JP2006173620A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
【解決手段】本発明によれば、閉塞面が液体供給システムと衝突することによって生じる粒子による汚染を避けるため、または低減させるために、閉塞面を液体供給システムから離れた所定の距離の所に維持して、閉塞面と液体供給システムの間の衝突がなくなるようにされ、それでもなお液体は閉じ込められている。
【選択図】図7
Description
パターンが形成されたビームを、基板テーブルによって支持された基板に投影するように構成された投影システムと、
投影システムと基板の間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
液体供給システムによって供給された液体を閉じ込めるための面を、基板に代わって形成するように構成された閉塞面と、
液体供給システムから供給された液体を、閉塞面を用いて閉じ込めるとき、液体供給システムと閉塞面の間に隙間を生成および維持するように構成された閉塞面位置決め装置と
を有するリソグラフィ装置が提供される。
液体供給システムを用いて、リソグラフィ投影装置の投影システムと基板の間の空間に液体を供給するステップと、
閉塞面が液体供給システムによって供給された液体を、基板に代わって閉じ込める際に、液体供給システムと閉塞面との間に隙間を生成および維持するステップと、
液体供給システムによって供給された液体を閉じ込めるための面として基板を用いるとき、パターンが形成された放射線ビームを、液体を通して基板に投影するステップと
を含むデバイス製造方法が提供される。
(1)放射線ビームB(例えば、UV放射線またはDUV放射線)を調節するように構成された照明系(照明器)ILと、
(2)パターン形成装置(例えばマスク)MAを支持するように構成された支持構造体(例えばマスク・テーブル)MTであって、あるパラメータに従ってパターン形成装置を正確に位置決めするように構成された第1の位置決め装置PMに接続された支持構造体MTと、
(3)基板(例えばレジスト塗布ウェハ)Wを保持するように構成された基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WTであって、あるパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決め装置PWに接続された基板テーブルWTと、
(4)パターン形成装置MAによって放射線ビームBに与えられたパターンを、基板Wの(例えば1つまたは複数のダイを含む)ターゲット部分Cに投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズ系)PSと
を有している。
(1)ステップ・モードでは、放射線ビームに与えられたパターン全体を1回でターゲット部分Cに投影する間、支持構造体MTおよび基板テーブルWTが本質的に静止した状態に保たれる(すなわち、ただ1回の静止露光)。次いで、異なるターゲット部分Cを露光することができるように、基板テーブルWTをXおよび/またはY方向に移動させる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の静止露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
(2)走査モードでは、放射線ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する間、支持構造体MTおよび基板テーブルWTが同期して走査される(すなわち、ただ1回の動的露光)。支持構造体MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)率、および像(イメージ)の反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の動的露光におけるターゲット部分の(非走査方向の)幅が制限され、走査移動の長さによってターゲット部分の(走査方向の)高さが決定される。
(3)他のモードでは、放射線ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する間、プログラム可能なパターン形成装置を保持しながら支持構造体MTを本質的に静止した状態に保ち、基板テーブルWTを移動または走査させる。このモードでは、一般にパルス式の放射線源が使用され、基板テーブルWTが移動するたびに、または走査中の連続する放射線パルスの合間に、プログラム可能なパターン形成装置が必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイなど、プログラム可能なパターン形成装置を利用するマスクレス・リソグラフィに簡単に適用することができる。
B 放射線ビーム
BD ビーム・デリバリ・システム
C ターゲット部分
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明器
IN 積算器
MA パターン形成装置、マスク
MT 支持構造体、マスク・テーブル
M1、M2 パターン形成装置アライメント・マーク
PM、PW 位置決め装置
P1、P2 基板アライメント・マーク
PS 投影システム
SO 放射線源
W 基板
WT 基板テーブル
IN 入口
OUT 出口
PL 投影システム
10 リザーバ
11 浸漬液
12 液体閉じ込め構造体
13 液体流れ
14 出口
15 入口
16 ガス・シール
20 閉塞板
22 把持部
24 磁石
Claims (14)
- パターンが形成された放射線ビームを、基板テーブルによって支持された基板に投影するように構成された投影システムと、
前記投影システムと前記基板の間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
前記基板に代わって、前記液体供給システムから供給された液体を閉じ込めるための面を形成するように構成された閉塞面と、
前記閉塞面を用いて前記液体供給システムから供給された液体を閉じ込めるときに、前記液体供給システムと前記閉塞面の間に隙間を生成および維持するように構成された閉塞面位置決め装置と
を有するリソグラフィ装置。 - 前記閉塞面位置決め装置が入口および出口を有し、該入口および該出口は、該入口によって供給された液体によって加えられる力と、該出口によって提供される低圧との間の平衡状態を生成するように構成されている請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記閉塞面が閉塞板上に形成されており、前記閉塞面位置決め装置が、前記液体供給システム内の液体に面している面以外の面で前記閉塞板を把持するように構成された把持部を有している請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記閉塞面位置決め装置が、前記閉塞面を前記基板テーブルから移動させるように構成されたピン・システムを有している請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記閉塞面位置決め装置が、前記液体供給システムおよび前記閉塞面のそれぞれに磁石を有している請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 反対の極を有している前記液体供給システムおよび前記閉塞面の磁石のそれぞれが、同じ極を有している前記液体供給システムおよび前記閉塞面の磁石のそれぞれに対してバランスされている請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記閉塞面位置決め装置が、前記液体供給システムおよび前記基板テーブルのそれぞれに磁石を有している請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 液体供給システムを用いてリソグラフィ投影装置の投影システムと基板の間の空間に液体を供給するステップと、
前記液体供給システムによって供給された液体を基板に代わって閉塞面が閉じ込めるときに、前記液体供給システムと前記閉塞面との間に隙間を生成および維持するステップと、
前記基板が、前記液体供給システムから供給された液体を閉じ込めるための面として用いられるとき、パターンが形成された放射線ビームを、前記液体を通して前記基板に投影するステップと、
を含むデバイス製造方法。 - 前記隙間を生成および維持するステップが、ガス流れと低圧とによって加えられる力の間の平衡状態を生成するステップを含む請求項8に記載のデバイス製造方法。
- 前記閉塞面が閉塞板上に形成されており、前記隙間を生成および維持するステップが、前記液体供給システム内の液体に面している面以外の面で前記閉塞板を把持するステップを含む請求項8に記載のデバイス製造方法。
- 前記隙間を生成および維持するステップが、ピンを用いて前記閉塞面を前記基板テーブルから移動させるステップを含む請求項8に記載のデバイス製造方法。
- 前記隙間を生成および維持するステップが、前記液体供給システムおよび前記閉塞面のそれぞれに設けられた磁石を用いて、前記隙間を磁気的に維持するステップを含む請求項8に記載のデバイス製造方法。
- 前記液体供給システムおよび閉塞面のそれぞれに設けられた磁石を用いて隙間を維持するステップが、同じ極を有する前記液体供給システムおよび前記閉塞面の磁石のそれぞれに対してバランスされた、反対の極を有する前記液体供給システムおよび前記閉塞面の磁石のそれぞれを用いて前記隙間を維持するステップを含む請求項12に記載のデバイス製造方法。
- 前記隙間を生成および維持するステップが、前記液体供給システムおよび前記基板テーブルのそれぞれに設けられた磁石を用いて、前記隙間を磁気的に維持するステップを含む請求項8に記載のデバイス製造方法。
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