JP6648266B2 - 基板ホルダ、リソグラフィ装置、及びデバイスを製造する方法 - Google Patents

基板ホルダ、リソグラフィ装置、及びデバイスを製造する方法 Download PDF

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Description

（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０１５年１２月１５日に出願された欧州特許出願第１５２００１４３．４号の優先権を主張する。この出願は援用によりその全体が本願に含まれる。
[0002] 本発明は、基板ホルダ、基板ホルダを用いたリソグラフィ装置、及び基板ホルダを用いたデバイスを作製する方法に関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナと、を含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
[0004] 投影システムの最終光学要素と基板との間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水等の比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。一実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくすること、更に焦点深度を大きくすること、であるとも考えられる。本発明の一実施形態は液体を参照して記載される。しかしながら、別の流体、具体的にはウェッティング流体、非圧縮性流体、及び／又は空気よりも高い屈折率、望ましくは水よりも高い屈折率を有する流体も適切であり得る。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくすること、更に焦点深度を大きくすること、であるとも考えられる）。他の液浸液も提案されている。それらには、固体粒子（例えば石英）が懸濁されている水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大寸法が１０ｎｍまでの粒子）がある液体が含まれる。懸濁粒子は、それらが懸濁されている液体と同様の又は同一の屈折率を有する場合もあり、そうでない場合もある。適切であり得る他の液体には、芳香族のような炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液が含まれる。
[0005] リソグラフィ装置では、基板を支持するため複数のバール（ｂｕｒｌ）を有する基板ホルダが一般的に用いられる。基板は従来、露光中は基板ホルダにクランプされる。液浸リソグラフィ装置では、露光中に基板と基板ホルダとの間の空間に液体が侵入する可能性がある。そのような液体の存在によって、露光後に基板ホルダから基板をアンロードすることが困難となり得る。
[0006] 例えば、基板と基板ホルダとの間の空間に液体が侵入した場合、基板ホルダから基板をアンロードする際に従来技術において経験される困難を回避できる、改良された基板ホルダを提供することが望まれている。
[0007] 本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置において使用するための、基板を保持するように構成された基板ホルダであって、
本体表面を有する本体と、
本体表面から突出して、本体表面から離間させて基板を支持する複数のバールと、
本体表面の周辺領域に提供され、本体表面の周辺部の方へ優先的に液体を流すように構成された液体制御構造と、
を備える基板ホルダが提供される。
[0008] 本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置において使用するための、基板を保持するように構成された基板ホルダであって、
本体表面を有する本体と、
本体表面から突出して、本体表面から離間させて基板を支持する複数のバールと、
本体表面の周辺領域に提供され、周辺領域を横切って本体表面の中央へ向かう液体の移動を妨害するが、周辺領域を横切るガスの移動は妨害しないように構成された液体制御構造と、
を備える基板ホルダが提供される。
[0009] 本発明の一態様によれば、上述した基板ホルダと、基板ホルダに基板をクランプするためのクランプシステムと、を有するリソグラフィ装置を用いてデバイスを製造する方法であって、
基板ホルダに基板をロードすることと、
クランプシステムを係合することと、
基板上にパターンを露光することと、
クランプシステムを解放することと、
基板ホルダから基板を持ち上げることと、
を含む方法が提供される。
[0010] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0011] リソグラフィ装置を概略的に示す。 [0012] リソグラフィ投影装置において使用される液浸液閉じ込め構造を概略的に示す。 [0013] 別の液浸液供給システムを概略的に示す側断面図である。 [0014] 局所液浸タイプの従来のリソグラフィ装置における基板ホルダ及び基板を断面で示す。 [0015] 本発明の一実施形態に従った基板ホルダの一部を断面で示す。 [0016] 本発明の一実施形態に従った別の基板ホルダの一部を断面で示す。 [0017] 所定位置にある（ｉｎ ｓｉｔｕ）、本発明の一実施形態に従った基板ホルダの一部の平面図である。 [0018] 本発明の一実施形態におけるチャネルの一部の拡大斜視図である。 [0019] 本発明の一実施形態のチャネルにおける優先的な流れを説明する図である。 [0019] 本発明の一実施形態のチャネルにおける優先的な流れを説明する図である。 [0019] 本発明の一実施形態のチャネルにおける優先的な流れを説明する図である。 [0019] 本発明の一実施形態のチャネルにおける優先的な流れを説明する図である。 [0019] 本発明の一実施形態のチャネルにおける優先的な流れを説明する図である。 [0019] 本発明の一実施形態のチャネルにおける優先的な流れを説明する図である。 [0020] 本発明の別の実施形態に従った基板ホルダを示す。 [0021] 図１０の基板ホルダの一部の拡大図である。 [0022] 異なる接触角の領域を有する表面上の液体小滴の挙動を示す。 [0022] 異なる接触角の領域を有する表面上の液体小滴の挙動を示す。 [0023] 異なる接触角の領域を有する表面上の小滴の挙動を示す。 [0023] 異なる接触角の領域を有する表面上の小滴の挙動を示す。 [0024] 本発明の一実施形態に従った基板ホルダの一部を平面図で示す。 [0025] 本発明の一実施形態に従った基板ホルダの基板ホルダの一部を断面図で示す。
[0026] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−例えば１つ以上のセンサを支持するセンサテーブル又は基板（例えばレジストコート製品基板（ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ））Ｗを保持するように構成された基板支持装置６０のような、特定のパラメータに従って例えば基板Ｗ等のテーブルの表面を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された支持テーブルと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。
[0027] 照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
[0028] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
[0029] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
[0030] パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。
[0031] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これは更に一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
[0032] 本明細書で示すように、本装置は、（例えば透過マスクを使用する）透過タイプである。あるいは、装置は、（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）反射タイプでもよい。
[0033] リソグラフィ装置は、２つ以上のテーブル（又はステージ又は支持体）を有するタイプとすることができ、これは例えば、２つ以上の基板テーブルであるか、又は１つ以上の基板テーブルと、投影システムＰＳの特性を測定するように構成されると共に基板Ｗを保持するように構成されていない１つ以上のセンサテーブルもしくは測定テーブルと、の組み合わせであり得る。そのような「マルチステージ」機械において、複数のテーブルは並行して用いることができ、又は、１つ以上のテーブルを露光に用いている間に１つ以上の他のテーブルで準備ステップを実行することができる。リソグラフィ装置は、基板テーブル、センサテーブル、及び測定テーブルと同様に並行して使用できる２つ以上のパターニングデバイステーブル（又はステージ又は支持体）を有し得る。リソグラフィ装置は、露光に先立って製品基板を特徴付けるための様々なセンサが存在する測定ステーションと、露光が指揮される露光ステーションと、を有するタイプであり得る。
[0034] リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の液浸空間１１を充填するように、基板Ｗの少なくとも一部を例えば超純水（ＵＰＷ）等の水のような比較的高い屈折率を有する液浸液１０で覆えるタイプである。液浸液１０は、例えばパターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳとの間等、リソグラフィ装置内の他の空間に適用することも可能である。液浸技法を用いて、投影システムの開口数を大きくすることができる。本明細書において用いる場合、「液浸」という言葉は、基板Ｗ等の構造を液浸液１０に浸水させなければならないという意味ではなく、「液浸」とは、露光中に投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液浸液１０が配置されていることを意味するに過ぎない。投影システムＰＳから基板Ｗへのパターン付放射ビームＢの経路は、完全に液浸液１０を通過する。
[0035] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に放射システムと呼ぶことができる。
[0036] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように設定されたアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）別に提供されてもよい。
[0037] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）の助けにより、基板支持装置６０を、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。
[0038] 同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板支持装置６０の移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。
[0039] ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２と、を用いて位置合わせすることができる。図示の基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は専用のターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分Ｃの間の空間に置くこともできる（これらはスクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に提供されている場合、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２は、ダイとダイの間に置かれてもよい。
[0040] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
[0041] １．ステップモードでは、支持構造ＭＴ及び基板支持装置６０は、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板支持装置６０がＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
[0042] ２．スキャンモードでは、支持構造ＭＴ及び基板支持装置６０は同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板支持装置６０の速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さ（及び露光フィールドのサイズ）によってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
