用光通过的开口部、并配置于该投影光学系统与该基板之间，且配置成在与该投影光学系统的端面间形成既定间隙；

该平坦面，配置成包围通过该开口部的该曝光用光的光路；

该斜面，形成为于该平坦面的外侧相对该平坦面倾斜；

能将液体供应至该投影光学系统与该构件之间。

8.如权利要求7所述的曝光装置，其特征在于，该构件具有该平坦面。

9.如权利要求8所述的曝光装置，其特征在于，该平坦面形成为包围该曝光用光所照射的投影区域。

10.如权利要求8所述的曝光装置，其特征在于，该液浸机构具有配置于该平坦面外侧的槽部，该槽部内部与该投影光学系统的像面周围的气体流通。

11.如权利要求10所述的曝光装置，其特征在于，该槽部形成为包围该曝光用光所照射的投影区域。

12.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，该液浸机构具有配置于该曝光用光所照射的投影区域与该斜面之间的槽部，该槽部配置成其开口部与该基板对向，该槽部内部与该投影光学系统的像面周围的气体流通。

13.如权利要求12所述的曝光装置，其特征在于，该槽部形成为包围该曝光用光所照射的投影区域。

14.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，该斜面包含相对该基板表面以不同角度倾斜的多个斜面。

15.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，该斜面相对该基板表面以3～20度的角度倾斜。

16.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，于该斜面设有翼片。

17.如权利要求1至16中任一项所述的曝光装置，其特征在于，该液浸机构，于该基板的曝光中持续该液体的供应与回收。

18.一种元件制造方法，其特征在于，使用权利要求1至17中任一项所述的曝光装置。

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