JP2005183744A - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 投影光学系と基板との間が液体で満たされていても、投影光学系と基板との間の距離を高い精度で求めることができる検出装置を備える露光装置、及び当該露光装置を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 投影光学系PLの先端部に設けられた供給回収板40は、投影光学系PLとウェハWとの間に液体wを導くとともに液体wを液体回収装置28に導く。また、液体wの周囲に窒素ガスを導くとともに窒素ガスを窒素ガス回収装置43に導く。この供給回収板40のウェハWに対向する面にはウェハWとの間の静電容量を検出する検出電極D2が設けられている。液体wの周囲に窒素ガスが供給されることで、二酸化炭素等の気体成分の液体wへの溶解が防止され、検出電極D2とウェハWとの間の静電容量を精確に検出でき、その結果として投影光学系と基板との間の距離を高い精度で求めることができる。
【選択図】 図2
【解決手段】 投影光学系PLの先端部に設けられた供給回収板40は、投影光学系PLとウェハWとの間に液体wを導くとともに液体wを液体回収装置28に導く。また、液体wの周囲に窒素ガスを導くとともに窒素ガスを窒素ガス回収装置43に導く。この供給回収板40のウェハWに対向する面にはウェハWとの間の静電容量を検出する検出電極D2が設けられている。液体wの周囲に窒素ガスが供給されることで、二酸化炭素等の気体成分の液体wへの溶解が防止され、検出電極D2とウェハWとの間の静電容量を精確に検出でき、その結果として投影光学系と基板との間の距離を高い精度で求めることができる。
【選択図】 図2
Description
本発明は、投影光学系を介して基板を露光し、基板上にパターンを転写する露光装置及び当該露光装置を用いたデバイス製造方法に関する。
半導体素子、液晶表示素子、撮像装置(CCD(charge Coupled Device)等)、薄膜磁気ヘッド等のデバイスは、マスクに形成されたパターンを基板(レジストが塗布された半導体ウェハ又はガラスプレート等)上に転写する、所謂フォトグラフィーの手法により製造される。このフォトグラフィー工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと、基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写する装置である。
露光装置を用いてマスクのパターンを基板上に忠実に転写するには、基板の表面を投影光学系の像面に合わせ込んだ状態で基板を露光する必要がある。このため、露光装置は、基板の表面に対して斜め方向から検出光を照射し、基板の表面で反射された検出光の受光位置に応じて投影光学系と基板との間の距離を調整し、自動的に基板の表面を投影光学系の像面に合わせ込むオートフォーカス機構を備えている。尚、かかる斜入射式のオートフォーカス機構を備えた露光装置の詳細については、例えば以下の特許文献1を参照されたい。
また、近年においては、デバイスに形成するパターンのより一層の高集積化に対応するために、投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。投影光学系の解像度は使用する露光光の波長が短くなるほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。このため、露光装置で使用される露光光の波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。現在主流の露光装置は、光源としてKrFエキシマレーザ(波長248nm)を備えているが、更に短波長のArFエキシマレーザ(波長193nm)を備える露光装置も実用化されつつある。
また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度(DOF)も重要となる。解像度R及び焦点深度δは、それぞれ以下の(1)式及び(2)式で表される。
R= k1・λ/NA ……(1)
δ=±k2・λ/NA2 ……(2)
ここで、λは露光光の波長、NAは投影光学系の開口数、k1,k2はプロセス係数である。
R= k1・λ/NA ……(1)
δ=±k2・λ/NA2 ……(2)
ここで、λは露光光の波長、NAは投影光学系の開口数、k1,k2はプロセス係数である。
上記(1)式及び(2)式から、解像度Rを高めるために露光光の波長λを短波長化して開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。焦点深度δが狭くなりすぎると、投影光学系の像面に対して基板の表面を合致させることが困難になり、露光動作時のマージンが不足する虞がある。そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば以下の特許文献2に開示されている液浸法が提案されている。この液浸法は、投影光学系の下面と基板の表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たし、液体中での露光光の波長が、空気中の1/n(nは液体の屈折率で、通常1.2〜1.6程度)になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約n倍に拡大するというものである。
国際公開第WO00/30163号パンフレット
国際公開第WO99/49504号パンフレット
ところで、上述した液浸法を用いた露光装置においてオートフォーカス機構を実現するためには、検出光を投影光学系の下面と基板の表面との間の液体を介して基板の表面に対して斜め方向から照射し、且つ基板の表面で反射した検出光を液体から射出させる必要がある。このため、投影光学系の下面の側方に検出光を液体内に導くとともに、基板の表面で反射した検出光を液体外に導く光学ウィンドウを設ける必要がある。
しかしながら、光学ウィンドウを設けると投影光学系の下面に設ける構造物が大型化してしまうという問題がある。また、光学ウィンドウは投影光学系の下面と基板の表面との間の液体に接した状態にあるため、液体の流れによって光学ウィンドウが振動すると、基板の表面に対する検出光の照射位置、又は基板で反射された検出光の射出方向が変化するため、基板の表面位置が誤って検出される虞がある。更に、液体の圧力又は温度の揺らぎによって液体の屈折率が変化し、これによっても基板の表面に対する検出光の照射位置及び基板の表面で反射された検出光の射出方向が変化する虞がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、投影光学系と基板との間が液体で満たされていても、投影光学系と基板との間の距離を高い精度で求めることができる検出装置を備える露光装置、及び当該露光装置を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の第1の観点による露光装置は、投影光学系(PL)を介して基板(W)を露光する露光装置(EX)において、前記投影光学系と前記基板との間が液体(w)で満たされている状態で、前記投影光学系と前記基板との間の電気容量を検出して前記投影光学系と前記基板との間の距離を求める検出装置(25、D1、D2)と、前記投影光学系と前記基板との間を満たしている前記液体の周囲に不活性ガスを供給するガス供給装置(37、40、41、WC)とを備えることを特徴としている。
この発明によると、投影光学系と基板との間を満たす液体の周囲に不活性ガスが供給された状態で、液体を介して投影光学系と基板との間の電気容量が検出されて投影光学系と基板との間の距離が求められる。
上記課題を解決するために、本発明の第2の観点による露光装置は、投影光学系(PL)を介して基板(W)を露光する露光装置(EX)において、前記投影光学系の像面側に局所的に液体(w)を満たした状態で、前記投影光学系の先端部に取り付けられた検出電極(D11)と前記基板との間の電気容量を検出して前記投影光学系と前記基板との間の距離を求める検出装置(25、D10)と、前記基板の周囲に設けられ、表面位置が前記基板の表面位置とほぼ同一に設定された金属部材(50)とを備えることを特徴としている。
この発明によると、投影光学系の先端部に取り付けられた検出電極が基板の端部付近に位置している場合に、検出電極からの電気力線は基板と表面位置が基板の表面位置とほぼ同一に設定された金属部材とにほぼ垂直に入射している状態で液体を介して投影光学系と基板との電気容量が検出されて投影光学系と基板との間の距離が求められる。
本発明のデバイス製造方法は、上記の何れかに記載の露光装置を用いて基板に対して露光処理を行う露光工程(S26)と、前記露光工程を経た基板の現像を行う現像工程(S27)とを含むことを特徴としている。
この発明によると、上記の露光装置に設けられる検出装置の検出結果に基づいて基板の表面が投影光学系の像面に合わせ込まれた状態で基板が露光されて現像される。
この発明によると、投影光学系と基板との間を満たす液体の周囲に不活性ガスが供給された状態で、液体を介して投影光学系と基板との間の電気容量が検出されて投影光学系と基板との間の距離が求められる。
上記課題を解決するために、本発明の第2の観点による露光装置は、投影光学系(PL)を介して基板(W)を露光する露光装置(EX)において、前記投影光学系の像面側に局所的に液体(w)を満たした状態で、前記投影光学系の先端部に取り付けられた検出電極(D11)と前記基板との間の電気容量を検出して前記投影光学系と前記基板との間の距離を求める検出装置(25、D10)と、前記基板の周囲に設けられ、表面位置が前記基板の表面位置とほぼ同一に設定された金属部材(50)とを備えることを特徴としている。
この発明によると、投影光学系の先端部に取り付けられた検出電極が基板の端部付近に位置している場合に、検出電極からの電気力線は基板と表面位置が基板の表面位置とほぼ同一に設定された金属部材とにほぼ垂直に入射している状態で液体を介して投影光学系と基板との電気容量が検出されて投影光学系と基板との間の距離が求められる。
本発明のデバイス製造方法は、上記の何れかに記載の露光装置を用いて基板に対して露光処理を行う露光工程(S26)と、前記露光工程を経た基板の現像を行う現像工程(S27)とを含むことを特徴としている。
この発明によると、上記の露光装置に設けられる検出装置の検出結果に基づいて基板の表面が投影光学系の像面に合わせ込まれた状態で基板が露光されて現像される。
本発明によれば、投影光学系と基板との間を満たす液体の周囲に不活性ガスを供給することで、二酸化炭素等の液体の電気伝導率又は誘電率を変化させる気体が液体に溶解しない状態にしているため、液体を介した投影光学系と基板との間の電気容量を精度良く検出することができ、この結果として投影光学系と基板との間が液体で満たされていても、投影光学系と基板との間の距離を高い精度で求めることができるという効果がある。
また、本発明によれば、投影光学系の先端部に取り付けられた検出電極が基板の端部付近に位置していても、検出電極からの電気力線は基板の縁に集中して電気力線が乱されることがなく、電気力線が基板及び金属部材にほぼ垂直に入射している状態にすることができるため、液体を介した投影光学系と基板との間の電気容量を精度良く検出することができ、その結果として投影光学系と基板との間が液体で満たされていても、投影光学系と基板との間の距離を高い精度で求めることができるという効果がある。
また、本発明によれば、液体を介した投影光学系と基板との間の距離が高い精度で求められ、基板の表面が投影光学系の像面に精確に合わせ込まれた状態で露光処理が行われるため、微細なパターンを基板上に忠実に転写することができるという効果がある。
また、本発明によれば、投影光学系の先端部に取り付けられた検出電極が基板の端部付近に位置していても、検出電極からの電気力線は基板の縁に集中して電気力線が乱されることがなく、電気力線が基板及び金属部材にほぼ垂直に入射している状態にすることができるため、液体を介した投影光学系と基板との間の電気容量を精度良く検出することができ、その結果として投影光学系と基板との間が液体で満たされていても、投影光学系と基板との間の距離を高い精度で求めることができるという効果がある。
また、本発明によれば、液体を介した投影光学系と基板との間の距離が高い精度で求められ、基板の表面が投影光学系の像面に精確に合わせ込まれた状態で露光処理が行われるため、微細なパターンを基板上に忠実に転写することができるという効果がある。
以下、図面を参照して本発明の実施形態による露光装置及びデバイス製造方法について詳細に説明する。
〔第1実施形態〕
図1は、本発明の第1実施形態による露光装置の概略構成を示す図である。尚、図1においては、露光装置EXの一部を切り欠いて図示している。図1に示す露光装置EXは、投影光学系PLとウェハWとの間に液体wを供給しつつ露光を行う液浸式の露光装置であって、図1中の投影光学系PLに対してマスクとしてのレチクルRと基板としてのウェハWとを相対的に移動させつつ、レチクルRに形成されたパターンをウェハWに逐次転写して半導体素子を製造するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置である。
図1は、本発明の第1実施形態による露光装置の概略構成を示す図である。尚、図1においては、露光装置EXの一部を切り欠いて図示している。図1に示す露光装置EXは、投影光学系PLとウェハWとの間に液体wを供給しつつ露光を行う液浸式の露光装置であって、図1中の投影光学系PLに対してマスクとしてのレチクルRと基板としてのウェハWとを相対的に移動させつつ、レチクルRに形成されたパターンをウェハWに逐次転写して半導体素子を製造するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置である。
尚、以下の説明においては、図中に示したXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。XYZ直交座標系は、X軸及びY軸がウェハWに対して平行となるよう設定され、Z軸がウェハWに対して直交する方向に設定されている。図中のXYZ座標系は、実際にはXY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛直上方向に設定される。また、本実施形態ではレチクルR及びウェハWを移動させる方向(走査方向SD)をY方向に設定している。
図1に示した露光装置EXは、照明光学系IS、レチクル操作部RO、投影光学系PL、及びウェハ操作部WOに大別されており、照明光学系IS、レチクル操作部RO、及び投影光学系PLは、箱状の照明系チャンバIC、レチクル室RC、及び鏡筒PCの内部に外気から隔離されて密閉度が高められた状態でそれぞれ収納されている。また、ウェハ操作部WO及び鏡筒PCの下方部はウェハ室WCの内部に外気から隔離されて密閉度が高められた状態で収納されている。尚、図示は省略しているが、本実施形態の露光装置EXは、内部の気体の温度が所定の目標範囲内に制御された一つの大きなチャンバ内部に収納されている。
照明系チャンバICの下部には露光光源10が取り付けられている。この露光光源10は、例えば真空紫外域の波長193nmのパルスレーザ光を発生するArFエキシマレーザである。露光光源10から照明系チャンバIC内に射出された露光光IL(エネルギビーム)は、ミラー11で+Z方向に偏向され、振動等による光軸ずれをあわせるための不図示の自動追尾部、及び照明系の断面形状の整形と光量制御とを行うビーム整形光学系12を介してオプティカル・インテグレータ(ホモジナイザー)としてのフライアイレンズ(又はロッドレンズ)13に入射する。
フライアイレンズ13の射出面、即ち照明光学系ISの瞳面(投影光学系PLの瞳面と光学的に共役な面)には開口絞り板(不図示)が駆動モータ(不図示)によって回転自在に配置されている。開口絞り板は回転軸の周りで回転自在に構成された円板からなり、通常照明用の円形の開口絞り、輪帯照明用の開口絞り、4極変形照明(4極照明)用の開口絞り、及び小さいコヒーレンスファクタ(σ値)用の小円形の開口絞り等の複数の開口絞りが周方向に沿って形成されている。開口絞り板の回転軸は駆動モータの回転軸に接続されており、駆動モータを駆動して開口絞り板を回転軸の周りで回転させることにより、フライアイレンズ13の射出面に配置する開口絞りを切り替えることができる。駆動モータの駆動は露光装置EXの全体の動作を統括制御する主制御系25が制御する。
フライアイレンズ13から射出されて開口絞り板に形成された開口絞りの何れか1つを通過した露光光ILは、ミラー14によって+Y方向に偏向されて、リレーレンズ15を介して視野絞り(レチクルブラインド)16に達する。この視野絞りは、レチクルRのパターンが形成されている面(以下、レチクル面という)にて細長い長方形の照明領域の形状を規定する固定照明視野絞り(固定ブラインド)と、走査露光の開始時及び終了時に不要な部分への露光を防止するために移動可能に構成された可動照明視野絞り(可動ブラインド)からなる。固定照明視野絞りは走査方向SDにおける積算光量むらを防止するためにレチクル面に対する共役面から僅かにずれた面上に配置されており、可動照明視野絞りはレチクル面に対する共役面に配置される。
視野絞り16を通過した露光光ILは、リレーレンズ17、ミラー18、及び照明系チャンバICの先端部に固定されたコンデンサレンズ系19を順に介してレチクルRのレチクル面に設定された長方形(スリット状)の照明領域を均一な照度分布で照明する。露光光源10からコンデンサレンズ系19までの構成によって照明光学系ISが構成され、照明光学系IS内の露光光ILの光路、即ち露光光源10からコンデンサレンズ系19までの光路が照明系チャンバICによって密閉されている。
照明光学系ISからの露光光ILのもとで、レチクルRの照明領域内のパターンの像が両側テレセントリックな投影光学系PLを介して所定の投影倍率β(βは例えば1/4又は1/5等)で、投影光学系PLの像面に配置された基板としてのウェハW上のスリット状の露光領域(投影領域)に投影される。ウェハWは例えば半導体(シリコン等)又はSOI(silicon on insulator)等の円板状の基板である。
投影光学系PLは、レンズ等の複数の光学素子を含んで構成される。本実施形態では、露光光ILとして真空紫外域のArFエキシマレーザ光の光を用いている。このため、投影光学系PLを構成する光学素子の硝材としては、例えば合成石英又は蛍石(フッ化カルシウム:CaF2)が用いられる。投影光学系PLが備える光学素子の一部は、投影光学系PLの光軸AX方向(Z方向)に移動可能且つX軸に平行な軸又はY軸に平行な軸の周りでチルト可能に構成されており、これらの光学素子は不図示のレンズ制御系によって制御される。投影光学系PLの内部は光学素子で仕切られており、これにより複数の空間が形成されている。尚、本実施形態の投影光学系PLは、ジオプトリック系(屈折系)であるが、カタジオプトリック系(反射屈折系)や反射系も使用できることはいうまでもない。
レチクル操作部ROにおいて、レチクルRはレチクルステージ20上に保持されている。レチクルステージ20は不図示のレチクルベース上で後述のウェハステージと同期してY方向にレチクルRを連続移動するとともに、同期誤差を低減させるようにX方向、Y方向、及びZ軸の周りにレチクルRを微小駆動する。レチクルステージ20の位置及び回転角は不図示のレーザ干渉計によって高精度に計測され、この計測値及び装置全体の動作を統括制御するコンピュータよりなる主制御系25からの制御情報に基づいてレチクルステージ20が駆動される。
レチクルステージ20、不図示のレチクルベース、及び不図示のレチクルローダ等からレチクル操作部ROが構成され、レチクル操作部RO内の露光光ILの光路、即ちコンデンサレンズ系19から投影光学系PLまでの光路がレチクル室RCによって密閉されている。また、投影光学系PLにおいて、レンズ等の複数の光学素子が鏡筒PC内に密閉されて収納されている。投影光学系PLのレチクルR側の光学部材からウェハ側の光学部材までの光路が鏡筒PC内に密閉されている。
ウェハ操作部WOにおいて、ウェハWはウェハホルダ21上の載置面に吸着保持され、ウェハホルダ21はウェハステージ22上に固定されている。尚、ウェハWがウェハホルダ21上に保持されている状態においては、ウェハWはその電位が接地電位と等しくなるようにアースされる。投影光学系PL(投影光学系PLに含まれる光学素子のうちの最も像面側に位置する光学素子)とウェハWとの間の空間の少なくとも一部には、後述する液体供給装置27から液体wが供給され、投影光学系PLとウェハWとの間の空間に供給された液体wは後述する液体回収装置28により回収される。
尚、投影光学系PLに含まれる光学素子のうちの最も像面側に位置する光学素子とウェハWとの間は0.1mm〜数mm程度の間隔である。この液体wは、例えば純水である。液体wとして純水を用いる理由は、気体(空気又は窒素ガス)よりも屈折率が高く投影光学系PLの開口数を向上させることができるとともに、ArFエキシマレーザ光に対する吸収が少ないからである。
ウェハステージ22は不図示のウェハベース上で前述したレチクルステージ20と同期してY方向にウェハWを連続移動するとともに、X方向及びY方向にウェハWをステップ移動する。また、ウェハWをZ方向に移動させ、ウェハWの姿勢(X軸、Y軸、Z軸周りの回転)を変化させる。ウェハステージ22の上面の一端には移動鏡23が取り付けられており、この移動鏡28に向けてレーザ光を射出するレーザ干渉計24が設けられている。ウェハステージ22のX方向、Y方向の位置、及びX軸の回りの回転角(ピッチング量)、Y軸の回りの回転角(ローリング量)、Z軸の回りの回転角(ヨーイング量)はレーザ干渉計24によって高精度に計測されており、このレーザ干渉計24の計測値及び主制御系25からの制御情報に基づいてステージ駆動系26を介してウェハステージ22が駆動される。
また、本実施形態の露光装置EXは、投影光学系PLとウェハWとの間の電気容量を検出する静電容量センサを備えている。この静電容量センサは、投影光学系PLに含まれる光学素子のうちの最も像面側に位置する光学素子のウェハW側に向く面に取り付けられた検出電極D1を含んで構成される。主制御系25が検出電極D1に所定の周波数を有する交流電圧を印加し、電流(変位電流)が一定となるように印加する電圧を制御することで、検出電極D1と接地電位にあるウェハWとの間の電気容量を求め、この電気容量から投影光学系PLとウェハWとの間の距離を求める。そして、この距離に基づいてステージ駆動系26を介してウェハステージ22をZ方向に移動させて、ウェハWの表面を投影光学系PLの像面に合わせ込む制御を行う。かかる構成により、オートフォーカス機構が実現されている。
尚、ウェハステージ22に取り付けられ、レーザ干渉計24からのレーザ光を反射する移動鏡23は、別々の角柱状のミラーからなる構成、一体型のL字型のミラーからなる構成、ウェハステージ22の側面を鏡面加工してミラーとして用いる構成等、様々の構成が適用されうる。また、ウェハホルダ21、ウェハステージ22、及び不図示のウェハベース等によりウェハ操作部WOが構成され、ウェハ操作部WOの側方に搬送系としてのウェハローダ等(不図示)が配置されている。
また、図1に示す例では、ウェハ操作部WOを構成するウェハホルダ21及びウェハステージ22、移動鏡23、レーザ干渉計24、ステージ駆動系26、液体供給装置27及び液体回収装置28から伸びる配管、並びに鏡筒PCの下方部がウェハ室WCによって密閉されている。尚、図1においては図示を簡略化しているが、ウェハステージ22の移動に伴う振動、及び液体供給装置27及び液体回収装置28から伸びる配管中を液体が流れることにより生ずる振動がウェハ室WCに伝わらないよう防振機構が設けられている。更に、ウェハ室WCには、内部の気密性を保った状態でウェハWの搬入及び搬出を行うためのロードロック室(不図示)が設けられている。また、図1においては、液体供給装置27及び液体回収装置28をウェハ室WCの外側に設けているが、配管長を短くするためにウェハ室WC内に設けても良い。
液体供給装置27は、投影光学系PLとウェハWとの間の少なくとも一部を液体wで満たすためのものであって、液体wを収容するタンク、加圧ポンプ等を備えて構成される。この液体供給装置27には供給管29の一端部が接続されており、供給管29の他端部には供給ノズル30が接続されている。これら供給管29及び供給ノズル30を介して投影光学系PLとウェハWとの間の空間に液体wが供給される。
液体回収装置28は、吸引ポンプ、回収した液体wを収容するタンク等を備える。液体回収装置28には回収管31の一端部が接続され、回収管31の他端部には回収ノズル32が接続されている。投影光学系PLとウェハWとの間の空間に供給された液体wは、回収ノズル32及び回収管31を介して液体回収装置28に回収される。これら液体供給装置27及び液体回収装置28は、主制御系25により制御される。
つまり、投影光学系PLとウェハWとの間の空間に液体wを供給する際に、主制御系25は液体供給装置27及び液体回収装置28のそれぞれ対して制御信号を出力して、単位時間当たりの液体wの供給量及び回収量を制御する。かかる制御により、液体wは投影光学系PLとウェハWとの間に必要十分な量だけ供給される。尚、図1に示す例では、投影光学系PLとウェハWとの間の液体wをウェハステージ22の上方で回収しているが、ウェハWの上面の周囲に回収部を設けてもよいし、それらを併用してもよい。
本実施形態の露光装置EXは、露光光ILの光路に沿った空間、即ち照明系チャンバIC、レチクル室RC、及び鏡筒PCの各内部が、真空紫外域のビームに対してエネルギー吸収の少ない透過性ガスとしての窒素ガスで満たされ、その気圧が大気圧と同程度若しくはより高く(例えば、大気圧に対して0.001〜10%の範囲内で高く)設定される。照明系チャンバICには給気管33a,33bが、レチクル室RCには給気管33cが、鏡筒PCには不図示の給気管がそれぞれ接続されている。尚、鏡筒PCに接続される不図示の給気管は投影光学系PLに設けられる光学素子で仕切られる空間の数だけ更に分岐した構成になっている。
給気管33a〜33cの各々には、例えば流量可変バルブからなる流量調整機構34a〜34cが設けられており、投影光学系PLに接続される不図示の給気管の分岐した各々の流路には流量可変バルブからなる流量調整機構(不図示)がそれぞれ設けられている。これらの流量調整機構34a〜34c等は、照明チャンバIC、レチクル室RC、及び鏡筒PC内の光学素子で仕切られる各々の空間の気圧を調整するために設けられ、主制御系25により各々の流量が制御される。
また、照明系チャンバICには回収管35a,35bが、レチクル室RCには回収管35cが、鏡筒PCには不図示の回収管がそれぞれ接続されている。尚、鏡筒PCに接続される不図示の回収管は鏡筒PCに接続される不図示の給気管と同様に、投影光学系PLに設けられる光学素子で仕切られる空間の数だけ分岐した構成になっている。回収管35a〜35cの各々には、開閉機構36a〜36cが設けられており、鏡筒PCに接続される不図示の回収管の分岐した各々の流路には不図示の開閉機構がそれぞれ設けられている。これらの開閉機構は、照明チャンバIC、レチクル室RC、及び鏡筒PC内の光学素子で仕切られる各々の空間に供給された窒素ガスを個別に排出するために設けられており、主制御系25により各々の開閉動作が制御される。
更に、ウェハ室WCには、上記の給気管33a〜33c等とは別個に、ウェハ室WC内に温調された不活性ガスとしての窒素ガスを供給する窒素ガス供給装置37と、ウェハ室WC内に供給された窒素ガスを回収する窒素ガス回収装置38とがそれぞれ接続されている。尚、窒素ガスは、水分を含んでいないドライ窒素ガスであることが望ましい。これら窒素ガス供給装置37及び窒素ガス回収装置38は、ウェハ室WC内を窒素ガスで充満させることで、液体wの電気伝導率又は誘電率を変化させる気体成分(例えば、空気中の二酸化炭素)が投影光学系PLとウェハWとの間に供給された液体wに溶解するのを防止するために設けられている。
前述した通り、静電容量センサは、投影光学系PLに取り付けられた検出電極D1と接地電位に設定されたウェハWとの間の電気容量を検出しており、液体wが純水等の不導体であれば検出電極D1とウェハWとの間には変位電流のみが流れる。しかしながら、二酸化炭素等の気体成分が液体wに溶解すると液体wが電気伝導性を有し、検出電極D1とウェハWとの間に変位電流のみならずリーク電流が流れるため、リーク電流の分だけ検出誤差が生ずる。純水を大気中に放置すると、純水は空気中の二酸化炭素を急激に溶解し、特に電気伝導率が急激に上昇することが知られているため、純水を大気に触れさせることは好ましくない。
検出電極D1を絶縁体で被覆すればリーク電流を防止することもできるが、絶縁体で被覆された検出電極D1を用いることができない場合もある。また、絶縁体で被覆された検出電極D1を用いた場合にはリーク電流は流れないものの、気体成分の溶解量によって液体wの誘電率が変化するため、これによっても検出誤差が生ずる。このため、本実施形態では、液体w中にこれらの気体成分が溶解するのを防止すべくウェハ室WC内を窒素ガスで充満させている。窒素ガス供給装置37による窒素ガスの供給量及び窒素ガス回収装置38による窒素ガスの回収量は主制御系25によって制御される。
次に、上記構成における露光装置の動作について説明する。まず、主制御系25は、照明系チャンバIC、レチクル室RC、及び鏡筒PC内の光学素子で仕切られる各々の空間に設けられた不図示の圧力センサの検出結果に基づいて流量調整機構34a〜34cを調整して各々に流入する窒素ガスの流量を制御し、照明系チャンバIC、レチクル室RC、及び鏡筒PC内の光学素子で仕切られる各々の空間内の圧力を個別に制御する。また、窒素ガス供給装置37及び窒素ガス回収装置38の各々に制御信号を出力して、ウェハ室WC内に窒素ガスを供給するとともにウェハ室WCに供給された窒素ガスを回収して、ウェハ室WC内を窒素ガスで充満させる。
次に、主制御系25は、図示しないウェハローダ装置を制御し、露光対象のウェハWを不図示のロードロック室を介してウェハ室WC内に搬入してウェハホルダ21上に載置させる。また、ウェハWの搬入を行っている間、主制御系25は不図示のレチクルライブラリから所定のレチクルを搬入してレチクルステージ20上に載置させる。主制御系25の制御の下、照明系チャンバIC、レチクル室RC、及び鏡筒PC内の光学素子で仕切られる各々の空間の圧力が一定に保たれ、ウェハ室WC内が窒素ガスで充満されている状態で、主制御系25は液体供給装置27及び液体回収装置28に制御信号を出力する。
これにより、液体供給装置27から供給管29及び供給ノズル30を順に介して投影光学系PLとウェハWとの間の空間の少なくとも一部に液体wが供給される。ここで、ウェハ室WC内は窒素ガスで充満されているため、二酸化炭素等の気体成分が液体wに溶解することはなく、液体wの電気伝導性率及び誘電率は変化しない。投影光学系PLとウェハWとの間に供給された液体wは回収ノズル32及び回収管31を順に介して液体回収装置28に回収される。
投影光学系PLとウェハWとの間に液体wが供給されている状態で、主制御系25はレチクルステージ20及びウェハステージ22を走査方向SDへ移動させ、所定の速度に達した後、露光光源10に対して制御信号を出力して露光光ILを射出させる。露光光源10から射出された露光光ILは、ミラー11で+Z方向に反射され、ビーム整形光学系12を介した後、フライアイレンズ13に入射する。フライアイレンズ13から射出されて開口絞り板に形成された開口絞りの何れか1つを通過した露光光ILは、ミラー14によってY+方向に反射されて、リレーレンズ15を介して視野絞り16に達する。視野絞り16を通過した露光光ILは、リレーレンズ17、ミラー18、及び照明系チャンバICの先端部に固定されたコンデンサレンズ系19を順に介してレチクルRのレチクル面に設定された長方形(スリット状)の照明領域を均一な照度分布で照明する。
レチクルRを透過した露光光ILは投影光学系PLに入射して投影光学系PLを介した後に、投影光学系PLとウェハWとの間に供給される液体wを透過してウェハW上に投影される。このとき、レチクルRとウェハWとが相対的に移動しているため、レチクルRのパターンが逐次ウェハWのショット領域に転写される。かかる露光処理を行っている間において、主制御系25は検出電極D1とウェハWとの間に流れる電流(変位電流)が一定となるよう検出電極D1に印加する交流電圧を制御し、流れている電流と印加している交流電圧とから検出電極D1と接地電位にあるウェハWとの間の電気容量を検出し、この検出結果から投影光学系PLとウェハWとの間の距離を求める。そして、この距離に応じてウェハステージ22をZ方向に移動させ、ウェハWの表面が投影光学系PLの像面に合わせ込んでいる。1つのショット領域に対する露光処理が完了すると、主制御系25はウェハステージ22をX方向又はY方向にステップ移動させて、次のショット領域に対して同様に露光処理を行う。
このように、本実施形態の露光装置EXは、ウェハ室WC内を窒素ガスで充満させて液体wに二酸化炭素等の気体成分が溶解しないようにしているため、検出電極D1とウェハWとの間の電気容量を精確に検出することができ、その結果として投影光学系PLとウェハWとの間の距離を高い精度で求めることができる。そして、求められた距離に応じてウェハステージ22をZ方向に移動させることで、精度良くウェハWの表面を投影光学系PLの像面に合わせ込むことができるため、微細なパターンを忠実にウェハW上に転写することができる。
〔第2実施形態〕
以上説明した第1実施形態は、ウェハステージ22及び鏡筒PCの下方部を含むウェハ室WC内に窒素ガスを供給する構成であったため、窒素ガスの消費量が多くなる。また、ウェハ室WC内部の気密性を保った状態でウェハWの搬入及び搬出を行うためのロードロック室(不図示)を必要とする。このため、第1実施形態の構成では露光装置EXのコスト及びランニングコストが高くなる。また、ウェハステージ22等がウェハ室WC内に密閉された構造であるため、メンテナンス性も悪くなる。以下に説明する本発明の第2実施形態による露光装置は、以上の問題点を解消すべく、液体wの周囲に局所的に窒素ガスを供給している。
以上説明した第1実施形態は、ウェハステージ22及び鏡筒PCの下方部を含むウェハ室WC内に窒素ガスを供給する構成であったため、窒素ガスの消費量が多くなる。また、ウェハ室WC内部の気密性を保った状態でウェハWの搬入及び搬出を行うためのロードロック室(不図示)を必要とする。このため、第1実施形態の構成では露光装置EXのコスト及びランニングコストが高くなる。また、ウェハステージ22等がウェハ室WC内に密閉された構造であるため、メンテナンス性も悪くなる。以下に説明する本発明の第2実施形態による露光装置は、以上の問題点を解消すべく、液体wの周囲に局所的に窒素ガスを供給している。
本発明の第2実施形態による露光装置の全体構成は、図1に示した本発明の第1実施形態による露光装置EXから窒素ガス供給装置37、窒素ガス回収装置37、及びウェハ室WCを省いた構成である。図2は、本発明の第2実施形態による露光装置の要部の概略構成を示す断面図である。尚、図2においては、図1に示した部材に相当する部材には同一の符号を付してある。図2に示す通り、本実施形態の露光装置は、投影光学系PLの像面側の先端部に、投影光学系PLとウェハWとの間に液体wを導くとともに供給した液体wを回収し、且つ液体wの周囲に局所的に窒素ガスを導くとともに供給した窒素ガスを回収する供給回収部材としての供給回収板40を備えている。
図3は、供給回収板40の構成を示す断面斜視図である。図3に示す通り、供給回収板40は、例えば合成石英又は蛍石で形成された外形形状が略長方形形状の部材である。供給回収板40のウェハWに対向する面の中央部CRは、投影光学系PLを介した露光光ILが通過する領域である。この中央部CRのほぼ中心を投影光学系PLの光軸AXが通るように、供給回収板40は投影光学系PLの像面側の先端部に配置されている。また、図2に示す通り、中央部CR上であって、露光光ILを遮光しない部位に静電容量センサの一部をなす検出電極D2が形成されている。尚、本実施形態の投影光学系PLは、図1に示した投影光学系PLと光学特性が全く同一ではなく、供給回収板40を含めた光学設計がなされている。
供給回収板40のウェハWに対向する面には、中央部CRを取り囲むように複数の溝が形成されており、図3に示す通り、内側から順に液体供給溝G1、液体回収溝G2、窒素ガス供給溝G3、及び窒素ガス回収溝G4が形成されている。また、図2に示す通り、液体供給溝G1には供給管29を介して液体供給装置27が接続され、液体回収溝G2には回収管31を介して液体回収装置28が接続されている。また、窒素ガス供給溝G3には給気管42を介して窒素ガス供給装置41が接続され、窒素ガス回収溝G4には排気管44を介して窒素ガス回収装置43が接続されている。供給回収板40の各々の溝には複数の孔(不図示)が形成されており、供給管29、回収管31、給気管42、及び排気管44の先端部は対応する溝に形成された孔の数だけ枝分かれして、それぞれ対応する溝の孔に接続されている。
液体供給溝G1及び液体回収溝G2を取り囲むように窒素ガス供給溝G3が形成されているのは、液体wの周囲に窒素ガスを局所的に導いて液体wの周囲の大気を押し出すことで、大気内の二酸化炭素等の気体成分が液体wに溶解するのを防止するためである。また、窒素ガス供給溝G3からの窒素ガスが大気中(露光装置EXを収納する不図示の大きなチャンバ内)に拡散すると、窒素ガスと大気との屈折率との差からレーザ干渉計24等の計測に影響が生ずる。かかる影響を防止するため、窒素ガス供給溝G3を取り囲むように窒素ガス回収溝G4が形成されており、窒素ガス供給溝G3から供給される窒素ガスを全て窒素ガス回収溝G4から回収して排気するようにしている。
上記構成において、ウェハWに対する露光処理を行う場合には、まず主制御系25はウェハW及びレチクルRを搬入させて、レチクルステージ20及びウェハホルダ21上にそれぞれ保持させる。次に、主制御系25は液体供給装置27及び液体回収装置28に制御信号を出力して、供給管29を介して供給回収板40に形成された液体供給溝G1から供給回収板40とウェハWとの間に液体wを供給するとともに、供給された液体wを液体回収溝G2から回収管31を介して回収する。
また、主制御系25は窒素ガス供給装置41及び窒素ガス回収装置43に制御信号を出力して、給気管42を介して窒素ガス供給溝G3から液体wの周囲に窒素ガスを供給する。これにより液体wの周囲の大気が押し出され、液体wの周囲は局所的に窒素ガスで覆われる状態になる。液体wの周囲に局所的に供給された窒素ガスは窒素ガス回収溝G4から排気管44を介して窒素ガス回収装置43に回収して排気される。この状態で、主制御系25はレチクルステージ20及びウェハステージ22を走査方向SDへ移動させ、所定の速度になった後で露光光源1から露光光ILを射出させることにより、第1実施形態と同様にウェハWのショット領域にレチクルRのパターンが転写される。
尚、レチクルRのパターンを転写している間において、主制御系25は供給回収板40に形成された検出電極D2とウェハWとの間に流れる電流(変位電流)が一定となるよう検出電極D2に印加する交流電圧を制御し、流れている電流と印加している交流電圧とから検出電極D2と接地電位にあるウェハWとの間の電気容量を検出し、この検出結果から投影光学系PLとウェハWとの間の距離を求める。そして、この距離に応じてウェハステージ22をZ方向に移動させ、ウェハWの表面が投影光学系PLの像面に合わせ込んでいる。1つのショット領域に対する露光処理が完了すると、主制御系25はウェハステージ22をX方向又はY方向にステップ移動させて、次のショット領域に対して同様に露光処理を行う。
このように、本実施形態の露光装置EXは、投影光学系PL(供給回収板40)とウェハWとの間に供給される液体wの周囲に窒素ガスを局所的に供給することで液体wに二酸化炭素等の気体成分が溶解しないようにしているため、低コストで検出電極D2とウェハWとの間の電気容量を精確に検出することができ、その結果として投影光学系PLとウェハWとの間の距離を高い精度で求めることができる。そして、求められた距離に応じてウェハステージ22をZ方向に移動させることで、精度良くウェハWの表面を投影光学系PLの像面に合わせ込むことができるため、微細なパターンを忠実にウェハW上に転写することができる。また、本実施形態の露光装置EXは、第1実施形態のように、ウェハ操作部WOを密閉するウェハ室WCを設けていないため、露光装置EXのコスト上昇を抑えることができるとともに、窒素ガスの消費量が少ないことからランニングコストを低減することができ、更にメンテナンス性を悪化させることもない。
〔第3実施形態〕
次に、本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態の露光装置の全体構成は、第2実施形態とほぼ同様である。つまり、図1に示した本発明の第1実施形態による露光装置EXから窒素ガス供給装置37、窒素ガス回収装置37、及びウェハ室WCを省いた構成である。図4は、本発明の第3実施形態による露光装置が備えるウェハステージを示す図であって、(a)は上面図であり、(b)は(a)中に示したA−A線の断面矢視図である。尚、図4おいても、図1に示した部材に相当する部材には同一の符号を付してある。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態の露光装置の全体構成は、第2実施形態とほぼ同様である。つまり、図1に示した本発明の第1実施形態による露光装置EXから窒素ガス供給装置37、窒素ガス回収装置37、及びウェハ室WCを省いた構成である。図4は、本発明の第3実施形態による露光装置が備えるウェハステージを示す図であって、(a)は上面図であり、(b)は(a)中に示したA−A線の断面矢視図である。尚、図4おいても、図1に示した部材に相当する部材には同一の符号を付してある。
図4に示す通り、本実施形態の露光装置は、ウェハステージ22上に、ウェハWを取り囲むように配置された金属部材としての金属リング50を備える。この金属リング50は、ウェハWの縁部において、投影光学系PLに取り付けられた検出電極からの電気力線の乱れを防止するために設けられる。尚、電気力線の乱れ防止の詳細については後述する。金属リング50は、その表面位置がウェハWの表面位置とほぼ同一に設定されており、その電位が接地電位と等しくなるようにアースされている。ウェハWには厚みの公差があるため、金属リング50の表面位置を完全にウェハWの表面位置に一致させる必要はない。この金属リング50の材質は制限されないが、例えば耐食性を有するステンレスが望ましい。尚、ウェハステージ22上の端部には、X方向の位置情報を計測するためのY方向に延びた移動鏡23XとY方向の位置情報を計測するためのX方向に延びる移動鏡23Yとが設けられている。
ここで、投影光学系PLに設けられる検出電極について詳細に説明する。図5は、静電容量センサに設けられる検出電極の構成を示す図である。静電容量センサD10は、投影光学系PLに含まれる光学素子のうちの最も像面側に位置する光学素子(所謂、先玉)L1のウェハW側に向く面に複数取り付けられている。図5に示す例では、静電容量センサD10はX方向に伸びるスリット状の露光光ILの通過領域TをY方向に挟んで、X方向に等間隔をもって配列されている。通過領域Tに対して−Y方向に配列された静電容量センサD10は、ウェハWを+Y方向に移動しつつ露光するときに投影光学系PLとウェハWとの間の距離を測定するために用いられ、逆に通過領域Tに対して+Y方向に配列された静電容量センサD10は、ウェハWを−Y方向に移動しつつ露光するときに投影光学系PLとウェハWとの間の距離を測定するために用いられる。
静電容量センサD10は、Y方向に伸びる検出電極としてのセンサ電極D11と、センサ電極D11を取り囲むように設けられた補助電極としてのガード電極D12とを含んで構成される。センサ電極D11は、接地されたウェハWとの間の電気容量を検出するために用いられる電極であり、ガード電極D12は、センサ電極D11からウェハWに伸びる電気力線うちの端部における電気力線の曲がりを防止するための電極である。
ここで、センサ電極D11と接地されたウェハWとを平行極板コンデンサと見立てた場合に、平行極板コンデンサの電気容量Cは以下の(1)式で表される。
C=εr・ε0・S/d ……(1)
上記(1)式において、ε0は真空の誘電率、εrはセンサ電極D11とウェハWとの間に配置される物質(例えば、純水)の比誘電率、Sは、センサ電極D11とウェハWとが重なる部分の面積、dはセンサ電極D11とウェハWとの距離である。
C=εr・ε0・S/d ……(1)
上記(1)式において、ε0は真空の誘電率、εrはセンサ電極D11とウェハWとの間に配置される物質(例えば、純水)の比誘電率、Sは、センサ電極D11とウェハWとが重なる部分の面積、dはセンサ電極D11とウェハWとの距離である。
上記(1)式は、センサ電極D11とウェハWとの間の電気力線が全て平行であるときに成り立つ式であり、平行極板コンデンサのみの場合には電気力線は平行極板コンデンサの端部において曲がるため、平行極板コンデンサの容量は上記(1)式からずれたものになる。本実施形態では、平行極板コンデンサに流れる電流が一定となるように印加する交流電圧を調整して平行極板コンデンサの電気容量を検出し、この検出結果から投影光学系PL(センサ電極D11)とウェハWとの間の距離を求めている。
このため、端部における電気力線の曲がりの影響によって平行極板コンデンサの電気容量の検出誤差が生ずると、投影光学系PLとウェハWとの間の距離の計測精度が悪化することになる。かかる計測精度の悪化を防止するために、本実施形態では、センサ電極D11を取り囲むようにガード電極D12を設け、センサ電極D11に印加する交流電圧と同一(同相)の交流電圧をガード電極D12に印加することで、センサ電極D11からの電気力線の端部における電気力線の曲がりを防止している。
センサ電極D11の一端には他の部分よりも面積が大きく設定された検出パッド部PD1が設けられており、他端にはセンサ電極D11に交流電圧を印加するための信号線が接続される接続パッド部PD2が設けられている。また、ガード電極D12は、パターンの幅がほぼ一定であり、センサ電極D11に対して所定の隙間をもってセンサ電極D11を取り囲む形状に設定され、その一端にはセンサ電極D11に印加する交流電圧と同一(同相)の交流電圧をガード電極D12に印加するための接続パッド部PD3が形成されている。
光学素子L1の中央部はほぼ平坦であり、周辺部は外側ほど表面位置が+Z方向に位置するよう傾斜している。検出パッド部PD1は光学素子L1の平坦部に形成されており、接続パッド部PD2,PD3は光学素子L1の傾斜している周辺部に形成されている。このため、投影光学系PLの下方(−Z方向)にウェハWを配置したときに、検出パッド部PD1は接続パッド部PD2,PD3よりもウェハWに接近した位置に配置されることになるため、接続パッド部PD2,PD3からの電気力線が計測に与える影響を極めて少なくすることができる。尚、光学素子L1の平坦部には、通過領域T及び静電容量センサD10の形成箇所以外の全面に亘って接地電極D20が形成されている。
次に、静電容量センサD10とウェハWとの間の電気力線について考察する。図6は、静電容量センサD10とウェハWとの間の電気力線を説明するための図である。尚、図6においては、投影光学系PLの図示を省略するとともに静電容量センサD10を簡略化して図示しており、更に投影光学系PLとウェハWとの間に供給される液体wも図示を省略している。
まず、図6(a)に示す通り、静電容量センサD10の1つが、ウェハWの中央部の上方に位置する場合を考える。この場合には、ガード電極D12によって形成される電気力線により、センサ電極D11からの電気力線はほぼ平行になる。このため、センサ電極D11とウェハWとを理想的な平行極板コンデンサと見なすことができ、上記の(1)式を適用することができる。
次に、図6(b)に示す通り、静電容量センサD10の1つがウェハWの縁部の上方に位置している場合には、静電容量センサD10からの電気力線の一部がウェハWの側面に向かって入射するようになり、電気力線が著しく曲がってしまう。図6(b)に示す例では、ガード電極D12からの電気力線がウェハWの側面に入射しており、センサ電極D11の電気力線はウェハWの側面には入射していない。しかしながら、ガード電極D12からの電気力線の曲がりの影響を受けて、センサ電極Dからの電気力線も曲がってしまう。これによって、センサ電極D11とウェハWとの間の電気容量が変化し、その結果として投影光学系PLとウェハWとの間の距離の計測誤差が生ずる。
これに対し、本実施形態では、図6(c)に示す通り、ウェハステージ22上に、ウェハWを取り囲むように金属リング50を設け、しかも金属リング50の表面位置の高さをウェハWの表面位置と同様にしている。このため、図6(b)と同様に、静電容量センサD10がウェハWの縁部の上方に位置していても、ガード電極D12からの電気力線は、大きく曲がることなく金属リング50に入射し、ほぼ図6(a)に示した状態の電気力線が得られる。この結果、センサ電極D11からの電気力線がガード電極D12の電気力線の影響を受けて大きく曲がるという事態を防止することができ、投影光学系PLとウェハWとの間の距離の計測誤差は殆ど生じない。
ウェハWの周囲に金属リング50を設けることによって、静電容量センサD10がウェハWの中央部の上方に位置していても、端部の上方に位置していても精確に投影光学系PL(静電容量センサD10)とウェハWとの間の距離を測定することができる。その結果、ウェハWの中央部に位置するショット領域及びウェハWの端部に位置するショット領域の何れの領域を露光する場合であっても、ウェハWの表面を投影光学系PLの像面に合わせ込んだ状態で露光することができる。
また、ウェハWの周囲に金属リング50を設けると、投影光学系PLとウェハWとの間に供給された液体wが金属リング50上にも保持されることになる。このため、金属リング50は、例えばフッ素コート等の撥水性コートが施されているのが望ましい。図7は、金属リング50によって液体wが保持される様子を示す図である。金属リング50の表面には撥水性を有する被覆51が形成されている。ウェハWの周囲に金属リング50を設けることで、液体wがウェハWの縁部から即座にウェハステージ22上に漏れ落ちることを防止することができ、また金属リング50に表面に撥水性を有する被覆51を形成することで、液体wがウェハWと金属リング50との間の隙間に浸入するのを防止することができる。
液体wがウェハステージ22上に漏れ落ちると、ウェハステージ22内部に浸入してウェハステージ22の部品を腐食させる虞がある。また、ウェハステージ22上に液体wが残存すると、液体wが蒸発して投影光学系PLに設けられた光学素子にウォータマークを形成し、又は気化熱を奪ってウェハステージ22の温度変動を引き起こす要因となる。本実施形態では、これらの不具合を防止することができる。
尚、ここでは液体wとして純水を用いる場合を考えているため、撥水性を有する被覆51を金属リング50に形成していたが、液体wとして親油性のものを用いる場合には、被覆51として撥油性を有するものを用いるのが望ましい。勿論、撥水性及び撥油性の両方の被覆がなされていても良い。また、上記の金属リング50は全体が金属で形成されていても良いが、セラミックス等に金属メッキを施したものを用いれば金属リング50の軽量化、ひいてはウェハステージ22の軽量化を図ることができる。また、液体wが純水等の不導体ではない場合には、リーク電流を防止するために、金属の表面に絶縁膜をコートしたものを用いることが好ましい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、前述した第1実施形態においては、ウェハ室WCに供給する不活性ガスとして窒素ガスを用い、前述した第2実施形態においては、液体wの周囲に局所的に供給する不活性ガスを用いていたが、窒素ガス以外にハロゲンガス(Ar、Kr)等を用いることもできる。
尚、上記実施形態においては、露光光源1として、ArFエキシマレーザ光源を使用しているため、液体wとして純水を用いている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、ウェハW上のフォトレジストや光学素子(レンズ)等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有率が極めて低いため、ウェハW表面、及び投影光学系PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。
波長が193nm程度の露光光に対する純水(水)の屈折率nはほぼ1.44であるため、露光光の光源としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)を用いた場合、ウェハW上では1/n、即ち約134nmに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約n倍、即ち約1.44倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。
尚、液浸露光に用いる露光光源1としてKrFエキシマレーザ光源やF2レーザ光源を用いることもできる。F2レーザ光源を用いる場合、液浸露光用の液体としてはF2レーザ光を透過可能な例えばフッ素系オイルや過フッ化ポリエーテル(PFPE)等のフッ素系の液体を用いればよい。また、その他にも、露光光に対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLやウェハW表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油)を用いることも可能である。露光光源1としてKrFエキシマレーザ光源を用いる場合には、大気による吸収が小さいため、照明系チャンバIC及びレチクル室RCを省略することができる。
また、本発明は、特開平10−163099号公報、特開平10−214783号公報、特表2000−505958号公報等に開示されているように、ウェハ等の被処理基板を別々に載置してXY方向に独立に移動可能な2つのステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
更に、光源としてDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイットリビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。例えば、単一波長レーザの発振波長を1.51〜1.59μmの範囲内とすると、発生波長が189〜199nmの範囲内である8倍高調波、又は発生波長が151〜159nmの範囲内である10倍高調波が出力される。
特に、発振波長を1.544〜1.553μmの範囲内とすると、発生波長が193〜194nmの範囲内の8倍高調波、即ちArFエキシマレーザ光とほぼ同一波長となる紫外光が得られ、発振波長を1.57〜1.58μmの範囲内とすると、発生波長が157〜158nmの範囲内の10倍高調波、即ちF2レ−ザ光とほぼ同一波長となる紫外光が得られる。また、発振波長を1.03〜1.12μmの範囲内とすると、発生波長が147〜160nmの範囲内である7倍高調波が出力され、特に発振波長を1.099〜1.106μmの範囲内とすると、発生波長が157〜158μmの範囲内の7倍高調波、即ちF2レーザ光とほぼ同一波長となる紫外光が得られる。この場合、単一波長発振レーザとしては例えばイットリビウム・ドープ・ファイバーレーザを用いることができる。
また、露光光ILとして波長157nmの真空紫外光を用いる場合、この露光光ILは酸素(O2)、水(水蒸気:H2O )、一酸化炭素(CO)、炭酸ガス(二酸化炭素:CO2)、有機物、及びハロゲン化物等によって吸収される。一方、この露光光ILは、窒素ガス(N2)及び水素(H2)、並びにヘリウム(He)、ネオン(Ne)、アルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)、及びラドン(Rn)等の希ガスには殆ど吸収されない。前述した実施形態では透過性ガスとして窒素ガスを用いた場合を例に挙げて説明したが、窒素ガス以外に水素ガス、又はこれらの希ガスを用いることもできる。
窒素ガスは波長が150nm程度以下の光に対しては吸光物質として作用し、ヘリウムガスは波長100nm程度まで透過性ガスとして使用することができる。また、ヘリウムガスは熱伝導率が窒素ガスの約6倍であり、気圧変化に対する屈折率の変動量が窒素ガスの約1/8であるため、特に高透過率と光学系の結像特性の安定性や冷却性とで優れている。尚、ヘリウムガスは高価であるため、露光光の波長がF2レーザのように150nm以上であれば、運転コストを低減させるためにその透過性ガスとして窒素ガスを使用してもよい。
また、前述した実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例に挙げて説明したが、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置にも本発明を適用することができる。更に、本発明は半導体素子の製造に用いられる露光装置だけではなく、液晶表示素子(LCD)等を含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウェハ上へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等にも適用することができる。更には、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウェハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、DUV(遠紫外)光やVUV(真空紫外)光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のX線露光装置、又は電子線露光装置などでは透過型マスク(ステンシルマスク、メンブレンマスク)が用いられ、マスク基板としてはシリコンウェハなどが用いられる。なお、このような露光装置は、WO99/34255号、WO99/50712号、WO99/66370号、特開平11−194479号、特開2000−12453号、特開2000−29202号等に開示されている。
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図8は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造工程の一例を示すフローチャートである。図8に示すように、まず、ステップS10(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS11(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクル)を製作する。一方、ステップS12(ウェハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
次に、ステップS13(ウェハ処理ステップ)において、ステップS10〜ステップS12で用意したマスクとウェハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウェハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS14(デバイス組立ステップ)において、ステップS13で処理されたウェハを用いてデバイス組立を行う。このステップS14には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS15(検査ステップ)において、ステップS14で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
図9は、半導体デバイスの場合における、図8のステップS13の詳細なフローの一例を示す図である。図9において、ステップS21(酸化ステップ)においてはウェハの表面を酸化させる。ステップS22(CVDステップ)においてはウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成ステップ)においてはウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24(イオン打込みステップ)においてはウェハにイオンを打ち込む。以上のステップS21〜ステップS24のそれぞれは、ウェハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウェハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS25(レジスト形成ステップ)において、ウェハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップS26(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置)及び露光方法によってマスクの回路パターンをウェハに転写する。次に、ステップS27(現像ステップ)においては露光されたウェハを現像し、ステップS28(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS29(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
以上説明した本実施形態のマイクロデバイス製造方法を用いれば、露光工程(ステップS26)において、ウェハWが投影光学系PLの像面に精確に合わせ込まれた状態で露光される。このため、レチクルRに形成された微細なパターンをウェハW上へ精確に転写することができ、結果的に微細なパターンを有する高集積度のデバイスを歩留まり良く生産することができる。
25 主制御系(検出装置)
37 窒素ガス供給装置(ガス供給装置)
38 窒素ガス回収装置(ガス回収装置)
40 供給回収板(ガス供給装置、ガス回収装置)
41 窒素ガス供給装置(ガス供給装置)
43 窒素ガス回収装置(ガス回収装置)
50 金属リング(金属部材)
D1 検出電極(検出装置)
D2 検出電極(検出装置)
D10 静電容量センサ(検出装置)
D11 センサ電極(検出電極)
D12 ガード電極(補助電極)
EX 露光装置
G1 液体供給溝(第1溝)
G2 液体回収溝(第2溝)
G3 窒素ガス供給溝(第3溝)
G4 窒素ガス回収溝(第4溝)
PL 投影光学系
W ウェハ(基板)
w 液体
WC ウェハ室(ガス供給装置)
37 窒素ガス供給装置(ガス供給装置)
38 窒素ガス回収装置(ガス回収装置)
40 供給回収板(ガス供給装置、ガス回収装置)
41 窒素ガス供給装置(ガス供給装置)
43 窒素ガス回収装置(ガス回収装置)
50 金属リング(金属部材)
D1 検出電極(検出装置)
D2 検出電極(検出装置)
D10 静電容量センサ(検出装置)
D11 センサ電極(検出電極)
D12 ガード電極(補助電極)
EX 露光装置
G1 液体供給溝(第1溝)
G2 液体回収溝(第2溝)
G3 窒素ガス供給溝(第3溝)
G4 窒素ガス回収溝(第4溝)
PL 投影光学系
W ウェハ(基板)
w 液体
WC ウェハ室(ガス供給装置)
Claims (16)
- 投影光学系を介して基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系と前記基板との間が液体で満たされている状態で、前記投影光学系と前記基板との間の電気容量を検出して前記投影光学系と前記基板との間の距離を求める検出装置と、
前記投影光学系と前記基板との間を満たしている前記液体の周囲に不活性ガスを供給するガス供給装置と
を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記液体が満たされる空間を少なくとも含む空間を密閉するチャンバを備え、
前記ガス供給装置は、前記チャンバ内に前記不活性ガスを供給することにより、前記液体の周囲に前記不活性ガスを供給することを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 前記ガス供給装置によって前記チャンバ内に供給された不活性ガスを回収するガス回収装置を備えることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 前記ガス供給装置は、前記不活性ガスを前記液体の周囲に局所的に供給することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 前記ガス供給装置によって前記液体の周囲に局所的に供給された不活性ガスを回収するガス回収装置を備えることを特徴とする請求項4記載の露光装置。
- 前記投影光学系の先端部に取り付けられており、
液体供給回収装置からの液体を前記投影光学系と前記基板との間に導く第1溝と、
前記投影光学系と前記基板との間を満たしている前記液体を前記液体供給回収装置に導く第2溝と、
前記ガス供給装置からの不活性ガスを前記液体の周囲に局所的に導く第3溝と、
前記液体の周囲に局所的に供給された不活性ガスを前記ガス回収装置に導く第4溝と
が形成されてなる供給回収部材を備えることを特徴とする請求項5記載の露光装置。 - 前記第3溝は、前記第1溝及び第2溝を取り囲むように形成されていることを特徴とする請求項6記載の露光装置。
- 前記第4溝は、前記第3溝を取り囲むように形成されていることを特徴とする請求項7記載の露光装置。
- 前記供給回収部材の先端部に、前記投影光学系と前記基板との間の電気容量を検出する検出電極を備えることを特徴とする請求項6から請求項8の何れか一項に記載の露光装置。
- 投影光学系を介して基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系の像面側に局所的に液体を満たした状態で、前記投影光学系の先端部に取り付けられた検出電極と前記基板との間の電気容量を検出して前記投影光学系と前記基板との間の距離を求める検出装置と、
前記基板の周囲に設けられ、表面位置が前記基板の表面位置とほぼ同一に設定された金属部材と
を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記投影光学系の先端部に取り付けられ、前記検出電極の周囲を取り囲み、前記検出電極に印加される電気信号と同一の電気信号が印加される補助電極を備えることを特徴とする請求項10記載の露光装置。
- 前記金属部材は、セラミックス製の基材に金属メッキを施してなる部材であることを特徴とする請求項10又は請求項11記載の露光装置。
- 前記金属部材は、その表面が絶縁物で被覆されていることを特徴とする請求項10又は請求項11記載の露光装置。
- 前記金属部材は、その表面に撥水性及び撥油性の少なくとも一方を有する被覆が形成されていることを特徴とする請求項10又は請求項11記載の露光装置。
- 前記投影光学系と前記基板との間に前記液体を供給するとともに、供給した前記液体を回収する液体供給回収装置を備えることを特徴とする請求項1から請求項14の何れか一項に記載の露光装置。
- 請求項1から請求項15の何れか一項に記載の露光装置を用いて基板に対して露光処理を行う露光工程と、
前記露光工程を経た基板の現像を行う現像工程と
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003423906A JP2005183744A (ja) | 2003-12-22 | 2003-12-22 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003423906A JP2005183744A (ja) | 2003-12-22 | 2003-12-22 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005183744A true JP2005183744A (ja) | 2005-07-07 |
Family
ID=34784237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003423906A Withdrawn JP2005183744A (ja) | 2003-12-22 | 2003-12-22 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005183744A (ja) |
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|
A761 | Written withdrawal of application |
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