JP2009177162A - 液浸リソグラフィ - Google Patents

Abstract

【課題】液浸システム中の粒子の存在を低減することおよび／または欠陥の発生または数を低減するために欠陥を一層よく理解できるように欠陥を示す情報を得る。
【解決手段】液浸リソグラフィを使用して放射感光材料の層で被覆された基板Ｗの照射中に存在する欠陥１１０に関連する情報取得方法が開示される。非パターン化放射ビームで放射感光材料の区域を照射するステップであって、放射感光材料がポジ型の放射感光材料である場合、放射感光材料が後続の現像の間に実質的に除去されるのに十分であるドーズ量で照射され、ネガ型の放射感光材料である場合、放射感光材料が後続の現像中実質的に不溶性であるのに十分であるドーズ量で照射されるステップを含む。放射感光材料を現像するステップと、欠陥に関連する情報を得るために、放射感光材料が現像された後、基板上に残る放射感光材料のトポグラフィを少なくとも示す情報を得るステップとをさらに含む。
【選択図】図９

Description

[0001] 本発明は液浸リソグラフィに関する。詳細には、本発明は、液浸リソグラフィプロセス中に存在する欠陥および／またはプロセス中の欠陥によって引き起こされる基板上の欠陥を少なくとも示す情報を得る方法および装置に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、基板上に、通常、基板のターゲット部分上に所望のパターンを付ける機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。その場合、パターニングデバイス、あるいはマスクまたはレチクルと呼ばれるものを使用してＩＣの個々の層上に形成されるべき回路パターンを生成することができる。このパターンは基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つまたはいくつかのダイの一部を含む）上に転写することができる。パターンの転写は、一般に、基板上に形成された放射感光材料（レジスト）の層上へのイメージングを介してなされる。一般に、単一の基板は、連続的にパターニングされる隣接するターゲット部分のネットワークを含むであろう。既知のリソグラフィ装置は、ターゲット部分上に一度に全パターンを露光することによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるステッパと、所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームによりパターンをスキャンすると同時に、同期して、この方向と平行または反平行に基板をスキャンすることによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるスキャナとを含む。基板上にパターンをインプリントすることによってパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。

[0003] 投影システムの最終エレメントと基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、例えば水にリソグラフィ投影装置中で基板を浸漬することが提案されている。液体は蒸留水とすることができるが、別の液体を使用することもできる。本明細書の説明は液体を参照する。しかし、別の流体、特に濡れ流体、非圧縮性流体および／または空気よりも高い屈折率、望ましくは水よりも高い屈折率をもつ流体が適することがある。これの趣旨は、露光放射が液体中でより短い波長を有するので、より小さいフィーチャのイメージングを可能にすることである。（液体の効果は、システムの実効開口数(ＮＡ)を増加させ、焦点深度も増加させると見なすこともできる。）その中に懸濁された固体粒子（例えばクオーツ）をもつ水を含む他の液浸液が提案されている。

[0004] しかし、基板、または基板および基板テーブルを液体の浴に浸漬することは（例えば、米国特許第４５０９８５２号明細書を参照）、スキャン露光の間加速されなければならない大量の液体があることを意味する。これは、基板および／または基板テーブルを移動するために追加のモーターまたはより強力なモーターを必要とすることを意味することがある。さらに、液体の乱流が望ましくなく予測できない影響をもたらすことがある。

[0005] 提案された解決策の１つは、液体供給システムが、基板の局所区域だけにおよび投影システムＰＬの最終エレメントと基板との間に液体閉じ込めシステムを使用して液体を供給することである（基板は一般に投影システムの最終エレメントよりも大きい表面積を有する）。この解決策の可能な実施が、国際特許出願公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されている。本明細書の図２および３に示されるように、液体は、好ましくは最終エレメントＰＬに対する基板の移動の方向に沿って、基板Ｗ上に少なくとも１つの入口ＩＮによって供給され、投影システムＰＬの下を通過した後少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。すなわち、基板Ｗが−Ｘ方向にエレメントの下でスキャンされるとき、液体はエレメントの＋Ｘ側で供給され、−Ｘ側で除去される。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続されている出口ＯＵＴによってエレメントの反対側で除去される仕組みを概略的に示す。図２の説明図では、そうである必要はないが、液体は最終エレメントに対する基板の移動方向に沿って供給される。最終エレメントの周りに位置決めされた様々な配向および数の入口および出口が可能であり、一例が図３に示されており、両側に出口をもつ入口の４組が最終エレメントの周りに規則的なパターンで設けられている。

[0006] 液浸リソグラフィ機械で直面する問題は液浸システム内および基板の表面上に汚染粒子が発生することである。粒子が投影システムと露光される基板との間に存在すると、液浸システム中の粒子の存在により露光プロセス中に欠陥が生じることがある。液浸流体中および／または例えば基板上に形成されたレジストの表面に気泡が発生する場合、同じ問題に出会うことがある。

[0007] 例えば、液浸システム中の粒子の存在を最適に低減することおよび／または欠陥の発生または数を低減するために欠陥を一層よく理解できるように少なくとも欠陥を示す情報を得ることが望ましい。例えば、本明細書で説明されるかまたは他の所で説明されるかにかかわらず従来技術の少なくとも１つの欠点を除去するかまたは緩和することができる新規または代替の方法および装置を提供することが望ましい。

[0008] 本発明の態様によれば、液浸リソグラフィを使用して放射感光材料の層で被覆された基板の照射中に存在する欠陥に関連する情報を得る方法が提供され、この方法は、非パターン化放射ビームで放射感光材料の区域を照射するステップであって、その区域は、放射感光材料がポジ型の放射感光材料である場合、放射感光材料が放射感光材料の後続の現像の間に実質的に除去されるのに十分であるドーズ量で照射され、または放射感光材料がネガ型の放射感光材料である場合、放射感光材料が放射感光材料の後続の現像中実質的に不溶性であるのに十分であるドーズ量で照射されるステップと、放射感光材料を現像するステップと、欠陥に関連する情報を得るために、放射感光材料が現像された後、基板上に残る放射感光材料のトポグラフィを少なくとも示す情報を得るステップとを含む。

[0009] 本発明の別の態様によれば、液浸リソグラフィを使用して放射感光材料の層で被覆された基板の照射中に存在する欠陥に関連する情報を得るように構成された装置が提供され、この装置は、非パターン化放射ビームで放射感光材料の区域を照射するように構成された液浸リソグラフィ装置であって、その区域は、放射感光材料がポジ型の放射感光材料である場合、放射感光材料が放射感光材料の後続の現像の間に実質的に除去されるのに十分であるドーズ量で照射され、または放射感光材料がネガ型の放射感光材料である場合、放射感光材料が放射感光材料の後続の現像中実質的に不溶性であるのに十分であるドーズ量で照射される液浸リソグラフィ装置と、放射感光材料を現像するように構成された現像装置と、欠陥に関連する情報を得るために、放射感光材料が現像された後、基板上に残る放射感光材料のトポグラフィを示す情報を得るように構成された装置とを備える。

[0010] 次に、本発明の実施形態が、例としてのみ、対応する参照記号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら説明される。
[0011]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す図である。 [0012]リソグラフィ投影装置で使用される液体供給システムの一実施形態を概略的に示す図である。 [0012]リソグラフィ投影装置で使用される液体供給システムの一実施形態を概略的に示す図である。 [0013]リソグラフィ投影装置で使用される液体供給システムの一実施形態を概略的に示す図である。 [0014]液体供給システムの一実施形態を概略的に示す図である。 [0015]液浸リソグラフィ方法を概略的に示す図である。 [0015]液浸リソグラフィ方法を概略的に示す図である。 [0015]液浸リソグラフィ方法を概略的に示す図である。 [0016]液浸リソグラフィ方法に伴う問題を概略的に示す図である。 [0016]液浸リソグラフィ方法に伴う問題を概略的に示す図である。 [0016]液浸リソグラフィ方法に伴う問題を概略的に示す図である。 [0017]本発明の一実施形態による、液浸リソグラフィプロセス中の欠陥を示す情報を得る方法の一部を概略的に示す図である。 [0017]本発明の一実施形態による、液浸リソグラフィプロセス中の欠陥を示す情報を得る方法の一部を概略的に示す図である。 [0017]本発明の一実施形態による、液浸リソグラフィプロセス中の欠陥を示す情報を得る方法の一部を概略的に示す図である。 [0018]図８ａ〜８ｃに示された液浸リソグラフィプロセスに関連した欠陥と共に基板を平面図で概略的に示す図である。 [0019]図９に示され、それを参照しながら説明された欠陥を少なくとも示す情報を得るための装置を概略的に示す図である。 [0019]図９に示され、それを参照しながら説明された欠陥を少なくとも示す情報を得るための装置を概略的に示す図である。

[0020] 図１は、本発明の一実施形態で使用するのに好適なリソグラフィ装置の一実施形態を概略的に示す。この装置は、
・放射ビームＢ（例えば紫外（ＵＶ）放射、深紫外（ＤＵＶ）放射、または極紫外（ＥＵＶ）放射）を調整するように構成されたイルミネーションシステム（イルミネータ）ＩＬと、
・パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
・基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
・パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折式投影レンズシステム）ＰＳと
・投影システムＰＳ（例えばレンズ）と基板Ｗとの間の多量の液浸流体ＩＦＬを少なくとも部分的に保持するように構成された液浸ヘッドＩＨ（時には液浸フードと呼ばれる）とを備える。

[0021] イルミネーションシステムは、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折式、反射式、磁気式、電磁気式、静電気式、もしくは他のタイプの光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0022] 支持構造体は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および例えばパターニングデバイスが真空環境中に保持されるかどうかなどの他の条件によって決まる方法でパターニングデバイスを保持する。支持構造体は、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電気式、または他のクランプの技法を使用することができる。支持構造体は、例えば必要に応じて固定にも可動にもすることができるフレームまたはテーブルとすることができる。支持構造体は、パターニングデバイスを例えば投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書における「レチクル」または「マスク」という用語のいかなる使用も「パターニングデバイス」というより一般的な用語と同義であると考えることができる。

[0023] 本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用することができるいかなるデバイスも指すものと広義に解釈されるべきである。例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、放射ビームに付与されたパターンは基板のターゲット部分の所望のパターンと正確に対応しないことがあることに留意されたい。一般に、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に対応することになる。

[0024] パターニングデバイスは透過式でも反射式でもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィではよく知られており、バイナリのレベンソン型（alternating）位相シフトおよびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログマブルミラーアレイの例は小さいミラーのマトリクス構成を使用し、各ミラーは入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように個別に傾斜させることができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。

[0025] 本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射に適した、または液浸液の使用もしくは真空の使用などの他の要因に適した、屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁気式、および静電式の光学システム、またはそれらの任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを包含するものと広義に解釈されるべきである。本明細書における「投影レンズ」という用語のいかなる使用も「投影システム」というより一般的な用語と同義であると考えることができる。

[0026] ここに示されるように、装置は透過タイプ（例えば透過マスクを使用する）である。代わりに、この装置は反射タイプにする（前述で参照したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用するか、または反射マスクを使用する）ことができる。

[0027] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはそれよりも多い基板テーブル（および／または２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプとすることができる。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並列に使用することができ、または１つもしくは複数の他のテーブルを露光のために使用しながら１つもしくは複数のテーブルで準備ステップを行うことができる。

[0028] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は別個の要素とすることができる。そのような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると考えられず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムＢＤを用いて放射源ＳＯからイルミネータＩＬに送られる。他の場合、例えば放射源が水銀ランプである場合、放射源はリソグラフィ装置の一体部分とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムＢＤと共に放射システムと呼ぶことができる。

[0029] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＤを備えることができる。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側および／または内側の半径方向範囲（通常それぞれσ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使用して、放射ビームをその断面において所望の均一性および強度分布を有するように調整することができる。

[0030] 放射ビームＢは、支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通過した後、投影システムＰＳを通り抜け、投影システムＰＳは、ビームが液浸流体ＩＦＬを通過するときビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦する。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、線形エンコーダ、または容量センサ）を用いて、例えば放射ビームＢの経路中において様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１に明確には示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的抽出の後にまたはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、支持構造体ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは反対に）、支持構造体ＭＴはショートストロークアクチュエータにのみ接続することができ、または固定することができる。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用してアライメントすることができる。図示のような基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めるが、それらはターゲット部分間の空間に配置することができる（これらはスクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、１つよりも多いダイがパターニングデバイスＭＡ上に備えられている状況では、パターニングデバイスアライメントマークはダイ間に配置することができる。

[0031] 図示の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用することができる。

[0032] １．ステップモードでは、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴを本質的に静止したままにしながら、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に一度に投影される（すなわち単一静的露光）。次に基板テーブルＷＴは、異なるターゲット部分Ｃが露光されるようにＸおよび／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光で結像されたターゲット部分Ｃのサイズを制限する。

[0033] ２．スキャンモードでは、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期してスキャンされながら、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造体ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および結像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分の幅（非スキャン方向に）を制限するが、スキャン動作の長さがターゲット部分の高さ（スキャン方向に）を決定する。

[0034] ３．別のモードでは、支持構造体ＭＴは本質的に静止したままでプログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルＷＴが移動されるかまたはスキャンされながら、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴの各移動の後にまたはスキャン中の連続する放射パルス間に必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この操作モードは、前述で参照したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0035] 前述の使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードを使用することもできる。

[0036] 局所液体供給システムを備えた液浸リソグラフィ構成が図４に示される。液体は投影システムＰＬの両側に２つの溝入口ＩＮによって供給され、入口ＩＮの半径方向外向きに配置された複数の個別の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮおよび出口ＯＵＴは中心に孔がある板に配置することができ、その孔を通して投影システムＰＬ（例えばレンズ）は投影することができる。液体は投影システムＰＬの一方の側の１つの溝入口ＩＮによって供給され、投影システムＰＬの他方の側の複数の個別の出口ＯＵＴによって除去される。これにより、投影システムＰＬと基板Ｗとの間に液体の薄膜の流れが生じる。入口ＩＮおよび出口ＯＵＴのどの組合せを使用するかの選択は基板Ｗの移動の方向に依存することができる（入口ＩＮおよび出口ＯＵＴの他の組合せは例えば作用しない）。

[0037] 局所液体供給システムを備えた別の液浸リソグラフィ構成が提案されている。この構成は、投影システムＰＬの最終エレメントと基板テーブルまたは基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる障壁部材（いわゆる液浸フード）をもつ液体供給システムを提供する。そのような解決策が図５に示される。障壁部材は、Ｚ方向に（光軸の方向に）多少の相対的移動ができるが、ＸＹ平面では投影システムＰＬに対して実質的に固定される。障壁部材１２と基板テーブルまたは基板Ｗの表面との間にシールを形成することができる。一実施形態では、シールはガスシールなどの非接触シールである。

[0038] 図５を参照すると、障壁部材１２は、投影システムＰＬの結像フィールドの周りに基板Ｗに対して非接触シールを形成し、その結果、液体（例えば液浸流体）が、基板表面と投影システムＰＬの最終エレメントとの間のリザーバ１１を満たすように閉じ込められる。リザーバ１１は、投影システムＰＬの最終エレメントの下に位置決めされ、それを囲む障壁部材１２によって形成される。液体は、投影システムの下および障壁部材１２の内側の空間にもたらされる。液体はポート１３によって空間にもたらされおよび／またはそこから除去される。障壁部材１２は投影システムＰＬの最終エレメントの少し上を延び、液体の緩衝が与えられるように液体は最終エレメントの上に上昇する。障壁部材１２は、上端部で、一実施形態では、投影システムまたはそれの最終エレメントの形状に密接に一致し、例えば円形とすることができる内部周囲を有する。底部では、内部周囲は結像フィールドの形状、例えばそうである必要はないが長方形に密接に一致する。

[0039] 液体は、障壁部材１２の底部と基板Ｗの表面の間のガスシール１６によってリザーバに閉じ込められる。ガスシールは、障壁部材１２と基板との間の間隙に加圧下で入口１５を介して供給され、第１の出口１４を介して抽出されるガス、例えば空気または合成空気によって、一実施形態ではＮ_２または別の不活性ガスによって形成される。ガス入口１５の過圧力、第１の出口１４の真空レベル、および間隙の形状は、液体を閉じ込める内向きの高速ガス流があるように構成される。そのようなシステムは、米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号明細書に開示されている。

[0040] 各々が参照により全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願公開第１４２０３００号明細書および米国特許出願公開第２００４−０１３６４９４号明細書では、ツインステージまたはデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。そのような装置は基板を支持するために２つのテーブルを備えている。レベル測定は液浸液なしで第１の位置のテーブルで行われ、露光は、液浸液が存在する第２の位置のテーブルで行われる。代替では、装置は１つのテーブルだけを有する。

[0041] 他の液浸リソグラフィ構成も可能であり、本発明の１つまたは複数の実施形態も同様にこれらに適用可能である。例えば、ガスシール１６の代わりに実質的に液体だけを抽出する単相抽出器を有することが可能である。そのような単相抽出器の半径方向外向きに、液体を空間に閉じ込めるのに役立つガス流れを生成するための１つまたは複数のフィーチャが存在することができる。１つのそのようなタイプのフィーチャは、ガスの薄いジェットが基板Ｗの方にその上に誘導されるいわゆるガスナイフとすることができる。投影システムおよび液体供給システムに対する基板のスキャン動作の間、流体静力学的力および流体動力学的力を生成することができ、それにより基板に向かって液体に圧力がもたらされる。

[0042] 局所区域液体供給システムでは、基板Ｗは投影システムＰＬおよび液体供給システムに対して移動される。基板テーブルＷＴの相対移動により、基板Ｗの端部を結像することができ、または基板テーブルＷＴ上のセンサを感知目的または基板交換のために結像することができる可能性がある。基板交換は、異なる基板の露光の間に基板テーブルＷＴから基板Ｗを除去し取り替えることである。基板交換中、液体が液体閉じ込めシステム１２内に保持されることが望ましいことがある。これは、基板テーブルＷＴに対して液体閉じ込めシステム１２を移動させることによって達成することができ、または逆も同様であり、その結果、液体閉じ込めシステムは、基板Ｗから離れて基板テーブルＷＴの表面上に配置される。そのような表面はシャッタ部材とすることができる。液浸液は、ガスシール１６の操作によって、または液体閉じ込めシステム１２の下面にシャッタ部材の表面をクランプすることによって液体閉じ込めシステムに保持することができる。クランプは、液体閉じ込めシステム１２の下面に供給される流体の流れおよび／または圧力を制御することによって達成することができる。例えば、入口１５から供給されるガスの圧力および／または第１の出口１４から与えられる低圧力を制御することができる。

[0043] 液体閉じ込めシステム１２が配置される基板テーブルＷＴの表面は、基板テーブル１２の一体部分とすることができ、または基板テーブル１２の着脱式および／または交換式コンポーネントとすることができる。そのような着脱式コンポーネントはクロージングプレートまたはダミー基板と呼ばれることがある。着脱式または取外し可能コンポーネントは別個のステージとすることができる。デュアルまたはマルチステージ構成では、基板テーブル１２全体は基板置換中に露光位置で取り替えられる。そのような構成では、着脱式コンポーネントは基板テーブル間を移送することができる。シャッタ部材は、基板置換の前に基板テーブルＷＴの近くに移動することができる中間テーブルとすることができる。次に、液体閉じ込めシステムは、基板置換中、中間テーブル上に移動することができ、また逆も同様である。シャッタ部材は引込み式ブリッジなどの基板テーブルの移動可能コンポーネントとすることができ、それは基板置換中基板テーブル間に位置決めすることができる。シャッタ部材の表面は、基板置換中、液体閉じ込め構造の下を移動することができ、または逆も同様である。

[0044] 基板交換中、基板Ｗの縁部は空間１１の下を通過することになり、液体は基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の間隙に漏れ入ることがある。この液体は、流体静力学的もしくは流体動力学的圧力下、ガスナイフの力、または他のガス流れ生成デバイスで強制的に入ることがある。間隙内などの基板Ｗの縁部の周りに排液管を設けることができる。排液管は基板テーブル上の別の物体の周りに配置することができる。そのような物体は、限定はしないが、前述の１つまたは複数のセンサおよび／またはシャッタ部材を含むことができる。したがって、基板Ｗに対するいかなる参照も、センサまたはシャッタ部材を含む任意のそのような他の物体と同義であると考えるべきである。

[0045] 図６ａ〜６ｃは、理論的な液浸リソグラフィプロセスを概略的に示す。図６ａは、その上に堆積されたレジスト１００の区域をもつ基板Ｗを示す。前述でより詳細に説明したように、レジスト１００は、レジストに接触している液浸流体ＩＦＬを通して放射ビームにさらされることになる。

[0046] 図６ｂは、パターニングデバイス（例えばマスク）１０４の方に導かれた放射ビーム１０２を示す。パターニングデバイス１０４は、それを放射ビーム１０２が横断するのを選択的に可能にするかまたは妨げるように構成される。したがって、パターニングデバイス１０４を横断する放射ビーム１０２の部分はその断面に付与されたパターンを有することになり、したがって、パターン化放射ビーム１０６となることになる。次に、パターン化放射ビーム１０６は液浸流体ＩＦＬを通過し、その後、パターン化放射ビーム１０６はレジストに入射する。パターン化放射ビーム１０６が入射するレジストの部分１０８は、パターン化放射ビーム１０６によって化学的に影響されることになる。レジストの照射された部分１０８は、レジストがその後現像されるとき、レジストの照射された部分１０８が溶解されるように十分な放射量で照射される。これは、「ドーズトゥクリア（dose to clear）」として知られているドーズ量をレジストに与えることともいわれる。レジストの照射されなかった部分１１０はパターン化放射ビーム１０６によって化学的に影響されず、したがって、現像液中溶解可能にならない。したがって、レジストの後続の現像において、レジストの照射されなかった部分１１０は基板Ｗ上に残る。

[0047] 図６ｃは、現像溶液を使用して、レジストの照射された部分を溶解した後の基板Ｗを示す。レジスト１１０の照射されなかった部分は基板に残ることが分かる。

[0048]図６ａ〜６ｃ、およびさらに以下でさらに説明する図７および８において、液浸流体ＩＦＬはパターニングデバイス１０４と基板Ｗとの間に配置されているように示される。前述のように、これは必須ではない。一実施形態では、液浸流体は、投影システム（または投影システムの最後のエレメント）と基板との間に配置することができる。図６および７は、液浸リソグラフィプロセスの概略表示として与えられ、液浸リソグラフィプロセスをどのように行うことができるかの簡単化された例として使用される。

[0049] 前述のように、図６ａ〜６ｃは簡単化された理論的な液浸リソグラフィプロセスを説明している。例えば、欠陥が言及または参照されなかったことが図６ａ〜６ｃおよびそれの説明から分かる。しかし、実際には、基板上に形成されたパターン化レジストの欠陥が液浸リソグラフィでしばしば出会う問題である。そのような欠陥の生成の理由の１つは、液浸流体がレジストに接触することのためである。場合によっては、液浸流体はレジストと相互作用し、それにより、レジストの一部が分子または粒子の形態で離脱することがある。代わりにまたは追加として、流体マークが生ずることがあるように、気泡が液浸流体中または基板上に形成されたレジストの上に生ずることがある。そのような汚染、気泡および／またはマークは、次に図７ａ〜７ｃを参照しながら説明するように、パターン化放射ビームを使用して、基板上のレジストに与えられるパターンに欠陥を生じさせることがある欠陥である。

[0050] 図７ａは、その上に形成されたレジスト１００の層をもつ基板Ｗを示す。レジスト１００に液浸流体ＩＦＬは接触する。液浸流体ＩＦＬとレジスト１００との間の相互作用により、１つまたは複数の気泡１１２および１つまたは複数の粒子１１４がレジスト１００の層上に堆積することになった。

[0051] 図７ｂは、パターン化放射ビーム１０６を与えるためにパターニングデバイス１０４によってパターン化される放射ビームを示す。パターン化放射ビーム１０６は液浸流体ＩＦＬを通過しレジスト上に達する。放射ビーム１０２がパターニングデバイス１０４を横切らない場合、パターニングデバイス１０４の下のレジストの対応する区域１１０は照射されないことが分かる。しかし、パターニングデバイス１０４のパターンによって生じたレジストの照射されなかった部分１１０に加えて、気泡１１２および粒子１１４もパターン化放射ビーム１０６がレジストの一部を照射しないようにする。これは、放射されるレジストの区域１０８が意図されたようなものでないことを意味する。言いかえれば、レジスト上に投影されたパターンは、照射されているべきレジストの区域が実際には照射されていないという点で、レジストに欠陥を有することになる。

[0052] 図７ｃは、レジストが現像された後の状況を示す。照射されなかったレジストの複数の区域１１０が現像されておらず、それらが基板に残ることが分かる。それらはパターニングデバイス１０４に形成された意図されたパターンに対応しないので、気泡１１２および粒子１１４の存在に起因して基板に残るレジストの区域は欠陥である。

[0053] レジストの層に付けられたパターン内のまたはそれの欠陥は、いくつかの影響の１つまたは複数を有することがある。例えば、欠陥により、デバイスまたはレジストのパターン化層によって形成されたデバイスの層が適切に機能しないように、または全く機能しないようになることがある。レジスト内に形成される欠陥は、リソグラフィプロセス中の欠陥、例えば気泡、流体マーク、汚染などの存在に対応する。したがって、そのような欠陥を低減するか除去することが望ましい。これらの欠陥の数、場所など、および欠陥が様々な液浸リソグラフィ条件でどのように生ずるかに関する情報を得ることが望ましい。そのような情報は、液浸リソグラフィ装置および方法を調整または最適化するために液浸リソグラフィの分野で働いている人々が使用することができる。情報をさらにまたは代わりに使用して液浸リソグラフィ装置または方法の動作状態または健全状態を決定することができる。

[0054] 欠陥の数、位置、サイズ、タイプなどを示す情報を得る方法は、レジストの様々な区域に与えられたパターンの画像の比較を必要とする。これらの画像の２つ以上を比較することによって、欠陥情報を得ることができる。例えば、レジストの２つの異なる区域からの画像が比較され、レジストのこれらの２つの区域がそれらに与えられた同じパターンを有する場合、いかなる差異も欠陥に帰することができる。次に、これらの欠陥の数、位置、サイズ、形状などを目録に載せまたは使用して、例えば、これらの欠陥の場所、位置、形状、サイズなどが様々な液浸リソグラフィ条件（例えば、様々なフィールドサイズ、レジスト、液浸流体、基板スキャン速度など）でどのように変化するか決定することができる。

[0055] 基板に付けられたパターンの画像の比較から欠陥を識別するこの方法は有用であるが、それは１つまたは複数の欠点を有することがある。第１に、そのような画像を使用して、基板の端から端まで欠陥を示す情報を得るのに長時間、例えば２０〜３０分以上を要することがある。基板上のレジストの層を露光する場合、いかなる無駄な時間もリソグラフィ装置の処理能力を低減する可能性があるので、時間は重要である。さらに、この方法では、レジストのパターンのいかなる欠陥も液浸流体中またはレジスト上の粒子、気泡など（すなわち欠陥）によって引き起こされるのか、またはリソグラフィ装置のどこか他の所、例えばパターンデバイス上の汚染からのものかを決定するのが可能でないことがある。さらなる欠点は、欠陥を少なくとも示す情報を得るためにレジストの様々なパターニングされた区域を比較する場合、パターンが一貫した方法で付けられるべきであることである。これは、パターンが確実に合焦になるように試行することを意味し、放射ビームがパターニングデバイス上に合焦されることを意味することになる。合焦プロセスはさらに時間を要し、リソグラフィ装置の処理能力をさらに低減させる。さらなる欠点は、欠陥を識別するためにレジストのパターニングされた区域の画像を取得し比較するために使用される機器が高価であることである。

[0056] 図８から１０は、本発明の一実施形態による、液浸リソグラフィプロセス中にレジストの層に導入された欠陥に関連する情報を得るための方法および装置を示す。図８ａは、レジスト１００の層を備えている基板を示す。レジスト１００の層に多量の液浸流体ＩＦＬが接触する。液浸流体ＩＦＬとレジスト１００との間の相互作用から発生した１つまたは複数の気泡１１２および汚染１１４がレジスト１００上に配置される。

[0057] 図８ｂは、レジストの層が非パターン化放射ビームにさらされるのを示す。言いかえれば、パターンは放射ビームの断面に導入されない（例えば、放射ビームはマスクなどのパターニングデバイスを通過または反射しないようにされる）。非パターン化放射ビーム１０２は液浸流体ＩＦＬを通過しレジストを照射する。気泡１１２および汚染１１４は、非パターン化放射ビーム１０２がレジストの一定の部分を照射しないようする。しかし、気泡１１２または汚染１１４によって覆われないレジストの部分は放射ビーム１０２にさらされ、したがって、放射ビーム１０２によって照射される。照射されるレジストは、照射された領域が現像液に溶解可能であり、したがって、レジストの後続の現像の間に確実に除去されるのにちょうど十分である放射のドーズ量にさらされる。これは、気泡１１２および汚染１１４の下に配置されたレジストの区域がそのような閾値ドーズ量を与えられ、その後現像プロセスの間に除去されるのを妨げるのに気泡１１２および汚染１１４の存在が十分であることを意味する。例えば、レジストは、照射された領域が現像液に確実に溶解可能となるのにちょうど十分である放射のドーズ量よりも０〜１０％大きいものにさらさすことができる。５〜１０％大きいドーズ量が望ましいことがある。

[0058] レジストが現像されるとき、基板Ｗ上に残る唯一のレジストは、気泡１１２または汚染１１４の下に配置され、したがって、現像プロセスで使用される現像液中で溶解可能となるのに十分なエネルギーを与えられなかったレジスト１１０であることが、図８ｃから分かる。レジストを露光するために使用される放射ビームはパターニングされていなかったので、基板上に残るレジストは全て欠陥の位置、形状、サイズ、数などを示す。さらに、パターニングデバイスが使用されず、代わりに非パターン化放射ビームが使用されたので、発生した欠陥は例えばパターニングデバイス上の汚染によらないと仮定することができる。

[0059] 図９は基板Ｗの平面図を示す。図８ａから８ｃを参照しながら説明したように、液浸流体を介してレジストの層を非パターン化放射ビームにさらすことによって引き起こされた複数の欠陥１１０が基板Ｗ上にあることが分かる。欠陥１１０のより綿密な検査により、それらの原因、例えばそれらを引き起こした液浸リソグラフィプロセスにおける欠陥に関するより詳細を明らかにすることができる。例えば、多分、欠陥のさらなる詳細な検査により、汚染が欠陥１１６をもたらしたか、または気泡が欠陥１１８にもたらしたことを明らかにするであろう。

[0060] 非パターン化放射ビームを使用してレジストを照射したので、現像の後基板上に残る唯一のレジストは、それを現像液中で溶解可能にするのに十分なエネルギーを与えられなかったレジストである（すなわち、レジストは、時には「除去のためのドーズ量」として知られているドーズ量を与えられなかった）。これは、与えられたパターンに欠陥があるかどうか判断するために、レジストの様々なパターニングされた区域の画像を比較する必要がないことを意味する。代わりに、基板および／または残っているレジストの表面を任意の適切な装置を使用してスキャンするかまたは分析することができ、基板のトポグラフィのいかなる変化も欠陥の位置（恐らく形状および詳細な構造）を明らかにすることになる。例えば、この装置は適切な任意のもの、例えば、スキャンビーム、走査型プローブ顕微鏡、走査型電子顕微鏡、または基板上のフィーチャのトポグラフィを少なくとも示す情報を得ることができる任意のものとすることができる。レジストおよび／または基板の様々な部分のトポグラフィを決定するために、装置は基板に対して移動することができ、または基板は装置に対して移動することができる。トポグラフィの情報を得るための基板の表面のスキャンは、例えば１分もしくは２分またはそれ未満で非常に迅速に行うことができる。

[0061] 図１０ａおよび１０ｂは、レジストフィーチャ、したがって基板上の１つまたは複数の欠陥の位置、数、形状、サイズなどを決定するのに使用することができる装置を示す。図１０ａは基板Ｗを示す。露光プロセス中に欠陥（例えば、気泡、汚染など）によって非パターン化放射ビームから遮断されたレジストの形態で欠陥１１０が基板上に配置される。放射ビーム生成コンポーネント（例えば放射源）１２０が放射１２２のビームを基板Ｗの方に放出するのが示される。次に、放射ビーム１２２は、基板Ｗから放射検出コンポーネント（例えばフォトダイオードまたはフォトダイオードアレイ）１２６の方に方向が変更される（例えば、反射される）１２４ように示される。図１０ｂは、基板Ｗおよび／または放射生成コンポーネント１２０および放射検出コンポーネント１２６が互いに対して移動されるので、放射ビーム１２２は基板Ｗの様々な部分に入射することを示す。これにより、放射ビーム１２２は異なる角度で方向が変更され１２４、異なる強度分布を有し、またはそのため検出コンポーネント１２６の方には全く方向が変更されない。方向が変更されたビーム１２４の変化を使用して欠陥１１０のサイズ、形状、数、位置などを決定することができる。

[0062] 基板Ｗに対して放射ビーム１２２をスキャンすることによって、基板の表面全体のトポグラフィに関する情報を得ることができ、したがって、基板上の欠陥に関する情報を得ることができる。この情報を使用して、液浸リソグラフィプロセス中に液浸流体内および／またはレジスト上に存在した欠陥（例えば、気泡、汚染など）の正確な数および場所を決定することができる。この情報を使用して、様々な露光条件、および／または様々な液浸流体が、例えば、欠陥の数、場所、およびタイプにどのように影響するか決定することができる。例えば、液浸リソグラフィ装置が最初に設置されるかもしくは整備されるとき、または設定が変更されたとき、欠陥の数および性質をモニタするために説明した方法を使用することができる。設定（例えばフィールドサイズ、液浸流体、ドーズ量、レジストなど）は変更することができ、欠陥の数または性質が変化するかどうか調べるためにこの方法を再び試みることができる。

[0063] 表面スキャン装置の使用は必須ではない。レジストが現像された後に基板上に残るレジストのトポグラフィを少なくとも示す情報は、カメラまたは他のイメージング装置を使用して得ることができる。パターニングデバイスが使用されず、したがって、パターンがレジストに与えられないので、基板に残されたレジストの全区域は液浸リソグラフィプロセス中の欠陥に帰する可能性がある。したがって、例えば、適切なソフトウェアを備えたカメラを使用してレジストの画像を取得し、次に、レジストの区域の数および／または場所を識別することができる。残っているレジストはパターニングデバイスのパターンではなく欠陥に起因することになるので、画像を比較する必要がない。

[0064] 非パターン化放射ビームを使用してレジストを露光するので、欠陥情報を得るためにパターニングデバイスまたは基板上に放射ビームを合焦する必要がない。これは、放射ビームを合焦するための時間が必要とされず、それによって、恐らく処理能力が増加することを意味する。

[0065] パターニングデバイスが使用されないので、基板上に投影されるとき放射ビームのフィールドサイズに関して制限がない。したがって、フィールドのサイズは、例えば、当技術分野で知られているように、１つまたは複数のブレードなどを使用して放射ビームの一部を阻止することによって容易に変更することができる。これは、欠陥を調査するとき様々な異なるフィールドサイズを使用することができ、これは、例えば、フィールドサイズが液浸リソグラフィプロセス中にレジストに形成される欠陥の数および性質に影響があるかどうか決定しようとするとき有用であり得ることを意味する。

[0066] レジストのパターニングされた区域の画像を比較する必要がないので、非常に安価で迅速な装置を使用して欠陥に関連する情報を得ることができる。これにより、コストを低減し、処理能力を増加させることができる。

[0067] 前述の例において、十分なエネルギードーズ量によるレジストの照射が、レジストを後続の現像で溶解可能にするものとして説明した。言いかえれば、説明したレジストはポジ型のフォトレジストである。代わりにまたは追加としてネガ型のフォトレジストを使用できることが理解されるべきである。ネガ型のフォトレジストが使用される場合、液浸リソグラフィプロセス中の欠陥（例えば、液浸流体中の気泡、汚染など）により、やはりレジストの区域は非パターン化放射ビームにさらされないことになる。しかし、ポジ型のフォトレジストが使用される状況とは対照的に、ネガ型のフォトレジストが使用される場合、レジストの露光された区域は後続の現像において不溶性になるであろう。これは、ネガ型のフォトレジストを使用すると、後続の現像の後、欠陥の位置がレジストの区域（例えば柱）によって識別可能とならず、レジストが存在しない区域（言いかえればレジストに囲まれた区域）（例えば、ノッチ、トレンチなど）によって識別可能となることになる。前述の表面スキャン装置をやはり使用して、レジストが存在しない区域の位置、したがって前述の欠陥の位置、サイズ、数、形状などを決定することができる。

[0068] 前述の説明において、レジストの現像が説明された。これは、当技術分野で知られているように、任意の適切な装置を使用して達成することができる。例えば、レジストコート基板は、多量の現像液に浸漬することができる。代わりにまたは追加として、現像液をレジスト上に堆積し、基板を回転させてレジストの全てまたは一部にわたって現像液を広げることができる。

[0069] フォトレジストの使用は必須ではない。任意の放射感光材料を使用することができる。

[0070] 本発明の実施形態は、液浸液を供給するのに最適化された液浸システムに関連して説明された。しかし、本発明の実施形態は、液浸媒体として液体以外の流体を供給する流体供給システムを使用する液浸システムで使用するのに同様に適用可能である。

[0071] 本文で、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用が特に参照されているが、本明細書で説明されたリソグラフィ装置は集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造などの他の用途を有することができることが理解されるべきである。そのような他の用途との関連で、本明細書の「ウェーハ」または「ダイ」という用語のいかなる使用もそれぞれ「基板」または「ターゲット部分」というより一般的な用語と同義であると見なすことができることを当業者なら理解されよう。本明細書で参照された基板は、露光の前または後に、例えば、トラック（一般に基板にレジストの層を付け、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール中で処理することができる。適用可能である場合、本明細書の開示はそのような基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は例えば多層ＩＣを生成するために２回以上処理することができ、その結果、本明細書で使用された基板という用語は処理された多数の層を既に含んでいる基板を指すこともできる。

[0072] 本明細書で使用された「放射」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、もしくは１２６ｎｍの波長またはそれらに近い波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を包含する。

[0073] 「レンズ」という用語は、状況が許す場合、屈折式および反射式光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントの任意の１つまたは組合せを指すことができる。

[0074] 本発明の特定の実施形態が前述されたが、本発明は説明されたもの以外で実施できることが理解されよう。例えば、本発明は、前述で開示された方法を記述する機械読取可能な命令の１つまたは複数のシーケンスを含む１つまたは複数のコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムが中に記憶されているデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光学ディスク）の形態をとることができる。装置を制御するために１つまたは複数のコントローラを設けることができ、各コントローラはプロセッサを有することができる。コントローラは、本発明を具現する１つまたは複数のコンピュータプログラムにより装置を操作することができる。

[0075] 本発明の１つまたは複数の実施形態は、特に、しかし限定せずに、液浸液が浴の形態で供給されるか、基板の局所表面区域に閉じ込められるか、または閉じ込められないかにかかわらず、前述のそれらのタイプのいかなる液浸リソグラフィ装置にも適用することができる。非閉じ込め構成では、液浸液は基板および／または基板テーブルの表面上を流れることができ、その結果、実質的に、基板テーブルおよび／または基板のむき出しの表面全体が濡れる。そのような非閉じ込め液浸システムでは、液体供給システムは液浸液を閉じ込めないことが可能であり、または実質的に液浸液の完全な閉じ込めではなく一部の液浸液閉じ込めを行うことが可能である。

[0076] 本明細書で意図されたような液体供給システムは広義に解釈されるべきである。いくつかの実施形態では、それは投影システムと基板および／または基板テーブルとの間の空間に液体を供給する機構または構造体の組合せとすることができる。それは、液体をこの空間に供給する、１つまたは複数の構造体、１つまたは複数の液体入口、１つまたは複数のガス入口、１つまたは複数のガス出口、および／または１つまたは複数の液体出口の組合せを含むことができる。一実施形態では、空間の表面は基板および／または基板テーブルの一部とすることができ、または空間の表面は完全に基板および／または基板テーブルの表面を覆うことができ、または空間は基板および／または基板テーブルを囲むことができる。液体供給システムは、随意に、液体の位置、量、質、形状、流量、または他の特性を制御するために１つまたは複数のエレメントをさらに含むことができる。

[0077] 装置で使用される液浸液は、使用される露光放射の所望の特性および波長に応じて様々な組成を有することができる。１９３ｎｍの露光波長では、超純水または水ベースの組成を使用することができ、このために液浸液は時には水と呼ばれ、より総称的に考えられるべきであるが親水性、疎水性、湿度などのような水関連用語が使用されることがある。そのような用語はフッ素含有炭化水素などの使用可能な他の高屈折率液体にも拡張すべきことを意図している。

[0078] 前述の説明は限定ではなく例示するためのものである。したがって、当業者には、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、説明された本発明に変形を加えることができることは明らかであろう。

Claims (19)

1. 液浸リソグラフィを使用して放射感光材料の層で被覆された基板の照射中に存在する欠陥に関連する情報を得る方法であって、
   非パターン化放射ビームで前記放射感光材料の区域を照射するステップであって、前記区域は、前記放射感光材料がポジ型の放射感光材料である場合、前記放射感光材料が前記放射感光材料の後続の現像の間に実質的に除去されるのに十分であるドーズ量で照射され、または前記放射感光材料がネガ型の放射感光材料である場合、前記放射感光材料が前記放射感光材料の後続の現像中実質的に不溶性であるのに十分であるドーズ量で照射されるステップと、
   前記放射感光材料を現像するステップと、
   前記欠陥に関連する情報を得るために、前記放射感光材料が現像された後、前記基板上に残る放射感光材料のトポグラフィを少なくとも示す情報を得るステップと
   を含む方法。
2. 前記ドーズ量は、
   前記放射感光材料がポジ型の放射感光材料である場合、前記照射された放射感光材料が前記放射感光材料の後続の現像の間に実質的に除去されるのに必要とされるドーズ量、または、
   前記放射感光材料がネガ型の放射感光材料である場合、前記照射された放射感光材料が前記放射感光材料の後続の現像中実質的に不溶性であるのに必要とされるドーズ量に等しい、請求項１に記載の方法。
3. 前記ドーズ量は、
   前記放射感光材料がポジ型の放射感光材料である場合、前記照射された放射感光材料が前記放射感光材料の後続の現像の間に実質的に除去されるのに必要とされるドーズ量、または、
   前記放射感光材料がネガ型の放射感光材料である場合、前記照射された放射感光材料が前記放射感光材料の後続の現像中実質的に不溶性であるのに必要とされるドーズ量よりも大きい、請求項１に記載の方法。
4. 前記ドーズ量が０％と１０％との間だけ大きい、請求項３に記載の方法。
5. 前記ドーズ量が５％と１０％との間だけ大きい、請求項３に記載の方法。
6. 前記放射感光材料の前記トポグラフィを示す前記情報が装置を使用して得られ、前記基板上の放射感光材料の様々な区域の前記トポグラフィを少なくとも示す情報を得るために、前記基板、前記装置の少なくとも一部、または前記基板および前記装置の前記少なくとも一部の両方を互いに対して移動させるステップを含む、請求項１に記載の方法。
7. 前記装置が表面スキャンエレメントであるかまたはそれを含む、請求項６に記載の方法。
8. 前記装置が、走査型電子顕微鏡、原子間力顕微鏡、走査型プローブ顕微鏡、または走査型フォース顕微鏡を含む、請求項６に記載の方法。
9. 前記放射感光材料の前記トポグラフィを示す前記情報が、前記基板および／または放射感光材料から方向が変更された放射のビームの変化を検出することによって少なくとも部分的に得られる、請求項１に記載の方法。
10. ｉ）放射ビーム生成コンポーネント、ｉｉ）放射ビーム検出コンポーネント、ｉｉｉ）入射の放射ビーム、ｉｖ）前記基板、またはｖ）ｉ）〜ｉｖ）から選択された任意の組合せを移動させることを含む、請求項９に記載の方法。
11. 前記変化が、
    前記方向が変更された放射ビームの方向変更の角度の変化、
    前記方向が変更された放射ビームの強度または強度分布の変化、
    または前記方向が変更された放射ビームの検出もしくは非検出
    を含む、請求項９に記載の方法。
12. 前記放射感光材料の前記トポグラフィを示す前記情報が、
    放射感光材料の１つまたは複数の区域の位置、
    放射感光材料の区域の数、
    放射感光材料の前記１つまたは複数の区域のサイズ、
    または放射感光材料の前記１つまたは複数の区域の形状
    を含む、請求項１に記載の方法。
13. 放射感光材料の前記１つまたは複数の区域の位置、数、サイズ、または形状が、放射感光材料の前記１つまたは複数の区域が現像中前記基板上に残る原因となる１つもしくは複数の気泡、１つもしくは複数の流体マーク、または汚染の位置、数、サイズ、または形状に対応する、請求項１２に記載の方法。
14. 前記気泡、流体マーク、または汚染が、前記液浸リソグラフィプロセス中に使用された多量の液浸流体中に、または前記液浸リソグラフィプロセス中前記放射感光材料の層上に存在したものである、請求項１３に記載の方法。
15. 前記放射感光材料の前記トポグラフィを示す前記情報が、
    放射感光材料に囲まれた１つまたは複数の区域の位置、
    放射感光材料に囲まれた区域の数、
    放射感光材料に囲まれた前記１つまたは複数の区域のサイズ、
    または放射感光材料に囲まれた前記１つまたは複数の区域の形状
    を含む、請求項１に記載の方法。
16. 放射感光材料に囲まれた前記１つまたは複数の区域の位置、数、サイズ、または形状が、放射感光材料の１つまたは複数の区域が現像中に前記基板から除去されて放射感光材料に囲まれた１つまたは複数の区域を残す原因となる１つもしくは複数の気泡、１つもしくは複数の流体マーク、または汚染の位置、数、サイズ、または形状に対応する、請求項１５に記載の方法。
17. 前記気泡、流体マーク、または汚染が、前記液浸リソグラフィプロセス中に使用された多量の液浸流体中に、または前記液浸リソグラフィプロセス中前記放射感光材料の層上に存在したものである、請求項１６に記載の方法。
18. 前記放射感光材料がフォトレジストである、請求項１に記載の方法。
19. 液浸リソグラフィを使用して放射感光材料の層で被覆された基板の照射中に存在する欠陥に関連する情報を得るように構成された装置であって、
    非パターン化放射ビームで前記放射感光材料の区域を照射するように構成された液浸リソグラフィ装置であって、前記区域は、前記放射感光材料がポジ型の放射感光材料である場合、前記放射感光材料が前記放射感光材料の後続の現像の間に実質的に除去されるのに十分であるドーズ量で照射され、または前記放射感光材料がネガ型の放射感光材料である場合、前記放射感光材料が前記放射感光材料の後続の現像中実質的に不溶性であるのに十分であるドーズ量で照射される液浸リソグラフィ装置と、
    前記放射感光材料を現像するように構成された現像装置と、
    前記欠陥に関連する情報を得るために、前記放射感光材料が現像された後、前記基板上に残る放射感光材料のトポグラフィを示す情報を得るように構成された装置と
    を含む装置。