[0043] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板支持装置６０を移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板支持装置６０を移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
[0044] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
[0045] コントローラ５００は、リソグラフィ装置の全体的な動作を制御し、特に、以下で更に説明する動作プロセスを実行する。コントローラ５００は、中央処理ユニット、揮発性及び不揮発性の記憶手段、キーボード及びスクリーン等の１つ以上の入出力デバイス、１つ以上のネットワーク接続、及びリソグラフィ装置の様々な部分に対する１つ以上のインタフェースを備えた、適切にプログラミングされた汎用コンピュータとして具現化できる。制御コンピュータとリソグラフィ装置との間に１対１の関係は必要ないことは認められよう。１つのコンピュータが複数のリソグラフィ装置を制御することができる。複数のネットワーク接続されたコンピュータを用いて１つのリソグラフィ装置を制御することができる。また、コントローラ５００は、リソグラフィ装置が一部を形成するリソセル又はクラスタにおける１つ以上の関連付けられたプロセスデバイス及び基板ハンドリングデバイスも制御するように構成され得る。コントローラ５００は、リソセル又はクラスタの監督制御システム及び／又は製造工場（ｆａｂ）の全体的な制御システムの下位に置かれるように構成することも可能である。
[0046] 投影システムＰＳの最終光学要素と基板Ｗとの間に液浸液を提供するための構成は、３つの大まかなカテゴリに分類することができる。これらは、槽型（ｂａｔｈ ｔｙｐｅ）構成、いわゆる局所液浸システム、及びオールウェット液浸システムである。本発明の実施形態は、特に局所液浸システムに関する。
[0047] 局所液浸システムのために提案された構成では、液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終光学要素１００と投影システムＰＳに対向するステージ又はテーブル（本明細書では基板支持装置６０とも称される）の対向面との間の液浸空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延出している。テーブルの対向面という言葉を使うのは、テーブルが使用中に移動され、まれにしか静止状態でないからである。一般にテーブルの対向面は、基板Ｗ、基板Ｗを取り囲む基板テーブルＷＴ、又はそれら双方の表面である。図２にそのような構成を示す。図２に示し、以下で説明する構成は、上述し図１に示すリソグラフィ装置に適用可能である。
[0048] 図２は液体閉じ込め構造１２を概略的に示す。液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終光学要素１００と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の液浸空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延出している。一実施形態では、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗ／基板支持装置６０の表面との間にシールが形成されている。シールは、ガスシール１６（ガスシールを有するそのようなシステムは欧州特許出願公報第ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されている）、又は液浸液シールのような無接触シールとすればよい。
[0049] 液体閉じ込め構造１２は、液浸液１０を液浸空間１１に供給して閉じ込めるように構成されている。液浸液１０は、液体開口１３のうち１つを介して液浸空間１１内に導入される。液浸液１０は、液体開口１３の別のものを介して除去することができる。液浸液１０は、少なくとも２つの液体開口１３を介して液浸空間１１内に導入してもよい。液浸液１０を供給するためにどの液体開口１３を用いるか、及び任意選択的に液浸液１０を除去するためにどれを用いるかは、基板支持装置６０の動きの方向に応じて決めればよい。
[0050] 液浸液１０は、ガスシール１６によって液浸空間１１に封じ込めることができる。ガスシール１６は、使用時に、液体閉じ込め構造１２の底面とテーブルの対向面（すなわち基板Ｗの表面及び／又は基板支持装置６０の表面）との間に形成される。ガスシール１６内のガスは、圧力下で、ガス入口１５を通って液体閉じ込め構造１２と基板Ｗ及び／又は基板支持装置６０との間のギャップに供給される。このガスは、ガス出口１４に関連付けられたチャネルを介して抜き取られる。ガス入口１５の正圧、出口１４の真空レベル、及びギャップの幾何学的形状は、液浸液１０を閉じ込める内側への高速ガス流が生じるように構成されている。液体閉じ込め構造１２と基板Ｗ及び／又は基板支持装置６０との間の液浸液１０に加わるガスの力が、液浸液１０を液浸空間１１に封じ込める。液浸液１０の境界にメニスカスが形成されている。このようなシステムは、米国特許出願公報第２００４−０２０７８２４号に開示されている。本発明の実施形態と共に、他の液浸液閉じ込めシステム１２も使用可能である。
[0051] 図３は、一実施形態に従った別の液体供給システム又は流体ハンドリングシステムを示す側断面図である。図３に示し、以下に説明する構成は、上述し図１に示したリソグラフィ装置に適用することができる。この液体供給システムには、投影システムＰＳの最終光学要素と基板支持装置６０及び／又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延出する液体閉じ込め構造１２が設けられている（以下の文章では、明示的に指定した場合を除いて、基板Ｗの表面に言及する場合、それに加えて又はその代わりに基板支持装置６０の表面も表す）。
[0052] 液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終光学要素と基板Ｗ及び／又は基板支持装置６０との間の液浸空間１１内に少なくとも部分的に液浸液１０を封じ込める。液浸空間１１は、投影システムＰＳの最終光学要素の下にこれを取り囲むように位置決めされた液体閉じ込め構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体閉じ込め構造１２は、本体部材１５３及び多孔性部材１８３を備えることができる。多孔性部材１８３は板状であり、複数の孔１８４（すなわち開口又は細孔）を有する。多孔性部材１８３は、多数の小さい孔１８４がメッシュ状に形成されたメッシュプレートとすることができる。そのようなシステムは、米国特許出願公報第２０１０／００４５９４９Ａ１号に開示されている。
[0053] 本体部材１５３は、液浸空間１１に液浸液１０を供給することができる１つ以上の供給ポート１７２と、液浸空間１１から液浸液１０を回収することができる回収ポート１７３と、を備えている。１つ以上の供給ポート１７２は、通路１７４を介して液体供給装置１７５に接続されている。液体供給装置１７５は、液浸液１０を１つ以上の供給ポート１７２に供給することができる。液体供給装置１７５から供給された液浸液１０は、対応する通路１７４を介して１つ以上の供給ポート１７２に供給される。１つ以上の供給ポート１７２は、光路の近傍で、光路に面した本体部材１５３の既定位置に配置されている。回収ポート１７３は、液浸空間１１から液浸液１０を回収することができる。回収ポート１７３は、通路１７９を介して液体回収装置１８０に接続されている。液体回収装置１８０は真空システムを備え、回収ポート１７３を介した液浸液１０の吸引によって液浸液１０を回収することができる。液体回収装置１８０は、回収ポート１７３を介して回収された液浸液１０を、通路１７９を通して回収する。多孔性部材１８３は回収ポート１７３に配置されている。
[0054] 一方側で投影システムＰＳと液体閉じ込め構造１２との間に、他方側で基板Ｗとの間に液浸液１０が存在する液浸空間１１を形成するため、液浸液１０は１つ以上の供給ポート１７２から液浸空間１１に供給され、液体閉じ込め構造１２の回収チャンバ１８１内の圧力は、多孔性部材１８３の孔１８４（すなわち回収ポート１７３）を介して液浸液１０を回収するように負圧に調整される。１つ以上の供給ポート１７２を用いて液体供給動作を実行すると共に多孔性部材１８３を用いて液体回収動作を実行することで、投影システムＰＳと液体閉じ込め構造１２との間及び基板Ｗとの間に、液浸空間１１が形成される。
[0055] 図４に示すように、基板Ｗは、基板Ｗの上面が周囲の基板支持装置６０の上面と実質的に同一平面であるように、基板支持装置６０のくぼみにおいて基板ホルダＷＴのバール２０上に支持される。基板Ｗと基板ホルダＷＴとの間の中央空間２０１の方が基板Ｗの上方の空間２０２よりも低い圧力となるようにクランプ開口８９をクランプ負圧に接続することによって、基板Ｗは基板ホルダＷＴにクランプされる。従って、基板Ｗの上方の大気圧は、基板Ｗを堅固に基板ホルダＷＴに保持する。エッジシール８５ａ、８５ｂが、基板ホルダＷＴから上方に突出して、基板ホルダＷＴと基板Ｗとの間のギャップを最小限に抑え、周囲から基板Ｗの下方の空間内への空気流を最小限に抑えることで、クランプ負圧に対する負荷を低減させる。エッジシールリッジ８５ａ、８５ｂ間の領域にバール２０を設けることができる。図４では２列のバール２０が設けられているが、これよりも多い列を設けるか、少ない列を設けるか、又は全く設けないことも可能である。
[0056] 基板Ｗの外側エッジと基板支持装置６０との間にはギャップ２０４が存在するが、これはできる限り小さくされる。基板Ｗの露光中の様々な時点で、基板支持装置６０は液体閉じ込めシステム１２の下で移動するので、液浸空間１１が基板Ｗのエッジに重複することがある。その場合、図４に示すように、基板Ｗのエッジと基板支持装置６０の上面との間のギャップ２０４に液浸液１０が侵入する。２段階式とすることができる第１の抽出開口８１が設けられ、第１の抽出負圧に接続されて、ギャップ２０４に侵入した液体を除去する。しかしながら、液体は、基板ホルダＷＴ及び基板Ｗの周辺部におけるそれらの間の周辺空間２０３に侵入する可能性がある。２段階式とすることができる第２の抽出開口８２が第２の抽出負圧に接続されて、基板Ｗと基板ホルダＷＴとの間の空間に侵入した液体を除去する。
[0057] 本発明者等は、第１及び第２の抽出開口８１、８２を介して液体を抽出するにもかかわらず、一連の露光の後、基板Ｗと基板ホルダＷＴとの間、特にエッジシール８５の外側の周辺空間２０３に液体が残っている可能性があることを明らかにした。周辺空間２０３に残っている液体があると、基板Ｗのアンロードの妨げになる。従って、例えばｅピン（図示せず）によって基板ホルダＷＴからの基板Ｗの持ち上げを可能とする前に遅延を導入するか、又は基板Ｗを持ち上げるために加える力を増大させる必要がある。中央空間２０１における負圧の解放を遅延させると、装置のスループットが低下する。また、周辺空間２０３内の液体、基板Ｗ、及び基板ホルダＷＴ間の引力は、基板Ｗが持ち上げられる際に基板Ｗのエッジを抑えつける傾向がある。基板Ｗが持ち上げられる際に基板Ｗのエッジが抑えつけられる傾向は、基板ホルダＷＴのバールの濡れを引き起こす。
[0058] 従って本発明は、リソグラフィ装置において使用するための、基板を保持するように構成された基板ホルダを提供する。この基板ホルダは、
本体表面を有する本体と、
本体表面から突出して、本体から離間させて基板を支持する複数のバールと、
本体表面の周辺領域に提供され、本体表面の周辺部の方へ優先的に液体を流すように構成された液体制御構造と、
を備える。
[0059] 液体制御構造は、基板と基板ホルダとの間の空間内に侵入した液体が基板のアンロードを妨害しないようにその空間から外へ逆流することを保証する。液体は、一連の露光中に間欠的に基板Ｗと基板ホルダＷＴとの間の空間へ侵入するだけであり、従って液体制御構造は、液体が基板と基板ホルダとの間の空間へ侵入するのを完全に防止する必要はなく、基板がアンロードされる際に存在する液体量を低減させることを保証する外側への液体流を充分に推進するだけでよい。望ましくは、液体制御構造は、基板全体の露光にかかる時間で平均した場合、基板と基板ホルダとの間の空間から外へ出る流量が基板と基板ホルダとの間の空間内へ入る流れよりも大きいことを保証する。
[0060] 一実施形態において、液体制御構造は、周辺領域の内側から周辺領域の外側へ延出する複数のチャネルを備えている。これらのチャネルは、周辺領域の外側へ向かう液体流を促進する。
[0061] 一実施形態において、液体制御構造は、チャネルの側壁から突出すると共に周辺領域の内側へ向かう角度の付いた複数のフィンを更に備えている。これらのフィンは、液体が周辺領域の外側へ向かって容易に流れ得るが周辺領域の内側へはあまり容易に流れないことを保証することにより、チャネル内の液体流を制御するように作用する。実際には、フィンはマイクロ流体ダイオードとして作用する。一実施形態では、基板ホルダの中央へ向かう液体流は完全に阻止される。
[0062] 一実施形態において、チャネルの幅は周辺領域の外側にいくにつれて狭くなる。このチャネルの幅の縮小、換言するとテーパ状は、液体を周辺領域の外側へ引き寄せる毛管力を生成するように機能する。
[0063] 一実施形態において、チャネルの深さは周辺領域の外側にいくにつれて大きくなる。周辺領域の外側にいくにつれて大きくなるチャネルの深さは、周辺領域の外側へ向かう液体流を促進する。一実施形態において、チャネルは５０μｍ以上、望ましくは１００μｍ以上の深さを有する。この深さは充分な液体流を可能とし、容易に製造することができる。
[0064] 一実施形態において、液体制御構造は、本体表面の周辺部の方へ優先的に液体を流す毛管力を生成する。一実施形態においてチャネルは、５０μｍ以上、望ましくは６０μｍ〜２００μｍの範囲内の幅を有する。これらの寸法の幅は毛管力を与えるのに有効である。一実施形態において、液体制御構造は、レイノルズ数が５未満であり、望ましくは１未満であり、望ましくは約０．５である。これらの範囲内のレイノルズ数は毛管力を与えるのに有効である。液体制御構造はマイクロ流体構造として記述することができる。
[0065] 一実施形態において、液体制御構造は、周辺領域の内側に沿って延出する溝を更に含む。周辺領域の内側に沿って延出する溝は、周辺領域上の小さい領域内に堆積する可能性のある液体を周辺領域全体に分散させることができるので、より多くのチャネルが液体を周辺領域の外側へ導くため有効となる。
[0066] 本発明の一実施形態は、リソグラフィ装置において使用するための、基板を保持するように構成された基板ホルダを提供する。この基板ホルダは、
本体表面を有する本体と、
本体表面から突出して、本体表面から離間させて基板を支持する複数のバールと、
本体表面の周辺領域に提供され、周辺領域を横切って本体表面の中央へ向かう液体の移動を妨害するが、周辺領域を横切るガスの移動は妨害しないように構成された液体制御構造と、
を備える。
[0067] 一実施形態において、液体制御構造は、液体に対して第１の接触角を有する複数の第１の領域及び液体に対して第１の接触角とは異なる第２の接触角を有する複数の第２の領域を備え、第１及び第２の領域は基板ホルダの周辺部に対して平行に延出し、半径方向で交互に配置されている。交互に配置された異なる接触角の領域は、基板ホルダの内側への液体流を低速化させるか又は停止させるように機能する。
[0068] 一実施形態において、液体制御構造は、基板ホルダの周辺部に対して平行に延出する複数の溝を備える。
[0069] 一実施形態において、液体制御構造は、本体表面に接着された液体制御部材上に提供されている。このように、液体制御構造は別個の部材上に容易に作製することができ、次いでこの別個の部材が本体表面に取り付けられる。
[0070] 一実施形態において、液体制御構造は実質的に本体表面の周辺部全体を一周するように延出する。実質的に本体表面の周辺部全体を一周するように延出する液体制御構造を提供することによって、液体が基板ホルダの周辺部上のどこに流れていっても確実にこれに対処することが可能となる。あるいは、装置の使用時に、液体が周辺部の限られた領域でのみ基板の下方に流れていくことが分かっている場合、これらの位置にだけ液体制御構造を提供することができる。
[0071] 一実施形態において、液体制御構造の内側は、基板が基板ホルダによって支持された場合に基板によって覆われた本体表面のエリア内に位置している。液体制御構造が、基板ホルダによって支持された基板の下方に延出している場合、基板の下方へ流れていく液体を確実に除去することができる。しかしながら、支持されていない基板のエリアを最小限に抑えるため、基板の下方にある液体制御構造の量は最小限に抑えることが望ましい。
[0072] 一実施形態において、液体制御構造は本体とは異なる材料で形成される。例えば、液体制御構造はチタンで形成され、本体はＳｉＳｉＣで形成される。液体制御構造が本体とは異なる材料で形成される場合、基板ホルダの本体に求められる材料要件について妥協するのを回避しながら、必要な規模の構造を形成するのが容易である液体制御構造の材料を選択することができる。具体的には、機械加工、成形、又は付加製造を含む多種多様な技法によって、所望の構造をチタンで容易に形成することができる。
[0073] 図５は、一実施形態に従った基板支持装置６０の一部を形成する基板ホルダＷＴを示す。基板ホルダＷＴは、平面視で例えば円形のような基板と同じ形状を有し、例えば直径３００ｍｍ又は４５０ｍｍのような基板と実質的に同じ大きさである。基板ホルダＷＴは、本体上面２２を有する本体２１と、本体上面２２から突出した複数のバール２０と、を備えている。一実施形態においてバール２０は、１００μｍ〜５００μｍの範囲内、例えば約１５０μｍの高さｈ１を有する。基板Ｗは、バール２０の遠位端表面によって支持することができる。これらの遠位端表面は、基板Ｗを平坦な状態に支持するため実質的に平坦な支持面と一致する。本体２１及びバール２０は、ＳｉＳｉＣ、すなわちシリコンマトリックス内に炭化ケイ素（ＳｉＣ）粒子を有するセラミック材料で形成することができる。
[0074] 本体２１には複数の貫通孔（図５には示していない）が形成されている。貫通孔８９によって、ｅピンが基板ホルダＷＴを通って突出して基板Ｗを受容できると共に、基板Ｗと基板ホルダＷＴとの間の空間をクランプ負圧と接続することで排気できる。例えば、基板ホルダＷＴと基板Ｗとの間のガス流及び／又は熱伝導性を制御するため、他の構造を提供することができる。基板ホルダＷＴの周辺部近傍にエッジシール８５が提供されている。エッジシール８５は、基板ホルダＷＴの外側を取り囲む１対の突出したエッジシールリッジ８５ａ、８５ｂである。エッジシールリッジ８５ａ、８５ｂは、バール２０よりもわずかに低い、例えば約１０μｍだけ小さい高さを有することで、基板Ｗに接触しないが、基板Ｗと基板ＷＴとの間の空間２０１内へのガス流を低減させて真空クランプを向上させるようになっている。エッジシールリッジ８５ａ、８５ｂ間の領域にバール２０を設けることができる。図５では全く図示されていないが、この領域に１列以上のバールを設けることができる。基板ホルダＷＴ及び基板Ｗの温度を制御するため、例えばヒータ及びセンサのような電子コンポーネントを基板ホルダＷＴに提供することも可能である。
[0075] 基板ホルダＷＴの本体上面２２の周辺領域２２ａは、エッジシールリッジ８５ｂから外側へ延出し、基板Ｗの円周を超えて、第１の抽出開口８１の近傍に達する。一実施形態において、周辺領域２２ａは、基板Ｗの直径よりもわずかに小さい内径と基板Ｗの直径よりもわずかに大きい外径を有する環状領域である。一実施形態において、周辺領域２２ａの半径方向の幅は数ｍｍであり、例えば１０ｍｍ未満である。周辺領域２２ａには、液体流を外側へ、すなわち第１の抽出開口８１の方へと推進する液体制御構造２００が設けられている。液体制御構造２００は、その上にある液体が優先的に外側へ流れるように、すなわち液体が内側へ流れるよりも外側へ流れる方が容易であるように構成されている。
[0076] 図６は基板支持装置６０の代替的な構成を示す。基板ホルダＷＴは、熱ギャップ６３によって、第１の抽出開口８１を含む基板支持装置６０の外側部分から分離されている。小さいブリッジ６４が基板ホルダＷＴを基板支持装置６０の外側部分に接続している。液体制御部材２２０が基板支持装置６０の外側部分の上に設けられ、ブリッジ６４を渡って延出して本体表面２２の周辺部分を形成する。液体制御部材２２０の上に液体制御構造２００が設けられている。ブリッジ６４を省略して、基板ホルダＷＴを基板支持装置６０の外側部分から隔離することも可能である。その場合、液体制御部材２２０は、基板ホルダＷＴと基板支持装置６０の外側部分との間のギャップにまたがり、望ましくは低い剛性及び低い熱伝導率を有する。
[0077] 液体制御部材２２０は、例えば周辺領域２２ａに接着されたステッカ等の可撓性部材とすることができる。あるいは液体制御部材２２０は、基板ホルダＷＴ内に嵌め込まれた、より剛性の高いリングとしてもよい。
[0078] 図７は、本発明の一実施形態において使用できる液体制御構造２００の一形態を概略的に示す。液体制御構造２００は、フィン２２２が設けられた複数の半径方向の壁２２１を備え、それらの間に複数のチャネル２２３を画定している。フィン２２２は、基板ホルダＷＴの半径方向内側を指し示すように角度が付いている。図７において、液体制御構造２００は、基板Ｗとカバーリング６２との間のギャップ２０４において見えるように図示されている。カバーリング６２は基板支持装置６０の一部であり、基板Ｗの上面と同一平面の上面を与えるように第１の抽出開口８１をカバーする。
[0079] 図８は、半径方向の壁２２１及びフィン２２２を備える液体制御構造２００の一部の拡大図である。フィン２２２は対になって配置され、各チャネル２２３の対向する側壁から内側に延出していることがわかる。製造を容易にするため、全てのチャネル２２３におけるフィン２２２は整合されているが、これは必須ではない。
[0080] 図９ａ〜図９ｆは、チャネル２２３を流れようとする液体に対するフィン２２２の効果を示す。図９ａ〜図９ｃでは、液体はイージー・ウィッキング方向（ｅａｓｙ ｗｉｃｋｉｎｇ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）に流れていることが図示されている。液浸液１０のメニスカス１０ａは常に凹状であり、メニスカス１０ａの表面張力によって発生する力は矢印で示すように液浸液１０をイージー・ウィッキング方向に引っ張ることがわかる。図９ａでは、メニスカス１０ａはチャネル２２３の幅広い部分にある。図９ｂでは、メニスカス１０ａは２つのフィン１０２の対向端部間のチャネル２２３の最も狭い部分にある。図９ｃでは、メニスカス１０ａはフィン２２２の２つの後面の間にある。それぞれの場合で、メニスカス１０ａは凹状となっている。
[0081] 図９ｄ〜図９ｆは、ハード・ウィッキング方向（ｈａｒｄ ｗｉｃｋｉｎｇ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）における液体流の段階を示す。図９ｄでは、メニスカス１０ａはチャネル２２３の幅広い部分にあり、凹状であるので、メニスカス１０ａの表面張力によって発生した力は液体流を前進させる。これと同じことが図９ｅに示す状況に当てはまる。図９ｅでは、メニスカス１０ａはフィン２２２の後面上にある。しかしながら図９ｆに示す状況において、液浸液１０が先端側で２つのフィン２２２の端部間のギャップから脱出し始めると、メニスカス１０ａは凸状構成をとることを強いられる。凸状構成では、メニスカス１０ａの表面張力によって発生した力は液浸液１０の更なる前進を妨げる傾向がある。従って、ハード・ウィッキング方向における液体流は１組のフィン２２２において固定される傾向がある。従って、図７及び図８に示される構造は、一方向の流れを容易に可能とするが反対方向の流れに抵抗するので、マイクロ流体ダイオードと称することができる。
[0082] 図１０及び図１１は、本発明の別の実施形態に従った基板ホルダＷＴを示す。簡略化のため、クランプ開口８９等のいくつかの詳細部分は図１０から省略されている。図１１は図１０の一部の拡大図である。図１１に示すように、液体制御構造３００は、基板ホルダＷＴの周辺領域に設けられた複数の半径方向チャネル３０１を備えている。半径方向チャネル３０１の円周方向の幅は、５０μｍ〜１００μｍの範囲内、例えば６０μｍ〜８０μｍの範囲内であり得る。半径方向チャネル３０１の半径方向の長さは数ｍｍであり、例えば１０ｍｍ未満である。基板ホルダＷＴの上面の面に対して垂直な方向の半径方向チャネル３０１の深さは５０μｍ〜１００μｍの範囲内とすることができ、例えば約８０μｍである。一実施形態において、半径方向チャネル３０１は外側へ向かって、すなわち基板ホルダＷＴの中央から離れる方向に、テーパ状である（すなわち幅が狭くなる）。一実施形態において、半径方向チャネル３０１は基板ホルダＷＴの外側にいくにつれて深さが増大する。幅が狭くなること及び深さが増大することは、それぞれ個別に及び組み合わされて、外側へのすなわち基板ホルダＷＴの中央から離れる方向への液体流を推進する。半径方向チャネル３０１は望ましくは外側端部で開口し、基板ホルダＷＴのエッジと同位置で又は基板ホルダＷＴの段差で終端することができる。一実施形態において、半径方向チャネル３０１は、液浸液を第１の抽出開口８１へと導くガター８１ａで終端する。基板ホルダＷＴが基板支持装置６０に設置されている場合、半径方向チャネル３０１の外側端部は、図６に示すようなカバーリング６２の下方にあり得る。
[0083] 半径方向チャネル３０１の内側端部に、円周方向の溝３０２が設けられている。一実施形態において、円周方向の溝３０２は、半径方向チャネル３０１の内側端部を一周する完全なループ状に延出している。円周方向の溝３０２は、半径方向チャネル３０１の内側端部と流体連通している。円周方向の溝３０２は、半径方向の幅が１００μｍ〜５００μｍであり得る。円周方向の溝３０２は、チャネル３０１の深さとほぼ等しい深さを有し得る。円周方向の溝３０２は、基板Ｗの下に侵入する可能性のある液体を基板ホルダＷＴの円周全体に分配するよう機能する。基板Ｗの下に到達する液体のソースは局所的であり間欠的であるので、円周方向の溝３０２は、液体を基板ホルダＷＴの周辺領域に分配するのを支援して、より多くの半径方向チャネル３０１が液体を外側へ誘導できるようにする。
[0084] 図１２及び図１３は、本発明の一実施形態に従った別の液体制御構造４００を示す。液体制御構造４００は、一連の交互に配置された液体制御領域４０１、４０２を備えている。液体制御領域４０１、４０２は２つのタイプのものである。すなわち、第１の液体制御領域４０１は液浸液１０に対して比較的小さい接触角（高い表面エネルギ）を有し、第２の液体制御領域４０２は液浸液１０に対して比較的大きい接触角（低い表面エネルギ）を有する。従って液体制御構造４００は、大きい接触角と小さい接触角が交互になったストライプを有する。
[0085] 図１２及び図１３に示すように、液体制御構造４００上に乗った液体小滴は、第１の液体制御領域４０１（小さい接触角）に閉じ込められた小滴に配置される。これは図１４及び図１５に動的に示されている。図１４は、液浸液１０の小滴が第１の流体制御領域４０１に接触している表面上に最初に乗った時の小滴を示し、図１５は、液浸液１０の小滴がどのように小さい接触角の第１の液体制御領域４０１上でこれに沿って広がるかを示す。液体制御構造４００上で流れる液体量が大きくなると、小滴は合体して連続した細長い領域となり得るが、液体は液体制御構造４００全体に広がるのではなく第１の液体制御領域４０１に沿って流れる傾向がある。従って、液体制御構造４００はこれを横切る液体の流れを妨害するように動作する。液体の体積が更に大きくなると、第１の液体制御領域４０１は前進しているメニスカスを固定し、これによって液体制御構造４００を横切る液体の流れを妨害するように作用し得る。
[0086] 図１６は、基板ホルダＷＴの一部の上にある液体制御構造４００を示す。小さい接触角と大きい接触角が交互になったストライプは、基板ホルダＷＴの本体上面２２の周辺領域において同心リングとして配置されている。この構成において、液体制御構造４００は基板ホルダＷＴの中央の方へ向かう液体流を阻止する。しかしながら、液体制御構造４００は周辺領域におけるガス流は妨害せず、従って、基板Ｗをアンロードする場合に中央領域における負圧の解放を遅延させない。
[0087] 比較的小さい接触角と比較的大きい接触角の第１及び第２の流体制御領域４０１、４０２は、既存の表面の化学的処理もしくは機械的処理を含む様々な手段によって、又は異なる追加材料の堆積によって形成することができる。小さい接触角（高い表面エネルギ）の領域は、５０μｍ〜１ｍｍの範囲内の半径方向の幅を有し得る。大きい接触角（低い表面エネルギ）の領域は、５０μｍ〜１ｍｍの範囲内の半径方向の幅を有し得る。
[0088] 図１７は、本発明の別の実施形態に従った基板ホルダＷＴの一部を断面で示す。図１７の基板ホルダＷＴは、エッジシールリッジ８５ｂの外側の周辺領域に設けられた複数の円周方向の溝４１０を含む液体制御構造４００を有する。円周方向の溝４１０は同心である。円周方向の溝４１０は、円周方向の液体流を推進するが基板ホルダＷＴの半径方向内側へ向かう液体流を妨げる点で、比較的小さい接触角の第１の液体制御領域４０１と同様に機能する。円周方向の溝４１０はメニスカス固定特徴部として機能し得る。
[0089] 上述した異なる液体制御構造を相乗効果と組み合わせて使用できることは認められよう。具体的には、図１６又は図１７を参照して記載したもののような液体制御構造と共に、図７〜図９又は図１１を参照して記載したもののような液体制御構造を半径方向外側に配置して使用することは、特に利点を有する。内側の液体制御構造は基板ホルダＷＴの内側への液体流を妨げるのに対し、外側の液体制御構造は基板ホルダＷＴの外側への液体流を促進する。
[0090] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[0091] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍもしくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。
[0092] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。
[0093] １つ以上のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ以上のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するあらゆるコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ以上のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ以上のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。従って、コントローラは、１つ以上のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。
[0094] 本発明の１つ以上の実施形態は任意の液浸リソグラフィ装置に適用可能であり、特に、排他的ではないが、液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、又は閉じ込められていないかにかかわらず、上述したタイプに適用され得る。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができるので、基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面の実質的に全部が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムは、液浸液を閉じ込めないか、又は部分的な液浸液閉じ込めを提供し得るが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。
[0095] 本明細書において想定される液体供給システムは、広義に解釈されるべきである。いくつかの実施形態において、これは、投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間に液浸液を提供する機構又は構造の組み合わせであり得る。これは、１つ以上の構造、１つ以上の液体開口を含む１つ以上の流体開口、１つ以上のガス開口、又は２相流のための１つ以上の開口の組み合わせを含み得る。開口は各々、液浸空間への入口（もしくは流体ハンドリング構造からの出口）、又は液浸空間からの出口（もしくは流体ハンドリング構造への入口）であり得る。一実施形態において、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部であるか、又は空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆うか、又は空間が基板及び／又は基板テーブルを囲む場合がある。液体供給システムは、任意選択的に、液浸液の位置、量、品質、形状、流量、又は他の任意の特徴を制御するための１つ以上の要素を更に含み得る。
[0096] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。従って、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (15)

  1. リソグラフィ装置において使用するための、基板を保持するように構成された基板ホルダであって、
    本体表面を有する本体と、
    前記本体表面から突出して、前記本体表面から離間させて前記基板を支持する複数のバールと、
    前記基板ホルダによって支持されたときの前記基板の少なくとも部分的に下方において前記本体表面の周辺領域に提供され、前記本体表面の周辺部の方へ優先的に液体を流すように構成された液体制御構造と、を備え、
    前記液体制御構造は、前記周辺領域の内側から前記周辺領域の外側へ延出する複数のチャネルを備える、基板ホルダ。
  2. 前記液体制御構造は、前記チャネルの側壁から突出すると共に前記周辺領域の前記内側へ向かう角度の付いた複数のフィンを更に備える、請求項１に記載の基板ホルダ。
  3. 前記液体制御構造は、前記本体表面の前記周辺部の方へ優先的に液体を流す毛管力を生成する、請求項１又は２に記載の基板ホルダ。
  4. リソグラフィ装置において使用するための、基板を保持するように構成された基板ホルダであって、
    本体表面を有する本体と、
    前記本体表面から突出して、前記本体表面から離間させて前記基板を支持する複数のバールと、
    前記本体表面の周辺領域に提供され、前記本体表面の周辺部の方へ優先的に液体を流すように構成された液体制御構造と、を備え、
    前記液体制御構造は、前記周辺領域の内側から前記周辺領域の外側へ延出する複数のチャネルと、前記チャネルの側壁から突出すると共に前記周辺領域の前記内側へ向かう角度の付いた複数のフィンと、を備える、基板ホルダ。
  5. リソグラフィ装置において使用するための、基板を保持するように構成された基板ホルダであって、
    本体表面を有する本体と、
    前記本体表面から突出して、前記本体表面から離間させて前記基板を支持する複数のバールと、
    前記本体表面の周辺領域に提供され、前記本体表面の周辺部の方へ優先的に液体を流すように構成された液体制御構造と、を備え、
    前記液体制御構造は、前記周辺領域の内側から前記周辺領域の外側へ延出する複数のチャネルを備え、
    前記複数のチャネルの幅は、前記周辺領域の前記外側にいくにつれて狭くなる、基板ホルダ。
  6. リソグラフィ装置において使用するための、基板を保持するように構成された基板ホルダであって、
    本体表面を有する本体と、
    前記本体表面から突出して、前記本体表面から離間させて前記基板を支持する複数のバールと、
    前記本体表面の周辺領域に提供され、前記本体表面の周辺部の方へ優先的に液体を流すように構成された液体制御構造と、を備え、
    前記液体制御構造は、前記周辺領域の内側から前記周辺領域の外側へ延出する複数のチャネルを備え、
    前記複数のチャネルの深さは、前記周辺領域の前記外側にいくにつれて大きくなる、基板ホルダ。
  7. リソグラフィ装置において使用するための、基板を保持するように構成された基板ホルダであって、
    本体表面を有する本体と、
    前記本体表面から突出して、前記本体表面から離間させて前記基板を支持する複数のバールと、
    前記本体表面の周辺領域に提供され、前記本体表面の周辺部の方へ優先的に液体を流すように構成された液体制御構造と、を備え、
    前記液体制御構造は、前記周辺領域の内側から前記周辺領域の外側へ延出する複数のチャネルを備え、
    前記液体制御構造は、前記本体表面の前記周辺部の方へ優先的に液体を流す毛管力を生成する、基板ホルダ。
  8. 前記液体制御構造は、前記周辺領域の前記内側に沿って延出する溝を更に含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の基板ホルダ。
  9. リソグラフィ装置において使用するための、基板を保持するように構成された基板ホルダであって、
    本体表面を有する本体と、
    前記本体表面から突出して、前記本体表面から離間させて前記基板を支持する複数のバールと、
    前記本体表面の周辺領域に提供され、前記周辺領域を横切って前記本体表面の中央へ向かう液体の移動を妨害するが、前記周辺領域を横切るガスの移動は妨害しないように構成された液体制御構造と、を備え、
    前記液体制御構造は、液体に対して第１の接触角を有する複数の第１の領域と、前記液体に対して前記第１の接触角とは異なる第２の接触角を有する複数の第２の領域と、を備え、
    前記第１及び第２の領域は、前記基板ホルダの周辺部に対して平行に延出し、半径方向で交互に配置されている、基板ホルダ。
  10. 前記液体制御構造は、前記基板ホルダの周辺部に対して平行に延出する複数の溝を備える、請求項９に記載の基板ホルダ。
  11. リソグラフィ装置において使用するための、基板を保持するように構成された基板ホルダであって、
    本体表面を有する本体と、
    前記本体表面から突出して、前記本体表面から離間させて前記基板を支持する複数のバールと、
    前記本体表面の周辺領域に提供され、前記本体表面の周辺部の方へ優先的に液体を流すように構成された液体制御構造と、を備え、
    前記液体制御構造は、前記周辺領域の内側から前記周辺領域の外側へ延出する複数のチャネルを備え、
    前記液体制御構造は、前記本体表面に接着された液体制御部材上に提供されている、基板ホルダ。
  12. リソグラフィ装置において使用するための、基板を保持するように構成された基板ホルダであって、
    本体表面を有する本体と、
    前記本体表面から突出して、前記本体表面から離間させて前記基板を支持する複数のバールと、
    前記本体表面の周辺領域に提供され、前記周辺領域を横切って前記本体表面の中央へ向かう液体の移動を妨害するが、前記周辺領域を横切るガスの移動は妨害しないように構成された液体制御構造と、を備え、
    前記液体制御構造は、液体に対して第１の接触角を有する複数の第１の領域と、前記液体に対して前記第１の接触角とは異なる第２の接触角を有する複数の第２の領域と、を備えるとともに、前記本体表面に接着された液体制御部材上に提供されており、
    前記第１及び第２の領域は、前記基板ホルダの周辺部に対して平行に延出し、半径方向で交互に配置されている、基板ホルダ。
  13. 前記液体制御構造は、実質的に前記本体表面の周辺部全体を一周するように延出する、請求項１から１２のいずれか一項に記載の基板ホルダ。
  14. 前記液体制御構造の内側は、前記基板が前記基板ホルダによって支持された場合に前記基板によって覆われた前記本体表面のエリア内に位置している、請求項１から１３のいずれか一項に記載の基板ホルダ。
  15. 基板上に像を投影するためのリソグラフィ装置であって、
    請求項１から１４のいずれか一項に記載の基板ホルダと、
    前記基板ホルダに基板をクランプするためのクランプシステムと、
    を備える、リソグラフィ装置。
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