CN103969964B - 用于浸没式光刻机的气密封和微孔密封装置 - Google Patents
用于浸没式光刻机的气密封和微孔密封装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103969964B CN103969964B CN201410172815.8A CN201410172815A CN103969964B CN 103969964 B CN103969964 B CN 103969964B CN 201410172815 A CN201410172815 A CN 201410172815A CN 103969964 B CN103969964 B CN 103969964B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- liquid
- injection chamber
- gas
- submergence unit
- hermetic seal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 213
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 201
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 201
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 111
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 36
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000004064 recycling Methods 0.000 claims description 82
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 9
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract description 29
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 144
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 6
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 3
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000000386 athletic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本发明公开了一种用于浸没式光刻机的气密封和微孔密封装置。在浸没式光刻机中的投影透镜组和硅片之间设置有气密封和微孔密封装置;气密封和微孔密封装置包括浸没单元基体、浸没单元上端盖、浸没单元下端盖和浸没单元气密封端盖;浸没单元基体上面与浸没单元上端盖接触,浸没单元基体下面依次与浸没单元下端盖和浸没单元气密封端盖接触紧固连接。本发明用来完成浸没式光刻系统中缝隙流场的密封和液体注入回收功能,采用气密封结构和微孔结构防止液体泄漏,在微孔上加上负压对液体进行回收并约束缝隙流场,通过气密封结构实现缝隙流场的密封,同时能够保证缝隙流场边缘的稳定性。通过大流量注液和回收实现缝隙流场内浸没液体的稳定更新。
Description
技术领域
本发明涉及一种流场密封与注液回收装置,特别是涉及一种用于浸没式光刻机的气密封和微孔密封装置。
背景技术
光刻机是制造超大规模集成电路的核心装备之一,现代光刻机以光学光刻为主,它利用光学系统把掩膜版上的图形精确地投影并曝光在涂过光刻胶的硅片上。它包括一个激光光源、一个光学系统、一块由芯片图形组成的投影掩膜版、一个对准系统和一个涂有光敏光刻胶的硅片。
浸没式光刻(ImmersionLithography)设备通过在最后一片投影物镜与硅片之间填充某种高折射率的液体,相对于中间介质为气体的干式光刻机,提高了投影物镜的数值孔径(NA),从而提高了光刻设备的分辨率和焦深。在已提出的下一代光刻机中,浸没式光刻对现有设备改动最小,对现在的干式光刻机具有良好的继承性。目前常采用的方案是局部浸没法,即将液体限制在硅片上方和最后一片投影物镜的下表面之间的局部区域内,并保持稳定连续的液体流动。在步进-扫描式光刻设备中,硅片在曝光过程中进行高速的扫描运动,这种运动会将曝光区域内的液体带离流场,从而引起泄漏,泄漏的液体会在光刻胶上形成水迹,严重影响曝光质量。随着光刻过程的进行,光刻胶的分解会产生颗粒和气泡等杂质,这些杂质同样会影响曝光质量,需利用液体的流动将这些杂质带离浸没流场。因此,浸没式光刻技术中必须重点解决工作过程中液体的泄漏和浸没液体的更新率问题。
目前已有的解决方案中,重点解决的问题是填充液体的密封问题,采用气密封或液密封构件环绕投影物镜组末端元件和硅片之间的缝隙流场。气密封技术是在环绕填充流场的圆周周边上,通过施加高压气体形成环形气幕,将填充液体限定在一定的圆形区域内。液密封技术则是利用与填充液体不相容的第三方液体(通常是磁流体或水银等),环绕填充流场进行密封。但是存在以下不足:
(1)液密封方式对密封液体有十分苛刻的要求,在确保密封性能要求的同时,还必须保证密封液体与填充液体不相互溶解、与光刻胶(或Topcoat)及填充液体不相互扩散。在衬底高速运动过程中,外界空气或密封液体一旦被卷入或溶解或扩散到填充液体中,都会对曝光质量产生负面影响。
(2)现有的气密封方式采用气幕施加在填充流体周围,造成流场边缘的不稳定,在硅片高速步进和扫描过程中,可能导致液体泄漏及密封气体卷吸到流场中;同时,填充液体及密封气体一起回收时将形成气液两相流,由此引发振动,影响曝光系统的稳定工作。
发明内容
为了解决局部浸没式光刻技术中的缝隙流场密封和液体更新率问题,本发明的目的在于提供一种用于浸没式光刻机的气密封和微孔密封装置,在流场边缘使用方形微孔结构和气密封结构防止缝隙流场中的液体泄漏,使用大流量注液和回收结构解决液体的更新率问题。
本发明采用的技术方案如下:
本发明在浸没式光刻机中的投影透镜组和硅片之间设置有气密封和微孔密封装置;所述气密封和微孔密封装置包括浸没单元基体、浸没单元上端盖、浸没单元下端盖和浸没单元气密封端盖;所述的浸没单元基体上面与浸没单元上端盖接触,浸没单元基体下面依次与浸没单元下端盖和浸没单元气密封端盖接触,并通过螺钉紧固连接;其中:
1)浸没单元基体:
在浸没单元基体上开有中心倒锥孔,中心锥孔大端向外为相对分布的第一注液腔和第一液体回收腔,第一注液腔与折线形的第一注液通道相连,第一液体回收腔与折线形的第一液体回收通道相连;中心锥孔大端向外为相对分布的右侧第二注液腔和左侧第二注液腔,右侧第二注液腔向外与折线形的右侧第二注液通道相连,右侧第二注液腔向下与方形注液腔相连通,左侧第二注液腔向外与折线形的左侧第二注液通道相连,左侧第二注液腔向下与方形注液腔相连通;在右侧第二注液腔和第一注液腔之间开有右侧第二液体回收腔,右侧第二液体回收腔向外与折线形的右侧第二液体回收通道相连,右侧第二液体回收腔向下与右侧第二液体回收槽相连通,右侧第二液体回收槽向内与方形液体回收腔相连,在左侧第二注液腔和第一注液腔之间开有左侧第二液体回收腔,左侧第二液体回收腔向外与折线形的左侧第二液体回收通道相连,左侧第二液体回收腔向下与第二液体回收槽相连通,左侧第二液体回收槽向内与方形液体回收腔相连,右侧第二注液腔向外为注气腔,右侧注气腔与右侧注气通道相连,左侧第二注液腔向外为左侧注气腔,左侧注气腔与左侧注气通道相连,在右侧注气腔与第一液体回收腔之间开有右侧气体回收腔,右侧气体回收腔与折线形的右侧气体回收通道相连,在左侧注气腔与第一液体回收腔之间开有左侧气体回收腔,左侧气体回收腔与折线形的左侧气体回收通道相连;第一注液通道、右侧第二液体回收通道、右侧注气通道、右侧第二注液通道和右侧气体回收通道向浸没单元基体一侧聚集,并通过螺纹孔与外部管路相连,第一液体回收通道、左侧第二液体回收通道、左侧注气通道、左侧第二注液通道和左侧气体回收通道向浸没单元基体的另一侧聚集,通过螺纹孔与外部管路相连;
2)浸没单元上端盖:在浸没单元上端盖上开有中心通孔;
3)浸没单元下端盖:
在浸没单元下端盖上开有中心方形通孔,中心方形通孔向外是微孔组成的方形注液孔阵列,注液孔阵列向下是下端盖注液腔,注液孔阵列向外是方形微孔组成的方形回收孔阵列;
4)浸没单元气密封端盖:
在浸没单元气密封端盖上开有中心通孔,中心通孔向外是右侧气体回收腔和左侧气体回收腔,右侧气体回收腔和左侧气体回收腔与中心通孔相连通,浸没单元气密封端盖最外侧是注气缓冲腔,右侧气体回收腔和左侧气体回收腔周向之间开有右侧气密封端盖注气腔和左侧气密封端盖注气腔,右侧气密封端盖注气腔和左侧气密封端盖注气腔向外与注气缓冲腔相连通。
所述的方形注液腔向下与注液孔阵列相连通,方形液体回收腔向下与回收孔阵列相连通,右侧注气腔向下右侧气密封端盖注气腔相连通,左侧注气腔向下与密封端盖注气腔。
所述的注液孔阵列由圆形孔组成的方形排孔阵列,回收孔阵列由方形孔组成的方形排孔阵列。
本发明具有的有益效果是:
1、将注液结构和回收结构均分为两级,第一级注液口提供大流量注液,第一级液体回收口在中心锥孔的另一侧和第一级注液口相对,用来回收大部分液体,大流量注液能够保证液体的更新率,及时带走曝光过程中产生的污染物等杂质。同时第一级注液口和第一级液体回收口连线方向与扫描方向垂直,在工作过程中便不会存在零速区,不会存在液体无法更新的区域。
2、第二级注液口为圆形微孔组成的方形排孔阵列,分布在中心锥孔外侧,提供小流量注液,用来保证缝隙流场的边缘稳定。第二级液体回收口为方形孔组成的方形排孔阵列,分布在第二级液体回收口外侧,在第二级液体回收口上通上负压,用来回收缝隙流场中的液体,将向外流动的浸没液体及时回收,从而防止浸没液体的泄漏。第二级注液口和第二级液体回收口的微孔分别排列成方形形状,两个相对的顶角分别在第一级注液口和第一级液体回收口的下部,另外两个相对的顶角的对角线与扫描方向平行,这样的方形结构延长了扫描方向上的液体泄漏的阻力,允许运动平台具有更高的扫描速度。
3、注气结构分布在最外侧,密封气体形成气幕,密封气体在浸没单元最外侧形成圆形的密闭气幕,内侧的气体回收结构使得密封气体从外向内流动,利用密封气体的压力密封缝隙流场,增加浸没液体的泄漏阻力。浸没单元底部的方形和八边形的排列,使得密封气体的压力在第二液体回收口处的压力分布不均匀,顶角处的压力较大,而顶角之间的压力较小,对工作情况具有更好的适应性。
附图说明
图1是本发明与投影透镜组相装配的简化示意图。
图2是浸没单元爆炸剖面图。
图3是浸没单元基体俯视图。
图4是浸没单元基体俯视方向轴测视图。
图5是浸没单元基体仰视图。
图6是浸没单元仰视方向轴测视图。
图7是浸没单元上端盖。
图8是浸没单元下端盖俯视图。
图9是浸没单元下端盖仰视图。
图10是浸没单元气密封端盖。
图中:1、投影透镜组,2、气密封和微孔密封装置,2A、浸没单元基体,2B、浸没单元上端盖,2C、浸没单元下端盖,2D、浸没单元气密封端盖,3、硅片,4A、第一注液通道,4B、第一注液腔,5A、第一液体回收通道,5B、第一液体回收腔,6A1、右侧第二注液通道,6B1、右侧第二注液腔,6A2、左侧第二注液通道,6B2、左侧第二注液腔,6C、方形注液腔,6D、注液孔阵列,6E、下端盖注液腔,7A1、右侧第二液体回收通道,7B1、右侧第二液体回收腔,7C1、右侧第二液体回收槽,7A2、左侧第二液体回收通道,7B2、左侧第二液体回收腔,7C2、左侧第二液体回收槽,7D、方形液体回收腔,7E、回收孔阵列,8A1、右侧注气通道,8B1、右侧注气腔,8C1、右侧气密封端盖注气腔,8A2、左侧注气通道,8B2、左侧注气腔,8C2、左侧气密封端盖注气腔,8D、注气缓冲腔,9A1、右侧气体回收通道,9B1、右侧气体回收腔,9C1、右侧气体回收腔,9A2、左侧气体回收通道,9B2、左侧气体回收腔,9C2、左侧气体回收腔,10、浸没液体。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做进一步的说明。
如图1、图2所示,本发明在浸没式光刻机中的投影透镜组1和硅片3之间设置有气密封和微孔密封装置2;所述气密封和微孔密封装置2包括浸没单元基体2A、浸没单元上端盖2B、浸没单元下端盖2C和浸没单元气密封端盖2D;所述的浸没单元基体2A上面与浸没单元上端盖2B接触,浸没单元基体2A下面依次与浸没单元下端盖2C和浸没单元气密封端盖2D接触,并通过螺钉紧固连接。
气密封和微孔密封装置2安装在投影透镜组1和硅片3之间,气密封和微孔密封装置2开有中心锥孔,气密封和中心锥孔装置2的主要功能是将浸没液体10限制在投影物镜组1的正下方,从投影物镜组1发出的光线穿过气密封和微孔密封装置2的中心通孔后进入缝隙流场,即要经过浸没液体10照射在硅片3上,完成曝光过程,浸没液体的折射率要比空气高,从而能够提高光刻系统的数值孔径和分辨率。
1)浸没单元基体2A:
如图3、图4、图5和图6所示,在浸没单元基体2A上开有中心倒锥孔,中心锥孔大端向外为相对分布的第一注液腔4B和第一液体回收腔5B,第一注液腔4B与折线形的第一注液通道4A相连,第一液体回收腔5B与折线形的第一液体回收通道5A相连;中心锥孔大端向外为相对分布的右侧第二注液腔6B1和左侧第二注液腔6B2,右侧第二注液腔6B1向外与折线形的右侧第二注液通道6A1相连,右侧第二注液腔6B1向下与方形注液腔6C相连通,左侧第二注液腔6B2向外与折线形的左侧第二注液通道6A2相连,左侧第二注液腔6B2向下与方形注液腔6C相连通;在右侧第二注液腔6B1和第一注液腔4B之间开有右侧第二液体回收腔7B1,右侧第二液体回收腔7B1向外与折线形的右侧第二液体回收通道7A1相连,右侧第二液体回收腔7B1向下与右侧第二液体回收槽7C1相连通,右侧第二液体回收槽7C1向内与方形液体回收腔7D相连,在左侧第二注液腔6B2和第一注液腔5B之间开有左侧第二液体回收腔7B2,左侧第二液体回收腔7B2向外与折线形的左侧第二液体回收通道7A2相连,左侧第二液体回收腔7B2向下与第二液体回收槽7C2相连通,左侧第二液体回收槽7C2向内与方形液体回收腔7D相连,右侧第二注液腔6B1向外为注气腔8B1,右侧注气腔8B1与右侧注气通道8A1相连,左侧第二注液腔6B2向外为左侧注气腔8B2,左侧注气腔8B2与左侧注气通道8A2相连,在右侧注气腔8B1与第一液体回收腔5B之间开有右侧气体回收腔9B1,右侧气体回收腔9B1与折线形的右侧气体回收通道9A1相连,在左侧注气腔8B2与第一液体回收腔4B之间开有左侧气体回收腔9B2,左侧气体回收腔9B2与折线形的左侧气体回收通道9A2相连;第一注液通道4A、右侧第二液体回收通道7A1、右侧注气通道8A1、右侧第二注液通道6A1和右侧气体回收通道9A1向浸没单元基体2A一侧聚集,并通过螺纹孔与外部管路相连,第一液体回收通道5A、左侧第二液体回收通道7A2、左侧注气通道8A2、左侧第二注液通道6A2和左侧气体回收通道9A2向浸没单元基体2A的另一侧聚集,通过螺纹孔与外部管路相连。
2)浸没单元上端盖2B:
如图7所示,在浸没单元上端盖2B上开有中心通孔。浸没单元上端盖2B上具有螺纹连接的通孔,浸没单元上端盖2B的下表面与浸没单元基体2A相接触,使得浸没单元基体2A上的各个管路形成各自独立密封的管路,完成浸没单元的注液和液体回收,注气和气体回收功能。
3)浸没单元下端盖2C:
如图8、图9所示,在浸没单元下端盖2C上开有中心方形通孔,中心方形通孔向外是微孔组成的方形注液孔阵列6D,注液孔阵列6D向下是下端盖注液腔6E,注液孔阵列6D向外是方形微孔组成的方形回收孔阵列7E。
4)浸没单元气密封端盖2D:
如图10所示,在浸没单元气密封端盖2D上开有中心通孔,中心通孔向外是右侧气体回收腔9C1和左侧气体回收腔9C2,右侧气体回收腔9C1和左侧气体回收腔9C2与中心通孔相连通,浸没单元气密封端盖2D最外侧是注气缓冲腔8D,右侧气体回收腔9C1和左侧气体回收腔9C2周向之间开有右侧气密封端盖注气腔8C1和左侧气密封端盖注气腔8C2,右侧气密封端盖注气腔8C1和左侧气密封端盖注气腔8C2向外与注气缓冲腔8D相连通。
所述的方形注液腔6C向下与注液孔阵列6D相连通,方形液体回收腔7D向下与回收孔阵列7E相连通,右侧注气腔8B1向下右侧气密封端盖注气腔8C1相连通,左侧注气腔8B2向下与密封端盖注气腔8C2。
所述的注液孔阵列6D由圆形孔组成的方形排孔阵列,回收孔阵列7E由方形孔组成的方形排孔阵列。
如图10所示,在浸没单元基体2A上,第一注液通道4A和第一注液腔4B组成第一注液结构,用来完成大流量注液。液体第一回收通道5A和第一液体回收腔5B组成第一液体回收结构,用来回收中心锥孔处的大部分液体。浸没单元基体2A上的右侧第二注液通道6A1和右侧第二注液腔6B1、左侧第二注液通道6A2和左侧第二注液腔6B2分别组成两个独立的注液通道共同注入方形注液腔6C,方形注液腔6C和浸没单元下端盖2C上的注液孔阵列6D相连通,和下端盖注液腔6E一起组成完整的第二注液结构。
浸没单元基体2A上的左侧第二液体回收通道7A2、左侧第二液体回收腔7B2和左侧第二液体回收槽7C2,右侧第二液体回收通道7A1、右侧第二液体回收腔7B1和右侧第二液体回收槽7C1组成两个独立的液体回收通道,共同连入上端盖方形液体回收腔7D,方形液体回收腔7D向下与浸没单元下端盖2C上的回收孔阵列7E相连组成完整的第二液体回收结构。
浸没单元基体2A上的右侧注气腔8B1向下与浸没单元气密封端盖2D上的右侧气密封端盖注气腔8C1相连,使得右侧注气通道8A1、右侧注气腔8B1和右侧气密封端盖注气腔8C1组成右侧注气通道,左侧注气腔8B2向下与浸没单元气密封端盖2D上的左侧气密封端盖注气腔8C2相连,使得左侧注气通道8A2、左侧注气腔8B2和左侧气密封端盖注气腔8C2组成左侧注气通道,右侧注气通道和左侧注气通道共同连入注气缓冲腔8D,组成完整的注气结构。
右侧气体回收腔9B1和右侧气体回收腔9C1相连通,使得右侧气体回收通道9A1、右侧气体回收腔9B1和右侧气体回收腔9C1共同组成完整的右侧气体回收结构。左侧气体回收腔9B2和左侧气体回收腔9C2相连通,使得左侧气体回收通道9A2、左侧气体回收腔9B2和左侧气体回收腔9C2共同组成完整的左侧气体回收结构。
本发明的工作原理如下:
如图1所示,给出了气密封和微孔装置2在光刻系统中的位置。曝光过程中,光线通过掩模板、投影物镜组1和由浸没液体填充形成的缝隙流场,照射在硅片3的光刻胶上,对硅片3进行曝光,将掩模版上的图形准确的转移到硅片的光刻胶上。浸没单元基体2A连接在位姿调整机构上,用于调整气密封和气液隔离装置2的空间位置和姿态。
硅片静止时,注液管路中的浸没液体10通过浸没单元基体2A上的上端盖第一注液通道4A和第一注液腔4B注入,浸没液体沿着浸没单元基体2A上的中心锥孔和投影物镜组1圆锥面组成的狭缝向下流入缝隙流场,浸没液体10会填充在最后一片投影物镜和硅片3组成的间隙中,形成缝隙流场。第一注液结构提供较大的注液流量,以保证缝隙流场的更新率,及时带走曝光过程中的污染物。同时,浸没液体通过右侧第二注液通道6A1和左侧第二注液通道6A2,依次经过第二注液结构的各个通道,最后进入下端盖注液腔6E,从下端盖注液腔6E注入的液体和从第一注液腔4B注入的液体汇合在一起,使得缝隙流场中的液体向两个方向运动。
随着液体的注入,中心锥孔处的液面不断升高,同时,缝隙流场中的液体在水平方向上向四周扩散。中心锥孔处上升的液体升高到第一液体回收腔5B处时,便会通过第一液体回收腔5B和液体第一回收通道5A组成的回收通道,流入外部管路。在右侧第二液体回收通道7A1和左侧第二液体回收通道7A2通上负压,向四周扩散的浸没液体遇到回收孔阵列7E后,便会在负压的作用下,依次向上通过第二液体回收结构的各个通道,进入右侧第二液体回收通道7A1和左侧第二液体回收通道7A2,被外部管路回收出去。当注液-回收达到平衡后,便完成了浸没单元的缝隙流场填充过程。通过方形的回收孔阵列7E便能够完成缝隙流场的密封。
密封气体通过右侧注气通道8A1和左侧注气通道8A2进入注气结构,依次通过注气结构的各个部分最后进入注气缓冲腔8D,密封气体便会在注气缓冲腔8D下方形成气幕,分布在缝隙流场的四周。气体回收结构分为两个独立的管路,从注气缓冲腔8D注入的密封气体依次通过气体回收结构,分别通过右侧气体回收通道9A1和左侧气体回收通道9A2被回收出去。密封气体从外向内流动,和微孔回收结构共同作用防止浸没液体的泄漏。
在第一注液通道4A上提供大流量注液,经过第一注液腔4B,通过中心锥孔之间的缝隙流入物镜下部,随着浸没液体的注入,浸没液体经过物镜底部,被和第一注液通道4B相对的第一液体回收腔5B回收,此处的注液-回收流量较大,以保证浸没液体的更新率,及时带走曝光过程中产生的污染物,由于硅片的运动方向和注液-回收方向相垂直,因此不存在零速区。
调节浸没单元基体2A的位置,使得第一注液腔4B和第一液体回收腔5B下方的顶角的对角线与硅片运动方向垂直。这样就使第一注液口和第一液体回收口的液体流动方向与硅片的扫描方向垂直。
硅片在运动过程中,对浸没液体具有牵拉作用,使得硅片运动方向上的浸没液体具有向外流动的趋势。如果不对运动方向上的浸没液体及时进行回收,便容易导致泄漏,而在运动方向相反的方向上,用于硅片的牵拉作用,此处的液体会有所减少,如果不及时补充,便可能在第二液体回收口处卷吸进气体。
气密封和微孔密封装置2底部的回收孔阵列7E和方形液体回收腔7D排列成方向,方形的一条对角线和硅片的运动方向平行,浸没液体容易发生泄漏的部分分布在对角线附近,这种结构便延长了浸没液体的泄漏阻力,从而使得缝隙流场不容易发生泄漏,能够提高硅片的扫描速度。
方形液体回收腔7D将回收孔阵列7E分割成阶梯状。方形液体回收腔7D上的回收孔阵列7E相对于硅片的距离较大,方形液体回收腔7D外的回收孔阵列7E相对于硅片的距离较小。这种结构相当于降低了液体流动的高度,从而增加了浸没液体的泄漏阻力,能够提高硅片的扫描速度。
在硅片的运动过程中,打开气密封结构,密封气体在浸没单元最外侧形成圆形的密闭气幕,内侧的气体回收结构使得密封气体从外向内流动,利用密封气体的压力密封缝隙流场,增加浸没液体的泄漏阻力。由于方形液体回收腔7D和回收孔阵列7E的方形形状,以及浸没单元下端盖2C外侧的八边形形状,使得密封气体的压力在第二液体回收口处的压力分布不均匀,顶角处的压力较大,而顶角之间的压力较小,对工作情况具有更好的适应性。
Claims (3)
1.一种用于浸没式光刻机的气密封和微孔密封装置,在浸没式光刻机中的投影透镜组(1)和硅片(3)之间设置有气密封和微孔密封装置(2);其特征在于:所述气密封和微孔密封装置(2)包括浸没单元基体(2A)、浸没单元上端盖(2B)、浸没单元下端盖(2C)和浸没单元气密封端盖(2D);所述的浸没单元基体(2A)上面与浸没单元上端盖(2B)接触,浸没单元基体(2A)下面依次与浸没单元下端盖(2C)和浸没单元气密封端盖(2D)接触,并通过螺钉紧固连接;其中:
1)浸没单元基体(2A):
在浸没单元基体(2A)上开有中心倒锥孔,中心锥孔大端向外为相对分布的第一注液腔(4B)和第一液体回收腔(5B),第一注液腔(4B)与折线形的第一注液通道(4A)相连,第一液体回收腔(5B)与折线形的第一液体回收通道(5A)相连;中心锥孔大端向外为相对分布的右侧第二注液腔(6B1)和左侧第二注液腔(6B2),右侧第二注液腔(6B1)向外与折线形的右侧第二注液通道(6A1)相连,右侧第二注液腔(6B1)向下与方形注液腔(6C)相连通,左侧第二注液腔(6B2)向外与折线形的左侧第二注液通道(6A2)相连,左侧第二注液腔(6B2)向下与方形注液腔(6C)相连通;在右侧第二注液腔(6B1)和第一注液腔(4B)之间开有右侧第二液体回收腔(7B1),右侧第二液体回收腔(7B1)向外与折线形的右侧第二液体回收通道(7A1)相连,右侧第二液体回收腔(7B1)向下与右侧第二液体回收槽(7C1)相连通,右侧第二液体回收槽(7C1)向内与方形液体回收腔(7D)相连,在左侧第二注液腔(6B2)和第一注液腔(5B)之间开有左侧第二液体回收腔(7B2),左侧第二液体回收腔(7B2)向外与折线形的左侧第二液体回收通道(7A2)相连,左侧第二液体回收腔(7B2)向下与第二液体回收槽(7C2)相连通,左侧第二液体回收槽(7C2)向内与方形液体回收腔(7D)相连,右侧第二注液腔(6B1)向外为注气腔(8B1),右侧注气腔(8B1)与右侧注气通道(8A1)相连,左侧第二注液腔(6B2)向外为左侧注气腔(8B2),左侧注气腔(8B2)与左侧注气通道(8A2)相连,在右侧注气腔(8B1)与第一液体回收腔(5B)之间开有右侧气体回收腔(9B1),右侧气体回收腔(9B1)与折线形的右侧气体回收通道(9A1)相连,在左侧注气腔(8B2)与第一液体回收腔(4B)之间开有左侧气体回收腔(9B2),左侧气体回收腔(9B2)与折线形的左侧气体回收通道(9A2)相连;第一注液通道(4A)、右侧第二液体回收通道(7A1)、右侧注气通道(8A1)、右侧第二注液通道(6A1)和右侧气体回收通道(9A1)向浸没单元基体(2A)一侧聚集,并通过螺纹孔与外部管路相连,第一液体回收通道(5A)、左侧第二液体回收通道(7A2)、左侧注气通道(8A2)、左侧第二注液通道(6A2)和左侧气体回收通道(9A2)向浸没单元基体(2A)的另一侧聚集,通过螺纹孔与外部管路相连;
2)浸没单元上端盖(2B):
在浸没单元上端盖(2B)上开有中心通孔;
3)浸没单元下端盖(2C):
在浸没单元下端盖(2C)上开有中心方形通孔,中心方形通孔向外是微孔组成的方形注液孔阵列(6D),注液孔阵列(6D)向下是下端盖注液腔(6E),注液孔阵列(6D)向外是方形微孔组成的方形回收孔阵列(7E);
4)浸没单元气密封端盖(2D):
在浸没单元气密封端盖(2D)上开有中心通孔,中心通孔向外是右侧气体回收腔(9C1)和左侧气体回收腔(9C2),右侧气体回收腔(9C1)和左侧气体回收腔(9C2)与中心通孔相连通,浸没单元气密封端盖(2D)最外侧是注气缓冲腔(8D),右侧气体回收腔(9C1)和左侧气体回收腔(9C2)周向之间开有右侧气密封端盖注气腔(8C1)和左侧气密封端盖注气腔(8C2),右侧气密封端盖注气腔(8C1)和左侧气密封端盖注气腔(8C2)向外与注气缓冲腔(8D)相连通。
2.根据权利要求1所述的一种用于浸没式光刻机的气密封和微孔密封装置,其特征在于:所述的方形注液腔(6C)向下与注液孔阵列(6D)相连通,方形液体回收腔(7D)向下与回收孔阵列(7E)相连通,右侧注气腔(8B1)向下右侧气密封端盖注气腔(8C1)相连通,左侧注气腔(8B2)向下与密封端盖注气腔(8C2)。
3.根据权利要求1所述的一种用于浸没式光刻机的气密封和微孔密封装置,其特征在于:所述的注液孔阵列(6D)由圆形孔组成的方形排孔阵列,回收孔阵列(7E)由方形孔组成的方形排孔阵列。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410172815.8A CN103969964B (zh) | 2014-04-25 | 2014-04-25 | 用于浸没式光刻机的气密封和微孔密封装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410172815.8A CN103969964B (zh) | 2014-04-25 | 2014-04-25 | 用于浸没式光刻机的气密封和微孔密封装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103969964A CN103969964A (zh) | 2014-08-06 |
CN103969964B true CN103969964B (zh) | 2015-11-25 |
Family
ID=51239630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410172815.8A Active CN103969964B (zh) | 2014-04-25 | 2014-04-25 | 用于浸没式光刻机的气密封和微孔密封装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103969964B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105045046B (zh) * | 2015-08-03 | 2017-03-29 | 浙江大学 | 一种用于浸没式光刻机的气密封及水平和垂直注液回收装置 |
EP4323841A1 (en) | 2021-04-15 | 2024-02-21 | ASML Netherlands B.V. | A fluid handling system, method and lithographic apparatus |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1850181A1 (en) * | 2004-09-20 | 2007-10-31 | ASML Netherlands BV | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
CN101403862A (zh) * | 2008-10-21 | 2009-04-08 | 浙江大学 | 用于光刻机的浸没液体回收减振控制装置 |
CN101403861B (zh) * | 2008-10-21 | 2010-08-25 | 浙江大学 | 用于光刻机的浸没自适应密封控制装置 |
CN103268059A (zh) * | 2013-05-29 | 2013-08-28 | 浙江大学 | 用于浸没式光刻机的多级负压回收密封和气密封装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009170504A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
-
2014
- 2014-04-25 CN CN201410172815.8A patent/CN103969964B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1850181A1 (en) * | 2004-09-20 | 2007-10-31 | ASML Netherlands BV | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
CN101403862A (zh) * | 2008-10-21 | 2009-04-08 | 浙江大学 | 用于光刻机的浸没液体回收减振控制装置 |
CN101403861B (zh) * | 2008-10-21 | 2010-08-25 | 浙江大学 | 用于光刻机的浸没自适应密封控制装置 |
CN103268059A (zh) * | 2013-05-29 | 2013-08-28 | 浙江大学 | 用于浸没式光刻机的多级负压回收密封和气密封装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103969964A (zh) | 2014-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104035290B (zh) | 一种用于浸没式光刻机的气密封和两级多孔气液回收装置 | |
CN100595678C (zh) | 用于光刻机的浸没液体回收减振控制装置 | |
JP5044812B2 (ja) | 液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置、ウェーハ・チャック・アセンブリ、および、方法 | |
CN104597720B (zh) | 一种用于浸没式光刻机的气液隔离装置 | |
CN102707580B (zh) | 用于浸没式光刻机的气密封和气液分离回收装置 | |
CN105116688B (zh) | 一种用于浸没式光刻机的浸没液体控制装置 | |
CN102937777B (zh) | 用于浸没式光刻机的气密封和气液隔离装置 | |
CN107991843A (zh) | 一种用于浸没式光刻机的微流道气液分离回收装置 | |
CN101452219B (zh) | 用于光刻机的浸没液体供给及回收控制装置 | |
CN103969964B (zh) | 用于浸没式光刻机的气密封和微孔密封装置 | |
CN102621818B (zh) | 一种用于光刻机的浸没控制装置 | |
CN202615114U (zh) | 一种用于浸没式光刻机的气密封和气液分离回收装置 | |
CN104570617B (zh) | 基于动态压力检测的浸没流场自适应密封方法 | |
CN101408731B (zh) | 一种用于浸没式光刻机的浸没控制装置 | |
CN104965392A (zh) | 一种用于浸没式光刻机的垂直回收和气密封装置 | |
CN101452218B (zh) | 一种用于光刻机的浸没自适应气体密封装置 | |
CN103176368B (zh) | 用于浸没式光刻机的气密封和气液减振回收装置 | |
CN105045046B (zh) | 一种用于浸没式光刻机的气密封及水平和垂直注液回收装置 | |
CN203025474U (zh) | 一种用于浸没式光刻机的气密封和气液隔离装置 | |
CN103268059B (zh) | 用于浸没式光刻机的多级负压回收密封和气密封装置 | |
CN105807566A (zh) | 一种浸没式光刻机浸液流场维持装置 | |
CN101634811B (zh) | 用于浸没式光刻机的柔性密封和自适应回收装置 | |
CN113138540B (zh) | 一种具有气液分离回收功能的浸液供给回收装置 | |
CN104570618B (zh) | 基于亲疏水交替表面的浸没流场密封装置 | |
CN100445872C (zh) | 浸没式光刻系统中的液体传送及气密封装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200714 Address after: No.99 Lixin Road, Qingshanhu street, Lin'an District, Hangzhou City, Zhejiang Province Patentee after: ZHEJIANG QIER ELECTROMECHANICAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 310027 Hangzhou, Zhejiang Province, Xihu District, Zhejiang Road, No. 38, No. Patentee before: ZHEJIANG University |