KR20060067866A - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20060067866A
KR20060067866A KR1020050122897A KR20050122897A KR20060067866A KR 20060067866 A KR20060067866 A KR 20060067866A KR 1020050122897 A KR1020050122897 A KR 1020050122897A KR 20050122897 A KR20050122897 A KR 20050122897A KR 20060067866 A KR20060067866 A KR 20060067866A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
supply system
liquid supply
substrate
closing surface
Prior art date
Application number
KR1020050122897A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100674224B1 (ko
Inventor
한스 얀센
파트리시우스 알로이시우스 야코부스 틴네만스
얀-게라르트 코르넬리스 반 데르 투른
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20060067866A publication Critical patent/KR20060067866A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100674224B1 publication Critical patent/KR100674224B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply

Abstract

본 발명은, 클로징 표면이 액체 공급 시스템내의 액체를 한정하는데 사용되는 경우, 리소그래피 장치내의 침지 액체의 오염을 감소시키는 방법에 관한 것이다. 액체 공급 시스템과 충돌하는 클로징 표면에 의해 유도된 미립자 오염을 회피하거나 감소시키기 위해서, 클로징 표면과 액체 공급 시스템 사이의 충돌이 존재하지 않으면서 액체가 한정되도록, 클로징 표면은 액체 공급 시스템으로부터 멀리 떨어진 거리에서 유지된다.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만, 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2 및 도 3은 리소그래피 투영 장치에서 사용되는 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
도 4는 리소그래피 투영 장치에서 사용되는 또 다른 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
도 5는 리소그래피 투영 장치에서 사용되는 또 다른 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
도 6은 클로징 플레이트(closing plate)를 갖는 액체 공급 시스템의 액체 한정 구조체(liquid confinement structure)를 도시하는 도면;
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 위치된 클로징 플레이트를 갖는, 도 2에 도시된 액체 공급 시스템의 액체 한정 구조체를 도시하는 도면:
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른, 도 7의 액체 한정 구조체 및 클로징 플레이트 방위를 도시하는 도면; 및
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른, 도 7의 액체 한정 구조체 및 클로징 플레이트 방위를 도시하는 도면이다.
본 발명은, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법, 특히 투영 시스템과 노광될 기판 사이에 액체를 보유(contain)하고 있는 침지 리소그래피 장치 및 그와 관련된 침지 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판상에, 통상적으로는 기판의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼)상의 (예를 들어, 1개 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부상의 전체패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는, 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향) 으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 투영 장치에서, 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체(예를 들어, 물)에 기판을 침지(immerse)시키는 것이 제안되었다. 이것의 핵심은, 노광 방사선이 액체내에서 보다 짧은 파장을 가지기 때문에 보다 작은 피처들을 이미징할 수 있다는 것에 있다. (또한, 액체의 효과는 상기 시스템의 유효 NA를 증가시키고 초점심도(depth of focus)를 증가시키는 것으로도 간주될 수 있다.) 고체 입자들(예를 들어, 쿼츠)이 부유(suspend)되어 있는 물을 포함하는 여타의 침지 액체들이 제안되었다.
하지만, 액체의 바스(bath)내에 기판 또는 기판과 기판 테이블을 담그는(submersing) 것(예를 들어, 본 명세서에서 전문이 인용참조되고 있는 미국 특허 제 4,509,852호 참조)은, 스캐닝 노광 중에 가속되어야만 하는 큰 몸체의 액체가 존재한다는 것을 의미한다. 이는 추가적인 또는 보다 강력한 모터들을 필요로 하며, 액체내에서의 난류(turbulence)는 바람직하지 않고 또한 예측할 수 없는 효과들을 초래할 수도 있다.
제안된 해결책 중 하나는, 액체 공급 시스템이 기판의 국부적인 영역에만 그리고 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이에 액체를 제공하는 것이다(일반적으로, 기판은 투영 시스템의 최종 요소보다 큰 표면적을 가진다). 이렇게 배치시키기 위해서 제안된 한가지 방법이 PCT 특허 출원 WO 99/49504호에 개시되어 있으며, 그 전문이 본 명세서에서 인용참조되고 있다. 도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이, 액체는 1이상의 유입구(IN)에 의하여, 바람직하게는 최종 요소에 대한 기판의 이동방향을 따라 기판상으로 공급되며, 투영 시스템 아래를 통과한 후에는 1이상의 유출구(OUT)에 의하여 제거된다. 즉, 기판이 -X 방향으로 요소의 밑에서 스캐닝되기 때문에, 액체는 상기 요소의 +X 쪽에서 공급되고 -X 쪽에서 흡수(take up)된다. 도 2는, 액체가 유입구(IN)를 통하여 공급되고 저압력원에 연결된 유출구(OUT)에 의하여 요소의 다른 쪽상에서 흡수되는 구성예를 개략적으로 도시한다. 도 2의 예시에서, 액체는 최종 요소에 대한 기판의 이동 방향을 따라 공급되나, 반드시 이와 같을 필요는 없다. 최종 요소 주위에 위치된 유입구들 및 유출구들의 방위 및 개수는 다양할 수 있으며, 도 3에는 양쪽에 유출구를 갖는 유입구의 4개의 세트들이 최종 요소 주위에 규칙적인 패턴으로 제공되는 일례가 예시되어 있다.
기판들의 노광들 사이에, 노광된 마무리된 기판은 노광될 기판과 교체(swap)된다. 침지 리소그래피 장치에서 이를 행하기 위해서는, 침지 액체 및 액체 공급 시스템 아래에 위치된 기판이 클로징 표면(closing surface)으로 대체(replace)될 수 있다. 클로징 표면은, 예를 들어 기판에 인접한 액체를 제거하지 않아도 기판이 또 다른 기판과 교체될 수 있게 한다. 클로징 표면은 액체 공급 시스템내의 액체 유동이 방해되지 않게(uninterrupted) 유지되게 하며 또한 투영 시스템의 최종 광학 요소의 표면을 계속 습하게(wet) 유지할 수 있게 한다. 일 기판을 또 다른 기판으로 교체하기 위해서 클로징 표면이 사용될 수도 있지만, 상기 클로징 표면은 기 판 및/또는 기판 테이블로부터 액체를 제거하는 것이 바람직한, 액체 없는 기판의 측정들, 기판 테이블상의 유지(maintenance) 등과 같은 다른 용도들로도 사용될 수도 있다.
일 실시예에서, 클로징 표면은 액체 공급 시스템의 액체 한정 구조체의 저부면상에서 진공을 이용하여 액체 공급 시스템과 커플링(couple)될 수 있다. 클로징 표면을 커플링하는데 사용될 수 있는 상기 방법 및 다른 방법, 예컨대 기계적 방법들로 인한 잠재적인 문제점은, 클로징 표면이 액체 공급 시스템에 충격을 주는 경우, 입자들이 클로징 표면 또는 액체 공급 시스템으로부터 떨어져 나올 수 있으며 액체에 들어갈 수 있다는 것이다. 이들 입자들은, 액체 공급 시스템 및 액체를 오염시킬 수 있고, 투영 시스템의 최종 요소 및/또는 기판을 오염시킬 수 있으며 및/또한 광을 부분적으로 차단할 수 있으므로, 결함들(defects)을 프린팅을 유발할 수 있다. 노광 방사선 빔의 경로내에 주어질 수 있는, 최종 요소상의, 기판상의 및/또는 액체내의 오염은, 기판의 노광의 정확성을 감소시킬 수 있다. 더욱이, 기판상의 오염물들의 증착(deposition)은, 노광 공정 이후에 수행되는 다른 처리 단계들, 예컨대 에칭, 증착 등에서 여러가지 문제점을 유발할 수 있다.
따라서, 예를 들어, 액체에 인접해 있거나 접촉해 있는 표면들 중 어느 것 또는 그 전부와 침지 액체의 오염의 위험성을 감소시킬 수 있는 클로징 표면 위치설정 시스템을 구비하는 것이 유익할 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치가 제공되며, 상기 장치는:
기판 테이블에 의해 지지된 기판상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템;
상기 투영 시스템과 상기 기판 사이의 공간에 액체를 공급하도록 구성된 액체 공급 시스템;
상기 기판 대신에, 상기 액체 공급 시스템에 의해 공급된 액체에 대한 한정면(confining surface)을 제공하도록 구성된 클로징 표면; 및
상기 클로징 표면이 상기 액체 공급 시스템에 의해 공급된 상기 액체를 한정하는데 사용되는 경우, 상기 액체 공급 시스템과 상기 클로징 표면 사이에 갭을 생성하고 유지하도록 구성된 클로징 표면 위치설정 디바이스를 포함하여 이루어진다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 디바이스 제조 방법이 제공되며, 상기 방법은:
액체 공급 시스템을 이용하여 리소그래피 투영 장치의 투영 시스템과 기판 사이의 공간에 액체를 공급하는 단계;
기판 대신에, 클로징 표면이 상기 액체 공급 시스템에 의해 공급된 상기 액체를 한정하는데 사용되는 경우, 상기 액체 공급 시스템과 상기 클로징 표면 사이에 갭을 생성하고 유지하는 단계; 및
상기 기판이 상기 액체 공급 시스템에 의해 공급된 액체에 대한 한정면으로서 사용되는 경우, 상기 액체를 통해 상기 기판 상으로 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하여 이루어진다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:
- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함)상에 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함하여 이루어진다.
조명 시스템은, 방사선의 지향, 성형 또는 제어를 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 여하한의 타입의 광학 구성요소들, 또는 그 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소를 포함할 수 있다.
지지 구조체는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 여타의 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 여타의 클램핑 기술들을 이용할 수 있 다. 지지 구조체는 필요에 따라 고정되거나 이동될 수 있는 프레임 또는 테이블일 수도 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 어떠한 용어의 사용도 "패터닝 디바이스"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로도 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정 기능층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크 형식도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여 한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 유체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭, 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템들 또는 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로도 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 상기 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지)이상의 기판 테이블들(및/또는 2이상의 지지 구조체들)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(S0)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은, 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스 (SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라, 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 가지기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT))상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA))상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사 용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module)(개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module)(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동 또한, 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수도 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(MT)는 단지 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1, M2) 및 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된 타겟부(dedicated target portion)들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다). 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA)상에 1이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
서술된 장치는 다음과 같은 모드들 중 1이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C)상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 그런 후, 기판 테이블(WT)은 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)). 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 확대(축소) 및 투영 시스템(PS)의 이미지 반전 특성에 의하여 결정된다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들을 채용할 수 있다.
국부화된 액체 공급 시스템을 갖는 또 다른 침지 리소그래피 해결책이 도 4에 도시되어 있다. 액체는 투영 시스템(PL)의 양쪽상의 2개의 홈 유입구들(groove inlets; IN)들에 의해 공급되며, 상기 유입구들(IN)의 반경방향 바깥쪽으로 배치된 복수의 분리 유출구들(discrete outlets; OUT)들에 의해 제거된다. 유입구들(IN) 및 유출구들(OUT)은 중심에 구멍이 있는 판내에 배치될 수 있으며, 그를 통해 투영빔이 투영된다. 액체는 투영 시스템(PL)의 한쪽상의 1개의 홈 유입구(IN)에 의해 공급되고, 투영 시스템(PL)의 다른쪽상의 복수의 분리 유입구들(OUT)에 의해 제거되므로, 투영 시스템(PL)과 기판(W) 사이에는 액체의 얇은 막의 유동이 생기게 된다. 사용을 위한 유입구(IN) 및 유출구들(OUT)의 이러한 조합의 선택은, 기판(W)의 이동 방향에 의존할 수 있다(유입구(IN) 및 유출구들(OUT)의 그 다른 조합은 비활동적(inactive)이다).
제안되었던 국부화된 액체 공급 시스템 해결책을 이용한 또 다른 침지 리소그래피 해결책은, 액체 공급 시스템에, 투영 시스템의 최종 요소와 기판 테이블 사이의 공간의 경계부의 전체 또는 일부분을 따라 연장되는 액체 한정 구조체를 제공하는 것이다. 이러한 시스템은 도 5에 도시되어 있다. 액체 한정 구조체는, Z 방향으로(광학 축선의 방향으로) 약간의 상대 이동이 있을 수도 있지만, 투영 시스템에 대해 XY 평면으로 실질적으로 정지해 있다. 액체 한정 구조체와 기판의 표면 사이에 시일이 형성된다. 일 실시예에서, 시일은 가스 시일과 같은 무접촉 시일이다. 가스 시일을 갖는 이러한 시스템은, 미국 특허 출원 제 US 10/705,783호에 개시되어 있으며, 본 명세서에서 전문이 인용참조되고 있다.
도 5는 기판 표면과 투영 시스템의 최종 요소 사이의 공간을 채우기 위해 액체가 한정되도록, 투영 시스템의 이미지 필드 주위의 기판에 무접촉 시일을 형성하 는 저장소(reservoir)(10)의 구성을 도시한다. 투영 시스템(PL)의 최종 요소 아래에 위치되며 또한 상기 요소를 둘러싸는 액체 한정 구조체(12)가 저장소를 형성한다. 액체는 투영 시스템 아래의 또한 액체 한정 구조체(12)내의 공간 안으로 유입된다. 액체 한정 구조체(12)는 투영 시스템의 최종 요소 위로 약간 연장되고, 그 액체 레벨은 액체의 버퍼가 제공되도록 최종 요소 위로 상승해 있다. 액체 한정 구조체(12)는, 그 상단부에서 투영 시스템 또는 그 최종 요소의 형상에 대해 꼭맞게 되어 있는(closely conform) 내주면을 가지며, 예를 들어 둥근 형상일 수 있다. 그 저부에서, 상기 내주면은 이미지 필드의 형상, 예컨대 직사각형에 대해 꼭맞게 되어 있지만, 반드시 이와 같을 필요는 없다.
액체 한정 구조체(12)의 저부와 기판(W)의 표면 사이의 가스 시일(16)에 의해 액체가 저장소내에 한정된다. 압력하에서 유입구(15)를 통하여 액체 한정 구조체(12)와 기판 사이의 갭으로 제공되고 또한 유출구(14)를 통해 배출되는 가스, 예컨대 공기, 또는 합성 공기, 또는 N2, 또는 불활성 가스에 의해 가스 시일이 형성된다. 가스 유입구(15)상의 오버프레셔(overpressure), 유출구(14)의 진공 레벨, 및 갭의 지오메트리는, 액체를 한정하는 고속의 가스 유동이 안쪽으로 존재하도록 배치된다. 당업자라면, 단순히 액체 및/또는 가스를 제거하는 유출구와 같이, 여타의 시일 타입들이 액체를 보유하는데 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
또한, 가스 시일은 액체 공급 시스템과, 클로징 표면 또는 기판 테이블 중 어느 하나 사이에 갭을 생성하는데에도 사용될 수 있다.
도 5는 기판(W)이 침지 액체(11) 아래에 위치된 액체 공급 시스템의 액체 한정 구조체(12)를 도시한다. 예를 들어, 이 기판이 다음에 노광될 또 다른 기판과 교체되어야 하는 경우, 기판(W)은 도 6에 도시된 바와 같은 클로징 플레이트(20)로 교체된다. 클로징 플레이트(20)는 반드시 판형일 필요는 없으며 단지 액체를 한정할 수 있는 표면을 제공하기만 하면 된다. 따라서, 클로징 플레이트(20)는 클로징 구조체 또는 클로징 표면이라고도 언급될 수 있다.
도 6은 클로징 플레이트(20) 및 액체 한정 구조체(12)의 방위를 도시한다. 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같은 유출구(14)를 통해 제공되는 낮은 압력은, 액체 한정 구조체(12)에 대해 클로징 플레이트(20)를 강제(urge)시키는데 사용된다. 클로징 플레이트(20)가 유출구(14)에 의해 액체 한정 구조체(12)에 대해 강제되는 경우, 물리적인 접촉에 의해 우세하게 전달된(predominantly initiated), 액체 한정 구조체(12) 및/또는 클로징 플레이트(20)의 표면으로부터 방출되는 입자들로 인해, 침지 액체(11)의 미립자 오염이 생길 수 있다. 소정 양의 액체 유동(13)이 존재하여도, 이는 클로징 플레이트(20)의 표면에 근접한 액체(11)를 순환시키지 않으며, 또한 클로징 플레이트가 제자리에(in position) 존재하는 한 입자들이 쉽게 세정되지 않을 것이다.
도 7은 액체 한정 구조체(12)로부터 소정 거리에 유지되어 있는 클로징 플레이트(20)를 도시한다. 이러한 방식으로, 2이상의 장점들이 존재하는데, 첫번째 장점은 입자들이 액체 한정 시스템(12) 및/또는 클로징 플레이트(20)의 표면으로부터 쉽게 떨어지지 않을 것이라는 것이며, 또한 두번째 장점은 침지 액체(11)내에 떨어 지고 존재하는 여하한의 입자들이 액체의 순환에 의해 특히 유출구(14)를 통해 제거될 수 있다는 것이다.
