TWI389551B - 迦瑪校正裝置 - Google Patents
迦瑪校正裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI389551B TWI389551B TW096129468A TW96129468A TWI389551B TW I389551 B TWI389551 B TW I389551B TW 096129468 A TW096129468 A TW 096129468A TW 96129468 A TW96129468 A TW 96129468A TW I389551 B TWI389551 B TW I389551B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- check code
- memory
- gamma correction
- gamma
- unit
- Prior art date
Links
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims description 60
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 34
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/14—Picture signal circuitry for video frequency region
- H04N5/20—Circuitry for controlling amplitude response
- H04N5/202—Gamma control
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Picture Signal Circuits (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Description
本發明是有關於一種迦瑪校正(Gamma Correction)裝置,且特別是有關於一種可防止靜電放電(Electrostatic Discharge,ESD)效應及記憶體製程缺陷之迦瑪校正裝置。
在科技發展日新月異的現今時代中,迦瑪校正(Gamma Correction)已廣泛地應用在影像顯示場合,使影像之顯示效果更能符合人眼的視覺心理感知度。當欲對原始影像畫面進行迦瑪校正時係透過預定之迦瑪曲線,例如:gray
_out
=gray
_max×來根據迦瑪數值γ、輸入灰階值gray_in與最高灰階值gray_max來映射產生對應之輸出灰階值gray_out。
在現有技術中,係將迦瑪校正曲線以儲值表(Look-up Table)的方式儲存,當迦瑪校正單元欲進行迦瑪校正時係載入儲值表至記憶體中,以進行迦瑪校正。然而,記憶體中之儲值表資料容易因外界之干擾,如靜電放電效應(Electrostatic Discharge,ESD)影響產生錯誤,進而使迦瑪校正效果變差,甚至產生錯誤。
本發明係有關於一種迦瑪校正(Gamma Correction)裝置,其可有效地改善傳統迦瑪校正裝置容易受到靜電放電效應(Electrostatic Discharge,ESD)影響及迦瑪校正結果容易產生錯誤之缺點,而實質上可有效地避免迦瑪校正裝置之操作受到靜電放電效應影響及於迦瑪校正裝置產生永久性損壞時終止其操作,以提升其迦瑪校正正確性之優點。
根據本發明提出一種迦瑪校正裝置,包括:載入控制單元、唯讀記憶體(Read Only Memory,ROM)、靜態記憶體(Static Random Access Memory,SRAM)、檢查碼單元及計數單元。唯讀記憶體,用以儲存複數筆迦瑪資料及一檢查碼;靜態記憶體,耦接該唯讀記憶體,用以儲存資料;載入控制單元,用以控制將該唯讀記憶體中之該些迦瑪資料載入至該靜態記憶體之載入動作;檢查碼單元,用以接收並根據該檢查碼以判斷該靜態記憶體中之該些迦瑪資料是否有錯誤;計數單元,用以累計該檢查碼單元檢查出錯誤之次數;其中,當該檢查碼單元檢查出錯誤時,該載入控制單元重新自該唯讀記憶體中將該些迦瑪資料載入至該靜態記憶體中。
為讓本發明之上述內容能更明顯易懂,下文特舉一較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下:
請參照第1圖,其繪示依照本發明實施例之迦瑪校正(Gamma Correction)裝置的方塊圖。迦瑪校正裝置10應用於顯示系統,用以對輸入灰階值(未繪示)進行迦瑪校正,使顯示系統能具有較佳之顯示效果。迦瑪校正裝置10包括載入控制單元12、唯讀記憶體14、靜態記憶體16、檢查碼單元18及計數單元20。載入控制單元12分別提供位址訊號Sad及寫入訊號Swr至唯讀記憶體14及靜態記憶體16,用以控制將唯讀記憶體14中之迦瑪資料載入至靜態記憶體之載入動作。
唯讀記憶體14用以儲存多筆迦瑪資料Sda及檢查碼Sch,並根據位址訊號Sad來提供儲存於對應位址之迦瑪資料Sda及該檢查碼Sch。靜態記憶體16根據寫入訊號Swr來接收並儲存迦瑪資料Sda,並根據位址訊號Sad來儲存迦瑪資料Sda於靜態記憶體16中對應之位址中。
迦瑪資料Sda例如實質上用以表示出對應之一迦瑪曲線,用以映射輸入灰階值(未繪示)至對應之迦瑪資料Sda並將其輸出。當迦瑪資料Sda載入完畢時,靜態記憶體16係可映射輸入灰階值至對應之迦瑪資料,以進行對應之迦瑪校正。
檢查碼單元18用以接收並根據儲存於靜態記憶體16中之迦瑪資料Sda來運算得到運算數值(未繪示)。檢查碼單元更接收並比較該檢查碼Sch與運算數值是否相等來判斷迦瑪記憶體16中儲存之迦瑪資料Sda是否正確。其中,檢查碼單元18例如為傳統循環冗餘檢查碼(Cyclic Redundancy Check,CRC)檢查碼單元,其示意圖如第2圖所示。在此實施例中,當檢查碼單元18運算出之運算數值等於該檢查碼Sch時,即表示該迦瑪資料Sda沒有錯誤,若該運算數值不等於該檢查碼Sch時,即表示該迦瑪資料存有錯誤。計數單元20用以累計檢查碼單元18連續檢查出錯誤之次數或計算重複載入次數n,並於檢查碼Sch與運算數值不相等時累加重複載入次數n=n+1,n為大於或等於0之整數。其中,每當檢查碼單元18判斷靜態記憶體16之迦瑪資料為正確時,重置計數單元之累計值,意即將該計數單元累計之累計值歸零。
載入控制單元12更用以於當檢查碼單元18判斷該迦瑪資料存有錯誤時,重新將唯讀記憶體14中之迦瑪資料載入至靜態記憶體16中。如此,本實施例之迦瑪校正裝置10可於靜態記憶體16載入之迦瑪資料Sda有誤時自動地重新執行載入操作。這樣一來,本實施例之迦瑪校正裝置10可有效地避免迦瑪校正裝置之操作受到偶發之外界之干擾,如靜電放電效應(Electrostatic Discharge,ESD)影響,而使迦瑪校正產生錯誤。
檢查碼單元18例如於完成比對檢查碼Sch與運算數值是否相等之操作時產生完成訊號Sfi,並於檢查碼Sch與運算數值相等時產生輸出訊號Sou。計數單元20例如回應於完成訊號Sfi及輸出訊號Sou來判斷檢查碼Sch與運算數值是否相等。當計數單元20接收到完成訊號Sfi及輸出訊號Sou時表示檢查碼Sch與運算數值為相等。
當計數單元20接收到完成訊號Sfi但未偵測到輸出訊號Sou時係表示檢查碼Sch與運算數值不相等,亦即是靜態記憶體16中之迦瑪資料Sda係為錯誤,此時計數單元20累加重複載入次數n=n+1。
當計數單元20計算之重複載入次數n累計超過一預設數值時,計數單元20係產生終止訊號Stm來關閉載入控制單元12、靜態記憶體16及檢查碼單元18。如此,以關閉迦瑪校正裝置10以終止其迦瑪校正操作,其中該預設數值為大於1之自然數。
當重複載入次數超過預設數值時,表示迦瑪校正裝置10實質上產生永久性地損壞,例如靜態記憶體16具有製程缺陷(Process Defect)或在長時間使用後靜態記憶體16之記憶胞(Cell)產生損壞,導致其中之迦瑪資料Sda持續地為錯誤。此時,本實施例之迦瑪校正裝置10係透過終止訊號Stm終止其之迦瑪校正操作。如此,本實施例之迦瑪校正裝置10更可有效地於其中之硬體產生永久性損壞時有效地停止其之迦瑪校正,以避免影響顯示系統之顯示效果。
載入控制單元12可根據輸出訊號Sou來判斷檢查碼Sch與運算數值是否相等,並於其不相等時提供位址訊號Sad及寫入訊號Swr來驅動靜態記憶體16載入唯讀記憶體14中之迦瑪資料Sda。
在一實施例中,載入控制單元12包括一邏輯單元(未繪示),用以於接收到一重置訊號Sre之事件或未偵測到輸出訊號Sou之事件發生時提供位址訊號Sad及寫入訊號Swr來驅動靜態記憶體16載入唯讀記憶14體中之迦瑪資料Sda。本實施例之邏輯單元例如為反相或閘(NOR),其用以回應於重置訊號Sre及輸出訊號Sou之低位準來分別判斷其對應之事件為觸發,並於任一對應之事件觸發時,重新將唯讀記憶體14中之迦瑪資料載入至靜態記憶體16中。
本實施例之迦瑪校正裝置10更包括邏輯單元22,用以回應於位址訊號Sad來接收並提供唯讀記憶體14提供之檢查碼Sch至檢查碼單元18。
本實施例之迦瑪校正裝置係透過檢查碼單元來比對迦瑪資料之運算資料與檢查碼,並於得到之比對結果為不相同時控制迦瑪校正裝置重新載入迦瑪資料至靜態記憶體中。如此,本實施例之迦瑪校正裝置可有效地改善傳統迦瑪校正裝置容易受到靜電放電效應影響及迦瑪校正結果容易產生錯誤之缺點,而實質上具有可有效地避免迦瑪校正裝置之操作受到靜電放電效應影響及其迦瑪校正正確性之優點。
另外,本實施例之迦瑪校正裝置更透過計數單元來判斷靜態記憶體中之迦瑪資料是否連續地多次出現載入錯誤,並於靜態記憶體中之迦瑪資料連續地錯誤一預定次數時判斷迦瑪校正裝置發生永久性地壞損以關閉迦瑪校正系統。如此,本實施例之迦瑪校正裝置更具有可有效地判斷並避免迦瑪校正裝置的壞損影響其迦瑪校正正確性之優點。
綜上所述,雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾。因此,本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10...迦瑪校正裝置
12...載入控制單元
14...唯讀記憶體
16...靜態記憶體
18...檢查碼單元
20...計數單元
22...邏輯單元
第1圖繪示依照本發明實施例之迦瑪校正(Gamma Correction)裝置的方塊圖。
第2圖繪示乃第1圖之檢查碼單元18的示意圖。
10...迦瑪校正裝置
12...載入控制單元
14...唯讀記憶體
16...靜態記憶體
18...檢查碼單元
20...計數單元
22...邏輯單元
Claims (8)
- 一種迦瑪校正(Gamma Correction)裝置,包括:一唯讀記憶體,用以儲存複數筆迦瑪資料及一檢查碼;一靜態記憶體,耦接該唯讀記憶體,用以儲存資料;一載入控制單元,用以控制將該唯讀記憶體中之該些迦瑪資料載入至該靜態記憶體之載入動作;一檢查碼單元,用以接收並根據該檢查碼以判斷該靜態記憶體中之該些迦瑪資料是否有錯誤;以及一計數單元,用以累計該檢查碼單元檢查出錯誤之次數;其中,當該檢查碼單元檢查出錯誤時,該載入控制單元重新自該唯讀記憶體中將該些迦瑪資料載入至該靜態記憶體中。
- 如申請專利範圍第1項所述之迦瑪校正裝置,其中該檢查碼單元將該靜態記憶體中之該些迦瑪資料運算以得到一運算數值,再藉由比對該檢查碼與該運算數值以判斷該些迦瑪資料是否有錯誤。
- 如申請專利範圍第2項所述之迦瑪校正裝置,其中該檢查碼單元用以於完成比對該檢查碼與該運算數值是否相等之操作時產生一完成訊號,該檢查碼單元更用以於比對結果為正確時,產生一輸出訊號。
- 如申請專利範圍第3項所述之迦瑪校正裝置,其中該計數單元藉由該完成訊號與該輸出訊號計算該檢查碼單元檢查出錯誤之次數。
- 如申請專利範圍第1項所述之迦瑪校正裝置,其中當該計算單元累計檢查出錯誤次數之累計值大於一預設數值時,該迦瑪校正裝置係將該載入控制單元、該靜態記憶體及該檢查碼單元禁能。
- 如申請專利範圍第1項所述之迦瑪校正裝置,其中,每當該檢查碼單元判斷該靜態記憶體中之該些迦瑪資料為正確時,將該計數單元累計之累計值歸零。
- 如申請專利範圍第1項所述之迦瑪校正裝置,其中該載入控制單元藉由一位址訊號及一寫入訊號將該唯讀記憶體中之該些迦瑪資料載入至該靜態記憶體中。
- 如申請專利範圍第1項所述之迦瑪校正裝置,更包括:一邏輯單元,用以根據一位址訊號來提供該唯讀記憶體之該檢查碼至該檢查碼單元。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW096129468A TWI389551B (zh) | 2007-08-09 | 2007-08-09 | 迦瑪校正裝置 |
US12/222,220 US8089561B2 (en) | 2007-08-09 | 2008-08-05 | Gamma correction apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW096129468A TWI389551B (zh) | 2007-08-09 | 2007-08-09 | 迦瑪校正裝置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200908701A TW200908701A (en) | 2009-02-16 |
TWI389551B true TWI389551B (zh) | 2013-03-11 |
Family
ID=40346125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW096129468A TWI389551B (zh) | 2007-08-09 | 2007-08-09 | 迦瑪校正裝置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8089561B2 (zh) |
TW (1) | TWI389551B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI406263B (zh) * | 2009-09-25 | 2013-08-21 | Holtek Semiconductor Inc | 亮度補償裝置及其應用方法 |
KR101255289B1 (ko) * | 2009-12-31 | 2013-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
KR102153037B1 (ko) * | 2014-09-03 | 2020-09-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 타이밍 컨트롤러 |
CN105139885B (zh) * | 2015-07-20 | 2018-01-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种可编程伽马电压输出装置和显示设备 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2915583B2 (ja) | 1991-01-14 | 1999-07-05 | キヤノン株式会社 | 画像記録装置 |
JPH09172547A (ja) * | 1995-10-19 | 1997-06-30 | Ricoh Co Ltd | カラー画像形成装置 |
US6404512B1 (en) * | 1998-07-06 | 2002-06-11 | Ricoh Company, Ltd. | Method and apparatus for image processing capable of efficiently performing a gamma conversion operation |
KR100866818B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
DE60223908T2 (de) * | 2001-03-15 | 2008-11-13 | Seiko Epson Corp. | Bildverarbeitungsvorrichtung |
US7379057B2 (en) * | 2001-07-27 | 2008-05-27 | Sony Corporation | Non-linear processing apparatus, image display apparatus |
US7092069B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10253679A1 (de) * | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
US7010958B2 (en) * | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
TWI247339B (en) * | 2003-02-21 | 2006-01-11 | Asml Holding Nv | Lithographic printing with polarized light |
US6943941B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7206059B2 (en) * | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) * | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
JP4146755B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4025683B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
JP4084710B2 (ja) * | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4054285B2 (ja) * | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4029064B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084712B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6809794B1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
US7579135B2 (en) * | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7061578B2 (en) * | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7700267B2 (en) * | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7085075B2 (en) * | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7070915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US7014966B2 (en) * | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
US6961186B2 (en) * | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
US7369217B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
US7678527B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
US7924397B2 (en) * | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
JP4201193B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2008-12-24 | ローム株式会社 | ガンマ補正回路及びそれを備える表示装置 |
JP2007110576A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Fujifilm Corp | 被写体像データの色補正装置およびその制御方法 |
US7203109B1 (en) | 2005-12-21 | 2007-04-10 | Motorola, Inc. | Device and method for detecting corruption of digital hardware configuration |
-
2007
- 2007-08-09 TW TW096129468A patent/TWI389551B/zh not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-08-05 US US12/222,220 patent/US8089561B2/en active Active - Reinstated
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8089561B2 (en) | 2012-01-03 |
TW200908701A (en) | 2009-02-16 |
US20090040389A1 (en) | 2009-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8572444B2 (en) | Memory apparatus and testing method thereof | |
TWI389551B (zh) | 迦瑪校正裝置 | |
US7971112B2 (en) | Memory diagnosis method | |
US8572443B2 (en) | System, method, and computer program product for determining a retention behavior for at least one block of a memory device having finite endurance and/or retention | |
US20120317460A1 (en) | Identification and mitigation of hard errors in memory systems | |
US20140047301A1 (en) | Semiconductor memory device and a method therein | |
EP2704012A8 (en) | Adaptive error correction for non-volatile memories | |
JP2008192267A5 (zh) | ||
JPWO2007097019A1 (ja) | キャッシュ制御装置およびキャッシュ制御方法 | |
US11183126B2 (en) | Device and method for mura correction | |
TW201503153A (zh) | 快閃記憶體裝置、記憶體控制器及快閃記憶體的控制方法 | |
US9495242B2 (en) | Adaptive error correction in a memory system | |
CN101377919A (zh) | 伽马校正装置 | |
JP5604313B2 (ja) | メモリアクセス制御装置 | |
JP2013117840A (ja) | メモリアクセス制御装置および方法 | |
US9972383B2 (en) | Reading memory cells | |
US20160117217A1 (en) | Apparatus and a method of detecting errors on registers | |
JP2008070561A5 (zh) | ||
KR101994350B1 (ko) | 멀티-타임 프로그래머블 동작의 오류 검출 방법 및 이를 채용한 유기 발광 표시 장치 | |
JP2015088214A (ja) | データ処理のための方法、機器、および装置 | |
TWI483107B (zh) | 串列介面快閃記憶體裝置及其狀態暫存器的寫入方法 | |
KR20160008786A (ko) | 메모리 데이터의 에러 보정 장치 및 방법 | |
TW201810098A (zh) | 電子裝置及其資料驗證方法 | |
US20080294961A1 (en) | Method and apparatus for reading data | |
US7590913B2 (en) | Method and apparatus of reporting memory bit correction |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |