JP5227360B2 - リソグラフィ装置、デバイス製造方法および制御システム - Google Patents

Description

本発明は、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびリソグラフィ装置を制御する制御方法に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（たとえばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（たとえば１つのダイの一部、１つまたはいくつかのダイを含む）に転写される。パターンの転写は通常、基板上に設けられた放射線感応性材料（レジスト）層上での結像を介してなされる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分の回路網(ネットワーク)を含んでいる。既知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、および特定の方向（「スキャン」方向）の照射ビームによってパターンをスキャンすると同時にこの方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。

投影システムの終端の光学素子と基板との間のスペースを満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、たとえば、水にリソグラフィ投影装置の基板を浸すことが提案されている。この技術では、このような液体において、露光放射線は波長が短くなることから、小さなフィーチャの結像が可能になることが要点となっている（この液体の効果は、当該システムの有効なＮＡおよび焦点深度を増大させるものともみなすことができる。）。他の浸液としては、固体パーティクル（たとえば、水晶など）が懸濁している水などが提案されている。

液体のバスに基板または基板および基板テーブルを浸すことは（たとえば、米国特許第４５０９８５２号を参照。この特許は本言及によりその全体が本明細書に組み込まれる。）、スキャン露光中に動かさなければならない体積の大きな液体があることを意味する。このことにより、追加のまたはより多くの強力なモータが必要となり、当該液体の乱流によって好ましくなくかつ予測不可能な作用が生じる可能性がある。

提案されている解決策の一つは、液体閉じ込めシステムを使用して、液体供給システムが、基板における投影システムの終端の素子と基板との間の局部的領域（基板は、通常、投影システムの終端の光学素子よりも広い表面面積を有する）上のみに液体を供給することである。これを実現するために提案された一つの態様がＰＣＴ特許出願（ＷＯ）第９９／４９５０４号に開示されており、本言及によりその全体が本明細書に組み込まれる。図２および図３に示すとおり、液体は、少なくとも一つの挿入口ＩＮにより、好ましくは、終端の素子に対する基板の移動方向に沿って、基板上に供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも一つの排出口ＯＵＴによって取り除かれる。つまり、基板がこの素子の下で−Ｘ方向にスキャンされるので、液体は、該素子の＋Ｘ側から供給され、−Ｘ側から取り出される。図２は、液体が挿入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続されている排出口ＯＵＴによって素子の他方の側で取り出される。図２の例では、液体が終端の素子に対する基板の移動の方向に沿って供給されているが、必ずしもそうでなくてもよい。終端の素子の周囲に配置される挿入口および排出口については、様々な配向および数とすることが可能であり、一例として、図３には、１つの挿入口の両側に排出口が１つずつ配された挿入口と排出口の４つのセットが終端の素子の周囲に規則的なパターンで与えられているものが示されている。

局所的な液体供給システムを用いたさらなる液浸リソグラフィ解決手段を図４に示す。液体は、投影システムＰＬの両側の２つの溝状の挿入口ＩＮにより供給され、挿入口ＩＮの外側に半径方向に配置された複数の個別の排出口ＯＵＴにより除去される。挿入口ＩＮおよび排出口ＯＵＴは、中央に穴を有するプレートに設けることができ、この穴を通して、投影ビームが投影される。液体は、投影システムＰＬの一方の側にある一つの溝状の挿入口ＩＮにより供給され、投影システムＰＬの他方の側にある複数の個別の排出口ＯＵＴにより取り除かれることで、投影システムＰＬと基板Ｗとの間の液体の薄膜の流れが生じる。使用する挿入口ＩＮと排出口ＯＵＴの組み合わせは、基板Ｗの移動方向に応じて選択することができる（挿入口ＩＮと排出口ＯＵＴの他の組み合わせは機能しない）。

提案される他の解決手段として、図５に示すように、投影システムＰＬの終端の素子と基板テーブルとの間のスペースの境界の少なくとも一部に沿って延在するバリア部材１２を有する液体供給システムを提供することがある。液体１１は、挿入口／排出口１３を介して供給される。このバリア部材は、ＸＹ面においては、投影システムに対して実質的に静止状態にあるが、Ｚ方向（光軸方向）には幾分相対的な移動がありうる。シール１６は、バリア部材と基板の表面との間に形成される。一実施形態として、このシールは、ガスシール１４、１５のような非接触のシールである。ガスシールを有するこのようなシステムは、米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されており、本言及によりその全体が本明細書に組み込まれる。

欧州特許出願公開第１４２０３００号および米国特許出願公開第２００４−０１３６４９４号はそれぞれ、ツインステージまたはデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念を開示しており、これらは、本言及によりその全体が本明細書に組み込まれる。このような装置には、基板を支持するための２つのテーブルが設けられている。浸液のない第１の位置のテーブルを使用してレベリング測定を行い、浸液がある第２の位置のテーブルを使用して露光が行われる。あるいは、リソグラフィ装置は、露光位置と測定位置との間で移動可能なテーブルを一つだけ備えてもよい。

一実施形態において、浸液は、基板テーブルおよび／または１つ以上のセンサの周囲の除去コンジットを介して抜き取られる。しかし、浸液はおよび気体（たとえば、空気）は、その管に閉じ込められてしまうことがある。吸引力をこの除去コンジットに加えて気体の流れをつくる場合もある。この管には様々な種類があるため、大きな吸引力が必要となる場合もある。通過する気体が浸液の蒸発を招き、これにより、除去コンジットおよび場合によっては基板および／または基板テーブルの一部を冷却する場合がある。冷却の程度は、除去コンジットに付着する浸液の量、気体の流れにさらされた除去コンジットの表面積、気体の速度および／または気体の相対的湿度の影響を受ける。不運にも、この冷却により基板のエッジ部および／または基板テーブルの変形が生じる場合がある。これにより、アライメントやオーバーレイの誤差が生じることがある。さらに、冷却のパターン、したがって、変形は、リソグラフィ装置によって異なりうるので、リソグラフィ装置間のアライメントの誤差が増えることもありうる。

たとえば、浸液の抜き取りによる冷却を低減することが望ましい。

本発明の１つの態様によると、流れの方向に沿って液体を除去するよう配置された除去コンジットを備える液浸リソグラフィ装置であって、該除去コンジットが、複数の表面によって形成されかつ該表面上に複数の電極を有する毛細管路を備える液浸リソグラフィ装置が提供される。

本発明のさらなる態様によると、液体と接触するように構成されている表面に配置された複数の電極を備える液浸リソグラフィ装置が提供される。

本発明のさらなる態様によると、投影システムと基板との間のスペースに液体を供給するステップ、複数の表面により形成されかつ該表面に複数の電極を有する毛細管路を備える除去コンジットを介して、流れの方向に沿って液体を抜き取るステップであって、該電極の少なくとも１つに電圧を印加することを含むステップと、投影システムを使用して、放射線の投影ビームを液体を介して基板上に投影するステップとを含むデバイス製造方法が提供される。

本発明のさらなる態様によると、液浸リソグラフィ装置に配置された複数の電極を制御するよう構成されている制御システムであって、電極が液浸リソグラフィ装置の液体に接触または近接するように構成されている制御システムが提供される。

本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 リソグラフィ投影装置において使用される液体供給システムを示す。 リソグラフィ投影装置において使用される液体供給システムを示す。 リソグラフィ投影装置において使用される別の液体供給システムを示す。 リソグラフィ投影装置において使用されるさらなる液体供給システムを示す。 本発明の第１の実施形態を示す。 本発明の第１の実施形態による電極の細部を示す図である。 本発明の第１の実施形態による電極の配置の平面図である。 本発明の第２の実施形態を示す。

以下、添付の概略図面を参照しながら、単なる例として、本発明の実施形態を説明する。図面において、同じ参照符号は同じ部分を示す。

本発明において、同一または同様の特徴は通常、同一または同様の符号によって示される。

図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１を概略的に示している。

リソグラフィ装置は、放射線ビームＢ（たとえばＵＶ放射線またはＤＵＶ放射線）を調整することができるように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持することができるように構成され、また特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けることができるように構成された第１位置決め装置ＰＭに連結された支持構造体（たとえばマスクテーブル）ＭＴと、基板（たとえばレジストコートウェーハ）Ｗを保持することができるように構成され、また特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けることができるように構成された第２位置決め装置ＰＷに連結された基板テーブル（たとえばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射線ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば１つ以上のダイを含む）上に投影することができるように構成された投影システム（たとえば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備えることができる。

照明システムとしては、放射線を誘導し、形成し、あるいは制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学部品、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光学部品を含むことができる。

支持構造体は、パターニングデバイスを支持する、即ち、パターニングデバイスの重みを支えるものである。支持構造体は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、たとえば、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどといった他の条件に応じた態様でパターニングデバイスを保持する。支持構造体は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。支持構造体は、たとえば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。支持構造体は、パターニングデバイスを、たとえば、投影システムに対して任意の位置に確実に置くことができる。本明細書において使われる用語「レチクル」または「マスク」はすべて、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えるとよい。

本明細書において使われる用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように放射線ビームの断面にパターンを付けるために使うことができるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射線ビームに付けたパターンは、たとえば、そのパターンが位相シフト特性(phase-shifting features)またはいわゆるアシスト特性(assist features)を含む場合、基板のターゲット部分内の任意のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射線ビームに付けたパターンは、集積回路などの、ターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。

パターニングデバイスは、透過型または反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、alternating位相シフト(alternating phase-shift)、および減衰型位相シフト(attenuated phase-shift)などのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射線ビームがさまざまな方向に反射するように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射線ビームにパターンを付ける。

本明細書において使われる用語「投影システム」は、使われている露光放射線にとって、あるいは浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光電システム、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆるタイプの投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使われる用語「投影レンズ」はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えるとよい。

本明細書に示されているとおり、投射装置は、透過型のもの（たとえば透過型マスクを採用しているもの）である。また、投射装置は、反射型のもの（たとえば、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイを採用しているか、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。

リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上の支持構造体）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機構においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、あるいは、予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。

図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射線源ＳＯから放射線ビームを受ける。放射線源およびリソグラフィ装置は、たとえば、放射線源がエキシマレーザである場合、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射線源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射線ビームは、放射線源ＳＯからイルミネータＩＬへ、たとえば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。別の場合においては、放射線源は、たとえば、放射線源が水銀ランプである場合、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射線源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならビームデリバリシステムＢＤとともに、放射線システムと呼んでもよい。

イルミネータＩＬは、放射線ビームの角度強度分布を調節することができるように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側径方向範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他の構成要素を含むことができる。イルミネータを使って放射線ビームを調整すれば、放射線ビームの断面に任意の均一性および強度分布をもたせることができる。

放射線ビームＢは、支持構造体（たとえばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射線ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば、干渉装置、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、たとえば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射線ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使い、たとえば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射線ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、支持構造体ＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も第２位置決め装置ＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、支持構造体ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてよく、あるいは、固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークがそれ専用のターゲット部分に置かれているが、基板アライメントマークをターゲット部分の間のスペース（これらは、けがき線アライメントマーク(scribe-lane alignment mark)として公知である）内に置くこともできる。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイの間に置かれてもよい。

例示の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使うことができると考えられる。

１． ステップモードにおいては、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射線ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。基板テーブルＷＴは、つぎにＸおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃが露光されることが可能になる。ステップモードにおいては、露光領域の最大サイズよって、単一静止露光時に投影されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。

２． スキャンモードにおいては、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射線ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。支持構造体ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および画像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光領域の最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。

３． 別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ、支持構造体ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かし、すなわちスキャンする一方で、放射線ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射線源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中、連続する放射線パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

本発明の一実施形態によると、液体（たとえば、水）ポンプが除去コンジットに形成されている。図６から分かるように、基板ホルダＷＨとエッジ構造体１５との間に細い毛細管路２０が形成されている。エッジ構造体は、基板ホルダＷＨ上に基板が搭載されたときに当該基板に隣接し、また、一実施形態では、基板の上面とほぼ同一平面上にある上面を有する。一実施形態では、エッジ構造体１５は、基板Ｗおよび基板テーブルまたは基板ホルダとの間の隙間を塞ぐのに役立つ。

毛細管路は、毛管力が毛細管路に沿って浸液を汲み上げるように十分な程度に細くかつ狭くなっている。基板ホルダＷＨと基板エッジ構造体１５との間の毛細管路に沿った隙間は、非常に小さく、一実施形態では、５００μｍ未満あるいは８０乃至１００μｍである。毛細管路２０に沿って、複数の電極２１、２２、２３、２４が配置されている。本実施形態において、電極は、浸液がチャンバ２８に向かって流れる方向に実質的に平行な方向に連続して配置されている。チャンバ２８は低圧下であってよい。各電極は、小さい隙間によって離間されており、電極のサイズは、毛細管路の液滴のサイズに応じて決めてよい。一実施形態では、電極は、液滴のサイズの半分より小さいものとされる。たとえば、寸法０．５ｍｍ×１ｍｍの毛細管路では、約１ｍｍの液滴が生じるため、液浸がチャンバ２８に向かって流れる方向に実質的に平行な方向に０．５ｍｍ未満の電極となる。そのため、たとえば、各電極の中心間の距離は約０．５ｍｍとなる。しかしながら、毛細管路が細ければ、液滴も小さくなり、従って、電極も細いものとなる。

電極は、基板ホルダのエッジ部分の毛細管路上にあるものと示されているが、これらを基板エッジ構造体１５に、あるいは、実際のところ、基板ホルダＷＨとエッジ構造体１５の両方の上に配置しても同等に良好である。一実施形態によると、電極、また、選択により毛細管路全体が、たとえば、テフロン（登録商標）などの疎液性（たとえば、疎水性）材料２７、フッ素重合体または適切なセラミックの薄膜で覆われている。各電極は、電源Ｖ（プラス極またはマイナス極）に接続されており、電圧が電極に印加されると、その表面は親液性となる。これを使用して液体の液滴を分離し、浸液の排出先となるチャンバ２８に向かう毛細管路に沿ってこれらの液滴を汲み出すことができる。高い速度、たとえば、１００ｍｍ／秒までの速度の液体流れをこの方法で起こすことができる。最適な汲み出し動作を実現するには、一実施形態において、電極は、最大で所望の液滴サイズの半分となる。気体の流れが低下すると、蒸発、ひいては、冷却もまた低下する。図８では、可能性のある電極の配置が示されている。この図から分かるとおり、プラスの電圧が印加される３つの隣接する電極２１、２２、２３があり、電極２１、２２、２３、２４は流れの方向に配置されている。さらに、各電極は、流れの方向に実質的に垂直な方向に延在している。隣接する電極に同様の電圧を加えることにより、毛細管路を介してより大きい流体体積を得ることができる。浸液の導電性を向上させるために、イオン含有量の高い添加物、たとえば、溶解二酸化炭素を浸液に加えることが考えられる。

図９に示す第２の実施形態によると、電極は、チャンバに向かう浸液の流れに実質的に平行な方向に配置されるのではなく、基板ホルダＷＨの接線方向（すなわち、流れの方向に実質的に垂直な方向）に配置される。従って、毛細管路は、環状（円形またはその他の形状）に形成され、液体が環の内側から外側に向かう方向に流れるようになる。一実施形態では、基板ホルダＷＨの接線方向に電極を配置することにより、基板ホルダＷＨの接線方向に浸液を汲み出すことができ、これにより、気泡の除去に加えて、浸液の抜き取りの地点を制御することができる。たとえば、図９に示すとおり、投影システムＰＬおよび基板ホルダ４０に隣接する電極３１に電圧が印加されていない。一方、基板ＷＨを取り囲む他の電極３２、３３、３４には２５Ｖが印加されている。従って、毛細管路の液体供給システムに隣接する部分が乾燥しているのに対し、毛細管路の他の部分は親液性を有し、よって、浸液で充填されている。これにより、気体にさらされている浸液の表面積が減少し、気体消費量が減少する。本実施形態において、液体供給システムまたは投影システムの幅および直径にほぼ等しい幅Ｄを有する毛細管路の部分が浸液の抜き取り地点を制御するユニットとして機能する。気体の流れが低下することにより、より細いガスホースが必要となることが考えられ、そのため、基板テーブルと装置の他の部分との結合は低下する。

本明細書に記載される実施形態において、各電極に印加する電圧を制御するためにコントローラ（図示せず）を設けることができるが、一実施形態において、コントローラは、各電極の電圧を個別に制御することができる。

図示の例において、除去コンジットは、基板ホルダＷＨの外側周囲に配置されているが、リソグラフィ装置のいかなる部分においても使用することができる。

本明細書では、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドといった他の用途を有することは、明らかである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使われている用語「ウェーハ」または「ダイ」はすべて、それぞれより一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義であると考えればよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後に、たとえば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示物を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに、基板は、たとえば、積層ＩＣを作るために、複数回処理されてもよいので、本明細書で使われる基板という用語が、既に多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

光学リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用について既に具体的に説明してきたが、言うまでもなく、本発明は、他の用途、たとえば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光学リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に創出されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に与えられたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストを硬化させることができる。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。

本明細書で使われている用語「放射線」および「ビーム」は、紫外線（ＵＶ）放射線（たとえば、約３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）、および極紫外線（ＥＵＶ）放射線（たとえば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）などのあらゆる種類の電磁放射線、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを包含している。

用語「レンズ」は、状況が許すのであれば、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光学部品を含むさまざまな種類の光学系のどれか１つまたは組合せを指すことができる。

本発明の実施形態の使用について既に具体的に説明してきたが、言うまでもなく、本発明は、記載される以外の態様で実施されうる。たとえば、本発明は、上記に開示されている方法を記載する機械読み取り可能な指示の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムが記憶されているデータ記憶媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取りうる。

本発明の１つ以上の実施形態は、特に上述のタイプの液浸リソグラフィ装置に適用することできるが、これらのタイプのみに限定されず、また、浸液をバスの形態で供給するかまたは基板の局所の表面領域のみに提供するかにかかわらず適用することができる。本明細書において想定されている液体供給システムは広く解釈すべきである。一定の実施形態においては、この液体供給システムは、投影システムと基板および／または基板テーブルとの間のスペースに液体を供給する機構または構造体の組み合わせとすることができる。また、液体供給システムは、１つ以上の構造体、１つ以上の液体挿入口、１つ以上の気体挿入口、１つ以上の気体排出口および／または１つ以上の液体排出口のあらゆる組み合わせであって、液体を該スペースに供給する組み合わせを備えてよい。一実施形態において、該スペースの表面を基板および／または基板テーブルの一部であってもよく、また、該スペースの表面が基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆ってもよく、あるいは、該スペースが基板および／または基板テーブルを包み込むようにしてもよい。液体供給システムは、選択により、液体の位置、量、質、形状、流量またはその他あらゆる特性を制御する１つ以上の素子をさらに備えてよい。

上記の説明は、限定ではなく例示を目的としたものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えることもできる。

Claims (19)

1. 流れ方向に沿って液体を除去するよう配置された除去コンジットを含み、前記除去コンジットが、複数の表面を有するとともに該表面上に複数の電極を有する毛細管路を含み、
   前記電極が疎液性材料の層で覆われている、液浸リソグラフィ装置。
2. 基板ホルダを含み、前記除去コンジットが前記基板ホルダの外側に配置されている、請求項１に記載の装置。
3. 前記除去コンジットが液体の排出先であるチャンバをさらに含む、請求項１又は請求項２のいずれかに記載の装置。
4. 前記チャンバが低圧下である、請求項３に記載の装置。
5. 前記毛細管路が５００ミクロン未満の寸法を有する、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の装置。
6. 前記複数の電極が前記流れ方向に連続して配置されている、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の装置。
7. 各電極の中心間の距離が約０．５ｍｍである、請求項６に記載の装置。
8. 前記複数の電極の間に、電極が置かれていないスペースがある、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の装置。
9. 前記電極が、前記流れ方向に実質的に垂直な第２の方向に配置されている、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の装置。
10. 投影システムを含み、各電極が前記投影システムの直径にほぼ等しい長さを有する、請求項９に記載の装置。
11. 前記毛細管路が環状に形成されており、液体が該環の内側から外側に向かう方向に流れる、請求項９又は請求項１０に記載の装置。
12. 前記毛細管路が環状に形成されており、液体が該環に沿った接線方向に流れる、請求項９乃至請求項１１のいずれか一項に記載の装置。
13. 前記疎液性材料がテフロン（登録商標）である、請求項１乃至請求項１２に記載の装置。
14. 各電極に印加される電圧がそれぞれコントローラにより制御されている、請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の装置。
15. 液体と接触するように構成されている表面に配置された複数の電極を備え、前記電極が疎液性材料の層で覆われている、液浸リソグラフィ装置。
16. 基板ホルダを備え、除去コンジットが前記基板ホルダの外側に配置されている、請求項１５に記載の装置。
17. 投影システムと基板との間のスペースに液体を供給すること、
    複数の表面により形成されかつ該表面に複数の電極を有する毛細管路を備える除去コンジットを介して、流れ方向に沿って液体を除去することであって、前記電極の少なくとも１つに電圧を印加することを含むこと、および、
    投影システムを使用して、放射線の投影ビームを液体を介して基板上に投影すること、
    を含み、前記電極が疎液性材料の層で覆われている、デバイス製造方法。
18. 前記除去コンジットが基板を保持する基板ホルダの外側に配置されている、請求項１７に記載の方法。
19. 液浸リソグラフィ装置に配置された複数の電極を制御するよう構成されている制御システムであって、前記電極が前記液浸リソグラフィ装置の液体に接触または近接するように構成され、かつ疎液性材料の層で覆われている、制御システム。

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