클로징 플레이트가 액체 공급 시스템(예를 들어, 액체 한정 구조체)으로부터 멀리 떨어진 거리에 유지될 수 있는 클로징 플레이트 위치설정 디바이스들이 존재한다. 도 5에 도시된 바와 같이, 이러한 제 1 의 디바이스는, 유출구(14)의 낮은 압력과 유입구(15)를 통해 제공되는 가스 유동간의 평형 상태(equilibrium state)를 유지하는데 사용될 수 있는 액체 한정 구조체의 유입구(15) 및 유출구(14)이다. 이 평형은 침지 액체(11)를 보유하는데 사용될 뿐만 아니라, 클로징 플레이트가 액체 한정 구조체 바로 아래에서 "표유(float)"되게 한다.
도 8은 그리퍼(gripper)(22)를 이용하여 액체 한정 구조체(12)로부터 멀리 떨어진 거리에 유지되어 있는 클로징 플레이트를 도시한다. 그리퍼는 (예를 들어, 기판 교체의) 원하는 기간 동안에 클로징 플레이트(12)의 위치를 유지하는 여하한의 기계적 디바이스일 수 있다. 도 8에서, 그리퍼(22)는 일 단부에서 클로징 플레이트(20)에 연결되며 다른 단부에서는 액체 한정 구조체(12)에 연결되어 있다. 그리퍼(22)의 다른 단부는 리소그래피 장치의 프레임 또는 기판 테이블(WT)과 같이, 액체 한정 구조체(12) 이외의 구조체들과 연결될 수 있다. 대안예는, 예를 들어 기판 테이블(WT) 또는 여하한의 기계 디바이스상의 그 놓여있는 위치(resting position)로부터 클로징 플레이트(20)를 밀어내는 1이상의 핀들을 포함하는 핀 시스템일 수 있다.
도 9는 본 발명의 대안적인 실시예를 도시한다. 특히, 클로징 플레이트(20) 는 자석들(24)의 이용에 의해 액체 한정 구조체(12)로부터 멀리 떨어진 거리에서 유지된다. 자석들은 상술된 저압/가스 유동 평형과 연계하여 사용될 수 있거나, 1이상의 다른 자석들에 대해 밸런싱(balance)될 수 있다. 예를 들어, 반대 극(pole)들을 갖는 자석들은, 클로징 플레이트(20)가 "표유"하게 되도록, 서로 향하는 동일한 극들을 갖는 자석들에 대해 밸런싱될 수 있다. 일 실시예에서, 액체 한정 구조체(12)로부터 멀리 떨어진 거리에서 클로징 플레이트(20)를 유지하는 것을 용이하게 하기 위해서, 액체 공급 시스템과 기판 테이블의 각각 상에 자석이 제공될 수 있다. 정전기와 같이 등과 같이, 액체 공급 시스템으로부터 멀리 떨어진 거리에서 클로징 플레이트(20)를 유지하는 다른 유사한 방법이 존재할 수도 있음을 이해할 것이다.
유럽 특허 출원 제 03257072.3호에서는, 트윈 또는 듀얼 스테이지 침지 리소그래피 장치의 개념이 개시되어 있다. 이러한 장치에는 기판을 지지하는 2개의 기판 테이블들이 제공된다. 침지 액체가 없는 제 1 위치에서는, 하나의 테이블을 이용하여 레벨링 측정들(leveling measurements)이 수행되며, 침지 액체가 존재하는 제 2 위치에서는 다른 테이블을 이용하여 노광이 수행된다. 대안적으로, 상기 장치는 하나의 테이블만을 가질 수 있다.
본 명세서에서는, IC의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에서 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드의 제조와 같이 여타의 응용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 또는 검사툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리툴과 여타의 기판 처리툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126㎚의 파장을 가지거나 대략 이정도의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절 및 반사 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 나타낼 수 있다.
이상, 특정 실시예들이 서술되었지만, 본 발명은 서술된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명은 상기에 개시된 바와 같은 방법을 설명하는 기계-판독가능한 명령어들의 1이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체( 예컨대, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
본 발명의 1이상의 실시예들은, 상기 언급된 이들 타입들과 같이, 또한 침지 액체가 바스의 형태로 또는 기판의 국부화된 표면 영역상에만 제공되는지에 따라, 여하한의 침지 리소그래피 장치에 적용될 수 있다. 액체 공급 시스템은 투영 시스템과 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 액체를 제공하는 여하한의 기구이다. 이는 1이상의 구조체들, 1이상의 액체 유입구들, 1이상의 가스 유입구들, 1이상의 가스 유출구들, 및/또는 1이상의 액체 유출구들의 여하한의 조합을 포함할 수도 있으며, 상기 조합은 상기 공간에 액체를 제공하고 한정한다. 일 실시예에서, 공간의 표면은 기판 및/또는 기판 테이블의 일부분일 수도 있거나, 기판 및/또는 기판 테이블의 표면을 완전히 덮을 수도 있거나, 기판 및/또는 기판 테이블을 에워쌀(envelop) 수도 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면, 하기에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명에 따르면, 액체에 인접해 있거나 접촉해 있는 표면과 침지 액체의 오염의 위험성을 감소시킬 수 있는 클로징 표면 위치설정 시스템을 구비한 리소그래피 장치, 및 이를 이용한 디바이스 제조 방법이 제공된다.

Claims (14)

  1. 리소그래피 장치에 있어서,
    기판 테이블에 의해 지지된 기판상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템;
    상기 투영 시스템과 상기 기판 사이의 공간에 액체를 공급하도록 구성된 액체 공급 시스템;
    상기 기판 대신에, 상기 액체 공급 시스템에 의해 공급된 액체에 대한 한정면(confining surface)을 제공하도록 구성된 클로징 표면(closing surface); 및
    상기 클로징 표면이 상기 액체 공급 시스템에 의해 공급된 상기 액체를 한정하는데 사용되는 경우, 상기 액체 공급 시스템과 상기 클로징 표면 사이에 갭을 생성하고 유지하도록 구성된 클로징 표면 위치설정 디바이스를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 클로징 표면 위치설정 디바이스는, 유입구에 의해 공급된 유체와 유출구에 의해 제공된 저압에 의해 가해진 힘들간에 평형 상태(equilibrium state)를 생성하도록 구성된 상기 유입구 및 상기 유출구를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 클로징 표면은 클로징 플레이트상에 형성되고, 상기 클로징 표면 위치설정 디바이스는 상기 액체 공급 시스템내의 액체를 향하는 방향과는 다르게 향해 있는 면(face)상의 상기 클로징 플레이트를 그리핑(grip)하도록 구성된 그리퍼(gripper)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 클로징 표면 위치설정 디바이스는 상기 기판 테이블로부터 상기 클로징 표면을 변위(displace)시키도록 구성된 핀 시스템(pin system)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 클로징 표면 위치설정 디바이스는 상기 클로징 표면 및 상기 액체 공급 시스템의 각각 상에 자석을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    반대 극들(poles)을 갖는 상기 클로징 표면 및 상기 액체 공급 시스템의 각각 상의 자석은 동일한 극들을 갖는 상기 클로징 표면 및 상기 액체 공급 시스템의 각각 상의 자석에 대해 밸런싱(balance)되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 클로징 표면 위치설정 디바이스는 상기 기판테이블 및 상기 액체 공급 시스템의 각각 상에 자석을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  8. 디바이스 제조 방법에 있어서,
    액체 공급 시스템을 이용하여 리소그래피 투영 장치의 투영 시스템과 기판 사이의 공간에 액체를 공급하는 단계;
    기판 대신에, 클로징 표면이 상기 액체 공급 시스템에 의해 공급된 상기 액체를 한정하는데 사용되는 경우, 상기 액체 공급 시스템과 상기 클로징 표면 사이에 갭을 생성하고 유지하는 단계; 및
    상기 기판이 상기 액체 공급 시스템에 의해 공급된 액체에 대한 한정면으로서 사용되는 경우, 상기 액체를 통해 상기 기판 상으로 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 갭을 생성하고 유지하는 단계는, 가스 유동 및 저압에 의해 가해진 힘들간에 평형 상태를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 클로징 표면은 클로징 표면상에 형성되고, 상기 갭을 생성하고 유지하는 단계는 상기 액체 공급 시스템내의 액체를 향하는 방향과는 다르게 향해 있는 면상의 상기 클로징 플레이트를 그리핑하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 갭을 생성하고 유지하는 단계는, 핀을 이용하여 상기 기판 테이블로부터 상기 클로징 표면을 변위시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 갭을 생성하고 유지하는 단계는, 상기 클로징 표면 및 상기 액체 공급 시스템의 각각 상에 제공된 자석을 이용하여 상기 갭을 자기적으로 유지하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 클로징 표면 및 상기 액체 공급 시스템의 각각 상에 제공된 자석을 이용하여 상기 갭을 유지하는 단계는, 반대 극들을 갖는 상기 클로징 표면 및 상기 액체 공급 시스템의 각각 상의 자석이 동일한 극들을 갖는 상기 클로징 표면 및 상기 액체 공급 시스템의 각각 상의 자석에 대해 밸런싱(balance)되는 것을 이용하여 상기 갭을 유지하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 갭을 생성하고 유지하는 단계는, 상기 기판 테이블 및 상기 액체 공급 시스템의 각각 상에 제공된 자석을 이용하여 상기 갭을 자기적으로 유지하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
KR1020050122897A 2004-12-15 2005-12-14 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 KR100674224B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/012,061 US7403261B2 (en) 2004-12-15 2004-12-15 Lithographic apparatus and device manufacturing method
US11/012,061 2004-12-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060067866A true KR20060067866A (ko) 2006-06-20
KR100674224B1 KR100674224B1 (ko) 2007-01-25

Family

ID=35709067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050122897A KR100674224B1 (ko) 2004-12-15 2005-12-14 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법

Country Status (8)

Country Link
US (3) US7403261B2 (ko)
EP (1) EP1672432B1 (ko)
JP (3) JP4372095B2 (ko)
KR (1) KR100674224B1 (ko)
CN (1) CN1821881B (ko)
DE (1) DE602005020893D1 (ko)
SG (2) SG144150A1 (ko)
TW (1) TWI321269B (ko)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BR0307589A (pt) 2002-02-11 2005-02-01 Antares Pharma Inc Dispositivo de injeção intradérmica
KR101533206B1 (ko) * 2003-04-11 2015-07-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
KR101419663B1 (ko) 2003-06-19 2014-07-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE602006012746D1 (de) * 2005-01-14 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
ES2716135T5 (es) 2005-01-24 2023-06-15 Antares Pharma Inc Inyector de chorro asistido por aguja con jeringa precargada
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9144648B2 (en) 2006-05-03 2015-09-29 Antares Pharma, Inc. Injector with adjustable dosing
WO2007131013A1 (en) 2006-05-03 2007-11-15 Antares Pharma, Inc. Two-stage reconstituting injector
US8040490B2 (en) * 2006-12-01 2011-10-18 Nikon Corporation Liquid immersion exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20080222074A1 (en) * 2007-02-22 2008-09-11 Peter Lieberwirth Method or corresponding system employing templates for creating an organizational structure of knowledge
US8237911B2 (en) * 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US7561250B2 (en) * 2007-06-19 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having parts with a coated film adhered thereto
WO2009114542A1 (en) 2008-03-10 2009-09-17 Antares Pharma, Inc. Injector safety device
US9176393B2 (en) * 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
CA2732812C (en) 2008-08-05 2017-10-31 Antares Pharma, Inc. Multiple dosage injector
US8579865B2 (en) 2009-03-20 2013-11-12 Antares Pharma, Inc. Hazardous agent injection system
NL2005610A (en) * 2009-12-02 2011-06-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and surface cleaning method.
NL2005655A (en) * 2009-12-09 2011-06-14 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
US9220660B2 (en) 2011-07-15 2015-12-29 Antares Pharma, Inc. Liquid-transfer adapter beveled spike
US8496619B2 (en) 2011-07-15 2013-07-30 Antares Pharma, Inc. Injection device with cammed ram assembly
PT2822618T (pt) 2012-03-06 2024-03-04 Antares Pharma Inc Seringa pré-cheia com característica de força de rutura
EP2833944A4 (en) 2012-04-06 2016-05-25 Antares Pharma Inc ADMINISTRATION OF TESTOSTERONE COMPOSITIONS BY NEEDLE-SUPPORTED NOZZLE INJECTION
US9364610B2 (en) 2012-05-07 2016-06-14 Antares Pharma, Inc. Injection device with cammed ram assembly
CA2900672C (en) 2013-02-11 2018-03-27 Antares Pharma, Inc. Needle assisted jet injection device having reduced trigger force
ES2742046T3 (es) 2013-03-11 2020-02-12 Antares Pharma Inc Inyector de dosis con sistema de piñón
WO2014165136A1 (en) 2013-03-12 2014-10-09 Antares Pharma, Inc. Constant volume prefilled syringes and kits thereof

Family Cites Families (126)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE221563C (ko)
DE242880C (ko)
DE224448C (ko)
DE206607C (ko)
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
DE2963537D1 (en) 1979-07-27 1982-10-07 Tabarelli Werner W Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
US5121256A (en) 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US6225012B1 (en) * 1994-02-22 2001-05-01 Nikon Corporation Method for positioning substrate
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
WO1998009278A1 (en) 1996-08-26 1998-03-05 Digital Papyrus Technologies Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
AU1505699A (en) 1997-12-12 1999-07-05 Nikon Corporation Projection exposure method and projection aligner
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
JP2001272604A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
CN1791839A (zh) 2001-11-07 2006-06-21 应用材料有限公司 光点格栅阵列光刻机
US6888620B2 (en) * 2001-11-29 2005-05-03 Nikon Corporation System and method for holding a device with minimal deformation
DE10210899A1 (de) * 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US6806346B2 (en) 2002-07-12 2004-10-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Copolymerization of cyclic ester oligomers
FR2842538B1 (fr) * 2002-07-16 2004-10-29 Staubli Sa Ets Ratiere rotative pour metier a tisser, et metier a tisser equipe d'une telle ratiere
WO2004019128A2 (en) 2002-08-23 2004-03-04 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121819A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
JP3977324B2 (ja) 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121829A1 (en) * 2002-11-29 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) * 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
CN101872135B (zh) * 2002-12-10 2013-07-31 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
TW200421444A (en) 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
US6992750B2 (en) 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
KR20050085236A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101037057B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
CN101852993A (zh) 2002-12-10 2010-10-06 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
CN100429748C (zh) 2002-12-10 2008-10-29 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
JP4645027B2 (ja) 2002-12-10 2011-03-09 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
US7242455B2 (en) 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
AU2003289271A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
WO2004055803A1 (en) 2002-12-13 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
DE60314668T2 (de) 2002-12-19 2008-03-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
AU2003283717A1 (en) 2002-12-19 2004-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
CN103383527B (zh) 2003-04-10 2015-10-28 株式会社尼康 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统
EP3062152B1 (en) 2003-04-10 2017-12-20 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
WO2004093130A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography
KR101533206B1 (ko) 2003-04-11 2015-07-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
SG152078A1 (en) 2003-04-17 2009-05-29 Nikon Corp Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1477856A1 (en) * 2003-05-13 2004-11-17 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7274472B2 (en) 2003-05-28 2007-09-25 Timbre Technologies, Inc. Resolution enhanced optical metrology
EP2261742A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP4343597B2 (ja) 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP2466382B1 (en) 2003-07-08 2014-11-26 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
SG109000A1 (en) 2003-07-16 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
JP4378136B2 (ja) 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3870182B2 (ja) 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005159322A (ja) 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
US7545481B2 (en) * 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005175016A (ja) 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2005175034A (ja) 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 露光装置
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
JP2005191393A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
JP2005191381A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4018647B2 (ja) 2004-02-09 2007-12-05 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4510494B2 (ja) 2004-03-29 2010-07-21 キヤノン株式会社 露光装置
JP2005286068A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Canon Inc 露光装置及び方法
JP4747545B2 (ja) 2004-09-30 2011-08-17 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法
US7583357B2 (en) * 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
CN1821881B (zh) 2012-07-18
DE602005020893D1 (de) 2010-06-10
JP2006173620A (ja) 2006-06-29
CN1821881A (zh) 2006-08-23
EP1672432B1 (en) 2010-04-28
US20090115984A1 (en) 2009-05-07
TW200627083A (en) 2006-08-01
SG123687A1 (en) 2006-07-26
JP2012074745A (ja) 2012-04-12
US7751032B2 (en) 2010-07-06
US20060126037A1 (en) 2006-06-15
US7403261B2 (en) 2008-07-22
US20080252866A1 (en) 2008-10-16
TWI321269B (en) 2010-03-01
EP1672432A1 (en) 2006-06-21
SG144150A1 (en) 2008-07-29
JP2009094529A (ja) 2009-04-30
KR100674224B1 (ko) 2007-01-25
US8233135B2 (en) 2012-07-31
JP4372095B2 (ja) 2009-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100674224B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR100737509B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
US20200310252A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100737506B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR100767089B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
US7411658B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8514369B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005109489A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120106

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130114

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee