JP2009094532A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液体リザーバの完全な更新を確保しながら、投影系に対する基板の走査方向の変
化に関係なく連続的に動作させることができる液体供給系を提供すること。
【解決手段】走査式浸漬リソグラフィ装置において、液体の流れがほぼ走査方向に垂直に
なるように、浸漬液は投影系と基板の間の空間の一方の側で供給され、もう一方の側で排
出される。
【選択図】図６

Description

本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常は基板のターゲット部分上に適用
する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることがで
きる。そのような場合、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターン形成装置を用いて、Ｉ
Ｃの個々の層に形成される回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板
（例えばシリコン・ウェハ）上の（例えば１つ以上のダイの一部を含む）ターゲット部分
に転写することができる。パターンの転写は、一般に基板上に設けられた放射感応材料（
レジスト）の層への結像によるものである。一般に単一の基板は、連続的にパターンが形
成される隣接するターゲット部分のネットワークを含む。周知のリソグラフィ装置には、
パターン全体をターゲット部分に一度に露光することによって各ターゲット部分を照射す
る、いわゆるステッパと、パターンを投影ビームによって所与の方向（「走査」方向）に
走査し、それと同時にこの方向に対して平行又は逆平行に基板を同期して走査することに
よって各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナとが含まれる。パターンを基板に
インプリントすることによって、パターンをパターン形成装置から基板に転写することも
可能である。

投影系の最終要素と基板の間の空間を満たすように、リソグラフィ投影装置中の基板を
、例えば水など比較的高い屈折率を有する液体に浸漬させることが提唱されている。この
要点は、液体中では露光放射がより短い波長を有するため、より小さいフィーチャの結像
が可能になることにある。（液体の効果を、系の有効ＮＡを高め、且つ焦点深度も高める
ことと考えることもできる。）固体粒子（例えば石英）を懸濁させた水を含めて他の浸漬
液も提唱されている。

しかし、基板、又は基板と基板テーブルを液体槽に浸すこと（例えば米国特許第４５０
９８５２号参照、その全体を参照によって本明細書に援用する）は、走査露光中に加速さ
せなければならない大量の液体が存在することを意味する。このため、追加のモータ又は
より強力なモータが必要となり、また液体の乱れによって望ましくない予測できない影響
をまねく虞がある。

提唱されている解決策の１つは、液体供給系によって基板、及び投影系の最終要素と基
板の間の局部領域のみに液体を供給することである（基板は一般に、投影系の最終要素よ
り大きい表面積を有する）。これを構成するために提唱されている１つの方法がＰＣＴ特
許出願ＷＯ９９／４９５０４に開示されており、その全体を参照によって本明細書に援用
する。図２及び図３に示すように、液体は少なくとも１つの入口ＩＮによって、好ましく
は最終要素に対する基板の移動方向に沿って基板上に供給され、投影系の下を通過した後
、少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。すなわち、基板が要素の下を−Ｘ方
向に走査されるため、液体は要素の＋Ｘ側で供給され、−Ｘ側で取り出される。図２は、
液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素のもう一
方の側で取り出される配置を概略的に示している。図２の例では、最終要素に対する基板
の移動方向に沿って液体が供給されているが、このようにする必要はない。最終要素の周
りに配置する入口及び出口は、様々な向き及び数とすることが可能であり、両側に出口を
有する４組の入口を最終要素の周りに規則正しいパターンで設けた一実施例を図３に示す
。

図２及び図３、並びに（以下でより詳しく論じる）図４の液体供給系では、液体の流れ
は基板に対する投影系の走査方向に平行又は逆平行である。これは、走査方向の変化と同
時に流れ方向を変えなければならないことを意味している。そうした流れ方向の変化によ
り、気泡の形成、汚染、基板表面への粒子の堆積を増加させる虞がある浸漬液の乱れが生
じる可能性がある。一方、図５の液体供給系は、シール部材を巡る同心の周縁（例えば円
）の周りに間隔をあけて配置された液体供給口及び排出口を有している。これによって角
度対称の液体の流れが得られ、この流れは投影系に対する基板の移動方向の変化に伴って
変化させる必要がない。このタイプの配置では、リザーバ１０の中心領域での更新が不十
分になり、投影ビームＰＢの経路内に微粒子からなる汚染物質及び気泡が蓄積する可能性
をまねく虞がある。

したがって、例えば、液体リザーバの完全な更新を確保しながら、投影系に対する基板
の走査方向の変化に関係なく連続的に動作させることができる液体供給系を提供すると有
利であろう。

本発明の態様によれば、基板を投影系に対して第１の方向に走査しながら、投影系を用
いてパターンをパターン形成装置から基板に投影するように構成されたリソグラフィ投影
装置であって、
液体を投影系と基板の間の空間に供給するように構成され、液体供給口及び液体排出口
を有し、液体が空間を横切って実質的に第１の方向に垂直な方向に流れるように、その供
給口及び排出口が空間の両側に配置された液体供給系を有するリソグラフィ投影装置が提
供される。

本発明の態様によれば、
供給口を通してリソグラフィ投影装置の投影系と基板の間の空間に液体を供給する工程
であって、供給口が空間の第１の側に配置される工程と、
液体が空間を横切って実質的に走査方向に垂直な方向に流れるように、第１の側と反対
側の、空間の第２の側に配置された排出口を介して液体を除去する工程と、
基板を投影系に対して走査方向に走査しながら、パターンが形成された放射ビームを、
投影系を用いて液体を通して基板に投影する工程と
を含むデバイス製造方法が提供される。

次に本発明の実施例を、添付の概略図を参照して例示のみの目的で説明するが、図中に
おいて同じ参照記号は同じ部品を指すものであることに留意されたい。

図１は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示している。この装置は
、
放射の投影ビームＰＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を制御するように構成された
照明系（照明器）ＩＬと、
パターン形成装置（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成された支持構造体（例え
ばマスク・テーブル）ＭＴであって、あるパラメータに従ってパターン形成装置を正確に
位置決めするように構成された第１の位置決め装置ＰＭに接続された支持構造体ＭＴと、
基板（例えばレジスト塗布ウェハ）Ｗを保持するように構成された基板テーブル（例え
ばウェハ・テーブル）ＷＴであって、あるパラメータに従って基板を正確に位置決めする
ように構成された第２の位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブルＷＴと、
パターン形成装置ＭＡによって放射ビームＰＢに与えられたパターンを、基板Ｗの（例
えば１つ以上のダイを含む）ターゲット部分Ｃに投影するように構成された投影系（例え
ば屈折投影レンズ系）ＰＬと
を備えている。

照明系は、放射の方向付け、成形又は制御のための屈折式、反射式、磁気式、電磁式、
静電式又は他のタイプの光学要素、或いはその任意の組み合わせなど、様々なタイプの光
学要素を含むことができる。

支持構造体とは、すなわちパターン形成装置の重量を支えるものである。支持構造体は
、パターン形成装置の向き、リソグラフィ装置の設計、並びに例えばパターン形成装置が
真空環境に保持されているかどうかなど他の条件によって決まる態様でパターン形成装置
を保持する。支持構造体は、機械式、真空式、静電式又は他のクランプ技術を用いてパタ
ーン形成装置を保持することができる。支持構造体を、例えばフレーム又はテーブルとす
ることが可能であり、これらは必要に応じて固定することも移動させることもできる。支
持構造体は、パターン形成装置が、例えば投影系に対してなど、所望される位置にあるこ
とを保証することができる。本明細書中の「レチクル」又は「マスク」という用語の使用
はいずれも、「パターン形成装置」という、より一般的な用語と同義であると考えられる
。

本明細書で使用する「パターン形成装置」という用語は、基板のターゲット部分にパタ
ーンを生成するためなど、放射ビームの断面にパターンを与えるために用いることができ
る任意の装置を指すものとして広く解釈すべきである。例えばパターンが位相シフト・フ
ィーチャ、又はいわゆるアシスト・フィーチャを含む場合には、放射ビームに与えられる
パターンが、基板のターゲット部分における所望のパターンと厳密に一致しない可能性が
あることに留意すべきである。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路な
どターゲット部分に作製されるデバイスの特定の機能層に対応している。

パターン形成装置は、透過式でも反射式でもよい。パターン形成装置の例には、マスク
、プログラマブル・ミラー・アレイ及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスク
はリソグラフィの分野では周知であり、それにはバイナリ・マスク、交互位相シフト・マ
スク及び減衰位相シフト・マスクなどのマスク・タイプ、並びに様々なハイブリッド型の
マスク・タイプが含まれる。プログラマブル・ミラー・アレイの例は、小さいミラーのマ
トリクス状の配列を使用するものであり、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよ
うに、それぞれのミラーを別々に傾斜させることができる。傾斜したミラーは、ミラーの
マトリクスによって反射される放射ビームにパターンを与える。

本明細書で使用する「投影系」という用語は、適宜、使用される露光放射向け、又は浸
漬液の使用や真空の使用など他の要素向けの屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁
式及び静電式の光学系、又はその任意の組み合わせを含めて、任意のタイプの投影系を包
含するものとして広く解釈すべきである。本明細書中の「投影レンズ」という用語の使用
はいずれも、「投影系」というより一般的な用語と同義であると考えられる。

本明細書で図示する装置は、（例えば透過性マスクを使用する）透過式のものである。
或いは、装置は（例えば先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイ、又は反
射性マスクを使用する）反射式のものでもよい。

リソグラフィ装置は、２（デュアル・ステージ）又は３以上の基板テーブル（及び／又
は２以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものでもよい。こうした「マルチ・ステ
ージ」装置では、追加のテーブルを並行して用いてもよく、或いは１つ以上のテーブル上
で予備ステップを実施し、それと同時に１つ以上の他のテーブルを露光に用いてもよい。

図１を参照すると、照明器ＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源
がエキシマ・レーザーである場合、放射源とリソグラフィ装置を別々の構成要素にするこ
とができる。そうした場合には、放射源がリソグラフィ装置の一部を形成するとは考えら
れず、放射ビームは、例えば適切な方向付けミラー及び／又はビーム・エキスパンダを有
するビーム送出系ＢＤを用いて、放射源ＳＯから照明器ＩＬへ送られる。他の場合、例え
ば放射源が水銀ランプである場合には、放射源をリソグラフィ装置の一部とすることがで
きる。放射源ＳＯ及び照明器ＩＬを、必要であればビーム送出系ＢＤと共に、放射系と呼
ぶことがある。

照明器ＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するための調整装置ＡＤを有することが
できる。一般に、照明器の瞳面内における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側の半
径方向範囲（それぞれ一般にσ−アウタ、σ−インナと呼ばれる）を調整することができ
る。さらに照明器ＩＬは、積算器ＩＮやコンデンサＣＯなど他の様々な構成要素を含むこ
とができる。照明器を用いて、所望される均一性及び強度分布をその断面内に有するよう
に放射ビームを制御することができる。

放射ビームＰＢは、支持構造体（例えばマスク・テーブルＭＴ）上に保持されているパ
ターン形成装置（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターン形成装置によって放射ビームＰ
Ｂにパターンが形成される。マスクＭＡを通過した放射ビームＰＢは、ビームを基板Ｗの
ターゲット部分Ｃに集束させる投影系ＰＬを通過する。第２の位置決め装置ＰＷ及び位置
センサＩＦ（例えば干渉測定装置、リニア・エンコーダ又は容量センサ）を用いて、基板
テーブルＷＴを、例えば異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＰＢの経路内に位置決めす
るように、正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め装置ＰＭ及び他の位
置センサ（図１には明示せず）を用いて、例えばマスク・ライブラリから機械的に取り出
した後、又は走査中に、マスクＭＡを放射ビームＰＢの経路に対して正確に位置決めする
ことができる。一般に、マスク・テーブルＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部
を形成する長ストローク・モジュール（粗い位置決め）及び短ストローク・モジュール（
細かい位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、
第２の位置決め装置ＰＷの一部を形成する長ストローク・モジュール及び短ストローク・
モジュールを用いて実現することができる。（スキャナではなく）ステッパの場合には、
マスク・テーブルＭＴを短ストローク・アクチュエータに接続するだけでもよいし、又は
固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置調整用マークＭ１、Ｍ２、及び基
板位置調整用マークＰ１、Ｐ２を用いて位置を調整することができる。図示した基板位置
調整用マークは、専用のターゲット部分を占めているが、ターゲット部分同士の間の空間
に配置してもよい（これはスクライブ・レーン位置調整用マークとして知られている）。
同様に、マスクＭＡ上に２つ以上のダイが設けられている場合には、マスク位置調整用マ
ークをダイ同士の間に配置することもできる。

図示した装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、放射ビームに与えられたパターン全体を１回でターゲット部
分Ｃに投影する間、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを本質的に静止した状態
に保つ（すなわち、ただ１回の静止露光）。次いで、異なるターゲット部分Ｃを露光する
ことができるように、基板テーブルＷＴをＸ及び／又はＹ方向に移動させる。ステップ・
モードでは、露光フィールドの最大サイズによって１回の静止露光で結像されるターゲッ
ト部分Ｃのサイズが制限される。
２．走査モードでは、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する間
、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期して走査する（すなわち、ただ１回
の動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影
系ＰＬの拡大（縮小）率、及び像の反転特性によって決めることができる。走査モードで
は、露光フィールドの最大サイズによって１回の動的露光におけるターゲット部分の（非
走査方向の）幅が制限され、走査移動の長さによってターゲット部分の（走査方向の）高
さが決定される。
３．他のモードでは、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する間
、プログラム可能なパターン形成装置を保持しながらマスク・テーブルＭＴを本質的に静
止した状態に保ち、基板テーブルＷＴを移動又は走査させる。このモードでは、一般にパ
ルス式の放射源が使用され、基板テーブルＷＴが移動するたびに、又は走査中の連続する
放射パルスの合間に、プログラム可能なパターン形成装置が必要に応じて更新される。こ
の動作モードは、先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイなど、プログラ
ム可能なパターン形成装置を利用するマスクレス・リソグラフィに簡単に適用することが
できる。

前述の使用モードの組み合わせ及び／又は変形形態、或いは全く異なる使用モードを採
用することもできる。

局部的な液体供給系を備える浸漬リソグラフィの他の解決策を図４に示す。液体は、投
影系ＰＬの両側で２つの溝入口ＩＮによって供給され、入口ＩＮの半径方向外側に配置さ
れた複数の別々の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮ及び出口ＯＵＴは、投影ビー
ムがそれを通して投影される孔を中央に有する面に配置することができる。液体は、投影
系ＰＬの一方の側で１つの溝入口ＩＮによって供給され、投影系ＰＬのもう一方の側で複
数の別々の出口ＯＵＴによって除去されて、投影系ＰＬと基板Ｗの間に薄い液体膜の流れ
が生じる。入口ＩＮと出口ＯＵＴのどの組み合わせ使用するかの選択は、基板Ｗの移動方
向によって決めることができる（入口ＩＮと出口ＯＵＴの他の組み合わせは働かなくなる
）。

提唱されている局部的な液体供給系の解決策を伴う浸漬リソグラフィの他の解決策は、
投影系の最終要素と基板テーブルとの間の空間の、少なくとも一部の境界に沿って延びる
シール部材を有する液体供給系を提供することである。シール部材は、ＸＹ平面内では投
影系に対してほぼ静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）にはある程度の相対移動が可能
である。シール部材と基板表面の間にシールが形成される。一実施例では、シールはガス
・シールなど非接触シールである。ガス・シールを有するそうしたシステムが、米国特許
出願ＵＳ１０／７０５７８３に開示されており、その全体を参照によって本明細書に援用
し、図５に示す。

図５に示すように、リザーバ１０は、液体を閉じ込めて基板表面と投影系の最終要素と
の間の空間を満たすように、投影系のイメージ・フィールドの周りに基板に対する非接触
シールを形成している。リザーバは、投影系ＰＬの最終要素の下に、並びにそれを囲むよ
うに配置されたシール部材１２によって形成されている。液体は、投影系下のシール部材
１２内部の空間に導入される。シール部材１２は投影系の最終要素の少し上に延びており
、液体は最終要素より上に上昇して液体の緩衝体を形成する。シール部材１２は、上端で
好ましくは投影系又はその最終要素の形に厳密に一致した内側周縁を有し、例えばそれを
円筒形とすることができる。底部では、内側周縁はイメージ・フィールドの形に厳密に一
致し、例えば長方形とすることができるが、必ずしもそうである必要はない。

液体は、シール部材１２の底部と基板Ｗの表面の間で、ガス・シール１６によってリザ
ーバに閉じ込められる。ガス・シールは、加圧下で入口１５を介してシール部材１２と基
板の間の隙間に供給され、第１の出口１４を介して取り出されるガス、例えば空気や合成
空気、Ｎ２、不活性ガスなどによって形成される。ガス入口１５に対する超過圧力、第１
の出口１４に対する真空レベル、及び隙間の形状は、液体を閉じ込める内側への高速ガス
流れが生じるように構成される。

欧州特許出願０３２５７０７２．３には、ツイン又はデュアル・ステージの浸漬リソグ
ラフィ装置の概念が開示されている。そうした装置は、基板を支持するための２つのテー
ブルを備えている。レベリングの測定は第１の位置にあるテーブルを用いて浸漬液なしで
行われ、露光は浸漬液が存在している第２の位置にあるテーブルを用いて行われる。或い
は、装置はただ１つのテーブルを有する。

図６は本発明による一実施例の液体供給系を横断面で示し、図７はそれを水平面で示し
ている。この液体供給系は、投影系ＰＬの最終要素ＦＬＥと基板Ｗとの間の空間の周りに
環形（異なる形でもよい）のシール部材２０を有している。それは、シール部材１２の一
方の側に配置された液体供給口２１、及び他方の１つ以上の液体取り出し口又は排出口２
２を含んでいる。供給口及び排出口は、浸漬液が図７の矢印によって示すように空間の中
央を横切り、両頭矢印で示す走査方向に対してほぼ垂直な方向に流れるように配置されて
いる。シール部材と基板の間の隙間が狭く、液体の流出が制限されるため、液体は空間に
閉じ込められる。漏出するこうした液体は取り出し装置２３によって除去され、ガス・ナ
イフ２４が基板上に留まっている液体膜を内側に向ける。取り出し装置２３は、液体のみ
を取り出すことも、液体とガスの両方（２相）を取り出すこともできる。

この実質的に垂直な流れは、投影系の最終要素ＦＬＥと基板Ｗの間の空間内で液体を確
実に完全に更新するのを助ける。浸漬液の流速が十分に高く、ターゲット部分を露光する
ためにかかる時間内に空間を流れる液体の体積が空間自体の体積に等しい、又はそれより
も大きいと有利である。液体中の泡が押し流されて蓄積しないように、１つ以上の排出口
２２を供給口より上に配置する。一実施例では、１つ以上の排出口は、装置内の液体の量
を最小限に抑えるために、できるだけシール部材の中心近くに配置される。この１つ以上
の排出口２２はその位置に応じて、液体のみ又は液体とガスを取り出すことができる。

少なくとも投影ビームＰＢの経路内で、露光フィールドＥＦより上に横断する流れが確
立されれば、供給口及び排出口の正確な形、数並びにサイズは様々でよいことが理解され
よう。多くの場合、多数の小さい出入口、又は例えばイメージ・フィールドの中心に対し
て３０°〜６０°の角度をなすように、延長されたスリット形の単一の出入口が適切であ
ろう。

本明細書では、リソグラフィ装置をＩＣの製造に用いることについて特に言及している
が、本明細書で記載するリソグラフィ装置は、一体型光学系、磁気ドメイン・メモリ用の
誘導及び検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）
、薄膜磁気ヘッドその他の製造など、他の用途にも使用可能であることを理解すべきであ
る。こうした別の用途についての文脈では、本明細書中の「ウェハ」又は「ダイ」という
用語の使用はいずれも、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」というより一般的な用
語と同義であると考えられることが、当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板
は、露光前又は露光後に、例えばトラック（一般に基板にレジスト層を施し、露光された
レジストを現像するツール）や計測ツール及び／又は検査ツールで処理することができる
。該当する場合には、本明細書の開示をこうしたツールや他の基板処理ツールに適用して
もよい。さらに、例えば多層ＩＣを作製するために、基板を２回以上処理することも可能
であり、したがって本明細書で使用する基板という用語は、処理が施された複数の層を既
に含む基板を指すこともある。

本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、（例えば３６５ｎｍ、２４
８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射を含
むあらゆるタイプの電磁放射を包含している。

「レンズ」という用語は、状況が許す場合には、屈折式及び反射式の光学要素を含めて
、様々なタイプの光学要素の任意の１つ又は組み合わせを指すことがある。

ここまで本発明の特定の実施例について説明してきたが、本発明は記載したものとは違
って実施可能であることが理解されよう。例えば、本発明は、先に開示した方法を記述し
た、機械で読み取り可能な命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータ・プログラム
、或いはそうしたコンピュータ・プログラムが内部に記憶されたデータ記憶媒体（例えば
半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形をとることができる。

本発明を、任意の浸漬リソグラフィ装置、特に、ただしそれだけには限らないが、先に
言及したタイプのものに適用することができる。

上述の説明は例示的なものであり、限定的なものではない。したがって、添付の特許請
求の範囲から逸脱することなく、上述の本発明に変更を加えることが可能であることが当
業者には明らかであろう。

本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。 リソグラフィ投影装置に使用するための液体供給系を示す図である。 リソグラフィ投影装置に使用するための液体供給系を示す図である。 リソグラフィ投影装置に使用するための他の液体供給系を示す図である。 リソグラフィ投影装置に使用するための他の液体供給系を示す図である。 本発明の一実施例による液体供給系を示す図である。 図６の実施例の平面図である。

Claims (14)

1. 基板を投影系に対して第１の方向に走査しながら、該投影系を用いてパターンをパターン形成装置から該基板に投影するように構成されたリソグラフィ投影装置であって、
   液体を前記投影系と前記基板の間の空間に供給するように構成され、液体供給口及び液体排出口を有し、液体が該空間を横切ってほぼ前記第１の方向に垂直な方向に流れるように、該供給口及び該排出口が該空間の両側に前記垂直な方向に沿って配置された液体供給系を有し、
   前記液体供給系が、液体を前記空間に、前記基板の単一のターゲット部分を露光するためにかかる時間内に前記空間を完全に更新するのに十分な供給速度で供給するように構成されていることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
2. 前記液体供給系が、前記空間の第１の側に配置された複数の液体供給口、及び前記空間の第２の側に配置された複数の液体排出口を有し、該第２の側が該第１の側の反対側である、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
3. 前記複数の供給口及び前記複数の排出口が、前記第１の方向に垂直で、前記空間の中央の点を通る平面の周りに対称に配置されている、請求項２に記載のリソグラフィ投影装置。
4. 供給口の数が３〜７の範囲である、請求項２に記載のリソグラフィ投影装置。
5. 排出口の数が３〜７の範囲である、請求項２に記載のリソグラフィ投影装置。
6. 前記液体供給系が、液体を少なくとも部分的に前記空間に閉じ込めるように構成された部材を有している、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
7. 前記部材が、液体を前記部材と前記基板の間から除去するように構成された取り出し口、及び液体を前記空間の中心に向けるために、前記部材と前記基板の間にガスを供給するように構成されたガス・ナイフを有している、請求項６に記載のリソグラフィ投影装置。
8. 供給口を通してリソグラフィ投影装置の投影系と基板の間の空間に液体を供給する工程であって、該供給口が該空間の第１の側に配置される工程と、
   液体が前記空間を横切ってほぼ走査方向に垂直な方向に流れるように、前記第１の側と反対側の、前記空間の第２の側に配置された排出口を介して液体を除去する工程と、
   前記基板を前記投影系に対して走査方向に走査しながら、パターンが形成された放射ビームを、前記投影系を用いて液体を通して前記基板に投影する工程と、を含み、
   前記供給口および前記排出口が前記垂直な方向に沿って配置され、
   前記空間への液体の供給速度が、前記基板の単一のターゲット部分を露光するためにかかる時間内に前記空間を完全に更新するのに十分なものであることを特徴とするデバイス製造方法。
9. 前記空間の第１の側に配置された複数の液体供給口を通して液体を供給し、前記空間の第２の側に配置された複数の液体排出口を通して液体を除去する工程であって、該第２の側が該第１の側の反対側である工程を含んでいる、請求項８に記載のデバイス製造方法。
10. 前記複数の供給口及び前記複数の排出口が、走査方向に垂直で、前記空間の中央の点を通る平面の周りに対称に配置されている、請求項９に記載のデバイス製造方法。
11. 供給口の数が３〜７の範囲である、請求項９に記載のデバイス製造方法。
12. 排出口の数が３〜７の範囲である、請求項９に記載のデバイス製造方法。
13. 液体供給系部材を用いて、液体を少なくとも部分的に前記空間に閉じ込める工程を含んでいる、請求項８に記載のデバイス製造方法。
14. 前記部材と前記基板の間から液体を除去する工程と、
    液体を前記空間の中心に向けるために、前記部材と前記基板の間にガスを供給する工程と
    を含んでいる、請求項１３に記載のデバイス製造方法。

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